JPS6376839A - 電子機器用銅合金とその製造法 - Google Patents
電子機器用銅合金とその製造法Info
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- JPS6376839A JPS6376839A JP22015186A JP22015186A JPS6376839A JP S6376839 A JPS6376839 A JP S6376839A JP 22015186 A JP22015186 A JP 22015186A JP 22015186 A JP22015186 A JP 22015186A JP S6376839 A JPS6376839 A JP S6376839A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子機器用銅合金とその製造法に関し、特に強
度が高く、導電率及び耐食性が優れ、かつ加工性やメッ
キ性が良好で、半田との界面強度の経時劣化が起らない
銅合金を提供するものである。
度が高く、導電率及び耐食性が優れ、かつ加工性やメッ
キ性が良好で、半田との界面強度の経時劣化が起らない
銅合金を提供するものである。
電子機器、例えば半導体のリードフレームには下記の特
性が要求されている。
性が要求されている。
(1)強度が高く、耐熱性が良いこと。
(2)放熱性、即ち熱伝導性が高いこと。
(3)N気伝導性が高いこと。
(4)フレーム成形時の曲げ加工性が良いこと。
(5)メッキ密着性及び樹脂とのモールド性が良いこと
。
。
(6)半田との接合部に経時劣化が無いこと。
従来半導体のリードフレームには主として42合金(F
e−42wt%Ni合金)(以下wt%を%と略記)
が用いられそきた。この合金は引張強さ63に9/rr
vn、耐熱性670℃(30分の加熱により、初期強度
の70%になる温度)の優れた特性を示すが、導電率は
3%lAC3程度と劣るものである。
e−42wt%Ni合金)(以下wt%を%と略記)
が用いられそきた。この合金は引張強さ63に9/rr
vn、耐熱性670℃(30分の加熱により、初期強度
の70%になる温度)の優れた特性を示すが、導電率は
3%lAC3程度と劣るものである。
近年半導体素子は集積度の増大及び小型化と同時に高信
頼性が求められるようになり、半導体素子の形態も従来
のDIP型ICからデツプキャリアー型やPGA型へと
変化しつつある。
頼性が求められるようになり、半導体素子の形態も従来
のDIP型ICからデツプキャリアー型やPGA型へと
変化しつつある。
このため半導体のリードフレームも薄肉・小型化され、
同時に42合金を上回る特性が要求されるようになった
。即ち薄肉化による溝成部品の強度低下を防ぐための強
度向上、集積度の増大による放熱性向」このために熱伝
導性と同一特性である導電率の向上、優れた耐熱性、更
に半導体のフレーム上の固定や半導体からリードフレー
ムの足の部分の配線へのボンディング前処理としてリー
ドフレーム表面へのメッキ性及び封止樹脂とのモールド
性の向上、更には信頼性の問題としてフレーム基板との
接合におけるハンダ接合強度の経時劣化が無いことが望
まれている。
同時に42合金を上回る特性が要求されるようになった
。即ち薄肉化による溝成部品の強度低下を防ぐための強
度向上、集積度の増大による放熱性向」このために熱伝
導性と同一特性である導電率の向上、優れた耐熱性、更
に半導体のフレーム上の固定や半導体からリードフレー
ムの足の部分の配線へのボンディング前処理としてリー
ドフレーム表面へのメッキ性及び封止樹脂とのモールド
性の向上、更には信頼性の問題としてフレーム基板との
接合におけるハンダ接合強度の経時劣化が無いことが望
まれている。
(発明が解決しようとする問題点〕
上記42合金は導電率が3%lAC3と低く、放熱性が
劣る欠点があり、これに代えて銅合金を用いれば導電率
を50〜80%lAC3と飛躍的に向上させることがで
きるも、42合金と同等の他の特性を満足することは難
しい。
劣る欠点があり、これに代えて銅合金を用いれば導電率
を50〜80%lAC3と飛躍的に向上させることがで
きるも、42合金と同等の他の特性を満足することは難
しい。
本発明はこれに鑑み種々検問の結果、42合金と同等以
上の強度と、はるかに優れた導電率を示す電子機器用銅
合金とその装造法を開発したものである。
上の強度と、はるかに優れた導電率を示す電子機器用銅
合金とその装造法を開発したものである。
即ち本発明合金は、Ni011−4.8%、Si0、0
5〜0.8%の範囲内でNiとSiの比(Ni/S1)
が2〜6となるようにNiとSiを含み、Z n O,
05〜0.6%、Ca O,0005〜0.3%、更に
M9.B、Cr、Mn、C0.8土類元素。
5〜0.8%の範囲内でNiとSiの比(Ni/S1)
が2〜6となるようにNiとSiを含み、Z n O,
05〜0.6%、Ca O,0005〜0.3%、更に
M9.B、Cr、Mn、C0.8土類元素。
A1.sn、 T;の何れか1種又は2種以上を単独で
0.02〜0.5%、合h1で0.02〜1.0%を含
み、残部Quと不可避的不純物からなることを特徴とる
すものである。
0.02〜0.5%、合h1で0.02〜1.0%を含
み、残部Quと不可避的不純物からなることを特徴とる
すものである。
また本発明製造法は、N−10,1〜4.8%、S i
0.05〜0.8%の範囲内でNiとSiの比(Ni
/Si)が2〜6となるようにNiとS:を含み、Z
n O,05〜0.6%、CaO,0O05〜0.3%
、更にMg、B、Cr、Mn、C0.希土類元素、A1
.Sn、T iの何れか1種又は2種以上を単独で0.
02〜0.5%、合計で0.02〜1.0%を含み、残
部Cuと不可避的不純物からなる合金鋳塊を熱間加工し
、その後80%以上の冷間加工を施してから350へ、
850’Cで5秒へ・12時間の再結晶を伴なわない熱
処理と、加工率30%以下の冷間加工を1回以上繰返し
、最終仕上げ加工を30%以下とすることを特徴とする
ものである。
0.05〜0.8%の範囲内でNiとSiの比(Ni
/Si)が2〜6となるようにNiとS:を含み、Z
n O,05〜0.6%、CaO,0O05〜0.3%
、更にMg、B、Cr、Mn、C0.希土類元素、A1
.Sn、T iの何れか1種又は2種以上を単独で0.
02〜0.5%、合計で0.02〜1.0%を含み、残
部Cuと不可避的不純物からなる合金鋳塊を熱間加工し
、その後80%以上の冷間加工を施してから350へ、
850’Cで5秒へ・12時間の再結晶を伴なわない熱
処理と、加工率30%以下の冷間加工を1回以上繰返し
、最終仕上げ加工を30%以下とすることを特徴とする
ものである。
本発明合金は、上記組成からなり、NiO,1〜4.8
%、Si0.05〜0.8%の範囲内で、Niと81の
比(Ni/Si)が2〜6になるようにNiとSiを含
有せしめたのは、それぞれ下限未満では本発明製造法を
持ってしても十分な強度が得られず、上限を越えると半
田付は性を悪化さUると共に加工性、特に熱間加工性を
悪くし、製造性を害する。またNiとSiの比(Ni/
Si)が上記範囲内において十分な強度と導電率を示し
、かつメッキ性、鋳造性、加工性も良好であり、これを
外れると上記特性が大きく低下する。
%、Si0.05〜0.8%の範囲内で、Niと81の
比(Ni/Si)が2〜6になるようにNiとSiを含
有せしめたのは、それぞれ下限未満では本発明製造法を
持ってしても十分な強度が得られず、上限を越えると半
田付は性を悪化さUると共に加工性、特に熱間加工性を
悪くし、製造性を害する。またNiとSiの比(Ni/
Si)が上記範囲内において十分な強度と導電率を示し
、かつメッキ性、鋳造性、加工性も良好であり、これを
外れると上記特性が大きく低下する。
znは半田付けやメッキの接合部の経時劣化を抑制し、
信頼性を向上させ、更に脱酸作用により鋳造性を高め、
コストの低減に寄与するも、上記範囲の下限未満ではそ
の効果が見られず、上限を越えると導電率を低下すると
共に加工性を阻害する。Caは脱酸脱硫の作用を持ち、
鋳塊の健全性の向上や熱間加工性を良好にし、更に熱間
加工時のNi、Siの析出現象を抑制し、優れた特性を
付与するも、上記範囲の下限未満ではその効果がなく、
上限を越えると鋳造性や加工性を損ね、導電率を大きく
低下する。更にMcJ、B、Cr、Mn、C0.希土類
元素。
信頼性を向上させ、更に脱酸作用により鋳造性を高め、
コストの低減に寄与するも、上記範囲の下限未満ではそ
の効果が見られず、上限を越えると導電率を低下すると
共に加工性を阻害する。Caは脱酸脱硫の作用を持ち、
鋳塊の健全性の向上や熱間加工性を良好にし、更に熱間
加工時のNi、Siの析出現象を抑制し、優れた特性を
付与するも、上記範囲の下限未満ではその効果がなく、
上限を越えると鋳造性や加工性を損ね、導電率を大きく
低下する。更にMcJ、B、Cr、Mn、C0.希土類
元素。
A、i!、3n、Tiの何れか1種又は2種以上は、強
度を向上し、延性の改善に寄与し、成型加工性、特に曲
げ加工時の成型性(表面性状や寸法精度)を良くし、更
には脱酸、脱硫の効果を示すも、上記範囲(単独で0.
02〜0.5%、合計で0、02〜1.0%)の下限未
満でも、上限を越えても効果がなく、導電率を低下させ
たり、熱間加工性を悪化ざぜる。尚Ba、V、Zr、Y
。
度を向上し、延性の改善に寄与し、成型加工性、特に曲
げ加工時の成型性(表面性状や寸法精度)を良くし、更
には脱酸、脱硫の効果を示すも、上記範囲(単独で0.
02〜0.5%、合計で0、02〜1.0%)の下限未
満でも、上限を越えても効果がなく、導電率を低下させ
たり、熱間加工性を悪化ざぜる。尚Ba、V、Zr、Y
。
Fe、Au、Ga、In、Ge、Sb、B i。
Ag1丁l、ランタノイド系、アクチノイド系において
も、わずかではあるが同様の効果が見られる。
も、わずかではあるが同様の効果が見られる。
また不可避的不純物のうちQ含有量を4.0 p pm
以下と制限したのは、αは本発明合金の成分であるN;
1′)s+の均一な析出に有害で、含有口が40ppm
を越えると粗大析出粒を作りやすく、そのため強度の向
上を阻害するばかりか、メッキ性や半田付は性を劣化さ
せ、更には成型加工性を劣化させて電子機器に要求され
る精密な加工部品において実用上有害となるためで必る
。
以下と制限したのは、αは本発明合金の成分であるN;
1′)s+の均一な析出に有害で、含有口が40ppm
を越えると粗大析出粒を作りやすく、そのため強度の向
上を阻害するばかりか、メッキ性や半田付は性を劣化さ
せ、更には成型加工性を劣化させて電子機器に要求され
る精密な加工部品において実用上有害となるためで必る
。
更に析出粒の木きざを10μm以下としたのは、析出粒
の大きさは、強度、メッキ性、半田イ」け性等を大ぎく
左右し、粒径が10μ7nを越えると上記特性の劣化が
著しいためである。
の大きさは、強度、メッキ性、半田イ」け性等を大ぎく
左右し、粒径が10μ7nを越えると上記特性の劣化が
著しいためである。
尚不可避的不純物のうちPはNiとNjxP化合物を形
成して、マトリックス中のSiを過剰にし、導電率や半
田付は性を大きく劣化させるため、P含有量を0.05
%以下、望ましくは0.03%以下に制限するとよい。
成して、マトリックス中のSiを過剰にし、導電率や半
田付は性を大きく劣化させるため、P含有量を0.05
%以下、望ましくは0.03%以下に制限するとよい。
本発明合金は上記組成からなり、上記製造法により電子
機器用として最適の特性を付与することができる。即ち
熟間加工俊80%以上の冷間加工を施してから350〜
850℃で5秒〜12時間の再結晶を伴なわない熱処理
と、加工率30%以下の冷間加工を1回以上繰返し、か
つ最終仕上げ加工率を30%以下とするものである。し
かして熱処理条件がこの範囲から外れる再結晶状態又は
部分再結晶状態からでは、過析出による析出粒の粗大化
により十分な強度が得られず、組織の不均一性から特性
の不安定をまねく。更にこの熱処理と組合せる冷間加工
の加工率を30%以下としたのは、加工率が30%を越
えると熱処理による析出硬化と、加工による転位の導入
により加工硬化の効果が増幅され、高い強度を得ること
は可能でおるが、反面延性を低下し、製造性や曲げ成型
性を大きく劣化させ、電子機器に要求される精密な加工
部品において、実用上有害となるためでおる。また最終
の仕上げ加工率を30%以下としたのは、これを越える
加工率では強度と延性の並ね合による製造性や曲げ成型
性を劣化させる。
機器用として最適の特性を付与することができる。即ち
熟間加工俊80%以上の冷間加工を施してから350〜
850℃で5秒〜12時間の再結晶を伴なわない熱処理
と、加工率30%以下の冷間加工を1回以上繰返し、か
つ最終仕上げ加工率を30%以下とするものである。し
かして熱処理条件がこの範囲から外れる再結晶状態又は
部分再結晶状態からでは、過析出による析出粒の粗大化
により十分な強度が得られず、組織の不均一性から特性
の不安定をまねく。更にこの熱処理と組合せる冷間加工
の加工率を30%以下としたのは、加工率が30%を越
えると熱処理による析出硬化と、加工による転位の導入
により加工硬化の効果が増幅され、高い強度を得ること
は可能でおるが、反面延性を低下し、製造性や曲げ成型
性を大きく劣化させ、電子機器に要求される精密な加工
部品において、実用上有害となるためでおる。また最終
の仕上げ加工率を30%以下としたのは、これを越える
加工率では強度と延性の並ね合による製造性や曲げ成型
性を劣化させる。
尚本発明法において、熱間加Tは800〜880℃から
開始し、終了後はNi、Si等の析出分を固溶状態にし
ておく装定から迅速に冷却することが望ましいが、冷却
速度として徐冷以外でおれば特性に何等影響を及ぼさな
い。また最終仕上げ加工後、200〜550’Cの調質
焼鈍やデンションレベラー、テンションアニーリング等
を組合せることにより、より高い特性とすることができ
る。
開始し、終了後はNi、Si等の析出分を固溶状態にし
ておく装定から迅速に冷却することが望ましいが、冷却
速度として徐冷以外でおれば特性に何等影響を及ぼさな
い。また最終仕上げ加工後、200〜550’Cの調質
焼鈍やデンションレベラー、テンションアニーリング等
を組合せることにより、より高い特性とすることができ
る。
(実施例)
第1表に示す組成の銅合金を冷却鋳型を用いて半連続鋳
造し、850″Cで熱間圧延した後、面削して厚さ10
IrIMの板とした。これを96%の加工率で厚さ0.
4#まで冷間圧延してから1,450°Cで1時間加熱
処理し、更に25%の加工率で厚さ0.3mまで冷間圧
延した後、400 °Cで1115間熱処理し、しかる
後加工率16.7%の最終仕上げ冷間圧延を行なって、
厚さ0.25#の板にし、更に250℃で30分間の調
質焼鈍を施した。
造し、850″Cで熱間圧延した後、面削して厚さ10
IrIMの板とした。これを96%の加工率で厚さ0.
4#まで冷間圧延してから1,450°Cで1時間加熱
処理し、更に25%の加工率で厚さ0.3mまで冷間圧
延した後、400 °Cで1115間熱処理し、しかる
後加工率16.7%の最終仕上げ冷間圧延を行なって、
厚さ0.25#の板にし、更に250℃で30分間の調
質焼鈍を施した。
これ等の板について強度、伸び1曲げ成型性。
半田付は性、耐食性及びメッキ性を調べた。その結果を
従来の42合金と比較して第2表に示す。
従来の42合金と比較して第2表に示す。
強度はJIS Z 2241に基づいて測定し、導電率
はJIS H0505に基づいて測定した。曲げ成型性
はJIS Z 224Bの■ブロック法により試験を行
ない、試験片の表面に割れを生じさせる最少曲げ半径(
R)を試験片の厚さく1)で割った値(R/l)で示し
た。半田付は性は幅2571151、長さ25IIwI
のサンプルを切出し、直径9M部に60/40共晶半田
により直径2mの無酸素銅線を接合し、150℃で50
0時間の加速試験を行なった後、引張試験により接合強
度を求めた。耐食性はJIS C8306(応力腐食割
れ)に準じ、3■01%のN !−13蒸気中で定荷重
(引張強さの50%)法により、割れ発生までの時間を
求めた。メッキ性はホウフッ化物浴にて厚さ7.5μm
の5n−5%Pb合金メッキを施し、105℃で200
0時間保持してから1)Ooに折り曲げ、その折り曲げ
部のメッキ層の剥離を検鏡により調べた。
はJIS H0505に基づいて測定した。曲げ成型性
はJIS Z 224Bの■ブロック法により試験を行
ない、試験片の表面に割れを生じさせる最少曲げ半径(
R)を試験片の厚さく1)で割った値(R/l)で示し
た。半田付は性は幅2571151、長さ25IIwI
のサンプルを切出し、直径9M部に60/40共晶半田
により直径2mの無酸素銅線を接合し、150℃で50
0時間の加速試験を行なった後、引張試験により接合強
度を求めた。耐食性はJIS C8306(応力腐食割
れ)に準じ、3■01%のN !−13蒸気中で定荷重
(引張強さの50%)法により、割れ発生までの時間を
求めた。メッキ性はホウフッ化物浴にて厚さ7.5μm
の5n−5%Pb合金メッキを施し、105℃で200
0時間保持してから1)Ooに折り曲げ、その折り曲げ
部のメッキ層の剥離を検鏡により調べた。
尚第2表中比較例Nαia、 19は第1表中の本発明
例Nα7と同一合金であるが、比較例Nα18は本発明
例Nα7の製造工程において熱処理を完全に軟化する温
度(900℃)で2時間行なったものであり、比較例社
19は本発明例Na7の製、造工程において、熱処理前
の冷間加工率を93%とし、最終仕上げ加工率を50%
としたものである。
例Nα7と同一合金であるが、比較例Nα18は本発明
例Nα7の製造工程において熱処理を完全に軟化する温
度(900℃)で2時間行なったものであり、比較例社
19は本発明例Na7の製、造工程において、熱処理前
の冷間加工率を93%とし、最終仕上げ加工率を50%
としたものである。
第1表及び第2表から明らかなように、本発明合金を本
発明製造法により作成した本発明例N01〜10は、何
れも42合金(1”e−42%Ni合金)を用いた従来
例Nα20と比較し、はるかに優れた強度と導電性を有
し、かつ同等の曲げ成型性、半田付は性、メッキ性及び
耐食性を有することが判る。
発明製造法により作成した本発明例N01〜10は、何
れも42合金(1”e−42%Ni合金)を用いた従来
例Nα20と比較し、はるかに優れた強度と導電性を有
し、かつ同等の曲げ成型性、半田付は性、メッキ性及び
耐食性を有することが判る。
これに対しNi量と5iffiが少ない合金を用いた比
較例Nα11では強度が劣り、5ifflの多い合金を
用いた比較例Nα12及びNiff1の多い合金を用い
た比較例Nα14では優れた強度を示すも導電性の改善
が不十分なばかりか、曲げ成型性やメッキ性が大きく劣
る。またznを含まない合金を用いた比較例Nα13で
は半田接合強度が大き′く低下し、Caやその他の元素
を多く含む合金を用いた比較例Nα15では鋳造性が極
めて悪く、健全な鋳塊を得ることができなかった。更に
Q含有量が多い合金を用いた比較例Nα16では析出粒
径も大ぎく、強度の改善が不十分なばかりか、曲げ成型
性やメッキ性が劣り、P含有量の多い合金を用いた比較
例Nα17では、導電率の改善が不十分なばかりか、曲
げ成型性、半田付は性及びメッキ性が劣る。
較例Nα11では強度が劣り、5ifflの多い合金を
用いた比較例Nα12及びNiff1の多い合金を用い
た比較例Nα14では優れた強度を示すも導電性の改善
が不十分なばかりか、曲げ成型性やメッキ性が大きく劣
る。またznを含まない合金を用いた比較例Nα13で
は半田接合強度が大き′く低下し、Caやその他の元素
を多く含む合金を用いた比較例Nα15では鋳造性が極
めて悪く、健全な鋳塊を得ることができなかった。更に
Q含有量が多い合金を用いた比較例Nα16では析出粒
径も大ぎく、強度の改善が不十分なばかりか、曲げ成型
性やメッキ性が劣り、P含有量の多い合金を用いた比較
例Nα17では、導電率の改善が不十分なばかりか、曲
げ成型性、半田付は性及びメッキ性が劣る。
また本発明合金と同一組成の合金であっても、その製造
条件の内、冷間圧延後の熱処理温度が高い比較例Nα1
8では強度の改善が不十分なばかりか、メッキ性が劣り
、熱処理後の仕上げ加工率が高い比較例では曲げ成型性
が著しく劣ることが判る。
条件の内、冷間圧延後の熱処理温度が高い比較例Nα1
8では強度の改善が不十分なばかりか、メッキ性が劣り
、熱処理後の仕上げ加工率が高い比較例では曲げ成型性
が著しく劣ることが判る。
このように本発明によれば、強度、導電性。
曲げ成型性、半田付は性、メッキ性及び耐食性に優れて
おり、電子機器用リードフレーム、コネクター、スイッ
チ等に使用し、その薄肉化。
おり、電子機器用リードフレーム、コネクター、スイッ
チ等に使用し、その薄肉化。
小型化を可能にする等工業上顕著な効果を秦するもので
ある。
ある。
−,し′
Claims (3)
- (1)Ni0.1〜4.8wt%、Si0.05〜0.
8wt%の範囲内でNiとSiの比(Ni/Si)が2
〜6となるようにNiとSiを含み、Zn0.05〜0
.6wt%、Ca0.0005〜0.3wt%、更にM
g、B、Cr、Mn、Co、希土類元素、Al、Sn、
Tiの何れか1種又は2種以上を単独で0.02〜0.
5wt%、合計で0.02〜1.0wt%を含み、残部
Cuと不可避的不純物からなる電子機器用銅合金。 - (2)不可避的不純物中O_2含有量を40ppm以下
に制限し、析出物の粒径を10μm以下とする特許請求
の範囲第1項記載の電子機器用銅合金。 - (3)Ni0.1〜4.8wt%、Si0.05〜0.
8wt%の範囲内でNiとSiの比(Ni/Si)が2
〜6となるようにNiとSiを含み、Zn0.05〜0
.6wt%、Ca0.0005〜0.3wt%、更にM
g、B、Cr、Mn、Co、希土類元素、Al、Sn、
Tiの何れか1種又は2種以上を単独で0.02〜0.
5wt%、合計で0.02〜1.0wt%を含み、残部
Cuと不可避的不純物からなる合金鋳塊を熱間加工し、
その後80%以上の冷間加工を施してから350〜85
0℃で5秒〜12時間の再結晶を伴なわない熱処理と、
加工率30%以下の冷間加工を1回以上繰返し、最終仕
上げ加工率を30%以下とすることを特徴とする電子機
器用銅合金の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22015186A JPS6376839A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 電子機器用銅合金とその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22015186A JPS6376839A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 電子機器用銅合金とその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6376839A true JPS6376839A (ja) | 1988-04-07 |
JPH034612B2 JPH034612B2 (ja) | 1991-01-23 |
Family
ID=16746692
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22015186A Granted JPS6376839A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 電子機器用銅合金とその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6376839A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0247228A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-16 | Kobe Steel Ltd | 強度と導電性に優れる端子・コネクター用銅合金 |
JPH0266130A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-06 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | 打抜金型摩耗の少ない端子・コネクタ用Cu合金 |
WO2006093140A1 (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-08 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | 銅合金 |
JP2006265731A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 銅合金 |
JP2007070652A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Hitachi Cable Ltd | 電気部品用銅合金材とその製造方法 |
JP2007270171A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Dowa Holdings Co Ltd | 曲げ加工性に優れた高導電性銅基合金およびその製造法 |
-
1986
- 1986-09-18 JP JP22015186A patent/JPS6376839A/ja active Granted
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0247228A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-16 | Kobe Steel Ltd | 強度と導電性に優れる端子・コネクター用銅合金 |
JPH0266130A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-06 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | 打抜金型摩耗の少ない端子・コネクタ用Cu合金 |
JPH0524217B2 (ja) * | 1988-08-29 | 1993-04-07 | Mitsubishi Shindo Kk | |
WO2006093140A1 (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-08 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | 銅合金 |
JP2006265731A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 銅合金 |
JP2007070652A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Hitachi Cable Ltd | 電気部品用銅合金材とその製造方法 |
JP2007270171A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Dowa Holdings Co Ltd | 曲げ加工性に優れた高導電性銅基合金およびその製造法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH034612B2 (ja) | 1991-01-23 |
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Legal Events
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