TWI415880B - 預浸體、預浸體的製造方法、基板及半導體裝置 - Google Patents

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TWI415880B
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prepreg
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thickness
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TW095144613A
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Takeshi Hosomi
Maroshi Yuasa
Kazuya Hamaya
Takayuki Baba
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Sumitomo Bakelite Co
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Description

預浸體、預浸體的製造方法、基板及半導體裝置
本發明係有關預浸體、預浸體的製造方法、基板及半導體裝置。
使用在玻璃纖維基材等的薄片狀基材上，含浸熱硬化性樹脂而得的預浸體，可形成電路基板。例如在日本特開2004－216784號公報上所揭示的預浸體，係將厚度50至200 μ m的玻璃纖維基材含浸在熱硬化性樹脂清漆中之方法等而得。
以此方法而得的預浸體，是以玻璃纖維基材為中心樹脂組成物為搭載對象。換言之，此預浸體係在玻璃纖維基材的兩面上，設有以同一組成的樹脂組成物所構成並具有同一厚度的樹脂層之結構。
然而，隨著近年來電子零件．電子機器等的小型化．薄膜化等，也同時要求使用於此產品上的電路基板等必須小型化．薄膜化。隨著此需求電路基板，必需要形成密度更高的電路配線圖案(電路配線部)。
為了能形成這種高密度的電路配線圖案，而使用多層結構的電路基板，並對其各層施以薄質化。
一般為了使多層結構的電路基板薄質化，係在預浸體的一面上形成電路配線後，再將該電路配線圖案埋設到欲積層在此預浸體的其他預浸體之另一面上。
此時，預浸體即被要求有一面是為了形成電路配線圖案的電鍍密著性，而另一面則是為了埋設電路配線圖案的間隙之埋入性(成形性)。
然而，在專利文獻1中的預浸體，其兩邊面上，形成為同一種樹脂組成物之樹脂層。因此，在專利文獻1中的預浸體中，即難以選擇出可同時滿足電鍍密著性與埋入性的兩種特性之以樹脂組成物構成之樹脂層。尚且，相關問題在企圖使預浸體薄型化時尤為顯著。
同時，也有可能在預浸體的二個樹脂層之雙方上埋設電路配線圖案的情形。
然而，在專利文獻1中的預浸體中，當所要埋設的二個電路配線圖案之大小(電路厚度等)不同時，填充在構成電路配線圖案的配線相互間的間隙中之樹脂組成物的量會發生不足之情形。其結果在所製作的基板中，會造成樹脂組成物向側邊擠出或電路配線圖案並未確實埋設在樹脂層中等的問題。
因此，在專利文獻1中的預浸體即有以下的二種困難，A：同時賦與電鍍密著性與埋設性的兩種特性，與B：設定可配合所欲埋設電路配線圖案的樹脂組成物之量。
另外，迄今仍然難以製造含有薄質玻璃纖維基材的預浸體。
本發明的目的係提供可適應於薄膜化，且可在預浸體的兩面賦與不同的用途、機能、性能或特性等的預浸體。
並且，本發明的目的係提供可適應於薄膜化，且可配合所要埋設電路配線圖案而設定樹脂組成物之量。
再者，本發明的目的係提供上述預浸體的製造方法、具有上述預浸體的基板及半導體裝置。
為了達成上述目的，本發明的預浸體之特徵即為：具有含薄片狀基材的核層、由第1樹脂組成物構成而設在該核層的一面上之第1樹脂層、由第2樹脂組成物構成而設在前述核層的另一面上的第2樹脂層，前述第1樹脂層與第2樹脂層的厚度，以及前述第1樹脂組成物與第2樹脂組成物的組成中至少有一方是不同的。
由此，可以提供可適應於薄膜化，且可在預浸體的兩面賦與不同的用途、機能、性能或特性等，可配合所要埋設電路配線圖案而設定樹脂組成物量的預浸體。
本發明的預浸體中，前述第1樹脂組成物與第2樹脂組成物的組成為不同，在前述第1樹脂層上以形成導體層而供使用者為佳。
本發明的預浸體中，在前述第1樹脂層與前述導體層接合時，前述第1樹脂層與前述導體層的剝離強度(peeling strength)是以0.5kN/m以上者為佳。
本發明的預浸體中，前述第1樹脂層的厚度是以3至15 μ m者為宜。
本發明的預浸體中，前述硬化性樹脂是以含有氰酸酯樹脂者為佳。
本發明的預浸體中，前述氰酸酯樹脂是以含有酚醛型氰酸酯樹脂者為佳。
本發明的預浸體中，前述第1樹脂組成物又以含有硬化劑者為佳。
本發明的預浸體中，前述硬化劑是以含有咪唑系化合物者為佳。
本發明的預浸體中，前述第1樹脂組成物再以含有與前述硬化性樹脂之種類不同的第2樹脂者為佳。
本發明的預浸體中，前述第2樹脂是以含有苯氧(phenoxy)系樹脂者為佳。
本發明的預浸體中，前述第1樹脂層是以其厚度比前述第2樹脂層的厚度更薄者為佳。
本發明的預浸體中，是以前述第1樹脂組成物與前述第2樹脂組成物的組成相同，且前述第1樹脂層與前述第2樹脂層的厚度不同，前述薄片狀基材的厚度在25 μ m以下者為佳。
本發明的預浸體中，前述預浸體的厚度是以在35 μ m以下者為佳。
本發明的預浸體中，前述樹脂組成物是以含有硬化性樹脂者為佳。
本發明的預浸體中，前述硬化性樹脂是以含有氰酸酯樹脂者為佳。
本發明的預浸體中，前述樹脂組成物是再以含有無機填充材者為佳。
同時，本發明的預浸體之製造方法係為製造上述預浸體的方法，其特徵為具有：準備前述核層、在一邊的面上以層狀附予前述第1樹脂組成物的第1薄片材、與以層狀附予第2樹脂組成物的第2薄片材之步驟；使前述第1樹脂組成物與前述第2樹脂組成物為以接觸方式，在前述核層上使前述第1薄片材及第2薄片材重疊接合而得積層體的步驟；從前述積層體中去除氣泡的步驟。
因此，可容易且價廉地製得上述預浸體。
在本發明的預浸體之製造方法中，其前述核層與前述第1薄片材及前述第2薄片材的接合，宜在減壓下進行。
在本發明的預浸體之製造方法中，自前述積體層中去除氣泡，宜以加熱處理進行。
在本發明的預浸體之製造方法中，前述加熱處理宜在前述第1樹脂組成物及前述第2樹脂組成物之中，於熔點較高的樹脂組成物之熔點以上的溫度下進行。
在本發明的預浸體之製造方法中，前述第1薄片材宜為由導電材料所構成者。
在本發明的預浸體之製造方法中，前述第1薄片材及前述第2薄片材係由個別的樹脂薄片所構成者，並在自前述積體層中去除氣泡的步驟之後，宜具有自前述積體層中去除前述樹脂薄片之步驟著為佳。
在本發明的預浸體之製造方法中，前述樹脂薄片係以在附與前述樹脂組成物之面上，可施予剝離處理者為佳。
又，本發明的基板特徵，為具有上述的預浸體與埋設在該預浸體的前述第2樹脂層中之電路配線部。
如此，即可得薄質的基板在本發明的基板中，當其前述預浸體整體的厚度為To[μ m]，而前述電路配線部的高度為t1[μ m]時，To與t1之差宜在35 μ m以下。
在本發明的基板中，前述預浸體的面方向之熱膨脹係數宜在16ppm以下。
並且，本發明的基板特徵，為可由上述預浸體積層而得。
如此，即可得薄質的基板。
另外，本發明的半導體裝置之特徵，為具有上述基板及搭載在該基板上的半導體元件。
如此，即可得薄質的半導體裝置。
以下說明有關本發明的預浸體、預浸體的製造方法、基板及半導體裝置。
本發明的預浸體之特徵為：具有含有薄片狀基材的核層、由第1樹脂組成物構成而設在該核層的一邊之第1樹脂層、與由第2樹脂組成物構成而設在前述核層的另一邊的第2樹脂層，而在前述第1樹脂層上形成導體層而供使用，前述第1樹脂層與前述第2樹脂層的厚度，以及前述第1樹脂組成物與第2樹脂組成物的組成中至少有一方是不同的。
同時，本發明的預浸體之製造方法的特徵為具有：準備前述核層、在一邊的面上附予前述第1樹脂組成物為層狀的第1薄片材，及附予第2樹脂組成物為層狀的第2薄片材之步驟、與使前述第1樹脂組成物及前述第2樹脂組成物以接觸方式，而在前述核層上將前述第1薄片材及前述第2薄片材重疊接合而得積層體的步驟、與自前述積層體中去除氣泡的步驟。
並且，本發明的基板之特徵，為具有上述的預浸體與埋設在該預浸體的第2樹脂層中之電路配線部。
同時，本發明的半導體裝置之特徵，為具有上述基板與搭載在該基板上的半導體元件。
<第1實施形態>
首先，根據圖面說明有關本發明的預浸體之理想實施形態(第1實施形態)。
第1圖係表示本發明的預浸體之一例(第1實施形態)的剖面圖。
尚且，在以下的說明中，是以第1圖(以下的各圖中也是同樣)中的上方為「上」、下方為「下」說明之。
預浸體(形成多層配線基板用的樹脂薄膜)10，具有含薄片狀基材(纖維基材)1的核層11、可形成在核層11的一邊形成的第1樹脂層2及在另一邊形成的第2樹脂層3。因此，在本實施形態的預浸體10中，構成第1樹脂層2的第1樹脂組成物與構成第2樹脂層3的第2樹脂組成物之組成不同。
由此，以可設計成因應各層要求之特性等方式的樹脂組成物之配方，其結果是可在維持各層所要求之特性的狀態下而得整體為薄質的預浸體10。
在第1圖所示的預浸體10中，可在第1樹脂層2上(第1圖上方)形成導體層而供使用。因此，第1樹脂層2可設計成與導體層之間有優異的密著性。同時，第2樹脂層3可設計成為了滿足不同於第1樹脂層2的特性等要求者。
以下針對各層說明之。
(核層)核層11主要係由薄片狀基材1構成。核層11具有可提高預浸體10的強度之機能。
此核層11由薄片狀基材1所構成，也可將上述的第1樹脂層2及第2樹脂層3之一部份含浸在薄片狀基材1中而形成。
至於這種的薄片狀基材1，可舉例如以玻璃織布、玻璃不織布等的玻璃纖維基材、聚醯胺樹脂纖維、芳香族聚醯胺樹脂纖維、全芳香族聚醯胺樹脂纖維等的聚醯胺系樹脂纖維、聚酯樹脂纖維、芳香族聚酯樹脂纖維、全芳香族聚酯樹脂纖維等的聚酯系樹脂纖維、聚醯亞胺樹脂纖維、氟樹脂纖維等為主成分而構成織布或不織布的合成纖維基材、以牛皮紙、棉絨紙、棉絨與牛皮紙漿的混抄紙等為主成分之紙基材等的有機纖維基材等之纖維基材、聚酯、聚醯亞胺等的樹脂薄膜等。在這些基材中，是以玻璃纖維基材為佳。藉由此，可提高預浸體10的強度。同時，可使預浸體10的熱膨脹係數變小。
至於可組成這種玻璃纖維的玻璃，可列舉如E玻璃、C玻璃、A玻璃、S玻璃、D玻璃、NE玻璃、T玻璃、H玻璃等。其中以S玻璃或T玻璃為佳。由此，可使玻璃纖維基材的熱膨脹係數變小，進而使預浸體的熱膨脹係數變小。
薄片狀基材(纖維基材)1的厚度，雖然未特別的限定，但在得到薄質預浸體10時，則以在30 μ m以下為宜，尤以25 μ m以下較佳，而最好的是在10至20 μ m。當薄片狀基材1的厚度在前述範圍內時，可持續維持於後述的基板強度下，達成其薄膜化。再者，可獲得層間連續的加工性或可信度優異之預浸體10。
此時，所謂的「層間連續的加工性」，係指在製作多層結構的電路基板(以下也簡稱為「多層基板」)時，可使上下的電路配線圖案相互間容易(簡便)連接之意。
另外，所謂的「層間連續的可信度(連續可信度)」，係指在製作多層基板之後，已確實使上下的電路配線圖案相互連接，及在通孔(through hole)或點(via)壁間無短路之意。
(第1樹脂層)如第1圖中所示的第1樹脂層2，係在核層11的另一邊(第1圖上方)形成。
第1樹脂層2係由第1樹脂組成物構成，設計為與導體層之間有優異密著性的樹脂組成。
這種與導體層之間具優異密著性的第1樹脂組成物，含有硬化性樹脂，也可配合必要性而含有例如硬化助劑(例如硬化劑、硬化促進劑等)、無機充填材等之中至少一種。
為了提高與導體層之間的密著性，可使用使與導體層之間的密著性優異的硬化性樹脂之方法、可使用能提高與導體層之間的密著性的硬化助劑(例如硬化劑、硬化促進劑等)之方法、可使用可溶於酸的無機充填材之方法，或併用無機充填材與有機充填材的方法等。
至於作為與導體層之間的密著性優異之硬化性樹脂，例如適於使用尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、雙順丁烯二醯亞胺樹脂、聚胺甲酸酯(PU)樹脂、有苯并噁嗪(benzoxazine)環的樹脂、氰酸酯樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂及雙酚S型與雙酚F型的共聚合環氧樹脂等之熱硬化性樹脂。在此等樹脂之中，尤其是以使用氰酸酯樹脂(包括氰酸酯樹脂的預聚物)為佳。藉由使用熱硬化性樹脂(尤其是氰酸酯樹脂)，可以使預浸體10的熱膨脹係數變小(以下也可簡稱為「低熱膨脹化」)。同時，也可提高預浸體10的電氣特性(低導電率、低電介質損耗角正切)等。
前述氰酸酯樹脂，例如可由鹵化氰化合物與酚類反應後，配合必要以加熱等的方法預聚化而得。具體上，可舉例如酚醛型氰酸酯樹脂、雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂、四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等的雙酚型氰酸酯樹脂等。其中並以酚醛型氰酸酯樹脂為佳。由此，因可於製作基板後，使硬化後的第1樹脂組成物之交聯密度增加，而可望提高硬化後的第1樹脂層2(所得之基板)之耐熱性及難燃性。耐熱性的提高，係認為因酚醛型氰酸酯樹脂於硬化反應後形成三環所致。同時，難燃性的提高，則認為是因為酚醛型氰酸酯樹脂在結構上的苯環比例高，此苯環容易碳化(石墨化)，而在硬化後的第1樹脂層2中產生碳化部分所致。另外，即使將預浸體10薄膜化(例如厚度在35 μ m以下)時，也可在預浸體10賦與優異的剛性。氰酸酯樹脂或其硬化物，尤其因在加熱時具有優異的剛性，故所得之基板也成為實裝半導體元件時最具優異信賴性者。
前述酚醛型氰酸酯樹脂例如可使用以式(I)所示者。
以前述式(I)表示的酚醛型氰酸酯樹脂之平均重複單元(repeating unit)n，雖然並無特別限定，但以1至10為佳，尤其以2至7為最佳。當平均重複單元n未達前述下限值時，酚醛型氰酸酯樹脂有容易結晶化的傾向，而使相對於汎用溶劑的溶解性比較降低。因此，將因酚醛型氰酸酯樹脂的含有量等，而可能有使含有第1樹脂組成物的清漆(形成第1樹脂層用的清漆)難以使用之情形。另外，在製作預浸體10時會產生膠黏性(tack)，而有可能造成預浸體10之間在接觸時相互附著，或產生一方的預浸體10之第1樹脂組成物移行到另一方的預浸體10中之現象(轉寫)。另一方面，當平均重複單元n超過前述上限值時，將使第1樹脂組成物的熔融黏度變得過高，而有可能降低製作預浸體10時的效率。
前述氰酸酯樹脂等的重量平均分子量，例如可以用GPC測定。
尚且，前述氰酸酯樹脂可以使用其已預聚化之物者。意即，前述氰酸酯樹脂可單獨使用，亦可併用重量平均分子量不同的氰酸酯樹脂，或可併用前述氰酸酯樹脂與其預聚合物。
前述預聚合物通常可由前述氰酸酯樹脂的加熱反應等，例如三量化而得，係適用於調整樹脂組成物的成形性、流動性者。
至於前述預聚化合物，雖然無特別的限定，但可使用例如三量化率在20至50重量%者。此三量化率，例如可使用紅外線分光分析裝置求得。
另外，為了提高將於後述的與半導體之間的密著性，而併用硬化劑或硬化促進劑時，除了使用上述與半導體之間有優異密著性的硬化性樹脂之外，例如也可使用酚酚醛樹脂、甲酚酚醛樹脂、雙酚A酚醛樹脂等的酚醛型酚樹脂、未改質的甲階酚醛(resol)酚樹脂、以桐油、亞麻仁油、核桃油等改質的油改質甲階酚醛酚樹脂等的甲階酚醛型酚樹脂等之酚樹脂、雙酚A環氧樹脂、雙酚F環氧樹脂等的雙酚型環氧樹脂、酚醛環氧樹脂、甲酚酚醛環氧樹脂等的酚醛型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂等的環氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、對苯二甲酸二烯丙酯樹脂、矽酮樹脂等的其他熱硬化性樹脂。
同時，在硬化性樹脂中，除了熱硬化性樹脂之外，例如也可使用紫外線硬化性樹脂、嫌氣硬化性樹脂等。
前述硬化性樹脂的含有量並無特別的限定，但以前述第1樹脂組成物總量的5至50重量%為佳，尤其以10至40重量%者為最佳。當含有量不到前述下限值時，將因第1樹脂組成物的熔融黏度等，而有可能難以形成預浸體10。另一方面，其含有量超過前述上限值時，將因硬化性樹脂的種類或重量平均分子量等，而有可能使預浸體10的強度下降。
至於可提高與導體層之間的密著性之硬化助劑(例如硬化劑、硬化促進劑等)，可舉例如三乙基胺、三丁基胺、二氮雜二環[2,2,2]辛烷(diazabicyclo[2,2,2]octane)等的三級胺類、2－乙基－4－乙基咪唑、2－苯基－4－甲基咪唑、2－苯基－4－甲基－5－羥甲基咪唑、2－苯基－4,5－二羥甲基咪唑、2,4－二胺基－6－[2’－甲基咪唑－(1’)]－乙基－s－三、2,4－二胺基－6－(2’－十一基咪唑)－乙基－s－三、2,4－二胺基－6－[2’－乙基－4－甲基咪唑－(1’)]－乙基－s－三、1－苯甲基－2－苯基咪唑等的咪唑化合物。在這些化合物之中，又以具有二個以上選自脂肪族碳化氫基、芳香族碳化氫基、羥烷基及氰烷基中的官能基之咪唑化合物為佳，尤其是以2－苯基－4,5－二羥甲基咪唑最佳。由於使用這樣的咪唑化合物，而可提高第1樹脂組成物的耐熱性，同時可使以第1樹脂組成物形成的第1樹脂層2賦予有低熱膨脹性(受熱膨脹率低的性質)、或低吸水性。
同時，使用與導體層之間有優異密著性的硬化性樹脂作為前述硬化性樹脂時，除了上述可提高與導體層之間有優異密著性的硬化助劑之外，也可組合使用例如環烷酸鋅、環烷酸鈷、辛酸錫、辛酸鈷、雙乙醯丙酮鈷(Ⅱ)、三乙醯丙酮鈷(Ⅲ)等的有機金屬鹽、酚、雙酚A、壬基酚等的酚化合物、醋酸、苯甲酸、柳酸(水楊酸)、對甲苯磺酸等的有機酸等。
在使用前述硬化助劑時，雖然未特別限定其含有量，但以前述第1樹脂組成物總量的0.01至3重量%為佳，並以0.1至1重量%特佳。當含有量不到前述下限值時，將因硬化助劑的種類等，而有可能使促進硬化性樹脂(第1樹脂組成物)的硬化效果未能充分顯現。另一方面，在超過前述上限值時，則有可能降低預浸體10在保存時的安定性(保存安定性)。
尚且，在併用與導體層之間有優異密著性的前述硬化性樹脂，及可提高與導體層之間的密著性之前述硬化助劑，對於第1樹脂層2，由可得賦有與導體層之間更為優異的密著性之觀點而言是較佳。
並且，前述第1樹脂組成物是以含有無機充填材者為佳。因此，即可使預浸體10薄膜化(例如，厚度在35 μ m以下)，也可得強度優異的預浸體10。並且，也可提高預浸體10的低熱膨脹化。
至於前述無機充填材，可舉例如滑石、氧化鋁、玻璃、二氧化矽、雲母、氫氧化鋁、氫氧化鎂等。其中以二氧化矽較佳，由熔融二氧化矽(尤其是球狀熔融二氧化矽)具有優異低熱膨脹性之觀點而言較佳。無機充填材的形狀有破碎狀、球狀者，因應其使用目的，可適當選擇其形狀。例如，為了能使第1樹脂組成物確實含浸在薄片狀基材1中，雖然以可以降低第1樹脂組成物的熔融黏度而佳，但此時也可適用球狀二氧化矽作為無機充填材。
雖然並無特別限定前述無機填充材的平均粒徑，但以在0.01至5.0 μ m者為宜，尤其是0.2至2.0 μ m者最佳。當無機充填材的粒徑未達前述下限值時，將因無機充填材的含有量等，而提高第1樹脂組成物熔融時的黏度(熔融黏度)，有可能影響到製作預浸體10時的作業性。另一方面，當超過前述上限值時，則有可能在形成第1樹脂層用的清漆中引起無機充填材的沉降等現象。尚且，由於無機充填材的平均粒徑在前述範圍內，可因無機充填材的使用而更能發揮平衡的效果。
此平均粒徑例如可藉由粒度分布計(HORIBA製，LA－500)測定。
更且，無機充填材是以使用平均粒徑5.0 μ m以下的球狀二氧化矽(尤其是球狀熔融二氧化矽)為佳，尤其是平均粒徑0.01至2.0 μ m，而最好的是0.1至0.5 μ m的球狀熔融二氧化矽。因此，可提高在第1樹脂層2中的無機充填材之充填性(充填密度)。並且，可在第1樹脂層2的上面作成密實的粗化狀態(表面粗糙度比較小)。因此，由於可在第1樹脂層2上形成密著性佳的導體層，所以可容易形成配設密度高的電路配線圖案(電路配線部)(形成高密度電路)。並且，更可形成適用於傳送高速訊號的電路配線圖案。
雖然並未特別限定使用於前述第1樹脂組成物中的無機充填材，但以平均粒徑比將於後述使用於第2樹脂組成物中的無機充填材更小者為佳。因此，可在第1樹脂層2的上面容易形成密實的粗糙化狀態。
同時，為提高第1樹脂層2與導體層之間的密著性，也可使用酸可溶性的無機充填材作為前述無機充填材。因此，以電鍍法使導體層在第1樹脂層2上形成時，即可提高該導體層對於第1樹脂層2的密著性(電鍍密著性)。
至於前述酸可溶性的無機充填材，可舉例如碳酸鈣、氧化鋅、氧化鐵等的金屬氧化物等。
並且，為了提高第1樹脂層2與導體層之間的密著性，也可併用前述無機充填材與有機充填材。
至於前述有機充填材，可列舉如液晶聚合物、聚醯亞胺等的樹脂系充填材等。
在使用前述無機充填材時，其含有量雖無特別的限定，但以在前述第1樹脂組成物總量的20至70重量%為佳，尤其以在30至60重量%最好。當無機充填材的含有量未達前述下限值時，將因無機充填材的種類等，而有可能使第1樹脂層2因無機充填材而賦與低熱膨脹性、低吸水性的效果降低。並且，當超過前述上限時，將使第1樹脂組成物的流動性降低，而有可能降低第1樹脂層2(預浸體10)的成形性情形。尚且，由於前述無機充材的含有量係在前述範圍內，即可因無機充填材的使用而發揮出更為平衡的效果。
在使用氰酸酯樹脂(尤其是酚醛型氰酸酯樹脂)作為前述硬化性樹脂時，以併用環氧樹脂(實質上不含鹵原子)者較佳。至於前述環氧樹脂，可舉例如酚酚醛型環氧樹脂、雙酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、芳烯基(aryl alkylene)型環氧樹脂等。其中以芳基烯型環氧樹脂較佳。因此，在硬化後的第1樹脂層2(可得的基板)中，可提高吸濕銲接耐熱性(吸濕後的銲接耐熱性)及難燃性。
前述芳烯基型環氧樹脂係指在重複單元中具有一個以上的的芳烯基的環氧樹脂之意，可舉例如亞二甲苯基型環氧樹脂、聯苯二亞甲基型環氧樹脂等。其中亦以聯苯二亞甲基型環氧樹脂較佳。聯苯二亞甲基型環氧樹脂例如可以式(Ⅱ)表示者。
可以前述式(Ⅱ)表示的聯苯二亞甲基型環氧樹脂之平均重複單元n，雖然並無特別限定，但以1至10為佳，尤其以2至5最佳。當平均重複單元n未達前述下限值時，聯苯二亞甲基型環氧樹脂有容易結晶化的傾向。因此，聯苯二亞甲基型環氧樹脂相對於汎用溶劑的溶解性會比較下降低，其結果為，可能使形成第1樹脂層用的清漆難以使用。另一方面，當平均重複單元n超過前述上限值時，將使第1樹脂組成物的熔融狀態之流動性降低，成為造成預浸體10的成形不良等之原因。
在併用前述環氧樹脂時，雖然並無特別限定其含有量，但以在前述第1樹脂組成物總量的1至55重量%為佳，尤其以在2至40重量%最好。當其含有量不到前述下限值時，有可能使氰酸酯樹脂的反應性降低，或所得第1樹脂層2的耐熱性降低。另一方面，當超過前述上限值時，則將因環氧樹脂的種類等，而可能降低第1樹脂層2的耐熱性。
雖然前述環氧樹脂的重量平均分子量並無特別的限定，但以重量平均分子量300至20,000為佳，尤其以500至5,000時最佳。當重量平均分子量不到前述下限值時，將因環境溫度等而可能在預浸體10上產生膠黏性(tack)。另一方面，當超過前述上限值時，則將因環氧樹脂的種類等，而可能在製作預浸體10時，使第1樹脂組成物對薄片狀基材1(核層11)的含浸性降低，不能獲得厚度均勻的預浸體10。
前述環氧樹脂的重量平均分子量，例如可以GPC測定。
並且，也可在前述第1樹脂組成物中添加可提高與導體層之間的密著性之成分(包含樹脂等)。有關的成分可舉例如，苯氧樹脂、聚乙烯醇系樹脂、可提高與組成導體層的金屬之密著性的偶合劑等。
至於前述苯氧樹脂，可舉例如具有雙酚架構的苯氧樹脂、具有萘架構的苯氧樹脂、具有聯苯架構的苯氧樹脂等。同時，也可使用具有這些架構的複數種類結構之苯氧樹脂。
在這些樹脂之中，也以使用具有聯苯架構及雙酚S架構的苯氧樹脂為佳。因此，藉由聯苯架構所具有的剛直性，除了可提高苯氧樹脂的玻璃轉移溫度之外，同時也可由雙酚S架構，而可望提高與組成苯氧樹脂的導體層之間的密著性。其結果，為可提高第1樹脂層2的耐熱性，也可在製造多層基板(多層印刷電路板)時，可提高電鍍金屬對於第1樹脂層2的附著性。
並且，也可適用具有雙酚A架構及雙酚F架構的苯氧樹脂。因此，在製造多層印刷電路板時，又可提高電路配線圖案(內層電路)對於第1樹脂層2的密著性。
再者，併用具有前述聯苯架構及雙酚S架構的苯氧樹脂，與具有雙酚A架構及雙酚F架構的苯氧樹脂為佳。因此，即可在預浸體10上發現這些特性的良好平衡。
在併用具有前述雙酚A架構及雙酚F架構的苯氧樹脂(1)，與具有前述聯苯架構及雙酚S架構的苯氧樹脂(2)之時，其併用比率(重量)並無特別的限定，例如可以為(1)：(2)＝2：8至9：1。
前述苯氧樹脂的分子量並無特別的限制，但以重量平均分子量為5,000至70,000為宜，尤其以10,000至60,000最好。前述苯氧樹脂的重量平均分子量達不到前述下限值時，將因前述苯氧樹脂的種類等，而有可能使第1脂組成物不能充分賦有提高製膜性(製膜之容易度)的效果。另一方面，在超過前述上限值時，將因所使用溶劑的種類等，而有可能使苯氧樹脂的的溶解性降低。尚且，由於前述苯氧樹脂的重量平均分子量是在上述範圍內，所以可因使用苯氧樹脂而有效地發揮出平衡效果。
在使用苯氧樹脂時，其含有量並無特別的限定，以在前述第1樹脂組成物總量的1至40重量%為宜，尤其是在5至30重量%最好。前述苯氧樹脂的含有量不到前述下限值時，將因前述苯氧樹脂的種類等，而有可能使第1樹脂組成物不能充分賦有提高製膜性(製膜之容易度)的效果。另一方面，在超過前述上限值時，由於硬化性樹脂含有量相對地減少，在使用氰酸酯樹脂作為硬化性樹脂時，將因氰酸酯樹脂的種類或苯氧樹脂的種類等，而有可能使賦與第1樹脂層2中之低熱膨脹性的效果下降。尚且，由於苯氧樹脂的含有量是在上述範圍內，可因苯氧樹脂的使用而充分發揮出平衡效果。
並且，也可在前述第1樹脂組成物中添加(混合)偶合劑。前述偶合劑具有可提高前述硬化性樹脂與前述無機充填材之界面的濕潤性機能。因此，可因在第1樹脂組成物中添加偶合劑，而使硬化性樹脂及無機充填材對於薄片狀基材1可均勻地定著。因此，可改良第1樹脂層2的耐熱性，尤其是硬化後的第1樹脂層2中吸濕後之銲接耐熱性(吸濕銲藥耐熱性)之改善。
至於前述之偶合劑，以使用選自環氧矽烷偶合劑、鈦酸鹽系偶合劑、胺基矽烷偶合劑，以及矽酮油型偶合劑中的一種以上之偶合劑為宜。因此，尤其可使硬化性樹脂與無機充填材之界面的濕潤性提高，而更可提高第1樹脂層2的耐熱性。
使用前述偶合劑時，其含有量並無特別的限定，但以相對於前述無機充填材為100重量部時的0.05至3重量部為宜，尤其以0.1至2重量部最佳。當含有量不到前述下限值時，將因偶合劑的種類或無機充填材的種類、形狀或尺寸等，而不能使偶合劑充分被覆在無機充填材的表面，或可能使提高第1樹脂層2的耐熱性效果降低。另一方面，在超過前述上限值時，將因硬化性樹脂的種類，影響硬化性樹脂的硬化反應，而有可能使硬化後之第1樹脂層2(可得之基板)中的彎曲強度等降低。尚且，由於偶合劑的含有量是在上述範圍內，可因偶合劑的使用而充分發揮出平衡效果。
另外，除了以上說明的成分之外，前述第1樹脂組成物尚可因應必要而含有消泡劑、塗平(leveling)劑、顏料、抗氧化劑等的添加劑。
由如此的第1樹脂組成物構成的第1樹脂層2之厚度，並無特別的限定，但以3至15 μ m為宜，尤其以5至10 μ m為最佳。當厚度在前述範圍內時，尤其可使預浸體10整體的厚度變薄。
第1樹脂層2(粗糙化處理後)的上面之表面粗糙度，並無特別的限定，但以0.2 μ m以下為宜，尤其是0.5 μ m以下為最佳。在前述範圍內時，當在形成電路配線圖案之際，第1樹脂層2的上面對於使電路配線圖案成為規定形狀時所使用的光阻劑，有特別優異的密著性。所以，可在第1樹脂層2上形成微細的電路配線圖案。
至於可形成在如此的第1樹脂層2上之導體層，例如有銅箔、鋁箔等的金屬箔、電鍍銅等。其中並以電鍍銅為佳。因此，可在第1樹脂層2上容易形成微細的電路配線圖案。
如此的第1樹脂層2與導體層(電路配線圖案)之間的剝離(peel)強度是以0.5kN/m以上為宜，並以0.6kN/m以上更佳。藉由此，可更為提高所得基板(多層基板)中之連續信賴性。
(第2樹脂層)如第1圖中所示的第2樹脂層3，係在核層11的另一邊(第1圖下方)形成。在本實施形態中，這種的第2樹脂層3係由不同於前述第1樹脂組成物的組成之第2樹脂組成物所構成，設計成與第1樹脂層2有不同之特性(例如電路配線圖案的埋入性等)等。
此時，所謂「樹脂組成物之相互間組成不同」，是指構成各別的樹脂組成物的樹脂、充填材等的種類、樹脂、充填材等的含有量、樹脂的分子量等之中至少有一種是不同之意。
第2樹脂組成物含有硬化性樹脂，可配合必要性而含有例如硬化劑、硬化促進劑、充填材等之中的至少一種。
至於前述硬化性樹脂，例如以酚酚醛樹脂、甲酚酚醛樹脂、雙酚A酚醛樹脂等的酚醛型酚樹脂、未改質的甲階酚醛型酚樹脂、以桐油、亞麻仁油、核桃油等改質的油改質甲階酚醛型酚樹脂等甲階酚醛酚樹脂的酚樹脂、雙酚A環氧樹脂、雙酚F環氧樹脂等的雙酚型環氧樹脂、酚醛環氧樹脂、甲酚酚醛環氧樹脂等的酚醛型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂等的環氧樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂等具有三環的樹脂、不飽和聚酯樹脂、雙順丁烯二醯亞胺、聚胺甲酸酯(PU)樹脂、對苯二甲酸二烯丙酯樹脂、矽酮樹脂、苯并噁嗪(benzoxazine)環的樹脂、氰酸酯樹脂等的熱硬化性樹脂為適用。
在這些樹脂之中，尤其以氰酸酯樹脂(包含氰酸酯樹脂的預聚合物)為佳。藉由使用熱硬化性樹脂(尤其是氰酸酯樹脂)，即可使預浸體10的熱膨脹係數變小。再者，也可得電氣特性(低導電率、低電介質損耗正切(low dielectric tangent))等俱優的預浸體10。
前述氰酸酯樹脂可由例如使鹵化氰化合物與酚類反應，因應必要性而加熱等的方法形成預聚合化而得。具體上，可舉例如酚醛型氰酸酯樹脂、雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂、四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等的雙酚型氰酸酯樹脂等。其中並以酚醛型氰酸酯樹脂較佳。因此，在製作基板之後，將因硬化後的第2樹脂組成物之交聯密度的增加，而可望得以提高硬化後的第2樹脂層3(可得之基板)之耐熱性及難燃性。耐熱性之提高，可認為是酚醛型氰酸酯樹脂在硬化反應後形成三環之故。同時，難燃性之提高，可認為是酚醛型氰酸酯樹脂的結構上之苯環比例變高，此苯環容易碳化(石墨化)而產生硬化後的第2樹脂層3中之碳化部分。另外，即使預浸體10為已薄膜化(例如，厚度35 μ m以下)時，也可賦與其優異的剛性。氰酸酯樹脂或其硬化物，尤其因加熱時的優異剛性，使所得的基板在實裝半導體元件時的信賴性特別優異。
至於前述酚醛型氰酸酯樹脂，可使用例如以式(I)表示者。
可以前述式(I)表示的酚醛型氰酸酯樹脂之平均重複單元n，雖然並未特別限定，但以1至10為佳，尤其以2至7為最佳。當平均重複單元n未達前述下限值時，酚醛型氰酸酯樹脂有容易結晶化的傾向，而使相對於汎用溶劑的溶解性比較降低。因此，將因酚醛型氰酸酯樹脂的含有量等，而可能使含有第2樹脂組成物的清漆(形成第2樹脂層用的清漆)難以使用。另一方面，當平均重複單元n超過前述上限值時，將使第2樹脂組成物的熔融黏度變成過高，而可能降低製作預浸體10時的效率(成形性)。
前述氰酸酯樹脂的重量平均分子量並無特別的限定，但以重量平均分子量在500至4,500為宜，尤其以600至3,000為最佳。當重量平均分子量未達前述下限值時，將在製作預浸體10時會有膠黏性(tack)產生，而造成預浸體10之間在接觸時的相互附著，有可能產生第2樹脂組成物的轉寫情形。另一方面，當重量平均分子量超過前述上限值時，將使氰酸酯樹脂的反應過快，而在作為基板(尤其是電路基板)時，有可能產生成形不良或層間剝離(peel)強度降低的情形。
前述氰酸酯樹脂等的重量平均分子量，例如可以利用GPC測定。
另外，作為前述氰酸酯樹脂，也可併用不同重量平均分子量的氰酸酯樹脂。因此，也有可能改善預浸體10的膠黏性。
尚且，在硬化性樹脂中，除了熱硬化性樹脂之外，例如也可使用紫外線硬化性樹脂、嫌氣硬化性樹脂等。
前述硬化性樹脂的含有量並無特別的限定，但以前述第2樹脂組成物總量的5至50重量%為佳，尤其以20至40重量%者為最好。當含有量未達前述下限值時，將因第2樹脂組成物的熔融黏度等，而有可能使預浸體10難以形成。另一方面，其含有量超過前述上限值時，將因硬化性樹脂的種類或重量平均分子量等，而有可能降低預浸體10的強度。
並且，前述第2樹脂組成物是以含有無機充填材者為佳。因此，即使預浸體10已薄膜化(例如，厚度在35 μ m以下)時，也可得強度優異的預浸體10。並且，也可提高預浸體10的低熱膨脹化。
至於前述無機充填材，可舉例如滑石、氧化鋁、玻璃、二氧化矽、雲母、氫氧化鋁、氫氧化鎂等。其中並以二氧化矽為佳，以熔融二氧化矽(尤其是球狀熔融二氧化矽)具有低熱膨脹性的優點而更佳。無機充填材的形狀有破碎狀、球狀者，可因應其使用目的而適宜選擇其形狀。例如，為能使第2樹脂組成物確實含浸在薄片狀基材1中，雖然以降低第2樹脂組成物的熔融黏度較佳，但此時，在無機充填材中適於使用球狀二氧化矽。
前述無機填充材的平均粒徑並無特別限定，但以在0.01至5.0 μ m者為宜，尤其是0.2至2.0 μ m者最佳。當無機充填材的粒徑未達前述下限值時，由無機充填材的含有量等，為了使第2樹脂組成物熔融黏度提高，而可能影響到製作預浸體10時的作業性。另一方面，當超過前述上限值時，則可能有在第2樹脂層形成用清漆中引起無機充填劑的沉降等現象。
此平均粒徑例如可藉由粒度分布計(HORIBA製，LA－500)測定。
更且，無機充填材是以使用平均粒徑5.0 μ m以下的球狀二氧化矽(尤其是球狀熔融二氧化矽)為佳，尤其以使用平均粒徑0.01至2.0 μ m的球狀熔融二氧化矽為最好。因此，可提高在第2樹脂層3中的無機充填劑之充填性(充填密度)。
在使用前述無機充填材時，其含有量並無特別的限定，但以在前述第2樹脂組成物總量的40至80重量%為宜，並以在50至70重量%較佳，而在60至70重量%更佳。當含有量是在前述範圍內時，可在第2樹脂層3中賦有特別優異的低熱膨脹性及低吸水性。
在使用氰酸酯(尤其是酚醛型氰酸酯)作為前述硬化性樹脂時，以併用環氧樹脂(實質上不含鹵原子)者為佳。至於前述環氧樹脂，可舉例如酚酚醛型環氧樹脂、雙酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、芳烯基型環氧樹脂等。其中並以芳烯基型環氧樹脂為佳。因此，在硬化後的第2樹脂層3(可得的基板)中，可提高吸濕銲藥耐熱性(吸濕後的銲藥耐熱性)及難燃性。
前述芳烯基型環氧樹脂係指在重複單元中具有一個以上芳烯基的環氧樹脂之意。可舉例如亞二甲苯基型環氧樹脂、聯苯二亞甲基環氧樹脂等。其中並以聯苯二亞甲基型環氧樹脂為佳。聯苯二亞甲基型環氧樹脂例如為可以式(Ⅱ)表示者。
可以前述式(Ⅱ)表示的聯苯二亞甲基型環氧樹脂之平均重複單元n，雖然並未特別限定，但以1至10為佳，尤其以2至5最佳。當平均重複單元n未達前述下限值時，聯苯二亞甲基型環氧樹脂有容易結晶化的傾向。因此，聯苯二亞甲基型環氧樹脂對於汎用溶劑的溶解性比較下降，其結果為，使第2樹脂組成物形成用的清漆難以使用。另一方面，當平均重複單元n超過前述上限值時，將使第2樹脂組成物的熔融狀態之流動性降低，有可能成為造成預浸體10的成形不良等之原因。
在併用前述環氧樹脂時，並未特別限定其含有量，但以在前述第2樹脂組成物總量的1至55重量%為佳，尤其以在2至40重量%最好。當其含有量未達前述下限值時，有可能與氰酸酯樹脂的反應性降低，或所得預浸體10的耐濕性下降。另一方面，當超過前述上限值時，則將因環氧樹脂的種類等，而可能降低預浸體10的耐熱性。
前述環氧樹脂的重量平均分子量並無特別的限定，但以重量平均分子量在500至20,000為宜，尤其以800至15,000最好。當重量平均分子量未達前述下限值時，將因環境溫度而可能在預浸體10產生膠黏性。另一方面，當超過前述上限值時，將因環氧樹脂的種類等，有可能在製作預浸體10時，使第2樹脂組成物的薄片狀基材1(核層11)之含浸性降低，而不能獲得厚度均勻的預浸體10。
前述環氧樹脂的重量平均分子量例如可藉由GPC等來測定。
同時，在使用氰酸酯(尤其是酚醛型氰酸酯)作為前述硬化性樹脂時，以併用酚樹脂者為佳。至於前述酚樹脂，可舉例如酚醛型酚樹脂、甲階酚醛型酚樹脂、芳烯基型酚樹脂等。其中並以芳烯基型酚樹脂較佳。因此，於硬化後的第2樹脂層3(可得的基板)中，可更為提高其吸濕銲藥耐熱性。
至於前述芳烯基型酚樹脂，例如有亞二甲苯基型酚樹脂、聯苯二亞甲基型酚樹脂等。聯苯二亞甲基型酚樹脂例如可以式(Ⅲ)表示者。
以前述式(Ⅲ)表示的聯苯二亞甲基酚樹脂之平均重複單元n，雖然並未特別限定，但以1至12為佳，尤其以2至8最佳。當平均重複單元n未達前述下限值時，由聯苯二亞甲基型酚樹脂的含有量等，而有可能降低第2樹脂層3的耐熱性。另一方面，當平均重複單元n超過前述上限值時，聯苯二亞甲基型酚樹脂與其他樹脂(硬化性樹脂)的相溶性有下降的傾向，而有可能降低在製作預浸體10時的作業性。
由於前述氰酸酯樹脂(尤其是酚醛型氰酸酯樹脂)與芳烯基型酚樹脂的組合，而可控制硬化後的第2樹脂組成物之交聯密度，進而可提高電路配線圖案(金屬)與硬化後的第2樹脂層3(第2樹脂組成物)之間的密著性。
在併用前述酚樹脂時，雖然並無特別限定其含有量，但以在前述第2樹脂組成物總量的1至55重量%為佳，尤其以在5至40重量%最好。當其含有量未達前述下限值時，由酚樹脂的種類等，而有可能使第2樹脂層3的耐熱性降低。另一方面，當超過前述上限值時，則將因酚樹脂的種類等，而有可能破壞第2樹脂層3的低熱膨脹性。
前述酚樹脂的重量平均分子量並無特別的限定，但以重量平均分子量在400至18,000為宜，尤其以500至15,000時最好。當重量平均分子量未達前述下限值時，因環境溫度而可能在預浸體10上產生膠黏性。另一方面，當超過前述上限值時，則將因酚樹脂的種類等，而可能在製作預浸體10時，使第2樹脂組成物對薄片狀基材1(核層11)的含浸性降低，有不能獲得厚度均勻的預浸體10之情形。
前述酚樹脂的重量平均分子量，例如可以GPC測定。
更且，在使用由前述氰酸酯樹脂(尤其是酚醛型氰酸酯樹脂)、前述酚樹脂(芳烯基型酚樹脂，尤其是聯苯二亞甲基型酚樹脂)與前述環氧樹脂(芳烯基型環氧樹脂，尤其是聯苯二亞甲基型環氧樹脂)之組合而製作基板(尤其是電路基板)時，可得到具有特別優異尺寸安定性的預浸體10。
並且，也可在前述第2樹脂組成物中添加(混合)偶合劑。前述偶合劑具有可提高前述硬化性樹脂與前述無機充填材之界面的濕潤性之機能。因此，藉由在第2樹脂組成物中添加偶合劑，而使硬化性樹脂及無機充填材對於薄片狀基材1可均勻地定著。因此，可改良第2樹脂層3的耐熱性，尤其可改善硬化後的第2樹脂層3中吸濕後之銲藥耐熱性(吸濕銲接耐熱性)。
至於前述之偶合劑，雖然可使用通常使用的任何一種，但具體上以使用選自環氧矽烷偶合劑、陽離子的矽烷偶合劑、胺基矽烷偶合劑、鈦酸鹽系偶合劑，以及矽酮油型偶合劑中的一種以上之偶合劑為宜。因此，可提高硬化性樹脂與無機充填材之界面的濕潤性，進而可更加提高第2樹脂層3的耐熱性。
使用前述偶合劑時，其添加量是依據前述無機充填材之表面積而定，並無特別的限定，但以相對於無機充填材為100重量部時的0.05至3重量部為宜，尤其以0.1至2重量部為最佳。當含有量未達前述下限值時，由於偶合劑的種類或無機充填材的種類、形狀或尺寸等，而不能使偶合劑充分被覆在無機充填材的表面上，而有提高第2樹脂層3的耐熱性之效果降低。另一方面，在超過前述上限值時，因硬化性樹脂的種類等，影響硬化性樹脂的硬化反應，而在硬化後之第2樹脂層3(可得之基板)中，有彎曲強度等降低之情形。
同時，在前述第2樹脂組成物中，也可配合必要性而添加(混合)硬化促進劑。至於前述硬化促進劑，可使用習知之物，相關硬化促進劑可舉例如環烷酸鋅、環烷酸鈷、辛酸錫、辛酸鈷、雙乙醯丙酮鈷(Ⅱ)、三乙醯丙酮鈷(Ⅲ)等的有機金屬鹽、三乙基胺、三丁基胺、二氮雜聯環[2,2,2]辛烷等三級胺類、2－苯基－4－甲基咪唑、2－乙基－4－乙基咪唑、2－苯基－4－甲基咪唑、2－苯基－4－甲基－5－羥甲基咪唑、2－苯基－4,5－二羥甲基咪唑等的咪唑化合物、酚、雙酚A、壬基酚等的酚化合物、醋酸、苯甲酸、柳酸(水楊酸)、對甲苯磺酸等的有機酸等，或這些化合物的混合物。
使用前述硬化促進劑時，其含有量並無特別的限定，但以前述第2樹脂組成物總量的0.05至5重量%為宜，尤其以0.2至2重量%為最佳。當含有量未達前述下限值時，由硬化性樹脂的種類等，而有可能促進硬化性樹脂的硬化反應之效果不能充分顯現。另一方面，在超過前述上限值時，由於硬化促進劑的種類等，而有可能使預浸體10的保存安定性降低。
尚且，在前述第1樹脂組成物及第2樹脂組成物中，也可併用酚氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚伸苯氧化物樹脂、聚醚碸樹脂等的熱可塑性樹脂。
另外，在前述第2樹脂組成物中，也可配合必要性而添加顏料、抗氧化劑等的上述成分之外的添加物。
如此的第2樹脂層3之厚度是依據所埋設內層電路(電路配線圖案)的厚度而定，並無特別的限定，但以下述式1)所示t2的厚度以成為0.1至5 μ m為宜，尤其以成為1至3 μ m時最佳。當厚度在前述範圍內時，尤其可使內層電路(電路配線圖案4)的埋入性優異，而且可得到全體之厚度為薄質的預浸體10。
式1)B1＝t1×(1－S/100)＋t2
此時，如第1圖中所示，是以第2樹脂層3的厚度為B1[μ m]，如第2圖中所示，以電路配線圖案(內層電路)4的厚度為t1[μ m]及其銅殘率為S%，自電路配線圖案4的上面41到第2樹脂層3的上面31為止之厚度為t2。
同時，雖然在第1圖中，是呈現第2樹脂層的厚度B1>第1樹脂層3的厚度B2，但在本實施形態中，則可為B1＝B2，也可為B1<B2。
這樣的第2樹脂層3之面(X,Y)方向的熱膨脹係數，雖然並無特別的限定，但以在20ppm以下為宜，尤其以5至16ppm為最好。當熱膨脹係數在前述範圍內時，預浸體10尤其可具優異的連接信賴性，而所得的基板可具有優異的半導體元件等之實裝信賴性。
接著，可以下述方式製得如此的預浸體10。
首先，在載體薄膜(第1薄片材)上塗布(附與)第1樹脂組成物成層狀而製造載體材料2a，及在載體薄膜(第2薄片材)上塗布(附與)第2樹脂組成物成層狀而製造載體材料3a。
接著，使這些載體材料2a、3a在薄片狀基材1(或核層11)上積層(重合)接合後，可得積層體。
其次，配合必要性，從所得的積層體將各載體薄膜(第1薄片材及第2薄片材)剝離後，可得預浸體10的兩面是由不同組成的樹脂組成物所構成各樹脂層之預浸體10。
此時，有關預先將樹脂組成物塗布在載體薄膜上製得載體材料2a、3a，並使此載體材料2a、3a積層在薄片狀基材1後，再剝離下載體薄膜的方法，可利用第3圖具體說明之。第3圖表示製造本發明的預浸體之步驟的一個例子步驟圖。
首先，準備薄片狀基材1(或核層11)、具有如上述第1樹脂組成物所構成的樹脂層(第1樹脂層2)之載體材料2a，及具有如上述第2樹脂組成物所構成的樹脂層(第2樹脂層3)之載體材料3a。
載體材料2a、3a，例如可分別由含有將第1樹脂組成物、第2樹脂組成物的清漆(第1樹脂層形成用清漆、第2樹脂層形成用清漆)，塗布在載體薄膜上之方法而得。
其次，利用真空積層裝置8，於減壓下從薄片狀基材1的兩面，以使樹脂層(第1樹脂組成物及第2樹脂組成物)接觸到薄片狀基材1的方式，分別將載體材料2a及3a層疊，並以積層滾輪81使其接合。
尚且，薄片狀基材1與載體材料2a及3a之間的接合，雖然也可在常壓下進行，但以減壓下進行者較佳。由於是在減壓下接合，即使在薄片狀基材1的內部或各載體材料2a、3a與薄片狀基材1之間的接合部位中存在有非充填部份，也可使其成為減壓空隙或實質的真空空隙。所以，最終所得的預浸體10是不會產生空隙(氣泡)等，而可呈現良好的成形狀態。其原因為，減壓空隙或真空空隙可藉由後述的氣泡去除步驟(例如，加熱處理)予以消除。
至於這種在減壓下使薄片狀基材1與載體材料2a、3a接合的其他裝置，例如可使用真空箱(box)裝置等。
其次，在薄片狀基材1與各載體材料2a、3a接合之後，再使用熱風乾燥裝置9將組成各載體材料2a、3a之樹脂組成物(第1樹脂組成物及第2樹脂組成物之中，熔點高的樹脂組成物)的熔融以上之溫度加熱處理。因此，即可消除前述減壓下接合步驟中所產生的減壓空隙等。意即，可由所得的積層體中去除氣泡。
前述加熱處理的其他方法，如可以進行使用紅外線加熱裝置、加熱滾輪裝置、平板狀的熱盤加壓裝置等的方法。
尚且，除了以加熱處理去除所得到積層體中的氣泡之外，也可以例如針對積層體施予超音波振動等。並且，也可進行加熱處理與附與超音波振動的組合。
其次，載體材料2a、3a的載體薄膜是由各別的樹脂薄片組成時，則須從所得的積層體中去除樹脂薄片。因此，可得預浸體10。
此時，在樹脂薄膜上附與樹脂組成物的面上，以各別施與剝離處理者為宜。因此，可很容易地從積層體中去除掉載體薄膜，而且是確實的剝離(去除)。
另外，在第1樹脂層2的上面雖然設有導體層，但載體材料2a的載體薄膜(第1薄片材)是以導電材料所構成時，此載體薄膜則不需由積層體中剝離，預浸體10也可作為導體層使用。因此，在預浸體10(第1樹脂層2)的上面，即無需另外設置導體層。所以，就可以減少基板(積層基板)的製造成本，進而可減少半導體裝置的製造成本。
藉由上述的方法，即使利用厚度25 μ m以下的薄片狀基材1，也可容易地獲得預浸體10。
此時，在已往的預浸體之製造方法(例如利用通常的塗布裝置，使薄片狀基材浸漬在樹脂清漆中的含浸．乾燥方法)中，是以厚度30 μ m以下的薄片狀基材承載樹脂材料，而很難得到預浸體。意即，將薄質的薄片狀基材浸漬在熱硬化性樹脂中，在通過多數個運送滾輪，或調整樹脂材料含浸到薄片狀基材的量時，將因應力作用在薄片狀基材上，而有可能使薄片狀基材的網眼撐開(擴大)，或在退出時使薄片狀基材切斷的情形。
相對於此，上述的方法中，即是對厚度比較薄(例如厚度25 μ m以下)的薄片狀基材1也可承載載體材料2a、3a時，即不僅可因此得到一般厚度的預浸體10，也可輕易地得到厚度在35 μ m以下(比較的薄型)的預浸體10。
其結果，基板成形後的預浸體10之厚度也可在導體電路層間(上下的電路配線圖案之相互間)為35 μ m以下。因此，當導體電路層間的厚度為35 μ m以下時，可使最後所得到基板的厚度變薄。
另外，其他可得到如此預浸體10的方法，例如是使薄片狀基材1的一邊面上附與低黏度的第1樹脂層形成用清漆後，予以乾燥而形成第1樹脂層2後，再附與第2樹脂層形成用清漆，藉由乾燥而形成第2樹脂層3後，也可得預浸體10。
如此的預浸體10之面方向的熱膨脹係數，雖然並無特別的限定，但以在16ppm以下者為宜，並以12ppm以下者較佳，而以5至10ppm更好。當熱膨脹係數在前述範圍內時，在所得的基板中可提高對於反複的熱衝擊之耐膠黏性。
前述面方向的熱膨脹係數，例如可使用TMA裝置(TA儀器公司製)以10℃/分的昇溫速度進行評估。
尚且，這種預浸體10的厚度並無特別的限定。但是，在本實施形態的預浸體10中，其厚度是以20至80 μ m為佳，尤其以在30至60 μ m為最佳。當厚度在前述範圍內時，也可以使最後所得到基板的厚度作成特別的薄。
尚且，本實施形態的預浸體10中，可與下述的第2實施形態同樣的，也可使薄片狀基材1偏於預浸體10的厚度方向。意即，第1樹脂層2與第2樹脂層3的厚度也可相異。因此，例如在第1樹脂層2與第2樹脂層3的雙方埋設電路配線圖案時，樹脂組成物的量可因應欲埋設(接合)在預浸體10中的電路配線圖案而作調整。
同時，尤其要在第1樹脂層2上形成導體層(電路配線圖案)時，以將第1樹脂層2的厚度設定比第2樹脂層3的厚度更薄者為佳。因此，由於可提高第1樹脂層2的剛性，即可更容易且確實地形成導體層。
<第2實施形態>
其次，依據圖面說明預浸體的理想實施形態(第2實施形態)。
以下在第2實施形態之預浸體中，主要說明與前述第1實施形態的預浸體之不同處，對於相同的事項，則略去其說明。
第4圖及第5圖係表示本發明的預浸體之一例(第2實施形態)的剖面圖。尚且，第4圖是與第5圖之上下為相反。
第2實施形態的預浸體10是在前述第1實施形態的預浸體10中，分別構成第1樹脂層2及第2樹脂層3的第1樹脂組成物與第2樹脂組成物之組成為同一者，而且第1樹脂層2及第2樹脂層3的厚度相異者、換言之，第2實施形態的預浸體10如第4圖所示，在薄片狀基材(纖維基材)1的兩側之面上承載著樹脂組成物而構成，而且薄片狀基材1(或核層11)為偏向存在於預浸體10的厚度方向。
此時，所稱「薄片狀基材1(或核層11)偏在預浸體10的厚度方向之狀態」，係指如第4圖(a)、(b)所示，相對於預浸體10的厚度方向之中心線A－A，薄片狀基材1的中心為交錯不吻合之配置。
在第4圖(a)中，薄片狀基材1的下方(第4圖中下方)之面與預浸體10下方(第4圖中下方)的面幾乎是一致的。
並且，在第4圖(b)中，薄片狀基材1是配置在中心線A－A與預浸體10之下方(第4圖中下方)的面間。尚且，薄片狀基材1也可與部份的中心線A－A重疊。
尚且，薄片狀基材1偏在於預浸體10的厚度方向之狀態，雖然也可為第4圖(a)、(b)中的任何一種，但如第4圖(b)所示的狀態，以第5圖所示的狀態為佳。
具體上，如第4圖(b)所示，在以厚質(大)樹脂層(第2樹脂層3)的厚度為B1[μ m]、薄質(小)樹脂層(第1樹脂層2)的厚度為B2[μ m]時之比(B2/B1)，以能滿足0<B2/B1<1時為佳。
同時，厚質樹脂層(第5圖中下方的樹脂層)的厚度B1與薄質樹脂層(第5圖中上方的樹脂層)的厚度B2之比(B2/B1)，雖然並無特別的限定，但以在0.5以下者為宜，尤其以0.2至0.4者為最佳。當該比在前述範圍內時，尤其可減少薄片狀基材1的起波，由此更可提高預浸體10的平坦性。
前述厚度B2的值雖然並未特別的限定，但在相對於預浸體10的表面(第5圖中上面)，主要以賦與電鍍密著性為目的時，則以5至15 μ m為佳，尤其以8至10 μ m者最佳。因此，可在預浸體10的上面(一邊的面)確實地賦與電鍍密著性。
另外，本實施形態的薄片狀基材1，其厚度是在25 μ m以下。因此，可使預浸體10的厚度變薄。
此薄片狀基材1的厚度，具體上是以在20 μ m以下為佳，尤其以10至15 μ m者最佳。當薄片狀基材1的厚度在前述範圍內時，即可持續維持後述的基板強度，可望達到其薄膜化。進而可得到層間連續的加工性或信賴性俱優的預浸體10。
尚且，在薄片狀基材(纖維基材)1中，也可使用與前述第1實施形態相同者。
同時，在樹脂組成物中，可使用與前述第1實施形態的第2樹脂組物相同者。
本實施形態的預浸體10也可與前述第1實施形態同樣的製得。
尚且，本實施形態的情形，是設定使前述第1樹脂組成物與前述第2樹脂組成物之組成相同，且將有載體材料2a的樹脂層之厚度設定為比具有載體材料3a的樹脂層之厚度更薄。
因此，可得厚度比較薄(例如，厚度25 μ m以下)的薄片狀基材1為偏在預浸體10的厚度方向之預浸體10。
另外，也可藉由具有載體材料2a、3a的樹脂層厚度之改變，而容易使預浸體10的厚度在35 μ m以下。當預浸體10的厚度在35 μ m以下時，即使為多層基板也可以變薄。因此，可使最後所得的半導體裝置變成薄型。
尚且，此預浸體10的厚度並無特別的限定。但是，在本實施形態的預浸體10中，是以厚度在30 μ m以下者較佳，尤其以20至25 μ m以下者最佳。當其厚度在前述範圍內時，尤其在即使多層化到6層以上的基板，也可維持在薄質狀態，而在最後可得到薄質的半導體裝置。
此時，在已往預浸體的製造方法中，是以樹脂組成物為對象而附與在薄片狀基材的兩面上。意即，已往的預浸體，是在薄片狀基材的兩面上具有同樣厚度的樹脂層者。然而，此時埋設在預浸體的兩個樹脂層中的電路配線圖案為相異的情形時(尤其是在電路配線圖案的殘銅率不同的情形)，因以兩方的樹脂層充填在電路配線圖案的空隙之必要樹脂組成物的量不同，而使其不能相互對應。其結果是在製造基板之時，使構成預浸體的樹脂組成物擠出，或使埋設在電路配線圖案的空隙之必要樹脂組成物的量不足。
相對於此，在本實施形態的預浸體10中，由於是使薄片狀基材1偏在預浸體10的厚度方向，並配合所建立(build up)的電路配線圖案埋設在兩方之樹脂層的電路配線圖案，而可設計成具有必要且充分樹脂組成物之量的預浸體10。同時，也可能製造號稱厚度在35 μ m以下的薄質預浸體10，而且由使薄片狀基材1偏在預浸體10的厚度方向，而可使最後所得的半導體裝置變薄。此不單純只是因預浸體10的厚度薄而已，且也因可對應於電路配線圖案的殘銅率等，而調整預浸體10的樹脂組成物的量，即無需設計多餘樹脂層之故。
尚且，在本實施形態的預浸體10中，也可以與第1實施形態同樣的，在薄片狀基材1的一邊面上設置樹脂組成物(第1樹脂層2)，而在另一邊面上設有不同組成的樹脂組成物(第2樹脂層3)。
此時，所稱「樹脂組成物之相互間的組成不同」係與前述第1實施形態中說明者同樣的，當預浸體10的兩面為不同組成的樹脂組成物時，可設計成配合所要求性能(特性)的樹脂層，而可擴大樹脂組成物的選擇範圍。例如，要埋設內層電路(電路配線圖案)的樹脂層，在埋入性的考量下，可使構成該樹脂層的樹脂組成物作成柔軟的組成，另一方面，相反面的樹脂層，則在剛性的考量下，可使構成該樹脂層的樹脂組成物為硬質組成等。因此，即可對於預浸體10的兩面賦與不同的機能。
其次，說明有關具有這種預浸體10的基板及半導體裝置。
如第6圖中所示，基板100係由核基板101、設在核基板101上(第6圖中的上方)方的三層預浸體(10a、10b、10c)與設在核基板101下方(第6圖中的下方)的三層之預浸體(10d、10e、10f)所構成。核基板101與預浸體10a及預浸體10b之間，在各預浸體間(10a與10b、10b與10c、10d與10e及10e與10f)形成所預定的電路配線部4。並且，在預浸體10c及10f的表面上，設有墊(pad)部5。在這樣的預浸體10a至10f中的至少有一片(以全部為佳)上，以使用上述的預浸體10(例如，厚度35 μ m以下的預浸體10)為佳。因此，可使基板(電路基板)100的厚度變薄。
各電路配線部4是以貫通各預浸體10a至10f經由所設置的填實通孔(filled via)部6而連接電性。
I：各預浸體10a至10f中，可適用前述第1實施形態的預浸體10時此時，可構成基板的各預浸體10a至10f，係在形成電路配線部4(導體層)的一邊(各預浸體10a至10c的第6圖中上方與10d至10f的第6圖中下方)構成第1樹脂層2之第1樹脂組成物，與在相反邊構成第2樹脂層3的第2樹脂組成物是不同的組成。構成第1樹脂層2的第1樹脂組成物是形成為可提高與導體層之間的密著性之組成。因此，第1樹脂層2與導體層之間的密著性優異。另外，構成第2樹脂層3的第2樹脂組成物是成為可提高電路配線部4的埋入性之組成。並且藉由第2樹脂層3，而成為可望達成低熱膨脹化的組成。
再者，為能提高與導體層之間的密著性，而使第1樹脂層2的厚度為必要之最低限厚度，而第2樹脂層3之厚度則調整到可埋設電路配線部4的必要最低限厚度，故基板100的厚度也可以變薄。
II：各預浸體10a至10f中，可適用前述第2實施形態的預浸體10時此時，可構成基板的各預浸體10a至10f，由於薄片狀基材1是偏在各預浸體的厚度方向，而可減少所要埋設電路配線部(內層導體電路)4的高度限制，因此可增加電路配線部4的設計自由度。意即，可容易形成電路配線部4。並且，可設計成將電路配線部4埋設(配置)在厚度較厚的第2樹脂層3中。因此，也可減少電路配線部4與薄片狀基材1因接觸而發生的不適合。
如第5圖中所示，在與預浸體10(例如，預浸體10c)的薄片狀基材1所偏在的相反邊之樹脂組成物(第2樹脂層3)中，埋設有電路配線部4。換言之，有一部份樹脂組成物(第2樹脂層3)是埋到(充填)在構成電路配線部4的配線相互之間(空隙部)。
此時，如第4圖所示，使預浸體10整體的厚度為T0[μ m]，如第5圖所示，使電路配線部4的高度為t1[μ m]時，T0與t1的差(尤其是t3)並無特別限定，但以在35 μ m時為佳，尤其以10至30 μ m時最佳。因此，即使基板100的厚度較薄，也可充分維持(確保)其絕緣信賴性。
此時，t3相當於從電路配線部4的上面41(第5圖中的上側面)到預浸體10(第1樹脂層2)的上面21(第5圖中的上側面)為止之厚度。
並且，如第4圖、第5圖所示，在使厚度較厚的樹脂層(第2樹脂層3)的厚度為B1[μ m]、電路配線部4的厚度為t1[μ m]及其殘銅率S[%]，與自電路配線部4的上面41(第5圖中上側)到薄片狀基材1(第2樹脂層3的上面31)為止之厚度為t2[μ m]時，以可滿足B2<B1，且B1＝t2＋t1×(1－S/100)的關係為佳。
此時，t2的厚度並無特別的限定，但以0至15 μ m時為佳。並且，由於電路配線部4與薄片狀基材1的接觸而在電路配線之絕緣性有降低等之虞時，則以t2在3至15 μ m時為佳。另一方面，在使基板100變薄時，是以t2在0至5 μ m時為佳，而為兼顧絕緣性與薄質時，則以t2在3至5 μ m時為佳。因此，在預浸體10的一邊面上有電路配線部4的埋入性優異，而且可賦與高的絕緣信賴性。
另外，如第7圖所示，在此基板100中，藉由連接半導體元件7的凸塊(bump)71與基板100的墊部5而搭載半導體元件7，可得半導體裝置200。
各預浸體10a至10f中，由於可調整各別第1樹脂層2及第2樹脂層3的厚度到最適厚度，而可使基板100整體達最適的厚度。其結果，可得到所要求特性的必要之最低厚度的半導體裝置200。
雖然已說明有關第6及第7圖中的六層之基板，但本發明的基板則不侷限於這種層數，也可適用於三層、四層、五層等，或七層、八層等的多層基板(多層配線基板)。
並且，在本發明的基板100中，也可使用組合如上述的第1及第2實施形態之預浸體10，同時也可併用這些預浸體10與已往即使用的預浸體。
尚且，使用第2實施形態的預浸體10時，也可併用有各種偏在位置的薄片狀基材1之預浸體10(薄片狀基材1的偏在程度不同的預浸體10)。
[實施例]
以下，依據實施例及比較例詳細說明本發明，但本發明不侷限於這些例的範圍。首先，依據預浸體的實施例說明。
(實施例1)
1.調製形成第1樹脂層用的清漆將24重量%的氰酸酯樹脂(日本Lonza公司製，普利瑪賽特(音譯)PT－30，重量平均分子量約2,600)作為熱硬化性樹脂、24重量%的聯苯二亞甲基型環氧樹脂(日本化藥社製，NC－3000，環氧當量275)作為環氧樹脂、11.8重量%的由雙酚4型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂之共聚合物，末端部具有環氧基的苯氧樹脂(日本環氧樹脂社製，EP－4275，重量平均分子量60,000)作為酚氧樹脂、0.2重量%的咪唑化合物(四國化成工業社製，「2－苯基－4,5－二羥甲基咪唑」)作為硬化觸媒等溶解於甲基乙基酮內。再者，添加以39.8重量%的球狀熔融二氧化矽(Admatech社製，SO－25H，平均粒徑0.5 μ m)與0.2重量%的環氧矽烷型偶合劑(日本Unika社製，A－187)作為無機填充材，以高速攪拌裝置攪拌60分鐘。由此，調製成固形分60重量%的第1樹脂層形成用清漆。
2.調製形成第2樹脂層用的清漆將15重量%的酚醛型氰酸酯樹脂(日本Lonza公司製，普利瑪賽特(音譯)PT－30，重量平均分子量約2,600)作為熱硬化性樹脂、8.7重量%的聯苯二亞甲基型環氧樹脂(日本化藥社製，NC－3000，環氧當量275)作為環氧樹脂、6.3重量%的聯苯二亞甲基型酚樹脂(日本化藥社製，GPH－65，氫氧基當量200)作為酚樹脂等溶解於甲基乙基酮內。再者添加69.7重量%的球狀熔融二氧化矽(Admatech社製，SO－25H，平均粒徑0.5 μ m)與0.3重量%的環氧矽烷型偶合劑(日本Unika社製，A－187)作為無機填充材，以高速攪拌裝置攪拌60分鐘。由此，調製成固形分60重量%的第2樹脂層形成用清漆。
3.載體材料的製造使用聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(三菱化學POLYESTER社製，SFB－38，厚38 μ m，寬480 mm)作為載體薄膜，以打點塗布機comma coater裝置塗布上述第1樹脂層形成用清漆之後，於170℃的乾燥裝置中乾燥3分鐘，即在載體薄膜寬度方向約中心位置上形成厚度9 μ m、寬410 mm的樹脂層(最後形成第1樹脂層的樹脂層)而得載體材料2a。
又以同樣之方法調整塗布第2樹脂層形成用清漆之量，可得在載體薄膜寬度方向約中心位置形成厚度14 μ m、寬360 mm之樹脂層(最後成為第2樹脂層的樹脂層)而得載體材料3a。
4.預浸體的製造使用玻璃織布(交叉型(cross type)# 1015，寬360 mm、厚15 μ m，每坪之量17g/m2 )作為薄片狀基材，藉由第3圖中所示的真空積層裝置及熱風乾燥裝置來製造預浸體。
具體上，在玻璃織布的寬度方向約中心之位置上，使前述載體材料2a及載體材料3a分別層疊在玻璃織布的兩面上，並於1330Pa的減壓條件下，使用80℃的積層滾輪予以接合而得積層體。
此時，在玻璃織布的寬度方向尺寸之內側領域中，是以載體材料2a及載體材料3a的樹脂層各別接合在玻璃織布的兩面上，同時在玻璃織布的寬度方向尺寸之外側領域，將載體材料2a及載體材料3a的樹脂層相互接合。
接著，使上述已接合的積層體通過設定在120℃的橫式搬送型的熱風乾燥裝置內2分鐘，在無壓力作用下加熱處理。
接著，從積層體上剝離、去除二個載體薄膜後，即得厚30 μ m(第1樹脂層：5 μ m、玻璃織布：15 μ m、第2樹脂層：10 μ m)的預浸體。
(實施例2)
除了形成第1樹脂層用的清漆是使用以下的成分之外，其他均與前述實施例1相同，而得預浸體。
不使用氰酸酯樹脂作為熱硬化性樹脂，而使用24重量%的聯苯二亞甲基型環氧樹脂(日本化藥社製，NC－3000，環氧當量275)作為環氧樹脂、以17.5重量%的液狀雙酚型環氧樹脂(大日本油墨社製，830S)與18重量%的與雙酚S型環氧樹脂的共聚合物，末端部具有環氧基的苯氧樹脂(日本環氧樹脂社製，YX－8100，重量平均分子量30,000)作為酚氧樹脂，以0.2重量%的咪唑化合物(四國化成工業社製，「2－苯基－4,5－二羥甲基咪唑」)作為硬化觸媒等，溶解於甲基乙基酮內。再添加以39.8重量%的球狀熔融二氧化矽(Admatech社製，SO－25H，平均粒徑0.5 μ m)與0.2重量%的環氧矽烷型偶合劑(日本Unika社製，A－187)作為無機填充材，以高速攪拌裝置攪拌60分鐘。由此，即製成固形分60重量%的第1樹脂層形成用清漆。
尚且，所得的預浸體之厚度為30 μ m(第1樹脂層：5 μ m、玻璃織布：15 μ m、第2樹脂層：10 μ m)。
(實施例3)
除了形成第2樹脂層用的清漆是使用以下的成分之外，其他均與前述實施例1相同，而得預浸體。
將17.5重量%的聯苯二亞甲基型環氧樹脂(日本化藥社製，NC－3000，環氧當量275)作為環氧樹脂之熱硬化性樹脂、12重量%的聯苯二亞甲基型酚樹脂(日本化藥社製，GPH－65，氫氧基當量200)作為酚樹脂，0.5重量%的咪唑(四國化成社製，2P4MHZ)及以環氧矽烷型偶合劑(日本Unika社製，A－187)作為偶合劑等，在常溫下溶解於甲基乙基酮內，而甲基乙基酮之量是相對於將在後述的無機填充材為100重量份時的0.3重量份，添加以20重量%的球狀熔融二氧化矽SFP－10X(電氣化學工業社製，平均粒徑0.3 μ m)及50重量%的球狀熔融二氧化矽SO－32R(Admatch社製，平均粒徑1.5 μ m)作為無機填充材，以高速攪拌裝置攪拌10分鐘。由此，調製成第2樹脂層形成用清漆。
尚且，所得的預浸體之厚度為30 μ m(第1樹脂層：5 μ m、玻璃織布：15 μ m、第2樹脂層：10 μ m)。
(實施例4)
除了變更載體材料2a的樹脂材料厚度為14 μ m、載體材料3a的樹脂材料厚度為14 μ m之外，其餘與前述實施例1相同，而得預浸體。
再者，所得的預浸體之厚度為35 μ m(第1樹脂層：10 μ m、玻璃織布：15 μ m、第2樹脂層：10 μ m)。
(實施例5)
除了將薄片狀基材及載體材料2a、3a變更如下述之外，其餘與前述實施例1相同，而得預浸體。
使用玻璃織布(交叉型# 1037，厚24 μ m，坪量24g/m2 )作為薄片狀基材。
同時，載體材料2a的樹脂層厚度為12 μ m，而載體材料3a的樹脂厚度為18 μ m。
又，所得的預浸體之厚度為40 μ m(第1樹脂層：5 μ m、玻璃織布：24 μ m、第2樹脂層：11 μ m)。
(實施例6)
除了將薄片狀基材及載體材料2a、3a變更如下述之外，其餘與前述實施例1相同，而得預浸體。
使用玻璃織布(交叉型# 1080，厚42 μ m，坪量48g/m2 )作為薄片狀基材。
又，載體材料2a的樹脂層厚度作成20 μ m，而載體材料3a的樹脂厚度作成22 μ m。
尚且，所得的預浸體之厚度為60 μ m(第1樹脂層：8 μ m、玻璃織布：42 μ m、第2樹脂層：10 μ m)。
(實施例7)
除了使用前述實施例1的第1樹脂層形成用清漆作為第2樹脂層形成用清漆之外，其餘與前述實施例1相同，而得預浸體。
意即，使第1樹脂組成物與第2樹脂組成物為同一組成。
再者，所得的預浸體之厚度為30 μ m(第1樹脂層：5 μ m、玻璃織布：15 μ m、第2樹脂層：10 μ m)。
(實施例8)
除了使用前述實施例1的第2樹脂層形成用清漆作為第1樹脂層形成用清漆之外，其餘與前述實施例1相同，而得預浸體。
意即，使第1樹脂組成物與第2樹脂組成物為同一組成。
再者，所得的預浸體之厚度為30 μ m(第1樹脂層：5 μ m、玻璃織布：15 μ m、第2樹脂層：10 μ m)。
(實施例9)
1.調整形成樹脂層用的清漆將15重量%的酚醛型氰酸酯樹脂(日本Lonza公司製，普利瑪賽特(音譯)PT－30，重量平均分子量約2,600)作為熱硬化性樹脂、8重量%的聯苯二亞甲基型環氧樹脂(日本化藥社製，NC－3000P，環氧當量275)作為環氧樹脂、7重量%的聯苯二亞甲基型酚樹脂(明和化成社製，MEH－7851－S，氫氧基當量203)作為酚樹脂，以及以環氧矽烷型偶合劑(日本Unika社製，A－187)作為偶合劑等，在常溫下溶解於甲基乙基酮內，甲基乙基酮量相對於將在後述的無機填充材為100重量份時的0.3重量份。並且，添加20重量%的球狀熔融二氧化矽SFP－10X(電氣化學工業社製，平均粒徑0.3 μ m)及50重量%的球狀熔融二氧化矽SO－32R(Admatech社製，平均粒徑1.5 μ m)作為無機填充材後，使用高速攪拌機攪拌10分鐘。由此，即可調製成形成樹脂層用的清漆。
2.載體材料的製造使用聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(三菱化學POLYESTER社製，SFB－38，厚38 μ m，寬480 mm)作為載體薄膜，以打點塗布機(comma coater)裝置塗布上述形成樹脂層用的清漆之後，於170℃的乾燥裝置中乾燥3分鐘，即在載體薄膜寬度方向約中心的位置上形成厚8 μ m、寬360 mm的樹脂層(最後形成第1樹脂層的樹脂層)而得載體材料2a。
同時，以同樣的方法調整欲塗布的樹脂材料清漆之量，而在載體薄膜寬度方向約中心的位置上形成厚度15 μ m、寬410 mm的樹脂層(最後形成第2樹脂層的樹脂層)而得載體材料3a。
3.預浸體的製造使用玻璃織布(交叉型# 1015，寬360 mm、厚15 μ m，坪量17g/m2 )作為薄片狀基材，藉由第4圖所示的真空積層裝置及熱風乾燥裝置來製造預浸體。
具體上，是在玻璃織布的寬度方向約中心之位置上，使前述載體材料2a及載體材料3a分別層疊在玻璃織布的兩面上，並於750Torr的減壓條件下，使用80℃的積層滾輪予以接合而得積層體。
此時，在玻璃織布的寬度方向尺寸之內側領域中，是以載體材料2a及載體材料3a的樹脂層各別接合在玻璃織布的兩面上，同時在玻璃織布的寬度方向尺寸之外側領域，將載體材料2a及載體材料3a的樹脂層相互接合。
接著，使上述已接合的積層體通過設定在120℃的橫式搬送型的熱風乾燥裝置內2分鐘，在無壓力作用下加熱處理。
接著，從積層體上剝離、去除載體薄膜後，即得厚30 μ m(第1樹脂層：4 μ m、玻璃織布：15 μ m、第2樹脂層：11 μ m)的預浸體。
(實施例10)
除了變更載體材料2a的樹脂層之厚度為8 μ m、載體材料3a的樹脂層之厚度為20 μ m之外，其餘與前述實施例9相同，而得預浸體。
又，所得的預浸體之厚度為35 μ m(第1樹脂層：4 μ m、玻璃織布：15 μ m、第2樹脂層：16 μ m)。
(實施例11)
除了將薄片狀基材及載體材料2a、3a變更如下述之外，其餘與前述實施例9相同，而得預浸體。
使用玻璃織布(交叉型# 1037，厚24 μ m，坪量24g/m2 )作為薄片狀基材。
同時，載體材料2a的樹脂層厚度作成11 μ m，而載體材料3a的樹脂厚度作成20 μ m。
又，所得的預浸體之厚度為40 μ m(第1樹脂層：4 μ m、玻璃織布：24 μ m、第2樹脂層：12 μ m)。
(實施例12)
除了使用下述者作為形成樹脂層用的清漆之外，其餘與前述實施例9相同，而得預浸體。
使以100重量份的環氧樹脂(日本環氧樹脂社製，「Ep5048」)作為熱硬化性樹脂、2重量份的硬化劑(二氰二醯胺)及0.1重量份的硬化促進劑(2－乙基－4－甲基咪唑)溶解於100重量份的甲基乙基酮中，即得形成樹脂層用的清漆。
又，所得的預浸體之厚度為35 μ m(第1樹脂層：4 μ m、玻璃織布：15 μ m、第2樹脂層：16 μ m)。
(實施例13)
除了將載體材料2a、3a變更如下述之外，其餘與前述實施例9相同，而得預浸體。
變更載體材料2a的樹脂層厚度為8 μ m，而載體材料3a的樹脂厚度為25 μ m。
又，所得的預浸體之厚度為40 μ m(第1樹脂層：4 μ m、玻璃織布：15 μ m、第2樹脂層：21 μ m)。
(比較例1)
除了將薄片狀基材及載體材料2a、3a變更如下述之外，其餘與前述實施例9相同，而得預浸體。
使用玻璃織布(交叉型# 1080，厚55 μ m，坪量47g/m2 )作為薄片狀基材。
同時，變更載體材料2a的樹脂層厚度為25 μ m，而載體材料3a的樹脂厚度為25 μ m。
又，所得的預浸體之厚度為75 μ m(第1樹脂層：10 μ m、玻璃織布：55 μ m、第2樹脂層：10 μ m)。
(比較例2)
除了將薄片狀基材及載體材料2a、3a變更如下述之外，其餘與前述實施例9相同，而得預浸體。
使用玻璃織布(交叉型# 1037，厚24 μ m，坪量24g/m2 )作為薄片狀基材。
同時，變更載體材料2a的樹脂層厚度為16 μ m，而載體材料3a的樹脂厚度為16 μ m。
又，所得的預浸體之厚度為40 μ m(第1樹脂層：8 μ m、玻璃織布：24 μ m、第2樹脂層：8 μ m)。
對於由各實施例及比較例中所得的預浸體，分別進行以下的評估。
1.第1樹脂層的厚度與第2樹脂層的厚度之比由所得的預浸體之剖面測定各層的厚度。
2.預浸體的面方向之熱膨脹係數可使用TMA裝置(TA儀器公司製)以10℃/分鐘的昇溫速率，測定預浸體的面方向之熱膨脹係數。
3.預浸體的彈性率可使用DMA(TA儀器公司製DMA983)的共鳴頻率剪數模式，於5℃/分鐘的昇溫速率條件下，測定所得預浸體的彈性率。
將這些評估結果與評估項目同時列示在表1中。
由表1可知實施例1至3及5至13的預浸體，俱為第1樹脂層與第2樹脂層的厚度不同者，而薄片狀基材是呈現偏向存在。從而，顯示因應電路配線圖案的殘銅率、電路厚度(電路高度)等而可以形成預浸體的樹脂層。
又，各實施例之預浸體均為熱膨脹係數小，彈性率高。由此所得之基板，可以預期為接續可信度優異者。
I.厚度的測定、成形性及電鍍密著性的評估使用各實施例及各比較例所得的預浸體，如下述製作基板(多層基板)及半導體裝置，分別各製作10個。
準備在表面上具有導體間隔50 μ m的梳形圖案，所定電路厚度之殘銅率50%的核基板。
接著，使實施例及比較例所得的各預浸體分別層疊在此核基板上，並在最外層層疊銅箔，經加熱、加壓成形(3MPa、200℃、90分鐘)後，即得多層基板。
然後，在最外層的銅箔(厚度12 μ m)上形成電路之後，搭載半導體元件即得半導體裝置。
對於使用各實施例及各比較例的預浸體而製作成的基板(多層基板)及半導體裝置，進行以下的評估。
1.厚度t3(層間厚度)自所得基板(多層基板)的剖面測定厚度t3(自電路配線部4的上面41到第1樹脂層2的上面21為止之厚度)。
2.厚度t2自所得基板(多層基板)的剖面測定厚度t2(自電路配線部4的上面41到第2樹脂層3的上面31為止之厚度)。列示合併後與設計值的差。
3.埋入性以顯微鏡觀察所得基板中梳形圖案的剖面。然後，由以下的4階段之基準進行評估樹脂層之埋入性。
◎：對於全部試樣品的埋入性優異○：電路配線對於玻璃織布有部分的接觸，實用上並不成問題△：電路配線對於玻璃織布有部分的接觸，不可實用×：樹脂層之埋入，有空隙等不夠充分
4.電鍍密著性測定電鍍銅的剝離強度。然後，由以下的四階段基準，進行評估第1樹脂層(上側之樹脂層)之電鍍密著性。
◎：0.6kN/m以上○：0.5kN/m以上、不到0.6kN/m△：0.4kN/m以上、不到0.5kN/m×：不到0.4kN/m
Ⅱ.絕緣可信度的評估接著，使用各實施例及各比較例所得的預浸體，製作成內外層中具有導體間隔為50 μ m的梳形圖案，供絕緣可信度試驗用的4層印刷電路板，分別各製作10個。
然後，以自動超絕緣阻抗計(ADVANTEST公司製)測定這些絕緣阻抗後，於PCT－130℃/85%的環境中，外加上直流電壓50V，經過96小時之後測定其絕緣阻抗。
依據所測得絕緣阻抗值，以下述4階段的基準進行絕緣可信度的評估。同時，測定絕緣阻抗之條件係外加電壓100V×外加時間1分鐘。
◎：1×109 Ω以上○：1×108 Ω以上、不到1×109 Ω△：1×107 Ω以上、不到1×108 Ω×：不到1×107 Ω
Ⅲ.連接可信度(溫度週期(TC)試驗)的評估使用各實施例及各比較例所得的預浸體，製作成經由有300個凸塊而使半導體元件與基板連接之菊鏈(daisy chain)型的評估用半導體裝置，分別各製作10個。
在確認上述評估用半導體裝置的導通後，進行以－50℃ 10分鐘、125℃ 10分鐘為一週期的溫度週期(TC)試驗。於是，已確認TC試驗每100週期中，所發生評估用半導體裝置斷線不良的之個數。
根據斷線不良個數，以下述4階段評估連接之可信度。
◎：即使在TC試驗1,000週期後，斷線不良個數為0個○：在TC試驗1,000週期後，雖然斷線不良個數在5個以上，但TC試驗800週期後的斷線不良個數為0個。△：在TC試驗1,000週期後，斷線不良個數為10個，在TC試驗800週期後的斷線不良個數雖然為5個以上，但在TC試驗600週期後的斷線不良個數為0個。×：在TC試驗800週期後，斷線不良個數為10個，在TC試驗600週期後的斷線不良個數為5個以上。
以上的測定結果及評估結果，同時與評估項目，分別列示如表2及表3。
如表3所示，可知尤其以實施例1至6及實施例9至13中所得的預浸體，是兼具埋入性與電鍍密著性的優異者，此為使用以往的預浸體時所難以兼顧者。並且，使用實施例1至6及實施例9至13中所得的預浸體之多層基板及半導體裝置，由於以第2絕緣層的埋入性優異、低熱膨脹的樹脂組成物所構成，所以可作為優異絕緣性的多層基板、優異接續可信度的半導體裝置。
同時，由表2可知，使用實施例6所得預浸體的多層基板，其厚度雖然超過200 μ m些許，但在使用其他各實施例所得預浸體的多層基板，則均顯示可得到厚度在200 μ m以下的薄質多層基板。並且，也確認沒有樹脂組成物的擠出現象等。
另外，使用由各實施例所得預浸體的半導體裝置，確認均正常的運作。
相對於此，使用由各比較例所得預浸體的多層基板及半導體裝置，其絕緣可信度及連接可信度均不良，而不能正常的運作。
[產業上可能的應用]
根據本發明，可提供能適應薄膜化，且可在預浸體的兩面賦與不同的用途、機能、性能或特性等，可因應所要埋設之電路配線圖案而設定樹脂組成物之量的預浸體。例如，藉由適宜的設定第1樹脂組成物與第2樹脂組成物的組合，可在預浸體的兩面上賦與有優異的電鍍密著性與埋入性。並且，例如，可因應需求在電路配線圖案的殘銅率、電路厚度(電路高度)等使薄片狀基材偏在預浸體的厚度方向，而可得到具有可充填所要埋設電路配線圖案的間隙之必要且充分的樹脂組成物量之預浸體。同時，藉由使用本發明的預浸體之製造方法，可容易且價廉地製造出相關的預浸體。另外，根據本發明可提供具有上述預浸體的基板及半導體裝置，依此可獲得薄質的基板及半導體裝置。於是，可使所得的基板(尤其是多層結構的電路基板)具有優異的絕緣可信度，所得的半導體裝置具有優異的連接可信度。綜合以上所述，本發明的預浸體即可適用於製造有高密度化、薄型化要求的多層結構之電路基板、半導體裝置。所以，具有在產業上應用的可能性。
1．．．薄片狀基材
2．．．第1樹脂層
2a、3a．．．載體材料
3．．．第2樹脂層
4．．．電路配線部
5．．．墊部
6．．．填實通孔
7．．．半導體元件
8．．．真空積層裝置
9．．．乾燥裝置
10．．．預浸體
11．．．核層
71．．．凸塊
100．．．基板
101．．．核基板
第1圖係為表示本發明的預浸體之一例(第1實施形態)的剖面圖。
第2圖係為了說明具有第1實施形態的預浸體之第2樹脂層厚度的剖面圖。
第3圖係為製造本發明的預浸體之步驟的一例之流程圖。
第4圖(a)及(b)表示本發明的預浸體之一例(第2實施形態)的剖面圖。
第5圖係為了說明具有第2實施形態的預浸體之2個樹脂層厚度關係的剖面圖。
第6圖係表示本發明的基板之一例的剖面圖。
第7圖係表示本發明的半導體裝置之一例的剖面圖。
1．．．薄片狀基材
2．．．第1樹脂層
3．．．第2樹脂層
10．．．預浸體
11．．．核層

Claims (27)

  1. 一種預浸體，其特徵為：具有：含薄片狀基材的核層、由第1樹脂組成物構成而設在該核層的一邊面上之第1樹脂層、以及由第2樹脂組成物構成而設在前述核層的另一邊面上的第2樹脂層，前述第1樹脂組成物以及第2樹脂組成物係各別含有硬化性樹脂、無機充填材、以及偶合劑，前述第1樹脂層與第2樹脂層的厚度，以及前述第1樹脂組成物與第2樹脂組成物的組成至少有一方是不同的。
  2. 如申請專利範圍第1項之預浸體，其中，前述第1樹脂組成物與第2樹脂組成物的組成不同，並在前述第1樹脂層上形成導體層而供使用者。
  3. 如申請專利範圍第1項之預浸體，其中，前述第1樹脂組成物與前述第2樹脂組成物的組成相同，並且前述第1樹脂層與第2樹脂層的厚度不同，而前述薄片狀基材的厚度在25μm以下。
  4. 如申請專利範圍第2項之預浸體，其中，前述第1樹脂層與前述導體層接合時，前述第1樹脂層與前述導體層的剝離強度為0.5kN/m以上。
  5. 如申請專利範圍第2項之預浸體，其中，前述第1樹脂層的厚度為3至15μm。
  6. 如申請專利範圍第1項之預浸體，其中，前述硬化性樹脂係含有氰酸酯樹脂者。
  7. 如申請專利範圍第6項之預浸體，其中，前述氰酸酯樹脂係含有酚醛型氰酸酯樹脂者。
  8. 如申請專利範圍第2項之預浸體，其中，前述第1樹脂組成物係復含有硬化劑者。
  9. 如申請專利範圍第8項之預浸體，其中，前述硬化劑係含有咪唑系化合物者。
  10. 如申請專利範圍第2項之預浸體，其中，前述第1樹脂組成物係復含有與前述硬化性樹脂種類不同的第2樹脂者。
  11. 如申請專利範圍第10項之預浸體，其中，前述第2樹脂係含有苯氧系樹脂者。
  12. 如申請專利範圍第2項之預浸體，其中，前述第1樹脂層係其厚度比前述第2樹脂層之厚度更薄者。
  13. 如申請專利範圍第3項之預浸體，其中，前述預浸體的厚度為35μm以下。
  14. 一種預浸體的製造方法，為製造如申請專利範圍第1項的預浸體之製造方法，其特徵為具有：準備前述核層、在一邊的面上層狀附予前述第1樹脂組成物的第1薄片材、與層狀附予第2樹脂組成物的第2薄片材之步驟；前述第1樹脂組成物及前述第2樹脂組成物以接觸方式、在前述核層上，使前述第1薄片材及第2薄片材藉由重疊接合而得積層體的步驟；與從前述積層體中去除 氣泡的步驟。
  15. 如申請專利範圍第14項之預浸體的製造方法，其中，前述核層與前述第1薄片材及第2薄片材之接合，係在減壓下進行。
  16. 如申請專利範圍第14項之預浸體的製造方法，其中，從前述積層體中去除氣泡，係以加熱處理進行。
  17. 如申請專利範圍第16項之預浸體的製造方法，其中，前述加熱處理係在前述第1樹脂組成物及前述第2樹脂組成物之中，於熔點較高的樹脂組成物之熔點以上的溫度下進行。
  18. 如申請專利範圍第14項之預浸體的製造方法，其中，前述第1薄片材係以導電材料所構成者。
  19. 如申請專利範圍第14項之預浸體的製造方法，其中，前述第1薄片材及前述第2薄片材係分別以樹脂薄片所構成者，且在從前述積層體中去除氣泡的步驟之後，具有從前述積層體中去除前述樹脂薄片的步驟。
  20. 如申請專利範圍第19項之預浸體的製造方法，其中，前述樹脂薄片，係在前述樹脂組成物所附予之面上經施行剝離處理者。
  21. 一種基板，其特徵為具有：如申請專利範圍第1項之預浸體、及埋設在該預浸體的前述第2樹脂層中之電路配線部。
  22. 如申請專利範圍第21項之基板，其中，前述預浸體整體的厚度為To[μm]，而前述電路配線部的高度為t1[μ m]時，To與t1之差在35μm以下。
  23. 如申請專利範圍第21項之基板，其中，前述預浸體的面方向之熱膨脹係數在16ppm以下。
  24. 一種基板，其特徵為將如申請專利範圍第1項之預浸體積層而得。
  25. 一種半導體裝置，其特徵為具有：如申請專利範圍第21項之基板、與搭載在該基板上的半導體元件。
  26. 一種半導體裝置，其特徵為具有如申請專利範圍第24項之基板。
  27. 如申請專利範圍第1項之預浸體，其中，在前述第2樹脂層中形成具有配線之電路配線部時，前述第2樹脂層之一部份樹脂組成物埋入前述電路配線部的前述配線相互之間的空隙部，前述第2樹脂層之一部份樹脂組成物埋入前述空隙部之部份的前述第2樹脂層的厚度係表示於下述式(1)，B1=t1×(1-S/100)+t2……式(1)(惟，B1表示之前述第2樹脂層的厚度[μm]，t1表示前述電路配線部的厚度[μm]，S表示前述電路配線部的銅殘率%，t2表示自前述電路配線部的上面到第2樹脂層的上面為止之厚度)。
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