KR101093120B1 - 전류분산을 위한 전극 연장부들을 갖는 발광 다이오드 - Google Patents

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Abstract

전류 분산을 위한 전극 연장부들을 갖는 발광 다이오드가 개시된다. 이 발광 다이오드는, 서로 대향하는 제1측 가장자리 및 제2측 가장자리를 갖는 기판, 상기 기판 상에 배치되고 하부 반도체층 및 상부 반도체층을 포함하는 발광 구조체, 상기 하부 반도체층 상부면에 접하고 상기 제1측 가장자리 근처에 배치된 복수개의 제1 전극패드들, 상기 상부 반도체층 상에 위치하고 상기 제2측 가장자리 근처에 배치된 복수개의 제2 전극패드들, 상기 제1 전극패드들로부터 연장하는 제1 연장부들 및 상기 제2 전극패드들로부터 연장하는 제2 연장부들을 포함함다. 한편, 상기 제1 연장부들은 상기 제1측 가장자리 근처에서 상기 제2측 가장자리 근처로 연장하는 침입부들을 포함하되, 상기 침입부들은 서로 이격되며 상기 제2 전극패드들을 잇는 직선에 도달하기 전에 종단된다. 또한, 상기 제2 연장부들은 상기 제2측 가장자리 근처에서 상기 제1측 가장자리 근처로 연장하는 침입부들을 포함하고, 상기 제1 연장부들의 침입부들은 각각 상기 제2 연장부들의 침입부들 중 두개의 침입부들 사이의 영역으로 연장한다.
발광 다이오드, 전류 분산, 전극패드, 연장부

Description

전류분산을 위한 전극 연장부들을 갖는 발광 다이오드{LIGHT EMITTING DIODE HAVING EXTENSIONS OF ELECTRODES FOR CURRENT SPREADING}
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 특히 전류분산을 위한 전극 연장부들을 갖는 발광 다이오드에 관한 것이다.
GaN 계열의 LED는 현재 천연색 LED 표시소자, LED 교통 신호기, 백색 LED 등 다양한 응용에 사용되고 있다. 최근, 고효율 백색 LED는 형광 램프를 대체할 것으로 기대되고 있으며, 특히 백색 LED의 효율(efficiency)은 통상의 형광램프의 효율에 유사한 수준에 도달하고 있다.
질화갈륨 계열의 발광 다이오드는 일반적으로 사파이어와 같은 기판 상에 에피층들을 성장시키어 형성되며, N형 반도체층, P형 반도체층 및 이들 사이에 개재된 활성층을 포함한다. 한편, 상기 N형 반도체층 상에 N-전극이 형성되고, 상기 P형 반도체층 상에 P-전극이 형성된다. 상기 발광 다이오드는 상기 전극들을 통해 외부 전원에 전기적으로 연결되어 구동된다. 이때, 전류는 P-전극에서 상기 반도체층들을 거쳐 N-전극으로 흐른다.
일반적으로 P형 반도체층은 높은 비저항을 가지므로, P형 반도체층 내에서 전류가 고르게 분산되지 못하고, 상기 P-전극이 형성된 부분에 전류가 집중되며, 다이오드의 가장자리를 통해 전류가 집중적으로 흐르는 문제점이 발생된다. 전류집중은 발광영역의 감소로 이어지고, 결과적으로 발광효율을 저하시킨다. 이러한 문제점을 해결하기 위해, P형 반도체층 상에 비저항이 낮은 투명전극층을 형성하여 전류분산을 도모하는 기술이 사용된다. P-전극으로부터 유입된 전류가 투명전극층에서 분산되어 상기 P-형 반도체층으로 유입되기 때문에 발광 다이오드의 발광영역을 넓힐 수 있다.
그러나, 투명전극층은 광을 흡수하기 때문에 그 두께가 제한되며, 따라서 전류분산에 한계가 있다. 특히 고출력을 위해 사용되는 약 1㎟ 이상의 대면적 발광 다이오드에서 투명전극층을 이용한 전류분산은 한계가 있다.
한편, 상기 전류는 반도체층들을 통해 흘러서 N-전극으로 빠져 나간다. 이에 따라, 상기 N형 반도체층에서 N-전극이 형성된 부분에 전류가 집중되며, 이는 반도체층 내에서 흐르는 전류가 N-전극이 형성된 영역 근처에 집중되는 것을 의미한다. 따라서, N형 반도체층 내의 전류집중을 개선할 수 있는 발광 다이오드가 또한 요구된다.
도 1은 종래기술에 따른 전류 분산을 위한 전극 연장부들을 갖는 발광 다이오드를 나타낸다.
도 1을 참조하면, 발광 다이오드는 통상의 직사각형 형상을 가지며, n-전극패드들(21) 및 p-전극 패드들(31)이 서로 대향하여 모서리 부분들에 위치한다. 상기 n-전극 패드들(21)에서 발광 다이오드의 가장자리를 따라 연장부(23)가 형성되 고, 침입부들(25a, 25b)이 가장자리의 연장부(23)에서 내부로 연장한다. 침입부들(25a, 25b)은 네개의 가장자리들에서 대각선에 평행하게 발광 다이오드 내부로 침입한다.
한편, 침입부들(35a)이 p-전극패드들(31)에서 각각 대각선 방향으로 연장하며, 상기 침입부들(35a)에서 보조 침입부들(35b)이 분기되어 연장한다.
상기 발광 다이오드의 상부면에 투명전극층(39)이 위치한다. 상기 침입부들(35a) 및 보조 침입부들(35b)은 투명전극층(39) 상에 위치하여 전류 분산을 돕는다.
한편 도면에 도시되지는 않지만, 상기 발광 다이오드는 n형 하부 반도체층, p형 상부 반도체층 및 활성층을 포함하며, 상기 투명전극층(39)은 상기 p형 상부 반도체층 상에 배치된다. 또한, 상기 n-전극 패드들(21), 연장부(23) 및 침입부들(25a, 25b)은 n형 하부 반도체층 상에 위치하며, p-전극 패드들(31)은 p형 상부 반도체층 또는 투명 전극층(39) 상에 위치한다.
상기 종래 기술에 따르면, 연장부(23), 침입부들(25a, 25b)을 채택하여 n형 하부 반도체층에서의 전류분산을 돕고, 또한, 침입부들(35a) 및 보조 침입부들(35b)을 배치하여 투명전극층(39)에서의 전류분산을 돕는다.
그러나 상기 종래 기술에 따르면, 상대적으로 넓은 면적을 점유하는 연장부(23)를 형성하기 위해, 상대적으로 넓은 면적의 활성층 및 상부 반도체층을 제거해야 한다. 따라서, 발광면적이 상당히 감소하며, 이에 따라 광 출력이 감소한다. 또한, 발광 다이오드의 전 영역에 걸쳐 고르게 광을 방출하도록 하기 위해 침입부 들(25a, 25b) 및 침입부들(35a, 35b)을 발광 다이오드의 중심을 기준으로 회전 대칭 형태로 배치하고 있으나, 발광 다이오드의 전 영역에 걸쳐 광이 고르게 방출되지 못하고 있으며, 특히 발광 다이오드의 중심 영역에서 광의 방출이 불균일하게 나타난다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 발광 면적의 감소를 완화하면서 동작시 흐르는 전류를 고르게 분산시킬 수 있는 개선된 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 전류분산성능을 개선하여 광출력을 향상시킴과 아울러 순방향 전압을 감소시킬 수 있는 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 전류 분산을 위한 전극 연장부들을 갖는 발광 다이오드를 제공한다. 이 발광 다이오드는, 서로 대향하는 제1측 가장자리 및 제2측 가장자리를 갖는 기판; 상기 기판 상에 배치되고 하부 반도체층 및 상부 반도체층을 포함하는 발광 구조체; 상기 하부 반도체층 상부면에 접하고 상기 제1측 가장자리 근처에 배치된 복수개의 제1 전극패드들; 상기 상부 반도체층 상에 위치하고 상기 제2측 가장자리 근처에 배치된 복수개의 제2 전극패드들; 상기 제1 전극패드들로부터 연장하는 제1 연장부들; 및 상기 제2 전극패드들로부터 연장하는 제2 연장부들을 포함함다. 한편, 상기 제1 연장부들은 상기 제1측 가장자리 근처에서 상기 제2측 가장자리 근처로 연장하는 침입부들을 포함하되, 상기 침입부들은 서로 이격되며 상기 제2 전극패드들을 잇는 직선에 도달하기 전에 종단된다. 또한, 상기 제2 연장부들은 상기 제2측 가장자리 근처에서 상기 제1측 가장자리 근 처로 연장하는 침입부들을 포함하고, 상기 제1 연장부들의 침입부들은 각각 상기 제2 연장부들의 침입부들 중 두개의 침입부들 사이의 영역으로 연장한다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 종래기술과 달리, 상기 제2 연장부들의 침입부들 중 두개의 침입부들이 가장 바깥쪽에 위치한다. 이에 따라, 제1 전극 패드들에서 연장하는 연장부들의 면적을 감소시킬 수 있으며, 따라서 발광 면적 감소를 방지할 수 있다. 또한, 상기 제2 연장부들의 침입부들이 상기 제1 연장부들의 침입부들 각각의 양측 영역을 감싸는 형태로 배치되기 때문에 전류 분산을 고르게 할 수 있다.
나아가, 상기 제1 연장부들의 침입부들의 각 단부들에서 그것들이 각각 연결된 제1 전극 패드들까지의 길이는 실질적으로 모두 동일하고, 상기 제2 연장부들의 침입부들의 각 단부들에서 그것들이 각각 연결된 제2 전극 패드들까지의 길이는 실질적으로 모두 동일하다.
한편, 상기 제2 연장부들의 침입부들 중 최외측에 배치된 두 개의 침입부들은 상기 제1 전극패드들의 중심들보다 상기 제1측 가장자리에 더 가까운 위치까지 연장할 수 있다.
또한, 상기 제2 연장부들은 인접한 제2 전극패드들을 연결하는 연결부를 더 포함할 수 있으며, 상기 제2 연장부들의 침입부들 중 적어도 하나는 상기 제2 전극패드들을 연결하는 연결부에서 제1측 가장자리 근처로 연장할 수 있다.
한편, 상기 제2 연장부들은 상기 연결부에서 제1측 가장자리 근처로 연장하는 침입부와 상기 연결부가 접하는 위치에서 상기 침입부의 양측으로 연장하는 세 리프들(serif)을 더 포함할 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 제1 연장부들의 침입부들은 상기 제1 전극패드들로부터 직접 상기 제2측 가장자리 근처로 연장할 수 있다. 상기 제1 연장부들은 인접한 제1 전극패드들을 연결하는 연결부를 더 포함할 수 있다.
다른 실시예들에 있어서, 상기 제1 연장부들의 침입부들 중 적어도 하나는 상기 제1 전극패드들을 연결하는 연결부에서 상기 제2측 가장자리 근처로 연장할 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 제1 연장부들의 침입부들 및 상기 제2 연장부들의 침입부들은 각각 상기 제1측 가장자리 및 상기 제2측 가장자리에 평행한 보조침입부들을 가질 수 있다.
다른 실시예들에 있어서, 상기 제1 연장부들의 침입부들은 단일의 라인일 수 있다. 즉, 상기 제1 연장부들의 침입부들은 상기와 같은 보조 침입부들을 전혀 갖지 않을 수 있다. 나아가, 상기 제2 연장부들의 침입부들 또한 상기와 같은 보조침입부들을 전혀 갖지 않을 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 제2 전극 패드들을 연결하는 연결부는 제2측 가장자리를 따라 직선 형태일 수 있다.
다른 실시예들에 있어서, 상기 제2 전극 패드들을 연결하는 연결부는 곡선형태일 수 있다. 이 연결부는 상기 제2 전극 패드들에서 상기 제2측 가장자리로쪽으로 가까워지는 곡선형태일 수 있다.
한편, 상기 제2 전극패드들을 연결하는 연결부에서 상기 제1측 가장자리 근 처로 연장하는 침입부들 중 하나는 와인컵의 단면 형상을 갖도록 하나의 선에서 두개의 선으로 분기하여 연장할 수 있다. 상기 두개의 선은 와인컵의 형상과 같이 곡면 형상으로 연장한 후 직선 형상으로 연장할 수 있다.
나아가, 상기 제1 연장부들은 상기 제1 전극패드들을 연결하는 연결부를 더 포함할 수 있으며, 상기 제1 연장부들의 침입부들 중 하나는 상기 제1 전극패드들을 연결하는 연결부에서 상기 제2측 가장자리 근처로 연장하되, 상기 와인컵 단면 형상의 침입부의 두개의 선 사이의 영역으로 연장할 수 있다.
또한, 상기 제1 연장부들은 상기 제1 전극패드들에서 직접 상기 제2측 가장자리 근처로 연장하는 침입부들을 포함할 수 있으며, 이 침입부들은 그 끝 부분이 상기 와인컵 단면의 컵 바닥부분의 곡선형태를 따라 굴곡질 수 있다.
나아가, 상기 제1 전극패드들에서 직접 상기 제2측 가장자리 근처로 연장하는 침입부들의 바깥쪽에 위치하는 제2 연장부들의 침입부들은 상기 제1 전극패드들에서 직접 상기 제2측 가장자리 근처로 연장하는 침입부들의 끝 부분의 형상에 대응하여 굴곡질 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 전극 연장부들을 형성함에 따라 발생되는 발광 면적의 감소를 완화하면서 전류 분산 성능을 개선할 수 있는 발광 다이오드를 제공할 수 있다. 또한, 종래 기술에 비해 광출력을 향상시키고 순방향 전압을 감소시킬 수 있는 발광 다이오드를 제공할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이고, 도 3은 도 2의 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도, 도 4는 도 2의 절취선 B-B를 따라 취해진 단면도이다.
도 2, 3 및 4를 참조하면, 상기 발광 다이오드는 기판(71), 하부 반도체층(73), 활성층(75), 상부 반도체층(77), 투명전극층(79), 복수개의 제1 전극패드들(51), 복수개의 제2 전극패드들(61), 제1 연장부들, 제2 연장부들을 포함한다. 또한, 상기 발광 다이오드는 보조 침입부들(53a, 63a) 및 세리프(65b)를 포함할 수 있다.
상기 기판(71)은 특별히 한정되지 않으며, 사파이어 기판일 수 있다. 상기 기판(71)은 서로 마주보는 가장자리들을 가지며, 이들 가장자리들은 서로 평행할 수 있다. 상기 기판(71)은 직사각형 혹은 정사각형 형상을 가질 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 기판(71) 상에 발광 구조체가 위치하며, 상기 발광 구조체는 하부 반도체층(73), 활성층(75) 및 상부 반도체층(77)을 포함한다. 상기 하부 반도체층(73) 은 n형일 수 있으며, 상기 상부 반도체층(77)은 p형일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 서로 반대의 도전형일 수 있다. 상기 하부 반도체층(73)과 상기 상부 반도체층(77) 사이에 활성층(75)이 개재된다.
상기 하부 반도체층(73), 활성층(75) 및 상부 반도체층(77)은 질화갈륨 계열의 화합물 반도체 물질, 즉, (Al, In, Ga)N으로 형성될 수 있다. 상기 활성층(75)은 요구되는 파장의 광 예컨대 자외선 또는 청색광을 방출하도록 조성 원소 및 조성비가 결정되며, 하부 반도체층(73) 및 상부 반도체층(77)은 상기 활성층(75)에 비해 밴드갭이 큰 물질로 형성된다.
상기 하부 반도체층(73) 및/또는 상부 반도체층(77)은, 도시한 바와 같이, 단일층으로 형성될 수 있으나, 다층 구조로 형성될 수도 있다. 또한, 활성층(75)은 단일 양자웰 또는 다중 양자웰 구조를 가질 수 있다. 또한, 상기 기판(71)과 하부 반도체층(73) 사이에 버퍼층(도시하지 않음)이 개재될 수 있다.
상기 반도체층들(73, 75, 77)은 MOCVD 또는 MBE 기술을 사용하여 형성될 수 있으며, 사진 및 식각 공정을 사용하여 상기 하부 반도체층(73)의 영역들이 노출되도록 패터닝될 수 있다.
투명전극층(79)은 상부 반도체층(77)을 덮으며, ITO 또는 Ni/Au로 형성될 수 있다. 투명전극층(79)은 상부 반도체층에 비해 비저항이 낮아 전류를 분산시키는 역할을 한다.
한편, 상기 제1 전극패드들(51)은 상기 하부 반도체층(73) 상부면에 접하고 상기 기판(71)의 제1측 가장자리 근처에 배치된다. 상기 제1 전극패드들(51)은 예 컨대 n-전극 패드들로서, 외부전원과 발광 다이오드를 연결하기 위해 와이어가 본딩되는 패드들이다. 상기 제2 전극패드들(61)은 상기 상부 반도체층(77) 상에 위치하고 상기 제1측 가장자리에 대향하는 상기 기판(71)의 제2측 가장자리 근처에 배치된다. 제2 전극패드들(61)은 예컨대 p-전극 패드들로서, 도 3에 도시된 바와 같이, 투명전극층(79)을 관통하여 상부 반도체층(77)에 접할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 투명전극층(79) 상에 위치할 수도 있다.
상기 제1 전극패드들(51)에서 제1 연장부들이 연장하고 제2 전극패드들(61)에서 제2 연장부들이 연장한다. 본 실시예에 있어서, 상기 제1 연장부들은 제1 전극패드들(51)에서 제2측 가장자리 근처로 직접 연장하는 침입부들(53), 상기 침입부들(53)로부터 양측으로 연장하는 보조 침입부들(53a) 및 상기 제1 전극패드들을 연결하는 연결부(55)를 포함한다. 상기 제1 연장부들은 도전성 금속, 예컨대 Ti/Al로 형성될 수 있다. 여기서, "제2측 가장자리 근처"는 그 끝 단부가 제1측 가장자리에 비해 제2측 가장자리에 가까운 것을 나타낸다.
상기 침입부들(53)은 제1 전극패드들(51)에서 직접 제2측 가장자리 근처로 연장하며, 이들 침입부들(53)은 실질적으로 동일한 길이, 폭 및 두께를 갖는다. 따라서, 상기 침입부들(53)의 대응되는 위치는 거의 동일한 전위를 갖는다. 또한, 상기 침입부들(53)은 제2 전극패드들(61)을 잇는 직선에 도달하기 전에 종단된다. 상기 침입부들(53)은 서로 이격되어 연장하며, 서로 평행할 수 있다. 예컨대, 상기 기판(71)이 직사각형 형상을 갖는 경우, 상기 침입부들(53)은 상기 기판의 양측 가장자리와 평행할 수 있다. 한편, 상기 보조 침입부들(53a)은 상기 침입부들(53)에서 그 양측으로 연장한다. 상기 보조 침입부들(53a)은 발광 다이오드의 넓은 영역에 걸쳐 전류 분산을 돕는다. 상기 연결부(55)는 제1 전극 패드들(51)을 연결하여 상기 제1 전극 패드들(51)이 실질적으로 거의 동일한 전위가 되도록 하며, 또한, 제1 전극 패드들(51)의 사이의 영역에서 전류가 분산되도록 한다.
한편, 상기 제2 연장부들은 침입부들(63, 65), 제2 전극패드들(61)을 연결하는 연결부(67), 침입부들(63)과 제2 전극패드들(61)을 연결하는 연결부(69)를 포함하며, 상기 침입부들(63, 65)에서 연장하는 보조 침입부들(63a, 65a) 및 세리프(65b)를 포함할 수 있다.
상기 침입부들(63)은 제2측 가장자리 근처에서 제1측 가장자리 근처로 연장한다. 여기서, "제1측 가장자리 근처"는 그 끝 단부가 제2측 가장자리에 비해 제1측 가장자리에 가까운 것을 나타낸다. 침입부들(63)은 발광 다이오드의 최외측에 위치하며, 상기 제1 전극패드들(51)의 중심들보다 상기 제1측 가장자리에 더 가까운 위치까지 연장할 수 있다. 이들 침입부들(63)은 제2측 가장자리를 따라 위치하는 연결부(69)를 통해 제2 전극패드들(61)에 연결된다. 한편, 상기 침입부들(63)의 일측으로 보조 침입부들(63a)이 연장할 수 있다.
한편, 침입부(65)는 연결부(67)에서 제1측 가장자리 근처로 연장한다. 침입부(65)는 제1 전극패드들을 연결하는 연결부(55)에 도달하기 전에 종단된다. 침입부(65)는 두개의 제2 전극패드들(61)을 연결하는 연결부(67)의 중심에서 연장할 수 있으며, 그 양측으로 보조 침입부들(65a)이 연장할 수 있다.
침입부들(63, 65)은 실질적으로 동일한 폭 및 두께로 형성될 수 있으며, 침입부들(63)의 단부에서 제2 전극패드들(61)까지의 연장부의 길이는 침입부(65)의 단부에서 제2 전극패드들(61)까지의 연장부의 길이와 실질적으로 동일한 것이 바람직하다. 따라서, 상기 침입부들(63, 65)의 대응되는 위치는 거의 동일한 전위를 가질 수 있다.
한편, 상기 연결부(67)와 침입부(65)가 만나는 위치에 세리프들(65b)이 형성될 수 있다. 세리프(65b)는 침입부들(63)과 연결부(69)가 만나는 위치에도 추가로 형성될 수도 있다. 세리프(65b)는 전류가 분산되기 어려운 사각지대에서 전류 분산을 돕는다.
제2 연장부들, 예컨대 침입부들(63)과 침입부(65) 사이의 영역들로 침입부들(53)이 각각 연장한다. 즉, 상기 제2 연장부들의 침입부들(63, 65)이 제1 연장부들의 침입부들(53)을 감싸는 형태로 침입부들(53, 63, 65)이 배치된다. 또한, 상기 침입부들(53)의 일 지점에서 그 양측에 배치된 침입부들(63, 65)까지의 거리는 동일한 것이 바람직하다. 또한, 보조 침입부들(53a) 및 보조 침입부들(63a, 65a)은 상기 제1측 가장자리 및 제2측 가장자리에 평행하게 형성될 수 있으며, 보조 침입부들(53a)이 보조 침입부들(63a 또는 65a)의 사이의 영역으로 연장하는 것이 바람직하다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다. 본 실시예에 따른 발광 다이오드는, 제2 전극패드들, 제1 연장부들, 제2 연장부들을 제외하면 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명한 발광 다이오드와 대체로 유사하므로 중복을 피하기 위해 동일한 사항에 대해서는 설명을 생략한다.
도 5를 참조하면, 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이, 제1 전극패드들(81)이 하부 반도체층(73) 상부면에 접하고 기판(71)의 제1측 가장자리 근처에 배치된다. 한편, 제2 전극패드들(91)은 상부 반도체층(77) 상에 위치하고 제1측 가장자리에 대향하는 상기 기판(71)의 제2측 가장자리 근처에 배치된다. 제2 전극패드들(91)은, 도 3을 참조하여 설명한 바와 같이, 투명전극층(79)을 관통하여 상부 반도체층(77)에 접할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 투명전극층(79) 상에 위치할 수도 있다.
상기 제1 전극패드들(81)에서 제1 연장부들이 연장하고 제2 전극패드들(91)에서 제2 연장부들이 연장한다. 본 실시예에 있어서, 상기 제1 연장부들은 침입부들(83, 85) 및 연결부(87)를 포함한다. 상기 제1 연장부들은 도전성 금속, 예컨대 Ti/Al로 형성될 수 있다.
침입부들(83)은 제1 전극패드들(81)에서 제2측 가장자리 근처로 직접 연장하며, 이들 침입부들(53)은 실질적으로 동일한 길이, 폭 및 두께를 갖는다. 따라서, 상기 침입부들(83)의 대응되는 위치는 거의 동일한 전위를 갖는다. 또한, 상기 침입부들(83)은 제2 전극패드들(91)을 잇는 직선에 도달하기 전에 종단된다. 한편, 연결부(87)가 제1 전극패드들(81)을 연결할 수 있으며, 침입부(85)는 상기 연결부(87)로부터 제2측 가장자리 근처로 연장한다. 연결부(87)는 제1측 가장자리를 따라 직선 형태로 제1 전극패드들(81)을 연결할 수 있으며, 상기 침입부(85)는 상기 연결부(87)에 수직하게 상기 연결부(87)로부터 연장할 수 있다.
한편, 상기 침입부들(83)은 각각 제1 전극패드들(81)로부터 대체로 상기 침 입부(85)에 평행하게 연장하는 직선부(83a)와 상기 직선부(83a)의 단부에서 곡선 형태로 굴곡진 곡선부(83b)를 가질 수 있다. 상기 직선부들(83a) 및 상기 침입부(85)는, 예컨대, 상기 기판(71)이 직사각형 형상을 갖는 경우, 상기 기판의 양측 가장자리와 평행할 수 있다. 상기 곡선부들(83b)에 대해서는 뒤에서 다시 설명한다. 상기 침입부들(83)과 침입부(85)는 서로 이격되어 연장한다.
한편, 상기 제2 연장부들은 침입부들(93, 95), 연결부(97), 세리프(95c)를 포함할 수 있다. 상기 침입부들(93)은 제2측 가장자리 근처에서 제1측 가장자리 근처로 연장한다. 상기 침입부들(93)은 제2 전극패드들(91)에서 곡선 형태로 굴곡진 곡선부(93a)와 상기 곡선부(93a)에서 직선 형태로 연장하는 직선부(93b)를 포함할 수 있다. 상기 곡선부(93a)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 곡선부(83b)와 유사한 형태로 굴곡지며, 따라서 곡선부(93a)와 곡선부(83b) 사이의 거리는 동일하게 유지된다. 한편, 상기 직선부(95b)는 직선부(83a)와 평행하다. 침입부들(93)은 발광 다이오드의 최외측에 위치하며, 상기 제1 전극패드들(81)의 중심들보다 상기 제1측 가장자리에 더 가까운 위치까지 연장할 수 있다.
한편, 연결부(97)는 제2 전극패드들(91)을 연결하며, 도시한 바와 같이, 곡선 형태를 취할 수 있다. 상기 연결부(97)는 곡선부(93a)의 연장선일 수 있으며, 이에 따라, 도시된 바와 같이, 상기 곡선부들(93a)과 상기 연결부(97)가 함께 돔의 단면 형상을 취할 수 있다.
한편, 침입부(95)는 연결부(97)에서 제1측 가장자리 근처로 연장한다. 상기 침입부(95)는 상기 연결부(97)에서 하나의 선(95a)으로 연장한 후 두개의 선(95b) 으로 분기하여 연장한다. 상기 두개의 선들(95b)은 곡선형태로 연장한 후 다시 직선형태로 연장한다. 상기 두개의 선들(95b)은 동일한 길이를 가지며, 제1 전극패드들(81)을 연결하는 연결부(87)에 도달하기 전에 종단된다. 이에 따라, 상기 침입부(95)는 와인컵의 단면 형상을 가지며, 상기 두개의 선들(95b) 사이의 영역으로 침입부(85)가 연장한다.
상기 두개의 선들(95b)의 곡선 형태를 따라 상기 침입부들(83)의 곡선부들(83b)이 굴곡지며, 이 곡선부들(83b)의 곡선 형태를 따라 상기 침입부들(93)의 곡선부들(93a) 및 연결부(97)가 굴곡진다. 이에 따라, 제1 연장부의 침입부들(83, 85)과 그것에 인접한 제2 연장부의 침입부들(93, 95) 사이의 거리를 일정하게 유지할 수 있다.
한편, 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이, 연결부(97)와 침입부(95)가 만나는 위치에 세리프(95c)가 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 침입부(85)와 침입부(95)의 하나의 선(95a)은 동일선 상에 위치할 수 있으며, 상기 발광 다이오드는 이 선을 중심으로 대칭 구조일 수 있다. 부연하면, 침입부들(93)은 서로 대칭 형상을 갖고 실질적으로 동일한 길이를 가질 수 있으며, 침입부들(83) 또한 서로 대칭 형상을 갖고 실질적으로 동일한 길이를 가질 수 있다. 따라서, 침입부들(93)은 대응되는 위치에서 실질적으로 동일한 전위를 가질 수 있으며, 침입부들(83)은 대응되는 위치에서 실질적으로 동일한 전위를 가질 수 있다. 나아가, 침입부들(93)의 단부에서 제2 전극패드들(91)까지의 길이는 침입부(95)의 두개의 선들(95b)의 단부들에서 제2 전극패드들(91)까지의 길이와 실질적으로 동일할 수 있다. 또한, 침입부들(83)의 단부들에서 제1 전극패드들(81)까지의 길이는 침입부(85)의 단부에서 제1 전극패드들(81)까지의 길이와 실질적으로 동일할 수 있다.
한편, 본 실시예에 있어서는, 앞의 실시예와 달리, 보조 침입부들이 생략되며, 따라서 발광 면적 감소를 더욱 완화할 수 있다.
(실험예)
발광 구조체의 적층 구조, 투명전극층을 동일한 조건에서 형성하고, 도 1(비교예), 도 2(실시예 1) 및 도 5(실시예 2)에 도시된 전극패드들 및 연장부들의 형태를 갖는 발광 다이오드들을 제작하여 발광 면적, 광 출력 및 350mA에서의 순방향 전압을 측정하여 아래 표 1에 요약하였다. 여기에 사용된 발광 다이오드의 크기는 1.1×1.1 mil2이었으며, 상기 발광 다이오드 내 활성층 면적, 제2 전극패드들 및 제2 연장부들의 면적을 레이아웃으로부터 계산하여 구하고 활성층 면적에서 제2 전극패드들 및 제2 연장부들의 면적을 빼서 발광 면적을 구했으며, 도 1의 발광 다이오드를 기준으로 상대값으로 나타내었다.
비교예 실시예 1 실시예 2
활성층 면적 100 105.07 104.78
제2 전극패드들 및 제2 연장부들의 면적의 합 100 138.66 117.68
발광 면적 100 101.84 103.554
광 출력 100 106.07 107.49
순방향 전압(@350mA) 100 97.81 98.09
표 1을 참조하면, 실시예 1 및 2의 경우, 비교예에 비해 활성층 면적이 4 내지 5% 큰 것을 알 수 있고, 또한 제2 전극패드들 및 제2 연장부들의 면적이 상대적으로 증가하였음에도 발광 면적이 상대적으로 큰 것을 알 수 있다. 또한, 비교예에 비해 실시예 1 및 2의 경우 광출력이 6 내지 7% 개선되었으면 순방향 전압은 약 2% 정도 감소하였다.
도 1은 종래기술에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 도 2의 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도이다.
도 4는 도 2의 절취선 B-B를 따라 취해진 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다.

Claims (16)

  1. 서로 대향하는 제1측 가장자리 및 제2측 가장자리를 갖는 기판;
    상기 기판 상에 배치되고 하부 반도체층 및 상부 반도체층을 포함하는 발광 구조체;
    상기 하부 반도체층 상부면에 접하고 상기 제1측 가장자리 근처에 배치된 복수개의 제1 전극패드들;
    상기 상부 반도체층 상에 위치하고 상기 제2측 가장자리 근처에 배치된 복수개의 제2 전극패드들;
    상기 제1 전극패드들로부터 연장하는 제1 연장부들; 및
    상기 제2 전극패드들로부터 연장하는 제2 연장부들을 포함하고,
    상기 제1 연장부들은 상기 제1측 가장자리 근처에서 상기 제2측 가장자리 근처로 연장하는 침입부들을 포함하되, 상기 침입부들은 서로 이격되며 상기 제2 전극패드들을 잇는 직선에 도달하기 전에 종단되고,
    상기 제2 연장부들은 상기 제2측 가장자리 근처에서 상기 제1측 가장자리 근처로 연장하는 침입부들을 포함하고,
    상기 제1 연장부들의 침입부들은 각각 상기 제2 연장부들의 침입부들 중 두개의 침입부들 사이의 영역으로 연장하고,
    상기 제2 연장부들은 인접한 제2 전극패드들을 연결하는 연결부를 더 포함하고,
    상기 제2 연장부들의 침입부들 중 적어도 하나는 상기 제2 전극패드들을 연결하는 연결부에서 제1측 가장자리 근처로 연장하고,
    상기 제2 연장부들은 상기 연결부에서 제1측 가장자리 근처로 연장하는 침입부와 상기 연결부가 접하는 위치에서 상기 침입부의 양측으로 연장하는 세리프들을 더 포함하는 발광 다이오드.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 연장부들과 상기 상부 반도체층 사이에 개재되고, 상기 상부 반도체층을 덮는 투명전극층을 더 포함하는 발광 다이오드.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 연장부들의 침입부들의 각 단부들에서 상기 제1 연장부들의 침입부들이 각각 연결된 제1 전극 패드들까지의 길이는 모두 동일하고,
    상기 제2 연장부들의 침입부들의 각 단부들에서 상기 제2 연장부들의 침입부들이 각각 연결된 제2 전극 패드들까지의 길이는 모두 동일한 발광 다이오드.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 연장부들의 침입부들 중 최외측에 배치된 두 개의 침입부들은 상기 제1 전극패드들의 중심들보다 상기 제1측 가장자리에 더 가까운 위치까지 연장하는 발광 다이오드.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 연장부들의 침입부들은 상기 제1 전극패드들로부터 직접 상기 제2측 가장자리 근처로 연장하는 발광 다이오드.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 연장부들은 인접한 제1 전극패드들을 연결하는 연결부를 더 포함하는 발광 다이오드.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 제1 연장부들의 침입부들 중 적어도 하나는 상기 제1 전극패드들을 연결하는 연결부에서 상기 제2측 가장자리 근처로 연장하는 발광 다이오드.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 제1 연장부들의 침입부들 및 상기 제2 연장부들의 침입부들은 각각 상기 제1측 가장자리 및 상기 제2측 가장자리에 평행한 보조침입부들을 갖는 발광 다 이오드.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 전극패드들을 연결하는 연결부는 곡선형태인 발광 다이오드.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 제2 전극패드들을 연결하는 연결부에서 상기 제1측 가장자리 근처로 연장하는 침입부들 중 하나는 와인컵의 단면 형상을 갖도록 하나의 선에서 두개의 선으로 분기하여 연장하는 발광 다이오드.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 제1 연장부들은 상기 제1 전극패드들을 연결하는 연결부를 더 포함하고,
    상기 제1 연장부들의 침입부들 중 하나는 상기 제1 전극패드들을 연결하는 연결부에서 상기 제2측 가장자리 근처로 연장하되, 상기 와인컵 단면 형상의 침입부의 두개의 선 사이의 영역으로 연장하는 발광 다이오드.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 제1 연장부들은 상기 제1 전극패드들에서 직접 상기 제2측 가장자리 근처로 연장하는 침입부들을 포함하되,
    상기 제1 전극패드들에서 직접 상기 제2측 가장자리 근처로 연장하는 침입부들은 그 끝 부분이 상기 와인컵 단면의 컵 바닥부분의 곡선형태를 따라 굴곡진 발광 다이오드.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 제1 전극패드들에서 직접 상기 제2측 가장자리 근처로 연장하는 침입부들의 바깥쪽에 위치하는 제2 연장부들의 침입부들은 상기 제1 전극패드들에서 직접 상기 제2측 가장자리 근처로 연장하는 침입부들의 끝 부분의 형상에 대응하여 굴곡진 부분을 갖는 발광 다이오드.
  16. 삭제
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013024921A1 (ko) * 2011-08-17 2013-02-21 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR101321002B1 (ko) * 2011-12-06 2013-10-29 안상정 반도체 발광소자
KR102379591B1 (ko) * 2014-04-10 2022-03-30 삼성디스플레이 주식회사 전자부품, 이를 포함하는 전자기기 및 전자기기의 본딩 방법
KR102070088B1 (ko) * 2013-06-17 2020-01-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
CN105378951B (zh) * 2013-07-18 2019-11-05 亮锐控股有限公司 高度反射倒装芯片led管芯
USD718259S1 (en) * 2013-08-13 2014-11-25 Epistar Corporation Light-emitting diode device
TWI578565B (zh) * 2013-09-17 2017-04-11 隆達電子股份有限公司 發光二極體
USD719112S1 (en) 2013-11-22 2014-12-09 Epistar Corporation Light-emitting diode device
US9666779B2 (en) * 2013-11-25 2017-05-30 Yangzhou Zhongke Semiconductor Lighting Co., Ltd. Semiconductor light emitting diode chip with current extension layer and graphical current extension layers
USD743355S1 (en) * 2014-07-22 2015-11-17 Epistar Corporation Light-emitting diode unit
USD770397S1 (en) * 2014-07-22 2016-11-01 Epistar Corporation Light-emitting diode unit
TWD169527S (zh) * 2014-08-20 2015-08-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件之部分
TWD172675S (zh) * 2014-12-19 2015-12-21 晶元光電股份有限公司 發光二極體陣列之部分
USD770401S1 (en) * 2015-02-23 2016-11-01 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode
US9905729B2 (en) 2015-03-27 2018-02-27 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode
TWD178892S (zh) * 2015-11-17 2016-10-11 晶元光電股份有限公司 發光二極體陣列之部分
TWD202085S (zh) * 2018-09-04 2020-01-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
CN114005916A (zh) * 2021-11-01 2022-02-01 厦门天马微电子有限公司 微型发光二极管和显示面板

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004228554A (ja) * 2003-01-17 2004-08-12 Epitech Technology Corp 分散配置電極を有する発光ダイオード

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6650018B1 (en) 2002-05-24 2003-11-18 Axt, Inc. High power, high luminous flux light emitting diode and method of making same
KR100576853B1 (ko) * 2003-12-18 2006-05-10 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
KR100631969B1 (ko) * 2005-02-28 2006-10-11 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
TWI284430B (en) * 2005-10-13 2007-07-21 Advanced Optoelectronic Tech High power light emitting diodes
JP2008034822A (ja) 2006-06-28 2008-02-14 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子
KR100833311B1 (ko) 2007-01-03 2008-05-28 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자
CN101320771A (zh) * 2007-06-04 2008-12-10 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 半导体发光元件
FI121902B (fi) 2007-06-20 2011-05-31 Optogan Oy Valoa säteilevä diodi
JP5223102B2 (ja) * 2007-08-08 2013-06-26 豊田合成株式会社 フリップチップ型発光素子
US7935979B2 (en) * 2008-05-01 2011-05-03 Bridgelux, Inc. Wire bonding to connect electrodes
JP5304662B2 (ja) * 2009-02-18 2013-10-02 日立電線株式会社 発光素子
US7952106B2 (en) * 2009-04-10 2011-05-31 Everlight Electronics Co., Ltd. Light emitting diode device having uniform current distribution and method for forming the same
US9324691B2 (en) 2009-10-20 2016-04-26 Epistar Corporation Optoelectronic device
US20120037946A1 (en) 2010-08-12 2012-02-16 Chi Mei Lighting Technology Corporation Light emitting devices

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004228554A (ja) * 2003-01-17 2004-08-12 Epitech Technology Corp 分散配置電極を有する発光ダイオード

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