JPH01198440A

JPH01198440A - 高力電気電子機器用銅合金

Info

Publication number: JPH01198440A
Application number: JP2158588A
Authority: JP
Inventors: Masato Asai; 真人浅井; Yoshimasa Oyama; 大山　好正; Shigeo Shinozaki; 篠崎　重雄; Yukihiro Saida; 幸弘斉田
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Current assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 1988-02-01
Filing date: 1988-02-01
Publication date: 1989-08-10

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は強度、耐食性、半田付は性、耐熱性、曲げ加工
性等に優れ、小型化された電気電子機器用精密部品の製
造に適した高力電気電子機器用鋼合金に関するものであ
る。

〔従来の技術〕

電気電子機器、特にコネクター、スイッチ。

ソケット、接点ばねや半導体（ＩＣ，トランジスター）
のリード等には強度、曲げ加工性、疲労特性、応力緩和
特性、耐応力腐食割れ性、耐熱性等が優れている材料が
要求されている。

このような材料として４２合金（Ｆ　ｅ　−４２ｗｔ％
Ｎｉ合金）や５２合金（Ｆ　ｅ−５２ｗｔ％Ｎｉ合金）
等のＦｅ−Ｎｉ合金、Ｃｕ−Ｂｅ系合金、Ｃｕ−Ｔｉ系
合金が知られているが、これ等の合金は高価であり、特
にＦｅ−Ｎｉ系合金では強度不足等の問題がある。また
Ｑｕ−Ｎｉ−３ｎ系スピノ一ダル合金はその製造が難し
く、製品の信頼性に劣る。

このようなことがらＣｕ−３ｎ系合金、即ちリン青銅、
特に３ｎを６〜Ｂｗｔ％（以下ｗｔ％を％と略記）含む
ばね用リン青銅が多用されてい。

る。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記ばね用リン青銅は６０〜８０ｆｆｙ／＃ＩＩｌ！程
度の強度しかなく、電気電子機器用精密部品の小型化を
はかるためには強度が不足し、更に半田接合強度の経時
劣化や腐食割れ感受性の面から実用上大きな欠点となっ
ている。このため先のＣｕ−Ｂ系合金等が一部で使われ
ているが、コスト面で低コスト化への妨げとなっている
。

近年電気電子機器は小型化、高集積化の傾向にあり、こ
れらに使用するＣｕ金合金して強度や実装時の面実装化
の動向に応えるためには、半田接合強度、３ｎや３ｎ−
ｐｂ合金メツキの密着信頼性の向上に加えて、多量に使
用するためには安価であること等が要求されている。

このような要求に応えて従来合金に代るには高性能で、
低コストなパフォーマンスの合金が必要である。即ち（１）　９ＯＮｇ／ｍ以上の高い強度を保持しつつある
程度の導電性を有すること。

（２）コスト的に安いこと。

（３）電気電子機器部品への成形時の曲げ加工における
信頼性が高いこと、即ち曲げ加工表面にクラック等が生
じることなく寸法精度がよいこと。

（４）加工性、耐食性、耐応力腐食割れ性、疲労特性、
応力緩和性に優れていること。

（５）半田接合強度や５ｎ、５ｎ−ｐｂ合金メツキとの
密着性が長期にわたり安定していること。

（６）電子機器用途では３ｎやＳｎ合金の他にＡｕ、Ａ
ｉ　Ｎ　＋等のメツキが多用されており、これ等とのメ
ツキ性にも優れていること。

（課題を解決するための手段〕本発明はこれに鑑み種々検討の結果、特に強度、曲げ加
工性、疲労特性、応力緩和特性、耐応力腐食割れ性及び
耐熱性が優れ、小型化された電気電子機器用精密部品、
例えばコネクター。

スイッチ、ソケット、接点ばね、半導体（ＩＣ。

トランジスター）のリード等に適した高力電気電子機器
用銅合金を開発したものである。

即ち本発明合金の一つは、Ｎｉ３．５〜１０．０ｗｔ％
（以下ｗｔ％を％と略記）、Ａｊ！０．２〜４゜０％、
　３ｎ０．５〜５．０％を含み、Ｚ　ｎｏ、０５〜５．
０％、　Ｍｎ０．０１〜５．０％、　Ｍ２０．００１〜
０．８％。

Ｃａ０．００１　〜０．８　　％、　　ｃｄｏ、０５〜
１．０　　％、　ハ、９０、００１〜０．５％の範囲内
で何れか１種又は２種以上を合計０．００５〜５．０％
含み、更にＣｒ０．００５〜０．４％、　Ｖ０．ＯＯ１
〜０．４％、Ｔｉ０．００５〜０．４％、　Ｙｏ、００
１〜０．２％，Ｚｒ０．２％、　Ｇｏｏ、００５〜０．
４％、Ｆｅ−Ｐ化合物（Ｆｅｘ　ＰＹ　）　０．００５
〜０．４％、Ｃｒ−Ｐ化合物（ＣｒＸ　Ｐｙ　）　０．
００５〜０．４％。

Ｇｏ−Ｐ化合物（Ｃｏｘ　ＰＹ　）　０．００５〜０．
４％の範囲内で何れか１種又は２種以上を合計０、００
５〜１．０％含み、残部Ｃｕと不可避的不純物からなり
、不純物中Ｏ２含有量を１１００ｐｐ以下、Ｓ含有量を
１０ｐｐｍ以下とし、結晶粒度を２０μｍ以下としたこ
とを特徴とするものである。

また本発明合金の他の一つは、Ｎｉ３．５〜ｉｏ、ｏ％
、　Ａｉ０．２〜４．０％、　３ｎ０．５〜５．０％を
含み、Ｚ　ｎｏ、０５〜５．０％、　Ｍｎｏ、０１〜５
．０％。

Ｍ　ｇ０．００１〜０．８％、　Ｃａ０．００１〜０．
８％。

Ｃｄ　０．０５〜１．０％、Ａｇ１＞、００１〜０．５
％の範囲内で何れか１種又は２種以上を合計０．００５
〜５．０％含み、更に（：、　ｒ　０．００５〜０．４
％、Ｖｏ、　ｏｏｉ〜０．４％、　Ｔ　ｉ　０．００５
〜０．４％、Ｙｏ、００１　〜０．２　％、　　Ｚ　ｒ
０．００５〜０．２　％、ＣＯ０．００５〜０．４％、
Ｆｅ−Ｐ化合物（Ｆｅｘ　ＰＹ　）０．００５〜０．４
％、ｃｒ−ｐ化合物（Ｃｒｘ　ＰＹ　）０．００５〜０
．４％、Ｃｏ−Ｐ化合物（ＣＯＸ　ＰＹ　）０．００５
〜０．４％の範囲内で何れか１種又は２種以上を合計０
．００５〜１．０％含み、更にはＰｂ０．０００５〜０
．０３％、　　Ｉ　ｎ　０．０００５〜０．０３％、　
Ｑａ０．０００５〜０．０５％、　（３ｅ　０．０００
５〜０．０５％、Ａｓ０、０００５〜０．０１％、　３
ｂ０．０００５〜０．０５％，Ｂｉ０．０００５〜０．
０２％、　Ｔ２０．００１〜０．０５％、　Ｂｅ０．０
０５〜０．５％、　Ｂｏ、ｏｏｉ〜０．０５％、希土類
元素（ＲＥ　）　０．０００５〜０．０５％、３ｉ０．
０１〜０．５％の範囲内で何れか１種又は２種以上を合
計０．００１〜０．５％含み、残部Ｃｕと不可避的不純
物からなり、不純物中Ｏ２を１００ｐｐｍ以下、Ｓ含有
量を１０ｐｐｍ以下とし、結晶粒度を２０μｍ以下とし
たことを特徴とするものでおる。

本発明合金は上記組成に配合して溶解鋳造した鋳塊に、
熱間又は／及び冷間加工と熱処理を施して造られる。例
えば鋳塊を６５０〜１０００℃に加熱保持した′俊、熱
間加工を行ない、その終了後水冷等の冷却を施し、これ
をミーリング、シェービング又は酸洗により表面を清浄
化してから冷間圧延や引抜き等の冷間加工を施し、しか
る後時効熱処理と冷間加工又は容体化処理と時効熱処理
と冷間加工の組合せにより造られる。

また最終の冷間加工後に２００〜８５０℃で５秒〜２４
時間の調質焼鈍、テンションレベラー、テンションアニ
ーリング等と組合せる事で、形状の矯正や残留歪の除去
等を行う事により、より高い特性を得ることができる。

また本発明合金を連続鋳造機により鋳造し、直接冷間加
工や組織の均一化熱処理を行なった後、冷間加工、時効
、容体化等の熱処理を施して製造することもできる。

（作　用）本発明合金は上記製造法によって造られ、合金組成にも
よるが、強度９０〜１６０　Ｋｇ／ｍＡ、伸び２〜２０
％、導電率１０〜４０％ｌＡＣ３の特性を示す。

このような本発明合金はＮ１ｘＡ１Ｙ化合物又はＮ　ｉ
ｘ　Ａｉｙ　Ｃｕｚ化合物或いは３ｎ）（Ｎｉｖ化合物
や３ｎ）（Ｎ　ｉｖ　Ａｌｚの化合物を有効に分散せし
め、強度やばね性の向上と導電率及び耐熱性の向上を可
能にする。

しかしてＮｉ、／ｌ、Ｓｎの各々を上記の如く限定した
のは、何れかが下限未満では十分な強度やばね性が得ら
れず、上限を越えると半田付は性を悪化させると共に、
加工性、特に熱間加工性を悪くし、製造性を害するため
であるらＺｎ、Ｍｎ、Ｍ９．Ｃａ、Ｃｄ、Ａｇ　（以下
へ元素群という）からなる群は半田付は後の信頼性の劣
化を抑制すると共に脱酸、脱硫効果を示し、合金の鋳造
性や熱間加工時の欠陥発生を抑制する。またマイグレー
ションによる電気短絡を予防する働きを示す。しかして
ｚｎｏ、ｏｓ〜５．０％、　Ｍｎ０．０１〜５．０％、
　Ｍｇ０．００１〜０．８％、　Ｃａ０．００１〜０．
８％、　ｃｄｏ、０５〜１．０％。

Ａｇ０．００１〜０．５％の範囲内で何れか１種又は２
種以上を合計０．００５〜５．０％と限定したのは、何
れも下限未満では十分な効果が得られず、上限を越える
と鋳塊の健全性を損ね、生産性を著しく悪くするためで
ある。

Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｙ、Ｚｒ，Ｃｏ、ＦｅｘＰｙ　、Ｃｒ
ｘ　ＰＹ　、ＣＯＸ　ＰＹ　（以下Ｂ元素群という）か
らなる群は容体化処理等の熱処理時の結晶粒の成長を抑
制し、微細化組織として良好な延性を獲得し、曲げ成形
性を良好にするのに大きく作用し、更に熱間加工性の向
上効果もあり、製造性の容易さに大きく寄与する。しか
してＣｒｏ、００５〜０．４％、　Ｖ０．００１　〜０
．４％。

Ｔ　ｉ　０．００５〜０．４％、　ｖｏ、ｏｏｉ　〜ｏ
、ｉ％，Ｚｒ０．２％、　Ｇｏｏ、００５〜０．４％、
ＦｅｘＰＹ　０．００５〜０．４％、　Ｃｒｘ　ＰＹ　
０．００５〜０．４％、　Ｃｏｘ　Ｐｙ　０．００５〜
０．４％の範囲内で何れか１種又は２種以上を合計０．
００５〜１．０％と限定したのは何れも上記範囲をはず
れると鋳造性を低下させたり、半田濡れ性やメツキ性等
を悪くし、更には加工性も悪化させるためである。

Ｐｂ、Ｉ　ｎ、Ｇａ、Ｇｅ、ＡＳ、Ｓｂ、３　ｉ　。

Ｔｅ、Ｂｅ、Ｂ、ＲＥ、Ｓ　ｉ　（以下Ｃ元素群という
）からなる群では快削性を良くすると共にプレス金型の
摩耗を著しく抑制する働きを示す。しかしてＰ　ｂ０．
０００５〜０．０３％、　　Ｉ　ｎｏ、０００５〜０．
０３％、　Ｇａ０．０００５〜０．０５％、　Ｇｅ　０
．０００５〜０．０５％、　Ａｓ０．０Ｏ０５〜０．０
１％、　３ｂ０．０００５〜０．０５％、　３　ｉ　Ｑ
、ＱＧ０５〜０１０２％、　Ｔｅ０．００１〜０゜０５
％、　Ｂｅ０．０Ｏ０５〜０．０１％、　１３０．００
１〜０．０５％。

ＲＥ　０．０００５〜０．０５％、３ｉ０．０１〜０．
５％の範囲内で何れか１種又は２種以上を合計ｏ、　ｏ
ｏｉ〜０．５％と限定したのは、何れも上記範囲をはず
れると効果がないばかりか、上限を越えると鋳造性や熱
間加工性等を大きく低下せしめると共に、導電性や繰返
し曲げ性も低下させてしまうためである。

本発明合金は上記組成と更に不純物中のα含有量をｉｏ
ｏｐｐｍ以下とすることにより、Ｎ１ｘＡｉＹ化合物又
はＮ　ｉｘ　ＡＪ！ｙ　Ｃｕｚ化合物或いは５ｎＸＮｉ
Ｙ化合物やＳｎｘ　Ｎ　ｉｙ　Ａ、ｅｚ化合物を微細か
つ均一に分散させるのに効果を示し、半田付は性やメツ
キ性の向上に寄与する。

しかして上限を越えると上記効果が見られなくなるばか
りか、上記化合物を粗大化せしめて強度やメツキ性等の
諸特性を劣化せしめる。またＳ含有量をｉｏｏｐｐｍＪ
Ｘ下とすることにより、Ｑと同様にＮ１ｘＡＪ！ｙ化合
物やＮ　ｉｘ　ＡＪ！ＹＣｕｚ化合物を微細かつ均一に
分散させるのに効果を示し、熱間加工性を向上せしめ、
更にメツキ物の異常成長を抑える働きを持つ。しかして
上限を越えると熱間加工性を大きく低下させ製造性を悪
くする。更には本発明合金野構成元素と硫化物を形成し
、強度やばね性等の機械的特性を低下させ、メツキ性を
大きく阻害する。

結晶粒度は曲げ成形性、特（曲げ部表面の平滑性に大き
く影響するもので、２０μｍを越えると曲げ部表面が著
しく平滑性を欠き、大きなシワや割れを生じ、部品寿命
を劣化させるため、結晶粒度を２０μｍ以下に限定した
。尚化合物を形成しないＰ量としては０．０３％以下と
することが望ましい。また本発明合金中の分散粒子はメ
ツキ性、曲げ加工性及び強度の劣化を抑制する意味で１
０μｍ以下とすることが望ましい。

〔実施例〕

第１表に示す組成の合金を溶解鋳造し、厚さ５０ｍｍ、
巾１２０ｍ、長さ２００　Ｊｌｌｌｎの鋳塊を得た。こ
れを面削し、８３０℃で６時間均質化処理した後、８３
０℃で熱間圧延し、これを水冷、して厚さ１０ａｌｌ１
１の板とした。これ等の板について冷間圧延と中間焼鈍
（６３０℃・１時間）を繰返し、０．４ｓの板厚で容体
化処理（８８０℃で２分間保持後水冷）を施し、最終加
工率４０％で厚さ０．２５Ｊ１ｍの板に仕上げ、４２０
℃で１時間の調質焼鈍を施した後、各試験片を切り出し
、これについて強度、導電。

率、曲げ成形性、メツキ密着性、半田接合強度、応力腐
食割れ性を調べた。その結果を第２表に示す。

強度ハＪＩＳ　７２２４１　ｋ−基ツキ、ｓｓ率ｃ；ｔ
、ｏｓＨＯ５０５に基づき測定した。曲げ成形性はＪＩ
Ｓ２２２４Ｂのブロック法に基づいて試験を行ない、試
験片の表面に割れを生じさせる最小曲げ半径（Ｒ）を試
験片の厚さ（１＞で割った値で示した。メツキ密着性は
３０Ｘ３０ｍの試験片について、表面清浄後Ａｇメツキ
を行ない、これを大気中で加熱してメツキ表面の膨れを
観察し、５５０℃で５分の加熱により膨れの見られない
ものを０印、１〜３個見られるものをΔ印、それ以上の
ものをＸ印で示した。半田接合強度は２０Ｘ　２５ｍの
試験片に半田面積が直径９Ｍになるように無酸素銅のリ
ード線を６０／４０共晶半田により接合し、１５０℃で
５００時間の加熱加速試験を行なった後に、引張試験を
行ない、その強度が加熱加速試験前の７０％以上のもの
をＯ印、５０〜７０％のものをΔ印、それ以下のものを
Ｘ印で表わした。

応力腐食割れ性はＪＩＳ　Ｃ８３０６に基づき、ＮＨ３
：３　ｖｏ１％の雰囲気中で３０Ｋｇｆ／ｒｒＩ！１の
引張荷重をかけた低荷重試験を行ない、割れが発生する
までの時間を測定した。

次にロードミード型連続鋳造機を用いて第３表に示す組
成の合金を鋳造し、厚さ１０履、巾８５ｍのコイル状鋳
塊を１ｑた。これを７５０℃で１０時間焼鈍した後面削
し、冷間圧延と中間焼鈍（６１０℃・１時間）を繰返し
、厚さ０．４ｍで容体化処理（８８０℃・２分間保持後
水冷）を施し、最終ｈｕＴ率４０％の厚さ０．２５ｍの
板に仕上げ、４００℃で１時間の調質焼鈍を施した後、
前記と同様に各種特性とプレス金型の摩耗性を測定した
。

尚プレス金型の摩耗性については、上記板材より新たに
、巾４５．にスリッティングしたコイルを用い、１００
万パンチの打俵きを行なった後、金型の表面を走査電子
顕微鏡で観察し、摩耗の程度を調査し、はとんど摩耗し
ないものをＱ印、成る程度摩耗したものをΔ印、摩耗の
著しいものをＸ印で表わした。

第１表及び第２表と第３表及び第４表から明らかなよう
に、本発明合金Ｎα１〜１０及びＮα１８〜２３は何れ
も従来合金Ｎα１７と比較して、強度、導電性、半田接
合強度、応力腐食割れ性に優れていることが判る。

これに対しＮｉとＡ１の含有量が多い比較合金Ｎα１２
では熱間加工において著しい割れを生じ供試材が製造で
きず、Ａ、８元素群の多過ぎる比較合金Ｎα１３も同様
に健全な鋳塊が得られず、かつ熱間加工時に割れを生じ
てしまい、供試材が得られなかった。またＡ、Ｂ、Ｃ元
素群を含有しない比較合金Ｎα１１では結晶が粗大化し
、曲げ成形性を損ない、メツキ密着性や半田接合強度を
大きく劣化している。

更に０含有量の多い比較合金Ｎα１４では曲げ成形性や
メツキ密着性が大きく劣り、半田接合強度も劣化してい
る。またＳ含有量の多い比較合金Ｎ０１５は熱間加工で
甚だしい割れを生じ、比較合金Ｎα１２．１３と同様供
試材が得られなかった。

また本発明合金Ｎα３と同成分組成であるが、容体化処
理を９５０℃で１時間行なって結晶粒度が粗大化した比
較合金Ｎα１６では曲げ成形性が大きく損なわれている
ことが判る。

尚Ｃ元素群を含有した本発明合金はプレス金型の摩耗性
が優れていることが第３表及び第４表から判る。これに
対しＣ元素群を含まず、結晶粒が大きい比較合金Ｎα２
４ではプレス金型の摩耗性が著しく悪く、結晶粒が大き
いか又はＯ２含有量の多い比較合金Ｎα２５．２６では
Ｃ元素群の添加をもってしても、プレス金型の摩耗性は
若干の改善しか示さない。

〔発明の効果〕

このように本発明によれば、強度、導電性（熱伝導性）
、曲げ加工性、応力腐食割れ性が優れ、半田信頼性（接
合強度、耐熱剥離性）及びメツキの信頼性が大巾に改善
され、更にプレス金型の摩耗性が良好な銅合金が得られ
、電気電子機器として例えばコネクター、スイッチ。

ソケット、接点ばねや半導体（ＩＣ，トランジスター）
のリード、端子、熱交換器等に有用であり、電気電子機
器の小型化、精密化を可能にする等、工業上顕著な効果
を秦するものである。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）Ｎｉ３．５〜１０．０ｗｔ％，Ａｌ０．２〜４．
０ｗｔ％，Ｓｎ０．５〜５．０ｗｔ％を含み、Ｚｎ０．
０５〜５．０ｗｔ％，Ｍｎ０．０１〜５．０ｗｔ％，Ｍ
ｇ０．００１〜０．８ｗｔ％，Ｃａ０．００１〜０．８
ｗｔ％，Ｃｄ０．０５〜１．０ｗｔ％，Ａｇ０．００１
〜０．５ｗｔ％の範囲内で何れか１種又は２種以上を合
計０．００５〜５．０ｗｔ％含み、更にＣｒ０．００５
〜０．４ｗｔ％，Ｖ０．００１〜０．４ｗｔ％，Ｔｉ０
．００５〜０．４ｗｔ％，Ｙ０．００１〜０．２ｗｔ％
，Ｚｒ０．００５〜０．２ｗｔ％，Ｃｏ０．００５〜０
．４ｗｔ％，Ｆｅ−Ｐ化合物（Ｆｅ＿ＸＰ＿Ｙ）０．０
０５〜０．４ｗｔ％，Ｃｒ−Ｐ化合物（Ｃｒ＿ＸＰ＿Ｙ
）０．００５〜０．４ｗｔ％，Ｃｏ−Ｐ化合物（Ｃｏ＿
ＸＰ＿Ｙ）０．００５〜０．４ｗｔ％の範囲内で何れか
１種又は２種以上を合計０．００５〜１．０ｗｔ％含み
、残部Ｃｕと不可避的不純物からなり、不純物中Ｏ＿２
含有量を１００ｐｐｍ以下、Ｓ含有量を１０ｐｐｍ以下
とし、結晶粒度を２０μｍ以下としたことを特徴とする
高力電気電子機器用銅合金。
（２）Ｎｉ３．５〜１０．０ｗｔ％，Ａｌ０．２〜４．
０ｗｔ％，Ｓｎ０．５〜５．０ｗｔ％を含み、Ｚｎ０．
０５〜５．０ｗｔ％，Ｍｎ０．０１〜５．０ｗｔ％，Ｍ
ｇ０．００１〜０．８ｗｔ％，Ｃａ０．００１〜０．８
ｗｔ％，Ｃｄ０．０５〜１．０ｗｔ％，Ａｇ０．００１
〜０．５ｗｔ％の範囲内で何れか１種又は２種以上を合
計０．００５〜５．０ｗｔ％含み、更にＣｒ０．００５
〜０．４ｗｔ％，Ｖ０．００１〜０．４ｗｔ％，Ｔｉ０
．００５〜０．４ｗｔ％，Ｙ０．００１〜０．２ｗｔ％
，Ｚｒ０．００５〜０．２ｗｔ％，Ｃｏ０．００５〜０
．４ｗｔ％，Ｆｅ−Ｐ化合物（Ｆｅ＿ＸＰ＿Ｙ）０．０
０５〜０．４ｗｔ％，Ｃｒ−Ｐ化合物（Ｃｒ＿ＸＰ＿Ｙ
）０．００５〜０．４ｗｔ％，Ｃｏ−Ｐ化合物（Ｃｏ＿
ＸＰ＿Ｙ）０．００５〜０．４ｗｔ％の範囲内で何れか
１種又は２種以上を合計０．００５〜１．０ｗｔ％含み
、更にはＰｂ０．０００５〜０．０３ｗｔ％，Ｉｎ０．
０００５〜０．０３ｗｔ％，Ｇａ０．０００５〜０．０
５ｗｔ％，Ｇｅ０．０００５〜０．０５ｗｔ％，Ａｓ０
．０００５〜０．０１ｗｔ％，Ｓｂ０．０００５〜０．
０５ｗｔ％，Ｂｉ０．０００５〜０．０２ｗｔ％，Ｔｅ
０．００１〜０．０５ｗｔ％，Ｂｅ０．００５〜０．５
ｗｔ％，Ｂ０．００１〜０．０５ｗｔ％，希土類元素０
．０００５〜０．０５ｗｔ％，Ｓｉ０．０１〜０．５ｗ
ｔ％の範囲内で何れか１種又は２種以上を合計０．００
１〜０．５ｗｔ％含み、残部Ｃｕと不可避的不純物から
なり、不純物中Ｏ＿２を１００ｐｐｍ以下、Ｓ含有量を
１０ｐｐｍ以下とし、結晶粒度を２０μｍ以下としたこ
とを特徴とする高力電気電子機器用銅合金。