SE442124B - Forfarande for elektrokemisk metallisering av ett dielektrikum samt aktiveringslosning for anvendning hervid - Google Patents
Forfarande for elektrokemisk metallisering av ett dielektrikum samt aktiveringslosning for anvendning hervidInfo
- Publication number
- SE442124B SE442124B SE8101066A SE8101066A SE442124B SE 442124 B SE442124 B SE 442124B SE 8101066 A SE8101066 A SE 8101066A SE 8101066 A SE8101066 A SE 8101066A SE 442124 B SE442124 B SE 442124B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- solution
- copper
- dielectric
- metallization
- electrochemical
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 69
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 title claims description 67
- 230000004913 activation Effects 0.000 title claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 31
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 12
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 11
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 claims description 11
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 8
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M phosphinate Chemical compound [O-][PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 6
- 229910000318 alkali metal phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 4
- GHPYJLCQYMAXGG-WCCKRBBISA-N (2R)-2-amino-3-(2-boronoethylsulfanyl)propanoic acid hydrochloride Chemical compound Cl.N[C@@H](CSCCB(O)O)C(O)=O GHPYJLCQYMAXGG-WCCKRBBISA-N 0.000 claims 1
- VYOZKLLJJHRFNA-UHFFFAOYSA-N [F].N Chemical compound [F].N VYOZKLLJJHRFNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 32
- 230000008569 process Effects 0.000 description 28
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 25
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 24
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 11
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 7
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 7
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 6
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 6
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 6
- 229920001875 Ebonite Polymers 0.000 description 5
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 5
- 239000002196 Pyroceram Substances 0.000 description 4
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- -1 palladium hydride Chemical class 0.000 description 4
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001380 potassium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 4
- CRGPNLUFHHUKCM-UHFFFAOYSA-M potassium phosphinate Chemical compound [K+].[O-]P=O CRGPNLUFHHUKCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 4
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SONJTKJMTWTJCT-UHFFFAOYSA-K rhodium(iii) chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Rh+3] SONJTKJMTWTJCT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 4
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011111 cardboard Substances 0.000 description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 3
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 3
- RGZGHMSJVAQDQO-UHFFFAOYSA-L copper;selenate Chemical compound [Cu+2].[O-][Se]([O-])(=O)=O RGZGHMSJVAQDQO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 3
- HBRNMIYLJIXXEE-UHFFFAOYSA-N dodecylazanium;acetate Chemical compound CC(O)=O.CCCCCCCCCCCCN HBRNMIYLJIXXEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910000160 potassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000011009 potassium phosphates Nutrition 0.000 description 3
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 2
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L potassium sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L 0.000 description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 2
- 229910000162 sodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100461919 Homo sapiens OR51E1 gene Proteins 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100025127 Olfactory receptor 51E1 Human genes 0.000 description 1
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 1
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- GJYJYFHBOBUTBY-UHFFFAOYSA-N alpha-camphorene Chemical compound CC(C)=CCCC(=C)C1CCC(CCC=C(C)C)=CC1 GJYJYFHBOBUTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001377 aluminum hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XNEQAVYOCNWYNZ-UHFFFAOYSA-L copper;dinitrite Chemical compound [Cu+2].[O-]N=O.[O-]N=O XNEQAVYOCNWYNZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N dinuclear copper ion Chemical compound [Cu].[Cu] ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011790 ferrous sulphate Substances 0.000 description 1
- 235000003891 ferrous sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000008098 formaldehyde solution Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- GQZXNSPRSGFJLY-UHFFFAOYSA-N hydroxyphosphanone Chemical compound OP=O GQZXNSPRSGFJLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940005631 hypophosphite ion Drugs 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 description 1
- 239000011087 paperboard Substances 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical class O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 150000003283 rhodium Chemical class 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 1
- 230000002226 simultaneous effect Effects 0.000 description 1
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 1
- RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J tetrapotassium;phosphonato phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride (anhydrous) Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sn+2] AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/08—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1605—Process or apparatus coating on selected surface areas by masking
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1655—Process features
- C23C18/1664—Process features with additional means during the plating process
- C23C18/1667—Radiant energy, e.g. laser
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1675—Process conditions
- C23C18/1678—Heating of the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1675—Process conditions
- C23C18/168—Control of temperature, e.g. temperature of bath, substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
- C23C18/40—Coating with copper using reducing agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
- C23C18/165—Multilayered product
- C23C18/1653—Two or more layers with at least one layer obtained by electroless plating and one layer obtained by electroplating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
- C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
- C23C18/1886—Multistep pretreatment
- C23C18/1893—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/2006—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
- C23C18/2046—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by chemical pretreatment
- C23C18/2073—Multistep pretreatment
- C23C18/2086—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/02—Heating or cooling
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/46—Electroplating: Baths therefor from solutions of silver
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/422—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroless plating method; pretreatment therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/423—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method
- H05K3/424—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method by direct electroplating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
- Y02T50/00—Aeronautics or air transport
- Y02T50/60—Efficient propulsion technologies, e.g. for aircraft
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S205/00—Electrolysis: processes, compositions used therein, and methods of preparing the compositions
- Y10S205/918—Use of wave energy or electrical discharge during pretreatment of substrate or post-treatment of coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Description
8101066-2 (jämför exempelvis de amerikanska patentskrifterna 3.515.649, 3.553.085, 3.764.488 och 3.563.784).
En lösning för elektrokemisk metallisering av dielektrika är vi- dare känd, vilken är avsedd att användas för ytaktivering före kemisk metallisering (jämför exempelvis den amerikanska patent- skriften 3.650.913) 2 per liter, 40-200 ml H2SO4 per liter, 30-50 g SnCl2 per liter och -50 ml HCl per liter.
Denna kända lösning innehåller 0,5-1 g PdCl En kombination av lösningar för elektrokemisk metallisering av ge- nomgångshâl i tryckta kretsar av flera skikt är dessutom känd, vilken skiljer sig från ovan nämnda kända kombinationer av lös- ningar genom att man ytterligare, före aktivering av ytan hos hå- lens väggar, använder en saltsyralösning av rodiumklorid, vilken lösning innehåller 4,5-5 g rodiumklorid per liter och 200-250 ml saltsyra per liter (jämför exempelvis det sovjetryska uppfinnar- centifikatet 470 940).
Samtliga kända lösningar för elektrokemisk metallisering innehål- ler sådana dyrbara och svårtillgängliga ämnen som salter av ädel- metaller (exempelvis palladium, guld, silver, platina, rodium) och stabiliseringsmedel, exempelvis citronsyra och Seignete-salt.
Samtliga kända lösningar för elektrokemisk metallisering har låg stabilitet, varför de ofta måste korrigeras och bytas ut. Ej hel- ler säkerställer dessa kända lösningar pâförande av kemiska be- läggningar med hög kvalitet och hög reproducerbarhet.
En lösning för elektrokemisk metallisering av dielektrika är yt- terligare känd (jämför exempelvis det sovjetryska uppfinnarcerti- fikatet 159 368), vilken lösning har följande sammansättning i g/liter: 35-40 kopparsalt (omräknat till metalliskt koppar), 450- 500 kaliumpyrofosfat, 3-6 ammoniak och 10-20 citronsyra. Denna kända lösning uppvisar låg aktiveringsförmåga med avseende på di- elektrika, varför den inte säkerställer den önskade kvaliteten hos ett elektriskt ledande skikt, som är avsett för galvanisk s.k. tillväxt av en metallbeläggning på dielektrikumytan.
Olika, i praktiken ofta användbara förfaranden för elektroke- misk metallisering av dielektrika är dessutom kända. 8101066-2 Ett känt förfarande för elektrokemisk metallisering av dielektri- ka består exempelvis i att ytan avfettas och spolas med vatten, varefter den - innan påförandet av ett ledande skikt påbörjas - aktiveras genom behandling av ytan med en tennkloridlösning, spol- ning, behandling med en palladiumkloridlösning och spolning.
Aktiveringen resulterar i att vid ytan avsättes partiklar av me- talliskt palladium, vilka fungerar som inítieringsmedel för det kemiska påförandet av en kopparbeläggning. Genom kemisk förkopp- ring alstras ett ledande skikt på dielektrikumets yta. Efter sköljning låter man en beläggning med erforderlig tjocklek galva- niskt tillväxa. Detta kända förfarande omfattar alltså följande följd av operationer eller processteg: avfettning, sköljning, ak- tivering, påförande av ett strömledande skikt (genom kemisk för- koppring), sköljning, galvaniskt påförande av beläggningen (jämför exempelvis det sovjetryska uppfinnarcertifikatet 240 061).
Ett andra känt förfarande för elektrokemisk metallisering av di- elektrika skiljer sig från det ovan beskrivna förfarandet genom att ytan aktiveras under användning av en kombinerad lösning av tennklorid och palladiumklorid, vilket gör det möjligt att förena sensibiliserings- och aktiveringsoperationer till en enda opera- tion och eliminera den ena sköljningen (jämför exempelvis den ame- rikanska patentskriften 3.650.913).
Samtliga kända förfaranden för elektrokemisk metallisering av di- elektrika är komplicerade att genomföra, eftersom de omfattar ett stort antal processteg, kräver lång processtid, medför behovet av att bereda och ofta komplettera instabila tennkloridlösningar, kombinerade aktiveringslösningar och lösningar för kemisk metal- lisering samt behovet att utnyttja avfallsprodukter från dyrbara metaller såsom palladium och rodium, medför en avsevärd arbetsin- sats och ger dâlig reproducerbarhet för de kemiska metalliserings- förloppen. Dessa kända förfaranden är dessutom baserade på använd- ning av sådana ekonomiskt ofördelaktiga och svårtillgängliga ämnen som palladium-, guld-, silver-, platina- och rodiumsalter, citron- syra, Seignete-salt etc.
Ytterligare ett förfarande för elektrokemisk metallisering av dielektrika är känt från den amerikanska patentskriften 3.930.963.
Detta förfarande omfattar: 8101066-2 (a) behandling med en saltlösning av ett reducerbart metallsalt, en bestrålningskänslig substans och ett sekundärt reduktions~ medel; (b) exponering för erhållande av metalliska kärnor i form av ett icke-ledande mönster; (c) tvättning; (d) kemisk kopparplätering för bildning av ett ledande mönster.
I den amerikanska patentskriften 3.716.462 anges i tabellen "Water baths for non-electrolysis precipitation of copper on zinc and zinc alloys“ att lösningarna använda för detta ändamål innehåller kopparsalter i mängder från 10 till 30 g/l (med undantag av det fall då kopparacetat användes i en mängd av 40 g/l) och natrium- hypofosfit i en mängd av 10-20 g/l. I den svenska patentansöknin- gen 7903341-1 (tabell på sid. 17) innehåller lösningarna kopparsal- ter i en mängd av 0,240 M eller 40 g/l och natriumhypofosfit i en mängd av 0,340 M eller 36 g/l. Dessa koncentrationer är mycket låga.
Lösningarna är avsedda för kemisk kopparplätering (operation "d").
Anbringande därav är möjligt antingen för metallisering av dielekt- rikumets yta vid användning av de föregående operationerna a, b, c eller för metallisering av en metallyta.
Ett förfarande för elektrokemisk metallisering är vidare känt, som är avsett att användas vid metallisering av väggarna hos genomgângs- hål i tryckta flerskiktskretskort och som skiljer sig från de ovan beskrivna metalliseringsförfarandena genom att detta förfarande ytterligare omfattar ytbehandling i en saltsyralösning av rodium- klorid efter avfettnings- och sköljningsstegen. Vid ytbehandlingen eftersträvas följande syften. Om metalliseringen genomföres medelst det ovan beskrivna förfarandet, utfälles genom kontakt en film av metalliskt palladium på ändytorna av kontaktytor av koppar, när hålväggarna behandlas i en lösning av palladiumklorid. Vid fram- ställningen och användningen av det tryckta kretskortet absorberar palladiumfilmen effektivt väte, varigenom den omvandlas till palla- diumhydrid, som är ett sprött, elektriskt icke-ledande material, varför den mekaniska och elektriska kontakten störes och det tryck- ta kretskortet blir funktionsodugligt. Införandet av behandlings- steget för hålväggarna i en lösning av rodiumklorid gör det möjligt att utfälla en skyddsfilm av metalliskt rodium på en kopparfolies ändytor, vilken skyddsfilm förhindrar att palladiumfilmen bildas ..,_._._-.._...._..__..._.._._...._.._. .. _ .__.7__._-_-__....._. V 8101866-2 vid efterföljande processteg (jämför exempelvis det sovjetryska uppfinnarcertifikatet 470 940).
Detta kända förfarande omfattar liksom samtliga kända metallise- ringsförfaranden ett stort antal processteg, kräver lång process- tid och gör det nödvändigt att korrigera instabila lösningar av tennklorid, kombinerade aktiveringslösningar och lösningar för ke- misk metallisering samt att utnyttja avfallsprodukter från sådana dyrbara metaller som palladium och rodium. Ej heller tillförsäk- rar detta kända förfarande hög funktionssäkerhet hos förbindelsen mellan skikt i tryckta kretskort, eftersom vidhäftningshållfast- heten för metalliseringsskiktet vid hâlväggens dielektriska yta endast möjliggör tre- till femdubbel omlödning av hålen.
Det huvudsakliga syftet med föreliggande uppfinning är att genom lämpligt val av sammansättning för en lösning för elektrokemisk metallisering av dielektrika samt genom ändring av processtegen vid förfarandet för elektrokemisk metallisering öka lösningens ak- tiveringsförmåga, förenkla processtekniken för elektrokemisk me- tallisering av dielektrika och öka vidhäftningsförmågan för me- tallskiktet vid dielektrikumets yta.
Detta uppnås enligt föreliggande uppfinning medelst ett förfaran- de för elektrokemisk metallisering av ett dielektrikum, vilket omfattar aktivering av ytan och alstrande av ett etrömledande kopparskikt på dielektrikumets yta åtföljt av elektrokemisk pläte- ring av en metallbeläggning, vilket kännetecknas av att man akti- verar genom vätning av dielektrikumets yta med en lösning som in- nehåller kopparsalt 35-350 g/l hypofosfit 35-400 g/l stabiliseringsmedel 0,004-250 g/l vatten upp till 1 liter och eventuellt innehåller alkalimetallfosfat i en mängd av 1-14 g/l och/eller ammoniumfluorid i en mängd av 2-36 g/l, och därefter värmebehandlar vid en temperatur av 80-350oC för åstad- kommande av det strömledande kopparskiktet.
För elektrokemisk metallisering av ett dielektrium enligt uppfin- ningen kan man använda en aktiveringslösning enligt uppfinningen, 8101066-2 vilken innehåller ett kopparsalt, ett fosforhaltigt salt, ett stabiliseringsmedel och vatten, och vilken kännetecknas av att den såsom fosforhaltigt salt innehåller hypofosfit, varvid samt- liga beståndsdelar ingår med följande halter: kopparsalt 35-350 g/1 hypofosfit 35-400 g/l stabiliseringsmedel 0,004-250 g/l vatten upp till 1 liter.
För att metalliskt koppar mer likformigt skall kunna kristallisera vid dielektrikumets yta, kan lösningen ytterligare innehålla alka- limetallfosfat i en mängd av 1-14 g/liter. Lösningen för elektro- kemisk metallisering av dielektrika kan dessutom ytterligare inne- hålla ammoniumfluorid i en mängd av 2-36 g/liter. I närvaro av am- moniumfluoridtillsatsen kan det ledande skiktet alstras på dielekt- rikumets yta vid lägre temperatur. 7 Värmebehandlingen genomföras företrädesvis genom bestrålning med IR-strålar vid en temperatur av 220-270°C under en tid av 7-20 s.
Det är vidare lämpligt, att värmebehandlingen sker genom kombine- rad bestrålning med IR- och UV-strålar samtidigt vid en temperatur av 1eo-22o°c under en tia av 5-12 s.
För att öka det ledande skiktets elektriska ledningsförmåga kan man efter avslutad värmebehandling kemiskt, dvs strömlöst, för- koppra dielektrikumets yta.
Lösningen enligt uppfinningen för elektrokemisk metallisering av dielektrika uppvisar hög aktiveringsförmâga.
Förfarandet enligt uppfinningen gör det möjligt att förenkla pro- cesstekniken och öka vidhäftningsförmågan för metallskiktet vid dielektrikumytan. Lösningen och förfarandet enligt uppfinningen för elektrokemisk metallisering av dielektrika gör det möjligt att med högre kvalitet, jämfört med de kända lösningarna och för- farandena av detta slag, påföra beläggningar, isynnerhet vid elektrokemisk metallisering av genomgångshål i tryckta kretskort samt i ett antal fall, där de kända lösningarna och förfarandena inte är lämpliga, exempelvis vid metallisering av piczokeramiska material. åWíšlÜ66-2 Aktiveringslösningen enligt uppfinningen innehåller kopparjoner (ett kraftigt oxidationsmedel) och hypofosfitjoner (ett kraftigt reduktionsmedel). Som kopparsalter kan man använda godtyckliga i vatten lättlösliga kopparsalter, exempelvis kopparsulfat, koppar- selenat, kopparnitrat etc.
Som hypofosfiter användes sådana salter som natriumhypofosfit, ka- liumhypofosfit, aluminiumhypofosfit etc.
De enligt uppfinningen föreslagna inbördes mängdförhâllandena mel- lan samtliga beståndsdelar i lösningen bidrar till att lösningen får högsta möjliga aktiveringsförmåga. Lösningen enligt uppfinningen kan beredas genom konventionell upplösning av beståndsdelarna i nämnda ordningsföljd i destillerat vatten vid rumstemperatur.
För att förhindra att redoxreaktioner förlöper införes ett stabi- liseringsmedel i lösningen. Stabiliseringsmedlet för en dylik lös- ning kan utgöras av komplexbildare för kopparjoner, exempelvis trietylendiamin, etylendiamin, ammoniak, glycerol etc. Dessa komp- lexbildare verkar stabiliserande genom att de förhindrar att elekt- roner från hypofosfitjoner överföres till kopparjoner. Stabilise- ringsmedlen för en sådan lösning kan, å andra sidan, utgöras av yt- aktiva ämnen exempelvis dodecylaminacetat. Dylika stabiliseringsme~ del kan inte förhindra att elektroner från hypofosfitjoner direkt överföres till reduktionsmedelsjoner. Ett sådant överföringsförlopp är emellertid - även om det kan äga rum - till sin natur autokata- lytiskt, vilket med andra ord innebär att de alstrade partiklarna av metalliskt koppar bildar kärnor, som initierar och accelererar förloppet. Dylika ytaktiva ämnens stabiliserande verkan består i att dessa ämnen passiverar de i lösningen uppkommande kopparpar- tiklarna och förhindrar att redoxförloppet överföres till autoka- talytiska förhållanden.
Den koppar- och hypofosfitjonhaltiga lösningen är alltså i närva- ro av stabiliseringsmedel tämligen stabil vid rumstemperatur. Den är emellertid metastabil.
När ett med denna lösning fuktat dielektrikum uppvärmes, intensi- fieras kopparreduktionsförloppet genom att kemiska omvandlinge- förlopp aktiveras, varvid metalliskt koppar utfälles vid dielekt- Poor. Q“iš'1-“=ïš='fï“¿“ 8101066-2 rikumets yta först och främst vid s.k. ytfelställen, dvs i porer, sprickor e.dyl., vilket slutligt säkerställer den önskade vidhäft- ningskraften.
I närvaro av en tillsats av alkalimetallfosfater, exempelvis nat- rium- och kaliumfosfat etc, fylles ytan mer likformigt, under det att närvaro av ammoniumfluoridtillsatsen medför att det ledande skiktet kan bildas på dielektrikumets yta vid lägre temperatur.
Det ledande kopparskiktet kan bildas på dielektrikumets yta inom ett vidsträckt temperaturområde, varvid det är mest effektivt, att skiktet bildas genom värmebehandling under inverkan av IR-strålning vid en temperatur av 220-27000 under en tid av 7-20 s. Det effek- tivaste resultatet uppnås vid samtidig inverkan av IR- och UV-strål- ning vid en temperatur av 180-220°C under en tid av 5-12 s, efter- som UV-strålningen ytterligare stimulerar kemiska omvandlingsför- lopp.
Ytvärmebehandlingen av det med nämnda lösning fuktade dielektriku- met resulterar i att det vid dielektrikumets yta bildas en svart- färgad fällning, som består av partiklar av finfördelat metalliskt koppar. En finfördelad metalls egenskaper är sådana, att nämnda yta - när den utsättes för inverkan av ett pålagt elektriskt fält - är elektriskt ledande oavsett eventuell frånvaro av intim mekanisk kontakt mellan sådana partiklar. Därigenom möjliggöres direkt gal- vaniskt påförande av ett metallskikt med önskad tjocklek utan att kemisk förkoppring måste genomföras. Den finfördelade metallens typiska egenskaper kan emellertid leda till att de vid värmebehand- lingen vid ytan alstrade partiklarna av metalliskt koppar kan fun- gera som katalysator för ett kemiskt förkoppringsförlopp. Detta gör det möjligt att, om så erfordras, kemiskt förkoppra ytan ef- ter avslutad värmebehandling och sköljning av dielektrikumet i och för att öka det ledande skiktets elektriska ledningsförmåga, vil- ket gynnar fortsatt galvaniskt påförande av ett metallskikt med önskad tjocklek. Att vid dielektrikumets yta alstra det ledande skiktet gör det möjligt att galvaniskt påföra olika metaller ur motsvarande elektrolyter.
Den effektivitet, som användningen av lösningen och förfarandet 8'i (H 866-2 enligt uppfinningen för elektrokemisk metallisering ger, kan be- kräftas medelst ett exempel på ett konkret processtekniskt för- lopp för metallisering av väggarna hos genomgângshål i tryckta kretskort, vilket representerar ett mycket aktuellt problem in- om metalliseringstekniken för dielektriska material.
Den elektrokemiska metalliseringen av väggarna hos genomgångshål i tryckta kretskort genomföres på följande sätt. Av foliebelagt glastextolit skäres ämnen, vilkas dimensioner motsvarar de tryckta kretskortens dimensioner, varefter man påför ett fotoresistskikt, exponerar, påför skyddslack, borrar hål enligt kretsmönstret, av- fettar hâlväggarna och sköljer. Hålväggarna fuktas därefter med lösningen enligt föreliggande uppfinning, varefter man genomför värmebehandlingen, företrädesvis med IR-strålning eller samtidigt med IR- och UV-strålning, tills väggarna hos hålen i de tryckta kretskorten blir svartfärgade, varpå man sköljer kretskorten.
Efter avslutad sköljning påför man elektrokemiskt ett metallskikt med erforderlig tjocklek på hålväggarna. Förfarandet enligt upp- finningen har följande fördelar framför det kända förfarandet för elektrokemisk metallisering av genomgângshâl i tryckta kretskort.
För det första bidrar förfarandet enligt uppfinningen till att vä- sentligt förenkla processtekniken för elektrokemisk metallisering av genomgångshål i tryckta kretskort, såsom det framgår av det ovan angivna processchemat, genom att man vid detta förfarande kunnat minska antalet processteg, processtiden (den tid, som åtgår för att iordningställa hålen vid elektrokemiskt påförande av belägg- ningen, minskar från 35-40 min. till 2-15 min. beroende på de ak- tuella värmebehandlingsförhållandena) samt genom att man inte mås- te förbereda, använda, komplettera och utnyttja avfallsprodukter från olika lösningar vid aktivering av hålväggarna och kemiskt förkoppra hålväggarna. Elimineringen av det kemiska förkopprings- steget gör det möjligt att vid en fabrik för serietillverkning av tryckta kretskort minska längden av en hålmetalliseringsprocessba- na från 20 m till 8 m, varigenom produktionsytan och den nödvändi- ga arbetskraften kan minskas.
För det andra bidrar förfarandet enligt uppfinningen till att öka vidhäftningsförmågan för metallbeläggningen vid hâlväggarna. För- 8101066-2 farandet enligt uppfinningen eliminerar problemet med att säker- ställa den processtekniska funktionssäkerheten i vidhäftningen för metallbeläggningen vid ändytorna av kontaktytor av koppar, eftersom behovet att använda palladiumsalter bortfaller. Förfa- randet bidrar vidare till att öka vidhäftningshållfastheten för metallbeläggningen vid hålväggarnas dielektriska yta. Provning av vidhäftningshållfastheten för ett metalliserat kontaktdon vid hål- väggarna har visat, att hålen i tryckta kretskort möjliggör 12-15 gångers omlödning, under det att hâlväggar framställda genom det kända förfarandet endast kan cmlödas 3-5 gånger.
För det tredje eliminerar förfarandet enligt uppfinningen behovet att använda ekonomiskt ofördelaktiga och svårtillgängliga ämnen, vilka användes vid det kända förfarandet.
Uppfinningen belyses närmare nedan medelst följande utföringsexem- pel på lösningen och förfarandet för elektrokemisk metallisering av dielektrika.
Exempel 1 För elektrokemisk metallisering av dielektrika användes en lös- ning, som innehåller: kopparsulfat 350 g/l natriumhypofosfit 400 " trietylendiamin 180 " Lösningen beredes genom upplösning av beståndsdelarna i denna ord- ningsföljd i destillerat vatten. Lösningen användes för elektro- kemisk metallisering av väggarna hos genomgångshål i tryckta krets- kort vid bildning av ett ledande skikt på hålväggarnas yta innan galvaniskt päförande av metallbeläggningen påbörjas.
Tryckta kretskort framställes i följande ordningsföljd. Av folie- belagd glastextolit utskäres ämnen, vilkas dimensioner motsvarar kretskortets, med en bearbetningsmân av 15 mm, varefter man påför ett fotoresistivt skikt, exponerar, påför skyddslack, borrar hål enligt kretsmönstret, avfettar hålväggarna i en lösning av ett yt- aktivt ämne och sköljer. Det strömledande skiktet på hålväggarnas yta alstras på följande sätt. Ämnena fuktas med lösningen under en 81ÛÉÛ66-2 11 tid av 0,5 min., värmebehandlas med IR-strålning vid en tempera- tur av 22OOC under en tid av 20 s tills de tryckta kretskortens hålväggar blir svartfärgade, och sköljos i rinnande kallt vatten.
Man avlägsnar därefter skyddslacket och utfäller galvaniskt ett àopparskikt på hålväggarna och strömförande banor under följande förhållande: elektrolytens sammansättning kopparvitriol 230 g/l svavelsyra (med en densitet av 1,84 g/cm3) so " etanol 10 " strömtäthet 3-4 A/amz, den elektrokemiska förkoppringstiden är 60 min., kopparskiktets tjocklek 30 um och lösningens temperatur 18-25OC.
Man utfäller därefter galvaniskt en skyddsbeläggning av silver med en tjocklek av 12 um och etsar bort kopparn från s.k. spalt- områden, varefter kretskorten färdigbearbetas mekaniskt.
Genom den elektrokemiska metalliseringen utfälles ett tätt, lik- formigt, finkristallint, bjärtrosafärgat skikt på hålväggarnas yta. Vidhäftningshållfastheten för metallskiktet vid hålväggar- nas yta möjliggör minst 12 gångers omlödning av hålen, vilket full- ständigt möter de krav, som ställes på metalliserade hål i tryckta kretskort.
Exempel 2 För elektrokemisk metalliserinq användes en lösning, som inne- håller: kopparselenat 180 g/l natriumhypofosfit 160 " glycerol 90 " ammoniumfluorid 36 " Lösningen beredes genom upplösning av beståndsdelarna i denna ordningsföljd i destillerat vatten. Lösningen användes för elekt- rokemisk metallisering av genomgående hål i tryckta kretskort vid alstrande av ett strömledande skikt på väggytan före galvaniskt påförande av metallbeläggningen. Det tryckta kretskortet framstäl- les på samma sätt som i exempel 1. Det strömledande skiktet på 'P()cfß_çfl3s tafs" 8101066-2 12 hålväggarnas yta alstras på följande sätt. Ämnet fuktas med lös- ningen under en tid av 1 min., värmebehandlas därefter med IR- -strålning till en temperatur av 270oC under en tid av 7 s tills hålväggarna blir svartfärgade, varpå de sköljes med rinnande vat- ten. För att öka det ledande skiktets elektriska ledningsförmåga förkoppras därefter hålväggarna kemiskt i en känd lösning, som innehåller: kopparsulfat 60 g/l kalium-natriumtartrat 180 " natriumhydroxid 50 " natriumkarbonat 46 “ nickelklorid 3 " formaiaehya i 1 5 " under en tid av 15 min. vid en temperatur av ZOOC.
Det tryckta kretskortet framställes därefter på samma sätt som i exempel 1.
Genom den elektrokemiska metalliseringen utfälles ett tätt, lik- formigt, finkristallint, bjärtrosafärgat skikt på väggytan hos hå- len i de tryckta kretskorten. Vidhäftningshållfastheten för me- 'tallskiktet vid hålväggarnas yta möjliggör minst 12 gångers omlöd- ning av hålen, vilket helt uppfyller de krav, som ställes på me- talliserade hål i tryckta kretskort.
Exempel 3 För elektrokemisk metallisering av dielektrika användes en lösning, som innehåller: kopparsulfat 35 g/l kaliumhypofosfit 35 " dodecylaminacetat 0,004 g/1 Lösningen beredes genom upplösning av beståndsdelarna i denna ord- ning i destillerat vatten.
Lösningen användes för elektrokemisk metallisering av väggarna hos genomgående hål samt ytan på ett tryckt kretskort vid dess framställning genom ett s.k. halvadditivt förfarande.
De tryckta kretskorten framställes genom det halvadditiva förfa- randet på följande sätt. Ett ämne med i förväg borrade hål, som S? (11966-2 13 framställts av glastextolit och som är belagt med ett adhesions- medel av epoxigummi, avfettas genom sköljning i dimetylformamid under en tid av 30 min. Adhesionsmedlet etsas bort vid en tem- peratur av ZOOC under en tid av 2 min. i en lösning, som inne- häller 950 g/l kromsyraanhyärid, 85,5 g/l svavelsyra och 3 g/1 järnsulfat, varefter ämnet sköljes med vatten. Man bildar däref- ter ett strömledande skikt på hâlens väggyta och kretskortytan på följande sätt. Ämnet fuktas med lösningen under en tid av 2 min. och värmebehandlas med IR-strålning vid en temperatur av 25OOC under en tid av 15 s, tills hålväggarna och kortytan blir svartfärgade, varefter ämnet sköljes. För att öka det strömledan- de skiktets ledningsförmâga förkopprar man kemiskt hålväggarna och kretskortytan i en känd lösning, som innehåller: kopparsulfat 35 g/l kalium-natriumtartrat 60 " natriumhydroxid 50 " natriumkarbonat 30 “ 33%-ig formaldehydlösning 20-30nd/l Den kemiska förkoppringstiden är 30 min. och förkoppringstempera- turen är 20oC. Kretskortet sköljes med vatten, varefter man gal- vaniskt påför ett kopparskikt på hålväggarna och kretskortytan.
Den fortsatta framställningen av det tryckta kretskortet sker på känt sätt.
Genom den elektrokemiska metalliseringen utfälles på hålväggar- nas yta och kortytan ett tätt, likformigt, finkristallint, hjärt- rosafärgat skikt. Vidhäftningshållfastheten för metallskiktet vid hâlväggarnas yta möjliggör minst 12 gångers omlödning av hå- len, vilket fullständigt uppfyller de krav, som ställes på me- talliserade hål i tryckta kretskort. Vidhäftningshâllfastheten för metallskiktet vid kortytan utgör 380-420 p per 3 mm, vilket värde är högre än den vidhäftningshållfæmhet, som uppnås vid de kända förfarandena för elektrokemisk metallisering av dielektrika.
Exempel 4 För elektrokemisk metallisering av dielektrika användes en lös- lning som innehåller: 8101066-2 14 kopparnitrat 280 g/1 kaliumhypofosfit 240 " ammoniak 235 " kaliumfosfat 14 " ammoniumfluorid 2 " Lösningen beredes genom upplösning av beståndsdelarna i denna ordningsföljd i destillerat vatten. Lösningen användes för elekt- rikemisk metallisering av piezokeramiska material, för vilket än- damål en plât av piezokeramiskt material, exempelvis bariumti- tanat, avfettas i en lösning av ett ytaktivt ämne och därefter sköljes. Ett strömledande skikt alstras på plåten genom att den fuktas med lösningen under en tid av 20 s och därefter värmebe- handlas den vid en temperatur av SOOC under en tid av 10 min, tills plåtytan blir svartfärgad, varefter plåten sköljes med vat- ten.
Ett kopparskikt pâföres galvaniskt på plåtytan på samma sätt som i exempel 1.
Genom den elektrokemiska metalliseringen utfälles på plåtytan ett tätt,likformigt,finkristallint, bjärtrosafärgat skikt. Vidhäft- ningshållfastheten för metallskiktet vid plâtytan av piezokera- miskt material utgör 400-430 p per 3 mm.
Exempel 5 För elektrokemisk metallisering av dielektrika användes en lös- ning som innehåller: kopparselenat 110 g/l ammoniumhypofosfit ¶O0 " ammoniak 150 " Lösningen beredes genom upplösning av beståndsdelarna i denna ordningsföljd i destillerat vatten. Lösningen användes för elekt- rokemisk metallisering av s.k. "Pyroceram“ vid alstrande av ett strömledande skikt på "Pyroceram"-ytan före galvaniskt påförande av ett metallskikt, för vilket ändamål en plåt av oslipad "Pyro- ceram" avfettas i en lösning av ett ytaktivt ämne och sköljes.
Ett strömledande skikt alstras på plåten genom att den fuktas med _\._ '-.- f-flïï -ß _ t ifiš. lrië” vvàß* 8101066-2 lösningen under en tid av 40 s, varefter den värmebehandlas med IR- och UV-strålning samtidigt vid en temperatur av ZOOOC under en tid av 10 s, tills plåtytan blir svartfärgad, varefter plåten sköljes med vatten.
Ett kopparskikt påföres därefter galvaniskt på plàtytan på samma sätt som i exempel 1.
Genom den elektrokemiska metalliseringen utfälles på "Pyroceram"- plåtens yta ett tätt, likformigt, finkristallint, bjärtrosafärgat skikt. Vidhäftningshållfastheten för metallskiktet vid plåtens yta är 460-480 p per 3 mm.
Exempel 6 För elektrokemisk metallisering av dielektrika användes en lösning som innehåller: kopparsulfat 50 g/l kaliumhypofosfit 50 " etylendiamin 34 " dodecylaminacetat 0,007 g/l kaliumfosfat 14 g/l Lösningen beredes genom upplösning av beståndsdelarna i denna ord- ningsföljd i destillerat vatten och användes för elektrokemisk metallisering av papp vid åstadkommande av ett strömledande skikt på pappytan före galvaniskt pàförande av ett metallskikt, för vil- ket ändamål papp avfettas i en lösning av ett ytaktivt ämne och sköljes. Ett strömledande skikt alstras på pappen genom att denna fuktas med lösningen under en tid av 30 s och därefter värmebehand- las med IR- och UV-strålning samtidigt vid en temperatur av 350OC under en tid av 5 s, tills pappytan blir svartfärgad, varefter den sköljes med vatten.
Ett metallskikt pâföres galvaniskt på pappytan på samma sätt som i exempel 1.
Genom den elektrokemiska metalliseringen utfälles på pappytan ett tätt, likformigt, finkristallint, bjärtrosafärgat skikt. Vidhäft- ningshâllfastheten för metallskiktet vid ytan utgör 350-370 p per 3 mm.
POGR QÜÜÅTY 8101066-2 16 Exempel 7 För elektrokemisk metallisering av dielektrika användes en lös-1 ning som innehåller: kopparnitrit 200 g/l natriumhypofosfit 190 " etylendiamin 84 “ natriumfosfat 1 " Lösningen beredes genom upplösning av beståndsdelarna i denna ord- ningsföljd i destillerat vatten och användes för elektrokemisk metallisering av alster av ebonit vid bildning av ett strömledan- de skikt på ytan före galvaniskt påförande av ett metallskikt, för vilket ändamål en platta av ebonit utsättes för sandblästrings- behandling för att göra ytan skrovlig, avfettas i en lösning av ett ytaktivt ämne och sköljes. Ett strömledande skikt bildas på plattan genom att denna fuktas med lösningen under en tid av 1 min. och därefter värmebehandlas med IR- och UV-strålning samtidigt vid en temperatur av 220°C under en tid av 12 s, tills ytan blir svartfärgad, varefter plattan sköljes.
Ett metallskikt påföres galvaniskt på ebonitplattans yta på sam- ma sätt som i exempel 1.
Genom den elektrokemiska metalliseringen utfälles på ebonitplat- tans yta ett bjärtrosafärgat skikt, varvid vidhäftningshâllfasthe- ten för metallskiktet vid ebonitytan utgör 520-540 p per 3 mm. _ Lösningen enligt uppfinningen för elektrokemisk metallisering kan huvudsakligen användas för âstadkommande av ett strömledande skikt på ett dielektrikums yta före efterföljande elektrokemiskt påfö- rande av funktions- och dekorationsmetallbeläggningar på ytor av glastextolit, glas, keramiska material, aktivt kol, pulver av plastmaterial, papper, tyg och andra dielektriska material av oli- ka slag. Lösningen och förfarandet enligt uppfinningen för elekt- rokemisk metallisering av dielektrika kan användas inom elektro- teknisk industri, hushållsteknik, skeppsbyggnads-, flyg- och bil- industri, apparatbyggnadsteknik och andra industrigrenar, exem- pelvis vid metallisering av genomgående hål i ensidiga, dubbel- sidiga och flerskiktiga tryckta kretskort.
Claims (6)
1. Förfarande för elektrokemisk metallisering av ett dielektri- kum, vilket omfattar aktivering av ytan och alstrande av ett gtfimflg¿mw@_mX¿mr§çüd;pååielektrikumets yta âtföljt av elektro- kemisk plätering av en metallbeläggning, k ä n n e t e c k - n a t av att man aktiverar genom vätníng av dielektrikumets yta med en lösning som innehåller kopparsalt ......................... 35 - 350 g/l hypofosfit ......................... 35 - 400 g/l stabiliseringsmedel ......... . . . . . . .. 0,004 - 250 g/l vatten ............................. upp till 1 liter och eventuellt innehåller alkalimetallfosfat i en mängd av 1-14 g/l och/eller ammoniumfluorid i en mängd av 2-36 g/1, och därefter värmebehandlar vid en temperatur av 80-350°C för åstadkommande av det strömledande kagparskiktet.
2. Förfarande enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a t av att värmebehandlingen genomföres genom bestrâlning med IR- -strålar vid en temperatur av 220-270°C under en tid av 7-20 s.
3. Förfarande enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a t av att värmebehandlingen genomföres genom samtidig bestrålning med IR- och UV-ljus vid en temperatur av ï80-220OC under en tid av 5-12 s.
4. Förfarande enligt något av kraven 1-3, k ä n n e t e c k- n a t av att dielektrikumets yta - för att ökaåbt Qflifiüeüïfie kopparskiktets elektriska ledningsförmåga - förkoppras ström- löst efter avslutad värmebehandling.
5. Aktiveringslösning för användning vid elektrokemisk me- tallisering av ett dielektrikum, vilken innehåller ett kop- parsalt, ett fosforhaltigt salt, ett stabiliseringsmedel och vatten, k ä n n e t e c k n a d av att den såsom fosfor- haltigt salt innehåller hypofosfit, varvid samtliga be- ståndsdelar ingår med följande halter: 8101066-2 kopparsalt . . . . . . .............. 35 - 350 g/l hypofosfit . . . . . ......... . . . . .. 35 - 400 g/l stabiliseringsmedel ...... . . . . .. 0,004 - 250 g/l vatten .................. . . . . ... upp till 1 liter
6. Lösning enligt krav 5, k ä n n e t e c k n a d av att den ytterligare innehåller alkalimetallfosfat i en mängd av 1-14 g/l och/eller ammoniumfluoriä i en mängd av 2-36 g/l.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AU80845/82A AU8084582A (en) | 1981-02-13 | 1982-02-11 | System for detecting ball impacts on tennis courts and the like |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU792772501A SU921124A1 (ru) | 1979-06-19 | 1979-06-19 | Способ металлизации отверстий печатных плат |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SE8101066L SE8101066L (sv) | 1981-02-17 |
| SE442124B true SE442124B (sv) | 1985-12-02 |
Family
ID=20830407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SE8101066A SE442124B (sv) | 1979-06-19 | 1981-02-17 | Forfarande for elektrokemisk metallisering av ett dielektrikum samt aktiveringslosning for anvendning hervid |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4576689A (sv) |
| JP (1) | JPS59500869A (sv) |
| DE (1) | DE3045281C2 (sv) |
| FR (1) | FR2459300A1 (sv) |
| SE (1) | SE442124B (sv) |
| SU (1) | SU921124A1 (sv) |
| WO (1) | WO1980002570A1 (sv) |
Families Citing this family (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8513152D0 (en) * | 1985-05-24 | 1985-06-26 | Ciba Geigy Ag | Diagnostic strips |
| EP0322764B1 (en) * | 1987-12-24 | 1993-03-17 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Method for producing copper film-formed articles |
| GB8821503D0 (en) * | 1988-09-14 | 1988-10-12 | Macpherson Plc | Protecting metallic layers on substrates |
| US5358907A (en) * | 1990-01-30 | 1994-10-25 | Xerox Corporation | Method of electrolessly depositing metals on a silicon substrate by immersing the substrate in hydrofluoric acid containing a buffered metal salt solution |
| US5213840A (en) * | 1990-05-01 | 1993-05-25 | Macdermid, Incorporated | Method for improving adhesion to polymide surfaces |
| WO1993000456A1 (en) * | 1991-06-20 | 1993-01-07 | Harnden, Eric, F. | Mildly basic accelerating solutions for direct electroplating |
| DE4138214A1 (de) * | 1991-11-21 | 1993-05-27 | Daimler Benz Ag | Verfahren zur metallisierung von aluminiumnitridkeramik |
| US6921467B2 (en) * | 1996-07-15 | 2005-07-26 | Semitool, Inc. | Processing tools, components of processing tools, and method of making and using same for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
| US6752584B2 (en) * | 1996-07-15 | 2004-06-22 | Semitool, Inc. | Transfer devices for handling microelectronic workpieces within an environment of a processing machine and methods of manufacturing and using such devices in the processing of microelectronic workpieces |
| US7244677B2 (en) * | 1998-02-04 | 2007-07-17 | Semitool. Inc. | Method for filling recessed micro-structures with metallization in the production of a microelectronic device |
| US6632292B1 (en) * | 1998-03-13 | 2003-10-14 | Semitool, Inc. | Selective treatment of microelectronic workpiece surfaces |
| US6197181B1 (en) | 1998-03-20 | 2001-03-06 | Semitool, Inc. | Apparatus and method for electrolytically depositing a metal on a microelectronic workpiece |
| US6565729B2 (en) * | 1998-03-20 | 2003-05-20 | Semitool, Inc. | Method for electrochemically depositing metal on a semiconductor workpiece |
| TW593731B (en) | 1998-03-20 | 2004-06-21 | Semitool Inc | Apparatus for applying a metal structure to a workpiece |
| US6126761A (en) | 1998-06-10 | 2000-10-03 | International Business Machines Corporation | Process of controlling grain growth in metal films |
| US6497801B1 (en) * | 1998-07-10 | 2002-12-24 | Semitool Inc | Electroplating apparatus with segmented anode array |
| WO2000010736A1 (en) * | 1998-08-21 | 2000-03-02 | Sri International | Printing of electronic circuits and components |
| WO2000040779A1 (en) | 1998-12-31 | 2000-07-13 | Semitool, Inc. | Method, chemistry, and apparatus for high deposition rate solder electroplating on a microelectronic workpiece |
| US6368475B1 (en) * | 2000-03-21 | 2002-04-09 | Semitool, Inc. | Apparatus for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
| US7438788B2 (en) * | 1999-04-13 | 2008-10-21 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
| US6916412B2 (en) * | 1999-04-13 | 2005-07-12 | Semitool, Inc. | Adaptable electrochemical processing chamber |
| US7160421B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-01-09 | Semitool, Inc. | Turning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
| US20030038035A1 (en) * | 2001-05-30 | 2003-02-27 | Wilson Gregory J. | Methods and systems for controlling current in electrochemical processing of microelectronic workpieces |
| US7351314B2 (en) | 2003-12-05 | 2008-04-01 | Semitool, Inc. | Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces |
| US7351315B2 (en) | 2003-12-05 | 2008-04-01 | Semitool, Inc. | Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces |
| US7585398B2 (en) * | 1999-04-13 | 2009-09-08 | Semitool, Inc. | Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces |
| US7189318B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-03-13 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
| US7264698B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-09-04 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
| TW527444B (en) | 1999-04-13 | 2003-04-11 | Semitool Inc | System for electrochemically processing a workpiece |
| US7020537B2 (en) * | 1999-04-13 | 2006-03-28 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
| US20050183959A1 (en) * | 2000-04-13 | 2005-08-25 | Wilson Gregory J. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectric workpiece |
| WO2001090434A2 (en) * | 2000-05-24 | 2001-11-29 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
| US7102763B2 (en) * | 2000-07-08 | 2006-09-05 | Semitool, Inc. | Methods and apparatus for processing microelectronic workpieces using metrology |
| US7090751B2 (en) | 2001-08-31 | 2006-08-15 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
| US6893505B2 (en) * | 2002-05-08 | 2005-05-17 | Semitool, Inc. | Apparatus and method for regulating fluid flows, such as flows of electrochemical processing fluids |
| US7025866B2 (en) * | 2002-08-21 | 2006-04-11 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic workpiece for electrochemical deposition processing and methods of manufacturing and using such microelectronic workpieces |
| US20040108212A1 (en) * | 2002-12-06 | 2004-06-10 | Lyndon Graham | Apparatus and methods for transferring heat during chemical processing of microelectronic workpieces |
| US20050092611A1 (en) * | 2003-11-03 | 2005-05-05 | Semitool, Inc. | Bath and method for high rate copper deposition |
| US20050221112A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-06 | Daewoong Suh | Microtools for package substrate patterning |
| US20050230262A1 (en) * | 2004-04-20 | 2005-10-20 | Semitool, Inc. | Electrochemical methods for the formation of protective features on metallized features |
| US7513090B2 (en) * | 2006-07-11 | 2009-04-07 | Automated Packaging Systems, Inc. | Apparatus and method for making fluid filled units |
| US20080264774A1 (en) * | 2007-04-25 | 2008-10-30 | Semitool, Inc. | Method for electrochemically depositing metal onto a microelectronic workpiece |
| CN102534704B (zh) * | 2012-01-16 | 2014-07-16 | 青岛大学 | 酸性电镀铜溶液氯离子替代方法 |
| RU2708677C1 (ru) * | 2019-02-08 | 2019-12-11 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ) | Способ металлизации сквозных отверстий в полуизолирующих полупроводниковых подложках |
| JP7311838B2 (ja) * | 2019-09-12 | 2023-07-20 | 住友金属鉱山株式会社 | 銅張積層板の製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3046159A (en) * | 1957-12-17 | 1962-07-24 | Hughes Aircraft Co | Method of copper plating by chemical reduction |
| GB1005619A (en) * | 1962-06-29 | 1965-09-22 | Ibm | Improvements in and relating to the deposition of copper on non-conductive surfaces |
| US3307972A (en) * | 1963-03-11 | 1967-03-07 | Bell Telephone Labor Inc | Electroless copper deposition |
| US3716462A (en) * | 1970-10-05 | 1973-02-13 | D Jensen | Copper plating on zinc and its alloys |
| US3994727A (en) * | 1971-07-29 | 1976-11-30 | Photocircuits Divison Of Kollmorgen Corporation | Formation of metal images using reducible non-noble metal salts and light sensitive reducing agents |
| ZA77897B (en) * | 1976-04-13 | 1977-12-28 | Kollmorgen Corp | Liquid seeders and catalyzation processes for electroless metal deposition |
| US4209331A (en) * | 1978-05-25 | 1980-06-24 | Macdermid Incorporated | Electroless copper composition solution using a hypophosphite reducing agent |
-
1979
- 1979-06-19 SU SU792772501A patent/SU921124A1/ru active
-
1980
- 1980-04-25 US US06/243,929 patent/US4576689A/en not_active Expired - Fee Related
- 1980-04-25 DE DE3045281T patent/DE3045281C2/de not_active Expired
- 1980-04-25 WO PCT/SU1980/000063 patent/WO1980002570A1/ru active Application Filing
- 1980-04-25 JP JP55501143A patent/JPS59500869A/ja active Granted
- 1980-06-18 FR FR8013535A patent/FR2459300A1/fr active Granted
-
1981
- 1981-02-17 SE SE8101066A patent/SE442124B/sv not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4576689A (en) | 1986-03-18 |
| SE8101066L (sv) | 1981-02-17 |
| FR2459300A1 (fr) | 1981-01-09 |
| FR2459300B1 (sv) | 1984-01-27 |
| DE3045281C2 (de) | 1984-03-08 |
| WO1980002570A1 (en) | 1980-11-27 |
| JPS6133077B2 (sv) | 1986-07-31 |
| DE3045281T1 (de) | 1982-02-18 |
| JPS59500869A (ja) | 1984-05-17 |
| SU921124A1 (ru) | 1982-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SE442124B (sv) | Forfarande for elektrokemisk metallisering av ett dielektrikum samt aktiveringslosning for anvendning hervid | |
| US9520509B2 (en) | Sheet assembly with aluminum based electrodes | |
| JP4733468B2 (ja) | 金属表面処理水溶液および金属表面の変色防止方法 | |
| DE3421988C2 (sv) | ||
| JP4709575B2 (ja) | 銅箔の粗面化処理方法及び粗面化処理液 | |
| US20110236565A1 (en) | Electroless palladium plating solution and method of use | |
| US3357099A (en) | Providing plated through-hole connections with the plating resist extending to the hole edges | |
| JPH08264372A (ja) | 無電解メッキ膜付電子部品の製造方法 | |
| US4144118A (en) | Method of providing printed circuits | |
| KR20040057979A (ko) | 무연 주석합금을 피복하는 방법 | |
| JPS5927379B2 (ja) | 迅速なメツキ速度を有する無電解銅折出法 | |
| KR20000053621A (ko) | 무전해 금 도금액 및 방법 | |
| KR20040094600A (ko) | 캐리어박 구비 동박 및 그 캐리어박 구비 동박의 제조방법및 그 캐리어박 구비 동박을 사용한 동클래드 적층판 | |
| JPS6257120B2 (sv) | ||
| WO2024055448A1 (zh) | 一种激光钻孔并以图形轨迹粗化绝缘基材的电路板制造方法 | |
| GB2123616A (en) | Circuit boards and method of manufacture thereof | |
| US6632344B1 (en) | Conductive oxide coating process | |
| KR101049236B1 (ko) | 팔라듐을 이용한 무전해 도금방법 | |
| JP2010209474A (ja) | 金属表面処理水溶液および金属表面の変色防止方法 | |
| KR100294394B1 (ko) | 인쇄회로기판용전해동박및그의제조방법 | |
| JP2005146372A (ja) | 無電解めっき用の触媒付与液 | |
| JP2815401B2 (ja) | 浸漬はんだめつき浴 | |
| JPS62149884A (ja) | 無電解銅めつきの前処理方法 | |
| SU293312A1 (ru) | Способ изготовления печатных плат | |
| JPS6016886A (ja) | セラミック基板表面の金属化方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 8101066-2 Effective date: 19911108 Format of ref document f/p: F |