JPH0350890A - プリント基板のスルホール導体化方法 - Google Patents
プリント基板のスルホール導体化方法Info
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Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、プリント基板両側面の回路を接続するための
スルホール導体化方法に関する。
スルホール導体化方法に関する。
［従来の技術〕
従来のプリント基板の導体化方法としては、第２図に示
す公知の方法がある。第２図は、その工程順の模式的断
面図を示す。
す公知の方法がある。第２図は、その工程順の模式的断
面図を示す。
同図において、絶縁材料２の両側面に銅箔１を有するプ
リント基板（２ａ）をドリルにより孔明けしく２ｂ）、
無電解銅メッキにより孔内壁に銅皮膜５を形成しく２ｃ
）、この皮膜を電気メッキの析出反応の電極として電気
メッキ４することにより孔（スルホール）内壁を導体化
していた。
リント基板（２ａ）をドリルにより孔明けしく２ｂ）、
無電解銅メッキにより孔内壁に銅皮膜５を形成しく２ｃ
）、この皮膜を電気メッキの析出反応の電極として電気
メッキ４することにより孔（スルホール）内壁を導体化
していた。
ところが、上記の従来例のスルホール内壁に銅メッキを
施す工程においては以下の問題点があった。
施す工程においては以下の問題点があった。
１）無電解銅メッキ液は高価なキレート剤を使用し寿命
も短いため建浴、更新に費用がかかる。
も短いため建浴、更新に費用がかかる。
２）無電解メッキ及びその前処理の管理が複雑で難しい
ため歩留まりが悪い。
ため歩留まりが悪い。
３）メッキ液が高アルカリ性かつ不安定であるため、耐
アルカリ性の設備とし、かつ分解を防止するような液循
環機構、エアレーション機構及び補給機構を備えた設備
が必要であり、設備費が高額となる。
アルカリ性の設備とし、かつ分解を防止するような液循
環機構、エアレーション機構及び補給機構を備えた設備
が必要であり、設備費が高額となる。
４）無電解銅メッキの反応に伴って発生する水素ガスが
微小孔になるほど抜けにくく、析出不良が生じる。
微小孔になるほど抜けにくく、析出不良が生じる。
本発明は、上記の無電解メッキの諸問題点を解消し、工
程を短縮することを目的とする。
程を短縮することを目的とする。
〔課題を解決するための手段］
上記の課題を解決するために、本発明のプリント基板の
スルホール導体化方法は、絶縁材料の両側面に銅箔を積
層してなるプリント基板をレーザを用いて孔明けし、前
記孔明は時に形成される孔内壁の導電性皮膜を電気メッ
キの析出反応の電極として電気メッキすることを特徴と
する。
スルホール導体化方法は、絶縁材料の両側面に銅箔を積
層してなるプリント基板をレーザを用いて孔明けし、前
記孔明は時に形成される孔内壁の導電性皮膜を電気メッ
キの析出反応の電極として電気メッキすることを特徴と
する。
さらに、本発明の具体的手段としては、前記本発明のプ
リント基板のスルホール導体化方法において、前記絶縁
材料が有機系絶縁樹脂を含んでなることを特徴とし、前
記レーザとして赤外〜遠赤外の波長を有するレーザな用
いることを特徴とし、前記レーザとしてパルス発振レー
ザな用いたことを特徴とし、前記孔明は時に形成される
孔内壁の導電性皮膜が樹脂の不完全燃焼によって生じた
炭素分であることを特徴とする。
リント基板のスルホール導体化方法において、前記絶縁
材料が有機系絶縁樹脂を含んでなることを特徴とし、前
記レーザとして赤外〜遠赤外の波長を有するレーザな用
いることを特徴とし、前記レーザとしてパルス発振レー
ザな用いたことを特徴とし、前記孔明は時に形成される
孔内壁の導電性皮膜が樹脂の不完全燃焼によって生じた
炭素分であることを特徴とする。
プリント基板のスルホール導体化方法において、無電解
銅メッキを必要とする理由は、スルホール内壁の絶縁材
表面を導体化し、これを次工程の電気メッキの電極とす
る必要があるためである。通常のドリルによる孔明は加
工によれば、スルホール内壁に導電性皮膜が生じないた
め、電気メッキ加工するにあたり、スルホール内壁に無
電解銅メッキを施す必要がある。
銅メッキを必要とする理由は、スルホール内壁の絶縁材
表面を導体化し、これを次工程の電気メッキの電極とす
る必要があるためである。通常のドリルによる孔明は加
工によれば、スルホール内壁に導電性皮膜が生じないた
め、電気メッキ加工するにあたり、スルホール内壁に無
電解銅メッキを施す必要がある。
ところが、上記本発明のレーザを用いた孔明は加工は熱
分解反応による加工であるため、当該加工をすることに
よりスルホール内壁に導電性皮膜を形成することにより
、プリント基板の両側面の銅箔とスルホール内壁とは電
気的に導電化されているため、前記スルホール内壁を電
気メッキの析出反応の電極としてスルホール内壁に電気
メッキ加工を施すことが可能となる。
分解反応による加工であるため、当該加工をすることに
よりスルホール内壁に導電性皮膜を形成することにより
、プリント基板の両側面の銅箔とスルホール内壁とは電
気的に導電化されているため、前記スルホール内壁を電
気メッキの析出反応の電極としてスルホール内壁に電気
メッキ加工を施すことが可能となる。
本発明のレーザとしては、熱分解反応を伴う方式として
、ＣＯ，レーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等が使
用できる。これらのレーザビームの特徴としては、第３
図（ａ）に示すようなエネルギー密度の分布を持ってい
るため、与えられるエネルギーの量はスルホール内壁部
分が中心部分に比べて高エネルギーである。従って、銅
メッキ及び絶縁基材は分解、燃焼、溶融して飛散するが
、スルホール内壁部分は不十分なエネルギーしか得られ
ず、又熱対流も中心部より小さいため、燃焼に必要な酸
素の補給も不十分となり、結果として導電性の不完全燃
焼の炭化物皮膜３（第３図（ｂ）〜（ｄ））が形成され
る。
、ＣＯ，レーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等が使
用できる。これらのレーザビームの特徴としては、第３
図（ａ）に示すようなエネルギー密度の分布を持ってい
るため、与えられるエネルギーの量はスルホール内壁部
分が中心部分に比べて高エネルギーである。従って、銅
メッキ及び絶縁基材は分解、燃焼、溶融して飛散するが
、スルホール内壁部分は不十分なエネルギーしか得られ
ず、又熱対流も中心部より小さいため、燃焼に必要な酸
素の補給も不十分となり、結果として導電性の不完全燃
焼の炭化物皮膜３（第３図（ｂ）〜（ｄ））が形成され
る。
この現象は、用いられるレーザとして光子エネルギーレ
ベルが高い場合には、樹脂の結合を単分子レベルまで分
離飛散させてしまうが、光子エネルギーレベルが低い場
合には、樹脂の結合を化学的に解離させるには至らず、
主に温度上昇による溶融飛散となるため、加工部周辺は
熱伝導による温度下降が生じ飛散しきれずに不完全燃焼
となり炭化物皮膜が形成されやすい。
ベルが高い場合には、樹脂の結合を単分子レベルまで分
離飛散させてしまうが、光子エネルギーレベルが低い場
合には、樹脂の結合を化学的に解離させるには至らず、
主に温度上昇による溶融飛散となるため、加工部周辺は
熱伝導による温度下降が生じ飛散しきれずに不完全燃焼
となり炭化物皮膜が形成されやすい。
以上のようにして、次工程の電気メッキの電極として十
分な導電性を持った皮膜を得ることができる。
分な導電性を持った皮膜を得ることができる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１：
第１図は、本実施例によるプリント基板のスルホール導
電化方法を工程順に示した基板の模式的断面図である。
電化方法を工程順に示した基板の模式的断面図である。
厚さ０．６ｍｍのガラスエポキシ銅張り積層板（ｌａ図
：東芝ケミカルズ社製、 ＴＬＣ−Ｗ−５５１）に炭酸
ガスレーザ（波長１０．６μｍ１シングルモード）をパ
ルス発振で照射し、ｌｂ図に示すような孔明は加工を行
なう。ここで用いた炭酸ガスレーザの照射条件としては
、連続発振で８００Ｗの設定で、パルスＯＮタイム０．
１ｍ５ｅｃとパルスＯＦＦタイム１００ｍ５ｅｃとで繰
り返し２０パルス／１孔行なった。これにより約１０〜
２０μｍの炭化物層３を有する径約２００μｍのスルホ
ール用孔を形成した。
：東芝ケミカルズ社製、 ＴＬＣ−Ｗ−５５１）に炭酸
ガスレーザ（波長１０．６μｍ１シングルモード）をパ
ルス発振で照射し、ｌｂ図に示すような孔明は加工を行
なう。ここで用いた炭酸ガスレーザの照射条件としては
、連続発振で８００Ｗの設定で、パルスＯＮタイム０．
１ｍ５ｅｃとパルスＯＦＦタイム１００ｍ５ｅｃとで繰
り返し２０パルス／１孔行なった。これにより約１０〜
２０μｍの炭化物層３を有する径約２００μｍのスルホ
ール用孔を形成した。
孔明けされた基板を所定の脱脂、活性化をした後、通常
の電気銅メッキ液（硫酸銅８０ｇ／β）を用いて、銅箔
２及び導電性皮膜３を陰極としてＩＡ／ｄｍ” １
時間の電気メッキを行なった。得られた基板を各孔毎に
切断し、両面胴間の導体抵抗を測定したところ、すべて
の孔について導体抵抗値が１０ｍΩ以下であり、スルホ
ールに完全な銅皮膜４が形成された。
の電気銅メッキ液（硫酸銅８０ｇ／β）を用いて、銅箔
２及び導電性皮膜３を陰極としてＩＡ／ｄｍ” １
時間の電気メッキを行なった。得られた基板を各孔毎に
切断し、両面胴間の導体抵抗を測定したところ、すべて
の孔について導体抵抗値が１０ｍΩ以下であり、スルホ
ールに完全な銅皮膜４が形成された。
実施例２：
実施例１と同様の基板にＹＧＡレーザにより同様に孔明
は加工を行なった。ＹＧＡレーザの照射条件としては連
続発振で５００Ｗの設定でパルスＯＮタイム１ｍ５ｅｃ
、パルスＯＦＦタイム１００ｍ Ｓｅｃで繰り返し、２
０パルス／１孔行なった。
は加工を行なった。ＹＧＡレーザの照射条件としては連
続発振で５００Ｗの設定でパルスＯＮタイム１ｍ５ｅｃ
、パルスＯＦＦタイム１００ｍ Ｓｅｃで繰り返し、２
０パルス／１孔行なった。
これにより、約４０〜５０μｍの炭化物層を有する径約
１５０μｍのスルホール用孔を形成した。
１５０μｍのスルホール用孔を形成した。
孔明けされた基板を実施例１と同様に処理し電気メッキ
を行なったところ、実施例と同様にすべての孔について
導体抵抗値は１０ｍΩ以下であり、スルホールに完全な
銅皮膜が形成された。
を行なったところ、実施例と同様にすべての孔について
導体抵抗値は１０ｍΩ以下であり、スルホールに完全な
銅皮膜が形成された。
以上説明したように、本発明によれば、以下の効果を有
する。
する。
１）無電解銅メッキを使用していないため工程を短縮で
きコストダウンができる。
きコストダウンができる。
２）孔明けと同時にスルホール内壁を導電化するため、
スルホール導電化の不良が生じない。
スルホール導電化の不良が生じない。
３）スルホール内壁を導電化するための新たな設備を必
要としないため、経済的である。
要としないため、経済的である。
第１図は、本発明の実施例によるプリント基板のスルホ
ール導電化方法を工程順に示した基板の模式的断面図で
ある。 第２図は、従来のプリント基板の導体化方法を示す模式
的断面図である。 第３図は、本発明の孔明けの状態を示す模式的断面図で
ある。 ・・・絶縁体 ・・・銅箔 ・・・導電性皮膜 ・・・電気メッキ皮膜 ・・・無電解銅メッキ膜 ・・・レーザビーム
ール導電化方法を工程順に示した基板の模式的断面図で
ある。 第２図は、従来のプリント基板の導体化方法を示す模式
的断面図である。 第３図は、本発明の孔明けの状態を示す模式的断面図で
ある。 ・・・絶縁体 ・・・銅箔 ・・・導電性皮膜 ・・・電気メッキ皮膜 ・・・無電解銅メッキ膜 ・・・レーザビーム
Claims (5)
- （１）絶縁材料の両側面に銅箔を積層してなるプリント
基板をレーザを用いて孔明けし、前記孔明け時に形成さ
れる孔内壁の導電性皮膜を電気メッキの析出反応の電極
として電気メッキすることを特徴とするプリント基板の
スルホール導体化方法。 - （２）前記絶縁材料が有機系絶縁樹脂を含んでなること
を特徴とする請求項１記載のプリント基板のスルホール
導体化方法。 - （３）前記レーザとして赤外〜遠赤外の波長を有するレ
ーザを用いることを特徴とする請求項１記載のプリント
基板のスルホール導体化方法。 - （４）前記レーザとしてパルス発振レーザを用いたこと
を特徴とする請求項１記載のプリント基板のスルホール
導体化方法。 - （５）前記孔明け時に形成される孔内壁の導電性皮膜が
樹脂の不完全燃焼によって生じた炭素分であることを特
徴とする請求項１記載のプリント基板のスルホール導体
化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18473389A JPH0350890A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | プリント基板のスルホール導体化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18473389A JPH0350890A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | プリント基板のスルホール導体化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0350890A true JPH0350890A (ja) | 1991-03-05 |
Family
ID=16158414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18473389A Pending JPH0350890A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | プリント基板のスルホール導体化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0350890A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006041376A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置の製造方法 |
| JPWO2008111309A1 (ja) * | 2007-03-14 | 2010-06-24 | パナソニック株式会社 | 認識マークおよび回路基板の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6197995A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | ソニー株式会社 | スル−ホ−ル型配線基板の製法 |
| JPS61136976A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-24 | 株式会社日立製作所 | 非酸化物系セラミツクス基板への電気回路形成方法 |
-
1989
- 1989-07-19 JP JP18473389A patent/JPH0350890A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6197995A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | ソニー株式会社 | スル−ホ−ル型配線基板の製法 |
| JPS61136976A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-24 | 株式会社日立製作所 | 非酸化物系セラミツクス基板への電気回路形成方法 |
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| JP4596846B2 (ja) * | 2004-07-29 | 2010-12-15 | 三洋電機株式会社 | 回路装置の製造方法 |
| JPWO2008111309A1 (ja) * | 2007-03-14 | 2010-06-24 | パナソニック株式会社 | 認識マークおよび回路基板の製造方法 |
| JP5035249B2 (ja) * | 2007-03-14 | 2012-09-26 | パナソニック株式会社 | 回路基板の製造方法 |
| TWI412315B (zh) * | 2007-03-14 | 2013-10-11 | Panasonic Corp | Circuit board manufacturing method |
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