JPH034613B2 - - Google Patents
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- JPH034613B2 JPH034613B2 JP25264386A JP25264386A JPH034613B2 JP H034613 B2 JPH034613 B2 JP H034613B2 JP 25264386 A JP25264386 A JP 25264386A JP 25264386 A JP25264386 A JP 25264386A JP H034613 B2 JPH034613 B2 JP H034613B2
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- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 14
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 10
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 6
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910009038 Sn—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052768 actinide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001255 actinides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Conductive Materials (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は高い強度と導電性とを有し、優れた耐
熱性、成型加工性を示し、半田接合における界面
強度の経時劣化を起さないリードフレーム用銅合
金とその製造方法に関するものである。 〔従来の技術〕 一般に半導体機器用のリードフレームには、下
記の特性が要求されている。 (1) 強度が高く、耐熱性が優れていること。 (2) 放熱性、即ち熱伝導性が良いこと。 (3) 電気伝導性が高いこと。 (4) フレーム成型後の曲げ加工性が良いこと。 (5) メツキ密着性及び樹脂によるモールド性が良
いこと。 (6) 半田接合部の経時劣化がないこと。 従来半導体機器リードフレームには、主として
42合金（Fe−42wt％Ni）が用いられている。こ
の合金は引張強さ63Kg／mm2、耐熱性670℃（30分
の加熱により強度が初期強度の70％となる温度）
の優れた特性を示すも、導電率は３％IACS程度
となるものである。 近年半導体素子は集積度の増大及び小型化と同
時に高信頼性が求められるようになり、半導体素
子の形態も、従来のDIP型ICからチツプキヤリア
ー型やPGA型へ変化しつつある。このため半導
体素子のリードフレームも薄肉・小型化され、同
時に42合金を上廻る特性が要求されるようになつ
た。即ち薄肉化による構成部品の強度低下を防ぐ
ための強度向上と、集積度の増大による放熱性向
上のために熱伝導性と同一特性である導電率の向
上、更には優れた耐熱性と、半導体のフレーム上
の固定及び半導体からリードフレームの足の部分
の配線のためのボンデイング前処理として、リー
ドフレーム表面へのメツキ性及びメツキ密着性、
更には封止樹脂によるモールド性の向上及び信頼
性の問題としてフレームと基板との接合における
半田接合強度の経時劣化がないことが望まれてい
る。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記42合金は導電率が３％IACSと低く、放熱
性が劣る欠点があり、これに変えて銅合金を用い
れば導電率を50〜80％IACSと飛躍的に向上させ
ることができるも、42合金と同等の他の特性を得
ることは困難であつた。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明はこれに鑑み種々検討の結果、42合金と
同等以上の強度とはるかに優れた導電率を有し、
かつ良好な成型加工性と半田付け性を示すリード
フレーム用銅合金とその製造法を開発したもので
ある。 即ち本発明銅合金の一つは、Ni0.1〜4.0wt％
（以下wt％を％と略記）、Si0.05〜0.8％の範囲内
でNiとSiの比（Ni／Si）が２〜６となるように
NiとSiを含み、かつAg、希土類元素（RE）、
Nb、Te、Ｂの内何れか１種以上を総計0.0005〜
0.3％含み、O2含有量を40ppm以下、析出物の大
きさを10μｍ以下に制限し、残部Cuと不可避的不
純物からなることを特徴とするものである。 また本発明銅合金の他の一つは、Ni0.1〜4.0
％、Si0.05〜0.8％の範囲内でNiとSiの比（Ni／
Si）が２〜６となるようにNiとSiを含み、かつ
Ag、RE、Nb、Te、Ｂの内何れか１種以上を総
計0.0005〜0.3％含み、更にMn、Al、Ti、Mg、
Be、Zr、Fe、Co、Cr、Ba、Caの内何れか１種
以上を総計1.5％以下含み、O2含有量を40ppm以
下、析出物の大きさを10μｍ以下に制限し、残部
Cuと不可避的不純物からなることを特徴とする
ものである。 また本発明銅合金の製造法は、Ni0.1〜4.0％、
Si0.05〜0.8％の範囲内でNiとSiの比（Ni／Si）
が２〜６となるようにNiとSiを含み、かつAg、
RE、Nb、Te、Ｂの内何れか１種以上を総計
0.0005〜0.3％含み、又はこれにMn、Al、Mg、
Be、Zr、Fe、Co、Cr、Ba、Caの内何れか１種
以上を総計1.5％以下含み、O2含有量を40ppm以
下に制限し、残部Cuと不可避的不純物からなる
合金鋳塊に、熱間加工と冷間加工を施した後、
600〜950℃で５秒〜12時間の加熱処理を加え、し
かる後冷間加工と250〜850℃で５秒〜12時間の焼
鈍とを１回以上繰返し行なうことを特徴とするも
のである。 〔作用〕 本発明銅合金は上記組成からなり、Ni含有量
を0.1〜4.0％、Si含有量を0.05〜0.8％の範囲内で
NiとSiの比（Ni／Si）が２〜６となるようにNi
とSiを含有せしめたのは、この範囲内において高
い強度と優れた導電性が同時に得られるためであ
る。しかしてNi含有量とSi含有量の何れかが下
限未満では充分な感度が得られず、上限を越える
と半田付け性を悪化させると共に加工性、特に熱
間加工性を悪くし、製造性を害する。またNiと
Siの比（Ni／Si）を２〜６としたのはこの範囲
内において十分な強度と優れた導電率を示し、か
つメツキ性、鋳造性、加工性等が良好なためで、
この範囲を外れると上記特性が著しく損なわれる
ためである。 Ag、RE、Nb、Te、Ｂ（第１副成分）の何れ
か１種以上を総計0.0005〜0.3％含有せしめるの
は、これ等副成分は脱O2効果により建全な鋳塊
とし、かつCuと半田との接合部におけるCuの拡
散を抑制して半田接合強度の経時劣化を防止し、
リードフレームとしての信頼性を向上せしめる。
しかして含有量が下限未満では効果がなく、上限
を越えると加工性、特に熱間加工性を悪くし、生
産性を害する。 Mn、Al、Ti、Mg、Be、Zr、Fe、Co、Cr、
Ba、Ca（第２副成分）の何れか１種以上を総計
1.5％以下含有せしめるのは、これ等副成分は脱
O2、脱Ｓ効果が大きく、鋳塊の健全性や熱間加
工性を向上し、生産性を容易にすると共に、導電
性やメツキ性等の諸特性を低下するこなく、成型
加工性、特に曲げ加工時の成型性（表面性状、寸
法精度）を良好にする。しかして上限を越えると
加工性、特に熱間加工性を悪くし、生産性を害す
る。尚第２副成分の他にＶ、Ｙ、Au、Ga、Ge、
In、Sb、Bi、ランタノイド系、アクチノイド系
にも同様の効果が見られる。 O2含有量を40ppm以下に制限したのは、これ
を越える本発明銅合金の成分であるNiχSiの均一
な析出に有害となり、粗大析出粒を作り易く、そ
のために強度の向上を阻害するばかりか、メツキ
性や半田付け性を劣化させ、更には成型加工性を
も悪化させ、リードフレームに要求される精密加
工に有害となる。また析出物の大きさを10μｍ以
下に制限したのは、析出物の大きさやその分布密
度が強度、メツキ密着性、半田付け性、成型加工
性等を左右し、析出物の大きさが10μｍを越える
と上記特性を損ねるためであり、望ましくは析出
物の大きさを3μｍ以下、分布密度を10000個／mm2
以下に制限するとよい。 次に本発明銅合金の製造において、上記組成の
合金に熱間加工とそれに続く冷間加工を施した
後、600〜950℃で５秒〜12時間の加熱処理するこ
とにより、再結晶させ、しかる後冷間加工と250
〜850℃で５秒〜12時間の焼鈍を１回以上繰返す
ことにより、NiχSiを析出させて、その析出効果
と加工硬化により強度、導電性、成型加工性等の
諸特性を合せ得たものである。しかして熱間加工
とそれに続く冷間加工後の加熱処理を600〜950℃
で５秒〜12時間と限定したのは、温度が600℃未
満でも時間が５秒未満でも再結晶が不十分とな
り、その後の工程においてバラツキを生じ、製品
の不安定を招き、温度が95℃を越えると結晶粒の
成長が著しく進み、結晶粒が粗大化して曲げ加工
性を大巾に低下し、また12時間を越えて加熱処理
することは、より以上の特性の改善が望めないば
かりか、コスト面や生産性を悪化するためであ
る。尚加熱処理後の冷却は導電率を優先する場合
には30℃／sec未満の冷却速度で行ない、強度を
優先する場合には30℃／sec以上の冷却速度で行
なうことが望ましい。 上記加熱処理後の冷間加工続く焼鈍を250〜850
℃で５秒〜12時間と限定したのは、温度が250℃
未満でも、時間が５秒未満でも加工性が著しく悪
化し、製造が困難となり、温度が850℃を越える
と、NiχSiの析出が不十分となつたり、再固溶を
起し、導電性を回復させることが困難となり、ま
た12時間を越える焼鈍は、より以上の特性の改善
が望めないばかりか、コスト面や生産性を著しく
悪化させるためである。尚この焼鈍において導電
性を優先する時には、450〜850℃で５秒〜12時
間、望ましくは600〜850℃で15秒〜５時間焼鈍
し、特に導電性と合せて強度を得ようとする時は
焼鈍後の冷間加工率を大きくするのがよく、加工
率40％までは他の諸特性、特に成型加工性を劣化
させることなく、良好な強度を得ることができ
る。またより以上の強度を得たい場合には前記再
結晶させる加熱処理後の冷却を30℃／sec以上と
した合金を用い、250〜450℃で５秒〜12時間焼鈍
するとよい。 尚本発明合金の製造において、熱間加工は700
〜880℃で開始し、終了後NiχSi等の析出分を固
溶状態に保つておく点から迅速に冷却することが
望ましいが、徐冷以外の冷却であれば特性にあま
り影響を及ぼさない。また最終の冷間加工後に
200〜550℃の調質焼鈍、テンシヨンレベラー、テ
ンシヨンアニーリング等と組合せることにより、
より高い特性を得ることができる。 〔実施例〕 第１表に示す組成の銅合金を冷却鋳型を用いて
半連続鋳造し、850℃で熱間圧延を施してから面
削して厚さ10mmの板とした。これに加工率96％の
冷間圧延を加えて厚さ0.4mmの板とした後、830℃
で100秒間加熱処理して急冷した。これに加工率
25％の冷間圧延を施して厚さ0.3mmの板とし、更
に400℃で１時間焼鈍した後、加工率16.7％の冷
間圧延を施して厚さ0.25mmの板とし、これに250
℃、30分の調質焼鈍を施した。これ等について析
出物粒及び析出物の分布密度を測定し、その結果
を第１表に併記した。また引張強さ、伸び、導電
率、曲げ加工性、半田接合強度、応力腐食割れ及
びメツキ性を試験し、その結果を従来材である42
合金（Fe−42％Ni）、C194（Cu−2.3％Fe−0.12％
Zn−Ｐ）及びリン青銅（Cu−６％Sn−Ｐ）と比
較して第２表に示す。 引張強さ及び伸びはJIS−Z2241に基づいて測
定し、導電率はJIS−H0505に基づいて測定した。
曲げ加工性はJIS−Z2248のＶブロツク法により
試験を行ない、試験片表面に割れを生じる最少曲
げ半径（Ｒ）を同試験片の厚さ（ｔ）で割つた値
（Ｒ／ｔ）で示した。半田接合強度は25mm角のサ
ンプルを切り出し、これに直径２mmの無酸素銅線
を60／40共晶半田により直径９mmの部分に接合し
た後、150℃で500時間加速試験を施してから引張
試験を行なつて求めた。応力腐食割れはJIS−
C8306に準じ、3vol％NH3蒸気中の定荷重法によ
り割れ時間を求めた。荷重は引張強さの50％とし
た。メツキ性はホウフツ化物浴を用いてSn−５
％Pb合金を7.5μｍの厚さにメツキしてから105℃
で2000時間保持した後、180℃に折曲げ、折曲げ
部のメツキ層の剥離を検鏡した。 尚表中No.24は上記製造工程中、厚さ0.4mmの板
とした後の加熱処理を再結晶を起さない条件であ
る400℃で１時間処理したものである。またNo.25
はNo.24と同一組成の合金を上記製造工程中、厚さ
0.4mmの板とした後の加熱処理を1000℃で30分と
し、続いて急冷してから厚さ0.3mmまで冷間圧延
し、しかる後400℃で１時間焼鈍し、更に厚さ
0.25mmまで冷間圧延してから250℃で30分の調質
焼鈍を施したものである。
熱性、成型加工性を示し、半田接合における界面
強度の経時劣化を起さないリードフレーム用銅合
金とその製造方法に関するものである。 〔従来の技術〕 一般に半導体機器用のリードフレームには、下
記の特性が要求されている。 (1) 強度が高く、耐熱性が優れていること。 (2) 放熱性、即ち熱伝導性が良いこと。 (3) 電気伝導性が高いこと。 (4) フレーム成型後の曲げ加工性が良いこと。 (5) メツキ密着性及び樹脂によるモールド性が良
いこと。 (6) 半田接合部の経時劣化がないこと。 従来半導体機器リードフレームには、主として
42合金（Fe−42wt％Ni）が用いられている。こ
の合金は引張強さ63Kg／mm2、耐熱性670℃（30分
の加熱により強度が初期強度の70％となる温度）
の優れた特性を示すも、導電率は３％IACS程度
となるものである。 近年半導体素子は集積度の増大及び小型化と同
時に高信頼性が求められるようになり、半導体素
子の形態も、従来のDIP型ICからチツプキヤリア
ー型やPGA型へ変化しつつある。このため半導
体素子のリードフレームも薄肉・小型化され、同
時に42合金を上廻る特性が要求されるようになつ
た。即ち薄肉化による構成部品の強度低下を防ぐ
ための強度向上と、集積度の増大による放熱性向
上のために熱伝導性と同一特性である導電率の向
上、更には優れた耐熱性と、半導体のフレーム上
の固定及び半導体からリードフレームの足の部分
の配線のためのボンデイング前処理として、リー
ドフレーム表面へのメツキ性及びメツキ密着性、
更には封止樹脂によるモールド性の向上及び信頼
性の問題としてフレームと基板との接合における
半田接合強度の経時劣化がないことが望まれてい
る。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記42合金は導電率が３％IACSと低く、放熱
性が劣る欠点があり、これに変えて銅合金を用い
れば導電率を50〜80％IACSと飛躍的に向上させ
ることができるも、42合金と同等の他の特性を得
ることは困難であつた。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明はこれに鑑み種々検討の結果、42合金と
同等以上の強度とはるかに優れた導電率を有し、
かつ良好な成型加工性と半田付け性を示すリード
フレーム用銅合金とその製造法を開発したもので
ある。 即ち本発明銅合金の一つは、Ni0.1〜4.0wt％
（以下wt％を％と略記）、Si0.05〜0.8％の範囲内
でNiとSiの比（Ni／Si）が２〜６となるように
NiとSiを含み、かつAg、希土類元素（RE）、
Nb、Te、Ｂの内何れか１種以上を総計0.0005〜
0.3％含み、O2含有量を40ppm以下、析出物の大
きさを10μｍ以下に制限し、残部Cuと不可避的不
純物からなることを特徴とするものである。 また本発明銅合金の他の一つは、Ni0.1〜4.0
％、Si0.05〜0.8％の範囲内でNiとSiの比（Ni／
Si）が２〜６となるようにNiとSiを含み、かつ
Ag、RE、Nb、Te、Ｂの内何れか１種以上を総
計0.0005〜0.3％含み、更にMn、Al、Ti、Mg、
Be、Zr、Fe、Co、Cr、Ba、Caの内何れか１種
以上を総計1.5％以下含み、O2含有量を40ppm以
下、析出物の大きさを10μｍ以下に制限し、残部
Cuと不可避的不純物からなることを特徴とする
ものである。 また本発明銅合金の製造法は、Ni0.1〜4.0％、
Si0.05〜0.8％の範囲内でNiとSiの比（Ni／Si）
が２〜６となるようにNiとSiを含み、かつAg、
RE、Nb、Te、Ｂの内何れか１種以上を総計
0.0005〜0.3％含み、又はこれにMn、Al、Mg、
Be、Zr、Fe、Co、Cr、Ba、Caの内何れか１種
以上を総計1.5％以下含み、O2含有量を40ppm以
下に制限し、残部Cuと不可避的不純物からなる
合金鋳塊に、熱間加工と冷間加工を施した後、
600〜950℃で５秒〜12時間の加熱処理を加え、し
かる後冷間加工と250〜850℃で５秒〜12時間の焼
鈍とを１回以上繰返し行なうことを特徴とするも
のである。 〔作用〕 本発明銅合金は上記組成からなり、Ni含有量
を0.1〜4.0％、Si含有量を0.05〜0.8％の範囲内で
NiとSiの比（Ni／Si）が２〜６となるようにNi
とSiを含有せしめたのは、この範囲内において高
い強度と優れた導電性が同時に得られるためであ
る。しかしてNi含有量とSi含有量の何れかが下
限未満では充分な感度が得られず、上限を越える
と半田付け性を悪化させると共に加工性、特に熱
間加工性を悪くし、製造性を害する。またNiと
Siの比（Ni／Si）を２〜６としたのはこの範囲
内において十分な強度と優れた導電率を示し、か
つメツキ性、鋳造性、加工性等が良好なためで、
この範囲を外れると上記特性が著しく損なわれる
ためである。 Ag、RE、Nb、Te、Ｂ（第１副成分）の何れ
か１種以上を総計0.0005〜0.3％含有せしめるの
は、これ等副成分は脱O2効果により建全な鋳塊
とし、かつCuと半田との接合部におけるCuの拡
散を抑制して半田接合強度の経時劣化を防止し、
リードフレームとしての信頼性を向上せしめる。
しかして含有量が下限未満では効果がなく、上限
を越えると加工性、特に熱間加工性を悪くし、生
産性を害する。 Mn、Al、Ti、Mg、Be、Zr、Fe、Co、Cr、
Ba、Ca（第２副成分）の何れか１種以上を総計
1.5％以下含有せしめるのは、これ等副成分は脱
O2、脱Ｓ効果が大きく、鋳塊の健全性や熱間加
工性を向上し、生産性を容易にすると共に、導電
性やメツキ性等の諸特性を低下するこなく、成型
加工性、特に曲げ加工時の成型性（表面性状、寸
法精度）を良好にする。しかして上限を越えると
加工性、特に熱間加工性を悪くし、生産性を害す
る。尚第２副成分の他にＶ、Ｙ、Au、Ga、Ge、
In、Sb、Bi、ランタノイド系、アクチノイド系
にも同様の効果が見られる。 O2含有量を40ppm以下に制限したのは、これ
を越える本発明銅合金の成分であるNiχSiの均一
な析出に有害となり、粗大析出粒を作り易く、そ
のために強度の向上を阻害するばかりか、メツキ
性や半田付け性を劣化させ、更には成型加工性を
も悪化させ、リードフレームに要求される精密加
工に有害となる。また析出物の大きさを10μｍ以
下に制限したのは、析出物の大きさやその分布密
度が強度、メツキ密着性、半田付け性、成型加工
性等を左右し、析出物の大きさが10μｍを越える
と上記特性を損ねるためであり、望ましくは析出
物の大きさを3μｍ以下、分布密度を10000個／mm2
以下に制限するとよい。 次に本発明銅合金の製造において、上記組成の
合金に熱間加工とそれに続く冷間加工を施した
後、600〜950℃で５秒〜12時間の加熱処理するこ
とにより、再結晶させ、しかる後冷間加工と250
〜850℃で５秒〜12時間の焼鈍を１回以上繰返す
ことにより、NiχSiを析出させて、その析出効果
と加工硬化により強度、導電性、成型加工性等の
諸特性を合せ得たものである。しかして熱間加工
とそれに続く冷間加工後の加熱処理を600〜950℃
で５秒〜12時間と限定したのは、温度が600℃未
満でも時間が５秒未満でも再結晶が不十分とな
り、その後の工程においてバラツキを生じ、製品
の不安定を招き、温度が95℃を越えると結晶粒の
成長が著しく進み、結晶粒が粗大化して曲げ加工
性を大巾に低下し、また12時間を越えて加熱処理
することは、より以上の特性の改善が望めないば
かりか、コスト面や生産性を悪化するためであ
る。尚加熱処理後の冷却は導電率を優先する場合
には30℃／sec未満の冷却速度で行ない、強度を
優先する場合には30℃／sec以上の冷却速度で行
なうことが望ましい。 上記加熱処理後の冷間加工続く焼鈍を250〜850
℃で５秒〜12時間と限定したのは、温度が250℃
未満でも、時間が５秒未満でも加工性が著しく悪
化し、製造が困難となり、温度が850℃を越える
と、NiχSiの析出が不十分となつたり、再固溶を
起し、導電性を回復させることが困難となり、ま
た12時間を越える焼鈍は、より以上の特性の改善
が望めないばかりか、コスト面や生産性を著しく
悪化させるためである。尚この焼鈍において導電
性を優先する時には、450〜850℃で５秒〜12時
間、望ましくは600〜850℃で15秒〜５時間焼鈍
し、特に導電性と合せて強度を得ようとする時は
焼鈍後の冷間加工率を大きくするのがよく、加工
率40％までは他の諸特性、特に成型加工性を劣化
させることなく、良好な強度を得ることができ
る。またより以上の強度を得たい場合には前記再
結晶させる加熱処理後の冷却を30℃／sec以上と
した合金を用い、250〜450℃で５秒〜12時間焼鈍
するとよい。 尚本発明合金の製造において、熱間加工は700
〜880℃で開始し、終了後NiχSi等の析出分を固
溶状態に保つておく点から迅速に冷却することが
望ましいが、徐冷以外の冷却であれば特性にあま
り影響を及ぼさない。また最終の冷間加工後に
200〜550℃の調質焼鈍、テンシヨンレベラー、テ
ンシヨンアニーリング等と組合せることにより、
より高い特性を得ることができる。 〔実施例〕 第１表に示す組成の銅合金を冷却鋳型を用いて
半連続鋳造し、850℃で熱間圧延を施してから面
削して厚さ10mmの板とした。これに加工率96％の
冷間圧延を加えて厚さ0.4mmの板とした後、830℃
で100秒間加熱処理して急冷した。これに加工率
25％の冷間圧延を施して厚さ0.3mmの板とし、更
に400℃で１時間焼鈍した後、加工率16.7％の冷
間圧延を施して厚さ0.25mmの板とし、これに250
℃、30分の調質焼鈍を施した。これ等について析
出物粒及び析出物の分布密度を測定し、その結果
を第１表に併記した。また引張強さ、伸び、導電
率、曲げ加工性、半田接合強度、応力腐食割れ及
びメツキ性を試験し、その結果を従来材である42
合金（Fe−42％Ni）、C194（Cu−2.3％Fe−0.12％
Zn−Ｐ）及びリン青銅（Cu−６％Sn−Ｐ）と比
較して第２表に示す。 引張強さ及び伸びはJIS−Z2241に基づいて測
定し、導電率はJIS−H0505に基づいて測定した。
曲げ加工性はJIS−Z2248のＶブロツク法により
試験を行ない、試験片表面に割れを生じる最少曲
げ半径（Ｒ）を同試験片の厚さ（ｔ）で割つた値
（Ｒ／ｔ）で示した。半田接合強度は25mm角のサ
ンプルを切り出し、これに直径２mmの無酸素銅線
を60／40共晶半田により直径９mmの部分に接合し
た後、150℃で500時間加速試験を施してから引張
試験を行なつて求めた。応力腐食割れはJIS−
C8306に準じ、3vol％NH3蒸気中の定荷重法によ
り割れ時間を求めた。荷重は引張強さの50％とし
た。メツキ性はホウフツ化物浴を用いてSn−５
％Pb合金を7.5μｍの厚さにメツキしてから105℃
で2000時間保持した後、180℃に折曲げ、折曲げ
部のメツキ層の剥離を検鏡した。 尚表中No.24は上記製造工程中、厚さ0.4mmの板
とした後の加熱処理を再結晶を起さない条件であ
る400℃で１時間処理したものである。またNo.25
はNo.24と同一組成の合金を上記製造工程中、厚さ
0.4mmの板とした後の加熱処理を1000℃で30分と
し、続いて急冷してから厚さ0.3mmまで冷間圧延
し、しかる後400℃で１時間焼鈍し、更に厚さ
0.25mmまで冷間圧延してから250℃で30分の調質
焼鈍を施したものである。
【表】
【表】
【表】
このように本発明によれば優れた導電性と強度
を合せて有し、同時に良好な曲げ加工性と半田付
けを有し、電子機器等のリードフレームに使用
し、その薄肉及び小型化を可能にする等、工業上
顕著な効果を奏するものである。
を合せて有し、同時に良好な曲げ加工性と半田付
けを有し、電子機器等のリードフレームに使用
し、その薄肉及び小型化を可能にする等、工業上
顕著な効果を奏するものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ni0.1〜4.0wt％、Si0.05〜0.8wt％の範囲内
でNiとSiの比（Ni／Si）が２〜６となるように
NiとSiを含み、かつAg、希土類元素、Nb、Te、
Ｂの内何れか１種以上を総計0.0005〜0.3wt％含
み、O2含有量を40ppm以下、析出物の大きさを
10μｍ以下に制限し、残部Cuと不可避的不純物か
らなるリードフレーム用銅合金。 ２ Ni0.1〜4.0wt％、Si0.05〜0.8wt％の範囲内
でNiとSiの比（Ni／Si）が２〜６となるように
NiとSiを含み、かつAg、希土類元素、Nb、Te、
Ｂの内何れか１種以上を総計0.0005〜0.3wt％含
み、更にMn、Al、Ti、Mg、Be、Zr、Fe、Co、
Cr、Ba、Caの内何れか１種以上を総計1.5wt％
以下含み、O2含有量を40ppm以下、析出物の大
きさを10μｍ以下に制限し、残部Cuと不可避的不
純物からなるリードフレーム用銅合金。 ３ Ni0.1〜4.0wt％、Si0.05〜0.8wt％の範囲内
でNiとSiの比（Ni／Si）が２〜６となるように
NiとSiを含み、かつAg、希土類元素、Nb、Te、
Ｂの内何れか１種以上を総計0.0005〜0.3wt％含
み、又はこれにMn、Al、Ti、Mg、Be、Zr、
Fe、Co、Cr、Ba、Caの内何れか１種以上を総
計1.5wt％以下含み、O2含有量を40ppm以下に制
限し、残部Cuと不可避的不純物からなる合金鋳
塊に、熱間加工と冷間加工を施した後、600〜950
℃で５秒〜12時間の加熱処理を加え、しかる後冷
間加工と250〜850℃で５秒〜12時間の焼鈍とを１
回以上繰返し行なうことを特徴とするリードフレ
ーム用銅合金の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25264386A JPS63109134A (ja) | 1986-10-23 | 1986-10-23 | リ−ドフレ−ム用銅合金とその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25264386A JPS63109134A (ja) | 1986-10-23 | 1986-10-23 | リ−ドフレ−ム用銅合金とその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63109134A JPS63109134A (ja) | 1988-05-13 |
| JPH034613B2 true JPH034613B2 (ja) | 1991-01-23 |
Family
ID=17240204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25264386A Granted JPS63109134A (ja) | 1986-10-23 | 1986-10-23 | リ−ドフレ−ム用銅合金とその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63109134A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2714560B2 (ja) * | 1988-12-24 | 1998-02-16 | 日鉱金属株式会社 | ダイレクトボンディング性の良好な銅合金 |
| US7182823B2 (en) | 2002-07-05 | 2007-02-27 | Olin Corporation | Copper alloy containing cobalt, nickel and silicon |
| WO2005083137A1 (en) | 2004-02-27 | 2005-09-09 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Copper alloy |
| JP2006265731A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 銅合金 |
| JP5002768B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2012-08-15 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 曲げ加工性に優れた高導電性銅基合金およびその製造法 |
| CN105586505A (zh) * | 2016-01-20 | 2016-05-18 | 广西丛欣实业有限公司 | 高强度黄铜合金 |
| CN109182795B (zh) * | 2018-09-13 | 2020-06-05 | 北京科技大学 | 一种高强高导稀土铜镍硅铬合金的制备方法 |
| EP4095274A1 (en) * | 2021-05-26 | 2022-11-30 | National Tsing Hua University | High strength and wear resistant multi-element copper alloy and article comprising the same |
-
1986
- 1986-10-23 JP JP25264386A patent/JPS63109134A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63109134A (ja) | 1988-05-13 |
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