TWI394701B - 熱脫離被黏著物之方法及用於熱脫離被黏著物之裝置 - Google Patents

熱脫離被黏著物之方法及用於熱脫離被黏著物之裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI394701B
TWI394701B TW094112691A TW94112691A TWI394701B TW I394701 B TWI394701 B TW I394701B TW 094112691 A TW094112691 A TW 094112691A TW 94112691 A TW94112691 A TW 94112691A TW I394701 B TWI394701 B TW I394701B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
heat
sensitive adhesive
pressure
adherend
adhesive sheet
Prior art date
Application number
TW094112691A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200540092A (en
Inventor
Doi Tomoko
Tanimoto Masakazu
Arimitsu Yukio
Shimokawa Daisuke
Kawanishi Michirou
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of TW200540092A publication Critical patent/TW200540092A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI394701B publication Critical patent/TWI394701B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B17/00—Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups
    • B05B17/08—Fountains
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/005—Nozzles or other outlets specially adapted for discharging one or more gases
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B05B7/02—Spray pistols; Apparatus for discharge
    • B05B7/04—Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge
    • B05B7/0416—Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge with arrangements for mixing one gas and one liquid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B9/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour
    • B05B9/03—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour characterised by means for supplying liquid or other fluent material
    • B05B9/04—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour characterised by means for supplying liquid or other fluent material with pressurised or compressible container; with pump
    • B05B9/0403—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour characterised by means for supplying liquid or other fluent material with pressurised or compressible container; with pump with pumps for liquids or other fluent material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B63—SHIPS OR OTHER WATERBORNE VESSELS; RELATED EQUIPMENT
    • B63B—SHIPS OR OTHER WATERBORNE VESSELS; EQUIPMENT FOR SHIPPING 
    • B63B21/00—Tying-up; Shifting, towing, or pushing equipment; Anchoring
    • B63B21/50—Anchoring arrangements or methods for special vessels, e.g. for floating drilling platforms or dredgers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B63—SHIPS OR OTHER WATERBORNE VESSELS; RELATED EQUIPMENT
    • B63B—SHIPS OR OTHER WATERBORNE VESSELS; EQUIPMENT FOR SHIPPING 
    • B63B35/00—Vessels or similar floating structures specially adapted for specific purposes and not otherwise provided for
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F3/00—Biological treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F3/02—Aerobic processes
    • C02F3/12—Activated sludge processes
    • C02F3/20—Activated sludge processes using diffusers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/412—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components presence of microspheres
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/50—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features
    • C09J2301/502—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features process for debonding adherents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H01L2221/68322—Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1142—Changing dimension during delaminating [e.g., crushing, expanding, warping, etc.]
    • Y10T156/1147—Using shrinking or swelling agent during delaminating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1153—Temperature change for delamination [e.g., heating during delaminating, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1911—Heating or cooling delaminating means [e.g., melting means, freezing means, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Ocean & Marine Engineering (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Biodiversity & Conservation Biology (AREA)
  • Microbiology (AREA)
  • Hydrology & Water Resources (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Water Supply & Treatment (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Dicing (AREA)

Description

熱脫離被黏著物之方法及用於熱脫離被黏著物之裝置
本發明係關於一種藉由熱使黏著至具有可熱膨脹層之可熱剝離感壓黏著片之部分的被黏著物選擇性地自其脫離之方法。本發明進一步關於一種使用於此方法之熱脫離被黏著物之裝置。
於加工之後使黏合至感壓黏著帶之零件自感壓黏著帶脫離之方法的例子包括使基材收縮以拾取透過切割(dicing)製得之半導體晶片的技術（見專利文件1）。然而，此僅基於基材收縮之技術很難使在經切割之半導體晶片與感壓黏著帶之間之黏著力降低至可容易拾取半導體晶片之程度。亦很難使基材在縱向及橫向中均勻地收縮。因此，會有半導體晶片發生位移而與相鄰半導體晶片接觸，導致半導體晶片破裂的問題。
在各種應用在各種領域中使用具有含發泡劑諸如，比方說，可熱膨脹微珠（例如，商品名「Revalpha」及「Revaclean」，兩者皆係Nitto Denko Corp.製造）之可熱膨脹層的可熱剝離感壓黏著片，以消除該等問題。此可熱剝離感壓黏著片具有以下優點，黏合及固定至感壓黏著片之被黏著物可於此狀態下進行期望的加工。於加工後，經由加熱使包含於可熱膨脹層中之發泡劑（例如，可熱膨脹微珠）膨脹，因而降低或消除可熱剝離感壓黏著片之黏著力。因此，黏著至可熱剝離感壓黏著片之被黏著物可容易地自其脫離。
當希望使黏著至此一可熱剝離感壓黏著片之被黏著物自其脫離時，一般將經黏著被黏著物之整個感壓黏著片熱處理，以使所有的被黏著物一次脫離。然而，近來愈來愈希望以僅使黏著至可熱剝離感壓黏著片之部分的被黏著物自感壓黏著片脫離，而其餘被黏著物則保持黏著至可熱剝離感壓黏著片之方式進行熱脫離。
舉例來說，經由將薄銅箔層合至聚醯亞胺薄膜而製得之FPC（撓性印刷電路）零件的加工步驟包括下列步驟：將零件黏合及固定至可熱剝離感壓黏著片，於此狀態中分割，然後將可熱剝離感壓黏著片熱處理，以移動及分離零件之部分的經分割物件。在此操作中，會有由移動及分離部分分割物件所產生之振動導致其他分割物件變形或脫落的問題。此外，將半導體晶圓或多層電容器切割之步驟會有問題，例如，當於切割之後將可熱剝離感壓黏著片加熱以使固定於其上之零件脫離時，包括希望保留之零件的所有零件皆會被不期望地分離，且於加工後由移動及分離零件所產生之振動導致零件位移或脫落。
在此等情勢下，本發明人提出一種熱脫離被黏著物之方法，藉由此方法，當希望使在具有可熱膨脹層之可熱剝離感壓黏著片上之部分的被黏著物自其熱脫離時，僅有期望的部分可容易地脫離，而其餘的被黏著物則可保持黏著至可熱剝離感壓黏著片（參見專利文件2）。
[專利文件1]JP－A－11－3875[專利文件2]JP－A－2002－322436
然而，近年來有需要一種由生產力之觀點來看，可使黏著至可熱剝離感壓黏著片之部分的被黏著物可再更快速地自可熱剝離感壓黏著片選擇性地脫離之方法。
因此，本發明之一目的為提供一種用於熱脫離被黏著物之方法及裝置，藉此當希望使在可熱剝離感壓黏著片上之部分的被黏著物自其熱脫離時，僅有期望的部分可更快速且容易地脫離，而其餘的被黏著物則可保持黏著至可熱剝離感壓黏著片。
本發明之另一目的為提供一種用於熱脫離被黏著物之方法及裝置，藉此可使於可熱剝離感壓黏著片上之被黏著物於加工過程中保持於其上而不脫落，而於加工之後，可使期望部分的被黏著物容易且更快速地自可熱剝離感壓黏著片脫離，而不會導致被黏著物的損傷或位移。
本發明人進行密集的研究以完成該等目的。結果，發現可經由在具有特定溫度之大氣中利用供部分加熱用之加熱器加熱可熱剝離感壓黏著片，而使黏著至可熱剝離感壓黏著片之部分的被黏著物選擇性地自其脫離。本發明基於此發現而完成。
本發明提供一種熱脫離被黏著物之方法，其中使黏著至具有含發泡劑之可熱膨脹層之可熱剝離感壓黏著片之部分的被黏著物選擇性地自感壓黏著片脫離，此方法包括將可熱剝離感壓黏著片於溫度50℃或以上（在此溫度下可熱膨脹層不會膨脹）之大氣中部分加熱，因而使被黏著物選擇性地脫離。
發泡劑包括可熱膨脹微珠較佳。可根據待脫離之各被黏著物之形狀，使用部分加熱該可熱剝離感壓黏著片的加熱器於加熱待脫離之被黏著物所黏著之可熱剝離感壓黏著片中的該等區域，因而使被黏著物選擇性地脫離較佳。在本發明，可熱剝離感壓黏著片可自選自被黏著物之黏著側及其相對側的至少一側加熱。
本發明進一步提供一種熱脫離被黏著物之方法，其中使黏著至具有含發泡劑之可熱膨脹層之可熱剝離感壓黏著片之部分的被黏著物選擇性地自感壓黏著片脫離，此方法包括將黏著至可熱剝離感壓黏著片之被黏著物分割成個別物件之步驟，及將可熱剝離感壓黏著片於溫度50℃或以上（在此溫度下可熱膨脹層不會膨脹）之大氣中部分加熱，因而使部分的經分割物件選擇性地脫離之步驟。
本發明更提供一種熱脫離被黏著物之裝置，其係用於使被黏著物自具有含發泡劑之可熱膨脹層之可熱剝離感壓黏著片分離，此裝置具有用於在溫度50℃或以上（在此溫度下可熱膨脹層不會膨脹）之大氣中部分加熱可熱剝離感壓黏著片，因而使部分的被黏著物選擇性地脫離的加熱部分。
加熱部分具有使加熱部分可根據待脫離之各被黏著物之形狀加熱可熱剝離感壓黏著片之形狀較佳。加熱部分可設置於選自被黏著物之黏著側及其相對側之可熱剝離感壓黏著片的至少一側上。此外，加熱部分可於水平方向及/或垂直方向移動較佳。
本發明之熱脫離被黏著物之裝置具有下列部分較佳：將黏著至具有含發泡劑之可熱膨脹層之可熱剝離感壓黏著片的被黏著物分割成個別物件之分割部分；及在溫度50℃或以上（在此溫度下可熱膨脹層不會膨脹）之大氣中部分加熱可熱剝離感壓黏著片，因而使部分的經分割物件選擇性地脫離的加熱部分。
根據本發明之熱脫離被黏著物之方法，當希望使可熱剝離感壓黏著片上之部分的被黏著物自其熱脫離時，僅有期望部分可更快速且容易地脫離，而其餘的被黏著物則可保持黏著至可熱剝離感壓黏著片。此外，可熱剝離感壓黏著片上之被黏著物於加工過程中可保持於其上而不脫落，而於加工之後，可使期望部分的被黏著物容易且更快速地自可熱剝離感壓黏著片分離，而不會導致被黏著物的損傷或位移。
因此，根據本發明之熱脫離被黏著物之裝置，即使係在較細及較薄之被黏著物的情況中，被黏著物在加工過程中亦可令人滿意地固定而不會脫落，及於加工之後，僅有期望部分的被黏著物可容易、精確、及快速地自感壓黏著片脫離。因此，可抑制或防止被黏著物發生損傷或諸如位移的麻煩。因此，可有效地防止生產力、產率等等減低。
將根據需求參照圖式將實施本發明之方式詳細說明於下。圖1係說明可使用於本發明之熱脫離被黏著物之方法中之可熱剝離感壓黏著片之一例子的概略剖面圖。在圖1中，數字1係表示可熱剝離感壓黏著片，2為支承基材，3為橡膠有機彈性層，4為可熱膨脹感壓黏著層，及5為隔離物（脫離襯墊）。圖1所示之可熱剝離感壓黏著片1具有包括支承基材2、透過橡膠有機彈性層3形成於基材2之一側上之可熱膨脹感壓黏著層4、及重疊於可熱膨脹感壓黏著層4上之隔離物5的構造。
（可熱剝離感壓黏著片）本發明中之可熱剝離感壓黏著片至少具有一包含發泡劑之可熱膨脹層。此可熱剝離感壓黏著片可具有如圖1所示包括同時提供作為可熱膨脹層及感壓黏著層之可熱膨脹感壓黏著層的構造，或可具有包括可熱膨脹層及感壓黏著層之個別層的構造。因此，包含發泡劑之可熱膨脹層可具有感壓黏著層的功能。
在可熱膨脹層係此一亦作為感壓黏著層之可熱膨脹感壓黏著層的情況中，可熱剝離感壓黏著片不需具有感壓黏著層，且可利用可熱膨脹感壓黏著層之表面作為黏合被黏著物之感壓黏著側。
另一方面，在可熱膨脹層未作為感壓黏著層之情況中，可熱剝離感壓黏著片應具有感壓黏著層，且可利用此感壓黏著層之表面作為黏合被黏著物之感壓黏著側。此感壓黏著層可形成於可熱膨脹層上。
雖然圖1所示之可熱剝離感壓黏著片1具有橡膠有機彈性層3及隔離物5，但橡膠有機彈性層3及隔離物5係非必需。由當使可熱膨脹層（例如，可熱膨脹感壓黏著層）熱膨脹時，例如，達成改良黏固力及形成波動的觀點來看，感壓黏著片1應具有橡膠有機彈性層較佳。此外，由保護可熱膨脹感壓黏著層之感壓黏著側的觀點來看，使用隔離物為較佳。然而，可使基材之背側接受脫離劑處理，因而利用基材之背側保護可熱膨脹感壓黏著層之感壓黏著側。
（可熱膨脹層）可熱膨脹層包含用於賦予熱膨脹性之發泡劑。因此，此層藉由下述機構作用。當於任何期望時刻將具有黏著至感壓黏著側之被黏著物的可熱剝離感壓黏著片部分加熱時，存在於經如此選擇性加熱之可熱膨脹層之該等區域中之發泡劑發生吹脹及/或膨脹，且可熱膨脹層相應地部分膨脹。由於此可熱膨脹層之部分膨脹，因而對應於經膨脹部分之感壓黏著側中之該等區域變形成具有表面不規則，而導致在感壓黏著側與被黏著物之間的黏著面積減小。結果，在經變形成具有表面不規則之感壓黏著側與被黏著物之間的黏著力降低，且黏著至此感壓黏著側之被黏著物可自可熱剝離感壓黏著片脫離。
使用於可熱膨脹層中之發泡劑並無特殊之限制。然而，使用可熱膨脹微珠較佳。發泡劑可單獨使用或以其兩者或以上之組合使用。可熱膨脹微珠並無特殊之限制，而可適當地選自已知之可熱膨脹微珠（例如各種無機可熱膨脹微珠及有機可熱膨脹微珠）。由例如混合操作容易度之觀點來看，所使用之可熱膨脹微珠係經微囊封的發泡劑較佳。此種可熱膨脹微珠之例子包括經由將當加熱時易氣化及膨脹之物質，諸如比方說，異丁烷、丙烷、或戊烷，包封於彈性外殼中而製得之微珠。在許多情況中，外殼係由可熱熔融材料或當熱膨脹時破裂之材料形成。可使用於形成外殼之材料的例子包括二氯亞乙烯/丙烯腈共聚物、聚（乙烯醇）、聚（乙烯縮丁醛）、聚（甲基丙烯酸甲酯）、聚丙烯腈、聚（二氯亞乙烯）、及聚碸。可熱膨脹微珠可利用一般使用的方法，諸如，比方說，凝聚(coacervation)方法及界面聚合方法製得。亦有可熱膨脹微珠的商業產品，諸如，比方說，商品名「Matsumoto Microsphere」[Matsumoto Yushi－Seikayku Co., Ltd.製造]。
可使用除可熱膨脹微珠外之發泡劑作為本發明之發泡劑。可使用適當地選自各種發泡劑包括各種無機發泡劑及有機發泡劑的此一發泡劑。無機發泡劑的典型例子包括碳酸銨、碳酸氫銨、碳酸氫鈉、亞硝酸銨、硼氫氧化鈉、及各種疊氮化物。有機發泡劑的典型例子包括水；氯氟烷化合物諸如三氯單氟甲烷及二氯單氟甲烷；偶氮化合物諸如偶氮雙異丁腈、偶氮二甲醯胺、及偶氮二羧酸鋇；肼化合物諸如對甲苯磺醯肼、二苯碸3, 3’－二磺醯肼、4, 4’－氧雙（苯磺醯肼）、及烯丙基雙（磺醯肼）；半卡肼化合物諸如對甲苯磺醯基半卡肼及4, 4’－氧雙（苯磺醯基半卡肼）；三唑化合物諸如5－嗎啉基－1, 2, 3, 4－噻三唑；及N－亞硝基化合物諸如N, N’－二亞硝基五亞甲四胺及N, N’－二甲基－N, N’－二亞硝基對苯二甲醯胺。
在本發明，為有效率且穩定地藉由熱處理降低可熱膨脹層之黏著力，使用具有直至其膨脹5倍或以上，較佳7倍或以上，尤其係10倍或以上，至不會破裂之適中強度的發泡劑較佳。
發泡劑（例如，可熱膨脹微珠）之加入量可根據可熱膨脹層之期望的膨脹比及期望的黏著力降低程度等等而適當地決定。然而，其之量一般係例如，對每100份重量之構成可熱膨脹層之基礎聚合物為1－150份重量，以10－130份重量較佳，25－100份重量更佳。
在使用可熱膨脹微珠作為發泡劑之情況中，可熱膨脹微珠之顆粒直徑（平均顆粒直徑）可根據可熱膨脹層之厚度等等而適當地選擇。可熱膨脹微珠之平均顆粒直徑可選自，例如，至100微米（較佳至80微米，更佳為1－50微米，尤其係1－30微米）之範圍。可熱膨脹微珠之顆粒直徑可於可熱膨脹微珠之製造過程中作調整，或可利用諸如，比方說於製造之後分級的技術作調整。可熱膨脹微珠之顆粒直徑均勻較佳。
可熱膨脹層可為任何包含發泡劑之層。舉例來說，可熱膨脹層可為包含黏彈性材料及分散於其中之發泡劑之層（可熱膨脹黏彈性層）。此一可熱膨脹彈性層可由包含黏彈性材料及加入其中之用於賦予可熱膨脹性之發泡劑之含發泡劑之黏彈性組成物所形成。黏彈性材料之黏彈性的程度應係使黏彈性材料當熱處理時不會抑制發泡劑之發泡及/或膨脹。換言之，可使用至少一種不會抑制發泡劑之熱膨脹的黏彈性材料作為黏彈性材料。關於此一黏彈性材料，可使用，例如，可使發泡劑當加熱時吹脹及/或膨脹之具有適度黏彈性的橡膠、樹脂、或感壓黏著劑。黏彈性材料之例子包括橡膠、熱固性樹脂、熱塑性樹脂、感壓黏著劑、可利用能量射線固化之樹脂，及可利用能量射線固化之感壓黏著劑。此種黏彈性材料可單獨使用或以其兩者或以上之組合使用。
黏彈性材料之更明確的例子如下。橡膠之例子包括各種橡膠諸如天然橡膠、合成橡膠、及聚矽氧橡膠。熱固性樹脂之例子包括環氧樹脂、不飽和酯樹脂、熱固性丙烯酸系樹脂及酚系樹脂。熱塑性樹脂之例子包括飽和聚酯樹脂、熱塑性聚胺基甲酸酯樹脂、醯胺樹脂、醯亞胺樹脂、熱塑性丙烯酸系樹脂、烯烴樹脂及乙酸乙烯酯樹脂。
感壓黏著劑之例子包括各種感壓黏著劑諸如橡膠基感壓黏著劑、丙烯酸系感壓黏著劑、聚矽氧感壓黏著劑、乙烯基烷基醚基感壓黏著劑、聚酯基感壓黏著劑、聚醯胺基感壓黏著劑、胺基甲酸酯基感壓黏著劑及氟聚合物基感壓黏著劑。
其例子進一步包括已知之感壓黏著劑諸如經由將熔點約200℃或以下之可熱熔融樹脂加入至任何該等感壓黏著劑中而製得之具有改良蠕變特性的感壓黏著劑（參見，例如，JP－A－56－61468、JP－A－61－174857、JP－A－63－17981及JP－A－56－13040)。
較佳的感壓黏著劑為橡膠基感壓黏著劑及丙烯酸系感壓黏著劑。丙烯酸系感壓黏著劑為特佳。橡膠基感壓黏著劑之例子包括含天然橡膠或任何各種合成橡膠[例如，聚異戊二烯橡膠、苯乙烯/丁二烯嵌段共聚物(SB)橡膠、苯乙烯/異戊二烯嵌段共聚物(SI)橡膠、苯乙烯/異戊二烯/苯乙烯嵌段共聚物(SIS)橡膠、苯乙烯/丁二烯/苯乙烯嵌段共聚物(SBS)橡膠、苯乙烯/異戊二烯/丁二烯/苯乙烯嵌段共聚物(SIBS)橡膠、苯乙烯/乙烯/丁烯/苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)橡膠、苯乙烯/乙烯/丙烯/苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)橡膠、苯乙烯/乙烯/丙烯嵌段共聚物(SEP)橡膠、再生橡膠、丁基橡膠、聚異丁烯，及此等橡膠之改質]作為基礎聚合物之橡膠基感壓黏著劑。
丙烯酸系感壓黏著劑之例子包括含丙烯酸系聚合物[均聚物或共聚物]作為基礎聚合物之丙烯酸系感壓黏著劑，該丙烯酸系聚合物係由含一或多種（甲基）丙烯酸烷酯之一或多種單體成分所形成。用於製造丙烯酸系感壓黏著劑之（甲基）丙烯酸烷酯的例子包括（甲基）丙烯酸之C1 － 2 0 烷基酯，諸如（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸異丙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸異丁酯、（甲基）丙烯酸第二丁酯、（甲基）丙烯酸第三丁酯、（甲基）丙烯酸戊酯、（甲基）丙烯酸己酯、（甲基）丙烯酸庚酯、（甲基）丙烯酸辛酯、（甲基）丙烯酸2－乙基己酯、（甲基）丙烯酸異辛酯、（甲基）丙烯酸壬酯、（甲基）丙烯酸異壬酯、（甲基）丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸異癸酯、（甲基）丙烯酸十一烷酯、（甲基）丙烯酸十二烷酯、（甲基）丙烯酸十三烷酯、（甲基）丙烯酸十四烷酯、（甲基）丙烯酸十五烷酯、（甲基）丙烯酸十六烷酯、（甲基）丙烯酸十七烷酯、（甲基）丙烯酸十八烷酯、（甲基）丙烯酸十九烷酯及（甲基）丙烯酸二十烷酯[（甲基）丙烯酸之C4 －1 8 烷基（直鏈或分支鏈烷基）酯為較佳]。
丙烯酸系聚合物可根據需求而包含衍生自一或多個可與（甲基）丙烯酸烷酯共聚合之其他單體成分之單元，以改良內聚力、耐熱性、可交聯性等等。此種單體成分之例子包括含羧基單體諸如丙烯酸、甲基丙烯酸、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、巴豆酸及丙烯酸羧乙酯；含酸酐基之單體，諸如順丁烯二酸酐及伊康酸酐；含羥基單體諸如（甲基）丙烯酸羥乙酯、（甲基）丙烯酸羥丙酯、及（甲基）丙烯酸羥丁酯；（N－經取代或未經取代）醯胺單體諸如（甲基）丙烯醯胺、N, N－二甲基（甲基）丙烯醯胺、N－丁基（甲基）丙烯醯胺、N－羥甲基（甲基）丙烯醯胺及N－羥甲基丙烷（甲基）丙烯醯胺；乙烯基酯單體諸如乙酸乙烯酯及丙酸乙烯酯；苯乙烯單體諸如苯乙烯及α－甲基苯乙烯；乙烯基醚單體諸如乙烯基甲基醚及乙烯基乙基醚；氰基丙烯酸酯單體諸如丙烯腈及甲基丙烯腈；含環氧基之丙烯酸系單體，諸如（甲基）丙烯酸縮水甘油酯；烯烴或二烯單體諸如乙烯、丙烯、異戊二烯、丁二烯及異丁烯；含（經取代或未經取代）胺基之單體諸如（甲基）丙烯酸胺乙酯、（甲基）丙烯酸N, N－二甲基胺乙酯及（甲基）丙烯酸第三丁基胺乙酯；（甲基）丙烯酸烷氧烷酯單體諸如（甲基）丙烯酸甲氧乙酯及（甲基）丙烯酸乙氧乙酯；具含一或多個氮原子之環的單體，諸如N－乙烯基吡咯啶酮、N－甲基乙烯基吡咯啶酮、N－乙烯基吡啶、N－乙烯基六氫吡啶酮、N－乙烯基嘧啶、N－乙烯基六氫吡、N－乙烯基吡、N－乙烯基吡咯、N－乙烯基咪唑、N－乙烯基唑、N－乙烯基嗎啉及N－乙烯基己內醯胺；N－乙烯基羧醯胺；含磺酸基單體諸如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、（甲基）丙烯醯胺丙磺酸及（甲基）丙烯酸磺酸丙酯；含磷酸酯基之單體，諸如丙烯醯基磷酸2－羥乙酯；順丁烯二醯亞胺單體諸如N－環己基順丁烯二醯亞胺、N－異丙基順丁烯二醯亞胺、N－月桂基順丁烯二醯亞胺及N－苯基順丁烯二醯亞胺；亞甲基丁二醯亞胺單體諸如N－甲基亞甲基丁二醯亞胺、N－乙基亞甲基丁二醯亞胺、N－丁基亞甲基丁二醯亞胺、N－辛基亞甲基丁二醯亞胺、N－2－乙基己基亞甲基丁二醯亞胺、N－環己基亞甲基丁二醯亞胺及N－月桂基亞甲基丁二醯亞胺；琥珀醯亞胺單體諸如N－（甲基）丙烯醯氧亞甲基琥珀醯亞胺、N－（甲基）丙烯醯基－6－氧六亞甲基琥珀醯亞胺及N－（甲基）丙烯醯基－8－氧八亞甲基琥珀醯亞胺；二醇丙烯酸酯單體諸如聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯及聚丙二醇（甲基）丙烯酸酯；具含一或多個氧原子之雜環的單體，諸如（甲基）丙烯酸四氫呋喃甲酯；含一或多個氟原子之丙烯酸酯單體，諸如氣化（甲基）丙烯酸酯；含一或多個矽原子之丙烯酸酯單體，諸如聚矽氧（甲基）丙烯酸酯；及多官能單體諸如己二醇二（甲基）丙烯酸酯、（聚）乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、（聚）丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、異戊四醇二（甲基）丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、異戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、二異戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯苯、二（甲基）丙烯酸丁酯及二（甲基）丙烯酸己酯。此等單體成分可單獨使用或以其兩者或以上之組合使用。
由在於熱處理前之適度黏著力及黏著力透過熱處理而減小之性質之間之平衡的觀點來看，更佳的感壓黏著劑係包含於在常溫至150℃範圍內之任何溫度下量測之動態模數係在5,000至1,000,000(Pa)範圍內之聚合物作為基質的感壓黏著劑。
感壓黏著劑可根據感壓黏著劑等等之種類而包含除聚合物成分，諸如感壓黏著劑成分（基礎聚合物）及其類似物外之適當的添加劑。添加劑之例子包括交聯劑（例如，異氰酸酯交聯劑、環氧交聯劑及三聚氰胺交聯劑）、增黏劑（例如，在常溫下為固態、半固態、或液態，且包含松香衍生樹脂、聚萜烯樹脂、石油樹脂、油溶性酚系樹脂等等之增黏劑）、增塑劑、填料、抗氧化劑及表面活性劑。
使用感壓黏著劑作為黏彈性材料為特佳。經由如此使用感壓黏著劑作為黏彈性材料，可將可熱膨脹感壓黏著層形成為可熱膨脹層。換言之，可熱膨脹感壓黏著層可由用於賦予可熱膨脹性之發泡劑及用於賦予感壓黏著劑性質之感壓黏著劑所構成。
可熱膨脹感壓黏著層，例如，可以一般的方式形成，其中將感壓黏著劑與發泡劑（例如，可熱膨脹微珠）及視需要與溶劑及其他添加劑混合，及將所得之混合物形成為薄片形態層。明確言之，可熱膨脹感壓黏著層，例如，可以下述方法形成：將包含感壓黏著劑及發泡劑（例如，可熱膨脹微珠）及視需要包含溶劑及其他添加劑之混合物塗布至基材或即將說明於後之橡膠有機彈性層之方法；或將混合物塗布至適當的隔離物（例如，釋離紙）以形成可熱膨脹感壓黏著層，及將此層轉移（移動）至基材或至橡膠有機彈性層之方法。對於形成可熱膨脹感壓黏著層之應用，可使用利用於旋塗的裝置或一般用於感壓黏著劑的塗布機器（例如，墨槽塗布機(fountain coater)或吻塗機）。可熱膨脹感壓黏著層可具有單層或多層構造。
當然當可熱膨脹層不為可熱膨脹感壓黏著層時，此可熱膨脹層可以與前述形成可熱膨脹感壓黏著層相同之方式形成。
可熱膨脹層（例如，可熱膨脹感壓黏著層）之厚度可根據黏著力之減低性質等等而適當地選擇。其之厚度係，例如，約5－300微米（以20－150微米較佳）。然而，當包含可熱膨脹微珠作為發泡劑時，可熱膨脹層之厚度應較所包含之可熱膨脹微珠的最大顆粒直徑大。
在可熱膨脹層之厚度太小的情況中，此層由於可歸因於可熱膨脹微珠之不規則而具有減損的表面平滑度，導致在加熱前（未膨脹狀態）之降低的黏著力。此外，此可熱膨脹層經由熱處理的變形程度低，且較不易導致黏著力的平順降低。另一方面，在可熱膨脹層過厚的情況中，此可熱膨脹層於經由熱處理而膨脹或發泡後易發生內聚失效，而導致黏著劑殘留物殘留於被黏著物上的情況。
（基材）圖1所示之可熱剝離感壓黏著片使用支承基材（通常簡稱為「基材」）。可將此一基材使用作為可熱膨脹層及其他層之支承基質。可使用適當的薄片材料作為基材。其例子包括紙基基材諸如紙張；纖維基材諸如織布、不織布、氈及網狀物；金屬基材諸如金屬箔及金屬薄片；塑膠基材諸如塑膠薄膜及薄片；橡膠基基材諸如橡膠薄片；發泡體諸如發泡片材；及此等材料之層合物（尤其係塑膠基材與另一種基材之層合物及塑膠薄膜（或薄片）與另一塑膠薄膜（或薄片）之層合物）。由加熱後之可操作性等等的觀點來看，基材係具優異耐熱性以致不會在用於熱處理可熱膨脹層之溫度下熔融的材料較佳。使用塑膠基材諸如塑膠薄膜或薄片作為基材較佳。塑膠薄膜或薄片之材料的例子包括：由包括α－烯烴之一或多種單體成分形成之烯烴樹脂，諸如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯/丙烯共聚物、及乙烯/乙酸乙烯酯共聚物(EVA)；聚酯諸如聚（對苯二甲酸乙二酯）(PET)、聚（萘二甲酸乙二酯）(PEN)及聚（對苯二甲酸丁二酯）(PBT)；聚（氯乙烯）(PVC)；聚（苯硫）(PPS)；醯胺樹脂諸如聚醯胺（耐綸）及全芳族聚醯胺（聚芳醯胺）；及聚醚醚酮(PEEK)。此等材料可單獨使用或以其兩者或以上之組合使用。
在使用基材係塑膠基材的情況中，可藉由拉伸處理等等而調整此基材之可變形性諸如，比方說，可拉伸性。在將輻射可固化材料使用於可熱膨脹層或另一層的情況中，使用不會抑制輻射透射的基材較佳。
基材之厚度可根據強度、撓性、設計用途等等而適當地選擇。舉例來說，其厚度一般係約1,000微米或以下（例如，1－1,000微米），以約1－500微米較佳，約3－300微米更佳，尤其係約5－250微米。然而，不應將基材厚度解釋為受限於此。基材可具有單層構造或多層構造。
為使基材對相鄰層（例如，可熱膨脹層或橡膠有機彈性層）具有增進的黏著，可使基材表面經歷一般的表面處理，例如，化學或物理氧化處理諸如電暈處理、鉻酸處理、暴露至臭氧、暴露至火焰、暴露至高壓電震，或利用游離輻射處理，或另一處理（例如，利用底塗料的塗布處理）。基材可經用於賦予自可熱膨脹層之可脫離性等等之脫離劑諸如，比方說聚矽氧樹脂或氟樹脂進行塗布處理。
可將可熱膨脹層形成於基材之至少一側（一側或各側）上。可使用包括埋置於可熱膨脹層中之基材的構造。
（中間層）本發明之可熱剝離感壓黏著片可具有一或多個設置於，例如基材與可熱膨脹層之間的中間層。此種中間層之例子包括用於賦予可脫離性之脫離劑之塗層及用以改良黏著之底塗料之塗層。除脫離劑塗層及底塗料塗層外之中間層的例子包括用於賦予令人滿意之可變形性的層、用於增加對被黏著物（例如，半導體晶圓）之黏著面積之層、用於改良黏著力之層、用於改良對被黏著物（例如，半導體晶圓）之表面形狀之可仿形性的層、用於改良熱降低黏著力效果之層、及用於改良於加熱後自被黏著物（例如，半導體晶圓）之可脫離性之層。由賦予可熱剝雜感壓黏著片可變形性、改良其於加熱後之可脫離性等等的觀點來看，如圖1所示形成橡膠有機彈性層作為在基材與可熱膨脹層之間的中間層較佳。
在圖1所示之可熱剝離感壓黏著片1中，作為可熱膨脹層之可熱膨脹感壓黏著層4係透過橡膠有機彈性層3形成於支承基材（基材）2上。經由如此設置橡膠有機彈性層，可使經黏貼至被黏著物之可熱剝離感壓黏著片的表面令人滿意地仿形至被黏著物之表面形狀，而得到增加的黏著面積。此外，當將此可熱剝離感壓黏著片加熱以自被黏著物脫離時，可高度（精確地）控制可熱膨脹層之熱膨脹，且可熱膨脹層可優先於厚度方向中均勻地膨脹。
換言之，橡膠有機彈性層可使黏貼至被黏著物之可熱剝離感壓黏著片的表面可仿形至被黏著物之表面形狀而具有增加的黏著面積，且進一步可當在製備中使可熱膨脹層熱發泡及/或膨脹以使被黏著物自可熱剝離感壓黏著片脫離時，經由消除對可熱剝離感壓黏著片發生於平面方向中之發泡及/或膨脹之限制，幫助形成波動，因此而使可熱膨脹層可經歷三維結構變化。
附帶一提，橡膠有機彈性層係如前所述根據需求形成之層，且其不一定需設置。由增進被黏著物經固定以用於加工及於加熱之後經脫離之能力的觀點來看，設置橡膠有機彈性層為較佳。
設置橡膠有機彈性層使其在面對基材之側上重疊於可熱膨脹層上較佳。彈性層可經形成為除設置於基材與可熱膨脹層之間之中間層之外的層。可將橡膠有機彈性層設置於基材之一側或各側上。
橡膠有機彈性層係由天然橡膠、合成橡膠或合成樹脂製成較佳，其中該合成樹脂具有當根據ASTM D－2240測量時各具有50或以下，尤其係40或以下之蕭耳(Shore)D硬度的橡膠彈性。合成橡膠或具有橡膠彈性之合成樹脂的例子包括合成橡膠諸如腈、二烯及丙烯酸系橡膠；熱塑性彈性體諸如聚烯烴及聚酯；及具有橡膠彈性之合成樹脂，諸如乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、聚胺基甲酸酯、聚丁二烯及撓性聚（氯乙烯）。即使係在本質為硬質之聚合物，像是聚（氯乙烯）的情況中，當將諸如增塑劑或軟化劑之成分加入其中時，其亦可具有橡膠彈性。亦可將此種組成物使用作為構成橡膠有機彈性層之材料。此外，可將用於構成可熱膨脹感壓黏著層之黏性材料諸如前述之感壓黏著劑（例如，橡膠基感壓黏著劑或丙烯酸系感壓黏著劑）使用作為構成橡膠有機彈性層之材料。
橡膠有機彈性層可例如，利用下述方法形成：將包含用於形成橡膠有機彈性層之材料（諸如天然橡膠、合成橡膠，或具有橡膠彈性之合成樹脂）之塗布流體塗布至基材之方法（塗布方法）；將由用於形成橡膠有機彈性層之材料製成之薄膜或經由將一層用於形成橡膠有機彈性層之材料形成於一或多個可熱膨脹感壓黏著層上而預先製得之多層薄膜黏合至基材之方法（乾式層合方法），或將包含用於構成基材之材料之樹脂組成物及包含用於形成橡膠有機彈性層之材料之樹脂組成物共擠塑之方法（共擠塑方法）。
橡膠有機彈性層可由包含天然橡膠、合成橡膠，或具有橡膠彈性之合成樹脂為主成分之黏性材料所製成。此層可由主要由此種成分組成之發泡薄膜所構成。發泡可利用一般的方法進行，例如，基於機械攪拌之方法、利用經由反應產生氣體之方法、使用發泡劑之方法、移除可溶解物質之方法、基於噴霧之方法、形成組合發泡體之方法，或燒結方法。
中間層（例如，橡膠有機彈性層）之厚度，例如約5－300微米，以約20－150微米較佳。當中間層係，例如，橡膠有機彈性層時，橡膠有機彈性層之過小的厚度會使其無法透過熱發泡產生三維結構變化，而導致可脫離性減損的情況。中間層（例如，橡膠有機彈性層）可具有單層構造或可包括二或多層。
在將輻射可固化材料使用於可熱膨脹層或另一層的情況中，中間層（例如，橡膠有機彈性層）不會抑制輻射的透射較佳。
（隔離物）在圖1所示之可熱剝離感壓黏著片中，使用隔離物（脫離襯墊）作為用於充作可熱膨脹層之可熱膨脹感壓黏著層的保護材料。然而，並不一定需要設置隔離物。在設置不為可熱膨脹感壓黏著層之感壓黏著層的情況中，可設置隔離物（脫離襯墊）作為此感壓黏著層之保護材料。
當使用經隔離物保護之感壓黏著層時（即當將被黏著物黏合至受隔離物保護之感壓黏著層時），將隔離物剝除。
關於隔離物，可使用例如一般使用的釋離紙。隔離物之例子包括具有脫離層之基材，諸如經脫離劑諸如聚矽氧、長鏈烷基或氟化學脫離劑或硫化鉬表面處理之塑膠薄膜及紙張；由氟聚合物諸如聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚（氟乙烯）、聚（二氟亞乙烯）、四氟乙烯/六氟丙烯共聚物及氯氟乙烯/二氟亞乙烯共聚物製成之低度黏著基材；及由非極性聚合物諸如聚烯烴樹脂（例如，聚乙烯及聚丙烯）製成之低度黏著基材。亦可使用隔離物作為用於支承可熱膨脹層（例如，可熱膨脹感壓黏著層）之基材。
隔離物可利用已知或常用的方法形成。隔離物之厚度等等並無特殊之限制。
（其他層）在本發明，可熱剝離感壓黏著片並無特殊之限制，只要其包括含發泡劑之可熱膨脹層即可。舉例來說，其可為如圖1所示之具有基材的可熱剝離感壓黏著片（以基材為基礎之可熱剝離感壓黏著片）或不具有基材的可熱剝雜感壓黏著片（無基材的可熱剝離感壓黏著片）。在可熱剝離感壓黏著片係以基材為基礎之可熱剝離感壓黏著片的情況中，此感壓黏著片具有形成於基材之至少一側上的可熱膨脹層。此感壓黏著片之例子包括(1)具有形成於基材之一側上之可熱膨脹層之類型的可熱剝離感壓黏著片，(2)具有形成於基材之各側上之可熱膨脹層之類型的可熱剝離感壓黏著片，及(3)具有形成於基材之一側上之可熱膨脹層及具有在基材之另一側上之不可熱膨脹之感壓黏著層（不具有可熱膨脹性之感壓黏著層）之類型的可熱剝離感壓黏著片。
在可熱膨脹層不為可熱膨脹感壓黏著層的情況中，可熱剝離感壓黏著片應係包括形成於可熱膨脹層上之不可熱膨脹之感壓黏著層的感壓黏著片。在此可熱剝離感壓黏著片中，可將設置於可熱膨脹層上之不可熱膨脹之感壓黏著層的表面使用作為感壓黏著側。另一方面，在可熱膨脹層為可熱膨脹感壓黏著層的情況中，可將此可熱膨脹感壓黏著層的表面使用作為感壓黏著側。因此，此黏著片不需具有形成於作為可熱膨脹層之可熱膨脹感壓黏著層上之不可熱膨脹之感壓黏著層。
此一不可熱膨脹之感壓黏著層（例如，待形成於可熱膨脹層上之不可熱膨脹之感壓黏著層及待形成於基材之與可熱膨脹層相對之側上之不可熱膨脹之感壓黏著層）可由任何以上顯示作為使用於可熱膨脹感壓黏著層中之感壓黏著劑之例子的感壓黏著劑（例如，橡膠基感壓黏著劑及丙烯酸系感壓黏著劑）所形成。此等感壓黏著劑可單獨使用或以其兩者或以上之組合使用。用於形成不可熱膨脹之感壓黏著層的感壓黏著劑可包含已知或常用的添加劑諸如，比方說增塑劑、填料、表面活性劑、抗氧化劑及增黏劑。
不可熱膨脹之感壓黏著層的厚度並無特殊之限制，而可根據設計用途等等適當地選擇。其厚度可為，例如300微米或以下（例如1－300微米，以5－100微米較佳）。為形成不可熱膨脹之感壓黏著層，可使用與用於可熱膨脹感壓黏著屬相同的方法（例如，將塗布流體塗布至基材之方法及將塗布流體塗布至隔離物形成感壓黏著層並將此層轉移至基材之方法）。不可熱膨脹之感壓黏著層可具有單層或多層構造。
本發明中之可熱剝離感壓黏著片可為雙面黏著片之形態，其中各側提供作為黏著側。然而，其應為僅有一側提供作為黏著側之黏著片的形態較佳。因此，可熱剝離感壓黏著片係具有形成於基材之一側上之可熱膨脹層（尤其係可熱膨脹感壓黏著層）之類型的可熱剝離感壓黏著片較佳。
可熱剝離感壓黏著片可以捲筒形式或以片材堆疊之形式製造。換言之，可熱剝離感壓黏著片可為片材、帶材等等的形式。捲筒狀態或形式之可熱剝離感壓黏著片可為將感壓黏著片捲繞成捲筒，且以隔離物保護感壓黏著側的狀態或形式，或可為將感壓黏著片捲繞成捲筒，且感壓黏著側經形成於基材之另一側上之脫離劑層（背塗層）保護的狀態或形式。
（熱脫離方法）在本發明之熱脫離被黏著物之方法中，於將可熱剝離感壓黏著片於溫度50℃或以上（在此溫度下可熱膨脹層不會膨脹）之大氣中部分加熱後，黏著至可熱剝離感壓黏著片（即具有含發泡劑之可熱膨脹層之可熱剝離感壓黏著片）之部分的被黏著物選擇性地自可熱剝離感壓黏著片脫離。換言之，本發明之熱脫離被黏著物之方法應包括使可熱剝離感壓黏著片於溫度50℃或以上（在此溫度下可熱膨脹層不會膨脹）之大氣中部分加熱，因而使黏著至可熱剝離感壓黏著片之部分的被黏著物選擇性地脫離的至少一步驟（部分加熱/脫離步驟）。
經由如此將可熱剝離感壓黏著片於溫度50℃或以上（在此溫度下可熱膨脹層不會膨脹）之大氣中部分加熱，可降低可熱膨脹層中之發泡劑膨脹或吹脹所需的時間，且可更快速地進行脫離操作。雖然可熱剝離感壓黏著片於其中部分加熱，以使黏著至可熱剝離感壓黏著片之部分的被黏著物選擇性地脫離之大氣（即部分加熱/脫離步驟之大氣）具50℃或以上之溫度，在此溫度下可熱膨脹層不會膨脹，而於此部分加熱/脫離步驟之前或之後進行之步驟之大氣的溫度並無特殊之限制。
可熱剝離感壓黏著片於其中部分加熱之大氣的溫度（通常簡稱為「環境溫度」）並無特殊之限制，只要其係在自50℃至低於可熱剝離感壓黏著片之剝離起始溫度之範圍內的溫度即可。換言之，「可熱膨脹層不會膨脹之溫度」可為低於「可熱剝離感壓黏著片之剝離起始溫度」的溫度。明確言之，當以「T0 」表示「可熱剝離感壓黏著片之剝離起始溫度」時，供可熱剝離感壓黏著片之部分加熱用之環境溫度可選自，例如，不低於50℃且不低於(T0 -60℃)及低於T0 之溫度，雖然其係視T0 之值而定。然而，當環境溫度係高於(T0 -10℃)及低於T0 之溫度時，會有可熱剝離感壓黏著片之熱膨脹層稍微膨脹或發泡的情況發生。因此，環境溫度係不低於50℃及不高於(T0 -10℃)之溫度較佳，不低於50℃及不高於(T0 -20℃)之溫度更佳。尤其，環境溫度係不低於50℃且為(T0 -55℃)或更高及(T0 -45℃)或更低之溫度[例如，不低於50℃且為約(T0 -50℃)之溫度]較佳。環境溫度係不低於50℃且為(T0 -45℃)或更高及(T0 -35℃)或更低之溫度[例如，不低於50℃且為約(T0 -40℃)之溫度]更佳。環境溫度係不低於50℃且為(T0 -45℃)或更高及(T0 -20℃)或更低之溫度最佳。
在本發明，在可熱膨脹層係可熱膨脹感壓黏著層之情況中，可將使包含發泡劑(例如，可熱膨脹微珠)之可熱膨脹感壓黏著層之黏著力降至，例如加熱前之起始黏著力之10%或以下之最小熱處理溫度視為可熱剝離感壓黏著片之剝離起始溫度。因此，剝離起始溫度可經由測量可使包含發泡劑(例如，可熱膨脹微珠)之可熱膨脹感壓黏著層之黏著力降至加熱前之起始黏著力之10%或以下之最小熱處理溫度而測定。明確言之，剝離起始溫度可以下述方式測定。利用手動輥子將寬度20毫米及厚度23微米之聚(對苯二甲酸乙二酯)薄膜[商品名「Lumirror S10 #25」(Toray Industries,Inc.製造)；通常稱為「PET薄膜」]層合至可熱剝離感壓黏著片之包含發泡劑(例如，可熱膨脹微珠)之可熱膨脹感壓黏著層的表面，同時避免夾入空氣泡，而產生試件。於PET薄膜層合後的30分鐘，將PET薄膜以180°之剝離角度拉開，以測量此試件之黏著力（測量溫度，23℃；拉引速率，300毫米/分鐘；剝離角度，180°）。將此黏著力視為「起始黏著力」。此外，將利用以上所示方法製得之試件在各具有設定溫度（熱處理溫度）之各別的循環熱空氣乾燥烘箱中放置1分鐘，接著自循環熱空氣乾燥烘箱中取出，然後使其在23℃下靜置2小時。其後將各試件之PET薄膜以180°之剝離角度拉開，以測量黏著力（測量溫度，23℃；拉引速率，300毫米/分鐘；剝離角度180°）。將此黏著力視為「熱處理後之黏著力」。測定熱處理後之黏著力成為起始黏著力之10%或以下的最小熱處理溫度。可將此最小熱處理溫度視為發泡劑（例如，可熱膨脹微珠）之熱膨脹起始溫度（可熱膨脹層之熱膨脹起始溫度）。
即使係在可熱膨脹層不為可熱膨脹感壓黏著層之情況中，亦可以與前述可熱膨脹層為可熱膨脹感壓黏著層之情況相同之方式測定此可熱剝離感壓黏著片之剝離起始溫度。
可熱剝離感壓黏著片之部分熱處理應以將具有希望脫離之被黏著物之該等區域（其係黏著至可熱剝離感壓黏著片之被黏著物的部分）選擇性地加熱的方式進行。由於可熱剝離感壓黏著片之此種部分熱處理的結果，經如此熱處理之區域經選擇性地加熱，且此等區域中之可熱膨脹層中之發泡劑（例如，可熱膨脹微珠）膨脹（經膨脹區域）。因此，此等區域中之黏著力減小或喪失，藉此可使黏著至此等經選擇性熱處理之區域的被黏著物自片材脫離。另一方面，除經熱處理之區域外的區域在熱處理中並未受到熱，而不會經歷可歸因於發泡劑之膨脹之黏著力的減小（未膨脹區域）。因此，黏著至可熱剝離感壓黏著片中之此等區域的被黏著物保持黏著至可熱剝離感壓黏著片的狀態。
因此，根據本發明之熱脫離方法，黏著至可熱剝離感壓黏著片之被黏著物僅有期望的被黏著物可藉由簡單的操作而選擇性且快速地（於短時間內）自片材脫離。
用於部分加熱可熱剝離感壓黏著片之加熱器並無特殊之限制，只要其可部分加熱可熱剝離感壓黏著片即可。然而，使用可根據各待脫離被黏著物之形狀部分加熱可熱剝離感壓黏著片之加熱器為較佳。換言之，在本發明，使用可根據各待脫離被黏著物之形狀部分加熱可熱剝離感壓黏著片之加熱器於選擇性且有效率地加熱待脫離被黏著物所黏著之可熱剝離感壓黏著片中之該等區域，因而選擇性地使被黏著物自片材脫離較佳。
在可熱剝離感壓黏著片之部分加熱中之熱處理溫度應係不低於可熱膨脹感壓黏著層之剝離起始溫度的溫度。在熱處理溫度較可熱膨脹感壓黏著層之剝離起始溫度高約至少25℃之溫度的情況中，在剝離起始溫度下變為可膨脹之發泡劑（例如可熱膨脹微珠）不期望地易破裂。因此，為有效地產生熱膨脹同時防止發泡劑破裂，熱處理溫度一般應係較可熱膨脹感壓黏著層之剝離起始溫度高不超過25℃之溫度，雖然其係視發泡劑之種類等等而定。熱處理溫度可較可熱膨脹感壓黏著層之剝離起始溫度高超過25℃。然而，在此情況，應控制熱處理時間，以防止發泡劑破裂。因此，當以T0 表示可熱膨脹感壓黏著層之剝離起始溫度時，在使黏著至可熱膨脹感壓黏著層之被黏著物部分脫離中的熱處理溫度大致可於自T0 至低於(T0 ＋25℃)之範圍內選定。由更快速脫離的觀點來看，熱處理溫度可選自不低於(T0 ＋25℃)及不高於(T0 ＋100℃)之溫度，以不低於(T0 ＋30℃)及不高於(T0 ＋80℃)之溫度較佳，不低於(T0 ＋35℃)及不高於(T0 ＋70℃)之溫度更佳。
熱處理時間可根據可熱剝離感壓黏著片之種類、發泡劑之種類、被黏著物之性質、熱處理溫度、加熱方法等等適當地選擇。
當將可熱剝離感壓黏著片部分加熱時，其可由選自被黏著物之黏著側（稱為「被黏著物側」）及其相對側（未黏著被黏著物之側；通常稱為「無被黏著物側」）之間的至少一側加熱。因此，可熱剝離感壓黏著片可自被黏著物側及無被黏著物側（未黏著被黏著物之側）之任一側加熱，或可自被黏著物側及無被黏著物側之各側加熱。在由被黏著物側及無被黏著物側之各側加熱可熱剝離感壓黏著片之情況中，片材可同時由被黏著物側及無被黏著物側之兩側加熱。或者，片材可先自被黏著物側及無被黏著物側之任一側加熱，然後再自另一側加熱。
在本發明，黏著至可熱剝離感壓黏著片之被黏著物可為個別黏合至可熱剝離感壓黏著片之被黏著物。然而，被黏著物係經由將黏著至可熱剝離感壓黏著片之被黏著物分割成個別物件而形成較佳。因此，本發明之熱脫離被黏著物之方法包括將黏著至可熱剝離感壓黏著片之被黏著物分割成個別物件之步驟（分割步驟）及將可熱剝離感壓黏著片於溫度50℃或以上（在此溫度下可熱膨脹層不會膨脹）之大氣中部分加熱，因而使部分的分割物件選擇性地脫離之步驟（部分加熱/脫離步驟）較佳。
為在分割步驟中將黏著至可熱剝離感壓黏著片之被黏著物分割成個別物件，可使用任何分割方法，而無特殊之限制。可根據被黏著物之種類等等選擇適當的方法。舉例來說，在被黏著物係如同稍後即將顯示之情況之矽晶圓的情況中，使用切割(dicing)作為分割法較佳。
在本發明，由於在部分加熱/脫離步驟中將黏著至可熱剝離感壓黏著片之部分的被黏著物（例如，經由分割形成之分割物件）選擇性地加熱，因而將未經歷分割之被黏著物分割成個別物件之分割操作可與此熱處理同時地進行。換言之，部分加熱/脫離步驟可與分割步驟同時進行。換言之，分割步驟及部分加熱/脫離步驟可以結合的步驟進行。當然於將被黏著物（例如，分割物件）部分熱處理之後，將經熱處理之被黏著物（例如，分割物件）自可熱剝離感壓黏著片分離及回收之步驟（分離/回收步驟）亦可以與部分加熱/脫離步驟結合的步驟進行。因此，分割步驟及分離/回收步驟可與部分加熱/脫離步驟同時進行。明確言之，分割步驟及部分加熱/脫離步驟可以結合的步驟進行，或部分加熱/脫離步驟及分離/回收步驟可以結合的步驟進行。此外，分割步驟、部分加熱/脫離步驟、及分離/回收步驟可以結合的步驟進行。經由如此與部分加熱/脫離步驟同時地進行分割步驟及分離/回收步驟，此等步驟可極度有效率地進行，且可大大地改良生產力。
當操作一被黏著物時，於進行該等步驟中存在一次序。在此情況，應依分割步驟、部分加熱/脫離步驟、及分離/回收步驟之次序進行此等步驟。
在部分加熱/脫離步驟係如前所述與其他步驟（例如，分割步驟及分離/回收步驟）同時進行之情況中，後者的步驟亦係於與部分加熱/脫離步驟相同的大氣中進行（即在溫度50℃或以上（在此溫度下可熱膨脹層不會膨脹）之大氣中）。
當然，熱脫離被黏著物之方法可以下述方式進行。使一被黏著物於分割步驟中進行分割操作，接著於部分加熱/脫離步驟中進行熱處理，然後再於分離/回收步驟中進行分離/回收操作。其後使另一被黏著物於分割步驟中進行分割操作，接著於部分加熱/脫離步驟中進行熱處理，然後再於分離/回收步驟中進行分離/回收操作。重複此程序，因而於可熱剝離感壓黏著片上進行分割操作、熱處理、及分離/回收操作。
（熱脫離被黏著物之裝置）本發明之熱脫離被黏著物之裝置係用於自前述之可熱剝離感壓黏著片（即具有含發泡劑之可熱膨脹層之可熱剝離感壓黏著片）分離被黏著物之裝置。此裝置具有用於在溫度50℃或以上（在此溫度下可熱膨脹層不會膨脹）之大氣中部分加熱可熱剝雜感壓黏著片，因而使部分的被黏著物選擇性地脫離的加熱部分。關於此熱脫離被黏著物之裝置，可使用，例如，諸如圖2所示之供熱脫離被黏著物用之裝置。圖2係顯示本發明之熱脫離被黏著物之裝置之一具體例之部分的示意圖。在圖2中，數字6係指示熱脫離被黏著物之裝置中之加熱/脫離部分，7係加熱部分，7a係加熱部分7之表面部分，8係吸嘴，9係固定環，10係晶粒黏合機，11係熱源，12係可熱剝離感壓黏著片，13係可熱膨脹感壓黏著層，13a係可熱膨脹感壓黏著層13中之未膨脹區域，13b係可熱膨脹感壓黏著層13中之經膨脹區域，14係基材，15係被黏著物，及15a係經脫離之被黏著物。
圖2顯示熱脫離被黏著物之裝置的加熱/脫離部分6。經黏著被黏著物15之可熱剝離感壓黏著片12係處於經固定環9固定的狀態。此可熱剝離感壓黏著片12具有包括基材14及形成於其上之可熱膨脹感壓黏著層13的構造。使加熱部分7之表面部分7a與可熱剝離感壓黏著片12（可熱膨脹感壓黏著層13之前側或基材14之背側）接觸，藉此將可熱剝離感壓黏著片12部分加熱，且使存在於可熱膨脹層（圖2中之可熱膨脹感壓黏著層）中之此經選擇性加熱之區域中之發泡劑膨脹或吹脹。因此，可熱膨脹層部分地膨脹，且感壓黏著側中之對應於經膨脹部分的區域變形成具有表面不規則，而導致在感壓黏著側與相對之被黏著物15之間之黏著面積的減小。結果，在經變形成具有表面不規則之感壓黏著側與被黏著物15之間的黏著力降低。其後利用吸嘴8吸取此被黏著物15，而使其自可熱剝離感壓黏著片12脫離。因此，在黏著至感壓黏著側的被黏著物15中，作為此等被黏著物之部分的被黏著物15a自可熱剝離感壓黏著片12脫離。
此熱脫離被黏著物之裝置中之加熱/脫離部分6係用於部分加熱可熱剝離感壓黏著片及分離被黏著物之部分（即用於進行部分加熱/脫離步驟之部分）。將此部分6中之大氣調整成具有50℃或以上之溫度，在此溫度下可熱剝離感壓黏著片12之可熱膨脹層不會膨脹。換言之，在供熱脫離被黏著物用之裝置中，在準備脫離時，將可熱剝離感壓黏著片中之期望的區域於溫度50℃或以上（在此溫度下可熱剝離感壓黏著片之可熱膨脹層不會膨脹）之大氣中選擇性地加熱。
在圖2，固定環9係用作用於固定可熱剝離感壓黏著片12之固定部分。加熱部分7具有可使加熱部分7根據待脫離之各被黏著物之形狀加熱可熱剝離感壓黏著片的形狀。加熱部分7及吸嘴8可如箭頭所示於水平及垂直方向中移動。
在圖2中，使用具有包括基材14及形成於其上之可熱膨脹感壓黏著層13之構造的可熱剝離感壓黏著片12。然而，可使用任何具有包括含發泡劑之可熱膨脹層之構造的可熱剝離感壓黏著片。舉例來說，可使用圖1所示之可熱剝離感壓黏著片1。
如前所述，本發明之熱脫離被黏著物之裝置係用於自具有含發泡劑之可熱膨脹層之可熱剝離感壓黏著片分離被黏著物之裝置，且其具有至少一用於在溫度50℃或以上（在此溫度下可熱膨脹層不會膨脹）之大氣中部分加熱可熱剝離感壓黏著片，因而使部分的被黏著物選擇性地脫離的加熱部分。加熱部分應使用可有效率地加熱可熱剝離感壓黏著片之加熱技術。明確言之，可使用於加熱部分之加熱技術的例子包括已知之加熱技術諸如利用電加熱器加熱、介電加熱、磁性加熱、及利用電磁波諸如紅外射線（例如，近紅外射線、中紅外射線、或遠紅外射線）加熱。利用加熱部分加熱可熱剝離感壓黏著片可直接或間接地進行。
加熱部分之表面部分的材料可根據加熱技術而適當地選擇。舉例來說，在使用利用電加熱器加熱作為加熱技術的情況中，加熱部分之表面部分係由具高導熱性之材料所構成較佳。舉例來說，表面部分可由金屬材料及熱絕緣體（例如，石棉）之組合所構成。此外，為增進在加熱部分與被黏著物之間的接觸緊密度，可使用具有彈性材料（諸如，比方說橡膠）的組合。舉例來說，當加熱部分之表面部分係由彈性材料（導熱性彈性材料）諸如橡膠、金屬材料及熱絕緣體之組合所構成時，可熱剝離感壓黏著片之可熱膨脹層可更快速地膨脹，且被黏著物可更快速地分離。
加熱部分之形狀及尺寸可根據待脫離之各被黏著物之形狀及尺寸而適當地設計。當使用對應於待脫離之被黏著物之形狀的加熱部分於加熱經黏著被黏著物之可熱剝離感壓黏著片的該區域時，則於加熱之前處於未膨脹狀態（未膨脹區域）之可熱剝離感壓黏著片中的經加熱區域膨脹（經膨脹區域）。結果，僅有部分的被黏著物失去黏著力。因此，可利用，例如，吸嘴，使待脫離之被黏著物選擇性地脫離及將其拾取。
利用加熱部分的加熱期間可根據如前所述之可熱剝離感壓黏著片之種類、發泡劑之種類、被黏著物之性質、加熱技術等等適當地決定，而無法無條件地指定。應小心不要加熱過長的期間，由於長期加熱會導致不僅期望的被黏著物經脫離，並且不希望脫離的被黏著物亦會由於經加熱之可熱剝離感壓黏著片及被黏著物的導熱性等等而經歷脫離的情況發生。
加熱部分可設置於選自被黏著物側及其相對側（無被黏著物側）之可熱剝離感壓黏著片的至少一側上。因此，可熱剝離感壓黏著片可自被黏著物側及無被黏著物側之任一側加熱，或可自被黏著物側及無被黏著物側之各側加熱。在由被黏著物側及無被黏著物側之各側加熱可熱剝離感壓黏著片之情況中，可熱剝離感壓黏著片中之期望的區域可自被黏著物側及無被黏著物側之兩側同時加熱，或可自兩側個別加熱。
此加熱部分可於水平方向及/或垂直方向中移動較佳。當加熱部分可於三維方向中移動時，可有效率地選擇性加熱可熱剝離感壓黏著片中之期望的區域。
前述之熱脫離被黏著物之裝置具有用於固定可熱剝離感壓黏著片之固定部分。此固定部分係非必需。固定部分應使用可防止被黏著物在加工、脫離操作等等之期間中於可熱剝離感壓黏著片上發生，例如位移，且可充分固定被黏著物的固定機構。
明確言之，固定部分之固定機構可根據被黏著物之種類等等而適當地選擇。舉例來說，可使用已知之固定機構諸如，比方說利用環框架（固定環）固定、利用托架固定、或經由吸力固定。如同加熱部分，固定部分亦可於水平方向及/或垂直方向中移動。
在熱脫離被黏著物之裝置中，於將可熱剝離感壓黏著片部分熱處理以降低黏著力，以致可使黏著至可熱剝離感壓黏著片之期望的被黏著物脫離後，將被黏著物自可熱剝離感壓黏著片分離並回收。對於此分離/回收，裝置進一步具有吸嘴作為被黏著物分離/回收部分。被黏著物分離/回收部分，例如吸嘴，係非必需。被黏著物分離/回收部分並無特殊之限制，只要其可自可熱剝離感壓黏著片分離及回收被黏著物即可。然而，藉由吸力分離及回收被黏著物的吸取部分為較佳，及使用吸嘴為特佳。吸嘴並無特殊之限制，其可適當地選自已知之吸嘴。當然吸嘴可藉由吸力將被黏著物固定於吸嘴頭上，因而自可熱剝離感壓黏著片分離及回收被黏著物。如同加熱部分，被黏著物分離/回收部分亦可於水平方向及/或垂直方向（尤其係於三維方向）中移動較佳。
此外，在熱脫離被黏著物之裝置中，調節在進行部分加熱/脫離步驟之加熱/脫離部分中之大氣，使其具有50℃或以上之溫度，在此溫度下可熱剝離感壓黏著片之可熱膨脹層不會膨脹。經由如此將部分加熱可熱剝離感壓黏著片及使被黏著物自其脫離之加熱/脫離部分中之大氣調節為具有50℃或以上之溫度（在此溫度下可熱剝離感壓黏著片之可熱膨脹層不會膨脹），可使可熱剝離感壓黏著片保持於經在可熱膨脹層不會熱膨脹之溫度下加熱的狀態。因此，當將可熱剝離感壓黏著片部分加熱時，其可快速地加熱至可熱膨脹層開始熱膨脹之溫度，藉此可有效地降低可熱膨脹層中之發泡劑膨脹或吹脹所需的時間。因此，當將可熱剝離感壓黏著片部分加熱使其脫離時，可提高脫離速率。
在本發明，熱脫離被黏著物之裝置的環境溫度並無特殊之限制，只要裝置中之加熱/脫離部分中之大氣的溫度為50℃或以上（在此溫度下可熱剝離感壓黏著片之可熱膨脹層不會膨脹）即可。因此，舉例來說，可僅將加熱/脫離部分或將包括加熱/脫離部分之熱脫離被黏著物之裝置的該部分設置於其中之大氣溫度為50℃或以上（在此溫度下可熱剝離感壓黏著片之可熱膨脹層不會膨脹）的箱、室或其類似物中。或者，可將整個熱脫離被黏著物之裝置設置於其中之大氣溫度為50℃或以上（在此溫度下可熱剝離感壓黏著片之可熱膨脹層不會膨脹）的箱、室或其類似物中。
當將熱脫離被黏著物之裝置的至少加熱/脫離部分設置於其中之大氣溫度為50℃或以上（在此溫度下可熱剝離感壓黏著片之可熱膨脹層不會膨脹）之裝置（例如，晶粒黏合機）中，且將加熱/脫離部分保持於關閉狀態或保持於儘可能接近關閉狀態的狀態中時，則可使加熱/脫離部分中之大氣溫度再更高度地穩定化。因此，可將可熱剝離感壓黏著片調節為具50℃或以上之恒溫，在此溫度下可熱剝離感壓黏著片之可熱膨脹層不會膨脹。結果，當將可熱剝離感壓黏著片部分加熱使其脫離時，可進一步提高脫離速率。
為將箱、室或其類似物中之大氣調節為具50℃或以上之溫度（在此溫度下可熱剝離感壓黏著片之可熱膨脹層不會膨脹），使用一熱源。此熱源並無特殊之限制。舉例來說，可使用電加熱器、介電加熱中之熱源、磁性加熱中之熱源、電磁加熱（例如，紅外加熱諸如近紅外加熱、中紅外加熱、或遠紅外加熱）中之熱源、空氣調節器、具有風扇的燃氣空間加熱器、煤油空間加熱器或油空間加熱器。
本發明之熱脫離被黏著物之裝置可具有將黏著至可熱剝離感壓黏著片之被黏著物分割成個別物件的分割部分。換言之，熱脫離被黏著物之裝置可具有：將黏著至具有含發泡劑之可熱膨脹層之可熱剝離感壓黏著片的被黏著物分割成個別物件之分割部分；及在溫度50℃或以上（在此溫度下可熱膨脹層不會膨脹）之大氣中部分加熱可熱剝離感壓黏著片，因而使部分的經分割物件選擇性地脫離的加熱部分。此一分割部分係非必需。分割部分並無特殊之限制，只要其可將黏著至可熱剝離感壓黏著片之被黏著物分割成個別物件即可。適當的分割部分可根據被黏著物之種類、經分割物件之尺寸等等而選擇。在被黏著物係如同稍後所示情況的矽晶圓時，該分割部分係為進行切割(dicing)的切割部分較佳。
在本發明之此熱脫離被黏著物之裝置中，分割操作及於可熱剝離感壓黏著片上之熱處理及視需要之分離/回收操作可以下述方式進行。利用分割部分使黏著至可熱剝離感壓黏著片之被黏著物進行分割操作，然後對由分割而得之經分割物件的期望部分進行利用加熱部分的熱處理。根據需求進一步進行利用被黏著物分離/回收部分的分離/回收操作。其後對其他的被黏著物重複進行相同的操作。
特定言之，由於在本發明使用加熱部分於部分加熱可熱剝離感壓黏著片以使經分割物件自可熱剝離感壓黏著片分離，因而當部分進行利用分割部分之分割時，部分分割操作可與部分熱處理同時進行。明確言之，其程序如下。首先，利用分割部分將黏著至可熱剝離感壓黏著片之期望的被黏著物分割成個別物件，其後再利用分割部分將下一個期望的被黏著物分割成個別物件。可與此分割操作同時地進行利用加熱部分的部分加熱，以使經由初次分割而得之部分的經分割物件選擇性地脫離。因此，利用分割部分之分割操作及利用加熱部分於分離經分割物件之熱處理可高度有效率地進行，且可大大地改良生產力。雖然在加熱/分離操作之後當然係跟著利用被黏著物分離/回收部分分離及回收經分割物件，但此利用被黏著物分離/回收部分（經分割物件分離/回收部分）之經分割物件的分離/回收亦可與熱處理部分同時地進行。因此，分割操作、加熱/脫離操作及分離/回收操作，例如係可同時進行。
在以前述方式同時進行分割操作、熱處理及分離/回收操作的情況中，用於進行分割之分割部分、用於進行加熱之加熱部分，及用於進行分離/回收之經分割物件分離/回收部分（相當於圖2中之被黏著物分離/回收部分）應可於水平方向及/或垂直方向（尤其係於三維方向）中移動。
如前所述，利用本發明之熱脫離被黏著物之裝置，可於單一裝置中進行分割操作、熱處理及非必需之分離/回收操作。在此熱脫離被黏著物之裝置中，可將分割部分、加熱部分及作為非必需組件之被黏著物分離/回收部分（經分割物件分離/回收部分）設置於個別地點或可移動地設置，或可將其設置於相同地點。在將分割部分、加熱部分、及被黏著物分離/回收部分（經分割物件分離/回收部分）設置於個別地點或可移動地設置的情況中，可同時進行分割操作、熱處理及分離/回收操作。另一方面，在將此等部分設置於相同地點的情況中，可依序重複進行分割操作、熱處理及分離/回收操作。
（被黏著物）被黏著物並無特殊之限制，只要其係要黏合至可熱剝離感壓黏著片，以進行，例如，各種加工即可。被黏著物之例子包括電子零件前驅體，諸如半導體晶圓（例如，矽晶圓）及半導體晶片，及使用電子零件前驅體之電子零件或電路板（例如，使用矽晶圓作為基板之電子零件）。
（實施例）本發明將參照實施例更詳細說明於下，但不應將本發明解釋為受限於此等實施例。
（實施例1）將尺寸150毫米×150毫米（厚度，100微米）之鎳箔（通常稱為「Ni箔」）黏合至由聚酯基材（100微米厚）及在90℃下開始減小黏著力之可熱膨脹感壓黏著層所構成之可熱剝離感壓黏著帶（利用固定環固定）；箔係黏合至可熱膨脹感壓黏著層側。將此Ni箔分割成5平方毫米。如此製得具有與其黏著之經分割Ni箔物件的可熱剝離感壓黏著帶。
製備包括電加熱器，且於其之頭上設置5平方毫米及2毫米厚之不銹鋼(SUS304)板及導熱性橡膠片材（5平方毫米及1毫米厚）的加熱部分。
使具有與其黏著之經分割Ni箔物件之可熱剝離感壓黏著帶（利用固定環固定）於利用近紅外輻照於50℃下加熱之大氣中靜置3分鐘。於此大氣中，利用電加熱器將加熱部分加熱，以致將橡膠片材部分（最外部頭部分）之溫度提高至150℃，且利用其之頭經於150℃下加熱之加熱部分將具有經由分割操作形成之經分割Ni箔物件中之希望脫離之經分割Ni箔物件之感壓黏著帶中的區域自其之背側施壓，因而使可熱膨脹感壓黏著層中之該區域熱膨脹。於可熱膨脹感壓黏著層之黏著力變為幾近零後，使用吸嘴藉由吸力於使經分割Ni箔物件自可熱剝離感壓黏著帶脫離並將其回收。如表1所示，透過利用加熱部分加熱使經分割Ni箔物件分離，而不使黏著至可熱膨脹感壓黏著層之經分割Ni箔物件破裂所需的時間（脫離所需之時間）為1.5秒。
（實施例2）將直徑6英吋（150微米厚）之矽晶圓黏合至由聚酯基材（100微米厚）、黏著力於120℃下開始減小且形成於聚酯基材之一側上之可熱膨脹感壓黏著層、及形成於聚酯基材之另一側上用於固定至托架之感壓黏著層所構成的可熱剝離感壓黏著帶，同時避免夾入空氣泡；晶圓係黏合至可熱膨脹感壓黏著層側。將此感壓黏著帶之具有用於固定至托架之感壓黏著層的該側（與矽晶圓側相對之黏著側）黏貼至由不銹鋼所製成的平托架。將矽晶圓切割成3平方毫米。如此製得具有與其黏著之經分割矽晶圓物件的可熱剝離感壓黏著帶。
製備包括電加熱器，且於其之頭上設置3平方毫米及2毫米厚之不銹鋼(SUS304)板及導熱性橡膠片材（3平方毫米及1毫米厚）的加熱部分。
使具有與其黏著之經分割矽晶圓物件之可熱剝離感壓黏著帶於利用近紅外輻照於90℃下加熱之大氣中靜置3分鐘。於此大氣中，利用電加熱器將加熱部分加熱，以致將橡膠片材部分（最外部頭部分）之溫度提高至160℃，且利用其之頭經於160℃下加熱之加熱部分將具有經由分割操作形成之經分割矽晶圓物件中之希望脫離之經分割矽晶圓物件之感壓黏著帶中的區域自其之矽晶圓側施壓，因而使可熱膨脹感壓黏著層中之該區域熱膨脹。於可熱膨脹感壓黏著層之黏著力變為幾近零後，使用吸嘴藉由吸力於使經分割矽晶圓物件自可熱剝離感壓黏著帶脫離並將其回收。如表1所示，透過利用加熱部分加熱使經分割矽晶圓物件分離，而不使黏著至可熱膨脹感壓黏著層之經分割矽晶圓物件破裂所需的時間（脫離所需之時間）為1.8秒。
（比較例1）以與實施例1相同之方式將經分割Ni箔物件自可熱剝離感壓黏著帶分離及回收，除了使具有與其黏著之經分割Ni箔物件之可熱剝離感壓黏著帶（利用固定環固定）於23℃大氣中靜置3分鐘，且於此大氣中，利用其之頭經於150℃下加熱之加熱部分將具有經由分割操作形成之經分割Ni箔物件中之希望脫離之經分割Ni箔物件之感壓黏著帶中的區域自其之背側施壓，因而使可熱膨脹感壓黏著層中之該區域熱膨脹。如表1所示，透過利用加熱部分加熱使經分割Ni箔物件分離，而不使黏著至可熱膨脹感壓黏著層之經分割Ni箔物件破裂所需的時間（脫離所需之時間）為2.6秒。
（比較例2）以與實施例2相同之方式將經分割矽晶圓物件自可熱剝雜感壓黏著帶分離及回收，除了使具有與其黏著之經分割矽晶圓物件之可熱剝離感壓黏著帶於23℃大氣中靜置3分鐘，且於此大氣中，利用其之頭經於160℃下加熱之加熱部分將具有經由分割操作形成之經分割矽晶圓物件中之希望脫離之經分割矽晶圓物件之感壓黏著帶中的區域自其之矽晶圓側施壓，因而使可熱膨脹感壓黏著層中之該區域熱膨脹。如表1所示，透過利用加熱部分加熱使經分割矽晶圓物件分離，而不使黏著至可熱膨脹感壓黏著層之經分割矽晶圓物件破裂所需的時間（脫離所需之時間）為2.8秒。
表1顯示以下結果。當使被黏著物諸如經分割Ni箔物件及經分割矽晶圓物件自可熱剝離感壓黏著帶熱脫離時，經由將用於熱脫離之大氣調節為具有50℃或以上之溫度（在此溫度下可熱膨脹層不會膨脹），可有效地降低使可熱膨脹層（例如，可熱膨脹感壓黏著層）或發泡劑（例如，可熱膨脹微珠）膨脹，因而消除可熱膨脹層之黏著力所需的時間。此外，經由部分加熱感壓黏著帶，可使黏著至可熱膨脹感壓黏著帶之部分的被黏著物選擇性且更快速地自可熱膨脹感壓黏著帶脫離。
雖然本發明已經詳細說明並參照其之特定具體例，但熟悉技藝人士當明白可不脫離其之精神及範圍而於其中進行各種變化及修改。
本申請案係以2004年4月21日提出申請之日本專利申請案2004－125331為基礎，將其之全體揭示內容倂入本文為參考資料。
1．．．可熱剝離感壓黏著片
2．．．支承基材
3．．．橡膠有機彈性層
4．．．可熱膨脹感壓黏著層
5．．．隔離物（脫離襯墊）
6．．．熱脫離被黏著物之裝置中之加熱/脫離部分
7．．．加熱部分
7a．．．加熱部分7之表面部分
8．．．吸嘴
9．．．固定環
10．．．晶粒黏合機
11．．．熱源
12．．．可熱剝離感壓黏著片
13．．．可熱膨脹感壓黏著層
13a．．．可熱膨脹感壓黏著層13中之未膨脹區域
13b．．．可熱膨脹感壓黏著層13中之膨脹區域
14．．．基材
15．．．被黏著物
15a．．．經脫離的被黏著物
圖1係顯示可使用於本發明之熱脫離被黏著物之方法中之可熱剝離感壓黏著片之一例子的概略剖面圖。
圖2係顯示本發明之熱脫離被黏著物之裝置之一具體例之部分的示意圖。
6．．．熱脫離被黏著物之裝置中之加熱/脫離部分
7．．．加熱部分
7a．．．加熱部分7之表面部分
8．．．吸嘴
9．．．固定環
10．．．晶粒黏合機
11．．．熱源
12．．．可熱剝離感壓黏著片
13．．．可熱膨脹感壓黏著層
13a．．．可熱膨脹感壓黏著層13中之未膨脹區域
13b．．．可熱膨脹感壓黏著層13中之膨脹區域
14．．．基材
15．．．被黏著物
15a．．．經脫離的被黏著物

Claims (9)

  1. 一種熱脫離被黏著物之方法，其係使黏著至具有含可熱膨脹微珠作為發泡劑之可熱膨脹層之可熱剝離感壓黏著片之多個被黏著物中的部分被黏著物選擇性地脫離，其中，該方法係將可熱剝離感壓黏著片於溫度不低於50℃且為(T0 -45℃)或更高及(T0 -20℃)或更低(T0 表示可熱剝離感壓黏著片之剝離起始溫度)之大氣中的箱內或室內進行部分加熱，因而使被黏著物選擇性地脫離。
  2. 如申請專利範圍第1項之熱脫離被黏著物之方法，其中，使用可根據待脫離之被黏著物之形狀進行加熱，並可部分加熱該可熱剝離感壓黏著片的加熱器，以加熱可熱剝離感壓黏著片中之上述待脫離之被黏著物所黏著之區域，因而使上述被黏著物選擇性地脫離。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之熱脫離被黏著物之方法，其中，該可熱剝離感壓黏著片係自選自被黏著物之黏著側及其相對側的至少一側加熱。
  4. 一種熱脫離被黏著物之方法，其係使黏著至具有含可熱膨脹微珠作為發泡劑之可熱膨脹層之可熱剝離感壓黏著片之多個被黏著物中的部分被黏著物選擇性地脫離，其中，該方法包括：將黏著至可熱剝離感壓黏著片之被黏著物分割成多個經分割物件之步驟；及將該可熱剝離感壓黏著片於溫度50℃或以上、並且(T0 -45℃)以上且(T0 -20℃)以下(T0 表示可熱剝離感壓黏著片之剝離起始溫度)之大氣中的箱內或室內進行部分加 熱，因而使上述多個經分割物件中的部分經分割物件選擇性地脫離之步驟。
  5. 一種熱脫離被黏著物之裝置，其係用於使被黏著物自具有含可熱膨脹微珠作為發泡劑之可熱膨脹層之可熱剝離感壓黏著片脫離，其中，該裝置包含加熱部分，係用於將可熱剝離感壓黏著片於溫度50℃或以上、並且(T0 -45℃)以上且(T0 -20℃)以下(T0 表示可熱剝離感壓黏著片之剝離起始溫度)之大氣中的箱內或室內進行部分加熱，因而使多個被黏著物中的部分被黏著物選擇性地脫離。
  6. 如申請專利範圍第5項之熱脫離被黏著物之裝置，其中，該加熱部分具有可根據待脫離之被黏著物之形狀而進行加熱之形狀。
  7. 如申請專利範圍第5項之熱脫離被黏著物之裝置，其中，該加熱部分係設置於可熱剝離感壓黏著片之選自被黏著物之黏著側及其相對側之至少一側。
  8. 如申請專利範圍第5項之熱脫離被黏著物之裝置，其中，該加熱部分係可於水平方向及/或垂直方向中移動。
  9. 如申請專利範圍第5至8項中任一項之熱脫離被黏著物之裝置，其包括：分割部分，係將黏著至具有含可熱膨脹微珠作為發泡劑之可熱膨脹層之可熱剝離感壓黏著片之被黏著物分割成多個經分割物件；及加熱部分，係用於將可熱剝離感壓黏著片於溫度50℃或以上、並且(T0 -45℃)以上且(T0 -20℃)以下(T0 表示可熱剝離感壓黏著片之剝離 起始溫度)之大氣中的箱內或室內進行部分加熱，因而使上述多個經分割物件中的部分經分割物件選擇性地脫離。
TW094112691A 2004-04-21 2005-04-21 熱脫離被黏著物之方法及用於熱脫離被黏著物之裝置 TWI394701B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004125331A JP4716668B2 (ja) 2004-04-21 2004-04-21 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200540092A TW200540092A (en) 2005-12-16
TWI394701B true TWI394701B (zh) 2013-05-01

Family

ID=34935540

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094112691A TWI394701B (zh) 2004-04-21 2005-04-21 熱脫離被黏著物之方法及用於熱脫離被黏著物之裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20050236107A1 (zh)
EP (1) EP1592058A3 (zh)
JP (1) JP4716668B2 (zh)
KR (1) KR20060047269A (zh)
TW (1) TWI394701B (zh)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4107417B2 (ja) * 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP2005150235A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Three M Innovative Properties Co 半導体表面保護シート及び方法
US20070114366A1 (en) * 2005-11-21 2007-05-24 General Electric Company Optical article having a multi-component structure as an anti-theft feature and a system and method for inhibiting theft of same
WO2007099146A1 (de) * 2006-03-01 2007-09-07 Jakob + Richter Ip-Verwertungsgesellschaft Mbh Verfahren zum bearbeiten insbesondere dünnen der rückseite eines wafers, wafer-träger-anordnung hierfür und verfahren zur herstellung einer solchen wafer-träger-anordnung
JP4589265B2 (ja) * 2006-05-22 2010-12-01 パナソニック株式会社 半導体接合方法
JP4589266B2 (ja) * 2006-05-22 2010-12-01 パナソニック株式会社 半導体超音波接合方法
DE102006028809B4 (de) * 2006-06-21 2015-10-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Wafer-Träger-Anordnung, Schichtverbund zur Verwendung bei der Herstellung einer solchen Wafer-Träger-Anordnung sowie entsprechende Verfahren und Verwendungen
JP4849993B2 (ja) * 2006-08-14 2012-01-11 日東電工株式会社 粘着シート、その製造方法および積層セラミックシートの切断方法
US20080200011A1 (en) * 2006-10-06 2008-08-21 Pillalamarri Sunil K High-temperature, spin-on, bonding compositions for temporary wafer bonding using sliding approach
JP5235294B2 (ja) * 2006-11-10 2013-07-10 日東電工株式会社 加熱発泡型再剥離性アクリル系粘着テープ又はシート
KR100831081B1 (ko) * 2007-02-22 2008-05-20 (주)해은켐텍 상호반응성 공중합체를 이용한 발포시트용 점착수지 및 이를 이용한 발포시트
JP2008297412A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Nitto Denko Corp 熱剥離型粘着シート
US20090017248A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 3M Innovative Properties Company Layered body and method for manufacturing thin substrate using the layered body
JP5171425B2 (ja) * 2007-10-22 2013-03-27 日東電工株式会社 加熱発泡型再剥離性アクリル系粘着テープ又はシート、及び剥離方法
US8488428B2 (en) 2008-05-14 2013-07-16 Nbcuniversal Media, Llc Enhanced security of optical article
DE102009017306B4 (de) * 2009-04-11 2012-04-26 Karlsruher Institut für Technologie Vorrichtung zum selektiven Übertragen einer mikrostrukturierten Komponente
JP2011018805A (ja) * 2009-07-09 2011-01-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法
JP2011018804A (ja) * 2009-07-09 2011-01-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法
JP2011018806A (ja) * 2009-07-09 2011-01-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法
JP5412214B2 (ja) * 2009-08-31 2014-02-12 日東電工株式会社 保護テープ剥離方法およびその装置
US8987632B2 (en) * 2009-10-09 2015-03-24 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Modification of surface energy via direct laser ablative surface patterning
JP2011221006A (ja) * 2010-03-23 2011-11-04 Tokyo Electron Ltd ウェハ型温度検知センサおよびその製造方法
JP5472275B2 (ja) * 2011-12-14 2014-04-16 株式会社村田製作所 エキスパンド装置及び部品の製造方法
US9278374B2 (en) 2012-06-08 2016-03-08 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Modified surface having low adhesion properties to mitigate insect residue adhesion
WO2014038310A1 (ja) * 2012-09-07 2014-03-13 富士電機株式会社 半導体素子の製造方法
JP6201952B2 (ja) * 2014-10-20 2017-09-27 Dic株式会社 解体方法及びリサイクル部材
GB201611165D0 (en) * 2016-06-27 2016-08-10 Univ Limerick Adhesive composition
US11014203B2 (en) 2016-07-11 2021-05-25 Laird Technologies, Inc. System for applying interface materials
US10741519B2 (en) * 2016-07-11 2020-08-11 Laird Technologies, Inc. Systems of applying materials to components
USD881822S1 (en) 2017-10-06 2020-04-21 Laird Technologies, Inc. Material having an edge shape
USD999405S1 (en) 2017-10-06 2023-09-19 Laird Technologies, Inc. Material having edging
KR102515684B1 (ko) * 2017-11-16 2023-03-30 린텍 가부시키가이샤 반도체 장치의 제조 방법
JP7033496B2 (ja) * 2018-05-09 2022-03-10 リンテック株式会社 個片体形成装置および個片体形成方法
JP7033494B2 (ja) * 2018-05-09 2022-03-10 リンテック株式会社 個片体形成装置および個片体形成方法
JP7033495B2 (ja) * 2018-05-09 2022-03-10 リンテック株式会社 個片体形成装置および個片体形成方法
JP7033497B2 (ja) * 2018-05-09 2022-03-10 リンテック株式会社 個片体形成装置および個片体形成方法
KR102321518B1 (ko) * 2021-02-08 2021-11-04 (주)라이타이저 감광성 수지를 이용한 led칩 전사 장치
CN117795027A (zh) * 2021-08-13 2024-03-29 琳得科株式会社 粘合片的膨胀方法
CN114133498A (zh) * 2021-12-13 2022-03-04 中昊北方涂料工业研究设计院有限公司 一种热塑性丙烯酸树脂及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6176966B1 (en) * 1997-06-12 2001-01-23 Lintec Corporation Method of die bonding electronic component and die bonding apparatus thereof
US6500733B1 (en) * 2001-09-20 2002-12-31 Heliovolt Corporation Synthesis of layers, coatings or films using precursor layer exerted pressure containment

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4154634A (en) * 1977-09-22 1979-05-15 Plas/Steel Products, Inc. Method for fabricating improved fiber reinforced plastic rods having a smooth surface
JPH0260147A (ja) * 1988-08-26 1990-02-28 Nec Corp ペレットピックアップ機構
JP2917511B2 (ja) * 1990-11-26 1999-07-12 松下電器産業株式会社 チップ供給装置
US5827394A (en) * 1996-07-15 1998-10-27 Vanguard International Semiconductor Corporation Step and repeat exposure method for loosening integrated circuit dice from a radiation sensitive adhesive tape backing
DE10051938A1 (de) * 2000-10-19 2002-02-28 Infineon Technologies Ag Anordnung mit einem Substrat und einem Träger
JP2002322436A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Nitto Denko Corp 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置
US6814832B2 (en) * 2001-07-24 2004-11-09 Seiko Epson Corporation Method for transferring element, method for producing element, integrated circuit, circuit board, electro-optical device, IC card, and electronic appliance
JP3965055B2 (ja) * 2002-01-15 2007-08-22 積水化学工業株式会社 Ｉｃチップの製造方法
JP4037218B2 (ja) * 2002-08-26 2008-01-23 株式会社タカトリ ウエハのダイシングテープへの転写方法とその装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6176966B1 (en) * 1997-06-12 2001-01-23 Lintec Corporation Method of die bonding electronic component and die bonding apparatus thereof
US6500733B1 (en) * 2001-09-20 2002-12-31 Heliovolt Corporation Synthesis of layers, coatings or films using precursor layer exerted pressure containment

Also Published As

Publication number Publication date
US20050236107A1 (en) 2005-10-27
JP2005311031A (ja) 2005-11-04
EP1592058A2 (en) 2005-11-02
TW200540092A (en) 2005-12-16
KR20060047269A (ko) 2006-05-18
EP1592058A3 (en) 2006-04-12
JP4716668B2 (ja) 2011-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI394701B (zh) 熱脫離被黏著物之方法及用於熱脫離被黏著物之裝置
JP4704017B2 (ja) 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置
JP4588021B2 (ja) 加熱剥離型粘着シートおよび該加熱剥離型粘着シートを用いた被着体の加工方法
JP4588022B2 (ja) 加熱剥離型粘着シートおよび該加熱剥離型粘着シートを用いた被着体の加工方法
JP5349803B2 (ja) 熱剥離型両面粘着テープ又はシートおよび被着体の加工方法
KR100687981B1 (ko) 피착물의 가열박리 방법 및 피착물의 가열박리 장치
US20080038540A1 (en) Adhesive sheet, process for producing the same, and method of cutting multilayered ceramic sheet
JP2005179496A (ja) 加熱剥離型粘着シート
JP4671815B2 (ja) 加熱剥離型粘着シート用セパレータ及びセパレータ付き加熱剥離型粘着シート
JP2005200505A (ja) 加熱剥離型粘着シートおよび被着体の加工方法
JP4947921B2 (ja) 加熱剥離型粘着シートおよび該加熱剥離型粘着シートを用いた被着体の加工方法
JP2007238789A (ja) 加熱剥離型粘着シート及びチップ部品の製造方法
JP5132064B2 (ja) 加熱剥離性粘着シート
JP2005023286A (ja) 通気性熱剥離型粘着シート
JP2005255829A (ja) 加熱剥離型粘着シートおよび被着体の加工方法
JP2006160872A (ja) 熱剥離型粘着シート及び電子部品、回路基板
JP2008258639A (ja) 半導体ウエハー切断片のピックアップ回収方法
JP2005322724A (ja) 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置
JP2002220569A (ja) 加熱剥離型粘着シートの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees