TWI409461B - Circuit board inspection device and circuit board inspection method - Google Patents

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TWI409461B
TWI409461B TW094123932A TW94123932A TWI409461B TW I409461 B TWI409461 B TW I409461B TW 094123932 A TW094123932 A TW 094123932A TW 94123932 A TW94123932 A TW 94123932A TW I409461 B TWI409461 B TW I409461B
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Description

電路基板的檢查裝置及電路基板的檢查方法
本發明是有關使用一對的第1檢查治具及第2檢查治具由兩面來夾壓進行電性檢查的檢查對象之電路基板(以下稱為「被檢查電路基板」)，藉此以將形成於被檢查電路基板兩面的電極電性連接至測試機的狀態來檢查被檢查電路基板的電性特性之電路基板的檢查裝置及電路基板的檢查方法。
用以安裝積體電路等之印刷電路基板是在安裝積體電路等之前，為了確認電路基板的配線圖案所具有規定的性能，而檢查電性特性。
該電性檢查是例如在具備電路基板的搬送機構之檢查用測試機上組裝檢查頭，藉由交換檢查頭部分來進行不同電路基板之檢查。
例如，專利文獻1(特開平6－94768號公報)所揭示般，提案一使用將接觸於被檢查電路基板的被檢查電極而電性導通的金屬檢查插銷予以植設於基板的構造之檢查治具的方法。
又，如專利文獻2(特開平5－159821號公報)所揭示般，所知有使用組合：具有導電插銷的檢查頭，及被稱為離線轉接器(off－grid adapter)的間距變換用的電路基板，及異方導電性薄板之檢查治具的方法。
但，如專利文獻1(特開平6－94768號公報)所示般，利用使金屬檢查插銷直接接觸於被檢查電路基板的被檢查電極之檢查治具的方法，因為與由金屬所構成的導電插銷接觸，所以有可能被檢查電路基板的電極會損傷。
尤其，近年來，隨著要求電路基板的電路微細化、高密度化，在檢查如此印刷電路基板時，為了使多數導電插銷同時導通接觸於被檢查電路基板的被檢查電極，而必須以高壓力加壓檢查治具，容易損傷被檢查電極。
又，對於用以檢查如此被微細化、高密度化之印刷電路基板的檢查治具而言，技術上是難以高密度將多數金屬插銷植設在基板上。再者，該製造成本也會變高，且當一部分的金屬插銷受損時，會難以修理、交換。
另外，如專利文獻2(特開平5－159821號公報)所示般，對於使用異方導電性薄板的檢查治具而言，因為被檢查電路基板的被檢查電極會經由異方導電性薄板來與間距變換用基板的電極接觸，所以具有被檢查電路基板的被檢查電極不容易損傷之優點。再者，因為使用進行間距變換的基板，所以能以比被檢查電路基板的被檢查電極的間距更寬的間距來植設檢查插銷於基板，因此具有不必以微細間距來植設檢查插銷，可以節約檢查治具的製造成本之優點。
但是，該檢查治具必須在每個檢查對象的被檢查電路基板中製作間距變換用基板及植設檢查插銷的檢查治具，因此需要與被檢查的被檢查電路基板之印刷電路基板相同數量的檢查治具。
因此，在生產多數個印刷電路基板時，必須對應於此來確保多數個檢查治具。尤其，近年來，隨著電子機器的製品週期縮短，使用於製品的印刷電路基板的生產期間縮短化，而無法長期間使用檢查治具，造成每次生產印刷電路基板時必須生產檢查治具的問題。
如此的問題之對策，例如有如專利文獻3~5(特開平7－248350號公報、特開平8－271569號公報、特開平8－338858號公報)所示，使用中繼插銷單元，亦即使用所謂普及型的檢查治具之檢查裝置被提案。
圖36是表示使用如此之普及型的檢查治具的檢查裝置之剖面圖。該檢查裝置是具備一對的第1檢查治具111a及第2檢查治具111b，該等的檢查治具是具備：電路基板側連接器121a、121b、中繼插銷單元131a、131b、及測試機側連接器141a、141b。
電路基板側連接器121a、121b是具有：間距變換用基板123a、123b、及配置於其兩面側的異方導電性薄板122a、122b、126a、126b。
中繼插銷單元131a、131b是具有：以一定間距(例如2.54mm間距)在格子點上多數(例如5000插銷)配置的導電插銷132a、132b、及和可往上下移動支撐該導電插銷132a、132b的一對絕緣板134a、134b。
測試機側連接器141a、141b是具有：以檢查治具111a、111b夾壓被檢查電路基板101時，電性連接測試機與導電插銷132a、132b的連接器基板143a、143b，及被配置於連接器基板143a、143b的導電插銷132a、132b側之異方導電性薄板142a、142b，及基座板146a、146b。
使用該中繼插銷單元的檢查治具是在檢查不同的被檢查對象之印刷電路基板時，只要將電路基板側連接器121a、121b交換成對應於被檢查電路基板101者即可，可以共同使用中繼插銷單元131a、131b和測試機側連接器141a、141b。
但，被檢查電路基板101的印刷配線基板是多層高密度化，實際在厚度方向，例如會產生BGA等的焊球電極的被檢查電極102、103所產生高度不均或基板本身的彎曲。因此，為了在被檢查電路基板101上的檢查點的被檢查電極102、103達成電性連接，而必須以高壓力來加壓第1檢查治具111a與第2檢查治具111b，使被檢查電路基板101變形成平坦，並且對被檢查電極102、103的高度不均而言，必須要有對第1檢查治具111a及第2檢查治具111b的被檢查電極102、103的高度之追從性。
就以往的普及型的檢查治具而言，為了確保對被檢查電極102、103的高度之追從性，雖可藉由導電插銷132a、132b的軸方向移動來追從，但該導電插銷132a、132b的軸方向移動量亦有限度，因此當對如此被檢查電極102、103的高度之追從性不佳時，會發生導通不良，而無法進行正確的檢查。
並且，在如此的普及型檢查治具中，藉由第1檢查治具111a及第2檢査治具111b來夾壓被檢査電路基板101時的加壓壓力是以其上下的異方導電性薄板122a、122b、126a、126b、142a、142b來吸收。
因此，在如此的普及型檢査治具中，為了支撐間距變換用基板123a、123b，使加壓壓分散，而必須以一定間隔來配置導電插銷132a、132b。
而且，在以往的普及型檢査治具中，加壓壓力是以導電插銷132a、132b承受，因此必須以一定間隔來配置多數個導電插銷132a、132b。
因此，對應於被檢査電路基板101的電極微細化，例如以0.75mm間距來形成具有1萬以上的貫通孔之絕緣板134a、134b時，一旦絕緣板134a、134b的基板厚度薄，則強度會變低，彎曲時會破裂，因此絕緣板134a、134b的厚度必須形成較厚。
但，若所形成的貫通孔的徑，例如直徑為形成0.5mm程度的微細者，絕緣板134a、124b的厚度為形成5mm以上，則所欲以一次的鑽孔加工來形成貫通孔時，基於鑽孔的刀刃強度的關係，鑽孔的刀刃會發生損壞或折斷，絕緣板的加工失敗的情況會變多。
因此，由絕緣板的一面來鑽孔加工至厚度的一半程度，再由另一面側對同一部份進行鑽孔加工，而形成貫通孔，進行絕緣板的加工，但此情況，鑽孔加工作業必須為形成絕緣板的貫通孔數的2倍，所以會有加工工程變得煩雜的問題。
此外，在以往的普及型檢査治具中，是使用偏在型的異方導電性薄板，亦即構成電路基板側連接器的異方導電性薄板122a、122b是由延伸於厚度方向的複數個導電路形成部、及使該等的導電路形成部互相絕緣的絕緣部所構成，導電性粒子會只在導電路形成部中含有，而不均一地分散於面方向，在薄板片面側突出導電路形成部。此異方導電性薄板會因為檢査的重複使用而使得導電路形成部劣化(電阻值上昇)，在交換異方導電性薄板時，每次交換時必須進行異方導電性薄板與間距變換用基板的對位、及電路基板側連接器與中繼插銷單元的對位，此對位作業煩雜，是形成檢査效率降低的要因。
另外，若被檢査電路基板的電極，例如形成200μm以下的微小間距，則在利用上述異方導電性薄板針對複數個被檢査電路基板來連續進行檢査時，因為與被檢査電路基板重複接觸而造成容易發生異方導電性薄板的位置偏移。如此一來，異方導電性薄板的導電路形成部與被檢査電路基板的電極位置會形成不一致，無法取得良好的電性連接，因此會測定出過大的電阻值，容易將原本應判斷成良品的印刷電路基板誤判成不良品。
並且，在取得用以檢查被檢査電極間的離間距離為100μm以下，亦即被檢査電極為狹窄間距所配置的電路基板之偏在型異方導電性彈性體薄板時，必須使鄰接的導電路形成部間互相絕緣的絕緣部的寬度形成100μm以下，但例如專利文獻6(特開平3-196416號公報)所揭示，在以往 藉由金屬模成形來製造薄板的方法中，因與鄰接的金屬模磁極的磁場作用，難以形成100μm以下的絕緣部。因此，在該以往的製法之偏在型異方導電性彈性體薄板中，雖也會依薄板的厚度而定，但電路基板的電極間距離的檢査可能下限約為80~100μm。
因此，用以檢查被檢査電極間的離間距離為50μm以下，亦即被檢査電極為小間距所配置的電路基板之偏在型異方導電性彈性體薄板，極難以藉由金屬模法來成形，因此實質上無法取得。
另一方面，導電性粒子配列於厚度方向，且均一地分散於面方向之所謂分散型的異方導電性彈性體薄板中，可藉由縮小其厚度來取得高分解能，因此例如藉由使其厚度形成30μm程度，其分解能可檢查被檢査電極的離間距離為50μm以下的電路基板。
但，在厚度為30μm程度之較薄的分散型異方導電性彈性體薄板中，異方導電性彈性體薄板的特性之一，亦即利用薄板本體的彈性之機械性衝撃的吸收能力，或達成電極彼此間的軟性接觸之電性連接的能力幾乎會變沒有，因此在將具有包含多數高度不均的被檢査電極之被檢査電路基板連接於檢査裝置時，會因為異方導電性彈性體薄板的階差吸收能力的降低，而難以同時連接多數個被檢査電極。例如，在藉由電鍍來形成有多數個電極的電路基板中，其各個電極的高度不均會約形成20μm程度。
就分散型異方導電性彈性體薄板而言，在被壓縮於厚 度方向時，可安定達成電性導通的壓縮率約為20%以下。例如若超過20%來進行壓縮，則橫方向的電性導通會變大，不僅有損導通的異方性，且會發生基材之彈性體的永久變形，難以重複使用。因此，在進行具有包含約20μm的高度不均的電極之電路基板的檢査時，必須使用厚度為100μm以上的分散型異方導電性彈性體薄板。
但，若使用厚度為100μm以上的分散型異方導電性彈性體薄板，則在檢查被檢査電極為50μm以下的小間距所配置的電路基板時會有損分解能，因此實質上有不可行的問題點。
又，厚度小的分散型異方導電性彈性體薄板，因為薄板本體的彈性低，所以機械性衝撃的吸收能力小，在使用於電路基板檢査用轉接器來進行電路基板的重複檢査時，異方導電性彈性體薄板的劣化快，因此必須頻繁交換分散型異方導電性彈性體薄板，交換作業會變得繁雜，造成電路基板的檢査效率會變低。
由以上可知，在用以檢查被檢査電極為50μm以下的小間距所配置的電路基板之使用異方導電性彈性體薄板的電路基板檢査用轉接器中，無法完全滿足分解能、階差吸收能、重複使用耐久性。
又，為了以高精度來檢測出電路基板的潛在性電性缺陷，而進行4端子檢査時，會形成對被檢查用電路基板的1個被檢查電極連接檢查用電路基板的2個檢查電極(電壓用及電流用)，因此檢查用電路基板之成對的檢查電極間 的離間距離會變小。例如，當被檢查電路基板的被檢查電極間間距為200μm時，被檢查電極的直徑會形成約100μm，對此直徑約100μm的被檢查電極連接2個檢查用電路基板的檢查電極，因此檢查用電路基板的檢查電極間的離間距離只能設置30~40μm程度。
如以上所述，就以往的偏在型異方導電性薄板或分散型異方導電性薄板而言，無法對檢查具有多數個被檢査電極的電路基板的檢查裝置取得充分的分解能、階差吸收能、緩衝性、耐久性。
專利文獻1：特開平6-94768號公報
專利文獻2：特開平5-159821號公報
專利文獻3：特開平7-248350號公報
專利文獻4：特開平8-271569號公報
專利文獻5：特開平8-338858號公報
專利文獻6：特開平3-196416號公報
本發明是為了解決上述以往技術的問題點而研發者，其目的是在於提供一種即使檢査對象的被檢査電路基板為具有微細間距的微小電極者，還是可以進行可靠度高的電路基板的電性檢査之電路基板的檢査裝置及電路基板的檢査方法。
又，本發明的目的是在於提供一種即使針對檢査對象的被檢査電路基板的被檢査電極的高度不均，還是可以使對高度的追從性佳，不使發生導通不良，實施正確的檢査之電路基板的檢査裝置及電路基板的檢査方法。
又，本發明的目的是在於提供一種對異方導電性薄板的檢查時的應力集中會良好地分散，重複使用耐久性佳之電路基板的檢查裝置及電路基板的檢查方法。
又，本發明的目的是在於提供一種不必以一定間隔來配置導電插銷，因此對保持導電插銷的絕緣板之貫通孔的鑽孔加工的穿設作業少，可降低成本之電路基板的檢査裝置。
又，本發明的目的是在於提供一種可以高分解能進行檢査，良好地吸收被檢査電路基板的被檢査電極所產生的階差，同時異方導電性薄板的重複使用耐久性亦佳之電路基板的檢査裝置及電路基板的檢査方法。
本發明之電路基板的檢查裝置，係藉由一對的第1檢査治具及第2檢査治具，在兩檢査治具之間夾壓檢査對象的被檢査電路基板的兩面，進行電性檢查，其特徵為：上述第1檢査治具及第2檢査治具分別具備：電路基板側連接器，其係具備：在基板的一面側與另一面側之間變換電極間距之間距變換用基板、及配置於上述間距變換用基板的被檢査電路基板側，貫通基板的複數個剛性導體電極可移動保持於該基板的厚度方向，藉由上述剛性導體電極來中繼上述間距變換用基板的檢查電極與上述被檢查電路基板的被檢查電極的電性連接之中繼基板、及配置於上述中繼基板的一面側及另一面側，導電性粒子會配列於厚度方向，且均一地分散於面方向之一對的第1異方導電性薄板、及配置於與上述間距變換用基板的被檢查電路基板呈相反逆側之第2異方導電性薄板；中繼插銷元件，其係具備：以規定的間距來配置之複數個導電插銷、及可使上述導電插銷移動支撐於軸方向之一對離間的第1絕緣板第2絕緣板；及測試機側連接器，其係具備：電性連接測試機與上述中繼插銷元件之連接器基板、及配置於上述連接器基板的中繼插銷元件側之第3異方導電性薄板、及配置於與上述連接器基板的中繼插銷元件呈相反側之基座板；又，上述中繼插銷元件具備：配置於上述第1絕緣板與第2絕緣板之間的中間保持板；配置於上述第1絕緣板與中間保持板之間的第1支撐插銷；及配置於上述第2絕緣板與中間保持板之間的第2支撐插銷；且，上述第1支撐插銷對中間保持板的第1抵接支撐位置、及上述第2支撐插銷對中間保持板的第2抵接支撐位置，會在投影於中間保持板的厚度方向的中間保持板投影面中配置於相異的位置。
上述發明的較佳態様，是在上述中繼基板之上述基板形成有複數個貫通孔，在該貫通孔內形成有由高分子彈性體所構成的絕緣部，上述剛性導體電極係貫通該絕緣部，可藉由該絕緣部來移動保持於上述基板的厚度方向。
上述發明的其他較佳態様，是上述中繼基板之上述基板具有絕緣性，在該基板形成有複數個貫通孔，上述剛性導體電極具備：插通於該貫通孔的軀幹部；及形成於該軀幹部的兩端，具有比上述貫通孔的徑更大的徑之端子部；上述剛性導體電極在該基板的貫通孔，可移動保持於該基板的厚度方向。
上述發明中，在第1檢查治具與第2檢查治具之間夾壓檢查對象的被檢查電路基板的兩面來進行電性檢查時，在加壓的初期段階，可藉由中繼插銷元件的導電插銷之往厚度方向的移動、及第1異方導電性薄板、第2異方導電性薄板、第3異方導電性薄板的橡膠彈性壓縮來吸收壓力，而使能夠某程度吸收被檢查電路基板的被檢查電極的高度不均。
而且，第1支撐插銷對中間保持板的第1抵接支撐位置、及上述第2支撐插銷對中間保持板的第2抵接支撐位置會在投影於中間保持板的厚度方向的中間保持板投影面中，配置於相異的位置，因此在第1檢查治具與第2檢查治具之間更對檢查對象的被檢查電路基板加壓時，除了第1異方導電性薄板、第2異方導電性薄板、第3異方導電性薄板的橡膠彈性壓縮以外，還可藉由中繼插銷元件的第1絕緣板、第2絕緣板、及配置於第1絕緣板與第2絕緣板之間的中間保持板的彈簧彈性來對被檢査電路基板的被檢査電極的高度不均，例如焊球電極的高度不均，使壓力集中分散，而使能夠迴避局部的應力集中。
藉此，即使針對具有高度不均的被檢査電路基板的各個被檢査電極，照樣可確保安定的電性接觸，且應力集中會降低，異方導電性薄板的局部性的破損會被抑止。其結果，異方導電性薄板的重複使用耐久性會提升，所以異方導電性薄板的交換次數會減少，檢査作業效率會提升。
又，由於不必以一定間隔配置導電插銷，因此對保持導電插銷的絕緣板之貫通孔的鑽孔加工的穿設作業少，可降低成本。
又，本發明中，在被檢查電路基板與間距變換用基板之間，配置一貫通基板的複數個剛性導體電極可移動保持於該基板的厚度方向之中繼基板，在此中繼基板的兩側配置分散型異方導電性彈性體薄板。
因此，即使為了取得對應於微細間距的被檢查電極之充分的分解能，而縮小各個分散型異方導電性彈性體薄板的厚度，還是可以藉由該等2片的分散型異方導電性彈性體薄板來充分地吸收被檢查電路基板的被檢查電極的階差，可安定地連接多數個被檢查電極。又，由於機械性衝撃會被充分地吸收，因此分散型異方導電性彈性體薄板的重複耐久性高，不必頻繁交換分散型異方導電性彈性體薄板，因此被檢查電路基板的檢查效率會提升。
又，由於剛性導體電極可移動保持於基板的厚度方向，因此亦可藉由中繼基板來吸收被檢查電路基板的被檢查電極的階差，可緩和往分散型異方導電性彈性體薄板的局部性應力集中。
本發明之電路基板的檢查裝置，是藉由一對的第1檢查治具及第2檢查治具，在兩檢查治具之間夾壓檢查對象的被檢查電路基板的兩面時，以上述第1支撐插銷對中間保持板的第1抵接支撐位置為中心，上述中間保持板會彎曲於上述第2絕緣板的方向，且以上述第2支撐插銷對中間保持板的第2抵接支撐位置為中心，上述中間保持板會彎曲於上述第1絕緣板的方向。
藉由如此構成，中間保持板會以第1抵接支撐位置、第2抵接支撐位置為中心，互相彎曲於相反方向，因此在第1檢查治具與第2檢查治具之間更對檢查對象的被檢查電路基板加壓時，中間保持板的彈簧彈性力會更被發揮，對被檢查電路基板的被檢查電極的高度不均而言，可使壓力集中分散，迴避局部性的應力集中，異方導電性薄板的局部性破損會被抑止。其結果，異方導電性薄板的重複使用耐久性會提升，因此異方導電性薄板的交換次數會減少，檢查作業效率會提升。
本發明之電路基板的檢查裝置，是上述第1支撐插銷對中間保持板的第1抵接支撐位置會在上述中間保持板投影面中配置成格子狀，上述第2支撐插銷對中間保持板的第2抵接支撐位置會在上述中間保持板投影面中配置成格子狀，在上述中間保持板投影面中，由鄰接的4個第1抵接支撐位置所構成的單位格子區域中，配置有1個的第2抵接支撐位置，且，在上述中間保持板投影面中，由鄰接的4個第2抵接支撐位置所構成的單位格子區域中，配置有1個的第1抵接支撐位置。
藉由如此構成，第1抵接支撐位置與第2抵接支撐位置會被配置成格子狀，且第1抵接支撐位置與第2抵接支撐位置的格子點位置會全部被配置於偏移的位置。
因此，中間保持板會以第1抵接支撐位置、第2抵接支撐位置為中心，互相彎曲於相反方向，因此在第1檢査治具與第2檢査治具之間更對檢査對象的被檢査電路基板加壓時，中間保持板的彈簧彈性力會更被發揮，對被檢査電路基板的被檢査電極的高度不均而言，可使壓力集中分散，迴避局部性的應力集中。藉此，異方導電性薄板的局部性破損會被抑止，其結果，異方導電性薄板的重複使用耐久性會提升，因此異方導電性薄板的交換次數會減少，檢査作業效率會提升。
又，本發明之電路基板的檢查裝置，是上述中繼插銷 元件具備：在上述第1絕緣板與第2絕緣板之間，以規定間隔離間配置的複數個中間保持板；及配置於鄰接的中間保持板彼此之間的保持板支撐插銷，且在至少1個中間保持板中，自一面側對該中間保持板抵接之保持板支撐插銷對該中間保持板的抵接支撐位置、及自另一面對該中間保持板抵接之第1支撐插銷、第2支撐插銷、或保持板支撐插銷對該中間保持板的抵接支撐位置，會在投影於該中間保持板的厚度方向的中間保持板投影面中配置於相異的位置。
藉由如此構成，利用該等的複數個中間保持板，彈簧彈性力會更被發揮，對被檢査電路基板的被檢査電極的高度不均而言，可使壓力集中分散，迴避局部性的應力集中，異方導電性薄板的局部性破損會被抑止。其結果，異方導電性薄板的重複使用耐久性會提升，因此異方導電性薄板的交換次數會減少，檢査作業效率會提升。
又，本發明之電路基板的檢查裝置，是在全部的上述中間保持板中，自一面側對該中間保持板抵接之保持板支撐插銷對該中間保持板的抵接支撐位置、及自另一面側對該中間保持板抵接之第1支撐插銷、第2支撐插銷、或保持板支撐插銷對該中間保持板的抵接支撐位置，會在投影於該中間保持板的厚度方向的中間保持板投影面中配置於相異的位置。
藉此，在鄰接的中間保持板之間，保持板支撐插銷與中間保持板的抵接支撐位置會被配置於偏移的位置，因此該等的複數個中間保持板的彈簧彈性會更被發揮，可對被檢查電路基板的被檢查電極的高度不均，使壓力集中分散，而得以迴避局部性的應力集中，異方導電性薄板的局部性破損會被抑止。其結果，異方導電性薄板的重複使用耐久性會提升，因此異方導電性薄板的交換次數會減少，檢查作業效率會提升。
本發明之電路基板的檢查裝置，是上述第2異方導電性薄板係由：延伸於厚度方向的複數個導電路形成部、及使該等的導電路形成部互相絕緣的絕緣部所構成，導電性粒子會只在導電路形成部中含有，藉此該導電性粒子係不均一地分散於面方向，且在薄板一面側突出導電路形成部。
又，本發明之電路基板的檢查裝置，是上述第3異方導電性薄板係由：延伸於厚度方向的複數個導電路形成部、及使該等的導電路形成部互相絕緣的絕緣部所構成，導電性粒子會只在導電路形成部中含有，藉此該導電性粒子係不均一地分散於面方向，且在薄板一面側突出導電路形成部。
如此，第2異方導電性薄板及第3異方導電性薄板為使用偏在型的異方導電性薄板，亦即由導電路形成部及絕緣部所構成，導電性粒子會只在導電路形成部中含有，而不均一地分散於面方向，在薄板片面側突出導電路形成部，因此檢査治具的推壓所產生的加壓力或衝撃會被該薄板所吸收，藉此第1異方導電性薄板的劣化會被抑止。
本發明之一態様，是上述複數個導電插銷係由：比上述第1絕緣板與第2絕緣板之間的間隔更短的棒狀中央部、及形成於該中央部的兩端側，比該中央部更徑小的一對端部所構成，上述一對的端部會分別被插通於比形成於上述第1絕緣板及第2絕緣板的上述中央部更小徑，比上述一對的端部更大徑的貫通孔，藉此上述導電插銷可移動支撐於軸方向。
藉由如此構成，導電插銷可在第1絕緣板與第2絕緣板之間，移動於軸方向，且保持不脫落。
本發明之其他態様，是在上述第1絕緣板與中間保持板之間、上述第2絕緣板與中間保持板之間、或中間保持板彼此之間，設置形成有可插通上述導電插銷的貫通孔之彎曲保持板，上述複數個導電插銷係以形成於上述第1及第2絕緣板的貫通孔、及形成於上述彎曲保持板的貫通孔作為支點，互相在相反方向往橫方向推壓，而於上述彎曲保持板的貫通孔的位置被彎曲，藉此上述導電插銷可移動支撐於軸方向。
藉由如此構成，導電插銷可在第1絕緣板與第2絕緣板之間，移動於軸方向，且保持不脫落。又，由於導電插銷可使用圓柱狀的簡易構造的插銷，因此可壓低導電插銷及保持該導電插銷的構件全體的成本。
本發明之電路基板的檢查方法，是利用前述電路基板的檢查裝置之電路基板的檢查方法，其特徵為：藉由一對的第1檢查治具及第2檢查治具，在兩檢查治具之間夾壓檢查對象的被檢查電路基板的兩面，進行電性檢查。
藉由如此構成，異方導電性薄板的局部性破損會被抑止，其結果，異方導電性薄板的重複使用耐久性會提升，因此異方導電性薄板的交換次數會減少，檢查作業效率會提升。
若利用本發明之電路基板的檢查裝置及電路基板的檢查方法，則即使檢查對象的被檢查電路基板為具有微細間距的微小電極者，還是可以進行可靠度高的電路基板的電性檢查。
若利用本發明之電路基板的檢查裝置及電路基板的檢查方法，則對於檢查對象的被檢查電路基板的被檢查電極的高度不均，照樣對高度追從性佳，可不使發生導通不良，實施正確的檢查。
若利用本發明之電路基板的檢查裝置及電路基板的檢查方法，則對異方導電性薄板之檢查時的應力集中會被良好地分散，可使其重複使用耐久性提升。
若利用本發明之電路基板的檢查裝置，則對保持導電插銷的絕緣板之貫通孔的鑽孔加工的穿設作業少，可降低成本。
若利用本發明之電路基板的檢查裝置及電路基板的檢查方法，則由於在中繼基板的兩面配置分散型異方導電性彈性體薄板，因此可藉由縮小所配置之分散型異方導電性彈性體薄板的厚度，以高分解能來進行被檢查電路基板的檢查，且可良好地吸收被檢查電路基板的被檢查電極的高度不均所產生的階差，同時重複使用耐久性亦高。
以下，參照圖面來說明有關本發明的實施形態。並且，在往後的記載中，於總稱第1檢查治具和第2檢查治具之一對相同的構成要素(例如，電路基板側連接器21a和電路基板連接器21b、第1異方導電性薄板22a和第1異方導電性22b等)時，省略「a」、「b」(例如，總稱第1異方導電性薄板22a和第1異方導電性薄板22b為「第1異方導電性薄板22」)。
圖1是表示本發明的檢查裝置的實施形態的剖面圖。圖2是表示圖1的檢查裝置的檢查使用時之疊層狀態的剖面圖。
此檢查裝置是在供以安裝積體電路等的印刷電路基板等檢查對象的被檢查電路基板1中，藉由測定被檢查電極間的電阻來進行被檢查電路基板的電性檢查。
而且，在此檢查裝置中，如圖1及圖2所示，配置於被檢查電路基板1的上面側的第1檢查治具11a與配置於下面側的第2檢查治具11b會配置成上下互相對向。
第1檢查治具11a具備電路基板側連接器21a，該電路基板側連接器21a具備：在其兩側配置一對的第1異方導電性薄板(分散型異方導電性薄板)22a之中繼基板29a、及配置於與該被檢查電路基板1誠相反側的間距變換用基板23a、及配置於間距變換用基板23a的另一面側之第2異方導電性薄板(偏在型異方導電性薄板)26a。又，第1檢查治具11a具備中繼插銷單元31a。又，第1檢查治具11a具備測試機側連接器41a，該測試機側連接器41a具備：在其中繼插銷單元31a側配置有第3異方導電性薄板42a的連接器基板43a、及基座板46a。
第2檢查治具11b亦與第1檢查治具11a同様構成，具備電路基板側連接器21b、中繼插銷單元31b、及測試機側連接器41b。
在被檢查電路基板1的上面形成有被檢查用的電極2，在其下面亦形成有被檢查用的電極3，該等會互相電性連接。
圖3是表示間距變換用基板23的被檢查電路基板1側的表面。圖4是表示其中繼插銷單元31側的表面。圖10是表示經由第1異方導電性薄板22來疊層間距變換用基板23、中繼基板29及被檢查電路基板1的狀態部份剖面圖。
在間距變換用基板23的一方表面，亦即被檢查電路基板1側，如圖3所示，形成有被電性連接至被檢查電路基板1的電極2、3的複數個連接用電極(檢査電極)25。該等的連接電極25是配置成對應於被檢査電路基板1的被檢査電極2，3的圖案。
又，該連接電極25，如圖3所示，是由對被檢査電路基板1的一個被檢査電極2(被檢査電極3)連接之一對的離間之電流用端子電極27及電壓用端子電極28所構成。
另外，在間距變換用基板23的另一方表面，亦即與被檢査電路基板1相反的一側，如圖4所示，形成有電性連接至中繼插銷單元31的導電插銷32的複數個端子電極24。該等的端子電極24是例如被配置於2.54mm、1.8mm、1.27mm、1.06mm、0.8mm、0.75mm、0.5mm、0.45mm、0.3mm或0.2mm之一定間距的格子點上，該間距是與中繼插銷單元的導電插銷32a、32b的配置間距相同。
如圖10所示，圖3的各個連接電極25是藉由圖3的配線52及貫通於絕緣基板51的厚度方向之圖10的內部配線53來電性連接至所對應的圖4的端子電極24。
間距變換基板23的表面之絕緣部，是例如在絕緣基板的表面上，以各個的連接電極25能夠露出之方式所形成的絕緣層54來構成，此絕緣層54的厚度較佳為5~100μm，更佳為10~60μm。該厚度過大時，連接電極25與異方導電性薄板的電性連接會有困難。
就形成間距變換用基板的絕緣基板51的材料而言，一般可利用作為印刷電路基板的基材使用者。具體而言，可舉出例如，聚醯亞胺(Polyimide)樹脂、玻璃纖維補強型聚醯亞胺樹脂、玻璃纖維補強型環氧樹脂、玻璃纖維補強型BT(Bismaleimide Triazine)樹脂等。
絕緣層54、55的形成材料，可使用能夠薄板狀成形的高分子材料，具體而言，例如環氧樹脂、丙烯樹脂、酚(phenol)樹脂、聚醯亞胺(Polyimide)樹脂、聚醯胺(Polyamide)樹脂、該些混合物、光阻劑材料等。
間距變換用基板23例如可以如下述般予以製造。首先，準備在平板狀的絕緣基板的兩面上疊層金屬薄層的疊層材料，對該疊層材料，藉由數值控制型鑽孔裝置、光蝕刻處理、雷射加工處理等，對應於應該形成之端子電極所對應之圖案而形成貫通於疊層材料之厚度方向的多數貫通孔。
其次，藉由在形成於疊層材料的貫通孔內實施無電解電鍍及電解電鍍，來形成被連結於基板兩面的金屬薄層之引洞(via hole)。之後，藉由對金屬薄板層施予光蝕刻處理，在絕緣基板的表面上形成配線圖案及連接電極，且在相反側的表面上形成端子電極。
然後，在絕緣基板51的表面上以各個連接電極25能夠露出之方式來形成絕緣層54，且在相反側的表面上以各個端子電極24能夠露出之方式來形成絕緣層55，藉此取得間距變換用基板23。又，絕緣層55的厚度較佳為5~100μm，更佳為10~60μm。
圖5(a)是表示中繼基板的剖面圖、圖5(b)是表示其部份上面圖、圖8(c)是表示中繼基板的擴大剖面圖。在此中繼基板29的基板77中，按照間距變換用基板23的電極圖案來形成配置有剛性導體電極75的多數個貫通孔。在此貫通孔內，藉由埋設高分子彈性體來形成絕緣部76，剛性導體電極75會以被該絕緣部76所圍繞的方式來貫通形成。
例如，在形成於該基板77的多數個貫通孔分別配置有對應於4端子檢查中所被使用的圖3的電流用端子電極27及電壓用端子電極28之剛性導體電極75對。配置於1個貫通孔的剛性導體電極75的數量，雖無特別加以限定，但較理想為1~4個。亦可對應於間距變換用基板23的連接電極，而使基板77的各貫通孔中，剛性導體電極75的數量有所不同。
如圖8(c)所示，最好在剛性導體電極75的兩端側形成有由絕緣部76的表面突出的突出部75a。藉由如此形成突出部75a，可使被檢查電路基板1的被檢查電極與間距變換用基板23的連接電極，以較低的電阻值確實導通。
絕緣部76可藉由具有架橋構造的彈性高分子物質來形成。就可使用於供以取得如此的彈性高分子物質之硬化性的高分子物質形成材料的具體例而言，可舉出聚丁二烯橡膠(Polybutadiene Rubber)、天然橡膠、異戍橡膠(Polyisoprene)、苯乙烯－丁二烯共聚體橡膠、丙烯－丁二烯共聚體橡膠等之共軛二烯橡膠(Conjugated Diene Rubber)及該些之氫添加物、苯乙烯－異戍共聚體等之區塊共聚體橡膠及該些氫添加物、丁二烯橡膠(Chloroprene rubber)、氨基甲酸酯橡膠(Urethane rubber)、聚酯橡膠(Polyester rubber)、環氧氯丙烷(epichlorohydrin rubber)、矽橡膠、乙烯－丙烯共聚體橡膠、乙烯－丙烯－二烯共聚體橡膠等。
以上，當耐候性被要求時，以使用共軛二烯橡膠以外者為佳，特別是由成形加工性及電性的觀點來看，以使用矽橡膠為佳。
就矽橡膠而言，以架橋或縮合液狀矽橡膠為佳。液狀矽橡膠，其黏度在變形速度10－ 1 sec為105 泊(poise)以下為佳，亦可為含有縮合型、附加型、乙烯基(vinyl group)或氫氧根基中之任一者。具體而言，可以舉出例如二甲基矽生橡膠、甲乙烯矽生橡膠、甲苯乙烯矽生橡膠等。
又，矽橡膠的分子量Mw(稱為標準聚苯乙烯換算重量平均分子量)是以10000~40000為佳。再者，為了取得良好的耐熱性，分子量分布指數(稱為標準聚苯乙烯換算重量平均分子量Mw和標準聚苯乙烯換算平均分子量Mn之比Mw/Mn之值)是2以下為佳。
形成中繼基板的基板77的材料，具體而言，例如可舉玻璃繊維補強型聚醯亞胺樹脂、玻璃繊維補強型環氧樹脂、玻璃繊維補強型BT樹脂、等的複合樹脂材料、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚芳族聚醯胺(Poly Aramid)樹脂、聚醯胺樹脂、BT樹脂、液晶聚合物等的機械強度高的樹脂材料、不鏽鋼等的金屬材料、氟樹脂繊維、芳族聚醯胺繊維、聚乙烯繊維、聚芳酯繊維、耐綸繊維、聚酯繊維、液晶聚合物繊維等的有機繊維所構成的網眼織物(mesh)、不織布、金屬網眼織物等。基板77的厚度雖是根據形成材料而定，但較理想為20~500μm。
以下，具體說明中繼基板29的製造方法。首先，如圖6(a)所示，準備平板狀的基板77。對此基板77，例如藉由數值控制型鑽孔裝置、光蝕刻處理、雷射加工處理、打孔加工等，在配置剛性導體電極75的位置，如圖6(b)所示，形成貫通孔63。
其次，在貫通孔63內，例如利用網版印刷等的印刷法、滾輪塗佈法、刮刀塗佈法等來塗佈絕緣部用材料，進行硬化處理。藉此，如圖6(c)所示，在貫通孔63內全體，形成由高分子彈性體所構成的絕緣部76。絕緣部用材料的硬化處理，通常是藉由加熱處理來進行。具體的加熱温度及加熱時間是藉由考量絕緣部用材料的種類等來適宜設定。
其次，如圖7(a)所示，在此絕緣部76穿孔用以形成剛性導體電極75的貫通孔64。此貫通孔64可如以下所述形成。首先，在基板77的一面側表面，利用無電解電鍍法、濺射法等，以銅、金、鋁，銠等來形成電鍍電極用的金屬薄層。在此金屬薄層上，藉由光蝕刻微影的手法，按照對應於貫通孔64的形成圖案之特定的圖案來形成形成有複數個開口的光阻層之後，以金屬薄層作為電鍍電極，實施電解電鍍處理，藉此在光阻層的開口內形成銅、鐵、鋁、金、銠等的金屬光罩。
其次，利用CO2 雷射等來對光阻層、金屬薄層及絕緣部76施以雷射加工，藉此以能夠貫通光阻層、金屬薄層及絕緣部76的方式來形成貫通孔。然後，由絕緣部76的表面來去除所殘存的金屬薄層及金屬光罩，藉此取得在絕緣部76形成有貫通孔64之圖7(a)的基板。
對如此取得之圖7(a)的基板77，施以銅的無電解電鍍，於基板表面全體。藉此，如圖7(b)所示，形成電解電鍍用的銅電鍍層65。
其次，如圖7(c)所示，藉由光蝕刻微影的手法，將在貫通孔64的位置形成有開口的光阻層66予以形成於基板77的兩側表面。此光阻層66的厚度是對應於來自所應形成的剛性導體電極75的絕緣部76的突出寬度而設定。
在形成光阻層66之後，如圖8(a)所示，以銅電鍍層65作為共通電極，實施電解銅電鍍(貫通孔電鍍)，藉此於各貫通孔64形成剛性導體電極75。
其次，如圖8(b)所示，去除光阻層66。然後，短時間進行利用酸的蝕刻，剩下剛性導體電極75的兩端側的突出部，選擇性地洗淨去除電鍍層65，取得如圖8(c)所示的中繼基板29。
構成電路基板側連接器21，配置於中繼基板29的兩面側的第1異方導電性薄板22，如圖9所示，是在由絕緣性的彈性高分子所構成的薄板基材62中，多數的導電性粒子62會被分散於面方向，且配列於厚度方向的狀態下含有。
第1異方導電性薄板22的厚度較理想為20~200μm，更理想為30~100μm。當該最小厚度未滿20μm時，第1異方導電性薄板22的機械強度會容易降低，無法取得必要的耐久性。另一方面，當該第1異方導電性薄板22的厚度超過200μm時，且當所應連接的電極的間距小時，在藉由加壓而形成的導電路間無法取得所要的絕緣性，在被檢查電極間產生電性的短路，而造成檢查對象電路基板的電性檢查困難。
構成第1異方導電性薄板22的薄板基材63之彈性高分子物質，其硬度計硬度較理想為30~90，更理想為35~80，最理想為40~70。另外，在此所謂「硬度計硬度」是意指根據JIS K6253的硬度計硬度試験，藉由型態A硬度計來測定者。當彈性高分子物質的硬度計硬度未滿30時，被推壓於厚度方向時，異方導電性薄板的壓縮變形大，會產生較大的永久變形，因此異方導電性薄板會早期劣化，造成檢查使用困難，耐久性容易降低。
另一方面，當彈性高分子物質的硬度計硬度超過90時，異方導電性薄板被推壓於厚度方向時，因為厚度方向的變形量不夠充分，所有無法取得良好的連接可靠度，容易發生連接不良。
就構成第1異方導電性薄板22的基材之彈性高分子物質而言，並無特別加以限定，只要是顯示上述硬度計硬度者即可，但由形成加工性及電性特性的觀點來看，最好是使用矽橡膠。
第1異方導電性薄板22最好其厚度W1 (μm)與磁性導電性粒子的數平均粒子徑D1 (μm)的比率W1 /D1 為1.1~10。在此，所謂「磁性導電性粒子的數平均粒子徑」是意指藉由雷射繞射散亂法來測定者。當比率W1 /D1 未滿1.1時，對異方導電性薄板的厚度而言，磁性導電性粒子的直徑為同等或更大，所以該異方導電性薄板的彈性會變低，因此在將該異方導電性薄板配置於印刷配線基板等的被檢查物(被檢查電路基板1)與檢查電極之間進行加壓，達成接觸導通狀態時，被檢查物容易受傷。
另一方面，當比率W1 /D1 超過10時，將異方導電性薄板配置於印刷配線基板等的被檢查物與檢查電極之間，進行加壓，達成接觸導通狀態時，在被檢查物與檢查電極之間，多數的導電性粒子會配列而形成連鎖，多數的導電性粒子彼此間的接點會存在，因此電性電阻值會容易變高，難以使用於電性檢查。
就磁性導電性粒子而言，由可在用以形成異方導電性薄板的薄板成形材料中藉由磁場的作用來使磁性導電性粒子容易移動的觀點來看，其飽和磁化較理想為0.1Wb/m2 以上，更理想為0.3Wb/m2 以上，特別是以0.5Wb/m2 以上者為最理想。
藉由飽和磁化為0.1Wb/m2 以上，可在其製造工程中藉由磁場的作用來使磁性導電性粒子確實地移動，而形成所望的配向狀態，因此在使用異方導電性薄板時可形成磁性導電性粒子的連鎖。
就磁性導電性粒子的具體例而言，可舉出顯示鐵、鎳、鈷等的磁性之金屬粒子或該等的合金粒子或含有該等金屬的粒子、或是以該等的粒子作為芯粒子，在芯粒子的表面覆蓋高導電性金屬的複合粒子，或是以非磁性金屬粒子或玻璃珠等的無機物質粒子或聚合物粒子作為芯粒子，在芯粒子的表面施以高導電性金屬的電鍍的複合粒子、或在芯粒子覆蓋肥粒鐵、金屬間化合物等的導電性磁性體及高導電性金屬雙方的複合粒子等。
在此，「高導電性金屬」是指0℃中之導電率為5×106 Ω－ 1 m－ 1 以上之金屬。以如此之高導電性金屬而言，具體上可以使用金、銀、銠等，該些中以化學性安定且具有高導電率之點來看以使用金為佳。
上述之磁性導電性粒子中，是使用將鎳粒子當作芯粒子，並在該表面上施予金或銀等之高導電性金屬之電鍍的複合粒子等為佳。
以在芯粒子之表面覆蓋高導電性金屬之手段而言，例如可以使用例如無電解電鍍法。
磁性導電粒子是其數平均粒子徑之變動係數為50%以下者為佳，更佳為40%以下，又更佳為30%以下，最佳為20%以下者。在此，「數平均粒子徑之變動係數」是藉由式：(σ/Dn)×100(但是，σ是表示粒子徑之標準偏差之值，Dn是表示粒子的數平均粒子徑)而取得。
藉由磁性導電性粒子的數平均粒子徑之變動係數為50%以下，粒子徑之不整齊程度因變小，故可以縮小所取得異方導電性薄板中之部分性導電性的不均。
如此之磁性導電性粒子是可以藉由常法來粒子化金屬材料，或是準備市售之金屬粒子，對該粒子執行分級處理而取得。粒子之分級處理是可以藉由例如空氣分級裝置、音波篩選裝置等之分級裝置而執行。
再者，分級處理之具體條件是因應為目的之導電性金屬粒子之數平均粒子徑、分級裝置之種類等而被適當設定。
磁性導電性粒子的具體形狀，雖無特別加以限定、但例如以使用複數個球形的一次粒子會被一體連結的二次粒子為佳。
於使用在芯粒子之表面覆蓋高導電性金屬者當作磁性導電性粒子之時，由取得良好的導電性之點來看，導電性複合金屬粒子的表面之高導電性金屬的覆蓋率(高導電性金屬之覆蓋面積對芯粒子之表面積的比率)為40%以上為佳，更佳為45%以上，最佳為47~95%。
又，高導電性金屬之覆蓋量是以芯粒子的重量的2.5~50質量%為佳，更佳為3~45質量%，又更佳為3.5~40質量%，最佳為5~30質量%。
如此在絕緣性的彈性高分子物質中多數個導電性粒子會分散於面方向且在配列於厚度方向的狀態下含有的異方導電性薄板，是例如日本特開2003－77560號公報所示，調製一在硬化後形成彈性高分子物質的高分子物質用材料中含有顯示磁性的導電性粒子之流動性的成形材料，將由該成形材料所構成的成形材料層形成於接觸於該成形材料層的一面的一面側成形構件與接觸於該成形材料層的另一面的另一面側成形構件之間，針對該成形材料層，使磁場作用於其厚度方向，且藉由硬化處理該成形材料層的方法等來製造。
圖10是表示經由第1異方導電性薄板來疊層間距變換用基板、中繼基板及被檢查電路基板的狀態部份剖面圖。同圖中顯示進行4端子檢查時的例子。如圖示，在被檢查電路基板1與間距變換用基板23之間，經由第1異方導電性薄板22來配置中繼基板29，對應於間距變換用基板23的電流用端子電極27及電壓用端子電極28，在中繼基板29的1個貫通孔內形成有一對的剛性導體電極75，75。電流用端子電極27及電壓用端子電極28與一對的剛性導體電極75，75是經由第1異方導電性薄板22來電性連接。另一方面，被檢查電路基板1的被檢查電極2與上述一對的剛性導體電極75，75會經由第1異方導電性薄板22來電性連接，在此狀態下進行電性檢查。
配置於間距變換用基板23的中繼插銷單元31側之第2異方導電性薄板26，如圖11所示，是由在絕緣性的彈性高分子材料中多數個導電性粒子62會配列於厚度方向而形成的導電路形成部72、及使各個導電路形成部72離間的絕緣部71所構成。如此，導電性粒子62是只在導電路形成部72中不均一分散於面方向。
導電路形成部72的厚度W2 較理想為0.1~2mm，更理想為0.2~1.5mm。當該厚度W2 未滿0.1mm時，對厚度方向的加壓之吸收能力會變低，在檢査時檢査治具之加壓力的吸收會變小，緩和衝擊電路基板側連接器21的效果會減少。因此，難以抑止第1異方導電性薄板22的劣化，其結果，被檢査電路基板1的重複檢査時之第1異方導電性薄板22的交換次數會増加，進而檢査的效率會降低。另一方面，當該厚度W2 超過2mm時，厚度方向的電阻會容易變大，電性檢查會變得困難。
絕緣部71的厚度較理想是與導電路形成部72的厚度實質相同，或者更小。如圖11所示，使絕緣部71的厚度形成比導電路形成部72的厚度更小，導電路形成部72會形成從絕緣部71突出的突出部73，藉此對厚度方向的加壓而言，導電路形成部72的變形容易，加壓力的吸收能力會増大，因此可在檢査時吸收檢査治具的加壓力，緩和對電路基板側連接器21的衝撃。
構成第2異方導電性薄板26的導電性粒子62為使用磁性導電性粒子時，其數平均粒子徑較理想為5~200μm，更理想為5~150μm，又更理想為10~100μm。在此所謂「磁性導電性粒子的數平均粒子徑」是意指藉由雷射繞射散亂法來測定者。若磁性導電性粒子的數平均粒子徑為5μm以上，則異方導電性薄板的導電路形成部的加壓變形會變得容易。並且，在該製造工程中藉由磁場配向處理來使磁性導電性粒子配向時，磁性導電性粒子的配向容易。 若磁性導電性粒子的數平均粒子徑為200μm以下，則異方導電性薄板的導電路形成部72的彈性良好，加壓變形容易。
導電路形成部72的厚度W2 (μm)與磁性導電性粒子的數平均粒子徑D2 (μm)的比率W2 /D2 較理想為1.1~10。當比率W2 /D2 未滿1.1時，對導電路形成部72的厚度而言，由於磁性導電性粒子的直徑為同等或更大，因此導電路形成部72的彈性會變低，其厚度方向的加壓力的吸收能力會變小。檢査時之檢査治具的加壓壓力吸收會變小，緩和衝擊電路基板側連接器21的效果會減少，因此難以抑止第1異方導電性薄板22的劣化，其結果，在被檢査電路基板1的重複檢査時，第1異方導電性薄板22的交換次數會増加，而使得檢査的效率容易降低。
另一方面，當比率W2 /D2 超過10時，在導電路形成部72中多數的導電性粒子會配列形成連鎖，導電性粒子彼此間的接點會多數存在，因此電性電阻值會容易變高。
導電路形成部72的基材之彈性高分子係藉由該型態A硬度計所測定的硬度計硬度較理想為15~60，更理想為20~50，又以25~45最理想。
當彈性高分子的硬度計硬度小於15時，被推壓於厚度方向時之薄板的壓縮變形大，會產生較大的永久變形，因此薄板形狀會早期變形，而使得檢査時的電性連接困難。當彈性高分子的硬度計硬度大於60時，被推壓於厚度方向時的變形會變小，其厚度方向的加壓力的吸收能力會變小。因此，難以抑止第1異方導電性薄板22的劣化，其結果，在被檢査電路基板1的重複檢査時，第1異方導電性薄板22的交換次數會増加，而使得檢査的效率容易降低。
形成導電路形成部72的基材之彈性高分子，只要是顯示上述硬度計硬度者即可，並無特別加以限定，但由加工性及電性特性的點來看，最好為使用矽橡膠。
第2異方導電性薄板26的絕緣部71是藉由實質上未含有導電性粒子的絕緣材料來形成。就絕緣材料而言，例如可使用絕緣性的高分子材料、無機材料、或對表面施以絕緣化處理的金屬材料等，但若使用與導電路形成部所使用的彈性高分子同一材料，則容易生產。當絕緣部的材料為使用彈性高分子時，最好使用硬度計硬度為上述範圍者。
就磁性導電性粒子而言，可使用前述第1異方導電性薄板中所被使用的導電性粒子。
第2異方導電性薄板26可如以下所述製造。首先，準備各全體的形狀為略平板狀，由互相對應的上模及下模所構成，可一邊使磁場作用於上模與下模之間的成形空間內所被充填的材料層，一邊加熱硬化材料層之構成的異方導電性薄板成形用金屬模。
此異方導電性薄板成形用金屬模，為了使磁場作用於材料層而形成在適當的位置具有導電性的部份，上模及下模雙方是在由鐵、鎳等的強磁性體所構成的基板上具有強磁性體部份(由供以使強度分布產生於金屬模內的磁場之鐵、鎳等所構成)與非磁性體部份(由銅等的非磁性金屬或樹脂所構成)會互相鄰接而交互配置的瑪賽克狀的層之構成者，強磁性體部份是按照對應於所應形成的導電路形成部的圖案來配列。在此，上模的成形面是平坦，下模的成形面是對應於所應形成的異方導電性薄板的導電路形成部而具有少許凹凸。
其次，在異方導電性薄板成形用金屬模的成形空間內注入成形材料而形成成形材料層，該成形材料是在硬化後形成彈性高分子物質的高分子物質材料中含有顯示磁性的導電性粒子。然後，利用上模及下模的強磁性體部份及非磁性體部份，對所被形成的成形材料層，使具有強度分布的磁場作用於其厚度方向，藉由該磁力的作用，使導電性粒子集合於上模的強磁性體部份與位於其正下方的下模的強磁性體部份之間，使導電性粒子排列配向於厚度方向。然後，在此狀態下藉由硬化處理成形材料層，製造一複數個柱狀導電路形成部會藉由絕緣部而互相絕緣的構成之異方導電性薄板。
圖12是表示中繼基板的其他例的剖面圖，圖13是圖12所示的中繼基板的剛性導體電極的擴大圖。此中繼基板29具備：按照分別延伸於厚度方向的複數個貫通孔91H所應連接的被檢查電極的圖案來形成的絕緣基板91、及在此絕緣基板91的各貫通孔91H中以能夠從絕緣基板91的兩面突出之方式配置的複數個剛性導體電極92。
在各個剛性導體電極92設有插通於絕緣基板91的貫通孔91H之圓柱狀的軀幹部92a、及一體連結於該軀幹部92a的兩端之端子部92b。端子部92b會從絕緣基板91的兩側表面露出。
剛性導體電極92的軀幹部92a的長度L是比絕緣基板91的厚度d更大，軀幹部92a的徑r2是比絕緣基板91的貫通孔91H的徑r1更小。另一方面，剛性導體電極92的端子部92b的徑r3是比絕緣基板91的貫通孔91H的徑更大。藉此，剛性導體電極92可移動保持於絕緣基板91的厚度方向。
就絕緣基板91的材料的具體例而言，可舉液晶聚合物、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚芳族聚醯胺(Poly Aramid)樹脂、聚醯胺樹脂等的樹脂材料、玻璃纖維補強型環氧樹脂、玻璃纖維補強型聚酯樹脂、玻璃纖維補強型聚醯亞胺樹脂等的纖維補強型樹脂材料、在環氧樹脂中以礬土、氮化硼等的無機材料作為充填物而使含有的複合樹脂材料等。
在高温環境下使用具備中繼基板29之本發明的檢查裝置時，絕緣基板91較理想為使用線膨脹係數3×10－ 5 /K以下者，更理想為1×10－ 6 /K~2×10－ 5 /K、特別是以1×10－ 6 /K~6×10－ 6 /K最理想。藉由使用線膨脹係數為上述範圍內的絕緣基板91，可抑止因絕緣基板91的熱膨脹而造成剛性導體電極92的位置偏移。
絕緣基板91的厚度d較理想為10~200μm，更理想為15~100μm。絕緣基板91的貫通孔91H的徑r1較理想為20~250μm，更理想為30~150μm。就剛性導體電極92的材料而言，最好為具有剛性的金屬材料。特別是在後述的中繼基板29的製造方法中，最好是比形成於絕緣基板91的金屬薄層更難蝕刻者。就如此的金屬材料的具體例而言，可舉鎳、鈷、金、鋁等的金屬單體或該等的合金等。
剛性導體電極92的軀幹部92a的徑r2較理想為18μm以上，更理想為25μm以上。當該徑r2過小時，剛性導體92無法取得必要的強度。
絕緣基板91的貫通孔91H的徑r1與剛性導體電極92的軀幹部92a的徑r2之差(r1-r2)較理想為1μm以上，更理想為2μm以上。當此差過小時，難以使剛性導體電極92移動於絕緣基板91的厚度方向。
剛性導體電極92的端子部92b的徑r3較理想為被檢查電路基板1的被檢查電極2，3的徑的70~150%。剛性導體電極92的端子部92b的徑r3與絕緣基板91的貫通孔91H的徑r1之差(r3-r1)較理想為5μm以上，更理想為10μm以上。當此差過小時，剛性導體電極92會有從絕緣基板91脫落之虞。
往絕緣基板91的厚度方向之剛性導體電極92的可移動距離，亦即剛性導體電極92的軀幹部92a的長度L與絕緣基板91的厚度d之差(L-d)較理想為5~50μm，更理想為10~40μm。當剛性導體電極92的可移動距離過小時，有時被檢查電極2，3的凹凸吸收能會不充分。當剛性導體電極92的可移動距離過大時，自絕緣基板91的貫通孔91H露出的剛性導體電極92的軀幹部92a的長度會變大，因此在檢查時軀幹部92a會有壓曲或損傷之虞。
就以上說明的中繼基板29而言，在絕緣基板91的貫通孔91H中，剛性導體電極92可移動配置於厚度方向，此剛性導體電極92是在軀幹部92a的兩端具備具有比絕緣基板91的貫通孔91H更大徑的端子部92b。因此，端子部92b具有作為擋塊的機能，剛性導體電極92不會從絕緣基板91脫落。因此，即使中繼基板29單獨使用，照樣使用容易。
以下，一邊參照圖14~20，一邊說明有關上述中繼基板的製造方法。最初，如圖14所示，準備疊層材料90A，其係易蝕刻性的金屬層93A會被一體疊層於絕緣基板91的一面。
對該疊層材料90A的金屬層93A施以蝕刻處理，去除其一部份，藉此如圖15所示，按照被檢查電路基板1的被檢查電極2，3的圖案來形成複數個開口93K。
其次，如圖16所示，在疊層材料90A的絕緣基板91形成分別連通至金屬層93A的開口93K延伸於厚度方向的貫通孔91H。
然後，如圖17所示，以能夠覆蓋絕緣基板91的貫通孔91H的內壁面及金屬層93A的開口緣之方式來形成易蝕刻性的筒狀金屬薄層93B。
如此一來，可取得一複合疊層材料90B，亦即該複合疊層材料90B具備：形成有分別延伸於厚度方向的複數個貫通孔91H之絕緣基板91、及疊層於該絕緣基板91的一面，形成有連通至絕緣基板91的貫通孔91H的複數個開口93K之易蝕刻性的金屬層93A、及以能夠覆蓋絕緣基板91的貫通孔91H的內壁面及金屬層93A的開口緣之方式而形成的易蝕刻性的金屬薄層93B。
在以上的製造工程中，就形成絕緣基板91的貫通孔91H之方法而言，例如可舉雷射加工法、鑽孔加工法、蝕刻加工法等。
就構成金屬層93A及金屬薄層93B之易蝕刻性的金屬材料而言，例如有銅等。金屬層93A的厚度是藉由考量剛性導體92的可移動距離等來設定，較理想為5~25μm，更理想為8~20μm。
金屬薄層93B的厚度是藉由考量絕緣基板91的貫通孔91H的徑、及所應形成的剛性導體電極92的軀幹部92a的徑來設定。
就形成金屬薄層93B的方法而言，例如有無電解電鍍法等。
對經由上述製造工程所取得的複合疊層材料90B施以光電鍍處理，藉此在絕緣基板91的各個貫通孔91H形成剛性導體電極92。具體而言，如圖18所示，在形成於絕緣基板91的一面的金屬層93A的表面及絕緣基板91的另一方的表面形成光阻膜94，然後在此光阻膜94，按照所應形成的剛性導體電極92的端子部92b的圖案來形成連通至絕緣基板91的貫通孔91H的複數個圖案孔94H。
其次，如圖19所示，以金屬層93A作為共通電極，在金屬薄層93B的表面使金屬堆積，藉此在絕緣基板91的貫通孔91H內及光阻膜94的圖案孔94H內充填金屬，而形成延伸於絕緣基板91的厚度方向之剛性導體電極92。
如此一來，在形成剛性導體電極92之後，從金屬層93A的表面去除光阻膜94，藉此如圖20所示，使金屬層93A露出。然後，施以蝕刻處理，去除金屬層93A及金屬薄層93B，而取得圖12所示的中繼基板29。
若利用以上說明的製造方法，則可在絕緣基板91的一面及貫通孔91H的內壁面分別預先形成易蝕刻性的金屬層93A及金屬薄層93B。其次，在絕緣基板91的貫通孔91H形成剛性導體電極92，然後藉由蝕刻處理來去除金屬層93A及金屬薄層93B。因此，所望間隙會被確實地形成於絕緣基板91與剛性導體電極92之間，所以可確實地形成可移動的剛性導體電極92。
圖21是表示在圖12的中繼基板的兩面疊層第1異方導電性薄板的狀態剖面圖。圖22是其部份擴大圖。第1異方導電性薄板22是使用前述分散型的異方導電性薄板。其絕緣基材的材料、薄板厚度、導電性粒子P的材料及粒子徑等是如前述。
圖23是在間距變換用基板疊層圖21的中繼基板及第1異方導電性薄板的狀態剖面圖。此例是在間距變換用基板23設有連接電極25，該連接電極25是由分別會被連接於同一被檢查電極2(被檢查電極3)之互相離間配置的一對電流用端子電極27及電壓用端子電極28所構成。該等的連接電極25是按照被檢查電極2，3的圖案來配置。
電流用端子電極27及電壓用端子電極28是分別藉由內部配線53來電性連接至端子電極24。按照連接電極25的特定圖案來配置剛性導體電極92，剛性導體電極92會位於連接電極25的正上方。
藉由使用如此的中繼基板，檢查對象的電路基板，即使鄰接的被檢查電極間的距離小，被檢查電極的高度不均，還是可在鄰接的被檢查電極間確保必要的絕緣性之狀態下，達成對各個被檢查電極的電性連接。
在本發明的檢查裝置中，測試機側連接器41a，41b，如圖1所示，具備第3異方導電性薄板42a，42b、連接器基板43a，43b、及基座板46a，46b。第3異方導電性薄板42a，42b是使用與前述第2異方導電性薄板26同様者。亦即，第3異方導電性薄板42a，42b，如圖11所示，是由絕緣性的彈性高分子材料中多數個導電性粒子會配列於厚度方向而形成的導電路形成部、及使各個導電路形成部離間的絕緣部所構成。
連接器基板43a，43b具備絕緣基板，在其表面的中繼插銷單元31側，如圖1及圖2所示，形成有插銷側電極45a，45b。
該等的插銷側電極45是例如配置於2.54mm、1.8mm、1.27mm、1.06mm、0.8mm、0.75mm、0.5mm、0.45mm、0.3mm或0.2mm的一定間距的格子點上，其配置間距是與中繼插銷單元31的導電插銷32的配置間距相同。
各個的插銷側電極45是藉由形成於絕緣基板表面的配線圖案及形成於其內部的內部配線來電性連接至測試機側電極44a，44b。
又，進行4端子檢查的檢查裝置時，該等的插銷側電極45是以能夠各別電性連接至間距變換用基板23的電流用端子電極27及電壓用端子電極28之方式，由一對的電流用插銷側電極及電壓用插銷側電極來構成。該等的電流用插銷側電極及電壓用插銷側電極是分別配置在對應於後述的中繼插銷單元31的導電插銷32之位置。
如圖1、圖2、圖24(基於方便說明，圖24是針對中繼插銷單元31a來顯示)、及圖30~圖33所示，中繼插銷單元31具備多數個導電插銷32a，32b，該多數個導電插銷32a，32b是以能夠朝上下方向的方式，以規定的間距並列設置。並且，中繼插銷單元31具備：設置於該等導電插銷32a，32b的兩端側，即配置於插通支撐導電插銷32a ，32b的被檢查電路基板1側的第1絕緣板34a，34b、及配置於與被檢查電路基板1側相反的一側的第2絕緣板35a，35b之2片的絕緣板。
例如圖25所示，導電插銷32是由直徑大的中央部82、及更小直徑的端部81a，81b所構成。在第1絕緣板34及第2絕緣板35中形成有插入導電插銷32的端部81之貫通孔83。又，貫通孔83的直徑會比導電插銷32的端部81a，81b的直徑更大，且比中央部82的直徑更小，藉此可保持導電插銷32而不會脫落。
第1絕緣板34及第2絕緣板35是藉由圖1的第1支撐插銷33及第2支撐插銷37，以該等的間隔能夠形成比導電推銷32的中央部82的長度更長之方式來固定，藉此導電插銷32可往上下移動保持。導電插銷32的端部81的長度是形成比第1絕緣板34及第2絕緣板35的厚度更長，藉此導電插銷32會從第1絕緣板34及第2絕緣板35的其中至少一方突出。
中繼插銷單元是多數的導電插銷會例如配置於2.54mm、1.8mm、1.27mm、1.06mm、0.8mm、0.75mm、0.5mm、0.45mm、0.3mm或0.2mm的間距的格子點上。
藉由使中繼插銷單元31的導電插銷32的配置間距與設置於間距變換用基板23的端子電極24的配置間距形成相同，間距變換用基板23可經由導電插銷32來電性連接至測試機側。
又，如圖1及圖24所示，在中繼插銷單元31中，於第1絕緣板34a，34b與第2絕緣板35a，35b之間配置有中間保持板36a、36b。
而且，在第1絕緣板34a，34b與中間保持板36a，36b之間配置有第1支撐插銷33a，33b，藉此固定第1絕緣板34a，34b與中間保持板36a，36b之間。
同様的，在第2絕緣板35a，35b與中間保持板36a，36b之間配置有第2支撐插銷37a，37b，藉此固定第2絕緣板35a，35b與中間保持板36a，36b之間。
就第1支撐插銷33與第2支撐插銷37的材質而言，例如可使用黃銅、不鏽鋼等的金屬。
另外，圖24的第1絕緣板34與中間保持板36之間的距離L1、及第2絕緣板35與中間保持板36之間的距離L2雖無特別加以限定，但如後述若考量利用第1絕緣板34、中間保持板36、第2絕緣板35的彈性之被檢査電路基板1的被檢査電極2，3的高度不均的吸收性，最好為2mm以上，更理想為2.5mm以上。
又，如圖24所示，第1支撐插銷33對中間保持板36的第1抵接支撐位置38A、及第2支撐插銷37對中間保持板36的第2抵接支撐位置38B是在將檢査裝置投影於中間保持板的厚度方向(在圖1中由上方往下方)的中間保持板投影面A上配置於相異的位置。
此情況，就相異的位置而言，並無特別加以限定，但第1抵接支撐位置38A、及第2抵接支撐位置38B，如圖29所示，最好是在中間保持板投影面A上形成於格子上。
具體而言，如圖29所示，在中間保持板投影面A上，由鄰接的4個第1抵接支撐位置38A所構成的單位格子區域R1中，配置有1個第2抵接支撐位置38B。並且，在中間保持板投影面A上，由鄰接的4個第2抵接支撐位置38B所構成的單位格子區域R2中，配置有1個第1抵 接支撐位置38A。另外，在圖29中，第1抵接支撐位置38A是以●來顯示，第2抵接支撐位置群38B是以○來顯示。
另外，在此，於第1抵接支撐位置38A的單位格子區域R1的對角線Q1的中央配置1個的第2抵接支撐位置38B，且在第2抵接支撐位置38B的單位格子區域R2的對角線Q2的中央配置1個的第1抵接支撐位置38A。但，該等的相對性位置並無特別加以限定，如上述，只要在將檢査裝置投影於中間保持板的厚度方向的中間保持板投影面A上配置於相異的位置即可。亦即，在未配置成格子狀時，並非被如此的相對位置關係所拘束，如上述，只要在將檢査裝置投影於中間保持板的厚度方向的中間保持板投影面A上配置於相異的位置即可。
又，此情況，互相鄰接的第1抵接支撐位置38A之間的離間距離、第2抵接支撐位置38B之間的離間距離，較理想為10~100mm，更理想為12~70mm，特別是以15~50mm最為理想。
對於第1絕緣板34、中間保持板36、第2絕緣板35的形成材料來說，是使用具有可撓性者。該等板的可撓性，最好是在各以10cm間隔來支撐第1絕緣板34、中間保持板36、第2絕緣板35之兩端部的狀態下，配置成水平時，從上方以50kg的壓力來加壓而產生的彎曲為該等絕緣板的寬度的0.02%以下，且即使從上方以200kgf的壓力來加壓也不會產生破壞及永久變形的程度。
第1絕緣板34、中間保持板36、第2絕緣板35的材料，具體而言，如固有電阻為1×101 0 Ω.cm以上的絕緣性材料，例如聚醯亞胺(Polyimide)樹脂、聚醯胺(Polyamide)樹脂、聚酯樹脂、苯酚樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚丁烯對苯二甲酸酯樹脂(Polybutylene Terephthalate Resin)、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂(Polyethylene Terephthalate Resin)、對位聚苯乙烯(Syndiotactic Polystyrene)、聚苯硫醚樹脂(Polyphenylene Sulfide Resin)、聚乙醚酮樹脂、氟樹脂、聚乙醚丁腈樹脂、聚乙醚硫醚樹脂(Polyether Sulfide Resin)、聚丙炔樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂等之機械性強度高之樹脂材料、玻璃纖維補強型環氧樹脂、玻璃纖維補強型聚酯樹脂、玻璃纖維補強型聚醯亞胺樹脂、玻璃纖維型補強苯酚樹脂、玻璃纖維補強型氟樹脂等之玻璃纖維型複合樹脂材料、碳纖維補強苯酚樹脂、碳纖維補強型氟樹脂等之碳纖維型複合樹脂、環氧樹脂、苯酚樹脂、充填矽石、礬土、氮化硼等之無機材料的複合樹脂材料、環氧樹脂、苯酚樹脂等含有塑料之複合材料等。又，亦可使用多數疊層由該些材料所形成之板材而構成之複合板材等。
第1絕緣板34、中間保持板36及第2絕緣板35的厚度是因應構成第1絕緣板34、中間保持板36、第2絕緣板35的材料種類而適當選擇，例如以1~10mm為佳。例如，可使用由玻璃繊維補強型環氧樹脂所構成，其厚度為2~5mm者。
可在第1絕緣板34及第2絕緣板35移動支撐導電插銷32的方法，除了圖25所示的方法以外，可舉圖26~圖28所示的方法。如圖示，此例是在第1絕緣板34與第2絕緣板35之間設有彎曲保持板84。
又，導電插銷32為使用圓柱形狀的金屬插銷。
如圖26所示，在彎曲保持板84形成有插通導電插銷32的貫通孔85。導電插銷32是以形成於第1絕緣板34的貫通孔83a及形成於第2絕緣板35的貫通孔83b、及形成於彎曲保持板84的貫通孔85為支點，在彼此相反方向上被推壓於橫方向，而於彎曲保持板84的貫通孔85的位置被彎曲，藉此導電插銷32可移動支撐於軸方向。
另外，在中間保持板36形成有貫通孔86，該貫通孔86的直徑是形成不會與導電插銷32接觸的程度，在此貫通孔86插通導電插銷32。
導電插銷32是以圖27(a)~圖27(c)所示的程序來支撐於第1絕緣板34及第2絕緣板35。如圖27(a)所示，在第1絕緣板34的貫通孔83a及形成於第2絕緣板35的貫通孔83b、以及彎曲保持板84的貫通孔85對位於軸方向的位置配置彎曲保持板84。
其次，如圖27(b)所示，從第1絕緣板34的貫通孔83a來使導電插銷32通過彎曲保持板84的貫通孔85，揷入至第2絕緣板35的貫通孔83b。
其次，如圖27(c)所示，使彎曲保持板84移動於導電插銷32的軸方向及垂直的橫方向(水平方向)，藉由適宜的手段來固定彎曲保持板84的位置。藉此，導電插銷32會以第1絕緣板34的貫通孔83a及形成於第2絕緣板35的貫通孔83b、及彎曲保持板84的貫通孔85為支點，於彼此相反的方向推壓至橫方向，在彎曲保持板84的貫通孔85的位置被彎曲，藉此使導電插銷32能夠移動支撐於軸方向。
藉由如此構成，導電插銷32可在第1絕緣板34與第2絕緣板35之間移動至軸方向，且可保持成不脫落，同時導電插銷32可使用圓柱狀之簡易構造的插銷，因此可壓低導電插銷32及予以保持的構件全體的成本。
另外，配置有彎曲保持板84的位置，亦可在第1絕緣板34與中間保持板36之間。
在如此構成的本實施形態的檢查裝置中，如圖2所示，被檢查電路基板1的電極2及電極3會經由第1異方導電性薄板22a，22b、間距變換用基板23a，23b、第2異方導電性薄板26a，26b、導電插銷32a，32b、第3異方導電性薄板42a，42b、連接器基板43a，43b，利用測試機的加壓機構以規定的壓力來推壓配置於最外側的基座板46a，46b，藉此來電性連接至測試機(未圖示)，進行被檢查電路基板1的電極間之電阻測定等的電性檢查。
測定時由上側及下側的第1檢查治具11a，第2檢查治具11b來推壓被檢查電路基板的壓力，例如為100~250kgf。
以下，一面參照圖30~圖33(為了方便僅表示第2檢查治具11b)，針對第1檢查治具11a和第2檢查治具11b之間夾壓被檢查電路基板1之兩面時之壓力吸收作用及壓力分散作用予以說明。
如圖31所示，於在第1檢查治具11a和第2檢查治具11b之間夾壓屬於檢查對象之被檢查電路基板1之兩面而執行電性檢查時，在初期階段，是藉由往中繼插銷單元31的導電插銷32的厚度方向之移動、第1異方導電性薄板22、第2異方導電性薄板26、第3異方導電性薄板42的橡膠彈性壓縮來吸收壓力，而可某程度吸收被檢查電路基板1之被檢查電極之高度不均。
然後，第1支撐插銷與中間保持板的第1抵接支撐位置與上述第2支撐插銷與中間保持板的第2抵接支撐位置會被配置於在投影於中間保持板的厚度方向的中間保持板投影面中相異的位置，因此如圖32的箭號所示，力會作用於上下方向，如圖33所示，在第1檢查治具11a和第2檢查治具11b之間更對檢查對象的被檢查電路基板1加壓時，除了藉由第1異方導電性薄板22、第2異方導電性薄板26、及第3異方導電性薄板42的橡膠彈性壓縮之外，還藉由中繼插銷單元31的第1絕緣板34、第2絕緣板35、及配置於第1絕緣板34與第2絕緣板35之間的中間保持板36的彈簧彈性，對於被檢查電路基板1之被檢查電極之高度不均，例如焊球電極之高度不均，使分散壓力集中，可以迴避局部性之應力集中。
亦即，如圖32及圖33所示，以第1支撐插銷33對中間保持板36之第1抵接支撐位置38A為中心，中間保持板36會彎曲於第2絕緣板35的方向(參照圖33的一點虛線所包圍的E部分)，並且以第2支撐插銷37與中間保持板36的第2抵接支撐位置38B為中心，中間保持板36會形成彎曲於第1絕緣板34的方向(參照圖33的一點虛線所包圍的D部分)。並且，在此所謂的「彎曲」及「彎曲方向」是指中間保持板36會彎曲成突出至形成凸狀的方向及該突出方向。
如此一來，中間保持板36因以第1抵接支撐位置38A、第2抵接支撐位置38B為中心，互相彎曲於相反方向，故於第1檢查治具11a和第2檢查治具11b之間更對檢查對象的被檢查電路基板1加壓時，中間保持板36的彈簧彈性力會被發揮。
再者，如圖33的一點虛線所包圍的B部份所示，藉由第2異方導電性薄板26的導電路形成部的突出部的壓縮，雖導電插銷32的高度會被吸收，但無法完全藉由該突出部的壓縮而吸收的壓力則會被施加至第1絕緣板34。
因此，如圖33的一點虛線所圍繞的C部份所示，第1絕緣板34與第2絕緣板35亦於與第1支撐插銷33、第2支撐插銷37的抵接位置，互相彎曲相反方向，因此在第1檢查治具11a與第2檢查治具11b之間更對檢查對象的被檢查電路基板1加壓時，第1絕緣板34與第2絕緣板35的彈簧彈性力會被發揮。
藉此，對具有高度不均的被檢查電路基板1的各個被檢查電極而言，可確保安定的電性接觸，且應力集中會被低減，因此第1異方導電性薄板22的局部性破損會被抑止。其結果，第1異方導電性薄板22的重複使用耐久性會提升，因此其交換次數會減少，檢查作業效率會提升。
圖34是說明本發明的檢查裝置的其他實施形態之與圖30相同的剖面圖(為了方便僅表示第2檢查治具)，圖35為該中繼插銷單元之擴大剖面圖。此檢查裝置是與圖1所示的檢查裝置基本上為同様的構成，因此對同一構成賦予相同的參照符號。對此檢查裝置而言，如圖34及圖35所示，在第1絕緣板34和第2絕緣板35之間，以規定間隔分離配置多數個(本實施形態中為3個)之中間保持板36，並且在該等鄰接的中間保持板36彼此之間，配置有保持板支撐插銷39。
此情況，在至少1個中間保持板36b中，自一面側對中間保持板36b抵接之保持板支撐插銷39b對中間保持板36b的抵接支撐位置，和自另一面側對中間保持板36b抵接之第1支撐插銷33b、第2支撐插銷37b或是保持板支撐插銷39b對中間保持板36b的抵接支撐位置，是必須配置在投影至中間保持板36b之厚度方向之中間保持板投影面中相異的位置上。
最佳為在所有中間保持保持板36b中，自一面側對中間保持板36b抵接之保持板支撐插銷39b對中間保持板36b的抵接支撐位置，和自另一面側對中間保持板36b抵接之第1支撐插銷33b、第2支撐插銷37b或是保持板支撐插銷39b對中間保持板36b的抵接支撐位置，是必須配置在投影至中間保持板36b之厚度方向之中間保持板投影面中相異的位置上。
此情況，雖未詳述，但所謂「相異的位置」是可與前述實施形態中，第1支撐插銷33與中間保持板36的第1抵接支撐位置38A、及第2支撐插銷37與中間保持板36的第2抵接支撐位置38B之間的關係所說明的相對位置同様的配置。
就本實施形態而言，在3個中間保持板36b中上側的中間保持板36b中，自一面側對中間保持板36b抵接之保持板支撐插銷39b對中間保持板36b的抵接支撐位置39A，和自另一面側對中間保持板36b抵接之第1支撐插銷33b對中間保持板36b的抵接支撐位置38A會在投影於中間保持板36b的厚度方向之中間保持板投影面中配置於相異的位置。
並且，3個中間保持板36b中，在中央的中間保持板36b中，自一面側對中間保持板36抵接之保持板支撐插銷39b對中間保持板36b的抵接支撐位置39A、及自另一面側對中間保持板36b抵接之保持板支撐插銷39b對中間保持板36b的抵接支撐位置39A會在投影於中間保持板36b的厚度方向之中間保持板投影面中配置於相異的位置。
而且，3個中間保持板36b中，在下側的中間保持板36b中，自一面側對中間保持板36b抵接之保持板支撐插銷39b對中間保持板36b的抵接支撐位置39A、及自另一面側對中間保持板36b抵接之第2支撐插銷37b對中間保持板36b的抵接支撐位置38B會在投影於中間保持板36b的厚度方向之中間保持板投影面中配置於相異的位置。
藉由如此構成，利用該等的複數個中間保持板36，彈簧彈性會更被發揮，對於被檢查電路基板1的被檢查電極的高度不均而言，可使壓力集中分散，迴避局部性的應力集中，異方導電性薄板的局部性破損會被抑止。其結果，異方導電性薄板的重複使用耐久性會提升，因此異方導電性薄板的交換次數會減少，檢查作業效率會提升。
另外，中間保持板36的個數並無特別加以限定，只要是複數個即可。
並且，在使用供以保持導電插銷32的前述彎曲保持板84時，可因應所需，配置於第2絕緣板35與中間保持板36之間、第1絕緣板34與中間保持板36之、或2片的中間保持板36之間。
以上，針對本發明的實施形態來進行說明，但本發明並非限於該等的實施形態，只要不脫離其主旨範圍，亦可實施各種的變形、變更。
例如，被檢查電路基板1除了印刷電路基板以外，亦可為封裝IC、MCM、CSP等的半導體積體電路裝置、形成於晶圓的電路裝置。又，印刷電路基板並非限於兩面印刷電路基板，亦可為單面印刷電路基板。
第1檢查治具11a及第2檢查治具11b所使用材料、構件構造等，並非一定要相同，亦可為相異者。
測試機側連接器亦可為複數疊層連接器基板之類的電路基板及異方導電性薄板。
就上述實施形態而言，第2異方導電性薄板26及第3異方導電性薄板42是由延伸於厚度方向的複數個導電路形成部、及使該等的導電路形成部互相絕緣的絕緣部所構成，導電性粒子會只在導電路形成部中含有，藉此該導電性粒子會不均一地分散於面方向，且在薄板片面側突出導電路形成部，但並非一定限於此。
又，如圖1，圖2，圖30，圖31，圖33，圖34所示，測試機側連接器41之連接器基板43與基座板46之間，亦可配置支撐插銷49。藉由該等的支撐插銷49來賦予和第1支撐插銷33、第2支撐插銷37(在圖18中為第1支撐插銷33、第2支撐插銷37及保持板支撐插銷39)同樣的作用，而能夠賦予使面壓分散的作用。為了賦予該面壓分散作用，最好支撐插銷49的位置、及第2支撐插銷37的位置是配置成在面方向彼此相異。
以下，表示本發明之實施例及比較例。
[實施例1]
製作出適合於軌道搬運型電路基板自動檢查機(Nidec－Read Corporation製，品名：STARREC V5)的檢查部之如圖1所示用以檢查下述評價用電路基板之電路基板檢查裝置。
(1)評價用電路基板1準備下述規格之評價用電路基板。
尺寸：100mm(縱)×100mm(橫)×0.8mm(厚度)上面側之被檢查電極之數量：3600個上面側之被檢查電極之直徑：0.25mm上面側之被檢查電極之最小配置間距：0.4mm下面側之被檢查電極之數量：2600個下面側之被檢查電極之直徑：0.25mm下面側之被檢查電極之最小配置間距：0.4mm
(2)第1異方導電性薄板22製作一導電性粒子會配列於厚度方向，且均一地分散於面方向之下記第1異方導電性薄板。
尺寸：110mm×110mm、厚度0.05mm導電性粒子：材質；施以金電鍍處理的鎳粒子，平均粒子徑；20μm，含有率；18體積%彈性高分子物質：材質；矽橡膠(硬度40)
(3)間距變換用基板23在由玻璃纖維補強型環氧樹脂所構成之厚度0.5mm的絕緣基板的兩面全面上，在形成有由厚度為18μm的銅所構成之金屬薄層的疊層材料(松下電工公司製，品名：R－1766)中，藉由數值控制型鑽孔裝置來形成合計7200個貫通於各個疊層材料的厚度方向之直徑0.1mm的圓形貫通孔。
此情況，貫通孔的形成是以2個為一組，形成於對應於評價用電路基板的上面側的被檢查電極的位置，一組的貫通孔是設置0.1 mm的間隙來形成(亦即，設定成貫通孔A＝0.1 mm與貫通孔B＝0.1 mm之間的間隙＝0.1 mm)。
然後，藉由對形成有貫通孔之疊層材料，使用EDTA類型銅電鍍液施予無電解電鍍處理，在貫通孔之內壁上形成銅電鍍層，並且藉由使用硫酸銅電鍍液施予電解銅電鍍處理，在各貫通孔內，形成互相電性連接疊層材料表面的各金屬薄層之厚度約為10μm的圓筒狀的引洞(via hole)。
其次，在疊層材料的金屬薄層上，薄狀疊層厚度為25μm的乾膜光阻(東京應化公司製，品名：FP－225)而形成光阻層，並且，在該疊層材料的另一面側之金屬薄層上配置保護密封膜。在該光阻層上配置光罩膜，對光阻層使用平行光曝光機(Oak Co.，LTD製)施予曝光處理後，藉由顯像處理，形成蝕刻用之光阻圖案。然後，對形成有光阻圖案之面的金屬薄板層施予蝕刻處理，在絕緣基板之表面上，形成直徑60μm之圓形的7200個連接電極、及電性連接各連接電極與引洞之線寬為100μm的圖案配線部，其次去除光阻圖案。
其次，在形成疊層材料的連接電極與圖案配線部的一側的面，薄狀疊層厚度為25μm的乾膜光阻(東京應化公司製，品名：FP－225)而形成光阻層，且在此光阻層上配置光罩膜，對光阻層使用平行光曝光機(Oak Co.，LTD製)施予曝光處理後，藉由顯像處理，形成使各個連接電極露出之直徑為60μm的7200個圓形開口。
然後，利用硫酸銅電鍍液，以疊層材料的另一面側的金屬薄層作為共通電極使用，對各個的連接電極施以電解銅電鍍處理，藉此形成7200個的連接電極。其次，去除光阻圖案。
其次，去除疊層材料的另一面側的金屬薄層上的保護密封膜，在此面的金屬薄層上，薄狀疊層厚度為25μm的乾膜光阻(東京應化公司製，品名：FP－225)而形成光阻層。然後，在此光阻層上配置光罩膜，對光阻層使用平行光曝光機(Oak Co.，LTD製)施予曝光處理後，藉由顯像處理，在疊層材料的金屬薄層上形成蝕刻用的光阻圖案。
其次，在形成疊層材料的連接電極的一側的面上施以保護密封膜之後，實施蝕刻處理，藉此在絕緣性基板的背面形成7200個的端子電極、及電性連接各端子電極與引洞，去處光阻圖案。
其次，在形成有端子電極及圖案配線部之絕緣基板背面上，薄狀疊層厚度為38μm之乾膜銲錫光阻(Nichigomorton公司製，品名：Conformask 2015)而形成絕緣層，並且，在該絕緣層上配置光罩膜，接著，對絕緣層使用平行光曝光機(Oak Co.，LTD製)施予曝光處理後，藉由顯像處理，形成7200個露出電極之直徑0.4mm之開口。
如上述般，製作間距變換用基板23。該間距變換用基板23是縱橫尺寸為120mm×160mm，厚度為0.5mm，自連接電極25的絕緣層表面露出的部份的尺寸為60μm，來自連接電極25的絕緣層表面的突出高度約為30μm，成對的連接電極25間的離間距離為60μm，端子電極24的直徑為0.4mm，端子電極24的配置間距為0.75mm。
再者，與上述相同，製作出在表面具有5200個連接電極25，並且在背面具有5200個端子電極24之第2檢查治具11b的間距變換用基板23b。
該間距變換用基板23b是縱橫尺寸為120mm×160mm，厚度為0.5mm，在連接電極25的絕緣層表面露出的部份的直徑約為60μm，來自連接電極25的絕緣層表面的突出高度約為30μm，成對的連接電極間的離間距離為60μm，端子電極24的直徑為0.4mm，端子電極24的配置間距為0.75mm。
(4)中繼基板29在兩面具備銅箔之厚度為0.1mm由BT(Bismaleimide Triazine)樹脂所構成的疊層材料(三菱氣體化學公司：BT樹脂印刷配線板用材料CCL－HL832)的兩面全體，藉由數值控制型鑽孔裝置來形成合計3600個分別貫通於疊層材料的厚度方向之直徑0.3mm的圓形貫通孔。
在貫通孔內利用刮刀來充填附加型液狀矽橡膠，其次在此貫通孔內對配置有附加型液狀矽橡膠的樹脂製基板進行100℃、90分鐘的加熱處理，藉此於貫通孔內形成具備由矽橡膠所構成的絕緣性彈性膜之基板材料。
其次，將在對應於被檢查電路基板的被檢查電極的位置具有直徑60μm的開口圖案之雷射加工用金屬光罩疊層於具備上述絕緣性彈性膜的基板材料的一面側，且將此疊層體配置於CO2 雷射加工機「Impact L~500」(住友重機械工業(股)製)的加工台上，從疊層雷射加工用金屬光罩的一側，以下記的條件來照射雷射光，而於絕緣性彈性膜形成直徑約60μm的貫通孔。
<雷射光的照射條件>．雷射種類：TEA－CO2 ．頻率(每1秒的脈衝數)：50Hz．圖案(射束寬)：0.9×1.9mm．掃描速度(雷射加工機之台移動速度)：814mm/min．電壓(激勵電壓)：20kV．能量密度(每單位面積的雷射照射能量)：11J/cm2 ．掃描次數：4次
然後，去除疊層後的雷射加工用金屬光罩，利用EDTA型銅電鍍液來對貫通孔會被形成於絕緣性彈性膜的基板材料實施無電解電鍍處理，藉此取得一在各貫通孔的內壁及基板材料的表面形成銅電鍍層的疊層基板材料。
其次，在施以銅電鍍層後的疊層基板材料的兩面薄狀疊層厚度25μm的乾膜光阻，而形成光阻層。
然後，在設置於絕緣性彈性膜的貫通孔部份形成直徑60μm的圖案開口。
又，利用硫酸銅電鍍液來施以電解銅電鍍處理，藉此於各貫通孔內形成有：互相電性連接該疊層材料的各金屬薄層之直徑約60μm的圓筒狀引洞、及位於乾膜的圖案開口內，和引洞連續之直徑60μm、厚度約25μm的電極部。
其次，使形成該電極部的疊層材料浸漬2分鐘於45℃的氫氧化鈉液中，藉此來去除乾膜層，其次利用氯化鐵系蝕刻液，施以50℃、30秒的蝕刻處理，藉此去除疊層材料表面的銅層，使由各個電極部及貫通孔所構成之鄰接的電極構造體彼此間電性絕緣，取得第1檢查治具11a用的中繼基板29a。
又，與上述同様地，作成具有5200個電極構造體的第2檢查治具11b用的中繼基板29b。
如此取得之具備電極構造體(剛性導體電極)的中繼基板為以下所示者。
〔中繼基板29a〕
絕緣性基板的厚度100μm
絕緣性彈性膜的直徑300μm
絕緣性彈性膜的厚度100μm
電極構造體的電極部的尺寸直徑60μm×厚度150μm
電極構造體的貫通孔部的尺寸直徑60μm×厚度 100μm
成對之電極構造體間的離間距離 60μm電極構造體數 7200個
〔中繼基板29b〕絕緣性基板的厚度 100μm絕緣性彈性膜的直徑 300μm絕緣性彈性膜的厚度 100μm電極構造體的電極部的尺寸 直徑60μm×厚度150μm電極構造體的貫通孔部的尺寸 直徑60μm×厚度100μm成對之電極構造體間的離間距離 60μm電極構造體數 5200個
(5)電路基板側連接器21在上述間距變換用基板23的一面側，以可藉由一對的上述第1異方導電性薄板22來夾持上述中繼基板29之方式配置該等構件，在背面側配置第2異方導電性薄板26，藉此來作為電路基板側連接器21，該第2異方導電性薄板26是由延伸於厚度方向的多數個導電路形成部及予以互相絕緣的絕緣部所構成，且由一面突出導電路形成部的偏在型異方導電性薄板所構成。
並且，第2異方導電性薄板26為圖11所示的形狀，具體而言是使用以下的構成者。
〔第2異方導電性薄板26〕尺寸：110mm×150mm導電路形成部的厚度：0.6mm導電路形成部的外徑：0.35mm導電路形成部的突出高度：0.05mm
導電性粒子：材質；施以金電鍍處理後的鎳粒子，平均粒子徑；35μm，導電路形成部之導電性粒子的含有率；30體積%彈性高分子物質：材質；矽橡膠、硬度；30(W2 /D2 ＝17)
(6)中繼插銷單元31作為第1絕緣板34、中間保持板36、第2絕緣板35的材料，可使用固有電阻為1×101 0 Ω.cm以上的絕緣性材料，由玻璃纖維補強型環氧樹脂所構成，其厚度為1.9mm者。
而且，以第1絕緣板34與中間保持板36之間的距離L1可成為36.3mm，第2絕緣板35與中間保持板36之間的距離L2可成為3mm之方式，藉由第1支撐插銷33(直徑2mm，長度36.3mm)、及第2支撐插銷37(直徑2mm，長度3mm)來固定支撐，且以能夠在第1絕緣板34與第2絕緣板35之間自由移動下述構成之圖25的導電插銷32之方式，配置貫通孔83(直徑0.4mm)。
〔導電插銷〕
材質：施以金電鍍處理的黃銅
前端部81a的尺寸：外徑0.35mm，全長2.1mm
中央部32的尺寸外徑0.45mm，全長41mm
基端部81b的尺寸：外徑0.35mm，全長2.1mm
另外，此情況，第1支撐插銷33之與中間保持板36的第1抵接支撐位置38A、及第2支撐插銷37之與中間保持板36的第2抵接支撐位置38B，如圖29所示，配置成格子狀。彼此鄰接的第1抵接支撐位置38A之間的離間距離、第2抵接支撐位置38B之間的離間距離為17.5mm。
(7)測試機側連接器41
如圖1所示，由第3異方導電性薄板42、連接器基板43及基座板46來構成測試機側連接器41。另外，第3異方導電性薄板42是使用與前述第2異方導電性薄板26相同者。
性能試験 1.最低加壓壓力的測定
將所作成之檢查裝置設置於軌道搬運型電路基板自動檢查機「STARREC V5」的檢查部，對檢查裝置設置所準備的評價用電路基板1，在100~210kgf之範圍內使軌道搬運型電路基板自動檢查機「STARREC V5」之加壓壓力階段性變化，在每加壓壓力條件各以10次，針對評價用電路基板1的被檢查電極，在電壓測定用電極測定經由電流供給用電極來施加1毫安的電流時的導通電阻值。
將所測定出之導通電阻值為10Ω以上之檢查點(以下，稱為「NG檢查點」)判定成導通不良，並算出總檢查點中之NG檢查點的比率(以下，稱為「NG檢查點比率」)，將NG檢查點比率成為0.01%以下之最低加壓壓力當作最低加壓壓力。
在此導通電阻值的測定中，會在一導通電阻值的測定終了後，開放測定的加壓壓力，而使檢査裝置回到無加壓狀態，下個導通電阻值的測定是藉由使規定大小的加壓壓力再度作用來進行。
評價用電路基板1的上面被檢查電極數為3600點，下面被檢查電極數為2600點，在各加壓壓力條件下進行10次的測定，因此NG檢査點比例是顯示藉由式(3600＋2600)×10＝62000來算出的62000點的檢査點所佔之NG檢査點的比例。
此情況，所謂「最低加壓壓小」是意指可使用較低的加壓壓力來進行被檢査電路基板的電性檢査。在檢查裝置中，若可將檢査時的加壓壓力設定成較低，則不僅可以抑止檢査時的加壓壓力造成被檢査電路基板，異方導電性薄板及檢查用電路基板的劣化，而且還能夠使用耐久強度低的零件來作為檢查裝置的構成構件，因此可縮小檢查裝置的構造，形成小型化。其結果，檢查裝置的耐久性提升及檢查裝置的製造成本削減會被達成，因此較理想是最低加壓壓小。
將最低加壓壓的測定結果顯示於表1。
2.異方導電性薄板的耐久性的測定將所作成之檢查裝置設置於軌道搬運型電路基板自動檢查機「STARREC V5」的檢查部，對檢查裝置設置所準備的評價用電路基板1，將軌道搬運型電路基板自動檢查機「STARREC V5」之加壓壓力條件設為130kgf，執行規定次數之加壓後，針對評價用電路基板1之被檢查電極，以加壓壓力130kgf條件下，測定10次經由電流供給用電極來施加1毫安的電流時的導通電阻值，其次進行規定次數的加壓，同樣地在電壓測定電極反覆進行測定10次導通電阻值之作業。
將所測定出之導通電阻值為10Ω以上之檢查點(NG檢查點)判定成導通不良，並算出總檢查點中之NG檢查點的比率(NG檢查點比率)。
接著，將檢查裝置之異方導電性薄板更換新品，除了將加壓條件變更成150kgf之外，其他藉由與上述條件相同之條件，執行規定次數之加壓，藉由與上述相同之手法算出NG檢查點比率。
有關此異方導電性薄板的耐久性之導通電阻值的測定是在一導通電阻值的測定終了後，開放該測定的加壓壓力，而使檢査裝置回到無加壓狀態，下個導通電阻值的測定是藉由使規定大小的加壓壓力再度作用來進行。
在此檢查裝置中，實用上，NG檢查點比例必須為0.01%以下。亦即，當NG檢查點比例超過0.01%時，對良品的被檢查電路基板而言，有時會取得誤以為不良品的檢查結果，因此會有無法進行高可靠度的電路基板的電性檢查之虞。
將異方導電性薄板的耐久性測定結果顯示於表2。
3.絕緣性的評價如以下所述，評價電路基板側連接器21的間距變換用基板23之成對的連接電極25(電流用端子電極27及電壓用端子電極28)之間的絕緣電阻。
對於連接電極間的絕緣性的評價而言，是使用縱方向100mm、橫方向100mm、厚度0.8mm之表面施以絕緣性塗佈的玻璃環氧基板。
將所作成之檢查裝置設置於軌道搬運型電路基板自動檢查機「STARREC V5」的檢查部，對檢查裝置設置上述玻璃環氧基板，在100~210kgf之範圍內使軌道搬運型電路基板自動檢查機「STARREC V5」之加壓壓力階段性變化，在每加壓壓力條件各以10次，測定設置於第1檢查治具11a用的間距變換用基板23a之各個成對的連接電極25之間的絕緣電阻。
具體而言，一面經由對應於成對的連接用電極25之端子電極24來施加1毫安的電流，一面測定成對的檢査電極25的導通電阻值，藉此取得絕緣電阻值。
判定所被測定的絕緣電阻值為100Ω以上的連接用電極對為絕緣良好，算出被判定成絕緣良好的點對總檢查點數的比例(以下稱為「絕緣性合格點比例」)。
第1檢查治具11a之間距變換用基板23a的連接電極25為7200個(3600對)。亦即存在3600個的連接電極對，在各加壓壓力條件下，進行10次的測定，絕緣性合格點比例是顯示藉由式(3600)×10＝36000來算出的36000點的檢查點所佔之NG檢查點的比例。
在此檢查裝置中，實用上，絕緣性合格點比例必須為99.9%以上。亦即，當絕緣性合格點比例未滿99.9%時，在檢查時，洩漏電流會從作為電流供給用電極使用的連接用電極往作為電壓測定用電極使用的連接用電極流動，藉此對被檢查電路基板的良品之被檢查電路基板而言，有時會取得誤以為不良品的檢查結果，因此會有無法進行高可靠度的電路基板的電性檢查之虞。
將絕緣性評價的結果顯示於表3。
[實施例2]
將實施例1的檢查裝置之中繼基板29變更成圖12所示者。首先，如以下所述製造一具有7200個電極構造體之第1檢查治具11a用的中繼基板29a。
準備一疊層材料90A(新日鐵化學公司製「愛斯帕尼克斯LC18－50－00NE」)(圖14)，該疊層材料90A是在厚度為50μm之由液晶聚合物所構成的絕緣基板91的一面上一體疊層厚度為18μm之由銅所構成的金屬層93A，且在此疊層材料的金屬層上薄狀疊層乾膜光阻，藉此來形成光阻膜。
其次，對所被形成的光阻膜施以曝光處理及顯像處理，藉此按照對應於上述評價用電路裝置的上面側被檢查電極之圖案，在該光阻膜中形成直徑為40μm的圓形圖案孔。然後，對金屬層93A施以蝕刻處理，藉此在金屬層93A中形成與光阻膜的圖案孔同一圖案的開口93K，然後去除光阻膜(圖15)。
然後，經由形成於金屬層93A的開口93K，利用CO2 雷射加工機來對疊層材料的絕緣基板91施以雷射加工，藉此形成連通至金屬層93A的開口93K的貫通孔91H。
而且，在絕緣基板91的貫通孔91H的內壁面施以無電解銅電鍍處理，更以金屬層93A作為共通電極來實施電解銅電鍍處理，藉此以能夠覆蓋絕緣基板91的貫通孔91H的內壁面及金屬層93A的開口緣之方式來形成厚度為5μm之由銅所構成的筒狀金屬薄層93B，製造一如圖17所示般的複合疊層材料90B。在此，形成金屬薄層之後的貫通孔91H的直徑約為30μm。
其次，分別在複合疊層材料90B的兩面(形成於絕緣基板91的一面之金屬層93A的表面及絕緣基板91的另一面)薄狀疊層厚度為25μm的乾膜光阻，然後施以曝光處理及顯像處理，如圖18所示，按照所應形成的剛性導體電極92的端子部92b的圖案來形成一形成有直徑50μm的圓形圖案孔94H的光阻膜94。然後，以金屬層93A作為共通電極，使用溶解有氨基磺酸鎳的電鍍液來施以電解電鍍處理，藉此如圖19所示，形成由鎳所構成的剛性導體電極92。
然後，藉由研磨剛性導體電極92的端子部92b的表面，使剛性導體電極92的端子部92b的表面平坦化，且使該端子部92b的厚度一致於光阻膜94的厚度。其次，從複合疊層材料90B的兩面去除光阻膜94之後，使用溶解有氯化鐵的蝕刻液來對該複合疊層材料90B施以60℃、3小時的蝕刻處理，藉此去除金屬層93A及金屬薄層93B，而製造中繼基板29a。
所取得的中繼基板29a是材質為液晶聚合物，縱橫的尺寸為190mm×130mm，厚度d為50μm，貫通孔91H的直徑r1為40μm，剛性導體電極92的總數為7200，軀幹部92a的徑r2為30μm，端子部92b的徑r3為50μm，軀幹部92a的長度L為73μm，剛性導體電極92的移動距離(L－d)為23μm，成對之剛性導體電極92間的離間距離為70μm。
並且，與上述同様，製造一具有5200個剛性導體電極92之第2檢查治具11b用的中繼基板29b。
所取得的中繼基板29b是材質為液晶聚合物，縱橫的尺寸為190mm×130mm，厚度d為50μm，貫通孔91H的直徑r1為40μm，剛性導體電極92的總數為7200，軀幹部92a的徑r2為30μm，端子部92b的徑r3為50μm，軀幹部92a的長度L為73μm，剛性導體電極92的移動距離(L－d)為23μm，成對之剛性導體電極92間的離間距離為70μm。
除了使用上述中繼基板29a、29b來取代實施例1的中繼基板29a、29b以外，其餘則與實施例1同様構成檢查裝置。針對此檢查裝置，進行上述最低加壓壓的測定、異方導電性薄板的耐久性測定及絕緣性的評價。
將其結果顯示於表1~表3。
[比較例1]
取代上述中繼插銷單元31，而使用圖36所示的以往中繼插銷單元131a、131b。亦即，使用具有：以一定間距(2.54mm間距)在格子點上多數(8000插銷)配置的導電插銷132a，132b、及可使該導電插銷132a，132b往上下移動支撐的絕緣板134a，134b。除此以外與實施例1同様構成，製作比較用的檢查裝置。
藉由與實施例1同様的方法來針對所製成的比較用檢查裝置測定最低加壓壓及異方導電性薄板的耐久性。
將最低加壓壓的測定結果顯示於表1，將異方導電性薄板的耐久性的測定結果顯示於表2。
[比較例2]
在實施例1的檢查裝置中，配置電路基板側連接器21的中繼基板29、及由厚度100μm的分散型異方導電性彈性體薄板所構成的第1異方導電性薄板22，取代可夾持中繼基板29之厚度50μm的一對第1異方導電性薄板22，藉由上述方法來評價成對之連接電極25間的絕緣電阻。
將絕緣性評價的結果顯示於表3。
由表1及表2可明確得知，與比較例的檢查裝置比較之下，實施例1及實施例2的檢查裝置，最低加壓壓低，且異方導電性薄板的耐久性也會特別提升。而且，由表3的結果可明確得知，實施例1及實施例2的檢查裝置，在連接電極間的洩漏電流幾乎沒有發生。因此，能夠進行可靠度高的電路基板的電性檢查。
1．．．被檢查電路基板
2．．．被檢查電極
3．．．被檢查電極
11a．．．第1檢查治具
11b．．．第2檢查治具
21a，21b．．．電路基板側連接器
22a，22b．．．第1異方導電性薄板
23a，23b．．．間距變換用基板
24a，24b．．．端子電極
25a，25b．．．連接電極
26a，26b．．．第2異方導電性薄板
27．．．電流用端子電極
28．．．電壓用端子電極
29a，b．．．中繼基板
31a，31b．．．中繼插銷單元
32a，32b．．．導電插銷
33a，33b．．．第1支撐插銷
34a，34b．．．第1絕緣板
35a，35b．．．第2絕緣板
36a，36b．．．中間保持板
37a，37b．．．第2支撐插銷
38A．．．第1抵接支撐位置
38B．．．第2抵接支撐位置
39．．．保持板支撐插銷
39A．．．抵接支撐位置
41a，41b．．．測試機側連接器
42a，42b．．．第3異方導電性薄板
43a，43b．．．連接器基板
44a，44b．．．測試機側電極
45a，45b．．．插銷側電極
46a，46b．．．基座板
49a，49b．．．支撐插銷
51．．．絕緣基板
52．．．配線
53．．．內部配線
54．．．絕緣層
55．．．絕緣層
61．．．薄板基材
62．．．導電性粒子
63．．．貫通孔
64．．．貫通孔
65．．．電鍍層
66．．．光阻層
71．．．絕緣部
72．．．導電路形成部
73．．．突出部
75．．．剛性導體電極
75a．．．突出部
76．．．絕緣部
77．．．基板
81a，81b．．．端部
82．．．中央部
83，83a，83b．．．貫通孔
84．．．彎曲保持板
85．．．貫通孔
86．．．貫通孔
90A．．．疊層材料
90B．．．複合疊層材料
91．．．絕緣基板
91H．．．貫通孔
92．．．剛性導體電極
92a．．．軀幹部
92b．．．端子部
93A．．．金屬層
93B．．．金屬薄層
93K．．．開口
94．．．光阻膜
94H．．．圖案孔
101．．．被檢查電路基板
102．．．被檢查電極
103．．．被檢查電極
111a．．．第1檢查治具
111b．．．第2檢查治具
121a、121b．．．電路基板側連接器
122a，122b．．．第1異方導電性薄板
123a，123b．．．間距變換用基板
124a，124b．．．端子電極
125a，125b．．．連接電極
126a，126b．．．第2異方導電性薄板
131a，131b．．．中繼插銷單元
132a，132b．．．導電插銷
133a，133b．．．支撐插銷
134a，134b．．．絕緣板
141a，141b．．．測試機側連接器
142a，142b．．．第3異方導電性薄板
143a，143b．．．連接器基板
144a，144b．．．測試機側電極
145a，145b．．．插銷側電極
146a，146b．．．基座板
A．．．中間保持板投影面
L1．．．距離
L2．．．距離
Q1．．．對角線
Q2．．．對角線
R1．．．單位格子區域
R2．．．單位格子區域
圖1是表示本發明的檢查裝置的實施形態的剖面圖。
圖2是表示圖1之檢查裝置的檢查使用時的疊層狀態的剖面圖。
圖3是表示間距變換用基板的電路基板側的表面。
圖4是表示間距變換用基板的插銷側表面。
圖5(a)是表示中繼基板的部份剖面圖、圖5(b)是表示中繼基板的部份上面圖。
圖6是用以說明中繼基板的製造工程剖面圖。
圖7是用以說明中繼基板的製造工程剖面圖。
圖8是用以說明中繼基板的製造工程剖面圖。
圖9是表示第1異方導電性薄板的部份剖面圖。
圖10是表示經由第1異方導電性薄板來疊層間距變換用基板、中繼基板及被檢查電路基板的狀態部份剖面圖。
圖11是表示第2異方導電性薄板的部份剖面圖。
圖12是表示中繼基板的其他例的剖面圖。
圖13是表示圖12之中繼基板的剛性導體電極的擴大圖。
圖14是用以說明中繼基板的製造工程剖面圖。
圖15是用以說明中繼基板的製造工程剖面圖。
圖16是用以說明中繼基板的製造工程剖面圖。
圖17是用以說明中繼基板的製造工程剖面圖。
圖18是用以說明中繼基板的製造工程剖面圖。
圖19是用以說明中繼基板的製造工程剖面圖。
圖20是用以說明中繼基板的製造工程剖面圖。
圖21是表示在圖12的中繼基板的兩面疊層第1異方導電性薄板的狀態剖面圖。
圖22是表示其部份擴大圖。
圖23是表示將圖21的中繼基板及第1異方導電性薄板疊層於間距變換用基板的狀態剖面圖。
圖24是表示中繼插銷單元的剖面圖。
圖25是表示中繼插銷單元的導電插銷、中間保持板及絕緣板的部份剖面圖。
圖26是表示中繼插銷單元的構成的其他例之與圖25同様的剖面圖。
圖27是表示在圖26的構成中在第1絕緣板與第2絕緣板之間配置導電插銷為止的工程剖面圖。
圖28是表示配置彎曲保持板的中繼插銷單元的剖面圖。
圖29是表示投影於中繼插銷單元的中間保持板的厚度方向之中間保持板投影面的部份擴大圖。
圖30是表示本發明的檢查裝置的實施形態的部份擴大剖面圖。
圖31是用以說明本發明之一實施形態的檢查裝置的使用狀態的部份擴大剖面圖。
圖32是用以說明本發明的檢查裝置的中繼插銷單元的使用狀態的部份擴大剖面圖。
圖33是用以說明本發明之一實施形態的檢查裝置的使用狀態的部份擴大剖面圖。
圖34是用以說明本發明的檢查裝置的其他實施形態之與圖30同様的剖面圖。
圖35是表示圖34的中繼插銷單元的擴大剖面圖。
圖36是表示以往的電路基板的檢查裝置的剖面圖。
23．．．間距變換用基板
25．．．連接電極
27．．．電流用端子電極
28．．．電壓用端子電極
52．．．配線
54．．．絕緣層

Claims (14)

  1. 一種電路基板的檢査裝置，係藉由一對的第1檢査治具及第2檢査治具，在兩檢査治具之間夾壓檢査對象的被檢査電路基板的兩面，進行電性檢查，其特徵為：上述第1檢査治具及第2檢査治具分別具備：電路基板側連接器，其係具備：在基板的一面側與另一面側之間變換電極間距之間距變換用基板、及配置於上述間距變換用基板的被檢査電路基板側，貫通基板的複數個剛性導體電極可移動保持於該基板的厚度方向，藉由上述剛性導體電極來中繼上述間距變換用基板的檢查電極與上述被檢查電路基板的被檢查電極的電性連接之中繼基板、及配置於上述中繼基板的一面側及另一面側，導電性粒子會配列於厚度方向，且均一地分散於面方向之一對的第1異方導電性薄板、及配置於上述間距變換用基板之與被檢查電路基板相反之側之第2異方導電性薄板；中繼插銷單元，其係具備：以規定的間距來配置，與在電路基板側連接器的第2異方導電性薄板的厚度方向延伸的複數個導電路形成部電性連接之複數個導電插銷、及可使上述導電插銷移動支撐於軸方向之一對離間的第1絕緣板與第2絕緣板；及測試機側連接器，其係具備：電性連接測試機與上述中繼插銷單元之連接器基板、及配置於上述連接器基板的中繼插銷單元側之第3異方導電性薄板、及配置於上述連接器基板之與中繼插銷單元相反之側之基座板； 又，上述中繼插銷單元具備：配置於上述第1絕緣板與第2絕緣板之間的中間保持板；配置於上述第1絕緣板與中間保持板之間的第1支撐插銷；及配置於上述第2絕緣板與中間保持板之間的第2支撐插銷；且，上述第1支撐插銷對中間保持板的第1抵接支撐位置、及上述第2支撐插銷對中間保持板的第2抵接支撐位置，會在投影於中間保持板的厚度方向的中間保持板投影面中配置於相異的位置。
  2. 如申請專利範圍第1項之電路基板的檢査裝置，其中在上述中繼基板之上述基板形成有複數個貫通孔，在該貫通孔內形成有由高分子彈性體所構成的絕緣部，上述剛性導體電極係貫通該絕緣部，可藉由該絕緣部來移動保持於上述基板的厚度方向。
  3. 如申請專利範圍第1項之電路基板的檢査裝置，其中上述中繼基板之上述基板具有絕緣性，在該基板形成有複數個貫通孔，上述剛性導體電極具備：插通於該貫通孔的軀幹部；及形成於該軀幹部的兩端，具有比上述貫通孔的徑更大的徑之端子部；上述剛性導體電極在該基板的貫通孔，可移動保持於 該基板的厚度方向。
  4. 如申請專利範圍第1~3項的其中任一項所記載之電路基板的檢査裝置，其中構成為：藉由一對的第1檢查治具及第2檢查治具，在兩檢查治具之間夾壓檢查對象的被檢查電路基板的兩面時，以上述第1支撐插銷對中間保持板的第1抵接支撐位置為中心，上述中間保持板會彎曲於上述第2絕緣板的方向，且以上述第2支撐插銷對中間保持板的第2抵接支撐位置為中心，上述中間保持板會彎曲於上述第1絕緣板的方向。
  5. 如申請專利範圍第1~3項的其中任一項所記載之電路基板的檢査裝置，其中構成為：上述第1支撐插銷對中間保持板的第1抵接支撐位置會在上述中間保持板投影面中配置成格子狀，上述第2支撐插銷對中間保持板的第2抵接支撐位置會在上述中間保持板投影面中配置成格子狀，在上述中間保持板投影面中，在由鄰接的4個第1抵接支撐位置所構成的單位格子區域，配置有1個第2抵接支撐位置，且，在上述中間保持板投影面中，在由鄰接的4個第2抵接支撐位置所構成的單位格子區域，配置有1個第1抵接支撐位置。
  6. 如申請專利範圍第1~3項的其中任一項所記載之 電路基板的檢査裝置，其中上述中繼插銷單元具備：在上述第1絕緣板與第2絕緣板之間，以規定間隔離間配置的複數個中間保持板；及配置於鄰接的中間保持板彼此之間的保持板支撐插銷，且在至少1個中間保持板中，自一面側對該中間保持板抵接之保持板支撐插銷對該中間保持板的抵接支撐位置、及自另一面側對該中間保持板抵接之第1支撐插銷、第2支撐插銷、或保持板支撐插銷對該中間保持板的抵接支撐位置，會在投影於該中間保持板的厚度方向的中間保持板投影面中配置於相異的位置。
  7. 如申請專利範圍第6項之電路基板的檢査裝置，其中在全部的上述中間保持板中，自一面側對該中間保持板抵接之保持板支撐插銷對該中間保持板的抵接支撐位置、及自另一面側對該中間保持板抵接之第1支撐插銷、第2支撐插銷、或保持板支撐插銷對該中間保持板的抵接支撐位置，會在投影於該中間保持板的厚度方向的中間保持板投影面中配置於相異的位置。
  8. 如申請專利範圍第1~3項的其中任一項所記載之電路基板的檢査裝置，其中上述第2異方導電性薄板係由：延伸於厚度方向的複數個導電路形成部、及使該等導電路形成部互相絕緣的絕緣部所構成，導電性粒子只在導電路形成部中含有，藉此該導電性粒子係不均一地分散於面方向，且在薄板單面側突出導電 路形成部。
  9. 如申請專利範圍第1~3項的其中任一項所記載之電路基板的檢査裝置，其中上述第3異方導電性薄板係由：延伸於厚度方向的複數個導電路形成部、及使該等導電路形成部互相絕緣的絕緣部所構成，導電性粒子只在導電路形成部中含有，藉此該導電性粒子係不均一地分散於面方向，且在薄板單面側突出導電路形成部。
  10. 如申請專利範圍第1~3項的其中任一項所記載之電路基板的檢査裝置，其中上述複數個導電插銷係由：比上述第1絕緣板與第2絕緣板之間的間隔更短的棒狀中央部、及形成於該中央部的兩端側，比該中央部更小徑的一對端部所構成，上述一對端部會分別被插通於比形成於上述第1絕緣板及第2絕緣板的上述中央部更小徑，比上述一對端部更大徑的貫通孔，藉此上述導電插銷可移動支撐於軸方向。
  11. 如申請專利範圍第1~3項的其中任一項所記載之電路基板的檢査裝置，其中在上述第1絕緣板與中間保持板之間、上述第2絕緣板與中間保持板之間、或中間保持板彼此之間，設置形成有插通上述導電插銷的貫通孔之彎曲保持板，上述複數個導電插銷係以形成於上述第1及第2絕緣板的貫通孔、及形成於上述彎曲保持板的貫通孔作為支點，互相在相反方向往橫方向推壓，而於上述彎曲保持板的 貫通孔的位置被彎曲，藉此上述導電插銷可移動支撐於軸方向。
  12. 一種電路基板的檢査方法，係利用申請專利範圍第1~11項的任一項所記載之電路基板的檢査裝置，其特徵為：藉由一對的第1檢査治具及第2檢査治具，在兩檢査治具之間夾壓檢査對象的被檢査電路基板的兩面，進行電性檢查。
  13. 一種中繼基板，其特徵為：具備基板，其係複數個剛性導體電極貫通，上述基板具有絕緣性，在該基板形成有複數個貫通孔，上述剛性導體電極具備：插通於該貫通孔的軀幹部；及形成於該軀幹部的兩端，具有比上述貫通孔的徑更大的徑的端子部，上述剛性導體電極在該基板的貫通孔，可移動保持於該基板的厚度方向，上述剛性導體電極的軀幹部的長度係比上述基板的厚度更大。
  14. 一種電路基板側連接器，其特徵為具備：如申請專利範圍第13項所記載之中繼基板；配置於上述中繼基板的一面側及另一面側，導電性粒子會配列於厚度方向，且均一地分散於面方向之一對的第1異方導電性薄板； 在基板的一面側與另一面側之間變換電極間距之間距變換用基板；及配置於上述間距變換用基板之與被檢查電路基板相反之側之第2異方導電性薄片。
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