JPH01240A - 高力高導電性銅合金 - Google Patents
高力高導電性銅合金Info
- Publication number
- JPH01240A JPH01240A JP62-156048A JP15604887A JPH01240A JP H01240 A JPH01240 A JP H01240A JP 15604887 A JP15604887 A JP 15604887A JP H01240 A JPH01240 A JP H01240A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- strength
- alloy
- copper alloy
- conductivity
- alloys
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 27
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 12
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 9
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 9
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 4
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017827 Cu—Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017945 Cu—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018098 Ni-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018529 Ni—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003009 desulfurizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000001192 hot extrusion Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は強度、加工性、導電性(熱伝導性)、耐食性、
耐熱性等が優れ、小型化された電子機器用精密部品の製
造に適した高力高導電性銅合金に関するものである。
耐熱性等が優れ、小型化された電子機器用精密部品の製
造に適した高力高導電性銅合金に関するものである。
電子機器、特に半導体(IC,トランジスター)のリー
ド、コネクター、スイッチ、接点ばね等には、強度、加
工性、耐食性及び導電性に優れたCu合金が要求されて
いる。このような合金として強度が優れたCu−3e系
合金やCu−Ti系合金が知られているが、これ等の合
金は高価であり、Cu−Ni−3n系スピノ一ダル合金
は導電率が10%lAC3以下と低く、加工性も乏しく
、またCu−Ni−A1合金も同様である。このためC
u−3n系合金、即ちすン青銅、特にsnを6〜Bwt
%(以下wt%を%と略記)含むばね用リン青銅が多用
されている。
ド、コネクター、スイッチ、接点ばね等には、強度、加
工性、耐食性及び導電性に優れたCu合金が要求されて
いる。このような合金として強度が優れたCu−3e系
合金やCu−Ti系合金が知られているが、これ等の合
金は高価であり、Cu−Ni−3n系スピノ一ダル合金
は導電率が10%lAC3以下と低く、加工性も乏しく
、またCu−Ni−A1合金も同様である。このためC
u−3n系合金、即ちすン青銅、特にsnを6〜Bwt
%(以下wt%を%と略記)含むばね用リン青銅が多用
されている。
上記ばね用リン青銅は60〜8ONff/rnIA程度
の強度を有するも、比較的高価なsnを多聞に含むばか
りか、導電率が10〜15%lAC3と低く、更に半田
接合強度の経時劣化や腐食割れ感受性の面から実用上大
きな欠陥となっている。このためCu−Fe系合金、例
えば0194合金やC195合金が1部で利用されてい
るが、強度が45〜65に9/−程度で加工性が劣るた
め、用途が限定されている。
の強度を有するも、比較的高価なsnを多聞に含むばか
りか、導電率が10〜15%lAC3と低く、更に半田
接合強度の経時劣化や腐食割れ感受性の面から実用上大
きな欠陥となっている。このためCu−Fe系合金、例
えば0194合金やC195合金が1部で利用されてい
るが、強度が45〜65に9/−程度で加工性が劣るた
め、用途が限定されている。
近年電子機器は小型化、^集積化の傾向にあり、これ等
に使用するCu合金として強度と導電性の向上が強く望
まれている。゛また多量に使用するためには安価であり
、半導体等の面実装化の動向に答えるためには半田接合
強度やsnヤ5n−Pb合金メツキの密着信頼性も要求
される。このような要求に応えて従来合金に替るにはよ
り高性能で、低コストなパフォーマンスの合金が必要で
ある。即ち、 (1)強度と導電率のより高度なバランスの取れた合金
、例えば強度70〜100 Kl/mA、導電率10〜
15%lAC3の特性を有すること。
に使用するCu合金として強度と導電性の向上が強く望
まれている。゛また多量に使用するためには安価であり
、半導体等の面実装化の動向に答えるためには半田接合
強度やsnヤ5n−Pb合金メツキの密着信頼性も要求
される。このような要求に応えて従来合金に替るにはよ
り高性能で、低コストなパフォーマンスの合金が必要で
ある。即ち、 (1)強度と導電率のより高度なバランスの取れた合金
、例えば強度70〜100 Kl/mA、導電率10〜
15%lAC3の特性を有すること。
(2)コスト的に安いこと、例えば合金成分が安価であ
ると同時に、製造プロセスが単純化されていること。
ると同時に、製造プロセスが単純化されていること。
(3)加工性、耐食性、耐応力腐食割れ性に優れている
こと。
こと。
(4)半田接合強度ヤSn、5n−Pb合金メツキの密
着性が長期にわたり安定していること。
着性が長期にわたり安定していること。
(5)電子機器用途ではSnヤSn合金の外にAu、
Ag、N i等のメツキが多用されており、これ等のメ
ツキ性にも優れていること。
Ag、N i等のメツキが多用されており、これ等のメ
ツキ性にも優れていること。
(問題点を解決するための手段〕
本発明はこれに鑑み種々検討の結果、特に強度、加工性
、導電性(熱伝導性)、耐食性、耐熱性が優れ、小型化
された電子機器用精密部品、例えば半導体のリードラレ
ーム、コネクタ、ソケット等に適した高力高導電性銅合
金を開発したものである。
、導電性(熱伝導性)、耐食性、耐熱性が優れ、小型化
された電子機器用精密部品、例えば半導体のリードラレ
ーム、コネクタ、ソケット等に適した高力高導電性銅合
金を開発したものである。
即ち本発明銅合金は4.0%を越えて10%以下のNi
と、0.6〜5.0%のSiと、Zn0.05〜5.0
%、MnO,01〜5.0%、MgO,005〜0.8
%、 CaO,005〜0.8%、 Cd0.05〜1
.0%。
と、0.6〜5.0%のSiと、Zn0.05〜5.0
%、MnO,01〜5.0%、MgO,005〜0.8
%、 CaO,005〜0.8%、 Cd0.05〜1
.0%。
A 90.001〜0.5%の範囲内で何れか1種又は
2種以上を合計0. oi〜5.0%含み、更にcrO
,01〜0.4 %、 V0.005〜0.4 %、
T i O,005〜0.4%、 Y0.005〜0.
2%、 Z rQy005〜0.2%、 G o 0.
01〜0.4%、Fe−P化合物(F ex PY )
0.01〜0.4%、0r−P化合物゛(Crx P
Y ) 0.01〜0.4%、Go−P化合物(COX
PY ) 0.01〜0.4%の範囲内で何れか1種
又は2種以上を合計0.005〜0.5%含み、残部C
uと不可避的不純物からなることを特徴とするものであ
る。
2種以上を合計0. oi〜5.0%含み、更にcrO
,01〜0.4 %、 V0.005〜0.4 %、
T i O,005〜0.4%、 Y0.005〜0.
2%、 Z rQy005〜0.2%、 G o 0.
01〜0.4%、Fe−P化合物(F ex PY )
0.01〜0.4%、0r−P化合物゛(Crx P
Y ) 0.01〜0.4%、Go−P化合物(COX
PY ) 0.01〜0.4%の範囲内で何れか1種
又は2種以上を合計0.005〜0.5%含み、残部C
uと不可避的不純物からなることを特徴とするものであ
る。
本発明合金は上記組成に配合して溶Fly鋳造した鋳塊
に熱間加工と冷間加工を施して造られる。
に熱間加工と冷間加工を施して造られる。
例えば700〜i ooo℃に加熱して熱間圧延又は熱
間押出を行ない、600℃以上で加工を終了し、直ちに
水冷し、望ましくは10℃/秒以上の速度で400℃以
下まで冷却する。これをミーリング、シェービング又は
酸洗により表面を清浄化してから冷間圧延や用法等の加
工を施し、しかる後時効熱処理と冷間加工又は溶体化処
理と時効熱処理と冷間加工を組み合せて造られる。また
最終の冷間加工後に200〜600℃の調質焼鈍、テン
ションレベラー、テンションアニーリング等と組合せる
ことにより、より高い特性を得ることが可能である。ま
た本発明合金の鋳塊を直接冷間加工してから熱処理する
ことも可能である。
間押出を行ない、600℃以上で加工を終了し、直ちに
水冷し、望ましくは10℃/秒以上の速度で400℃以
下まで冷却する。これをミーリング、シェービング又は
酸洗により表面を清浄化してから冷間圧延や用法等の加
工を施し、しかる後時効熱処理と冷間加工又は溶体化処
理と時効熱処理と冷間加工を組み合せて造られる。また
最終の冷間加工後に200〜600℃の調質焼鈍、テン
ションレベラー、テンションアニーリング等と組合せる
ことにより、より高い特性を得ることが可能である。ま
た本発明合金の鋳塊を直接冷間加工してから熱処理する
ことも可能である。
本発明合金は上記製造方法により造られ、合金組成にも
よるが強度60〜120 K’J/rttrA、伸び3
〜20%、導電率10〜40%lAC3の特性を示す。
よるが強度60〜120 K’J/rttrA、伸び3
〜20%、導電率10〜40%lAC3の特性を示す。
このような本発明合金は銅マトリックスにNiとSiの
化合物、即ちN ix S iyを有効に分散析出させ
、強度の向上と導電率及び耐熱性の向上を可能にする。
化合物、即ちN ix S iyを有効に分散析出させ
、強度の向上と導電率及び耐熱性の向上を可能にする。
更にNiとSiは化学量論比で化合析出するので両者の
比(重量)は約2〜6:1種度の範囲とすることが望ま
しく、この範囲内において高い強度と優れた導電性が同
時に得られるためである。しかして4.0%を越えて1
0以下のNiと、0.6〜5.0%のSiと限定したの
は、Ni含有量とSi含有量の何れかが下限未満では十
分な強度が得られず、上限を越えると半田付は性を悪化
させると共に加工性、特に熱間加工性を悪くし、製造性
を害するためである。
比(重量)は約2〜6:1種度の範囲とすることが望ま
しく、この範囲内において高い強度と優れた導電性が同
時に得られるためである。しかして4.0%を越えて1
0以下のNiと、0.6〜5.0%のSiと限定したの
は、Ni含有量とSi含有量の何れかが下限未満では十
分な強度が得られず、上限を越えると半田付は性を悪化
させると共に加工性、特に熱間加工性を悪くし、製造性
を害するためである。
Zn、Mn、Mg、Ca、Cd、Ag(以下A元素群)
からなる群は半田付は後の信頼性の劣化を抑制すると共
に、脱酸・脱硫効果を示し、合金の鋳造性や熱間加工時
の欠陥発生を抑制する。しかしてZ n 0.05〜5
.0%2Mn0.01〜5.0%、 Mg0.005〜
0.8%、 Ca0.005〜0.8%、Cd0.05
〜1.0%、Ag0.001〜0.5%の範囲内で何れ
か1種又は2種以上の合計を0、01〜5.0%と限定
したのは、何れも下限未満では十分な効果が得られず、
上限を越えると導電性を低下するばかりか、鋳塊の健全
性を損ねるためである。
からなる群は半田付は後の信頼性の劣化を抑制すると共
に、脱酸・脱硫効果を示し、合金の鋳造性や熱間加工時
の欠陥発生を抑制する。しかしてZ n 0.05〜5
.0%2Mn0.01〜5.0%、 Mg0.005〜
0.8%、 Ca0.005〜0.8%、Cd0.05
〜1.0%、Ag0.001〜0.5%の範囲内で何れ
か1種又は2種以上の合計を0、01〜5.0%と限定
したのは、何れも下限未満では十分な効果が得られず、
上限を越えると導電性を低下するばかりか、鋳塊の健全
性を損ねるためである。
次にCr、V、T i 、Y、G0.Fex PY 。
Crx PY 、COX PY (以下8元素群)か
らなる群は溶体化処理時の結晶粒の成長を抑制し、微細
組織として良好な延性を獲得し、曲げ成型性を良好にす
るのに大きく寄与する。更に熱間加工性の向上効果も示
し、製造性の向上に大きく寄与する。しかしてCr0.
01〜0.4%、■0、005〜0.4%、 T i
0.005〜0.4%、Y0.005〜0.2%、 F
ex py O,01〜0.4%。
らなる群は溶体化処理時の結晶粒の成長を抑制し、微細
組織として良好な延性を獲得し、曲げ成型性を良好にす
るのに大きく寄与する。更に熱間加工性の向上効果も示
し、製造性の向上に大きく寄与する。しかしてCr0.
01〜0.4%、■0、005〜0.4%、 T i
0.005〜0.4%、Y0.005〜0.2%、 F
ex py O,01〜0.4%。
CrX PY O,01〜0.4%、 COX PY
O,01〜0.4%の範囲内で何れか1種又は2種以上
を合計0.005〜0.5%と限定したのは何れも上記
範囲をはずれると鋳造性を低下したり、加工性を悪化ブ
る。
O,01〜0.4%の範囲内で何れか1種又は2種以上
を合計0.005〜0.5%と限定したのは何れも上記
範囲をはずれると鋳造性を低下したり、加工性を悪化ブ
る。
本発明銅合金は上記組成からなるも、更に0含有量を5
0pl)m以下とすることにより、前記Ni−Si化合
物の微細かつ均一な析出並びに半田付は性及びメツキ性
の向上に効果がある。
0pl)m以下とすることにより、前記Ni−Si化合
物の微細かつ均一な析出並びに半田付は性及びメツキ性
の向上に効果がある。
しかして上限を越えると上記効果が見られなくなるばか
りか、逆に低下する。ようになる。またS含有量を10
ppm以下とすることにより、■と同様にNr−3*化
合物の微細かつ均一な析出並びに熱間加工性の向上に効
果がある。しかして上限を越えると熱間加工性を大きく
低下し、製造性を悪くする。尚化合物を形成しないP量
としても0.03wt%以下とすることが望ましい。
りか、逆に低下する。ようになる。またS含有量を10
ppm以下とすることにより、■と同様にNr−3*化
合物の微細かつ均一な析出並びに熱間加工性の向上に効
果がある。しかして上限を越えると熱間加工性を大きく
低下し、製造性を悪くする。尚化合物を形成しないP量
としても0.03wt%以下とすることが望ましい。
又、本発明銅合金中の析出物は、メツキ性や曲げ加工性
や強度等の劣化を抑制する意味で10μ■以下が望まし
い。
や強度等の劣化を抑制する意味で10μ■以下が望まし
い。
第1表に示す組成の銅合金を溶解・vI造し、厚さ50
履、中120M、長ざ200 armの鋳塊を得た。
履、中120M、長ざ200 armの鋳塊を得た。
これを面削し、850℃で3時間均質化処理した後、8
30℃で熱間圧延し、これを水冷して厚さ10mの板と
した。
30℃で熱間圧延し、これを水冷して厚さ10mの板と
した。
これ等の板について冷間圧延と中間焼鈍(620℃で1
時間)を繰返し、0.4mの板厚で溶体化処理(870
℃に5分間保持後水冷)を施し、最終加工率40%で厚
さ0.25mmの板に仕上げ、360℃で30分間の調
質焼鈍を施した後、試験片を切り出して引張強さ、導電
率、曲げ成型性、メツキ密着性、半田接合強度及び応力
腐食割れ性を調べた。これ等の結果を第2表に示す。
時間)を繰返し、0.4mの板厚で溶体化処理(870
℃に5分間保持後水冷)を施し、最終加工率40%で厚
さ0.25mmの板に仕上げ、360℃で30分間の調
質焼鈍を施した後、試験片を切り出して引張強さ、導電
率、曲げ成型性、メツキ密着性、半田接合強度及び応力
腐食割れ性を調べた。これ等の結果を第2表に示す。
引張強さはJIS 12241に基づき、導電率は’J
IS−HO505に基づき測定した。曲げ成型性(R/
1)はJIS−22248のブロック法に基づいて試験
を行ない、試験片の表面に割れを生じさせる最少曲げ半
径(R)を試験片の厚さ(1)で割った値で示した。メ
ツキ密着性は30X30JllI11の試験片について
、表面清浄後Agメツキを行ない、これを大気中で加熱
してその後のメツキ表面の脹れを観察し、550℃で5
分の加熱により脹れの見られないものをQ印、脹れの見
られるものをX印で示した。半田接合強度については2
0X25Mの試験片に直径9all+1の無酸素銅のリ
ード線e 60/ 40共晶半田ニヨリ接合し、150
’Cテ500時間の加熱加速試験後に、引張試験を行
ない、その強度が加速試験前の80%以上を○印、50
〜80%のものをΔ印、それ以下のものをX印で表わし
た。応力腐食割れ性はJIS−C8306に基づき、ア
ンモニア3 Vo1%の雰囲気中で30KI/mitの
引張荷重をかけた定荷重試験を行ない、割れが発するま
での時間を測定した。
IS−HO505に基づき測定した。曲げ成型性(R/
1)はJIS−22248のブロック法に基づいて試験
を行ない、試験片の表面に割れを生じさせる最少曲げ半
径(R)を試験片の厚さ(1)で割った値で示した。メ
ツキ密着性は30X30JllI11の試験片について
、表面清浄後Agメツキを行ない、これを大気中で加熱
してその後のメツキ表面の脹れを観察し、550℃で5
分の加熱により脹れの見られないものをQ印、脹れの見
られるものをX印で示した。半田接合強度については2
0X25Mの試験片に直径9all+1の無酸素銅のリ
ード線e 60/ 40共晶半田ニヨリ接合し、150
’Cテ500時間の加熱加速試験後に、引張試験を行
ない、その強度が加速試験前の80%以上を○印、50
〜80%のものをΔ印、それ以下のものをX印で表わし
た。応力腐食割れ性はJIS−C8306に基づき、ア
ンモニア3 Vo1%の雰囲気中で30KI/mitの
引張荷重をかけた定荷重試験を行ない、割れが発するま
での時間を測定した。
第1表及び第2表から明らかなように、本発明合金NQ
I〜9は何れも従来合金(8%リン青銅)Nα15と比
較し、強度、導電性、半田接合強度、応力腐食割れ性に
優れていることが判る。
I〜9は何れも従来合金(8%リン青銅)Nα15と比
較し、強度、導電性、半田接合強度、応力腐食割れ性に
優れていることが判る。
これに対しNiやSi含有間が少なく、かつA8元素群
を含まない比較合金Nα10では強度が不十分であり、
逆にNiやSi含有量の多い比較合金Nα11及びA8
両元素群の含有量が多い比較合金Nα12では健全な鋳
塊が得られず、かつ熱間圧延時に割れを生じてしまい供
試材が得られなかった。
を含まない比較合金Nα10では強度が不十分であり、
逆にNiやSi含有量の多い比較合金Nα11及びA8
両元素群の含有量が多い比較合金Nα12では健全な鋳
塊が得られず、かつ熱間圧延時に割れを生じてしまい供
試材が得られなかった。
更にα含有量の多い比較合金Nα13では曲げ成型性や
メツキ密着性が大きく゛劣り、半田接合性も劣化してい
る。S含有量の多い比較合金Nα14では熱間圧延で甚
しい割れを生じてしまい、供試材が得られなかった。
メツキ密着性が大きく゛劣り、半田接合性も劣化してい
る。S含有量の多い比較合金Nα14では熱間圧延で甚
しい割れを生じてしまい、供試材が得られなかった。
このように本発明によれば、強度、導電性(熱伝導性)
、成型加工性及び耐食性が優れ、半田付は性及びメツキ
の信頼性が大巾に改善され、電子・電気機器として例え
ば半導体リードフレーム、コネクター、スイッチ等のば
ね材、端子、熱交換器、各種導体として有用であり、電
子・電気機器の小型化、高集積化を可能にjる等、工業
上顕著な効果を奏するものである。
、成型加工性及び耐食性が優れ、半田付は性及びメツキ
の信頼性が大巾に改善され、電子・電気機器として例え
ば半導体リードフレーム、コネクター、スイッチ等のば
ね材、端子、熱交換器、各種導体として有用であり、電
子・電気機器の小型化、高集積化を可能にjる等、工業
上顕著な効果を奏するものである。
Claims (2)
- (1)4.0wt%を越えて10wt%以下のNiと、
0.6〜5.0wt%のSiと、Zn0.05〜5.0
wt%、Mn0.01〜5.0wt%、Mg0.005
〜0.8wt%、Ca0.005〜0.8wt%、Cd
0.05〜1.0wt%、Ag0.001〜0.5wt
%の範囲内で何れか1種又は2種以上を合計0.01〜
5.0wt%含み、更にCr0.01〜0.4wt%、
V0.005〜0.4wt%、Ti0.005〜0.4
wt%、Y0.005〜0.2wt%、Zr0.005
〜0.2wt%、Co0.01〜0.4wt%、Fe−
P化合物(Fe_XP_Y)0.01〜0.4wt%、
Cr−P化合物(Cr_XP_Y)0.01〜0.4w
t%、Co−P化合物(Co_XP_Y)0.01〜0
.4wt%の範囲内で何れか1種又は2種以上を合計 0.005〜0.5wt%含み、残部Cuと不可避的不
純物からなる高力高導電性銅合金。 - (2)特許請求の範囲第1項記載の銅合金において、O
_2含有量を50ppm以下、S含有量を10ppm以
下とする高力高導電性銅合金。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62156048A JPH0830233B2 (ja) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | 高力高導電性銅合金 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62156048A JPH0830233B2 (ja) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | 高力高導電性銅合金 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS64240A JPS64240A (en) | 1989-01-05 |
JPH01240A true JPH01240A (ja) | 1989-01-05 |
JPH0830233B2 JPH0830233B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=15619179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62156048A Expired - Fee Related JPH0830233B2 (ja) | 1987-06-23 | 1987-06-23 | 高力高導電性銅合金 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0830233B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2594250B2 (ja) * | 1992-05-13 | 1997-03-26 | 同和鉱業株式会社 | コネクタ用銅基合金およびその製造法 |
JP3362479B2 (ja) * | 1993-11-05 | 2003-01-07 | 株式会社日立製作所 | 回転電機の回転子 |
JP6154996B2 (ja) * | 2012-07-13 | 2017-06-28 | 古河電気工業株式会社 | 高強度銅合金材およびその製造方法 |
JP6154997B2 (ja) * | 2012-07-13 | 2017-06-28 | 古河電気工業株式会社 | 強度およびめっき性に優れる銅合金材およびその製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6045698B2 (ja) * | 1982-01-20 | 1985-10-11 | 日本鉱業株式会社 | 半導体機器用リ−ド材 |
JPS6045698A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-12 | 株式会社協立有機工業研究所 | 両性デンプンを内添する抄紙法 |
JPS60158650A (ja) * | 1984-01-28 | 1985-08-20 | Kobe Steel Ltd | 半導体機器用リ−ド材料 |
US4594221A (en) * | 1985-04-26 | 1986-06-10 | Olin Corporation | Multipurpose copper alloys with moderate conductivity and high strength |
-
1987
- 1987-06-23 JP JP62156048A patent/JPH0830233B2/ja not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3550233B2 (ja) | 高強度高導電性銅基合金の製造法 | |
JPS63130739A (ja) | 半導体機器リ−ド材又は導電性ばね材用高力高導電銅合金 | |
JP3797882B2 (ja) | 曲げ加工性が優れた銅合金板 | |
JPH036341A (ja) | 高強度高導電性銅基合金 | |
JPH0830234B2 (ja) | 高力高導電性銅合金 | |
JPH03162553A (ja) | 曲げ加工性の良好な高強度高導電銅合金の製造方法 | |
JPH03188247A (ja) | 曲げ加工性の良好な高強度高導電銅合金の製造方法 | |
JP3049137B2 (ja) | 曲げ加工性が優れた高力銅合金及びその製造方法 | |
JPS62182240A (ja) | 導電性高力銅合金 | |
JPH01240A (ja) | 高力高導電性銅合金 | |
JPS63274729A (ja) | 電子・電気機器用銅合金 | |
JPH03111529A (ja) | 高強度耐熱性ばね用銅合金 | |
JPH0425339B2 (ja) | ||
JPH02190431A (ja) | 接続機器用銅合金 | |
JPS6376839A (ja) | 電子機器用銅合金とその製造法 | |
JPS6338547A (ja) | 高力伝導性銅合金 | |
JPH0830233B2 (ja) | 高力高導電性銅合金 | |
JPH01139742A (ja) | 高力高導電銅合金の製造方法 | |
JPH01198440A (ja) | 高力電気電子機器用銅合金 | |
JPS63109132A (ja) | 高力導電性銅合金及びその製造方法 | |
JPH06172896A (ja) | 高力高導電性銅合金 | |
JPS62185847A (ja) | 熱・電気高伝導用高力銅合金とその製造法 | |
JPH01100231A (ja) | 高力電気電子機器用銅合金 | |
JPH0219432A (ja) | 半導体機器リード材又は導電性ばね材用高力高導電銅合金 | |
JP3391492B2 (ja) | 半導体機器のリ−ド材用,導電性ばね材用の高力高導電性銅合金 |