TWI412315B - Circuit board manufacturing method - Google Patents

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Description

電路基板之製造方法 發明領域
本發明係有關於一種利用於各種電子機器之電路基板在製造時使用之辨識記號，且有關於一種使用前述辨識記號之電路基板的製造方法。
 發明背景
隨著近年來電子機器的小型化、高密度化，裝載電子零件之電路基板也從以往的單面基板，進展到採用雙面、多層基板，並開發了可在基板上集成更多的電路及零件之高密度基板。
特別是多層基板的高密度化進展到電路圖案的微細化，並期望更多層的電路圖案以及基板的薄板化。
在如此的電路基板中，以導電性糊經由內孔而連接複數層之電路圖案之間的新開發以及高信賴度之構造的新開發成為不可或缺者。
就以往藉由導電性糊連接內孔之4層基板的製造方法，則以專利文獻1所開示之製造方法為例於下說明。
首先，一開始先就藉由導電性糊連接內孔之多層基板的核心基板構成之雙面基板之製造方法與導電性糊之填充方法作說明。
第10A圖~第10H圖係顯示習知之雙面基板之製造方法的步驟之截面圖。第10A圖所示之基板材料係由預浸片21 及離型膜22a、22b構成之積層完成預浸體。
預浸片21係例如使用使熱硬化性環氧樹脂含浸於不織布之全芳香族聚醯亞胺纖維或玻璃布之複合材構成之基材。預浸片21之表面與裏面接著有形成離型層部之塑膠膜、例如由聚對苯二甲酸乙二酯等構成之離型膜22a、22b。
離型膜22a、22b接著於預浸片21的方法已提出一種方法是使用積層裝置使預浸片21的樹脂成分溶融後連續接著離型膜22a、22b。
其次如第10B圖所示，利用雷射加工法等形成貫通孔23。此時，在藉由雷射加工法形成作為層間連接使用之製品用貫通孔23之同時，也形成製造時所使用之辨識記號用貫通孔27a、27b。
接著如第10C圖所示，於製品之貫通孔23及辨識記號用貫通孔27a、27b填充導電性糊24。
導電性糊24係為了可賦與導電性而將銅等金屬粒子混合於環氧樹脂等熱硬化性樹脂者。填充方法可使用利用橡膠滾軸26之印刷法等公知技術。
其次，如第10D圖所示，將離型膜22a、22b剝離。由於離型膜22a、22b僅係預浸片21表面的樹脂部分些許溶融而接著，因此容易剝離。
第11圖係離型膜剝離後之貫通孔的截面圖，且離型膜22a、22b在剝離後係如第11圖所示，形成導電性糊24僅突出離型膜22a、22b之厚度程度的形狀。
接著，如第10E圖所示，於預浸片21的表面與裏面配置 銅等之金屬箔25a、25b。然後，以熱壓機進行加熱加壓，藉此如第10F圖所示，使預浸片21與金屬箔25a、25b在成型硬化後接著，且壓縮導電性糊24。藉此，表面與裏面之金屬箔25a、25b藉由填充於設置在預定位置之貫通孔23之導電性糊24而呈電氣連接。
其次，透過金屬箔25a、25b使用X線檢測形成於預浸片21之辨識記號用貫通孔27a、27b，並且如第10G圖所示，使用電鑽等於辨識記號用貫通孔27a、27b之中心形成曝光用貫通孔29a、29b。
接著，使曝光用貫通孔29a、29b與曝光膜定位(未圖示)，以照相顯像法等形成預定之抗蝕圖案。然後使用如氯化銅等藥液選擇性的蝕刻，而得到如第10H圖所示之形成有電路圖案32a、32b與次層積層時之積層用辨識圖案33a、33b之雙面基板30。
其次說明4層基板之製造方法。
首先如第12A圖所示，準備在形成有如上述製作出之內層導體電路(形成於為內層之電路基板的電路圖案)32a、32b與次層積層時之辨識圖案33a、33b之雙面基板30、與使用第10A圖~第10D圖之製造方法製作之2片預浸片21a、21b。2枚預浸片21a、21b形成有製品用之貫通孔23與辨識記號用貫通孔27a、27b，並且使用印刷法填充導電性糊24。製品用之貫通孔23形成於雙面基板30之電路圖案32a、32b之預定位置之對向部。辨識記號用貫通孔27a、27b形成於雙面基板30之積層辨識用圖案33a、33b位置之對向部。
其次如第12B圖所示，首先以相機對預浸片21b之辨識記號用貫通孔27a、27b作檢測、影像處理，求得業已填充之導電性糊24之徑的重心。根據其結果，將預浸片21b往X、Y、θ方向移動，並定位於預定位置後，配置於金屬箔25b上。然後，使用相機對形成於預浸片21b之對向部之雙面基板30之積層辨識用圖案33a、33b作檢測、影像處理，然後求取重心。根據其結果，將雙面基板30往X、Y、θ方向移動，並使預浸片21b之辨識記號用貫通孔27a、27b定位，配置於預浸片21b上。
又，如第12C圖所示，使用相機對形成於雙面基板30之辨識用圖案33a、33b之對向部所形成之預浸片21a的辨識記號用貫通孔27a、27b作檢測、影像處理，然後求取業已填充之導電性糊24之徑的重心。然後，將預浸片21a往X、Y、θ方向移動，並定位於雙面基板30之辨識用圖案33a、33b，然後配置於雙面基板30上。
又，採用以CCD等相機檢測上述之辨識記號用貫通孔27a、27b及積層辨識用圖案33a、33b之方法的理由為，裝置成本較便宜，且裝置的構成簡便且普及，進而生產性高等等。
其次，如第12D圖所示，於預浸片21a、21b之表面分別配置金屬箔25a、25b，並以熱壓機進行加熱加壓，藉此在成型硬化後將預浸片21a、21b與金屬箔25a、25b接著。藉此，壓縮導電性糊24，且表面與裏面的金屬箔25a、25b藉由填充於設置在預定位置之貫通孔23之導電性糊24，而與 內層之雙面基板30的電路圖案32a、32b電連接。
其次，使用X光且經由金屬箔25a、25b，檢測形成於預浸片21a、21b之辨識記號用貫通孔27a、27b，且如第12E圖所示，使用鑽孔機等於辨識記號用貫通孔27a、27b的重心形成曝光用貫通孔29a、29b。
然後，如第12F圖所示，將曝光用貫通孔29a、29b與曝光膜定位後(未圖示)，使用照相顯像法等形成預定之抗蝕圖案。然後，使用氯化銅等藥液選擇性的進行蝕刻，形成外層的電路圖案32a、32b，藉此得到4層基板40。
然而，上述之電路基板的製造方法中，在表面與裏面貼附有離型膜之預浸片使用雷射加工形成辨識記號時，會產生辨識錯誤或重心偏移，對要求定位精確度之電路基板不利。
使用顯示貫通孔加工後之預浸片21之截面與平面之對應之第13圖說明。具體而言，構成預浸片之樹脂成分或醯胺纖維或玻璃布與離型膜之基材構成之聚對苯二甲酸乙二酯等之塑膠類的加工能量是不同的。因此，例如當照射雷射光偏斜時，則如第13圖所示，入射側(預浸片之21表面)的離型膜22a會相對於雷射光之出射側(預浸片21之裏面)變形，而需要加工貫通孔23。即，入射側之貫通孔23a之徑相較於出射側之貫通孔23之徑為大。
如此，當於變形之貫通孔23填充導電性糊24時，如第14圖所示，入射側之導電性糊24徑的重心37a與出射側之導電性24之重心37b會產生偏移。
然後，在使用照相機利用透過光及反射光檢測在預浸片21之辨識用記號時，選擇入射側之徑。另一方面，在熱壓後，經由金屬箔25a，25b以X光檢測辨識記號用貫通孔23時，選擇導電性糊24濃度較濃之出射側之徑。因此，在兩步驟之間的辨識記號用貫通孔23也會發生偏移。
第15圖係習知例之其他辨識記號之例的平面圖。最近，如第15圖所示，提出一種由複數之貫通孔構成之辨識記號27，其係即使欠缺一部份之辨識記號27，且辨識記號27的重心也成為異常記號38，也可以其他的辨識記號27得到重心。可是，於上述預浸片21加工辨識記號27時，當雷射光歪斜時，在同一方向，入射側與出射側之導電性糊24之徑不同，而與形成單體之貫通孔時同樣會產生重心偏移。
因此，要以如此之製造方法改善辨識記號之重心偏移，則謀求一不會受到雷射光歪斜而發生之入射側、出射側之導電性糊徑之差的影響之辨識記號、與使用該辨識記號之電路基板之製造方法。
【專利文獻1】日本專利公開公報特開平6－268345
 發明概要
本發明之辨識記號係由：設置於預浸片之至少2處以上且填充有導電性填充材之貫通孔、及未填充有導電性填充材之貫通孔或導電性填充材殘存於貫通孔壁面之貫通孔所構成。
藉此，則不會有因雷射光歪斜而導致在製造時之辨識 記號的重心偏離，具有可得到積層精確度高之多層基板之效果。
又，本發明之電路基板的製造方法包含以下步驟：將離型膜貼附於預浸片的表面與裏面；於該處形成複數個層間連接用貫通孔及辨識記號用貫通孔；於層間連接用貫通孔及複數辨識記號用貫通孔之一部份的貫通孔，填充導電性填充材；及由預浸片剝離離型膜。
藉此，可容易得到積層精確度高之辨識記號，該結果是內層基板與預浸片之間的相符性優異、導電性填充材之層間連接機構進行的電氣連接安定，且可提供高品質且高密度之電路基板。
圖式簡單說明
第1A圖係顯示本發明之一實施形態中電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第1B圖係顯示同實施形態中電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第1C圖係顯示同實施形態中電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第1D圖係顯示同實施形態中電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第1E圖係顯示同實施形態中電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第1F圖係顯示同實施形態中電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第1G圖係顯示同實施形態中電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第1H圖係顯示同實施形態中電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第2圖係顯示同實施形態中辨識記號之位置之平面圖。
第3A圖係顯示同實施形態中辨識用貫通孔之加工方法之平面圖。
第3B圖係顯示同實施形態中辨識用貫通孔之加工方法之截面圖。
第4圖係顯示同實施形態中之辨識記號之平面圖。
第5圖係顯示對應於同實施形態中於貫通孔加工後之截面及平面之圖。
第6A圖係顯示同實施形態中，貫通孔在導電性糊填充後之截面圖。
第6B圖係顯示同實施形態中，貫通孔未填充導電性糊之貫通孔的截面圖。
第7圖係同實施形態中使用導電性糊之其他貫通孔之截面圖。
第8A圖係顯示同實施形態中，多層電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第8B圖係顯示同實施形態中，多層電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第8C圖係顯示同實施形態中，多層電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第8D圖係顯示同實施形態中，多層電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第8E圖係顯示同實施形態中，多層電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第8F圖係顯示同實施形態中，多層電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第9A圖係顯示同實施形態中，多層電路基板之製造方法所使用之導電性糊填充前之辨識記號的重心之截面圖。
第9B圖係顯示同實施形態中，多層電路基板之製造方法所使用之導電性糊填充後之辨識記號的重心之截面圖。
第10A圖係顯示習知例之雙面電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第10B圖係顯示同雙面電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第10C圖係顯示同雙面電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第10D圖係顯示同雙面電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第10E圖係顯示同雙面電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第10F圖係顯示同雙面電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第10G圖係顯示同雙面電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第10H圖係顯示同雙面電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第11圖係習知例之離型膜剝離後之貫通孔之截面圖。
第12A圖係顯示習知例之多層電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第12B圖係顯示同多層電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第12C圖係顯示同多層電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第12D圖係顯示同多層電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第12E圖係顯示同多層電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第12F圖係顯示同多層電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第13圖係顯示習知例之對應於貫通孔加工後之截面及平面之圖。
第14圖係顯示習知例知辨識記號之截面圖。
第15圖係顯示習知例之其他例之辨識記號之平面圖。
 較佳實施例之詳細說明
本發明之辨識記號係設置於預浸片之至少2處，由填充有導電性填充材之貫通孔、與未填充導電性填充材之貫通孔或導電性填充材殘存於貫通孔壁面之貫通孔所構成。藉 此，則不會有因雷射光的歪斜而導致在製造時之辨識記號重心偏移，具有得到積層精度高之多層基板。
又，未填充導電性填充材之貫通孔或導電性填充材殘存於貫通孔壁面之貫通孔係設置於填充有導電性填充材之貫通孔的外側，例如預浸片端緣側。藉此，於層間連接用之貫通孔填充導電性填充材時，可容易遮罩住未填充有導電性填充材之貫通孔。又，可在不影響層間連接用之貫通孔品質之下，形成導電性填充材殘存於貫通孔壁面之貫通孔。又，可容易使用透過光及反射光，且以相機檢測出未填充有導電性填充材之貫通孔或導電性填充材殘存於貫通孔壁面之貫通孔。因此，則不會有因雷射光的歪斜而導致在製造時之辨識記號重心偏移，具有得到積層精確度高之多層基板。
又，貫通孔的加工壁形成有變質層。藉此，貫通孔的輪廓會變得明確，容易檢測。
又，未填充有導電性填充材之貫通孔或導電性填充材殘存於貫通孔壁面之貫通孔的孔徑大於填充有導電性填充材之貫通孔的孔徑。藉此，可防止加工粉或殘屑等造成貫通孔的重心偏移。
又，未填充有導電性填充材之貫通孔或導電性填充材殘存於貫通孔壁面之貫通孔或填充有導電性填充材之貫通孔中，至少一個貫通孔係由複數貫通孔構成。藉此，即使貫通孔之加工位置精確度降低仍可求得複數個貫通孔之重心位置，提高積層精確度。
又，導電性填充材殘存於貫通孔壁面之貫通孔係藉由雷射加工而形成，變質層係預浸片中之樹脂成分經碳化而成者。藉此，可有效率地形成變質層。
又，未填充有導電性填充材之貫通孔或導電性填充材殘存於貫通孔壁面之貫通孔係多次照射雷射光而形成者。藉此，可有效率地形成而不會降低生產率。
又，本發明之電路基板之製造方法，包含有以下步驟：將離型膜貼附於預浸片之表面與裏面；於表面與裏面貼附有前述離型膜之前述預浸片，形成複數個層間連接用貫通孔及辨識記號用貫通孔；於前述層間連接用貫通孔及前述複數辨識記號用貫通孔之一部份的貫通孔，填充導電性填充材；及由前述預浸片剝離前述離型膜。
藉此，可容易得到積層精確度高之辨識記號，該結果是內層基板與預浸片之間的相符性優異、導電性填充材之層間連接機構進行的電氣連接安定，且可提供高品質且高密度之電路基板。
又，本發明之電路基板之製造方法包含有以下步驟：將離型膜貼附於預浸片之表面與裏面；於表面與裏面貼附有前述離型膜之前述預浸片，形成複數個層間連接用貫通孔及辨識記號用貫通孔；於前述層間連接用貫通孔及前述複數辨識記號用貫通孔，填充導電性填充材；及由前述預浸片剝離前述離型膜，其中，於前述複數個辨識記號用貫通孔填充前述導電性填充材之步驟包含有一前述導電性填充材由一部份之前述貫通孔脫落後，僅於貫通孔壁面殘存 前述導電性填充材之步驟。
藉此，可得到積層精確度高之辨識記號，除此之外，在填充導電性填充材時，由於不需要將一部份遮蓋，因此可提高生產性，進而可提高預浸片等之基板材料的有效面積之比例。
又，導電性填充材脫落之一部份的貫通孔孔徑係比其他貫通孔的孔徑大。藉此，業經填充之導電性填充材由貫通孔脫落，並僅於貫通孔壁面殘留導電性填充材，藉此可使貫通孔的輪廓更為明確。
又，本發明之電路基板之製造方法以下步驟：準備具有層間連接用貫通孔及辨識記號之預浸片，前述層間連接用貫通孔係藉申請專利範圍第8或9項之由前述預浸片剝離前述離型膜之步驟所製成且填充有前述導電性填充材，並且前述辨識記號係由填充有前述導電性填充材之貫通孔與前述未填充導電性填充材之貫通孔或前述導電性填充材殘存於貫通孔壁面之貫通孔所構成；準備具有電路圖案及積層辨識用圖案之內層基板與金屬箔；檢測並定位前述預浸片之辨識記號中之填充有前述導電性填充材之貫通孔與前述未填充導電性填充材之貫通孔或前述導電性填充材殘存於貫通孔壁面之貫通孔、及前述內層基板之積層辨識用圖案，將前述預浸片配置於前述內層基板上；將前述金屬箔大略定位且配置於前述預浸片上後，以熱壓機進行加熱加壓；及檢測前述辨識記號中之填充有前述導電性填充材之貫通孔，形成曝光用貫通孔。藉此，具有可得到積層精確 度高之多層電路基板之效果。
又，上記前述預浸片之辨識記號與前述內層基板之積層辨識用圖案的檢測及定位係利用相機檢測並進行影像處理。
藉此，即使預浸片的辨識記號歪斜而加工，透過光的影像為貫通孔的最小徑部，因此不會受到雷射光歪斜的影響。結果可藉由透過光而容易正確地檢測出預浸片之辨識記號用貫通孔及內層基板之積層辨識用圖案。進而，影像處理及定位可快速且生產性高。
又，檢測辨識記號中填充有前述導電性填充材之貫通孔，且形成前述曝光用貫通孔之步驟係利用X光檢測出前述貫通孔，並於前述貫通孔之重心進行鑽孔加工。
藉此，即使預浸片之辨識記號已歪斜也不會受到業已填充於加工之入射側之導電性填充材的影響，而可檢測出重心，可形成位置精確度高之曝光用貫通孔。
如以上所述，具體而言，本發明係於內層電路基板及預浸片設有在內層基板定位且積層時所使用之辨識記號、及在熱壓後經由金屬箔而以X光檢測出之辨識記號，並在未填充導電性填充材之貫通孔或內壁形成有導電性填充材之貫通孔形成設置於預浸片之積層時之辨識記號，並在填充有導電性填充材之貫通孔形成以X光檢測出之辨識記號。
因此，根據本發明，可改善內層電路基板表面與裏面定位且積層之預浸片的定位精確度，並可容易進行高精細之電路基板的製造方法。
以下，參照圖式詳細說明本發明實施形態中之辨識記號及電路基板之製造方法。
(實施形態)
本實施形態中，係使用導電性糊作為導電性填充材。首先，說明以導電性糊進行內孔連接之多層基板中之內層基板構成之雙面電路基板的製造方法。
第1A圖~第1H圖係顯示本發明之一實施形態中電路基板之製造方法之步驟的截面圖，且為本發明之電路基板之製造方法的工程截面圖。
首先，如第1A圖所示，預浸片1之表面與裏面使用積層裝置接著離型膜2a、2b。
預浸片1係使用由例如不織布之全芳香族聚醯亞胺纖維或於玻璃布含浸有熱硬化性環氧樹脂之複合材構成之基材。預浸片1之表面與裏面形成有離型層部之塑膠膜、例如由聚對苯二甲酸乙二酯等構成之離型膜2a、2b係使用積層裝置接著。
其次，如第1B圖所示，利用雷射加工法等形成作為內孔之貫通孔3。此時、與製品用、即層間連接用之貫通孔3同時，使用雷射加工法形成之後之不填充導電性糊4之積層辨識記號用貫通孔7a、7b、與用以使用於熱壓後之位置辨識且填充導電性糊4之X光辨識記號用貫通孔8a、8b。
第2圖係顯示本實施形態中之辨識記號之位置之平面圖。本實施形態中，係如第2圖所示，於之後的導電性糊4之填充區域15內形成孔徑約150 μm之X光辨識記號用貫通 孔8a、8b，並於導電性糊4之填充區域15的外側、即由中心來看為外側之預浸片1之端緣側，形成孔徑約300 μm之積層辨識記號用貫通孔7a、7b。
第3A圖及第3B圖係顯示本實施形態中之辨識用貫通孔之加工方法之平面圖及截面圖。本實施形態中，積層辨識記號用貫通孔7a、7b為了防止加工粉或殘屑阻塞，於雷射加工時照射多數次雷射光16，且如第3A圖所示重複對雷射光16徑加工，作成約300 μm之孔徑。積層辨識記號用貫通孔7a、7b之加工壁係如第3B圖所示，以雷射光16之熱形成預浸片1中之樹脂部分碳化等之變質層18。在此係照射多數次積層辨識記號用貫通孔7a、7b徑，作成300 μm，但亦可為與製品之貫通孔3或X線辨識記號用貫通孔8a、8b相同之徑。
第4圖係顯示本實施形態中之辨識記號之平面圖。本實施形態中，積層辨識記號用貫通孔7a、7b及X光辨識記號用貫通孔8a、8b係分別作成1個貫通孔，但如第4圖所示，亦可以複數個貫通孔7、8形成辨識記號，貫通孔7、8的個數可任意設定。
又，在製作4層之預浸片1時，需要積層辨識記號用貫通孔7a、7b及X光辨識記號用貫通孔8a、8b。可是，為雙面基板時，由於將金屬箔5a、5b大略定位後配置於預浸片1之表面與裏面，因此亦可僅形成X線辨識記號用貫通孔8a、8b。
第5圖係顯示本實施形態中之貫通孔加工後之截面及平面之對應圖。當在雷射加工時，雷射光產生歪斜時，則 如第5圖所示，由於歪斜之部分的雷射光的能量較小，因此在為雷射光之入射側之預浸片1之上側離型膜2a形成貫通孔3a。可是，預浸片1係成一部份加工而不貫通之狀態。因此，上側離型膜2a之貫通孔3a徑會大於預浸片1之孔徑，且歪斜地形成。另一方面，為雷射光之出射側之預浸片1的下側離型膜2b側僅能源較大的部分通過而形成貫通孔3，因此可不歪斜地進行加工。
其次，如第11C圖所示，使用公知之印刷法，將導電性糊4填充於製品之貫通孔3及構成辨識用記號之貫通孔之一部份之X光辨識記號用貫通孔8a、8b。再以光罩11覆蓋積層辨識記號用貫通孔7a、7b之狀態下，藉以橡膠滾軸6填充導電性糊4，可阻止導電性糊4侵入積層辨識記號用貫通孔7a、7b。因此，可不於積層辨識記號用貫通孔7a、7b填充導電性糊4，而於未以版框覆蓋之X線辨識記號8a、8b填充導電性糊4。
填充於貫通孔3之導電性糊4與貼附於預浸片1表面與裏面之銅等的金屬箔5a，5b電性連接。導電性糊4係將銅等金屬粒子混入環氧樹脂等的熱硬化性樹脂以賦與導電性。
其次，如第1D圖所示，將離型膜2a、2b剝離。離型膜2a、2b剝離後，成為導電性糊4突出約為離型膜2a、2b之厚度部分的形狀。
第6A圖係本實施形態中貫通孔在導電性糊填充後之截面圖，第6B圖係同一未填充導電性糊之貫通孔之截面圖。上側離型膜2a之加工面在雷射加工時，孔徑會大幅歪斜加 工。因此，在雷射進行加工後，填充有導電性糊4之製品的貫通孔3或X線辨識記號用貫通孔8a、8b會成為第6A圖之狀態。即，藉由歪斜之雷射光部的能量，為雷射光之入射側之預浸片1表面之導電性糊4之徑會變大。另一方面，雷射光歪斜之影響小的出射側之預浸片1之下側離型膜2b側的導電性糊4之徑會變小。因此，表面的導電性糊4之重心17a、與裏面之導電性糊4之重心17b之間會成為偏離的狀態。
另一方面，未填充有導電性糊4之積層辨識記號用貫通孔7a、7b係如第6B圖所示，為雷射光之入射側之預浸片1的上側可看到稍微溶融之痕跡，但以透過光來看的時候，未貫通之預浸片1的溶融痕跡部分則變得沒有影響，任一者皆成為具有中心17之貫通孔的形狀(圓形)。
第7圖係本實施形態中使用導電性糊之其他貫通孔的截面圖。本實施形態中，可照舊使用利用雷射加工形成積層辨識記號7a、7b之貫通孔。可是，如第7圖所示，在導電性糊4填充時，導電性糊4殘留於積層辨識記號用貫通孔7a、7b週邊與貫通孔壁面，藉此使貫通孔的輪廓變得明確。 又，在雷射加工形成變質層18的情況也會使貫通孔的輪廓變得明確。
要僅於第7圖所示之部位殘留導電性糊4，係於填充區域內設置導電性糊4容易脫落之孔徑的積層辨識記號用貫通孔7a、7b。藉此，即使與其他製品之貫通孔3或X線辨識記號用貫通孔8a、8b同時填充導電性糊4，亦可在積層辨識 記號用貫通孔7a、7b之導電性糊4脫落後得到第7圖所示之積層辨識記號用貫通孔7a、7b。當貫通孔徑超過預浸片1之厚度1．5倍以上時，導電性糊4容易脫落，孔徑愈大則愈容易脫落。因此，亦可配合使用之導電性糊4或填充方法等來設定貫通孔徑。又，於積層辨識記號用貫通孔7a、7b填充導電性糊後，藉由放置一定時間，可使導電性糊僅殘留於貫通孔壁面。
其次，如第1E圖所示，使用預浸片1之積層辨識記號用貫通孔7a、7b於表面與裏面配置銅等金屬箔5a、5b。在製作為內層基板之雙面基板時，由於與金屬箔5a、5b係大略定位即可，因此定位精確度的要求較小，亦可使用填充有導電性糊4之X線辨識記號用貫通孔8a、8b。
其次，如第1F圖所示，之後以熱壓機進行加熱加壓，藉此在成型硬化後將預浸片1與金屬箔5a、5b接著，使導電性糊4。藉此，可將表面與裏面的金屬箔5a、5b與填充於設置在預定位置之製品的貫通孔3之導電性糊4電性連接。
其次，以X線檢査機經由金屬箔5a、5b檢測形成於預浸片1之X線辨識記號用貫通孔8a、8b。然後，如第1G圖所示，使用鑽孔機等於X線辨識記號用貫通孔8a、8b之重心形成曝光用貫通孔9a、9b。X線辨識記號用貫通孔8a，8b之重心受到預浸片1之雷射光之歪斜的影響而加工之入射側導電性糊4徑雖然較大，但導電性糊4的厚度與離型膜2a之厚度部分小，濃度變薄。因此，選擇導電性糊4之濃度濃之導電性糊4徑較小之雷射出射側之導電性糊4之徑的重心。
接著，如第1H圖所示，在曝光用貫通孔9a、9b與曝光膜定位後(未圖示)，以照相顯像法等形成預定之抗蝕圖案。然後，使用氯化銅等藥液選擇性地進行蝕刻，形成電路圖案12a、12b與4層用之積層辨識用圖案13a、13b及X線辨識用圖案14a、14b，藉此得到作為內層基板使用之雙面基板10。在此僅於雙面基板之表面形成積層辨識用圖案13a、13b與X線辨識用圖案14a、14b，但亦可因應於檢測機構而設置於裏面側。
又，本發明中，未填充有導電性填充材之貫通孔或導電性填充材殘存於貫通孔壁面之貫通孔或者填充有導電性填充材之貫通孔當中之其中一貫通孔亦可構成複數貫通孔。
其次，說明本發明之4層基板之製造方法。第8A圖~第8F圖係本發明之4層基板之製造工程截面圖。
首先，如第8A圖所示，準備如上製作之內層導體電路12a、12b與次層積層時之辨識圖案13a、13b形成之雙面基板10、與使用第1A圖~第1D圖之製造方法製作之2片預浸片1a、1b。2片預浸片1a、1b係於雙面基板10之電路圖案12a、12b之預定位置形成有填充了導電性糊4之製品用貫通孔3。進而，於X線辨識用圖案14a、14b位置之對向部形成有填充了導電性糊4之X線辨識記號用貫通孔8a、8b。又，在積層辨識用圖案13a、13b位置之對向部形成有未填充有導電性糊4之積層辨識記號用貫通孔7a、7b。
其次，如第8B圖所示，使用相機利用透過光檢測未填 充有預浸片1b之導電性糊4之積層辨識記號用貫通孔7a、7b，並進行影像處理求取重心，並將預浸片1b朝X、Y、θ方向移動，定位於預定位置後，配置於金屬箔5b上。然後，使用照相機由上方檢測形成於預浸片1b之對向部之雙面基板10上面之積層辨識用圖案13a、13b，進行影像處理後求取重心，並將雙面基板10朝X、Y、θ方向移動，定位為預浸片1b之積層辨識記號用貫通孔7a、7b後配置於預浸片1b上。
未填充導電性糊4之積層辨識記號用貫通孔7a、7b的加工壁形成有變質層，貫通孔的輪廓變得更清楚，且積層辨識記號用貫通孔之檢測安定，1000片製作出之樣品無辨識錯誤。
本實施形態中，係使用照相機由上方檢測雙面基板10上面之積層辨識用圖案13a、13b，但亦可使用照相機由下方檢測雙面基板10下面之積層辨識用圖案13a、13b。
又，如第8C圖所，求取形成於雙面基板10之積層辨識用圖案13a、13b之對向部所形成之未填充有導電性糊4之預浸片1a的積層辨識記號用貫通孔7a、7b之重心。然後，將預浸片1a朝X、Y、θ方向移動，並定位於雙面基板10之積層辨識用圖案13a、13b後配置於雙面基板10上。
其次，如第8D圖所示，於預浸片1a上配置金屬箔5a，並使用熱壓進行加熱加壓，藉此使之成型硬化後，將預浸片1a與金屬箔5a、5b接著，並且壓縮導電性糊4。藉此，表面與裏面之金屬箔5a、5b可藉由設置於填充於預定位置之 貫通孔3之導電性糊4而與雙面基板10之電路圖案12a、12b電性連接。
其次，以X線經由金屬箔5a、5b來檢測形成於預浸片1a、1b之X線辨識記號用貫通孔8a、8b，且如第8E圖所示，使用鑽孔機等，於X線辨識記號用貫通孔8a、8b之重心形成曝光用貫通孔9a，9b。
然後，如第8F圖所示，將曝光用貫通孔9a、9b與曝光膜定位(未圖示)，以照相顯像法等形成預定之抗蝕圖案，並使用氯化銅等之藥液而選擇性地進行蝕刻，形成電路圖案12a、12b，藉此得到4層基板20。
第9A圖及第9B圖係本實施形態中使用於多層電路基板之製造方法之導電性糊填充前及導電性糊填充後之辨識記號之重心之截面。如第9A圖所示，由於藉以未填充導電性糊4之貫通孔7a、7b形成積層辨識記號，即使雷射光歪斜而對積層辨識記號用貫通孔7a、7b加工，透過光的影像會成為最小徑部，因此不會受到雷射光歪斜的影響。因此，則沒有習知在填充導電性糊4形成辨識記號時產生入射側與出射側的重心偏離的問題。
又，藉由在積層辨識記號的附近形成使用於熱壓後之X線辨識記號用貫通孔8a、8b，可防止與積層辨識記號的位置精確度降低。進而，如第9A圖、第9B圖所示，積層辨識記號用貫通孔7a、7b的重心17a、與在X線之X線辨識記號用貫通孔8a、8b的重心17b之位置係在貫通孔的同一處求得，因此也可改善積層時與在X線的重心偏離。
又，積層辨識記號用貫通孔7a、7b未填充有導電性糊4，因此當貫通孔徑變小時，貫通孔容易殘留殘屑或預浸片之樹脂粉等。因此，在使用透過光以照相機檢測時，孔徑會變小，重心位置會偏離，定位精確度降低。因此，積層辨識記號用貫通孔3a、3b徑宜作成殘屑或預浸片之樹脂粉容易脫落之孔徑。
因此，在本實施形態中，預浸片的厚度係相對於100 μm，貫通孔徑作成約300 μm。可是，貫通孔徑只要配合預浸片的物性或雷射加工法來設定即可。又，積層辨識記號用貫通孔在雷射加工時，照射多數次雷射光，重疊雷射光徑對一個貫通孔加工後，以雷射之加工熱使預浸片中的樹脂成分碳化等形成變色層者，較容易檢測出積層辨識記號的輪廓。
又，本實施形態中，係說明4層基板之製造方法，但完成之基板20進一步作為內層基板，且於表面與裏面定位配置本發明所製作之預浸片1a、1b與金屬箔5a、5b，反覆進行熱壓及電路形成，藉此可得到任意之多層基板。
又，本實施形態中，係於電路基板10的表面與裏面配置預浸片1a、1b與金屬箔5a、5b，即使構成為於預浸片1a、1b之表面與裏面配置電路基板10亦可得到本發明之效果。
又，雖然係使用導電糊作為層間連接機構作說明，但導電性糊除了將銅粉等導電性粒子混合於含有硬化劑之熱硬化性樹脂者之外，亦可利用導電性粒子與在熱壓時排出基板材料中等適當黏度之高分子材料、或者溶劑等混練而 成者等多種組成。
【產業上之可利用性】
如上所述，根據本發明，內層基板與預浸片之間的一致性優異，導性糊之層間連接機構進行之電性連接可以穩定的高品質進行，因此對於電路基板的製造方法等係有用的。
1,1a,1b,21,21a,22b‧‧‧預浸片
2a,2b,22a,22b‧‧‧離型膜
3,3a,23‧‧‧貫通孔
4,24‧‧‧導電性糊
5a,5b,25a,25b‧‧‧金屬箔
6‧‧‧橡膠滾軸
7,7a,7b‧‧‧積層辨識記號用貫通孔
8a,8b‧‧‧X光辨識記號用貫通孔
9a,9b,29a,29b‧‧‧曝光用貫通孔
10,30‧‧‧雙面基板
11‧‧‧光罩
12a,12b‧‧‧電路圖案
13a,13b,33a,33b‧‧‧積層用辨識圖案
14a,14b‧‧‧X光辨識用圖案
15‧‧‧填充區域
16‧‧‧雷射光
17,17a,17b,37a,37b‧‧‧重心
18‧‧‧變質層
27a,27b‧‧‧辨識記號用貫通孔
32a,32b‧‧‧電路圖案
40‧‧‧4層基板
第1A圖係顯示本發明之一實施形態中電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第1B圖係顯示同實施形態中電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第1C圖係顯示同實施形態中電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第1D圖係顯示同實施形態中電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第1E圖係顯示同實施形態中電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第1F圖係顯示同實施形態中電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第1G圖係顯示同實施形態中電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第1H圖係顯示同實施形態中電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第2圖係顯示同實施形態中辨識記號之位置之平面圖。
第3A圖係顯示同實施形態中辨識用貫通孔之加工方法之平面圖。
第3B圖係顯示同實施形態中辨識用貫通孔之加工方法之截面圖。
第4圖係顯示同實施形態中之辨識記號之平面圖。
第5圖係顯示對應於同實施形態中於貫通孔加工後之截面及平面之圖。
第6A圖係顯示同實施形態中，貫通孔在導電性糊填充後之截面圖。
第6B圖係顯示同實施形態中，貫通孔未填充導電性糊之貫通孔的截面圖。
第7圖係同實施形態中使用導電性糊之其他貫通孔之截面圖。
第8A圖係顯示同實施形態中，多層電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第8B圖係顯示同實施形態中，多層電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第8C圖係顯示同實施形態中，多層電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第8D圖係顯示同實施形態中，多層電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第8E圖係顯示同實施形態中，多層電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第8F圖係顯示同實施形態中，多層電路基板之製造方 法的步驟之截面圖。
第9A圖係顯示同實施形態中，多層電路基板之製造方法所使用之導電性糊填充前之辨識記號的重心之截面圖。
第9B圖係顯示同實施形態中，多層電路基板之製造方法所使用之導電性糊填充後之辨識記號的重心之截面圖。
第10A圖係顯示習知例之雙面電路基板之製造方法的步驟之截面圖。
第10B圖係顯示同雙面電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第10C圖係顯示同雙面電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第10D圖係顯示同雙面電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第10E圖係顯示同雙面電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第10F圖係顯示同雙面電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第10G圖係顯示同雙面電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第10H圖係顯示同雙面電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第11圖係習知例之離型膜剝離後之貫通孔之截面圖。
第12A圖係顯示習知例之多層電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第12B圖係顯示同多層電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第12C圖係顯示同多層電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第12D圖係顯示同多層電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第12E圖係顯示同多層電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第12F圖係顯示同多層電路基板之製造方法之步驟之截面圖。
第13圖係顯示習知例之對應於貫通孔加工後之截面及平面之圖。
第14圖係顯示習知例知辨識記號之截面圖。
第15圖係顯示習知例之其他例之辨識記號之平面圖。
1‧‧‧預浸片
2a,2b‧‧‧離型膜
3‧‧‧貫通孔
4‧‧‧導電性糊
5a,5b‧‧‧金屬箔
6‧‧‧橡膠輥軸
7a,7b‧‧‧積層辨識記號用貫通孔
8a,8b‧‧‧X光辨識記號用貫通孔
9a,9b‧‧‧曝光用貫通孔
10‧‧‧雙面基板
11‧‧‧光罩
12a,12b‧‧‧電路圖案
13a,13b‧‧‧積層用辨識圖案
14a,14b‧‧‧X光辨識用圖案

Claims (6)

  1. 一種電路基板之製造方法，包含有以下步驟：將離型膜貼附於預浸片之表面與裏面；於前述預浸片，形成層間連接用之第1貫通孔、辨識記號用之第2貫通孔及辨識記號用之第3貫通孔；於前述第1貫通孔、前述第2貫通孔及前述第3貫通孔填充導電性填充材；以前述導電性填充材殘存於前述第2貫通孔表面的方式由前述第2貫通孔除去前述導電性填充材，及由前述預浸片剝離前述離型膜。
  2. 如申請專利範圍第1項之電路基板之製造方法，其中前述第2貫通孔的孔徑比前述第1貫通孔之孔徑大。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之電路基板之製造方法，包含有以下步驟：準備具有電路圖案及積層辨識用圖案之內層基板與金屬箔；檢測並定位前述第3貫通孔與前述第2貫通孔、及前述內層基板之積層辨識用圖案，且將前述預浸片配置於前述內層基板上；將前述金屬箔大略定位且配置於前述預浸片上後，以熱壓機進行加熱加壓；及檢測前述第3貫通孔，於前述內層基板與前述金屬箔以及前述預浸片形成曝光用貫通孔。
  4. 如申請專利範圍第3項之電路基板之製造方法，其中前述第2貫通孔及前述第3貫通孔與前述內層基板之積層 辨識用圖案的檢測及定位係利用相機檢測並進行影像處理。
  5. 如申請專利範圍第3項之電路基板之製造方法，其中檢測前述第3貫通孔，形成前述曝光用貫通孔之步驟係利用X光檢測出前述第3貫通孔，並於前述第3貫通孔之重心進行鑽孔加工。
  6. 如申請專利範圍第1項之電路基板之製造方法，其中前述第1貫通孔與前述第2貫通孔及前述第3貫通孔係將雷射光照射於前述預浸片而形成。
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