JPH0453936B2 - - Google Patents
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- JPH0453936B2 JPH0453936B2 JP60129048A JP12904885A JPH0453936B2 JP H0453936 B2 JPH0453936 B2 JP H0453936B2 JP 60129048 A JP60129048 A JP 60129048A JP 12904885 A JP12904885 A JP 12904885A JP H0453936 B2 JPH0453936 B2 JP H0453936B2
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/06—Alloys based on copper with nickel or cobalt as the next major constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明はLSI等のリードフレームとして使用さ
れるリードフレーム用素材およびその製造法に関
するものである。 （従来の技術） リードフレームは第１図に示されるような形状
のものであり、その中央部１にシリコンチツプを
接着し、チツプ上の電極とリードフレームのリー
ド部２とをAuやAlの微細線により結線してLSI
とされ、このLSIがプリント基板上に装着されて
使用されるものである。このようなリードフレー
ムは厚さが0.25mm程度の薄板状の素材から打抜い
て製造されるもので、このためリードフレーム用
素材には細い足３が折れ曲らないように強度が大
きいこと、LSIチツプにおいて発生した熱を速や
かに放散できるように熱伝導率及び導電率が大き
いこと、加工性が良いこと等の多くの特性が求め
られる。 従来のリードフレーム用素材として代表的なも
のは42％Ni、残部Feの組成を持つ42アロイであ
り、第２図のグラフからも明らかなように60Kg
ｆ／mm2を越える引張強度を持つ反面、導電率は
４％IACSと極めて低く、256KビツトのLSIのよ
うな集積度の高いLSIチツプのリードフレームと
した場合には熱放散が十分ではなくLSIチツプの
熱破壊を引起こす。 そこで導電率を向上させる目的で第２図に示さ
れるような各種の銅合金が開発されている。この
うち合金Ａは0.1％Cr、0.2％Sn、残部Cuの組成
を持つもので導電率は90％IACSと極めて高いが
引張強度は42アロイの半分程度に過ぎない。また
合金Ｂは２％Sn、0.2％Fe、0.03％Ｐ、残部Cuの
組成を持つもので引張強度は42アロイに近い50〜
60Kgｆ／mm2に達するが導電率は35％IACSとかな
り低いものである。更に合金Ｃは2.4％Fe、0.12
％Zn、0.03％Ｐ、残部Cuの組成を持ち、導電率
は65％IACSに及ぶがその引張強度は40〜47Kg
ｆ／mm2に過ぎない。このように銅合金において
は導電率向上のために他の元素の含有量を減少さ
せると強度が低下し、強度を向上させるために他
の合金元素を添加すると導電率が低下するという
性質があり、経済的な価格であつてしかも両者を
同時に満足できるリードフレーム用素材は知られ
ていない。 （発明が解決しようとする問題点） 本発明は上記のような従来の問題点を解決し、
56Kgｆ／mm2以上の引張強度と65％IACS以上の導
電率とを有するうえ加工性、はんだ付け性に優
れ、しかも低価格で製造できるリードフレーム用
素材およびその製造法を目的として完成されたも
のである。 （問題点を解決するための手段） 上記の課題を解決するための第１の発明は、重
量比で0.21〜0.28％のBe、0.5〜1.3％のNi、残部
Cu及び不可避的不純物から構成され、引張強さ
56〜66Kgｆ／mm2、導電率65〜70％IACSの材料特
性を有することを特徴とするリードフレーム用素
材を要旨とするものである。 第２の発明は、重量比で0.1〜0.28％のBe、0.5
〜1.3％のNi、残部Cu及び不可避的不純物からな
るベリリウム銅合金の鋳塊を、750℃〜860℃の温
度範囲で溶体化処理し、しかる後に20％〜50％の
冷間加工を行つたうえ、350℃〜500℃で時効硬化
処理したことを特徴とするリードフレーム用素材
の製造法を要旨とするものである。 第３の発明は、重量比で0.21〜0.28％のBe、
0.5〜1.3％のNi、残部Cu及び不可避的不純物から
なるベリリウム銅合金の鋳塊を、750℃〜860℃の
温度範囲で溶体化処理し、しかる後に20％〜50％
の冷間加工を行つたうえ、350℃〜500℃で時効硬
化処理したことを特徴とするリードフレーム用素
材の製造法を要旨とするものである。 第４の発明は、重量比で0.1〜0.28％のBe、0.5
〜1.3％のNi、0.2％以下のSnと0.2％以下のZnの
いずれか一方又は双方（但しSnとZnがともにゼ
ロの場合を除く）、残部Cu及び不可避的不純物か
らなるベリリウム銅合金の鋳塊を、750℃〜860℃
の温度範囲で溶体化処理し、しかる後に20％〜50
％の冷間加工を行つたうえ、350℃〜500℃で時効
硬化処理したことを特徴とするリードフレーム用
素材の製造法を要旨とするものである。 本発明のリードフレーム用素材は、上記の合金
組成を溶解、金型へ鋳溶、熱間加工、冷間加工後
に750〜860℃５分間の溶体化処理、20〜50％の冷
間加工による薄板化、350〜500℃２時間の時効硬
化処理の工程を経て得られたもので、750〜860℃
の溶体化処理後の冷間加工による加工硬化とその
後の時効硬化処理による折出硬化との併用によ
り、引張強度56〜66Kgｆ／mm2、導電率65〜70％
IACSの材料特性を持たせたものである。 本発明において用いられる0.21〜0.28％Be、
0.5〜1.3％Niを含有する銅合金は、Cuの母相中に
NiBe（ニツケルベリライド）を均一に折出させる
折出硬化型の合金であり、導電率を高いレベルに
維持するためにはNiがすべてNiBeとして折出し
てなるべく母相内に残らないように成分調整する
ことが必要である。Beが0.21％未満、Niが0.5％
未満であると硬化性が乏しく引張強度が低下し、
逆にBeが0.28％を越えたりNiが1.3％を越えると
加工硬化性及び時効硬化性が増加して強度は向上
するが、合金成分が増加するために導電率が65％
IACSを割ることとなる。しかし第２、第４の発
明においては0.2％以下のSnと0.2％以下のZnの少
なくとも一方を含有するので、Beの含有率を0.1
％まで下げることができる。 なお本発明において材料特性を限定した理由は
次の通りである。即ち、引張強度が56Kgｆ／mm2
未満であるとリードフレームとしたときに細い足
が折れ易くなり、また導電率が65％IACS未満で
あると集積度の高いチツプのリードフレームとし
た場合に熱放散が不十分となる。またこれらの各
値の上限値は本発明の方法によつて到達できる限
界を示すものである。従つてこれらの材料特性の
限定により、本発明の素材は従来の素材から明確
に区別されている。 また第２と第４の発明は上記の合金組成に0.2
％以下のSnと0.2％以下のZnのいずれか一方又は
双方（SnとZnがともにゼロの場合を除く）を必
須的に含有させることによりはんだ付け性の向上
を図つたものであり、基本的な特性は上記の発明
と変るところはない。Sn及びZnは0.2％を越える
とはんだ付け性が却つて低下するとともに導電率
にも悪影響を及ぼす。 なお、本発明の製造方法においては、溶体化処
理温度を750〜860℃の範囲に制御することが必要
で、750℃未満では時効硬化による強度向上が不
十分であり、860℃を越えると結晶粒の粗大化が
生じて強度が低下するとともに加工性も劣化する
こととなる。 また冷間加工の程度を20％〜50％、時効硬化処
理温度を350℃〜500℃としたものは最も好ましい
加工硬化及び時効硬化を生じさせ強度向上を図る
ためであり、これらの下限値を下まわると目的と
する強度が得られず、これらの上限値を越えると
やはり結晶粒の粗大化が生じて強度の低下を招く
こととなる。 （実施例） 次表に示す組成の合金を高周波溶解炉で溶解
し、金型に鋳溶した後熱間加工、冷間加工を行つ
て板状となし、これを750〜860℃で５分間溶体化
処理したうえ20〜50％の冷間加工により板厚0.25
mmの薄板とした。これを350〜500℃で２時間時効
硬化処理してリードフレーム用素材とし、前記の
42アロイ及び合金Ｃ（2.4％Fe、0.12％Zn、0.03％
Ｐ、残部Cu）とともに諸特性を評価した。 ここで応力緩和率は試験片に30Kgｆ／mm2の最
大曲げ応力を作用させ、200℃で100時間保持後に
除荷して残留応力を求め、緩和された応力の比率
で評価した。曲げ成形性はクラツクを生じない最
小曲げ半径Ｒと板厚ｔとの比Ｒ／ｔで評価し、は
んだ付け性はメニスコグラフによるぬれ時間によ
り評価した。
れるリードフレーム用素材およびその製造法に関
するものである。 （従来の技術） リードフレームは第１図に示されるような形状
のものであり、その中央部１にシリコンチツプを
接着し、チツプ上の電極とリードフレームのリー
ド部２とをAuやAlの微細線により結線してLSI
とされ、このLSIがプリント基板上に装着されて
使用されるものである。このようなリードフレー
ムは厚さが0.25mm程度の薄板状の素材から打抜い
て製造されるもので、このためリードフレーム用
素材には細い足３が折れ曲らないように強度が大
きいこと、LSIチツプにおいて発生した熱を速や
かに放散できるように熱伝導率及び導電率が大き
いこと、加工性が良いこと等の多くの特性が求め
られる。 従来のリードフレーム用素材として代表的なも
のは42％Ni、残部Feの組成を持つ42アロイであ
り、第２図のグラフからも明らかなように60Kg
ｆ／mm2を越える引張強度を持つ反面、導電率は
４％IACSと極めて低く、256KビツトのLSIのよ
うな集積度の高いLSIチツプのリードフレームと
した場合には熱放散が十分ではなくLSIチツプの
熱破壊を引起こす。 そこで導電率を向上させる目的で第２図に示さ
れるような各種の銅合金が開発されている。この
うち合金Ａは0.1％Cr、0.2％Sn、残部Cuの組成
を持つもので導電率は90％IACSと極めて高いが
引張強度は42アロイの半分程度に過ぎない。また
合金Ｂは２％Sn、0.2％Fe、0.03％Ｐ、残部Cuの
組成を持つもので引張強度は42アロイに近い50〜
60Kgｆ／mm2に達するが導電率は35％IACSとかな
り低いものである。更に合金Ｃは2.4％Fe、0.12
％Zn、0.03％Ｐ、残部Cuの組成を持ち、導電率
は65％IACSに及ぶがその引張強度は40〜47Kg
ｆ／mm2に過ぎない。このように銅合金において
は導電率向上のために他の元素の含有量を減少さ
せると強度が低下し、強度を向上させるために他
の合金元素を添加すると導電率が低下するという
性質があり、経済的な価格であつてしかも両者を
同時に満足できるリードフレーム用素材は知られ
ていない。 （発明が解決しようとする問題点） 本発明は上記のような従来の問題点を解決し、
56Kgｆ／mm2以上の引張強度と65％IACS以上の導
電率とを有するうえ加工性、はんだ付け性に優
れ、しかも低価格で製造できるリードフレーム用
素材およびその製造法を目的として完成されたも
のである。 （問題点を解決するための手段） 上記の課題を解決するための第１の発明は、重
量比で0.21〜0.28％のBe、0.5〜1.3％のNi、残部
Cu及び不可避的不純物から構成され、引張強さ
56〜66Kgｆ／mm2、導電率65〜70％IACSの材料特
性を有することを特徴とするリードフレーム用素
材を要旨とするものである。 第２の発明は、重量比で0.1〜0.28％のBe、0.5
〜1.3％のNi、残部Cu及び不可避的不純物からな
るベリリウム銅合金の鋳塊を、750℃〜860℃の温
度範囲で溶体化処理し、しかる後に20％〜50％の
冷間加工を行つたうえ、350℃〜500℃で時効硬化
処理したことを特徴とするリードフレーム用素材
の製造法を要旨とするものである。 第３の発明は、重量比で0.21〜0.28％のBe、
0.5〜1.3％のNi、残部Cu及び不可避的不純物から
なるベリリウム銅合金の鋳塊を、750℃〜860℃の
温度範囲で溶体化処理し、しかる後に20％〜50％
の冷間加工を行つたうえ、350℃〜500℃で時効硬
化処理したことを特徴とするリードフレーム用素
材の製造法を要旨とするものである。 第４の発明は、重量比で0.1〜0.28％のBe、0.5
〜1.3％のNi、0.2％以下のSnと0.2％以下のZnの
いずれか一方又は双方（但しSnとZnがともにゼ
ロの場合を除く）、残部Cu及び不可避的不純物か
らなるベリリウム銅合金の鋳塊を、750℃〜860℃
の温度範囲で溶体化処理し、しかる後に20％〜50
％の冷間加工を行つたうえ、350℃〜500℃で時効
硬化処理したことを特徴とするリードフレーム用
素材の製造法を要旨とするものである。 本発明のリードフレーム用素材は、上記の合金
組成を溶解、金型へ鋳溶、熱間加工、冷間加工後
に750〜860℃５分間の溶体化処理、20〜50％の冷
間加工による薄板化、350〜500℃２時間の時効硬
化処理の工程を経て得られたもので、750〜860℃
の溶体化処理後の冷間加工による加工硬化とその
後の時効硬化処理による折出硬化との併用によ
り、引張強度56〜66Kgｆ／mm2、導電率65〜70％
IACSの材料特性を持たせたものである。 本発明において用いられる0.21〜0.28％Be、
0.5〜1.3％Niを含有する銅合金は、Cuの母相中に
NiBe（ニツケルベリライド）を均一に折出させる
折出硬化型の合金であり、導電率を高いレベルに
維持するためにはNiがすべてNiBeとして折出し
てなるべく母相内に残らないように成分調整する
ことが必要である。Beが0.21％未満、Niが0.5％
未満であると硬化性が乏しく引張強度が低下し、
逆にBeが0.28％を越えたりNiが1.3％を越えると
加工硬化性及び時効硬化性が増加して強度は向上
するが、合金成分が増加するために導電率が65％
IACSを割ることとなる。しかし第２、第４の発
明においては0.2％以下のSnと0.2％以下のZnの少
なくとも一方を含有するので、Beの含有率を0.1
％まで下げることができる。 なお本発明において材料特性を限定した理由は
次の通りである。即ち、引張強度が56Kgｆ／mm2
未満であるとリードフレームとしたときに細い足
が折れ易くなり、また導電率が65％IACS未満で
あると集積度の高いチツプのリードフレームとし
た場合に熱放散が不十分となる。またこれらの各
値の上限値は本発明の方法によつて到達できる限
界を示すものである。従つてこれらの材料特性の
限定により、本発明の素材は従来の素材から明確
に区別されている。 また第２と第４の発明は上記の合金組成に0.2
％以下のSnと0.2％以下のZnのいずれか一方又は
双方（SnとZnがともにゼロの場合を除く）を必
須的に含有させることによりはんだ付け性の向上
を図つたものであり、基本的な特性は上記の発明
と変るところはない。Sn及びZnは0.2％を越える
とはんだ付け性が却つて低下するとともに導電率
にも悪影響を及ぼす。 なお、本発明の製造方法においては、溶体化処
理温度を750〜860℃の範囲に制御することが必要
で、750℃未満では時効硬化による強度向上が不
十分であり、860℃を越えると結晶粒の粗大化が
生じて強度が低下するとともに加工性も劣化する
こととなる。 また冷間加工の程度を20％〜50％、時効硬化処
理温度を350℃〜500℃としたものは最も好ましい
加工硬化及び時効硬化を生じさせ強度向上を図る
ためであり、これらの下限値を下まわると目的と
する強度が得られず、これらの上限値を越えると
やはり結晶粒の粗大化が生じて強度の低下を招く
こととなる。 （実施例） 次表に示す組成の合金を高周波溶解炉で溶解
し、金型に鋳溶した後熱間加工、冷間加工を行つ
て板状となし、これを750〜860℃で５分間溶体化
処理したうえ20〜50％の冷間加工により板厚0.25
mmの薄板とした。これを350〜500℃で２時間時効
硬化処理してリードフレーム用素材とし、前記の
42アロイ及び合金Ｃ（2.4％Fe、0.12％Zn、0.03％
Ｐ、残部Cu）とともに諸特性を評価した。 ここで応力緩和率は試験片に30Kgｆ／mm2の最
大曲げ応力を作用させ、200℃で100時間保持後に
除荷して残留応力を求め、緩和された応力の比率
で評価した。曲げ成形性はクラツクを生じない最
小曲げ半径Ｒと板厚ｔとの比Ｒ／ｔで評価し、は
んだ付け性はメニスコグラフによるぬれ時間によ
り評価した。
【表】
（発明の効果）
本発明は以上の説明からも明らかなように、42
アロイと同等の優れた引張強度を有するとともに
65％IACSを越える高い導電率を有するリードフ
レーム用素材を製造できるものであるから、プリ
ント基板上へ装着する際に足が曲つたり折れたり
することがなく、また256KビツトLSIのような高
集積度のLSIに使用したときにも優れた放熱効果
が得られるものである。更に本発明の製造法によ
るリードフレーム用素材は、従来のリードフレー
ム用素材に劣らない応力緩和率を有し、曲げ成形
性にも優れているので打抜き加工が容易であり、
はんだ付け性も極めて良好なものである。更にま
た、本発明によるリードフレーム用素材は高価な
Beをわずかしか含有しないので安価に製造でき
る利点をも有するものであるから、従来のリード
フレーム用素材およびその製造法の問題点を解消
したものとして、産業の発展に寄与するところは
極めて大である。
アロイと同等の優れた引張強度を有するとともに
65％IACSを越える高い導電率を有するリードフ
レーム用素材を製造できるものであるから、プリ
ント基板上へ装着する際に足が曲つたり折れたり
することがなく、また256KビツトLSIのような高
集積度のLSIに使用したときにも優れた放熱効果
が得られるものである。更に本発明の製造法によ
るリードフレーム用素材は、従来のリードフレー
ム用素材に劣らない応力緩和率を有し、曲げ成形
性にも優れているので打抜き加工が容易であり、
はんだ付け性も極めて良好なものである。更にま
た、本発明によるリードフレーム用素材は高価な
Beをわずかしか含有しないので安価に製造でき
る利点をも有するものであるから、従来のリード
フレーム用素材およびその製造法の問題点を解消
したものとして、産業の発展に寄与するところは
極めて大である。
第１図はリードフレームを示す平面図、第２図
は各種のリードフレーム材の強度と導電率との関
係を示すグラフである。
は各種のリードフレーム材の強度と導電率との関
係を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 重量比で0.21〜0.28％のBe、0.5〜1.3％のNi、
残部Cu及び不可避的不純物から構成され、引張
強さ56〜66Kgｆ／mm2、導電率65〜70％IACSの材
料特性を有することを特徴とするリードフレーム
用素材。 ２ 重量比で0.1〜0.28％のBe、0.5〜1.3％のNi、
0.2％以下のSnと0.2％以下のZnのいずれか一方又
は双方（但しSnとZnがともにゼロの場合を除
く）、残部Cu及び不可避的不純物から構成され、
引張強さ56〜66Kgｆ／mm2、導電率65〜70％IACS
の材料特性を有することを特徴とするリードフレ
ーム用素材。 ３ 重量比で0.21〜0.28％のBe、0.5〜1.3％のNi、
残部Cu及び不可避的不純物からなるベリリウム
銅合金の鋳塊を、750℃〜860℃の温度範囲で溶体
化処理し、しかる後に20％〜50％の冷間加工を行
つたうえ、350℃〜500℃で時効硬化処理したこと
を特徴とするリードフレーム用素材の製造法。 ４ 重量比で0.1〜0.28％のBe、0.5〜1.3％のNi、
0.2％以下のSnと0.2％以下のZnのいずれか一方又
は双方（但しSnとZnがともにゼロの場合を除
く）、残部Cu及び不可避的不純物からなるベリリ
ウム銅合金の鋳塊を、750℃〜860℃の温度範囲で
溶体化処理し、しかる後に20％〜50％の冷間加工
を行つたうえ、350℃〜500℃で時効硬化処理した
ことを特徴とするリードフレーム用素材の製造
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60129048A JPS61287156A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | リードフレーム用素材およびその製造法 |
| US06/867,440 US4696704A (en) | 1985-06-13 | 1986-05-28 | Material for lead frames |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60129048A JPS61287156A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | リードフレーム用素材およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61287156A JPS61287156A (ja) | 1986-12-17 |
| JPH0453936B2 true JPH0453936B2 (ja) | 1992-08-28 |
Family
ID=14999795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60129048A Granted JPS61287156A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | リードフレーム用素材およびその製造法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4696704A (ja) |
| JP (1) | JPS61287156A (ja) |
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| US5480266A (en) * | 1990-12-10 | 1996-01-02 | Shell Oil Company | Tensioned riser compliant tower |
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| US5439060A (en) * | 1993-12-30 | 1995-08-08 | Shell Oil Company | Tensioned riser deepwater tower |
| US5588781A (en) * | 1993-12-30 | 1996-12-31 | Shell Oil Company | Lightweight, wide-bodied compliant tower |
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| JP4943099B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2012-05-30 | 日本碍子株式会社 | ベリリウム銅合金 |
| CN111304484B (zh) * | 2019-12-10 | 2021-05-25 | 湘潭大学 | 一种铍铜复合等离子体面壁环形件的制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58174560A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-13 | キヤボツト・コ−ポレ−シヨン | 銅ベリリウム合金の成形部品の製造方法 |
| JPS59177343A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-08 | Toshiba Corp | リ−ドフレ−ム |
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|---|---|---|---|---|
| US4599120A (en) * | 1985-02-25 | 1986-07-08 | Brush Wellman Inc. | Processing of copper alloys |
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1985
- 1985-06-13 JP JP60129048A patent/JPS61287156A/ja active Granted
-
1986
- 1986-05-28 US US06/867,440 patent/US4696704A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58174560A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-13 | キヤボツト・コ−ポレ−シヨン | 銅ベリリウム合金の成形部品の製造方法 |
| JPS59177343A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-08 | Toshiba Corp | リ−ドフレ−ム |
| JPS60258440A (ja) * | 1984-06-02 | 1985-12-20 | Nippon Gakki Seizo Kk | 析出強化銅合金 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4696704A (en) | 1987-09-29 |
| JPS61287156A (ja) | 1986-12-17 |
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