JP2006032476A - ビアフィリングめっき方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ビアフィリングめっきにおいて、ビアホール底面に金属めっきを優先的に成長させることで、回路形成導体部の厚みを厚くすることなく、ビア頂部(ビア表面)の平坦性を向上させること。
【解決手段】絶縁層11の片面に銅箔12を有するプリント配線板用基材の絶縁層11に、底部に銅箔12が露呈するようにあけられたビアホール13を電解めっきによって穴埋めするビアフィリングめっき方法において、銅箔12をめっき給電用陰極とし、ビアホール13内に位置する針状の突出電極部51を含む電極部材50をめっき給電用陽極として電解めっきを行う。
【選択図】 図1
【解決手段】絶縁層11の片面に銅箔12を有するプリント配線板用基材の絶縁層11に、底部に銅箔12が露呈するようにあけられたビアホール13を電解めっきによって穴埋めするビアフィリングめっき方法において、銅箔12をめっき給電用陰極とし、ビアホール13内に位置する針状の突出電極部51を含む電極部材50をめっき給電用陽極として電解めっきを行う。
【選択図】 図1
Description
この発明は、ビアフィリングめっき方法に関し、特に、多層プリント配線板の層間導通を行う金属充填のビア形成に用いるビアフィリングめっき方法に関するものである。
多層プリント配線板の層間導通を行うビア形成法として、絶縁層の片面に導体層を有するプリント配線板用基材の絶縁層に、底部に導体層が露呈するようにあけられたビアホールを電解銅めっきによって穴埋めするビアフィリングめっき方法がある(例えば、特許文献1)。
ビアフィリングめっきは、硫酸銅めっき浴中に、めっき成長を抑制する電析抑制剤と、めっき成長を促進する電析促進剤とを添加することにより、ビアホール内部に積極的にめっき成長させることができるものである(例えば、非特許文献1、2)。
しかしながら、ビアフィリングめっきには、以下に述べる欠点がある。
電析抑制剤、電析促進剤を用いたビアフィリングめっきは、ビアホール内部に選択的にめっき成長させることができるものの、実際のめっき成長の様子は、図8(a)〜(e)に示すようになり、ビア頂部105Aが凹んでしまう。
ビア頂部105Aの凹みは、ビアホール直上にビアホールを設けるビア・オン・ビアや、ビアホール直上に部品を実装するチップ・オン・ビアの妨げとなり、ビアフィリングめっきの有用性を大きく阻害することになる。
なお、図8において、101はプリント配線板用基材の絶縁層を、102は絶縁層の片面に設けられた銅箔等による導体層を、103は底部に導体層が露呈するように絶縁層102にあけられたビアホールを、104は絶縁層101の外表面にスパッタリング等によって形成されためっき給電用導電層(シード層)を、105はビアフィリングめっきによるビアホール部分のめっき金属を、106はビアホール部分以外のビアフィリングめっきによる回路形成導体部106を各々示している。
ビア頂部105Aの凹みは、めっき時間を長くすることで、図8に示されているように、ほぼ平坦なビア頂部105に得ることができる。しかし、めっき時間を長くする分、回路形成導体部106の厚みtが厚くなり、微細な回路形成をすることが困難になる。
このことに対し、機械的な研磨やエッチングなどによってビアフィリングめっき層の表面を削り、表面を平坦化することも考えられるが、機械的な研磨では、工程中に基板に外力がかかり、反りや変形を生じる原因になる。また、厚めに付けた膜をエッチングや研磨で薄くする方法では、成膜と減膜との不均一性が累積されるため、均一な膜厚を得ることが難しい。
特開2001−291954号公報
TOP TECHN0 FOCUS No.25、2001/12 奥野製薬工業(株)発行
エレクトロニクス実装学会誌Vol.5 No.7 P672〜676、2002年
この発明が解決しようとする課題は、ビアフィリングめっきにおいて、ビアホール底面に金属めっきを優先的に成長させることで、回路形成導体部の厚みを厚くすることなく、ビア頂部(ビア表面)の平坦性を向上させることである。
この発明によるビアフィリングめっき方法は、絶縁層の片面に導体層を有するプリント配線板用基材の前記絶縁層に、底部に前記導体層が露呈するようにあけられたビアホールを電解めっきによって穴埋めするビアフィリングめっき方法において、前記導体層をめっき給電用陰極とし、前記ビアホール内に位置する針状の突出電極部を含む電極部材をめっき給電用陽極として電解めっきを行う。
この発明によるビアフィリングめっき方法は、絶縁層の片面に導体層を有するプリント配線板用基材の前記絶縁層に、底部に前記導体層が露呈するようにあけられたビアホールを電解めっきによって穴埋めするビアフィリングめっき方法において、前記絶縁層の外表面にめっき給電用導電層を形成し、当該めっき給電用導電層と前記導体層をめっき給電用陰極とし、前記ビアホール内に位置する針状の突出電極部を含む電極部材をめっき給電用陽極として電解めっきを行う。
この発明によるビアフィリングめっき方法は、好ましくは、前記ビアホール内に、めっき液を局所的に供給しながら電解めっきを行う。
この発明によるビアフィリングめっき方法は、好ましくは、前記突出電極部が中空のパイプ構造のものを用い、当該突出電極部のパイプ構造部からめっき液をビアホール内に供給する。
この発明によるビアフィリングめっき方法は、ビアホール内に位置する針状の突出電極部を含む電極部材をめっき給電用陽極(アノード)として電解めっきを行うから、つまり、ビアホール内に針状のアノードが存在するようになり、アノードからめっき電流が流れやすい箇所がビアホール底部となり、ビアホール底部から優先的にめっき成長がなされるようになる。
これにより、回路形成導体部の厚みを厚くすることなく、ビア頂部(ビア表面)の平坦性を向上させることができ、ビア直上にさらにビアを配置したり、ビア直上に部品を実装することが可能な配線自由度の高い多層プリント配線板を作成することが可能になる。
この発明によるビアフィリングめっき方法によるビアを含むプリント配線板用基材の製造方法の一つの実施の形態を、図1(a)〜(f)を参照して説明する。
図1(a)に示されているように、絶縁層11の片面に導体層として銅箔12が設けてある片面銅張板(CCL:Copper C1ad Laminate)10を出発材とし、図1(b)に示されているように、レーザ、ドリル、あるいはエッチングなどによって絶縁層11にビアホール13を形成する。このビアホール13の口径(最大直径)は、100μm程度である。
ビアホール13は、底部に銅箔12が露呈するように、絶縁層11の所定位置(層間接続位置)にあけられる。銅箔12がビアホール13の底部に露呈する部分(以下、露呈部と云う)は、図1(b)において、符号12Aによって示されている。
片面CCLとしては、例えば、絶縁層11に、ポリイミド、熱可塑性ポリイミド、熱硬化性ポリイミド、熱硬化機能を付与した熱可塑性ポリイミド、あるいは液晶ポリマーなどを用いることができ、絶縁層厚みは10〜70μm程度、銅箔厚みは5〜20μm程度であることが好ましい。
次に、図1(c)に示されているように、絶縁層11の銅箔12と反対側の表面11A(図1(b)参照)とビアホール13の内周面11B(図1(b)参照)とビアホール13の底部、つまり銅箔12の露呈部12A(図1(b)参照)に、めっき用給電層(シード層)14を形成する。
シード層14を形成する方法としては、ドライプロセスによるスパッタリングや無電解化学めっきなどが挙げられる。シード層14の材料としては、ニッケル、クロム、銅、チタン、タングステンおよびこれらの合金などが挙げられる。
次に、図1(d)に示されているように、銅箔12およびシード層14をめっき給電用陰極(カソード)とし、ビアホール13内に位置する針状の突出電極部51を含む銅製の電極部材50をめっき給電用陽極(アノード)として電解めっきを行う。この電解めっきは、ビアフィリングめっきであり、硫酸銅めっき浴中に、めっき成長を抑制する電析抑制剤と、めっき成長を促進する電析促進剤とを添加しためっき浴を用いて行う。
このビアフィリングめっきによって、図1(d)に示されているように、ビアホール13内がめっき銅15によって穴埋めされ、絶縁層11の表面11Aの部分には回路形成導体部16が層状に形成される。
このビアフィリングめっきのめっき成長過程を、図2、図3を参照して説明する。
図2(a)は図1(d)と同じめっき開始時の状態を示している。電極部材50の突出電極部51は、ビアホール13の最小直径より小さい外径、例えば、20μm〜数μm程度の外径を有し、各ビアホール13毎に設けられてビアホール13の略中央位置に、先端51Aとビアホール底部のシード層14との間に所定のギャップGを配置される。
銅箔12およびシード層14をカソード、突出電極部51を含む電極部材50をアノードとして、電析抑制剤と電析促進剤とを添加されためっき浴中で、通電を行う。
この電解銅めっき工程において、アノード50と被めっき物であるプリント配線板用基材20のシード層14との間における等電位面は、ビアホール13内に突出電極部51があることにより、図2(b)に、波線Vで示されているようになり、その間隔は、ギャップGの最適設定により、アノード(電極部材50)の突出電極部51の先端51Aとビアホール13の底部のシード層14との間において最も密になる。
等電位面の間隔が密な部位ほど電流が流れやすくなるため、アノードから最もめっき電流が流れやすい箇所が、ビアホール13の底部となり、図2(c)、図3(d)に示されているように、ビアホール底部から優先的にめっき成長がなされる。
めっきが進むに従ってアノードから金属が溶解していくため、突出電極部51が短くなるが、めっき完了時まで、ギャップGがめっき開始時の最適値に保たれるよう、電極部材50をプリント配線板用基材20に近づく方向に移動させる。
こうしてめっき成長をさせることで、常にビアホール底部に優先的に金属めっき成長が促進され、図3(e)に示されているように、回路形成導体部16の厚さtが従来のものに比して厚くなることなく、ビア頂部15Aに凹みのないめっきビアが得られる。
このようして得た基材20の銅箔12と回路形成導体部16を、図1(f)に示されているように、サブトラクティブ法によって回路形成(導体パターン17やランド部18の形成)することで、ビア表面に凹みのないプリント配線板用基材20を得ることができる。
めっき給電を行うアノードとしての突出電極部51付きの電極部材50の製造方法の一例を、図4を参照して説明する。まず、図4(a)に示されているように、導体板52の表面に、突出電極形成部のみ開口(開口部61)したレジスト層60を形成し、図4(b)に示されているように、電解めっきを行うことで、開口部61内をめっき金属53によって穴埋めする。この電解めっき完了後に、レジスト層60を除去することにより、導体板52の一方の側にめっき金属53による突出電極部51を有する電極部材50が完成する。このアノードの材料としては、含リン銅などが挙げられる。
なお、白金、イリジウムなどの貴金属によって表面を覆われた不溶性アノードを用いることもできる。
上述のめっき工程において、ビアホール13に接近して配置するアノードまたはその近傍にめっき液を集中的に供給することにより、ビア内のめっき成長速度を、さらに加速することができる。
具体的には、図5に示されているように、めっき液の循環系において、フレッシュなめっき液を供給するノズル70を用いてビアホール13内にフレッシュなめっき液を噴出させたり、図6に示されているように、突出電極部55として、中空のパイプ構造のものを用い、突出電極部55のパイプ構造部の先端開口55Aからめっき液をビアホール13の底部に向かってめっき液を吹き付ける方法がある。
また、図7に示されているように、中空パイプ構造の突出電極部55の側周部にも噴孔56をあけ、噴孔56からもビアホール13内へ向けてめっき液を噴出してもよい。
これらの方法により、ビア内のめっき速度を2〜10倍に高めることができる。
10 片面銅張板
11 絶縁層
12 銅箔
13 ビアホール
14 めっき用給電層(シード層)
15 めっき銅
16 回路形成導体部
50 電極部材
51 突出電極部
52 導体板
53 めっき金属
55 突出電極部
56 噴孔
60 レジスト層
61 開口部
70 ノズル
11 絶縁層
12 銅箔
13 ビアホール
14 めっき用給電層(シード層)
15 めっき銅
16 回路形成導体部
50 電極部材
51 突出電極部
52 導体板
53 めっき金属
55 突出電極部
56 噴孔
60 レジスト層
61 開口部
70 ノズル
Claims (4)
- 絶縁層の片面に導体層を有するプリント配線板用基材の前記絶縁層に、底部に前記導体層が露呈するようにあけられたビアホールを電解めっきによって穴埋めするビアフィリングめっき方法において、
前記導体層をめっき給電用陰極とし、前記ビアホール内に位置する針状の突出電極部を含む電極部材をめっき給電用陽極として電解めっきを行うビアフィリングめっき方法。 - 絶縁層の片面に導体層を有するプリント配線板用基材の前記絶縁層に、底部に前記導体層が露呈するようにあけられたビアホールを電解めっきによって穴埋めするビアフィリングめっき方法において、
前記絶縁層の外表面にめっき給電用導電層を形成し、当該めっき給電用導電層と前記導体層をめっき給電用陰極とし、前記ビアホール内に位置する針状の突出電極部を含む電極部材をめっき給電用陽極として電解めっきを行うビアフィリングめっき方法。 - 前記ビアホール内に、めっき液を局所的に供給しながら電解めっきを行う請求項1または2記載のビアフィリングめっき方法。
- 前記突出電極部が中空のパイプ構造のものを用い、当該突出電極部のパイプ構造部からめっき液をビアホール内に供給する請求項1または2記載のビアフィリングめっき方法。
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