TWI613057B - 基板分斷裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之基板分斷裝置，在將貼合基板分斷時，壓入量之最佳範圍較寬，能夠確實地形成良好的裂紋，並且尤其能夠容易去除端材。
該裝置，分斷貼合基板G，該貼合基板G具有表面形成有用以切掉端部之刻劃線S的第1基板G1、與貼合於第1基板G1背面的第2基板G2。該分斷裝置，具備具有按壓部11與吸附部12之頭部1。按壓部11從第1基板G1側按壓成為端材之端部GL，以沿刻劃線S分斷端部GL。吸附部12吸附以按壓部11分斷之端部GL，並從第1基板G1取出端部GL。

Description

基板分斷裝置
本發明係關於一種基板分斷裝置，尤其是關於一種具有在表面形成有用以切掉端部之刻劃線的第1基板、與貼合於第1基板背面之第2基板的貼合基板之分斷裝置。
液晶裝置係由貼合基板構成，此貼合基板係藉由密封材將第1基板與第2基板以於其等之間夾有液晶層之方式貼合而成。該貼合基板，從生產性的觀點而言，首先以大尺寸之狀態製作，再藉由將其分斷而獲得複數片貼合基板。詳言之，此分斷方法係先在貼合基板之第1基板側之面形成刻劃線，接著，從第2基板側按壓貼合基板使其撓曲，以沿刻劃線使第1基板裂斷。其次，在貼合基板之第2基板側之面形成刻劃線，接著，從第1基板側按壓貼合基板使其撓曲，以沿刻劃線使第2基板裂斷。
以上方法，在使第1基板裂斷後，必須使貼合基板之表背面反轉後進行第2基板之裂斷。在專利文獻1中揭示有無需將上述貼合基板表背面反轉的裝置。
專利文獻1之裝置，具備第1裂斷單元及第2裂斷單元。藉由搬送單元搬送之貼合基板，首先藉由第1裂斷單元使第1基板裂斷，繼而，藉由第2裂斷單元使第2基板裂斷。如上所述，藉由排列配置於搬送方向之第1裂斷單元及第2裂斷單元，在不將貼合基板表背面反轉之情形 下，使第1基板及第2基板裂斷。
專利文獻1：日本特開2014-200940號公報
專利文獻1之裝置中，第1裂斷單元及第2裂斷單元，於上下方向相對向之位置具有裂斷棒與輔助棒。然而，使用如上述之裂斷棒與輔助棒之方法，裂斷棒之壓入量之最佳範圍狹小。例如，對厚度為0.2mm之玻璃基板而言，最佳之壓入量為0.2mm~0.3mm。此外，當壓入量較該範圍淺時無法形成裂紋，相反地，當較深時，會有形成至相反側基板之預期外的形狀之裂紋。
本發明之課題在於：在將貼合基板分斷時，壓入量之最佳範圍較寬，能夠確實地形成良好的裂紋，尤其能夠容易地去除端材。
(1)本發明之一側面的基板分斷裝置，係分斷貼合基板，此貼合基板具有表面形成有用以切掉端部之刻劃線的第1基板、與貼合於第1基板背面的第2基板。該分斷裝置，具備具有按壓部與吸附部之頭部。按壓部，係從第1基板側按壓端部以沿刻劃線分斷端部。吸附部，係吸附以按壓部分斷之端部並從第1基板取出端部。按壓部具有用於按壓端部之按壓面，吸附部具有較按壓面更往貼合基板側突出形成、用以吸附端部之吸附面。
此裝置，並非如習知般從形成有刻劃線側之相反側按壓基板，相反地，係從形成有刻劃線之側按壓基板。且將藉由按壓分斷之端部由吸附部加以吸附，從基板取出。
藉由上述分斷，按壓量之最佳範圍相較於習知變得更寬，且 能夠確實地形成良好的裂紋。此外，能夠藉由吸附部，容易地將分斷之端部從基板去除。
此處，若將按壓部之按壓面與吸附部之吸附面設定成相同高度(亦即同一水平面)，則在利用吸附部吸附被分斷之端部時，按壓部會接觸基板其他部分之表面。如此一來，恐有按壓部接觸之基板表面受損之虞。因此，係使吸附面較按壓面突出。據此，在以吸附部之吸附面吸附端部時，能夠避免按壓部之按壓面接觸基板表面。
(2)較佳為：此裝置進一步具備載置貼合基板之平台，且頭部構成為可相對平台於橫方向及上下方向移動。
(3)較佳為：按壓部係以在按壓端部時可彈性變形之彈性構件形成。
(4)較佳為：吸附部係以多孔質材料形成。
如上述之本發明，在進行貼合基板之分斷時，壓入量之最佳範圍較寬，能夠確實地形成良好的裂紋，並且能容易地去除端材。
1‧‧‧頭部
2‧‧‧平台
11‧‧‧按壓部
11a‧‧‧按壓面
12‧‧‧吸附部
12a‧‧‧吸附面
G‧‧‧貼合基板
G1‧‧‧第1基板
G2‧‧‧第2基板
GL‧‧‧端材
S‧‧‧刻劃線
圖1，係本發明之一實施形態之基板分斷裝置之示意圖。
圖2，係用以說明基板分斷方法之按壓步驟之示意圖。
圖3，係用以說明基板分斷方法之基板移動步驟之示意圖。
圖4，係用以說明基板分斷方法之吸附步驟之示意圖。
圖5，係用以說明基板分斷方法之端材取出步驟之示意圖。
圖6，係用以說明基板分斷方法之端材排出步驟之示意圖。
圖1係本發明之一實施形態之基板分斷裝置之示意圖。此裝置，係用以去除位於貼合基板G之一方表面之端部的端材GL的裝置。貼合基板G，如圖1所示，由第1基板G1、與貼合於第1基板G1之第2基板G2構成。此處，在第1基板G1之表面形成刻劃線S，沿此刻劃線S去除端材GL。
分斷裝置，具有複數個頭部1、與平台2。複數個頭部1，係於圖1之紙面垂直方向排列被支承於未圖示之支架(gantry)等支承機構。各頭部1，藉由驅動機構M1而升降自如，具有按壓部11、與吸附部12。平台2，以第1基板G1位於上方之方式載置貼合基板G。此外，貼合基板G，以端材GL位於平台2之端面外側之方式，亦即以在端材GL下方不存在平台2之載置面之方式配置。平台2，可藉由包含驅動馬達或導引機構等之驅動機構M2，於圖1之左右方向移動。
頭部1之按壓部11，對貼合基板G從第1基板G1側按壓端材GL。藉此，使端材GL沿刻劃線S分斷。按壓部11，以剛性較第1基板G1低之樹脂等形成。因此，按壓部11可在按壓端材GL時彈性變形。
吸附部12，配置於按壓部11之側方(沿平台2之移動方向的側方)。吸附部12，以多孔質材料形成，透過設於頭部1之內部的通路等及外部配管3與真空泵P連接。
按壓部11之下面，為接觸端材GL往下方按壓之按壓面11a。又，吸附部12之下面，形成為較按壓面11a突出於下方(第1基板G1側)，用以吸附端材GL之吸附面12a。
接下來，說明從貼合基板G分斷出第1基板G1之端材GL，並將被分斷之端材GL從第1基板G1取出之方法。
首先，準備貼合有第1基板G1及第2基板G2之貼合基板G，藉由未圖示之刻劃線形成裝置，在第1基板G1之表面(未貼合第2基板G2之側的表面)形成刻劃線S。
接下來，將貼合基板G載置於平台2之載置面。此處，在將貼合基板G載置於平台2上時，以如下方式載置。亦即，如圖1所示，以表面形成有刻劃線S之第1基板G1位於上方、且刻劃線S及端部(成為端材之部分)GL較平台2之載置面位於外側之方式，配置貼合基板G。並進一步配置成端材GL位於頭部1之按壓部11正下方、且與吸附部12錯開(頭部1下降時吸附部12不會接觸端材GL)。
接下來，如圖2所示，使頭部1下降，以按壓部11將按壓端材GL壓向下方。此時，由於在端材GL之下方不存在平台2之載置面，因此藉由以按壓部11按壓端材GL之部分，於第1基板G1，即以刻劃線S為起點形成裂紋，將端材GL完全切開。
之後，如圖3所示，使頭部1上升，進一步使平台2往圖3之左方向移動。此時，使平台2移動，以使頭部1之吸附部12位於端材GL之正上方之方式。
接下來，如圖4所示，使頭部1下降，將吸附部12抵接端材GL。藉此，端材GL被吸附並保持於吸附部12。於此狀態下，如圖5所示，使頭部1上升。藉此，從第1基板G1切掉端材GL。
之後，如圖6所示，使平台2後退(往圖之右方向移動)，使 貼合基板G從頭部1之下方退出。然後，若解除吸附部12之吸附的話，端材GL即掉落至端材棄置場。
如以上之本實施形態之方法中，例如厚度為0.2mm之貼合基板之情形時，壓入量之最佳範圍，相對於習知方法之0.2mm~0.3mm，擴大至0.2mm~0.5mm。
又，由於係使按壓面11a與吸附面12a存在高低差，以使吸附面12a位於下方，因此在藉由吸附部12吸附端材GL時，能夠避免按壓面11a接觸第1基板G1之表面。從而，能夠避免第1基板G1之表面因按壓部11而損傷。
[其他實施形態]
本發明並不限定於以上之實施形態，在不脫離本發明之範圍下可進行各種變形或修改。
1‧‧‧頭部
2‧‧‧平台
3‧‧‧配管
11‧‧‧按壓部
11a‧‧‧按壓面
12‧‧‧吸附部
12a‧‧‧吸附面
G‧‧‧貼合基板
G1‧‧‧第1基板
G2‧‧‧第2基板
GL‧‧‧端材
M1‧‧‧驅動機構
M2‧‧‧驅動機構
P‧‧‧真空泵
S‧‧‧刻劃線

Claims (5)

  1. 一種基板分斷裝置，係分斷貼合基板，此貼合基板具有表面形成有用以切掉端部之刻劃線的第1基板、與貼合於該第1基板背面之第2基板，其特徵在於：具備具有按壓部與吸附部之頭部，該按壓部係從該第1基板側按壓該端部以沿該刻劃線分斷該端部，該吸附部係吸附以該按壓部分斷之該端部並從該第1基板取出該端部；該按壓部具有用於按壓該端部之按壓面；該吸附部具有較該按壓面往該貼合基板側突出形成、用以吸附該端部之吸附面。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板分斷裝置，其進一步具備載置該貼合基板之平台；該頭部係構成為可相對該平台於橫方向及上下方向移動。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板分斷裝置，其中，該按壓部係以在按壓該端部時可彈性變形之彈性構件形成。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之基板分斷裝置，其中，該吸附部係以多孔質材料形成。
  5. 如申請專利範圍第3項之基板分斷裝置，其中，該吸附部係以多孔質材料形成。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108526721B (zh) * 2018-06-12 2020-10-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种改善激光切割工艺中倒角区域缺陷的方法及装置
KR102671725B1 (ko) * 2019-06-17 2024-06-05 주식회사 탑 엔지니어링 단재 제거 장치
JP2021095313A (ja) 2019-12-18 2021-06-24 三星ダイヤモンド工業株式会社 端材除去装置及び端材除去方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201427805A (zh) * 2013-01-09 2014-07-16 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd 吸附反轉裝置
TW201432842A (zh) * 2013-02-07 2014-08-16 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd 基板加工裝置
TW201439019A (zh) * 2013-04-02 2014-10-16 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd 裂斷裝置
TWI472492B (zh) * 2011-04-06 2015-02-11 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd Breaking device and breaking method
TWI492909B (zh) * 2013-03-31 2015-07-21 平田機工股份有限公司 玻璃板切斷裝置及玻璃板切斷方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4051422B2 (ja) * 2001-12-05 2008-02-27 三菱電機株式会社 基板分断方法および基板分断装置
KR101322531B1 (ko) 2012-05-21 2013-10-28 세메스 주식회사 반도체 소자들을 픽업하기 위한 장치
KR101383644B1 (ko) * 2012-06-01 2014-04-09 이종철 기판 분리 장치 및 이를 이용한 기판 분리 방법
JP6043149B2 (ja) * 2012-10-29 2016-12-14 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板のブレイク装置および脆性材料基板のブレイク方法
JP6105414B2 (ja) * 2013-07-08 2017-03-29 三星ダイヤモンド工業株式会社 貼り合わせ基板の加工装置
JP6140012B2 (ja) * 2013-07-08 2017-05-31 三星ダイヤモンド工業株式会社 貼り合わせ基板のブレイク方法
JP6582630B2 (ja) * 2015-07-03 2019-10-02 三星ダイヤモンド工業株式会社 基板分断装置及び基板分断方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI472492B (zh) * 2011-04-06 2015-02-11 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd Breaking device and breaking method
TW201427805A (zh) * 2013-01-09 2014-07-16 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd 吸附反轉裝置
TW201432842A (zh) * 2013-02-07 2014-08-16 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd 基板加工裝置
TWI492909B (zh) * 2013-03-31 2015-07-21 平田機工股份有限公司 玻璃板切斷裝置及玻璃板切斷方法
TW201439019A (zh) * 2013-04-02 2014-10-16 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd 裂斷裝置

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