CN1920908B - 显示装置及驱动该装置的方法 - Google Patents

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Abstract

当发光元件长时间发光时其特性改变，且其中流动的电流即使在施加相同的电压时也减小。特别地，在具有发光元件的显示装置的情形中，存在显示屏上产生烙印的问题。提供检测各像素中发光元件的特性的烙印校正周期、以及显示图像的正常驱动周期。根据在烙印校正周期中获得的发光元件的特性，通过校正在正常驱动周期中输入给各像素的视频信号，发光元件可发出补偿特性变化的光线。

Description

显示装置及驱动该装置的方法
技术领域
本发明涉及包括晶体管的显示装置以及驱动该装置的方法。具体而言，本发明涉及具有包括薄膜晶体管(以下也称为TFT)的像素的显示装置以及驱动该装置的方法。
背景技术
近年来，使用以液晶的电光特性或电致发光特性来发光的元件的薄型显示器(也称为平板显示器)吸引了人们的注意力，并且其市场有望扩张。其中以玻璃衬底上的TFT形成像素的所谓有源矩阵显示器已被视为与薄型显示器一样重要。特别地，具有多晶硅膜形成的沟道部分的TFT可实现高速操作，因为与常规的使用非晶硅膜的TFT相比，它具有高电子场效应迁移率。因此，可用通过使用与像素在同一衬底上的TFT而形成的驱动电路来控制像素。在玻璃衬底上形成使用TFT的像素和各种功能电路的显示器具有各种优点，诸如部件数减少、由于简化的制造工艺而导致的产量的增长、以及生产力的提高等。
组合了电致发光元件(也称为OLED：有机发光二极管，在此说明书中，以下也将其简称为“EL元件”或“发光元件”)和TFT的有源矩阵显示器作为一种薄型和轻型的显示器已吸引了人们的注意力，并且国内外都已进行了积极的研究。这一显示器也称为有机EL显示器(OELD)，并且已被验证为可被开发为从2英寸的小尺寸到超过40英寸的大尺寸等各种尺寸的显示器以供实际使用。
一般而言，当EL元件退化时，在EL元件中流动的电流与对该EL元件施加的电压之比就会减小。在EL元件中流动的电流与该EL元件的亮度成正比关系；因此在EL元件中流动的电流减小就会导致该EL元件亮度降低。此外，在EL元件中，电压-电流亮度特性比电流-亮度特性退化得更严重。例如，与保持对EL元件施加固定电流时相比，对该EL元件施加固定电压时该EL元件的亮度退化得更早。亦即，与以电流驱动EL元件时相比，以电压来驱动EL元件时更容易引起EL元件中的退化。
作为使用EL元件作为显示介质、并且具有串联在两条电源线之间的EL元件和TFT(以下也称为驱动TFT)的结构的有源矩阵EL显示器的驱动方法，已知有以下方法：驱动TFT在饱和区工作以改变驱动TFT的栅极与源极之间的电压、由此来控制流向EL元件的电流值的方法，以及驱动TFT在线性区工作、由此控制向EL元件提供电压和EL元件发光的时间的方法。此外，在驱动TFT在饱和区中工作的驱动方法中，还已知控制在某段时间里电流流向EL元件的时间、由此来显示灰度级的驱动方法。
在驱动TFT在线性区中工作的方法中，当驱动TFT导通时，两条电源线的电位几乎被原样地施加于EL元件。亦即，EL元件由电压操作。如上所述，与EL元件在由电流操作时相比，EL元件在由电压操作时，该EL元件的亮度退化得更严重。因此，即使是在EL元件的亮度相同的情况下，与驱动TFT在饱和区中工作时相比，驱动TFT在线性区中工作时，亮度也退化得更严重。因此，可以说与驱动TFT在饱和区中工作的有源矩阵EL显示器相比，驱动TFT在线性区中工作的有源矩阵EL显示器中更容易产生烙印(burn-in)。
驱动TFT在线性区中工作的有源矩阵EL显示器中为避免烙印，已知一种测量所有EL元件中的退化条件、并以视频信号来驱动EL元件的方法(见专利文献1)。在此方法中，在每个像素中测量施加了一定电压的EL元件的电流值。当存在具有低电流值的退化像素时，即校正该退化像素的视频信号以获得预定的电流值，这就意味着可获得预定的亮度。
[专利文献1]日本专利特开第2003-195813号公报
但是，在常规技术中，检测发光元件特性的条件是很重要的，因为当像素是用EL元件，即使用包含电致发光物质的发光介质的发光元件形成的时候，在每个像素里的发光元件中流动的电流是很小的(大约是几μA)。例如，如果检测条件不同，则一个发光元件的特性会显著变化，并且作为外部因素的噪声效应也会有很大的变化。
发明内容
本发明的一个目的是提供检测发光元件的特性的指定条件，并更准确地校正发光元件中的退化。
本发明的一种显示装置具有电池、包括发光元件的像素、计时器电路、充电单元检测电路、以及驱动方法选择电路。计时器电路在其间通过显示图像的正常驱动周期获得了发光元件的特性的烙印校正周期结束之后过去预定时间的时候输出进入下一个烙印校正周期的信号。充电单元检测电路在电池已被充电时输出进入烙印校正周期的信号。驱动方法选择电路在从计时器电路和充电单元检测电路都输入了进入烙印校正周期的信号时输出从正常驱动周期进入烙印校正周期，而在没有输入这些进入烙印校正周期的信号中的任何一个时输出从烙印校正周期进入正常驱动周期的信号。
本发明的一种显示装置具有包括发光元件的像素、计时器电路、非操作检测电路、以及驱动方法选择电路。计时器电路在其间通过显示图像的正常驱动周期获得了发光元件特性的烙印校正周期结束之后过去了预定时间的时候输出进入下一个烙印校正周期的信号。非操作检测电路当显示装置在预定的时间里没有被接通时输出进入烙印校正周期的信号。驱动方法选择电路在从计时器电路和非工作检测电路都输入了进入烙印校正周期的信号时输出从正常驱动周期进入烙印校正周期的信号，而在没有输入这些进入烙印校正周期的信号中的任何一个时输出从烙印校正周期进入正常驱动周期的信号。
本发明的一种显示装置具有电池、包括发光元件的像素、计时器电路、充电单元检测电路、环境亮度检测电路、以及驱动方法选择电路。计时器电路在其间通过显示图像的正常驱动周期获得了发光元件特性的烙印校正周期结束之后过去了预定时间的时候输出进入下一个烙印校正周期的信号。充电单元检测电路在电池已被充电时输出进入烙印校正周期的信号。环境亮度检测电路在显示装置的环境亮度接近预定亮度时输出进入烙印校正周期的信号。驱动方法选择电路在从计时器电路、充电单元检测电路和环境亮度检测电路都输入了进入烙印校正周期的信号时输出从正常驱动周期进入烙印校正周期的信号，而在没有输入这些进入烙印校正周期的信号中的任何一个时输出从烙印校正周期进入正常驱动周期的信号。
本发明的一种显示装置具有包括发光元件的像素、计时器电路、非工作检测电路、环境亮度检测电路、以及驱动方法选择电路。计时器电路在其间通过显示图像的正常驱动周期获得了发光元件特性的烙印校正周期结束之后过去了预定时间的时候输出进入下一个烙印校正周期的信号。非工作检测电路当显示装置在预定的时间里没有被接通时输出进入烙印校正周期的信号。环境亮度检测电路在显示装置的环境亮度接近预定亮度时输出进入烙印校正周期的信号。驱动方法选择电路在从计时器电路、非工作检测电路和环境亮度检测电路都输入了进入烙印校正周期的信号时输出从正常驱动周期进入烙印校正周期的信号，而在没有输入这些进入烙印校正周期的信号中的任何一个时输出从烙印校正周期进入正常驱动周期的信号。
本发明的一种显示装置具有包括发光元件的像素、计时器电路、以及驱动方法选择电路。计时器电路在其间通过显示图像的正常驱动周期获得了发光元件特性的烙印校正周期结束之后过去了预定时间的时候输出进入下一个烙印校正周期的信号。驱动方法选择电路在从计时器电路输入了进入烙印校正周期的信号时输出从正常驱动周期进入烙印校正周期的信号，而在没有输入进入烙印校正周期的信号时输出从烙印校正周期进入正常驱动周期的信号。
本发明的一种显示装置具有电池、包括发光元件的像素、启动电路、充电单元检测电路、以及驱动方法选择电路。启动电路可选择其间显示图像的正常驱动周期或是其间获得发光元件的特性的烙印校正周期，并且在选择了进入烙印校正周期时输出进入烙印校正周期的第一信号。充电单元检测电路在电池已被充电时输出进入烙印校正周期的信号。驱动方法选择电路在从启动电路和充电单元检测电路都输入了进入烙印校正周期的信号时输出从正常驱动周期进入烙印校正周期的信号，而在没有输入这些进入烙印校正周期的信号中的任何一个时输出从烙印校正周期进入正常驱动周期的信号。
本发明的一种显示装置具有包括发光元件的像素、启动电路、环境亮度检测电路、以及驱动方法选择电路。启动电路可选择其间显示图像的正常驱动周期或是其间获得发光元件的特性的烙印校正周期，并且在选择了进入烙印校正周期时输出进入烙印校正周期的第一信号。环境亮度检测电路在显示装置的环境亮度接近预定亮度时输出进入烙印校正周期的信号。驱动方法选择电路在从启动电路和环境亮度检测电路都输入了进入烙印校正周期的信号时输出从正常驱动周期进入烙印校正周期的信号，而在没有输入这些进入烙印校正周期的信号中的任何一个时输出从烙印校正周期进入正常驱动周期的信号。
本发明的一种显示装置具有电池、包括发光元件的像素、启动电路、充电单元检测电路、环境亮度检测电路、以及驱动方法选择电路。启动电路可选择其间显示图像的正常驱动周期或是其间获得发光元件的特性的烙印校正周期，并且在选择了进入烙印校正周期时输出进入烙印校正周期的第一信号。充电单元检测电路在电池已被充电时输出进入烙印校正周期的信号。环境亮度检测电路在显示装置的环境亮度接近预定亮度时输出进入烙印校正周期的信号。驱动方法选择电路在从启动电路、充电单元检测电路和环境亮度检测电路都输入了进入烙印校正周期的信号时输出从正常驱动周期进入烙印校正周期的信号，而在没有输入这些进入烙印校正周期的信号中的任何一个时输出从烙印校正周期进入正常驱动周期的信号。
在烙印校正周期里，通过检测流向反电极的电流来获得每个像素中所包括的发光元件的特性，其中反电极是发光元件的一个电极，而且是发光元件的公共电极，并且通过检测电源线中流动的电流来获得每个像素中的发光元件的特性，其中电源线是发光元件的另一个电极，或者优选地获得假定其中很容易产生特性退化的区域中的像素中的发光元件的特性。
烙印校正周期里反电极的电位与正常驱动周期里反电极的电位是相同的。烙印校正周期里电源线的电位与正常驱动周期里电源线的电位是相同的。烙印校正周期里的驱动频率与正常驱动周期里的驱动频率是相同的。
各种开关都可作为本发明中所用的开关来使用。例如，有电开关、机械开关等等。亦即，只要能够控制电流，本发明并不限于特定的开关，而是可使用各种开关。例如，开关可以是晶体管、二极管(诸如PN二极管、PIN二极管、肖特基(Schottky)二极管或连接了二极管的晶体管)、晶闸管、或是以上组合的形式的逻辑电路。在使用晶体管作为开关的情形中，因为晶体管就好像开关一样地工作，所以晶体管的极性(导电性类型)没有具体限制。但是，在需要较低截止电流的情形中，理想的是使用具有截止电流较低的极性的晶体管。作为低截止电流的晶体管，可使用设置了LDD区的晶体管、具有多栅结构的晶体管等。此外，当作为开关来工作的晶体管在其源极端子电位接近低电位一侧的电源(Vss、GND、0V等)的状态中工作时，理想的是使用n沟道晶体管，而当晶体管在其源极端子电位接近高电位一侧的电源(Vdd等)的状态中工作时，理想的是使用p沟道晶体管。这是因为可提高栅-源电压的绝对值，以使晶体管能更容易地起到开关的作用。注意，开关可以是既使用n沟道晶体管又使用p沟道晶体管的CMOS类型。在CMOS开关的情形中，当p沟道和n沟道开关被电连接时，电流将可流动，以使CMOS类型的开关能容易地起到开关的作用。例如，当输入到开关的信号的电压较高时，以及当输入到开关的信号的电压较低时，可适当地输出电压。此外，因为可使作为接通/关断开关的信号的电压的幅值为低，所以可降低功耗。注意，当使用晶体管作为开关时，晶体管具有输入端子(源极端子和漏极端子中的一个)、输出端子(源极端子和漏极端子中的另一个)以及控制连续性的端子(栅极端子)。另一方面，当使用二极管作为开关时，可能会有不提供用于控制连续性的端子的情形。在此情形中，可简化掉用于控制端子的引线。
在本发明中，连接包括电连接、功能连接和直接连接。据此，在本发明中所公开的结构中，还可包括除预定连接以外的其它连接。例如，在一个部分与另一个部分之间可插入启用电连接的至少一个元件(例如，开关、晶体管、电容器、电感器、电阻器或二极管等)。此外，在一个部分与另一个部分之间可布置启用功能连接的一个或多个电路(例如，逻辑电路(诸如反相器、NAND电路或NOR电路)、信号转换器电路(诸如DA转换器电路、AD转换器电路、或伽玛校正电路)、电位电平转换器电路(例如，诸如升压电路或降压电路等电源电路、或者用于改变高(High)信号或低(Low)信号的电位电平的电平移动电路)、功率源、电流源、开关电路、放大器电路(诸如运算放大器、差分放大器电路、源极跟随器电路、缓冲器电路、或可增加信号幅度或电流量的电路)、信号发生电路、存储器电路、或控制电路)。或者，可以不插入其它元件或其它电路而进行直接连接。注意，只有不插入其它元件或其它电路直接进行连接的情形才被描述为“直接连接”。同时，“电连接”的描述包括电连接(即，插入了另一元件的连接)、功能连接(即，插入了另一电路的连接)和直接连接(即，没有插入另一元件或另一电路的连接)。
显示元件、显示装置、发光元件和发光装置可使用各种模式并可包括各种元件。例如，有对比度由电磁作用改变的显示介质，诸如EL元件(例如，有机EL元件、无机EL元件，或包含有机材料或无机材料的EL元件)、电子发射元件、液晶元件、电子墨水、光栅光阀(GLV)、等离子显示器(PDP)、数字微镜装置(DMD)、压电陶瓷显示器、或碳纳米管等。此外，使用EL元件的显示装置包括EL显示器；使用电子发射元件的显示装置包括场致发射显示器(FED)或表面传导电子发射器显示器(SED)；使用液晶元件的显示装置包括液晶显示器、透射型液晶显示器、半透射型液晶显示器、或反射型液晶显示器；而使用电子墨水的显示装置包括电子纸。
在本发明中，晶体管可具有各种模式；因此，适用的晶体管的类型并无特别限制。因而可应用使用以非晶硅或多晶硅为代表的非单晶半导体膜的薄膜晶体管(TFT)等。有鉴于此，甚至可在大尺寸和/或透明的衬底上以低制造温度、低成本来制造晶体管，并且可使光透过晶体管被发射。此外，还可应用使用半导体衬底或SOI衬底形成的MOS晶体管、结型晶体管、双极晶体管等。据此，可制造几乎无差异的晶体管、具有高电流供应能力的晶体管、或是小尺寸的晶体管，或可制造具有很小功耗的电路。此外，还可应用使用诸如ZnO、a-InGaZnO、SiGe或GaAs等化合物半导体的晶体管或薄膜晶体管等。有鉴于此，可以在不是很高的温度，甚至是在室温下进行制造，并且可在诸如塑料衬底或薄膜衬底等低耐热性衬底上直接形成晶体管。此外，可应用以喷墨法或印刷法形成的晶体管等。有鉴于此，可在室温下、在低真空状态中、或在大尺寸的衬底上进行制造。此外，因为无需掩模(光罩)就可进行制造，所以能方便地改变晶体管的布局。此外，可应用使用有机半导体或碳纳米管的晶体管或其它晶体管。有鉴于此，可在柔性衬底上形成晶体管。注意，非单晶半导体膜可包含氢或卤素。此外，在其上设置晶体管的衬底的类型没有具体限制，并可使用各种类型的衬底。由此，例如，可在单晶衬底、SOI衬底、玻璃衬底、石英衬底、塑料衬底、纸衬底、玻璃纸衬底、石衬底、不锈钢衬底、含不锈钢箔的衬底等上形成晶体管。或者，可在衬底上形成晶体管，并可将晶体管转移到要处置的另一衬底。通过使用这些衬底，就可形成具有较佳特性的晶体管或具有很小功耗的晶体管、很难折断的晶体管或是耐热型晶体管。
注意，本发明中晶体管的结构并不限于一定的类型，并可使用各种结构。例如，可使用具有两个或多个栅电极的多栅结构。在多栅结构的情形中，因为沟道区是串联的，所以可获得多个晶体管串联的结构。通过使用多栅结构，可减小截止电流，并增大耐受电压以提高晶体管的可靠性，甚至当晶体管在饱和区工作时漏-源电压有波动的情况下，也可提供平顶特性而不会引起漏-源电流的波动。此外，还可使用在沟道上方和下方形成栅电极的结构。通过使用在沟道上方和下方形成栅电极的这样一种结构，就可扩大沟道区的面积，以增加在其中流动的电流值，并能容易地形成耗尽层以增大S值。在于沟道上方和下方形成栅电极的情形中，可获得多个晶体管并联的结构。此外，可使用以下结构中的任何一种：在沟道上方形成栅电极；在沟道下方形成栅电极；交错结构、反向交错结构；将沟道区分为多个区的结构；将沟道区分为多个区并将其并联的结构；或是将沟道区分为多个区并将其串联的结构等。此外，沟道(或其部分)可与源电极或漏电极重叠。通过形成沟道(或其部分)与源电极或漏电极重叠的结构，就可以防止在电荷积聚在沟道的一部分中的情形中引起的不稳定工作。此外，可提供LDD(轻掺杂漏极)区。通过提供LDD区，就可减小截止电流，增大耐受电压，从而提高晶体管的可靠性，并且即使是在晶体管在饱和区工作时漏-源电压有波动的情况下，也可提供平顶特性而不会引起漏-源电流的波动。
注意，本发明的晶体管可在任何类型的衬底上形成。因此，所有电路可在玻璃衬底、塑料衬底、单晶衬底或SOI衬底上形成。通过在相同的衬底上形成所有电路，就可降低成本，因为可减少部件个数，并可通过减少电路中部件之间的连接数来提高可靠性。或者，可使用在一个衬底上形成一些电路、而在另一衬底上形成其它一些电路的结构。即，并不要求在一个衬底上形成所有电路。例如，可通过使用晶体管在玻璃衬底上形成一些电路，而可在单晶衬底上形成其它一些电路，然后，可通过COG(玻璃上固定芯片)将IC芯片沉积在玻璃衬底上。或者，可通过TAB(载带自动接合)或通过使用印制电路板来将IC芯片连接到玻璃衬底。以此方式，当将一些电路形成于一个衬底上时，就可降低成本，因为可减少部件的个数，并可通过减少电路里部件之间的连接的个数而提高可靠性。此外，优选的是不将具有高驱动电压或高驱动频率的功耗较大的部分形成在同一衬底上，由此可避免功耗的增加。
在本发明中，一个像素对应于可控制亮度的一个元件。因此，例如，一个像素表示一个色彩元件，而色彩元件表示亮度。据此，在以R(红)、G(绿)和B(蓝)色彩元件形成的彩色显示装置的情形中，图像的最小单元由R像素、G像素和B像素三个像素构成。注意，色彩元件并不限于三种，而可以是多种色彩，并可使用除R、G和B以外的其它色彩。例如，可通过增加白色来使用R、G、B和W(W为白色)。或者，可对R、G和B外增加黄、青、品红、翠绿、或朱红等中的一种或多种色彩。此外，可增加与R、G或B中的至少一种色彩类似的色彩。例如，可使用R、G、B1和B2。B1和B2都呈现蓝色，但它们具有不同的频率。通过使用此类色彩元件，就可进行与现实非常相似的显示，并可降低功耗。此外，又如，当通过使用多个区来控制一个色彩元件的亮度时，多个区中的一个对应于一个像素。因此，例如，在进行区域灰度级显示的情形中，为一个色彩元件提供多个区来控制亮度，它们作为整体来表达灰度级。这些用于控制亮度的区中的一个对应于一个像素。因此，在该情形中，一个色彩元件由多个像素构成。此外，在该情形中，对显示起到作用的区根据像素而在尺寸上有所不同。在为一个色彩元件提供的用于控制亮度的多个区，即构成一个色彩元件的多个像素中，可通过给每个像素提供略为不同的信号来扩展视角。应当注意，“一个像素(对于三种色彩)”的描述对应于包括R、G和B三个像素的一个像素。“一个像素(对于一种色彩)”的描述对应于为一个色彩元件提供的像素，并且这些像素被统称为一个像素。
注意，在本发明中，像素可以用矩阵形式来设置(排列)。在此，当描述以矩阵形式来设置(排列)像素时，可能会有在纵向或在横向上以直线或之字形来设置像素的情形。据此，例如在用三色元件(例如，R、G和B)进行全色显示的情形中，可能会有三色元件的点以条状或品字图案排列的情形。此外，可能会有色彩元件的点以拜耳(Bayer)布局的形式来设置的情形。色彩元件并不限于三种，而是可以有更多种。例如，有R、G、B和W(W是白色)，或是R、G、B和黄、青或品红中的至少一种。显示区的面积在各色彩元件的点之间可能有所不同。据此，可降低功耗，并延长显示元件的寿命。
晶体管是有包括栅极、漏极和源极在内的至少三个端子的元件，并且漏极区与源极区之间有沟道形成区，其中电流流经漏极区、沟道区和源极区。在此，因为源极和漏极是取决于晶体管的结构、工作条件等而改变的，所以很难标识哪个是源极哪个是漏极。因此，在本发明中，起到源极和漏极作用的区并不总是被称为源极和漏极。起到源极作用的区和起到漏极作用的区有时分别被称为第一端子和第二端子。注意，晶体管可以是有包括基极、发射极和集电极在内的至少三个端子的元件。在此情形中，发射极和集电极也可分别被称为第一端子和第二端子。
栅极是指栅电极和栅引线(也称为栅极线、栅极信号线等)的部分或全部。栅电极是指这样一种导电膜，它与半导体重叠，以形成沟道区或LDD(轻掺杂漏极)区，其中栅绝缘膜夹在半导体和该区之间。栅极引线是指用于连接不同像素的栅点极的引线，或是用于将栅点极与另一引线相连接的引线。
注意，存在着既起到栅电极作用、又起到栅极引线作用的部分。这一区可被称为栅电极或栅极引线。即，存在栅电极和栅极引线不能被清楚地相互区分的区。例如，在沟道区与延长的栅极引线重叠的情形中，重叠区既起到栅极引线的作用，又起到栅电极的作用。据此，这一区域或可被称为栅电极，或可被称为栅极引线。
此外，用和栅电极相同的材料形成、并被连接到栅电极的区可被称为栅电极。类似地，用和栅极引线相同的材料形成、并被连接到栅极引线的区可被称为栅极引线。在严格意义上，这一个区可能不与沟道区重叠，或者可能不具有连接到另一栅电极的功能。但是，存在此区域是以和栅电极或栅极引线相同的材料形成、并被连接到栅电极或栅极引线以提供足够的制造余量的情形。据此，这一区域也可被称为栅电极或栅极引线。
在多栅晶体管的情形中，例如，通过使用以和栅电极相同的材料形成的导电膜，将一个晶体管的栅电极连接到另一晶体管的栅电极。因为这个区是用于将一个栅电极连接到另一个栅电极的区，所以可将其称为栅极引线，而它也可被称为栅电极，因为多栅晶体管可被视为是一个晶体管。亦即，只要一个区是以和栅电极或栅极引线相同的材料形成、并被连接到该栅电极或栅极引线，该区就可被称为栅电极或栅极引线。此外，例如将栅电极连接到栅极引线的导电膜的一部分也可被称为栅电极或栅极引线。
注意，栅极端子是指栅电极的一部分或者电连接到栅电极的区的一部分。
注意，源极是指源极区、源电极和源极引线(也称为源极线、源信号线等)的局部或全部。源极区是含大量p型杂质(例如，硼或镓)或n型杂质(例如，磷或砷)的半导体区。据此，源极区不包括含少量p型杂质或n型杂质的区，即所谓LDD区。源电极是用与源极区不同的材料形成、并被电连接到源极区的导电层。注意，有源电极和源极区被统称为源电极的情形。源极引线是用于连接不同像素中的源电极的引线，或是用于将源电极与另一导线相连接的引线。
但是，存在既起到源电极作用、又起到源极引线作用的部分。这一部分或可被称为源电极，或可被称为源极引线。亦即，存在源电极和源极引线不能被清楚地相互区分的区。例如，在源极区与延长的源极引线重叠的情形中，重叠区既起到源极引线的作用，又起到源电极的作用。据此，这一个区或可被称为源电极，或可被称为源极引线。
此外，用与源电极相同的材料形成、并被连接到源电极的区以及将一个源电极与另一源电极相连接的部分也都可被称为源电极。与源极区重叠的部分也可被称为源电极。类似地，用与源极引线相同的材料形成、并被连接到源极引线的区也可被称为源极引线。在严格意义上，这一个区可能不具有连接到另一个源电极的功能。但是，存在用与源电极或源极引线相同的材料形成这个区、并将其连接到源电极或源极引线以提供足够的制造余量的情形。据此，这一个区也可被称为源电极或源极引线。
此外，例如将源电极连接到源极引线的导电薄膜的一部分或可被称为源电极，或可被称为源极引线。
注意，源极端子是指源极区、源电极的一部分，或是电连接到源电极的区的一部分。
还要注意，漏极与源极具有相似的结构。
注意，在本发明中，半导体装置是指具有包括半导体元件(诸如晶体管或二极管等)的电路的装置。此外，还可以一般地指通过利用半导体特性来工作的装置。显示装置是指包括显示元件(诸如液晶元件或发光元件)的装置。注意，还可以指其中在一个衬底上形成多个像素(每个像素包括诸如液晶元件或EL元件等显示元件)或用于驱动这些像素的外围驱动电路的显示面板的主体。此外，显示装置还可包括以引线接合、凸块等所谓的玻璃上固定芯片(COG)接合而在衬底上形成的外围驱动电路。此外，还可包括附着了柔性印制电路板(FPC)或印刷线路板(PWB)的装置(诸如IC、电阻器、电容器、电感器或晶体管等)。此外，还可包括诸如偏振片或迟滞膜等光学薄片。此外，还可包括背光单元(可包括光波导板、棱镜片、漫射片、反射片或光源(诸如LED或冷阴极管))。此外，发光装置是指特别包括诸如EL元件或FED中所使用的元件等自发光型显示元件的显示装置。液晶显示装置是指包括液晶元件的显示装置。
在本发明中，当描述将一个对象形成在另一个对象上时，并不必然意味着该对象与另一对象直接接触，并且还包括上述两个对象不直接相互接触、即在它们之间夹着另一个对象的情形。据此，当描述在层A上形成层B时，或是指形成与层A直接接触的层B的情形，或是指形成与层A直接接触的另一个层(例如，层C或层D)、并形成与层C或D直接接触的层B的情形。类似地，当描述将一个对象形成在另一个对象上方时，并不必然意味着该对象与另一对象直接接触，在它们之间还可夹着另一个对象。据此，当描述在层A上形成层B时，或是指形成与层A直接接触的层B的情形，或是指形成与层A直接接触的另一个层(例如，层C或层D)，然后形成与层C或D直接接触的层B的情形。类似地，当描述将一个对象形成在另一个对象下方或下面的时候，或是指这些对象直接相互接触的情形，或是指这些对象不直接相互接触的情形。
在此说明书中，“源极信号线”是指连接到源极驱动器的输出、以从源极驱动器发送用于控制像素工作的视频信号的引线。
此外，在此说明书中，“栅极信号线”是指连接到栅极驱动器的输出、以从栅极驱动器发送用于控制写到像素的视频信号的选中/不选中的扫描信号的引线。
除了其间显示图像的正常驱动周期以外，还提供其间检测每个像素中的发光元件的特性的烙印校正周期，并根据在烙印校正周期中获得的发光元件特性来校正在正常驱动周期中输入到每个像素的视频信号，由此，发光元件可发出补偿了发光元件特性的变化的光。
此外，通过提供烙印校正周期，用户就不会感到不适，并且还可保持获得这些特性的一定条件，这将导致能更准确地获得发光元件的特性。
附图说明
图1示出实施方式1的显示装置；
图2示出实施方式1的显示装置；
图3示出实施方式2的显示装置；
图4示出实施方式2的显示装置；
图5示出实施方式3的显示装置；
图6示出实施方式3的显示装置；
图7示出实施方式3的显示装置；
图8示出实施方式4的显示装置；
图9示出实施方式5的显示装置；
图10示出实施方式6的显示装置；
图11示出实施方式7的显示装置；
图12示出实施方式8的显示装置；
图13示出实施方式9的显示装置；
图14示出实施方式10的显示装置；
图15示出实施方式11的显示装置；
图16示出实施方式12的显示装置；
图17示出实施方式13的显示装置；
图18示出实施方式14的显示装置；
图19示出实施方式15的显示装置；
图20示出实施方式16的显示装置；
图21示出实施方式17的显示装置；
图22示出实施方式18的显示装置；
图23示出实施方式19的显示装置；
图24A和24B示出实施例1的显示装置；
图25A到25C示出实施例6的显示装置；
图26是实施例7的显示装置；
图27A到27D是实施例8的显示装置；
图28A和28B示出实施例2的显示装置；
图29A和29B示出实施例2的显示装置；
图30A和30B示出实施例2的显示装置；
图31A到31C示出实施例3的显示装置；
图32A到32D示出实施例3的显示装置；
图33A到33C示出实施例3的显示装置；
图34A到34D示出实施例3的显示装置；
图35A到35D示出实施例3的显示装置；
图36A到36D示出实施例3的显示装置；
图37A和37B示出实施例3的显示装置；
图38A和38B示出实施例3的显示装置；
图39示出实施例4的显示装置；
图40A到40E示出实施例4的显示装置；
图41A和41B示出实施例5的显示装置；
图42A和42B示出实施例5的显示装置；
图43A和43B示出实施例5的显示装置；
图44示出实施方式26的显示装置；
图45A到45C示出实施方式26的显示装置；
图46示出实施方式26的显示装置；
图47示出实施方式21的显示装置；
图48示出实施方式24的显示装置；
图49示出实施方式24的显示装置；
图50示出实施方式22的显示装置；
图51示出实施方式26的显示装置；
图52示出实施方式26的显示装置；
图53示出实施方式23的显示装置；
图54示出实施方式23的显示装置；
图55示出实施方式23的显示装置；
图56示出实施方式23的显示装置；
图57示出实施方式26的显示装置；
图58示出实施方式26的显示装置；
图59示出实施方式26的显示装置；
图60示出实施方式26的显示装置；
图61示出实施方式4的显示装置；
图62示出实施方式5的显示装置；
图63示出实施方式6的显示装置；
图64示出实施方式7的显示装置；
图65示出实施方式8的显示装置；
图66示出实施方式9的显示装置；
图67示出实施方式10的显示装置；
图68示出实施方式11的显示装置；
图69示出实施方式12的显示装置；
图70示出实施方式13的显示装置；
图71示出实施方式14的显示装置；
图72示出实施方式15的显示装置；
图73示出实施方式16的显示装置；
图74示出实施方式17的显示装置；
图75示出实施方式18的显示装置；
图76示出实施方式19的显示装置；
图77A和77B示出本发明的显示装置的应用示例；
图78示出本发明的显示装置的应用示例；
图79A和79B示出本发明的显示装置的应用示例；
图80示出本发明的显示装置的应用示例；
图81示出本发明的显示装置的应用示例；以及
图82示出本发明的显示装置的应用示例；
具体实施方式
以下将详细参考附图来描述本发明的实施方式。但是，本发明并不限于以下描述，并且本领域技术人员能很容易地理解各种更改和修改都是可能的，除非这些更改和修改偏离本发明的精神和范围。因此，不应将本发明解释为限于以下实施方式的描述。
[实施方式1]
参考图1对本发明的显示装置的第一结构进行描述。
在图1中，源极驱动器101是通过由附图标记S1-R到Sn-B指示的源极信号线103向像素109输出视频信号的电路。视频信号可同时输出到所有的源极信号线103。或者，视频信号可逐列输出，或可同时输出到多条源极信号线。
栅极驱动器102逐行扫描由附图标记G1到Gm指示的栅极信号线104，并判断视频信号是否可被写到像素109。从源极驱动器101输出的信号被输入到选中的行中的像素109，而从源极驱动器101输出的视频信号不被输出到没有被选中的行中的像素109。
像素109包括至少一个具有一对电极的发光元件；连接到该发光元件的其中一个电极的驱动TFT；以及由选中的栅极信号线104接通、并被电连接到源极信号线103和驱动TFT的栅极的开关。当栅极信号线104没有被选中时，其开关被关断。可在源极信号线103与驱动TFT的栅极之间设置另一开关或另一TFT，或可串联一电容器。在图1中，像素109中所包括的发光元件发出R(红)、G(绿)和B(蓝)光。可向其增加发W(白)光的发光元件。或者，像素109中所包括的发光元件可发射R(红)、G(绿)、B(蓝)或W(白)中的任何一种光。此外，可用白色(W)的单色发射与滤色片来表示色彩。
电源R110从一个端子通过电源线R 105向包括发R(红)光的发光元件的像素109提供预定电压。电源G111从一个端子通过电源线G106向包括发G(绿)光的发光元件的像素109提供预定电压。电源线B112从一个端子通过电源线B107向包括发B(蓝)光的发光元件的像素109提供预定电压。
电源R110、G111和B112的一个端子被连接到所有像素109中包括的发光元件的反电极108以提供预定电压。
电流值检测电路113串联到反电极108，并根据从控制器115输出的电流值检测控制信号来控制是否要检测反电极108的电流值。当检测到反电极108的电流时，向校正电路114输出所检测到的电流值数据。
校正电路114存储电流值检测电路113所获得的反电极108的电流值。然后，根据反电极108的数据，即像素109中发光元件的特性，来执行对从输入自控制器115的图像信号115a生成的驱动控制信号和视频信号的校正。源极驱动器101和栅极驱动器102由经校正的驱动控制信号114a和视频信号114b来驱动。注意，可仅校正视频信号。此外，可提供另一存储器电路，用于存储电流值检测电路113所获得的反电极108的电流值数据。
控制器115向校正电路114发送图像信号115a，并向电流值检测电路113发送电流值检测控制信号115b并对它们进行控制。此外，控制器根据图像信号115a和电流值检测控制信号115b来切换如下所述的烙印校正周期和正常驱动周期。
电池117(也称为蓄电池)向起到电源作用的电源生成电路116输出恒定电压。为电池117提供充电单元118，并且当电池117的电位降低时，可由充电单元118对其充电。充电单元118可在任意时机使用。
电源生成电路116可从自电池117提供的恒定电压生成各种电压。所生成的电压作为电源被提供给显示装置驱动电路100。
尽管示出电池117作为向电源生成电路116提供的电源的示例，但是也可使用单相AC电源或三相AC电源。或者，可使用提供从单相AC电源或三相AC电源生成的恒定电压的电源。当使用单相AC电源或三相AC电源时，就不需要充电单元118。因此电源的电压不会降低，这是有利的，因为电池117在下述烙印校正周期里不会被耗尽。
参考图2对本发明的显示装置的第一结构的驱动方法进行描述。
在第一结构的驱动方法中，烙印校正周期和正常驱动周期是单独设置的，并且在烙印校正周期中执行第一结构的驱动方法。正常驱动周期是显示图像的时间。烙印校正周期是获得像素109中所包括的发光元件的特性的时间。
以下描述正常驱动周期。在正常驱动周期中，像素109中所包括的发光元件的特性已被存储在校正电路114中。校正电路114根据像素109中所包括的发光元件的特性数据来校正从自控制器115输入的图像信号生成的驱动控制信号和视频信号，并向源极驱动器101和栅极驱动器102输出经校正的驱动控制信号114a和视频信号114b。然后，源极驱动器101向源极信号线103输出视频信号。栅极驱动器102扫描栅极信号线104来使像素109发光，从而显示与图像信号115相符的图像。此时，如果像素109中所包括的发光元件的特性没有被存储在校正电路114中，则不必校正驱动控制信号和视频信号。在此情形中，将不根据从控制器115输出的电流值检测控制信号115b来操作电流值检测单元113。即，不检测反电极108的电流，并且不向校正电路114输出电流值数据113a。
以下描述烙印校正周期。在烙印校正周期中，检测像素109中所包括的发光元件的特性，以将在电流值检测电路113中检测到的数据存储在校正电路114中。从控制器115向校正电路114输出像素藉以逐一发光的图像信号115a。此时，不根据存储在校正电路114中的像素109中所包括的发光元件的特性数据来校正驱动控制信号和视频信号。此外，电流值检测电路113由电流值检测控制信号115b控制，从而获得每个像素中的反电极的电流值，并将其输出到校正电路114以便于存储在校正电路114中。由此，包括每个像素109的发光元件的特性的反电极108的电流可被存储在校正电路114中。要被存储在校正电路114中的电流值数据在每个烙印校正周期中更新。即，数据被重写，这意味着不需要用于存储每个烙印校正周期中的新数据的存储器。
在本发明的显示装置的第一结构中，反电极108被连接到电流值检测电路113。因为反电极为每个像素109所共享，所以用一个电流值检测电路113即可检测每个像素109中的发光元件的特性。由此，可减小用于检测像素109中所包括的发光元件的特性的电路的大小，这导致空间和功耗的减小。
[实施方式2]
参考图3对本发明的显示装置的第二结构进行描述。
在此实施方式中，源极驱动器101、栅极驱动器102、源极信号线103、栅极信号线104、电源线R105、电源线G106、电源线B107、反电极108、像素109、电源R110、电源G111、电源B112、电流值检测电路113、校正电路114、控制器115、电源生成电路116、电池117和充电单元118与实施方式1中的对应部分具有相似的功能。
电流值检测电路113具有与实施方式1中所描述的电流值检测电路113相似的功能，它被串联到电源R110、电源G111和电源B112。根据从控制器115输出的电流值检测控制信号115b来控制是否检测电源R110、电源G111和电源B112的电流值。当检测到电源R110、电源G111和电源B112的电流时，所检测到的电流值数据113a被输出到校正电路114。
参考图4对本发明的显示装置的第二结构的驱动方法进行描述。
在第二结构的驱动方法中，烙印校正周期和正常驱动周期是单独设置的，并且在烙印校正周期中执行第二结构的驱动方法。正常驱动周期是显示图像的时间。烙印校正周期是获得像素109中所包括的发光元件的特性的时间。
以下描述正常驱动周期。在正常驱动周期中，像素109中所包括的发光元件的特性已被存储在校正电路114中。校正电路114根据像素109中所包括的发光元件的特性数据来校正从自控制器115输入的图像信号生成的驱动控制信号和视频信号，并向源极驱动器101和栅极驱动器102输出经校正的驱动控制信号114a和视频信号114b。然后，源极驱动器101向源极信号线103输出视频信号。栅极驱动器102扫描栅极信号线104来使像素109发光，从而显示与图像信号115a相符的图像。
以下描述烙印校正周期。在烙印校正周期中，检测像素109中所包括的发光元件的特性，以将其存储在校正电路114中。从控制器115向校正电路114输出像素109藉以同时发出R、G和B光的图像信号115a。此时，不根据存储在校正电路114中的像素109中所包括的发光元件的特性数据来校正驱动控制信号和视频信号。此外，电流值检测电路113由电流值检测控制信号115b控制，从而同时获得每个像素中的电源线R105、电源线G106和电源线B107的电流值，并将其输出到校正电路114以便于存储在校正电路114中。由此，每个都包括像素109的发光元件的特性的电源线R105、电源线G106和电源线B107的电流可被存储在校正电路114中。要被存储在校正电路114中的电流值数据113a在每个烙印校正周期中更新。即，数据被重写，这意味着不需要用于存储每个烙印校正周期中的新数据的存储器。
在本发明的显示装置的第二结构中，电源线R105、电源线G106和电源线B107被连接到电流值检测电路113。电源线R105、电源线G106和电源线B107到电流值检测电路113的连接使得能够并发地检测像素109中所包括的发出R、G和B光的发光元件的特性。由此可大大缩短烙印校正周期。
[实施方式3]
参考图5对本发明的显示装置的第三结构进行描述。
在此实施方式中，源极驱动器101、栅极驱动器102、源极信号线103、栅极信号线104、电源线R105、电源线G106、电源线B107、反电极108、像素109、电源R110、电源G111、电源B112、电流值检测电路113、校正电路114、控制器115、电源生成电路116、电池117和充电单元118与实施方式1和2中的对应部分具有相似的功能。
电流值检测选择器电路513被串联到电源线R105、电源线G106和电源线B107。电流值检测选择器电路513选择电源线R105、电源线G106和电源线B107中的一根，并检测其电流。
参考图6对本发明的显示装置的第三结构的驱动方法进行描述。
在第三结构的驱动方法中，烙印校正周期和正常驱动周期是单独设置的，并且在烙印校正周期中执行第三结构的驱动方法。正常驱动周期是显示图像的时间。烙印校正周期是获得像素109中所包括的发光元件的特性的时间。
以下描述正常驱动周期。在正常驱动周期中，像素109中所包括的发光元件的特性已被存储在校正电路114中。校正电路114根据像素109中所包括的发光元件的特性数据来校正从自控制器115输入的图像信号115a生成的驱动控制信号和视频信号，并向源极驱动器101和栅极驱动器102输出经校正的驱动控制信号114a和视频信号114b。然后，源极驱动器101向源极信号线103输出视频信号101a。栅极驱动器102扫描信号102a，并扫描栅极信号线104来使像素109发光，从而显示与视频信号相符的图像。
以下描述烙印校正周期。在第三结构的驱动方法中，有两种烙印校正周期，称为烙印校正周期1和烙印校正周期2。
以下描述烙印校正周期1。在烙印校正周期1中，检测像素109中所包括的发光元件的特性，以将其存储在校正电路114中。从控制器115向校正电路114输出像素藉以逐一发光的图像信号115a。此时，不根据存储在校正电路114中的像素109中所包括的发光元件的特性数据来校正驱动控制信号和视频信号。此外，电流值检测选择器电路513由电流值检测控制信号115b控制，从而依次获得电源线R105、电源线G106和电源线B107的每个像素中的电流，并将其输出到校正电路114以便于存储在校正电路114中。由此，包括每个像素109的发光元件的特性的电源线R105、电源线G106和电源线B107的电流可被存储在校正电路114中。要被存储在校正电路114中的电流值数据513a在每个烙印校正周期中更新。即，数据被重写，这意味着不需要用于存储每个烙印校正周期中的新数据的存储器。
以下描述烙印校正周期2。在烙印校正周期2中，检测像素109中所包括的发光元件的特性，以将其存储在校正电路114中。从控制器115向校正电路114输出像素109藉以同时发出R、G和B光的图像信号115a。此时，不根据存储在校正电路114中的像素109中所包括的发光元件的特性数据来校正驱动控制信号和视频信号。此外，电流值检测选择器电路513由电流值检测控制信号115b控制，从而依次获得电源线R105、电源线G106和电源线B107的每个像素中的电流，并将其输出到校正电路114以便于存储在校正电路中。由此，包括每个像素109的发光元件的特性的电源线R105、电源线G106和电源线B 107的电流可被存储在校正电路114中。要被存储在校正电路114中的电流值数据513a在每个烙印校正周期中更新。即，数据被重写，这意味着不需要用于存储每个烙印校正周期中的新数据的存储器。
参考图7对电流值检测选择器电路513的结构示例进行描述。
在烙印校正周期1和烙印校正周期2中，选择开关701选择电源线R105、电源线G106和电源线B107的每一根是连接到端子a还是端子b。注意，电源线R105、电源线G106和电源线B107的选择开关701中的一个连接到端子a。没有连接到端子a的所有电源线都连接到端子b。
电流值检测电路113检测由选择开关701连接到端子b的电源线中流动的电流。在正常驱动周期中，所有选择开关701都连接到端子a。
在本发明的显示装置的第三结构中，电源线R105、电源线G106和电源线B107连接到电流值检测选择器电路513。电源线R105、电源线G106和电源线B107到电流值检测选择器电路513的连接使得能够用一个电流值检测电路113来检测电源线R105、电源线G106和电源线B107的每一根的电流。由此可减小用于检测像素109中所包括的发光元件的特性的电路的大小，这导致空间和功耗降低。
[实施方式4]
参考实施方式1到3所适用的图8的流程图对从正常驱动周期进入烙印校正周期的时机和条件进行描述。在该流程图中，矩形框表示过程，而菱形框表示判定。
在此实施方式中，“正常驱动周期”是指如实施方式1到3中所述的其间可根据视频信号来显示图像的时间。
“烙印校正周期”是指如实施方式1到3中所述的其间获得发光元件的特性的时间。
在“经过预定时间”的步骤中，判断在从上一个烙印校正周期进入正常驱动周期之后是否已经过去了预定的时间。
在“充电周期”的步骤中，判断用户是否在对本发明的电子设备上所安装的电池充电。
在“所有像素终止”的判定中，判断在烙印校正周期中是否已获得所有像素中所包括的发光元件的特性。
在“操作启动”的判定中，判断用户是否操作了本发明的电子设备。
以下对图8的流程图进行描述。如果在“经过预定时间”中，在从上一个“烙印校正周期”进入“正常驱动周期”的过程之后，还没有过去预定时间，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果已经过去了预定时间，则该过程进入“充电周期”。如果在“充电周期”中没有对电池充电，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果在对电池充电，则该过程进入“烙印校正周期”。当该过程进入“烙印校正周期”时，执行在实施方式1到3的烙印校正周期中所描述的操作，然后该过程进入“所有像素终止”。如果在“所有像素终止”中获得了所有像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果没有获得所有像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“充电周期”。如果在“充电周期”中没有对电池充电，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果在对电池充电，则该过程进入“操作启动”。如果在“操作启动”中用户启动了操作，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果用户没有启动操作，则该过程进入“烙印校正周期”。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“经过预定时间”，就可控制进入烙印校正周期的次数。在烙印校正周期中，像素中所包括的发光元件需要如实施方式1到3中所述地发光。因此，进入烙印校正周期的频率降低可防止像素中所包括的发光元件因烙印校正周期而发生的退化。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“充电周期”，该过程可在对电池进行充电的同时进入烙印校正周期。在烙印校正周期中，像素中所包括的发光元件发光，从而如实施方式1到3中所述地存储发光元件的特性。因此，其间的功耗较大。在充电的同时进入烙印校正周期可防止电池功率因烙印校正周期而降低。此外，当在对电池进行充电时，用户很可能已经结束对电子设备的使用，因而该过程不大可能会返回正常驱动周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“所有像素终止”，就可在相同条件下检测所有像素中所包括的发光元件的特性。当检测像素中所包括的发光元件的特性的条件，即操作环境相同时，就可抑制因操作环境的差异而导致的特性的差异。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“充电周期”，该过程可在结束对电池进行充电时即进入正常驱动周期。通过在完成对电池进行充电时即从烙印校正周期进入正常驱动周期，就可抑制电池耗尽。此外，当结束对电池进行充电时，用户很可能正准备使用电子设备；因此该过程需要进入正常驱动周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“操作启动”，该过程可在用户正准备使用电子设备等时立即进入正常驱动周期。
如果该过程从烙印校正周期经由“充电周期”和“操作启动”进入正常驱动周期，则烙印校正周期在检测了所有像素中所包括的发光元件的特性以前结束。在此情形中，在上一个烙印校正周期中没有检测的像素中所包括的发光元件的特性可在下一个烙印校正周期中检测。此外，当该过程进入下一个烙印校正周期时，优选的是“经过预定时间”中的预定时间较短。该预定时间优选是0秒，并且该过程优选经由下一个“充电周期”进入烙印校正周期。
参考图61对用于实现此实施方式中所描述的图8的流程图的控制器115的结构和操作进行描述。
在图61中，驱动方法选择电路6103判定并选择图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行实施方式1到3中所描述的正常驱动周期还是烙印校正周期的操作。当从自其向驱动方法选择电路6103输入信号的电路输入了进入烙印校正周期的信号时，驱动方法选择电路6103向图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101输出用于进行烙印校正周期的操作的信号。在其它情形中，从其输出进行正常驱动周期的操作的信号。例如，驱动方法选择电路6103包括含NOR、AND的鉴别电路。
图像信号生成电路6100输出图像信号和校正电路控制信号115a。当驱动方法选择电路6103选择了正常驱动周期的操作时，输出校正电路114藉以进行实施方式1到3中所描述的正常驱动周期的操作的图像信号和校正电路控制信号115a。当驱动方法选择电路6103选择了烙印校正周期的操作时，输出校正电路114藉以进行实施方式1到3中所描述的烙印校正周期的操作的图像信号和校正电路控制信号。
电流值检测控制信号生成电路6101输出电流值检测控制信号115b。当驱动方法选择电路6103选择了正常驱动周期的操作时，输出电流值检测电路113藉以进行实施方式1到3中所描述的正常驱动周期的操作的电流值检测控制信号115b。当驱动方法选择电路6103选择了烙印校正周期的操作时，输出电流值检测电路113藉以进行实施方式1到3中所描述的烙印校正周期的操作的电流值检测控制信号115b。
计时器电路6104检测从烙印校正周期结束起经过的时间。当烙印校正周期结束且该过程进入正常驱动周期时，从视频信号生成电路6100输出复位信号6100a，并且进入烙印校正周期的信号停止。注意，只要复位信号6100a是在烙印校正周期结束时向计时器电路6104输入的，复位信号6100a就可从任何地方输出。当计时器电路6104所检测到的时间长于预定时间时，向驱动方法选择电路6103输出进入烙印校正周期的信号。如果没有检测所有像素或设定像素的特性，则不必输入向计时器电路6104输入的复位信号6100a。例如，计时器电路6104包括复位信号生成电路、计时器、以及计数值生成电路、存储器、或存储与预定时间对应的计数值的寄存器。
充电单元检测电路6105判断充电单元118是否在对电池117进行充电。如果在对电池117充电，则向驱动方法选择电路6103输出进入烙印校正周期的信号。例如，充电单元检测电路6105包括端子、高电阻率元件、以及判断1或0的鉴别电路。
以下对此实施方式中的操作进行描述。当从向计时器电路6104输入复位信号6100a起已经过预定时间、即从上一个烙印校正周期结束起已经过预定时间，且充电单元检测电路6105检测到电池117充电时；驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行烙印校正周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行烙印校正周期的操作。在其它情形中，驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行正常驱动周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行正常驱动周期的操作。在检测所有像素的特性之后，向计时器电路6104输入复位信号6100a。在此实施方式中，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，进行“经过预定时间”的判断、“充电周期”的判断、“所有像素终止”的判断、“操作启动”的判断，本发明可通过进行“经过预定时间”的判断、“充电周期”的判断、“所有像素终止”的判断、“操作启动”的判断中的至少一个来操作。即，例如，在正常驱动周期与烙印校正周期之间，仅进行经过预定时间的判断。在此情形中，通过至少使用计时器电路6104和驱动方法选择电路6103来进行该操作。
[实施方式5]
参考实施方式1到3适用的图9的流程图对从正常驱动周期进入烙印校正周期的时机和条件进行描述。在该流程图中，矩形框表示过程，而菱形框表示判定。
在此实施方式中，“正常驱动周期”的过程、“烙印校正周期”的过程、“经过预定时间”的判定、“充电周期”的判定、以及“操作启动”的判定与实施方式4中的相类似。在“设定像素终止”的判定中，判断是否已获得预设像素中所包括的发光元件的特性。预设像素是指在所有像素被分成多个部分的情况下一个部分中所包括的像素。例如，当所有像素被分成两部分时，就形成了上半部分和下半部分。
以下对图9的流程图的流程进行描述。通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“经过预定时间”，就可控制进入烙印校正周期的次数。在烙印校正周期中，像素中所包括的发光元件需要如实施方式1到3中所述地发光。因此，进入烙印校正周期的频率降低可避免像素中所包括的发光元件因烙印校正周期而发生的退化。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“充电周期”，该过程可在对电池进行充电的同时进入烙印校正周期。在烙印校正周期中，像素中所包括的发光元件发光，从而如实施方式1到3中所述地存储发光元件的特性。因此，其间的功耗较大。在对电池进行充电的同时进入烙印校正周期可防止电池功率因烙印校正周期而降低。此外，当在对电池进行充电时，用户很可能已经结束对电子设备的使用，因而该过程不大可能会返回正常驱动周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“设定像素终止”，该过程就可在不中断烙印校正周期的情况下进入正常驱动周期。此外，该过程还可选择性地在假定其中容易产生烙印的部分中进入烙印校正周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“充电周期”，该过程可在结束对电池进行充电时即进入正常驱动周期。通过在完成对电池进行充电时即从烙印校正周期进入正常驱动周期，就可抑制电池耗尽。此外，当结束对电池进行充电时，用户很可能正准备使用电子设备；因此该过程需要进入正常驱动周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“操作启动”，该过程可在用户正准备使用电子设备等时立即进入正常驱动周期。
如果该过程从烙印校正周期经由“充电周期”和“操作启动”进入正常驱动周期，则烙印校正周期在检测了预设像素中所包括的发光元件的特性以前结束。在此情形中，在上一个烙印校正周期中没有检测的像素中所包括的发光元件的特性可在下一个烙印校正周期中检测。此外，当该过程进入下一个烙印校正周期时，优选的是“经过预定时间”中的预定时间较短。该预定时间优选是0秒，并且该过程优选经由下一个“充电周期”进入烙印校正周期。
参考图62对用于实现此实施方式中所描述的图9的流程图的控制器115的结构和操作进行描述。
在此实施方式中，图像信号生成电路6100、电流值检测控制信号生成电路6101、驱动方法选择电路6103、计时器电路6104和充电单元检测电路6105与实施方式4中的相类似。
在所有像素被分为多个部分的情况下，检测像素设置电路6106指定一个部分中所包括的像素。
以下对此实施方式中的操作进行描述。当从向计时器电路6104输入复位信号6100a起已经过预定时间、即从上一个烙印校正周期结束起已经过预定时间，且充电单元检测电路6105检测到电池117的充电时；驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行烙印校正周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行烙印校正周期的操作。在其它情形中，驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行正常驱动周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行正常驱动周期的操作。在检测由检测像素设置电路6106设定的像素的特性之后，向计时器电路6104输入复位信号6100a。在此实施方式中，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，进行“经过预定时间”的判断、“充电周期”的判断、“设定像素终止”的判断、“操作启动”的判断，本发明可通过进行“经过预定时间”的判断、“充电周期”的判断、“设定像素终止”的判断和“操作启动”的判断中的至少一个来操作。即，例如，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，仅进行“充电周期”的判断。在此情形中，通过至少使用充电单元检测电路6105和驱动方法选择电路6103来进行该操作。
[实施方式6]
参考实施方式1到3适用的图10的流程图对从正常驱动周期进入烙印校正周期的时机和条件进行描述。在该流程图中，矩形框表示过程，而菱形框表示判定。
在图10中，“正常驱动周期”的过程是指如实施方式1到3中所述的可根据视频信号来显示图像的时间。
在此实施方式中，“烙印校正周期”的过程、“经过预定时间”的判定、“所有像素终止”的判定、以及“操作启动”的判定与实施方式4中的相类似。在“非工作周期”的判定中，判断用户是否已操作电子设备等预定的时间。
以下对图10的流程图的流程进行描述。如果在“经过预定时间”中，在该过程从上一个“烙印校正周期”进入“正常驱动周期”之后尚未经过预定时间，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果已经过预定时间，则该过程进入“非操作周期”。如果用户在“非工作周期”中操作电子设备等预定的时间，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果用户没有操作电子设备等预定的时间，则该过程进入“烙印校正周期”。当该过程进入“烙印校正周期”时，执行实施方式1到3中的烙印校正周期中所描述的操作，然后该过程进入“所有像素终止”。如果在“所有像素终止”中获得了所有像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果没有获得所有像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“操作启动”。如果用户在“操作启动”中启动操作，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果用户没有启动操作，则该过程进入“烙印校正周期”。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“经过预定时间”，就可控制进入烙印校正周期的次数。在烙印校正周期中，像素中所包括的发光元件需要如实施方式1到3中所述地发光。因此，进入烙印校正周期的频率降低可避免像素中所包括的发光元件因烙印校正周期而发生的退化。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“非工作周期”，该过程可在用户不操作电子设备等时进入烙印校正周期。当用户没有操作电子设备等预定的时间时，可以判断没有在使用该电子设备等。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“所有像素终止”，就可在相同条件下检测所有像素中所包括的发光元件的特性。当检测像素中所包括的发光元件的特性的条件、即操作环境相同时，就可抑制由于操作环境不同而导致的特性差异。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“操作启动”，该过程可在用户正准备使用电子设备等时立即进入正常驱动周期。
如果该过程从烙印校正周期经由“操作启动”进入正常驱动周期，则烙印校正周期在检测了所有像素中所包括的发光元件的特性以前结束。在此情形中，在上一个烙印校正周期中没有检测的像素中所包括的发光元件的特性可在下一个烙印校正周期中检测。此外，当该过程进入下一个烙印校正周期时，优选的是“经过预定时间”中的预定时间较短。该预定时间优选是0秒，并且该过程优选经由下一个“非操作周期”进入烙印校正周期。
参考图63对用于实现此实施方式中所描述的图10的流程图的控制器115的结构和操作进行描述。
在此实施方式中，图像信号生成电路6100、电流值检测控制信号生成电路6101、驱动方法选择电路6103和计时器电路6104与实施方式4中的相类似。
非工作周期检测电路6301检测用户是否已操作电子设备等预定的时间。当已经过预定时间时，向驱动方法选择6103输出进入烙印校正周期的信号。例如，非工作周期检测电路6301包括复位信号生成电路、计数器和计数值生成电路、存储器、或存储与预定的时间对应的计数的寄存器。
以下对此实施方式中的操作进行描述。当从向计时器电路6104输入复位信号6100a起已经过预定时间、即从上一个烙印校正周期结束起已经过预定时间，且用户没有操作电子设备预定的时间时；驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行烙印校正周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行烙印校正周期的操作。在其它情形中，驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101以进行正常驱动周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行正常驱动周期的操作。在检测所有像素的特性之后，向计时器电路6104输入复位信号6100a。在此实施方式中，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，进行“经过预定时间”的判断、“非工作周期”的判断、“所有像素终止”的判断和“操作启动”的判断，本发明可通过进行“经过预定时间”的判断、“非工作周期”的判断、“所有像素终止”的判断和“操作启动”的判断中的至少一个来操作。即，例如，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，仅进行“非工作周期”的判断。在此情形中，通过至少使用非工作检测电路6301和驱动方法选择电路6103来进行该操作。
[实施方式7]
参考实施方式1到3适用的图11的流程图对从正常驱动周期进入烙印校正周期的时机和条件进行描述。在该流程图中，矩形框表示过程，而菱形框表示判定。
在此实施方式中，“正常驱动周期”、“烙印校正周期”、“经过预定时间”和“操作启动”与实施方式4中的相类似。“非工作周期”步骤与实施方式6中的相类似。在“设定像素终止”的判定中，判断是否已获得预设像素中所包括的发光元件的特性。预设像素是指当所有像素被分成多个部分时一个部分中所包括的像素。例如，当所有像素被分成两部分时，就形成了上半部分和下半部分。
以下对图11的流程图的流程进行描述。如果在“经过预定时间”中，在该过程从上一个“烙印校正周期”进入“正常驱动周期”之后尚未经过预定时间，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果已经过预定时间，则该过程进入“非工作周期”。如果用户在“非工作周期”中操作电子设备等预定的时间，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果用户没有操作电子设备等预定的时间，则该过程进入“烙印校正周期”。当该过程进入“烙印校正周期”时，执行实施方式1到3中的烙印校正周期中所描述的操作，然后该过程进入“设定像素终止”。如果在“设定像素终止”中获得了预设像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果没有获得预设像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“操作启动”。如果用户在“操作启动”中启动操作，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果用户没有启动操作，则该过程进入“烙印校正周期”。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“经过预定时间”，就可控制进入烙印校正周期的次数。在烙印校正周期里，像素中所包括的发光元件需要如实施方式1到3中所述地发光。因此，进入烙印校正周期的频率降低可避免像素中所包括的发光元件因烙印校正周期而发生的退化。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“非工作周期”，该过程可在用户不操作电子设备等时进入烙印校正周期。当用户没有操作电子设备等预定的时间时，可以判断没有在使用该电子设备等。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“设定像素终止”，该过程无需中断烙印校正周期也可进入正常驱动周期。此外，该过程可选择性地在假定容易产生烙印的部分中进入烙印校正周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“操作启动”，该过程可在用户正准备使用电子设备等时立即进入正常驱动周期。
如果该过程从烙印校正周期经由“操作启动”进入正常驱动周期，则烙印校正周期在检测了预设像素中所包括的发光元件的特性以前结束。在此情形中，在上一个烙印校正周期中没有检测的像素中所包括的发光元件的特性可在下一个烙印校正周期中检测。此外，当该过程进入下一个烙印校正周期时，优选的是“经过预定时间”中的预定时间较短。该预定时间优选是0秒，并且该过程优选经由下一个“非工作周期”进入烙印校正周期。
参考图64对用于实现此实施方式中所描述的图11的流程图的控制器115的结构和操作进行描述。
在此实施方式中，图像信号生成电路6100、电流值检测控制信号生成电路6101、驱动方法选择电路6103和计时器电路6104与实施方式4中的相类似。检测像素设置电路6106与实施方式5中的相类似。非工作周期检测电路6301与实施方式6中的相类似。
非工作周期检测电路6301检测用户是否已操作电子设备等预定的时间。当已经过预定时间时，向驱动方法选择6103输出进入烙印校正周期的信号。
以下对此实施方式中的操作进行描述。当从向计时器电路6104输入复位信号6100a起已经过预定时间、即从上一个烙印校正周期结束起已经过预定时间，且用户没有操作电子设备等预定的时间时；驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行烙印校正周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行烙印校正周期的操作。在其它情形中，驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行正常驱动周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行正常驱动周期的操作。在检测由检测像素设置电路6106设定的像素的特性之后，向计时器电路6104输入复位信号6100a。在此实施方式中，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，进行“经过预定时间”的判断、“非工作周期”的判断、“设定像素终止”的判断和“操作启动”的判断，本发明可通过进行“经过预定时间”的判断、“非工作周期”的判断、“设定像素终止”的判断和“操作启动”的判断中的至少一个来操作。即，例如，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，仅进行“设定像素终止”的判断。在此情形中，通过至少使用检测像素设置电路6106和驱动方法选择电路6103来进行该操作。
[实施方式8]
参考实施方式1到3适用的图12的流程图对从正常驱动周期进入烙印校正周期的时机和条件进行描述。在该流程图中，矩形框表示过程，而菱形框表示判定。
在此实施方式中，“正常驱动周期”、“烙印校正周期”、“经过预定时间”、“充电周期”、“所有像素终止”和“操作启动”与实施方式4中的相类似。在“设定亮度”中，判断环境亮度是否在预定范围内。
以下对图12的流程图的流程进行描述。如果在“经过预定时间”中，在该过程从上一个“烙印校正周期”进入“正常驱动周期”之后尚未经过预定时间，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果已经过预定时间，则该过程进入“充电周期”。如果在“充电周期”中没有对电池充电，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果在对电池充电，则该过程进入“设定亮度”。如果在“设定亮度”中周围亮度不在预定范围内，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果周围亮度在预定范围内，则该过程进入“烙印校正周期”。当该过程进入“烙印校正周期”时，执行实施方式1到3中的烙印校正周期中所描述的操作，然后该过程进入“所有像素终止”。如果在“所有像素终止”中获得了所有像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果没有获得所有像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“充电周期”。如果在“充电周期”中没有对电池充电，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果在对电池充电，则该过程进入“设定亮度”。如果在“设定亮度”中周围亮度不在预定范围内，则该过程进入“操作启动”，而如果周围亮度在预定范围内，则该过程进入“烙印校正周期”。如果用户在“操作启动”中启动操作，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果用户没有启动操作，则该过程进入“烙印校正周期”。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“经过预定时间”，就可控制进入烙印校正周期的次数。在烙印校正周期中，像素中所包括的发光元件需要如实施方式1到3中所述地发光。因此，进入烙印校正周期的频率降低可避免像素中所包括的发光元件因烙印校正周期而发生的退化。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“充电周期”，该过程可在对电池进行充电的同时进入烙印校正周期。在烙印校正周期中，像素中所包括的发光元件将发光，由此如实施方式1到3中所述地存储发光元件的特性。因此，其间的功耗较大。在对电池进行充电的同时进入烙印校正周期可避免电池功率由于烙印校正周期而降低。此外，当在对电池进行充电时，用户很可能已经结束对电子设备等的使用，因而该过程不大可能返回正常驱动周期。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“设定亮度”，该过程可进入烙印校正周期而不受环境亮度的影响。在实施方式1到3中，一个或三个像素同时发光，并且其它不发光的像素中的驱动TFT处于截止状态。因此，截止状态电流随着环境亮度而改变，这导致所检测到的电流值有差异。通过检测环境亮度相同时像素中所包括的发光元件的特性，消除了环境亮度变化的影响。环境亮度优选大约为0[cd/m2]。在折叠式移动电话的情形中，这种状态可在折叠式移动电话被折叠时实现，而在数码相机的情形中，这种状态可在数码相机被放在机套中时实现。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“所有像素终止”，就可在相同条件下检测所有像素中所包括的发光元件的特性。当检测像素中所包括的发光元件的特性的条件、即操作环境相同时，就可抑制由于操作环境不同而导致的特性的差异。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“充电周期”，该过程可在完成对电池进行充电时即进入正常驱动周期。通过在完成对电池进行充电时即从烙印校正周期进入正常驱动周期，就可抑制电池耗尽。此外，当完成对电池进行充电时，用户很可能正准备使用该电子设备；因此，该过程需要进入正常驱动周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“设定亮度”，该过程可在烙印校正周期中当环境亮度改变时即进入正常驱动周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“操作启动”，该过程可在用户正准备使用电子设备等时立即进入正常驱动周期。
如果该过程从烙印校正周期经由“充电周期”、“设定亮度”和“操作启动”进入正常驱动周期，则烙印校正周期在检测了所有像素中所包括的发光元件的特性以前结束。在此情形中，在上一个烙印校正周期中没有检测的像素中所包括的发光元件的特性可在下一个烙印校正周期中检测。此外，当该过程进入下一个烙印校正周期时，优选的是“经过预定时间”中的预定时间较短。该预定时间优选是0秒，并且该过程优选经由下一个“充电周期”和“设定亮度”进入烙印校正周期。
参考图65对用于实现此实施方式中所描述的图12的流程图的控制器115的结构和操作进行描述。
在此实施方式中，图像信号生成电路6100、电流值检测控制信号生成电路6101、驱动方法选择电路6103、计时器电路6104和充电单元检测电路6105与实施方式4中的相类似。
环境亮度检测电路6501在显示装置的环境亮度接近预定亮度时向驱动方法选择电路6103输出进入烙印校正周期的信号。注意，环境亮度是显示装置驱动电路100的发光部分附近的亮度。例如，即使是在设定亮度为0[cd/m2]、且电子设备周围亮度与设定亮度不同的情形中，如果显示装置驱动电路100被遮蔽了光线使其亮度近似为0[cd/m2]，则仍向驱动方法选择电路6103输出进入烙印校正周期的信号。例如，环境亮度检测电路6501包括光敏元件、电流-电压转换器电路、模数转换器、其中存储了最大亮度数据的存储器1、其中存储了最小亮度的存储器2、比较器1、比较器2和诸如NOR和AND等鉴别电路。
以下对此实施方式中的操作进行描述。当从向计时器电路6104输入复位信号6100a起已经过预定时间、即从上一个烙印校正周期结束起已经过预定时间，且充电单元检测电路6105检测到电池117在充电，而环境亮度检测电路6501判定显示装置的环境亮度接近预定亮度时；驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行烙印校正周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行烙印校正周期的操作。在其它情形中，驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行正常驱动周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行正常驱动周期的操作。在检测所有像素的特性之后，向计时器电路6104输入复位信号6100a。在此实施方式中，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，进行“经过预定时间”的判断、“充电周期”的判断、“设定亮度”的判断、“所有像素终止”的判断和“操作启动”的判断，本发明可通过进行“充电周期”的判断、“设定亮度”的判断、“全部像素终止”的判断和“操作启动”的判断中的至少一个来操作。即，例如，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，仅进行“设定亮度”的判断。在此情形中，通过至少使用环境亮度检测电路6501和驱动方法选择电路6103来进行该操作。
[实施方式9]
参考实施方式1到3适用的图13的流程图对从正常驱动周期进入烙印校正周期的时机和条件进行描述。在该流程图中，矩形框表示过程，而菱形框表示判定。
在此实施方式中，“正常驱动周期”的过程、“烙印校正周期”的过程、“经过预定时间”的判定、“充电周期”的判定和“操作启动”的判定与实施方式4中的相类似。“设定像素终止”的判定与实施方式7中的相类似。“设定亮度”的判定与实施方式8中的相类似。
以下对图13的流程图的流程进行描述。如果在“经过预定时间”步骤中，在该过程从上一个“烙印校正周期”进入“正常驱动周期”之后尚未经过预定时间，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果已经过预定时间，则该过程进入“充电周期”。如果在“充电周期”中没有对电池充电，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果在对电池充电，则该过程进入“设定亮度”。如果在“设定亮度”中周围亮度不在预定范围内，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果周围亮度在预定范围内，则该过程进入“烙印校正周期”。当该过程进入“烙印校正周期”时，执行实施方式1到3中的烙印校正周期中所描述的操作，然后该过程进入“设定像素终止”。如果在“设定像素终止”中获得了预设像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果没有获得预设像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“充电周期”。如果在“充电周期”中没有对电池充电，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果在对电池充电，则该过程进入“设定亮度”。如果在“设定亮度”中周围亮度不在预定范围内，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果周围亮度在预定范围内，则该过程进入“正常驱动周期”。如果用户在“操作启动”步骤中启动操作，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果用户没有启动操作，则该过程进入“烙印校正周期”。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“经过预定时间”，就可控制进入烙印校正周期的次数。在烙印校正周期中，像素中所包括的发光元件需要如实施方式1到3中所述地发光。因此，进入烙印校正周期的频率降低可避免像素中所包括的发光元件因烙印校正周期而发生的退化。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“充电周期”，该过程可在对电池进行充电的同时进入烙印校正周期。在烙印校正周期中，像素中所包括的发光元件将发光，由此如实施方式1到3中所述地存储发光元件的特性。因此，其间的功耗较大。在对电池进行充电的同时进入烙印校正周期可避免电池功率由于烙印校正周期而降低。此外，当在对电池进行充电时，用户很可能已经结束对电子设备等的使用，因而该过程不大可能返回正常驱动周期。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“设定亮度”，该过程可进入烙印校正周期而不受环境亮度的影响。在实施方式1到3中，一个或三个像素同时发光，并且其它不发光的像素中的驱动TFT处于截止状态。因此，截止状态电流随着环境亮度而改变，这导致所检测到的电流值有差异。通过检测环境亮度相同时像素中所包括的发光元件的特性，消除了环境亮度变化的影响。环境亮度优选大约为0[cd/m2]。在折叠式移动电话的情形中，这种状态可在折叠式移动电话被折叠时实现，而在数码相机的情形中，这种状态可在数码相机被放在机套中时实现。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“设定像素终止”，该过程无需中断烙印校正周期即可进入正常驱动周期。此外，该过程可选择性地在假定容易产生烙印的部分中进入烙印校正周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“充电周期”，该过程可在完成对电池进行充电时即进入正常驱动周期。通过在完成对电池进行充电时即从烙印校正周期进入正常驱动周期，就可抑制电池耗尽。此外，当完成对电池进行充电时，用户很可能正准备使用该电子设备；因此，该过程需要进入正常驱动周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“设定亮度”，该过程可在烙印校正周期里当环境亮度改变时即进入正常驱动周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“操作启动”，该过程可在用户正准备使用电子设备等时立即进入正常驱动周期。
如果该过程从烙印校正周期经由“充电周期”、“设定亮度”和“操作启动”进入正常驱动周期，则烙印校正周期在检测了预设像素中所包括的发光元件的特性以前结束。在此情形中，在上一个烙印校正周期中没有检测的像素中所包括的发光元件的特性可在下一个烙印校正周期中检测。此外，当该过程进入下一个烙印校正周期时，优选的是“经过预定时间”中的预定时间较短。该预定时间优选是0秒，并且该过程优选经由下一个“充电周期”和“设定亮度”进入烙印校正周期。
参考图66对用于实现此实施方式中所描述的图13的流程图的控制器115的结构和操作进行描述。
在此实施方式中，图像信号生成电路6100、电流值检测控制信号生成电路6101、驱动方法选择电路6103、计时器电路6104和充电单元检测电路6105与实施方式4中的相类似。检测像素设置电路6106与实施方式5中的相类似。环境亮度检测电路6501与实施方式8中的相类似。
以下对此实施方式中的操作进行描述。当从向计时器电路6104输入复位信号6100a起已经过预定时间、即从上一个烙印校正周期结束起已经过预定时间，且充电单元检测电路6105检测到电池117在充电，而环境亮度检测电路6501判定显示装置的环境亮度接近预定亮度时；驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行烙印校正周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行烙印校正周期的操作。在其它情形中，驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行正常驱动周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行正常驱动周期的操作。在检测由检测像素设置电路6106设置的像素的特性之后，向计时器电路6104输入复位信号6100a。在此实施方式中，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，进行“经过预定时间”的判断、“充电周期”的判断、“设定亮度”的判断、“设定像素终止”的判断和“操作启动”的判断，本发明可通过进行“充电周期”的、“设定亮度”的判断、“设定像素终止”的判断和“操作启动”的判断中的至少一个来操作。即，例如，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，仅进行“设定像素终止”的判断。在此情形中，通过至少使用检测像素设置电路6106和驱动方法选择电路6103来进行该操作。
[实施方式10]
参考实施方式1到3适用的图14的流程图对从正常驱动周期进入烙印校正周期的时机和条件进行描述。在该流程图中，矩形框表示过程，而菱形框表示判定。
在此实施方式中，“正常驱动周期”的过程、“烙印校正周期”的过程、“经过预定时间”的判定、“所有像素终止”的判定和“操作启动”的判定与实施方式4中的相类似。“非工作周期”的判定与实施方式6中的相类似。“设定亮度”的判定与实施方式8中的相类似。
以下对图14的流程图的流程进行描述。如果在“经过预定时间”中，在该过程从上一个“烙印校正周期”进入“正常驱动周期”之后尚未经过预定时间，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果已经过预定时间，则该过程进入“非工作周期”。如果用户在“非工作周期”中操作电子设备等预定的时间，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果用户没有操作电子设备等预定的时间，则该过程进入“设定亮度”。如果在“设定亮度”中周围亮度不在预定范围内，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果周围亮度在预定范围内，则该过程进入“烙印校正周期”。当该过程进入“烙印校正周期”时，执行实施方式1到3中的烙印校正周期中所描述的操作，然后该过程进入“所有像素终止”。如果在“所有像素终止”中获得了所有像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果没有获得所有像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“设定亮度”。如果在“设定亮度”中周围亮度不在预定范围内，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果周围亮度在预定范围内，则该过程进入“操作启动”。如果用户在“操作启动”中启动操作，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果用户没有启动操作，则该过程进入“烙印校正周期”。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“经过预定时间”，就可控制进入烙印校正周期的次数。在烙印校正周期中，像素中所包括的发光元件需要如实施方式1到3中所述地发光。因此，进入烙印校正周期的频率降低可避免像素中所包括的发光元件因烙印校正周期而发生的退化。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“非工作周期”，该过程可在用户不操作该电子设备等时进入烙印校正周期。当用户不操作电子设备等预定的时间时，可判断没有在使用该电子设备等。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“设定亮度”，该过程可进入烙印校正周期而不受环境亮度的影响。在实施方式1到3中，一个或三个像素同时发光，并且其它不发光的像素中的驱动TFT处于截止状态。因此，截止状态电流随着环境亮度而改变，这导致所检测到的电流值有差异。通过检测环境亮度相同时像素中所包括的发光元件的特性，消除了环境亮度变化的影响。环境亮度优选大约为0[cd/m2]。在折叠式移动电话的情形中，这种状态可在折叠式移动电话被折叠时实现，而在数码相机的情形中，这种状态可在数码相机被放在机套中时实现。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“所有像素终止”，就可在相同条件下检测所有像素中所包括的发光元件的特性。当检测像素中所包括的发光元件的特性的条件、即操作环境相同时，就可抑制由于操作环境的不同而导致的特性的差异。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“充电周期”，该过程可在完成对电池进行充电时即进入正常驱动周期。通过在完成对电池进行充电时即从烙印校正周期进入正常驱动周期，就可抑制电池耗尽。此外，当完成对电池进行充电时，用户很可能正准备使用该电子设备；因此，该过程需要进入正常驱动周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“设定亮度”，该过程可在烙印校正周期中当环境亮度改变时即进入正常驱动周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“操作启动”，该过程可在用户正准备使用电子设备等时立即进入正常驱动周期。
如果该过程从烙印校正周期经由“设定亮度”和“操作启动”进入正常驱动周期，则烙印校正周期在检测了所有像素中所包括的发光元件的特性以前结束。在此情形中，在上一个烙印校正周期中没有检测的像素中所包括的发光元件的特性可在下一个烙印校正周期中检测。此外，当该过程进入下一个烙印校正周期时，优选的是“经过预定时间”中的预定时间较短。该预定时间优选是0秒，并且该过程优选经由下一个“非工作周期”和“设定亮度”进入烙印校正周期。
参考图67对用于实现此实施方式中所描述的图14的流程图的控制器115的结构和操作进行描述。
在此实施方式中，图像信号生成电路6100、电流值检测控制信号生成电路6101、驱动方法选择电路6103和计时器电路6104与实施方式4中的相类似。非工作周期检测电路6301与实施方式6中的相类似。环境亮度检测电路6501与实施方式8中的相类似。
以下对此实施方式中的操作进行描述。当从向计时器电路6104输入复位信号6100a起已经过预定时间、即从上一个烙印校正周期结束起已经过预定时间，且用户没有操作电子设备等预定的时间，而环境亮度检测电路6501判定显示装置的环境亮度接近预定亮度时；驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行烙印校正周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行烙印校正周期的操作。在其它情形中，驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行正常驱动周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行正常驱动周期的操作。在检测所有像素的特性之后，向计时器电路6104输入复位信号6100a。在此实施方式中，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，进行“经过预定时间”的判断、“非工作周期”的判断、“设定亮度”的判断、“所有像素终止”的判断和“操作启动”的判断，本发明可通过进行“经过预定时间”的判断、“非工作周期”的判断、“设定亮度”的判断、“所有像素终止”的判断和“操作启动”的判断中的至少一个来操作。即，例如，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，进行“经过预定时间”的判断和“设定亮度”的判断。在此情形中，通过至少使用计时器电路6104、环境亮度检测电路6501和驱动方法选择电路6103来进行该操作。
[实施方式11]
参考实施方式1到3适用的图15的流程图对从正常驱动周期进入烙印校正周期的时机和条件进行描述。在该流程图中，矩形框表示过程，而菱形框表示判定。
在此实施方式中，“正常驱动周期”的过程、“烙印校正周期”的过程、“经过预定时间”的判定和“操作启动”的判定与实施方式4中的相类似。“非工作周期”的判定与实施方式6中的相类似。“设定像素终止”的判定与实施方式7中的相类似。“设定亮度”的判定与实施方式8中的相类似。
以下对图15的流程图的流程进行描述。如果在“经过预定时间”中，在该过程从上一个“烙印校正周期”进入“正常驱动周期”之后尚未经过预定时间，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果已经过预定时间，则该过程进入“非工作周期”。如果用户在“非工作周期”中操作电子设备等预定的时间，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果用户没有操作电子设备等预定的时间，则该过程进入“设定亮度”。如果在“设定亮度”步骤中周围亮度不在预定范围内，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果周围亮度在预定范围内，则该过程进入“烙印校正周期”。当该过程进入“烙印校正周期”时，执行实施方式1到3中的烙印校正周期中所描述的操作，然后该过程进入“设定像素终止”。如果在“设定像素终止”中获得了预设像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果没有获得预设像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“设定亮度”。如果在“设定亮度”中周围亮度不在预定范围内，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果周围亮度在预定范围内，则该过程进入“操作启动”。如果用户在“操作启动”中启动操作，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果用户没有启动操作，则该过程进入“烙印校正周期”。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“经过预定时间”，就可控制进入烙印校正周期的次数。在烙印校正周期中，像素中所包括的发光元件需要如实施方式1到3中所述地发光。因此，进入烙印校正周期的频率降低可避免像素中所包括的发光元件因烙印校正周期而发生的退化。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“非工作周期”，该过程可在用户不操作该电子设备等时进入烙印校正周期。当用户不操作电子设备等预定的时间时，可判断没有在使用该电子设备等。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“设定亮度”，该过程可进入烙印校正周期而不受环境亮度的影响。在实施方式1到3中，一个或三个像素同时发光，并且其它不发光的像素中的驱动TFT处于截止状态。因此，截止状态电流随着环境亮度而改变，这导致所检测到的电流值有差异。通过检测环境亮度相同时像素中所包括的发光元件的特性，消除了环境亮度变化的影响。环境亮度优选大约为0[cd/m2]。在折叠式移动电话的情形中，这种状态可在折叠式移动电话被折叠时实现，而在数码相机的情形中，这种状态可在数码相机被放在机套中时实现。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“设定像素终止”，该过程无需中断烙印校正周期即可进入正常驱动周期。此外，该过程可选择性地在假定容易产生烙印的部分中进入烙印校正周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“充电周期”，该过程可在完成对电池进行充电时即进入正常驱动周期。通过在完成对电池进行充电时即从烙印校正周期进入正常驱动周期，就可抑制电池耗尽。此外，当完成对电池进行充电时，用户很可能正准备使用该电子设备；因此，该过程需要进入正常驱动周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“设定亮度”，该过程可在烙印校正周期中当环境亮度改变时即进入正常驱动周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“操作启动”，该过程可在用户正准备使用电子设备等时立即进入正常驱动周期。
如果该过程从烙印校正周期经由“设定亮度”和“操作启动”进入正常驱动周期，则烙印校正周期在检测了预设像素中所包括的发光元件的特性以前结束。在此情形中，在上一个烙印校正周期中没有检测的像素中所包括的发光元件的特性可在下一个烙印校正周期中检测。此外，当该过程进入下一个烙印校正周期时，优选的是“经过预定时间”中的预定时间较短。该预定时间优选是0秒，并且该过程优选经由下一个“非工作周期”和“设定亮度”进入烙印校正周期。
参考图68对用于实现此实施方式中所描述的图15的流程图的控制器115的结构和操作进行描述。
在此实施方式中，图像信号生成电路6100、电流值检测控制信号生成电路6101、驱动方法选择电路6103和计时器电路6104与实施方式4中的相类似。检测像素设置电路6106与实施方式5中的相类似。非工作周期检测电路6301与实施方式6中的相类似。环境亮度检测电路6501与实施方式8中的相类似。
以下对此实施方式中的操作进行描述。当从向计时器电路6104输入复位信号6100a起已经过预定时间、即从上一个烙印校正周期结束起已经过预定时间，且用户没有操作电子设备等预定的时间，而环境亮度检测电路6501判定显示装置的环境亮度接近预定亮度时；驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行烙印校正周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行烙印校正周期的操作。在其它情形中，驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行正常驱动周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行正常驱动周期的操作。在检测由检测像素设置电路6106设置的像素的特性之后，向计时器电路6104输入复位信号6100a。在此实施方式中，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，进行“经过预定时间”的判断、“非工作周期”的判断、“设定亮度”的判断、“设定像素终止”的判断和“操作启动”的判断，本发明可通过进行“经过预定时间”的判断、“非工作周期”的判断、“设定亮度”的判断、“设定像素终止”的判断和“操作启动”的判断中的至少一个来操作。即，例如，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，进行“非工作周期”的判断和“设定亮度”的判断。在此情形中，通过至少使用非工作周期检测电路6301、环境亮度检测电路6501和驱动方法选择电路6103来进行该操作。
[实施方式12]
参考实施方式1到3适用的图16的流程图对从正常驱动周期进入烙印校正周期的时机和条件进行描述。在该流程图中，矩形框表示过程，而菱形框表示判定。
在此实施方式中，“正常驱动周期”的过程、“烙印校正周期”的过程、“所有像素终止”的判定和“操作启动”的判定与实施方式4中的相类似。在“用户判定”的判定中，本发明的电子设备等的用户判定该过程是否进入烙印校正周期。
以下对图16的流程图的流程进行描述。在“用户判定”中，如果用户没有确定该过程进入“烙印校正周期”，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果用户确定该过程进入“烙印校正周期”，则该过程进入“烙印校正周期”。当该过程进入“烙印校正周期”时，执行实施方式1到3中的烙印校正周期中所描述的操作，然后该过程进入“所有像素终止”。如果在“所有像素终止”中获得了所有像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果没有获得所有像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“操作启动”。如果用户在“操作启动”中启动操作，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果用户没有启动操作，则该过程进入“烙印校正周期”。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“用户判定”，用户就可判定该过程是否进入烙印校正周期。因此，使进入烙印校正周期的判定适合每个用户，因为使用电子设备等及其显示屏等的频率根据用户而有所不同。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“所有像素终止”，就可在相同条件下检测所有像素中所包括的发光元件的特性。当检测像素中所包括的发光元件的特性的条件、即操作环境相同时，就可抑制由于操作环境不同而导致的特性的差异。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“操作启动”，该过程可在用户正准备使用电子设备等时立即进入正常驱动周期。
如果该过程从烙印校正周期经由“操作启动”进入正常驱动周期，则烙印校正周期在检测了所有像素中所包括的发光元件的特性以前结束。在此情形中，在上一个烙印校正周期中没有检测的像素中所包括的发光元件的特性可在下一个烙印校正周期中检测。
参考图69对用于实现此实施方式中所描述的图16的流程图的控制器115的结构和操作进行描述。
在此实施方式中，图像信号生成电路6100、电流值检测控制信号生成电路6101和驱动方法选择电路6103与实施方式4中的相类似。
当用户确定该过程进入烙印校正周期并执行某一操作时，启动电路6901工作。当烙印校正周期结束，并且该过程进入正常驱动周期时，从视频信号生成电路6100输出复位信号6100a，而进入烙印校正周期的信号停止。注意，只要复位信号是在烙印校正周期结束时输入到启动电路6901，复位信号就可从任何地方输出。当用户确定在启动电路6901中该过程进入烙印校正周期时，向驱动方法选择电路6103输出进入烙印校正周期的信号。当用户确定该过程进入正常驱动周期时，进入烙印校正周期的信号停止。如果没有检测所有像素或设定像素的特性，则不必输入向启动电路6901输入的复位信号。例如，启动电路6901包括1位计数器。
以下对此实施方式中的操作进行描述。当用户确定该过程进入烙印校正周期时，驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行烙印校正周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行烙印校正周期的操作。在其它情形中，驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行正常驱动周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行正常驱动周期的操作。在检测所有像素的特性之后，向启动电路6901输入复位信号。在此实施方式中，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，进行“经过用户判定”的判断、“所有像素终止”的判断和“操作启动”的判断，本发明可通过进行“经过用户判定”的判断、“所有像素终止”的判断和“操作启动”的判断中的至少一个来操作。即，例如，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，进行“用户判定”的判断。在此情形中，通过至少使用启动电路6901和驱动方法选择电路6103来进行该操作。
[实施方式13]
参考实施方式1到3适用的图17的流程图对从正常驱动周期进入烙印校正周期的时机和条件进行描述。在该流程图中，矩形框表示过程，而菱形框表示判定。
在此实施方式中，“正常驱动周期”的过程、“烙印校正周期”的过程和“操作启动”的判定与实施方式4中的相类似。“设定像素终止”的判定与实施方式7中的相类似。“用户判定”的判定与实施方式12中的相类似。
以下对图17的流程图的流程进行描述。在“用户判定”中，如果用户没有确定该过程进入“烙印校正周期”，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果用户确定该过程进入“烙印校正周期”，则该过程进入“烙印校正周期”。当该过程进入“烙印校正周期”时，执行实施方式1到3中的烙印校正周期中所描述的操作，然后该过程进入“设定像素终止”。如果在“设定像素终止”中获得了预设像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果没有获得预设像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“操作启动”。如果用户在“操作启动”中启动操作，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果用户没有启动操作，则该过程进入“烙印校正周期”。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“用户判定”，用户就可判定该过程是否进入烙印校正周期。因此，使进入烙印校正周期的判定适合每个用户，因为使用电子设备等及其显示屏等的频率根据用户而有所不同。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“设定像素终止”，该过程无需中断烙印校正周期即可进入正常驱动周期。此外，该过程可选择性地在假定容易产生烙印的部分中进入烙印校正周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“操作启动”，该过程可在用户正准备使用电子设备等时立即进入正常驱动周期。
如果该过程从烙印校正周期经由“操作启动”进入正常驱动周期，则烙印校正周期在检测了预设像素中所包括的发光元件的特性以前结束。在此情形中，在上一个烙印校正周期中没有检测的像素中所包括的发光元件的特性可在下一个烙印校正周期中检测。
参考图70对用于实现此实施方式中所描述的图17的流程图的控制器115的结构和操作进行描述。
在此实施方式中，图像信号生成电路6100、电流值检测控制信号生成电路6101和驱动方法选择电路6103与实施方式4中的相类似。检测像素设置电路6106与实施方式5中的相类似。启动电路6901与实施方式12中的相类似。
以下对此实施方式中的操作进行描述。当用户确定该过程进入烙印校正周期时，驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行烙印校正周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行烙印校正周期的操作。在其它情形中，驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行正常驱动周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行正常驱动周期的操作。在检测由检测像素设置电路6106设置的像素的特性之后，向启动电路6901输入复位信号。在此实施方式中，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，进行“经过用户判定”的判断、“设定像素终止”的判断和“操作启动”的判断，本发明可通过进行“经过用户判定”的判断、“设定像素终止”的判断和“操作启动”的判断中的至少一个来操作。即，例如，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，进行“用户判定”的判断。在此情形中，通过至少使用启动电路6901和驱动方法选择电路6103来进行该操作。
[实施方式14]
参考实施方式1到3适用的图18的流程图对从正常驱动周期进入烙印校正周期的时机和条件进行描述。在该流程图中，矩形框表示过程，而菱形框表示判定。
在此实施方式中，“正常驱动周期”的过程、“烙印校正周期”的过程、“充电周期”的判定、“所有像素终止”的判定和“操作启动”的判定与实施方式4中的相类似。“用户判定”的判定与实施方式12中的相类似。
以下对图18的流程图的流程进行描述。在“用户判定”中，如果用户没有确定该过程进入“烙印校正周期”，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果用户确定该过程进入“烙印校正周期”，则该过程进入“充电周期”。如果在“充电周期”步骤中没有对电池充电，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果在对电池充电，则该过程进入“烙印校正周期”。当该过程进入“烙印校正周期”时，执行实施方式1到3中的烙印校正周期中所描述的操作，然后该过程进入“所有像素终止”。如果在“所有像素终止”中获得了所有像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果没有获得所有像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“充电周期”。如果在“充电周期”中没有对电池充电，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果在对电池充电，则该过程进入“操作启动”。如果用户在“操作启动”中启动操作，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果用户没有启动操作，则该过程进入“烙印校正周期”。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“用户判定”，用户就可判定该过程是否进入烙印校正周期。因此，使进入烙印校正周期的判定适合每个用户，因为使用电子设备等及其显示屏等的频率根据用户而有所不同。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“充电周期”，该过程可在对电池进行充电的同时进入烙印校正周期。在烙印校正周期中，像素中所包括的发光元件发光，从而如实施方式1到3中所述地存储发光元件的特性。因此，其间的功耗较大。在对电池进行充电的同时进入烙印校正周期可防止电池功率因烙印校正周期而降低。此外，当在对电池进行充电时，用户很可能已经结束对电子设备的使用，因而该过程不大可能会返回正常驱动周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“所有像素终止”，就可在相同条件下检测所有像素中所包括的发光元件的特性。当检测像素中所包括的发光元件的特性的条件、即操作环境相同时，就可抑制由于操作环境不同而导致的特性差异。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“充电周期”，该过程可在结束对电池进行充电时即进入正常驱动周期。通过在完成对电池进行充电时即从烙印校正周期进入正常驱动周期，就可抑制电池耗尽。此外，当结束对电池进行充电时，用户很可能正准备使用电子设备；因此该过程需要进入正常驱动周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“操作启动”，该过程可在用户正准备使用电子设备等时立即进入正常驱动周期。
如果该过程从烙印校正周期经由“充电周期”和“操作启动”进入正常驱动周期，则烙印校正周期在检测了所有像素中所包括的发光元件的特性以前结束。在此情形中，在上一个烙印校正周期中没有检测的像素中所包括的发光元件的特性可在下一个烙印校正周期中检测。
参考图71对用于实现此实施方式中所描述的图18的流程图的控制器115的结构和操作进行描述。
在此实施方式中，图像信号生成电路6100、电流值检测控制信号生成电路6101、驱动方法选择电路6103和充电单元检测电路6105与实施方式4中的相类似。启动电路6901与实施方式12中的相类似。
以下对此实施方式中的操作进行描述。当用户确定该过程进入烙印校正周期、且充电单元检测电路6105检测到电池117在充电时，驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行烙印校正周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行烙印校正周期的操作。在其它情形中，驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行正常驱动周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行正常驱动周期的操作。在检测所有像素的特性之后，向启动电路6901输入复位信号6100a。在此实施方式中，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，进行“经过用户判定”的判断、“充电周期”的判断、“所有像素终止”的判断和“操作启动”的判断，本发明可通过进行“经过用户判定”的判断、“充电周期”的判断、“全部像素终止”的判断和“操作启动”的判断中的至少一个来操作。即，例如，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，进行“用户判定”的判断。在此情形中，通过至少使用启动电路6901、充电单元检测电路6105和驱动方法选择电路6103来进行该操作。
[实施方式15]
参考实施方式1到3适用的图19的流程图对从正常驱动周期进入烙印校正周期的时机和条件进行描述。在该流程图中，矩形框表示过程，而菱形框表示判定。
在此实施方式中，“正常驱动周期”的过程、“烙印校正周期”的过程、“充电周期”的判定和“操作启动”的判定与实施方式4中的相类似。“设定像素终止”的判定与实施方式7中的相类似。“用户判定”的判定与实施方式12中的相类似。
以下对图19的流程图的流程进行描述。在“用户判定”中，如果用户没有确定该过程进入“烙印校正周期”，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果用户确定该过程进入“烙印校正周期”，则该过程进入“充电周期”。如果在“充电周期”中没有对电池充电，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果在对电池充电，则该过程进入“烙印校正周期”。当该过程进入“烙印校正周期”时，执行实施方式1到3中的烙印校正周期中所描述的操作，然后该过程进入“设定像素终止”。如果在“设定像素终止”中获得了预设像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果没有获得预设像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“充电周期”。如果在“充电周期”中没有对电池充电，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果在对电池充电，则该过程进入“操作启动”。如果用户在“操作启动”中启动操作，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果用户没有启动操作，则该过程进入“烙印校正周期”。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“用户判定”，用户就可判定该过程是否进入烙印校正周期。因此，使进入烙印校正周期的决定适合每个用户，因为使用电子设备等及其显示屏等的频率根据用户而有所不同。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“充电周期”，该过程可在对电池进行充电的同时进入烙印校正周期。在烙印校正周期中，像素中所包括的发光元件发光，从而如实施方式1到3中所述地存储发光元件的特性。因此，其间的功耗较大。在对电池进行充电的同时进入烙印校正周期可防止电池功率因烙印校正周期而降低。此外，当在对电池进行充电时，用户很可能已经结束对电子设备的使用，因而该过程不大可能会返回正常驱动周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“设定像素终止”，该过程无需中断烙印校正周期即可进入正常驱动周期。此外，该过程可选择性地在假定容易产生烙印的部分中进入烙印校正周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“充电周期”，该过程可在结束对电池进行充电时即进入正常驱动周期。通过在完成对电池进行充电时即从烙印校正周期进入正常驱动周期，就可抑制电池耗尽。此外，当结束对电池进行充电时，用户很可能正准备使用电子设备；因此该过程需要进入正常驱动周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“操作启动”，该过程可在用户正准备使用电子设备等时立即进入正常驱动周期。
如果该过程从烙印校正周期经由“充电周期”和“操作启动”进入正常驱动周期，则烙印校正周期在检测了预设像素中所包括的发光元件的特性以前结束。在此情形中，在上一个烙印校正周期中没有检测的像素中所包括的发光元件的特性可在下一个烙印校正周期中检测。
参考图72对用于实现此实施方式中所描述的图19的流程图的控制器115的结构和操作进行描述。
在此实施方式中，图像信号生成电路6100、电流值检测控制信号生成电路6101、驱动方法选择电路6103和充电单元检测电路6105与实施方式4中的相类似。检测像素设置电路6106与实施方式5中的相类似。启动电路6901与实施方式12中的相类似。
以下对此实施方式中的操作进行描述。当用户确定该过程进入烙印校正周期、且充电单元检测电路6105检测到电池117在充电时，驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行烙印校正周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行烙印校正周期的操作。在其它情形中，驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行正常驱动周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行正常驱动周期的操作。在检测由检测像素设置电路6106设置的像素的特性之后，向启动电路6901输入复位信号6100a。在此实施方式中，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，进行“经过用户判定”的判断、“充电周期”的判断、“设定像素终止”的判断和“操作启动”的判断，本发明可通过进行“经过用户判定”的判断、“充电周期”的判断、“设定像素终止”的判断和“操作启动”的判断中的至少一个来操作。即，例如，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，进行“用户判定”和“充电周期”的判断。在此情形中，通过至少使用启动电路6901、充电单元检测电路6105和驱动方法选择电路6103来进行该操作。
[实施方式16]
参考实施方式1到3适用的图20的流程图对从正常驱动周期进入烙印校正周期的时机和条件进行描述。在该流程图中，矩形框表示过程，而菱形框表示判定。
在此实施方式中，“正常驱动周期”的过程、“烙印校正周期”的过程、“所有像素终止”的判定和“操作启动”的判定与实施方式4中的相类似。“设定亮度”的判定与实施方式8中的相类似。“用户判定”的判定与实施方式12中的相类似。
以下对图20的流程图的流程进行描述。在“用户判定”中，如果用户没有确定该过程进入“烙印校正周期”，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果用户确定该过程进入“烙印校正周期”，则该过程进入“设定亮度”。如果在“设定亮度”中环境亮度不在预定范围内，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果环境亮度在预定范围内，则该过程进入“烙印校正周期”。当该过程进入“烙印校正周期”时，执行实施方式1到3中的烙印校正周期中所描述的操作，然后该过程进入“所有像素终止”。如果在“所有像素终止”中获得了所有像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果没有获得所有像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“设定亮度”。如果在“设定亮度”中环境亮度不在预定范围内，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果环境亮度在预定范围内，则该过程进入“操作启动”。如果用户在“操作启动”中启动操作，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果用户没有启动操作，则该过程进入“烙印校正周期”。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“用户判定”，用户就可判定该过程是否进入烙印校正周期。因此，使进入烙印校正周期的判定适合每个用户，因为使用电子设备等及其显示屏等的频率根据用户而有所不同。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“设定亮度”，该过程可进入烙印校正周期而不受环境亮度的影响。在实施方式1到3中，一个或三个像素同时发光，并且其它不发光的像素中的驱动TFT处于截止状态。因此，截止状态电流随着环境亮度而改变，这导致所检测到的电流值有差异。通过检测环境亮度相同时像素中所包括的发光元件的特性，消除了环境亮度变化的影响。环境亮度优选大约为0[cd/m2]。在折叠式移动电话的情形中，这种状态可在折叠式移动电话被折叠时实现，而在数码相机的情形中，这种状态可在数码相机被放在机套中时实现。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“所有像素终止”，就可在相同条件下检测所有像素中所包括的发光元件的特性。当检测像素中所包括的发光元件的特性的条件、即操作环境相同时，就可抑制由于操作环境不同而导致的特性的差异。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“设定亮度”，该过程可在烙印校正周期里当环境亮度改变时即进入正常驱动周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“操作启动”，该过程可在用户正准备使用电子设备等时立即进入正常驱动周期。
如果该过程从烙印校正周期经由“设定亮度”和“操作启动”进入正常驱动周期，则烙印校正周期在检测了所有像素中所包括的发光元件的特性以前结束。在此情形中，在上一个烙印校正周期中没有检测的像素中所包括的发光元件的特性可在下一个烙印校正周期中检测。
参考图73对用于实现此实施方式中所描述的图20的流程图的控制器115的结构和操作进行描述。
在此实施方式中，图像信号生成电路6100、电流值检测控制信号生成电路6101和驱动方法选择电路6103与实施方式4中的相类似。环境亮度检测电路6501与实施方式8中的相类似。启动电路6901与实施方式12中的相类似。
以下对此实施方式中的操作进行描述。当用户确定该过程进入烙印校正周期、且环境亮度检测电路6501判定显示装置的环境亮度接近预定亮度时，驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行烙印校正周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行烙印校正周期的操作。在其它情形中，驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行正常驱动周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行正常驱动周期的操作。在检测所有像素的特性之后，向启动电路6901输入复位信号6100a。在此实施方式中，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，进行“经过用户判定”的判断、“设定亮度”的判断、“所有像素终止”的判断和“操作启动”的判断，本发明可通过进行“经过用户判定”的判断、“设定亮度”的判断、“所有像素终止”的判断和“操作启动”的判断中的至少一个来操作。即，例如，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，进行“用户判定”和“设定亮度”的判断。在此情形中，通过至少使用启动电路6901、环境亮度检测电路6501和驱动方法选择电路6103来进行该操作。
[实施方式17]
参考实施方式1到3适用的图21的流程图对从正常驱动周期进入烙印校正周期的时机和条件进行描述。在该流程图中，矩形框表示过程，而菱形框表示判定。
在此实施方式中，“正常驱动周期”的过程、“烙印校正周期”的过程和“操作启动”的判定与实施方式4中的相类似。“设定像素终止”的判定与实施方式7中的相类似。“设定亮度”的判定与实施方式8中的相类似。“用户决定”的判定与实施方式12中的相类似。
以下对图21的流程图的流程进行描述。在“用户判定”中，如果用户没有确定该过程进入“烙印校正周期”，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果用户确定该过程进入“烙印校正周期”，则该过程进入“设定亮度”。如果在“设定亮度”中环境亮度不在预定范围内，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果环境亮度在预定范围内，则该过程进入“烙印校正周期”。当该过程进入“烙印校正周期”时，执行实施方式1到3中的烙印校正周期中所描述的操作，然后该过程进入“设定像素终止”。如果在“设定像素终止”中获得了预设像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果没有获得预设像素中所包括的发光元件的特性，则该过程进入“设定亮度”。如果在“设定亮度”中环境亮度不在预定范围内，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果环境亮度在预定范围内，则该过程进入“操作启动”。如果用户在“操作启动”中启动操作，则该过程进入“正常驱动周期”，而如果用户没有启动操作，则该过程进入“烙印校正周期”。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“用户判定”，用户就可判定该过程是否进入烙印校正周期。因此，使进入烙印校正周期的判定适合每个用户，因为使用电子设备等及其显示屏等的频率根据用户而有所不同。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“设定亮度”，该过程可进入烙印校正周期而不受环境亮度的影响。在实施方式1到3中，一个或三个像素同时发光，并且其它不发光的像素中的驱动TFT处于截止状态。因此，截止状态电流随着环境亮度而改变，这导致所检测到的电流值有差异。通过检测环境亮度相同时像素中所包括的发光元件的特性，消除了环境亮度变化的影响。环境亮度优选大约为0[cd/m2]。在折叠式移动电话的情形中，这种状态可在折叠式移动电话被折叠时实现，而在数码相机的情形中，这种状态可在数码相机被放在机套中时实现。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“设定像素终止”，该过程无需中断烙印校正周期即可进入正常驱动周期。此外，该过程可选择性地在假定容易产生烙印的部分中进入烙印校正周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“设定亮度”，该过程可在烙印校正周期里当环境亮度改变时即进入正常驱动周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“操作启动”，该过程可在用户正准备使用电子设备等时立即进入正常驱动周期。
如果该过程从烙印校正周期经由“设定亮度”和“操作启动”进入正常驱动周期，则烙印校正周期在检测了预设像素中所包括的发光元件的特性以前结束。在此情形中，在上一个烙印校正周期中没有检测的像素中所包括的发光元件的特性可在下一个烙印校正周期中检测。
参考图74对用于实现此实施方式中所描述的图21的流程图的控制器115的结构和操作进行描述。
在此实施方式中，图像信号生成电路6100、电流值检测控制信号生成电路6101和驱动方法选择电路6103与实施方式4中的相类似。检测像素设置电路6106与实施方式5中的相类似。环境亮度检测电路6501与实施方式8中的相类似。启动电路6901与实施方式12中的相类似。
以下对此实施方式中的操作进行描述。当用户确定该过程进入烙印校正周期、且环境亮度检测电路6501判定显示装置的环境亮度接近预定亮度时，驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行烙印校正周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行烙印校正周期的操作。在其它情形中，驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行正常驱动周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行正常驱动周期的操作。在检测由检测像素设置电路6106设置的像素的特性之后，向启动电路6901输入复位信号。在此实施方式中，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，进行“经过用户判定”的判断、“设定亮度”的判断、“设定像素终止”的判断和“操作启动”的判断，本发明可通过进行“经过用户判定”的判断、“设定亮度”的判断、“设定像素终止”的判断和“操作启动”的判断中的至少一个来操作。即，例如，在“正常驱动周期”与“烙印校正周期”之间，进行“用户判定”和“设定亮度”的判断。在此情形中，通过至少使用启动电路6901、环境亮度检测电路6501和驱动方法选择电路6103来进行该操作。
[实施方式18]
参照实施方式1到3适用的图22的流程图，对过程从正常驱动周期进入烙印校正周期的时机和条件进行描述。在该流程图中，矩形框表示过程，而菱形框表示判定。
在该实施方式中，“正常驱动周期”的过程、“烙印校正周期”的过程、“充电周期”的判定、“所有像素终止”的判定、以及“操作启动”的判定与实施方式4中的相似。“设定亮度”的判定与实施方式8的相似。“用户判定”的判定与实施方式12的相似。
对图22的流程图的流进行描述。在“用户判定”中，如果用户不确定过程进入“烙印校正周期”，则过程进入“正常驱动周期”，而如果用户确定过程进入“烙印校正周期”，则过程进入“充电周期”。如果在“充电周期”中没有对电池充电，则过程进入“正常驱动周期”，而如果对电池充电，则过程进入“设定亮度”。如果在“设定亮度”中环境亮度不在预定范围内，则过程进入“正常驱动周期”，而如果环境亮度在预定范围内，则过程进入“烙印校正周期”。当过程进入“烙印校正周期”时，执行实施方式1到3中烙印校正周期中所述的操作，然后过程进入“所有像素终止”。如果在“所有像素终止”中获得所有像素内所包括的发光元件的特性，则过程进入“正常驱动周期”，而如果未获得所有像素内所包括的发光元件的特性，则过程进入“充电周期”。如果在“充电周期”中没有对电池充电，则过程进入“正常驱动周期”，而如果对电池充电，则过程进入“设定亮度”。如果在“设定亮度”中环境亮度不在预定范围内，则过程进入“正常驱动周期”，而如果环境亮度在预定范围内，则过程进入“操作启动”。如果在“操作启动”时用户启动操作，则过程进入“正常驱动周期”，而如果用户未启动操作，则过程进入“烙印校正周期”。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“用户判定”，用户可判定过程是否进入烙印校正周期。因此，使进入烙印校正周期的判定适于每个用户，因为使用电子装置等及其显示屏的频率取决于用户而不同。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“充电周期”，该过程可在对电池充电的同时进入烙印校正周期。在烙印校正周期中，像素中所包括的发光元件发光，从而如实施方式1到3所述地存储发光元件的特性。因此，其间的功率消耗较大。在对电池充电的同时进入烙印校正周期可防止电池功率因烙印校正周期而降低。此外，在对电池充电时，很可能用户已使用完电子设备，并且过程不大可能返回到正常驱动周期。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“设定亮度”，该过程可进入烙印校正周期而不受环境亮度的影响。在实施方式1到3中，一个像素或三个像素同时发光，而不发光的其它像素中的驱动TFT处于截止状态。因此，截止状态电流根据环境亮度改变，导致所检测电流值的变化。通过在环境亮度相同时检测像素内所包括的发光元件的特性，消除了环境亮度改变的效应。环境亮度较佳地约为0[cd/m2]。在折叠式移动电话的情形中，这种状态可在折叠式移动电话折叠时实现，而在数码相机的情形中，这种状态可在数码相机置于其机套内时实现。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“所有像素终止”，可在相同条件下检测所有像素内所包括的发光元件的特性。当检测像素内所包括的发光元件的特性时的条件，即操作环境相同时，特性中因操作环境引起的差异可得到抑制。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“设置亮度”，当环境亮度在烙印校正周期改变时过程立即进入正常驱动周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“操作启动”，当用户将要使用电子装置等时过程立即进入正常驱动周期。
如果该过程经由“充电周期”、“设定亮度”和“操作启动”从烙印校正周期进入正常驱动周期，则烙印校正周期在检测了所有像素内所包括的发光元件的特性之前结束。在该情形中，上一烙印校正周期内没有检测的像素内所包括的发光元件的特性可在下一烙印校正周期中检测。
参照图75对用于实现本实施方式中所述的图22的流程图的控制器115的结构和操作进行描述。
在本实施方式中，图像信号生成电路6100、电流值检测控制信号生成电路6101、驱动方法选择电路6103和充电单元检测电路6105与实施方式4中的相似。环境亮度检测电路6501与实施方式8中的相似。启动电路6901与实施方式12中的相似。
对本实施方式中的操作进行描述。当用户确定过程进入烙印校正周期，且从向启动电路6901输入复位信号起已过了预定时间，即从上一烙印校正周期结束时起已过了预定时间，且环境亮度检测电路6501判定显示装置的环境亮度接近于预定亮度时；驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行烙印校正周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行烙印校正周期的操作。在其它情形中，驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行正常驱动周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行正常驱动周期的操作。在检测所有像素的特性之后，将复位信号6100a输入到启动电路6901。在该实施方式中，在“正常驱动周期”和“烙印校正周期”之间，进行“经过用户判定”的判断、“充电周期”的判断、“设定亮度”的判断、“所有像素终止”的判断、以及“操作启动”的判断，本发明可通过进行“经过用户判定”的判断、“充电周期”的判断、“设定亮度”的判断、“所有像素终止”的判断、以及“操作启动”的判断的至少之一来操作。即，例如，在“正常驱动周期”和“烙印校正周期”之间，进行“用户判定”的判断、“充电周期”和“设置亮度”的判断。在该情形中，通过至少使用启动电路6901、充电单元检测电路6105和驱动方法选择电路6103来进行操作。
[实施方式19]
参照实施方式1到3适用的图23的流程图，对从正常驱动周期进入烙印校正周期的时机和条件进行描述。在该流程图中，矩形框表示过程，而菱形框表示判定。
在该实施方式中，“正常驱动周期”的过程、“烙印校正周期”的过程、“充电周期”的判定、“所有像素终止”的判定、以及“操作启动”的判定与实施方式4中的相似。“设定像素终止”的判定与实施方式7的相似。“设定亮度”的判定与实施方式8的相似。“用户判定”的判定与实施方式12的相似。
对图23的流程图的流进行描述。在“用户判定”中，如果用户不确定过程进入“烙印校正周期”，则过程进入“正常驱动周期”，而如果用户确定过程进入“烙印校正周期”，则过程进入“充电周期”。如果在“充电周期”中没有对电池充电，则过程进入“正常驱动周期”，而如果对电池充电，则过程进入“设定亮度”。如果在“设定亮度”中环境亮度不在预定范围内，则过程进入“正常驱动周期”，而如果环境亮度在预定范围内，则过程进入“烙印校正周期”。当过程进入“烙印校正周期”时，执行实施方式1到3中烙印校正周期中所述的操作，然后过程进入“设定像素终止”。如果在“设定像素终止”中获得预设像素内包括的发光元件的特性，则过程进入“正常驱动周期”，而如果未获得预设像素内包括的发光元件的特性，则过程进入“充电周期”。如果在“充电周期”中没有对电池充电，则过程进入“正常驱动周期”，而如果对电池充电，则过程进入“设定亮度”。如果在“设定亮度”中环境亮度不在预定范围内，则过程进入“正常驱动周期”，而如果环境亮度在预定范围内，则过程进入“操作启动”。如果在“操作启动”中用户启动操作，则过程进入“正常驱动周期”，而如果用户未启动操作，则过程进入“烙印校正周期”。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“用户判定”，用户可判定过程是否进入烙印校正周期。因此，使进入烙印校正周期的判定适于每个用户，因为使用电子装置等及其显示屏的频率取决于用户而不同。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“充电周期”，过程可在对电池充电的同时进入烙印校正周期。在烙印校正周期中，像素内所包括的发光元件发光，从而如实施方式1到3所述地存储发光元件的特性。因此，其间的功率消耗较大。在对电池充电的同时进入烙印校正周期可防止电池功率因烙印校正周期而降低。此外，在对电池充电时，很可能用户已使用完电子装置，并且过程不大可能返回到正常驱动周期。
通过向从正常驱动周期进入烙印校正周期的条件添加“设定亮度”，过程可进入烙印校正周期而不受环境亮度的影响。在实施方式1到3中，一个像素或三个像素同时发光，而不发光的其它像素中的驱动TFT处于截止状态。因此，截止状态电流根据环境亮度改变，导致所检测电流值的变化。通过在环境亮度相同时检测像素内所包括的发光元件的特性，消除了环境亮度改变的效应。环境亮度较佳地约为0[cd/m2]。在折叠式移动电话的情形中，这种状态可在折叠式移动电话折叠时实现，而在数码相机的情形中，这种状态可在数码相机置于其机套内时实现。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“设定像素终止”，可在不中断烙印校正周期的情况下进入正常驱动周期。此外，过程可能有选择地在假定容易产生烙印的部分中进入烙印校正周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“设定亮度”，当环境亮度在烙印校正周期中时过程立即进入正常驱动周期。
通过向从烙印校正周期进入正常驱动周期的条件添加“操作启动”，当用户将要使用电子装置等时过程立即进入正常驱动周期。
如果过程经由“充电周期”、“设置亮度”和“操作启动”从烙印校正周期进入正常驱动周期，则烙印校正周期在检测了所有像素内所包括的发光元件的特性之前结束。在该情形中，在上一烙印校正周期内没有检测的像素内所包括的发光元件的特性可在下一烙印校正周期中检测。
参照图76对用于实现本实施方式中所述的图23的流程图的控制器115的结构和操作进行描述。
在本实施方式中，图像信号生成电路6100、电流值检测控制信号生成电路6101、驱动方法选择电路6103和充电单元检测电路6105与实施方式4中的相似。检测像素设置电路6106与实施方式5中的相似。环境亮度检测电路6501与实施方式8中的相似。启动电路6901与实施方式12中的相似。
对本实施方式中的操作进行描述。当用户确定过程进入烙印校正周期，且从复位信号输入到启动电路6901时起已过了预定时间，即从上一烙印校正周期结束时起已过了预定时间，且环境亮度检测电路6501判定显示装置的环境亮度接近于预定亮度时；驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行烙印校正周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行烙印校正周期的操作。在其它情形中，驱动方法选择电路6103控制图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101进行正常驱动周期的操作。然后，图像信号生成电路6100和电流值检测控制信号生成电路6101分别控制校正电路114和电流值检测电路113进行正常驱动周期的操作。在检测由检测像素设置电路6106设置的像素的特性之后，将复位信号6100a输入到启动电路6901。在该实施方式中，在“正常驱动周期”和“烙印校正周期”之间，进行“经过用户判定”的判断、“充电周期”的判断、“设定亮度”的判断、“设定像素终止”的判断、以及“操作启动”的判断，本发明可通过进行“经过用户判定”的判断、“充电周期”的判断、“设定亮度”的判断、“设定像素终止”的判断、以及“操作启动”的判断的至少之一来操作。即，例如，在“正常驱动周期”和“烙印校正周期”之间，进行“用户判定”的判断、“充电周期”和“设置亮度”的判断。在该情形中，通过至少使用启动电路6901、充电单元检测电路6105和驱动方法选择电路6103来进行操作。
[实施方式20]
对实施方式1到3中的一些驱动条件进行描述。即，描述正常驱动周期和烙印校正周期之间驱动条件中的差异。
首先，描述烙印校正周期内电源线R105、电源线G106、电源线B107和反电极108之间电位的关系。
在过程从正常驱动周期进入烙印校正周期的情形中，如果电源线R105、电源线G106、电源线B107和反电极108的电位在正常驱动周期与烙印校正周期中不变，则不需要用于烙印校正周期的新电源。因此，电路的大小可以较小。
在过程从正常驱动周期进入烙印校正周期的情形中，如果电源线R105、电源线G106、电源线B107的电位变低，而反电极108的电位保持不变，则施加在像素内所包括的发光元件上的电压会变低。因此，可防止像素内所包括的发光元件因烙印校正周期而退化，并可降低烙印校正周期中的功耗。
在过程从正常驱动周期进入烙印校正周期的情形中，如果电源线R105、电源线G106、电源线B107的电位变高，而反电极108的电位保持不变，则施加在像素内所包括的发光元件上的电压会变高。因此，当在烙印校正周期中获得像素内所包括的发光元件的特性时，电源线的电流会变大。烙印校正周期内电源线的电流值较小并且它会消失在噪声中。当电流增大时它不再消失在噪声中，并且可检测到准确的电流。注意，当电源线R105、电源线G106和电源线B107的电位保持不变，而反电极108的电位变低时，可获得相同效应。
接着，对烙印控制周期中驱动频率的差异进行描述。在过程从正常驱动周期进入烙印校正周期的情形中，如果驱动频率在正常驱动周期与烙印校正周期中不变，则不需要用于烙印校正周期的新时钟周期。因此，电路的大小可以较小。
在过程从正常驱动周期进入烙印校正周期的情形中，如果驱动频率变低，则用于检测每个像素的电流值的时间可被设置成更长。因此，可准确地向像素输入视频信号。像素内所包括的发光元件从瞬态进入稳态。因此，较佳地在像素内所包括的发光元件的特性处于稳态时检测电流值，以便于准确地检测每个像素的电流值。当驱动频率变低时，可在充分稳态时检测像素内所包括的发光元件的特性。
在过程从正常驱动周期进入烙印校正周期的情形中，如果驱动频率变高，则可缩短用于检测每个像素的电流值的时间并可缩短烙印校正周期。因而，在检测到所有像素或预设像素内所包括的发光元件的特性之前过程进入正常驱动周期的可能性变得较小。
[实施方式21]
参照图47对实施方式1到3中所述的像素109的一结构示例进行描述。对于不同于像素109的部件的结构，可采用满足本实施方式中所述的像素结构和驱动方法的结构。
选择晶体管4702的导通或截止使用栅极信号线4707来控制。当选择晶体管4702导通时，视频信号从源极信号线4706输入到电容器4703。然后，驱动晶体管4701根据视频信号来导通/截止。当驱动晶体管4701导通时，电流通过驱动晶体管4701和发光元件4704从电源线4705流向反电极。当驱动晶体管4701截止时，电流不流动。注意，发光元件4704的一个电极与驱动晶体管4701的源极或漏极的任一个相连，而发光元件4704的另一个电极用作反电极。
以上驱动方法是数字驱动，其中视频信号具有二进制值且驱动晶体管4701用作开关。在数字驱动中，驱动晶体管4701可在线性区或饱和区中工作。当驱动晶体管4701在线性区中工作时，电源线4705的电位几乎不变地施加在发光元件4704的一个电极上。当驱动晶体管4701在饱和区中工作时，与驱动晶体管4701的栅-源电压相符的电流流动。
在本实施方式中，可采用模拟驱动以及数字驱动。在数字驱动中，视频信号具有二进制值，而在模拟驱动中，要求视频信号具有与要表示的灰度级数量相同的值。通过驱动饱和区内的驱动晶体管4701，并根据视频信号改变该驱动晶体管的栅极电压，与视频信号相符的电流可被施加在发光元件4704上。
注意，电容器4703保持驱动晶体管4701的栅极电位。因此，电容器4703连接于驱动晶体管4701的栅极与电源线4705之间；然而，本发明不限于此。仅需设置电容器4703以保持驱动晶体管4701的栅极电位。在驱动晶体管4701的栅极电位可使用驱动晶体管4701等的栅极电容来保持的情形中，可略去电容器4703。
选择晶体管4702用作连接在源极信号线4706和驱动晶体管4701的栅极之间的开关。在图47中，n沟道晶体管被用作选择晶体管4702；然而，本发明并不仅限于此。可采用具有连接/断开源极信号线4706和驱动晶体管4701的栅极的功能的任一元件。因此，可采用p沟道晶体管。在该情形中，栅极信号线4707的电位相反。
[实施方式22]
参照图50对实施方式1到3中所述的像素109的一结构示例进行描述。对于不同于像素109的部件的结构，可采用满足本实施方式中所述的像素结构和驱动方法的结构。
选择晶体管5002的导通或截止使用栅极信号线5007来控制。当选择晶体管5002导通时，视频信号从源极信号线5006输入到电容器5003。然后，驱动晶体管5001根据视频信号来导通/截止。当驱动晶体管5001导通时，电流通过驱动晶体管5001和发光元件5004从电源线5005流向反电极。当驱动晶体管5001截止时，电流不流动。注意，发光元件5004的一个电极与驱动晶体管5001的源极或漏极的任一个相连，而发光元件5004的另一个电极用作反电极。
以上驱动方法是数字驱动，其中视频信号具有二进制值且驱动晶体管5001用作开关。在数字驱动中，驱动晶体管5001可在线性区或饱和区中工作。当驱动晶体管5001在线性区中工作时，电源线5005的电位几乎不变地施加在发光元件5004的一个电极上。当驱动晶体管5001在饱和区中工作时，与驱动晶体管5001的栅-源电压相符的电流流动。
在本实施方式中，可采用模拟驱动以及数字驱动。在数字驱动中，视频信号具有二进制值，而在模拟驱动中，要求视频信号具有与要表示的灰度级数量相同的值。通过驱动饱和区内的驱动晶体管5001，并根据视频信号改变该驱动晶体管的栅极电压，与视频信号相符的电流可被施加在发光元件5004上。
注意，电容器5003保持驱动晶体管5001的栅极电位。因此，电容器5003连接于驱动晶体管5001的栅极与发光元件5004的一个电极之间；然而本发明并不仅限于此。仅需设置电容器5003以存储驱动晶体管5001的栅极电位。在驱动晶体管5001的栅极电位可使用驱动晶体管5001等的栅极电容来保持的情形中，可略去电容器5003。
在本实施方式中，选择晶体管5002和驱动晶体管5001都是n沟道晶体管。使用该结构，可使用非晶硅，以使能容易地实现低成本和大屏幕。注意，使用非晶硅有使晶体管退化的问题，即晶体管的特性随时间而变化，也称为阈值偏移。为了解决这种现象，必须采用阈值经校正的像素结构、或将视频信号作为电流输入的像素结构。然而，当采用阈值经校正的像素结构时，会产生使晶体管数量增加的其它问题，且因此像素的孔径比降低，或者电源线5005或反电极的电位降低，这导致发光元件5004的占空比降低。孔径比和占空比的降低要求增大发光元件5004的亮度。因此，发光元件更早地退化，并缩短显示装置的寿命。另一方面，当采用本发明实施方式1到3的驱动方法时，驱动晶体管5001的特性变化、以及发光元件5004中的退化可同时得到校正。注意，占空比表示发光元件的驱动条件，并且是发光时段与某一时段(包括发光时段或不发光时段、或两个时段)的比率。
因此，实施方式1到3中的驱动方法和使用非晶硅的像素结构的组合可产生进一步的效应。此外，因为使用非晶硅驱动显示设备的控制器通常设置在外部，并且使用非晶硅的显示设备通常具有较大或中等大小，所以与在移动电话或数码相机中实现本发明相比，在这种显示装置中实现本发明时实现本发明的成本与整个显示装置的成本的比率较低。
[实施方式23]
在数字驱动的情形中，只有发光状态和不发光状态的二进制值才可像实施方式21和22所述地表示。因此，可结合使用另一种方法来实现多灰度级。描述实现多灰度级的情形中像素的驱动方法。
为了实现多灰度级，可给出时间灰度级方法。时间灰度级方法是通过改变某一周期期间发光时间的长度来表示灰度级的方法。在一种数字时间灰度级方法中，一帧周期被分成多个子帧周期。然后，灰度级通过改变每个子帧周期期间发光时段的长度来表示。
图53示出信号被写入像素的时段(写入时段)与发光时段(发光时间)分开的情形中的定时图。首先，一个屏幕的信号在写入时段中被输入到所有像素。在该时段期间，像素不发光。在写入时段之后，发光时段开始并且像素发光。然后，下一子帧开始且一个屏幕的信号在写入时段中被输入到所有像素。在该时段期间，像素不发光。在写入时段之后，发光时段开始并且像素发光。
在该情形中，可采用如图47和50所示的像素结构。
在写入时段中，必须不向发光元件提供电荷、或者向发光元件施加负偏压。具体地，电源线4705、电源线5005、以及反电极的电位受到控制，从而不向发光元件4704和发光元件5004提供正偏压。或者，反电极可在未得到充电的情况下处于浮动状态。结果，可防止发光元件4704和发光元件5004在写入时段中发光。
然后，图54示出信号被写入像素的时段与发光时段不分开的情形中的定时图。在信号被写入每一行之后，发光时段立即开始。
在某一行中，在写入信号并完成预定发光时段之后，在下一子帧中开始信号写入操作。通过重复这些操作，发光时段的各个长度可受到控制。
这样，即使信号被缓慢地写入，仍然可在一个帧中排列许多子帧。此外，因为发光时段与一帧周期的比率(所谓的占空比)可能较高，因此降低功耗、抑制发光元件的退化、或抑制伪轮廓(pseudo contour)是可能的。
在该情形中，可采用如图47和50所示的像素结构。在该情形中，当时间为如图54中的ta时，必须同时向三行像素输入信号。一般而言，不可能同时向多行像素输入信号。因而，如图56所示，一个栅极选择周期被分成多个时段(图56中为3个)。在每个细分的选择时段中选中每一栅极信号线4707和栅极信号线5007，且相应的信号被输入到源极信号线4706和源极信号线5006。例如，在一栅极选择周期中，在G1(ta)中选中第i行，在G2(ta)中选中第j行，并在G3(ta)中选中第k行。因此，可如同在一个栅极选择周期中同时选择三行一样执行操作。
注意，尽管图54和56各自示出同时向三行像素输入信号的情形，但本发明并不仅限于此。信号还可被输入到更多或更少行中。
图55示出擦除像素中的信号的情形中的定时图。在每一行中，执行信号写入操作并在下一信号写入操作之前擦除像素中的信号。据此，可简便地控制发光时段的长度。
在某一行中，在写入信号并完成预定发光时段之后，在下一子帧中开始信号写入操作。在发光时段较短的情形中，执行信号擦除操作以提供不发光状态。通过重复这些操作，发光时段的各个长度可受到控制。
这样，即使信号被缓慢地写入，仍然可在一个帧中排列许多子帧。此外，在进行擦除操作时，不必获取擦除数据和视频信号，因此，源极驱动器的驱动频率可降低。
[实施方式24]
参照图48对用于实现实施方式23中所述的图55的定时图的像素结构进行描述。
选择晶体管4802的导通或截止使用栅极信号线4807来控制。当选择晶体管4802导通时，视频信号从源极信号线4806输入到电容器4803。然后，驱动晶体管4801根据视频信号来导通/截止。当驱动晶体管4801导通时，电流通过驱动晶体管4801和发光元件4804从电源线4805流向反电极。当驱动晶体管4801截止时，电流不流动。注意，发光元件4804的一个电极与驱动晶体管4801的源极或漏极的任一个相连，而发光元件4804的另一个电极用作反电极。
当想要擦除一信号时，选中一擦除栅极信号线4809以导通擦除晶体管4808，以使驱动晶体管4801截止。然后，没有电流通过驱动晶体管4801和发光元件4804从电源线4805流向反电极。因此，可提供不发光时段，且发光时段的长度可得到自由控制。
注意，电容器4803保持驱动晶体管4801的栅极电位。因此，电容器4803连接于驱动晶体管4801的栅极与电源线4805之间；然而本发明并不仅限于此。仅需电容器4803以保持驱动晶体管4801的栅极电位。在驱动晶体管4801的栅极电位可使用驱动晶体管4801等的栅极电容来保持的情形中，可略去电容器4803。
选择晶体管4802用作连接在源极信号线4806和驱动晶体管4801的栅极之间的开关。擦除晶体管4808用作连接在电源线4805和驱动晶体管4801的栅极之间的开关。在图48中，n沟道晶体管被用作选择晶体管4802；然而，本发明并不仅限于此。可采用具有连接/断开源极信号线4806和驱动晶体管4801的栅极的功能的任一元件。因此，可采用p沟道晶体管。在该情形中，栅极信号线4807的电位相反。
尽管在图48中使用擦除晶体管4808，但也可使用另一种方法。这是因为为了强制提供不发光时段，只需防止将电流提供给发光元件4804。因此，可通过将开关置于电流经驱动晶体管4801和发光元件4804从电源线4805流向反电极的路径中的某处，并通过控制开关的接通/关断，来提供不发光时段。或者，可控制驱动晶体管4801的栅-源电压以强制截止驱动晶体管。
参照图49对使用二极管强制截止驱动晶体管的像素结构进行描述。
选择晶体管4902的导通或截止使用栅极信号线4907来控制。当选择晶体管4902导通时，视频信号从源极信号线4906输入到电容器4903。然后，驱动晶体管4901根据视频信号来导通/截止。当驱动晶体管4901导通时，电流通过驱动晶体管4901和发光元件4904从电源线4905流向反电极。当驱动晶体管4901截止时，电流不流动。注意，发光元件4904的一个电极与驱动晶体管4901的源极或漏极的任一个相连，而发光元件4904的另一个电极用作反电极。
当想要擦除一信号时，选择一擦除栅极信号线4909(在此，提供等于或高于电源线4905的电位)以导通擦除二极管4908，从而电流从擦除栅极信号线4909流向驱动晶体管4901的栅极。因此，驱动晶体管4901截止。因而，没有电流通过驱动晶体管4901和发光元件4904从电源线4905流向反电极。因此，可提供不发光时段，且发光时段的长度可得到自由控制。
当想要保持一信号时，不选择擦除栅极信号线4909。因此，擦除二极管4908截止，且驱动晶体管4901的栅极电位因而得以保持。
注意，擦除二极管4908可以是任何元件，只要它具有整流属性即可。该擦除二极管4908可以是PN二极管、PIN二极管、肖特基二极管、或齐纳二极管。
此外，也可使用连接了二极管的晶体管(其栅极和漏极相连)。作为擦除二极管4908，使用连接了二极管的晶体管。可使用n沟道晶体管，也可使用p沟道晶体管。
注意，电容器4903保持驱动晶体管4901的栅极电位。因此，电容器4903连接于驱动晶体管4901的栅极与电源线4905之间；然而本发明并不仅限于此。仅需设置电容器4903以保持驱动晶体管4901的栅极电位。在驱动晶体管4901的栅极电位可使用驱动晶体管4901等的栅极电容来保持的情形中，可略去电容器4903。
[实施方式25]
参照图51对用于实现实施方式23中所述的图55的定时图的像素结构进行描述。
选择晶体管5102的导通或截止使用栅极信号线5107来控制。当选择晶体管5102导通时，视频信号从源极信号线5106输入到电容器5103。然后，驱动晶体管5101根据视频信号来导通/截止。当驱动晶体管5101导通时，电流通过驱动晶体管5101和发光元件5104从电源线5105流向反电极。当驱动晶体管5101截止时，电流不流动。注意，发光元件5104的一个电极与驱动晶体管5101的源极或漏极的任一个相连，而发光元件5104的另一个电极用作反电极。
当想要擦除一信号时，选中一擦除栅极信号线5109以导通擦除晶体管5108，从而驱动晶体管5101截止。因此，没有电流通过驱动晶体管5101和发光元件5104从电源线5105流向反电极。因而，可提供不发光时段，且发光时段的长度可得到自由控制。
注意，电容器5103保持驱动晶体管5101的栅极电位。因此，电容器5103连接于驱动晶体管5101的栅极与电源线5105之间；然而本发明并不仅限于此。仅需设置电容器5103以保持驱动晶体管5101的栅极电位。在驱动晶体管5101的栅极电位可使用驱动晶体管5101等的栅极电容来保持的情形中，可略去电容器5103。
尽管在图51中使用擦除晶体管5108，但也可使用另一种方法。这是因为为了强制提供不发光时段，只需防止将电流提供给发光元件5104。因此，可通过将开关置于电流经驱动晶体管5101和发光元件5104从电源线5105流向反电极的路径中的某处，并通过控制开关的接通/关断，来提供不发光时段。或者，可控制驱动晶体管5101的栅-源电压以强制截止驱动晶体管。
参照图52对使用二极管强制截止驱动晶体管的像素结构进行描述。
选择晶体管5202的导通或截止使用栅极信号线5207来控制。当选择晶体管5202导通时，视频信号从源极信号线5206输入到电容器5203。然后，驱动晶体管5201根据视频信号来导通/截止。当驱动晶体管5201导通时，电流通过驱动晶体管5201和发光元件5204从电源线5205流向反电极。当驱动晶体管5201截止时，电流不流动。注意，发光元件5204的一个电极与驱动晶体管5201的源极或漏极的任一个相连，而发光元件5204的另一个电极用作反电极。
当想要擦除一信号时，选中一擦除栅极信号线5209(在此提供低电位)以导通擦除二极管5208，从而电流从擦除栅极信号线5209流向驱动晶体管5201的栅极。因此，驱动晶体管5201截止。因而，没有电流通过驱动晶体管5201和发光元件5204从电源线5205流向反电极。从而可提供不发光时段，且发光时段的长度可得到自由控制。
当想要保持一信号时，不选中擦除栅极信号线5209(在此提供高电位)。然后擦除二极管5208截止，且驱动晶体管5201的栅极电位因而得以保持。
注意，擦除二极管5208可以是任何元件，只要它具有整流属性即可。该擦除二极管5208可以是PN二极管、PIN二极管、肖特基二极管、或齐纳二极管。
此外，也可使用连接了二极管的晶体管(其栅极和漏极相连)。作为擦除二极管5208，使用连接了二极管的晶体管。在本实施方式中可使用n沟道晶体管。
注意，电容器5203保持驱动晶体管5201的栅极电位。因此，电容器5203连接于驱动晶体管5201的栅极与电源线5205之间；然而本发明并不仅限于此。电容器5203可被设置成能存储驱动晶体管5201的栅极电位。在驱动晶体管5201的栅极电位可使用驱动晶体管5201等的栅极电容来保持的情形中，可略去电容器5203。
在本实施方式中，选择晶体管5102、擦除晶体管5108、以及驱动晶体管5101在图51中为n沟道晶体管。在图52中，选择晶体管5102、擦除晶体管5108、以及驱动晶体管5101是n沟道晶体管。使用该结构，可使用非晶硅，以使能容易地实现低成本和大屏幕。注意，使用非晶硅有使晶体管退化的问题，即晶体管的特性随时间而变化，也称为阈值偏移。为了解决这种现象，必须采用阈值经校正的像素结构、或将视频信号作为电流输入的像素结构。然而，当采用阈值经校正的像素结构时，会产生使晶体管数量增加的其它问题，且因此像素的孔径比降低，或者电源线5105或反电极的电位降低，这导致发光元件5104的占空比降低。孔径比和占空比的降低要求增大发光元件5104的亮度。因此，发光元件5104更早地退化，并缩短显示装置的寿命。
另一方面，当采用本发明实施方式1到3的驱动方法时，驱动晶体管5101和5201的特性变化、以及发光元件5104和5204中的退化可同时得到校正。
因此，实施方式1到3中驱动方法和使用非晶硅的像素结构的组合可产生进一步的效应。此外，因为用于驱动使用非晶硅的显示装置的控制器通常设置在外部，并且使用非晶硅的显示装置通常具有较大或中等大小，所以与在移动电话或数码相机中实现本发明相比，在这种显示装置中实现本发明时实现本发明的成本与整个显示装置的成本的比率较低。
注意，如图55所示的驱动方法可将图47和50中的电路用作其它电路来实现。图56所示的定时图可应用于该情形中。如图56所示，一个栅极选择周期可分成三个时段；然而，此处一个栅极选择周期被分成两个时段。在每个细分的选择时段中选中每一栅极线，且相应的信号(视频信号和擦除信号)被输入到源极信号线4706和5006。例如，在一个栅极选择周期中，在前半个周期中选中第i行，而在后半个周期中选中第j行。然后，当选中第i行时输入视频信号。另一方面，当选中第j行时输入用于截止驱动晶体管的信号。因此，可如同在一个栅极选择周期中同时选中两行一样执行操作。
注意，该定时图、像素结构和驱动方法都是示例，且本发明并不仅限于此。本发明可应用于各种定时图、像素结构和驱动方法。
[实施方式26]
在本实施方式中，对显示装置、源极驱动器、栅极驱动器等进行描述。
如图45A所示，显示装置包括像素部分3401、栅极驱动器3402和源极驱动器3403。
栅极驱动器3402向像素部分3401顺序地输出选择信号。图45B示出栅极驱动器3402的一个结构示例。栅极驱动器包括移位寄存器3404、缓冲电路3405等。移位寄存器3404顺序地输出脉冲，以便于顺序地进行选择。注意，栅极驱动器3402在许多情形中还包括电平移动电路、脉宽控制电路等。
源极驱动器3404向像素部分3401顺序地输出视频信号。像素部分3401根据视频信号通过控制光线状态来显示图像。从源极驱动器3403输入到像素部分3401的视频信号通常是电压。即，显示元件和用于控制置于每一像素中的显示元件的元件根据从源极驱动器3403输入的视频信号(电压)来改变状态。作为置于每一像素内的显示元件的一个示例，可给出EL元件、用于FED(场致发射显示器)的元件、液晶、DMD(数字微镜装置)等。
注意，栅极驱动器3402和源极驱动器3403可各自设置一个以上。
特别地，在使用如实施方式22所示的驱动方法的情形中，当一个栅极选择周期被分成多个子栅极选择时段时，常常需要与一个栅极选择周期的细分数量一样多的栅极驱动器。此外，可采用具有在任意时间选择任意栅极线、以及执行顺序扫描操作的功能的栅极驱动器，其代表是使用解码器的栅极驱动器。
在此，参照图57对使用与一个栅极选择周期的细分数量一样多的栅极驱动器的情形中显示装置的一示例结构进行描述。注意，本发明并不仅限于该电路结构，并且可使用具有相似功能的任何电路。此外，尽管图57将把一个栅极选择周期分成三个时段的情形中的栅极驱动器示为示例，但一个栅极选择周期的细分数量并不限于3，并且它可以是任何数量。例如，在将一个栅极选择周期的细分成四个时段的情形中，对该栅极驱动器而言总共需要四个移位寄存器。
图57示出栅极驱动器具有设置在像素部分5700的相对两侧上的三个移位寄存器5701、5702和5703的一个示例。在将这些移位寄存器的输出从其相对两侧输入到一条栅极线的情形中，需要开关组5708和5709，以使在接收来自移位寄存器之一的输出的同时栅极线不接收来自另一移位寄存器的输出，以便于防止两个输出彼此反向而导致短路。当开关组5708接通时，开关5709关断，而当开关组5709接通时，开关5708关断。当由OR(或)电路5707选中第二移位寄存器5702和第三移位寄存器5703之一时，也可选中连接到移位寄存器一端的栅极线。在该情形中，因为两个第二移位寄存器与OR电路5707的每一输入端子相连，所以可防止否则会在输入两个信号的情形中引起的电源短路。标号G_CP1、G_CP2和G_CP3是脉宽控制信号。来自G_CP1和第一移位寄存器5701的输出与AND(与)电路5704的输入相连。当来自第一移位寄存器5701和G_CP1的输出处于选中状态时，与之相连的栅极信号线处于选中状态。来自G_CP2和第二移位寄存器5702的输出与AND电路5705的输入相连。当来自第二移位寄存器5702和G_CP2的输出处于选中状态时，与之相连的栅极信号线处于选中状态。来自G_CP3和第三移位寄存器5703的输出与AND电路5706的输入相连。当来自第三移位寄存器5703和G_CP3的输出处于选中状态时，与之相连的栅极信号线处于选中状态。对于移位寄存器的信号宽度，三个移位寄存器的每一个都被设置成具有与一个栅极选择周期的宽度相同的信号宽度，但通过使用脉宽控制信号，它被变换成实际输出到栅极线的脉宽(在该情形中分成三段)，从而可执行将一个栅极选择周期分成多个子栅极选择时段的这种驱动方法。
图44示出具有移位寄存器的输出被设置在像素部分一侧的结构的栅极驱动器，其中一个栅极选择周期被分成三段。因为在图44结构中未在像素部分的相对两侧设置防止显示元件短路的开关，所以与具有在像素部分相对两侧设置移位寄存器的结构的栅极驱动器的操作相比，可期望更稳定的操作。注意，一个栅极选择周期的细分数量并不限于3，并且它可以是任何数量。
注意，这种驱动方法的细节在日本公开专利No.2002-215092、日本公开专利No.2002-297094等中公开，其内容可与本发明组合。
描述具有解码器类型栅极驱动器的显示装置的一个结构示例。
图58示出解码器类型栅极驱动器5800的一个示例。标号5808表示像素部分，标号5800表示栅极驱动器，标号5807表示源极驱动器。在此，对用4比特解码器驱动15条栅极线的情形进行描述。解码器的比特数大致根据显示装置的栅极信号线的数量来确定。例如，当栅极线的数量为60时，因为26＝64，所以选择6比特解码器是有效的。类似地，当栅极线的数量为240时，因为28＝256，所以选择8比特解码器是有效的。这样，选择具有比通过对栅极线数量的平方根开方所获得数量更多数量的比特的解码器是有效的；但本发明并不仅限于此。
作为图58中所示解码器的操作，有以下操作。在选中栅极信号线1的情形中，(1，0，0，0)被分别输入到第一到第四输入端子5801到5804。在选中栅极信号线2的情形中，输入(0，1，0，0)。在选中栅极信号线3的情形中，输入(1，1，0，0)。这样，通过将数字信号的一种组合分配到一条栅极线上，可在任意时间选中任意栅极线。
在NAND(与非)电路的输入端子的数量较大的情形中，操作会受到晶体管电阻等的影响。在这种情形中，具有大量端子的NAND电路可用具有相似功能但较少输入端子的数字电路来代替，如图59所示。标号5908表示像素部分，标号5900表示栅极驱动器，标号5907表示源极驱动器。如图59所示的使用解码器的栅极驱动器5900操作如下。在选中栅极信号线1的情形中，(1，0，0，0)被分别输入到第一到第四输入端子5901到5904。在选中栅极信号线2的情形中，输入(0，1，0，0)。在选中栅极信号线3的情形中，输入(1，1，0，0)。这样，通过将数字信号的一种组合分配到一条栅极线上，可在任意时间选中任意栅极线。
图58示出在解码器的输出部分使用用于阻抗匹配的电平移动电路5805和缓冲电路5806的一个示例，图59示出在解码器的输出部分使用用于阻抗匹配的电平移动电路5905和缓冲电路5906的一个示例。注意，只要提供了类似功能，使用解码器的栅极驱动器的结构并不仅限于此。
图45C示出源极驱动器3403的一个结构示例。源极驱动器3403包括移位寄存器3406、第一锁存电路(LAT1)3407、第二锁存电路(LAT2)3408、电平移动电路3409等。电平移动电路3409可具有将数字信号转换成模拟信号的功能，并具有伽马校正功能。
各像素都具有诸如发光元件的显示元件。有仅提供用于向显示元件输出电流(视频信号)的电路，即电流源电路的情形。
然后，简要描述源极驱动器3403的操作。时钟信号(S-CLK)、启动脉冲(S-SP)、以及反向时钟信号(S-CLKb)被输入给移位寄存器3406，并且根据这些信号的输入定时，移位寄存器3406顺序地输出采样脉冲。
从移位寄存器3406输出的采样信号被输入到第一锁存电路(LAT1)3407。视频信号从视频信号线3410输入到第一锁存电路(LAT1)3407，且这些视频信号根据采样脉冲的输入时间保持在各列中。
在直到第一锁存电路(LAT1)3407中最后一列的视频信号的保持完成之后，从锁存控制线3411输入锁存脉冲，且在水平回扫周期中将已保持在第一锁存电路(LAT1)3407中的视频信号一次性地全部传送到第二锁存电路(LAT2)3408。之后，已保持在第二锁存电路(LAT2)3408中的一行视频信号一次性地全部输入到电平移动电路3409。从电平移动电路3409输出的信号被输入到像素部分3401。
在保持于第二锁存电路(LAT2)3408中的视频信号被输入到电平移动电路3409，然后被输入到像素部分3401的同时，移位寄存器3406再次输出采样脉冲。即，同时执行两个操作。因此，可执行行顺序驱动。然后，重复这些操作。
接着，对在如实施方式22和25所述使用寻址时段与发光时段彼此不分开的定时图的情形中的源极驱动器进行描述。在此，描述两个示例。第一个示例是在不改变如图45所示的源极驱动器3403的结构的情况下增大源极驱动器3403的驱动频率的方法。如果寻址时段和发光时段彼此不分开，则源极驱动器3403在图56中的各个子栅极选择时段中写入一行。即，在将一个栅极选择周期分成两个时段的情形中，这种对寻址时段和发光时段彼此不分开的驱动可通过将源极驱动器3403的驱动频率增大为与预先划分的栅极选择周期相比的两倍来执行。类似地，在将一个栅极选择周期分成三个时段的情形中，前述操作可通过将驱动频率增大为三倍来执行，并且在将一个栅极选择周期分成n个时段的情形中，前述操作可通过将驱动频率增大为n倍来执行。该方法是有利的，因为该源极驱动器的结构并未作特别的更改，并且是简单的。
接着描述第二个示例。图60示出第二个示例的源极驱动器的结构。标号6001表示像素部分，标号6002表示栅极驱动器，标号6003表示源极驱动器。首先，移位寄存器6006的输出被输入到第一锁存电路A6007和第一锁存电路B6012。注意，尽管在本示例中输出被输入到两个第一锁存电路A和B中，但数量并不限于两个，并且可提供任何数量的第一锁存电路。此外，尽管一个移位寄存器的输出被输入到多个第一锁存电路以便于抑制电路规模的增大，但移位寄存器的数量并不限于一个，并且可提供任何数量的移位寄存器。
视频数据-A和视频数据-B作为视频信号分别被输入到第一锁存电路A6007和第一锁存电路B6012中。视频信号与移位寄存器的输出一起锁存，然后向第二锁存电路输出信号。在第二锁存电路A6012和B6013的每一个中，保持一行视频信号，且保持在其中的数据在由锁存脉冲-A和锁存脉冲-B指定的时间更新。第二锁存电路A6012和B6013的输出各自被连接到开关6014，该开关可选择来自第二锁存电路A6008的信号或来自第二锁存电路B6013的信号中的任一个，以输入到像素部分。即，在通过将一个栅极选择周期分成两个时段来将视频信号输入到像素的情形中，对将一个栅极选择周期分成两个时段的这种驱动可通过在该个栅极选择周期的上半时段中输出来自第二锁存电路A6008的信号，并在该个栅极选择周期的下半时段中输出来自第二锁存电路B6013的信号来执行。在该情形中，源极驱动器6003的驱动频率与图45所示结构相比可保持为几乎相同，在图45所示结构中逐一设置有第一和第二锁存电路。此外，在用图45结构执行驱动以使例如一个栅极选择周期被分成4个时段的情形中，源极驱动器6003的驱动频率与不划分栅极选择周期的情形相比增为4倍，而在图60结构中源极驱动器6003的驱动频率仅需增为两倍。即，图60中源极驱动器6003的结构与图45中结构相比在功耗、成品率、可靠性等方面是有利的。
注意，源极驱动器或其一部分(例如电流源电路、电平移动电路等)并非必须设置在与像素部分3401相同的衬底上，并且可用外部IC芯片构造。
注意，源极驱动器和栅极驱动器的结构并不限于图45和60中的结构。例如，有信号通过点顺序驱动法提供给像素的情形。图46示出该情形中源极驱动器3503的一个示例。源极驱动器3503包括移位寄存器3504和采样电路3505。从视频信号线3506输入的视频信号根据采样脉冲被输入到像素部分3501。然后，信号被顺序地输入到由栅极驱动器3402选择的像素行中。
如前所述，本发明的晶体管可以是任何类型的晶体管，并在任何衬底上形成。因此，如图45、46和60所示的所有电路都可在玻璃衬底、塑料衬底、单晶衬底或SOI衬底上形成。或者，图45、46和60中电路的一部分可在一个衬底上形成，而电路的另一部分可在另一个衬底上形成。即并不要求图45、46和60中的所有电路都形成在一个衬底上。例如，在图45、46和60中，像素部分3401和栅极驱动器3402可使用TFT在玻璃衬底上形成，而源极驱动器3403(或其一部分)可在单晶衬底上形成作为IC芯片，然后该IC芯片可通过COG(玻璃上固定芯片)接合安装到玻璃衬底上。或者，IC芯片可通过TAB(载带自动接合)与玻璃衬底相连，或与印刷衬底相连。
注意，本实施方式中的描述对应于使用实施方式1到3的描述。因此，实施方式1到3中的描述可应用于该实施方式。
[实施例1]
在本实施例中，对一像素结构示例进行描述。图24A和24B是如实施方式21到25中所述的面板中像素的横截面图。将TFT用作设置在像素和发光元件中的开关元件的示例被用作设置在像素中的显示介质。
在本实施例中，对具有其结构为参照图47到52的实施方式所述结构的像素的显示装置进行描述。该结构的示例如图1、3和5所示。
图47中的栅极信号线4707对应于图1、3和5中的栅极信号线104。图47中的源极信号线4706对应于图3和5中的源极信号线103。图47中的电源线4705对应于图3和5中的电源线R105、电源线G106、或电源线B107。
图48中的栅极信号线4807对应于图1、3和5中的栅极信号线104。图48中的源极信号线4806对应于图3和5中的源极信号线103。图48中的电源线4805对应于图3和5中的电源线R105、电源线G106、或电源线B107。
图49中的栅极信号线4907对应于图1、3和5中的栅极信号线104。图49中的源极信号线4906对应于图3和5中的源极信号线103。图49中的电源线4905对应于图3和5中的电源线R105、电源线G106、或电源线B107。
图50中的栅极信号线5007对应于图1、3和5中的栅极信号线104。图50中的源极信号线5006对应于图3和5中的源极信号线103。图50中的电源线5005对应于图3和5中的电源线R105、电源线G106、或电源线B107。
图51中的栅极信号线5107对应于图1、3和5中的栅极信号线104。图51中的源极信号线5106对应于图3和5中的源极信号线103。图51中的电源线5105对应于图3和5中的电源线R105、电源线G106、或电源线B107。
图52中的栅极信号线5207对应于图1、3和5中的栅极信号线104。图52中的源极信号线5206对应于图3和5中的源极信号线103。图52中的电源线5205对应于图3和5中的电源线R105、电源线G106、或电源线B107。
注意，图47到52中示出的其它引线未在图1到6中示出。
在图24A和24B中，标号2400表示衬底；2401表示基膜；2402表示半导体层；2412表示半导体层；2403表示第一绝缘膜；2404表示栅电极；2414表示电极；2405表示第二绝缘膜；2406表示第一电极；2407表示第二电极；2408表示第三绝缘膜；2409表示发光层；以及2417表示第三电极。标号2410表示TFT；2415表示发光元件；以及2411表示电容器。在图24A和24B中，TFT 2410和电容器2411被示为像素内所包括的元件的典型示例。首先描述图24A的结构。
作为衬底2400，可使用诸如硼硅酸钡玻璃或硼硅酸铝玻璃的玻璃衬底、石英衬底、陶瓷衬底等。或者，可使用含不锈钢的金属衬底、或具有其上形成绝缘膜的表面的半导体衬底。也可使用由诸如塑料等柔性合成树脂制成的衬底。衬底2400的表面可通过诸如CMP等抛光来平整。
作为基膜2401，可使用含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等的绝缘膜。基膜2401可防止衬底2400中所含的诸如钠等碱金属或碱土金属扩散到半导体层2404中，否则这会不利地影响TFT 2410的特性。尽管基膜2401在图24A中形成为单层中，但它可具有两层或多层。注意，在杂质的扩散并非是大问题的情形中，例如使用石英衬底的情形中，不必提供基膜2401。
作为半导体层2402和半导体层2412，可使用形成图案的结晶半导体膜、或非晶半导体膜。结晶半导体膜可通过结晶非晶半导体膜来获得。作为结晶方法，可使用激光结晶、使用RTA或退火炉的热结晶、使用促进结晶的金属元素的热结晶等。半导体层2402包括沟道形成区、以及掺杂有提供导电类型的杂质元素的一对杂质区。注意，掺杂有前述杂质元素以便于形成较低浓度的另一杂质区可设置在沟道形成区和该对杂质区之间。半导体层2412可具有整个层掺杂有提供导电类型的杂质元素的结构。
第一绝缘膜2403可由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等形成，并可由单层形成或通过叠加多层形成。
注意，第一绝缘膜2403可由含氢的膜形成以便于氢化半导体层2402。
栅电极2404和电极2414可由从Ta、W、Ti、Mo、Al、Cu、Cr和Nd中选择的一种元素、或含多种这样的元素的合金或化合物形成，且可由单层或叠层结构形成。
TFT 2410被形成为具有半导体层2402、栅电极2404、以及夹在半导体层2402和栅电极2404之间的第一绝缘膜2403。尽管图24仅示出与发光元件2415的第二电极2407相连的TFT 2410作为像素内的一个TFT，但可设置多个TFT。此外，尽管本实施例示出TFT 2410作为上栅极晶体管，但TFT 2410可以是下栅极晶体管，其栅电极在半导体层之下，或者可以是双栅极晶体管，其栅电极在半导体层之上和之下。
电容器2411被形成为具有作为电介质的第一绝缘膜2403、以及作为彼此面对的一反电极的半导体层2412和电极2414，其间夹有第一绝缘膜2403。尽管图24示出了像素内所包含电容器的一个示例，其中与TFT 2410的半导体层2402同时形成的半导体层2412被用作一对电极中的一个，而与TFT 2410的栅电极2404同时形成的电极2414用作另一电极，但本发明并不限于这种结构。
第二绝缘膜2405可使用无机绝缘膜或有机绝缘膜形成为具有单层或叠加层。作为无机绝缘膜，有通过CVD形成的氧化硅膜或通过SOG(玻璃上旋涂)形成的氧化硅膜。作为有机绝缘膜，可使用由聚酰亚胺、聚酰胺、BCB(苯并环丁烯)(benzocyclobutene)、丙烯酸、正感光性有机树脂、负感光性有机树脂等。
第二绝缘膜2405也可由具有硅(Si)和氧(O)键的骨架结构的材料形成。作为这种材料的替代物，使用至少含氢的有机基(例如烷基或芳烃)。或者，可将氟基用作取代基，或者至少含氢的氟基或有机基都可用作取代基。
注意，第二绝缘膜2405的表面可通过高密度等离子体处理来氮化。高密度等离子体通过使用例如2.45GHz的高频微波生成。注意，作为高密度等离子体，使用电子密度为2415cm-3或以上、且电子温度为0.2到2.0eV(较佳地为0.5到1.5eV)的等离子体。因为具有低电子温度特征的高密度等离子体具有低动能的活性粒子，所以可形成具有与通过常规等离子体处理形成的相比等离子体损伤较少的较少缺陷膜。在进行高密度等离子体处理时，衬底2400被设置为处于350到450℃的温度。此外，用于生成微波的天线与用于生成高密度等离子体的装置中的衬底2400之间的距离被设置成20到80毫米(较佳地为20到60毫米)。
通过在含有氮气(N)和稀有气体(He、Ne、Ar、Kr、和Xe的至少之一)的气氛，含有氮气、氢气(H)和稀有气体的气氛，或含有NH3和稀有气体的气氛下进行前面的高密度等离子体处理，来氮化第二绝缘膜2405的表面。通过这种使用高密度等离子体的氮化处理形成的第二绝缘膜2405的表面混合有诸如H、He、Ne、Ar、Kr、或Xe的元素。例如，通过将氧化硅膜或氮氧化硅膜用作第二绝缘膜2405并用高密度等离子体处理该膜的表面，形成氮化硅膜。用该方式形成的氮化硅膜中所含的氢可用于氢化TFT 2410的半导体层2402。注意，该氢化处理可与前面的使用第一绝缘膜2403中所含的氢的氢化处理相组合。
注意，可通过高密度等离子体处理在氮化物膜上形成另一绝缘膜，以便于用作第二绝缘膜2405。
第一电极2406可由从Al、Ni、C、W、Mo、Ti、Pt、Cu、Ta、Au、Mn中选择的一种元素、或含多种这些元素的合金或化合物形成，并且由单层或叠层结构形成。
第二电极2407和第三电极2417之一或两者可被形成为透明电极。该透明电极可由含氧化钨的氧化铟(IWO)、含氧化钨和氧化锌的氧化铟(IWZO)、含氧化钛的氧化铟(ITiO)、含氧化钛的氧化铟锡(ITTiO)等形成。不用说，可使用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、添加有氧化硅的氧化铟锡(ITSO)等。
发光层较佳地由具有不同功能的多个层形成，诸如空穴注入/输运层、发光层、以及电子注入/输运层。
空穴注入/输运层较佳地由具有空穴输运性质的有机化合物材料和相对于有机合成材料展现出电子接受性质的无机化合物材料的复合材料形成。通过使用该结构，在本来具有较少载流子的有机化合物中生成许多空穴载流子，从而可获得极佳的空穴注入/输运层。因为该效应，与常规结构相比可抑制驱动电压。此外，因为空穴注入/输运层可在不增大驱动电压的情况下形成为较厚，所以也可抑制因灰尘等引起的发光元件的短路。
作为具有空穴输运属性的有机化合物材料，有例如4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯基)N-苯基氨基]三苯胺(缩写：MTDATA)；1，3，5-三[N，N-二(m-甲苯基)氨基]苯(缩写：m-MTDAB)；N，N’-联苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-1，1’-联苯基-4，4’-二胺(缩写：TPD)；4，4’-二[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(缩写：NPB)；等。然而，本发明并不仅限于这些材料。
作为展现出电子接受性质的无机化合物材料，有例如氧化钛、氧化锆、氧化钒、氧化钼、氧化钨、氧化铼、氧化钌、氧化锌等。特别地，因为可在真空中沉积，所以氧化钒、氧化钼、氧化钨、氧化铼是较佳的，并且易于处理。
电子注入/输运层由具有电子输运性质的有机化合物材料形成。具体地，有三(8-羟基喹啉)铝(缩写：Alq3)；三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(缩写：Almq3)；等。然而，本发明并不仅限于此。
发光层可由例如9，10-二(2-萘基)蒽(缩写：DNA)；9，10-二(2-萘基)-2-叔丁基蒽(缩写：t-BuDNA)；4，4’-二(2，2’-联苯基乙烯基)联苯(缩写：DPVBi)；香豆素30；香豆素6；香豆素545；香豆素545T；苝；红荧烯；periflanthene；2，5，8，11-四(叔丁基)苝(缩写：TBP)；9，10-二苯基蒽(缩写：DPA)；5，1-二苯基蒽；4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-(p-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(缩写：DCM1)；4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-[2-(久洛尼定-9-基)乙烯基]-4H-吡喃(缩写：DCM2)；4-(二氰基亚甲基)-2，6-2[p-(二甲基氨基)苯乙烯基]-4H-吡喃(缩写：BisDCM)；等形成。或者，可使用能够生成磷光的以下化合物：吡啶甲酸二[2-(4’，6’-二氟苯基)吡啶基-N，C2’]铱(III)(FIrpic)；吡啶甲酸二{2-[3’，5’-二(三氟甲基)苯基]吡啶基-N，C2’}铱(III)(缩写：Ir(CF3ppy)2(pic))；三(2-苯基吡啶基-N，C2’)铱(缩写：Ir(ppy)3)；乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶基-N，C2’)铱(缩写：Ir(ppy)2(acac))；乙酰丙酮酸二[2-(2’-噻吩基)吡啶基-N，C3’]铱(缩写：Ir(thp)2(acac))；乙酰丙酮酸二(2-苯基羟基喹啉-N，C2’)铱(缩写：Ir(pq)2(acac))；乙酰丙酮酸二[2-(2’-苯并噻吩基)吡啶根合-N，C3’]铱(缩写：Ir(btp)2(acac))；等。
或者，发光层可以由诸如基于聚对亚苯基-亚乙烯基的材料、基于聚对亚苯基材料、基于聚噻吩的材料或基于聚芴的材料等场致发光材料形成。
在任一情形中，发光层的层结构可改变，并且只要可形成发光元件就可能更改。例如，这种结构可在不设置特定空穴或电子注入/输运层时采用，但相反，出于此目的设置替换电极层，或将发光材料分散在该层中。
第一电极2407或第三电极2417中的另一个可由不透光的材料形成。例如，它可由诸如Li和Cs等碱金属、诸如Mg、Ca或Sr等碱土金属、含这些金属的合金(例如Mg:Ag、Al:Li或Mg:In)、含这些金属的化合物(例如CaF2或CaN)、或诸如Yb或Er等稀土金属形成。
第三绝缘膜2408可由与第二绝缘膜2405相似的材料形成。第三绝缘膜2408在第二电极2407的外围形成，以便于覆盖第二电极2407的边缘，并具有分开相邻像素的发光层2409的功能。
发光层2409由单层或多层形成。在发光层2409由多层形成的情形中，这些层可按照载流子输运性质分成空穴注入层、空穴输运层、发光层、电子输运层、电子注入层等。注意，各层之间的边界并非必须是清晰的，并且有形成相邻层的材料彼此部分混合而使其间界面不清晰的情形。每一层可由有机材料或无机材料形成。有机材料可以是高分子、中分子和低分子材料的任一种。
发光元件2415被形成为具有发光层2409、以及彼此重叠的第二电极2407和第三电极2417，其间夹有发光元件2409。第二电极2407或第三电极2417之一对应于阳极，而另一个对应于阴极。当在发光元件2415的阳极和阴极之间施加比阈值电压高的前向偏压时，电流从阳极流向阴极，从而发光元件2415发光。
接着描述图24B的结构。注意，图24A和24B之间的共同部分由相同标号表示，因而略去其描述。
图24B示出另一绝缘膜2418设置在图24A中的第二绝缘膜2405和第三绝缘膜2408之间的结构。第二电极2416和第一电极2406在设置于绝缘膜2418内的接触孔内相连。
绝缘膜2418可被形成为具有与第二绝缘膜2405相似的结构。第二电极2416可被形成为具有与第一电极2406相似的结构。
[实施例2]
在本实施例中，对非晶硅膜用作晶体管的半导体层的情形进行描述。图28A和28B示出上栅极晶体管，而图29A到30B示出下栅极晶体管。
图28A示出具有上栅极结构的晶体管的横截面，其中非晶硅被用于半导体层。如图28A所示，在衬底2801上形成基膜2802。此外，在基膜2802上形成像素电极2803。此外，第一电极2804由与像素电极2803相同的材料形成，并在同一层中形成。
该衬底可以是玻璃衬底、石英衬底、陶瓷衬底等。此外，基膜2802可由氮化铝(AlN)、氧化硅、氧氮化硅(SiOxNy)等形成，并由单层或叠层形成。
此外，在基膜2802上形成引线2805和2806，并且像素电极2803的边缘用引线2805覆盖。分别在引线2805和2806上形成各自具有n型导电性的N型半导体层2807和2808。此外，在引线2805和2806之间，并在基膜2802上形成半导体层2809。半导体层的一部分被延伸以覆盖n型半导体层2807和2808。注意，该半导体层由诸如非晶硅(a-Si:H)、微晶半导体(μ-Si:H)等的非晶半导体膜形成。在半导体层2809上形成栅绝缘膜2810。此外，绝缘膜2811由与栅绝缘膜2810相同的材料形成，并在同一层中形成于第一电极2804之上。注意，栅绝缘膜2810由氧化硅膜、氮化硅膜等形成。
在栅绝缘膜2810上形成栅电极2812。此外，第二电极2813由与栅电极相同的材料形成，并在同一层中形成于第一电极2804之上，其间夹有绝缘膜2811。因而，形成电容器2819，其中绝缘膜2811夹在第一电极2804和第二电极2813之间。形成层间绝缘膜2814，以覆盖像素电极2803、驱动晶体管2818和电容器2819的边缘。
在层间绝缘膜2814以及置于层间绝缘膜2814的开口中的像素电极2803上形成含有机化合物的层2815和反电极2816。在含有机化合物的层2815夹在像素电极2803和反电极2816之间的区中形成发光元件2817。
图28A所示的第一电极2804可用如图28B所示的第一电极2820替换。第一电极2820由与引线2805和2806相同的材料形成，并形成于同一层中。
图29A和29B示出具有将非晶硅用作其半导体层的下栅极晶体管的半导体器件的面板的局部横截面图。
在衬底2901上形成栅电极2903。此外，第一电极2904由与栅电极2903相同的材料形成，并形成于同一层中。作为栅电极2903的材料，可使用添加了磷的多晶硅。可使用作为金属和硅的化合物的硅化物、以及多晶硅。
此外，形成栅绝缘膜2905以覆盖栅电极2903和第一电极2904。栅绝缘膜2905由氧化硅膜、氮化硅膜等形成。
在栅绝缘膜2905上形成半导体层2906。此外，半导体层2907由与半导体层2906相同的材料形成，并在同一层中形成。衬底可以是玻璃衬底、石英衬底、陶瓷衬底等的任一种。
各自具有n型导电性的N型半导体层2808和2809形成于半导体层2906上，而n型半导体层2810形成于半导体层2907上。
引线2911和2912分别形成于n型半导体层2808和2809上，而导电层2913由与引线2911和2912相同的材料形成，并在同一层中形成于n型半导体层2910上。
第二电极被形成为具有半导体层2907、n型半导体层2910、和导电层2913。注意，电容器2920被形成为具有栅绝缘膜2905夹在第二电极和第一电极2904之间的结构。
此外，引线2911的边缘被延伸，且像素电极2914被形成为与引线2911的延伸部分的上表面相接触。
形成绝缘层2915以覆盖驱动晶体管2919、电容器2920、以及像素电极2914的边缘。
在像素电极2914和绝缘膜2915之上形成含有机化合物的层2916和反电极2916。含有机化合物的层2916夹在像素电极2914和反电极2917之间的区中形成发光元件2918。
并非必须设置用作电容器的第二电极的一部分的半导体层2907和n型半导体层2910。即，只有导电层2913可被用作第二电极，从而电容器被设置成具有栅绝缘膜夹在第一电极2904和导电层2913之间的一种结构。
注意，如果像素电极2914在形成如图29A所示的引线2911之前形成，则可形成如图29B所示的电容器2920，它具有栅绝缘膜2905夹在第一电极2904与由像素电极2914形成的第二电极2921之间的结构。
尽管图29A和29B示出具有沟道蚀刻结构的逆向交错晶体管的示例，但也可采用具有沟道保护结构的晶体管。接着，参照图30A和30B对具有沟道保护结构的晶体管进行描述。
具有如图30A所示沟道保护结构的晶体管与具有如图29A所示沟道蚀刻结构的驱动晶体管2919的不同之处在于，用作蚀刻掩模的绝缘层3001设置在半导体层2906中的沟道形成区上。图29A和30A之间的共同部分用相同的标号表示。
类似地，具有图30B所示的沟道保护结构的晶体管与具有图29B所示的沟道蚀刻结构的驱动晶体管2919的不同之处在于，用作蚀刻掩模的绝缘层3001设置在半导体层2906中的沟道形成区上。图29B和30B之间的共同部分用相同的标号表示。
通过将非晶半导体膜用作包括在本发明像素内晶体管中的半导体层(诸如沟道形成区、源极区、或漏极区)，可降低本发明的制造成本。例如，可通过采用如图6和7所示的像素结构来应用非晶半导体膜。
注意，可应用本发明像素结构的晶体管或电容器的结构并不限于上述结构，并且可采用各种结构的晶体管或电容器。
本实施例可通过与实施例1自由组合来进行。
[实施例3]
在本实施例中，对将等离子体处理制造显示装置的方法进行描述，作为一种制造例如包括晶体管的显示装置的方法。
图31A到31C示出包括晶体管的半导体器件的一个结构示例。注意，图31B对应于沿图31A线a-b所取的横截面图，而图31C对应于沿图31A线c-d所取的横截面图。
图31A到31C所示的半导体器件包括：在衬底4601上形成的半导体膜4603a和4603b，其间夹有绝缘膜4602；在半导体膜4603a和4603b上形成的栅电极，其间夹有栅绝缘层4604；形成以覆盖栅电极的绝缘膜4606和4607；以及用与半导体膜4603a和4603b的源极区域或漏极区域电连接的方式在绝缘膜4607上形成的导电膜4608。尽管图31A到31C示出将半导体膜4603a的一部分用作沟道区的n沟道晶体管4610a，以及将半导体膜4603b的一部分用作沟道区的p沟道晶体管4610b的情形，但本发明并不仅限于该结构。例如，尽管在图31A到31C中，n沟道晶体管4610a设置在LDD区4611中，而p沟道晶体管4610并未设置在LDD区中，但在两种晶体管都设置在LDD区或都不设置在LDD区中时都可采用这样的结构。
在本实施例中，图31A到31C所示的半导体器件通过氧化或或氮化半导体膜或绝缘膜来制造，即通过对衬底4601、绝缘膜4602、半导体膜4603a和4603b、栅绝缘膜4604、绝缘膜4606、以及绝缘膜4607中的至少一层进行等离子体处理来执行氧化或氮化。这样，通过等离子体处理来氧化或氮化半导体膜或绝缘膜，可更改半导体膜或绝缘膜的表面，从而可形成与通过CVD或溅射形成的绝缘膜相比的致密的绝缘膜。因此，可抑制诸如针孔等缺陷，从而可改进显示装置的特征等。
在本实施例中，参照附图对通过等离子体处理来氧化或氮化图31A到31C所示的半导体膜4603a和4603b或栅绝缘膜4604以制造显示装置的方法进行描述。
首先，示出在衬底上形成岛形半导体膜以具有约90°角的边缘的情形。
首先，在衬底4601上形成岛形半导体膜4603a和4603b(图32A)。使用含硅(Si)作为主要成分的材料(例如SixGe1-x)，通过溅射、LPCVD、等离子体CVD等在预先形成于衬底4601上的绝缘膜4602上形成非晶半导体膜、然后使非晶半导体膜结晶、再选择性地蚀刻半导体膜，来形成该岛形半导体膜4603a和4603b。注意，非晶半导体膜的结晶可通过诸如激光结晶、使用RTA或退火炉的热结晶、使用促进结晶的金属元素的热结晶或其组合来进行。注意，在图32A到32D中，岛形半导体膜4603a和4603b各自被形成为具有约90°角(θ＝85～100°)的边缘。
接着，半导体膜4603a和4603b通过等离子体处理来氧化或氮化，以分别在半导体膜4603a和4603b的表面上形成氧化或氮化膜4621a和4621b(下文中也称为绝缘膜4621a和4621b)。例如，当Si被用于半导体膜4603a和4603b时，氧化硅或氮化硅被形成为绝缘膜4621a和4621b。此外，在通过等离子体处理进行氧化之后，半导体膜4603a和4603b可再次用等离子体处理以进行氮化。在该情形中，在半导体膜4603a和4603b上形成氧化硅，然后在氧化硅的表面上形成氮氧化硅(SiNxOy，x＞y)。注意，在通过等离子体处理来氧化半导体膜的情形中，在氧气氛(例如含氧气(O2)和稀有气体(He、Ne、Ar、Kr、和Xe的至少之一)的气氛；含氧气、氢气(H2)和稀有气体的气氛；或含一氧化二氮和稀有气体的气氛)下进行该等离子体处理。同时，在通过等离子体处理氮化半导体膜的情形中，在氮气氛(例如含氮气(N2)和稀有气体(He、Ne、Ar、Kr、和Xe的至少之一)的气氛；含氮气、氢气(H2)和稀有气体的气氛；或含NH3和稀有气体的气氛)下进行该等离子体处理。作为稀有气体，可使用例如Ar。或者，可使用Ar和Kr的混合气体。因此，绝缘膜4621a和4621b包含在等离子体处理中使用的稀有气体(He、Ne、Ar、Kr、和Xe的至少之一)。在使用Ar的情形中，绝缘膜4621a和4621b包含Ar。
等离子体处理在含前述气体的气氛中进行，其条件为电子密度1×1011到1×1013cm-3，且等离子体电子温度为0.5到1.5eV。因为等离子体电子密度较高，且衬底4601上形成的要处理的主体(在此为半导体膜4603a和4603b)附近的电子温度较低，所以可防止对要处理主体的等离子体损伤。此外，因为等离子体电子密度高达1×1011cm-3或以上，通过等离子体处理来氧化或氮化要处理的主体所形成的氧化或氮化膜在其均匀厚度等、以及与通过CVD、溅射等形成的薄膜相比较为致密方面是有利的。此外，因为等离子体电子温度低达1eV，所以可在与常规等离子体处理或热氧化相比的较低温度上进行氧化或氮化处理。例如，即使在比玻璃衬底的应变点低100度或以上的温度上进行等离子体处理时，也可充分地进行氧化或氮化处理。注意，作为生成等离子体的频率，可使用诸如微波(2.45GHz)的高频。还要注意，等离子体处理在前述条件下执行，除非另有指定。
然后，形成栅绝缘膜4606以覆盖绝缘膜4621a和4621b(图32C)。栅绝缘膜4604可由诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅(SiOxNy，x＞y)、氮氧化硅(SiNxOy，x＞y)等含氧或氮的绝缘膜通过溅射、LPCVD、等离子体CD等形成，以具有单层结构或叠层结构。例如，当Si被用于半导体膜4603a和4603b，且Si通过等离子处理来氧化以在半导体膜4603a和4603b上形成作为绝缘膜4621a和4621b的氧化硅时，氧化硅被形成为绝缘膜4621a和4621b上的栅绝缘膜。此外，在图32B中，如果通过等离子体处理来氧化或氮化半导体膜4603a和4603b而形成的绝缘膜4621a和4621b足够厚以形成栅绝缘膜，则该绝缘膜4621a和4621b可被用作栅绝缘膜。
然后，通过在栅绝缘膜4604上形成栅电极4605等，可制造具有n沟道晶体管4610a和p沟道晶体管4610b的显示装置，这些晶体管分别具有岛形半导体膜4603a和4603作为沟道区(图32D)。
这样，在半导体膜4603a和4603b上设置栅绝缘膜4604之前通过等离子体处理来氧化或氮化半导体膜4603a和4603b的表面，可防止栅电极和半导体膜之间的短路等，否则这会因栅绝缘膜4604在沟道区的边缘4651a和4651b上的覆盖缺陷引起。即，如果岛形半导体薄膜的边缘具有约90°的角度(θ＝85～100°)，则会有这样的问题：在通过CVD、溅射等形成栅绝缘膜以便于覆盖半导体薄膜时，可因栅绝缘膜在半导体膜的边缘等处的断裂导致覆盖缺陷。然而，这种覆盖缺陷等可预先通过等离子体处理来氧化或氮化半导体膜的表面来防止。
或者，在图32A到32D中，可形成栅绝缘膜4604，然后通过进行等离子体处理来氧化或氮化。在该情形中，通过对形成为覆盖半导体膜4603a和4603b的栅绝缘膜4604进行等离子体处理(图33A)来氧化或氮化栅绝缘膜4604，在栅绝缘膜4604的表面上形成氧化或氮化膜(下文中也称为绝缘膜4623)(图33B)。该等离子体处理可在与图32B中相似的条件下进行。此外，绝缘膜4623包含在等离子体处理中使用的稀有气体。例如，在使用Ar的情形中，绝缘膜4623包含Ar。
或者，在图33B中，在通过于氧气氛中进行等离子体处理而氧化栅绝缘膜4604之后，可再次在氮气氛中用等离子体处理栅绝缘膜4604，以便于氮化。在该情形中，在半导体膜4603a和4603b的一侧形成氧化硅或氧氮化硅(SiOxNy，x＞y)，并形成氮氧化硅(SiNxOy，x＞y)以便于与栅电极4605接触。然后，通过在绝缘膜4623上形成栅电极4605等，可制造具有n沟道晶体管4610a和p沟道晶体管4610b的显示装置，这些晶体管分别具有岛形半导体膜4603a和4603b作为沟道区(图33C)。这样，通过等离子体处理来氧化或氮化栅绝缘膜的表面之后，可更改栅绝缘膜的表面以形成致密膜。通过等离子体处理获得的绝缘膜是致密的，且与通过CVD或溅射形成的绝缘膜相比具有极少的诸如针孔等缺陷。因此，可改进晶体管的特性。
尽管图33A到33C示出通过预先对半导体膜4603a和4603b进行等离子体处理来氧化或氮化半导体膜4603a和4603b的表面的情形，但可采用以下这种方法：等离子体处理不对半导体膜4603a和4603b进行，而是在形成栅绝缘膜4604之后进行。这样，通过在形成栅电极之前进行等离子体处理，即使在半导体膜因诸如栅绝缘膜在半导体膜的边缘处断裂等覆盖缺陷而外露时，半导体膜也可被氧化或氮化；因此，可防止栅电极和半导体膜之间的短路等，否则这会因栅绝缘膜在半导体膜的边缘上的覆盖缺陷引起。
这样，通过等离子体处理来氧化或氮化半导体膜或栅绝缘膜，即使岛形半导体膜被形成为具有约90°的角度的边缘，也可防止栅电极和半导体膜之间的短路等，否则这会因栅绝缘膜在半导体膜的边缘上的覆盖缺陷引起。
接着，示出在衬底上形成的岛形半导体薄膜被形成为具有锥形边缘(θ＝30～85°)的情形。
首先，在衬底4601上形成岛形的半导体薄膜4603a和4603b(图34A)。使用含硅(Si)作为主要成分的材料(例如SixGe1-x)，通过溅射、LPCVD、等离子体CVD等在衬底4602上形成非晶半导体膜，然后使非晶半导体膜结晶，再选择性地蚀刻该半导体膜，可以提供该岛形半导体膜4603a和4603b。注意，非晶半导体薄膜的结晶可通过诸如激光结晶、使用RTA或退火炉的热结晶、使用促进结晶的金属元素的热结晶或其组合的结晶方法来进行。注意，在图34A到34D中，岛形半导体膜各自被形成为具有锥形边缘(θ＝30～85°)。
然后，形成栅绝缘膜4604以覆盖绝缘膜4603a和4603b(图34B)。栅绝缘膜4604可由诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅(SiOxNy，x＞y)、或氮氧化硅(SiNxOy，x＞y)等含氧或氮的绝缘膜通过溅射、LPCVD、等离子体CD等形成，以具有单层结构或叠层结构。
然后，通过等离子体处理来氧化或氮化栅绝缘膜4604，在栅极绝缘薄膜4604的表面上形成氧化或氮化膜(下文中也称为绝缘膜4624)(图34B)。该等离子体处理可在与上述相似的条件下进行。例如，如果氧化硅或氧氮化硅(SiOxNy，x＞y)被用作栅绝缘膜4604，则栅绝缘膜4604通过在氧气氛下进行等离子体处理来氧化，从而可在栅绝缘膜的表面上形成致密膜，该致密膜与通过CVD或溅射形成的绝缘膜相比具有极少的诸如等缺陷。另一方面，如果栅绝缘膜4604通过在氮气氛下进行等离子体处理来氮化，则可在栅绝缘膜4604的表面上设置氮氧化硅(SiNxOy，x＞y)膜作为绝缘膜4624。或者，在通过于氧气氛下进行等离子体处理而氧化栅绝缘膜4604之后，栅绝缘膜4604可再次在氮气氛中用等离子体进行处理，以便于氮化。此外，绝缘膜4624包含在等离子体处理中使用的稀有气体。例如，在使用Ar的情形中，绝缘膜4624包含Ar。
然后，通过在栅绝缘膜4604上形成栅电极4605等，可制造具有n沟道晶体管4610a和p沟道晶体管4610b的显示装置，这些晶体管分别具有岛形半导体膜4603a和4603作为沟道区域(图34D)。
这样，通过对栅绝缘膜进行等离子体处理，可在栅绝缘膜的表面上设置由氧化或氮化膜形成的绝缘膜，并因而可更改栅绝缘膜的表面。因为通过用等离子体处理的氧化或氮化获得的绝缘膜是致密的，且与通过CVD或溅射形成的绝缘膜相比具有极少的诸如针孔等缺陷，因此可改进晶体管的特性。此外，尽管通过将半导体膜形成为具有锥形边缘可防止栅电极和半导体膜之间的短路等(否则这可因栅绝缘膜在半导体膜的边缘等处的覆盖缺陷引起)，但可通过在形成栅绝缘膜之后进行等离子体处理来更有效地防止栅电极和半导体膜之间的短路等。
然后，参照附图对不同于图34A到34C的显示装置的制造方法进行描述。具体地，示出选择性地对半导体膜的锥形边缘进行等离子体处理的情形。
首先，在衬底4601上形成岛形半导体膜4603a和4603b(图35A)。使用含硅(Si)作为主要成分的材料(例如SixGe1-x)，通过溅射、LPCVD、等离子体CVD等在预先形成于衬底4601上的绝缘膜4602上形成非晶半导体膜，然后使非晶半导体膜结晶，再通过将抗蚀剂4625a和4625b用作掩模而选择性地蚀刻半导体膜，可以形成该岛形半导体膜4603a和4603b。注意，非晶半导体膜的结晶可通过诸如激光结晶、使用RTA或退火炉的热结晶、使用促进结晶的金属元素的热结晶或其组合来进行。
然后，岛形半导体膜4603a和4603b的边缘在去除用于蚀刻半导体膜的抗蚀剂4625a和4625b之前通过等离子体处理而被选择性地氧化或氮化，从而在半导体膜4603a和4603b的每一个上形成氧化或氮化膜(下文中也称为绝缘膜4626)(图35B)。等离子体处理在上述条件下进行。此外，绝缘膜4626包含在等离子体处理中使用的稀有气体。
然后，形成栅绝缘膜4604以覆盖半导体膜4603a和4603b(图35C)。栅绝缘膜4604可如上所述地形成。
然后，通过在栅绝缘膜4604上形成栅电极4605等，可制造具有n沟道晶体管4610a和p沟道晶体管4610b的显示装置，这些晶体管分别具有岛形半导体膜4603a和4603b作为沟道区(图35D)。
如果半导体膜4603a和4603b被设置成具有锥形边缘，则在半导体膜4603a和4603b的各个部分中形成的沟道区的边缘4652a和4652b也为锥形，从而半导体膜和栅绝缘膜在该部分的厚度与中央部分的不同，这可影响晶体管的特性。在此，这种因沟道区的边缘对晶体管的影响可通过用等离子体处理选择性地氧化或氮化沟道区的边缘，在作为沟道区边缘的半导体膜的边缘上形成绝缘膜而降低。
尽管图35A到35D示出只有半导体膜4603a和4603b的边缘通过等离子体处理来氧化或氮化的示例，但栅绝缘膜4604也可如图34A到34D所示通过等离子体处理而被氧化或氮化(图37A)。
然后，参照附图对不同于以上所述的半导体器件的制造方法进行描述。具体地，示出对锥形半导体膜进行等离子体处理的情形。
首先，用与上述相似的方式在衬底4601上形成岛形半导体膜4603a和4603b(图36A)。
然后，半导体膜4603a和4603b通过等离子体处理而被氧化或氮化，以分别在半导体膜4603a和4603b的表面上形成氧化或氮化膜(下文中也称为绝缘膜4627a和4627b)(图36B)。该等离子体处理可在与上述相似的条件下进行。例如，当Si用于半导体膜4603a和4603b时，形成氧化硅或氮化硅作为绝缘膜4627a和4627b。然后，在通过等离子体处理来氧化之后，半导体膜4603a和4603b可用等离子体再次处理以进行氮化。这样，在半导体膜4603a和4603b上形成氧氮化硅(SiOxNy，x＞y)，然后在氧化硅表面上形成氮氧化硅(SiNxOy，x＞y)。因此，绝缘膜4672a和4672b包含在等离子体处理中使用的稀有气体。注意，等离子体处理还同时氧化或氮化半导体膜4603a和4603b的边缘。
然后，形成栅绝缘膜4604以覆盖绝缘膜4627a和4627b(图36C)。栅绝缘膜4604可由诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅(SiOxNy，x＞y)、氮氧化硅(SiNxOy，x＞y)等含氧或氮的绝缘膜通过溅射、LPCVD、等离子体CD等形成，以具有单层结构或叠层结构。例如，当使用Si通过等离子处理来氧化半导体膜4603a和4603b，从而在半导体膜4603a和4603b上由氧化硅形成绝缘膜4627a和4627b时，在绝缘膜4627a和4627b上形成氧化硅作为栅绝缘膜。
然后，通过在栅绝缘膜4604上形成栅电极4605等，可制造具有n沟道晶体管4610a和p沟道晶体管4610b的显示装置，这些晶体管分别具有岛形半导体膜4603a和4603b作为沟道区(图36D)。
如果半导体膜被设置成具有锥形边缘，则在半导体膜的各个部分中形成的沟道区的边缘也为锥形，这可影响晶体管的特性。这种对半导体元件的影响可通过用等离子体处理来氧化或氮化作为沟道区的半导体膜的边缘以氧化或氮化沟道区的边缘而降低。
尽管图36A到36D示出仅仅半导体膜4603a和4603b通过等离子体处理被氧化或氮化，但栅绝缘膜4604也可如图34所示地通过等离子体处理来进行氧化或氮化(图37B)。这样，在通过于氧气氛下进行等离子体处理来氧化栅绝缘膜4604之后，栅绝缘膜4604可在氮气氛下再次用等离子体处理以便于进行氮化。在这种情形中，在半导体薄膜4603a和4603b一侧上形成氧化硅或氧氮化硅(SiOxNy，x＞y)，然后形成氮氧化硅(SiNxOy，x＞y)以便于接触栅电极4605。
通过以前述方式进行等离子体处理，可简便地去除附在半导体膜或绝缘膜上的诸如灰尘等杂质。一般而言，通过CVD、溅射等形成的膜在其表面上会有灰尘(也称为颗粒)。例如，如图38A所示，有灰尘4673附于通过CVD、溅射等在诸如绝缘膜、导电膜、或半导体膜等膜4671上形成的绝缘膜4672的情形。即使在这种情形中，通过用等离子体处理来氧化或氮化绝缘膜4672，也可在绝缘膜4672的表面上形成氧化或氮化膜(下文中也称为绝缘膜4674)。绝缘膜4674用不仅无灰尘4673存在的部分而且在灰尘4673之下的部分也被氧化或氮化的方式来氧化或氮化；因此，绝缘膜4674的体积增大。同时，因为灰尘4673的表面也通过等离子体处理而被氧化或氮化以形成绝缘膜4675，所以灰尘4673的体积也增大(图38B)。
此时，灰尘4673处于通过诸如刷洗等简单洗涤就可从绝缘膜4674的表面上去除的状态。因而，通过进行等离子体处理，甚至附于绝缘膜或半导体膜的微小灰尘也可被轻易地去除。注意，该效果通过进行等离子体处理获得；因此，不仅对本实施方式，而且对其它实施方式都适用。
这样，通过使用等离子体处理的氧化或氮化来更改半导体膜或绝缘膜的表面，可形成致密且高质量的绝缘膜。此外，附于绝缘膜表面的灰尘等可通过洗涤简便地去除。因此，即使在绝缘薄膜形成为较薄时，也可防止诸如针孔等缺陷，从而可实现诸如晶体管等半导体元件的小型化和高性能。
尽管本实施例示出对半导体膜4603a和4603b或栅绝缘膜4604进行等离子体处理以便于氧化或氮化该半导体膜4603a和4603b或栅绝缘膜4604的示例，但要通过等离子体来氧化或氮化的层并不限于这些。例如，可对衬底4601或绝缘膜4602进行等离子体处理。或者，可对绝缘膜4606或绝缘膜4607进行等离子体处理。
本实施例可通过自由组合实施例1或2来进行。
[实施例4]
在本实施例中，对作为制造例如包括晶体管的显示装置的工艺的网版工艺进行描述。
图39示出包括晶体管、电容器和电阻器的显示装置的横截面结构。图39示出n沟道晶体管5401、n沟道晶体管5402、电容器5404、电阻器5404、以及p沟道晶体管5403。各晶体管包括半导体层5505、绝缘层5508、以及栅电极5509。栅电极5509由第一导电层5503和第二导电层5502的叠层结构形成。夹在半导体层5505和栅电极5509之间的绝缘层5508用作栅绝缘层。图40A到40E是对应于晶体管、电容器和电阻器的俯视图，它们可与图39一起参看。
在图39中，n沟道晶体管5401具有沟道长度方向(载流子的流动方向)上的半导体层5505，它包括杂质区5506、以及以比杂质区5506低的浓度掺杂的杂质区5507。杂质区5506用作源极或漏极区，并与引线5504电连接。杂质区5507也被称为轻掺杂漏极(LDD)。在形成n沟道晶体管5401的情形中，杂质区5506和5507用诸如磷等提供n型导电性的杂质来掺杂。形成LDD以防止热电子退化和短沟道效应。
如图40A所示，在n沟道晶体管5401的栅电极5509中，形成第一导电层5503以延伸到第二导电层5502的两侧。在该情形中，第一导电层5503的厚度比第二导电层薄。第一导电层5503的厚度被设置成传送在10到100kV的电场内加速的离子种类。杂质区5507被形成为与栅电极5509的第一导电层5503重叠。即，形成与栅电极5509重叠的LDD区。在该结构中，通过将第二导电层5502用作掩模而穿过第一导电层5503添加提供一种导电类型的杂质，以自对准方式形成杂质区5507。即，以自对准方式形成与栅电极重叠的LDD。
在图39中，n沟道晶体管5402具有半导体层5505，它包括用作源极和漏极区的杂质区5506、以及用比杂质区5506低的浓度掺杂的杂质区5507。杂质区5507形成于沟道形成区的一侧上以便于与杂质区5506接触。如图40B所示，在n沟道晶体管5402的栅电极5509中，形成第一导电层5503以在第二导电层5502的一侧上延伸。在这种结构中，也可通过将第二导电层5502用作掩模而穿过第一导电层5503添加提供一种导电类型的杂质，以自对准方式形成LDD。
在沟道形成区的一侧具有LDD的晶体管可用作在源电极和漏电极之间施加正电压或负电压的晶体管。具体地，该晶体管可应用于形成诸如倒相器电路、NAND电路、NOR电路和锁存电路等逻辑门的晶体管，形成诸如读出放大器、恒压生成电路和VCO等模拟电路的晶体管。
如图39所示，形成电容器5404以将绝缘层5508置于第一导电层5503和第二导电层5505之间。电容器5404中的半导体层5505具有杂质区5510和5511。杂质区5511形成于半导体层5505中以便于与第一导电层5503重叠。杂质区5510与引线5504接触。因为杂质区5511穿过第一导电层5503用提供一种导电类型的杂质来掺杂，所以杂质区5510和5511中所包含杂质的浓度可相同或不同。在任何情形中，在电容器5404中，半导体层5505用作一电极；因此半导体层5505较佳地用提供一种导电类型的杂质掺杂以降低其电阻。此外，如图40C所示，通过将第二导电层5502用作辅助电极，第一导电层5503可足以作为电极工作。因而，通过组合第一导电层5503和第二导电层5502来形成一种多电极结构，可用自对准方式形成电容器5404。
在图39中，电阻器5405使用第一导电层5503形成。第一导电层5503被形成为具有30到150nm的厚度，因此可适当地设置第一导电层5503的宽度或长度以形成电阻器。
电阻器可通过含高浓度杂质元素的半导体层或具有较薄厚度的金属层来形成。金属层较佳地是半导体层，因为金属层的电阻值取决于膜厚度和膜质量，而半导体层的电阻值取决于膜厚度、膜质量、杂质的浓度、活化率等；因此，金属层电阻值中的变化比半导体层的小。图40E示出电阻器5405的俯视图。
在图39中，p沟道晶体管5403在半导体层5505中具有杂质区5512。杂质区5512形成分别与引线5504相连的源极和漏极区。栅电极5509具有第一导电层5503和第二导电层5502彼此重叠的结构。P沟道晶体管5403是具有未形成LDD的单漏极结构的晶体管。当形成p沟道晶体管5403时，杂质区5512用诸如硼等提供p型导电性的杂质来掺杂。另一方面，当杂质区5512用磷来掺杂时，可形成具有单漏极结构的n沟道晶体管。图40E示出p沟道晶体管5403的俯视图。
对于半导体层5505和绝缘层5508中的任一个或两者，可使用以微波激励的、电子温度为2eV或以下、离子能量为5eV或以下、且电子密度约为1011到1013/cm-3的高密度等离子体进行氧化或氮化处理。此时，用300到450℃的衬底温度、并在氧化气氛(例如O2或N2O)或氮化气氛(例如N2或NH3)中进行处理；从而可降低半导体层5505和绝缘层5508之间的界面的缺陷程度。此外，通过对绝缘层5508进行处理，绝缘层5508可更加致密。换言之，可抑制充电缺陷以及晶体管阈值电压中变化的产生。在以3V或以下的电压驱动晶体管的情形中，通过该等离子体处理来氧化或氮化的绝缘层5508可被用作栅绝缘层。在以3V或以上的电压驱动晶体管的情形中，通过组合用该等离子体处理在半导体层5505的表面上形成的绝缘层与用CVD(等离子体CVD或热CVD)层叠的绝缘层，可形成绝缘层5508。用类似的方式，该绝缘层可用作电容器5404的电介质层。在这一情况下，通过该等离子体处理而形成的绝缘层具有1到10nm的厚度，并且是致密膜；因此，可形成具有较大电容的电容器。
如参照图39和40A到40E所述，具有各种结构的元件可通过组合具有不同膜厚度的导电层来形成。仅形成第一导电层的区、以及叠加第一和第二导电层的区可通过使用光掩模或光罩形成，这些光掩模或光罩由衍射光栅图案或具有带降低光强功能的半透明膜的辅助图案而形成。即，在光刻处理中，当光刻胶曝光时，调节穿过光掩模的光线的量，以使所显影的抗蚀剂掩模具有变化的厚度。在该情形中，可在光掩模或光罩中形成等于或低于分辨率限制的狭缝，从而形成具有前述复杂形状的抗蚀剂。此外，由光刻胶材料形成的掩模图案可通过在显影后以约200℃烘烤来改变形状。
此外，通过使用由衍射光栅图案或具有带降低光强功能的半透明膜的辅助图案形成的光掩模或光罩，可连续形成仅形成第一导电层的区、以及叠加第一和第二导电层的区。如图40A所示，仅形成第一导电层的区可选择性地形成于半导体层上。该区在半导体层上是有效的，但在其它区(与栅电极相连的引线区)中却并非必须。通过使用光掩模或光罩，仅形成第一导电层的区未形成于引线部分中；因此，可充分地增大引线密度。
在图39和40A到40E中，第一导电层由诸如钨(W)、铬(Cr)、钛(Ti)、氮化钛(TaN)、或钼(Mo)等高熔点金属；或主要含高熔点金属的合金或化合物形成，以具有30到50nm的厚度。第二导电层由诸如钨(W)、铬(Cr)、钛(Ti)、氮化钛(TaN)、或钼(Mo)等高熔点金属；或主要含高熔点金属的合金或化合物形成，以具有300到600nm的厚度。例如，第一导电层和第二导电层由不同的导电材料形成，以使蚀刻速率在下一蚀刻步骤中互不相同。例如，第一导电层可由TaN形成，而第二导电层由钨膜形成。
在本实施例中，通过使用由衍射光栅图案或具有带降低光强功能的半透明膜的辅助图案形成的光掩模或光罩，可在一个图案形成步骤中形成具有不同电极结构的晶体管、电容器和电阻器。因而，具有不同结构的元件可在不增加步骤数量的情况下形成，并可根据电路的特性来集成。
本实施例可通过自由组合实施例1到3进行。
[实施例5]
在本实施例中，参照图41A到43B对用于制造包括晶体管的显示装置的掩模图案的示例进行描述
图41A所示的半导体层5610和5611较佳地由硅或含硅的结晶半导体形成。例如，应用了通过激光退火等使硅膜结晶而形成的多晶硅或单晶硅。此外，可应用金属氧化物半导体、非晶硅、或显示出半导体特性的有机半导体。
在任何情形中，在具有绝缘表面的衬底的整个表面或一部分(比指定为晶体管中的半导体区的区大的区)上形成首先形成的半导体层。然后，通过光刻法在半导体层上形成掩模图案。半导体层使用掩模图案来蚀刻，以形成包括源极和漏极区以及晶体管的沟道形成区的预定的岛形半导体层5610和5611。半导体层5610和5611被形成为具有适当的布局。
图41A所示的用于形成半导体层5610和5611的光掩模具有如图41B所示的掩模图案5630。掩模图案5630取决于用于光刻步骤中使用的抗蚀剂是正型还是负型而不同。当使用正型抗蚀剂时，图41B所示的掩模图案5630被形成为遮光部分。掩模图案5630具有去除了顶部A的多边形形状。此外，在角部分B中，掩模图案多次弯曲以不形成直角。即，在该光掩膜图案中，是直角三角形的角被去除以使直角三角形一条边为例如10μm或以下。
图41B所示的掩模图案5630的形状反映在图41A所示的半导体层5610和5611中。在该情形中，可转录与掩模图案5630相似的形状。或者，形状可被转录成使所转录的图案的角具有比掩模图案5630更圆的形状。即，可提供图案形状比掩模图案5630更平滑的圆角部分。
在半导体层5610和5611上形成其至少一部分中包括氧化硅或氮化硅的绝缘层。形成该绝缘层以用作栅绝缘层。如图42A所示，形成栅极引线5712、5713和5714以与半导体层部分地重叠。栅极引线5712对应于半导体层5610而形成，而栅极引线5713对应于半导体层5610和5611而形成。此外，栅极引线5713对应于半导体层5610和5611而形成。栅极引线通过形成具有高导电性的金属层或半导体层来形成，且栅极引线的形状通过在绝缘层上光刻来形成。
用于形成栅极引线的光掩模具有如图42B所示的掩模图案5631。在掩模图案5631中，每个弯成L形的角部分被去除，以使直角三角形的一条边为例如10μm或以下，或引线宽度的1/5到1/2，从而使角部分变圆。图42B所示的掩模图案5731的形状反映在图42A所示的栅极引线5712、5713和5714中。在该情形中，可转录与掩模图案5731相似的形状。或者，形状可被转录成使栅极引线5712到5714中的角具有比掩模图案5731更圆的形状。即，可提供图案形状比掩模图案5731更平滑的圆角部分。换言之，将栅极引线5712到714中的角去除引线宽度的1/5到1/2，以便于具有圆角部分。具体地，为了形成角部分的圆边，去除掩模的一部分，它对应于具有彼此垂直以形成角部分的两条第一直线、以及与两条第一直线成约45°角的第二直线的等腰直角三角形。当去除该三角形时，在掩模中形成两个钝角。较佳的是将掩模设置成使与第一直线和第二直线相交的曲线通过适当地调节条件而形成于每一钝角部分中。注意，等腰直角三角形的彼此相等的两条边的长度等于或大于掩模宽度的1/5，并等于或小于掩模宽度的1/2。此外，角部分的内边根据角部分的外边也变圆。在角部分的外侧，当进行通过等离子体的干法蚀刻时可抑制因异常放电而产生细粉。此外，即使产生了细粉，角部分的内侧也使得在清洗时洗去细粉而无细粉残留在角中成为可能。结果，成品率显著改进。
在形成栅极引线5712到5714之后形成层间绝缘层。层间绝缘层由诸如氧化硅等无机绝缘材料或诸如聚酰亚胺或丙烯树脂等有机绝缘材料形成。诸如氮化硅或氮氧化硅等绝缘材料可形成于层间绝缘层和栅极引线5712到5714之间。此外，诸如氮化硅或氮氧化硅等绝缘材料也可形成于层间绝缘层之上。绝缘层可防止半导体层和栅极绝缘层因对晶体管不利的杂质(诸如外生金属离子和湿气)而受到污染。
在层间绝缘层中，在预定位置中形成开口。例如，开口对应于栅极引线或置于其下的半导体层而形成。由单层或多层金属或金属化合物形成的引线层用通过光刻法形成的掩模图案蚀刻成预定图案。然后，如图43A所示，形成引线5815到5820以与半导体层部分重叠。引线与特定元件相连。使一个元件与另一个元件相连的引线因为布局的限制不是直的而是弯的。此外，引线的宽度在接触部分或另一区中改变。在接触部分中，引线的宽度在接触部分中接触孔等于或大于引线的宽度的一部分中变大。
用于形成引线5815到5820的光掩模具有如图43B所示的掩模图案5832。在该情形中，引线还具有这样的一种图案：各角部分中为直角三角形的角被去除以使直角三角形的一条边为10μm或以下、或引线宽度的1/5到1/2；从而角部分是圆形的。在这种引线中，在角部分的外侧，当进行通过等离子体的干法蚀刻时可抑制因异常放电而产生细粉。此外，即使产生了细粉，角部分的内侧也使得在清洗时洗去细粉而无细粉残留在角中成为可能。结果，成品率显著改进。此外，引线的圆角增强了导电性。另外，多条平行引线中的灰尘可被有效地洗去。
在图43A中，形成n沟道晶体管5821到5824以及p沟道晶体管5825和5826。n沟道晶体管5823和p沟道晶体管5825、以及n沟道晶体管5824和p沟道晶体管5826分别形成倒相器5827和5828。包括这6个晶体管的电路形成一SRAM。诸如氮化硅和氧化硅等绝缘层可形成于晶体管上。
本实施例可通过自由组合实施例1到4进行。
[实施例6]
在本实施例中，参照附图25A到25C对密封设置有像素的衬底的结构进行描述。图25A是密封了设置有像素的衬底的面板的俯视图，而图25B和25C是沿图25A的线A-A’所取的横截面图。图25B和25C示出通过不同方法进行密封的示例。
在图25A到25C中，在衬底2501上设置具有多个像素的像素部分2502，并提供密封材料2506以包围像素部分2502，同时密封材料2507附加其上。对于像素的结构，可采用各实施方式或实施例1中所示的结构。
在图25B中的显示面板中，图25A中的密封材料2507对应于对衬底2521。透明的对置衬底2521使用密封材料2506作为粘性层附于衬底2501之上，并且因此气密空间2522由衬底2501、对置衬底2521和密封件2506形成。对置衬底2521设有滤色片2520和用于保护滤色片的保护膜2523。从置于像素部分2502中的发光元件发出的光通过滤色片向外发出。气密空间2522用惰性树脂或液体填充。注意，用于填充气密空间2522的树脂可以是其中分散了吸湿剂的半透明树脂。此外，相同的材料可用于密封材料2506和气密空间2522，从而对置衬底2521的粘附和像素部分2502的密封可同时进行。
在图25C所示的显示面板中，图25A中的密封材料2507对应于密封材料2524。密封材料2524使用密封材料2506作为粘性层附于衬底2501之上，并且气密空间2508由衬底2501、对置衬底2521和密封件2524形成。密封材料在其凹入部分中预先设有吸湿剂2509，且吸湿剂2509用来通过吸收湿气、氧气等在气密空间2508中保持干净的气氛，以抑制发光元件的退化。凹入部分用细孔覆盖材料2510覆盖。覆盖材料2510传送空气和湿气，但吸湿剂2509不传送。注意，气密空间2508可用诸如氮气或氩气等稀有气体、以及惰性树脂或液体来填充。
用于向像素部分2502等传送信号的输入端子部分2511设置在衬底2501上。诸如视频信号等信号通过FPC(柔性印刷电路)2512传送给输入端子部分2511。在输入端子部分2511上，在衬底2501上形成的引线使用其中分散了导体(各向异性导电树脂：ACF)的树脂与设置在FPC 2512中的引线电连接。
用于向像素部分2502输入信号的驱动电路可在与像素部分2502相同的衬底2501上形成。或者，用于向像素部分2502输入信号的驱动器电路可由IC芯片形成，以便于通过COG(玻璃上固定芯片)接合连接到衬底2501，或者IC芯片可通过TAB(载带自动接合)或通过使用印刷板置于衬底2501上。
本实施例可通过自由组合实施例1到5进行。
[实施例7]
本发明可应用于将用于向面板输入信号的电路安装在面板上的显示模块。
图26示出面板2600与电路板2604相组合的显示模块。尽管图26示出控制器2605、信号除法电路2606等形成于电路板2604上，但在电路板2604上形成的电路并不仅限于这些电路。可采用可生成用于控制面板的信号的任何电路。
从形成于电路板2604上的电路中输出的信号通过连接引线2607输入到面板2600。
面板2600包括像素部分2601、源极驱动器2602、以及栅极驱动器2603。面板2600的结构可与实施例1、2等中所示的相似。尽管图26示出源极驱动器2602和栅极驱动器2603在与像素部分2601相同的衬底上形成的示例，但本发明的显示模块并不仅限于此。这种结构还可用于只有栅极驱动器2603在与像素部分2601相同的衬底上形成，而源极驱动器2602在电路板上形成的情形。或者，源极驱动器和栅极驱动器可形成于一块电路板上。
各种电子设备的显示部分可通过结合这种显示模块来形成。
本实施例可通过自由组合实施例1到6来进行。
[实施例8]
本发明可应用于各种电子仪器。这些电子设备包括照相机(例如摄影机或数码相机)、投影仪、头戴式显示器(护目镜显示器)、导航系统、车载音响、计算机、游戏机、便携式信息终端(例如移动计算机、便携式电话、或电子书)、配备有记录介质的图像再现设备(具体地，用于再现诸如数字多功能盘(DVD)等记录介质、并具有用于显示所再现的图像的显示部分的设备)等。图27A到27D示出电子设备的示例。
图27A示出笔记本个人计算机，包括主机身2711、外壳2712、显示部分2713、键盘2714、外部连接部分2715、定点鼠标2716等。本发明应用于显示部分2713。使用本发明，可降低显示部分的功耗。
图27B示出配备有记录介质的图像再现设备(具体地为DVD再现设备)，它包括主机身2712、外壳2722、第一显示部分2723、第二显示部分2724、记录介质(例如DVD)读取部分2725、操作按键2726、扬声器部分2727等。第一显示部分2723主要显示图像数据，而第二显示部分2724主要显示文本数据。本发明应用于第一显示部分2723和第二显示部分2724。使用本发明，可降低显示部分的功耗。
图27C示出便携式电话，它包括主机身2732、音频输出部分2732、音频输入部分2733、显示部分2734、操作开关2735、天线2736等。本发明应用于显示部分2734。使用本发明，可降低显示部分的功耗。
图27D示出照相机，它包括主机身2741、显示部分2742、外壳2743、外部连接部分2744、遥控部分2745、图像接收部分2746、电池2747、音频输入部分2748、操作按键2749等。本发明应用于显示部分2742。使用本发明，可降低显示部分的功耗。
本实施例可通过自由组合实施例1到7进行。
[实施例9]
在本实施例中，将参照附图描述使用本发明像素结构的显示装置被用作显示部分的显示面板的应用示例。使用本发明像素结构的显示装置被用作显示部分的显示面板可被构造成装在运输单元、建筑物等中。
装有显示装置的运输单元如图77A和77B所示，作为使用本发明像素结构的显示装置被用作显示部分的显示面板的一个示例。图77A示出装有显示装置的运输单元的一个示例，其中显示面板9702用于列车车厢9701的门的玻璃部分中。在具有使用应用了如图77A所示的本发明像素结构的显示装置的显示部分的显示面板9702中，要在显示部分上显示的图像可通过外部信号简便地转换。因而，显示面板的图像根据不同时段随着列车乘客的类型的改变而改变。因此，可期望更为有效的广告。
对使用本发明像素结构的显示装置被用于显示部分的显示面板的应用并不限于图77A所示的列车车厢门的玻璃部分。显示面板的形状可改变以使之可置于任何地方。图77B示出其示例。
图77B示出列车车厢的内部。在图77B中，除图77A所示的门的玻璃部分的显示面板9702外，还示出置于玻璃窗上的显示面板9703、悬挂在天花板上的显示面板9704。配备有本发明像素结构的显示面板9703具有自发光型显示元件。因而，在车厢拥挤时显示广告图像、而在车厢不拥挤时显示外部风景，从而可在列车中看到外部风景是可能的。通过向类膜衬底提供诸如有机晶体管等开关元件，并驱动自发光型显示元件，本身具有本发明像素结构的显示面板9704可扭曲以显示图像。
图78示出装有使用显示面板的显示装置的运输单元的另一应用示例，其中显示装置在显示部分中。该显示装置将本发明的像素结构用于显示部分。
图78示出装有使用显示面板的显示装置的运输单元的一个示例，其中显示装置在显示部分中。该显示装置将本发明的像素结构用于显示部分。图78示出装在车体9901上的显示面板9902的一个示例，作为装有显示装置的运输单元的一个示例。具有将本发明像素结构用于图78所示的显示部分的显示装置的显示面板9902被贴附以与车体一体化，并具有在需要时显示车辆运动或从车内或车外输入的信息的功能、或到目的地的导航功能。
注意，具有将本发明像素结构用于显示部分的显示装置的显示面板并不限于应用于如图78所示的车体的前部。通过改变形状，显示面板可用于任何地方，例如玻璃窗、门等。
图79A和79B示出装有使用显示面板的显示装置的运输单元的另一应用示例，其中显示装置在显示部分中。该显示装置将本发明的像素结构用于显示部分。
图79A和79B示出装有显示面板的运输单元的一个示例，其中显示装置在显示部分中。显示装置使用本发明的像素结构。图79A示出与飞机舱体10101内乘客上方的天花板成一体的显示面板10102的一个示例，作为装有显示装置的运输单元的一个示例。用铰链部分10103贴附具有将本发明像素结构用于图79A所示的显示部分的显示装置的显示面板10102以与飞机舱体10101一体化。乘客可用铰链部分10103移动显示面板10102，以对着显示面板观看和收听。显示面板10102具有通过乘客的操作显示信息、或用于广告和娱乐单元的功能。如图79B所示，铰链部分折叠以贮藏在飞机舱体10101内，因而在起飞和着陆时可保持安全。此外，通过在紧急状态时使显示面板的显示元件发光，它可用作飞机舱体10101的引航灯。
注意，具有将本发明像素结构用于显示部分的显示装置的显示面板并不限于应用于如图79A和79B所示的飞机舱体10101的天花板部分。通过改变其形状，显示面板可用于任何地方，例如乘客座位、门等。例如，显示面板可置于乘客前面座位的椅背上，并且乘客可操作该显示面板来观看或收听。
在该示例中，作为运输单元，给出了列车车体、轿车车体和飞机舱体；然而，本发明并不仅限于此。本发明的应用范围是广泛的。例如，它包括两轮机动车、四轮机动车(包括轿车、客车等)、火车(包括单轨铁路、轨道列车等)、船等。通过应用具有使用本发明像素结构的显示部分的显示面板，实现显示面板的小型化和低功耗，并且也可提供运行良好的装有显示介质的运输单元。特别地，因为运输单元中显示面板的显示可简便地通过外部信号一次性地全部改变，它们作为在紧急状况中面向普通大众或大量乘客的广告或信息显示的显示装置是极为有效的。
作为使用具有使用本发明像素结构的显示装置的显示面板的一个应用示例，参照图80描述应用于建筑物的应用模式。
图80示出通过在膜衬底上设置诸如有机晶体管等开关元件、并驱动自发光显示元件而可被扭曲以显示图像的显示面板的一个应用示例。该显示面板被示为其中使用本发明像素结构的显示装置被用于显示部分的显示面板的示例。在图80中，示出显示面板置于诸如在建筑物外部设置的电话杆等圆柱形建筑物的曲面上的情形。在此，显示面板9802置于具有柱体的电话杆9801上。
如图80所示的显示面板9802位于在接近电话杆高度中点的、比人们视点略高的位置。当从运输单元9803中观看显示面板时，可识别显示面板9802上显示的图像。显示面板置于室外林立的电话杆上以便于显示同一图像，因而所显示的信息或广告对观众可见。置于图80电话杆上的显示面板9802可简便地在外部显示图像。因而，可期望用于显示和广告效果的极为有效的信息。通过提供自发光型显示元件作为本发明显示面板中的显示元件，显示面板作为高度可见的显示介质甚至在夜晚也有效。
图81示出装有具有将本发明像素结构用于显示部分的显示装置的显示面板的建筑物的一个应用示例，它与图80所示的不同。
图81示出具有将本发明像素结构用于显示部分的显示装置的显示面板的一个应用示例。图81示出装在预制浴室10001的内墙中的显示面板10002的一个示例，作为装有显示装置的运输单元的一个示例。具有将本发明像素结构用于如图81所示显示部分的显示装置的显示面板10002被贴附以与预制浴室10001成一体，且沐浴者可对着显示面板10002观看和收听。显示面板10002可具有显示信息的功能，或者可用作通过沐浴者的操作用于广告和娱乐的装置。
具有将本发明像素结构用于显示部分的显示装置的显示面板并不限于应用于如图81所示的预制浴室10001的天花板部分。通过改变其形状，它可用于诸如镜子或浴缸本身的任何地方。
图82示出具有较大显示部分的电视装置置于建筑物中的一个示例。图82包括外壳2010、显示部分2011、作为操作部分的遥控器设备2012、扬声器2103等。包括将本发明像素部分用于显示部分的显示装置的显示面板在制造显示部分2011时应用。图82所示的电视装置挂在墙上以与建筑物一体化，因此无需宽大空间来放置。
在本实施例中，给出作为柱体示例的电话杆或预制浴室作为建筑物的示例；然而，本实施例并不仅限于此，并且可采用任何结构，只要它可装配有显示面板即可。通过应用具有使用本发明像素结构的显示部分的显示面板，可实现显示面板的小型化和低功耗，并且也可提供运行良好的装有显示介质的运输单元。
本申请基于2005年8月26日提交给日本特许厅的日本专利申请No.2005-245467，其全部内容通过引用结合于此。

Claims (53)

1.一种显示装置，包括：
电池；
包括发光元件的像素；
计时器电路；
充电单元检测电路；以及
驱动方法选择电路，其特征在于，
所述计时器电路在第一烙印校正周期结束后经过了预定时间的时候输出进入第二烙印校正周期的第一信号，在所述第一烙印校正周期中通过显示图形的第一正常驱动周期获得所述发光元件的特性，
所述充电单元检测电路在已对所述电池充电时输出进入所述第二烙印校正周期的第二信号，以及
所述驱动方法选择电路输出第三信号，用于在输入所述第一信号和第二信号时从所述第一正常驱动周期进入所述第二烙印校正周期，并在未输入所述第一信号和第二信号时从所述第二烙印校正周期进入第二正常驱动周期。
2.一种显示装置，包括：
包括发光元件的像素；
计时器电路；
非工作检测电路；以及
驱动方法选择电路，其特征在于，
所述计时器电路在第一烙印校正周期结束后经过了预定时间的时候输出进入第二烙印校正周期的第一信号，在所述第一烙印校正周期中通过显示图形的第一正常驱动周期获得所述发光元件的特性，
所述非工作检测电路在显示装置在预定时间内未开启时输出进入所述第二烙印校正周期的第二信号，以及
所述驱动方法选择电路输出第三信号，用于在输入所述第一信号和第二信号时从所述第一正常驱动周期进入所述第二烙印校正周期，并在未输入所述第一信号和第二信号时从所述第二烙印校正周期进入第二正常驱动周期。
3.一种显示装置，包括：
电池；
包括发光元件的像素；
计时器电路；
充电单元检测电路；
环境亮度检测电路；以及
驱动方法选择电路，其特征在于，
所述计时器电路在第一烙印校正周期结束后经过了预定时间的时候输出进入第二烙印校正周期的第一信号，在所述第一烙印校正周期中通过显示图形的第一正常驱动周期获得所述发光元件的特性，
所述充电单元检测电路在已对所述电池充电时输出进入所述第二烙印校正周期的第二信号，
所述环境亮度检测电路在显示装置周围的环境亮度接近预定亮度时输出进入所述第二烙印校正周期的第三信号，以及
所述驱动方法选择电路输出第四信号，用于在输入所述第一信号、第二信号和第三信号时从所述第一正常驱动周期进入所述第二烙印校正周期，并在未输入所述第一信号、第二信号和第三信号时从所述第二烙印校正周期进入第二正常驱动周期。
4.一种显示装置，包括：
包括发光元件的像素；
计时器电路；
非工作检测电路；
环境亮度检测电路；以及
驱动方法选择电路，其特征在于，
所述计时器电路在第一烙印校正周期结束后经过了预定时间的时候输出进入第二烙印校正周期的第一信号，在所述第一烙印校正周期中通过显示图形的第一正常驱动周期获得所述发光元件的特性，
所述非工作检测电路在显示装置在预定时间内未开启时输出进入所述第二烙印校正周期的第二信号，
所述环境亮度检测电路在显示装置的像素部分周围的环境亮度接近预定亮度时输出进入所述第二烙印校正周期的第三信号，以及
所述驱动方法选择电路输出第四信号，用于在输入所述第一信号、第二信号和第三信号时从所述第一正常驱动周期进入所述第二烙印校正周期，并在未输入所述第一信号、第二信号和第三信号时从所述第二烙印校正周期进入第二正常驱动周期。
5.一种显示装置，包括：
包括发光元件的像素；
计时器电路；以及
驱动方法选择电路，其特征在于，
所述计时器电路在第一烙印校正周期结束后经过了预定时间的时候输出进入第二烙印校正周期的第一信号，在所述第一烙印校正周期中通过显示图形的第一正常驱动周期获得所述发光元件的特性，以及
所述驱动方法选择电路输出第二信号，用于在输入所述第一信号时从所述第一正常驱动周期进入所述第二烙印校正周期，并在未输入所述第一信号时从所述第二烙印校正周期进入第二正常驱动周期。
6.一种显示装置，包括：
电池；
包括发光元件的像素；
启动电路；
充电单元检测电路；以及
驱动方法选择电路，其特征在于，
所述启动电路可选择进入显示图像的第一正常驱动周期、或进入获得所述发光元件特性的烙印校正周期，并且在选择了进入所述烙印校正周期时输出进入所述烙印校正周期的第一信号，
所述充电单元检测电路在已对所述电池充电时输出进入所述烙印校正周期的第二信号，以及
所述驱动方法选择电路输出第三信号，用于在输入所述第一信号和第二信号时从所述第一正常驱动周期进入所述烙印校正周期，并在未输入所述第一信号和第二信号时从所述烙印校正周期进入第二正常驱动周期。
7.一种显示装置，包括：
包括发光元件的像素；
启动电路；
环境亮度检测电路；以及
驱动方法选择电路，其特征在于，
所述启动电路可选择进入显示图像的第一正常驱动周期、或进入获得所述发光元件特性的烙印校正周期，并且在选择了进入所述烙印校正周期时输出进入所述烙印校正周期的第一信号，
所述环境亮度检测电路在显示装置的像素部分周围的环境亮度接近预定亮度时输出进入所述烙印校正周期的第二信号，以及
所述驱动方法选择电路输出第三信号，用于在输入所述第一信号和第二信号时从所述第一正常驱动周期进入所述烙印校正周期，并在未输入所述第一信号和第二信号时从所述烙印校正周期进入第二正常驱动周期。
8.一种显示装置，包括：
电池；
包括发光元件的像素；
启动电路，它可选择进入显示图像的第一正常驱动周期、或进入获得所述发光元件特性的烙印校正周期，并且在选择了进入所述烙印校正周期时输出进入所述烙印校正周期的第一信号，
充电单元检测电路，它在已对所述电池充电时输出进入所述烙印校正周期的第二信号，
环境亮度检测电路，它在显示装置的像素部分周围的环境亮度接近预定亮度时输出进入所述烙印校正周期的第三信号，以及
驱动方法选择电路，它输出第四信号，用于在输入所述第一信号、第二信号和第三信号时从所述第一正常驱动周期进入所述第二烙印校正周期，并在未输入所述第一信号、第二信号和第三信号时从所述第二烙印校正周期进入第二正常驱动周期。
9.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述像素内所包括的发光元件的特性通过在所述第一烙印校正周期中检测流入所述发光元件的反电极的电流来获得。
10.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述像素内所包括的发光元件的特性通过在所述第一烙印校正周期中检测流入所述发光元件的反电极的电流来获得。
11.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述像素内所包括的发光元件的特性通过在所述第一烙印校正周期中检测流入所述发光元件的反电极的电流来获得。
12.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述像素内所包括的发光元件的特性通过在所述第一烙印校正周期中检测流入所述发光元件的反电极的电流来获得。
13.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述像素内所包括的发光元件的特性通过在所述第一烙印校正周期中检测流入所述发光元件的反电极的电流来获得。
14.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述像素内所包括的发光元件的特性通过在所述第一烙印校正周期中检测流入所述发光元件的反电极的电流来获得。
15.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述像素内所包括的发光元件的特性通过在所述第一烙印校正周期中检测流入所述发光元件的反电极的电流来获得。
16.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述像素内所包括的发光元件的特性通过在所述第一烙印校正周期中检测流入所述发光元件的反电极的电流来获得。
17.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述像素内所包括的发光元件的特性通过在所述第一烙印校正周期中检测流入所述发光元件的电源线的电流来获得。
18.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述像素内所包括的发光元件的特性通过在所述第一烙印校正周期中检测流入所述发光元件的电源线的电流来获得。
19.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述像素内所包括的发光元件的特性通过在所述第一烙印校正周期中检测流入所述发光元件的电源线的电流来获得。
20.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述像素内所包括的发光元件的特性通过在所述第一烙印校正周期中检测流入所述发光元件的电源线的电流来获得。
21.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述像素内所包括的发光元件的特性通过在所述第一烙印校正周期中检测流入所述发光元件的电源线的电流来获得。
22.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述像素内所包括的发光元件的特性通过在所述第一烙印校正周期中检测流入所述发光元件的电源线的电流来获得。
23.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述像素内所包括的发光元件的特性通过在所述第一烙印校正周期中检测流入所述发光元件的电源线的电流来获得。
24.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述像素内所包括的发光元件的特性通过在所述第一烙印校正周期中检测流入所述发光元件的电源线的电流来获得。
25.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在被假定为易于发生特性退化的区内所述像素中的发光元件的特性优先在所述第一烙印校正周期中获得。
26.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，在被假定为易于发生特性退化的区内所述像素中的发光元件的特性优先在所述第一烙印校正周期中获得。
27.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，在被假定为易于发生特性退化的区内所述像素中的发光元件的特性优先在所述第一烙印校正周期中获得。
28.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，在被假定为易于发生特性退化的区内所述像素中的发光元件的特性优先在所述第一烙印校正周期中获得。
29.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，在被假定为易于发生特性退化的区内所述像素中的发光元件的特性优先在所述第一烙印校正周期中获得。
30.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，在被假定为易于发生特性退化的区内所述像素中的发光元件的特性优先在所述第一烙印校正周期中获得。
31.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于，在被假定为易于发生特性退化的区内所述像素中的发光元件的特性优先在所述第一烙印校正周期中获得。
32.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，在被假定为易于发生特性退化的区内所述像素中的发光元件的特性优先在所述第一烙印校正周期中获得。
33.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述反电极在所述第一烙印校正周期中的电位与所述反电极在所述第一正常驱动周期中的电位相同。
34.如权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述反电极在所述第一烙印校正周期中的电位与所述反电极在所述第一正常驱动周期中的电位相同。
35.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述反电极在所述第一烙印校正周期中的电位与所述反电极在所述第一正常驱动周期中的电位相同。
36.如权利要求12所述的显示装置，其特征在于，所述反电极在所述第一烙印校正周期中的电位与所述反电极在所述第一正常驱动周期中的电位相同。
37.如权利要求13所述的显示装置，其特征在于，所述反电极在所述第一烙印校正周期中的电位与所述反电极在所述第一正常驱动周期中的电位相同。
38.如权利要求14所述的显示装置，其特征在于，所述反电极在所述第一烙印校正周期中的电位与所述反电极在所述第一正常驱动周期中的电位相同。
39.如权利要求15所述的显示装置，其特征在于，所述反电极在所述第一烙印校正周期中的电位与所述反电极在所述第一正常驱动周期中的电位相同。
40.如权利要求16所述的显示装置，其特征在于，所述反电极在所述第一烙印校正周期中的电位与所述反电极在所述第一正常驱动周期中的电位相同。
41.如权利要求17所述的显示装置，其特征在于，所述电源线在所述第一烙印校正周期中的电位与所述电源线在所述第一正常驱动周期中的电位相同。
42.如权利要求18所述的显示装置，其特征在于，所述电源线在所述第一烙印校正周期中的电位与所述电源线在所述第一正常驱动周期中的电位相同。
43.如权利要求19所述的显示装置，其特征在于，所述电源线在所述第一烙印校正周期中的电位与所述电源线在所述第一正常驱动周期中的电位相同。
44.如权利要求20所述的显示装置，其特征在于，所述电源线在所述第一烙印校正周期中的电位与所述电源线在所述第一正常驱动周期中的电位相同。
45.如权利要求21所述的显示装置，其特征在于，所述电源线在所述第一烙印校正周期中的电位与所述电源线在所述第一正常驱动周期中的电位相同。
46.如权利要求22所述的显示装置，其特征在于，所述电源线在所述第一烙印校正周期中的电位与所述电源线在所述第一正常驱动周期中的电位相同。
47.如权利要求23所述的显示装置，其特征在于，所述电源线在所述第一烙印校正周期中的电位与所述电源线在所述第一正常驱动周期中的电位相同。
48.如权利要求24所述的显示装置，其特征在于，所述电源线在所述第一烙印校正周期中的电位与所述电源线在所述第一正常驱动周期中的电位相同。
49.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一烙印校正周期中的驱动频率与所述第一正常驱动周期中的驱动频率相同。
50.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述第一烙印校正周期中的驱动频率与所述第一正常驱动周期中的驱动频率相同。
51.一种用于驱动显示装置的方法，包括以下步骤：
在第一烙印校正周期中获得发光元件的特性，
在显示图像的第一正常驱动周期中过了预定时间的时候输出进入第二烙印校正周期的第一信号，
在已对所述电池充电时输出进入所述第二烙印校正周期的第二信号，以及
输出第三信号，用于在输入所述第一信号和第二信号时从所述第一正常驱动周期进入所述第二烙印校正周期，并在未输入所述第一信号和第二信号时从所述第二烙印校正周期进入第二正常驱动周期。
52.一种用于驱动显示装置的方法，包括以下步骤：
在第一烙印校正周期中获得发光元件的特性，
在显示图像的第一正常驱动周期中过了预定时间的时候输出进入第二烙印校正周期的第一信号，以及
输出第二信号，用于在输入所述第一信号时从所述第一正常驱动周期进入所述第二烙印校正周期，并在未输入所述第一信号时从所述第二烙印校正周期进入第二正常驱动周期。
53.一种用于驱动显示装置的方法，包括以下步骤：
在第一烙印校正周期中获得发光元件的特性，
在显示图像的第一正常驱动周期中过了预定时间的时候输出进入第二烙印校正周期的第一信号，
在显示装置在预定时间内未开启时输出进入所述第二烙印校正周期的第二信号，以及
输出第三信号，用于在输入所述第一信号和第二信号时从所述第一正常驱动周期进入所述第二烙印校正周期，并在未输入所述第一信号和第二信号时从所述第二烙印校正周期进入第二正常驱动周期。
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