JPS58147140A - 半導体装置のリ−ド材 - Google Patents
半導体装置のリ−ド材Info
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- JPS58147140A JPS58147140A JP57029999A JP2999982A JPS58147140A JP S58147140 A JPS58147140 A JP S58147140A JP 57029999 A JP57029999 A JP 57029999A JP 2999982 A JP2999982 A JP 2999982A JP S58147140 A JPS58147140 A JP S58147140A
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- H01L2924/01029—Copper [Cu]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はICやLSIなどの半導体装置のリード材に
関するものである。
関するものである。
従来、一般に、ICJp、LSIなどの半導体装置は、
(a)まず、リード素材として、板厚:0.1〜0.3
寵を有する条材を用意し、 (b)上記リード素材よりプレス打抜き加工により製造
せんとする半導体装置の形状に適合したIJ−ドフレー
ムを形成し、 (C)ついで、上記リードフレームの所定個所に高純度
SiiるいはGeなどの半導体素子を、Agペーストな
どの導電性樹脂を用いて加熱接着するか、あるいは予め
上記リード素材の片面にメッキしておいたAu、 Ag
、 Ni、あるいはこれらの合金層を介して加熱拡散圧
着するかし、 (a)上記半導体素子と上記リードフレームとに渡って
Au線によるワイヤボンデング(結線)を施し、(e)
引続いて、上記半導体素子、結線、および半導体素子が
取付けられた部分のリードフレームを、これらを保護す
る目的で、プラスチックで封止し、(f)最終的に、上
記リードフレームにおける相互に連なる部分を切除して
リード材とする、以上(a)〜(f)の主要工程によっ
て製造されているうしたがって、半導体装置のリード材
となるリード素材には、良好なプレス打抜き性、半導体
素子の加熱接着に際して熱歪および熱軟化が生じない耐
熱性、良好な放熱性と導電性、さらに半導体装置の輸送
あるいは電気機器への組込みに際して曲がりや繰返し曲
げによって破損が生じない強度が要求され、特性的には
、引張強さ: 55 kgf/mt1以上、硬さ:ビッ
カース硬さで1’70以上、伸び:3%以上、導電率(
放熱性、すなわち熱伝導性は導電率で換算評価される)
:3%工AC9以上、軟化点(耐熱性を評価する場合に
用いられる):380℃以上が必要とされることから、
現在、コバール(Fe−29%Ni−16%CO合金)
や42合金(Fe−42%N1合金)がリード素材とし
て広く実用に供されている。
寵を有する条材を用意し、 (b)上記リード素材よりプレス打抜き加工により製造
せんとする半導体装置の形状に適合したIJ−ドフレー
ムを形成し、 (C)ついで、上記リードフレームの所定個所に高純度
SiiるいはGeなどの半導体素子を、Agペーストな
どの導電性樹脂を用いて加熱接着するか、あるいは予め
上記リード素材の片面にメッキしておいたAu、 Ag
、 Ni、あるいはこれらの合金層を介して加熱拡散圧
着するかし、 (a)上記半導体素子と上記リードフレームとに渡って
Au線によるワイヤボンデング(結線)を施し、(e)
引続いて、上記半導体素子、結線、および半導体素子が
取付けられた部分のリードフレームを、これらを保護す
る目的で、プラスチックで封止し、(f)最終的に、上
記リードフレームにおける相互に連なる部分を切除して
リード材とする、以上(a)〜(f)の主要工程によっ
て製造されているうしたがって、半導体装置のリード材
となるリード素材には、良好なプレス打抜き性、半導体
素子の加熱接着に際して熱歪および熱軟化が生じない耐
熱性、良好な放熱性と導電性、さらに半導体装置の輸送
あるいは電気機器への組込みに際して曲がりや繰返し曲
げによって破損が生じない強度が要求され、特性的には
、引張強さ: 55 kgf/mt1以上、硬さ:ビッ
カース硬さで1’70以上、伸び:3%以上、導電率(
放熱性、すなわち熱伝導性は導電率で換算評価される)
:3%工AC9以上、軟化点(耐熱性を評価する場合に
用いられる):380℃以上が必要とされることから、
現在、コバール(Fe−29%Ni−16%CO合金)
や42合金(Fe−42%N1合金)がリード素材とし
て広く実用に供されている。
一方、近年、半導体装置の集積度は著しく向上する傾向
にあり、これに伴って半導体装置に発生する熱を逃がす
放熱性(熱伝導性、すなわち導電率)が重要視されるよ
うになっており、これに適合するには20%lAC3以
上の導電率をもったリード材の使用が不可欠であるとさ
れている。
にあり、これに伴って半導体装置に発生する熱を逃がす
放熱性(熱伝導性、すなわち導電率)が重要視されるよ
うになっており、これに適合するには20%lAC3以
上の導電率をもったリード材の使用が不可欠であるとさ
れている。
しかし、現在実用に供されているコバールや42合金は
一導電率以外の特性では要求特性を十分満足するものの
導電率に関しては3%I A CS程度と低く、特に近
年の集積度の高い半導体装置のリード材としては使用に
供し得なくなりつつあるのが現状である。
一導電率以外の特性では要求特性を十分満足するものの
導電率に関しては3%I A CS程度と低く、特に近
年の集積度の高い半導体装置のリード材としては使用に
供し得なくなりつつあるのが現状である。
そこで、本発明者等は、上述のような観点から、集積度
の高い半導体装置のリード材として使用するのに適した
材料な得べく、特に高い導電率を有するCu合金に着目
し研究を行なった結果、重量%で、Sn: 1.5〜4
.5%、 P : 0.01 P−0,20%。
の高い半導体装置のリード材として使用するのに適した
材料な得べく、特に高い導電率を有するCu合金に着目
し研究を行なった結果、重量%で、Sn: 1.5〜4
.5%、 P : 0.01 P−0,20%。
Co:0.05〜039%を含有し、残りがCuと不可
避不純物からなる組成を有するCu合金は、集積度の高
い半導体装置のリード材に要求される特性、すガわち引
張強さ:551t<gf/−以上、硬さ;ビッカース硬
さで170以上、伸び:3%以上、導電率:20%I
A CS以上、軟化点、400℃以上を具備するという
知見を得たのである。
避不純物からなる組成を有するCu合金は、集積度の高
い半導体装置のリード材に要求される特性、すガわち引
張強さ:551t<gf/−以上、硬さ;ビッカース硬
さで170以上、伸び:3%以上、導電率:20%I
A CS以上、軟化点、400℃以上を具備するという
知見を得たのである。
この発明は上記知見にもとづいてなされたものであって
、以下に成分組成を上記゛の通シに限定した理由を説明
する。
、以下に成分組成を上記゛の通シに限定した理由を説明
する。
(a) 5n
Sn成分には、リード材の強度を著しく向上させる作用
があるが、その含有量が1.5%未満では所望の高強度
、すなわち55 kgf/、7以上の引張強さおよびビ
ッカース硬さで170以上の硬さを確保することができ
ず、一方4.5%を越えて含有させると、導電性が劣化
し、2 OcsxAC8以上の導電率を確保することが
できなくなることから、その含有量を1.5〜4,5%
と定めた。
があるが、その含有量が1.5%未満では所望の高強度
、すなわち55 kgf/、7以上の引張強さおよびビ
ッカース硬さで170以上の硬さを確保することができ
ず、一方4.5%を越えて含有させると、導電性が劣化
し、2 OcsxAC8以上の導電率を確保することが
できなくなることから、その含有量を1.5〜4,5%
と定めた。
(b) pおよびc’0
これら両成分は、リード素材製造工程における冷間圧延
時に、冷間圧延と交互に繰返し施される焼鈍処理によっ
て、コバルトpん化合物として素地中に微細均一に分散
析出し、もってリード材の耐熱性を向上させるほか、リ
ード素材の熱間加工性およびプレス打抜き性を改善する
作用をもつが、その含有量が、それぞれP:0.01%
未満およびCO:0.05%未満では前記作用に所望の
効果が得られず、一方P:020チおよびCo:0.3
0%をそれぞれ越えて含有させると、コバルトシん化合
物の析出量が多くなりすぎて、メッキ性が劣化し、さら
にCOの含有量が0.30%を越えると磁性を帯びるよ
うになり、この磁性は半導体素子に悪影響(メモリーエ
ラーなどの発生)を及ぼすことから、その含有量を、そ
れぞれP:0.01〜020%。
時に、冷間圧延と交互に繰返し施される焼鈍処理によっ
て、コバルトpん化合物として素地中に微細均一に分散
析出し、もってリード材の耐熱性を向上させるほか、リ
ード素材の熱間加工性およびプレス打抜き性を改善する
作用をもつが、その含有量が、それぞれP:0.01%
未満およびCO:0.05%未満では前記作用に所望の
効果が得られず、一方P:020チおよびCo:0.3
0%をそれぞれ越えて含有させると、コバルトシん化合
物の析出量が多くなりすぎて、メッキ性が劣化し、さら
にCOの含有量が0.30%を越えると磁性を帯びるよ
うになり、この磁性は半導体素子に悪影響(メモリーエ
ラーなどの発生)を及ぼすことから、その含有量を、そ
れぞれP:0.01〜020%。
Co:0.05〜030%と定めた。
つぎに、この発明のリード材を実施例により比較例と対
比しながら説明する。
比しながら説明する。
実施例
通常の低周波溝型誘導炉を用い、それぞれ第1表に示さ
れる成分組成をもったCu合金溶湯を調製し、半連続鋳
造法にて厚さ:100mxX幅:400mrn x長さ
:1500mmの鋳塊とした後、圧延開始温度、800
℃にて熱間圧延を施して板厚:11mmの熱延板とし、
ついで前記熱延板の上下面を面側して板厚:10m、と
した後、冷間圧延と焼鈍とを交互に繰返し施し、仕上圧
延率°40%にて板厚:0.25mmを有する本発明リ
ード素材1〜4および比較リード素材1〜4をそれぞれ
製造した。
れる成分組成をもったCu合金溶湯を調製し、半連続鋳
造法にて厚さ:100mxX幅:400mrn x長さ
:1500mmの鋳塊とした後、圧延開始温度、800
℃にて熱間圧延を施して板厚:11mmの熱延板とし、
ついで前記熱延板の上下面を面側して板厚:10m、と
した後、冷間圧延と焼鈍とを交互に繰返し施し、仕上圧
延率°40%にて板厚:0.25mmを有する本発明リ
ード素材1〜4および比較リード素材1〜4をそれぞれ
製造した。
なお、比較リード素材1〜4は、いずれも構成成分のう
ちのいずれかの成分含有量(第1表に※印を付したもの
)がこの発明の範囲から外れた組成をもつものである。
ちのいずれかの成分含有量(第1表に※印を付したもの
)がこの発明の範囲から外れた組成をもつものである。
ついで、この結果得られた本発明リード素材1〜4およ
び比較リード素材1〜4、さらに比較の目的で用意した
コバールおよび42合金のリード素材(以下従来リード
素材1.2という〕について、引張強さ、伸び、ビッカ
ース硬さ、導電率。
び比較リード素材1〜4、さらに比較の目的で用意した
コバールおよび42合金のリード素材(以下従来リード
素材1.2という〕について、引張強さ、伸び、ビッカ
ース硬さ、導電率。
および軟化点を測定し、これらの測定結果を第1表に合
せて示した。
せて示した。
第1表に示される結果から、本発明リード素材1〜4は
、いずれも高集積度の半導体装置のリード材に要求され
る強度、放熱性、および耐熱性を具備していることが明
らかである。これに対して、比較リード素材1〜4は、
前記特性のうち少なくともいずれかの性質が劣ったもの
になっており、また従来リード素材1.2においては導
電率が相対的に低く、20%lAC3以上の導電率が要
求される高集積度の半導体装置には使用することができ
ないことが明らかである。
、いずれも高集積度の半導体装置のリード材に要求され
る強度、放熱性、および耐熱性を具備していることが明
らかである。これに対して、比較リード素材1〜4は、
前記特性のうち少なくともいずれかの性質が劣ったもの
になっており、また従来リード素材1.2においては導
電率が相対的に低く、20%lAC3以上の導電率が要
求される高集積度の半導体装置には使用することができ
ないことが明らかである。
また、本発明IJ−ド材は、Cu合金で構成されている
ためにhAu、 Ag+ Nl、およびこれらの合金に
対するメッキ性、並びにはんだ付は性もきわめてすぐれ
たものであった。
ためにhAu、 Ag+ Nl、およびこれらの合金に
対するメッキ性、並びにはんだ付は性もきわめてすぐれ
たものであった。
上述のように、この発明のリード材は、集積度の高い半
導体装置のリード材に要求される特性、すなわち55
kgf/mj以上の引張強さ、3チ以上の伸び、ビッカ
ース硬さで170以上の硬さ、20%lAC3以上の導
電率、および400℃以上の軟化点を十分に満足して具
備するものである。
導体装置のリード材に要求される特性、すなわち55
kgf/mj以上の引張強さ、3チ以上の伸び、ビッカ
ース硬さで170以上の硬さ、20%lAC3以上の導
電率、および400℃以上の軟化点を十分に満足して具
備するものである。
出願人 玉川機械金属株式会社
代理人 富 1) 和 夫
209
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Sn: 1.5〜4.5%、P:0.01〜0.20%
、C。 :0.05〜0.30%を含有し、残シがCuと不可避
不純物からなる組成(以上重量%)を有するCu合金に
て構成したことを特徴とする半導体装置のリード材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57029999A JPS58147140A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 半導体装置のリ−ド材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57029999A JPS58147140A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 半導体装置のリ−ド材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58147140A true JPS58147140A (ja) | 1983-09-01 |
JPS6245298B2 JPS6245298B2 (ja) | 1987-09-25 |
Family
ID=12291613
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57029999A Granted JPS58147140A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 半導体装置のリ−ド材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58147140A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59140339A (ja) * | 1983-01-29 | 1984-08-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | リ−ドフレ−ム用銅合金 |
JPS60174841A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子電気機器用リン青銅 |
JP2007280662A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Uchihashi Estec Co Ltd | 筒型温度ヒューズ |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0158494U (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-12 |
-
1982
- 1982-02-26 JP JP57029999A patent/JPS58147140A/ja active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59140339A (ja) * | 1983-01-29 | 1984-08-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | リ−ドフレ−ム用銅合金 |
JPS60174841A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子電気機器用リン青銅 |
JPH0352524B2 (ja) * | 1984-02-21 | 1991-08-12 | Furukawa Electric Co Ltd | |
JP2007280662A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Uchihashi Estec Co Ltd | 筒型温度ヒューズ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6245298B2 (ja) | 1987-09-25 |
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