CN104409386B - 晶圆裂片装置 - Google Patents

晶圆裂片装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104409386B
CN104409386B CN201410559484.3A CN201410559484A CN104409386B CN 104409386 B CN104409386 B CN 104409386B CN 201410559484 A CN201410559484 A CN 201410559484A CN 104409386 B CN104409386 B CN 104409386B
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
groove
supporting table
base
sliver apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201410559484.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104409386A (zh
Inventor
孙耀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SHANGHAI JIMEI ELECTRNIC TECHNOLOGY CO LTD
Original Assignee
SHANGHAI JIMEI ELECTRNIC TECHNOLOGY CO LTD
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SHANGHAI JIMEI ELECTRNIC TECHNOLOGY CO LTD filed Critical SHANGHAI JIMEI ELECTRNIC TECHNOLOGY CO LTD
Priority to CN201410559484.3A priority Critical patent/CN104409386B/zh
Publication of CN104409386A publication Critical patent/CN104409386A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104409386B publication Critical patent/CN104409386B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明公开了一种晶圆裂片装置，其特征在于，包括支撑台；所述支撑台的形状与晶圆的形状相适应；所述支撑台开设有至少一个第一凹槽；每个所述第一凹槽均与至少一个抽真空管连通。本发明中的晶圆裂片装置，可避免与绷膜框发生碰撞，无需在晶圆裂片前将晶圆转移至更大内径的绷膜框上，工艺得到简化，生产效率提高。同时节省了粘附晶圆用薄膜的使用量，生产成本降低。

Description

晶圆裂片装置
技术领域
本发明涉及晶圆裂片技术，特别涉及一种晶圆裂片装置。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在晶圆上可加工制作成各种电路元件结构，通常将具有电路元件结构的面称为正面，与之相对的面即称为背面。在晶圆加工过程中，为了各种用途常需要将晶圆粘附在一晶圆承载框。如图1和2所示，晶圆承载框包括绷膜框01和薄膜02，薄膜02粘附在绷膜框01上。薄膜02具有一定的张力，晶圆03粘附在薄膜02上。对整块晶圆03进行切割时，一般采用激光切割代替机械刀具切割，因为机械刀具切割晶圆的刀痕宽，激光切割的刀痕窄，激光切割可提高晶圆的利用率。机械刀具切割晶圆时还会产生碎屑，而激光切割不会产生碎屑，可提高切割品质。但激光切割的切割深度越深，对激光发射器的损耗越大，所以在采用激光切割晶圆时，一般不切透晶圆，形成纵向裂痕041和横向裂痕042，将晶圆03切割为多个块状晶圆031。再利用裂片装置使各块状晶圆031相互分离。
因为激光切割晶圆时并未将晶圆完全切透，所以需要增加对晶圆进行裂片的操作，使晶圆03在纵向划痕041或横向裂痕042处断裂，分离成多个块状晶圆031。现有的裂片操作通常采用裂片机完成。如图3所示，裂片机包括用于夹持绷膜框01的基座05、用于劈裂晶圆的劈刀06。具体地，采用裂片机对晶圆03进行裂片时，利用劈刀06对准晶圆03的纵向裂痕041和横向裂痕042施加冲击，使晶圆03裂开。
本发明人发现，采用上述裂片机对晶圆03进行裂片时，由于纵向裂痕041和横向裂痕042均为直线。因此，劈刀06为直线型形状。而由于晶圆03为圆形，绷膜框01的内圆也是圆形。在不同的位置，晶圆03的直线长度是不同的，约靠近边缘，晶圆的径向直线长度越小，约靠近圆心，晶圆的径向直线长度越大。劈刀06的长度通常按照于晶圆03的直径生产，才能使劈刀06满足晶圆03上所有纵向裂痕041的长度要求。这样就导致采用长度不小于晶圆03直接的劈刀06冲击远离晶圆03圆形的纵向裂痕041时，劈刀06会与绷膜框01发生碰撞(如图4所示)，无法与晶圆03接触进行裂片。为了避免这一问题，必须增大绷膜框01的内径。如行业内一般采用8寸(内径为200mm)的绷膜框01承载6寸(直径为150mm)的晶圆03，为避免劈刀06与绷膜框01放生碰撞，需要将6寸的晶圆03转移至12寸(内径为300mm)的绷膜框01上。工艺繁琐，对用于粘附晶圆03的薄膜02也是极大的浪费。
采用上述裂片机裂片时还存在以下问题：使劈刀06在被冲击的情况下依次冲击晶圆03的每个纵向裂痕041和横向裂痕，导致整个裂片工作用时长，裂片的效率低，较难进行大规模生产；同时，击锤击打的力度无法调整，使得劈刀06对晶圆03的冲击力较难掌控。冲击力过小，会导致晶圆03无法裂开。冲击力过大，又会导致晶圆03发生崩裂损伤等情况，裂片的良品率低。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种可简化工艺的晶圆裂片装置。
为实现以上目的，本发明通过以下技术方案实现：
晶圆裂片装置，其特征在于，包括支撑台和抽真空装置；所述支撑台开设有多个第一凹槽；所述第一凹槽与抽真空装置连通；所述抽真空装置用于将所述第一凹槽内抽真空。
优选地是，所述支撑台的形状大小与待裂片的晶圆的形状大小相适应。
优选地是，所述第一凹槽的槽底呈弧形。
优选地是，所述支撑台还开设有多个第二凹槽；每个所述第二凹槽设置在一个所述第一凹槽一侧；所述第二凹槽与抽真空装置连通。
优选地是，还包括第一驱动装置，所述支撑台可水平移动地设置；所述第一驱动装置驱动所述支撑台水平往复移动或通过第一传动装置驱动所述支撑台水平往复移动。
优选地是，还包括第一底座；所述第一传动装置为丝杠螺母；所述丝杠螺母包括螺纹配合的第一丝杆和螺母；所述第一丝杆可转动地安装在所述第一底座上；所述第一驱动装置驱动所述第一丝杆转动；所述螺母与所述支撑台连接。
优选地是，还包括第一导向装置；所述第一导向装置包括相配合的导轨和滑块；所述滑块可沿所述导轨滑动地设置在所述到导轨上；所述导轨和所述滑块其中之一与所述支撑台连接，另一个固定安装。
优选地是，还包括第一位置检测装置和控制主机，所述第一位置检测装置用于检测支撑台的位置，并向所述控制主机发送信号；所述控制主机控制所述第一驱动装置工作，并根据所述第一位置检测装置的信号决定第一驱动装置启动和停止。
优选地是，所述第一位置检测装置包括第一接近开关和第一凸片；所述第一凸片与所述支撑台同步移动；所述第一接近开关位于所述第一凸片的行进路线上；所述第一接近开关根据所述第一凸片是否位于所述第一接近开关的检测范围内，向所述控制主机发出不同的信号；所述控制主机根据所述第一接近开关的信号不同，决定所述第一驱动装置的工作。
优选地是，还包括第二驱动装置；所述支撑台可转动地设置；所述第二驱动装置驱动所述支撑台转动或通过第二传动装置驱动所述支撑台转动。
优选地是，还包括第一底座；所述支撑台安装于所述第一底座上；所述第一底座上安装有转轴；所述第二驱动装置驱动转轴转动或通过所述第二传动装置驱动所述转动转动以驱动所述第一底座和支撑台转动。
优选地是，还包括第二位置检测装置和控制主机，所述第二位置检测装置用于检测所述支撑台的转动角度，并向所述控制主机发送信号；所述控制主机控制所述第二驱动装置工作，并根据所述第二位置检测装置的信号决定所述第二驱动装置的停止或启动。
优选地是，所述第二位置检测装置包括第二凸片和两个第二接近开关，所述第二凸片与所述支撑台同步转动；所述第二接近开关间隔设置，位于所述第二凸片的转动路线上；所述第二接近开关根据所述第二凸片是否位于所述第二接近开关的检测范围内发送不同的信号；所述控制主机根据第二接近开关的信号不同，决定第二驱动装置的是否工作及工作方向。
优选地是，还包括第二底座和第二导向装置；所述转轴可转动地安装于所述第二底座上；所述第二导向装置用于限制所述第一底座的转动轨迹；所述第二导向装置包括安装于第一底座上的导向杆和设置于所述第二底座上的弧形槽；所述导向杆插置于所述弧形槽内，并可沿所述弧形槽移动。
优选地是，还包括限位装置；所述限位装置用于限制所述第一底座的转动角度；所述限位装置包括同步板；所述同步板一端为弧形；所述同步板弧形的一端安装于所述转轴上；所述同步板随所述转轴转动；所述弧形的一端安装有第二凸片；所述第二底座上安装有两个止动块；所述两个止动块间隔设置，位于所述同步板另一端的转动路线上。
优选地是，还包括套筒；所述套筒的两端分别与所述第一底座和所述同步板连接；所述导向杆贯穿所述套筒。
优选地是，还包括第三驱动装置；所述支撑台可升降地设置；所述第三驱动装置驱动所述支撑台上升和下降或通过第三传动装置驱动所述支撑台上升和下降。
优选地是，所述第三传动装置包括第二丝杆和螺纹套筒；所述第二丝杆与所述螺纹套筒螺纹配合；所述第二丝杆与所述螺纹套筒其中之一受所述第三驱动装置驱动旋转，另一个与所述支撑台连接。
优选地是，还包括扩膜桶；所述扩膜桶具有桶腔；所述支撑台设置于所述桶腔内。
优选地是，还包括晶圆固定装置，所述晶圆固定装置用于将晶圆固定。
优选地是，还包括控制主机，所述支撑台还开设有多个第二凹槽；每个所述第二凹槽设置在一个所述第一凹槽一侧；所述第二凹槽与抽真空装置连通；所述控制主机用于控制所述第一凹槽及所述第二凹槽与所述抽真空装置的连通和关闭。
晶圆贴附在薄膜上切割成多个正方形或长方形块状，使用激光切割但不切穿晶圆，各块小晶圆未完全分离。
本发明中的晶圆裂片装置，将切割后的整个晶圆连通薄膜一起放置在支撑台上，对其中一个第一凹槽抽真空使第一凹槽内呈负压，该负压可使薄膜及块状晶圆嵌入第一凹槽内。将陷入沿第一凹槽方向的一排块状晶圆与晶圆其余部分的切痕拉断。
在与晶圆形状相适应的支撑台上开设一个或多个与晶圆裂痕相适应的第一凹槽，可避免第一凹槽与绷膜框发生碰撞，无需在晶圆裂片前将晶圆转移至更大内径的绷膜框上，工艺得到简化，生产效率提高。同时节省了粘附晶圆用薄膜的使用量，生产成本降低。
当晶圆上需断裂的裂痕未落入第一凹槽的对应区域内，可通过水平移动支撑台，调整支撑台上的第一凹槽的位置，从而使晶圆上需断裂的块状晶圆落入第一凹槽的对应区域内。
本发明在第一凹槽的一侧增设第二凹槽。在对第一凹槽抽真空的同时，也对一侧的第二凹槽抽真空，使第二凹槽呈负压。利用第二凹槽的吸附固定住晶圆，再利用第一凹槽吸附需要分离的晶圆，可提高裂片的成功率及效率。晶圆上的每一个裂痕均可对应一个第一凹槽，可通过对所有第一凹槽同时抽真空，使晶圆上的裂痕同时断裂。大大缩短了裂片所需时间，提高了裂片效率。
通过升降支撑台，使支撑台与处在不同作业高度的晶圆配合进行裂片。
本发明通过抽真空处理形成压差，使晶圆断裂，冲击力较劈刀更容易控制，裂片的稳定性、精准度都大大提高，有效避免晶圆发生崩裂损失的情况，使裂片的良品率提高。
附图说明
图1为承载有晶圆的晶圆承载框的结构主视图；
图2为承载有晶圆的晶圆承载框的结构剖视图；
图3为传动裂片机使用示意图；
图4为传动裂片机缺陷示意图；
图5为本发明实施例1中的晶圆转移装置的俯角主视图；
图6为将图5中的晶圆固定装置隐藏后的俯视主视图；
图7为图6的仰角主视图；
图8为图6的侧视图；
图9为本发明实施例1中的支撑台的剖视图；
图10为图9中的I放大图；
图11为本发明实施例1中的第一底座上的结构主视图；
图12为本发明实施例1中的第二底座上的结构主视图；
图13为本发明实施例1中的第一底座转动的原理示意图；图14为本发明实施例1中的第一底座升降的原理示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明进行详细的描述：
如图5-13所示，晶圆裂片装置包括支撑台1。优选支撑台1的形状与待裂片的晶圆形状相适应。支撑台1开设有多个第一凹槽11和多个第二凹槽12。每个第一凹槽11和每个第二凹槽12均与通过抽真空管13与抽真空装置(图中未示出)连通。通过每个抽真空管13可独立地进行抽真空处理。第一凹槽11和第二凹槽12呈条状，且第一凹槽11的宽度大于第二凹槽12的宽度。作为本发明的优选实施例，第一凹槽11数目与第二凹槽12数目相同。每个第二凹槽12位于其中一个第一凹槽11的一侧。第一凹槽11的长度与晶圆上的裂痕的长度相适应。第一凹槽11的槽底向下弯曲，呈弧形。(如图9和10所示)晶圆裂片装置还包括晶圆固定装置20。晶圆固定装置20用于夹持绷膜框01，从而将晶圆03固定在支撑台1的上方。
晶圆裂片装置还包括第一底座2。支撑台1可水平移动地设置在第一底座2上。晶圆裂片装置还包括第一驱动装置，第一驱动装置为第一电机31。第一电机31设置在第一底座2上，通过第一传动装置驱动支撑台1水平往复移动。第一传动装置为丝杠螺母，丝杠螺母包括螺纹配合的螺母41和第一丝杆42。第一丝杆42通过两个间隔设置的丝杆支架43可转动地设置在第一底座2上。螺母41套设在第一丝杆42上，并与支撑台1连接。第一电机31通过第一传动带44驱动第一丝杆42转动，从而驱动螺母41沿第一丝杆42移动。螺母41移动时，带动支撑台1水平移动。
第一底座2上还包设置第一导向装置，第一导向装置包括相配合的导轨61和滑块62。导轨61设置在第一底座2上，滑块62设置在导轨61上并可沿导轨61滑动。螺母41或支撑台1与滑块62连接。第一导向装置可防止支撑台1歪斜，确保支撑台1移动时的稳定。
本发明的优选实施例还包括第一位置检测装置和控制主机(图中未示出)。第一位置检测装置用于检测支撑台1的位置，并向控制主机发送信号。控制主机控制第一电机31工作，并根据第一位置检测装置的信号决定第一电机31启动和停止。
第一位置检测装置包括第一接近开关71和第一凸片72。第一凸72安装在螺母42上，与支撑台1同步移动。第一接近开关71位于第一凸片72的行进路线上。第一接近开关71根据第一凸片72是否位于第一接近开关71的检测范围内，向控制主机发出不同的信号。控制主机根据第一接近开关71的信号不同，决定第一电机31的工作。第一凸片72位于第一接近开关71的检测范围内，第一接近开关71向控制主机发出一种信号，控制主机根据该种信号控制第一电机31继续转动，驱动螺母移动。第一凸片7位于第一接近开关71的检测范围的临界点或超出第一接近开关71的检测范围时，第一接近开关71向控制主机发出另一种信号或者无信号，控制主机根据该状况控制第一电机31反转，驱动螺母42反向移动。
晶圆裂片装置还包括第二底座8。第一底座2上安装有转轴21。转轴21可转动地安装在第二底座6上。第二底座2上安装有第二驱动装置。第二驱动装置为第二电机32。如图13所示，第二电机32通过电机支架321安装在第二底座8上。转轴21贯穿电机支架321后通过第二传动装置与第二电机32的动力输出轴传动连接。第二电机32通过第二传动装置驱动转轴21转动，从而驱动第一底座2和支撑台1转动。第二传动装置包括第二传动带45。第二传动带45绕在第二电机32的动力输出轴和转轴21上。
本发明的优选实施例中，还包括第二导向装置，第二导向装置包括相配合的导向杆63和弧形槽64。导向杆63安装于第一底座2上，弧形槽64设置于第二底座8上。导向杆63插置于弧形槽64内，并可沿弧形槽64移动，用于限制第一底座2的转动轨迹。更优选地是，弧形槽64为通槽，导向杆63穿过弧形槽64。
第二底座2上还设置有第二位置检测装置。第二位置检测装置用于检测支撑台2的转动角度，并向控制主机发送信号。控制主机控制所述第二电机32工作，并根据第二位置检测装置的信号决定第二电机32的停止或启动。第二位置检测装置包括第二凸片73和两个第二接近开关74。第二凸片73与支撑台1同步转动。第二接近开关74间隔设置，位于第二凸片73的移动路径上。第二接近开关74根据第二凸片73是否位于第二接近开关74的检查范围内发送不同的信号。控制主机根据第二接近开关74的信号不同，决定第二电机32是否工作及工作方向。第二凸片73移动至第二接近开关74的检查范围内，第二接近开关74发送信号至控制主机，控制主机控制第二电机32停止工作，或控制第二电机32反转，驱动支撑台1反转。
控制主机控制第二电机32停止工作后，第一底座2会因惯性而存在继续转动的趋势，故可通过限位装置进一步限制第一底座2的转动角度，从而阻止支撑台2继续转动。限位装置包括同步板9，同步板9一端为弧形。同步板9弧形的一端安装于转轴21上，同步板9随转轴21转动。第二凸片73安装于同步板9弧形的一端。第二底座8上安装有两个止动块81。两个止动块81间隔设置，位于同步板9另一端的转动路线上，用于阻止同步板9转动，从而阻止转轴21转动。止动块81为柔性材料制成，可防止撞击磨损。还包括套筒91。套筒91的两端分别与第一底座2和同步板9连接。导向杆63贯穿套筒91。套筒91对第一底座2具有一定的支撑作用，使第一底座2上的一部分重量从转轴21转移至套筒91，提高了第一底座2和支撑台1转动时的稳定性。
晶圆裂片装置还包括第三驱动装置，第三驱动装置为第三电机33。如图7和图14所示，第三电机33安装在转轴21的端部，与转轴21同步转动。第三电机33通过第三传动装置驱动支撑台1升降。第三传动装置包括螺纹配合的第二丝杆46和螺纹套筒47。螺纹套筒47的一端与第一底座2连接，转轴21套设在螺纹套筒47外，通过轴向的滑槽和凸块连接。当转轴21在第三电机33的驱动下转动时，通过滑槽和凸块的配合带动螺纹套筒47同步转动，通过螺纹套筒47的转动带动第一底座2转动。第三电机33通过第三传动带48驱动第二丝杆46转动，驱动螺纹套筒47沿第二丝杆46升降，从而通过转轴21带动转轴第一底座2和支撑台1升降。螺纹套筒47升降的过程中，凸块沿滑槽移动，从而使螺纹套筒47和转轴21可沿轴向相对移动。当转轴21在第二电机32的驱动下转动时，带动第三电机33整体随转轴21转动，从而带动第二丝杆46同步转动。而转轴21转动的同时又会带动螺纹套筒47同步转动，即转轴21转动时，第二丝杆46和螺纹套筒47保证相对静止。
晶圆裂片装置还包括扩膜桶10，扩膜桶10安装在第一底座2上。扩膜桶10具有桶腔，支撑台1设置于桶腔101内。
本发明的晶圆裂片装置的使用方法如下：
通过晶圆固定装置10夹持承载有待裂片的晶圆03的晶圆承载框，并使晶圆03位于支撑台1的上方。晶圆03上切割有纵向裂痕041和横向裂痕042。
启动第三电机33，使支撑台1上升靠近晶圆，或者与承载框上的薄膜接触。逐个开启一个第一凹槽11上连通的抽真空管13及该第一凹槽11相邻的第二凹槽12上连通的抽真空管13。通过抽真空，使上述第一凹槽11和第二凹槽11内处于负压状态。第二凹槽12经晶圆固定吸附住，第一凹槽11内的负压具有使一排块状晶圆031陷入第一凹槽11内，将纵向裂痕拉断，使该排块状晶圆与其余晶圆分离。启动第一电机31，使支撑台1水平往复移动一距离，以确保该排块状晶圆031确实能够分离。
支撑台1上设有与晶圆03上的每一个纵向裂痕041相对应的第一凹槽11，可通过对所有第一凹槽11同时抽真空，使晶圆上的纵向裂痕041同时断裂。大大缩短了裂片所需时间，提高了裂片效率。
在纵向分离后，使支撑台1下降与晶圆03具有一距离。启动第二电机32，使支撑台1转动90度，使第一凹槽11及第二凹槽12与横向裂痕042平行。并重复抽真空及水平移动支撑台1步骤，使横向裂痕断裂。
本发明中的横向、纵向、顺时针、逆时针均以图3为参考，本发明中的上、下、左、右、水平、竖直均以图8为参考，为清楚地描述本发明而使用的相对概念，并不构成对权利要求范围的限制。
本发明中的实施例仅用于对本发明进行说明，并不构成对权利要求范围的限制，本领域内技术人员可以想到的其他实质上等同的替代，均在本发明保护范围内。

Claims (18)

1.晶圆裂片装置，其特征在于，包括支撑台和抽真空装置；所述支撑台开设有多个第一凹槽；所述第一凹槽与抽真空装置连通；所述抽真空装置用于将所述第一凹槽内抽真空；所述支撑台还开设有多个第二凹槽；每个所述第二凹槽设置在一个所述第一凹槽一侧；所述第二凹槽与抽真空装置连通；第一凹槽的宽度大于第二凹槽的宽度；通过抽真空，使所述第一凹槽和第二凹槽内处于负压状态；所述第二凹槽用于将晶圆固定吸附住；所述第一凹槽内的负压用于使一排块状晶圆陷入第一凹槽内，将纵向裂痕拉断，使该排块状晶圆与其余晶圆分离。
2.根据权利要求1所述的晶圆裂片装置，其特征在于，还包括第一驱动装置，所述支撑台可水平移动地设置；所述第一驱动装置驱动所述支撑台或通过第一传动装置驱动所述支撑台水平往复移动。
3.根据权利要求2所述的晶圆裂片装置，其特征在于，还包括第一底座；所述第一传动装置为丝杠螺母；所述丝杠螺母包括螺纹配合的第一丝杆和螺母；所述第一丝杆可转动地安装在所述第一底座上；所述第一驱动装置驱动所述第一丝杆转动；所述螺母与所述支撑台连接。
4.根据权利要求2或3所述的晶圆裂片装置，其特征在于，还包括第一导向装置；所述第一导向装置包括相配合的导轨和滑块；所述滑块可沿所述导轨滑动地设置在所述导轨上；所述导轨和所述滑块其中之一与所述支撑台连接，另一个固定安装。
5.根据权利要求2所述的晶圆裂片装置，其特征在于，还包括第一位置检测装置和控制主机，所述第一位置检测装置用于检测支撑台的位置，并向所述控制主机发送信号；所述控制主机控制所述第一驱动装置工作，并根据所述第一位置检测装置的信号决定第一驱动装置启动和停止。
6.根据权利要求5所述的晶圆裂片装置，其特征在于，所述第一位置检测装置包括第一接近开关和第一凸片；所述第一凸片与所述支撑台同步移动；所述第一接近开关位于所述第一凸片的行进路线上；所述第一接近开关根据所述第一凸片是否位于所述第一接近开关的检测范围内，向所述控制主机发出不同的信号；所述控制主机根据所述第一接近开关的信号不同，决定所述第一驱动装置的工作。
7.根据权利要求1所述的晶圆裂片装置，其特征在于，还包括第二驱动装置；所述支撑台可转动地设置；所述第二驱动装置驱动所述支撑台转动或通过第二传动装置驱动所述支撑台转动。
8.根据权利要求7所述的晶圆裂片装置，其特征在于，还包括第一底座；所述支撑台安装于所述第一底座上；所述第一底座上安装有转轴；所述第二驱动装置驱动转轴转动或通过所述第二传动装置驱动所述转轴转动以驱动所述第一底座和支撑台转动。
9.根据权利要求8所述的晶圆裂片装置，其特征在于，还包括第二位置检测装置和控制主机，所述第二位置检测装置用于检测所述支撑台的转动角度，并向所述控制主机发送信号；所述控制主机控制所述第二驱动装置工作，并根据所述第二位置检测装置的信号决定所述第二驱动装置的停止或启动。
10.根据权利要求9所述的晶圆裂片装置，其特征在于，所述第二位置检测装置包括第二凸片和两个第二接近开关，所述第二凸片与所述支撑台同步转动；所述第二接近开关间隔设置，位于所述第二凸片的转动路线上；所述第二接近开关根据所述第二凸片是否位于所述第二接近开关的检测范围内发送不同的信号；所述控制主机根据第二接近开关的信号不同，决定第二驱动装置的是否工作及工作方向。
11.根据权利要求8所述的晶圆裂片装置，其特征在于，还包括第二底座和第二导向装置；所述转轴可转动地安装于所述第二底座上；所述第二导向装置用于限制所述第一底座的转动轨迹；所述第二导向装置包括安装于第一底座上的导向杆和设置于所述第二底座上的弧形槽；所述导向杆插置于所述弧形槽内，并可沿所述弧形槽移动。
12.根据权利要求11所述的晶圆裂片装置，其特征在于，还包括限位装置；所述限位装置用于限制所述第一底座的转动角度；所述限位装置包括同步板；所述同步板一端为弧形；所述同步板弧形的一端安装于所述转轴上；所述同步板随所述转轴转动；所述弧形的一端安装有第二凸片；所述第二底座上安装有两个止动块；所述两个止动块间隔设置，位于所述同步板另一端的转动路线上。
13.根据权利要求12所述的晶圆裂片装置，其特征在于，还包括套筒；所述套筒的两端分别与所述第一底座和所述同步板连接；所述导向杆贯穿所述套筒。
14.根据权利要求1所述的晶圆裂片装置，其特征在于，还包括第三驱动装置；所述支撑台可升降地设置；所述第三驱动装置驱动所述支撑台上升和下降或通过第三传动装置驱动所述支撑台上升和下降。
15.根据权利要求14所述的晶圆裂片装置，其特征在于，所述第三传动装置包括第二丝杆和螺纹套筒；所述第二丝杆与所述螺纹套筒螺纹配合；所述第二丝杆与所述螺纹套筒其中之一受所述第三驱动装置驱动旋转，另一个与所述支撑台连接。
16.根据权利要求1所述的晶圆裂片装置，其特征在于，还包括扩膜桶；所述扩膜桶具有桶腔；所述支撑台设置于所述桶腔内。
17.根据权利要求1所述的晶圆裂片装置，其特征在于，还包括晶圆固定装置，所述晶圆固定装置用于将晶圆固定。
18.根据权利要求1所述的晶圆裂片装置，其特征在于，还包括控制主机，所述支撑台还开设有多个第二凹槽；每个所述第二凹槽设置在一个所述第一凹槽一侧；所述第二凹槽与抽真空装置连通；所述控制主机用于控制所述第一凹槽及所述第二凹槽与所述抽真空装置的连通和关闭。
CN201410559484.3A 2014-10-20 2014-10-20 晶圆裂片装置 Expired - Fee Related CN104409386B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410559484.3A CN104409386B (zh) 2014-10-20 2014-10-20 晶圆裂片装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410559484.3A CN104409386B (zh) 2014-10-20 2014-10-20 晶圆裂片装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104409386A CN104409386A (zh) 2015-03-11
CN104409386B true CN104409386B (zh) 2018-05-15

Family

ID=52647002

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410559484.3A Expired - Fee Related CN104409386B (zh) 2014-10-20 2014-10-20 晶圆裂片装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104409386B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105932107B (zh) * 2016-05-27 2017-06-20 江西日普升能源科技股份有限公司 一种光伏电池片的拨片设备及其拨片方法
CN109065494B (zh) * 2018-07-27 2020-10-20 广东阿达智能装备有限公司 封装设备及其晶圆蓝膜的张紧和调节装置
CN111007080B (zh) * 2019-12-25 2022-07-12 成都先进功率半导体股份有限公司 一种晶圆裂纹检查装置
CN112201600B (zh) * 2020-10-14 2024-03-08 北京中科镭特电子有限公司 一种晶圆劈裂扩片装置及晶圆裂片扩片方法
CN112885746B (zh) * 2021-01-20 2023-05-23 中国科学院微电子研究所 一种裂片装置
CN112895183B (zh) * 2021-01-20 2022-08-02 中国科学院微电子研究所 一种裂片装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3976288A (en) * 1975-11-24 1976-08-24 Ibm Corporation Semiconductor wafer dicing fixture
SG132495A1 (en) * 1998-03-13 2007-06-28 Towa Corp Nest for dicing, and method and apparatus for cutting tapeless substrate using the same
JP4361516B2 (ja) * 2005-06-10 2009-11-11 キヤノンマシナリー株式会社 ウェーハ分割方法
CN104838483B (zh) * 2012-12-17 2019-05-21 新加坡科技研究局 晶片划切装置和晶片划切方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104409386A (zh) 2015-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104409386B (zh) 晶圆裂片装置
CN201058765Y (zh) 送料装置
KR100924083B1 (ko) 스크라이빙 장치 및 이를 이용한 기판 절단 장치 및 방법
KR101317877B1 (ko) 취성 재료 기판의 분단 장치
KR101323671B1 (ko) 브레이크 장치 및 브레이크 방법
KR101387123B1 (ko) 파이프 절단기
CN107298283A (zh) 显示面板检查设备和显示面板检测方法
KR101010310B1 (ko) 스크라이빙 장치, 그리고 이를 이용한 기판 절단 장치 및방법
CN105817701A (zh) 全自动管材切割装置
JP2015051864A (ja) 基板反転搬送装置
KR20160023075A (ko) 기판 브레이크 장치
CN207108816U (zh) 液晶玻璃基板掰断装置
CN108147062A (zh) 输送体、输送装置以及划线系统
JP2010163310A5 (zh)
CN204516726U (zh) 晶圆裂片装置
CN216005646U (zh) 一种玻璃掰片装置
KR20110068630A (ko) 레이저를 이용한 유리 기판 절단 가공 장치
JP2014204020A (ja) 加工装置
JP2013008823A (ja) 切断装置
CN210148430U (zh) 一种能够自动清理切割刀上石屑的桥式切石机
CN102110569B (zh) 机械扫描工件的装置
KR20020029556A (ko) 반도체 칩 이송용 픽커
JP2013069965A (ja) ロードポート装置及び被処理物の検出方法
KR101946541B1 (ko) 디스플레이 기판의 브레이킹 장치
CN206218834U (zh) 玻璃基板边光检测用夹持装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20180515

Termination date: 20201020

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee