JPS62189738A - 半導体リ−ド用テ−プ - Google Patents
半導体リ−ド用テ−プInfo
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- JPS62189738A JPS62189738A JP61032227A JP3222786A JPS62189738A JP S62189738 A JPS62189738 A JP S62189738A JP 61032227 A JP61032227 A JP 61032227A JP 3222786 A JP3222786 A JP 3222786A JP S62189738 A JPS62189738 A JP S62189738A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体素子の外部回路への結線用リード材に関
するものであり、特にＴＡＢ法に使用されるテープ状箔
導体をえんとするものである。
するものであり、特にＴＡＢ法に使用されるテープ状箔
導体をえんとするものである。
（従来の技術）
従来半導体素子上には外部結線用Ａｔ製電極Ａ？ッドが
形成され、リードフレームやセラミック基板などの外部
回路とＡｕ線などでワイヤ？ンドされている。しかし、
ＬＳＩ 、 ＶＬＳＩなどの高集積層化されたＩＣにお
いては上記のノぐラドが数１０〜２００個位に達するた
め土竜性の点のみではなく、技術的加工やワイヤーＡｆ
ント°の限界に近づいている。乙のためキャリヤーテー
プを用いる一括ゲンディング法としてＴＡＢが注目され
ている。
形成され、リードフレームやセラミック基板などの外部
回路とＡｕ線などでワイヤ？ンドされている。しかし、
ＬＳＩ 、 ＶＬＳＩなどの高集積層化されたＩＣにお
いては上記のノぐラドが数１０〜２００個位に達するた
め土竜性の点のみではなく、技術的加工やワイヤーＡｆ
ント°の限界に近づいている。乙のためキャリヤーテー
プを用いる一括ゲンディング法としてＴＡＢが注目され
ている。
通常リード部を予め穴あけされた？リイミドテーゾに電
解Ｃｕ箔を接着した後、レジストエツチング法によりリ
ードフレ−ムに成型される。
解Ｃｕ箔を接着した後、レジストエツチング法によりリ
ードフレ−ムに成型される。
、ｆ トローネ社のフィルム導体はテープキャリヤなど
と称される。
と称される。
図面はテープキャリヤがＴＡＢされた状態の断面図を示
すものであり、ｌは半導体素子、２は。
すものであり、ｌは半導体素子、２は。
接続用バンプ、３ば４？リイミドフイルム、４はＣｕ箔
リードである。
リードである。
Ａｕなどのバンプとリードの先端は熱圧着されるもので
あり、このため予めＡｕｒｓｎ−Ｐｂメッキが施され３
００Ｙ：、μ上のヒータをおしあててパソッとリードは
接合される。
あり、このため予めＡｕｒｓｎ−Ｐｂメッキが施され３
００Ｙ：、μ上のヒータをおしあててパソッとリードは
接合される。
（発明が解決するための問題点）
小型高度化した半導体においては、リードの中細化が強
く要望されており、５０μ前後又はこれ以下である。こ
のため従来の電解鋼箔においては強度、特にＴＡＢ時の
際の高温強度に劣るため、リードの変形、破損がおこり
高速ＴＡＢの操業を阻害する′ものであった。なお電解
鋼箔は一般に圧延純銅箔より強度特に耐熱強度が優れて
いるが、これでも十分なものとはいえないものであった
。
く要望されており、５０μ前後又はこれ以下である。こ
のため従来の電解鋼箔においては強度、特にＴＡＢ時の
際の高温強度に劣るため、リードの変形、破損がおこり
高速ＴＡＢの操業を阻害する′ものであった。なお電解
鋼箔は一般に圧延純銅箔より強度特に耐熱強度が優れて
いるが、これでも十分なものとはいえないものであった
。
（問題点を解決するための手段）
本発明は熱及び電気に優れた伝導性を有し、しかも耐熱
強度の大きい金属リード導体を開発したものである。
強度の大きい金属リード導体を開発したものである。
即ち本発明はＺｒ ０．０３〜０．５ Ｔｏ 、 Ｃｒ
０．０５〜０．５ ’１６゜Ｍｇ０．０１〜０．２％
、 Ｓｎ０．０１〜０．３％、Ａｇ０．０１〜０．２
％ 。
０．０５〜０．５ ’１６゜Ｍｇ０．０１〜０．２％
、 Ｓｎ０．０１〜０．３％、Ａｇ０．０１〜０．２
％ 。
Ｆｅ ０．０２〜０．３％ 、 Ｔｌ Ｏ，０２〜０．
２％ 、 Ｆｅ０．０１〜０．１ ’４ 。
２％ 、 Ｆｅ０．０１〜０．１ ’４ 。
Ｐｂ０．０５〜０．０２％、からなる群から選ばれた少
くとも１′Ｍｌの金属が総量にして０．０５〜０，５％
含有し、残部が実質的にＣｕのＣｕ合金からなる厚さ５
〜５０μのテープからなるものである。
くとも１′Ｍｌの金属が総量にして０．０５〜０，５％
含有し、残部が実質的にＣｕのＣｕ合金からなる厚さ５
〜５０μのテープからなるものである。
本発明テープは上記の銅インゴットの圧延、焼鈍を繰返
し行うことによって所定寸法に仕上げられるがその強度
、テープの平滑他及びエツチング性の点から１０〜９８
−以上の冷間加工率によって仕上げるものである。
し行うことによって所定寸法に仕上げられるがその強度
、テープの平滑他及びエツチング性の点から１０〜９８
−以上の冷間加工率によって仕上げるものである。
本発明テープは上記圧延以外にス・臂ツタ等のＰＶＤや
溶湯急冷法などによって製造することが出来る。
溶湯急冷法などによって製造することが出来る。
又このテープを通常の前記テープキャリヤー製造によシ
リードに形成できる。
リードに形成できる。
（作用）
本発明テープにおける合金は高導電性を有し且つ耐熱強
度に優れておシ、ＴＡＢ条件においても有害な強度劣化
をおこすことがない。又半導体の組立工程においてもリ
ード部の変化を防止することが出来る。又軟化温度が３
５０〜５００ ｔ：：を有し且つ強度３５〜５ｏゆ／、
、 又はそれ以上にして、電導率が約８０ Ｔｏ ｌ
ＡＣ３以上からなるため１、従来の電解銅箔が有する強
度３０〜３５ｋｌ？／■２軟化温度２５０〜３００℃に
対し著しく著れていることが明白である。
度に優れておシ、ＴＡＢ条件においても有害な強度劣化
をおこすことがない。又半導体の組立工程においてもリ
ード部の変化を防止することが出来る。又軟化温度が３
５０〜５００ ｔ：：を有し且つ強度３５〜５ｏゆ／、
、 又はそれ以上にして、電導率が約８０ Ｔｏ ｌ
ＡＣ３以上からなるため１、従来の電解銅箔が有する強
度３０〜３５ｋｌ？／■２軟化温度２５０〜３００℃に
対し著しく著れていることが明白である。
本発明テープに使用するＣｕ合金組成の範囲においてＣ
ｕと合金を形成する金属を０．００５〜０．５％含有せ
しめる理由は０．００５％未満の場合には耐熱性、強度
が劣シ、Ｏ，Ｓ Ｓを超える場合には導電率を低下せし
めるものである。
ｕと合金を形成する金属を０．００５〜０．５％含有せ
しめる理由は０．００５％未満の場合には耐熱性、強度
が劣シ、Ｏ，Ｓ Ｓを超える場合には導電率を低下せし
めるものである。
又本発明テープは冷間加工を行うことにょシ強度を増大
せしめ且つ平坦化することが出来るものであり、その加
工率は１０％ｌｌ上、望ましくは３０１以上が好ましい
。しかし９８％を超える過剰な加工率では圧延方向への
結晶の配向が著しくなシ材料強度の異方性は元よシェラ
チングレートの差となり、精密なリード成型を不可能に
する。このため冷間圧延加工率は１０〜９８慢、望まし
くは３０〜９０％である。
せしめ且つ平坦化することが出来るものであり、その加
工率は１０％ｌｌ上、望ましくは３０１以上が好ましい
。しかし９８％を超える過剰な加工率では圧延方向への
結晶の配向が著しくなシ材料強度の異方性は元よシェラ
チングレートの差となり、精密なリード成型を不可能に
する。このため冷間圧延加工率は１０〜９８慢、望まし
くは３０〜９０％である。
なお本発明テープを形成する合金は前記の合金元素とＣ
ｕとからなるが、脱酸剤としてＰ ｅ ＺｎｔＢなどの
少量を併用することも可能である。この脱酸剤の一部残
存は不可避であるが過剰に含有すると導電率の低下など
の不都合をまねく。
ｕとからなるが、脱酸剤としてＰ ｅ ＺｎｔＢなどの
少量を併用することも可能である。この脱酸剤の一部残
存は不可避であるが過剰に含有すると導電率の低下など
の不都合をまねく。
このためＰ、Ｂで０．１５ ％以下、Ｚｎ Ｏ，Ｓ ｑ
６以下である。
６以下である。
（実施例）
（１） 第１表に示す組成の合金を溶解鋳造−熱延一
焼鈍一冷延一焼鈍の工程を行った後、最終の中間焼鈍を
６００１１：：にて行い、次いで第１表に示す加工率に
て本発明テープ（本発明品）及び比較例テープ（比較例
品）をえた。
焼鈍一冷延一焼鈍の工程を行った後、最終の中間焼鈍を
６００１１：：にて行い、次いで第１表に示す加工率に
て本発明テープ（本発明品）及び比較例テープ（比較例
品）をえた。
斯くして得た本発明品及び比較例品について。
その性能を試みるために導Ｘ率及び３５０ｔｌ：Ｘ３分
間加熱後の引張シ強さを測定した。その結果は第１ｉに
併記した通シである。 ” なお表中Ｎ１１ｌ−Ｎａ１４は本発明品、Ｎａ１５〜Ｎ
１２４は比較例品、Ｎ１２５〜Ｎ１１Ｌ２６は従来銅箔
である。
間加熱後の引張シ強さを測定した。その結果は第１ｉに
併記した通シである。 ” なお表中Ｎ１１ｌ−Ｎａ１４は本発明品、Ｎａ１５〜Ｎ
１２４は比較例品、Ｎ１２５〜Ｎ１１Ｌ２６は従来銅箔
である。
上表から明らかな如く本発明品は電導率及び引張強度に
おいて浸れていることが認められ九。
おいて浸れていることが認められ九。
（２）実施例（１）における試料随４及びＮ１１６につ
いて最終焼鈍の板厚を変えて冷間加工率を調整して第２
表に示す箔体（厚さ２５μ）からなる本発明テープ（本
発明品）及び比較例テープ（比較例品）をえた。
いて最終焼鈍の板厚を変えて冷間加工率を調整して第２
表に示す箔体（厚さ２５μ）からなる本発明テープ（本
発明品）及び比較例テープ（比較例品）をえた。
斯くして得た本発明品及び比較例品についてその性能を
試みるために圧延方向、巾方向につき引張シ強さ、伸び
及び塩化第２鉄液によるサイドエツチングを夫々測定し
た。その結果は第２表に併記した通シである。
試みるために圧延方向、巾方向につき引張シ強さ、伸び
及び塩化第２鉄液によるサイドエツチングを夫々測定し
た。その結果は第２表に併記した通シである。
なお、サイドエッチは断面プロファイルの最大深さとし
た。又表中ＮＩＬ ４−１ 、 ＮＩＬ ４−６ 、
Ｎｌ ６−１゜随６−６は比較例品である。
た。又表中ＮＩＬ ４−１ 、 ＮＩＬ ４−６ 、
Ｎｌ ６−１゜随６−６は比較例品である。
上衣よシ明らかな如く加工率１０％未満の随４−１及び
Ｎ１Ｌ６−１は強度が劣るばかシでなくサイドエッチも
やや太い傾向にある。これは焼鈍時の粗な結晶組織が残
ったことが原因である。又Ｎａ４−６及び漱６−６も巾
方向への伸びの値が著しく低下するばかシでなくサイド
エッチが大きくなっている。これは圧延方向に結晶が過
剰に延ばされた結果と推考される。これに比して本発明
凸部４−２〜ＮＩＬ ４−５及びｍ ６−２〜醜６−５
は何れも性能において優れていることが認められた。
Ｎ１Ｌ６−１は強度が劣るばかシでなくサイドエッチも
やや太い傾向にある。これは焼鈍時の粗な結晶組織が残
ったことが原因である。又Ｎａ４−６及び漱６−６も巾
方向への伸びの値が著しく低下するばかシでなくサイド
エッチが大きくなっている。これは圧延方向に結晶が過
剰に延ばされた結果と推考される。これに比して本発明
凸部４−２〜ＮＩＬ ４−５及びｍ ６−２〜醜６−５
は何れも性能において優れていることが認められた。
（効果）
以上詳述した如く本発明半導体用リードテープによれば
高密匿にして微細な配線を扁精度並に高能率にて実施し
うる等工業上極めて有用なものである。
高密匿にして微細な配線を扁精度並に高能率にて実施し
うる等工業上極めて有用なものである。
図面は半導体リードテープにおいてＴＡＢによる実装の
断面図である。 ！・・・半導体素子、２・・・接着用バンプ、３・・・
ポリイミ ドフィルム、４・・・Ｃｕ箔リード。
断面図である。 ！・・・半導体素子、２・・・接着用バンプ、３・・・
ポリイミ ドフィルム、４・・・Ｃｕ箔リード。
Claims (1)
- Ｚｒ０．０３〜０．５％、Ｃｒ０．０５〜０．５％、Ｍ
ｇ０．０１〜０．２％、Ｓｎ０．０１〜０．３％、Ａｇ
０．０１〜０．２％、Ｆｅ０．０２〜０．３％、Ｔｉ０
．０２〜０．２％、Ｆｅ０．０１〜０．１％、Ｐｂ０．
００５〜０．０２％からなる群から選ばれた少くとも１
種の金属が総量にして０．００５〜０．５％含有し残部
が実質的にＣｕのＣｕ合金からなり、冷間加工率１０〜
９８％にて圧延し、テープ状に加工したことを特徴とす
る半導体リード用テープ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61032227A JPH0682713B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 半導体リ−ド用テ−プ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61032227A JPH0682713B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 半導体リ−ド用テ−プ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62189738A true JPS62189738A (ja) | 1987-08-19 |
| JPH0682713B2 JPH0682713B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=12353080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61032227A Expired - Lifetime JPH0682713B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 半導体リ−ド用テ−プ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682713B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63215044A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-07 | Nippon Mining Co Ltd | テ−プキヤリヤ用銅合金箔 |
| JPS6412539A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-17 | Nippon Mining Co | Manufacture of film carrier |
| JPS6412538A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-17 | Nippon Mining Co | Film carrier and manufacture thereof |
| JPH02198149A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-06 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置のフィルムキャリア基板 |
| US7338631B2 (en) | 2004-04-14 | 2008-03-04 | Mitsubishi Shindoh Co., Ltd. | Copper alloy and method of manufacturing the same |
-
1986
- 1986-02-17 JP JP61032227A patent/JPH0682713B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63215044A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-07 | Nippon Mining Co Ltd | テ−プキヤリヤ用銅合金箔 |
| JPS6412539A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-17 | Nippon Mining Co | Manufacture of film carrier |
| JPS6412538A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-17 | Nippon Mining Co | Film carrier and manufacture thereof |
| JPH02198149A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-06 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置のフィルムキャリア基板 |
| US7338631B2 (en) | 2004-04-14 | 2008-03-04 | Mitsubishi Shindoh Co., Ltd. | Copper alloy and method of manufacturing the same |
| US7485200B2 (en) | 2004-04-14 | 2009-02-03 | Mitsubishi Shindoh Co., Ltd. | Copper alloy and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0682713B2 (ja) | 1994-10-19 |
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