TWI401741B - Plasma etching method - Google Patents
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006080464A JP4877747B2 (ja) | 2006-03-23 | 2006-03-23 | プラズマエッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200746293A TW200746293A (en) | 2007-12-16 |
TWI401741B true TWI401741B (zh) | 2013-07-11 |
Family
ID=38632365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW96109942A TWI401741B (zh) | 2006-03-23 | 2007-03-22 | Plasma etching method |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4877747B2 (ko) |
CN (1) | CN100521105C (ko) |
TW (1) | TWI401741B (ko) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5102653B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2012-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 |
JP5264231B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2013-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5064319B2 (ja) * | 2008-07-04 | 2012-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP5457021B2 (ja) * | 2008-12-22 | 2014-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置 |
US8435901B2 (en) * | 2010-06-11 | 2013-05-07 | Tokyo Electron Limited | Method of selectively etching an insulation stack for a metal interconnect |
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CN103489757A (zh) * | 2013-10-16 | 2014-01-01 | 信利半导体有限公司 | 一种用于叠层绝缘薄膜的刻蚀方法 |
JP6315809B2 (ja) * | 2014-08-28 | 2018-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
JP6541439B2 (ja) * | 2015-05-29 | 2019-07-10 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
JP6494424B2 (ja) * | 2015-05-29 | 2019-04-03 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
CN105206525A (zh) * | 2015-09-28 | 2015-12-30 | 上海华力微电子有限公司 | 解决锗硅生长工艺中栅极顶角缺陷的方法 |
JP6670672B2 (ja) * | 2016-05-10 | 2020-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
JP6929148B2 (ja) * | 2017-06-30 | 2021-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法およびエッチング装置 |
JP6817168B2 (ja) * | 2017-08-25 | 2021-01-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
JP7061941B2 (ja) * | 2018-08-06 | 2022-05-02 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及び半導体デバイスの製造方法 |
JP2022032467A (ja) | 2020-08-12 | 2022-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びプラズマ処理システム |
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JPH05217954A (ja) * | 1992-02-05 | 1993-08-27 | Sharp Corp | ドライエッチング終点検出方法 |
JP2001274141A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
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-
2006
- 2006-03-23 JP JP2006080464A patent/JP4877747B2/ja active Active
-
2007
- 2007-03-22 CN CNB2007100894235A patent/CN100521105C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-22 TW TW96109942A patent/TWI401741B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4877747B2 (ja) | 2012-02-15 |
TW200746293A (en) | 2007-12-16 |
CN101043004A (zh) | 2007-09-26 |
CN100521105C (zh) | 2009-07-29 |
JP2007258426A (ja) | 2007-10-04 |
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