TWI431571B - 顯示裝置和其驅動方法 - Google Patents

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Description

顯示裝置和其驅動方法
本發明係關於包括電晶體的顯示裝置以及驅動該裝置的方法。具體而言，本發明係關於具有包括薄膜電晶體(以下也稱為TFT)的像素的顯示裝置以及驅動該裝置的方法。
近年來，使用以液晶的電光特性或電致發光特性來發光的元件的薄型顯示器(也稱為平板顯示器)吸引了人們的注意力，並且其市場有望擴張。其中以玻璃基板上的TFT形成像素的所謂主動矩陣顯示器已被視為與薄型顯示器一樣重要。特別地，具有多晶矽膜形成的通道部分的TFT可實現高速操作，因為與習知的使用非晶矽膜的TFT相比，它具有高電子場效應遷移率。因此，可用藉由使用與像素在同一基板上的TFT而形成的驅動電路來控制像素。在玻璃基板上形成使用TFT的像素和各種功能電路的顯示器具有各種優點，諸如構件數目減少、由於簡化的製造技術而導致的產量的增長、以及生產力的提高等。
組合了電致發光元件(也稱為OLED：有機發光二極體，在此說明書中，以下也將其簡稱為“EL元件”或“發光元件”)和TFT的主動矩陣顯示器作為一種薄型和輕型的顯示器已吸引了人們的注意力，並且國內外都已進行了積極的研究。這一顯示器也稱為有機EL顯示器(OELD)，並且已被驗證為可被開發為從2英寸的小尺寸到超過40英寸的大尺寸等各種尺寸的顯示器以供實際使用。
一般而言，當EL元件退化時，在EL元件中流動的電流與對該EL元件施加的電壓之比就會減小。在EL元件中流動的電流與該EL元件的亮度成正比關係；因此在EL元件中流動的電流減小就會導致該EL元件亮度降低。此外，在EL元件中，電壓－電流亮度特性比電流－亮度特性退化得更嚴重。例如，與保持對EL元件施加固定電流時相比，對該EL元件施加固定電壓時該EL元件的亮度退化得更早。亦即，與以電流驅動EL元件時相比，以電壓來驅動EL元件時更容易引起EL元件中的退化。
作為使用EL元件作為顯示介質、並且具有串聯在兩條電源線之間的EL元件和TFT(以下也稱為驅動TFT)的結構的主動矩陣EL顯示器的驅動方法，已知有以下方法：驅動TFT在飽和區工作以改變驅動TFT的閘極與源極之間的電壓、由此來控制流向EL元件的電流值的方法，以及驅動TFT在線性區工作、由此控制向EL元件提供電壓和EL元件發光的時間的方法。此外，在驅動TFT在飽和區中工作的驅動方法中，還已知控制在某段時間裏電流流向EL元件的時間、由此來顯示灰度級的驅動方法。
在驅動TFT在線性區中工作的方法中，當驅動TFT導通時，兩條電源線的電位幾乎被原樣地施加於EL元件。亦即，EL元件由電壓操作。如上所述，與EL元件在由電流操作時相比，EL元件在由電壓操作時，該EL元件的亮度退化得更嚴重。因此，即使是在EL元件的亮度相同的情況下，與驅動TFT在飽和區中工作時相比，驅動TFT在線性區中工作時，亮度也退化得更嚴重。因此，可以說與驅動TFT在飽和區中工作的主動矩陣EL顯示器相比，驅動TFT在線性區中工作的主動矩陣EL顯示器中更容易產生預燒(burn－in)。
驅動TFT在線性區中工作的主動矩陣EL顯示器中為避免預燒，已知一種測量所有EL元件中的退化條件、並以視頻訊號來驅動EL元件的方法(見專利文獻1)。在此方法中，在每個像素中測量施加了一定電壓的EL元件的電流值。當存在具有低電流值的退化像素時，即校正該退化像素的視頻訊號以獲得預定的電流值，這就意味著可獲得預定的亮度。
[專利文獻1]日本專利特開第2003－195813號公報
但是，在習知技術中，檢測發光元件特性的條件是很重要的，因為當像素是用EL元件，即使用包含電致發光物質的發光介質的發光元件形成的時候，在每個像素裏的發光元件中流動的電流是很小的(大約是幾μA)。例如，如果檢測條件不同，則一個發光元件的特性會顯著變化，並且作為外部因素的雜訊效應也會有很大的變化。
本發明的一個目的是提供檢測發光元件的特性的指定條件，並更準確地校正發光元件中的退化。
本發明的一種顯示裝置具有電池、包括發光元件的像素、計時器電路、充電單元檢測電路、以及驅動方法選擇電路。計時器電路在藉由顯示影像的正常驅動週期獲得了發光元件的特性的預燒校正週期結束之後過去預定時間時，輸出進入下一個預燒校正週期的訊號。充電單元檢測電路在電池已被充電時，輸出進入預燒校正週期的訊號。驅動方法選擇電路在從計時器電路和充電單元檢測電路都輸入了進入預燒校正週期的訊號時，輸出從正常驅動週期進入預燒校正週期，而在沒有輸入這些進入預燒校正週期的訊號中的任何一個時，輸出從預燒校正週期進入正常驅動週期的訊號。
本發明的一種顯示裝置具有包括發光元件的像素、計時器電路、非操作檢測電路、以及驅動方法選擇電路。計時器電路在藉由顯示影像的正常驅動週期獲得了發光元件特性的預燒校正週期結束之後過去了預定時間時，輸出進入下一個預燒校正週期的訊號。非操作檢測電路當顯示裝置在預定的時間裏沒有被接通時，輸出進入預燒校正週期的訊號。驅動方法選擇電路在從計時器電路和非工作檢測電路都輸入了進入預燒校正週期的訊號時，輸出從正常驅動週期進入預燒校正週期的訊號，而在沒有輸入這些進入預燒校正週期的訊號中的任何一個時，輸出從預燒校正週期進入正常驅動週期的訊號。
本發明的一種顯示裝置具有電池、包括發光元件的像素、計時器電路、充電單元檢測電路、環境亮度檢測電路、以及驅動方法選擇電路。計時器電路在藉由顯示影像的正常驅動週期獲得了發光元件特性的預燒校正週期結束之後過去了預定時間時，輸出進入下一個預燒校正週期的訊號。充電單元檢測電路在電池已被充電時，輸出進入預燒校正週期的訊號。環境亮度檢測電路在顯示裝置的環境亮度接近預定亮度時，輸出進入預燒校正週期的訊號。驅動方法選擇電路在從計時器電路、充電單元檢測電路和環境亮度檢測電路都輸入了進入預燒校正週期的訊號時，輸出從正常驅動週期進入預燒校正週期的訊號，而在沒有輸入這些進入預燒校正週期的訊號中的任何一個時，輸出從預燒校正週期進入正常驅動週期的訊號。
本發明的一種顯示裝置具有包括發光元件的像素、計時器電路、非工作檢測電路、環境亮度檢測電路、以及驅動方法選擇電路。計時器電路在藉由顯示影像的正常驅動週期獲得了發光元件特性的預燒校正週期結束之後過去了預定時間時，輸出進入下一個預燒校正週期的訊號。非工作檢測電路當顯示裝置在預定的時間裏沒有被接通時，輸出進入預燒校正週期的訊號。環境亮度檢測電路在顯示裝置的環境亮度接近預定亮度時，輸出進入預燒校正週期的訊號。驅動方法選擇電路在從計時器電路、非工作檢測電路和環境亮度檢測電路都輸入了進入預燒校正週期的訊號時，輸出從正常驅動週期進入預燒校正週期的訊號，而在沒有輸入這些進入預燒校正週期的訊號中的任何一個時，輸出從預燒校正週期進入正常驅動週期的訊號。
本發明的一種顯示裝置具有包括發光元件的像素、計時器電路、以及驅動方法選擇電路。計時器電路在藉由顯示影像的正常驅動週期獲得了發光元件特性的預燒校正週期結束之後過去了預定時間時，輸出進入下一個預燒校正週期的訊號。驅動方法選擇電路在從計時器電路輸入了進入預燒校正週期的訊號時，輸出從正常驅動週期進入預燒校正週期的訊號，而在沒有輸入進入預燒校正週期的訊號時，輸出從預燒校正週期進入正常驅動週期的訊號。
本發明的一種顯示裝置具有電池、包括發光元件的像素、啟動電路、充電單元檢測電路、以及驅動方法選擇電路。啟動電路可選擇其間顯示影像的正常驅動週期或是其間獲得發光元件的特性的預燒校正週期，並且在選擇了進入預燒校正週期時，輸出進入預燒校正週期的第一訊號。充電單元檢測電路在電池已被充電時，輸出進入預燒校正週期的訊號。驅動方法選擇電路在從啟動電路和充電單元檢測電路都輸入了進入預燒校正週期的訊號時，輸出從正常驅動週期進入預燒校正週期的訊號，而在沒有輸入這些進入預燒校正週期的訊號中的任何一個時，輸出從預燒校正週期進入正常驅動週期的訊號。
本發明的一種顯示裝置具有包括發光元件的像素、啟動電路、環境亮度檢測電路、以及驅動方法選擇電路。啟動電路可選擇其間顯示影像的正常驅動週期或是其間獲得發光元件的特性的預燒校正週期，並且在選擇了進入預燒校正週期時，輸出進入預燒校正週期的第一訊號。環境亮度檢測電路在顯示裝置的環境亮度接近預定亮度時，輸出進入預燒校正週期的訊號。驅動方法選擇電路在從啟動電路和環境亮度檢測電路都輸入了進入預燒校正週期的訊號時，輸出從正常驅動週期進入預燒校正週期的訊號，而在沒有輸入這些進入預燒校正週期的訊號中的任何一個時，輸出從預燒校正週期進入正常驅動週期的訊號。
本發明的一種顯示裝置具有電池、包括發光元件的像素、啟動電路、充電單元檢測電路、環境亮度檢測電路、以及驅動方法選擇電路。啟動電路可選擇其間顯示影像的正常驅動週期或是其間獲得發光元件的特性的預燒校正週期，並且在選擇了進入預燒校正週期時，輸出進入預燒校正週期的第一訊號。充電單元檢測電路在電池已被充電時，輸出進入預燒校正週期的訊號。環境亮度檢測電路在顯示裝置的環境亮度接近預定亮度時，輸出進入預燒校正週期的訊號。驅動方法選擇電路在從啟動電路、充電單元檢測電路和環境亮度檢測電路都輸入了進入預燒校正週期的訊號時，輸出從正常驅動週期進入預燒校正週期的訊號，而在沒有輸入這些進入預燒校正週期的訊號中的任何一個時，輸出從預燒校正週期進入正常驅動週期的訊號。
在預燒校正週期裏，藉由檢測流向相反電極的電流來獲得每個像素中所包括的發光元件的特性，其中相反電極是發光元件的一個電極，而且是發光元件的公共電極，並且藉由檢測電源線中流動的電流來獲得每個像素中的發光元件的特性，其中電源線是發光元件的另一個電極，或者較佳地獲得假定其中很容易產生特性退化的區域中的像素中的發光元件的特性。
預燒校正週期裏相反電極的電位與正常驅動週期裏相反電極的電位是相同的。預燒校正週期裏電源線的電位與正常驅動週期裏電源線的電位是相同的。預燒校正週期裏的驅動頻率與正常驅動週期裏的驅動頻率是相同的。
各種開關都可作為本發明中所用的開關來使用。例如，有電開關、機械開關等等。亦即，只要能夠控制電流，本發明並不限於特定的開關，而是可使用各種開關。例如，開關可以是電晶體、二極體(諸如PN二極體、PIN二極體、肖特基(Schottky)二極體或連接了二極體的電晶體)、閘流晶體管、或是以上組合的形式的邏輯電路。在使用電晶體作為開關的情形中，因為電晶體就好像開關一樣地工作，所以電晶體的極性(導電性類型)沒有具體限制。但是，在需要較低截止電流的情形中，理想的是使用具有截止電流較低的極性的電晶體。作為低截止電流的電晶體，可使用設置了LDD區的電晶體、具有多閘極結構的電晶體等。此外，當作為開關來工作的電晶體在其源極端子電位接近低電位一側的電源(Vss、GND、0V等)的狀態中工作時，理想的是使用n通道電晶體，而當電晶體在其源極端子電位接近高電位一側的電源(Vdd等)的狀態中工作時，理想的是使用p通道電晶體。這是因為可提高閘極－源極電壓的絕對值，以使電晶體能更容易地起到開關的作用。注意，開關可以是既使用n通道電晶體又使用p通道電晶體的CMOS類型。在CMOS開關的情形中，當p通道和n通道開關被電連接時，電流將可流動，以使CMOS類型的開關能容易地作用當成開關。例如，當輸入到開關的訊號的電壓較高時，以及當輸入到開關的訊號的電壓較低時，可適當地輸出電壓。此外，因為可使作為接通/關斷開關的訊號的電壓的幅值為低，所以可降低功耗。注意，當使用電晶體作為開關時，電晶體具有輸入端子(源極端子和汲極端子中的一個)、輸出端子(源極端子和汲極端子中的另一個)以及控制連續性的端子(閘極端子)。另一方面，當使用二極體作為開關時，可能會有不提供用於控制連續性的端子的情形。在此情形中，可簡化掉用於控制端子的引線。
在本發明中，連接包括電連接、功能連接和直接連接。據此，在本發明中所公開的結構中，還可包括除預定連接以外的其他連接。例如，在一個部分與另一個部分之間可插入啟用電連接的至少一個元件(例如，開關、電晶體、電容器、電感器、電阻器或二極體等)。此外，在一個部分與另一個部分之間可佈置啟用功能連接的一個或多個電路(例如，邏輯電路(諸如反相器、NAND電路或NOR電路)、訊號轉換器電路(諸如DA轉換器電路、AD轉換器電路、或伽瑪校正電路)、電位轉換器電路(例如，諸如升壓電路或降壓電路等電源電路、或者用於改變高(High)訊號或低(Low)訊號的電位的位準移位電路)、功率源、電流源、開關電路、放大器電路(諸如運算放大器、差分放大器電路、源極跟隨器電路、緩衝器電路、或可增加訊號幅度或電流量的電路)、訊號發生電路、記憶體電路、或控制電路)。或者，可以不插入其他元件或其他電路而進行直接連接。注意，只有不插入其他元件或其他電路直接進行連接的情形才被說明為“直接連接”。同時，“電連接”的說明包括電連接(即，插入了另一元件的連接)、功能連接(即，插入了另一電路的連接)和直接連接(即，沒有插入另一元件或另一電路的連接)。
顯示元件、顯示裝置、發光元件和發光裝置可使用各種模式並可包括各種元件。例如，有對比度由電磁作用改變的顯示介質，諸如EL元件(例如，有機EL元件、無機EL元件，或包含有機材料或無機材料的EL元件)、電子發射元件、液晶元件、電子墨水、光柵光閥(GLV)、電漿顯示器(PDP)、數位微鏡裝置(DMD)、壓電陶瓷顯示器、或碳奈米管等。此外，使用EL元件的顯示裝置包括EL顯示器；使用電子發射元件的顯示裝置包括場致發射顯示器(FED)或表面傳導電子發射器顯示器(SED)；使用液晶元件的顯示裝置包括液晶顯示器、透射型液晶顯示器、半透射型液晶顯示器、或反射型液晶顯示器；而使用電子墨水的顯示裝置包括電子紙。
在本發明中，電晶體可具有各種模式；因此，適用的電晶體的類型並無特別限制。因而可應用使用以非晶矽或多晶矽為代表的非單晶半導體膜的薄膜電晶體(TFT)等。有鑒於此，甚至可在大尺寸和/或透明的基板上以低製造溫度、低成本來製造電晶體，並且可使光透過電晶體被發射。此外，還可應用使用半導體基板或SOI基板形成的MOS電晶體、接面型電晶體、雙極電晶體等。據此，可製造幾乎無差異的電晶體、具有高電流供應能力的電晶體、或是小尺寸的電晶體，或可製造具有很小功耗的電路。此外，還可應用使用諸如ZnO、a－InGaZnO、SiGe或GaAs等化合物半導體的電晶體或薄膜電晶體等。有鑒於此，可以在不是很高的溫度，甚至是在室溫下進行製造，並且可在諸如塑膠基板或薄膜基板等低耐熱性基板上直接形成電晶體。此外，可應用以噴墨法或印刷法形成的電晶體等。有鑒於此，可在室溫下、在低真空狀態中、或在大尺寸的基板上進行製造。此外，因為無需掩模(光罩)就可進行製造，所以能方便地改變電晶體的佈局。此外，可應用使用有機半導體或碳奈米管的電晶體或其他電晶體。有鑒於此，可在柔性基板上形成電晶體。注意，非單晶半導體膜可包含氫或鹵素。此外，在其上設置電晶體的基板的類型沒有具體限制，並可使用各種類型的基板。由此，例如，可在單晶基板、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑膠基板、紙基板、玻璃紙基板、石基板、不銹鋼基板、含不銹鋼箔的基板等上形成電晶體。或者，可在基板上形成電晶體，並可將電晶體轉移到要處置的另一基板。藉由使用這些基板，就可形成具有較佳特性的電晶體或具有很小功耗的電晶體、很難折斷的電晶體或是耐熱型電晶體。
注意，本發明中電晶體的結構並不限於一定的類型，並可使用各種結構。例如，可使用具有兩個或多個閘極電極的多閘極結構。在多閘極結構的情形中，因為通道區是串聯的，所以可獲得多個電晶體串聯的結構。藉由使用多閘極結構，可減小截止電流，並增大耐受電壓以提高電晶體的可靠性，甚至當電晶體在飽和區工作時汲－源電壓有波動的情況下，也可提供平滑特性而不會引起汲極－源極電流的波動。此外，還可使用在通道上方和下方形成閘極電極的結構。藉由使用在通道上方和下方形成閘極電極的這樣一種結構，就可擴大通道區的面積，以增加在其中流動的電流值，並能容易地形成耗盡層以增大S值。在於通道上方和下方形成閘極電極的情形中，可獲得多個電晶體並聯的結構。此外，可使用以下結構中的任何一種：在通道上方形成閘極電極；在通道下方形成閘極電極；交錯結構、反向交錯結構；將通道區分為多個區的結構；將通道區分為多個區並將其並聯的結構；或是將通道區分為多個區並將其串聯的結構等。此外，通道(或其部分)可與源極電極或汲極電極重疊。藉由形成通道(或其部分)與源極電極或汲極電極重疊的結構，就可以防止在電荷積聚在通道的一部分中的情形中引起的不穩定工作。此外，可提供LDD(輕摻雜汲極)區。藉由提供LDD區，就可減小截止電流，增大耐受電壓，從而提高電晶體的可靠性，並且即使是在電晶體在飽和區工作時汲極－源極電壓有波動的情況下，也可提供平頂特性而不會引起汲極－源極電流的波動。
注意，本發明的電晶體可在任何類型的基板上形成。因此，所有電路可在玻璃基板、塑膠基板、單晶基板或SOI基板上形成。藉由在相同的基板上形成所有電路，就可降低成本，因為可減少構件個數，並可藉由減少電路中橫件之間的連接數來提高可靠性。或者，可使用在一個基板上形成一些電路、而在另一基板上形成其他一些電路的結構。即，並不要求在一個基板上形成所有電路。例如，可藉由使用電晶體在玻璃基板上形成一些電路，而可在單晶基板上形成其他一些電路，然後，可藉由COG(玻璃上固定晶片)將IC晶片沈積在玻璃基板上。或者，可藉由TAB(載帶自動接合)或藉由使用印製電路板來將IC晶片連接到玻璃基板。以此方式，當將一些電路形成於一個基板上時，就可降低成本，因為可減少構件的個數，並可藉由減少電路裏構件之間的連接的個數而提高可靠性。此外，較佳的是不將具有高驅動電壓或高驅動頻率的功耗較大的部分形成在同一基板上，由此可避免功耗的增加。
在本發明中，一個像素對應於可控制亮度的一個元件。因此，例如，一個像素表示一個色彩元素，而色彩元素表示亮度。據此，在以R(紅)、G(綠)和B(藍)色彩元素形成的彩色顯示裝置的情形中，影像的最小單元由R像素、G像素和B像素三個像素構成。注意，色彩元素並不限於三種，而可以是多種色彩，並可使用除R、G和B以外的其他色彩。例如，可藉由增加白色來使用R、G、B和W(W為白色)。或者，可對R、G和B外增加黃、青、品紅、翠綠、或朱紅等中的一種或多種色彩。此外，可增加與R、G或B中的至少一種色彩類似的色彩。例如，可使用R、G、B1和B2。B1和B2都呈現藍色，但它們具有不同的頻率。藉由使用此類色彩元素，就可進行與現實非常相似的顯示，並可降低功耗。此外，又如，當藉由使用多個區來控制一個色彩元素的亮度時，多個區中的一個對應於一個像素。因此，例如，在進行區域灰度級顯示的情形中，為一個色彩元素提供多個區來控制亮度，它們作為整體來表達灰度級。這些用於控制亮度的區中的一個對應於一個像素。因此，在該情形中，一個色彩元素由多個像素構成。此外，在該情形中，對顯示起到作用的區根據像素而在尺寸上有所不同。在為一個色彩元素提供的用於控制亮度的多個區，即構成一個色彩元素的多個像素中，可藉由給每個像素提供略為不同的訊號來擴展視角。應當注意，“一個像素(對於三種色彩)”的說明對應於包括R、G和B三個像素的一個像素。“一個像素(對於一種色彩)”的說明對應於為一個色彩元素提供的像素，並且這些像素被統稱為一個像素。
注意，在本發明中，像素可以用矩陣形式來設置(排列)。在此，當說明以矩陣形式來設置(排列)像素時，可能會有在縱向或在橫向上以直線或之字形來設置像素的情形。據此，例如在用三色元件(例如，R、G和B)進行全色顯示的情形中，可能會有三色元素的點以條狀或品字圖案排列的情形。此外，可能會有色彩元素的點以拜耳(Bayer)佈局的形式來設置的情形。色彩元素並不限於三種，而是可以有更多種。例如，有R、G、B和W(W是白色)，或是R、G、B和黃、青或品紅中的至少一種。顯示區的面積在各色彩元素的點之間可能有所不同。據此，可降低功耗，並延長顯示元件的壽命。
電晶體是有包括閘極、汲極和源極在內的至少三個端子的元件，並且汲極區與源極區之間有通道形成區，其中電流流經汲極區、通道區和源極區。在此，因為源極和汲極是取決於電晶體的結構、工作條件等而改變的，所以很難標識哪個是源極哪個是汲極。因此，在本發明中，作用當成源極和汲極的區並不總是被稱為源極和汲極。作用當成源極的區和作用當成汲極的區有時分別被稱為第一端子和第二端子。注意，電晶體可以是有包括基極、射極和集極在內的至少三個端子的元件。在此情形中，射極和集極也可分別被稱為第一端子和第二端子。
閘極是指閘極電極和閘極引線(也稱為閘極線、閘極訊號線等)的部分或全部。閘極電極是指這樣一種導電膜，它與半導體重疊，以形成通道區或LDD(輕摻雜汲極)區，其中閘極絕緣膜夾在半導體和該區之間。閘極引線是指用於連接不同像素的閘極電極的引線，或是用於將閘極電極與另一引線相連接的引線。
注意，存在著既作用當成閘極電極、又作用當成閘極引線的部分。這一區可被稱為閘極電極或閘極引線。即，存在閘極電極和閘極引線不能被清楚地相互區分的區。例如，在通道區與延長的閘極引線重疊的情形中，重疊區既作用當成閘極引線，又作用當成閘極電極。據此，這一區域或可被稱為閘極電極，或可被稱為閘極引線。
此外，用和閘極電極相同的材料形成、並被連接到閘極電極的區可被稱為閘極電極。類似地，用和閘極引線相同的材料形成、並被連接到閘極引線的區可被稱為閘極引線。在嚴格意義上，這一個區可能不與通道區重疊，或者可能不具有連接到另一閘極電極的功能。但是，存在此區域是以和閘極電極或閘極引線相同的材料形成、並被連接到閘極電極或閘極引線以提供足夠的製造餘量的情形。據此，這一區域也可被稱為閘極電極或閘極引線。
在多閘極電晶體的情形中，例如，藉由使用以和閘極電極相同的材料形成的導電膜，將一個電晶體的閘極電極連接到另一電晶體的閘極電極。因為這個區是用於將一個閘極電極連接到另一個閘極電極的區，所以可將其稱為閘極引線，而它也可被稱為閘極電極，因為多閘極電晶體可被視為是一個電晶體。亦即，只要一個區是以和閘極電極或閘極引線相同的材料形成、並被連接到該閘極電極或閘極引線，該區就可被稱為閘極電極或閘極引線。此外，例如將閘極電極連接到閘極引線的導電膜的一部分也可被稱為閘極電極或閘極引線。
注意，閘極端子是指閘極電極的一部分或者電連接到閘極電極的區的一部分。
注意，源極是指源極區、源極電極和源極引線(也稱為源極線、源訊號線等)的局部或全部。源極區是含大量p型雜質(例如，硼或鎵)或n型雜質(例如，磷或砷)的半導體區。據此，源極區不包括含少量p型雜質或n型雜質的區，即所謂LDD區。源極電極是用與源極區不同的材料形成、並被電連接到源極區的導電層。注意，有源極電極和源極區被統稱為源極電極的情形。源極引線是用於連接不同像素中的源極電極的引線，或是用於將源極電極與另一接線相連接的引線。
但是，存在既作用當成源極電極、又作用當成源極引線的部分。這一部分或可被稱為源極電極，或可被稱為源極引線。亦即，存在源極電極和源極引線不能被清楚地相互區分的區。例如，在源極區與延長的源極引線重疊的情形中，重疊區既作用當成源極引線，又作用當成源極電極。據此，這一個區或可被稱為源極電極，或可被稱為源極引線。
此外，用與源極電極相同的材料形成、並被連接到源極電極的區以及將一個源極電極與另一源極電極相連接的部分也都可被稱為源極電極。與源極區重疊的部分也可被稱為源極電極。類似地，用與源極引線相同的材料形成、並被連接到源極引線的區也可被稱為源極引線。在嚴格意義上，這一個區可能不具有連接到另一個源極電極的功能。但是，存在用與源極電極或源極引線相同的材料形成這個區、並將其連接到源極電極或源極引線以提供足夠的製造餘量的情形。據此，這一個區也可被稱為源極電極或源極引線。
此外，例如將源極電極連接到源極引線的導電薄膜的一部分或可被稱為源極電極，或可被稱為源極引線。
注意，源極端子是指源極區、源極電極的一部分，或是電連接到源極電極的區的一部分。
還要注意，汲極與源極具有相似的結構。
注意，在本發明中，半導體裝置是指具有包括半導體元件(諸如電晶體或二極體等)的電路的裝置。此外，還可以一般地指藉由利用半導體特性來工作的裝置。顯示裝置是指包括顯示元件(諸如液晶元件或發光元件)的裝置。注意，還可以指其中在一個基板上形成多個像素(每個像素包括諸如液晶元件或EL元件等顯示元件)或用於驅動這些像素的週邊驅動電路的顯示面板的主體。此外，顯示裝置還可包括以引線接合、凸塊等所謂的玻璃上固定晶片(COG)接合而在基板上形成的週邊驅動電路。此外，還可包括附著了柔性印製電路板(FPC)或印刷線路板(PWB)的裝置(諸如IC、電阻器、電容器、電感器或電晶體等)。此外，還可包括諸如偏振片或遲滯膜等光學薄片。此外，還可包括背光單元(可包括光波導板、棱鏡片、漫射片、反射片或光源(諸如LED或冷陰極管))。此外，發光裝置是指特別包括諸如EL元件或FED中所使用的元件等自發光型顯示元件的顯示裝置。液晶顯示裝置是指包括液晶元件的顯示裝置。
在本發明中，當說明將一個物件形成在另一個物件上時，並不必然意味著該物件與另一物件直接接觸，並且還包括上述兩個物件不直接相互接觸、即在它們之間夾著另一個物件的情形。據此，當說明在層A上形成層B時，或是指形成與層A直接接觸的層B的情形，或是指形成與層A直接接觸的另一個層(例如，層C或層D)、並形成與層C或D直接接觸的層B的情形。類似地，當說明將一個物件形成在另一個物件上方時，並不必然意味著該物件與另一物件直接接觸，在它們之間還可夾著另一個物件。據此，當說明在層A上形成層B時，或是指形成與層A直接接觸的層B的情形，或是指形成與層A直接接觸的另一個層(例如，層C或層D)，然後形成與層C或D直接接觸的層B的情形。類似地，當說明將一個物件形成在另一個物件下方或下面的時候，或是指這些物件直接相互接觸的情形，或是指這些物件不直接相互接觸的情形。
在此說明書中，“源極訊號線”是指連接到源極驅動器的輸出、以從源極驅動器發送用於控制像素工作的視頻訊號的引線。
此外，在此說明書中，“閘極訊號線”是指連接到閘極驅動器的輸出、以從閘極驅動器發送用於控制寫到像素的視頻訊號的選中/不選中的掃描訊號的引線。
除了其間顯示影像的正常驅動週期以外，還提供其間檢測每個像素中的發光元件的特性的預燒校正週期，並根據在預燒校正週期中獲得的發光元件特性來校正在正常驅動週期中輸入到每個像素的視頻訊號，由此，發光元件可發出補償了發光元件特性的變化的光。
此外，藉由提供預燒校正週期，用戶就不會感到不適，並且還可保持獲得這些特性的一定條件，這將導致能更準確地獲得發光元件的特性。
以下將詳細參考附圖來說明本發明的實施例模式。但是，本發明並不限於以下說明，並且本領域技術人員能很容易地理解各種更改和修改都是可能的，除非這些更改和修改偏離本發明的精神和範圍。因此，不應將本發明解釋為限於以下實施例模式的說明。
[實施例模式1]
參考圖1對本發明的顯示裝置的第一結構進行說明。
在圖1中，源極驅動器101是藉由由附圖標記S1－R到Sn－B指示的源極訊號線103向像素109輸出視頻訊號的電路。視頻訊號可同時輸出到所有的源極訊號線103。或者，視頻訊號可逐行輸出，或可同時輸出到多條源極訊號線。
閘極驅動器102逐列掃描由附圖標記G1到Gm指示的閘極訊號線104，並判斷視頻訊號是否可被寫到像素109。從源極驅動器101輸出的訊號被輸入到選中的列中的像素109，而從源極驅動器101輸出的視頻訊號不被輸出到沒有被選中的列中的像素109。
像素109包括至少一個具有一對電極的發光元件；連接到該發光元件的其中一個電極的驅動TFT；以及由選中的閘極訊號線104接通、並被電連接到源極訊號線103和驅動TFT的閘極的開關。當閘極訊號線104沒有被選中時，其開關被關斷。可在源極訊號線103與驅動TFT的閘極之間設置另一開關或另一TFT，或可串聯一電容器。在圖1中，像素109中所包括的發光元件發出R(紅)、G(綠)和B(藍)光。可向其增加發W(白)光的發光元件。或者，像素109中所包括的發光元件可發射R(紅)、G(綠)、B(藍)或W(白)中的任何一種光。此外，可用白色(W)的單色發射與濾色片來表示色彩。
電源R110從一個端子藉由電源線R105向包括發R(紅)光的發光元件的像素109提供預定電壓。電源G 111從一個端子藉由電源線G 106向包括發G(綠)光的發光元件的像素109提供預定電壓。電源線B112從一個端子藉由電源線B 107向包括發B(藍)光的發光元件的像素109提供預定電壓。
電源R 110、G 111和B 112的一個端子被連接到所有像素109中包括的發光元件的相反電極108以提供預定電壓。
電流值檢測電路113串聯到相反電極108，並根據從控制器115輸出的電流值檢測控制訊號來控制是否要檢測相反電極108的電流值。當檢測到相反電極108的電流時，向校正電路114輸出所檢測到的電流值資料。
校正電路114儲存電流值檢測電路113所獲得的相反電極108的電流值。然後，根據相反電極108的資料，即像素109中發光元件的特性，來執行對從輸入自控制器115的影像訊號115a生成的驅動控制訊號和視頻訊號的校正。源極驅動器101和閘極驅動器102由經校正的驅動控制訊號114a和視頻訊號114b來驅動。注意，可僅校正視頻訊號。此外，可提供另一記憶體電路，用於儲存電流值檢測電路113所獲得的相反電極108的電流值資料。
控制器115向校正電路114發送影像訊號115a，並向電流值檢測電路113發送電流值檢測控制訊號115b並對它們進行控制。此外，控制器根據影像訊號115a和電流值檢測控制訊號115b來切換如下所述的預燒校正週期和正常驅動週期。
電池117(也稱為蓄電池)向作用當成電源的電源產生電路116輸出恒定電壓。為電池117提供充電單元118，並且當電池117的電位降低時，可由充電單元118對其充電。充電單元118可在任意時機使用。
電源產生電路116可從自電池117提供的恒定電壓生成各種電壓。所生成的電壓作為電源被提供給顯示裝置驅動電路100。
儘管顯示電池117作為向電源產生電路116提供的電源的示例，但是也可使用單相AC電源或三相AC電源。或者，可使用提供從單相AC電源或三相AC電源生成的恒定電壓的電源。當使用單相AC電源或三相AC電源時，就不需要充電單元118。因此電源的電壓不會降低，這是有利的，因為電池117在下述預燒校正週期裏不會被耗盡。
參考圖2對本發明的顯示裝置的第一結構的驅動方法進行說明。
在第一結構的驅動方法中，預燒校正週期和正常驅動週期是單獨設置的，並且在預燒校正週期中執行第一結構的驅動方法。正常驅動週期是顯示影像的時間。預燒校正週期是獲得像素109中所包括的發光元件的特性的時間。
以下說明正常驅動週期。在正常驅動週期中，像素109中所包括的發光元件的特性已被儲存在校正電路114中。校正電路114根據像素109中所包括的發光元件的特性資料來校正從自控制器115輸入的影像訊號生成的驅動控制訊號和視頻訊號，並向源極驅動器101和閘極驅動器102輸出經校正的驅動控制訊號114a和視頻訊號114b。然後，源極驅動器101向源極訊號線103輸出視頻訊號。閘極驅動器102掃描閘極訊號線104來使像素109發光，從而顯示與影像訊號115相符的影像。此時，如果像素109中所包括的發光元件的特性沒有被儲存在校正電路114中，則不必校正驅動控制訊號和視頻訊號。在此情形中，將不根據從控制器115輸出的電流值檢測控制訊號115b來操作電流值檢測單元113。即，不檢測相反電極108的電流，並且不向校正電路114輸出電流值資料113a。
以下說明預燒校正週期。在預燒校正週期中，檢測像素109中所包括的發光元件的特性，以將在電流值檢測電路113中檢測到的資料儲存在校正電路114中。從控制器115向校正電路114輸出像素藉以逐一發光的影像訊號115a。此時，不根據儲存在校正電路114中的像素109中所包括的發光元件的特性資料來校正驅動控制訊號和視頻訊號。此外，電流值檢測電路113由電流值檢測控制訊號115b控制，從而獲得每個像素中的相反電極的電流值，並將其輸出到校正電路114以便於儲存在校正電路114中。由此，包括每個像素109的發光元件的特性的相反電極108的電流可被儲存在校正電路114中。要被儲存在校正電路114中的電流值資料在每個預燒校正週期中更新。即，資料被重寫，這意味著不需要用於儲存每個預燒校正週期中的新資料的記憶體。
在本發明的顯示裝置的第一結構中，相反電極108被連接到電流值檢測電路113。因為相反電極為每個像素109所共用，所以用一個電流值檢測電路113即可檢測每個像素109中的發光元件的特性。由此，可減小用於檢測像素109中所包括的發光元件的特性的電路的大小，這導致空間和功耗的減小。
[實施例模式2]
參考圖3對本發明的顯示裝置的第二結構進行說明。
在此實施例模式中，源極驅動器101、閘極驅動器102、源極訊號線103、閘極訊號線104、電源線R105、電源線G106、電源線B107、相反電極108、像素109、電源R110、電源G111、電源B112、電流值檢測電路113、校正電路114、控制器115、電源產生電路116、電池117和充電單元118與實施例模式1中的對應部分具有相似的功能。
電流值檢測電路113具有與實施例模式1中所說明的電流值檢測電路113相似的功能，它被串聯到電源R110、電源G111和電源B112。根據從控制器115輸出的電流值檢測控制訊號115b來控制是否檢測電源R110、電源G111和電源B112的電流值。當檢測到電源R110、電源G111和電源B112的電流時，所檢測到的電流值資料113a被輸出到校正電路114。
參考圖4對本發明的顯示裝置的第二結構的驅動方法進行說明。
在第二結構的驅動方法中，預燒校正週期和正常驅動週期是單獨設置的，並且在預燒校正週期中執行第二結構的驅動方法。正常驅動週期是顯示影像的時間。預燒校正週期是獲得像素109中所包括的發光元件的特性的時間。
以下說明正常驅動週期。在正常驅動週期中，像素109中所包括的發光元件的特性已被儲存在校正電路114中。校正電路114根據像素109中所包括的發光元件的特性資料來校正從自控制器115輸入的影像訊號生成的驅動控制訊號和視頻訊號，並向源極驅動器101和閘極驅動器102輸出經校正的驅動控制訊號114a和視頻訊號114b。然後，源極驅動器101向源極訊號線103輸出視頻訊號。閘極驅動器102掃描閘極訊號線104來使像素109發光，從而顯示與影像訊號115a相符的影像。
以下說明預燒校正週期。在預燒校正週期中，檢測像素109中所包括的發光元件的特性，以將其儲存在校正電路114中。從控制器115向校正電路114輸出像素109藉以同時發出R、G和B光的影像訊號115a。此時，不根據儲存在校正電路114中的像素109中所包括的發光元件的特性資料來校正驅動控制訊號和視頻訊號。此外，電流值檢測電路113由電流值檢測控制訊號115b控制，從而同時獲得每個像素中的電源線R105、電源線G106和電源線B107的電流值，並將其輸出到校正電路114以便於儲存在校正電路114中。由此，每個都包括像素109的發光元件的特性的電源線R105、電源線G106和電源線B107的電流可被儲存在校正電路114中。要被儲存在校正電路114中的電流值資料113a在每個預燒校正週期中更新。即，資料被重寫，這意味著不需要用於儲存每個預燒校正週期中的新資料的記憶體。
在本發明的顯示裝置的第二結構中，電源線R105、電源線G106和電源線B107被連接到電流值檢測電路113。電源線R105、電源線G106和電源線B107到電流值檢測電路113的連接使得能夠同時地檢測像素109中所包括的發出R、G和B光的發光元件的特性。由此可大大縮短預燒校正週期。
[實施例模式3]
參考圖5對本發明的顯示裝置的第三結構進行說明。
在此實施例模式中，源極驅動器101、閘極驅動器102、源極訊號線103、閘極訊號線104、電源線R105、電源線G106、電源線B107、相反電極108、像素109、電源R110、電源G111、電源B112、電流值檢測電路113、校正電路114、控制器115、電源產生電路116、電池117和充電單元118與實施例模式1和2中的對應部分具有相似的功能。
電流值檢測選擇器電路513被串聯到電源線R105、電源線G106和電源線B107。電流值檢測選擇器電路513選擇電源線R105、電源線G106和電源線B107中的一根，並檢測其電流。
參考圖6對本發明的顯示裝置的第三結構的驅動方法進行說明。
在第三結構的驅動方法中，預燒校正週期和正常驅動週期是單獨設置的，並且在預燒校正週期中執行第三結構的驅動方法。正常驅動週期是顯示影像的時間。預燒校正週期是獲得像素109中所包括的發光元件的特性的時間。
以下說明正常驅動週期。在正常驅動週期中，像素109中所包括的發光元件的特性已被儲存在校正電路114中。校正電路114根據像素109中所包括的發光元件的特性資料來校正從自控制器115輸入的影像訊號115a生成的驅動控制訊號和視頻訊號，並向源極驅動器101和閘極驅動器102輸出經校正的驅動控制訊號114a和視頻訊號114b。然後，源極驅動器101向源極訊號線103輸出視頻訊號101a。閘極驅動器102掃描訊號102a，並掃描閘極訊號線104來使像素109發光，從而顯示與視頻訊號相符的影像。
以下說明預燒校正週期。在第三結構的驅動方法中，有兩種預燒校正週期，稱為預燒校正週期1和預燒校正週期2。
以下說明預燒校正週期1。在預燒校正週期1中，檢測像素109中所包括的發光元件的特性，以將其儲存在校正電路114中。從控制器115向校正電路114輸出像素藉以逐一發光的影像訊號115a。此時，不根據儲存在校正電路114中的像素109中所包括的發光元件的特性資料來校正驅動控制訊號和視頻訊號。此外，電流值檢測選擇器電路513由電流值檢測控制訊號115b控制，從而依次獲得電源線R105、電源線G106和電源線B107的每個像素中的電流，並將其輸出到校正電路114以便於儲存在校正電路114中。由此，包括每個像素109的發光元件的特性的電源線R105、電源線G106和電源線B107的電流可被儲存在校正電路114中。要被儲存在校正電路114中的電流值資料513a在每個預燒校正週期中更新。即，資料被重寫，這意味著不需要用於儲存每個預燒校正週期中的新資料的記憶體。
以下說明預燒校正週期2。在預燒校正週期2中，檢測像素109中所包括的發光元件的特性，以將其儲存在校正電路114中。從控制器115向校正電路114輸出像素109藉以同時發出R、G和B光的影像訊號115a。此時，不根據儲存在校正電路114中的像素109中所包括的發光元件的特性資料來校正驅動控制訊號和視頻訊號。此外，電流值檢測選擇器電路513由電流值檢測控制訊號115b控制，從而依次獲得電源線R105、電源線G106和電源線B107的每個像素中的電流，並將其輸出到校正電路114以便於儲存在校正電路中。由此，包括每個像素109的發光元件的特性的電源線R105、電源線G106和電源線B107的電流可被儲存在校正電路114中。要被儲存在校正電路114中的電流值資料513a在每個預燒校正週期中更新。即，資料被重寫，這意味著不需要用於儲存每個預燒校正週期中的新資料的記憶體。
參考圖7對電流值檢測選擇器電路513的結構示例進行說明。
在預燒校正週期1和預燒校正週期2中，選擇開關701選擇電源線R105、電源線G106和電源線B107的每一根是連接到端子a還是端子b。注意，電源線R105、電源線G106和電源線B107的選擇開關701中的一個連接到端子a。沒有連接到端子a的所有電源線都連接到端子b。
電流值檢測電路113檢測由選擇開關701連接到端子b的電源線中流動的電流。在正常驅動週期中，所有選擇開關701都連接到端子a。
在本發明的顯示裝置的第三結構中，電源線R105、電源線G106和電源線B107連接到電流值檢測選擇器電路513。電源線R105、電源線G106和電源線B107到電流值檢測選擇器電路513的連接使得能夠用一個電流值檢測電路113來檢測電源線R105、電源線G106和電源線B107的每一根的電流。由此可減小用於檢測像素109中所包括的發光元件的特性的電路的大小，這導致空間和功耗降低。
[實施例模式4]
參考實施例模式1到3所適用的圖8的流程圖對從正常驅動週期進入預燒校正週期的時機和條件進行說明。在該流程圖中，矩形框表示過程，而菱形框表示判定。
在此實施例模式中，“正常驅動週期”是指如實施例模式1到3中所述的其間可根據視頻訊號來顯示影像的時間。
“預燒校正週期”是指如實施例模式1到3中所述的其間獲得發光元件的特性的時間。
在“經過預定時間”的步驟中，判斷在從上一個預燒校正週期進入正常驅動週期之後是否已經過去了預定的時間。
在“充電週期”的步驟中，判斷用戶是否在對本發明的電子設備上所安裝的電池充電。
在“所有像素終止”的判定中，判斷在預燒校正週期中是否已獲得所有像素中所包括的發光元件的特性。
在“操作啟動”的判定中，判斷用戶是否操作了本發明的電子設備。
以下對圖8的流程圖進行說明。如果在“經過預定時間”中，在從上一個“預燒校正週期”進入“正常驅動週期”的過程之後，還沒有過去預定時間，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果已經過去了預定時間，則該過程進入“充電週期”。如果在“充電週期”中沒有對電池充電，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果在對電池充電，則該過程進入“預燒校正週期”。當該過程進入“預燒校正週期”時，執行在實施例模式1到3的預燒校正週期中所說明的操作，然後該過程進入“所有像素終止”。如果在“所有像素終止”中獲得了所有像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果沒有獲得所有像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“充電週期”。如果在“充電週期”中沒有對電池充電，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果在對電池充電，則該過程進入“操作啟動”。如果在“操作啟動”中用戶啟動了操作，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶沒有啟動操作，則該過程進入“預燒校正週期”。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“經過預定時間”，就可控制進入預燒校正週期的次數。在預燒校正週期中，像素中所包括的發光元件需要如實施例模式1到3中所述地發光。因此，進入預燒校正週期的頻率降低可防止像素中所包括的發光元件因預燒校正週期而發生的退化。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“充電週期”，該過程可在對電池進行充電的同時進入預燒校正週期。在預燒校正週期中，像素中所包括的發光元件發光，從而如實施例模式1到3中所述地儲存發光元件的特性。因此，其間的功耗較大。在充電的同時進入預燒校正週期可防止電池功率因預燒校正週期而降低。此外，當在對電池進行充電時，用戶很可能已經結束對電子設備的使用，因而該過程不大可能會返回正常驅動週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“所有像素終止”，就可在相同條件下檢測所有像素中所包括的發光元件的特性。當檢測像素中所包括的發光元件的特性的條件，即操作環境相同時，就可抑制因操作環境的差異而導致的特性的差異。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“充電週期”，該過程可在結束對電池進行充電時即進入正常驅動週期。藉由在完成對電池進行充電時即從預燒校正週期進入正常驅動週期，就可抑制電池耗盡。此外，當結束對電池進行充電時，用戶很可能正準備使用電子設備；因此該過程需要進入正常驅動週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“操作啟動”，該過程可在用戶正準備使用電子設備等時立即進入正常驅動週期。
如果該過程從預燒校正週期經由“充電週期”和“操作啟動”進入正常驅動週期，則預燒校正週期在檢測了所有像素中所包括的發光元件的特性以前結束。在此情形中，在上一個預燒校正週期中沒有檢測的像素中所包括的發光元件的特性可在下一個預燒校正週期中檢測。此外，當該過程進入下一個預燒校正週期時，較佳的是“經過預定時間”中的預定時間較短。該預定時間較佳是0秒，並且該過程較佳經由下一個“充電週期”進入預燒校正週期。
參考圖61對用於實現此實施例模式中所說明的圖8的流程圖的控制器115的結構和操作進行說明。
在圖61中，驅動方法選擇電路6103判定並選擇影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行實施例模式1到3中所說明的正常驅動週期還是預燒校正週期的操作。當從自其向驅動方法選擇電路6103輸入訊號的電路輸入了進入預燒校正週期的訊號時，驅動方法選擇電路6103向影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101輸出用於進行預燒校正週期的操作的訊號。在其他情形中，從其輸出進行正常驅動週期的操作的訊號。例如，驅動方法選擇電路6103包括含NOR、AND的辨別電路。
影像訊號產生電路6100輸出影像訊號和校正電路控制訊號115a。當驅動方法選擇電路6103選擇了正常驅動週期的操作時，輸出校正電路114藉以進行實施例模式1到3中所說明的正常驅動週期的操作的影像訊號和校正電路控制訊號115a。當驅動方法選擇電路6103選擇了預燒校正週期的操作時，輸出校正電路114藉以進行實施例模式1到3中所說明的預燒校正週期的操作的影像訊號和校正電路控制訊號。
電流值檢測控制訊號產生電路6101輸出電流值檢測控制訊號115b。當驅動方法選擇電路6103選擇了正常驅動週期的操作時，輸出電流值檢測電路113藉以進行實施例模式1到3中所說明的正常驅動週期的操作的電流值檢測控制訊號115b。當驅動方法選擇電路6103選擇了預燒校正週期的操作時，輸出電流值檢測電路113藉以進行實施例模式1到3中所說明的預燒校正週期的操作的電流值檢測控制訊號115b。
計時器電路6104檢測從預燒校正週期結束起經過的時間。當預燒校正週期結束且該過程進入正常驅動週期時，從視頻訊號產生電路6100輸出重置訊號6100a，並且進入預燒校正週期的訊號停止。注意，只要重置訊號6100a是在預燒校正週期結束時向計時器電路6104輸入的，重置訊號6100a就可從任何地方輸出。當計時器電路6104所檢測到的時間長於預定時間時，向驅動方法選擇電路6103輸出進入預燒校正週期的訊號。如果沒有檢測所有像素或設定像素的特性，則不必輸入向計時器電路6104輸入的重置訊號6100a。例如，計時器電路6104包括重置訊號產生電路、計時器、以及計數值產生電路、記憶體、或儲存與預定時間對應的計數值的暫存器。
充電單元檢測電路6105判斷充電單元118是否在對電池117進行充電。如果在對電池117充電，則向驅動方法選擇電路6103輸出進入預燒校正週期的訊號。例如，充電單元檢測電路6105包括端子、高電阻率元件、以及判斷1或0的辨別電路。
以下對此實施例模式中的操作進行說明。當從向計時器電路6104輸入重置訊號6100a起已經過預定時間、即從上一個預燒校正週期結束起已經過預定時間，且充電單元檢測電路6105檢測到電池117充電時；驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行預燒校正週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行預燒校正週期的操作。在其他情形中，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行正常驅動週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行正常驅動週期的操作。在檢測所有像素的特性之後，向計時器電路6104輸入重置訊號6100a。在此實施例模式中，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，進行“經過預定時間”的判斷、“充電週期”的判斷、“所有像素終止”的判斷、“操作啟動”的判斷，本發明可藉由進行“經過預定時間”的判斷、“充電週期”的判斷、“所有像素終止”的判斷、“操作啟動”的判斷中的至少一個來操作。即，例如，在正常驅動週期與預燒校正週期之間，僅進行經過預定時間的判斷。在此情形中，藉由至少使用計時器電路6104和驅動方法選擇電路6103來進行該操作。
[實施例模式5]
參考實施例模式1到3適用的圖9的流程圖，對從正常驅動週期進入預燒校正週期的時機和條件進行說明。在該流程圖中，矩形框表示過程，而菱形框表示判定。
在此實施例模式中，“正常驅動週期”的過程、“預燒校正週期”的過程、“經過預定時間”的判定、“充電週期”的判定、以及“操作啟動”的判定與實施例模式4中的相類似。在“設定像素終止”的判定中，判斷是否已獲得預設像素中所包括的發光元件的特性。預設像素是指在所有像素被分成多個部分的情況下，一個部分中所包括的像素。例如，當所有像素被分成兩部分時，就形成了上半部分和下半部分。
以下對圖9的流程圖的流程進行說明。藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“經過預定時間”，就可控制進入預燒校正週期的次數。在預燒校正週期中，像素中所包括的發光元件需要如實施例模式1到3中所述地發光。因此，進入預燒校正週期的頻率降低可避免像素中所包括的發光元件因預燒校正週期而發生的退化。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“充電週期”，該過程可在對電池進行充電的同時進入預燒校正週期。在預燒校正週期中，像素中所包括的發光元件發光，從而如實施例模式1到3中所述地儲存發光元件的特性。因此，其間的功耗較大。在對電池進行充電的同時進入預燒校正週期可防止電池功率因預燒校正週期而降低。此外，當在對電池進行充電時，用戶很可能已經結束對電子設備的使用，因而該過程不大可能會返回正常驅動週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“設定像素終止”，該過程就可在不中斷預燒校正週期的情況下進入正常驅動週期。此外，該過程還可選擇性地在假定其中容易產生預燒的部分中進入預燒校正週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“充電週期”，該過程可在結束對電池進行充電時即進入正常驅動週期。藉由在完成對電池進行充電時即從預燒校正週期進入正常驅動週期，就可抑制電池耗盡。此外，當結束對電池進行充電時，用戶很可能正準備使用電子設備；因此該過程需要進入正常驅動週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“操作啟動”，該過程可在用戶正準備使用電子設備等時立即進入正常驅動週期。
如果該過程從預燒校正週期經由“充電週期”和“操作啟動”進入正常驅動週期，則預燒校正週期在檢測了預設像素中所包括的發光元件的特性以前結束。在此情形中，在上一個預燒校正週期中沒有檢測的像素中所包括的發光元件的特性可在下一個預燒校正週期中檢測。此外，當該過程進入下一個預燒校正週期時，較佳的是“經過預定時間”中的預定時間較短。該預定時間較佳是0秒，並且該過程較佳經由下一個“充電週期”進入預燒校正週期。
參考圖62對用於實現此實施例模式中所說明的圖9的流程圖的控制器115的結構和操作進行說明。
在此實施例模式中，影像訊號產生電路6100、電流值檢測控制訊號產生電路6101、驅動方法選擇電路6103、計時器電路6104和充電單元檢測電路6105與實施例模式4中的相類似。
在所有像素被分為多個部分的情況下，檢測像素設定電路6106指定一個部分中所包括的像素。
以下對此實施例模式中的操作進行說明。當從向計時器電路6104輸入重置訊號6100a起已經過預定時間、即從上一個預燒校正週期結束起已經過預定時間，且充電單元檢測電路6105檢測到電池117的充電時，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行預燒校正週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行預燒校正週期的操作。在其他情形中，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行正常驅動週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行正常驅動週期的操作。在檢測由檢測像素設定電路6106設定的像素的特性之後，向計時器電路6104輸入重置訊號6100a。在此實施例模式中，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，進行“經過預定時間”的判斷、“充電週期”的判斷、“設定像素終止”的判斷、“操作啟動”的判斷，本發明可藉由進行“經過預定時間”的判斷、“充電週期”的判斷、“設定像素終止”的判斷和“操作啟動”的判斷中的至少一個來操作。即，例如，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，僅進行“充電週期”的判斷。在此情形中，藉由至少使用充電單元檢測電路6105和驅動方法選擇電路6103來進行該操作。
[實施例模式6]
參考實施例模式1到3適用的圖10的流程圖對從正常驅動週期進入預燒校正週期的時機和條件進行說明。在該流程圖中，矩形框表示過程，而菱形框表示判定。
在圖10中，“正常驅動週期”的過程是指如實施例模式1到3中所述的可根據視頻訊號來顯示影像的時間。
在此實施例模式中，“預燒校正週期”的過程、“經過預定時間”的判定、“所有像素終止”的判定、以及“操作啟動”的判定與實施例模式4中的相類似。在“非工作週期”的判定中，判斷用戶是否已操作電子設備等預定的時間。
以下對圖10的流程圖的流程進行說明。如果在“經過預定時間”中，在該過程從上一個“預燒校正週期”進入“正常驅動週期”之後尚未經過預定時間，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果已經過預定時間，則該過程進入“非操作週期”。如果用戶在“非工作週期”中操作電子設備等預定的時間，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶沒有操作電子設備等預定的時間，則該過程進入“預燒校正週期”。當該過程進入“預燒校正週期”時，執行實施例模式1到3中的預燒校正週期中所說明的操作，然後該過程進入“所有像素終止”。如果在“所有像素終止”中獲得了所有像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果沒有獲得所有像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“操作啟動”。如果用戶在“操作啟動”中啟動操作，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶沒有啟動操作，則該過程進入“預燒校正週期”。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“經過預定時間”，就可控制進入預燒校正週期的次數。在預燒校正週期中，像素中所包括的發光元件需要如實施例模式1到3中所述地發光。因此，進入預燒校正週期的頻率降低可避免像素中所包括的發光元件因預燒校正週期而發生的退化。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“非工作週期”，該過程可在用戶不操作電子設備等時進入預燒校正週期。當用戶沒有操作電子設備等預定的時間時，可以判斷沒有在使用該電子設備等。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“所有像素終止”，就可在相同條件下檢測所有像素中所包括的發光元件的特性。當檢測像素中所包括的發光元件的特性的條件、即操作環境相同時，就可抑制由於操作環境不同而導致的特性差異。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“操作啟動”，該過程可在用戶正準備使用電子設備等時立即進入正常驅動週期。
如果該過程從預燒校正週期經由“操作啟動”進入正常驅動週期，則預燒校正週期在檢測了所有像素中所包括的發光元件的特性以前結束。在此情形中，在上一個預燒校正週期中沒有檢測的像素中所包括的發光元件的特性可在下一個預燒校正週期中檢測。此外，當該過程進入下一個預燒校正週期時，較佳的是“經過預定時間”中的預定時間較短。該預定時間較佳是0秒，並且該過程較佳經由下一個“非操作週期”進入預燒校正週期。
參考圖63對用於實現此實施例模式中所說明的圖10的流程圖的控制器115的結構和操作進行說明。
在此實施例模式中，影像訊號產生電路6100、電流值檢測控制訊號產生電路6101、驅動方法選擇電路6103和計時器電路6104與實施例模式4中的相類似。
非工作週期檢測電路6301檢測用戶是否已操作電子設備等預定的時間。當已經過預定時間時，向驅動方法選擇6103輸出進入預燒校正週期的訊號。例如，非工作週期檢測電路6301包括重置訊號產生電路、計數器和計數值產生電路、記憶體、或儲存與預定的時間對應的計數的暫存器。
以下對此實施例模式中的操作進行說明。當從向計時器電路6104輸入重置訊號6100a起已經過預定時間、即從上一個預燒校正週期結束起已經過預定時間，且用戶沒有操作電子設備預定的時間時，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行預燒校正週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行預燒校正週期的操作。在其他情形中，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101以進行正常驅動週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行正常驅動週期的操作。在檢測所有像素的特性之後，向計時器電路6104輸入重置訊號6100a。在此實施例模式中，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，進行“經過預定時間”的判斷、“非工作週期”的判斷、“所有像素終止”的判斷和“操作啟動”的判斷，本發明可藉由進行“經過預定時間”的判斷、“非工作週期”的判斷、“所有像素終止”的判斷和“操作啟動”的判斷中的至少一個來操作。即，例如，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，僅進行“非工作週期”的判斷。在此情形中，藉由至少使用非工作檢測電路6301和驅動方法選擇電路6103來進行該操作。
[實施例模式7]
參考實施例模式1到3適用的圖11的流程圖對從正常驅動週期進入預燒校正週期的時機和條件進行說明。在該流程圖中，矩形框表示過程，而菱形框表示判定。
在此實施例模式中，“正常驅動週期”、“預燒校正週期”、“經過預定時間”和“操作啟動”與實施例模式4中的相類似。“非工作週期”步驟與實施例模式6中的相類似。在“設定像素終止”的判定中，判斷是否已獲得預設像素中所包括的發光元件的特性。預設像素是指當所有像素被分成多個部分時，一個部分中所包括的像素。例如，當所有像素被分成兩部分時，就形成了上半部分和下半部分。
以下對圖11的流程圖的流程進行說明。如果在“經過預定時間”中，在該過程從上一個“預燒校正週期”進入“正常驅動週期”之後尚未經過預定時間，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果已經過預定時間，則該過程進入“非工作週期”。如果用戶在“非工作週期”中操作電子設備等預定的時間，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶沒有操作電子設備等預定的時間，則該過程進入“預燒校正週期”。當該過程進入“預燒校正週期”時，執行實施例模式1到3中的預燒校正週期中所說明的操作，然後該過程進入“設定像素終止”。如果在“設定像素終止”中獲得了預設像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果沒有獲得預設像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“操作啟動”。如果用戶在“操作啟動”中啟動操作，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶沒有啟動操作，則該過程進入“預燒校正週期”。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“經過預定時間”，就可控制進入預燒校正週期的次數。在預燒校正週期裏，像素中所包括的發光元件需要如實施例模式1到3中所述地發光。因此，進入預燒校正週期的頻率降低可避免像素中所包括的發光元件因預燒校正週期而發生的退化。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“非工作週期”，該過程可在用戶不操作電子設備等時進入預燒校正週期。當用戶沒有操作電子設備等預定的時間時，可以判斷沒有在使用該電子設備等。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“設定像素終止”，該過程無需中斷預燒校正週期也可進入正常驅動週期。此外，該過程可選擇性地在假定容易產生預燒的部分中進入預燒校正週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“操作啟動”，該過程可在用戶正準備使用電子設備等時立即進入正常驅動週期。
如果該過程從預燒校正週期經由“操作啟動”進入正常驅動週期，則預燒校正週期在檢測了預設像素中所包括的發光元件的特性以前結束。在此情形中，在上一個預燒校正週期中沒有檢測的像素中所包括的發光元件的特性可在下一個預燒校正週期中檢測。此外，當該過程進入下一個預燒校正週期時，較佳的是“經過預定時間”中的預定時間較短。該預定時間較佳是0秒，並且該過程較佳經由下一個“非工作週期”進入預燒校正週期。
參考圖64對用於實現此實施例模式中所說明的圖11的流程圖的控制器115的結構和操作進行說明。
在此實施例模式中，影像訊號產生電路6100、電流值檢測控制訊號產生電路6101、驅動方法選擇電路6103和計時器電路6104與實施例模式4中的相類似。檢測像素設定電路6106與實施例模式5中的相類似。非工作週期檢測電路6301與實施例模式6中的相類似。
非工作週期檢測電路6301檢測用戶是否已操作電子設備等預定的時間。當已經過預定時間時，向驅動方法選擇6103輸出進入預燒校正週期的訊號。
以下對此實施例模式中的操作進行說明。當從向計時器電路6104輸入重置訊號6100a起已經過預定時間、即從上一個預燒校正週期結束起已經過預定時間，且用戶沒有操作電子設備等預定的時間時，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行預燒校正週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行預燒校正週期的操作。在其他情形中，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行正常驅動週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行正常驅動週期的操作。在檢測由檢測像素設定電路6106設定的像素的特性之後，向計時器電路6104輸入重置訊號6100a。在此實施例模式中，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，進行“經過預定時間”的判斷、“非工作週期”的判斷、“設定像素終止”的判斷和“操作啟動”的判斷，本發明可藉由進行“經過預定時間”的判斷、“非工作週期”的判斷、“設定像素終止”的判斷和“操作啟動”的判斷中的至少一個來操作。即，例如，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，僅進行“設定像素終止”的判斷。在此情形中，藉由至少使用檢測像素設定電路6106和驅動方法選擇電路6103來進行該操作。
[實施例模式8]
參考實施例模式1到3適用的圖12的流程圖對從正常驅動週期進入預燒校正週期的時機和條件進行說明。在該流程圖中，矩形框表示過程，而菱形框表示判定。
在此實施例模式中，“正常驅動週期”、“預燒校正週期”、“經過預定時間”、“充電週期”、“所有像素終止”和“操作啟動”與實施例模式4中的相類似。在“設定亮度”中，判斷環境亮度是否在預定範圍內。
以下對圖12的流程圖的流程進行說明。如果在“經過預定時間”中，在該過程從上一個“預燒校正週期”進入“正常驅動週期”之後尚未經過預定時間，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果已經過預定時間，則該過程進入“充電週期”。如果在“充電週期”中沒有對電池充電，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果在對電池充電，則該過程進入“設定亮度”。如果在“設定亮度”中周圍亮度不在預定範圍內，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果周圍亮度在預定範圍內，則該過程進入“預燒校正週期”。當該過程進入“預燒校正週期”時，執行實施例模式1到3中的預燒校正週期中所說明的操作，然後該過程進入“所有像素終止”。如果在“所有像素終止”中獲得了所有像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果沒有獲得所有像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“充電週期”。如果在“充電週期”中沒有對電池充電，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果在對電池充電，則該過程進入“設定亮度”。如果在“設定亮度”中周圍亮度不在預定範圍內，則該過程進入“操作啟動”，而如果周圍亮度在預定範圍內，則該過程進入“預燒校正週期”。如果用戶在“操作啟動”中啟動操作，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶沒有啟動操作，則該過程進入“預燒校正週期”。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“經過預定時間”，就可控制進入預燒校正週期的次數。在預燒校正週期中，像素中所包括的發光元件需要如實施例模式1到3中所述地發光。因此，進入預燒校正週期的頻率降低可避免像素中所包括的發光元件因預燒校正週期而發生的退化。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“充電週期”，該過程可在對電池進行充電的同時進入預燒校正週期。在預燒校正週期中，像素中所包括的發光元件將發光，由此如實施例模式1到3中所述地儲存發光元件的特性。因此，其間的功耗較大。在對電池進行充電的同時進入預燒校正週期可避免電池功率由於預燒校正週期而降低。此外，當在對電池進行充電時，用戶很可能已經結束對電子設備等的使用，因而該過程不大可能返回正常驅動週期。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“設定亮度”，該過程可進入預燒校正週期而不受環境亮度的影響。在實施例模式1到3中，一個或三個像素同時發光，並且其他不發光的像素中的驅動TFT處於截止狀態。因此，截止狀態電流隨著環境亮度而改變，這導致所檢測到的電流值有差異。藉由檢測環境亮度相同時像素中所包括的發光元件的特性，消除了環境亮度變化的影響。環境亮度較佳大約為0[cd/m2 ]。在折疊式移動電話的情形中，這種狀態可在折疊式移動電話被折疊時實現，而在數位相機的情形中，這種狀態可在數位相機被放在機套中時實現。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“所有像素終止”，就可在相同條件下檢測所有像素中所包括的發光元件的特性。當檢測像素中所包括的發光元件的特性的條件、即操作環境相同時，就可抑制由於操作環境不同而導致的特性的差異。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“充電週期”，該過程可在完成對電池進行充電時即進入正常驅動週期。藉由在完成對電池進行充電時即從預燒校正週期進入正常驅動週期，就可抑制電池耗盡。此外，當完成對電池進行充電時，用戶很可能正準備使用該電子設備；因此，該過程需要進入正常驅動週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“設定亮度”，該過程可在預燒校正週期中當環境亮度改變時即進入正常驅動週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“操作啟動”，該過程可在用戶正準備使用電子設備等時立即進入正常驅動週期。
如果該過程從預燒校正週期經由“充電週期”、“設定亮度”和“操作啟動”進入正常驅動週期，則預燒校正週期在檢測了所有像素中所包括的發光元件的特性以前結束。在此情形中，在上一個預燒校正週期中沒有檢測的像素中所包括的發光元件的特性可在下一個預燒校正週期中檢測。此外，當該過程進入下一個預燒校正週期時，較佳的是“經過預定時間”中的預定時間較短。該預定時間較佳是0秒，並且該過程較佳經由下一個“充電週期”和“設定亮度”進入預燒校正週期。
參考圖65對用於實現此實施例模式中所說明的圖12的流程圖的控制器115的結構和操作進行說明。
在此實施例模式中，影像訊號產生電路6100、電流值檢測控制訊號產生電路6101、驅動方法選擇電路6103、計時器電路6104和充電單元檢測電路6105與實施例模式4中的相類似。
環境亮度檢測電路6501在顯示裝置的環境亮度接近預定亮度時向驅動方法選擇電路6103輸出進入預燒校正週期的訊號。注意，環境亮度是顯示裝置驅動電路100的發光部分附近的亮度。例如，即使是在設定亮度為0[cd/m2 ]、且電子設備周圍亮度與設定亮度不同的情形中，如果顯示裝置驅動電路100被遮蔽了光線使其亮度近似為0[cd/m2 ]，則仍向驅動方法選擇電路6103輸出進入預燒校正週期的訊號。例如，環境亮度檢測電路6501包括光敏元件、電流－電壓轉換器電路、類比數位轉換器、其中儲存了最大亮度資料的記憶體1、其中儲存了最小亮度的記憶體2、比較器1、比較器2和諸如NOR和AND等辨別電路。
以下對此實施例模式中的操作進行說明。當從向計時器電路6104輸入重置訊號6100a起已經過預定時間、即從上一個預燒校正週期結束起已經過預定時間，且充電單元檢測電路6105檢測到電池117在充電，而環境亮度檢測電路6501判定顯示裝置的環境亮度接近預定亮度時，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行預燒校正週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行預燒校正週期的操作。在其他情形中，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行正常驅動週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行正常驅動週期的操作。在檢測所有像素的特性之後，向計時器電路6104輸入重置訊號6100a。在此實施例模式中，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，進行“經過預定時間”的判斷、“充電週期”的判斷、“設定亮度”的判斷、“所有像素終止”的判斷和“操作啟動”的判斷，本發明可藉由進行“充電週期”的判斷、“設定亮度”的判斷、“全部像素終止”的判斷和“操作啟動”的判斷中的至少一個來操作。即，例如，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，僅進行“設定亮度”的判斷。在此情形中，藉由至少使用環境亮度檢測電路6501和驅動方法選擇電路6103來進行該操作。
[實施例模式9]
參考實施例模式1到3適用的圖13的流程圖對從正常驅動週期進入預燒校正週期的時機和條件進行說明。在該流程圖中，矩形框表示過程，而菱形框表示判定。
在此實施例模式中，“正常驅動週期”的過程、“預燒校正週期”的過程、“經過預定時間”的判定、“充電週期”的判定和“操作啟動”的判定與實施例模式4中的相類似。“設定像素終止”的判定與實施例模式7中的相類似。“設定亮度”的判定與實施例模式8中的相類似。
以下對圖13的流程圖的流程進行說明。如果在“經過預定時間”步驟中，在該過程從上一個“預燒校正週期”進入“正常驅動週期”之後尚未經過預定時間，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果已經過預定時間，則該過程進入“充電週期”。如果在“充電週期”中沒有對電池充電，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果在對電池充電，則該過程進入“設定亮度”。如果在“設定亮度”中周圍亮度不在預定範圍內，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果周圍亮度在預定範圍內，則該過程進入“預燒校正週期”。當該過程進入“預燒校正週期”時，執行實施例模式1到3中的預燒校正週期中所說明的操作，然後該過程進入“設定像素終止”。如果在“設定像素終止”中獲得了預設像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果沒有獲得預設像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“充電週期”。如果在“充電週期”中沒有對電池充電，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果在對電池充電，則該過程進入“設定亮度”。如果在“設定亮度”中周圍亮度不在預定範圍內，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果周圍亮度在預定範圍內，則該過程進入“正常驅動週期”。如果用戶在“操作啟動”步驟中啟動操作，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶沒有啟動操作，則該過程進入“預燒校正週期”。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“經過預定時間”，就可控制進入預燒校正週期的次數。在預燒校正週期中，像素中所包括的發光元件需要如實施例模式1到3中所述地發光。因此，進入預燒校正週期的頻率降低可避免像素中所包括的發光元件因預燒校正週期而發生的退化。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“充電週期”，該過程可在對電池進行充電的同時進入預燒校正週期。在預燒校正週期中，像素中所包括的發光元件將發光，由此如實施例模式1到3中所述地儲存發光元件的特性。因此，其間的功耗較大。在對電池進行充電的同時進入預燒校正週期可避免電池功率由於預燒校正週期而降低。此外，當在對電池進行充電時，用戶很可能已經結束對電子設備等的使用，因而該過程不大可能返回正常驅動週期。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“設定亮度”，該過程可進入預燒校正週期而不受環境亮度的影響。在實施例模式1到3中，一個或三個像素同時發光，並且其他不發光的像素中的驅動TFT處於截止狀態。因此，截止狀態電流隨著環境亮度而改變，這導致所檢測到的電流值有差異。藉由檢測環境亮度相同時像素中所包括的發光元件的特性，消除了環境亮度變化的影響。環境亮度較佳大約為0[cd/m2 ]。在折疊式移動電話的情形中，這種狀態可在折疊式移動電話被折疊時實現，而在數位相機的情形中，這種狀態可在數位相機被放在機套中時實現。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“設定像素終止”，該過程無需中斷預燒校正週期即可進入正常驅動週期。此外，該過程可選擇性地在假定容易產生預燒的部分中進入預燒校正週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“充電週期”，該過程可在完成對電池進行充電時即進入正常驅動週期。藉由在完成對電池進行充電時即從預燒校正週期進入正常驅動週期，就可抑制電池耗盡。此外，當完成對電池進行充電時，用戶很可能正準備使用該電子設備。因此，該過程需要進入正常驅動週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“設定亮度”，該過程可在預燒校正週期裏當環境亮度改變時即進入正常驅動週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“操作啟動”，該過程可在用戶正準備使用電子設備等時立即進入正常驅動週期。
如果該過程從預燒校正週期經由“充電週期”、“設定亮度”和“操作啟動”進入正常驅動週期，則預燒校正週期在檢測了預設像素中所包括的發光元件的特性以前結束。在此情形中，在上一個預燒校正週期中沒有檢測的像素中所包括的發光元件的特性可在下一個預燒校正週期中檢測。此外，當該過程進入下一個預燒校正週期時，較佳的是“經過預定時間”中的預定時間較短。該預定時間較佳是0秒，並且該過程較佳經由下一個“充電週期”和“設定亮度”進入預燒校正週期。
參考圖66對用於實現此實施例模式中所說明的圖13的流程圖的控制器115的結構和操作進行說明。
在此實施例模式中，影像訊號產生電路6100、電流值檢測控制訊號產生電路6101、驅動方法選擇電路6103、計時器電路6104和充電單元檢測電路6105與實施例模式4中的相類似。檢測像素設定電路6106與實施例模式5中的相類似。環境亮度檢測電路6501與實施例模式8中的相類似。
以下對此實施例模式中的操作進行說明。當從向計時器電路6104輸入重置訊號6100a起已經過預定時間、即從上一個預燒校正週期結束起已經過預定時間，且充電單元檢測電路6105檢測到電池117在充電，而環境亮度檢測電路6501判定顯示裝置的環境亮度接近預定亮度時，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行預燒校正週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行預燒校正週期的操作。在其他情形中，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行正常驅動週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行正常驅動週期的操作。在檢測由檢測像素設定電路6106設置的像素的特性之後，向計時器電路6104輸入重置訊號6100a。在此實施例模式中，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，進行“經過預定時間”的判斷、“充電週期”的判斷、“設定亮度”的判斷、“設定像素終止”的判斷和“操作啟動，的判斷，本發明可藉由進行“充電週期”的、“設定亮度”的判斷、“設定像素終止”的判斷和“操作啟動”的判斷中的至少一個來操作。即，例如，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，僅進行“設定像素終止”的判斷。在此情形中，藉由至少使用檢測像素設定電路6106和驅動方法選擇電路6103來進行該操作。
[實施例模式10]
參考實施例模式1到3適用的圖14的流程圖對從正常驅動週期進入預燒校正週期的時機和條件進行說明。在該流程圖中，矩形框表示過程，而菱形框表示判定。
在此實施例模式中，“正常驅動週期”的過程、“預燒校正週期”的過程、“經過預定時間”的判定、“所有像素終止”的判定和“操作啟動”的判定與實施例模式4中的相類似。“非工作週期”的判定與實施例模式6中的相類似。“設定亮度”的判定與實施例模式8中的相類似。
以下對圖14的流程圖的流程進行說明。如果在“經過預定時間”中，在該過程從上一個“預燒校正週期”進入“正常驅動週期”之後尚未經過預定時間，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果已經過預定時間，則該過程進入“非工作週期”。如果用戶在“非工作週期”中操作電子設備等預定的時間，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶沒有操作電子設備等預定的時間，則該過程進入“設定亮度”。如果在“設定亮度”中周圍亮度不在預定範圍內，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果周圍亮度在預定範圍內，則該過程進入“預燒校正週期”。當該過程進入“預燒校正週期”時，執行實施例模式1到3中的預燒校正週期中所說明的操作，然後該過程進入“所有像素終止”。如果在“所有像素終止”中獲得了所有像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果沒有獲得所有像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“設定亮度”。如果在“設定亮度”中周圍亮度不在預定範圍內，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果周圍亮度在預定範圍內，則該過程進入“操作啟動”。如果用戶在“操作啟動”中啟動操作，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶沒有啟動操作，則該過程進入“預燒校正週期”。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“經過預定時間”，就可控制進入預燒校正週期的次數。在預燒校正週期中，像素中所包括的發光元件需要如實施例模式1到3中所述地發光。因此，進入預燒校正週期的頻率降低可避免像素中所包括的發光元件因預燒校正週期而發生的退化。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“非工作週期”，該過程可在用戶不操作該電子設備等時進入預燒校正週期。當用戶不操作電子設備等預定的時間時，可判斷沒有在使用該電子設備等。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“設定亮度”，該過程可進入預燒校正週期而不受環境亮度的影響。在實施例模式1到3中，一個或三個像素同時發光，並且其他不發光的像素中的驅動TFT處於截止狀態。因此，截止狀態電流隨著環境亮度而改變，這導致所檢測到的電流值有差異。藉由檢測環境亮度相同時像素中所包括的發光元件的特性，消除了環境亮度變化的影響。環境亮度較佳大約為0[cd/m2 ]。在折疊式移動電話的情形中，這種狀態可在折疊式移動電話被折疊時實現，而在數位相機的情形中，這種狀態可在數位相機被放在機套中時實現。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“所有像素終止”，就可在相同條件下檢測所有像素中所包括的發光元件的特性。當檢測像素中所包括的發光元件的特性的條件、即操作環境相同時，就可抑制由於操作環境的不同而導致的特性的差異。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“充電週期”，該過程可在完成對電池進行充電時即進入正常驅動週期。藉由在完成對電池進行充電時即從預燒校正週期進入正常驅動週期，就可抑制電池耗盡。此外，當完成對電池進行充電時，用戶很可能正準備使用該電子設備。因此，該過程需要進入正常驅動週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“設定亮度”，該過程可在預燒校正週期中當環境亮度改變時即進入正常驅動週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“操作啟動”，該過程可在用戶正準備使用電子設備等時立即進入正常驅動週期。
如果該過程從預燒校正週期經由“設定亮度”和“操作啟動”進入正常驅動週期，則預燒校正週期在檢測了所有像素中所包括的發光元件的特性以前結束。在此情形中，在上一個預燒校正週期中沒有檢測的像素中所包括的發光元件的特性可在下一個預燒校正週期中檢測。此外，當該過程進入下一個預燒校正週期時，較佳的是“經過預定時間”中的預定時間較短。該預定時間較佳是0秒，並且該過程較佳經由下一個“非工作週期”和“設定亮度”進入預燒校正週期。
參考圖67對用於實現此實施例模式中所說明的圖14的流程圖的控制器115的結構和操作進行說明。
在此實施例模式中，影像訊號產生電路6100、電流值檢測控制訊號產生電路6101、驅動方法選擇電路6103和計時器電路6104與實施例模式4中的相類似。非工作週期檢測電路6301與實施例模式6中的相類似。環境亮度檢測電路6501與實施例模式8中的相類似。
以下對此實施例模式中的操作進行說明。當從向計時器電路6104輸入重置訊號6100a起已經過預定時間、即從上一個預燒校正週期結束起已經過預定時間，且用戶沒有操作電子設備等預定的時間，而環境亮度檢測電路6501判定顯示裝置的環境亮度接近預定亮度時，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行預燒校正週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行預燒校正週期的操作。在其他情形中，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行正常驅動週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行正常驅動週期的操作。在檢測所有像素的特性之後，向計時器電路6104輸入重置訊號6100a。在此實施例模式中，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，進行“經過預定時間”的判斷、“非工作週期”的判斷、“設定亮度”的判斷、“所有像素終止”的判斷和“操作啟動”的判斷，本發明可藉由進行“經過預定時間”的判斷、“非工作週期”的判斷、“設定亮度”的判斷、“所有像素終止”的判斷和“操作啟動”的判斷中的至少一個來操作。即，例如，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，進行“經過預定時間”的判斷和“設定亮度”的判斷。在此情形中，藉由至少使用計時器電路6104、環境亮度檢測電路6501和驅動方法選擇電路6103來進行該操作。
[實施例模式11]
參考實施例模式1到3適用的圖15的流程圖對從正常驅動週期進入預燒校正週期的時機和條件進行說明。在該流程圖中，矩形框表示過程，而菱形框表示判定。
在此實施例模式中，“正常驅動週期”的過程、“預燒校正週期”的過程、“經過預定時間”的判定和“操作啟動”的判定與實施例模式4中的相類似。“非工作週期”的判定與實施例模式6中的相類似。“設定像素終止”的判定與實施例模式7中的相類似。“設定亮度”的判定與實施例模式8中的相類似。
以下對圖15的流程圖的流程進行說明。如果在“經過預定時間”中，在該過程從上一個“預燒校正週期”進入“正常驅動週期”之後尚未經過預定時間，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果已經過預定時間，則該過程進入“非工作週期”。如果用戶在“非工作週期”中操作電子設備等預定的時間，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶沒有操作電子設備等預定的時間，則該過程進入“設定亮度”。如果在“設定亮度”步驟中周圍亮度不在預定範圍內，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果周圍亮度在預定範圍內，則該過程進入“預燒校正週期”。當該過程進入“預燒校正週期”時，執行實施例模式1到3中的預燒校正週期中所說明的操作，然後該過程進入“設定像素終止”。如果在“設定像素終止”中獲得了預設像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果沒有獲得預設像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“設定亮度”。如果在“設定亮度”中周圍亮度不在預定範圍內，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果周圍亮度在預定範圍內，則該過程進入“操作啟動”。如果用戶在“操作啟動”中啟動操作，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶沒有啟動操作，則該過程進入“預燒校正週期”。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“經過預定時間”，就可控制進入預燒校正週期的次數。在預燒校正週期中，像素中所包括的發光元件需要如實施例模式1到3中所述地發光。因此，進入預燒校正週期的頻率降低可避免像素中所包括的發光元件因預燒校正週期而發生的退化。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“非工作週期”，該過程可在用戶不操作該電子設備等時進入預燒校正週期。當用戶不操作電子設備等預定的時間時，可判斷沒有在使用該電子設備等。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“設定亮度”，該過程可進入預燒校正週期而不受環境亮度的影響。在實施例模式1到3中，一個或三個像素同時發光，並且其他不發光的像素中的驅動TFT處於截止狀態。因此，截止狀態電流隨著環境亮度而改變，這導致所檢測到的電流值有差異。藉由檢測環境亮度相同時像素中所包括的發光元件的特性，消除了環境亮度變化的影響。環境亮度較佳大約為0[cd/m2 ]。在折疊式移動電話的情形中，這種狀態可在折疊式移動電話被折疊時實現，而在數位相機的情形中，這種狀態可在數位相機被放在機套中時實現。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“設定像素終止”，該過程無需中斷預燒校正週期即可進入正常驅動週期。此外，該過程可選擇性地在假定容易產生預燒的部分中進入預燒校正週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“充電週期”，該過程可在完成對電池進行充電時即進入正常驅動週期。藉由在完成對電池進行充電時即從預燒校正週期進入正常驅動週期，就可抑制電池耗盡。此外，當完成對電池進行充電時，用戶很可能正準備使用該電子設備。因此，該過程需要進入正常驅動週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“設定亮度”，該過程可在預燒校正週期中當環境亮度改變時即進入正常驅動週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“操作啟動”，該過程可在用戶正準備使用電子設備等時立即進入正常驅動週期。
如果該過程從預燒校正週期經由“設定亮度”和“操作啟動”進入正常驅動週期，則預燒校正週期在檢測了預設像素中所包括的發光元件的特性以前結束。在此情形中，在上一個預燒校正週期中沒有檢測的像素中所包括的發光元件的特性可在下一個預燒校正週期中檢測。此外，當該過程進入下一個預燒校正週期時，較佳的是“經過預定時間”中的預定時間較短。該預定時間較佳是0秒，並且該過程較佳經由下一個“非工作週期”和“設定亮度”進入預燒校正週期。
參考圖68對用於實現此實施例模式中所說明的圖15的流程圖的控制器115的結構和操作進行說明。
在此實施例模式中，影像訊號產生電路6100、電流值檢測控制訊號產生電路6101、驅動方法選擇電路6103和計時器電路6104與實施例模式4中的相類似。檢測像素設定電路6106與實施例模式5中的相類似。非工作週期檢測電路6301與實施例模式6中的相類似。環境亮度檢測電路6501與實施例模式8中的相類似。
以下對此實施例模式中的操作進行說明。當從向計時器電路6104輸入重置訊號6100a起已經過預定時間、即從上一個預燒校正週期結束起已經過預定時間，且用戶沒有操作電子設備等預定的時間，而環境亮度檢測電路6501判定顯示裝置的環境亮度接近預定亮度時，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行預燒校正週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行預燒校正週期的操作。在其他情形中，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行正常驅動週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行正常驅動週期的操作。在檢測由檢測像素設定電路6106設置的像素的特性之後，向計時器電路6104輸入重置訊號6100a。在此實施例模式中，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，進行“經過預定時間”的判斷、“非工作週期”的判斷、“設定亮度”的判斷、“設定像素終止”的判斷和“操作啟動”的判斷，本發明可藉由進行“經過預定時間”的判斷、“非工作週期”的判斷、“設定亮度”的判斷、“設定像素終止”的判斷和“操作啟動”的判斷中的至少一個來操作。即，例如，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，進行“非工作週期”的判斷和“設定亮度”的判斷。在此情形中，藉由至少使用非工作週期檢測電路6301、環境亮度檢測電路6501和驅動方法選擇電路6103來進行該操作。
[實施例模式12]
參考實施例模式1到3適用的圖16的流程圖對從正常驅動週期進入預燒校正週期的時機和條件進行說明。在該流程圖中，矩形框表示過程，而菱形框表示判定。
在此實施例模式中，“正常驅動週期”的過程、“預燒校正週期”的過程、“所有像素終止”的判定和“操作啟動”的判定與實施例模式4中的相類似。在“使用者決定”的判定中，本發明的電子設備等的使用者決定該過程是否進入預燒校正週期。
以下對圖16的流程圖的流程進行說明。在“使用者決定”中，如果用戶沒有確定該過程進入“預燒校正週期”，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶確定該過程進入“預燒校正週期”，則該過程進入“預燒校正週期”。當該過程進入“預燒校正週期”時，執行實施例模式1到3中的預燒校正週期中所說明的操作，然後該過程進入“所有像素終止”。如果在“所有像素終止”中獲得了所有像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果沒有獲得所有像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“操作啟動”。如果用戶在“操作啟動”中啟動操作，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶沒有啟動操作，則該過程進入“預燒校正週期”。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“使用者決定”，用戶就可判定該過程是否進入預燒校正週期。因此，使進入預燒校正週期的判定適合每個用戶，因為使用電子設備等及其顯示幕等的頻率根據用戶而有所不同。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“所有像素終止”，就可在相同條件下檢測所有像素中所包括的發光元件的特性。當檢測像素中所包括的發光元件的特性的條件、即操作環境相同時，就可抑制由於操作環境不同而導致的特性的差異。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“操作啟動”，該過程可在用戶正準備使用電子設備等時立即進入正常驅動週期。
如果該過程從預燒校正週期經由“操作啟動”進入正常驅動週期，則預燒校正週期在檢測了所有像素中所包括的發光元件的特性以前結束。在此情形中，在上一個預燒校正週期中沒有檢測的像素中所包括的發光元件的特性可在下一個預燒校正週期中檢測。
參考圖69對用於實現此實施例模式中所說明的圖16的流程圖的控制器115的結構和操作進行說明。
在此實施例模式中，影像訊號產生電路6100、電流值檢測控制訊號產生電路6101和驅動方法選擇電路6103與實施例模式4中的相類似。
當用戶確定該過程進入預燒校正週期並執行某一操作時，啟動電路6901工作。當預燒校正週期結束，並且該過程進入正常驅動週期時，從視頻訊號產生電路6100輸出重置訊號6100a，而進入預燒校正週期的訊號停止。注意，只要重置訊號是在預燒校正週期結束時輸入到啟動電路6901，重置訊號就可從任何地方輸出。當用戶確定在啟動電路6901中該過程進入預燒校正週期時，向驅動方法選擇電路6103輸出進入預燒校正週期的訊號。當用戶確定該過程進入正常驅動週期時，進入預燒校正週期的訊號停止。如果沒有檢測所有像素或設定像素的特性，則不必輸入向啟動電路6901輸入的重置訊號。例如，啟動電路6901包括1位元計數器。
以下對此實施例模式中的操作進行說明。當用戶確定該過程進入預燒校正週期時，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行預燒校正週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行預燒校正週期的操作。在其他情形中，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行正常驅動週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行正常驅動週期的操作。在檢測所有像素的特性之後，向啟動電路6901輸入重置訊號。在此實施例模式中，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，進行“經過使用者決定”的判斷、“所有像素終止”的判斷和“操作啟動”的判斷，本發明可藉由進行“過經使用者決定”的判斷、“所有像素終止”的判斷和“操作啟動”的判斷中的至少一個來操作。即，例如，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，進行“使用者決定”的判斷。在此情形中，藉由至少使用啟動電路6901和驅動方法選擇電路6103來進行該操作。
[實施例模式13]
參考實施例模式1到3適用的圖17的流程圖對從正常驅動週期進入預燒校正週期的時機和條件進行說明。在該流程圖中，矩形框表示過程，而菱形框表示判定。
在此實施例模式中，“正常驅動週期”的過程、“預燒校正週期”的過程和“操作啟動”的判定與實施例模式4中的相類似。“設定像素終止”的判定與實施例模式7中的相類似。“使用者決定”的判定與實施例模式12中的相類似。
以下對圖17的流程圖的流程進行說明。在“使用者決定”中，如果用戶沒有確定該過程進入“預燒校正週期”，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶確定該過程進入“預燒校正週期”，則該過程進入“預燒校正週期”。當該過程進入“預燒校正週期”時，執行實施例模式1到3中的預燒校正週期中所說明的操作，然後該過程進入“設定像素終止”。如果在“設定像素終止”中獲得了預設像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果沒有獲得預設像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“操作啟動”。如果用戶在“操作啟動”中啟動操作，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶沒有啟動操作，則該過程進入“預燒校正週期”。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“使用者決定”，用戶就可判定該過程是否進入預燒校正週期。因此，使進入預燒校正週期的判定適合每個用戶，因為使用電子設備等及其顯示幕等的頻率根據用戶而有所不同。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“設定像素終止”，該過程無需中斷預燒校正週期即可進入正常驅動週期。此外，該過程可選擇性地在假定容易產生預燒的部分中進入預燒校正週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“操作啟動”，該過程可在用戶正準備使用電子設備等時立即進入正常驅動週期。
如果該過程從預燒校正週期經由“操作啟動”進入正常驅動週期，則預燒校正週期在檢測了預設像素中所包括的發光元件的特性以前結束。在此情形中，在上一個預燒校正週期中沒有檢測的像素中所包括的發光元件的特性可在下一個預燒校正週期中檢測。
參考圖70對用於實現此實施例模式中所說明的圖17的流程圖的控制器115的結構和操作進行說明。
在此實施例模式中，影像訊號產生電路6100、電流值檢測控制訊號產生電路6101和驅動方法選擇電路6103與實施例模式4中的相類似。檢測像素設定電路6106與實施例模式5中的相類似。啟動電路6901與實施例模式12中的相類似。
以下對此實施例模式中的操作進行說明。當用戶確定該過程進入預燒校正週期時，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行預燒校正週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行預燒校正週期的操作。在其他情形中，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行正常驅動週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行正常驅動週期的操作。在檢測由檢測像素設定電路6106設置的像素的特性之後，向啟動電路6901輸入重置訊號。在此實施例模式中，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，進行“經過使用者決定”的判斷、“設定像素終止”的判斷和“操作啟動”的判斷，本發明可藉由進行“經過使用者決定”的判斷、“設定像素終止”的判斷和“操作啟動”的判斷中的至少一個來操作。即，例如，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，進行“使用者決定”的判斷。在此情形中，藉由至少使用啟動電路6901和驅動方法選擇電路6103來進行該操作。
[實施例模式14]
參考實施例模式1到3適用的圖18的流程圖對從正常驅動週期進入預燒校正週期的時機和條件進行說明。在該流程圖中，矩形框表示過程，而菱形框表示判定。
在此實施例模式中，“正常驅動週期”的過程、“預燒校正週期”的過程、“充電週期”的判定、“所有像素終止”的判定和“操作啟動”的判定與實施例模式4中的相類似。“使用者決定”的判定與實施例模式12中的相類似。
以下對圖18的流程圖的流程進行說明。在“使用者決定”中，如果用戶沒有確定該過程進入“預燒校正週期”，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶確定該過程進入“預燒校正週期”，則該過程進入“充電週期”。如果在“充電週期”步驟中沒有對電池充電，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果在對電池充電，則該過程進入“預燒校正週期”。當該過程進入“預燒校正週期”時，執行實施例模式1到3中的預燒校正週期中所說明的操作，然後該過程進入“所有像素終止”。如果在“所有像素終止”中獲得了所有像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果沒有獲得所有像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“充電週期”。如果在“充電週期”中沒有對電池充電，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果在對電池充電，則該過程進入“操作啟動”。如果用戶在“操作啟動”中啟動操作，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶沒有啟動操作，則該過程進入“預燒校正週期”。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“使用者決定”，用戶就可判定該過程是否進入預燒校正週期。因此，使進入預燒校正週期的判定適合每個用戶，因為使用電子設備等及其顯示幕等的頻率根據用戶而有所不同。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“充電週期”，該過程可在對電池進行充電的同時進入預燒校正週期。在預燒校正週期中，像素中所包括的發光元件發光，從而如實施例模式1到3中所述地儲存發光元件的特性。因此，其間的功耗較大。在對電池進行充電的同時進入預燒校正週期可防止電池功率因預燒校正週期而降低。此外，當在對電池進行充電時，用戶很可能已經結束對電子設備的使用，因而該過程不大可能會返回正常驅動週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“所有像素終止”，就可在相同條件下檢測所有像素中所包括的發光元件的特性。當檢測像素中所包括的發光元件的特性的條件、即操作環境相同時，就可抑制由於操作環境不同而導致的特性差異。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“充電週期”，該過程可在結束對電池進行充電時即進入正常驅動週期。藉由在完成對電池進行充電時即從預燒校正週期進入正常驅動週期，就可抑制電池耗盡。此外，當結束對電池進行充電時，用戶很可能正準備使用電子設備。因此該過程需要進入正常驅動週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“操作啟動”，該過程可在用戶正準備使用電子設備等時立即進入正常驅動週期。
如果該過程從預燒校正週期經由“充電週期”和“操作啟動”進入正常驅動週期，則預燒校正週期在檢測了所有像素中所包括的發光元件的特性以前結束。在此情形中，在上一個預燒校正週期中沒有檢測的像素中所包括的發光元件的特性可在下一個預燒校正週期中檢測。
參考圖71對用於實現此實施例模式中所說明的圖18的流程圖的控制器115的結構和操作進行說明。
在此實施例模式中，影像訊號產生電路6100、電流值檢測控制訊號產生電路6101、驅動方法選擇電路6103和充電單元檢測電路6105與實施例模式4中的相類似。啟動電路6901與實施例模式12中的相類似。
以下對此實施例模式中的操作進行說明。當用戶確定該過程進入預燒校正週期、且充電單元檢測電路6105檢測到電池117在充電時，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行預燒校正週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行預燒校正週期的操作。在其他情形中，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行正常驅動週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行正常驅動週期的操作。在檢測所有像素的特性之後，向啟動電路6901輸入重置訊號6100a。在此實施例模式中，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，進行“經過使用者決定”的判斷、“充電週期”的判斷、“所有像素終止”的判斷和“操作啟動”的判斷，本發明可藉由進行“經過使用者決定”的判斷、“充電週期”的判斷、“全部像素終止”的判斷和“操作啟動”的判斷中的至少一個來操作。即，例如，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，進行“使用者決定”的判斷。在此情形中，藉由至少使用啟動電路6901、充電單元檢測電路6105和驅動方法選擇電路6103來進行該操作。
[實施例模式15]
參考實施例模式1到3適用的圖19的流程圖對從正常驅動週期進入預燒校正週期的時機和條件進行說明。在該流程圖中，矩形框表示過程，而菱形框表示判定。
在此實施例模式中，“正常驅動週期”的過程、“預燒校正週期”的過程、“充電週期”的判定和“操作啟動”的判定與實施例模式4中的相類似。“設定像素終止”的判定與實施例模式7中的相類似。“使用者決定”的判定與實施例模式12中的相類似。
以下對圖19的流程圖的流程進行說明。在“使用者決定”中，如果用戶沒有確定該過程進入“預燒校正週期”，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶確定該過程進入“預燒校正週期”，則該過程進入“充電週期”。如果在“充電週期”中沒有對電池充電，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果在對電池充電，則該過程進入“預燒校正週期”。當該過程進入“預燒校正週期”時，執行實施例模式1到3中的預燒校正週期中所說明的操作，然後該過程進入“設定像素終止”。如果在“設定像素終止”中獲得了預設像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果沒有獲得預設像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“充電週期”。如果在“充電週期”中沒有對電池充電，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果在對電池充電，則該過程進入“操作啟動”。如果用戶在“操作啟動”中啟動操作，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶沒有啟動操作，則該過程進入“預燒校正週期”。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“使用者決定”，用戶就可判定該過程是否進入預燒校正週期。因此，使進入預燒校正週期的決定適合每個用戶，因為使用電子設備等及其顯示幕等的頻率根據用戶而有所不同。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“充電週期”，該過程可在對電池進行充電的同時進入預燒校正週期。在預燒校正週期中，像素中所包括的發光元件發光，從而如實施例模式1到3中所述地儲存發光元件的特性。因此，其間的功耗較大。在對電池進行充電的同時進入預燒校正週期可防止電池功率因預燒校正週期而降低。此外，當在對電池進行充電時，用戶很可能已經結束對電子設備的使用，因而該過程不大可能會返回正常驅動週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“設定像素終止”，該過程無需中斷預燒校正週期即可進入正常驅動週期。此外，該過程可選擇性地在假定容易產生預燒的部分中進入預燒校正週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“充電週期”，該過程可在結束對電池進行充電時即進入正常驅動週期。藉由在完成對電池進行充電時即從預燒校正週期進入正常驅動週期，就可抑制電池耗盡。此外，當結束對電池進行充電時，用戶很可能正準備使用電子設備。因此該過程需要進入正常驅動週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“操作啟動”，該過程可在用戶正準備使用電子設備等時立即進入正常驅動週期。
如果該過程從預燒校正週期經由“充電週期”和“操作啟動”進入正常驅動週期，則預燒校正週期在檢測了預設像素中所包括的發光元件的特性以前結束。在此情形中，在上一個預燒校正週期中沒有檢測的像素中所包括的發光元件的特性可在下一個預燒校正週期中檢測。
參考圖72對用於實現此實施例模式中所說明的圖19的流程圖的控制器115的結構和操作進行說明。
在此實施例模式中，影像訊號產生電路6100、電流值檢測控制訊號產生電路6101、驅動方法選擇電路6103和充電單元檢測電路6105與實施例模式4中的相類似。檢測像素設定電路6106與實施例模式5中的相類似。啟動電路6901與實施例模式12中的相類似。
以下對此實施例模式中的操作進行說明。當用戶確定該過程進入預燒校正週期、且充電單元檢測電路6105檢測到電池117在充電時，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行預燒校正週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行預燒校正週期的操作。在其他情形中，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行正常驅動週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行正常驅動週期的操作。在檢測由檢測像素設定電路6106設置的像素的特性之後，向啟動電路6901輸入重置訊號6100a。在此實施例模式中，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，進行“經過使用者決定”的判斷、“充電週期”的判斷、“設定像素終止”的判斷和“操作啟動”的判斷，本發明可藉由進行“經過使用者決定”的判斷、“充電週期”的判斷、“設定像素終止”的判斷和“操作啟動”的判斷中的至少一個來操作。即，例如，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，進行“使用者決定”和“充電週期”的判斷。在此情形中，藉由至少使用啟動電路6901、充電單元檢測電路6105和驅動方法選擇電路6103來進行該操作。
[實施例模式16]
參考實施例模式1到3適用的圖20的流程圖對從正常驅動週期進入預燒校正週期的時機和條件進行說明。在該流程圖中，矩形框表示過程，而菱形框表示判定。
在此實施例模式中，“正常驅動週期”的過程、“預燒校正週期”的過程、“所有像素終止”的判定和“操作啟動”的判定與實施例模式4中的相類似。“設定亮度”的判定與實施例模式8中的相類似。“使用者決定”的判定與實施例模式12中的相類似。
以下對圖20的流程圖的流程進行說明。在“使用者決定”中，如果用戶沒有確定該過程進入“預燒校正週期”，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶確定該過程進入“預燒校正週期”，則該過程進入“設定亮度”。如果在“設定亮度”中環境亮度不在預定範圍內，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果環境亮度在預定範圍內，則該過程進入“預燒校正週期”。當該過程進入“預燒校正週期”時，執行實施例模式1到3中的預燒校正週期中所說明的操作，然後該過程進入“所有像素終止”。如果在“所有像素終止”中獲得了所有像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果沒有獲得所有像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“設定亮度”。如果在“設定亮度”中環境亮度不在預定範圍內，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果環境亮度在預定範圍內，則該過程進入“操作啟動”。如果用戶在“操作啟動”中啟動操作，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶沒有啟動操作，則該過程進入“預燒校正週期”。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“使用者決定”，用戶就可判定該過程是否進入預燒校正週期。因此，使進入預燒校正週期的判定適合每個用戶，因為使用電子設備等及其顯示幕等的頻率根據用戶而有所不同。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“設定亮度”，該過程可進入預燒校正週期而不受環境亮度的影響。在實施例模式1到3中，一個或三個像素同時發光，並且其他不發光的像素中的驅動TFT處於截止狀態。因此，截止狀態電流隨著環境亮度而改變，這導致所檢測到的電流值有差異。藉由檢測環境亮度相同時像素中所包括的發光元件的特性，消除了環境亮度變化的影響。環境亮度較佳大約為0[cd/m2 ]。在折疊式移動電話的情形中，這種狀態可在折疊式移動電話被折疊時實現，而在數位相機的情形中，這種狀態可在數位相機被放在機套中時實現。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“所有像素終止”，就可在相同條件下檢測所有像素中所包括的發光元件的特性。當檢測像素中所包括的發光元件的特性的條件、即操作環境相同時，就可抑制由於操作環境不同而導致的特性的差異。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“設定亮度”，該過程可在預燒校正週期裏當環境亮度改變時即進入正常驅動週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“操作啟動”，該過程可在用戶正準備使用電子設備等時立即進入正常驅動週期。
如果該過程從預燒校正週期經由“設定亮度”和“操作啟動”進入正常驅動週期，則預燒校正週期在檢測了所有像素中所包括的發光元件的特性以前結束。在此情形中，在上一個預燒校正週期中沒有檢測的像素中所包括的發光元件的特性可在下一個預燒校正週期中檢測。
參考圖73對用於實現此實施例模式中所說明的圖20的流程圖的控制器115的結構和操作進行說明。
在此實施例模式中，影像訊號產生電路6100、電流值檢測控制訊號產生電路6101和驅動方法選擇電路6103與實施例模式4中的相類似。環境亮度檢測電路6501與實施例模式8中的相類似。啟動電路6901與實施例模式12中的相類似。
以下對此實施例模式中的操作進行說明。當用戶確定該過程進入預燒校正週期、且環境亮度檢測電路6501判定顯示裝置的環境亮度接近預定亮度時，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行預燒校正週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行預燒校正週期的操作。在其他情形中，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行正常驅動週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行正常驅動週期的操作。在檢測所有像素的特性之後，向啟動電路6901輸入重置訊號6100a。在此實施例模式中，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，進行“經過使用者決定”的判斷、“設定亮度”的判斷、“所有像素終止”的判斷和“操作啟動”的判斷，本發明可藉由進行“經過使用者決定”的判斷、“設定亮度”的判斷、“所有像素終止”的判斷和“操作啟動”的判斷中的至少一個來操作。即，例如，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，進行“使用者決定”和“設定亮度”的判斷。在此情形中，藉由至少使用啟動電路6901、環境亮度檢測電路6501和驅動方法選擇電路6103來進行該操作。
[實施例模式17]
參考實施例模式1到3適用的圖21的流程圖對從正常驅動週期進入預燒校正週期的時機和條件進行說明。在該流程圖中，矩形框表示過程，而菱形框表示判定。
在此實施例模式中，“正常驅動週期”的過程、“預燒校正週期”的過程和“操作啟動”的判定與實施例模式4中的相類似。“設定像素終止”的判定與實施例模式7中的相類似。“設定亮度”的判定與實施例模式8中的相類似。“用戶決定”的判定與實施例模式12中的相類似。
以下對圖21的流程圖的流程進行說明。在“使用者決定”中，如果用戶沒有確定該過程進入“預燒校正週期”，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶確定該過程進入“預燒校正週期”，則該過程進入“設定亮度”。如果在“設定亮度”中環境亮度不在預定範圍內，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果環境亮度在預定範圍內，則該過程進入“預燒校正週期”。當該過程進入“預燒校正週期”時，執行實施例模式1到3中的預燒校正週期中所說明的操作，然後該過程進入“設定像素終止”。如果在“設定像素終止”中獲得了預設像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果沒有獲得預設像素中所包括的發光元件的特性，則該過程進入“設定亮度”。如果在“設定亮度”中環境亮度不在預定範圍內，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果環境亮度在預定範圍內，則該過程進入“操作啟動”。如果用戶在“操作啟動”中啟動操作，則該過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶沒有啟動操作，則該過程進入“預燒校正週期”。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“使用者決定”，用戶就可判定該過程是否進入預燒校正週期。因此，使進入預燒校正週期的判定適合每個用戶，因為使用電子設備等及其顯示幕等的頻率根據用戶而有所不同。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“設定亮度”，該過程可進入預燒校正週期而不受環境亮度的影響。在實施例模式1到3中，一個或三個像素同時發光，並且其他不發光的像素中的驅動TFT處於截止狀態。因此，截止狀態電流隨著環境亮度而改變，這導致所檢測到的電流值有差異。藉由檢測環境亮度相同時像素中所包括的發光元件的特性，消除了環境亮度變化的影響。環境亮度較佳大約為0[cd/m2 ]。在折疊式移動電話的情形中，這種狀態可在折疊式移動電話被折疊時實現，而在數位相機的情形中，這種狀態可在數位相機被放在機套中特實現。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“設定像素終止”，該過程無需中斷預燒校正週期即可進入正常驅動週期。此外，該過程可選擇性地在假定容易產生預燒的部分中進入預燒校正週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“設定亮度”，該過程可在預燒校正週期裏當環境亮度改變時即進入正常驅動週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“操作啟動”，該過程可在用戶正準備使用電子設備等時立即進入正常驅動週期。
如果該過程從預燒校正週期經由“設定亮度”和“操作啟動”進入正常驅動週期，則預燒校正週期在檢測了預設像素中所包括的發光元件的特性以前結束。在此情形中，在上一個預燒校正週期中沒有檢測的像素中所包括的發光元件的特性可在下一個預燒校正週期中檢測。
參考圖74對用於實現此實施例模式中所說明的圖21的流程圖的控制器115的結構和操作進行說明。
在此實施例模式中，影像訊號產生電路6100、電流值檢測控制訊號產生電路6101和驅動方法選擇電路6103與實施例模式4中的相類似。檢測像素設定電路6106與實施例模式5中的相類似。環境亮度檢測電路6501與實施例模式8中的相類似。啟動電路6901與實施例模式12中的相類似。
以下對此實施例模式中的操作進行說明。當用戶確定該過程進入預燒校正週期、且環境亮度檢測電路6501判定顯示裝置的環境亮度接近預定亮度時，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行預燒校正週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行預燒校正週期的操作。在其他情形中，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行正常驅動週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行正常驅動週期的操作。在檢測由檢測像素設定電路6106設置的像素的特性之後，向啟動電路6901輸入重置訊號。在此實施例模式中，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，進行“經過使用者決定”的判斷、“設定亮度”的判斷、“設定像素終止”的判斷和“操作啟動”的判斷，本發明可藉由進行“經過使用者決定”的判斷、“設定亮度”的判斷、“設定像素終止”的判斷和“操作啟動”的判斷中的至少一個來操作。即，例如，在“正常驅動週期”與“預燒校正週期”之間，進行“使用者決定”和“設定亮度”的判斷。在此情形中，藉由至少使用啟動電路6901、環境亮度檢測電路6501和驅動方法選擇電路6103來進行該操作。
[實施例模式18]
參照實施例模式1到3適用的圖22的流程圖，對過程從正常驅動週期進入預燒校正週期的時機和條件進行說明。在該流程圖中，矩形框表示過程，而菱形框表示判定。
在該實施例模式中，“正常驅動週期”的過程、“預燒校正週期”的過程、“充電週期”的判定、“所有像素終止”的判定、以及“操作啟動”的判定與實施例模式4中的相似。“設定亮度”的判定與實施例模式8的相似。“使用者決定”的判定與實施例模式12的相似。
對圖22的流程圖的流進行說明。在“使用者決定”中，如果用戶不確定過程進入“預燒校正週期”，則過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶確定過程進入“預燒校正週期”，則過程進入“充電週期”。如果在“充電週期”中沒有對電池充電，則過程進入“正常驅動週期”，而如果對電池充電，則過程進入“設定亮度”。如果在“設定亮度”中環境亮度不在預定範圍內，則過程進入“正常驅動週期”，而如果環境亮度在預定範圍內，則過程進入“預燒校正週期”。當過程進入“預燒校正週期”時，執行實施例模式1到3中預燒校正週期中所述的操作，然後過程進入“所有像素終止”。如果在“所有像素終止”中獲得所有像素內所包括的發光元件的特性，則過程進入“正常驅動週期”，而如果未獲得所有像素內所包括的發光元件的特性，則過程進入“充電週期”。如果在“充電週期”中沒有對電池充電，則過程進入“正常驅動週期”，而如果對電池充電，則過程進入“設定亮度”。如果在“設定亮度”中環境亮度不在預定範圍內，則過程進入“正常驅動週期”，而如果環境亮度在預定範圍內，則過程進入“操作啟動”。如果在“操作啟動”時用戶啟動操作，則過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶未啟動操作，則過程進入“預燒校正週期”。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“使用者決定”，用戶可判定過程是否進入預燒校正週期。因此，使進入預燒校正週期的判定適於每個用戶，因為使用電子裝置等及其顯示幕的頻率取決於用戶而不同。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“電充週期”，該過程可在對電池充電的同時進入預燒校正週期。在預燒校正週期中，像素中所包括的發光元件發光，從而如實施例模式1到3所述地儲存發光元件的特性。因此，其間的功率消耗較大。在對電池充電的同時進入預燒校正週期可防止電池功率因預燒校正週期而降低。此外，在對電池充電時，很可能用戶已使用完電子設備，並且過程不大可能返回到正常驅動週期。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“設定亮度”，該過程可進入預燒校正週期而不受環境亮度的影響。在實施例模式1到3中，一個像素或三個像素同時發光，而不發光的其他像素中的驅動TFT處於截止狀態。因此，截止狀態電流根據環境亮度改變，導致所檢測電流值的變化。藉由在環境亮度相同時檢測像素內所包括的發光元件的特性，消除了環境亮度改變的效應。環境亮度較佳地約為0[cd/m2 ]。在折疊式移動電話的情形中，這種狀態可在折疊式移動電話折疊時實現，而在數位相機的情形中，這種狀態可在數位相機置於其機套內時實現。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“所有像素終止”，可在相同條件下檢測所有像素內所包括的發光元件的特性。當檢測像素內所包括的發光元件的特性時的條件，即操作環境相同時，特性中因操作環境引起的差異可得到抑制。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“設置亮度”，當環境亮度在預燒校正週期改變時過程立即進入正常驅動週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“操作啟動”，當用戶將要使用電子裝置等時過程立即進入正常驅動週期。
如果該過程經由“充電週期”、“設定亮度”和“操作啟動”從預燒校正週期進入正常驅動週期，則預燒校正週期在檢測了所有像素內所包括的發光元件的特性之前結束。在該情形中，上一預燒校正週期內沒有檢測的像素內所包括的發光元件的特性可在下一預燒校正週期中檢測。
參照圖75對用於實現本實施例模式中所述的圖22的流程圖的控制器115的結構和操作進行說明。
在本實施例模式中，影像訊號產生電路6100、電流值檢測控制訊號產生電路6101、驅動方法選擇電路6103和充電單元檢測電路6105與實施例模式4中的相似。環境亮度檢測電路6501與實施例模式8中的相似。啟動電路6901與實施例模式12中的相似。
對本實施例模式中的操作進行說明。當用戶確定過程進入預燒校正週期，且從向啟動電路6901輸入重置訊號起已過了預定時間，即從上一預燒校正週期結束時起已過了預定時間，且環境亮度檢測電路6501判定顯示裝置的環境亮度接近於預定亮度時，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行預燒校正週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行預燒校正週期的操作。在其他情形中，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行正常驅動週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行正常驅動週期的操作。在檢測所有像素的特性之後，將重置訊號6100a輸入到啟動電路6901。在該實施例模式中，在“正常驅動週期”和“預燒校正週期”之間，進行“經過使用者決定”的判斷、“充電週期”的判斷、“設定亮度”的判斷、“所有像素終止”的判斷、以及“操作啟動”的判斷，本發明可藉由進行“經過使用者決定”的判斷、“充電週期”的判斷、“設定亮度”的判斷、“所有像素終止”的判斷、以及“操作啟動”的判斷的至少之一來操作。即，例如，在“正常驅動週期”和“預燒校正週期”之間，進行“使用者決定”的判斷、“充電週期”和“設置亮度”的判斷。在該情形中，藉由至少使用啟動電路6901、充電單元檢測電路6105和驅動方法選擇電路6103來進行操作。
[實施例模式19]
參照實施例模式1到3適用的圖23的流程圖，對從正常驅動週期進入預燒校正週期的時機和條件進行說明。在該流程圖中，矩形框表示過程，而菱形框表示判定。
在該實施例模式中，“正常驅動週期”的過程、“預燒校正週期”的過程、“充電週期”的判定、“所有像素終止”的判定、以及“操作啟動”的判定與實施例模式4中的相似。“設定像素終止”的判定與實施例模式7的相似。“設定亮度”的判定與實施例模式8的相似。“使用者決定”的判定與實施例模式12的相似。
對圖23的流程圖的流進行說明。在“使用者決定”中，如果用戶不確定過程進入“預燒校正週期”，則過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶確定過程進入“預燒校正週期”，則過程進入“充電週期”。如果在“充電週期”中沒有對電池充電，則過程進入“正常驅動週期”，而如果對電池充電，則過程進入“設定亮度”。如果在“設定亮度”中環境亮度不在預定範圍內，則過程進入“正常驅動週期”，而如果環境亮度在預定範圍內，則過程進入“預燒校正週期”。當過程進入“預燒校正週期”時，執行實施例模式1到3中預燒校正週期中所述的操作，然後過程進入“設定像素終止”。如果在“設定像素終止”中獲得預設像素內包括的發光元件的特性，則過程進入“正常驅動週期”，而如果未獲得預設像素內包括的發光元件的特性，則過程進入“充電週期”。如果在“充電週期”中沒有對電池充電，則過程進入“正常驅動週期”，而如果對電池充電，則過程進入“設定亮度”。如果在“設定亮度”中環境亮度不在預定範圍內，則過程進入“正常驅動週期”，而如果環境亮度在預定範圍內，則過程進入“操作啟動”。如果在“操作啟動”中用戶啟動操作，則過程進入“正常驅動週期”，而如果用戶未啟動操作，則過程進入“預燒校正週期”。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“使用者決定”，用戶可判定過程是否進入預燒校正週期。因此，使進入預燒校正週期的判定適於每個用戶，因為使用電子裝置等及其顯示幕的頻率取決於用戶而不同。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“充電週期”，過程可在對電池充電的同時進入預燒校正週期。在預燒校正週期中，像素內所包括的發光元件發光，從而如實施例模式1到3所述地儲存發光元件的特性。因此，其間的功率消耗較大。在對電池充電的同時進入預燒校正週期可防止電池功率因預燒校正週期而降低。此外，在對電池充電時，很可能用戶已使用完電子裝置，並且過程不大可能返回到正常驅動週期。
藉由向從正常驅動週期進入預燒校正週期的條件添加“設定亮度”，過程可進入預燒校正週期而不受環境亮度的影響。在實施例模式1到3中，一個像素或三個像素同時發光，而不發光的其他像素中的驅動TFT處於截止狀態。因此，截止狀態電流根據環境亮度改變，導致所檢測電流值的變化。藉由在環境亮度相同時檢測像素內所包括的發光元件的特性，消除了環境亮度改變的效應。環境亮度較佳地約為0[cd/m2 ]。在折疊式移動電話的情形中，這種狀態可在折疊式移動電話折疊時實現，而在數位相機的情形中，這種狀態可在數位相機置於其機套內時實現。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“設定像素終止”，可在不中斷預燒校正週期的情況下進入正常驅動週期。此外，過程可能有選擇地在假定容易產生預燒的部分中進入預燒校正週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“設定亮度”，當環境亮度在預燒校正週期中時過程立即進入正常驅動週期。
藉由向從預燒校正週期進入正常驅動週期的條件添加“操作啟動”，當用戶將要使用電子裝置等時過程立即進入正常驅動週期。
如果過程經由“充電週期”、“設置亮度”和“操作啟動”從預燒校正週期進入正常驅動週期，則預燒校正週期在檢測了所有像素內所包括的發光元件的特性之前結束。在該情形中，在上一預燒校正週期內沒有檢測的像素內所包括的發光元件的特性可在下一預燒校正週期中檢測。
參照圖76對用於實現本實施例模式中所述的圖23的流程圖的控制器115的結構和操作進行說明。
在本實施例模式中，影像訊號產生電路6100、電流值檢測控制訊號產生電路6101、驅動方法選擇電路6103和充電單元檢測電路6105與實施例模式4中的相似。檢測像素設定電路6106與實施例模式5中的相似。環境亮度檢測電路6501與實施例模式8中的相似。啟動電路6901與實施例模式12中的相似。
對本實施例模式中的操作進行說明。當用戶確定過程進入預燒校正週期，且從重置訊號輸入到啟動電路6901時起已過了預定時間，即從上一預燒校正週期結束時起已過了預定時間，且環境亮度檢測電路6501判定顯示裝置的環境亮度接近於預定亮度時，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行預燒校正週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行預燒校正週期的操作。在其他情形中，驅動方法選擇電路6103控制影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101進行正常驅動週期的操作。然後，影像訊號產生電路6100和電流值檢測控制訊號產生電路6101分別控制校正電路114和電流值檢測電路113進行正常驅動週期的操作。在檢測由檢測像素設定電路6106設置的像素的特性之後，將重置訊號6100a輸入到啟動電路6901。在該實施例模式中，在“正常驅動週期”和“預燒校正週期”之間，進行“經過使用者決定”的判斷、“充電週期”的判斷、“設定亮度”的判斷、“設定像素終止”的判斷、以及“操作啟動”的判斷，本發明可藉由進行“經過使用者決定”的判斷、“充電週期”的判斷、“設定亮度”的判斷、“設定像素終止”的判斷、以及“操作啟動”的判斷的至少之一來操作。即，例如，在“正常驅動週期”和“預燒校正週期”之間，進行“使用者決定”的判斷、“充電週期”和“設置亮度”的判斷。在該情形中，藉由至少使用啟動電路6901、充電單元檢測電路6105和驅動方法選擇電路6103來進行操作。
[實施例模式20]
對實施例模式1到3中的一些驅動條件進行說明。即，說明正常驅動週期和預燒校正週期之間驅動條件中的差異。
首先，說明預燒校正週期內電源線R105、電源線G106、電源線B107和相反電極108之間電位的關係。
在過程從正常驅動週期進入預燒校正週期的情形中，如果電源線R105、電源線G106、電源線B107和相反電極108的電位在正常驅動週期與預燒校正週期中不變，則不需要用於預燒校正週期的新電源。因此，電路的大小可以較小。
在過程從正常驅動週期進入預燒校正週期的情形中，如果電源線R105、電源線G106、電源線B107的電位變低，而相反電極108的電位保持不變，則施加在像素內所包括的發光元件上的電壓會變低。因此，可防止像素內所包括的發光元件因預燒校正週期而退化，並可降低預燒校正週期中的功耗。
在過程從正常驅動週期進入預燒校正週期的情形中，如果電源線R105、電源線G106、電源線B107的電位變高，而相反電極108的電位保持不變，則施加在像素內所包括的發光元件上的電壓會變高。因此，當在預燒校正週期中獲得像素內所包括的發光元件的特性時，電源線的電流會變大。預燒校正週期內電源線的電流值較小並且它會消失在雜訊中。當電流增大時它不再消失在雜訊中，並且可檢測到準確的電流。注意，當電源線R105、電源線G106和電源線B107的電位保持不變，而相反電極108的電位變低時，可獲得相同效應。
接著，對預燒控制週期中驅動頻率的差異進行說明。在過程從正常驅動週期進入預燒校正週期的情形中，如果驅動頻率在正常驅動週期與預燒校正週期中不變，則不需要用於預燒校正週期的新時脈週期。因此，電路的大小可以較小。
在過程從正常驅動週期進入預燒校正週期的情形中，如果驅動頻率變低，則用於檢測每個像素的電流值的時間可被設置成更長。因此，可準確地向像素輸入視頻訊號。像素內所包括的發光元件從瞬態進入穩態。因此，較佳地在像素內所包括的發光元件的特性處於穩態時檢測電流值，以便於準確地檢測每個像素的電流值。當驅動頻率變低時，可在充分穩態時檢測像素內所包括的發光元件的特性。
在過程從正常驅動週期進入預燒校正週期的情形中，如果驅動頻率變高，則可縮短用於檢測每個像素的電流值的時間並可縮短預燒校正週期。因而，在檢測到所有像素或預設像素內所包括的發光元件的特性之前過程進入正常驅動週期的可能性變得較小。
[實施例模式21]
參照圖47對實施例模式1到3中所述的像素109的一結構示例進行說明。對於不同於像素109的構件的結構，可採用滿足本實施例模式中所述的像素結構和驅動方法的結構。
選擇電晶體4702的導通或截止使用閘極訊號線4707來控制。當選擇電晶體4702導通時，視頻訊號從源極訊號線4706輸入到電容器4703。然後，驅動電晶體4701根據視頻訊號來導通/截止。當驅動電晶體4701導通時，電流經由驅動電晶體4701和發光元件4704從電源線4705流向相反電極。當驅動電晶體4701截止時，電流不流動。注意，發光元件4704的一個電極與驅動電晶體4701的源極或汲極的任一個相連，而發光元件4704的另一個電極用作相反電極。
以上驅動方法是數位驅動，其中視頻訊號具有二進位值且驅動電晶體4701用作開關。在數位驅動中，驅動電晶體4701可在線性區或飽和區中工作。當驅動電晶體4701在線性區中工作時，電源線4705的電位幾乎不變地施加在發光元件4704的一個電極上。當驅動電晶體4701在飽和區中工作時，與驅動電晶體4701的閘極－源極電壓相符的電流流動。
在本實施例模式中，可採用類比驅動以及數位驅動。在數位驅動中，視頻訊號具有二進位值，而在類比驅動中，要求視頻訊號具有與要表示的灰度級數量相同的值。藉由驅動飽和區內的驅動電晶體4701，並根據視頻訊號改變該驅動電晶體的閘極電壓，與視頻訊號相符的電流可被施加在發光元件4704上。
注意，電容器4703保持驅動電晶體4701的閘極電位。因此，電容器4703連接於驅動電晶體4701的閘極與電源線4705之間。然而，本發明不限於此。僅需設置電容器4703以保持驅動電晶體4701的閘極電位。在驅動電晶體4701的閘極電位可使用驅動電晶體4701等的閘極電容來保持的情形中，可略去電容器4703。
選擇電晶體4702用作連接在源極訊號線4706和驅動電晶體4701的閘極之間的開關。在圖47中，n通道電晶體被用作選擇電晶體4702。然而，本發明並不僅限於此。可採用具有連接/斷開源極訊號線4706和驅動電晶體4701的閘極的功能的任一元件。因此，可採用p通道電晶體。在該情形中，閘極訊號線4707的電位相反。
[實施例模式22]
參照圖50對實施例模式1到3中所述的像素109的一結構示例進行說明。對於不同於像素109的構件的結構，可採用滿足本實施例模式中所述的像素結構和驅動方法的結構。
選擇電晶體5002的導通或截止使用閘極訊號線5007來控制。當選擇電晶體5002導通時，視頻訊號從源極訊號線5006輸入到電容器5003。然後，驅動電晶體5001根據視頻訊號來導通/截止。當驅動電晶體5001導通時，電流經由驅動電晶體5001和發光元件5004從電源線5005流向相反電極。當驅動電晶體5001截止時，電流不流動。注意，發光元件5004的一個電極與驅動電晶體5001的源極或汲極的任一個相連，而發光元件5004的另一個電極用作相反電極。
以上驅動方法是數位驅動，其中視頻訊號具有二進位值且驅動電晶體5001用作開關。在數位驅動中，驅動電晶體5001可在線性區或飽和區中工作。當驅動電晶體5001在線性區中工作時，電源線5005的電位幾乎不變地施加在發光元件5004的一個電極上。當驅動電晶體5001在飽和區中工作時，與驅動電晶體5001的閘極－源極電壓相符的電流流動。
在本實施例模式中，可採用類比驅動以及數位驅動。在數位驅動中，視頻訊號具有二進位值，而在類比驅動中，要求視頻訊號具有與要表示的灰度級數量相同的值。藉由驅動飽和區內的驅動電晶體5001，並根據視頻訊號改變該驅動電晶體的閘極電壓，與視頻訊號相符的電流可被施加在發光元件5004上。
注意，電容器5003保持驅動電晶體5001的閘極電位。因此，電容器5003連接於驅動電晶體5001的閘極與發光元件5004的一個電極之間。然而本發明並不僅限於此。僅需設置電容器5003以儲存驅動電晶體5001的閘極電位。在驅動電晶體5001的閘極電位可使用驅動電晶體5001等的閘極電容來保持的情形中，可略去電容器5003。
在本實施例模式中，選擇電晶體5002和驅動電晶體5001都是n通道電晶體。使用該結構，可使用非晶矽，以使能容易地實現低成本和大螢幕。注意，使用非晶矽有使電晶體退化的問題，即電晶體的特性隨時間而變化，也稱為臨界值偏移。為了解決這種現象，必須採用臨界值經校正的像素結構、或將視頻訊號作為電流輸入的像素結構。然而，當採用臨界值經校正的像素結構時，會產生使電晶體數量增加的其他問題，且因此像素的孔徑比降低，或者電源線5005或相反電極的電位降低，這導致發光元件5004的占空比降低。孔徑比和占空比的降低要求增大發光元件5004的亮度。因此，發光元件更早地退化，並縮短顯示裝置的壽命。另一方面，當採用本發明實施例模式1到3的驅動方法時，驅動電晶體5001的特性變化、以及發光元件5004中的退化可同時得到校正。注意，占空比表示發光元件的驅動條件，並且是發光時段與某一時段(包括發光時段或不發光時段、或兩個時段)的比率。
因此，實施例模式1到3中的驅動方法和使用非晶矽的像素結構的組合可產生進一步的效應。此外，因為使用非晶矽驅動顯示設備的控制器通常設置在外部，並且使用非晶矽的顯示設備通常具有較大或中等大小，所以與在移動電話或數位相機中實現本發明相比，在這種顯示裝置中實現本發明時實現本發明的成本與整個顯示裝置的成本的比率較低。
[實施例模式23]
在數位驅動的情形中，只有發光狀態和不發光狀態的二進位值才可像實施例模式21和22所述地表示。因此，可結合使用另一種方法來實現多灰度級。說明實現多灰度級的情形中像素的驅動方法。
為了實現多灰度級，可給出時間灰度級方法。時間灰度級方法是藉由改變某一週期期間發光時間的長度來表示灰度級的方法。在一種數位時間灰度級方法中，一框週期被分成多個子框週期。然後，灰度級藉由改變每個子框週期期間發光時段的長度來表示。
圖53顯示訊號被寫入像素的時段(寫入時段)與發光時段(發光時間)分開的情形中的時間圖。首先，一個螢幕的訊號在寫入時段中被輸入到所有像素。在該時段期間，像素不發光。在寫入時段之後，發光時段開始並且像素發光。然後，下一子框開始且一個螢幕的訊號在寫入時段中被輸入到所有像素。在該時段期間，像素不發光。在寫入時段之後，發光時段開始並且像素發光。
在該情形中，可採用如圖47和50所示的像素結構。
在寫入時段中，必須不向發光元件提供電荷、或者向發光元件施加負偏壓。具體地，電源線4705、電源線5005、以及相反電極的電位受到控制，從而不向發光元件4704和發光元件5004提供正偏壓。或者，相反電極可在未得到充電的情況下處於浮動狀態。結果，可防止發光元件4704和發光元件5004在寫入時段中發光。
然後，圖54顯示訊號被寫入像素的時段與發光時段不分開的情形中的時間圖。在訊號被寫入每一列之後，發光時段立即開始。
在某一列中，在寫入訊號並完成預定發光時段之後，在下一子框中開始訊號寫入操作。藉由重復這些操作，發光時段的各個長度可受到控制。
這樣，即使訊號被緩慢地寫入，仍然可在一個框中排行許多子框。此外，因為發光時段與一框週期的比率(所謂的占空比)可能較高，因此降低功耗、抑制發光元件的退化、或抑制虛擬輪廓(pseudo contour)是可能的。
在該情形中，可採用如圖47和50所示的像素結構。在該情形中，當時間為如圖54中的ta時，必須同時向三列像素輸入訊號。一般而言，不可能同時向多列像素輸入訊號。因而，如圖56所示，一個閘極選擇週期被分成多個時段(圖56中為3個)。在每個細分的選擇時段中選中每一閘極訊號線4707和閘極訊號線5007，且相應的訊號被輸入到源極訊號線4706和源極訊號線5006。例如，在一閘極選擇週期中，在G1(ta)中選中第i列，在G2(ta)中選中第j列，並在G3(ta)中選中第k列。因此，可如同在一個閘極選擇週期中同時選擇三列一樣執行操作。
注意，儘管圖54和56各自顯示同時向三列像素輸入訊號的情形，但本發明並不僅限於此。訊號還可被輸入到更多或更少列中。
圖55顯示抹除像素中的訊號的情形中的時間圖。在每一列中，執行訊號寫入操作，並在下一訊號寫入操作之前抹除像素中的訊號。據此，可簡便地控制發光時段的長度。
在某一列中，在寫入訊號並完成預定發光時段之後，在下一子框中開始訊號寫入操作。在發光時段較短的情形中，執行訊號抹除操作以提供不發光狀態。藉由重復這些操作，發光時段的各個長度可受到控制。
這樣，即使訊號被緩慢地寫入，仍然可在一個框中排行許多子框。此外，在進行抹除操作時，不必獲取抹除數據和視頻訊號，因此，源極驅動器的驅動頻率可降低。
[實施例模式24]
參照圖48對用於實現實施例模式23中所述的圖55的時間圖的像素結構進行說明。
選擇電晶體4802的導通或截止使用閘極訊號線4807來控制。當選擇電晶體4802導通時，視頻訊號從源極訊號線4806輸入到電容器4803。然後，驅動電晶體4801根據視頻訊號來導通/截止。當驅動電晶體4801導通時，電流經由驅動電晶體4801和發光元件4804從電源線4805流向相反電極。當驅動電晶體4801截止時，電流不流動。注意，發光元件4804的一個電極與驅動電晶體4801的源極或汲極的任一個相連，而發光元件4804的另一個電極用作相反電極。
當想要抹除一訊號時，選中一抹除閘極訊號線4809以導通抹除電晶體4808，以使驅動電晶體4801截止。然後，沒有電流經由驅動電晶體4801和發光元件4804從電源線4805流向相反電極。因此，可提供不發光時段，且發光時段的長度可得到自由控制。
注意，電容器4803保持驅動電晶體4801的閘極電位。因此，電容器4803連接於驅動電晶體4801的閘極與電源線4805之間。然而本發明並不僅限於此。僅需電容器4803以保持驅動電晶體4801的閘極電位。在驅動電晶體4801的閘極電位可使用驅動電晶體4801等的閘極電容來保持的情形中，可略去電容器4803。
選擇電晶體4802用作連接在源極訊號線4806和驅動電晶體4801的閘極之間的開關。抹除電晶體4808用作連接在電源線4805和驅動電晶體4801的閘極之間的開關。在圖48中，n通道電晶體被用作選擇電晶體4802。然而，本發明並不僅限於此。可採用具有連接/斷開源極訊號線4806和驅動電晶體4801的閘極的功能的任一元件。因此，可採用p通道電晶體。在該情形中，閘極訊號線4807的電位相反。
儘管在圖48中使用抹除電晶體4808，但也可使用另一種方法。這是因為為了強制提供不發光時段，只需防止將電流提供給發光元件4804。因此，可藉由將開關置於電流經驅動電晶體4801和發光元件4804從電源線4805流向相反電極的路徑中的某處，並藉由控制開關的接通/關斷，來提供不發光時段。或者，可控制驅動電晶體4801的閘極－源極電壓以強制截止驅動電晶體。
參照圖49對使用二極體強制截止驅動電晶體的像素結構進行說明。
選擇電晶體4902的導通或截止使用閘極訊號線4907來控制。當選擇電晶體4902導通時，視頻訊號從源極訊號線4906輸入到電容器4903。然後，驅動電晶體4901根據視頻訊號來導通/截止。當驅動電晶體4901導通時，電流經由驅動電晶體4901和發光元件4904從電源線4905流向相反電極。當驅動電晶體4901截止時，電流不流動。注意，發光元件4904的一個電極與驅動電晶體4901的源極或汲極的任一個相連，而發光元件4904的另一個電極用作相反電極。
當想要抹除一訊號時，選擇一抹除閘極訊號線4909(在此，提供等於或高於電源線4905的電位)以導通抹除二極體4908，從而電流從抹除閘極訊號線4909流向驅動電晶體4901的閘極。因此，驅動電晶體4901截止。因而，沒有電流經由驅動電晶體4901和發光元件4904從電源線4905流向相反電極。因此，可提供不發光時段，且發光時段的長度可得到自由控制。
當想要保持一訊號時，不選擇抹除閘極訊號線4909。因此，抹除二極體4908截止，且驅動電晶體4901的閘極電位因而得以保持。
注意，抹除二極體4908可以是任何元件，只要它具有整流屬性即可。該抹除二極體4908可以是PN二極體、PIN二極體、肖特基二極體、或齊納二極體。
此外，也可使用連接了二極體的電晶體(其閘極和汲極相連)。作為抹除二極體4908，使用連接了二極體的電晶體。可使用n通道電晶體，也可使用p通道電晶體。
注意，電容器4903保持驅動電晶體4901的閘極電位。因此，電容器4903連接於驅動電晶體4901的閘極與電源線4905之間。然而本發明並不僅限於此。僅需設置電容器4903以保持驅動電晶體4901的閘極電位。在驅動電晶體4901的閘極電位可使用驅動電晶體4901等的閘極電容來保持的情形中，可略去電容器4903。
[實施例模式25]
參照圖51對用於實現實施例模式23中所述的圖55的時間圖的像素結構進行說明。
選擇電晶體5102的導通或截止使用閘極訊號線5107來控制。當選擇電晶體5102導通時，視頻訊號從源極訊號線5106輸入到電容器5103。然後，驅動電晶體5101根據視頻訊號來導通/截止。當驅動電晶體5101導通時，電流經由驅動電晶體5101和發光元件5104從電源線5105流向相反電極。當驅動電晶體5101截止時，電流不流動。注意，發光元件5104的一個電極與驅動電晶體5101的源極或汲極的任一個相連，而發光元件5104的另一個電極用作相反電極。
當想要抹除一訊號時，選中一抹除閘極訊號線5109以導通抹除電晶體5108，從而驅動電晶體5101截止。因此，沒有電流經由驅動電晶體5101和發光元件5104從電源線5105流向相反電極。因而，可提供不發光時段，且發光時段的長度可得到自由控制。
注意，電容器5103保持驅動電晶體5101的閘極電位。因此，電容器5103連接於驅動電晶體5101的閘極與電源線5105之間。然而本發明並不僅限於此。僅需設置電容器5103以保持驅動電晶體5101的閘極電位。在驅動電晶體5101的閘極電位可使用驅動電晶體5101等的閘極電容來保持的情形中，可略去電容器5103。
儘管在圖51中使用抹除電晶體5108，但也可使用另一種方法。這是因為為了強制提供不發光時段，只需防止將電流提供給發光元件5104。因此，可藉由將開關置於電流經驅動電晶體5101和發光元件5104從電源線5105流向相反電極的路徑中的某處，並藉由控制開關的接通/關斷，來提供不發光時段。或者，可控制驅動電晶體5101的閘極－源極電壓以強制截止驅動電晶體。
參照圖52對使用二極體強制截止驅動電晶體的像素結構進行說明。
選擇電晶體5202的導通或截止使用閘極訊號線5207來控制。當選擇電晶體5202導通時，視頻訊號從源極訊號線5206輸入到電容器52o3。然後，驅動電晶體5201根據視頻訊號來導通/截止。當驅動電晶體5201導通時，電流經由驅動電晶體5201和發光元件5204從電源線5205流向相反電極。當驅動電晶體5201截止時，電流不流動。注意，發光元件5204的一個電極與驅動電晶體5201的源極或汲極的任一個相連，而發光元件5204的另一個電極用作相反電極。
當想要抹除一訊號時，選中一抹除閘極訊號線5209(在此提供低電位)以導通抹除二極體5208，從而電流從抹除閘極訊號線5209流向驅動電晶體5201的閘極。因此，驅動電晶體5201截止。因而，沒有電流經由驅動電晶體5201和發光元件5204從電源線5205流向相反電極。從而可提供不發光時段，且發光時段的長度可得到自由控制。
當想要保持一訊號時，不選中抹除閘極訊號線5209(在此提供高電位)。然後抹除二極體5208截止，且驅動電晶體5201的閘極電位因而得以保持。
注意，抹除二極體5208可以是任何元件，只要它具有整流屬性即可。該抹除二極體5208可以是PN二極體、PIN二極體、肖特基二極體、或齊納二極體。
此外，也可使用連接了二極體的電晶體(其閘極和汲極相連)。作為抹除二極體5208，使用連接了二極體的電晶體。在本實施例模式中可使用n通道電晶體。
注意，電容器5203保持驅動電晶體5201的閘極電位。因此，電容器5203連接於驅動電晶體5201的閘極與電源線5205之間。然而本發明並不僅限於此。電容器5203可被設置成能儲存驅動電晶體5201的閘極電位。在驅動電晶體5201的閘極電位可使用驅動電晶體5201等的閘極電容來保持的情形中，可略去電容器5203。
在本實施例模式中，選擇電晶體5102、抹除電晶體5108、以及驅動電晶體5101在圖51中為n通道電晶體。在圖52中，選擇電晶體5102、抹除電晶體5108、以及驅動電晶體5101是n通道電晶體。使用該結構，可使用非晶矽，以使能容易地實現低成本和大螢幕。注意，使用非晶矽有使電晶體退化的問題，即電晶體的特性隨時間而變化，也稱為臨界值偏移。為了解決這種現象，必須採用臨界值經校正的像素結構、或將視頻訊號作為電流輸入的像素結構。然而，當採用臨界值經校正的像素結構時，會產生使電晶體數量增加的其他問題，且因此像素的孔徑比降低，或者電源線5105或相反電極的電位降低，這導致發光元件5104的占空比降低。孔徑比和占空比的降低要求增大發光元件5104的亮度。因此，發光元件5104更早地退化，並縮短顯示裝置的壽命。
另一方面，當採用本發明實施例模式1到3的驅動方法時，驅動電晶體5101和5201的特性變化、以及發光元件5104和5204中的退化可同時得到校正。
因此，實施例模式1到3中驅動方法和使用非晶矽的像素結構的組合可產生進一步的效應。此外，因為用於驅動使用非晶矽的顯示裝置的控制器通常設置在外部，並且使用非晶矽的顯示裝置通常具有較大或中等大小，所以與在移動電話或數位相機中實現本發明相比，在這種顯示裝置中實現本發明時實現本發明的成本與整個顯示裝置的成本的比率較低。
注意，如圖55所示的驅動方法可將圖47和50中的電路用作其他電路來實現。圖56所示的時間圖可應用於該情形中。如圖56所示，一個閘極選擇週期可分成三個時段；然而，此處一個閘極選擇週期被分成兩個時段。在每個細分的選擇時段中選中每一閘極線，且相應的訊號(視頻訊號和抹除訊號)被輸入到源極訊號線4706和5006。例如，在一個閘極選擇週期中，在前半個週期中選中第i列，而在後半個週期中選中第j列。然後，當選中第i列時輸入視頻訊號。另一方面，當選中第j列時輸入用於截止驅動電晶體的訊號。因此，可如同在一個閘極選擇週期中同時選中兩列一樣執行操作。
注意，該時間圖、像素結構和驅動方法都是示例，且本發明並不僅限於此。本發明可應用於各種時間圖、像素結構和驅動方法。
[實施例模式26]
在本實施例模式中，對顯示裝置、源極驅動器、閘極驅動器等進行說明。
如圖45A所示，顯示裝置包括像素部分3401、閘極驅動器3402和源極驅動器3403。
閘極驅動器3402向像素部分3401順序地輸出選擇訊號。圖45B顯示閘極驅動器3402的一個結構示例。閘極驅動器包括移位暫存器3404、緩衝電路3405等。移位暫存器3404順序地輸出脈衝，以便於順序地進行選擇。注意，閘極驅動器3402在許多情形中還包括位準移位電路、脈寬控制電路等。
源極驅動器3404向像素部分3401順序地輸出視頻訊號。像素部分3401根據視頻訊號藉由控制光線狀態來顯示影像。從源極驅動器3403輸入到像素部分3401的視頻訊號通常是電壓。即，顯示元件和用於控制置於每一像素中的顯示元件的元件根據從源極驅動器3403輸入的視頻訊號(電壓)來改變狀態。作為置於每一像素內的顯示元件的一個示例，可給出EL元件、用於FED(場致發射顯示器)的元件、液晶、DMD(數位微鏡裝置)等。
注意，閘極驅動器3402和源極驅動器3403可各自設置一個以上。
特別地，在使用如實施例模式22所示的驅動方法的情形中，當一個閘極選擇週期被分成多個子閘極選擇時段時，常常需要與一個閘極選擇週期的細分數量一樣多的閘極驅動器。此外，可採用具有在任意時間選擇任意閘極線、以及執行順序掃描操作的功能的閘極驅動器，其代表是使用解碼器的閘極驅動器。
在此，參照圖57對使用與一個閘極選擇週期的細分數量一樣多的閘極驅動器的情形中顯示裝置的一示例結構進行說明。注意，本發明並不僅限於該電路結構，並且可使用具有相似功能的任何電路。此外，儘管圖57將把一個閘極選擇週期分成三個時段的情形中的閘極驅動器示為示例，但一個閘極選擇週期的細分數量並不限於3，並且它可以是任何數量。例如，在將一個閘極選擇週期的細分成四個時段的情形中，對該閘極驅動器而言總共需要四個移位暫存器。
圖57顯示閘極驅動器具有設置在像素部分5700的相對兩側上的三個移位暫存器5701、5702和5703的一個示例。在將這些移位暫存器的輸出從其相對兩側輸入到一條閘極線的情形中，需要開關組5708和5709，以使在接收來自移位暫存器之一的輸出的同時閘極線不接收來自另一移位暫存器的輸出，以便於防止兩個輸出彼此反向而導致短路。當開關組5708接通時，開關5709關斷，而當開關組5709接通時，開關5708關斷。當由OR(或)電路5707選中第二移位暫存器5702和第三移位暫存器5703之一時，也可選中連接到移位暫存器一端的閘極線。在該情形中，因為兩個第二移位暫存器與OR電路5707的每一輸入端子相連，所以可防止否則會在輸入兩個訊號的情形中引起的電源短路。標號G_CP1、G_CP2和G_CP3是脈寬控制訊號。來自G_CP1和第一移位暫存器5701的輸出與AND(與)電路5704的輸入相連。當來自第一移位暫存器5701和G_CP1的輸出處於選中狀態時，與之相連的閘極訊號線處於選中狀態。來自G_CP2和第二移位暫存器5702的輸出與AND電路5705的輸入相連。當來自第二移位暫存器5702和G_CP2的輸出處於選中狀態時，與之相連的閘極訊號線處於選中狀態。來自G_CP3和第三移位暫存器5703的輸出與AND電路5706的輸入相連。當來自第三移位暫存器5703和G_CP3的輸出處於選中狀態時，與之相連的閘極訊號線處於選中狀態。對於移位暫存器的訊號寬度，三個移位暫存器的每一個都被設置成具有與一個閘極選擇週期的寬度相同的訊號寬度，但藉由使用脈寬控制訊號，它被變換成實際輸出到閘極線的脈寬(在該情形中分成三段)，從而可執行將一個閘極選擇週期分成多個子閘極選擇時段的這種驅動方法。
圖44顯示具有移位暫存器的輸出被設置在像素部分一側的結構的閘極驅動器，其中一個閘極選擇週期被分成三段。因為在圖44結構中未在像素部分的相對兩側設置防止顯示元件短路的開關，所以與具有在像素部分相對兩側設置移位暫存器的結構的閘極驅動器的操作相比，可期望更穩定的操作。注意，一個閘極選擇週期的細分數量並不限於3，並且它可以是任何數量。
注意，這種驅動方法的細節在日本公開專利No.2002－215092、日本公開專利No.2002－297094等中公開，其內容可與本發明組合。
說明具有解碼器類型閘極驅動器的顯示裝置的一個結構示例。
圖58顯示解碼器類型閘極驅動器5800的一個示例。標號5808表示像素部分，標號5800表示閘極驅動器，標號5807表示源極驅動器。在此，對用4位元解碼器驅動15條閘極線的情形進行說明。解碼器的位元數大致根據顯示裝置的閘極訊號線的數量來確定。例如，當閘極線的數量為60時，因為26 ＝64，所以選擇6位元解碼器是有效的。類似地，當閘極線的數量為240時，因為28 ＝256，所以選擇8位元解碼器是有效的。這樣，選擇具有比藉由對閘極線數量的平方根開方所獲得數量更多數量的位元的解碼器是有效的；但本發明並不僅限於此。
作為圖58中所示解碼器的操作，有以下操作。在選中閘極訊號線1的情形中，(1,0,0,0)被分別輸入到第一到第四輸入端子5801到5804。在選中閘極訊號線2的情形中，輸入(0,1,0,0)。在選中閘極訊號線3的情形中，輸入(1,1,0,0)。這樣，藉由將數位訊號的一種組合分配到一條閘極線上，可在任意時間選中任意閘極線。
在NAND(與非)電路的輸入端子的數量較大的情形中，操作會受到電晶體電阻等的影響。在這種情形中，具有大量端子的NAND電路可用具有相似功能但較少輸入端子的數位電路來代替，如圖59所示。標號5908表示像素部分，標號5900表示閘極驅動器，標號5907表示源極驅動器。如圖59所示的使用解碼器的閘極驅動器5900操作如下。在選中閘極訊號線1的情形中，(1,0,0,0)被分別輸入到第一到第四輸入端子5901到5904。在選中閘極訊號線2的情形中，輸入(0,1,0,0)。在選中閘極訊號線3的情形中，輸入(1,1,0,0)。這樣，藉由將數位訊號的一種組合分配到一條閘極線上，可在任意時間選中任意閘極線。
圖58顯示在解碼器的輸出部分使用用於阻抗匹配的位準移位電路5805和緩衝電路5806的一個示例，圖59顯示在解碼器的輸出部分使用用於阻抗匹配的位準移位電路5905和緩衝電路5906的一個示例。注意，只要提供了類似功能，使用解碼器的閘極驅動器的結構並不僅限於此。
圖45C顯示源極驅動器3403的一個結構示例。源極驅動器3403包括移位暫存器3406、第一鎖存電路(LAT1)3407、第二鎖存電路(LAT2)3408、位準移位電路3409等。位準移位電路3409可具有將數位訊號轉換成類比訊號的功能，並具有伽馬校正功能。
各像素都具有諸如發光元件的顯示元件。有僅提供用於向顯示元件輸出電流(視頻訊號)的電路，即電流源電路的情形。
然後，簡要說明源極驅動器3403的操作。時脈訊號(S－CLK)、啟動脈衝(S－SP)、以及反向時脈訊號(S－CLKb)被輸入給移位暫存器3406，並且根據這些訊號的輸入時脈，移位暫存器3406順序地輸出取樣脈衝。
從移位暫存器3406輸出的取樣訊號被輸入到第一鎖存電路(LAT1)3407。視頻訊號從視頻訊號線3410輸入到第一鎖存電路(LAT1)3407，且這些視頻訊號根據取樣脈衝的輸入時間保持在各行中。
在直到第一鎖存電路(LAT1)3407中最後一行的視頻訊號的保持完成之後，從鎖存控制線3411輸入鎖存脈衝，且在水平回掃週期中將已保持在第一鎖存電路(LAT1)3407中的視頻訊號一次性地全部傳送到第二鎖存電路(LAT2)3408。之後，已保持在第二鎖存電路(LAT2)3408中的一列視頻訊號一次性地全部輸入到位準移位電路3409。從位準移位電路3409輸出的訊號被輸入到像素部分3401。
在保持於第二鎖存電路(LAT2)3408中的視頻訊號被輸入到位準移位電路3409，然後被輸入到像素部分3401的同時，移位暫存器3406再次輸出取樣脈衝。即，同時執行兩個操作。因此，可執行列順序驅動。然後，重復這些操作。
接著，對在如實施例模式22和25所述使用定址時段與發光時段彼此不分開的時間圖的情形中的源極驅動器進行說明。在此，說明兩個示例。第一個示例是在不改變如圖45所示的源極驅動器3403的結構的情況下增大源極驅動器3403的驅動頻率的方法。如果定址時段和發光時段彼此不分開，則源極驅動器3403在圖56中的各個子閘極選擇時段中寫入一列。即，在將一個閘極選擇週期分成兩個時段的情形中，這種對定址時段和發光時段彼此不分開的驅動可藉由將源極驅動器3403的驅動頻率增大為與預先劃分的閘極選擇週期相比的兩倍來執行。類似地，在將一個閘極選擇週期分成三個時段的情形中，前述操作可藉由將驅動頻率增大為三倍來執行，並且在將一個閘極選擇週期分成n個時段的情形中，前述操作可藉由將驅動頻率增大為n倍來執行。該方法是有利的，因為該源極驅動器的結構並未作特別的更改，並且是簡單的。
接著說明第二個示例。圖60顯示第二個示例的源極驅動器的結構。標號6001表示像素部分，標號6002表示閘極驅動器，標號6003表示源極驅動器。首先，移位暫存器6006的輸出被輸入到第一鎖存電路A6007和第一鎖存電路B6012。注意，儘管在本示例中輸出被輸入到兩個第一鎖存電路A和B中，但數量並不限於兩個，並且可提供任何數量的第一鎖存電路。此外，儘管一個移位暫存器的輸出被輸入到多個第一鎖存電路以便於抑制電路規模的增大，但移位暫存器的數量並不限於一個，並且可提供任何數量的移位暫存器。
視頻資料－A和視頻資料－B作為視頻訊號分別被輸入到第一鎖存電路A6007和第一鎖存電路B6012中。視頻訊號與移位暫存器的輸出一起鎖存，然後向第二鎖存電路輸出訊號。在第二鎖存電路A6012和B6013的每一個中，保持一列視頻訊號，且保持在其中的資料在由鎖存脈衝－A和鎖存脈衝－B指定的時間更新。第二鎖存電路A6012和B6013的輸出各自被連接到開關6014，該開關可選擇來自第二鎖存電路A6008的訊號或來自第二鎖存電路B6013的訊號中的任一個，以輸入到像素部分。即，在藉由將一個閘極選擇週期分成兩個時段來將視頻訊號輸入到像素的情形中，對將一個閘極選擇週期分成兩個時段的這種驅動可藉由在該個閘極選擇週期的上半時段中輸出來自第二鎖存電路A6008的訊號，並在該個閘極選擇週期的下半時段中輸出來自第二鎖存電路B6013的訊號來執行。在該情形中，源極驅動器6003的驅動頻率與圖45所示結構相比可保持為幾乎相同，在圖45所示結構中逐一設置有第一和第二鎖存電路。此外，在用圖45結構執行驅動以使例如一個閘極選擇週期被分成4個時段的情形中，源極驅動器6003的驅動頻率與不劃分閘極選擇週期的情形相比增為4倍，而在圖60結構中源極驅動器6003的驅動頻率僅需增為兩倍。即，圖60中源極驅動器6003的結構與圖45中結構相比在功耗、成品率、可靠性等方面是有利的。
注意，源極驅動器或其一部分(例如電流源電路、位準移位電路等)並非必須設置在與像素部分3401相同的基板上，並且可用外部IC晶片構造。
注意，源極驅動器和閘極驅動器的結構並不限於圖45和60中的結構。例如，有訊號藉由點順序驅動法提供給像素的情形。圖46顯示該情形中源極驅動器3503的一個示例。源極驅動器3503包括移位暫存器3504和取樣電路3505。從視頻訊號線3506輸入的視頻訊號根據取樣脈衝被輸入到像素部分3501。然後，訊號被順序地輸入到由閘極驅動器3402選擇的像素列中。
如前所述，本發明的電晶體可以是任何類型的電晶體，並在任何基板上形成。因此，如圖45、46和60所示的所有電路都可在玻璃基板、塑膠基板、單晶基板或SOI基板上形成。或者，圖45、46和60中電路的一部分可在一個基板上形成，而電路的另一部分可在另一個基板上形成。即並不要求圖45、46和60中的所有電路都形成在一個基板上。例如，在圖45、46和60中，像素部分3401和閘極驅動器3402可使用TFT在玻璃基板上形成，而源極驅動器3403(或其一部分)可在單晶基板上形成作為IC晶片，然後該IC晶片可藉由COG(玻璃上固定晶片)接合安裝到玻璃基板上。或者，IC晶片可藉由TAB(載帶自動接合)與玻璃基板相連，或與印刷基板相連。
注意，本實施例模式中的說明對應於使用實施例模式1到3的說明。因此，實施例模式1到3中的說明可應用於該實施例模式。
[實施例1]
在本實施例中，對一像素結構示例進行說明。圖24A和24B是如實施例模式21到25中所述的面板中像素的橫截面圖。將TFT用作設置在像素和發光元件中的開關元件的示例被用作設置在像素中的顯示介質。
在本實施例中，對具有其結構為參照圖47到52的實施例模式所述結構的像素的顯示裝置進行說明。該結構的示例如圖1、3和5所示。
圖47中的閘極訊號線4707對應於圖1、3和5中的閘極訊號線104。圖47中的源極訊號線4706對應於圖3和5中的源極訊號線103。圖47中的電源線4705對應於圖3和5中的電源線R105、電源線G106、或電源線B107。
圖48中的閘極訊號線4807對應於圖1、3和5中的閘極訊號線104。圖48中的源極訊號線4806對應於圖3和5中的源極訊號線103。圖48中的電源線4805對應於圖3和5中的電源線R105、電源線G106、或電源線B107。
圖49中的閘極訊號線4907對應於圖1、3和5中的閘極訊號線104。圖49中的源極訊號線4906對應於圖3和5中的源極訊號線103。圖49中的電源線4905對應於圖3和5中的電源線R105、電源線G106、或電源線B107。
圖50中的閘極訊號線5007對應於圖1、3和5中的閘極訊號線104。圖50中的源極訊號線5006對應於圖3和5中的源極訊號線103。圖50中的電源線5005對應於圖3和5中的電源線R105、電源線G106、或電源線B107。
圖51中的閘極訊號線5107對應於圖1、3和5中的閘極訊號線104。圖51中的源極訊號線5106對應於圖3和5中的源極訊號線103。圖51中的電源線5105對應於圖3和5中的電源線R105、電源線G106、或電源線B107。
圖52中的閘極訊號線5207對應於圖1、3和5中的閘極訊號線104。圖52中的源極訊號線5206對應於圖3和5中的源極訊號線103。圖52中的電源線5205對應於圖3和5中的電源線R105、電源線G106、或電源線B107。
注意，圖47到52中顯示的其他引線未在圖1到6中顯示。
在圖24A和24B中，標號2400表示基板；2401表示底膜；2402表示半導體層；2412表示半導體層；2403表示第一絕緣膜；2404表示閘極電極；2414表示電極；2405表示第二絕緣膜；2406表示第一電極；2407表示第二電極；2408表示第三絕緣膜；2409表示發光層；以及2417表示第三電極。標號2410表示TFT；2415表示發光元件；以及2411表示電容器。在圖24A和24B中，TFT 2410和電容器2411被示為像素內所包括的元件的典型示例。首先說明圖24A的結構。
作為基板2400，可使用諸如硼矽酸鋇玻璃或硼矽酸鋁玻璃的玻璃基板、石英基板、陶瓷基板等。或者，可使用含不銹鋼的金屬基板、或具有其上形成絕緣膜的表面的半導體基板。也可使用由諸如塑膠等柔性合成樹脂製成的基板。基板2400的表面可藉由諸如CMP等抛光來平整。
作為底膜2401，可使用含氧化矽、氮化矽、氮氧化矽等的絕緣膜。底膜2401可防止基板2400中所含的諸如鈉等鹼金屬或鹼土金屬擴散到半導體層2404中，否則這會不利地影響TFT 2410的特性。儘管底膜2401在圖24A中形成為單層中，但它可具有兩層或多層。注意，在雜質的擴散並非是大問題的情形中，例如使用石英基板的情形中，不必提供底膜2401。
作為半導體層2402和半導體層2412，可使用形成圖案的結晶半導體膜、或非晶半導體膜。結晶半導體膜可藉由結晶非晶半導體膜來獲得。作為結晶方法，可使用雷射結晶、使用RTA或退火爐的熱結晶、使用促進結晶的金屬元素的熱結晶等。半導體層2402包括通道形成區、以及摻雜有提供導電類型的雜質元素的一對雜質區。注意，摻雜有前述雜質元素以便於形成較低濃度的另一雜質區可設置在通道形成區和該對雜質區之間。半導體層2412可具有整個層摻雜有提供導電類型的雜質元素的結構。
第一絕緣膜2403可由氧化矽、氮化矽、氮氧化矽等形成，並可由單層形成或藉由疊加多層形成。
注意，第一絕緣膜2403可由含氫的膜形成以便於氫化半導體層2402。
閘極電極2404和電極2414可由從Ta、W、Ti、Mo、Al、Cu、Cr和Nd中選擇的一種元素、或含多種這樣的元素的合金或化合物形成，且可由單層或疊層結構形成。
TFT 2410被形成為具有半導體層2402、閘極電極2404、以及夾在半導體層2402和閘極電極2404之間的第一絕緣膜2403。儘管圖24僅顯示與發光元件2415的第二電極2407相連的TFT 2410作為像素內的一個TFT，但可設置多個TFT。此外，儘管本實施例顯示TFT 2410作為上閘極電晶體，但TFT 2410可以是下閘極電晶體，其閘極電極在半導體層之下，或者可以是雙閘極電晶體，其閘極電極在半導體層之上和之下。
電容器2411被形成為具有作為電介質的第一絕緣膜2403、以及作為彼此面對的一相反電極的半導體層2412和電極2414，其間夾有第一絕緣膜2403。儘管圖24顯示了像素內所包含電容器的一個示例，其中與TFT 2410的半導體層2402同時形成的半導體層2412被用作一對電極中的一個，而與TFT 2410的閘極電極2404同時形成的電極2414用作另一電極，但本發明並不限於這種結構。
第二絕緣膜2405可使用無機絕緣膜或有機絕緣膜形成為具有單層或疊加層。作為無機絕緣膜，有藉由CVD形成的氧化矽膜或藉由SOG(玻璃上旋塗)形成的氧化矽膜。作為有機絕緣膜，可使用由聚醯亞胺、聚醯胺、BCB(苯並環丁烯)(benzocyclobutene)、丙烯酸、正感光性有機樹脂、負感光性有機樹脂等。
第二絕緣膜2405也可由具有矽(Si)和氧(O)鍵的骨架結構的材料形成。作為這種材料的替代物，使用至少含氫的有機基(例如烷基或芳烴)。或者，可將氟基用作取代基，或者至少含氫的氟基或有機基都可用作取代基。
注意，第二絕緣膜2405的表面可藉由高密度電漿處理來氮化。高密度電漿藉由使用例如2.45GHz的高頻微波生成。注意，作為高密度電漿，使用電子密度為2415cm－ 3 或以上、且電子溫度為0.2到2.0eV(較佳地為0.5到1.5eV)的電漿。因為具有低電子溫度特徵的高密度電漿具有低動能的活性粒子，所以可形成具有與藉由習知電漿處理形成的相比電漿損傷較少的較少缺陷膜。在進行高密度電漿處理時，基板2400被設置為處於350到450℃的溫度。此外，用於生成微波的天線與用於生成高密度電漿的裝置中的基板2400之間的距離被設置成20到80毫米(較佳地為20到60毫米)。
藉由在含有氮氣(N)和稀有氣體(He、Ne、Ar、Kr、和Xe的至少之一)的氣氛，含有氮氣、氫氣(H)和稀有氣體的氣氛，或含有NH3 和稀有氣體的氣氛下進行前面的高密度電漿處理，來氮化第二絕緣膜2405的表面。藉由這種使用高密度電漿的氮化處理形成的第二絕緣膜2405的表面混合有諸如H、He、Ne、Ar、Kr、或Xe的元素。例如，藉由將氧化矽膜或氮氧化矽膜用作第二絕緣膜2405並用高密度電漿處理該膜的表面，形成氮化矽膜。用該方式形成的氮化矽膜中所含的氫可用於氫化TFT 2410的半導體層2402。注意，該氫化處理可與前面的使用第一絕緣膜2403中所含的氫的氫化處理相組合。
注意，可藉由高密度電漿處理在氮化物膜上形成另一絕緣膜，以便於用作第二絕緣膜2405。
第一電極2406可由從Al、Ni、C、W、Mo、Ti、Pt、Cu、Ta、Au、Mn中選擇的一種元素、或含多種這些元素的合金或化合物形成，並且由單層或疊層結構形成。
第二電極2407和第三電極2417之一或兩者可被形成為透明電極。該透明電極可由含氧化鎢的氧化銦(IWO)、含氧化鎢和氧化鋅的氧化銦(IWZO)、含氧化鈦的氧化銦(ITiO)、含氧化鈦的氧化銦錫(ITTiO)等形成。不用說，可使用氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、添加有氧化矽的氧化銦錫(ITSO)等。
發光層較佳地由具有不同功能的多個層形成，諸如電洞注入/傳送層、發光層、以及電子注入/傳送層。
電洞注入/傳送層較佳地由具有電洞傳送性質的有機化合物材料和相對於有機合成材料展現出電子接受性質的無機化合物材料的複合材料形成。藉由使用該結構，在本來具有較少載子的有機化合物中生成許多電洞載子，從而可獲得極佳的電洞注入/傳送層。因為該效應，與習知結構相比可抑制驅動電壓。此外，因為電洞注入/傳送層可在不增大驅動電壓的情況下形成為較厚，所以也可抑制因灰塵等引起的發光元件的短路。
作為具有電洞傳送屬性的有機化合物材料，有例如4,4’,4”－三[N－(3－甲基苯基)－N－苯基氨基]三苯胺(縮寫：MTDATA)；1,3,5－三[N,N－二(m－甲苯基)氨基]苯(縮寫：m－MTDAB)；N,N’－聯苯基－N,N’－二(3－甲基苯基)－1,1’－聯苯基－4,4’－二胺(縮寫：TPD)；4,4’－二[N－(1－萘基)－N－苯基氨基]聯苯(縮寫：NPB)；等。然而，本發明並不僅限於這些材料。
作為展現出電子接受性質的無機化合物材料，有例如氧化鈦、氧化鋯、氧化釩、氧化鉬、氧化鎢、氧化錸、氧化釕、氧化鋅等。特別地，因為可在真空中沈積，所以氧化釩、氧化鉬、氧化鎢、氧化錸是較佳的，並且易於處理。
電子注入/傳送層由具有電子傳送性質的有機化合物材料形成。具體地，有三(8－羥基喹啉)鋁(縮寫：Alq3 )；三(4－甲基－8－羥基喹啉)鋁(縮寫：Almq3 )；等。然而，本發明並不僅限於此。
發光層可由例如9,10－二(2－萘基)蒽(縮寫：DNA)；9,10－二(2－萘基)－2－叔丁基蒽(縮寫：t－BuDNA)；4,4’－二(2,2’－聯苯基乙烯基)聯苯(縮寫：DPVBi)；香豆素30；香豆素6；香豆素545；香豆素545T；苝；紅熒烯；periflanthene；2,5,8,11－四(叔丁基)苝(縮寫：TBP)；9,10－二苯基蒽(縮寫：DPA)；5,12－二苯基蒽；4－(二氰基亞甲基)－2－甲基－(p－二甲基氨基苯乙烯基)－4H－吡喃(縮寫：DCM1)；4－(二氰基亞甲基)－2－甲基－6－[2－(久洛尼定－9－基)乙烯基]－4H－吡喃(縮寫：DCM2)；4－(二氰基亞甲基)－2,6－2[p－(二甲基氨基)苯乙烯基]－4H－吡喃(縮寫：BisDCM)；等形成。或者，可使用能夠生成磷光的以下化合物：吡啶甲酸二[2－(4’,6’－二氟苯基)吡啶基－N,C2 ’ ]銥(III)(FIrpic)；吡啶甲酸二{2－[3’,5’－二(三氟甲基)苯基]吡啶基－N,C2 ’ }銥(III)(縮寫：Ir(CF3 ppy)2 (pic))；三(2－苯基吡啶基－N,C2 ’ )銥(縮寫：Ir(ppy)3 )；乙醯丙酮酸二(2－苯基吡啶基－N,C2 ’ )銥(縮寫：Ir(ppy)2 (acac))；乙醯丙酮酸二[2－(2’－噻吩基)吡啶基－N,C3 ’]銥(縮寫：Ir(thp)2 (acac))；乙醯丙酮酸二(2－苯基羥基喹啉－N,C2 ’ )銥(縮寫：Ir(pq)2 (acac))；乙醯丙酮酸二[2－(2’－苯並噻吩基)吡啶根合－N,C3 ’]銥(縮寫：Ir(btp)2 (acac))；等。
或者，發光層可以由諸如基於聚對亞苯基－亞乙烯基的材料、基於聚對亞苯基材料、基於聚噻吩的材料或基於聚芴的材料等場致發光材料形成。
在任一情形中，發光層的層結構可改變，並且只要可形成發光元件就可能更改。例如，這種結構可在不設置特定電洞或電子注入/傳送層時採用，但相反，出於此目的設置替換電極層，或將發光材料分散在該層中。
第一電極2407或第三電極2417中的另一個可由不透光的材料形成。例如，它可由諸如Li和Cs等鹼金屬、諸如Mg、Ca或Sr等鹼土金屬、含這些金屬的合金(例如Mg：Ag、Al：Li或Mg：In)、含這些金屬的化合物(例如CaF2 或CaN)、或諸如Yb或Er等稀土金屬形成。
第三絕緣膜2408可由與第二絕緣膜2405相似的材料形成。第三絕緣膜2408在第二電極2407的週邊形成，以便於覆蓋第二電極2407的邊緣，並具有分開相鄰像素的發光層2409的功能。
發光層2409由單層或多層形成。在發光層2409由多層形成的情形中，這些層可按照載子傳送性質分成電洞注入層、電洞傳送層、發光層、電子傳送層、電子注入層等。注意，各層之間的邊界並非必須是清晰的，並且有形成相鄰層的材料彼此部分混合而使其間介面不清晰的情形。每一層可由有機材料或無機材料形成。有機材料可以是高分子、中分子和低分子材料的任一種。
發光元件2415被形成為具有發光層2409、以及彼此重疊的第二電極2407和第三電極2417，其間夾有發光元件2409。第二電極2407或第三電極2417之一對應於陽極，而另一個對應於陰極。當在發光元件2415的陽極和陰極之間施加比臨界值電壓高的前向偏壓時，電流從陽極流向陰極，從而發光元件2415發光。
接著說明圖24B的結構。注意，圖24A和24B之間的共同部分由相同標號表示，因而略去其說明。
圖24B顯示另一絕緣膜2418設置在圖24A中的第二絕緣膜2405和第三絕緣膜2408之間的結構。第二電極2416和第一電極2406在設置於絕緣膜2418內的接觸孔內相連。
絕緣膜2418可被形成為具有與第二絕緣膜2405相似的結構。第二電極2416可被形成為具有與第一電極2406相似的結構。
[實施例2]
在本實施例中，對非晶矽膜用作電晶體的半導體層的情形進行說明。圖28A和28B顯示上閘極電晶體，而圖29A到30B顯示下閘極電晶體。
圖28A顯示具有上閘極結構的電晶體的橫截面，其中非晶矽被用於半導體層。如圖28A所示，在基板2801上形成底膜2802。此外，在底膜2802上形成像素電極2803。此外，第一電極2804由與像素電極2803相同的材料形成，並在同一層中形成。
該基板可以是玻璃基板、石英基板、陶瓷基板等。此外，底膜2802可由氮化鋁(AlN)、氧化矽、氧氮化矽(SiOx Ny )等形成，並由單層或疊層形成。
此外，在底膜2802上形成引線2805和2806，並且像素電極2803的邊緣用引線2805覆蓋。分別在引線2805和2806上形成各自具有n型導電性的N型半導體層2807和2808。此外，在引線2805和2806之間，並在底膜2802上形成半導體層2809。半導體層的一部分被延伸以覆蓋n型半導體層2807和2808。注意，該半導體層由諸如非晶矽(a－Si：H)、微晶半導體(μ－Si：H)等的非晶半導體膜形成。在半導體層2809上形成閘極絕緣膜2810。此外，絕緣膜2811由與閘極絕緣膜2810相同的材料形成，並在同一層中形成於第一電極2804之上。注意，閘極絕緣膜2810由氧化矽膜、氮化矽膜等形成。
在閘極絕緣膜2810上形成閘極電極2812。此外，第二電極2813由與閘極電極相同的材料形成，並在同一層中形成於第一電極2804之上，其間夾有絕緣膜2811。因而，形成電容器2819，其中絕緣膜2811夾在第一電極2804和第二電極2813之間。形成中間層絕緣膜2814，以覆蓋像素電極2803、驅動電晶體2818和電容器2819的邊緣。
在中間層絕緣膜2814以及置於中間層絕緣膜2814的開口中的像素電極2803上形成含有機化合物的層2815和相反電極2816。在含有機化合物的層2815夾在像素電極2803和相反電極2816之間的區中形成發光元件2817。
圖28A所示的第一電極2804可用如圖28B所示的第一電極2820替換。第一電極2820由與引線2805和2806相同的材料形成，並形成於同一層中。
圖29A和29B顯示具有將非晶矽用作其半導體層的下閘極電晶體的半導體裝置的面板的局部橫截面圖。
在基板2901上形成閘極電極2903。此外，第一電極2904由與閘極電極2903相同的材料形成，並形成於同一層中。作為閘極電極2903的材料，可使用添加了磷的多晶矽。可使用作為金屬和矽的化合物的矽化物、以及多晶矽。
此外，形成閘極絕緣膜2905以覆蓋閘極電極2903和第一電極2904。閘極絕緣膜2905由氧化矽膜、氮化矽膜等形成。
在閘極絕緣膜2905上形成半導體層2906。此外，半導體層2907由與半導體層2906相同的材料形成，並在同一層中形成。基板可以是玻璃基板、石英基板、陶瓷基板等的任一種。
各自具有n型導電性的N型半導體層2808和2809形成於半導體層2906上，而n型半導體層2810形成於半導體層2907上。
引線2911和2912分別形成於n型半導體層2808和2809上，而導電層2913由與引線2911和2912相同的材料形成，並在同一層中形成於n型半導體層2910上。
第二電極被形成為具有半導體層2907、n型半導體層2910、和導電層2913。注意，電容器2920被形成為具有閘極絕緣膜2905夾在第二電極和第一電極2904之間的結構。
此外，引線2911的邊緣被延伸，且像素電極2914被形成為與引線2911的延伸部分的上表面相接觸。
形成絕緣層2915以覆蓋驅動電晶體2919、電容器2920、以及像素電極2914的邊緣。
在像素電極2914和絕緣膜2915之上形成含有機化合物的層2916和相反電極2916。含有機化合物的層2916夾在像素電極2914和相反電極2917之間的區中形成發光元件2918。
並非必須設置用作電容器的第二電極的一部分的半導體層2907和n型半導體層2910。即，只有導電層2913可被用作第二電極，從而電容器被設置成具有閘極絕緣膜夾在第一電極2904和導電層2913之間的一種結構。
注意，如果像素電極2914在形成如圖29A所示的引線2911之前形成，則可形成如圖29B所示的電容器2920，它具有閘極絕緣膜2905夾在第一電極2904與由像素電極2914形成的第二電極2921之間的結構。
儘管圖29A和29B顯示具有通道蝕刻結構的逆向交錯電晶體的示例，但也可採用具有通道保護結構的電晶體。接著，參照圖30A和30B對具有通道保護結構的電晶體進行說明。
具有如圖30A所示通道保護結構的電晶體與具有如圖29A所示通道蝕刻結構的驅動電晶體2919的不同之處在於，用作蝕刻掩模的絕緣層3001設置在半導體層2906中的通道形成區上。圖29A和30A之間的共同部分用相同的標號表示。
類似地，具有圖30B所示的通道保護結構的電晶體與具有圖29B所示的通道蝕刻結構的驅動電晶體2919的不同之處在於，用作蝕刻掩模的絕緣層3001設置在半導體層2906中的通道形成區上。圖29B和30B之間的共同部分用相同的標號表示。
藉由將非晶半導體膜用作包括在本發明像素內電晶體中的半導體層(諸如通道形成區、源極區、或汲極區)，可降低本發明的製造成本。例如，可藉由採用如圖6和7所示的像素結構來應用非晶半導體膜。
注意，可應用本發明像素結構的電晶體或電容器的結構並不限於上述結構，並且可採用各種結構的電晶體或電容器。
本實施例可藉由與實施例1自由組合來進行。
[實施例3]
在本實施例中，對將電漿處理製造顯示裝置的方法進行說明，作為一種製造例如包括電晶體的顯示裝置的方法。
圖31A到31C顯示包括電晶體的半導體裝置的一個結構示例。注意，圖31B對應於沿圖31A線a－b所取的橫截面圖，而圖31C對應於沿圖31A線c－d所取的橫截面圖。圖31A到31C所示的半導體裝置包括：在基板4601上形成的半導體膜4603a和4603b，其間夾有絕緣膜4602；在半導體膜4603a和4603b上形成的閘極電極，其間夾有閘極絕緣層4604；形成以覆蓋閘極電極的絕緣膜4606和4607；以及用與半導體膜4603a和4603b的源極區域或汲極區域電連接的方式在絕緣膜4607上形成的導電膜4608。儘管圖31A到31C顯示將半導體膜4603a的一部分用作通道區的n通道電晶體4610a，以及將半導體膜4603b的一部分用作通道區的p通道電晶體4610b的情形，但本發明並不僅限於該結構。例如，儘管在圖31A到31C中，n通道電晶體4610a設置在LDD區4611中，而p通道電晶體4610並未設置在LDD區中，但在兩種電晶體都設置在LDD區或都不設置在LDD區中時都可採用這樣的結構。
在本實施例中，圖31A到31C所示的半導體裝置藉由氧化或或氮化半導體膜或絕緣膜來製造，即藉由對基板4601、絕緣膜4602、半導體膜4603a和4603b、閘極絕緣膜4604、絕緣膜4606、以及絕緣膜4607中的至少一層進行電漿處理來執行氧化或氮化。這樣，藉由電漿處理來氧化或氮化半導體膜或絕緣膜，可更改半導體膜或絕緣膜的表面，從而可形成與藉由CVD或濺射形成的絕緣膜相比的緻密的絕緣膜。因此，可抑制諸如針孔等缺陷，從而可改進顯示裝置的特徵等。
在本實施例中，參照附圖對藉由電漿處理來氧化或氮化圖31A到31C所示的半導體膜4603a和4603b或閘極絕緣膜4604以製造顯示裝置的方法進行說明。
首先，顯示在基板上形成島形半導體膜以具有約90。角的邊緣的情形。
首先，在基板4601上形成島形半導體膜4603a和4603b(圖32A)。使用含矽(Si)作為主要成分的材料(例如Six Ge1 － x )，藉由濺射、LPCVD、電漿CVD等在預先形成於基板4601上的絕緣膜4602上形成非晶半導體膜、然後使非晶半導體膜結晶、再選擇性地蝕刻半導體膜，來形成該島形半導體膜4603a和4603b。注意，非晶半導體膜的結晶可藉由諸如雷射結晶、使用RTA或退火爐的熱結晶、使用促進結晶的金屬元素的熱結晶或其組合來進行。注意，在圖32A到32D中，島形半導體膜4603a和4603b各自被形成為具有約90°角(θ＝85~100°)的邊緣。
接著，半導體膜4603a和4603b藉由電漿處理來氧化或氮化，以分別在半導體膜4603a和4603b的表面上形成氧化或氮化膜4621a和4621b(下文中也稱為絕緣膜4621a和4621b)。例如，當Si被用於半導體膜4603a和4603b時，氧化矽或氮化矽被形成為絕緣膜4621a和4621b。此外，在藉由電漿處理進行氧化之後，半導體膜4603a和4603b可再次用電漿處理以進行氮化。在該情形中，在半導體膜4603a和4603b上形成氧化矽，然後在氧化矽的表面上形成氮氧化矽(SiNx Oy ，x>y)。注意，在藉由電漿處理來氧化半導體膜的情形中，在氧氣氛(例如含氧氣(O2 )和稀有氣體(He、Ne、Ar、Kr、和Xe的至少之一)的氣氛；含氧氣、氫氣(H2 )和稀有氣體的氣氛；或含一氧化二氮和稀有氣體的氣氛)下進行該電漿處理。同時，在藉由電漿處理氮化半導體膜的情形中，在氮氣氛(例如含氮氣(N2 )和稀有氣體(He、Ne、Ar、Kr、和Xe的至少之一)的氣氛；含氮氣、氫氣(H2 )和稀有氣體的氣氛；或含NH3 和稀有氣體的氣氛)下進行該電漿處理。作為稀有氣體，可使用例如Ar。或者，可使用Ar和Kr的混合氣體。因此，絕緣膜4621a和4621b包含在電漿處理中使用的稀有氣體(He、Ne、Ar、Kr、和Xe的至少之一)。在使用Ar的情形中，絕緣膜4621a和4621b包含Ar。
電漿處理在含前述氣體的氣氛中進行，其條件為電子密度1×101 1 到1×101 3 cm－ 3 ，且電漿電子溫度為0.5到1.5eV。因為電漿電子密度較高，且基板4601上形成的要處理的主體(在此為半導體膜4603a和4603b)附近的電子溫度較低，所以可防止對要處理主體的電漿損傷。此外，因為電漿電子密度高達1×101 1 cm－ 3 或以上，藉由電漿處理來氧化或氮化要處理的主體所形成的氧化或氮化膜在其均勻厚度等、以及與藉由CVD、濺射等形成的薄膜相比較為緻密方面是有利的。此外，因為電漿電子溫度低達1eV，所以可在與習知電漿處理或熱氧化相比的較低溫度上進行氧化或氮化處理。例如，即使在比玻璃基板的應變點低100度或以上的溫度上進行電漿處理時，也可充分地進行氧化或氮化處理。注意，作為生成電漿的頻率，可使用諸如微波(2.45GHz)的高頻。還要注意，電漿處理在前述條件下執行，除非另有指定。
然後，形成閘極絕緣膜4606以覆蓋絕緣膜4621a和4621b(圖32C)。閘極絕緣膜4604可由諸如氧化矽、氮化矽、氧氮化矽(SiOx Ny ，x>y)、氮氧化矽(SiNx Oy ，x>y)等含氧或氮的絕緣膜藉由濺射、LPCVD、電漿CD等形成，以具有單層結構或疊層結構。例如，當Si被用於半導體膜4603a和4603b，且Si藉由電漿處理來氧化以在半導體膜4603a和4603b上形成作為絕緣膜4621a和4621b的氧化矽時，氧化矽被形成為絕緣膜4621a和4621b上的閘極絕緣膜。此外，在圖32B中，如果藉由電漿處理來氧化或氮化半導體膜4603a和4603b而形成的絕緣膜4621a和4621b足夠厚以形成閘極絕緣膜，則該絕緣膜4621a和4621b可被用作閘極絕緣膜。
然後，藉由在閘極絕緣膜4604上形成閘極電極4605等，可製造具有n通道電晶體4610a和p通道電晶體4610b的顯示裝置，這些電晶體分別具有島形半導體膜4603a和4603作為通道區(圖32D)。
這樣，在半導體膜4603a和4603b上設置閘極絕緣膜4604之前藉由電漿處理來氧化或氮化半導體膜4603a和4603b的表面，可防止閘極電極和半導體膜之間的短路等，否則這會因閘極絕緣膜4604在通道區的邊緣4651a和4651b上的覆蓋缺陷引起。即，如果島形半導體薄膜的邊緣具有約90°的角度(0＝85~100°)，則會有這樣的問題：在藉由CVD、濺射等形成閘極絕緣膜以便於覆蓋半導體薄膜時，可因閘極絕緣膜在半導體膜的邊緣等處的斷裂導致覆蓋缺陷。然而，這種覆蓋缺陷等可預先藉由電漿處理來氧化或氮化半導體膜的表面來防止。
或者，在圖32A到32D中，可形成閘極絕緣膜4604，然後藉由進行電漿處理來氧化或氮化。在該情形中，藉由對形成為覆蓋半導體膜4603a和4603b的閘極絕緣膜4604進行電漿處理(圖33A)來氧化或氮化閘極絕緣膜4604，在閘極絕緣膜4604的表面上形成氧化或氮化膜(下文中也稱為絕緣膜4623)(圖33B)。該電漿處理可在與圖32B中相似的條件下進行。此外，絕緣膜4623包含在電漿處理中使用的稀有氣體。例如，在使用Ar的情形中，絕緣膜4623包含Ar。
或者，在圖33B中，在藉由於氧氣氛中進行電漿處理而氧化閘極絕緣膜4604之後，可再次在氮氣氛中用電漿處理閘極絕緣膜4604，以便於氮化。在該情形中，在半導體膜4603a和4603b的一側形成氧化矽或氧氮化矽(SiOx Ny ，x>y)，並形成氮氧化矽(SiNx Oy ，x>y)以便於與閘極電極4605接觸。然後，藉由在絕緣膜4623上形成閘極電極4605等，可製造具有n通道電晶體4610a和p通道電晶體4610b的顯示裝置，這些電晶體分別具有島形半導體膜4603a和4603b作為通道區(圖33C)。這樣，藉由電漿處理來氧化或氮化閘極絕緣膜的表面之後，可更改閘極絕緣膜的表面以形成緻密膜。藉由電漿處理獲得的絕緣膜是緻密的，且與藉由CVD或濺射形成的絕緣膜相比具有極少的諸如針孔等缺陷。因此，可改進電晶體的特性。
儘管圖33A到33C顯示藉由預先對半導體膜4603a和4603b進行電漿處理來氧化或氮化半導體膜4603a和4603b的表面的情形，但可採用以下這種方法：電漿處理不對半導體膜4603a和4603b進行，而是在形成閘極絕緣膜4604之後進行。這樣，藉由在形成閘極電極之前進行電漿處理，即使在半導體膜因諸如閘極絕緣膜在半導體膜的邊緣處斷裂等覆蓋缺陷而外露時，半導體膜也可被氧化或氮化；因此，可防止閘極電極和半導體膜之間的短路等，否則這會因閘極絕緣膜在半導體膜的邊緣上的覆蓋缺陷引起。
這樣，藉由電漿處理來氧化或氮化半導體膜或閘極絕緣膜，即使島形半導體膜被形成為具有約90°的角度的邊緣，也可防止閘極電極和半導體膜之間的短路等，否則這會因閘極絕緣膜在半導體膜的邊緣上的覆蓋缺陷引起。
接著，顯示在基板上形成的島形半導體薄膜被形成為具有錐形邊緣(θ＝30~85°)的情形。
首先，在基板4601上形成島形的半導體薄膜4603a和4603b(圖34A)。使用含矽(Si)作為主要成分的材料(例如SixGel－x)，藉由濺射、LPCVD、電漿CVD等在基板4602上形成非晶半導體膜，然後使非晶半導體膜結晶，再選擇性地蝕刻該半導體膜，可以提供該島形半導體膜4603a和4603b。注意，非晶半導體薄膜的結晶可藉由諸如雷射結晶、使用RTA或退火爐的熱結晶、使用促進結晶的金屬元素的熱結晶或其組合的結晶方法來進行。注意，在圖34A到34D中，島形半導體膜各自被形成為具有錐形邊緣(θ＝30~85°)。
然後，形成閘極絕緣膜4604以覆蓋絕緣膜4603a和4603b(圖34B)。閘極絕緣膜4604可由諸如氧化矽、氮化矽、氧氮化矽(SiOx Ny ，x>y)、或氮氧化矽(SiNx Oy ，x>y)等含氧或氮的絕緣膜藉由濺射、LPCVD、電漿CD等形成，以具有單層結構或疊層結構。
然後，藉由電漿處理來氧化或氮化閘極絕緣膜4604，在閘極絕緣薄膜4604的表面上形成氧化或氮化膜(下文中也稱為絕緣膜4624)(圖34B)。該電漿處理可在與上述相似的條件下進行。例如，如果氧化矽或氧氮化矽(SiOx Ny ，x>y)被用作閘極絕緣膜4604，則閘極絕緣膜4604藉由在氧氣氛下進行電漿處理來氧化，從而可在閘極絕緣膜的表面上形成緻密膜，該緻密膜與藉由CVD或濺射形成的絕緣膜相比具有極少的諸如等缺陷。另一方面，如果閘極絕緣膜4604藉由在氮氣氛下進行電漿處理來氮化，則可在閘極絕緣膜4604的表面上設置氮氧化矽(SiNx Oy ，x>y)膜作為絕緣膜4624。或者，在藉由於氧氣氛下進行電漿處理而氧化閘極絕緣膜4604之後，閘極絕緣膜4604可再次在氮氣氛中用電漿進行處理，以便於氮化。此外，絕緣膜4624包含在電漿處理中使用的稀有氣體。例如，在使用Ar的情形中，絕緣膜4624包含Ar。
然後，藉由在閘極絕緣膜4604上形成閘極電極4605等，可製造具有n通道電晶體4610a和p通道電晶體4610b的顯示裝置，這些電晶體分別具有島形半導體膜4603a和4603作為通道區域(圖34D)。
這樣，藉由對閘極絕緣膜進行電漿處理，可在閘極絕緣膜的表面上設置由氧化或氮化膜形成的絕緣膜，並因而可更改閘極絕緣膜的表面。因為藉由用電漿處理的氧化或氮化獲得的絕緣膜是緻密的，且與藉由CVD或濺射形成的絕緣膜相比具有極少的諸如針孔等缺陷，因此可改進電晶體的特性。此外，儘管藉由將半導體膜形成為具有錐形邊緣可防止閘極電極和半導體膜之間的短路等(否則這可因閘極絕緣膜在半導體膜的邊緣等處的覆蓋缺陷引起)，但可藉由在形成閘極絕緣膜之後進行電漿處理來更有效地防止閘極電極和半導體膜之間的短路等。
然後，參照附圖對不同於圖34A到34C的顯示裝置的製造方法進行說明。具體地，顯示選擇性地對半導體膜的錐形邊緣進行電漿處理的情形。
首先，在基板4601上形成島形半導體膜4603a和4603b(圖35A)。使用含矽(Si)作為主要成分的材料(例如Six Ge1 － x )，藉由濺射、LPCVD、電漿CVD等在預先形成於基板4601上的絕緣膜4602上形成非晶半導體膜，然後使非晶半導體膜結晶，再藉由將抗蝕劑4625a和4625b用作掩模而選擇性地蝕刻半導體膜，可以形成該島形半導體膜4603a和4603b。注意，非晶半導體膜的結晶可藉由諸如雷射結晶、使用RTA或退火爐的熱結晶、使用促進結晶的金屬元素的熱結晶或其組合來進行。
然後，島形半導體膜4603a和4603b的邊緣在去除用於蝕刻半導體膜的抗蝕劑4625a和4625b之前藉由電漿處理而被選擇性地氧化或氮化，從而在半導體膜4603a和4603b的每一個上形成氧化或氮化膜(下文中也稱為絕緣膜4626)(圖35B)。電漿處理在上述條件下進行。此外，絕緣膜4626包含在電漿處理中使用的稀有氣體。
然後，形成閘極絕緣膜4604以覆蓋半導體膜4603a和4603b(圖35C)。閘極絕緣膜4604可如上所述地形成。
然後，藉由在閘極絕緣膜4604上形成閘極電極4605等，可製造具有n通道電晶體4610a和p通道電晶體4610b的顯示裝置，這些電晶體分別具有島形半導體膜4603a和4603b作為通道區(圖35D)。
如果半導體膜4603a和4603b被設置成具有錐形邊緣，則在半導體膜4603a和4603b的各個部分中形成的通道區的邊緣4652a和4652b也為錐形，從而半導體膜和閘極絕緣膜在該部分的厚度與中央部分的不同，這可影響電晶體的特性。在此，這種因通道區的邊緣對電晶體的影響可藉由用電漿處理選擇性地氧化或氮化通道區的邊緣，在作為通道區邊緣的半導體膜的邊緣上形成絕緣膜而降低。
儘管圖35A到35D顯示只有半導體膜4603a和4603b的邊緣藉由電漿處理來氧化或氮化的示例，但閘極絕緣膜4604也可如圖34A到34D所示藉由電漿處理而被氧化或氫化(圖37A)。
然後，參照附圖對不同於以上所述的半導體裝置的製造方法進行說明。具體地，顯示對錐形半導體膜進行電漿處理的情形。
首先，用與上述相似的方式在基板4601上形成島形半導體膜4603a和4603b(圖36A)。
然後，半導體膜4603a和4603b藉由電漿處理而被氧化或氮化，以分別在半導體膜4603a和4603b的表面上形成氧化或氮化膜(下文中也稱為絕緣膜4627a和4627b)(圖36B)。該電漿處理可在與上述相似的條件下進行。例如，當Si用於半導體膜4603a和4603b時，形成氧化矽或氮化矽作為絕緣膜4627a和4627b。然後，在藉由電漿處理來氧化之後，半導體膜4603a和4603b可用電漿再次處理以進行氮化。這樣，在半導體膜4603a和4603b上形成氧氮化矽(SiOx Ny ，x>y)，然後在氧化矽表面上形成氮氧化矽(SiNx Oy ，x>y)。因此，絕緣膜4672a和4672b包含在電漿處理中使用的稀有氣體。注意，電漿處理還同時氧化或氮化半導體膜4603a和4603b的邊緣。
然後，形成閘極絕緣膜4604以覆蓋絕緣膜4627a和4627b(圖36C)。閘極絕緣膜4604可由諸如氧化矽、氮化矽、氧氫化矽(SiOx Ny ，x>y)、氮氧化矽(SiNx Oy ，x>y)等含氧或氮的絕緣膜藉由濺射、LPCVD、電漿CD等形成，以具有單層結構或疊層結構。例如，當使用Si藉由電漿處理來氧化半導體膜4603a和4603b，從而在半導體膜4603a和4603b上由氧化矽形成絕緣膜4627a和4627b時，在絕緣膜4627a和4627b上形成氧化矽作為閘極絕緣膜。
然後，藉由在閘極絕緣膜4604上形成閘極電極4605等，可製造具有n通道電晶體4610a和p通道電晶體4610b的顯示裝置，這些電晶體分別具有島形半導體膜4603a和4603b作為通道區(圖36D)。
如果半導體膜被設置成具有錐形邊緣，則在半導體膜的各個部分中形成的通道區的邊緣也為錐形，這可影響電晶體的特性。這種對半導體元件的影響可藉由用電漿處理來氧化或氮化作為通道區的半導體膜的邊緣以氧化或氮化通道區的邊緣而降低。
儘管圖36A到36D顯示僅僅半導體膜4603a和4603b藉由電漿處理被氧化或氮化，但閘極絕緣膜4604也可如圖34所示地藉由電漿處理來進行氧化或氮化(圖37B)。這樣，在藉由於氧氣氛下進行電漿處理來氧化閘極絕緣膜4604之後，閘極絕緣膜4604可在氮氣氛下再次用電漿處理以便於進行氮化。在這種情形中，在半導體薄膜4603a和4603b一側上形成氧化矽或氧氮化矽(SiOx Ny ，x>y)，然後形成氮氧化矽(SiNx Oy ，x>y)以便於接觸閘極電極4605。
藉由以前述方式進行電漿處理，可簡便地去除附在半導體膜或絕緣膜上的諸如灰塵等雜質。一般而言，藉由CVD、濺射等形成的膜在其表面上會有灰塵(也稱為顆粒)。例如，如圖38A所示，有灰塵4673附於藉由CVD、濺射等在諸如絕緣膜、導電膜、或半導體膜等膜4671上形成的絕緣膜4672的情形。即使在這種情形中，藉由用電漿處理來氧化或氮化絕緣膜4672，也可在絕緣膜4672的表面上形成氧化或氮化膜(下文中也稱為絕緣膜4674)。絕緣膜4674用不僅無灰塵4673存在的部分而且在灰塵4673之下的部分也被氧化或氮化的方式來氧化或氮化；因此，絕緣膜4674的體積增大。同時，因為灰塵4673的表面也藉由電漿處理而被氧化或氮化以形成絕緣膜4675，所以灰塵4673的體積也增大(圖38B)。
此時，灰塵4673處於藉由諸如刷洗等簡單洗滌就可從絕緣膜4674的表面上去除的狀態。因而，藉由進行電漿處理，甚至附於絕緣膜或半導體膜的微小灰塵也可被輕易地去除。注意，該效果藉由進行電漿處理獲得；因此，不僅對本實施例模式，而且對其他實施例模式都適用。
這樣，藉由使用電漿處理的氧化或氮化來更改半導體膜或絕緣膜的表面，可形成緻密且高品質的絕緣膜。此外，附於絕緣膜表面的灰塵等可藉由洗滌簡便地去除。因此，即使在絕緣薄膜形成為較薄時，也可防止諸如針孔等缺陷，從而可實現諸如電晶體等半導體元件的小型化和高性能。
儘管本實施例顯示對半導體膜4603a和4603b或閘極絕緣膜4604進行電漿處理以便於氧化或氮化該半導體膜4603a和4603b或閘極絕緣膜4604的示例，但要藉由電漿來氧化或氮化的層並不限於這些。例如，可對基板4601或絕緣膜4602進行電漿處理。或者，可對絕緣膜4606或絕緣膜4607進行電漿處理。
本實施例可藉由自由組合實施例1或2來進行。
[實施例4]
在本實施例中，對作為製造例如包括電晶體的顯示裝置的技術的網版技術進行說明。
圖39顯示包括電晶體、電容器和電阻器的顯示裝置的橫截面結構。圖39顯示n通道電晶體5401、n通道電晶體5402、電容器5404、電阻器5404、以及p通道電晶體5403。各電晶體包括半導體層5505、絕緣層5508、以及閘極電極5509。閘極電極5509由第一導電層5503和第二導電層5502的疊層結構形成。夾在半導體層5505和閘極電極5509之間的絕緣層5508用作閘極絕緣層。圖40A到40E是對應於電晶體、電容器和電阻器的俯視圖，它們可與圖39一起參看。
在圖39中，n通道電晶體5401具有通道長度方向(載子的流動方向)上的半導體層5505，它包括雜質區5506、以及以比雜質區5506低的濃度摻雜的雜質區5507。雜質區5506用作源極或汲極區，並與引線5504電連接。雜質區5507也被稱為輕摻雜汲極(LDD)。在形成n通道電晶體5401的情形中，雜質區5506和5507用諸如磷等提供n型導電性的雜質來摻雜。形成LDD以防止熱電子退化和短通道效應。
如圖40A所示，在n通道電晶體5401的閘極電極5509中，形成第一導電層5503以延伸到第二導電層5502的兩側。在該情形中，第一導電層5503的厚度比第二導電層薄。第一導電層5503的厚度被設置成傳送在10到100kV的電場內加速的離子種類。雜質區5507被形成為與閘極電極5509的第一導電層5503重疊。即，形成與閘極電極5509重疊的LDD區。在該結構中，藉由將第二導電層5502用作掩模而穿過第一導電層5503添加提供一種導電類型的雜質，以自對準方式形成雜質區5507。即，以自對準方式形成與閘極電極重疊的LDD。
在圖39中，n通道電晶體5402具有半導體層5505，它包括用作源極和汲極區的雜質區5506、以及用比雜質區5506低的濃度摻雜的雜質區5507。雜質區5507形成於通道形成區的一側上以便於與雜質區5506接觸。如圖40B所示，在n通道電晶體5402的閘極電極5509中，形成第一導電層5503以在第二導電層5502的一側上延伸。在這種結構中，也可藉由將第二導電層5502用作掩模而穿過第一導電層5503添加提供一種導電類型的雜質，以自對準方式形成LDD。
在通道形成區的一側具有LDD的電晶體可用作在源極電極和汲極電極之間施加正電壓或負電壓的電晶體。具體地，該電晶體可應用於形成諸如反相器電路、NAND電路、NOR電路和鎖存電路等邏輯閘的電晶體，形成諸如讀出放大器、恒壓產生電路和VCO等類比電路的電晶體。
如圖39所示，形成電容器5404以將絕緣層5508置於第一導電層5503和第二導電層5505之間。電容器5404中的半導體層5505具有雜質區5510和5511。雜質區5511形成於半導體層5505中以便於與第一導電層5503重疊。雜質區5510與引線5504接觸。因為雜質區5511穿過第一導電層5503用提供一種導電類型的雜質來摻雜，所以雜質區5510和5511中所包含雜質的濃度可相同或不同。在任何情形中，在電容器5404中，半導體層5505用作一電極；因此半導體層5505較佳地用提供一種導電類型的雜質摻雜以降低其電阻。此外，如圖40C所示，藉由將第二導電層5502用作輔助電極，第一導電層5503可足以作為電極工作。因而，藉由組合第一導電層5503和第二導電層5502來形成一種多電極結構，可用自對準方式形成電容器5404。
在圖39中，電阻器5405使用第一導電層5503形成。第一導電層5503被形成為具有30到150nm的厚度，因此可適當地設置第一導電層5503的寬度或長度以形成電阻器。
電阻器可藉由含高濃度雜質元素的半導體層或具有較薄厚度的金屬層來形成。金屬層較佳地是半導體層，因為金屬層的電阻值取決於膜厚度和膜品質，而半導體層的電阻值取決於膜厚度、膜品質、雜質的濃度、活化率等；因此，金屬層電阻值中的變化比半導體層的小。圖40E顯示電阻器5405的俯視圖。
在圖39中，p通道電晶體5403在半導體層5505中具有雜質區5512。雜質區5512形成分別與引線5504相連的源極和汲極區。閘極電極5509具有第一導電層5503和第二導電層5502彼此重疊的結構。P通道電晶體5403是具有未形成LDD的單汲極結構的電晶體。當形成p通道電晶體5403時，雜質區5512用諸如硼等提供p型導電性的雜質來摻雜。另一方面，當雜質區5512用磷來摻雜時，可形成具有單汲極結構的n通道電晶體。圖40E顯示p通道電晶體5403的俯視圖。
對於半導體層5505和絕緣層5508中的任一個或兩者，可使用以微波激勵的、電子溫度為2eV或以下、離子能量為5eV或以下、且電子密度約為101 1 到101 3 /cm－ 3 的高密度電漿進行氧化或氮化處理。此時，用300到450℃的基板溫度、並在氧化氣氛(例如O2 或N2 O)或氮化氣氛(例如N2 或NH3 )中進行處理；從而可降低半導體層5505和絕緣層5508之間的介面的缺陷程度。此外，藉由對絕緣層5508進行處理，絕緣層5508可更加緻密。換言之，可抑制充電缺陷以及電晶體臨界值電壓中變化的產生。在以3V或以下的電壓驅動電晶體的情形中，藉由該電漿處理來氧化或氮化的絕緣層5508可被用作閘極絕緣層。在以3V或以上的電壓驅動電晶體的情形中，藉由組合用該電漿處理在半導體層5505的表面上形成的絕緣層與用CVD(電漿CVD或熱CVD)層疊的絕緣層，可形成絕緣層5508。用類似的方式，該絕緣層可用作電容器5404的電介質層。在這一情況下，藉由該電漿處理而形成的絕緣層具有1到10nm的厚度，並且是緻密膜；因此，可形成具有較大電容的電容器。
如參照圖39和40A到40E所述，具有各種結構的元件可藉由組合具有不同膜厚度的導電層來形成。僅形成第一導電層的區、以及疊加第一和第二導電層的區可藉由使用光掩模或光罩形成，這些光掩模或光罩由衍射光柵圖案或具有帶降低光強功能的半透明膜的輔助圖案而形成。即，在光微影處理中，當抗蝕劑曝光時，調節穿過光掩模的光線的量，以使所顯影的抗蝕劑掩模具有變化的厚度。在該情形中，可在光掩模或光罩中形成等於或低於解析度限制的狹縫，從而形成具有前述複雜形狀的抗蝕劑。此外，由抗蝕劑材料形成的掩模圖案可藉由在顯影後以約200℃烘烤來改變形狀。
此外，藉由使用由衍射光柵圖案或具有帶降低光強功能的半透明膜的輔助圖案形成的光掩模或光罩，可連續形成僅形成第一導電層的區、以及疊加第一和第二導電層的區。如圖40A所示，僅形成第一導電層的區可選擇性地形成於半導體層上。該區在半導體層上是有效的，但在其他區(與閘極電極相連的引線區)中卻並非必須。藉由使用光掩模或光罩，僅形成第一導電層的區未形成於引線部分中；因此，可充分地增大引線密度。
在圖39和40A到40E中，第一導電層由諸如鎢(W)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、氮化鈦(TaN)、或鉬(Mo)等高熔點金屬；或主要含高熔點金屬的合金或化合物形成，以具有30到50nm的厚度。第二導電層由諸如鎢(W)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、氮化鈦(TaN)、或鉬(Mo)等高熔點金屬；或主要含高熔點金屬的合金或化合物形成，以具有300到600nm的厚度。例如，第一導電層和第二導電層由不同的導電材料形成，以使蝕刻速率在下一蝕刻步驟中互不相同。例如，第一導電層可由TaN形成，而第二導電層由鎢膜形成。
在本實施例中，藉由使用由衍射光柵圖案或具有帶降低光強功能的半透明膜的輔助圖案形成的光掩模或光罩，可在一個圖案形成步驟中形成具有不同電極結構的電晶體、電容器和電阻器。因而，具有不同結構的元件可在不增加步驟數量的情況下形成，並可根據電路的特性來整合。
本實施例可藉由自由組合實施例1到3進行。
[實施例5]
在本實施例中，參照圖41A到43B對用於製造包括電晶體的顯示裝置的掩模圖案的示例進行說明。
圖41A所示的半導體層5610和5611較佳地由矽或含矽的結晶半導體形成。例如，應用了藉由雷射退火等使矽膜結晶而形成的多晶矽或單晶矽。此外，可應用金屬氧化物半導體、非晶矽、或顯顯示半導體特性的有機半導體。
在任何情形中，在具有絕緣表面的基板的整個表面或一部分(比指定為電晶體中的半導體區的區大的區)上形成首先形成的半導體層。然後，藉由光微影法在半導體層上形成掩模圖案。半導體層使用掩模圖案來蝕刻，以形成包括源極和汲極區以及電晶體的通道形成區的預定的島形半導體層5610和5611。半導體層5610和5611被形成為具有適當的佈局。
圖41A所示的用於形成半導體層5610和5611的光掩模具有如圖41B所示的掩模圖案5630。掩模圖案5630取決於用於光微影步驟中使用的抗蝕劑是正型還是負型而不同。當使用正型抗蝕劑時，圖41B所示的掩模圖案5630被形成為遮光部分。掩模圖案5630具有去除了頂部A的多邊形形狀。此外，在角部分B中，掩模圖案多次彎曲以不形成直角。即，在該光掩膜圖案中，是直角三角形的角被去除以使直角三角形一條邊為例如10μm或以下。
圖41B所示的掩模圖案5630的形狀反映在圖41A所示的半導體層5610和5611中。在該情形中，可轉錄與掩模圖案5630相似的形狀。或者，形狀可被轉錄成使所轉錄的圖案的角具有比掩模圖案5630更圓的形狀。即，可提供圖案形狀比掩模圖案5630更平滑的圓角部分。
在半導體層5610和5611上形成其至少一部分中包括氧化矽或氮化矽的絕緣層。形成該絕緣層以用作閘極絕緣層。如圖42A所示，形成閘極引線5712、5713和5714以與半導體層部分地重疊。閘極引線5712對應於半導體層5610而形成，而閘極引線5713對應於半導體層5610和5611而形成。此外，閘極引線5713對應於半導體層5610和5611而形成。閘極引線藉由形成具有高導電性的金屬層或半導體層來形成，且閘極引線的形狀藉由在絕緣層上光微影來形成。
用於形成閘極引線的光掩模具有如圖42B所示的掩模圖案5631。在掩模圖案5631中，每個彎成L形的角部分被去除，以使直角三角形的一條邊為例如10μm或以下，或引線寬度的1/5到1/2，從而使角部分變圓。圖42B所示的掩模圖案5731的形狀反映在圖42A所示的閘極引線5712、5713和5714中。在該情形中，可轉錄與掩模圖案5731相似的形狀。或者，形狀可被轉錄成使閘極引線5712到5714中的角具有比掩模圖案5731更圓的形狀。即，可提供圖案形狀比掩模圖案5731更平滑的圓角部分。換言之，將閘極引線5712到714中的角去除引線寬度的1/5到1/2，以便於具有圓角部分。具體地，為了形成角部分的圓邊，去除掩模的一部分，它對應於具有彼此垂直以形成角部分的兩條第一直線、以及與兩條第一直線成約45°角的第二直線的等腰直角三角形。當去除該三角形時，在掩模中形成兩個鈍角。較佳的是將掩模設置成使與第一直線和第二直線相交的曲線藉由適當地調節條件而形成於每一鈍角部分中。注意，等腰直角三角形的彼此相等的兩條邊的長度等於或大於掩模寬度的1/5，並等於或小於掩模寬度的1/2。此外，角部分的內邊根據角部分的外邊也變圓。在角部分的外側，當進行藉由電漿的乾蝕刻時可抑制因異常放電而產生細粉。此外，即使產生了細粉，角部分的內側也使得在清洗時洗去細粉而無細粉殘留在角中成為可能。結果，成品率顯著改進。
在形成閘極引線5712到5714之後形成中間層絕緣層。中間層絕緣層由諸如氧化矽等無機絕緣材料或諸如聚醯亞胺或丙烯樹脂等有機絕緣材料形成。諸如氮化矽或氮氧化矽等絕緣材料可形成於中間層絕緣層和閘極引線5712到5714之間。此外，諸如氮化矽或氮氧化矽等絕緣材料也可形成於中間層絕緣層之上。絕緣層可防止半導體層和閘極絕緣層因對電晶體不利的雜質(諸如外生金屬離子和濕氣)而受到污染。
在中間層絕緣層中，在預定位置中形成開口。例如，開口對應於閘極引線或置於其下的半導體層而形成。由單層或多層金屬或金屬化合物形成的引線層用藉由光微影法形成的掩模圖案蝕刻成預定圖案。然後，如圖43A所示，形成引線5815到5820以與半導體層部分重疊。引線與特定元件相連。使一個元件與另一個元件相連的引線因為佈局的限制不是直的而是彎的。此外，引線的寬度在接觸部分或另一區中改變。在接觸部分中，引線的寬度在接觸部分中接觸孔等於或大於引線的寬度的一部分中變大。
用於形成引線5815到5820的光掩模具有如圖43B所示的掩模圖案5832。在該情形中，引線還具有這樣的一種圖案：各角部分中為直角三角形的角被去除以使直角三角形的一條邊為10μm或以下、或引線寬度的1/5到1/2；從而角部分是圓形的。在這種引線中，在角部分的外側，當進行藉由電漿的乾蝕刻時可抑制因異常放電而產生細粉。此外，即使產生了細粉，角部分的內側也使得在清洗時洗去細粉而無細粉殘留在角中成為可能。結果，成品率顯著改進。此外，引線的圓角增強了導電性。另外，多條平行引線中的灰塵可被有效地洗去。
在圖43A中，形成n通道電晶體5821到5824以及p通道電晶體5825和5826。n通道電晶體5823和p通道電晶體5825、以及n通道電晶體5824和p通道電晶體5826分別形成反相器5827和5828。包括這6個電晶體的電路形成一SRAM。諸如氮化矽和氧化矽等絕緣層可形成於電晶體上。
本實施例可藉由自由組合實施例1到4進行。
[實施例6]
在本實施例中，參照附圖25A到25C對密封設置有像素的基板的結構進行說明。圖25A是密封了設置有像素的基板的面板的俯視圖，而圖25B和25C是沿圖25A的線A－A’所取的橫截面圖。圖25B和25C顯示藉由不同方法進行密封的示例。
在圖25A到25C中，在基板2501上設置具有多個像素的像素部分2502，並提供密封材料2506以包圍像素部分2502，同時密封材料2507附加其上。對於像素的結構，可採用各實施例模式或實施例1中所示的結構。
在圖25B中的顯示面板中，圖25A中的密封材料2507對應於對基板2521。透明的相反基板2521使用密封材料2506作為粘性層附於基板2501之上，並且因此氣密空間2522由基板2501、相反基板2521和密封件2506形成。相反基板2521設有濾色片2520和用於保護濾色片的保護膜2523。從置於像素部分2502中的發光元件發出的光藉由濾色片向外發出。氣密空間2522用惰性樹脂或液體填充。注意，用於填充氣密空間2522的樹脂可以是其中分散了吸濕劑的半透明樹脂。此外，相同的材料可用於密封材料2506和氣密空間2522，從而相反基板2521的粘附和像素部分2502的密封可同時進行。
在圖25C所示的顯示面板中，圖25A中的密封材料2507對應於密封材料2524。密封材料2524使用密封材料2506作為粘性層附於基板2501之上，並且氣密空間2508由基板2501、相反基板2521和密封件2524形成。密封材料在其凹入部分中預先設有吸濕劑2509，且吸濕劑2509用來藉由吸收濕氣、氧氣等在氣密空間2508中保持乾淨的氣氛，以抑制發光元件的退化。凹入部分用細孔覆蓋材料2510覆蓋。覆蓋材料2510傳送空氣和濕氣，但吸濕劑2509不傳送。注意，氣密空間2508可用諸如氮氣或氬氣等稀有氣體、以及惰性樹脂或液體來填充。
用於向像素部分2502等傳送訊號的輸入端子部分2511設置在基板2501上。諸如視頻訊號等訊號藉由FPC(柔性印刷電路)2512傳送給輸入端子部分2511。在輸入端子部分2511上，在基板2501上形成的引線使用其中分散了導體(各向異性導電樹脂：ACF)的樹脂與設置在FPC 2512中的引線電連接。
用於向像素部分2502輸入訊號的驅動電路可在與像素部分2502相同的基板2501上形成。或者，用於向像素部分2502輸入訊號的驅動器電路可由IC晶片形成，以便於藉由COG(玻璃上固定晶片)接合連接到基板2501，或者IC晶片可藉由TAB(載帶自動接合)或藉由使用印刷板置於基板2501上。
本實施例可藉由自由組合實施例1到5進行。
[實施例7]
本發明可應用於將用於向面板輸入訊號的電路安裝在面板上的顯示模組。
圖26顯示面板2600與電路板2604相組合的顯示模組。儘管圖26顯示控制器2605、訊號除法電路2606等形成於電路板2604上，但在電路板2604上形成的電路並不僅限於這些電路。可採用可生成用於控制面板的訊號的任何電路。
從形成於電路板2604上的電路中輸出的訊號藉由連接引線2607輸入到面板2600。
面板2600包括像素部分2601、源極驅動器2602、以及閘極驅動器2603。面板2600的結構可與實施例1、2等中所示的相似。儘管圖26顯示源極驅動器2602和閘極驅動器2603在與像素部分2601相同的基板上形成的示例，但本發明的顯示模組並不僅限於此。這種結構還可用於只有閘極驅動器2603在與像素部分2601相同的基板上形成，而源極驅動器2602在電路板上形成的情形。或者，源極驅動器和閘極驅動器可形成於一塊電路板上。
各種電子設備的顯示部分可藉由結合這種顯示模組來形成。
本實施例可藉由自由組合實施例1到6來進行。
[實施例8]
本發明可應用於各種電子儀器。這些電子設備包括照相機(例如攝影機或數位相機)、投影儀、頭戴式顯示器(護目鏡顯示器)、導航系統、車載音響、電腦、遊戲機、攜帶型資訊終端(例如移動電腦、行動電話、或電子書)、配備有記錄媒體的影像再生設備(具體地，用於再生諸如數位多功能盤(DVD)等記錄媒體、並具有用於顯示所再生的影像的顯示部分的設備)等。圖27A到27D顯示電子設備的示例。
圖27A顯示筆記型個人電腦，包括主體2711、外殼2712、顯示部分2713、鍵盤2714、外部連接埠2715、定點滑鼠2716等。本發明應用於顯示部分2713。使用本發明，可降低顯示部分的功耗。
圖27B顯示配備有記錄媒體的影像再生設備(具體地為DVD再生設備)，它包括主體2721、外殼2722、第一顯示部分2723、第二顯示部分2724、記錄媒體(例如DVD)讀取部分2725、操作鍵2726、揚聲器部分2727等。第一顯示部分2723主要顯示影像資料，而第二顯示部分2724主要顯示文本資料。本發明應用於第一顯示部分2723和第二顯示部分2724。使用本發明，可降低顯示部分的功耗。
圖27C顯示攜帶型電話，它包括主體2731、音頻輸出部分2732、音頻輸入部分2733、顯示部分2734、操作開關2735、天線2736等。本發明應用於顯示部分2734。使用本發明，可降低顯示部分的功耗。
圖27D顯示照相機，它包括主體2741、顯示部分2742、外殼2743、外部連接埠2744、遙控部分2745、影像接收部分2746、電池2747、音頻輸入部分2748、操作鍵2749等。本發明應用於顯示部分2742。使用本發明，可降低顯示部分的功耗。
本實施例可藉由自由組合實施例1到7進行。
[實施例9]
在本實施例中，將參照附圖說明使用本發明像素結構的顯示裝置被用作顯示部分的顯示面板的應用示例。使用本發明像素結構的顯示裝置被用作顯示部分的顯示面板可被構造成裝在運輸單元、建築物等中。
裝有顯示裝置的運輸單元如圖77A和77B所示，作為使用本發明像素結構的顯示裝置被用作顯示部分的顯示面板的一個示例。圖77A顯示裝有顯示裝置的運輸單元的一個示例，其中顯示面板9702用於列車車廂9701的門的玻璃部分中。在具有使用應用了如圖77A所示的本發明像素結構的顯示裝置的顯示部分的顯示面板9702中，要在顯示部分上顯示的影像可藉由外部訊號簡便地轉換。因而，顯示面板的影像根據不同時段隨著列車乘客的類型的改變而改變。因此，可期望更為有效的廣告。
對使用本發明像素結構的顯示裝置被用於顯示部分的顯示面板的應用並不限於圖77A所示的列車車廂門的玻璃部分。顯示面板的形狀可改變以使之可置於任何地方。圖77B顯示其示例。
圖77B顯示列車車廂的內部。在圖77B中，除圖77A所示的門的玻璃部分的顯示面板9702外，還顯示置於玻璃窗上的顯示面板9703、懸掛在天花板上的顯示面板9704。配備有本發明像素結構的顯示面板9703具有自發光型顯示元件。因而，在車廂擁擠時顯示廣告影像、而在車廂不擁擠時顯示外部風景，從而可在列車中看到外部風景是可能的。藉由向類膜基板提供諸如有機電晶體等開關元件，並驅動自發光型顯示元件，本身具有本發明像素結構的顯示面板9704可扭曲以顯示影像。
圖78顯示裝有使用顯示面板的顯示裝置的運輸單元的另一應用示例，其中顯示裝置在顯示部分中。該顯示裝置將本發明的像素結構用於顯示部分。
圖78顯示裝有使用顯示面板的顯示裝置的運輸單元的一個示例，其中顯示裝置在顯示部分中。該顯示裝置將本發明的像素結構用於顯示部分。圖78顯示裝在車體9901上的顯示面板9902的一個示例，作為裝有顯示裝置的運輸單元的一個示例。具有將本發明像素結構用於圖78所示的顯示部分的顯示裝置的顯示面板9902被貼附以與車體一體化，並具有在需要時顯示車輛運動或從車內或車外輸入的資訊的功能、或到目的地的導航功能。
注意，具有將本發明像素結構用於顯示部分的顯示裝置的顯示面板並不限於應用於如圖78所示的車體的前部。藉由改變形狀，顯示面板可用於任何地方，例如玻璃窗、門等。
圖79A和79B顯示裝有使用顯示面板的顯示裝置的運輸單元的另一應用示例，其中顯示裝置在顯示部分中。該顯示裝置將本發明的像素結構用於顯示部分。
圖79A和79B顯示裝有顯示面板的運輸單元的一個示例，其中顯示裝置在顯示部分中。顯示裝置使用本發明的像素結構。圖79A顯示與飛機艙體10101內乘客上方的天花板成一體的顯示面板10102的一個示例，作為裝有顯示裝置的運輸單元的一個示例。用鉸鏈部分10103貼附具有將本發明像素結構用於圖79A所示的顯示部分的顯示裝置的顯示面板10102以與飛機艙體10101一體化。乘客可用鉸鏈部分10103移動顯示面板10102，以對著顯示面板觀看和收聽。顯示面板10102具有藉由乘客的操作顯示資訊、或用於廣告和娛樂單元的功能。如圖79B所示，鉸鏈部分折疊以貯藏在飛機艙體10101內，因而在起飛和著陸時可保持安全。此外，藉由在緊急狀態時使顯示面板的顯示元件發光，它可用作飛機艙體10101的引航燈。
注意，具有將本發明像素結構用於顯示部分的顯示裝置的顯示面板並不限於應用於如圖79A和79B所示的飛機艙體10101的天花板部分。藉由改變其形狀，顯示面板可用於任何地方，例如乘客座位、門等。例如，顯示面板可置於乘客前面座位的椅背上，並且乘客可操作該顯示面板來觀看或收聽。
在該示例中，作為運輸單元，給出了列車車體、轎車車體和飛機艙體；然而，本發明並不僅限於此。本發明的應用範圍是廣泛的。例如，它包括兩輪機動車、四輪機動車(包括轎車、客車等)、火車(包括單軌鐵路、軌道列車等)、船等。藉由應用具有使用本發明像素結構的顯示部分的顯示面板，實現顯示面板的小型化和低功耗，並且也可提供運行良好的裝有顯示媒體的運輸單元。特別地，因為運輸單元中顯示面板的顯示可簡便地藉由外部訊號一次性地全部改變，它們作為在緊急狀況中面向普通大衆或大量乘客的廣告或資訊顯示的顯示裝置是極為有效的。
作為使用具有使用本發明像素結構的顯示裝置的顯示面板的一個應用示例，參照圖80說明應用於建築物的應用模式。
圖80顯示藉由在膜基板上設置諸如有機電晶體等開關元件、並驅動自發光顯示元件而可被扭曲以顯示影像的顯示面板的一個應用示例。該顯示面板被示為其中使用本發明像素結構的顯示裝置被用於顯示部分的顯示面板的示例。在圖80中，顯示顯示面板置於諸如在建築物外部設置的電話桿等圓柱形建築物的曲面上的情形。在此，顯示面板9802置於具有柱體的電話桿9801上。
如圖80所示的顯示面板9802位於在接近電話桿高度中點的、比人們視點略高的位置。當從運輸單元9803中觀看顯示面板時，可識別顯示面板9802上顯示的影像。顯示面板置於室外林立的電話桿上以便於顯示同一影像，因而所顯示的資訊或廣告對觀衆可見。置於圖80電話桿上的顯示面板9802可簡便地在外部顯示影像。因而，可期望用於顯示和廣告效果的極為有效的資訊。藉由提供自發光型顯示元件作為本發明顯示面板中的顯示元件，顯示面板作為高度可見的顯示媒體甚至在夜晚也有效。
圖81顯示裝有具有將本發明像素結構用於顯示部分的顯示裝置的顯示面板的建築物的一個應用示例，它與圖80所示的不同。
圖81顯示具有將本發明像素結構用於顯示部分的顯示裝置的顯示面板的一個應用示例。圖81顯示裝在預製浴室10001的內牆中的顯示面板10002的一個示例，作為裝有顯示裝置的運輸單元的一個示例。具有將本發明像素結構用於如圖81所示顯示部分的顯示裝置的顯示面板10002被貼附以與預製浴室10001成一體，且沐浴者可對著顯示面板10002觀看和收聽。顯示面板10002可具有顯示資訊的功能，或者可用作藉由沐浴者的操作用於廣告和娛樂的裝置。
具有將本發明像素結構用於顯示部分的顯示裝置的顯示面板並不限於應用於如圖81所示的預製浴室10001的天花板部分。藉由改變其形狀，它可用於諸如鏡子或浴缸本身的任何地方。
圖82顯示具有較大顯示部分的電視裝置置於建築物中的一個示例。圖82包括外殼2010、顯示部分2011、作為操作部分的遙控器設備2012、揚聲器2103等。包括將本發明像素部分用於顯示部分的顯示裝置的顯示面板在製造顯示部分2011時應用。圖82所示的電視裝置掛在牆上以與建築物一體化，因此無需寬大空間來放置。
在本實施例中，給出作為柱體示例的電話桿或預製浴室作為建築物的示例；然而，本實施例並不僅限於此，並且可採用任何結構，只要它可裝配有顯示面板即可。藉由應用具有使用本發明像素結構的顯示部分的顯示面板，可實現顯示面板的小型化和低功耗，並且也可提供具有可良好操作的裝有顯示媒體的運輸單元。
101．．．源極驅動器
102．．．閘極驅動器
103．．．源極訊號線
104．．．閘極訊號線
109．．．像素
R110．．．電源
G111．．．電源
B112．．．電源
108．．．相反電極
G106．．．電源線
B107．．．電源線
R105．．．電源線
113．．．電流值檢測電路
114．．．校正電路
115．．．控制器
114a．．．驅動控制訊號
114b．．．視頻訊號
115a．．．影像訊號
115b．．．電流值檢測控制訊號
116．．．電源產生電路
117．．．電池
118．．．充電單元
100．．．顯示裝置驅動器電路
113a．．．電流值資料
513．．．電流值選擇器電路
513a．．．電流值資料
701．．．選擇開關
6100．．．影像訊號產生電路
6101．．．電流值檢測控制訊號產生電路
6103．．．驅動方法選擇電路
6104．．．計時器電路
6100a．．．重置訊號
6105．．．充電單元檢測電路
6301．．．非工作週期檢測電路
6106．．．檢測像素設定電路
6501．．．環境亮度檢測電路
6901．．．啟動電路
4701．．．驅動電晶體
4702．．．選擇電晶體
4703．．．電容器
4704．．．發光元件
4705．．．電源線
4706．．．源極訊號線
4707．．．閘極訊號線
5001．．．驅動電晶體
5002．．．選擇電晶體
5003．．．電容器
5004．．．發光元件
5005．．．電源線
5006．．．源極訊號線
5007．．．閘極訊號線
4801．．．驅動電晶體
4802．．．選擇電晶體
4803．．．電容器
4804．．．發光元件
4805．．．電源線
4806．．．源極訊號線
4807．．．閘極訊號線
4808．．．抹除電晶體
4809．．．抹除閘極訊號線
4901．．．驅動電晶體
4902．．．選擇電晶體
4903．．．電容器
4904．．．發光元件
4905．．．電源線
4906．．．源極訊號線
4907．．．閘極訊號線
4908．．．抹除二極體
4909．．．抹除閘極訊號線
5101．．．驅動電晶體
5102．．．選擇電晶體
5103．．．電容器
5104．．．發光元件
5105．．．電源線
5106．．．源極訊號線
5107．．．閘極訊號線
5108．．．抹除電晶體
5109．．．抹除閘極訊號線
5201．．．驅動電晶體
5202．．．選擇電晶體
5203．．．電容器
5204．．．發光元件
5205．．．電源線
5206．．．源極訊號線
5207．．．閘極訊號線
5208．．．抹除二極體
5209．．．抹除閘極訊號線
3401．．．像素部分
3402．．．閘極驅動器
3403．．．源極驅動器
3404．．．移位暫存器
3405．．．緩衝電路
5700．．．像素部分
5701．．．移位暫存器
5702．．．移位暫存器
5703．．．移位暫存器
5704．．．AND電路
5705．．．AND電路
5706．．．AND電路
5707．．．OR電路
5708．．．開關組
5709．．．開關組
5800．．．閘極驅動器
5801－5804．．．輸入端子
5807．．．源極驅動器
5805．．．位準移位電路
5806．．．緩衝電路
5900．．．閘極驅動器
5901－5904．．．輸入端子
5905．．．位準移位電路
5906．．．緩衝電路
5907．．．源極驅動器
5908．．．像素部分
5909．．．閘極驅動器
3406．．．移位暫存器
3407．．．第一鎖存電路(LAT1)
3408．．．第二鎖存電路(LAT2)
3409．．．位準移位電路
3411．．．鎖存控制線
6001．．．像素部分
6002．．．閘極驅動器
6003．．．源極驅動器
6006．．．移位暫存器
6007．．．第一鎖存電路A
6012．．．第一鎖存電路B
6013．．．第二鎖存電路B
6014．．．開關
6008．．．第二鎖存電路A
3503．．．源極驅動器
3504．．．移位暫存器
3505．．．取樣電路
3506．．．視頻訊號線
3501．．．像素部分
3402．．．閘極驅動器
2400．．．基板
2401．．．底膜
2402．．．半導體層
2403．．．第一絕緣膜
2404．．．閘極電極
2405．．．第二絕緣膜
2406．．．第一電極
2407．．．第二電極
2408．．．第三絕緣膜
2409．．．發光層
2410．．．TFT
2411．．．電容器
2412．．．半導體層
2414．．．電極
2417．．．第三電極
2415．．．發光元件
2418．．．絕緣膜
2416．．．第二電極
2801．．．基板
2802．．．底膜
2803．．．像素電極
2804．．．第一電極
2805．．．引線
2806．．．引線
2807．．．N型半導體層
2808．．．N型半導體層
2809．．．半導體層
2810．．．閘極絕緣膜
2811．．．絕緣膜
2812．．．閘極電極
2813．．．第二電極
2814．．．中間層絕緣膜
2815．．．含有機化合物的層
2816．．．相反電極
2818．．．驅動電晶體
2819．．．電容器
2820．．．第一電極
2901．．．基板
2903．．．閘極電極
2904．．．第一電極
2905．．．閘極絕緣膜
2906．．．半導體層
2907．．．半導體層
2908．．．N型半導體層
2909．．．N型半導體層
2910．．．N型半導體層
2911．．．引線
2912．．．引線
2913．．．導電層
2920．．．電容器
2914．．．像素電極
2915．．．絕緣層
2916．．．含有機化合物的層
2917．．．相反電極
2918．．．發光元件
2919．．．驅動電晶體
2921．．．第二電極
3001．．．絕緣層
4601．．．基板
4602．．．絕緣膜
4603a、4603b．．．半導體膜
4604．．．閘極絕緣膜
4605．．．閘極電極
4606．．．絕緣膜
4607．．．絕緣膜
4608．．．導電膜
4610a．．．n通道電晶體
4610b．．．p通道電晶體
4621a．．．絕緣膜
4621b．．．絕緣膜
4651a、4651b．．．邊緣
4623．．．絕緣膜
4624．．．絕緣膜
4625a、4625b．．．抗蝕劑
4652a、4652b．．．邊緣
4627a、467b．．．絕緣膜
4671．．．膜
4672．．．絕緣膜
4673．．．灰塵
4674．．．絕緣膜
4675．．．絕緣膜
5401．．．n通道電晶體
5402．．．n通道電晶體
5403．．．p通道電晶體
5404．．．電容器
5405．．．電阻器
5505．．．半導體層
5508．．．絕緣層
5509．．．閘極電極
5503．．．第一導電層
5502．．．第二導電層
5506．．．雜質區
5507．．．雜質區
5510．．．雜質區
5511．．．雜質區
5512．．．雜質區
5610．．．半導體層
5611．．．半導體層
5630．．．掩模圖案
5712．．．閘極引線
5713．．．閘極引線
5714．．．閘極引線
5731．．．掩模圖案
5815－5820．．．引線
5832．．．掩模圖案
5821－5824．．．n通道電晶體
5825、5826．．．p通道電晶體
5827、5828．．．反相器
2501．．．基板
2502．．．像素部分
2506．．．密封材料
2507．．．密封材料
2521．．．相反基板
2522．．．氣密空間
2520．．．濾色片
2523．．．保護膜
2524．．．密封材料
2509．．．吸濕劑
2510．．．覆蓋材料
2511．．．輸入端子部分
2600．．．面板
2604．．．電路板
2605．．．控制器
2606．．．訊號除法電路
2607．．．連接引線
2601．．．像素部分
2602．．．源極驅動器
2603．．．閘極驅動器
2711．．．主體
2712．．．外殼
2713．．．顯示部分
2714．．．鍵盤
2715．．．外部連接埠
2716．．．定點滑鼠
2721．．．主體
2722．．．外殼
2723．．．第一顯示部分
2724．．．第二顯示部分
2725．．．記錄媒體讀取部分
2726．．．操作鍵
2727．．．揚聲器部分
2731．．．主體
2732．．．音頻輸出部分
2733．．．音頻輸入部分
2734．．．顯示部分
2735．．．操作開關
2736．．．天線
2741．．．主體
2742．．．顯示部分
2743．．．外殼
2744．．．外部連接埠
2745．．．遙控部分
2746．．．影像接收部分
2747．．．電池
2748．．．音頻輸入部分
2749．．．操作鍵
9701．．．列車車廂
9702．．．顯示面板
9703．．．顯示面板
9704．．．顯示面板
9901．．．車體
9902．．．顯示面板
10101．．．飛機艙體
10102．．．顯示面板
10103．．．鉸鏈部分
9802．．．顯示面板
9801．．．電話桿
9803．．．運輸單元
10001．．．預製浴室
10002．．．顯示面板
2010．．．外殼
2011．．．顯示面板
2012．．．遙控裝置
圖1顯示實施例模式1的顯示裝置；圖2顯示實施例模式1的顯示裝置；圖3顯示實施例模式2的顯示裝置；圖4顯示實施例模式2的顯示裝置；圖5顯示實施例模式3的顯示裝置；圖6顯示實施例模式3的顯示裝置；圖7顯示實施例模式3的顯示裝置；圖8顯示實施例模式4的顯示裝置；圖9顯示實施例模式5的顯示裝置；圖10顯示實施例模式6的顯示裝置；圖11顯示實施例模式7的顯示裝置；圖12顯示實施例模式8的顯示裝置；圖13顯示實施例模式9的顯示裝置；圖14顯示實施例模式10的顯示裝置；圖15顯示實施例模式11的顯示裝置；圖16顯示實施例模式12的顯示裝置；圖17顯示實施例模式13的顯示裝置；圖18顯示實施例模式14的顯示裝置；圖19顯示實施例模式15的顯示裝置；圖20顯示實施例模式16的顯示裝置；圖21顯示實施例模式17的顯示裝置；圖22顯示實施例模式18的顯示裝置；圖23顯示實施例模式19的顯示裝置；圖24A和24B顯示實施例1的顯示裝置；圖25A到25C顯示實施例6的顯示裝置；圖26是實施例7的顯示裝置；圖27A到27D是實施例8的顯示裝置；圖28A和28B顯示實施例2的顯示裝置；圖29A和29B顯示實施例2的顯示裝置；圖30A和30B顯示實施例2的顯示裝置；圖31A到31C顯示實施例3的顯示裝置；圖32A到32D顯示實施例3的顯示裝置；圖33A到33C顯示實施例3的顯示裝置；圖34A到34D顯示實施例3的顯示裝置；圖35A到35D顯示實施例3的顯示裝置；圖36A到36D顯示實施例3的顯示裝置；圖37A和37B顯示實施例3的顯示裝置；圖38A和38B顯示實施例3的顯示裝置；圖39顯示實施例4的顯示裝置；圖40A到40E顯示實施例4的顯示裝置；圖41A和41B顯示實施例5的顯示裝置；圖42A和42B顯示實施例5的顯示裝置；圖43A和43B顯示實施例5的顯示裝置；圖44顯示實施例模式26的顯示裝置；圖45A到45C顯示實施例模式26的顯示裝置；圖46顯示實施例模式26的顯示裝置；圖47顯示實施例模式21的顯示裝置；圖48顯示實施例模式24的顯示裝置；圖49顯示實施例模式24的顯示裝置；圖50顯示實施例模式22的顯示裝置；圖51顯示實施例模式26的顯示裝置；圖52顯示實施例模式26的顯示裝置；圖53顯示實施例模式23的顯示裝置；圖54顯示實施例模式23的顯示裝置；圖55顯示實施例模式23的顯示裝置；圖56顯示實施例模式23的顯示裝置；圖57顯示實施例模式26的顯示裝置；圖58顯示實施例模式26的顯示裝置；圖59顯示實施例模式26的顯示裝置；圖60顯示實施例模式26的顯示裝置；圖61顯示實施例模式4的顯示裝置；圖62顯示實施例模式5的顯示裝置；圖63顯示實施例模式6的顯示裝置；圖64顯示實施例模式7的顯示裝置；圖65顯示實施例模式8的顯示裝置；圖66顯示實施例模式9的顯示裝置；圖67顯示實施例模式10的顯示裝置；圖68顯示實施例模式11的顯示裝置；圖69顯示實施例模式12的顯示裝置；圖70顯示實施例模式13的顯示裝置；圖71顯示實施例模式14的顯示裝置；圖72顯示實施例模式15的顯示裝置；圖73顯示實施例模式16的顯示裝置；圖74顯示實施例模式17的顯示裝置；圖75顯示實施例模式18的顯示裝置；圖76顯示實施例模式19的顯示裝置；圖77A和77B顯示本發明的顯示裝置的應用示例；圖78顯示本發明的顯示裝置的應用示例；圖79A和79B顯示本發明的顯示裝置的應用示例；圖80顯示本發明的顯示裝置的應用示例；圖81顯示本發明的顯示裝置的應用示例；以及圖82顯示本發明的顯示裝置的應用示例。

Claims (52)

  1. 一種顯示裝置，包含：電池；包括發光元件的像素；計時器電路；充電單元檢測電路；以及驅動方法選擇電路，其中在第一預燒校正週期結束後經過了預定時間時，該計時器電路輸出進入第二預燒校正週期的第一訊號，在該第一預燒校正週期中藉由顯示圖形的第一正常驅動週期獲得該發光元件的特性，其中當已對該電池充電時，該充電單元檢測電路輸出進入該第二預燒校正週期的第二訊號，以及其中該驅動方法選擇電路輸出第三訊號，用於在輸入該第一訊號和第二訊號時，從該第一正常驅動週期進入該第二預燒校正週期，並在未輸入該第一訊號和第二訊號時，從該第二預燒校正週期進入第二正常驅動週期。
  2. 如申請專利範圍第1項的顯示裝置，其中該像素內所包括的發光元件的特性藉由在該第一預燒校正週期中檢測流入該發光元件的相反電極的電流來獲得。
  3. 如申請專利範圍第1項的顯示裝置，其中該像素內所包括的發光元件的特性藉由在該第一預燒校正週期中檢測流入該發光元件的電源線的電流來獲得。
  4. 如申請專利範圍第1項的顯示裝置，其中在被假 定為易於發生特性退化的區內該像素中的發光元件的特性優先在該第一預燒校正週期中獲得。
  5. 如申請專利範圍第1項的顯示裝置，其中該第一預燒校正週期中的驅動頻率與該第一正常驅動週期中的驅動頻率相同。
  6. 如申請專利範圍第2項的顯示裝置，其中該相反電極在該第一預燒校正週期中的電位與該相反電極在該第一正常驅動週期中的電位相同。
  7. 如申請專利範圍第3項的顯示裝置，其中該電源線在該第一預燒校正週期中的電位與該電源線在該第一正常驅動週期中的電位相同。
  8. 一種顯示裝置，包含：包括發光元件的像素；計時器電路；非工作檢測電路；以及驅動方法選擇電路，其中在第一預燒校正週期結束後經過了預定時間時，該計時器電路輸出進入第二預燒校正週期的第一訊號，在該第一預燒校正週期中藉由顯示圖形的第一正常驅動週期獲得該發光元件的特性，其中在該顯示裝置在預定時間內未開啟時，該非工作檢測電路輸出進入該第二預燒校正週期的第二訊號，以及其中該驅動方法選擇電路輸出第三訊號，用於在輸入該第一訊號和第二訊號時，從該第一正常驅動週期進入該 第二預燒校正週期，並在未輸入該第一訊號和第二訊號時，從該第二預燒校正週期進入第二正常驅動週期。
  9. 如申請專利範圍第8項的顯示裝置，其中該像素內所包括的發光元件的特性藉由在該第一預燒校正週期中檢測流入該發光元件的相反電極的電流來獲得。
  10. 如申請專利範圍第8項的顯示裝置，其中該像素內所包括的發光元件的特性藉由在該第一預燒校正週期中檢測流入該發光元件的電源線的電流來獲得。
  11. 如申請專利範圍第8項的顯示裝置，其中在被假定為易於發生特性退化的區內該像素中的發光元件的特性優先在該第一預燒校正週期中獲得。
  12. 如申請專利範圍第8項的顯示裝置，其中該第一預燒校正週期中的驅動頻率與該第一正常驅動週期中的驅動頻率相同。
  13. 如申請專利範圍第9項的顯示裝置，其中該相反電極在該第一預燒校正週期中的電位與該相反電極在該第一正常驅動週期中的電位相同。
  14. 如申請專利範圍第10項的顯示裝置，其中該電源線在該第一預燒校正週期中的電位與該電源線在該第一正常驅動週期中的電位相同。
  15. 一種顯示裝置，包含：電池；包括發光元件的像素；計時器電路； 充電單元檢測電路；環境亮度檢測電路；以及驅動方法選擇電路，其中在第一預燒校正週期結束後經過了預定時間時，該計時器電路輸出進入第二預燒校正週期的第一訊號，在該第一預燒校正週期中藉由顯示圖形的第一正常驅動週期獲得該發光元件的特性，其中在已對該電池充電時，該充電單元檢測電路輸出進入該第二預燒校正週期的第二訊號，其中在顯示裝置周圍的環境亮度接近預定亮度時，該環境亮度檢測電路輸出進入該第二預燒校正週期的第三訊號，以及其中該驅動方法選擇電路輸出第四訊號，用於在輸入該第一訊號、第二訊號和第三訊號時，從該第一正常驅動週期進入該第二預燒校正週期，並在未輸入該第一訊號、第二訊號和第三訊號時，從該第二預燒校正週期進入第二正常驅動週期。
  16. 如申請專利範圍第15項的顯示裝置，其中該像素內所包括的發光元件的特性藉由在該第一預燒校正週期中檢測流入該發光元件的相反電極的電流來獲得。
  17. 如申請專利範圍第15項的顯示裝置，其中該像素內所包括的發光元件的特性藉由在該第一預燒校正週期中檢測流入該發光元件的電源線的電流來獲得。
  18. 如申請專利範圍第15項的顯示裝置，其中在被 假定為易於發生特性退化的區內該像素中的發光元件的特性優先在該第一預燒校正週期中獲得。
  19. 如申請專利範圍第16項的顯示裝置，其中該相反電極在該第一預燒校正週期中的電位與該相反電極在該第一正常驅動週期中的電位相同。
  20. 如申請專利範圍第17項的顯示裝置，其中該電源線在該第一預燒校正週期中的電位與該電源線在該第一正常驅動週期中的電位相同。
  21. 一種顯示裝置，包含：包括發光元件的像素；計時器電路；非工作檢測電路；環境亮度檢測電路；以及驅動方法選擇電路，其中在第一預燒校正週期結束後經過了預定時間時，該計時器電路輸出進入第二預燒校正週期的第一訊號，在該第一預燒校正週期中藉由顯示圖形的第一正常驅動週期獲得該發光元件的特性，其中在顯示裝置在預定時間內未開啟時，該非工作檢測電路輸出進入該第二預燒校正週期的第二訊號，其中在顯示裝置的像素部分周圍的環境亮度接近預定亮度時，該環境亮度檢測電路輸出進入該第二預燒校正週期的第三訊號，以及其中該驅動方法選擇電路輸出第四訊號，用於在輸入 該第一訊號、第二訊號和第三訊號時，從該第一正常驅動週期進入該第二預燒校正週期，並在未輸入該第一訊號、第二訊號和第三訊號時，從該第二預燒校正週期進入第二正常驅動週期。
  22. 如申請專利範圍第21項的顯示裝置，其中該像素內所包括的發光元件的特性藉由在該第一預燒校正週期中檢測流入該發光元件的相反電極的電流來獲得。
  23. 如申請專利範圍第21項的顯示裝置，其中該像素內所包括的發光元件的特性藉由在該第一預燒校正週期中檢測流入該發光元件的電源線的電流來獲得。
  24. 如申請專利範圍第21項的顯示裝置，其中在被假定為易於發生特性退化的區內該像素中的發光元件的特性優先在該第一預燒校正週期中獲得。
  25. 如申請專利範圍第22項的顯示裝置，其中該相反電極在該第一預燒校正週期中的電位與該相反電極在該第一正常驅動週期中的電位相同。
  26. 如申請專利範圍第23項的顯示裝置，其中該電源線在該第一預燒校正週期中的電位與該電源線在該第一正常驅動週期中的電位相同。
  27. 一種顯示裝置，包含：包括發光元件的像素；計時器電路；以及驅動方法選擇電路，其中在第一預燒校正週期結束後經過了預定時間時， 該計時器電路輸出進入第二預燒校正週期的第一訊號，在該第一預燒校正週期中藉由顯示圖形的第一正常驅動週期獲得該發光元件的特性，其中該驅動方法選擇電路輸出第二訊號，用於在輸入該第一訊號時，從該第一正常驅動週期進入該第二預燒校正週期，並在未輸入該第一訊號時，從該第二預燒校正週期進入第二正常驅動週期，以及其中在該第二預燒校正週期中獲得該發光元件的特性。
  28. 如申請專利範圍第27項的顯示裝置，其中該像素內所包括的發光元件的特性藉由在該第一預燒校正週期中檢測流入該發光元件的相反電極的電流來獲得。
  29. 如申請專利範圍第27項的顯示裝置，其中該像素內所包括的發光元件的特性藉由在該第一預燒校正週期中檢測流入該發光元件的電源線的電流來獲得。
  30. 如申請專利範圍第27項的顯示裝置，其中在被假定為易於發生特性退化的區內該像素中的發光元件的特性優先在該第一預燒校正週期中獲得。
  31. 如申請專利範圍第28項的顯示裝置，其中該相反電極在該第一預燒校正週期中的電位與該相反電極在該第一正常驅動週期中的電位相同。
  32. 如申請專利範圍第29項的顯示裝置，其中該電源線在該第一預燒校正週期中的電位與該電源線在該第一正常驅動週期中的電位相同。
  33. 一種顯示裝置，包含：電池；包括發光元件的像素；啟動電路；充電單元檢測電路；以及驅動方法選擇電路，其中該啟動電路可選擇進入顯示影像的第一正常驅動週期、或進入獲得該發光元件特性的預燒校正週期，並且在選擇了進入該預燒校正週期時，輸出進入該預燒校正週期的第一訊號，其中在已對該電池充電時，該充電單元檢測電路輸出進入該預燒校正週期的第二訊號，以及其中該驅動方法選擇電路輸出第三訊號，用於在輸入該第一訊號和第二訊號時，從該第一正常驅動週期進入該預燒校正週期，並在未輸入該第一訊號和第二訊號時，從該預燒校正週期進入第二正常驅動週期。
  34. 如申請專利範圍第33項的顯示裝置，其中該像素內所包括的發光元件的特性藉由在該預燒校正週期中檢測流入該發光元件的相反電極的電流來獲得。
  35. 如申請專利範圍第33項的顯示裝置，其中該像素內所包括的發光元件的特性藉由在該預燒校正週期中檢測流入該發光元件的電源線的電流來獲得。
  36. 如申請專利範圍第33項的顯示裝置，其中在被假定為易於發生特性退化的區內該像素中的發光元件的特 性優先在該預燒校正週期中獲得。
  37. 如申請專利範圍第34項的顯示裝置，其中該相反電極在該預燒校正週期中的電位與該相反電極在該第一正常驅動週期中的電位相同。
  38. 如申請專利範圍第35項的顯示裝置，其中該電源線在該預燒校正週期中的電位與該電源線在該第一正常驅動週期中的電位相同。
  39. 一種顯示裝置，包含：包括發光元件的像素；啟動電路；環境亮度檢測電路；以及驅動方法選擇電路，其中該啟動電路可選擇進入顯示影像的第一正常驅動週期、或進入獲得該發光元件特性的預燒校正週期，並且在選擇了進入該預燒校正週期時，輸出進入該預燒校正週期的第一訊號，其中在顯示裝置的像素部分周圍的環境亮度接近預定亮度時，該環境亮度檢測電路輸出進入該預燒校正週期的第二訊號，其中該驅動方法選擇電路輸出第三訊號，用於在輸入該第一訊號和第二訊號時，從該第一正常驅動週期進入該預燒校正週期，並在未輸入該第一訊號和第二訊號時，從該預燒校正週期進入第二正常驅動週期，以及其中該像素內所包括的發光元件的特性藉由在該預燒 校正週期中檢測流入該發光元件的相反電極的電流來獲得。
  40. 如申請專利範圍第39項的顯示裝置，其中該像素內所包括的發光元件的特性藉由在該預燒校正週期中檢測流入該發光元件的電源線的電流來獲得。
  41. 如申請專利範圍第39項的顯示裝置，其中在被假定為易於發生特性退化的區內該像素中的發光元件的特性優先在該預燒校正週期中獲得。
  42. 如申請專利範圍第39項的顯示裝置，其中該相反電極在該預燒校正週期中的電位與該相反電極在該第一正常驅動週期中的電位相同。
  43. 如申請專利範圍第40項的顯示裝置，其中該電源線在該預燒校正週期中的電位與該電源線在該第一正常驅動週期中的電位相同。
  44. 一種顯示裝置，包含：電池；包括發光元件的像素；啟動電路；充電單元檢測電路；環境亮度檢測電路；以及驅動方法選擇電路，其中該啟動電路可選擇進入顯示影像的第一正常驅動週期、或進入獲得該發光元件特性的預燒校正週期，並且在選擇了進入該預燒校正週期時，輸出進入該預燒校正週 期的第一訊號，其中該充電單元檢測電路在已對該電池充電時，輸出進入該預燒校正週期的第二訊號，其中該環境亮度檢測電路在顯示裝置的像素部分周圍的環境亮度接近預定亮度時，輸出進入該預燒校正週期的第三訊號，以及其中該驅動方法選擇電路輸出第四訊號，用於在輸入該第一訊號、第二訊號和第三訊號時，從該第一正常驅動週期進入該預燒校正週期，並在未輸入該第一訊號、第二訊號和第三訊號時，從該預燒校正週期進入第二正常驅動週期。
  45. 如申請專利範圍第44項的顯示裝置，其中該像素內所包括的發光元件的特性藉由在該預燒校正週期中檢測流入該發光元件的相反電極的電流來獲得。
  46. 如申請專利範圍第44項的顯示裝置，其中該像素內所包括的發光元件的特性藉由在該預燒校正週期中檢測流入該發光元件的電源線的電流來獲得。
  47. 如申請專利範圍第44項的顯示裝置，其中在被假定為易於發生特性退化的區內該像素中的發光元件的特性優先在該預燒校正週期中獲得。
  48. 如申請專利範圍第45項的顯示裝置，其中該相反電極在該預燒校正週期中的電位與該相反電極在該第一正常驅動週期中的電位相同。
  49. 如申請專利範圍第46項的顯示裝置，其中該電 源線在該預燒校正週期中的電位與該電源線在該第一正常驅動週期中的電位相同。
  50. 一種用於驅動顯示裝置的方法，包括以下步驟：在第一預燒校正週期中獲得發光元件的特性，在顯示影像的第一正常驅動週期中過了預定時間時，輸出進入第二預燒校正週期的第一訊號，在對電池充電時，輸出進入該第二預燒校正週期的第二訊號，以及輸出第三訊號，用於在輸入該第一訊號和第二訊號時，從該第一正常驅動週期進入該第二預燒校正週期，並在未輸入該第一訊號或第二訊號時，從該第二預燒校正週期進入第二正常驅動週期。
  51. 一種用於驅動顯示裝置的方法，包括以下步驟：在第一預燒校正週期中獲得發光元件的特性，在顯示影像的第一正常驅動週期中過了預定時間時，輸出進入第二預燒校正週期的第一訊號，以及輸出第二訊號，用於在輸入該第一訊號時，從該第一正常驅動週期進入該第二預燒校正週期，並在未輸入該第一訊號時，從該第二預燒校正週期進入第二正常驅動週期。
  52. 一種用於驅動顯示裝置的方法，包括以下步驟：在第一預燒校正週期中獲得發光元件的特性，在顯示影像的第一正常驅動週期中過了預定時間時，輸出進入第二預燒校正週期的第一訊號， 在顯示裝置在預定時間內未開啟時，輸出進入該第二預燒校正週期的第二訊號，以及輸出第三訊號，用於在輸入該第一訊號和第二訊號時，從該第一正常驅動週期進入該第二預燒校正週期，並在未輸入該第一訊號或第二訊號時，從該第二預燒校正週期進入第二正常驅動週期。
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