TWI393180B - 晶圓切割方法以及晶圓切割裝置 - Google Patents

Description

晶圓切割方法以及晶圓切割裝置

本發明關於晶圓切割方法以及晶圓切割裝置，其用於將其上一體式形成有諸如半導體元件之多個晶片的晶圓切割為個別小晶片。

在半導體製造過程之切割製程中，拉伸板黏貼於晶圓(半導體晶圓)之背表面上，其中晶圓具有以晶格圖案形式配置於其上的大量晶片(諸如，半導體元件)。接著，切割凹槽(dicing groove)(計劃切割線)藉由切割輪或其類似以晶格圖案形式形成於晶圓之前表面上。隨後，沿切割凹槽將晶圓切割為晶片。另一方面，在半導體製造過程之接合製程中，在切割製程中自晶圓切割之晶片接合至諸如引線框架之基板。使用作為接合製程之製造設備的黏晶機。

切割製程之一者為雷射切割製程，其中並不在晶圓中形成切割凹槽。在雷射切割製程中，雷射光束聚焦於晶圓中以使得歸因於破裂或熔化而形成線狀修改區域(modified region)(計劃切割線)，且隨後在稍後製程中沿修改區域將晶圓切割為晶片。可藉由施加較小外力至晶圓容易地分離晶圓中之修改區域(例如，參見專利文獻1)。

存在使用黏晶機之膨脹機構(expansion mechanism)的設備，其作為在雷射切割製程中在晶圓上以晶格圖案形式形成作為修改區域之計劃切割線之後用於將晶圓切割為晶片的設備。舉例而言，如圖11A所示，晶圓1接合至拉伸板3之中心表面上，由支撐環4來支撐拉伸板3之邊緣。板3之邊緣置放於圓柱形膨脹台5上，且隨後降低支撐環4以便板3自晶圓1徑向膨脹360度。此膨脹使得置放於板中心處之晶圓1如圖11B所示徑向膨脹360度。因此，晶圓1上之所有修改區域經受拉伸應力，且此拉伸應力沿類似晶格之修改區域將晶圓切割為晶片。自晶圓1切割之大量晶片1'與板3一起以在相鄰晶片之間產生間隙之方式徑向膨脹。

在藉由雷射切割在晶圓內部獨佔地形成修改區域的狀況下，如此形成之所有修改區域在晶片之間不具有寬度，藉此允許在單一晶圓中形成大量晶片。舉例而言，以此方式使得更易於小型化晶片至0.3平方毫米(mm square)或0.25平方毫米。在藉由使用膨脹機構將具有類似晶格之修改區域之晶圓切割為晶片的狀況下，當晶圓在板上膨脹時，與遠離晶圓中心處相比，晶圓在其中心處膨脹較少量，藉此具有不良切割性質。因此，為使晶圓中心具有較佳膨脹，要求大型膨脹機構以達成較大膨脹。當晶圓上形成之晶片尺寸更小且數目更多時此問題更明顯。存在無法將晶圓切割為小至0.3平方毫米或0.25平方毫米之小晶片的狀況，因此使得難以改良小晶片之良率。另外，板必須為可膨脹之拉伸板，且使用黏貼於諸如PET材料之不可膨脹板上的晶圓為不可行的。

鑒於上述情況，本發明之目標為提供適應於晶片小型化之晶圓切割方法以及適用於藉由使用此切割方法將晶圓切割為小晶片之切割裝置。

為達成上述目標，根據本發明之方法為沿形成於黏貼至板上之晶圓上之計劃切割線切割晶圓的晶圓切割方法，所述晶圓切割方法包括透過板局部地真空吸入計劃切割線之步驟以使得施加彎曲應力(bending stress)至計劃切割線，藉此利用彎曲應力切割計劃切割線。

除獨佔地用於現存黏晶機(die bonder)之膨脹機構中之膨脹的拉伸板以及用於現存全切割切割機構之拉伸板之外，板可為諸如並不膨脹之PET材料之非拉伸板。在使用且膨脹拉伸板之狀況下，由局部真空吸入(vacuum suction)所產生之彎曲應力以及歸因於拉伸板膨脹之拉伸應力(tensile stress)來確保晶圓之計劃切割線之切割。此外，在切割時同時拉伸拉伸板以使得在切割後相鄰切割晶片立即彼此分離，藉此防止切割後所切割之晶片立即彼此摩擦的碎屑(chipping)現象。另一方面，在使用非拉伸板之狀況下，由局部真空吸入所產生之彎曲應力切割晶圓之計劃切割線。在任何類型之板中，晶圓可在具備計劃切割線之前黏貼至板上或可在黏貼至板上之前具備計劃切割線。晶圓之計劃切割線可為藉由雷射切割形成於晶圓內部之修改區域或可為藉由切割輪或其類似靠近晶圓背表面或前表面形成於晶圓前表面或背表面上之半切割切割凹槽。當透過板局部地真空抽吸晶圓上之計劃切割線時，此計劃切割線在晶圓厚度方向上經受彎曲應力，且彎曲應力徹底切割計劃切割線。與歸因於藉由膨脹拉伸板而施加至計劃切割線上之拉伸應力的切割力相比，歸因於此彎曲應力之切割力較強且亦集中於計劃切割線上。當將晶圓切割為小晶片時，可以此方式為晶圓提供極佳切割性質，且有助於晶片小型化，藉此極有可能改良小晶片之良率。此外，可以無法以較小外力切割之方式形成晶圓之計劃切割線。舉例而言，當晶圓之計劃切割線為修改區域時，可形成具有較小深度之修改區域。當晶圓之計劃切割線為半切割切割凹槽時，亦可形成具有較小深度之凹槽以便避免在將晶圓切割為個別晶片之前的不當切割。

根據本發明，晶圓具有類似晶格之縱向與橫向上之多個計劃切割線。在真空抽吸且逐個切割縱向上之多個計劃切割線與橫向上之多個計劃切割線中之一者後，可真空抽吸且逐個切割縱向上之多個計劃切割線與橫向上之多個計劃切割線中之另一者。

舉例而言，當逐個切割晶圓之縱向計劃切割線時，在與縱向計劃切割線正交之方向上相對地移動用以局部地真空吸入晶圓的構件、晶圓以及板以便逐個切割縱向切割線。隨後，將真空抽吸構件、晶圓以及板相對地旋轉90度以便逐個切割橫向計劃切割線，藉此將晶圓切割為大量晶片。

根據本發明，當藉由真空抽吸來切割晶圓之多個計劃切割線之一者時，可利用一推動部件(pushing member)之真空抽吸透過板來推動多個計劃切割線之一者。

推動部件為比計劃切割線更長之線狀硬質部件，且特定言之可為提供於其上置放有晶圓之板的操作臺(對應於稍後描述之切割裝置)上的臺階部分、附著至操作臺之擠壓物、棒狀部件或其類似。黏貼至與推動部件接觸之板上之晶圓較佳在與板相對之表面上具有計劃切割線。當藉由局部地真空抽吸晶圓之計劃切割線來產生彎曲應力時，藉由使推動部件透過板與此計劃切割線接觸且隨後利用真空抽吸使推動部件上推切割線以徹底切割計劃切割線，可使晶圓切割更容易且更確保晶圓切割。

根據本發明之方法，可切割具有黏貼於晶圓前表面與背表面上之板的晶圓。舉例而言，當晶圓具有黏貼於其背表面上之板且亦具有形成於其前表面上之切割線時，在切割之前將另一板(若需要，下文中稱為覆蓋板)黏貼至晶圓之前表面上。隨後，藉由自晶圓背表面上之板側局部地真空抽吸來切割晶圓。在此種狀況下，晶圓前表面上之覆蓋板相對於背部板擠壓形成於晶圓上之晶片，以使得防止自背部板移除晶片。覆蓋板亦允許將拉伸應力施加至晶圓之計劃切割線上，藉此穩定計劃切割線之切割。此覆蓋板較佳為拉伸板。

為達成上述目標，根據本發明之裝置為沿多個計劃切割線切割晶圓的晶圓切割裝置，其中晶圓黏貼於板之前表面上，且多個計劃切割線以晶格圖案形式形成於與黏貼至板前表面上之晶圓表面相對的晶圓表面上，晶圓切割裝置包括：固持表面(retaining surface)，其以滑動方式與板背表面接觸以使得透過板固持晶圓；推動部件，其以並不短於多個計劃切割線中之最長者之方式線狀地形成於固持表面上，且使得當透過板置放晶圓於固持表面上時，在固持表面與板之間形成間隙；以及真空抽吸入口，其以相鄰於推動部件之方式形成於固持表面上，真空抽吸入口允許真空抽吸抽空間隙，藉此透過板局部地真空抽吸晶圓。

晶圓切割裝置類似於在頂部表面上具有真空抽吸入口之抽吸台，且相對於晶圓以及板移動。舉例而言，當晶圓黏貼於拉伸板上且板經膨脹以與膨脹機構結合使用時，以可在水平方向上移動之方式置放晶圓切割裝置於膨脹之水平板下方。切割裝置之頂部表面為固持表面，其以滑動方式接觸板之底部表面且在水平方向上移動。形成於固持表面上之推動部件與板之底部表面線性接觸且在底部表面下滑動。沿推動部件形成於固持表面上之真空抽吸入口允許穿過其執行真空抽吸以使得局部地真空抽吸板，藉此局部地真空抽吸晶圓之計劃切割線且施加彎曲應力至彼處。

固持表面包含一臺階部分，其包含頂部臺階部分以及底部臺階部分，且推動部件可為頂部臺階部分。在此種狀況下，真空抽吸入口可形成於臺階部分之底部臺階部分處。

晶圓切割裝置之固持表面包含：上固持表面與下固持表面，其具有約為晶圓厚度之位準差異，且一臺階表面形成與上固持表面與下固持表面之間。作為上固持表面與臺階表面之間之邊界的頂部臺階部分成為一線狀推動部件。作為臺階表面與下固持表面之間之邊界之底部臺階部分處的下固持表面具備一真空抽吸入口。舉例而言，當使晶圓切割裝置之固持表面與藉由膨脹機構膨脹之板之底部表面接觸且穿過真空抽吸入口執行真空抽吸時，晶圓透過板局部地真空抽吸至固持表面上。在固持表面與板之間，一真空抽吸間隙產生於上固持表面與下固持表面之間的臺階表面上，藉此相對於板底部表面有力地擠壓頂部臺階部分。當真空抽吸局部地施加至晶圓之計劃切割線以使得產生彎曲應力時，固持表面與板相對地移動。當固持表面之頂部臺階部分經相對移動以恰好達到晶圓之計劃切割線下方時，頂部臺階部分之邊緣增大其上推效應以使得切割計劃切割線。

晶圓切割裝置之推動部件可為自固持表面部分突出之突出部件(protruding member)。突出部件可為旋轉以與板相對接觸之擠壓物或滾筒。在此種狀況下，真空抽吸入口可形成於突出部件之兩側上。

晶圓切割裝置之固持表面為水平平坦表面，且此平坦表面允許晶圓之板在其上滑動。線狀突出部件以突出如晶圓厚度之高度之方式自平坦表面之中心突出。當突出部件為一刮板時，刮板之頂端自平坦之固持表面獨佔式突出，且真空抽吸入口沿刮板之左側表面與右側表面形成。使刮板之頂端接觸晶圓之板之底部表面，且在刮板之左側表面與右側表面上穿過真空抽吸入口來執行真空抽吸以使得透過板自擠壓物之左側以及右側真空抽吸晶圓。當刮板之線狀頂端相對地移動且恰好達到晶圓之計劃切割線下方時，此計劃切割線經受自兩側之真空抽吸的較大彎曲應力，且擠壓物之上推效應變得較強。因此，確保計劃切割線之切割。

為達成上述目標，根據本發明之裝置為沿多個計劃切割線切割晶圓的晶圓切割裝置，其中晶圓黏貼於板之前表面上，且多個計劃切割線以晶格圖案形式形成於黏貼至板前表面之晶圓表面上，晶圓切割裝置包括：第一固持表面以及第二固持表面，其以滑動方式與板背表面接觸以使得透過板固持晶圓，第一固持表面與第二固持表面以V形彼此相連；以及真空抽吸入口，其形成於第一固持表面與第二固持表面之間的邊界處，真空抽吸入口允許穿過其執行真空抽吸，藉此透過板局部地真空抽吸晶圓。

晶圓切割裝置可為相對於晶圓以及板移動之抽吸台。以V形彼此相連之切割裝置的第一固持表面以及第二固持表面以接近180度之鈍角彼此交叉。此等固持表面可皆為傾斜表面，或其之一者可為水平表面且另一者為傾斜表面。當晶圓之板置放於第一固持表面上且滑動至第二固持表面時，可在此等固持表面之邊界處穿過真空抽吸入口來執行真空抽吸以使得透過板局部地真空抽吸晶圓，藉此局部地產生彎曲應力。當晶圓之計劃切割線經受上述彎曲應力時，切割此計劃切割線。

根據本發明之方法，藉由透過板局部地真空抽吸來切割晶圓之計劃切割線以使得將彎曲應力集中施加至計劃切割線。因此，當計劃切割線為藉由雷射切割形成於晶圓內部之修改區域時，或甚至當計劃切割線處於晶圓中心時，可確保切割具有改良晶圓切割性質之效應。此外，晶圓切割性質之此改良使得更易於將計劃切割線形成為藉由雷射切割之修改區域，以使得在單一晶圓中形成大量小至0..3平方毫米或0.25平方毫米之晶片。另外，可更確保將晶圓切割為此等小晶片具有改良小晶片之良率之效應，藉此提供實務價值。

根據本發明之裝置，可達成簡易結構，其中用以固持晶圓之板的固持表面具有真空抽吸入口，穿過真空抽吸入口局部地真空抽吸板。此簡易結構使得晶圓切割裝置較小且節約成本。另外，此種簡易且較小之晶圓切割裝置易於整合至現存黏晶機中之膨脹機構中，且就設備投資而言具有能夠有利地應用至現存黏晶機的較高實務價值。

下文將參看圖1至圖10描述本發明之實施例。

將參看圖1至圖3描述第一晶圓切割方法以及裝置。圖1為展示晶圓環部分6以及用於黏晶機之膨脹機構之晶圓切割裝置10之輪廓的平面圖。晶圓環部分6與圖11所示之部分相同。利用膠將支撐環4之背表面固定於拉伸板3之表面邊緣上，且晶圓1之背表面接合至板3之表面中心上。晶圓1之前表面側具有以晶格圖案形式之計劃切割線2。沿所有計劃切割線2將晶圓1切割為大量矩形晶片。

晶圓1之計劃切割線2為藉由雷射切割形成於晶圓1之前表面上的修改區域。類似晶格之計劃切割線2包含多個縱向計劃切割線2a以及多個橫向計劃切割線2b。由於晶圓1近似為圓形，因此計劃切割線2在長度上彼此不同。晶圓環部分6水平地安裝整合至並未說明之膨脹機構中，且板3自晶圓1膨脹360度。晶圓切割裝置10以可在與板3水平之方向上相對移動之方式置放於板3之底部表面側上。

晶圓切割裝置10為由硬質材料製成且比晶圓1之計劃切割線2中之最長者稍長的平坦矩形塊。圖2A展示晶圓切割裝置10之放大橫截面圖。晶圓切割裝置10具有為其上表面之固持表面11。固持表面11以滑動方式接觸圖1所示之晶圓環部分6上之水平板3的底部表面以使得透過板3固持晶圓1。固持表面11包括上固持表面11a以及下固持表面11b，其間具有約為晶圓1之厚度的位準差異，藉此在上固持表面11a與下固持表面11b之間形成幾乎垂直之臺階表面11c。頂部臺階部分12a形成於上固持表面11a與臺階表面11c之間之邊界處，其中頂部臺階部分12a之邊緣為線狀推動部件12。線狀頂部臺階部分12a之邊緣具有比多個計劃切割線2中之最長者稍長的長度。另一方面，底部臺階部分形成於臺階表面11c與下固持表面11b之間之邊界處。真空抽吸入口13形成於底部臺階部分之下固持表面11b中。真空抽吸入口13穿透過晶圓切割裝置10且連接至外部真空抽吸系統14。

晶圓切割裝置10之整個固持表面11與水平板3之底部表面接觸。當其上黏貼有晶圓1之板3與固持表面11之上固持表面11a接觸時，一間隙“g”形成於接近固持表面11之中心處之底部臺階部分與板3之間。間隙“g”穿過真空抽吸入口13來真空抽吸以使得板3亦與下固持表面11b接觸。形成於固持表面11之中心處之真空抽吸入口13為矩形或半圓形孔，且如圖3所示沿臺階表面11c形成於多個位置處。以近似為三角形之密封部件11d來閉合臺階表面11c與下固持表面11b之間之邊界處之底部臺階部分之兩端的開口。因此，以密封部件11d來閉合當在整個固持表面11中真空抽吸板3時所形成之間隙“g”之兩端的開口，藉此防止間隙“g”中之真空抽吸的減少。

下文將描述晶圓切割裝置10切割晶圓1的操作。如圖2A所示，以晶圓切割裝置10之線狀頂部臺階部分12a之邊緣可平行於晶圓1之縱向切割線2a之方式使固持表面11接觸膨脹之水平板3之底部表面。當穿過固持表面11之真空抽吸入口13來執行真空抽吸時，在圖2之左方向上水平移動整個裝置。在板3被局部地真空抽吸至固持表面11上時，晶圓切割裝置10在板3之底部表面下滑動。當晶圓1之末端恰好達到真空抽吸入口13上方時，晶圓末端開始經受真空抽吸。當晶圓切割裝置10如圖2B所示進一步移動且自晶圓末端之第一縱向計劃切割線2恰好達到線狀頂部臺階部分12a之邊緣時，彎曲應力集中地施加至第一縱向計劃切割線2。此彎曲應力沿第一計劃切割線2切割晶圓1。如圖2B所示切割之晶圓末端1"保持為黏貼於板3上，且在藉由板3之膨脹切割的同時自原始晶圓1徹底分離。更特定言之，藉由首先經受歸因於板3之膨脹之拉伸應力、隨後經受歸因於真空抽吸之彎曲應力且最後經受歸因於經上推之頂部臺階部分12a之邊緣之彎曲應力而切割此縱向計劃切割線2a。此序列使得切割足夠安全以處理小晶片。

在圖2B所示之條件下，晶圓切割裝置10水平移動至板3以使得逐個切割多個縱向計劃切割線2a。在切割完所有縱向計劃切割線2a之後，晶圓切割裝置10在板3原始之水平方向上旋轉90度以使得線狀頂部臺階部分12a之邊緣平行於橫向計劃切割線2b。隨後，晶圓切割裝置10以上述方式在板3之橫向方向上水平移動。此水平移動逐個切割晶圓1之多個橫向計劃切割線2b，藉此最終將晶圓1切割為大量矩形晶片。

以下將參看圖4以及圖5描述第二晶圓切割方法以及裝置。晶圓切割裝置10(圖4展示其橫截面)包含作為推動部件12之突出部件12b，其以使得突出部件12b自固持表面11突出之方式形成於平坦之固持表面11之中心。突出部件12b為刮板12'b之頂端邊緣，且刮板12'b在其之兩側具備真空抽吸入口13、13。晶圓1之板3在平坦之固持表面11上滑動。在固持表面11之中心處，線狀突出部件12b自固持表面11突出如晶圓厚度之高度。線狀突出部件12b比晶圓1之計劃切割線2中之最長者稍長。晶圓1之板3置放於固持表面11上，且隨後板3藉由穿過真空抽吸入口13、13之真空抽吸吸收至固持表面11上。以此方式使得突出部件12b輕微地局部上推板3以便在固持表面11與板3本身之間形成間隙“g”。為了閉合間隙“g”之兩端，在刮板12'b之兩端處形成圖5所示之密封部件11e，藉此防止間隙“g”中之真空抽吸之減少。

如圖4所示，晶圓1之板3置放於固持表面11上，且同時穿過沿刮板12'b之前側表面以及後側表面形成之兩個真空抽吸入口13、13來執行真空抽吸。隨後，固持表面11在板3下滑動以使得水平移動晶圓切割裝置10直至線狀突出部件12b恰好達到縱向或橫向計劃切割線2下方。當線狀突出部件12b恰好達到計劃切割線2下方時，向下真空抽吸突出部件12b之兩側處之板3的區域。因此，彎曲應力集中地施加至晶圓表面上之此計劃切割線2以使得切割計劃切割線2。藉由突出部件12b以倒置之V形自下方局部地推動晶圓1來完成此切割，以使得可施加較大於圖2所示之裝置中之壓力的壓力至晶圓1。實際上，可確保切割以便獲得較小晶片(小至0.25平方毫米之晶片)。

以下將參看圖6描述第三晶圓切割方法以及裝置。圖6所示之晶圓1具有黏貼於其前表面上之另一拉伸板3'。圖6之晶圓切割裝置10等同於圖2之裝置。晶圓1之前表面上的板3'為一覆蓋板且在晶圓1之前表面上之計劃切割線2形成之後黏貼板3'至晶圓1上。晶圓1之背表面上的板3在晶圓切割裝置10之固持表面11上滑動，且穿過真空抽吸入口13來執行真空抽吸。正如圖2中，當晶圓1之計劃切割線2恰好達到推動部件12上方時，彎曲應力集中地施加至此計劃切割線2以使得切割計劃切割線2。當以此方式切割計劃切割線2時，覆蓋板3'自前側擠壓晶圓1以及已切割之晶片以便防止晶片自板3移除。另外，背側板3以及覆蓋板3'之膨脹提前允許施加自覆蓋板3'之拉伸應力至晶圓表面上，藉此確保且穩定計劃切割線之切割。覆蓋板3'之效應隨晶圓切割為愈小之晶片而變得愈有效，因此有利於晶片小型化。

以下將參看圖7描述第四晶圓切割方法以及裝置。如圖6所示之晶圓1，圖7所示之晶圓1具有分別黏貼於其前表面以及背表面上的板3以及3'。圖7所示之晶圓切割裝置等同於圖4所示之裝置，且由滾筒12c替代圖4之刮板12'b作為推動部件12。在滾筒12c之兩側處提供真空抽吸入口13、13。滾筒12c自固持表面11突出約如晶圓1之厚度的高度。當水平移動晶圓切割裝置10以使突出之外表面與板3接觸時，滾筒12c隨後旋轉。

在圖7所示之裝置的狀況下，使晶圓1之背表面上之板3與固持表面11接觸，且同時穿過形成於滾筒12c之前側以及後側上之兩個真空抽吸入口13、13來執行真空抽吸。在此條件下，水平移動晶圓切割裝置10，且同時固持表面11在板3下滑動。此水平移動允許線狀滾筒12c歸因於與板3之接觸阻力而旋轉，藉此使得線狀滾筒12c在板3之底部表面下移動。以此方式使得晶圓切割裝置10平滑地移動。滾筒12c恰好移動至晶圓1之縱向或橫向計劃切割線2(逐個)下方。當滾筒12c恰好達到一計劃切割線2下方時，向下真空抽吸滾筒12c之兩側處之板3的區域。因此，彎曲應力集中地施加至晶圓表面上之此計劃切割線2，藉此切割計劃切割線2。類似於圖4之裝置，亦藉由滾筒12c以倒置之V形自下部局部地上推晶圓1來完成此切割，以使得可施加較大於圖2所示之裝置中之壓力的壓力至晶圓1。此外，以倒置之V形局部地上推其上具有覆蓋板3'之晶圓1的滾筒12c在晶圓1之背表面上之板3的底部表面下移動時旋轉其本身。以此方式可減小對板3之損壞。

以下基於圖8至圖10描述第五切割方法以及裝置。

圖8所示之晶圓1在其表面上具有以晶格圖案形式形成之計劃切割線2，其中板3黏貼於晶圓表面上。舉例而言，計劃切割線2首先形成於晶圓1之前表面(圖10之底部表面)上，且隨後板3黏貼於晶圓1之同一前表面上。將晶圓1倒置以使得板3處於底部，且板3置放於固持表面11上，固持表面11為圖9所示之晶圓切割裝置10的頂部表面。

圖9所示之晶圓切割裝置10之固持表面11包含第一固持表面11p以及第二固持表面11q。第一固持表面11p與第二固持表面11q以V形相連地形成，且以滑動方式與板3之背表面接觸以使得透過板3固持晶圓1。在第一固持表面11p與第二固持表面11q之間之邊界處形成真空抽吸入口13。以V形彼此相連之第一固持表面11p與第二固持表面11q以接近180度之鈍角彼此交叉。圖8所示之第一固持表面11p以及第二固持表面11q具有一成接近180度之鈍角的V形橫截面形狀。在V形之側表面之間的淺凹部(shallow valley)具有多個線性對準之真空抽吸入口13。凹部具有比多個計劃切割線2中之最長者稍長的長度。

晶圓之板置放於第一固持表面11p上且相對於第二固持表面11q滑動。隨後，穿過真空抽吸入口13來執行真空抽吸。因此，透過板3集中地施加彎曲應力至晶圓1。當晶圓1之計劃切割線2經相對移動以達到真空抽吸入口13時，形成於圖8所示之晶圓1之底部表面上的此計劃切割線2向下彎曲且經受彎曲應力。彎曲應力切割計劃切割線。

顯然本發明並非受限於上述實施例且可在本發明之精神以及範疇內對本發明進行多種修正。

1．．．晶圓

1'．．．晶片

1"．．．晶圓末端

2．．．計劃切割線

2a．．．計劃切割線

2b．．．計劃切割線

3．．．板

3'．．．覆蓋板

4．．．支撐環

5．．．圓柱形膨脹台

6．．．晶圓環部分

10．．．晶圓切割裝置

11．．．固持表面

11a．．．上固持表面

11b．．．下固持表面

11c．．．臺階表面

11d．．．密封部件

11e．．．密封部件

11p．．．第一固持表面

11q．．．第二固持表面

12．．．推動部件

12a．．．頂部臺階部分

12b．．．突出部件

12'b．．．刮板

12c．．．滾筒

13．．．真空抽吸入口

14．．．外部真空抽吸系統

g．．．間隙

圖1為用以解釋根據本發明之第一晶圓切割方法以及裝置之晶圓以及裝置的平面圖。

圖2A以及圖2B為圖1所示之晶圓切割裝置之每一操作過程處的放大橫截面圖。

圖3為圖1之晶圓切割裝置的透視圖。

圖4為用以解釋第二晶圓切割方法以及裝置之操作過程中之晶圓以及裝置的橫截面圖。

圖5為圖4之晶圓切割裝置的部分透視圖。

圖6為用以解釋第三晶圓切割方法以及裝置之操作過程中之晶圓以及裝置的橫截面圖。

圖7為用以解釋第四晶圓切割方法以及裝置之操作過程中之晶圓以及裝置的橫截面圖。

圖8為用以解釋第五晶圓切割方法以及裝置之操作過程中之晶圓以及裝置的橫截面圖。

圖9為圖8之晶圓切割裝置的部分橫截面圖。

圖10為圖8之晶圓以及板的分解圖。

圖11A以及圖11B為用以解釋使用黏晶機之膨脹機構之晶圓切割方法之每一操作過程中的橫截面圖。

在全部圖式中，相同圖式參考數字應理解為指示相同元件、特徵及結構。

1．．．晶圓

2．．．計劃切割線

2a．．．計劃切割線

2b．．．計劃切割線

3．．．板

4．．．支撐環

6．．．晶圓環部分

10．．．晶圓切割裝置

12．．．推動部件

13．．．真空抽吸入口

Claims (15)

1. 一種晶圓切割方法，沿形成於黏貼至板上之晶圓上的計劃切割線切割所述晶圓，所述晶圓切割方法包括：使具有真空抽吸入口的晶圓切割裝置透過所述板而能夠局部地真空抽吸所述計劃切割線，且所述晶圓切割裝置接觸於所述板；所述晶圓切割裝置一邊使所述真空抽吸入口進行真空抽吸動作，且一邊在與所述計劃切割線垂直的方向、對於所述晶圓與所述板進行相對移動；以及透過所述板局部地真空抽吸所述計劃切割線，以施加彎曲應力至所述計劃切割線，藉此利用所述彎曲應力切割所述計劃切割線。
2. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓切割方法，其中所述計劃切割線為歸因於藉由雷射切割在所述晶圓內部產生之破裂的修改區域。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之晶圓切割方法，其中所述晶圓具有類似晶格之縱向與橫向上的多個所述計劃切割線，以及在真空抽吸且逐個切割所述縱向上之所述多個所述計劃切割線與所述橫向上之所述多個計劃切割線中之一者後，真空抽吸且逐個切割所述縱向上之所述多個計劃切割線與所述橫向上之多個所述計劃切割線中之另一者。
4. 如申請專利範圍第3項所述之晶圓切割方法，其中真空抽吸多個所述計劃切割線中之一者，且推動部件透過 所述板，利用真空抽吸推動多個所述計劃切割線中之一者。
5. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓切割方法，其中所述晶圓具有黏貼於所述晶圓之前表面與背表面上的所述板。
6. 一種晶圓切割裝置，沿多個計劃切割線切割晶圓，所述晶圓黏貼於板之前表面上，且多個所述計劃切割線以晶格圖案形式形成於與黏貼於所述板之所述前表面上之所述晶圓之表面相對的所述晶圓之表面上，所述晶圓切割裝置包括：固持表面，以滑動方式與所述板之背表面接觸，以透過所述板固持所述晶圓；推動部件，以並不短於多個所述計劃切割線中之最長者之方式線狀地形成於所述固持表面上，且使得當透過所述板置放所述晶圓於所述固持表面上時，在所述固持表面與所述板之間形成間隙；以及真空抽吸入口，以相鄰於所述推動部件之方式形成於所述固持表面上，所述真空抽吸入口允許真空抽吸抽空所述間隙，藉此透過所述板局部地真空抽吸所述晶圓，其中，使具有所述真空抽吸入口的所述晶圓切割裝置透過所述板而能夠局部地真空抽吸所述計劃切割線，且所述晶圓切割裝置接觸於所述板；所述晶圓切割裝置一邊使所述真空抽吸入口進行真空抽吸動作，且一邊在與所述計劃切割線垂直的方向、對於所述晶圓與所述板進行相對移動。
7. 如申請專利範圍第6項所述之晶圓切割裝置，其中所述固持表面包含臺階部分，所述臺階部分包含頂部臺階部分以及底部臺階部分，以及所述推動部件為所述頂部臺階部分。
8. 如申請專利範圍第6項所述之晶圓切割裝置，其中所述推動部件為自所述固持表面部分突出之突出部件。
9. 如申請專利範圍第8項所述之晶圓切割裝置，其中所述突出部件在兩側處具有所述真空抽吸入口。
10. 一種晶圓切割裝置，沿多個計劃切割線切割晶圓，所述晶圓黏貼於板之前表面上，且多個所述計劃切割線以晶格圖案形式形成於黏貼於所述板之所述前表面上的所述晶圓表面上，所述晶圓切割裝置包括：第一固持表面以及第二固持表面，以滑動方式與所述板之背表面接觸，以透過所述板固持所述晶圓，所述第一固持表面與所述第二固持表面以V形彼此相連；以及真空抽吸入口，形成於所述第一固持表面與所述第二固持表面之間之邊界處，所述真空抽吸入口允許穿過執行真空抽吸，藉此透過所述板局部地真空抽吸所述晶圓，其中，使具有所述真空抽吸入口的所述晶圓切割裝置透過所述板而能夠局部地真空抽吸所述計劃切割線，且所述晶圓切割裝置接觸於所述板；所述晶圓切割裝置一邊使所述真空抽吸入口進行真空抽吸動作，且一邊在與所述計劃切割線垂直的方向、對於所述晶圓與所述板進行相對移動。
11. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓切割方法，其中，所述晶圓黏貼至所述板的表面，在所述晶圓的、與黏貼所述板的表面為相對的表面上，以晶格圖案形式形成多條所述計劃切割線，所述晶圓切割裝置包括：固持表面，以滑動方式與所述板之背表面接觸，以透過所述板固持所述晶圓；推動部件，以並不短於多個所述計劃切割線中之最長者之方式線狀地形成於所述固持表面上，且使得當透過所述板置放所述晶圓於所述固持表面上時，在所述固持表面與所述板之間形成間隙；以及真空抽吸入口，以相鄰於所述推動部件之方式形成於所述固持表面上，所述真空抽吸入口允許真空抽吸抽空所述間隙，藉此透過所述板局部地真空抽吸所述晶圓。
12. 如申請專利範圍第11項所述之晶圓切割方法，其中，所述固持表面包含臺階部分，所述臺階部分包含頂部臺階部分以及底部臺階部分，以及所述推動部件為所述頂部臺階部分。
13. 如申請專利範圍第11項所述之晶圓切割方法，其中，所述推動部件為自所述固持表面部分突出之突出部件。
14. 如申請專利範圍第13項所述之晶圓切割方法，其中，所述突出部件在兩側處具有所述真空抽吸入口。
15. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓切割方法，其中，所述晶圓黏貼至所述板的表面，在所述晶圓的黏貼所 述板的表面上，以晶格圖案形式形成多條所述計劃切割線，所述晶圓切割裝置包括：第一固持表面以及第二固持表面，以滑動方式與所述板之背表面接觸，以透過所述板固持所述晶圓，所述第一固持表面與所述第二固持表面以V形彼此相連；以及真空抽吸入口，形成於所述第一固持表面與所述第二固持表面之間之邊界處，所述真空抽吸入口允許穿過執行真空抽吸，藉此透過所述板局部地真空抽吸所述晶圓。