TWI430713B

TWI430713B - 用於euv光源之裝置

Info

Publication number: TWI430713B
Application number: TW098104463A
Authority: TW
Inventors: Georgiy O Vaschenko; Alexander N Bykanov; Norbert R Bowering; David C Brandt; Alexander I Ershov; Rodney D Simmons; Oleh V Khodykin; Igor V Fomenkov
Original assignee: Cymer Inc
Priority date: 2008-03-17
Filing date: 2009-02-12
Publication date: 2014-03-11
Also published as: WO2009117048A2; KR101551751B1; WO2009117048A3; US7872245B2; JP5593485B2; EP2266375B1; CN101978792A; KR20100126795A; JP2011514648A; EP2266375A2; TW200944061A; US20090230326A1; CN101978792B; EP2266375A4

Description

用於EUV光源之裝置

本申請案聲請以下文獻的優先權：共審查中之美國臨時專利申請案序號61/069,818(標題為用於雷射產生電漿EUV光源中靶材輸送之系統及方法，申請於2008年3月17日，律師簽號：2006-0067-01)，以及美國專利申請案序號12/214,736(標題為用於雷射產生電漿EUV光源中靶材輸送之系統及方法，申請於2008年6月19日，律師簽號：2006-0067-02)，其揭示內容併入本文作為參考資料。

發明領域

本揭示內容係關於提供源於電漿之EUV光線的極端紫外線(“EUV”)光源，該電漿係由靶材產生且經收集及引導至中間區供在EUV光源腔室外的例如光蝕刻掃描器/步進器使用。

發明背景

光蝕刻製程可用極端紫外光在基板(例如，矽晶圓)中產生極小的特徵，例如，波長約50奈米或更短的電磁輻射(有時也被稱作軟x射線)，以及包含波長約13.5奈米的光線。

通常在平坦工件(例如，晶圓)水平取向時，該等製程較便於照射該工件。水平取向的工件確實可使工件易於處理及夾鉗。接著，工件的方位可強迫掃描器光學件(例如，投影光學件、遮罩、調節光學件、等等)的取向與位置，以及在有些情形下，可建立由光蝕刻工具之光源產生之初始光束的擇優取向。當然，最小化由光源至晶圓之路徑的光學件數也大體更佳，因為每個光學件都會減少光強以及可能使光束有像差。因此，在有些情形下，最好光源可產生實質與水平方向有傾斜角的光束。

產生有向EUV光束的方法包含(但不必受限於)：將材料轉變成有至少一元素(例如，有一或更多放射譜線在EUV範圍內的氙、鋰或錫)的電漿狀態。在這類方法中，有一種常被稱作雷射產生電漿(“LPP”)的可藉由用雷射光束照射能有放射要求譜線之元素的靶材來產生要求的電漿。

有一種特殊的LPP技術是包含產生一道靶材微滴流以及用雷射光脈衝照射微滴中之一些或全部，例如前面有零個、一或更多個預脈衝(pre-pulse)的主脈衝(main pulse)。理論上，LPP式EUV光源產生EUV輻射係藉由沉積雷射能量於有至少一EUV放射元素(例如，氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li))的靶材而產生電子溫度有數十個電子伏特的高電離態電漿。在離子去激發(de-excitation)及復合期間產生的含能輻射會由電漿向所有方向放射。在一個常見的配置中，在與電漿有相對短距離(例如，10公分)處安置一近垂直入射(near-normal-incidence)的反射鏡(常被稱作“集光器反射鏡”)以收集、引導(以及在有些配置中，聚集)光線至中間位置，例如，焦點。然後，可將收集到的光線由中間位置中繼到一組掃描器光學件，最後到晶圓。為了有效地反射近垂直入射的EUV光線，通常要用有精細且相對昂貴之多層膜(multi-layer coating)的反射鏡。集光器反射鏡的表面保持清潔以及保護表面不受害於電漿所產生的殘渣已為EUV光源開發人員所要面對的主要挑戰之一。

在數量方面，目前以在中間位置產生約100瓦特為目標來研發的一配置料想是用聚焦的脈衝10-12千瓦特CO₂ 驅動雷射與微滴產生器同步地每秒順序照射大約10,000至200,000個錫微滴。為此目的，在定時及位置方面需要相對長期地以高準確度及優良的重複性產生重複率(例如，10至200千赫或更高)相對高的穩定微滴流以及輸送微滴至照射部位。

在前面揭示的一配置中，實質垂直的微滴流係經產生及引導成可穿經形狀像長橢球(prolate spheroid，亦即，橢圓以長軸為中心旋轉而成的部份)之集光器反射鏡的兩個焦點之一。採用此一垂直流，可將反射鏡定位在微滴的路徑外。然而，採用此一定位方式，會產生與水平方向對齊或接近對齊的圓錐狀EUV輸出光束。如上述，在有些情形下，最好可產生與水平方向實質傾斜的EUV光源輸出光束。

另外，垂直取向微滴流以及支援裝置可能造成由集光器反射鏡至工件(例如，晶圓)的光路有垂直取向遮攔(vertically-oriented obscuration)。至於有些掃描器設計，基於一或更多個理由(例如，使和遮攔有關的微滴與預先存在的掃描器遮攔對齊及/或產生與掃描方向對齊的遮攔而在晶圓產生在掃描後會“平均”以及可藉由劑量調整來補償的強度變化)，非垂直遮攔或許優於垂直取向遮攔。

基於上述，本發明申請人揭示數種用於雷射產生電漿極端紫外線(EUV)光源中靶材輸送之系統及方法，以及對應的使用方法。

發明概要

在一方面，揭示一種裝置，它可包含：一EUV反射光學件，其係具有定義一旋轉軸線與一圓形周邊的一旋轉曲面。可將該光學件配置成該軸線與一水平面有一非零傾斜角且可在該水平面中建立該周邊的垂直投影，其中該周邊投影在該水平面中劃定一區域。該裝置還可包含：一靶材輸送系統，該系統有一靶材釋放點(target material release point)，該釋放點位在該水平面中且在以該周邊投影劃定的該區域外面；以及，一系統，其係產生用於照射該靶材以產生一EUV放射的一雷射光束。

在此方面的一具體實施例中，該旋轉曲面可為一旋轉橢圓，該橢圓定義一對焦點且以穿過這對焦點的一軸線為中心旋轉。

在另一方面，揭示一種裝置，它可包含一靶材微滴源，其係沿著在一照射區與一靶材釋放點之間的一非垂直路徑將靶材輸送至該照射區；一EUV反射光學件；一雷射，其係產生照射在該照射區之微滴的一光束以產生一產生EUV輻射的電漿；以及，一捕捉器(catch)，其係經配置成可接收靶材以保護該反射光學件。

在一具體實施例中，該捕捉器可包含一管體，以及在一特定具體實施例中，該照射區可位在該管體中，且該管體可形成有一可讓該EUV輻射由該照射區通過到達該反射光學件的小孔。可裝設一原位機構用於使該管體可由該管體位在該路徑中的一位置移到該管體不會阻隔該EUV反射光學件所反射之EUV光線的一位置。在一配置中，該管體可為一屏蔽物用於保護該反射光學件不受害於偏離該非垂直路徑的靶材。在一設立中，該管體可由該管體至少部份包圍該靶材釋放點的一位置延伸至配置在該釋放點與該照射區之間的一管體終點。

在一具體實作中，該捕捉器可包含一可縮回蓋體，其係可伸展至該反射光學件的一可操作表面上。

在此方面的另一具體實施例中，該捕捉器可包含一結構體，其係經配置成可接收已通過該照射區的靶材且防止收到的材料飛濺以及到達該反射光學件。例如，該結構體可包含一長形管體。

在另一方面，揭示一種用於EUV光源的源材料分配器(source material dispenser)，它可包含：一源材料導管，其係有一牆體且形成有一小孔；沉積於該牆體上的一導電塗層；沉積於該導電塗層上的一絕緣塗層；一電源，其係使電流通過該導電塗層以產生熱；以及，一可電致動元件(electro-actuatable element)，其係與該絕緣塗層接觸且可操作以使該牆體變形以及調節源材料由該分配器的釋出。

在一配置中，該導管可包含一管體，以及在一特定配置中，該管體可由玻璃製成，且該導電塗層可包含一鎳鈷鐵合金。

在此方面的一具體實施例中，該絕緣塗層可包含一金屬氧化物。

對於該源材料分配器，該可電致動元件可由壓電材料、電致伸縮材料(electrostrictive material)、或磁致伸縮材料(magnetostrictive material)製成。

以此方面而言，該源材料包含液態錫。

在另一方面，揭示一種用於一EUV光源的源材料分配器，它可包含一源材料導管，其係包含一有熱膨脹係數(CTE_玻璃 )的管狀玻璃部份以及耦合至該玻璃部份的一金屬，該金屬的熱膨脹係數(CTE_金屬 )在25至250℃的溫度範圍內與CTE_玻璃的差額小於5ppm/℃。

在一具體實施例中，該接合金屬(joining metal)可包含一鎳鈷鐵合金，以及在另一具體實施例中，該金屬可包含鉬。

在另一方面，揭示一種產生用於一EUV光源之源材料微滴的源材料分配器，它可包含一源材料導管，其係具有一源材料接受端與一源材料出口端；以及，一侷限結構體，其係限制該導管之該源材料出口端的運動以降低微滴流的不穩定性。

在一特定具體實施例中，該源材料可包含被加熱到25℃以上的一熔化材料，例如液態錫或鋰，且該侷限結構體可包含一剛性構件，其大小係經製作成在該導管處於工作溫度時可在該導管與該構件之間提供一間隙。

在一設立中，該構件可為由有一熱膨脹係數(CTE_套圈 )之一材料製成的一套圈(ferrule)，以及該導管可由有一熱膨脹係數(CTE_導管 )的材料製成，使得該套圈與該導管的間隙距離會隨著溫度增加而減少，以及在另一設立中，該構件可為由有一熱膨脹係數(CTE_套圈 )之一材料製成的一套圈，該導管由有一熱膨脹係數(CTE_導管 )的材料製成使得該套圈與該導管的間隙距離會隨著溫度增加而增加。

在另一具體實施例中，該侷限結構體可包含一撓性套圈，其大小係經製作成在該導管處於工作溫度時可與該導管接觸。

圖式簡單說明

第1圖為一雷射產生電漿EUV光源的簡化示意圖；第2圖為一簡化微滴源的示意橫截面圖；第2A圖至第2D圖的橫截面圖係圖示用於使可電致動元件與流體耦合以在流出小孔的液流中產生擾動的不同技術；第3圖的橫截面圖係部份圖示用於EUV光源以及有一源材料導管的源材料分配器，該源材料導管包含與一硼矽玻璃部份(borosilicate glass portion)耦合的一接合金屬以及一金屬部份，該接合金屬係經選定成它的熱膨脹係數與硼矽玻璃的熱膨脹係數密切匹配；第3A圖至第3F圖的橫截面圖係部份圖示用於EUV光源以及有一源材料導管的源材料分配器，該源材料導管包含一硼矽玻璃部份，其係圖解說明用於耦合玻璃部份與非玻璃部份的不同技術；第4圖係部份圖示產生用於EUV光源之源材料微滴的源材料分配器，其係具有限制該源材料出口端之運動的侷限結構體以降低微滴流的不穩定性；第4A圖至第4B圖為沿著第4圖中之直線4A-4A繪出的橫截面圖，其係圖示剛性套圈214的大小係經製作成在毛細管處於室溫時它會與毛細管的外表面接觸(第4A圖)以及在溫度升高(例如，工作溫度)時會膨脹而在剛性套圈、毛細管之間可建立一間隙(第4B圖)；第4C圖為沿著第4圖中之直線4A-4A繪出的橫截面圖，其係圖示有撓性套圈的侷限結構體，該撓性套圈的大小係經製作成在工作溫度升高時它會與毛細管接觸；第4D圖為沿著第4圖中之直線4A-4A繪出的橫截面圖，其係圖示另一具體實施例的侷限結構體可包含4個構件，彼等係經排列及配置成可限制源材料出口端相對於毛細管的運動以降低微滴流的不穩定性；第5A圖的橫截面圖部份圖示有導管(例如，毛細管)的源材料分配器，該導管係塗上一層用於加熱該導管的導電材料；第5B圖的橫截面圖係圖示塗上一層用於加熱該導管的導電材料以及一層絕緣材料的導管牆體；第6圖的橫截面圖部份圖示源材料分配器，其係具有：塗上一層用於加熱該導管之導電材料的導管(例如，毛細管)；以及，使電流通過導電導管部份及導電塗層以加熱該導管的配置；第7圖至第10圖的視圖係圖示有定義旋轉軸線及圓形周邊之旋轉曲面的反射光學件，該光學件係經配置成該軸線與一水平面有一非零傾斜角以及可在該水平面中建立該周邊的垂直投影，其中該周邊投影在該水平面中劃定一區域，以及有一靶材釋放點，該釋放點位在該水平面中且在以該周邊投影劃定的該區域外面(備註：第7圖及第9圖為側面平面圖，第8圖為沿著第7圖中之直線8-8繪出的橫截面圖，以及第10圖為沿著第9圖中之直線10-10繪出的橫截面圖)；第11圖為一裝置的側面平面圖，其係具有：沿著一非垂直路徑輸送靶材至一照射區的一靶材微滴源，以及配置成可接收偏離該路徑之靶材的一捕捉器；第12圖為一裝置的側面平面圖，其係具有：沿著一非垂直路徑輸送靶材至一照射區的一靶材微滴源；形式為屏蔽物以及配置成可接收偏離該路徑之靶材的第一捕捉器，其中在靶材照射期間該屏蔽物可留在原位；以及形式為一結構體的第二捕捉器，其係經配置成可接收已通過該照射區的靶材且經設計成可防止收到的材料飛濺以及到達該反射光學件；第13圖為沿著第12圖中之直線13-13繪出的橫截面圖，其係圖示該捕捉器係形成有一小孔；第14圖為一裝置的側面平面圖，其係具有：沿著一非垂直路徑輸送靶材至一照射區的一靶材微滴源，以及形式為屏蔽物且配置成可接收偏離該路徑之靶材的一捕捉器，以及包含用於使氣體流動通過該捕捉器的系統；第15圖及第16圖圖示包含可在第一伸展位置(第15圖)與第二縮回位置(第16圖)之間移動之蓋體的捕捉器，第一伸展位置是蓋體處於可覆蓋反射光學件之一些或全部可操作表面的位置，第二縮回位置是蓋體不在反射光學件上方的位置；第17圖為一裝置的側面平面圖，其係具有：沿著一非垂直路徑輸送靶材至一照射區的一靶材微滴源，以及形式為屏蔽物且配置成可接收偏離該路徑之靶材的一捕捉器，該屏蔽物包含一管體，其係由該管體至少部份包圍該靶材釋放點的位置延伸至配置在該釋放點與該照射區之間的一管體終點；以及第18圖及第19圖為在距離靶材釋放點約300毫米處獲得的非垂直微滴流之影像。

較佳實施例之詳細說明

首先，第1圖的示意圖係根據一具體實施例之一方面圖示EUV光源，例如，雷射產生電漿式(Laser-Produced-Plasma，LLP)EUV光源20。如第1圖所示以及下文所詳述的，LPP式EUV光源20可包含用於產生一列光脈衝並輸送光脈衝至腔室26內的系統22。如下文所詳述的，每個光脈衝可沿著光路行進由系統22至腔室26內以照射在照射區28的各個目標微滴。

適用於第1圖系統22的雷射可包含脈衝雷射裝置，例如，脈衝氣體放電二氧化碳雷射裝置，例如，用直流或射頻激勵，以相對高功率(例如，10千瓦或更高)以及高脈衝重複率(例如，50千赫或更高)操作，可產生9.3微米或10.6微米之輻射者。在一特定的具體實作中，該雷射可為軸流式射頻激勵(axial-flow RF-pumped)二氧化碳雷射，其係具有多階段放大的MOPA組態以及種子脈衝(seed pulse)是用低能量及高重複率發動的Q開關主振盪器(MO)而能夠以例如100千赫操作。出於該MO的雷射脈衝隨後在到達照射區28之前可加以放大、整形及聚焦。連續激勵CO₂ 放大器可用於系統22。例如，共審查中之美國專利申請案序號第11/174,299號(2005年6月29日申請，標題為LPP EUV光源驅動雷射系統，律師簽號：2005-0044-01)揭示一種有振盪器及3個放大器(O-PA1-PA2-PA3組態)的合適CO₂ 雷射裝置，其全部內容併入本文作為參考資料。替換地，可將該雷射組態成所謂的“自瞄準”雷射系統，其中微滴用來作為光學腔中之一反射鏡。在有些“自瞄準”配置中，可能不需要主振盪器。共審查中之美國專利申請案序號第11/580,414號(2006年10月13申請，標題為用於EUV光源的驅動雷射輸送系統，律師簽號：2006-0025-01)揭示及聲請數種自瞄準雷射系統，其全部內容併入本文作為參考資料。

取決於應用系統，其他類型的雷射也適用，例如，以高功率及高脈衝重複率操作的準分子或分子氟雷射。其他的實施例包含，固態雷射，例如，有纖維、桿或碟狀的活性介質、以MOPA組態的準分子雷射系統，如美國專利第6,625,191號、第6,549,551以及第6,567,450號所示者，其全部內容併入本文作為參考資料，可使用有一或更多腔室的準分子雷射，例如，振盪器腔室與一或更多放大腔室(其中放大腔室呈並聯或串聯)、主振盪器/功率振盪器(MOPO)配置、主振盪器/功率環放大器(MOPRA)配置、功率振盪器/功率放大器(POPA)配置、或以一或更多準分子或分子氟放大器或振盪器腔室播種的固態雷射。其他的設計也有可能。

如第1圖所示，EUV光源20也可包含靶材輸送系統24，例如，輸送靶材之微滴至在腔室26內部的照射區28的，在此微滴會與一或更多光脈衝(例如，前面有一或更多個預脈衝的一或更多個主脈衝)相互作用而最終可產生電漿以及產生EUV放射。靶材可包含(但不必受限於)：含有錫、鋰、氙或彼等之組合的材料。EUV放射元素(例如，錫、鋰、氙、等等)的形式可為液態微滴及/或內含於液態微滴的固態粒子。例如，元素錫可為純錫、錫化合物(例如，SnBr₄ 、SnBr₂ 、SnH₄ )、錫合金(例如，錫鎵合金、錫銦合金、錫銦鎵合金)、或彼等之組合。取決於所用的材料，靶材可以不同的溫度呈現於照射區28，包含室溫或接近室溫(例如，錫合金、SnBr₄ )、升高溫度(例如，純錫)或低於室溫的溫度(例如，SnH₄ )，而且在有些情形下，較易揮發，例如，SnBr₄ 。在共審查中之美國專利申請案序號第11/406,216號(2006年4月17日申請，標題為用於EUV光源的替代燃料，律師簽號：2006-0003-01)中有描述該等材料用於LPP EUV光源的細節，其內容併入本文作為參考資料。

請繼續參考第1圖，EUV光源20也可包含光學件30，例如，有形式為長橢球(亦即，橢圓以長軸為中心旋轉而形成者)之反射面的近垂直入射集光器反射鏡，其係具有，例如，有交替鉬層及矽層的漸變多層膜(graded multi-layer coating)，而且在有些情形下，有一或更多高溫擴散阻障層、平滑層、覆蓋層及/或蝕刻終止層。第1圖顯示光學件30可形成有一穿孔以允許由系統22產生的光脈衝穿過並到達照射區28。如圖示，光學件30可為，例如，第一焦點在照射區28內或附近而第二焦點在所謂中間區40的長橢球反射鏡，在此EUV光線可由EUV光源20輸出並輸入到使用EUV光線的裝置，例如，積體電路光蝕刻工具(未圖示)。應瞭解，可使用其他的光學件以取代長橢球反射鏡用來收集發引導光線至中間位置以便隨後輸送到使用EUV光線的裝置，例如該光學件可為以長軸為中心的拋物面或可被組態成能輸送有環形橫截面的光束至中間位置，例如可參考，共審查中之美國專利申請案序號第11/505,177號(2006年8月16日申請，標題為EUV光學件，律師簽號：2006-0027-01)，其內容併入本文作為參考資料。

請繼續參考第1圖，EUV光源20也可包含EUV控制器60，它也可包含用於觸發系統22中之一或更多燈及/或雷射裝置的擊發控制系統65以藉此產生輸送至腔室26的光脈衝。EUV光源20也可包含微滴位置檢測系統，它可包含例如一或更多微滴顯像器70，例如用CCD擷取影像及/或背光閃頻照明及/或光幕(light curtain)來提供表示一或更多微滴(例如，相對於照射區28)之位置及定時之輸出的系統(或數個)。該(等)顯像器70可提供此輸出給微滴位置檢測反饋系統62，例如，它可計算微滴位置及軌跡，藉此可算出例如基於逐一微滴或平均數的微滴誤差。然後，微滴位置誤差可輸入給控制器60，例如，它可提供位置、方向及/或定時的修正訊號給系統22以控制光源定時電路及/或控制光束位置及整形系統，例如，以改變輸送至腔室26中之照射區28的光脈衝之軌跡及/或焦度(focal power)。

EUV光源20可包含一或更多EUV度量衡儀器用於測量由EUV光源20產生之EUV光線的各種性質。該等性質可包含，例如，強度(例如，總強度或在特定光譜帶內的強度)、光譜帶寬、極化狀態、光束位置、指向、等等。對於EUV光源20，可將該(等)儀器組態成在下游工具(例如，光蝕刻掃描器)在線時可操作，例如，藉由例如用拾出反射鏡(pickoff mirror)取樣一部份的EUV輸出，或取樣“未被收集的”EUV光線，及/或在下游工具(例如，光蝕刻掃描器)離線可操作，例如，藉由測量EUV光源20的全部EUV輸出。

如第1圖所示，EUV光源20可包含微滴控制系統90，其係可操作以回應來自控制器60的訊號(在有些具體實作中，可包含上述微滴誤差或一些衍生數量)以例如修改來自源材料分配器92之靶材的釋放點及/或修改微滴形成時機，以修正微滴到達想要照射區28的誤差及/或使微滴的產生與脈衝雷射系統22同步。

第2圖係以示意格式圖示可用於描述於本文的具體實施例中之一些或所有的簡化源材料分配器92之組件。如圖示，源材料分配器92可包含導管，在此它為在壓力P下保持流體96(例如，錫液)的液池94。也如圖示，液池94可形成有一小孔98讓加壓流體96可穿經小孔以建立隨後會分解成多個微滴102a、b的連續流100。

請繼續參考第2圖，源材料分配器92更包含在流體中產生擾動的子系統，其係具有可與流體96耦合地操作的可電致動元件104以及驅動可電致動元件104的訊號產生器106。第2A圖至第2D圖圖示可與流體耦合地操作一或更多可電致動元件以產生微滴的不同方法。圖示於第2A圖至第2D圖的耦合技術可用於描述於本文的一些或所有具體實施例。由第2A圖開始，此配置顯示流體在壓力下被迫由液池108流動通過直徑相對小且長度約10至50毫米的導管110(例如，毛細管)而產生流出導管110小孔114的連續流112，隨後連續流112會分解成微滴116a、b。如圖示，可電致動元件118可與該導管耦合。例如，可電致動元件可與導管110耦合以使導管110偏斜來擾動連續流112。第2B圖圖示有液池120、導管122及一對可電致動元件124、126的類似配置，可電致動元件124、126各自與導管122耦合以各自使導管122以一頻率偏斜。第2C圖為另一變體，其中板體128係經配置成在液池導管130中可運動以迫使流體通過小孔132以產生會分解成微滴136a、b的液流134。如圖示，可施力於板體128，而且一或更多可電致動元件138可與該板體耦合以擾動液流134。應瞭解，第2C圖的具體實施例可使用毛細管。第2D圖為另一變體，其中流體在壓力下被迫由液池270流動通過導管272而產生流出導管272之小孔276的連續流274，隨後連續流274會分解成微滴278a、b。如圖示，形狀為例如環狀或管狀的可電致動元件280可配置於導管272四周。在被驅動時，可電致動元件280可選擇性地擠壓導管272以擾動連續流274。應瞭解，可使用兩個或更多可電致動元件以用各自的頻率選擇性地擠壓導管272。

在以下文獻中可發現關於各種微滴分配器組態的細節及其相對優點：共審查中之美國專利申請案序號第11/827,803號(2007年7月13日申請，標題為具有用調變擾動波產生微滴流的雷射產生電漿EUV光源，律師簽號：2007-0030-01)；共審查中之美國專利申請案序號第11/358,988號(2006年2月21日申請，標題為有預脈衝之雷射產生電漿EUV光源，律師簽號：2005-0085-01)；共審查中之美國專利申請案序號第11/067,124號(2005年2月25日申請，標題為用於EUV電漿源靶材輸送的方法及裝置，律師簽號：2004-0008-01)；以及，共審查中之美國專利申請案序號第11/174,443號(2005年6月29日申請，標題為LPP EUV電漿源材料靶材輸送系統，律師簽號：2005-0003-01)；其內容均併入本文作為參考資料。

第3圖部份圖示用於EUV光源且有一源材料導管的源材料分配器，其係包含可電致動元件130、玻璃部份132(例如，基於諸如硼矽玻璃或石英之玻璃的矽土)、以及圖示成凸緣的金屬部份134。例如，玻璃部份132可為其出口噴嘴帶有形狀的玻璃毛細管。如圖示，該分配器更包含由接合金屬構成且可耦合玻璃部份及金屬部份的密封接頭136。

對於此配置，該接合金屬係經選定成在操作溫度範圍(例如，25至260℃)內以及在液態錫為靶材時它的熱膨脹係數(CTE_金屬 )與玻璃(CTE_玻璃 )的熱膨脹係數密切匹配。在有些情形下，有熱膨脹係數(CTE_玻璃 )的管狀玻璃部份會使用與該玻璃部份耦合的金屬，該金屬的熱膨脹係數(CTE_金屬 )在25至260℃的溫度範圍內與CTE_玻璃的差額小於5ppm/℃。除了玻璃-科瓦合金(Kovar)及玻璃-鉬的組合以外，在25至250℃的溫度範圍內CTE差額小於5ppm/℃的其他組合還包含鐵鎳合金(invar)/石英、鉬/鋁、科瓦合金/鋁、鉑/鈉鈣玻璃、鉬/石英、鎢/硼矽玻璃、以及不鏽鋼/鹼性鋇玻璃(康寧9010)。

例如，該接合金屬可由鎳鈷鐵合金(例如，科瓦合金)構成，或者該接合金屬可由鉬或鎢構成。用此配置，可避免玻璃毛細管在使噴嘴加熱至工作溫度(例如，用於操作錫液的250至260℃)後破裂。

如本文所使用的，用語科瓦合金係總括有特殊熱膨脹性質的鐵鎳合金，以及包含設計成與硼矽玻璃之熱膨脹特性(在30、200℃之間約為5x10^-6 /℃，在800℃約為10x10^-6 /℃)相容的鎳鈷鐵合金，而允許在一溫度範圍內可直接做機械連接。有一特定科瓦合金是由約29%的鎳、17%的鈷、0.2%的矽、0.3%的錳、以及53.5%的鐵(以重量計)組成。

第3A圖部份圖示用於EUV光源且有一源材料導管的源材料分配器，其係包含硼矽玻璃部份140(例如，玻璃毛細管)與以面密封(face seal)圖示的部份142(例如，VCR密封組件)、以及用來使開放面密封(例如，VCR密封組件)夾住及密封於另一面密封(例如，未圖示的VCR密封組件)的螺帽144。就圖示於第3A圖的配置而言，部份142(例如，開放面密封，例如VCR密封組件)可由經選定成熱膨脹係數(CTE_金屬 )與玻璃(CTE_玻璃 )之熱膨脹係數密切匹配的材料製成。例如，該材料可由鎳鈷鐵合金(例如，科瓦合金)構成，或該材料可由鉬或鎢構成。用此配置，可避免玻璃毛細管在使噴嘴加熱至工作溫度(例如，用於操作錫液的250至260℃)後破裂。就圖示於第3A圖的配置而言，部份142可形成為有由部份142之主體伸出的圓形中空突出物146以及允許毛細管(玻璃部份140)在該突出物上滑動並附著於該突出物。在一具體實作中，藉由加熱玻璃毛細管的末端至大約1100至1700℃並使它保持在圖示的位置直到毛細管冷卻可製備圖示於第3A圖的配置。

第3B圖至第3F圖的實施例為用於耦合玻璃部份(例如，玻璃毛細管)與開放面密封(例如，VCR密封組件)的其他配置，如上述，在此該開放面密封(例如，VCR密封組件)可由經選定成熱膨脹係數(CTE_金屬 )與玻璃之熱膨脹係數(CTE_玻璃 )密切匹配的材料製成，例如，該材料可由鎳鈷鐵合金、鉬、或鎢構成。

更詳細言之，第3B圖係部份圖示用於EUV光源且有一源材料導管的源材料分配器，其係包含以開放面密封(例如，VCR密封組件)圖示的玻璃部份150(例如，耦合於導管部份152的玻璃毛細管)，其係使用與上述相同的第3圖配置(亦即，導管部份152可形成為有由導管部份152之主體伸出的圓形中空突出物154以及允許毛細管(玻璃部份150)在該突出物上滑動並附著於該突出物。此外，如圖示，導管部份152可形成為有一圓形中空內部突出物156可部份伸入導管部份152的主體，以及建立捕捉區158可在液態源材料(例如，錫)由導管部份152流入玻璃部份150時用來捕捉諸如硬粒之類的雜質(否則，可能阻塞相對小的毛細管出口)。

第3C圖係部份圖示用於EUV光源且有一源材料導管的源材料分配器，其係包含以開放面密封(例如，VCR密封組件)圖示的玻璃部份160(例如，耦合於導管部份162的玻璃毛細管)，其中導管部份162可形成為有一位於導管部份162之輸出孔中的圓形凹穴164，而且凹穴164的大小經製作成允許毛細管(玻璃部份160)的一端滑入凹穴並附著於凹穴的圓壁。

第3D圖係部份圖示用於EUV光源且有一源材料導管的源材料分配器，其係包含以開放面密封(例如，VCR密封組件)圖示的玻璃部份170(例如，耦合於導管部份172的玻璃毛細管)，其中部份172可形成為有一圓形輸出孔174，其大小係經製作成允許毛細管(玻璃部份170)之一端滑動通過輸出孔174並進入部份172的主體而附著於輸出孔174的圓壁以及建立雜質陷阱176(如在說明第3B圖時所述)。

第3E圖係部份圖示用於EUV光源且有與第3D圖配置一樣之一或更多組件的源材料分配器，其係包含玻璃部份170、形成有一圓形輸出孔174的導管部份172、以及更包含由例如燒結金屬，編織金屬及/或石墨纖維製成的多孔濾器178，其係配置於導管部份172的主體以去除雜質(例如，硬粒)，否則的話，可能阻塞毛細管出口。應瞭解，可將濾器178併入例如圖示於第3圖、第3A圖至第3C圖的具體實施例。

第3F圖係部份圖示用於EUV光源且有一源材料導管的源材料分配器，其係包含以開放面密封(例如，VCR密封組件)圖示的硼矽玻璃部份180(例如，耦合於導管部份182的玻璃毛細管)，其中導管部份182可形成為有一圓形輸出孔184，其大小係經製作成允許毛細管(玻璃部份180)之一端滑動通過輸出孔184並進入部份182的主體而附著於輸出孔184的圓壁。如圖示，玻璃部份180的末端可形成為有依附於部份182之內壁188的支座(abutment)186。此外，如圖示，可使用在說明第3E圖時提及的濾器190。

第4圖係部份圖示產生用於EUV光源之源材料微滴且包含一源材料導管的源材料分配器，如圖示，其係包含有剛性固定於分配器部份204(例如，凸緣，或開放面密封，例如VCR密封組件)之源材料接受端202的玻璃毛細管200。藉由銅焊、黏結(例如，用環氧樹脂)，使用CTE匹配的接合金屬206(請參考第3圖與上文的對應說明)，或者以第3A圖至第3F圖解說明的耦合配置中之一個，可實現此固定。第4圖也圖示毛細管200可形成為有一源材料出口端208，以及該分配器可包含可電致動元件210(例如，PZT)與限制源材料出口端208之運動以降低微滴流之不穩定性的侷限結構體212。例如，毛細管200可具有約10至50毫米的長度“b”。在沒有侷限結構體212時，源材料出口端208可使噴嘴振動，而此振動會導致微滴流不穩定。

如第4圖所示，該侷限結構體可包含環狀套圈214與組裝件216(mount assembly)。對於溫度升高的源材料(例如，液態錫或鋰)，該侷限結構體可使用如第4圖所示、第4A圖至第4B圖的剛性套圈。在一設計中，可將剛性套圈214的大小製作成在毛細管200未加熱(例如，室溫)時，它與毛細管200的外表面接觸，如第4A圖所示。當毛細管200到達工作溫度(例如，約250至260℃)時，在剛性套圈214與毛細管200之間會建立小間隙218，如第4B圖所示。

例如，玻璃的典型CTE為8至10ppm/℃，300序列不鏽鋼的CTE是在14至19ppm/℃之間，而400序列不鏽鋼的CTE是在10至12ppm/℃之間。因此，大約有10ppm/℃的CTE不匹配(mismatch)。以直徑1毫米的典型毛細管和大約250℃的溫度變化而言，由CTE不匹配所致的最大材料位移為：1毫米* 10ppm/C *250℃=2.5微米

因此，在剛性套圈214與毛細管200之間會有達2.5微米的間隙。此間隙會導致微滴流在靶材有與(a+b)/b比例成正比的不穩定性，在此“a”為毛細管200與照射區220的距離，以及“b”為毛細管的長度。例如，如果毛細管一英吋長以及毛細管200與照射區220的距離有兩英吋，2.5微米的間隙只允許微滴向電漿約7.5微米的位移。由於這遠小於LPP雷射光束大小(例如，約100至150微米)，因此可接受。

第4C圖圖示另一具體實施例，其中該侷限結構體可包含撓性套圈214’，例如由柔性材料製成的套圈，其大小係經製作成當液態錫作為源材料時在工作溫度(例如，約250至260℃)可與導管(例如，毛細管200’)相接觸。對於此配置，可將撓性套圈214”的大小製作成在冷卻(例如，於室溫)時可稍微擠壓毛細管200’(低於它的斷裂點)。當毛細管200變熱時，該撓性套圈仍與毛細管接觸並緊緊夾著它。用此配置，不會有間隙，但是毛細管200’有彈簧負荷。在一具體實作中，可使該彈簧負荷比毛細管200’本身的勁度還硬挺，藉此有約束毛細管200’的諧振頻率會明顯高於自由懸掛毛細管的諧振頻率。

第4D圖圖示另一具體實施例，其中該侷限結構體可包含多個構件222a-d(此例為4個)，彼等係經配置及定位(相對於毛細管200”)成可限制源材料出口端(請參考第4圖)的運動以降低微滴流的不穩定性。對於溫度升高的源材料(例如，液態錫或鋰)，可將構件222a-d設計成在處於選定的操作溫度時可膨脹以在各個構件與毛細管200”之間建立一預定間隙，或者可將構件222a-d中之一、一些或全部設計成在有選定的操作溫度時可膨脹以與毛細管200”接觸並施加選定的力於毛細管200”。

此外，替換地，如果用剛性套圈(例如，400序列不鏽鋼及玻璃或更佳的匹配材料)，可使用較佳的CTE匹配材料以減少間隙，例如，該套圈可由科瓦合金或鉬製成。

第5A圖係部份圖示產生用於EUV光源之源材料微滴且包含源材料導管的源材料分配器，如圖示，其係包含有剛性固定於分配器部份254(例如，凸緣，或開放面密封，例如VCR密封組件)之源材料接受端252的玻璃毛細管250。藉由銅焊，黏結(例如，用環氧樹脂)，使用CTE匹配的接合金屬(請參考第3圖與上文的對應說明)，或者以第3A圖至第3F圖解說明的耦合配置中之一個，可實現此固定。第5A圖也圖示毛細管250可形成為有一源材料出口端256，以及該分配器可包含可電致動元件258(例如，壓電調節器)，其係可操作以使毛細管250壁變形以及調節源材料由分配器的釋出。

如第5B圖所示，可沉積導電塗層262以覆蓋毛細管250壁，以及在有些情形下與其接觸，以及可在導電塗層262、可電致動元件258之間插置絕緣塗層264。例如，可沉積絕緣塗層264以覆蓋導電塗層，以及在有些情形下與其接觸。

第5A圖與第5B圖圖示電流源266可經由導體268a、b(例如，電線)來置於有導電塗層262的電路中而允許電流通過導電塗層以經由歐姆加熱來產生熱。在第5A圖的組態中，電能會輸送到毛細管，其中導體268a係連接至在毛細管250尖端的導電塗層262而導體268b連接至在可電致動元件258底部的導電塗層262。用此配置，通過金屬分配器部份254，可藉由傳導來加熱毛細管250的上半部。導體268a、b可藉由銅焊、焊接(例如，用高熔點合金)、或黏結(例如，用高溫傳導環氧樹脂)來附著於導電塗層262。

以圖示的配置而言，可使用液態錫為以升高溫度(例如，約250℃)流經毛細管250的源材料。加熱毛細管250可增加流量以及防止由凝固引起的阻塞。在一配置中，毛細管250可由玻璃製成，該導電塗層可由鉬或鎳鈷鐵合金(例如，科瓦合金)製成，以及該絕緣塗層可由金屬氧化物製成。至於該源材料分配器，可電致動元件258可由壓電材料、電致伸縮材料或磁致伸縮材料製成。

除了供給電流以加熱毛細管250外，導體268b可支承毛細管250的尖端，接著可增加靶材液流流出毛細管250的指向穩定性(pointing stability)。可選擇導電塗層262的材料以符合下列要求：高電阻；與玻璃很接近的熱膨脹係數；對玻璃表面有優良附著力；高熔化溫度。諸如鎳鈷鐵合金(例如，科瓦合金)、鉬及鎢之類的材料有約4至6ppm/K的熱膨脹係數而與硼矽玻璃(8-10ppm/K)的相當接近，而且可與玻璃一起用於高溫應用系統。此外，鎳鈷鐵合金(例如，科瓦合金)的電阻率大約為4.9x10^-7 歐姆米，而鉬的電阻率大約為5.34x10^-8 歐姆米。因此，在40毫米長的1毫米毛細管250上沉積5微米厚鎳鈷鐵合金層(例如，科瓦合金)有適當的電阻可用來加熱約1.24歐姆的毛細管250。

例如，通過使用必要金屬為陽極材料的真空電弧沉積可沉積導電塗層262於毛細管250的玻璃表面上。在導電塗層262上可沉積相對薄(1-2微米)的絕緣塗層264(例如，金屬氧化物)用來隔離可電致動元件258(例如，壓電管)的內電極。用此配置，毛細管250的溫度可高於可電致動元件258(例如，壓電管，它通常需要較低的操作溫度)的溫度。較高的溫度會導致壓電材料的脫芯(depoling)較快以及較大的熱應力。儘管本文以絕緣塗層來說明，應瞭解，仍可使用諸如非鍍膜(non-coating)之類的其他絕緣體來隔離可電致動元件258與導電塗層262。

第6圖部份圖示產生用於EUV光源之源材料微滴且有與第5A圖配置一樣之一或更多元件以及包含源材料導管的另一源材料分配器具體實施例，如圖示，其係包含剛性固定於分配器部份254且有導電塗層262及絕緣塗層264(如在說明第5B圖時所述)的玻璃毛細管250、可電致動元件258、電流源266、以及導體268a、b(例如，電線)，而允許電流通過導電塗層262以經由歐姆加熱來產生熱。在第6圖的組態中，分配器部份254可由導電材料製成，可將導電塗層262安置成與分配器部份254接觸，例如，藉由去除部份毛細管250的絕緣塗層264。用此配置，電能會輸送到毛細管，其中導體268a係連接至分配器部份254而導體268b連接至在可電致動元件258底部的導電塗層262。

第7圖係圖示EUV反射光學件300(例如，近垂直入射集光器反射鏡)的裝置，EUV反射光學件300有由橢圓旋轉而成的反射面，其中有例如以交替鉬層及矽層形成的漸變多層膜，以及在有些情形下，有高溫擴散阻障層、平滑層、覆蓋層及/或蝕刻終止層中之一或更多。由第8圖可見，光學件300係形成有定義旋轉軸線302及圓形周邊304的反射旋轉曲面。如第7圖及第8圖所示，可將光學件300配置成它的旋轉軸線302與水平面306有非零傾斜角，例如，10至90 度。第9圖及第10圖圖示周邊304在水平面306的垂直投影，以及圖示周邊投影可在水平面306標明區域308的界限。第7圖至第10圖也圖示該裝置可進一步包含：靶材輸送系統310(例如，靶材微滴的液流)，該系統有位於水平面306且在以周邊投影劃定之區域308外面的靶材釋放點312。也可提供產生雷射光束(請參考第1圖)的系統用來照射在照射區314(請參考第7圖)的靶材以產生EUV放射。

用此配置，EUV光線係經引導成是由光學件300沿著與水平線傾斜的軸線302行進。如上述，在有些情形下，此一方向是合乎需要的。此外，此配置允許使用非垂直微滴流，在有些情形下，相對於垂直微滴流，這可減少光學件300污染。特別是，由微滴產生器以極小速度射出的靶材(亦即，在微滴產生器意外洩露的情形下)不會被重力拉向EUV集光器，以及可顯著減少集光器污染的機率。另外，垂直取向微滴流與支援裝置可能導致集光器反射鏡有垂直取向遮攔。取決於後續EUV光學件的設計，就光學件的效能而言，遮攔有較差的方向。

在此組態中，用配置在集光器光學件在水平面之投影外的微滴產生器，由該產生器在水平方向以速度v 產生的微滴在距離微滴產生器為L處在垂直方向偏離原始路徑的數量d可用以下公式求出：在此g為重力加速度。因此，當微滴的速度為20米/秒以及與微滴產生器的距離Z為30毫米時，與水平方向的偏離值d只有1.1毫米。因此，就實際的微滴速度而言，在水平方向發射的微滴會幾乎水平筆直地到達電漿點。類似的論據可應用於微滴產生器的其他非垂直方向。

如第7圖所示，靶材輸送系統310可裝在操縱機構315上，操縱機構315能夠使靶材輸送系統310以不同的方向傾斜以調整微滴相對於集光器反射鏡之焦點的位置，而且也可使微滴產生器小增量地沿著液流軸線平移。也如第7圖所示，允許不用於產生電漿的微滴與暴露於雷射照射且偏離筆直路徑的材料行進超過照射區314一些距離而且會被捕捉器攔截，如圖示，該捕捉器包含諸如長形管體316(橫截面為圓形、橢圓形、卵形、矩形、方形、等等)之類的結構體。更詳細言之，可將長形管體316配置成可接收已通過照射區的靶材以及防止收到的材料飛濺以及到達反射光學件。在有些情形下，使用有相對大之縱橫比L/W(例如，約大於3)的管體可減少/防止飛濺的影響，在此L為管體長度以及W為與L垂直的最大管內尺寸。在撞擊管體316的內壁後，靶材微滴的速度會減少，隨後靶材可收集於專屬容器318中，如圖示。

第11圖圖示有靶材微滴348源的裝置，其係沿著在照射區350、靶材釋放點354之間的非垂直路徑352輸送靶材至照射區350。如圖示，該裝置也可包含EUV反射光學件356(例如，上述用於光學件300的)、第一捕捉器及第二捕捉器，在圖示的具體實施例中，第一捕捉器包含可接收偏離路徑之靶材(例如，沿著路徑364的材料)的管體360，以及如圖示，第二捕捉器包含諸如長形管體362之類的結構體，其係經配置成可接收已通過照射區的靶材以及防止收到的材料飛濺以及到達反射光學件。

第11圖也顯示可裝設一機構366(例如，電動手臂)用於使管體360可由管體360位在路徑352中的位置移到管體360不會阻隔EUV反射光學件所反射之EUV光線的位置。使用時，在微滴開動及/或對準及/或微滴終止期間，可將管體360安置成如圖示，以及在微滴照射之前例如使用電動手臂機構366來移開管體360。

第12圖及第13圖圖示有靶材微滴400源的裝置，其係沿著在照射區402、靶材釋放點406之間的非垂直路徑404輸送靶材至照射區402。如圖示，該裝置也可包含EUV反射光學件408，(例如，上述用於光學件300的)、第一捕捉器及第二捕捉器，在圖示的具體實施例中，第一捕捉器包含可接收偏離路徑之靶材(例如，沿著路徑364的材料)的管體412，以及如圖示，第二捕捉器包含諸如(長形)管體414之類的結構體，其係經配置成可接收已通過照射區的靶材以及防止收到的材料飛濺以及到達反射光學件。

第12圖及第13圖圖示可將管體412配置成照射區402可位在管體412中，以及第13圖圖示可將管體412形成為有一小孔416以允許照射靶材的雷射光束穿入管體412至照射區，以及允許在管體412內產生的EUV光線離開管體412以到達光學件408。對於此配置，可將管體412永久地裝在系統上，(亦即，在靶材照射期間可留在第12圖所示的位置)。此外，如圖示，相對於小孔416，在管體412反面上，雷射光束截止器(laser beam dump)418可附著於管體412或與它整體成形。圖中也顯示，管體412、414中之一或兩者可與水平方向有點傾斜角以允許重力可排空累積於捕捉器的靶材。如圖示，也可裝設配置成可接收來自管體414之靶材的收集池420。

圖示於第12圖及第13圖的第一及第二捕捉器可部份或全部為雙壁管，以及在管壁之間的空間可填滿或設計成可通過一或更多種熱交換流體(例如，水、錫、鎵、錫鎵合金、等等)使得捕捉器的熱管理有效率。可加熱各個捕捉器的一部份或全部及/或液池使靶材保持在熔點以上以便容易運輸至收集液池及/或避免捕捉器被靶材沉積物阻塞。也有利的是捕捉器通過由電漿放出的能量及/或藉由與微滴產生器或加熱微滴液池的熱接觸來間接加熱以利運輸(用過的)靶材至微滴液池。用於構造(捕捉用)管體412、414的材料可包含(但不必受限於)：鈦、鎢及/或鉬，因為彼等與大部份的靶材相容(無反應)而且有相對高的熔化溫度。管體412的直徑，例如，可在20毫米至100毫米的範圍內，以及通常有約1毫米至3毫米的壁厚。捕捉用管體可具有圓形、卵形、橢圓形、方形、矩形或其他形狀的橫截面。可將用於放射電漿的小孔416以及雷射光束輸入泵的大小製作及塑造成對於由電漿至集光器光學件408外緣的EUV放射不會有遮攔或很少，亦即，設計成與集光器光學件408的接收角度匹配或超過。

第14圖圖示另一具體實施例，其中該捕捉器包含可接收偏離路徑404’及/或穿過照射區402’之靶材的管體412’。第14圖圖示可將管體412’配置成照射區402’位於管體412’中以及可將管體412’形成為有一小孔416’讓照射靶材的雷射光束可穿入管體412’至該照射區，以及允許在管體412’內產生的EUV光線離開管體412’。對於此配置，可將管體412’永久地裝在系統上，(亦即，在靶材照射期間可保持在第12圖所示的位置)。此外，相對於小孔416’，在管體412’的反面上，雷射光束截止器418’可附著於管體412’或與它整體成形。

第14圖也圖示可提供用於使一或更多氣體通過管體412’的系統，例如緩衝氣體、蝕刻劑氣體、等等，例如氫、氦、氬、溴化氫、氯化氫或彼等之組合。如圖示，此系統可包含氣體源422用來供給氣體至管體412’，而且在有些情形下，可提供視需要的泵424(例如，真空泵)用來排除管體的氣體。一或更多相對狹窄的診斷管426a、b(彼等之末端428a、b可封閉)可附著於管體412’以允許用一或更多診斷儀器(未圖示)來存取電漿及/或微滴。

泵入口(pump opening)的直徑可大於EUV放射小孔416’。用此配置，可將氣體引進到相當接近於電漿位置以及(部份)引導至EUV放射小孔以及排出(或在循環迴路中循環)，這還算有效率，因為由小孔416’至腔室之其餘部份有氣體壓力梯度。在EUV光源腔室的主要部份中，在(捕捉用) 管體412’外可保持較低的壓力。這可減少EUV被腔室背景氣體吸收的數量。氣體壓力為最高的區域局限於在氣體入口、電漿及(數個)捕捉用管體附近的很小體積。至於氣流，可優化該配置藉此最大化泵之(數個)入口的吞吐量(亦即，直徑)，以及最小化用於放射EUV的開口(以及其他必要的開口)。同時，最小化屏蔽物/(數個)捕捉用管體、(管體直徑)以及EUV放射開口的EUV光線路徑之遮攔以便最小化該配置的EUV光線之損耗。

第15圖及第16圖圖示含有蓋體450的捕捉器。此外，如圖示，系統452可耦合至可在第一伸展位置(第15圖)、第二縮回位置(第16圖)之間伸展及縮回的蓋體450，在第一伸展位置時，蓋體450是位在反射光學件454的一些或所有可操作表面上方，而在第二縮回位置時，蓋體450不在反射光學件454的上方。用此配置，例如在開動、停止及/或裝置維修期間，可部署蓋體450以保護光學件454偏離由靶材輸送系統456釋出的微滴/靶材。

第17圖圖示有靶材微滴500源的裝置，其係沿著在照射區502、靶材釋放點506之間的非垂直路徑504輸送靶材至照射區502。如圖示，該裝置也可包含EUV反射光學件508(例如，上述用於光學件300的)與捕捉器，以及以圖示具體實施例而言，該捕捉器包含可接收偏離想要路徑之靶材(例如，沿著路徑512的材料)的管體510。使用時，管體510在照射靶材以產生EUV光線期間可保持定位(亦即，在正常光源操作期間仍然安裝著)。

也如圖示，管體510可由管體至少部份包圍靶材釋放點506的位置延伸至配置在釋放點506、照射區502之間的管體終點514。圖中也顯示，形成有以想要路徑504為中心線之開口516的管體510在終點有閉端。用此配置，沿著路徑504行進的靶材會離開管體510，同時偏離路徑504的靶材會被捕獲並留在閉端管體510中。

請參考第18圖及第19圖，對於有些光源配置，可能需要微滴產生器以相對高的重複率(例如，50千赫或更高)產生大小約10至100微米的微滴靶材。在有些情形下，微滴速度為可用來優化LPP電漿之狀態的參數之一。例如，可使用約20至100米/秒或更高的微滴速度。第18圖圖示水平微滴流的影像，尤其是圖示以不同速度水平噴射的錫微滴之影像。在此實驗中，只觀察到為微滴速度之函數的小垂直位移(約1毫米)。產生微滴的頻率大約為80千赫，而且在離噴嘴約300毫米處攝取相片。以速度v 行進的微滴，可以下公式求得在距離噴嘴為L處與重力有關的垂直位移d：d =g /2(L /V )² ，在此g為重力的垂直加速度。因此，例如，以20米/秒行進的微滴，在距離噴嘴300毫米處會只偏離水平路徑約1.1毫米。圖示於第18圖的影像證實垂直位移的估計值以及間接表明微滴流位置與微滴速度有輕微的相依性。從靶材位置與聚焦CO₂ 雷射光束匹配的角度來看，這顯示為EUV LPP源的可行微滴取向。

對於在水平方向產生錫微滴的一調查顯示非垂直取向微滴流對微滴性質的影響甚微。第19圖圖示在30分鐘的時間間隔內獲得100微米微滴的大量重疊影像。該等影像是在離微滴產生器噴嘴約300毫米處取得。在此實驗，微滴速度為30米/秒。第19圖意味著微滴有極優良的長期穩定性。微滴的最大垂直位移為正負50微米，這可用有主動穩定作用的操縱系統來補償。另一方面，微滴在水平方向的短期位置穩定性大約為10微米，這與在垂直取向產生的微滴之特性不相上下。

儘管為了必須滿足美國專利法第112條第35款的要求而在本專利申請案中詳細地描述及圖解說明數個本發明特定具體實施例能夠完全達到上述一或更多個目的，對於待解決問題或為了任何其他理由或上述具體實施例的目標，熟諳此藝者應瞭解，該等具體實施例只是示範、圖解說明及表現本申請案所廣泛涵蓋的專利標的。不希望在以下的申請專利範圍中以單數表示的元件是意謂或應該意謂該申請專利範圍中之元件為“一個且只有一個”，而是“一或更多”，除非另有明示。所有與本技藝一般技術人員已知或以後會知道的上述具體實施例中之任一元件是結構及功能等價的元件都明白併入本文作為參考資料，希望本發明申請專利範圍可涵蓋這些元件。所有與上述具體實施例中之任一元件(本技藝一般技術人員已知或以後會知道的)在結構及功能上等價的元件都明白併入本文作為參考資料，希望本發明申請專利範圍可涵蓋這些元件。用於本專利說明書及/或本發明申請專利範圍申請項以及本專利說明書及/或本發明申請項中之意思所明示的任何術語都應具有該意思，不管任何字典或其他常用意思對於該術語如何解釋。對於本專利說明書在說明具體實施例任一方面時所描述的裝置或方法，不是想要或必定針對待由揭示於本申請案之具體實施例解決的每一個問題，本發明申請項會涵蓋這些。不希望本揭示內容內的元件、組件、或方法步驟被獻給大眾，不管該等元件、組件、或方法步驟是否明示於申請項。隨附申請專利範圍中之元件無一是在美國專利法第112條第35款第6段下解釋，除非該元件是用“用於...的構件”或在方法申請項中該元件是用“步驟”而不是“起...作用”的方式明確陳述。

20‧‧‧EUV光源

22‧‧‧系統

24‧‧‧靶材輸送系統

26‧‧‧腔室

28‧‧‧照射區

30‧‧‧光學件

60‧‧‧EUV控制器

62‧‧‧微滴位置檢測反饋系統

65‧‧‧擊發控制系統

70‧‧‧微滴顯像器

90‧‧‧微滴控制系統

92‧‧‧源材料分配器

94‧‧‧液池

96‧‧‧加壓流體

98‧‧‧小孔

100‧‧‧連續流

102a、b‧‧‧微滴

104‧‧‧可電致動元件

106‧‧‧訊號產生器

108‧‧‧液池

110‧‧‧導管

112‧‧‧連續流

114‧‧‧小孔

116a、b‧‧‧微滴

118‧‧‧可電致動元件

120‧‧‧液池

122‧‧‧導管

124、126‧‧‧可電致動元件

128‧‧‧板體

130‧‧‧液池導管

132‧‧‧小孔

134‧‧‧液流

136a、b‧‧‧微滴

138‧‧‧可電致動元件

140‧‧‧玻璃部份

142‧‧‧部分

144‧‧‧螺帽

146‧‧‧圓形中空突出物

150‧‧‧玻璃部份

130‧‧‧可電致動元件(第3圖)

132‧‧‧玻璃部份(第3圖)

134‧‧‧金屬部份(第3圖)

136‧‧‧密封接頭(第3圖)

152‧‧‧導管部份

154‧‧‧圓形中空突出物

156‧‧‧圓形中空內部突出物

158‧‧‧捕捉區

160‧‧‧玻璃部份

162‧‧‧導管部份

164‧‧‧圓形凹穴

170‧‧‧玻璃部份

172‧‧‧導管部份

174‧‧‧圓形輸出孔

176‧‧‧雜質陷阱

178‧‧‧濾器

180‧‧‧硼矽玻璃部份

182‧‧‧導管部份

184‧‧‧圓形輸出孔

186‧‧‧支座

188‧‧‧內壁

190‧‧‧濾器

200、200’‧‧‧玻璃毛細管

202‧‧‧源材料接受端

204‧‧‧分配器部份

206‧‧‧接合金屬

208‧‧‧源材料出口端

210‧‧‧可電致動元件

212‧‧‧侷限結構體

214‧‧‧環狀套圖

214’‧‧‧撓性套圈

216‧‧‧組裝件

218‧‧‧間隙

220‧‧‧照射區

222a-d‧‧‧構件

250‧‧‧玻璃毛細管

252‧‧‧源材料接受端

254‧‧‧分配器部份

256‧‧‧源材料出口端

258‧‧‧可電致動元件

262‧‧‧導電塗層

264‧‧‧絕緣塗層

266‧‧‧電流源

268a、b‧‧‧導體

270‧‧‧液池

272‧‧‧導管

274‧‧‧連續流

276‧‧‧小孔

278a、b‧‧‧微滴

280‧‧‧可電致動元件

300‧‧‧EUV反射光學件

302‧‧‧旋轉軸線

304‧‧‧圓形周邊

306‧‧‧水平面

308‧‧‧區域

310‧‧‧靶材輸送系統

312‧‧‧靶材釋放點

314‧‧‧照射區

315‧‧‧操縱機構

316‧‧‧長形管體

318‧‧‧專屬容器

348‧‧‧靶材微滴

350‧‧‧照射區

352‧‧‧非垂直路徑

354‧‧‧靶材釋放點

356‧‧‧EUV反射光學件

360‧‧‧管體

362‧‧‧長形管體

364‧‧‧路徑

400‧‧‧靶材微滴

402、402’‧‧‧照射區

404、404’‧‧‧非垂直路徑

406‧‧‧靶材釋放點

408‧‧‧EUV反射光學件

412、412’,414‧‧‧管體

416、416’‧‧‧小孔

418、418’‧‧‧雷射光束截止器

420‧‧‧收集池

422‧‧‧氣體源

424‧‧‧泵

426a、b‧‧‧診斷管

428a、b‧‧‧末端

450‧‧‧蓋體

452‧‧‧系統

454‧‧‧反射光學件

456‧‧‧靶材輸送系統

500‧‧‧靶材微滴

502‧‧‧照射區

504‧‧‧非垂直路徑

506‧‧‧靶材釋放點

508‧‧‧EUV反射光學件

510‧‧‧管體

512‧‧‧路徑

514‧‧‧管體終點

516‧‧‧開口

P‧‧‧壓力

第1圖為一雷射產生電漿EUV光源的簡化示意圖；

第2圖為一簡化微滴源的示意橫截面圖；

第2A圖至第2D圖的橫截面圖係圖示用於使可電致動元件與流體耦合以在流出小孔的液流中產生擾動的不同技術；

第3圖的橫截面圖係部份圖示用於EUV光源以及有一源材料導管的源材料分配器，該源材料導管包含與一硼矽玻璃部份(borosilicate glass portion)耦合的一接合金屬以及一金屬部份，該接合金屬係經選定成它的熱膨脹係數與硼矽玻璃的熱膨脹係數密切匹配；

第3A圖至第3F圖的橫截面圖係部份圖示用於EUV光源以及有一源材料導管的源材料分配器，該源材料導管包含一硼矽玻璃部份，其係圖解說明用於耦合玻璃部份與非玻璃部份的不同技術；

第4圖係部份圖示產生用於EUV光源之源材料微滴的源材料分配器，其係具有限制該源材料出口端之運動的侷限結構體以降低微滴流的不穩定性；

第4A圖至第4B圖為沿著第4圖中之直線4A-4A繪出的橫截面圖，其係圖示剛性套圈214的大小係經製作成在毛細管處於室溫時它會與毛細管的外表面接觸(第4A圖)以及在溫度升高(例如，工作溫度)時會膨脹而在剛性套圈、毛細管之間可建立一間隙(第4B圖)；

第4C圖為沿著第4圖中之直線4A-4A繪出的橫截面圖，其係圖示有撓性套圈的侷限結構體，該撓性套圈的大小係經製作成在工作溫度升高時它會與毛細管接觸；

第4D圖為沿著第4圖中之直線4A-4A繪出的橫截面圖，其係圖示另一具體實施例的侷限結構體可包含4個構件，彼等係經排列及配置成可限制源材料出口端相對於毛細管的運動以降低微滴流的不穩定性；

第5A圖的橫截面圖部份圖示有導管(例如，毛細管)的源材料分配器，該導管係塗上一層用於加熱該導管的導電材料；

第5B圖的橫截面圖係圖示塗上一層用於加熱該導管的導電材料以及一層絕緣材料的導管牆體；

第6圖的橫截面圖部份圖示源材料分配器，其係具有：塗上一層用於加熱該導管之導電材料的導管(例如，毛細管)；以及，使電流通過導電導管部份及導電塗層以加熱該導管的配置；

第7圖至第10圖的視圖係圖示有定義旋轉軸線及圓形周邊之旋轉曲面的反射光學件，該光學件係經配置成該軸線與一水平面有一非零傾斜角以及可在該水平面中建立該周邊的垂直投影，其中該周邊投影在該水平面中劃定一區域，以及有一靶材釋放點，該釋放點位在該水平面中且在以該周邊投影劃定的該區域外面(備註：第7圖及第9圖為側面平面圖，第8圖為沿著第7圖中之直線8-8繪出的橫截面圖，以及第10圖為沿著第9圖中之直線10-10繪出的橫截面圖)；

第11圖為一裝置的側面平面圖，其係具有：沿著一非垂直路徑輸送靶材至一照射區的一靶材微滴源，以及配置成可接收偏離該路徑之靶材的一捕捉器；

第12圖為一裝置的側面平面圖，其係具有：沿著一非垂直路徑輸送靶材至一照射區的一靶材微滴源；形式為屏蔽物以及配置成可接收偏離該路徑之靶材的第一捕捉器，其中在靶材照射期間該屏蔽物可留在原位；以及形式為一結構體的第二捕捉器，其係經配置成可接收已通過該照射區的靶材且經設計成可防止收到的材料飛濺以及到達該反射光學件；

第13圖為沿著第12圖中之直線13-13繪出的橫截面圖，其係圖示該捕捉器係形成有一小孔；

第14圖為一裝置的側面平面圖，其係具有：沿著一非垂直路徑輸送靶材至一照射區的一靶材微滴源，以及形式為屏蔽物且配置成可接收偏離該路徑之靶材的一捕捉器，以及包含用於使氣體流動通過該捕捉器的系統；第15圖及第16圖圖示包含可在第一伸展位置(第15圖)與第二縮回位置(第16圖)之間移動之蓋體的捕捉器，第一伸展位置是蓋體處於可覆蓋反射光學件之一些或全部可操作表面的位置，第二縮回位置是蓋體不在反射光學件上方的位置；第17圖為一裝置的側面平面圖，其係具有：沿著一非垂直路徑輸送靶材至一照射區的一靶材微滴源，以及形式為屏蔽物且配置成可接收偏離該路徑之靶材的一捕捉器，該屏蔽物包含一管體，其係由該管體至少部份包圍該靶材釋放點的位置延伸至配置在該釋放點與該照射區之間的一管體終點；以及第18圖及第19圖為在距離靶材釋放點約300毫米處獲得的非垂直微滴流之影像。