TWI387136B - 半導體及其形成方法與覆晶式發光二極體封裝結構 - Google Patents

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Description

半導體及其形成方法與覆晶式發光二極體封裝結構
本發明是有關於一種發光二極體裝置，且特別是有關於一種具有大致均勻電極分佈之發光二極體裝置及其形成方法。
發光二極體裝置是以較低的耗電特性取代傳統光源而被廣泛的應用。特別是，隨著氮化鎵(GaN)發光二極體的發展，包括散發出高照度之藍或綠光、完整色彩之發光二極體顯示、白光發光二極體以及用於交通號誌燈之發光二極體被引進於市場中。然而，相較於傳統光源而言，發光二極體裝置需要更精確的電流與熱管理。舉例而言，藍寶石的低熱傳導性通常會產生高連續熱電阻於發光二極體裝置中。
覆晶式發光二極體裝置的發展是為了提高習知之發光二極體裝置的散熱與電流分佈。舉例而言，覆晶式發光二極體裝置可包括一表面黏著型基板，其例如是一矽基板，以提升熱傳導性，特別是在高功率的應用中。此外，在覆晶式發光二極體中之發光二極體晶片的佈局通常設計為提高熱擴散與分佈。舉例而言，由於發光二極體晶片的佈局設計，因此p電極的圖案化金屬線與n電極的圖案化金屬線被利用以作為傳導電流。此外，p電極與n電極通常配置環繞發光二極體晶片的側表面，或著，p電極與n電極配置於一共同區域(common area)。
圖1是根據習知設計之一種於習知發光二極體裝置中之p電極與n電極佈局的示意圖。發光二極體裝置100可包括多個排列成列的p電極與n電極。舉例而言，請參考圖1，發光二極體裝置100可包括二列分別於左邊緣與右邊緣的n電極以及位於n電極之間的三列p電極。P電極與n電極交替排列，因此每一p電極(例如是p電極101)位於兩相鄰之n電極(例如是n電極107、108)的中心線上，且每一n電極(例如是n電極108)位於兩相鄰之p電極(例如是p電極101、104)的中心線上。此外，相鄰的p電極與n電極之間的距離不固定。舉例而言，p電極101與n電極107之間的距離不同於p電極101與n電極109或n電極110之間的距離。另外，n電極108與p電極104之間的距離不同於n電極108與p電極105或p電極106之間的距離。
雖然圖1所示之發光二極體裝置100相較於習知之發光二極體裝置可有效提升電流與熱管理，但仍然不是最理想的。舉例而言，由於不均勻的距離，在發光二極體裝置100中應用的電流分佈路徑具有不同的長度，因而沿著電流路徑之內部連續電阻也不同。因此，形成不同電位差於不同電極對，且不均勻分佈的電流將會影響發光二極體裝置100。舉例而言，電極對101-104與電極對101-105具有一不同電位差。這樣電流擴散困難且分佈不均勻將會導致降低氮化鎵(GaN)藍或綠發光二極體的亮度(brightness)與出光效率。
形成一透光電流擴散層於p型氮化鎵層之上表面，於某些程度上可提高在發光二極體裝置的電流分佈。這樣的結構下，電流可於穿過金屬電極後進入電流擴散層。此外，在金屬電極之一區域下的電流密度仍然高於電流擴散層下的電流密度，且大部分的電流流量擠進金屬電極下的區域。因此，需要再提高電流擴散層與p型氮化鎵層之間的接觸電阻。
有鑑於此，在此技術領域中，需要一種具有較佳發光二極體封裝結構，以改善上述缺點。
在一態樣中，本發明揭露一種半導體。半導體可包括一具有一第一表面的透光層。半導體可更包括一形成於透光層之第一表面上的第一摻雜層。第一摻雜層可具有多個形成於其上的第一型金屬電極。半導體可更包括一形成於透光層之第一表面上的第二摻雜層。第二摻雜層可具有多個形成於其上的第二型金屬電極。半導體可更包括一形成於透光層之第一表面上且配置於第一摻雜層與第二摻雜層之間的主動層。這些第一型金屬電極與這些第二型金屬電極可以是交替排列，且每一第一型金屬電極與其相鄰的這些第二型金屬電極之間的距離實質上相等。
在另一態樣中，本發明揭露一種覆晶式發光二極體封裝結構。覆晶式發光二極體封裝結構可包括一封裝基板以及一發光二極體裝置。發光二極體裝置可包括一具有一第一表面與一相對於第一表面之第二表面的透光層。發光二極體裝置可更包括一形成於透光層之第一表面上的第一摻雜層。第一摻雜層可具有多個形成於其上的第一型金屬電極。發光二極體裝置可更包括一形成於透光層之第一表面上的第二摻雜層。第二摻雜層可具有多個形成於其上的第二型金屬電極。發光二極體裝置也可包括一形成於透光層之第一表面上且配置於第一摻雜層與第二摻雜層之間的主動層。這些第一型金屬電極與這些第二型金屬電極可以是交替排列，且每一第一型金屬電極與其相鄰的這些第二型金屬電極之間的距離實質上相等。發光二極體裝置之透光層面向遠離封裝基板的第二表面倒覆於封裝基板上。發光二極體裝置透過這些第一型金屬電極與這些第二型金屬電極電性連接至封裝基板。
在又另一態樣中，本發明揭露一種半導體的形成方法。方法可包括提供一具有一第一表面的透光層。方法可更包括形成一第一摻雜層於透光層的第一表面上。第一摻雜層具有多個形成於其上的第一型金屬電極。方法可更包括形成一主動層於透光層的第一表面上。方法也可包括形成一第二摻雜層於透光層的第一表面上。第二摻雜層具有多個形成於其上的第二型金屬電極。這些第一型金屬電極與這些第二型金屬電極可以是交替排列，且每一第一型金屬電極與其相鄰的這些第二型金屬電極之間的距離實質上相等。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
參考附圖來詳細介紹本發明的多種實施例。在全文中所有可能的情況下，於描述和附圖中，使用相似的元件符號來代表相同或類似的元件。
圖2為根據本發明之一實施例之一發光二極體晶片的剖面示意圖。發光二極體晶片200可包括一透光層201、一n型摻雜層202、一n型電極203、一主動層204、一p型摻雜層205、一光傳遞層(light-transmitting layer)206以及一p型電極207。透光層201可以是一導電或不導電基板。透光層201的材料可包括高折射指數的材料，其例如是光可從材料/空氣表面的介面反射回材料中。於其他實施例中，透光層201的材料可以選擇自碳化矽(silicon carbide)、藍寶石(sapphire)、砷化物(arsenide)、磷化物(phosphide)、氧化鋅(zinc oxide,ZnO)以及氧化鎂(magnesium oxide)所組成的材料群中的一種材料。舉例而言，氮化鎵(GaN)/氮化鎵銦(InGaN)發光二極體可採用藍寶石基板。
n型摻雜層202、主動層204、p型摻雜層205以及光傳遞層206的形成方法例如是於透光層201上進行一系列連續磊晶製程(epitaxy process)。n型摻雜層202與p型摻雜層205的材料可是由一III-V族化合物半導體材料所構成，例如是一氧化鎵銦(InGaN)半導體、一氮化鋁鎵(AlGaN)半導體或一氧化鎵(GaN)半導體。舉例而言，藍色發光二極體通常是以寬頻帶能隙(wide band gap)之氮化鎵(GaN)半導體與氮化鎵銦(InGaN)半導體作為基底。n電極203可以是n金屬電性連接至n型摻雜層202的一部分。類似地，p電極207可以是p金屬電性連接至p型摻雜層205的一部分。
主動層204例如是一單一或多重量子井(multi-quantum well)結構，用以提高出光效率。一或多氮化鎵銦(InGaN)量子井可配置於n型摻雜層202與p型摻雜層205之間。於其它實施例中，出光可透過多種在氮化鎵銦(InGaN)量子井中相關氮化銦(InN)-氮化鎵(GaN)的部分而產生多種形式，例如是，紫色(violet)變琥珀色(amber)。舉例而言，綠色發光二極體可以是從氮化鎵銦(InGaN)-氮化鎵(GaN)的系統中製造出來。
光傳遞層206可形成於p型摻雜層205與p電極207之間。於其它實施例中，光傳遞層206的材質可包括氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)，但也包括例如是氧化銦錫(ITO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銦鋅(IZO)、摻鋁氧化鋅(ZnO:Al)、氧化鎵鋅(ZnGa2 O4 )、摻銻氧化錫(SnO2 :Sb)、摻錫氧化鎵(Ga2 O3 :Sn)、摻錫氧化銀銦(AgInO2 :Sn)、摻鋅氧化銦(In2 O3 :Zn)、氧化銅鋁(CuAlO2 )、鑭銅氧硫化合物(LaCuOS)、氧化鎳(NiO)、氧化銅鎵(CuGaO2 )、氧化鍶銅(SrCu2 O2 )或其他具有類似性質之透明導電材。
於其它實施例中，多個發光二極體晶片200可形成於一共用透光層201上，且排列形成一特定圖案(certain pattern)。圖3為根據本發明之一實施例之一種在半導體中之發光二極體晶片佈局的示意圖。請參考圖3，發光二極體晶片的排列使得p電極與n電極交錯排列配置於半導體300上。每一p電極(例如是p電極31)位於四個相鄰之n電極(例如是n電極32-35)的中間，且每一n電極(例如是n電極35)位於介於兩相鄰之p電極(例如是p電極31與36-38)的中心線上。因此，每一n電極與其相鄰的p電極之間的距離也大致相等。舉例而言，p電極31與每一n電極32-35之間的距離大致相等。
此外，請再參考圖3，每二相鄰之p電極之間的距離大致相等，而每二相鄰之n電極之間的距離也大致相等。舉例而言，p電極31、36之間的距離與p電極31、38之間的距離相等。類似地，n電極32、33之間的距離與n電極32、34之間的距離相等。於其它實施例中，只要p電極與n電極等距離，請參考圖3，p電極的位置與n電極的位置可互換(interchanged)。
圖4為根據本發明之一實施例之一種在打線接合式半導體中之發光二極體晶片佈局的示意圖。請參考圖4，打線接合式半導體400也可包括如同3所示之多個交替排列的發光二極體晶片。此外，打線接合式半導體400可更包括一連接至n電極的第一圖案化金屬線410以及一連接至p電極的第二圖案化金屬線420。於其它實施例中，第一圖案化金屬線410的材料可由如同於n電極中的金屬材料，且第一圖案化金屬線410電性連接至二或多個p電極(例如是p電極41與46-48)。雖然於圖3與圖4中，介於p電極與n電極之間的距離相等，但於實做的過程中，p電極與n電極之間的距離會因為微小變異性而可能是大致相同。
圖5為符合圖4與圖5所揭示之實施例p電極與n電極分佈於由多個發光二極體晶片所構成之半導體中的示意圖。請參考圖5，p電極與n電極交替排列且於每一p-n電極對中具有大致相等的距離。因此，藉由等電位(equivalent potential)，一相同電路(equivalent circuit)可根據形成p-n電極對的每一p電極與每一n電極之間固定電位差而形成。
舉例而言，請參考5，a表示每二相鄰之p電極之間的距離(例如是p電極1、2之間與p電極1、4之間)，而b表示每二相鄰之n電極之間的距離(例如是介於n電極12、8之間與p電極12、13)。c和d表示相鄰之p電極與n電極之間的距離。舉例而言，c表示每一p電極(例如p電極5)與環繞p電極的四個n電極(例如是n電極3與n電極6-8)之間的距離。d表示每一n電極(例如n電極3)與環繞n電極的四個p電極(例如是p電極1、2、4、5)之間的距離。於圖3與圖4之實施例中，a設計大致相等於b，且c設計大致相等於d。
根據電極的排列，半導體300、400可當作多個平行子晶片的裝配，其中每一p電極具有大致相同等電位，且每一n電極也具有大致相同的等電位。因此，V1=V2=V4=V5=Cp,且V3=V6=V7=V8=Cn,其中Cp為一p電極的固定電壓電位，而Cn為一n電極的固定電壓電位。因此，介於每一p-n電極對的電位差為一固定值ΔV=V1-V3=V2-V3=V4-V3=V5-V3=V5-V6=V5-V7=V5-V8。在本實施例中，具有微小變異性之p電極與n電極之間的距離實質上相同，具有微小變異性之p電極的電壓電位、n電極的電壓電位以及介於每一p-n電極對的電位差實質上為固定的。
圖6A為依據習知設計之一種發光二極體結構的示意圖，相較於圖6B為根據本發明之一實施例之一種發光二極體結構的示意圖。請參考圖6A，習知之發光二極體結構600，p電極601與n電極602具有不同厚度且佔據不同區域。因此，發光二極體結構600具有較高破裂可能性以及較高熱應力。相較於圖6A之習知技術，本實施例之發光二極體結構610包括實質上具有相同厚度與佔據實質上相同區域的p電極603與n電極604。此外，發光二極體結構610之每一電極體積小於習知之發光二極體結構600的每一電極體積。因此，可降低熱應力與破裂可能性，且發光二極體結構610可具有較多彈性於不同設計應用中。
圖7為符合圖5與圖6B所揭示之實施例在一半導體700中之電子流分佈的示意圖。請參考圖7，以圖5之具有大致相同電位分佈的p電極701、702與n電極703以及圖6B之結構的設計，電流可從一單一輸入點至一單一輸出點而通過發光二極體晶片。因此，p電極與n電極之間的電位差可為固定的，而電流可較為均勻分布且分散於形成每一p-n電極對的每一p-n接合處。舉例而言，p電極701與n電極703之間、p電極702與n電極703之間的電流路徑在每一電極701-703底下的分佈較為均勻。因此，可提升發光二極體晶片的出光效率。
圖3中之發光二極體晶片的佈局可應用於形成一覆晶式發光二極體封裝結構。圖8為根據本發明之一實施例之一種覆晶式發光二極體裝置的剖面示意圖。覆晶式發光二極體裝置800可包括一揭露於圖3中且由一透光層801、一n型摻雜層802、多個n電極803、一p型摻雜層804以及多個p電極805所組成之半導體300。於其它實施例中，覆晶式發光二極體裝置800可更包括一位於n型摻雜層802與p型摻雜層804之間的主動層(未繪示)。覆晶式發光二極體裝置800可更包括一封裝基板810、一包括多個金屬凸塊的金屬凸塊層806、一焊墊層807以及一保護層809。
於其它實施例中，圖2所繪示之具有多個發光二極體晶片的半導體300可以倒覆於封裝基板810上，以使得多個n電極803與多個p電極805面向封裝基板810，且透光層801面向遠離封裝基板810。透光層801可例如包括一碳化矽(silicon carbide)、一藍寶石(sapphire)、一氧化鎵(GaN)與一氮化鋁鎵(AlGaN)基板。封裝基板810例如為一陶瓷(ceramic)基板、氧化鋁(Al2 O3 )基板、氮化鋁(AlN)基板或矽(silicon)基板，但並不以此為限。
半導體30與封裝基板810透過金屬凸塊層806與焊墊層807電性連接。舉例而言，請參考圖8，多個n電極803透過多個金屬凸塊電性連接至封裝基板810。多個p電極805透過多個金屬凸塊與金或其他形式的共晶釘狀凸塊(eutectic stud bumps)電性連接至封裝基板810。在本實施例中，金屬凸塊層806與焊墊層807也可應用於覆晶式發光二極體裝置800，用以作為電流傳導路徑與散熱路徑，可更提升發光二極體裝置的可靠度。於其它實施例中，覆晶式發光二極體裝置800也可包括一形成於n型摻雜層802上的保護層809。
圖9為符合圖2至圖4所揭示之實施例之形成一半導體與一覆晶式發光二極體裝置之操作步驟的流程圖。於其它實施例中，過程900可包括一形成半導體300的子過程91以及一形成覆晶式發光二極體裝置800的子過程92。雖然子過程91與子過程92相連接且共同地描述於過程900中，但每一子過程可分別進行且彼此獨立。
過程900可開始於提供一透光層201(步驟911)。步驟912是形成一第一摻雜層於透光層201上，其中第一摻雜層例如是一n型摻雜層202。步驟913是形成一具有多重量子井的主動層204於第一摻雜層上。步驟914是形成一第二摻雜層於主動層204上，其中第二摻雜層例如是一p型摻雜層205。在其它實施例中，步驟911-914可採用高折射指數的材料，其例如是光可從材料/空氣表面的介面反射回材料中。於其它實施例中，步驟911-914可透過磊晶製程(epitaxy process)來進行。
步驟915是形成金屬電極於分別的摻雜層上。舉例而言，形成n電極於n型摻雜層202上，且形成p電極於p型摻雜層205上。於其它實施例中，在步驟911-915之後，移除n型摻雜層202的一部分、主動層204的一部分以及p型摻雜層205的一部分，其中移除的方法例如是蝕刻製程或其他適當的方式，但並不以此為限。因此，圖案化n型摻雜層202、主動層204以及p型摻雜層205以形成多個絕緣島狀結構。於其他實施例中，在上述之絕緣島狀結構中，p型摻雜層205、主動層204以及n型摻雜層202的一部分被移除，因此n電極電性連接至n型摻雜層202，而p電極電性連接至p電極205。
在本實施例中，p電極與n電極形成交替排列，因此每一p電極與其相鄰的n電極之間的距離實質上相等。每二相鄰之p電極之間的距離與每二相鄰之n電極之間的距離實質上相等。於其他實施例中，先形成p電極的線，之後在形成n電極的線於p電極的旁邊。每一n電極可形成於兩相鄰之p電極的中心線上，且n電極之間跨過p電極之中心線的垂直距離可設定為每兩相鄰之p電極之間距離的一半。此外，形成p電極其他的線緊連於n電極的線，其中介於p電極的新線與p電極的第一線之間的距離可實質上相等於每兩相鄰之p電極之間的距離。
於其他實例中，如同圖4之實施例，形成一或多金屬路徑以電性連接p電極或n電極(步驟916)。步驟916是可選擇性的於過程900中進行。舉例而言，半導體300的形成可無步驟916，而半導體400的形成可包括步驟916。於步驟916之後，已完成子過程91。
子過程92可從提供一封裝基板810開始(步驟921)。步驟922是形成一具有多個金屬凸塊的金屬凸塊層806於封裝基板810上。步驟923是有選擇性的形成一具有多個金芽凸塊(gold bud bumps)的焊墊層807於金屬凸塊層806上。因此，填充一絕緣材料於n型摻雜層802、n電極803、p型摻雜層804、p電極805與金屬凸塊層806之間，以形成一保護層809。
步驟924是藉由步驟911-915形成一半導體倒覆於金屬凸塊層806與焊墊層807上，此時電極面向封裝基板810而透光層201面向遠離封裝基板810。步驟925是半導體電性連接至封裝基板810。於其他實施例中，p電極與n電極透過金屬凸塊層806與焊墊層807電性連接至封裝基板810。於步驟925之後，已完成子過程92與過程900。
本發明可以有多種實施方式，並不限於上述所提及之實施例。舉例而言，雖然於上述實施例中是揭露氮化鎵(GaN)藍或綠光發光二極體(或紫外光-發光二極體)與氮化鎵(GaN)覆晶式發光二極體封裝結構，但半導體以及半導體的形成方法可應用於習知之其他包括多個發光二極體晶片之任合形式的發光二極體裝置中。此外，所揭露之半導體除了應用於覆晶式發光二極體封裝結構外，也可應用於形成發光二極體封裝結構，以提升電流分佈與出光效率。另外，雖然於本實施例中，n型摻雜層形成於透光層上，而p型摻雜層形成於主動層上，但本發明也可適當的將導電型摻雜層交換。因此，一p型摻雜層可形成於透光層上，而一n型摻雜層可形成於主動層上。
上述所揭露的半導體具有p電極與n電極交替排列於其上，且每一p電極與其相鄰之n電極之間的距離實質上為固定的，而每二p電極(或n電極)之間的距離實質上為固定的。所揭露的半導體用以當作一多個平行子晶片的裝配，當每一子晶片具有相同內電阻與相同電位差時，每一子晶片具有相同的電流量。因此，所揭露之半導體以及半導體的形成方法可有效提升電流擴散(current diffusion)與電流分佈(current distribution)。故，所揭露的系統可提升發光二極體裝置的亮度(brightness)與出光效率。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1、2、4～5、9～10、14、31、36～38、41、46～48、101～106、207、601、603、701～702、805p．．．電極
3、6～8、11～13、32～35、42～45、107～110、203、602、604、703、803‧‧‧n電極
91、92‧‧‧子過程
100‧‧‧發光二極體裝置
200‧‧‧發光二極體晶片
201、801‧‧‧透光層
202、802‧‧‧n型摻雜層
204‧‧‧主動層
205、804‧‧‧p型摻雜層
206‧‧‧光傳遞層
300、700‧‧‧半導體
400‧‧‧打線接合式半導體
410‧‧‧第一圖案化金屬線
420‧‧‧第二圖案化金屬線
600、610‧‧‧發光二極體結構
800‧‧‧覆晶式發光二極體封裝結構
806‧‧‧金屬凸塊層
807‧‧‧焊墊層
809‧‧‧保護層
810‧‧‧封裝結構
900‧‧‧過程
911~916、921~925‧‧‧步驟
圖1是根據習知設計之一種於習知發光二極體裝置中之p電極與n電極佈局的示意圖。
圖2為根據本發明之一實施例之一發光二極體晶片的剖面示意圖。
圖3為根據本發明之一實施例之一種在半導體中之發光二極體晶片佈局的示意圖。
圖4為根據本發明之一實施例之一種在打線接合式半導體中之發光二極體晶片佈局的示意圖。
圖5為符合圖4與圖5所揭示之實施例p電極與n電極分佈於由多個發光二極體晶片所構成之半導體中的示意圖。
圖6A為依據習知設計之一種發光二極體結構的示意圖。
圖6B為根據本發明之一實施例之一種發光二極體結構的示意圖。
圖7為符合圖5與圖6B所揭示之實施例在一半導體中之電子流分佈的示意圖。
圖8為根據本發明之一實施例之一種覆晶式發光二極體裝置的剖面示意圖。
圖9為符合圖2至圖4所揭示之實施例之形成一半導體與一覆晶式發光二極體裝置之操作步驟的流程圖。
200．．．發光二極體晶片
201．．．透光層
202．．．n型摻雜層
203．．．n電極
204．．．主動層
205．．．p型摻雜層
206．．．光傳遞層
207．．．p電極

Claims (19)

  1. 一種半導體，包括：一透光層，具有一第一表面；一第一摻雜層，形成於該透光層的該第一表面上，其中該第一摻雜層具有多個形成於其上的第一型金屬電極；一第二摻雜層，形成於該透光層的該第一表面上，其中該第二摻雜層具有多個形成於其上的第二型金屬電極；以及一主動層，形成於該透光層的該第一表面上，且配置於該第一摻雜層與該第二摻雜層之間，其中該些第一型金屬電極與該些第二型金屬電極交替排列，且每一該第一型金屬電極與其相鄰的該些第二型金屬電極之間的距離實質上相等，且介於電極對之該第一型金屬電極與該第二型金屬電極之間的電位差實質上相同。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體，其中該第一摻雜層、該第二摻雜層以及該主動層皆是由一III-V族化合物半導體材料所構成。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之半導體，其中該第一摻雜層為一n型氮化鎵層，該第二摻雜層為一p型氮化鎵層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之半導體，其中電流實質上均勻分佈於每一該第一型金屬電極。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之半導體，其中電流實 質上均勻分佈於每一該第二型金屬電極。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之半導體，其中每一該第一型金屬電極具有一第一相同電位，且每一該第二型金屬電極具有一第二相同電位。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之半導體，更包括一形成於該第一摻雜層上之第一金屬線路徑，以連接至少二該第一型金屬電極，以及一形成於該第二摻雜層上之第二金屬線路徑，以連接至少二該第二型金屬電極。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之半導體，其中該每一該第一型金屬電極的面積與每一該第二型金屬電極的面積實質上相同。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之半導體，其中該半導體為一發光二極體。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之半導體，其中該透光層包括一藍寶石基板。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之半導體，其中該主動層包括至少一多重量子井。
  12. 一種覆晶式發光二極體封裝結構，包括：一封裝基板；以及一發光二極體裝置，包括：一透光層，具有一第一表面與一相對於該第一表面的第二表面；一第一摻雜層，形成於該透光層的該第一表面上，其中該第一摻雜層具有多個形成於其上的第一型 金屬電極；一第二摻雜層，形成於該透光層的該第一表面上，其中該第二摻雜層具有多個形成於其上的第二型金屬電極；以及一主動層，形成於該透光層的該第一表面上，且配置於該第一摻雜層與該第二摻雜層之間，其中該些第一型金屬電極與該些第二型金屬電極交替排列，且每一該第一型金屬電極與其相鄰的該些第二型金屬電極之間的距離實質上相等，且介於電極對之該第一型金屬電極與該第二型金屬電極之間的電位差實質上相同，其中該發光二極體裝置之該透光層面向遠離該封裝基板的該第二表面倒覆於該封裝基板上，且該發光二極體裝置透過該些第一型金屬電極與該些第二型金屬電極電性連接至該封裝基板。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之覆晶式發光二極體封裝結構，更包括形成於該封裝基板與該第二摻雜層之間的一金屬凸塊層與一焊墊層，以提供電流傳導路徑與散熱路徑於該封裝基板與該第二摻雜層之間。
  14. 一種半導體的形成方法，包括：提供一具有一第一表面的透光層；形成一第一摻雜層於該透光層的該第一表面上，其中該第一摻雜層具有多個形成於其上的第一型金屬電極；形成一主動層於該透光層的該第一表面上；以及形成一第二摻雜層於該透光層的該第一表面上，其中 該第二摻雜層具有多個形成於其上的第二型金屬電極；其中該些第一型金屬電極與該些第二型金屬電極交替排列，且每一該第一型金屬電極與其相鄰的該些第二型金屬電極之間的距離實質上相等，且介於電極對之該第一型金屬電極與該第二型金屬電極之間的電位差實質上相同。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之半導體的形成方法，其中該第一摻雜層、該第二摻雜層以及該主動層皆是由一III-V族化合物半導體材料所構成。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之半導體的形成方法，其中該第一摻雜層為一n型氮化鎵層，該第二摻雜層為一p型氮化鎵層。
  17. 如申請專利範圍第14項所述之半導體的形成方法，更包括形成一第一金屬線路徑於該第一摻雜層上，以連接至少二該第一型金屬電極，以及形成一第二金屬線路徑於該第二摻雜層上，以連接至少二該第二型金屬電極。
  18. 如申請專利範圍第14項所述之半導體的形成方法，更包括：提供一封裝基板；倒覆該半導體之該透光層面向遠離該封裝基板的一第二表面於該封裝基板上；以及透過該些第一型金屬電極與該些第二型金屬電極電性連接該半導體至該封裝基板。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之半導體的形成方法，更包括： 形成一金屬凸塊層與一焊墊層於該封裝基板與該第二摻雜層之間，其中該金屬凸塊層與該焊墊層提供電流傳導路徑與散熱路徑於該封裝基板與該第二摻雜層之間。
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