JPS63192835A - セラミツクパツケ−ジ用リ−ド材 - Google Patents
セラミツクパツケ−ジ用リ−ド材Info
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- JPS63192835A JPS63192835A JP2524987A JP2524987A JPS63192835A JP S63192835 A JPS63192835 A JP S63192835A JP 2524987 A JP2524987 A JP 2524987A JP 2524987 A JP2524987 A JP 2524987A JP S63192835 A JPS63192835 A JP S63192835A
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Links
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Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体等の電子部品をセラミックパッケージに
より実装する際に用いるリードフレーム、リード線、端
子等のリード材に関するものである。
より実装する際に用いるリードフレーム、リード線、端
子等のリード材に関するものである。
−ｍにトランジスタやＩＣ等の電子部品の実装には、リ
ードフレーム、リード線、端子等のリード材が用いられ
ており、前記電子部品を周囲の雰囲気からシールするた
めにプラスチック或いはセラミックによるパッケージが
施されている。而してプラスチックパッケージの場合は
、リード材としてアロイ１９４ （Ｃｕ −２，４＠
ｔ％Ｆｅ）等積々の銅合金材が使用されているが、セラ
ミックパッケージの場合は、該セラミックとリード材と
のロー付けが行なわれるので耐熱性が必要であり、コバ
ール或いは４２７０イが従来使用されている。
ードフレーム、リード線、端子等のリード材が用いられ
ており、前記電子部品を周囲の雰囲気からシールするた
めにプラスチック或いはセラミックによるパッケージが
施されている。而してプラスチックパッケージの場合は
、リード材としてアロイ１９４ （Ｃｕ −２，４＠
ｔ％Ｆｅ）等積々の銅合金材が使用されているが、セラ
ミックパッケージの場合は、該セラミックとリード材と
のロー付けが行なわれるので耐熱性が必要であり、コバ
ール或いは４２７０イが従来使用されている。
前記コバール或いは４２７０イは、強度、耐熱性等は優
れているものの、導電率が低く、従って該導電率とほぼ
比例関係にある熱伝導率も小さく、半導体素子の発熱に
対する熱放散性の点で劣っている。
れているものの、導電率が低く、従って該導電率とほぼ
比例関係にある熱伝導率も小さく、半導体素子の発熱に
対する熱放散性の点で劣っている。
近年ＩＣ等電子部品実装の高密度化に伴ない、該電子部
品より発生する熱は益々増加する傾向にあり、従来より
も熱放散性に優れた材料の開発が強く望まれている。こ
の様な材料として、熱伝導性が良好な銅合金材を使用す
ることが考えられるが、アロイ１９４等従来プラスチッ
クパッケージ用として使用されてきた銅合金材は、耐熱
性の点で前記コバール或いは４２７０イより劣っており
、セラミックパッケージ用としては使用することが出来
なかった。即ち前記従来の銅合金材は耐熱性が低くて、
セラミックとロー付けする際に軟化してしまうため、基
板へのＩＣ実装時にリード材の折れや屈曲が起って歩留
りが低下すると共に、製品の信頼性の点でも問題があっ
た。
品より発生する熱は益々増加する傾向にあり、従来より
も熱放散性に優れた材料の開発が強く望まれている。こ
の様な材料として、熱伝導性が良好な銅合金材を使用す
ることが考えられるが、アロイ１９４等従来プラスチッ
クパッケージ用として使用されてきた銅合金材は、耐熱
性の点で前記コバール或いは４２７０イより劣っており
、セラミックパッケージ用としては使用することが出来
なかった。即ち前記従来の銅合金材は耐熱性が低くて、
セラミックとロー付けする際に軟化してしまうため、基
板へのＩＣ実装時にリード材の折れや屈曲が起って歩留
りが低下すると共に、製品の信頼性の点でも問題があっ
た。
本発明は上記の点に鑑み種々検討の結果なされたもので
あって、その目的とするところは、耐熱性が優れている
と共に、導電率が高く、従って熱放散性に優れたセラミ
ックパッケージ用リード材を提供することである。
あって、その目的とするところは、耐熱性が優れている
と共に、導電率が高く、従って熱放散性に優れたセラミ
ックパッケージ用リード材を提供することである。
即ち本発明によるセラミックパッケージ用リード材の第
１の発明は、Ｎｉ：０．１〜４．５ｗｔ％、Ｓ ｉ ：
０．０５〜１．２ｗｔ％、Ｔ ｉ ： ０．０１〜０
．５ｉｙｔ％、Ｓ ｎ ： ０．０１〜３．５ｗｔ％、
Ｚ ｎ ： ０．０１〜５．０ｗｔ％を含有し、残部Ｃ
ｕと不可避な不純物からなることを特徴とするものであ
り、又第２の発明はＮｉ：０．１〜４．５ｗｔ％、Ｓ
ｉ ： ０．０５〜１．２ｗｔ％、Ｔｉ：０．０１〜０
．５ｗｔ％、Ｓ ｎ ： ０．０１〜３．５ｗｔ％、Ｚ
ｎ：０．０１〜５．０ｗｔ％を含をし、更に０．００５
〜０．３ｗｔ％のＣａ、 Ｍｇ、’ Ｍ、 Ｍ、 、Ｖ
、 Ｐ．、Ｃｒ、 Ｚｒ。
１の発明は、Ｎｉ：０．１〜４．５ｗｔ％、Ｓ ｉ ：
０．０５〜１．２ｗｔ％、Ｔ ｉ ： ０．０１〜０
．５ｉｙｔ％、Ｓ ｎ ： ０．０１〜３．５ｗｔ％、
Ｚ ｎ ： ０．０１〜５．０ｗｔ％を含有し、残部Ｃ
ｕと不可避な不純物からなることを特徴とするものであ
り、又第２の発明はＮｉ：０．１〜４．５ｗｔ％、Ｓ
ｉ ： ０．０５〜１．２ｗｔ％、Ｔｉ：０．０１〜０
．５ｗｔ％、Ｓ ｎ ： ０．０１〜３．５ｗｔ％、Ｚ
ｎ：０．０１〜５．０ｗｔ％を含をし、更に０．００５
〜０．３ｗｔ％のＣａ、 Ｍｇ、’ Ｍ、 Ｍ、 、Ｖ
、 Ｐ．、Ｃｒ、 Ｚｒ。
ＢＳＹ、Ｌａ、Ｆｅの内１種又は２種以上を合計で０．
００５〜０．５ｗｔ％含有し、残部Ｃｕと不可避な不純
物からなることを特徴とするものである。更に本発明に
よる前記リード材においては、Ｏ２２００ｐｐＨ以下、
Ｈｚ １０ｐｐ＠以下、５ ２０ｐｐｍ以下を含有し
ていることが望ましい。
００５〜０．５ｗｔ％含有し、残部Ｃｕと不可避な不純
物からなることを特徴とするものである。更に本発明に
よる前記リード材においては、Ｏ２２００ｐｐＨ以下、
Ｈｚ １０ｐｐ＠以下、５ ２０ｐｐｍ以下を含有し
ていることが望ましい。
本発明によるセラミックパッケージ用リード材は、Ｃｕ
にＮｉ、Ｓｔ、Ｔｉ５Ｓｎを添加して、微細なＮ１−３
ｔ−Ｔｉ−Ｓｎ四元化合物を均一に析出させることによ
り、導電率を余り低下させないで、強度及び耐熱性を向
上させると共に、Ｚｎを添加して半田付性、メッキ性の
向上並びにＣｕのマイグレーション防止を図ったもので
ある。
にＮｉ、Ｓｔ、Ｔｉ５Ｓｎを添加して、微細なＮ１−３
ｔ−Ｔｉ−Ｓｎ四元化合物を均一に析出させることによ
り、導電率を余り低下させないで、強度及び耐熱性を向
上させると共に、Ｚｎを添加して半田付性、メッキ性の
向上並びにＣｕのマイグレーション防止を図ったもので
ある。
Ｓｎは更に固溶成分としての作用も有しており、延性を
向上させてリード部の繰返し曲げ性を向上させるもので
ある０本発明において、Ｎｊ、Ｓｔ、Ｔｉ、Ｓｎ及びＺ
ｎの含有量の範囲を限定したのは、夫々下記の理由によ
る。即ちＮｉ、Ｓｔ、Ｔｉ、Ｓｎ量の下限を夫々０．１
ｗｔ％、０．０５ｓｇｔ％、０．０１ｗｔ％、０．０１
ｗｔ％としたのは、前記下限未満の含有量では四元化合
物の析出による強度及び耐熱性の向上が見られないため
であり、又Ｎｌ、ＳＩ％Ｔｉ％５ｎｉ１の上限を夫々４
．５ｗｔ％、１．２ｗｔ％、０．５ｗｔ％、３．５ｗｔ
％としたのは、前記上限を超えて含有されると、強度及
び耐熱性向上の効果が飽和すると共に、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｓ
ｎでは熱間加工性、導電性が、ＴＩでは鋳造性が大きく
損なわれるためである。又Ｚｎ量を０．Ｏ１〜５．０ｗ
ｔ％の範囲内としたのは、０．０１ｗｔ％未満では半田
付性、メッキ性の向上が見られず、５．０ｗｔ％を超え
ると導電率が低下すると共に加工性も悪くなるためであ
る。
向上させてリード部の繰返し曲げ性を向上させるもので
ある０本発明において、Ｎｊ、Ｓｔ、Ｔｉ、Ｓｎ及びＺ
ｎの含有量の範囲を限定したのは、夫々下記の理由によ
る。即ちＮｉ、Ｓｔ、Ｔｉ、Ｓｎ量の下限を夫々０．１
ｗｔ％、０．０５ｓｇｔ％、０．０１ｗｔ％、０．０１
ｗｔ％としたのは、前記下限未満の含有量では四元化合
物の析出による強度及び耐熱性の向上が見られないため
であり、又Ｎｌ、ＳＩ％Ｔｉ％５ｎｉ１の上限を夫々４
．５ｗｔ％、１．２ｗｔ％、０．５ｗｔ％、３．５ｗｔ
％としたのは、前記上限を超えて含有されると、強度及
び耐熱性向上の効果が飽和すると共に、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｓ
ｎでは熱間加工性、導電性が、ＴＩでは鋳造性が大きく
損なわれるためである。又Ｚｎ量を０．Ｏ１〜５．０ｗ
ｔ％の範囲内としたのは、０．０１ｗｔ％未満では半田
付性、メッキ性の向上が見られず、５．０ｗｔ％を超え
ると導電率が低下すると共に加工性も悪くなるためであ
る。
本発明によるセラミックパッケージ用リード材は、特許
請求の範囲第３項に記載した様に、更に０．００５〜０
．３ｗｔ％のＣａ ％ Ｍ ｇ ％ Ｍ、 Ｍ、 （Ｍ
＋ｓｃｈＭｅｔａｌ） 、Ｖ、Ｐ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｂ．、
ＹＳＬａ。
請求の範囲第３項に記載した様に、更に０．００５〜０
．３ｗｔ％のＣａ ％ Ｍ ｇ ％ Ｍ、 Ｍ、 （Ｍ
＋ｓｃｈＭｅｔａｌ） 、Ｖ、Ｐ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｂ．、
ＹＳＬａ。
Ｆｅの内１種又は２種以上を合計で０．００５〜０．５
１％含有してもよく、これらの副成分を添加することに
よって結晶粒が微細化し、ろう付は等の高温熱処理時に
おける強度低下を抑制する。尚前記効果を得るためには
、本発明の範囲内の含有量で充分であって、それを超え
ると導電率が低下すると共に・加工性が悪くなって製造
が困難となる。
１％含有してもよく、これらの副成分を添加することに
よって結晶粒が微細化し、ろう付は等の高温熱処理時に
おける強度低下を抑制する。尚前記効果を得るためには
、本発明の範囲内の含有量で充分であって、それを超え
ると導電率が低下すると共に・加工性が悪くなって製造
が困難となる。
本発明におけるｏｘ 、Ｈ，、Ｓの効果並びに含有量の
範囲の限定理由は下記の通りである。即ち０２は前記Ｎ
ｉ−３ｔ−Ｔｉ−３ｎ四元化合物の微細かつ均一な析出
並びに半田付性、メッキ性向上の効果があるが、含有量
が２００ｐｐ１１１を超えるとこれらの効果が見られな
く、又ろう付は時に高温脆化を起しやすくなる。Ｈ２は
ろう付は時における高温脆化を防止する効果があるが、
含有量のｌｏｐｐｍを超えると、逆に高温脆化を起しや
すくなると共に、半田付性、メッキ性、耐熱性等も悪く
なる。
範囲の限定理由は下記の通りである。即ち０２は前記Ｎ
ｉ−３ｔ−Ｔｉ−３ｎ四元化合物の微細かつ均一な析出
並びに半田付性、メッキ性向上の効果があるが、含有量
が２００ｐｐ１１１を超えるとこれらの効果が見られな
く、又ろう付は時に高温脆化を起しやすくなる。Ｈ２は
ろう付は時における高温脆化を防止する効果があるが、
含有量のｌｏｐｐｍを超えると、逆に高温脆化を起しや
すくなると共に、半田付性、メッキ性、耐熱性等も悪く
なる。
ＳはＮｉ−５ｔ−Ｔｉ−３ｎ四元化合物の微細かつ均一
な析出並びに熱間加工性向上の効果があるが、含有量が
２０ｐｐｍを超えるとこれらの効果が見られないばかり
か、逆に熱間加工性が悪くなる。
な析出並びに熱間加工性向上の効果があるが、含有量が
２０ｐｐｍを超えるとこれらの効果が見られないばかり
か、逆に熱間加工性が悪くなる。
次に本発明を実施例により更に具体的に説明する。
第１表に示す組成の銅合金を冷却鋳型を用いて半連続鋳
造し、８５０℃で熱間圧延後面剤して厚さ１０Ｍの板と
した。これを加工率９６％で冷間圧延した後、５００°
Ｃ×３０分間熱処理してから加工率２５％で冷間圧延し
て厚さ０．３１１Ｉｆｆｌの板とし、更に４００℃×３
０分間の調質焼鈍を行なって仕上げた。
造し、８５０℃で熱間圧延後面剤して厚さ１０Ｍの板と
した。これを加工率９６％で冷間圧延した後、５００°
Ｃ×３０分間熱処理してから加工率２５％で冷間圧延し
て厚さ０．３１１Ｉｆｆｌの板とし、更に４００℃×３
０分間の調質焼鈍を行なって仕上げた。
以上の様にして得られた各種銅合金のサンプルについて
、引張強さ、導電率、半田接合部の接合強度、メッキ膜
の密着性、繰返し曲げ性、耐熱性等を下記の方法により
評価し、これらの結果をまとめて第２表に示した。
、引張強さ、導電率、半田接合部の接合強度、メッキ膜
の密着性、繰返し曲げ性、耐熱性等を下記の方法により
評価し、これらの結果をまとめて第２表に示した。
引張強さはＪＩＳ−２２２４１、導電率はＪＩＳ−８０
５０５に基づいて測定し、半田接合部の接合強度は、サ
ンプルに直径２ｍの無酸素銅線を６０／４０共品半田に
より半田付けしてから、１５０”Ｃに５００ｈｒ保持し
た後引張試験することによって求めた。
５０５に基づいて測定し、半田接合部の接合強度は、サ
ンプルに直径２ｍの無酸素銅線を６０／４０共品半田に
より半田付けしてから、１５０”Ｃに５００ｈｒ保持し
た後引張試験することによって求めた。
メッキ膜の密着性は、サンプルを電解脱脂、酸洗いして
から、ホウフッ化物浴を用いてＳｎ−５ｗｔ％Ｐｂ合金
を１．５ｔｎａメツキし、これを１０５℃に１０００ｈ
ｒ保持した後１８０°に折曲げ、折曲げ部におけるメッ
キ膜の剥離の有無を調べた。
から、ホウフッ化物浴を用いてＳｎ−５ｗｔ％Ｐｂ合金
を１．５ｔｎａメツキし、これを１０５℃に１０００ｈ
ｒ保持した後１８０°に折曲げ、折曲げ部におけるメッ
キ膜の剥離の有無を調べた。
繰返し曲げ性及び耐熱性に関しては、サンプルを８７５
°Ｃで５分間加熱後室温迄冷却し、その後４５０°Ｃ×
３０分間の熱処理を行なった材料について、繰返し曲げ
性はＭＩＬ−３ＴＤ８８３／２００４Ｃｏｎｄｉｔｉｏ
ｎ Ｂｘで測定しく耐熱性はＪＩＳ−Ｚ２２４１に基づ
いて引張強さを測定することにより評価した。
°Ｃで５分間加熱後室温迄冷却し、その後４５０°Ｃ×
３０分間の熱処理を行なった材料について、繰返し曲げ
性はＭＩＬ−３ＴＤ８８３／２００４Ｃｏｎｄｉｔｉｏ
ｎ Ｂｘで測定しく耐熱性はＪＩＳ−Ｚ２２４１に基づ
いて引張強さを測定することにより評価した。
第２表から明らかな様に、本発明合金Ｎα１〜１３は、
従来合金ＮＣＬ２３と同等或いはそれ以上の強度及び耐
熱性を有していると共に、患２３の約２０倍の高い導電
率を有しており、従って熱放散性が非常に優れている。
従来合金ＮＣＬ２３と同等或いはそれ以上の強度及び耐
熱性を有していると共に、患２３の約２０倍の高い導電
率を有しており、従って熱放散性が非常に優れている。
更に半田接合部の接合強度、メッキ膜の密着性、繰返し
曲げ性等に関しても従来合金と同程度の優れた特性を有
している。
曲げ性等に関しても従来合金と同程度の優れた特性を有
している。
一方、Ｎｔ−５ｉ−Ｔｉ量が少ない比較合金Ｎα１４及
びＮ１、Ｓｎ量が少ない比較合金Ｎα２１は強度及び耐
熱性が不充分であり、繰返し曲げ性も劣っている。又Ｔ
ｉ量が多い比較合金石１５は鋳造が困難であり、副成分
（Ｖ、Ｍｇ、Ｙ）の含有量が多い比較合金漱１７及びＳ
ｎ量が多い比較合金ＮＣＬ２２は熱間圧延が困難であっ
て、これらはいずれもサンプルが得られなかった。更に
Ｚｎが含有されていない比較合金Ｎα１６は半田接合部
の接合強度が低く、メッキ性も劣っていた。０！量、Ｈ
８が多い比較合金阻１８．１９は耐熱性並びに半田付性
、メッキ性、繰返し曲げ性が劣っており、Ｓ量が多い比
較合金Ｎα２０は熱間圧延が困難でサンプルが得られな
かった。
びＮ１、Ｓｎ量が少ない比較合金Ｎα２１は強度及び耐
熱性が不充分であり、繰返し曲げ性も劣っている。又Ｔ
ｉ量が多い比較合金石１５は鋳造が困難であり、副成分
（Ｖ、Ｍｇ、Ｙ）の含有量が多い比較合金漱１７及びＳ
ｎ量が多い比較合金ＮＣＬ２２は熱間圧延が困難であっ
て、これらはいずれもサンプルが得られなかった。更に
Ｚｎが含有されていない比較合金Ｎα１６は半田接合部
の接合強度が低く、メッキ性も劣っていた。０！量、Ｈ
８が多い比較合金阻１８．１９は耐熱性並びに半田付性
、メッキ性、繰返し曲げ性が劣っており、Ｓ量が多い比
較合金Ｎα２０は熱間圧延が困難でサンプルが得られな
かった。
本発明によるリード材は、従来合金よりも導電性、熱放
散性がはるかに優れていると共に、従来合金と同等の優
れた耐熱性、強度、半田付性、メッキ性等を有していて
、電子機器におけるサイドブレーズ型やピン・グリッド
・アレイ型のセラミックパッケージ用リード材として好
適であり、電子機器の信頼性を高めるのは勿論のこと、
該電子機器の高集積化、小型化、高機能化を容易にする
等工業上顕著な効果を奏するものである。
散性がはるかに優れていると共に、従来合金と同等の優
れた耐熱性、強度、半田付性、メッキ性等を有していて
、電子機器におけるサイドブレーズ型やピン・グリッド
・アレイ型のセラミックパッケージ用リード材として好
適であり、電子機器の信頼性を高めるのは勿論のこと、
該電子機器の高集積化、小型化、高機能化を容易にする
等工業上顕著な効果を奏するものである。
Claims (4)
- （１）Ｎｉ：０．１〜４．５ｗｔ％、Ｓｉ：０．０５〜
１．２ｗｔ％、Ｔｉ：０．０１〜０．５ｗｔ％、Ｓｎ：
０．０１〜３．５ｗｔ％、Ｚｎ：０．０１〜５．０ｗｔ
％を含有し、残部Ｃｕと不可避な不純物からなることを
特徴とするセラミックパッケージ用リード材。 - （２）特許請求の範囲第１項記載の銅合金において、Ｏ
＿２２００ｐｐｍ以下、Ｈ＿２１０ｐｐｍ以下、Ｓ２０
ｐｐｍ以下としたことを特徴とするセラミックパッケー
ジ用リード材。 - （３）Ｎｉ：０．１〜４．５ｗｔ％、Ｓｉ：０．０５〜
１．２ｗｔ％、Ｔｉ：０．０１〜０．５ｗｔ％、Ｓｎ：
０．０１〜３．５ｗｔ％、Ｚｎ：０．０１〜５．０ｗｔ
％を含有し、更に０．００５〜０．３ｗｔ％のＣａ、Ｍ
ｇ、Ｍ．Ｍ．、Ｖ、Ｐ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｂ、Ｙ、Ｌａ、Ｆ
ｅの内１種又は２種以上を合計で０．００５〜０．５ｗ
ｔ％含有し、残部Ｃｕと不可避な不純物からなることを
特徴とするセラミックパッケージ用リード材。 - （４）特許請求の範囲第３項記載の銅合金において、Ｏ
＿２２００ｐｐｍ以下、Ｈ＿２１０ｐｐｍ以下、Ｓ２０
ｐｐｍ以下としたことを特徴とするセラミックパッケー
ジ用リード材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2524987A JPS63192835A (ja) | 1987-02-05 | 1987-02-05 | セラミツクパツケ−ジ用リ−ド材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2524987A JPS63192835A (ja) | 1987-02-05 | 1987-02-05 | セラミツクパツケ−ジ用リ−ド材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63192835A true JPS63192835A (ja) | 1988-08-10 |
Family
ID=12160716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2524987A Pending JPS63192835A (ja) | 1987-02-05 | 1987-02-05 | セラミツクパツケ−ジ用リ−ド材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63192835A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63274729A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子・電気機器用銅合金 |
| JPS63293130A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-30 | Mitsubishi Shindo Kk | 半導体装置用Ｃｕ合金製リ−ドフレ−ム材 |
| EP1050594A1 (en) * | 1999-05-04 | 2000-11-08 | OLIN CORPORATION, Corporation of the Commonwealth of Virginia | Copper alloy with improved resistance to cracking |
| JP2010150669A (ja) * | 2010-03-15 | 2010-07-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電気電子機器用銅合金材料およびその製造方法 |
-
1987
- 1987-02-05 JP JP2524987A patent/JPS63192835A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63274729A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子・電気機器用銅合金 |
| JPH0440417B2 (ja) * | 1987-04-30 | 1992-07-02 | Furukawa Electric Co Ltd | |
| JPS63293130A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-30 | Mitsubishi Shindo Kk | 半導体装置用Ｃｕ合金製リ−ドフレ−ム材 |
| JPH0565569B2 (ja) * | 1987-05-26 | 1993-09-20 | Mitsubishi Shindo Kk | |
| EP1050594A1 (en) * | 1999-05-04 | 2000-11-08 | OLIN CORPORATION, Corporation of the Commonwealth of Virginia | Copper alloy with improved resistance to cracking |
| US6251199B1 (en) | 1999-05-04 | 2001-06-26 | Olin Corporation | Copper alloy having improved resistance to cracking due to localized stress |
| JP2010150669A (ja) * | 2010-03-15 | 2010-07-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電気電子機器用銅合金材料およびその製造方法 |
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