TWI384082B - 合金線材及其製造方法 - Google Patents

合金線材及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI384082B
TWI384082B TW101122015A TW101122015A TWI384082B TW I384082 B TWI384082 B TW I384082B TW 101122015 A TW101122015 A TW 101122015A TW 101122015 A TW101122015 A TW 101122015A TW I384082 B TWI384082 B TW I384082B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wire
alloy
silver
gold
palladium
Prior art date
Application number
TW101122015A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201247905A (en
Inventor
Jun Der Lee
Hsing Hua Tsai
Tung Han Chuang
Original Assignee
Wire technology co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=48138551&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=TWI384082(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Wire technology co ltd filed Critical Wire technology co ltd
Priority to TW101122015A priority Critical patent/TWI384082B/zh
Publication of TW201247905A publication Critical patent/TW201247905A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI384082B publication Critical patent/TWI384082B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/06—Alloys based on silver
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
    • B32B15/018—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic one layer being formed of a noble metal or a noble metal alloy
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
    • B22D25/00—Special casting characterised by the nature of the product
    • B22D25/02—Special casting characterised by the nature of the product by its peculiarity of shape; of works of art
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/14—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of noble metals or alloys based thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C30/00—Coating with metallic material characterised only by the composition of the metallic material, i.e. not characterised by the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/43—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43—Manufacturing methods
    • H01L2224/438—Post-treatment of the connector
    • H01L2224/43848—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43—Manufacturing methods
    • H01L2224/43985—Methods of manufacturing wire connectors involving a specific sequence of method steps
    • H01L2224/43986—Methods of manufacturing wire connectors involving a specific sequence of method steps with repetition of the same manufacturing step
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45565—Single coating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45599—Material
    • H01L2224/456—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45644—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45599—Material
    • H01L2224/456—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45663—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/45664—Palladium (Pd) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12431—Foil or filament smaller than 6 mils
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12431—Foil or filament smaller than 6 mils
    • Y10T428/12438—Composite
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12868—Group IB metal-base component alternative to platinum group metal-base component [e.g., precious metal, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12875—Platinum group metal-base component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12889—Au-base component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12896—Ag-base component

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Description

合金線材及其製造方法
本發明主要是關於合金線材及其形成方法，特別是關於用於電子封裝打線接合的合金線材及其形成方法。
打線接合為半導體封裝及發光二極體(LED)封裝的製程上極為重要步驟，打線接合線材除了提供晶片與基板之訊號與功率傳輸，亦可兼具散熱功能。因此作為打線接合的金屬線材必須有極佳的導電性與導熱性，並且需要有足夠的強度與延展性。但為了避免打線接合之熱壓過程導致晶片破裂，同時使線材與銲墊接觸良好以確保良好的接合性，線材的硬度不能太高，而由於封裝之高分子封膠常含有腐蝕性氯離子，且高分子封膠本身具環境吸濕性，線材必須有良好的抗氧化性與耐腐蝕性。此外打線接合的第一接點(銲球點)從熔融狀態冷卻至室溫過程會有高熱量經由線材傳出，因而在銲球點附近的線材產生熱影響區(Heat Affected Zone)，亦即此區域的線材將因為熱量堆積而發生晶粒成長現象，產生局部的粗大晶粒，這些局部的粗大晶粒強度較低，導致拉線試驗(Wire Pull Test)時，線材會由此熱影響區斷裂而影響接合強度。當半導體或發光二極體封裝完成，產品在使用過程，通過線材的高電流密度也可能帶動內部原子產生電遷移現象(Electron Migration)，使得線材一端形成孔洞，因而降低導電性與導熱性，甚至造成斷線。
現今電子產業使用的打線接合線材以純金與純鋁為主(請參考：George G.Harman,Reliability and Yield Problems of Wire Bonding in Microelectronics,National Institute of Standards and Technology,1991 by International Society for Hybrid Microelectronics,p.49-89.)，最近亦有使用純銅線(請參考：1.美國專利早期公開US20060186544A1；2.美國專利公告US 4986856)、銅線鍍金(請參考：美國專利公告US 7645522B2)、銅線鍍鈀(請參考：美國專利早期公開US 20030173659A1)、銅線鍍鉑(請參考：美國專利早期公開US 20030173659A1)或鋁線鍍銅(請參考：美國專利公告US 6178623B1)之複合金屬線材。這些習知打線接合金屬線材的內部組織均為等軸之微細晶粒(Fine Grain)，此種傳統微細晶粒組織可提供足夠的拉伸強度與延展性，但是微細晶粒本身存在大量的高角度晶界(High Angle Grain Boundary)，這些高角度晶界會阻礙電子的傳輸，因而增加線材的電阻率，同時也降低線材的導熱性。另方面這些高角度晶界具有較高界面能，也提供了環境氧化、硫化及氯離子腐蝕的有利路徑，使封裝後的電子產品可靠度降低。此外，這種習知微細晶粒組織金屬線材在打線接合過程很容易在第一接點(銲球點)附近形成熱影響區，降低打線接合強度，同時在半導體或發光二極體產品使用時也很容易產生電遷移現象，這些都是造成一般習知打線接合封裝產品的品質及可靠度劣化主因。
有鑑於此，本發明是提供一種合金線材，其材質是選自銀-金合金、銀-鈀合金、銀-金-鈀合金所組成之族群的其中之一，此合金線材為面心立方晶相的多晶結構而具有複數個晶粒，此合金線材的線材中心部位具有長條形晶粒或等軸晶粒、其餘部位由等軸晶粒構成，其中具有退火孿晶(Annealins Twin)的晶粒的數量，佔上述合金線材的所有晶粒數量的20%以上。
在上述合金線材中，較好為：上述銀-金合金的金含量為0.01~30.00 wt%，餘量為銀；上述銀-鈀合金的鈀含量為0.01~10.00wt%，餘量為銀；上述銀-金-鈀合金的金含量為0.01~30.00 wt%、鈀含量為0.01~10.00wt%，餘量為銀。
在上述合金線材中，上述合金線材的線徑較好為10~50μm。
本發明又提供一種合金線材，包含：一基材線材，其材質是選自銀-金合金、銀-鈀合金、銀-金-鈀合金所組成之族群的其中之一，上述基材線材為面心立方晶相的多晶結構而具有複數個晶粒，此基材線材的線材中心部位具有長條形晶粒或等軸晶粒、其餘部位由等軸晶粒構成，其中具有退火孿晶的晶粒的數量，佔上述合金線材的所有晶粒數量的20%以上；以及一或多層薄膜金屬鍍層鍍於上述基材線材上，上述鍍層的材質是選自實質上的純金、實質上的純鈀、金-鈀合金所組成之族群的其中之一。
在上述中合金線材，較好為：上述銀-金合金的金含量為0.01~30.00 wt%，餘量為銀；上述銀-鈀合金的鈀含量為 0.01~10.00wt%，餘量為銀；上述銀-金-鈀合金的金含量為0.01~30.00 wt%、鈀含量為0.01~10.00wt%，餘量為銀；以及上述銀-金、銀-鈀、銀-金-鈀合金表面再鍍上一層或多層厚度0.1~5.0μm之薄膜，其材質選自實質上的純金、實質上的純鈀、金-鈀合金所組成之族群的其中之一。
在上述合金線材中，上述合金線材的線徑較好為10~50μm。
本發明又提供一種合金線材的製造方法，包含：提供一粗線材，上述粗線材的材質是選自銀-金、銀-鈀、銀-金-鈀合金所組成之族群的其中之一；以N道的冷加工成形步驟，逐次縮減上述粗線材的線徑，成為線徑小於上述粗線材的線徑的一細線材，在上述冷加工成形步驟的第(N-1)道及第N道中，相對於前一道冷加工成形步驟後的中間材料的變形量為1%以上、不超過15%，其中N為大於或等於3的正整數；在上述冷加工成形步驟的第(N-1)道與第N道冷加工成形步驟之間進行的第(N-1)道退火步驟的退火溫度為0.5Tm~0.7Tm、退火時間為1~10秒，其中Tm為上述粗線材的材質的絕對溫標的熔點；以及在上述冷加工成形步驟的第N道冷加工成形步驟之後進行的第N道退火步驟的退火溫度比上述第(N-1)道退火步驟的退火溫度高20~100℃、退火時間為2~60秒，使上述細線材成為面心立方晶相的多晶結構而具有複數個晶粒，線材中心部位為長條形晶粒或等軸晶粒，其餘部位為等軸晶粒，並在上述晶粒的至少一部分形成退火孿晶，其中具有退火孿晶的晶粒的數量，佔上述細線材的所有晶粒數量的20%以上。
在上述合金線材的製造方法中，上述冷加工成形步驟較好為抽線、擠型或上述之組合。
在上述合金線材的製造方法中，上述粗線材的提供，較好為包含下列步驟：將上述粗線材的材質的原料加熱熔融後，經澆鑄而成為一鑄錠；以及對上述鑄錠進行冷加工，製成上述粗線材。
在上述合金線材的製造方法中，上述粗線材的提供，較好為包含下列步驟：將上述粗線材的材質的原料加熱熔融後，以連續鑄造的方式，製成上述粗線材。
在上述合金線材的製造方法中，在上述將粗線材冷加工成形為細線材步驟之前，較好為更包含藉由電鍍、蒸鍍或濺鍍在該粗線材的表面鍍上一或多層薄膜金屬，此鍍層的材質是選自實質上的純金、實質上的純鈀、金-鈀合金所組成之族群的其中之一。
在上述合金線材的製造方法中，在上述倒數第一道退火步驟之後，較好為更包含藉由電鍍、蒸鍍或濺鍍在上述細線材的表面鍍上一或多層薄膜金屬，此鍍層的材質是選自實質上的純金、實質上的純鈀、金-鈀合金所組成之族群的其中之一。
在上述合金線材的製造方法中，較好為：上述銀-金合金的金含量為0.01~30.00 wt%，餘量為銀；上述銀-鈀合金的鈀含量為0.01~10.00wt%，餘量為銀；上述銀-金-鈀合金的金含量為0.01~30.00 wt%、鈀含量為0.01~10.00wt%，餘量為銀；以及上述銀-金合金、銀-鈀合金、銀-金-鈀合金表面再鍍上一層或多層厚度0.1~5.0μm之實質上的純金、實 質上的純鈀或金-鈀合金的薄膜。
在上述合金線材的製造方法中，上述粗線材的線徑較好為5~10 mm、上述細線材的線徑較好為10~50μm。
在上述合金線材的製造方法中，在上述冷加工成形步驟之前的上述鍍層的厚度為0.1~10μm。
在上述合金線材的製造方法中，上述鍍層的厚度為0.1~5μm。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：要瞭解的是本案專利說明書以下的揭露內容提供許多不同的實施例或範例，以實施本發明的不同特徵。而本說明書以下的揭露內容是敘述各個構件及其排列方式的特定範例，以求簡化發明的說明。當然，這些特定的範例並非用以限定本發明。例如，若是本說明書以下的揭露內容敘述了將一第一特徵形成於一第一特徵之上或上方，即表示其包含了所形成的上述第一特徵與上述第二特徵是直接接觸的實施例，亦包含了尚可將附加的特徵形成於上述第一特徵與上述第二特徵之間，而使上述第一特徵與上述第二特徵可能未直接接觸的實施例。另外，本說明書以下的揭露內容可能在各個範例中使用重複的元件符號，以使說明內容更加簡化、明確，但是重複的元件符號本身不會使不同的實施例及/或結構之間產生關聯。
另外，在本案專利說明書中，在數值相關敘述後接「以上」、「以下」之詞來敘述數值範圍的情況中，除非另有加註，相關的數值範圍是包含上述「以上」、「以下」之詞前接的數值。
請參考第1A、1B、1C圖，顯示本發明第一形態之合金線材10。其中第1A圖是合金線材10的一部分的線段的示意圖、第1B圖是沿著平行於第1A圖所示合金線材10的長度方向的縱切面圖、第1C圖是沿著垂直於第1A圖所示合金線材10的長度方向的橫截面圖。
如第1A圖所示的本發明第一形態之合金線材10，其材質是選自銀-金合金、銀-鈀合金、銀-金-鈀合金所組成之族群的其中之一。如第1B圖所示，此合金線材10的縱切面為面心立方晶相的多晶結構而具有複數個晶粒，且大部分為等軸晶粒12，各等軸晶粒12之間是以高角度晶界14為界，其中具有退火孿晶16的晶粒的數量，是佔此合金線材10的所有晶粒數量的20%以上，除了上述之等軸晶粒12，在線材中心部位亦可能存在長條型晶粒18。
在本說明書中所述「線材中心部位」，在本說明書中指的是從線材的軸心起算沿著線材半徑方向的30%的線材半徑值的範圍內的部位。在此「線材中心部位」的範圍內，可完全由複數個長條型晶粒18或複數個等軸晶粒12所構成，亦可具有長條型晶粒18與等軸晶粒12；在此「線材中心部位」的範圍之外的其餘部位由複數個等軸晶粒構成。
接下來請參考第2A、2B、2C圖，顯示本發明第二形態之合金線材20。其中第2A圖是合金線材20的一部分的 線段的示意圖、第2B圖是沿著平行於第2A圖所示合金線材20的長度方向的縱切面圖、第2C圖是沿著垂直於第2A圖所示合金線材20的長度方向的橫截面圖。
本發明第二形態之合金線材20，是包含一基材線材21與一鍍層25。此基材線材21的材質是選自銀-金、銀-鈀、銀-金-鈀合金所組成之族群的其中之一，此基材線材21為面心立方晶相的多晶線材而具有複數個晶粒，且大部分為等軸晶粒22，各晶粒之間是以高角度晶界24為界，其中具有退火孿晶26的晶粒的數量，是佔此合金線材20的所有晶粒數量的20%以上，除了上述之等軸晶粒22，在線材中心部位亦可能存在長條型晶粒28。也就是合金線材20的線材中心部位可具有長條型晶粒28、等軸晶粒22或上述之組合。上述鍍層25是鍍於上述基材線材21上，此鍍層25可由單層或多層金屬膜構成，此鍍層25的材質是選自實質上的純金、實質上的純鈀、金-鈀合金所組成之族群的其中之一。藉由此鍍層25的材質的化學惰性，可保護其內的基材線材21而避免其受到腐蝕，同時在抽線成形時發揮潤滑效果。另外，此鍍層25的厚度較好為0.1~5.0 μm，且第2B、2C圖中未顯示鍍層25的晶粒組織。
關於本案專利說明書全文所述實質上的純金、實質上的純鈀等，以實質上的純金為例，係指在設計上期望為完全不含其他元素、化合物等的雜質的純金，但在實際冶煉、精煉、鍍膜等的過程中卻難以完全除去上述雜質而達成數學上或理論上含100%的純金，而當上述雜質含量的範圍落於對應的標準或規格所訂定的允收範圍內，就視為「實質 上的純金」。其他實質上的純鈀的意義亦同。本發明所屬技術領域中具有通常知識者應當瞭解依據不同的性質、條件、需求等等，上述對應的標準或規格會有所不同，故下文中並未列出特定的標準或規格。
在上述銀-金、銀-鈀、銀-金-鈀合金是指以銀為主成分再添加金及/或鈀的合金，且金、鈀的含量不大於作為主成分的銀的含量。
另外，上述本發明第一、第二形態之合金線材的線徑較好為10~50 μm，而可以用於電子封裝打線接合用的線材。當然，依使用者的需求，亦可將本發明之合金線材應用於其他技術領域與用途，例如：音響線、訊號或功率傳輸線、變壓器線等，而合金線材的線徑亦可依據需求加以變化，而不限定為上述例示的範圍。
本發明之合金線材的特徵之一，是此合金線材為多晶結構而具有複數個晶粒，線材中心部位為長條形晶粒，其餘部位為等軸晶粒，其晶粒的平均粒徑為1~10 μm，而略大於一般習知打線接合線材的晶粒的平均粒徑0.5~3 μm，因而相對地減少了高角度晶界的密度，而減少前述微細晶粒之大量高角度晶界所造成缺點。本發明之合金線材的更重要之特徵在於其至少20%的晶粒內部含有退火孿晶(Annealing Twin)組織，這些退火孿晶組織的孿晶界(Twin Boundary)為調諧(Coherent)結晶構造，屬於低能量之Σ 3特殊晶界，其界面能僅為一般高角度晶界的5%(請參考：George E.Dieter,Mechanical Metallurgy,McGRAW-HILL Book Company,1976,P.135-141)，由於 孿晶界的較低的界面能，可以避免成為氧化、硫化及氯離子腐蝕的路徑，因此展現較佳的抗氧化性與耐腐蝕性。另外，此種退火孿晶之對稱晶格排列對電子傳輸的阻礙極小，因而展現較佳的導電性與導熱性，此一效應在銅導線已獲得證實(請參考：L.Lu,Y.Shen,X.Chen,L.Qian,and K.Lu,Ultrahigh Strength and High Electrical Conductivity in Copper,Science,vol.304,2004,p.422-426)。同時由於較低的界面能而使此種低能量孿晶組織的孿晶界較一般高角度晶界穩定，不僅在高溫狀態孿晶界本身不易移動，更會對其所在晶粒之周圍的高角度晶界產生固鎖作用，使這些高角度晶界亦無法移動，因而整體晶粒組織不會有明顯晶粒成長現象，即使是打線接合過程第一接點(銲球點)從熔融狀態冷卻至室溫，也可以維持原有晶粒尺寸，亦即免除了傳統微細晶粒結構之金屬線材經過打線接合後，銲球點凝固熱量在其附近線材累積，使其晶粒迅速成長而形成熱影響區，降低拉線試驗強度。另方面，由於原子經由低能量孿晶界或跨越孿晶界的擴散速率極低，在電子產品使用時，高密度電流所伴隨線材內部原子移動也極為困難，如此解決了前述發生於習知打線接合用金屬線材的電遷移問題，在銅薄膜已有報導證實孿晶可抑制材料電遷移現象(請參考：K.C.Chen,W.W.Wu,C.N.Liao,L.J.Chen,and K.N.Tu,Observation of Atomic Diffusion at Twin-Modified Grain Boundaries in Copper,Science,vol.321,2008,p.1066-1069.)。綜合上述優點，本發明之合金線材應用於半導體及發光二極體產品作為打線接合用線材 時，較一般習知線材展現較佳的品質及可靠度。
另外，欲顯現上述特性，在本發明之合金線材的所有晶粒中，至少20%的數量以上的晶粒含有退火孿晶組織時，才會具有上述特性。而在習知打線接合用的金屬線材的情況中，或許偶有出現退火孿晶組織的情況，但是含退火孿晶組織的晶粒數量通常為此線材所有的晶粒的10%以下或甚至完全不含退火孿晶組織，故無法展現前述本發明之合金線材的特性。
更進一步說明，雖然本發明之合金線材的晶粒略大於一般習知線材的晶粒，但其內部大部分晶粒含有退火孿晶，這些孿晶結構與其所在之晶粒具有不同結晶方位(Crystal Orientation)，因此同樣可以阻擋差排(Dislocation)的移動，而產生材料強化效應，此強化機構不同於一般習知微細晶粒組織金屬線材需仰賴高角度晶界阻擋差排移動，卻附帶引發其他不利於打線接合品質與可靠度的問題。藉此，本發明具退火孿晶組織之打線接合用合金線材可以維持與一般習知微細晶粒結構線材相近之拉伸強度，但由於差排及原子可經由孿晶界跨移(Cross Slip)，其延展性反而高於一般習知線材，因此本發明之合金線材的機械性質優於一般習知線材。
根據物理冶金學原理(請參考George E.Dieter,Mechanical Metallurgy,McGRAW-HILL Book Company,1976,P.135-141.及R.W.Cahn,Physical Metallurgy,1970,P.1184-1185)，退火孿晶組織的形成是由於冷加工在材料內部累積應變能，在後續退火熱處理時，這些應變能驅動 部分區域之原子均勻剪移(Shear)至與其所在晶粒內部未剪移原子形成相互鏡面對稱之晶格位置，此即為退火孿晶(Annealing Twin)，而其相互對稱之界面即為孿晶界(Twin Boundary)。退火孿晶主要發生在晶格排列最緊密之面心立方(Face Centered Cubic；FCC)結晶材料，其孿晶界為低能量之Σ 3特殊晶界，結晶方位均為{111}面。相較於一般退火再結晶(Recrystallization)所形成高角度晶界(High Angle Grain Boundary)，孿晶界的界面能大約只有高角度晶界的5%。除了面心立方結晶構造條件，通常疊差能(Stacking Fault Energy)愈小的材料愈容易產生退火孿晶，本發明所使用的合金元素：金、銀、鈀及其配製完成的銀-金、銀-鈀、銀-金-鈀合金的疊差能均大約在50 erg/cm2 以下，最容易形成退火孿晶；相反地，鋁雖為面心立方結晶構造材料，但其疊差能大約200 erg/cm2 ，極少出現退火孿晶，不符合本發明材料選擇條件。
在本發明之合金線材的材質是銀-金合金、銀-鈀合金、銀-金-鈀合金之組成，無論所述銀、金、鈀的含量為何，其疊差能均大約在50 erg/cm2 以下；若考慮到其他因素例如原材料的成本、取得方便性、鑄造過程的偏析、抽線成形性、抗氧化性、拉伸強度、硬度、延展性、打線接合結球品質及接合強度等，較好為：上述銀-金合金的金含量為0.01~30.00 wt%，餘量為銀；上述銀-鈀合金的鈀含量為0.01~10.00wt%，餘量為銀；上述銀-金-鈀合金的金含量為0.01~30.00 wt%、鈀含量為0.01~10.00wt%，餘量為銀。
此外，退火熱處理前的冷加工變形量亦為關鍵條件， 足夠的冷加工變形量所累積應變能可提供原子驅動力以產生退火孿晶，但如果冷加工變形量太大，在退火熱處理初始再結晶(Primary Recrystallization)階段即會引發多數晶粒成核(Nuclei of Recrystallized Grains)，因而形成大量的微細晶粒，降低退火孿晶的產生機會，反而成為一般習知金屬線材的組織。雖然微細晶粒提供良好的拉伸強度與延展性，但是此種習知金屬線材內部大量的高角度晶界阻礙了電子流動與熱傳，也降低線材的抗氧化性與耐蝕性，同時在打線接合的第一銲點結球過程，這些由大量高角度晶界所構成微細晶粒會經由熔融銲球點凝固的高熱量傳導迅速成長為粗大晶粒，衍生出打線接合最困擾的熱影響區問題，降低拉線試驗強度，同時在後續電子產品通電運作時也很容易因為電流伴隨材料內部原子傳輸產生電遷移，這些都會嚴重影響半導體封裝及發光二極體(LED)封裝產品的可靠度。
因此，關於前述本發明第一形態的合金線材的製造方法的一例，請參考第3圖所示流程圖，可包含下列步驟：步驟102：提供一粗線材，此粗線材的材質是選自銀-金、銀-鈀、銀-金-鈀合金所組成之族群的其中之一；步驟104：以N道的冷加工成形步驟，逐次縮減上述粗線材的線徑，成為線徑小於該粗線材的線徑的一細線材，在上述冷加工成形步驟的第N-1道及第N道中，相對於前一道冷加工成形步驟後的中間材料的變形量為1%以上、不超過15%，其中N為大於或等於3的正整數；以及步驟106：N道的退火步驟，分別在上述冷加工成形步 驟的每一道之間及第N道冷加工成形步驟之後進行。在上述冷加工成形步驟的第(N-1)道與第N道冷加工成形步驟之間進行的第(N-1)道退火步驟的退火溫度為0.5Tm~0.7Tm、退火時間為1~10秒，其中Tm為上述粗線材的材質的絕對溫標的熔點。在上述冷加工成形步驟的第N道冷加工成形步驟之後進行的第N道退火步驟的退火溫度比上述第(N-1)道退火步驟的退火溫度高20~100℃、退火時間為2~60秒。
藉由上述步驟102、104、106，使上述細線材成為面心立方晶相的多晶線材而具有複數個晶粒，線材中心部位為長條形晶粒，其餘部位為等軸晶粒，並在上述晶粒的至少一部分形成退火孿晶，其中具有退火孿晶的晶粒的數量，佔上述細線材的所有晶粒數量的20%以上，而完成前述本發明第一形態的合金線材。
另外，關於上述步驟106所述的N道退火步驟，可使用與習知線材相同的退火設備，上述第(N-1)道退火步驟之前的其他退火步驟的步驟數及退火條件，是在不牴觸「N為大於或等於3的正整數」之條件下，可視需求及設備條件等因素來作適當決定，故僅列出作為本發明特徵的退火條件，而省略關於退火設備、退火步驟及其他退火步驟的步驟數及退火條件之相關細節的詳述。
在上述步驟中，上述細線材的線徑較好為10~50 μm、上述粗線材的線徑較好為5~10 mm，而如前所述，使本發明之合金線材可以用於打線接合用的線材。
在上述步驟中，上述粗線材的材質是選自銀-金、銀- 鈀、銀-金-鈀合金所組成之族群的其中之一，其熔點Tm指的是相關平衡相圖中對應成分的液化開始溫度的絕對溫標的溫度。
在上述步驟中，上述「變形量」指的是因冷加工而對被冷加工材料造成的截面積縮減率。
關於前述本發明第二形態的合金線材的製造方法的一例，請參考第4圖所示流程圖，也就是在第3圖所示的步驟104之前，先執行步驟103：藉由電鍍、蒸鍍或濺鍍在上述粗線材的表面鍍上一或多層薄膜金屬，此鍍層的材質是選自實質上的純金、實質上的純鈀、金-鈀合金所組成之族群的其中之一。另外，在第3圖所示的步驟104之前的此鍍層的厚度較好為0.1~10 μm；經第3圖所示的步驟104後，此鍍層的厚度較好被裁剪為0.1~5.0 μm。藉此，完成前述本發明第二形態的合金線材。
關於前述本發明第二形態的合金線材的製造方法的另一例，請參考第5圖所示流程圖，也就是在第3圖所示的步驟106之後，再執行步驟108：藉由電鍍、蒸鍍或濺鍍在上述細線材的表面鍍上一或多層薄膜金屬，此鍍層的材質是選自實質上的純金、實質上的純鈀、金-鈀合金所組成之族群的其中之一。另外，此鍍層的厚度較好為0.1~5.0 μm。藉此，完成前述本發明第二形態的合金線材。
在上述各方法中，上述步驟104的冷加工成形步驟較好為抽線、擠型或上述之組合。
在上述各方法中，提供上述粗線材的方法的一例，請參考第6圖所示流程圖，較好為包含下列步驟： 澆鑄步驟202：將上述粗線材的材質的原料加熱熔融後，經澆鑄而成為一鑄錠；以及冷加工步驟204：對上述鑄錠進行冷加工，製成上述粗線材。同樣地，冷加工步驟204亦可為抽線、擠型或上述之組合。
在上述各方法中，提供上述粗線材的方法的另一例，請參考第7圖所示示意圖，較好為包含下列步驟：連續鑄造步驟302：將上述粗線材的材質的原料加熱熔融後，以連續鑄造的方式，製成上述粗線材。
在上述合金線材的製造方法中，較好為：上述銀-金、銀-鈀、銀-金-鈀合金的金含量為0.01~30.00 wt%、鈀含量為0.01~10.00wt%，餘量為銀。
除了前述製造方法的條件之外，如有藉由其他方法例如不同的冷加工方式、冷加工變形量、退火條件等，而製得符合本說明書所述本發明之合金線材的線材時，該線材亦包含於本發明的範圍內。
本發明乃經過諸位發明人長久、精心的研究，尋找出大小適中的冷加工變形量條件，同時配合最優化的退火溫度與時間，而獲得內部含有大量退火孿晶的創新線材組織，提供了打線接合高導電性、高導熱性、優良抗氧化性與氯離子腐蝕性。最吸引人的是經由孿晶界可以有效抑制電遷移現象，而且由於低能量孿晶界對其所在晶粒周圍其他高角度晶界有固鎖作用，使其不易移動，因而抑制晶粒成長，幾乎不會產生熱影響區。另一方面，孿晶與其所在晶粒的不同結晶方位，因此同樣可以阻礙差排移動，發揮 材料強化效應。因此本發明之合金線材的拉伸強度與一般習知的微細晶粒組織線材相近，但其延展性反而高於一般習知金屬線材，這些優點使得利用本發明含大量孿晶組織合金線材進行打線接合的半導體封裝及發光二極體封裝產品在可靠度試驗時展現極佳的成績。例如最嚴苛的壓力鍋測試(Pressure Cooker Test；PCT)，在Ta=121℃、100%RH、2atm的條件下可耐受128小時以上，遠高於一般電子產品可靠度測試所要求96小時；另一同樣嚴苛的高度加速壽命試驗(Highly Accelerated Stress Test；HAST)，在Ta=148℃、90%RH、3.6伏特的偏壓的條件下可達到128小時以上，也遠高於一般電子產品可靠度測試規範所要求96小時。
實施例1
利用高週波電熱熔煉銀-8wt%金-3wt%鈀合金，再以連續鑄造(Continuous Casting)方式獲得線徑6 mm之粗線材，經過多次抽線延伸與退火熱處理至線徑22.6 μm之細線材，然後經過倒數第二道抽線延伸而成為線徑20μm之細線材，再經過530℃退火1.5秒，最後抽線至17.5μm之細線材，然後進行最終退火熱處理，退火溫度為570℃、退火時間為4.8秒。完成最終退火後，捲線而完成打線接合所需要之合金線材產品。
為了驗證大量退火孿晶組織所造成本發明創新線材之優異性能，另外取相同銀-8wt%金-3wt%鈀組成之合金採用習知抽線及退火條件製作17.5μm之細線材，作為有別於本發明具大量退火孿晶組織線材之對照組，此對照組合金線 材預期不會產生大量退火孿晶組織晶粒。此外，也將本發明合金線材與商用4N純金線材及銅鍍鈀線材之特性加以比較。
本發明上述實施例之合金線材之縱切面金相結構，如第8A圖所示，除了線材中心部位存在一些細長條晶粒，其餘部位均為等軸晶粒，其中超過總晶粒數量的30%的晶粒具有退火孿晶組織；第8B圖則為本發明上述實施例之合金線材的橫截面金相組織，估計超過總晶粒數量的40%的晶粒具有退火孿晶組織。
對照組之傳統合金線材的縱切面金相結構，如第9A圖所示，其中心部位同樣呈現細長條晶粒，另外夾雜少數粗大晶粒，其餘部位則為微細晶粒組織，總晶粒數量只有10%以下具有退火孿晶組織。第9B圖為對照組合金線材的橫截面金相組織，呈現微細晶粒組織，估計其內部僅有大約15%的晶粒出現退火孿晶組織。而在第10A圖之商用4N純金線材及第11A圖之銅鍍鈀線材樣品不論是縱切面或橫截面的金相組織同樣只有少量的晶粒出現退火孿晶組織，事實上，本發明所揭示的大量退火孿晶組織晶粒特徵在一般習知打線接合金屬線材從未報導(請參考：George G.Harman,Reliability and Yield Problems of Wire Bonding in Microelectronics,National Institute of Standards and Technology,1991 by International Society for Hybrid Microelectronics.)。
第12A、12B圖是顯示X光繞射譜線，其中第12A圖是顯示本發明實施例1之合金線材的X光繞射譜線、第12B 圖是顯示一般習知線材的X光繞射譜線。第12A、12B圖中的X軸是表示繞射角、Y軸是表示繞射強度。其中繞射角的單位是「度」；關於繞射強度的單位，X光繞射譜線一般是標示「任意單位」(Arbitrary Unit)。
另外比較第12A、12B圖之X光繞射分析結果，第12A圖所示本發明上述實施例1之合金線材出現明顯的{111}結晶方位譜線，此{111}譜線為典型的退火孿晶之結晶方位譜線，第12B圖之對照組合金線材的X光繞射圖並無明顯的{111}譜線，商用純金線材及銅鍍鈀線材樣品亦同樣未見到此{111}退火孿晶譜線，由此確認本發明上述實施例1之合金線材的材料內部存在大量的退火孿晶組織。
為了驗證本發明大量孿晶組織特徵之合金線材所具備優異性能，以彰顯本發明之改良功效，首先進行拉伸試驗，結果顯示本發明大量孿晶組織線材與對照組少量孿晶組織合金線材的拉伸強度均大約7.5 g，與商用4N純金線材及銅鍍鈀線材的拉伸強度相近(6.6-10.7g)；但對照組少量孿晶組織合金線材的延伸率2.5%，本發明大量孿晶組織合金線材的延伸率可達4.5%，較接近商用4N純金線材及銅鍍鈀線材的延伸率(4.0-6.0%)。
再來進行電性測試，顯示本發明上述實施例1之大量孿晶組織合金線材的電阻率平均值大約5.0 μΩ．cm，最小值甚至達到4.1 μΩ．cm，低於對照組少量孿晶組織合金線材的5.5 μΩ．Cm。此外，本發明之合金線材的電阻率略高於商用4N純金線材(2.3μΩ．cm)及銅鍍鈀線材(1.9μΩ． cm)。
為了驗證本發明實施例1之大量孿晶組織合金線材的高溫穩定性，將以上各種線材在600℃空氣爐放置30分鐘熱處理，發現本發明實施例1之大量孿晶組織合金線材晶粒僅微幅成長(第8C圖)，而對照組之傳統合金線材之原先微細晶粒均大幅成長(第9C圖)，其晶粒尺寸甚至遠超過本發明實施例1之合金線材，另外商用4N純金線材亦發現晶粒嚴重成長至接近線材直徑(第10B圖)，而銅鍍鈀線材則幾乎完全氧化(第11B圖)，顯示表面鍍鈀對於解決銅線材氧化問題並非萬全之計；綜合此實驗可以確認本發明實施例1之合金線材得晶粒組織由於存在大量低能量孿晶，可以阻礙晶界移動，因而相較於傳統合金線材、商用4N純金線材及銅鍍鈀線材均展現極佳的高溫穩定性，此一高溫穩定性會關連到線材在打線接合後的熱影響區形成及可靠度試驗表現。
將本發明上述實施例1之大量孿晶組織合金線材與對照組之少量孿晶組織合金線材以銲線機台進行第一銲點結球，其銲球剖面金相結構分別示於第13圖與第14圖。第14圖顯示對照組少量孿晶組織合金線材的熱影響區長達60μm，且晶粒成長超過10倍，而第13圖則證實本發明上述實施例1之大量孿晶組織合金線材的熱影響區僅大約15μm，且晶粒成長小於2倍，由此可見本發明上述實施例1之大量孿晶組織合金線材的熱影響區極小，且其晶粒成長幾乎不會造成銲球接點的強度劣化。
使用本實施例1之大量孿晶組織合金線材進行打線接 合所製作完成之半導體產品經過一系列可靠度試驗，其結果綜合示於表1，其中最嚴苛的壓力鍋測試(Pressure Cooker Test,PCT)可耐受128小時以上，遠高於一般電子產品可靠度測試所要求96小時，另一同樣嚴苛的高度加速壽命試驗(Highly Accelerated Stress Test,HAST)可達到128小時以上，也遠高於一般電子產品可靠度測試規範所要求96小時。
實施例2
利用高週波電熱熔煉銀-8wt%金-3wt%鈀合金，再以連續鑄造(Continuous Casting)方式獲得線徑6 mm之粗線材，經過多次抽線延伸與退火熱處理至線徑22.6 μm之細線材，然後經過倒數第二道抽線延伸而成為線徑20μm之細線材，再經過650℃退火10秒，最後抽線至17.5μm之細線材，然後進行最終退火熱處理，退火溫度為700℃、退火時間為60秒。完成最終退火後，捲線而完成打線接合所需要的實施例2之合金線材產品。實施例2之合金線材之縱切面金相結構，如第15A圖所示，整體線材均為等軸晶粒，其中超過總晶粒數量的30%的晶粒具有退火孿晶組織。如第15B圖所示，此實施例2之合金線材在600℃空氣爐放置30分鐘熱處理，其晶粒亦僅微幅成長。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧合金線材
12‧‧‧等軸晶粒
14‧‧‧高角度晶界
16‧‧‧退火孿晶
18‧‧‧長條型晶粒
20‧‧‧合金線材
21‧‧‧基材線材
22‧‧‧等軸晶粒
24‧‧‧高角度晶界
25‧‧‧鍍層
26‧‧‧退火孿晶
28‧‧‧長條型晶粒
102‧‧‧步驟
103‧‧‧步驟
104‧‧‧步驟
106‧‧‧步驟
108‧‧‧步驟
202‧‧‧澆鑄步驟
204‧‧‧冷加工步驟
302‧‧‧連續鑄造步驟
第1A、1B、1C圖是顯示本發明第一形態之合金線材，其中第1A圖是本發明第一形態之合金線材的一部分的線段的示意圖、第1B圖是沿著平行於第1A圖所示合金線材的長度方向的縱切面圖、第1C圖是沿著垂直於第1A圖所示金屬線材的長度方向的橫截面圖。
第2A、2B、2C圖，顯示本發明第二形態之合金線材，其中第2A圖是本發明第二形態之合金線材的一部分的線段的示意圖、第2B圖是沿著平行於第2A圖所示合金線材的長度方向的縱切面圖、第2C圖是沿著垂直於第2A圖所示金屬線材的長度方向的橫截面圖。
第3圖是一流程圖，顯示本發明第一形態的合金線材的製造方法的一例。
第4圖是一流程圖，顯示本發明第二形態的合金線材的製造方法的一例。
第5圖是一流程圖，顯示本發明第二形態的合金線材的製造方法的另一例。
第6圖是一流程圖，顯示第3-5圖所示流程圖中的提供粗線材的方法的一例。
第7圖是一步驟示意圖，顯示第3-5圖所示流程圖中的提供粗線材的方法的另一例。
第8A、8B圖分別是顯示本發明實施例之合金線材之縱切面與橫截面金相結構，其線材中心部位為長條形晶粒，其餘部位為等軸晶粒；第8C圖是本發明實施例1之合金線材經過600℃空氣爐放置30分鐘熱處理之縱切面金相 結構。
第9A、9B圖分別是顯示本發明對照組傳統合金線材縱切面與橫截面金相結構，第9C圖是發明對照組傳統合金線材經過600℃空氣爐放置30分鐘熱處理之縱切面金相結構。
第10A圖是本發明對照組商用4N純金線材縱切面金相結構，第10B圖是發明對照組商用4N純金線材經過600℃空氣爐放置30分鐘熱處理之縱切面金相結構。
第11A圖是本發明對照組銅鍍鈀線材縱切面金相結構，第11B圖是發明對照組銅鍍鈀線材經過600℃空氣爐放置30分鐘熱處理之縱切面金相結構。
第12A、12B圖是顯示X光繞射譜線，其中第12A圖是顯示本發明實施例1之合金線材的X光繞射譜線、第12B圖是顯示一般習知線材的X光繞射譜線。
第13圖是顯示本發明實施例之合金線材在進行第一銲點結球後的銲球剖面金相結構。
第14圖是顯示本發明對照組合金線材在進行第一銲點結球後的銲球剖面金相結構。
第15A圖是顯示本發明實施例2之合金線材之縱切面金相結構。
第15B圖是顯示第15A圖所示合金線材在600℃空氣爐放置30分鐘熱處理後的縱切面金相結構。
10‧‧‧合金線材
12‧‧‧等軸晶粒
14‧‧‧高角度晶界
16‧‧‧退火孿晶
18‧‧‧長條型晶粒

Claims (17)

  1. 一種合金線材，其材質是選自銀-金合金、銀-鈀合金、銀-金-鈀合金所組成之族群的其中之一，該合金線材為面心立方晶相的多晶結構而具有複數個晶粒，該合金線材的線材中心部位具有長條形晶粒或等軸晶粒、其餘部位由等軸晶粒構成，其中具有退火孿晶的晶粒的數量，佔該合金線材所有晶粒數量的20%以上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之合金線材，其中：該銀-金合金的金含量為0.01~30.00 wt%，餘量為銀；該銀-鈀合金的鈀含量為0.01~10.00wt%，餘量為銀；以及該銀-金-鈀合金的金含量為0.01~30.00 wt%、鈀含量為0.01~10.00wt%，餘量為銀。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之合金線材，其中該合金線材的線徑為10~50 μm。
  4. 一種合金線材，包含：一基材線材，其材質是選自銀-金合金、銀-鈀合金、銀-金-鈀合金所組成之族群的其中之一，該基材線材為面心立方晶相的多晶結構而具有複數個晶粒，該基材線材的線材中心部位具有長條形晶粒或等軸晶粒，其餘部位由等軸晶粒構成，其中具有退火孿晶的晶粒的數量，佔所有晶粒數量的20%以上；以及一或多層薄膜金屬鍍層鍍於該基材線材上，該鍍層的材質是選自實質上的純金、實質上的純鈀、金-鈀合金所組成之族群的其中之一。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之合金線材，其中：該銀-金合金的金含量為0.01~30.00 wt%，餘量為銀；該銀-鈀合金的鈀含量為0.01~10.00wt%，餘量為銀；以及該銀-金-鈀合金的金含量為0.01~30.00 wt%、鈀含量為0.01~10.00wt%，餘量為銀。
  6. 如申請專利範圍第4或5項所述之合金線材，其中該合金線材的線徑為10~50μm。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之合金線材，其中該鍍層的厚度為0.1~5μm。
  8. 一種合金線材的製造方法，包含：提供一粗線材，該粗線材的材質是選自銀-金、銀-鈀、銀-金-鈀合金所組成之族群的其中之一；以N道的冷加工成形步驟，逐次縮減該粗線材的線徑，成為線徑小於該粗線材的線徑的一細線材，在該些冷加工成形步驟的第(N-1)道及第N道中，相對於前一道冷加工成形步驟後的中間材料的變形量為1%以上、不超過15%，其中N為大於或等於3的正整數；以及N道的退火步驟，分別在該些冷加工成形步驟的每一道之間及第N道冷加工成形步驟之後進行，其中在該些冷加工成形步驟的第(N-1)道與第N道冷加工成形步驟之間進行的第(N-1)道退火步驟的退火溫度為0.5Tm~0.7Tm、退火時間為1~10秒，其中Tm為該粗線材的材質的絕對溫標的熔點；以及在該些冷加工成形步驟的第N道冷加工成形步驟之後 進行的第N道退火步驟的退火溫度比該第(N-1)道退火步驟的退火溫度高20~100℃、退火時間為2~60秒，使該細線材成為面心立方晶相的多晶線材而具有複數個晶粒，該細線材的線材中心部位具有長條形晶粒或等軸晶粒、其餘部位由等軸晶粒構成，並在該些晶粒的至少一部分形成退火孿晶，其中具有退火孿晶的晶粒的數量，佔該細線材的所有晶粒數量的20%以上。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之合金線材的製造方法，其中該些冷加工成形步驟為抽線、擠型或上述之組合。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之合金線材的製造方法，其中該粗線材的提供，包含下列步驟：將該粗線材的材質的原料加熱熔融後，經澆鑄而成為一鑄錠；以及對該鑄錠進行冷加工，製成該粗線材。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之合金線材的製造方法，其中該粗線材的提供，包含下列步驟：將該粗線材的材質的原料加熱熔融後，以連續鑄造的方式，製成該粗線材。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之合金線材的製造方法，其中在該些冷加工成形步驟之前，更包含藉由電鍍、蒸鍍或濺鍍在該粗線材的表面鍍上一鍍層，該鍍層的材質是選自實質上的純金、實質上的純鈀、金-鈀合金所組成之族群的其中之一。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之合金線材的製造方法，其中在該倒數第一道退火步驟之後，更包含藉由電鍍、 蒸鍍或濺鍍在該細線材的表面鍍上一鍍層，該鍍層的材質是選自純金、純鈀、金-鈀合金所組成之族群的其中之一。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之合金線材的製造方法，其中：該銀-金合金的金含量為0.01~30.00 wt%，餘量為銀；該銀-鈀合金的鈀含量為0.01~10.00wt%，餘量為銀；以及該銀-金-鈀合金的金含量為0.01~30.00 wt%、鈀含量為0.01~10.00wt%，餘量為銀。
  15. 如申請專利範圍第8項所述之合金線材的製造方法，其中該粗線材的線徑為5~10 mm、該細線材的線徑為10~50 μm。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之合金線材的製造方法，其中在該些冷加工成形步驟之前的該鍍層的厚度為0.1~10μm。
  17. 如申請專利範圍第13項所述之合金線材的製造方法，其中該鍍層的厚度為0.1~5μm。
TW101122015A 2012-01-02 2012-06-20 合金線材及其製造方法 TWI384082B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW101122015A TWI384082B (zh) 2012-01-02 2012-06-20 合金線材及其製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW101100014 2012-01-02
TW101122015A TWI384082B (zh) 2012-01-02 2012-06-20 合金線材及其製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201247905A TW201247905A (en) 2012-12-01
TWI384082B true TWI384082B (zh) 2013-02-01

Family

ID=48138551

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101122015A TWI384082B (zh) 2012-01-02 2012-06-20 合金線材及其製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8940403B2 (zh)
JP (1) JP5670412B2 (zh)
KR (1) KR101328863B1 (zh)
CN (1) CN103184362B (zh)
TW (1) TWI384082B (zh)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2703116B1 (en) * 2012-09-04 2017-03-22 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Method for manufacturing a silver alloy wire for bonding applications
KR101535412B1 (ko) * 2013-09-04 2015-07-24 엠케이전자 주식회사 은 합금 본딩 와이어 및 그의 제조 방법
JP6254841B2 (ja) * 2013-12-17 2017-12-27 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 半導体装置用ボンディングワイヤ
MY162021A (en) * 2014-03-31 2017-05-31 Nippon Micrometal Corp Bonding wire for semiconductor device use and method of production of same
JP5840328B1 (ja) 2014-03-31 2016-01-06 日鉄住金マイクロメタル株式会社 半導体装置用ボンディングワイヤ及びその製造方法
CN105177340B (zh) * 2014-05-16 2018-10-16 周大福珠宝金行有限公司 微合金化黄金
JP2016029691A (ja) * 2014-07-25 2016-03-03 田中電子工業株式会社 表面改質銀パラジウム合金ワイヤの構造
TWI559417B (zh) * 2014-10-08 2016-11-21 樂金股份有限公司 功率模組封裝的連接線及其製造方法
JP6753051B2 (ja) * 2014-10-31 2020-09-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9812448B2 (en) 2014-12-17 2017-11-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor devices and methods for fabricating the same
JP6516465B2 (ja) 2014-12-17 2019-05-22 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 半導体装置用ボンディングワイヤ
CN104716250A (zh) * 2015-03-02 2015-06-17 安徽华晶微电子材料科技有限公司 一种极微细无金银合金镀金键合丝及其制作方法
CN105063407B (zh) * 2015-05-30 2018-01-26 汕头市骏码凯撒有限公司 一种led封装用银合金键合丝及其制造方法
CN105161476B (zh) * 2015-06-19 2018-10-30 汕头市骏码凯撒有限公司 一种用于细间距ic封装的键合铜丝及其制造方法
SG10201508103QA (en) * 2015-09-29 2017-04-27 Heraeus Materials Singapore Pte Ltd Alloyed silver wire
SG10201508104TA (en) * 2015-09-29 2017-04-27 Heraeus Materials Singapore Pte Ltd Alloyed silver wire
TWI567842B (zh) * 2015-10-07 2017-01-21 樂金股份有限公司 石墨烯包覆的銀合金線及其製造方法
CN105296789B (zh) * 2015-11-13 2018-02-02 汕头市骏码凯撒有限公司 一种高可靠性银合金键合丝及其制造方法
CN105296788B (zh) * 2015-11-13 2018-01-02 汕头市骏码凯撒有限公司 一种银合金键合丝及其制造方法
KR102450574B1 (ko) 2015-11-19 2022-10-11 삼성전자주식회사 반도체 패키지용 본딩 와이어 및 이를 포함하는 반도체 패키지
SG10201509634UA (en) * 2015-11-23 2017-06-29 Heraeus Oriental Hitec Co Ltd Coated wire
US10658326B2 (en) * 2016-07-20 2020-05-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Bonding wire having a silver alloy core, wire bonding method using the bonding wire, and electrical connection part of semiconductor device using the bonding wire
SG10201607523RA (en) 2016-09-09 2018-04-27 Heraeus Materials Singapore Pte Ltd Coated wire
TWI599664B (zh) * 2016-09-13 2017-09-21 樂金股份有限公司 用於功率模組封裝之金屬帶材
CN106834782B (zh) * 2016-12-23 2019-04-26 昆山全亚冠环保科技有限公司 一种金锡合金线材的制造方法
CN108198795A (zh) * 2017-12-20 2018-06-22 汕头市骏码凯撒有限公司 一种金钯银合金复合键合丝及其制造方法
US11185902B2 (en) 2018-01-18 2021-11-30 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. Platinum-based material thin wire and method for manufacturing the same
US20190385969A1 (en) * 2018-06-14 2019-12-19 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Coaxial wire
WO2020218968A1 (en) * 2019-04-26 2020-10-29 Heraeus Materials Singapore Pte. Ltd. Coated wire
CN111524811B (zh) * 2020-04-23 2021-08-31 江西森通新材料科技有限公司 一种石墨烯-金键合丝及其制备方法和应用
TWI762342B (zh) * 2021-06-03 2022-04-21 國立臺灣大學 形成接合結構的方法
CN114657408A (zh) * 2022-05-24 2022-06-24 宁波康强电子股份有限公司 一种银合金键合丝及其制造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080240975A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Mk Electron Co. Ltd. Ag-based alloy wire for semiconductor package
TW201028227A (en) * 2009-01-23 2010-08-01 jun-de Li Method for manufacturing composite metal wire and product thereof
US8022541B2 (en) * 2006-05-30 2011-09-20 Mk Electron Co., Ltd. Au-Ag based alloy wire for semiconductor package

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS643903A (en) 1987-06-25 1989-01-09 Furukawa Electric Co Ltd Thin copper wire for electronic devices and manufacture thereof
JPH11181593A (ja) 1997-12-16 1999-07-06 Totoku Electric Co Ltd 銅被覆アルミニウム線の製造方法
TWI287282B (en) 2002-03-14 2007-09-21 Fairchild Kr Semiconductor Ltd Semiconductor package having oxidation-free copper wire
KR100702662B1 (ko) 2005-02-18 2007-04-02 엠케이전자 주식회사 반도체 패키징용 구리 본딩 와이어
DE102005011028A1 (de) 2005-03-08 2006-09-14 W.C. Heraeus Gmbh Kupferbonddraht mit verbesserten Bond- und Korrosionseigenschaften
JP4874922B2 (ja) * 2007-01-18 2012-02-15 新日鉄マテリアルズ株式会社 半導体実装用ボンディングワイヤ
CN101431029B (zh) * 2007-11-06 2010-07-07 李俊德 封装导线用的复合金属线及其制造方法
US20090191088A1 (en) * 2008-01-28 2009-07-30 Lee Jun-Der Manufacturing method for a composite metal bonding wire and products thereof
US20090297391A1 (en) * 2008-05-28 2009-12-03 Lee Jun-Der Manufacturing method for a silver alloy bonding wire and products thereof
TW201028240A (en) * 2009-01-23 2010-08-01 jun-de Li Composite bonding wire manufacturing method and product thereof
CN101786155A (zh) * 2009-01-24 2010-07-28 李俊德 复合金线及其制造方法
KR101144406B1 (ko) * 2009-03-17 2012-05-10 가부시키가이샤 닛데쓰 마이크로 메탈 반도체용 본딩 와이어
US8101123B2 (en) * 2009-03-23 2012-01-24 Lee Jun-Der Composite alloy bonding wire and manufacturing method thereof
US20100239455A1 (en) * 2009-03-23 2010-09-23 Lee Jun-Der Composite alloy bonding wire and manufacturing method thereof
US8876990B2 (en) * 2009-08-20 2014-11-04 Massachusetts Institute Of Technology Thermo-mechanical process to enhance the quality of grain boundary networks
JP5616165B2 (ja) * 2010-08-24 2014-10-29 タツタ電線株式会社 銀ボンディングワイヤ
JP4771562B1 (ja) * 2011-02-10 2011-09-14 田中電子工業株式会社 Ａｇ−Ａｕ−Ｐｄ三元合金系ボンディングワイヤ
US20130160902A1 (en) * 2011-12-21 2013-06-27 Jun-Der LEE Manufacturing method for composite alloy bonding wire
US20130164169A1 (en) * 2011-12-21 2013-06-27 Jun-Der LEE Composite alloy bonding wire

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8022541B2 (en) * 2006-05-30 2011-09-20 Mk Electron Co., Ltd. Au-Ag based alloy wire for semiconductor package
US20080240975A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Mk Electron Co. Ltd. Ag-based alloy wire for semiconductor package
TW201028227A (en) * 2009-01-23 2010-08-01 jun-de Li Method for manufacturing composite metal wire and product thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130079452A (ko) 2013-07-10
KR101328863B1 (ko) 2013-11-13
JP5670412B2 (ja) 2015-02-18
US20130171470A1 (en) 2013-07-04
CN103184362B (zh) 2015-05-20
TW201247905A (en) 2012-12-01
US8940403B2 (en) 2015-01-27
CN103184362A (zh) 2013-07-03
JP2013139635A (ja) 2013-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI384082B (zh) 合金線材及其製造方法
TWI486970B (zh) 銅基合金線材及其製造方法
US6132529A (en) Leadframe made of a high-strength, high-electroconductivity copper alloy
US4822560A (en) Copper alloy and method of manufacturing the same
JP3465108B2 (ja) 電気・電子部品用銅合金
TWI588274B (zh) 放熱零件用銅合金板以及放熱零件
KR101114116B1 (ko) 전기전자기기용 동합금 재료 및 전기전자부품
TWI605139B (zh) 散熱零件用銅合金板及散熱零件
JP2014073529A (ja) 合金ワイヤ
CN107429328B (zh) 散热元件用铜合金板和散热元件
TW201247904A (en) Ag-based alloy wire and method for manufacturing the same
WO2016152648A1 (ja) 放熱部品用銅合金板及び放熱部品
JP6732840B2 (ja) ベーパーチャンバー用銅合金板
TW201827613A (zh) 放熱元件用銅合金板、放熱元件及放熱元件的製造方法
JPH10152737A (ja) 銅合金材及びその製造方法
TWI548480B (zh) 銅銲線及其製造方法
TWI396756B (zh) 電子封裝合金線材及其製造方法
KR100267810B1 (ko) 고강도 고전기전도도를 갖는 동합금 반도체 리드프레임용 소재의 제조방법
JPS62189738A (ja) 半導体リ−ド用テ−プ
JPH09227971A (ja) 電子機器用銅合金材
JPS60245750A (ja) 半導体機器のリ−ド材用銅合金
JPH11199952A (ja) 高強度・高導電性銅合金及びその製造方法
JPH0598373A (ja) 低線膨張率を有する銅系リードフレーム材料及びその製造方法