JP2005311244A - 部分多層配線板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】スパッタ法によるめっき給電層によって多層化部分のみの選択的な電解めっき層の形成を可能にし、多層化部分に高い密着強度を有する良好な導電層を形成すること。
【解決手段】多層化部分２０Ａ〜２０Ｄに含まれる絶縁層である層間接着層２１の外形辺２１ｓが、多層化部分２０Ａ〜２０Ｄに含まれる他の絶縁層２２Ａ、２３の同じ側の外形辺２２Ａｓ、２３ｓよりフレックス基板１０の板面方向で見て内側に偏倚した位置にあり、他の絶縁層２２Ａ、２３がフレックス基板１０の板面に平行に張り出した部分２３を有する構造とする。
【選択図】 図１

Description

この発明は、部分多層配線板およびその製造方法に関し、特に、フレックス基板の一部にビルドアップ工法を適用して多層化部分を形成する部分多層配線板およびその製造方法に関するものである。

近年の電子機器は、高周波信号、デジタル化等に加え、小型、軽量化が進み、それに伴い、搭載されるプリント配線板においても、小型、高密度実装化等が要求される。これらの要求にこたえるべく、プリント配線板として、信号の高速性、機器内への設置自由度の優れる部分多層のリジッドフレックスプリント配線板の需要が高まっている。

リジッドフレックスプリント配線板は、ポリイミドフィルム等を絶縁層とするフレックス基板の板面の部分的領域に、電気絶縁性の層間接着層を含む絶縁層と導体層を複数層積層したリジット基板による多層化部分を有する（例えば、特許文献１）。

また、多層化部分もポリイミドフィルム等を絶縁層とするフレックス基板により構成された部分多層配線板もある（例えば、非特許文献１）。

表層にビルドアップ層を設ける方法として、フレックス部が混在しない通常のリジット多層配線板の場合、コア基板の表層に絶縁性樹脂を設け、ついで、レーザ光照射により穴あけした後にデスミアを施し、ついで、表層にスパッタ法によってめっき用給電層を設け、ついで、電解銅めっきによって銅箔層を設け、ついで、エッチングにより表層回路を形成するという方法をとることができる。スパッタ法によれば、表面平滑性の高い基材に対しても高い密着強度を得ることができる。

しかし、前述のリジッドフレックス基板やオールフレックスタイプの部分多層配線板において、多層化された部分の表層にのみビルドアップ層を設ける場合には、めっきする必要のないフレックス部（非多層化部）にまでスパッタによるめっき用給電層が設けられ、このめっき用給電層は多層化部分のめっき用給電層と一体化していて導通関係にあるため、多層化部分のみの選択的な電解めっき層の形成は困難である。このため、リジッドフレックス基板にはスパッタ法によるめっき給電層して電解めっきによって導電層の形成は不可能であった。
特開２００２−１５８４４５ マイクロファブリケーシヨン研究会第９回公開研究会予稿集（（社）エレクトロニクス実装学会）「多層フレキシブル配線板の動向とマイクロフアブリケーシヨン」の「多層ＦＰＣ携帯電子機器への採用について」

この発明が解決しようとする課題は、スパッタ法によるめっき給電層によって多層化部分のみの選択的な電解めっき層の形成を可能にし、多層化部分に高い密着強度を有する良好な導電層を形成することである。

この発明による部分多層配線板は、フレックス基板の板面の部分的領域に、電気絶縁性の層間接着層を含む絶縁層と導体層を複数層積層した多層化部分を有する部分多層配線板において、前記多層化部分に含まれる絶縁層の少なくとも１層の外形辺が、当該多層化部分に含まれる他の絶縁層の同じ側の外形辺より前記フレックス基板の板面方向で見て内側に偏倚した位置にあり、当該他の絶縁層が前記フレックス基板の板面に平行に張り出した部分を含んでいる。

この発明による部分多層配線板は、好ましくは、前記多層化部分に含まれる絶縁層のうち、最もフレックス基板の側にある電気絶縁性の層間接着層の外形辺が、当該多層化部分に含まれる他の絶縁層の同じ側の外形辺より前記フレックス基板の板面方向で見て内側に偏倚した位置にある。

この発明による部分多層配線板の製造方法は、フレックス基板の板面の部分的領域に、電気絶縁性の層間接着層を含む絶縁層と導体層を複数層積層した多層化部分を有する部分多層配線板の製造方法において、前記多層化部分に含まれる絶縁層の少なくとも１層の外形辺が、当該多層化部分に含まれる他の絶縁層の同じ側の外形辺より前記フレックス基板の板面方向で見て内側に偏倚した位置に位置し、当該他の絶縁層が前記フレックス基板の板面に平行に張り出した部分を含むように、これら絶縁層をフレックス基板の板面に貼り合わせる貼合工程と、前記フレックス基板の板面に垂直な方向のスパッタによって前記多層化部分の表面と当該多層化部分以外の前記フレックス基板の表面全面にめっき用給電層を形成する給電層形成工程と、前記めっき用給電層のうち前記多層化部分に存在するめっき用給電層より給電を行って電解めっきを行い、前記多層化部分に存在するめっき用給電層上に電解めっきによる導体層を形成する電解めっき工程とを含む。

この発明による部分多層配線板の製造方法は、好ましくは、前記貼合工程において、前記多層化部分に含まれる絶縁層のうち、最もフレックス基板の側にある電気絶縁性の層間接着層の外形辺を、当該多層化部分に含まれる他の絶縁層の同じ側の外形辺より前記フレックス基板の板面方向で見て内側に偏倚した位置に位置させる。

この発明による部分多層配線板の製造方法は、前記電解めっき工程により形成された多層化部分の前記導体層による導体パターン形成後に、前記多層化部分の表面に露呈するめっき用給電層と前記フレックス基板の表面に存在するめっき用給電層とをエッチングにより除去する工程を含む。

この発明による部分多層配線板の製造方法における前記電解めっき工程は、前記多層化部分のめっき用給電層の全面に電解めっきによる導体層を形成する工程であり、その後、エッチングにより前記導体層の一部を除去してサブトラクティブ法により導体パターンを形成するか、あるいは、前記多層化部分のめっき用給電層に所定パターンによるめっきレジスト層を設けた後に電解めっきを施す工程であり、その後、前記めっきレジスト層を除去してセミアディテブ法により導体パターンを形成する。

本発明によれば、多層化部分に含まれる絶縁層の少なくとも１層の外形辺が、当該多層化部分に含まれる他の絶縁層の同じ側の外形辺よりフレックス基板の板面方向で見て内側に偏倚した位置にあり、当該他の絶縁層がフレックス基板の板面に平行に張り出した部分を含んでいるから、それにより得られる空間（空隙）効果によって、スパッタ法により形成されるめっき用給電層を、めっきする必要のないフレックス部（非多層化部）のめっき用給電層と多層化部分のめっき用給電層とで非導通関係に切り離すことができる。

これにより、めっきする必要のないフレックス部（非多層化部）のめっき用給電層上に電解めっき層が形成されることがなく、多層化部分のめっき用給電層上にのみ電解めっき層を形成することができ、リジッドフレックス基板等の部分多層配線板においても、スパッタ法を利用したビルドアップ工法を適用することが可能となり、多層化部分に高い密着強度を有する良好な導電層を形成することができる。

この発明による部分多層配線板の一つの実施形態を、図１を参照して説明する。この実施形態の部分多層配線板は、ポリイミドフィルム等によるフレックス絶縁層１１の表裏両面に銅箔等による導体層１２、１３を有し、導体層１２、１３を各々電気絶縁性のカバーレイヤ１４、１５によって絶縁被覆されたフレックス基板１０を、マーザボード基板、接続中継基板等として有する。

フレックス基板１０の板面、この実施形態では、カバーレイヤ１４、１５の各々の表面の部分的領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの各々に、多層化部分２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄを有する。フレックス基板１０の導体層１２、１３は、各々、多層化部２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄを相互に導通接続する導体をなす。

多層化部分２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄは、各々、電気絶縁性の層間接着層２１によって貼り付けられた片面銅箔付きガラスエポキシ基板２２と、片面銅箔付きガラスエポキシ基板（ガラスエポキシによる絶縁層２２Ａと銅箔による内層導電層２２Ｂによる積層材）２２上にビルドアップされたエポキシ樹脂等による層間絶縁層２３と、層間絶縁層２３上にめっき用給電層２４を介して電解銅めっきによって形成された表層導電層２５とにより構成されている。

表層導電層２５の導体パターンの形成は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法のいずれによっても形成することができる。

部分多層配線板には、この実施形態では、フレックス基板１０の導体層１２、１３と、多層化部分２０Ａおよび２０Ｃの内層導電層２２Ｂとを導通接続するスルーホール２６、スルーホールめっき２７が設けられている。そして、図には示されていないが、多層化部分２０の表層導電層２５上に、プリップチップ実装方式で電子部品の実装が行われる。

この発明による部分多層配線板において重要なことは、多層化部分２０Ａ〜２０Ｄに含まれる絶縁層のうち、最もフレックス基板１０の側にある絶縁層、この実施形態では、電気絶縁性の層間接着層２１の外形辺２１ｓが、多層化部分２０Ａ〜２０Ｄに含まれる他の絶縁層２２Ａや層間絶縁層２３の同じ側の外形辺２２Ａｓ、２３ｓよりフレックス基板１０の板面方向（図１の左右方向）で見て内側に所定量Ｌだけ偏倚した位置にある。これにより、各多層化部分２０Ａ〜２０Ｄの絶縁層２２Ａ、層間絶縁層２３は、フレックス基板１０の板面に平行に張り出した部分２８を有する。

この構造により、つまり、張り出した部分２８のフレックス基板１０側に画定される空隙２９によって得られる空間効果によって、めっき用給電層２４をスパッタ法によって形成する場合、スパッタ法により全面形成されるめっき用給電層を、めっきする必要のないフレックス部（非多層化部で、カバーレイヤ１４、１５が外部に露呈している部分）のめっき用給電層と多層化部分２０Ａ〜２０Ｄのめっき用給電層とが非導通関係に切り離されることになる。

所要の空間効果を得るためには、１×１０^−３Ｐａ以下の真空チャンバでスパッタを行う場合、層間接着層２１の厚さにより決まる空隙２９の高さをＴとすると、Ｌ／Ｔの値が２以上であることが好ましい。

これにより、めっきする必要のないフレックス部（非多層化部）のめっき用給電層上に電解めっき層が形成されることがなく、多層化部分２０Ａ〜２０Ｄのめっき用給電層上にのみ電解めっき層を形成することができ、リジッドフレックス基板等の部分多層配線板においても、スパッタ法を利用したビルドアップ工法を適用することが可能となり、多層化部分２０Ａ〜２０Ｄに高い密着強度を有する良好な導電層を形成することができるようになる。

この実施形態では、多層化部分２０Ａ〜２０Ｄに含まれる絶縁層のうち、最もフレックス基板１０の側にある層間接着層２１の外形辺２１ｓが、多層化部分２０Ａ〜２０Ｄに含まれる他の絶縁層２２Ａや層間絶縁層２３の同じ側の外形辺２２Ａｓ、２３ｓよりフレックス基板１０の板面方向で見て内側に所定量Ｌだけ偏倚した位置するようにしたが、多層化部分２０Ａ〜２０Ｄがより多層に多層化されている場合等は、最もフレックス基板１０の側にある絶縁層以外の絶縁層をそのような構造とすることもでき、この絶縁層は、めっき用給電層を形成する層の絶縁層よりフレックス基板１０の側にある絶縁層であればよい。

つぎに、この発明による部分多層配線板の製造方法の一つの実施形態を、図２〜図４を参照して説明する。

出発材料は、図２（ａ）に示されているように、表裏両面にカバーレイヤ１０４、１０５を貼り合わせされた両面銅回路付きポリイミド基板（ＦＰＣ）１００とする。ポリイミド基板１００は、絶縁層をなすポリイミドフィルム１０１の両面に銅回路１０２、１０３を有する。

このポリイミド基板１００の所定の部分に、つまり、ポリイミド基板１００の板面における部分的領域に、この実施形態では、図２（ｂ）に示されているように、ポリイミド基板１００の表裏両面の各々の両端領域に、可撓性が必要な部分をすでに除去した銅箔付きガラスエポキシ基材１１０を位置合わせし、これを各々厚さ２５μｍのエポキシ系層間接着材１０９によって図２（ｃ）に示されているように、貼り合せした。銅箔付きガラスエポキシ基材１１０は、絶縁層を構成するガラスエポキシ基材１１１の片面に銅箔層１１２を有する積層材である。

このとき、エポキシ系層間接着材１０９の外形は、その一つの外形辺１０９ｓが銅箔付きガラスエポキシ基材１１０の同じ側の外形辺１１０ｓよりも、ｌｍｍ内側に潜りこんだものになるよう、つまり、エポキシ系層間接着材１０９の外形辺１０９ｓが、銅箔付きガラスエポキシ基材１１０の同じ側の外形辺１１０ｓよりフレックス基板１００の板面方向で見て内側に偏倚した位置に位置するよう、銅箔付きガラスエポキシ基材１１０より少し小さい。これにより、銅箔付きガラスエポキシ基材１１０がフレックス基板１００の板面１００Ａあるいは１００Ｂに平行に張り出した部分１１３を含む。

ついで、図２（ｄ）に示されているように、層間導通予定部分にドリルマシンによって貫通穴（スルーホール）１１４を穿設し、基材１１５を得る。

ついで、貫通穴１１４の内周面を含む基材１１５の表面に無電解銅めっき（図示省略）を薄付けし、ついで、電解銅めっきによって、図２（ｅ）に示されているように、スルーホールめっき部１１６を含むめっき銅箔層１１７を形成する。

ついで、図２（ｆ）に示されているように、基材表面に露出した銅箔（銅箔層１１２とめっき銅箔層１１７）をエッチングし、サブトラクティブ法によって導体パターン１１８を形成する。このエッチングによって不要部分の無電解銅めっき部、電解銅めっき部も除去する。以上の工程で、多層化されたリジッド部（硬質部分）Ｒと、フレックス部（可撓性部分）Ｆとが混在したリジッドフレックス基板１２０の様相を呈する。

ついで、図３（ｇ）に示されているように、リジッド部表層にエポキシ樹脂系の層間絶縁層１２１を形成する。層間絶縁層１２１は、その他にも、ポリイミド樹脂など、あらゆる絶縁性樹脂で代用が可能である。

ついで、図３（ｈ）に示されているように、レーザ光照射によってビアホールとなる穴１２２を層間絶縁層１２１に穿設する。この穴明けのレーザには、炭酸ガスレーザを用いたが、他にも、ＵＶ−ＹＡＧレーザやエキシマレーザでも穿設が可能である。

ついで、図３（ｉ）に示されているように、フレックス基板１００の板面Ａ、Ｂに垂直な方向Ｘのスパッタによって、銅箔付きガラスエポキシ基材１１０と層間絶縁層１２１とによる多層化部分１３０の表面と、多層化部分１３０以外のフレックス基板１１０の表面全面、つまり、リジッド部Ｒと、フレックス部Ｆの全体に、図３（ｊ）に示されているように、めっき用給電層１２９Ａ、１２９Ｂを形成する。めっき用給電層１２９Ａはリジッド部Ｒの表面に形成されたものであり、めっき用給電層１２９Ｂはフレックス部Ｆの表面に形成されたものである。

スパッタによって形成されるめっき用給電層１２９Ａ、１２９Ｂは、絶縁層１２１を構成する樹脂との密着力向上のためクロムとしたが、これはもちろん、ニッケル、銅、アルミニウムなどを形成することもでき、また、これらを交互に形成したり、混在させることもでき。

スパッタ法によれば、スパッタされる金属は、表面に対して垂直な方向で照射することにより、基材の表面、および側面にスパッタによる給電層が形成される。

本発明では、層間接着材１０９の側面１０９ｆは、ガラスエポキシ基材１１０より内側に潜りこんでいるため、スパッタ方向に対して影になる様相を呈し、層間接着材１０９の側面１０９ｆにはスパッタによる給電層が形成されない。つまり、銅箔付きガラスエポキシ基材１１０がフレックス基板１００の板面１００Ａあるいは１００Ｂに平行に張り出した部分１１３のフレックス基板１００側に画定される空隙１１９によって得られる空間効果によって、リジッド部Ｒのめっき用給電層１２９Ａと、フレックス部Ｆのめっき用給電層１２９Ｂとは、層間接着材１０９の部分で途切れ、非導通関係に切り離されることになる。

しかし、潜りこんでいる部分には、まったスパッタ層が形成されないわけではなく、ある程度の深さまではスパッタが到達することが知られている。これは、チャンバ内の気体分子によって金属原子が散乱されるためである。

したがって、上述のスパッタの潜りこみは、チャンバ内の気圧が低いほど潜りこみが少ない。真空度１×１０^−３Ｐａ以下のチャンバ内で、潜りこんでいる部分の厚さ（図１におけるＴ）が１００μｍの場合には２００μｍ以上の潜りこみの長さ（図１におけるＬ）、また、厚さＴが１０００μｍの場合には２０００μｍ以上の潜りこみの長さＬとすることで、スパッタ層の途切れを形成することができた。すなわち、Ｌ／Ｔの値を２以上とすることでスパッタの途切れを確実に形成できることがわかった。

ついで、図４（ｋ）に示されているように、リジッド部Ｒの側のめっき用給電層１２９Ａから給電し、図４（ｌ）に示されているように、電解めっき法により銅箔層１３１を形成する。

この電解めっきでは、リジッド部Ｒの側のめっき用給電層１２９Ａから給電しているので、めっき用給電層１２９Ａだけが電解めっきの電極として有効に機能し、リジッド部Ｒには銅箔層１３１が形成されたが、リジッド部Ｒのめっき用給電層１２９Ａとは断線（非導通）状態にあるフレックス部Ｆのめっき用給電層１２９Ｂはスリープ状態で、図に示されているように、フレックス部Ｆには、不必要な銅箔が形成されなかった。

ついで、図４（ｍ）に示されているように、リジッド部Ｒの銅箔層１３１をエッチングし、サブトラクティブ法によってリジッド部Ｒの導体パターン１３２を形成した。

ついで、図４（ｎ）に示されているように、クロムシード層であるめっき用給電層１２９Ａ、１２９Ｂを、フェリシアン化カリウムによって一括除去し、部分多層配線板であるリジッドフレックス基板１４０を完成させた。

つぎに、セミアディテブ法によりリジッド部の導体パターンを形成する場合の実施形態を、図５を参照して説明する。

によりリジッド部の導体パターンを形成する場合の製造工程は、図３（ｊ）に示されているめっき用給電層の形成工程まで、上述したサブトラクティブ法によってリジッド部の導体パターンを形成する実施形態のものと同一である。

セミアディテブ法の場合、めっき用給電層形成後、図５（ａ）に示されているように、リジッド部Ｒのめっき用給電層１２９Ａ上に、所定パターンによるめっきレジスト層１５１を形成する。

ついで、図５（ｂ）に示されているように、リジッド部Ｒの側のめっき用給電層１２９Ａから給電して電解めっきを行い、セミアディテブ法によってリジッド部Ｒの導体パターン１５２を形成した。

この電解めっきでも、リジッド部Ｒの側のめっき用給電層１２９Ａから給電しているので、めっき用給電層１２９Ａだけが電解めっきの電極として有効に機能し、リジッド部Ｒには銅めっきによる導体パターン１５２が形成されたが、リジッド部Ｒのめっき用給電層１２９Ａとは断線（非導通）状態にあるフレックス部Ｆのめっき用給電層１２９Ｂはスリープ状態で、フレックス部Ｆには、不必要な銅箔が形成されなかった。

ついで、図５（ｃ）に示されているように、めっきレジスト層１５１を除去し、その後、図５（ｄ）に示されているように、サブトラクティブ法による場合と同様、クロムシード層であるめっき用給電層１２９Ａ、１２９Ｂを、フェリシアン化カリウムによって一括除去し、部分多層配線板であるリジッドフレックス基板１６０を完成させた。

なお、上述した何れの実施形態でも、多層化部はリジッド構造としたが、この発明による部分多層配線板は、サブトラクティブ法、セミアディテブ法の何れの方法による導体パターンの形成のものでも、多層化部も、ポリイミドフィルム等の可撓性フィルムを絶縁基材としたフレックス構造のものにも、同様に適することができる。

この発明による部分多層配線板の一つの実施形態を模式的に示す断面図である。 （ａ）〜（ｆ）はこの発明による部分多層配線板の製造方法の一つの実施形態を模式的に示す工程図である。 （ｇ）〜（ｊ）はこの発明による部分多層配線板の製造方法の一つの実施形態を模式的に示す工程図である。 （ｋ）〜（ｎ）はこの発明による部分多層配線板の製造方法の一つの実施形態を模式的に示す工程図である。 （ａ）〜（ｄ）はこの発明による部分多層配線板の製造方法の他の実施形態を模式的に示す工程図である。

符号の説明

１０ フレックス基板
１１ フレックス絶縁層
１２、１３ 導体層
１４、１５ カバーレイヤ
２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ 多層化部分
２１ 層間接着層
２１ｓ 外形辺
２２ 片面銅箔付きガラスエポキシ基板
２２Ａ 絶縁層
２２Ａｓ 外形辺
２２Ｂ 内層導電層
２３ 層間絶縁層
２３ｓ 外形辺
２４ めっき用給電層
２５ 表層導電層
２６ スルーホール
２７ スルーホールめっき
２８ 張り出した部分
２９ 空隙
１００ フレックス基板
１００Ａ、１００Ｂ フレックス基板の板面
１０１ ポリイミドフィルム
１０２、１０３ 銅回路
１０４、１０５ カバーレイヤ
１０９ エポキシ系層間接着材
１０９ｆ 側面
１０９ｓ 外形辺
１１０ 銅箔付きガラスエポキシ基材
１１０ｓ 外形辺
１１１ ガラスエポキシ基材
１１１ 銅箔層
１１３ 張り出した部分
１１４ 貫通穴
１１５ 基材
１１６ スルーホールめっき部
１１７ 銅箔層
１１８ 導体パターン
１２０ リジッドフレックス基板
１２１ 層間絶縁層
１２２ 穴
１２９Ａ、１２９Ｂ めっき用給電層
１３０ 多層化部分
１３１ 銅箔層
１３２ 導体パターン
１４０ リジッドフレックス基板
１５１ めっきレジスト層
１５２ 導体パターン
１６０ リジッドフレックス基板
Ｒ リジッド部
Ｆ フレックス部

Claims (7)

1. フレックス基板の板面の部分的領域に、電気絶縁性の層間接着層を含む絶縁層と導体層を複数層積層した多層化部分を有する部分多層配線板において、
   前記多層化部分に含まれる絶縁層の少なくとも１層の外形辺が、当該多層化部分に含まれる他の絶縁層の同じ側の外形辺より前記フレックス基板の板面方向で見て内側に偏倚した位置にあり、当該他の絶縁層が前記フレックス基板の板面に平行に張り出した部分を含んでいる部分多層配線板。
2. 前記多層化部分に含まれる絶縁層のうち、最もフレックス基板の側にある電気絶縁性の層間接着層の外形辺が、当該多層化部分に含まれる他の絶縁層の同じ側の外形辺より前記フレックス基板の板面方向で見て内側に偏倚した位置にある請求項１記載の部分多層配線板。
3. フレックス基板の板面の部分的領域に、電気絶縁性の層間接着層を含む絶縁層と導体層を複数層積層した多層化部分を有する部分多層配線板の製造方法において、
   前記多層化部分に含まれる絶縁層の少なくとも１層の外形辺が、当該多層化部分に含まれる他の絶縁層の同じ側の外形辺より前記フレックス基板の板面方向で見て内側に偏倚した位置に位置し、当該他の絶縁層が前記フレックス基板の板面に平行に張り出した部分を含むように、これら絶縁層をフレックス基板の板面に貼り合わせる貼合工程と、
   前記フレックス基板の板面に垂直な方向のスパッタによって前記多層化部分の表面と当該多層化部分以外の前記フレックス基板の表面全面にめっき用給電層を形成する給電層形成工程と、
   前記めっき用給電層のうち前記多層化部分に存在するめっき用給電層より給電を行って電解めっきを行い、前記多層化部分に存在するめっき用給電層上に電解めっきによる導体層を形成する電解めっき工程と、
   を含む部分多層配線板の製造方法。
4. 前記貼合工程において、前記多層化部分に含まれる絶縁層のうち、最もフレックス基板の側にある電気絶縁性の層間接着層の外形辺を、当該多層化部分に含まれる他の絶縁層の同じ側の外形辺より前記フレックス基板の板面方向で見て内側に偏倚した位置に位置させる請求項３記載の部分多層配線板の製造方法。
5. 前記電解めっき工程により形成された多層化部分の前記導体層による導体パターン形成後に、前記多層化部分の表面に露呈するめっき用給電層と前記フレックス基板の表面に存在するめっき用給電層とをエッチングにより除去する工程を含む請求項３または４記載の部分多層配線板の製造方法。
6. 前記電解めっき工程は、前記多層化部分のめっき用給電層の全面に電解めっきによる導体層を形成する工程であり、その後、エッチングにより前記導体層の一部を除去してサブトラクティブ法により導体パターンを形成する請求項３〜５の何れか１項記載の部分多層配線板の製造方法。
7. 前記電解めっき工程は、前記多層化部分のめっき用給電層に所定パターンによるめっきレジスト層を設けた後に電解めっきを施す工程であり、その後、前記めっきレジスト層を除去してセミアディテブ法により導体パターンを形成する請求項３〜５の何れか１項記載の部分多層配線板の製造方法。
   

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