JP2001049369A - 電子材料用銅合金及びその製造方法 - Google Patents
電子材料用銅合金及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い強度、電気伝導性に加え、良好な曲げ加
工性、エッチング性、めっき性を有する銅合金を提供す
る。 【解決手段】 １．０〜４．８ｗｔ％Ｎｉ、０．２〜
１．４ｗｔ％Ｓｉを含有し、残部がＣｕ及び不可避的不
純物からなり、介在物の大きさが１０μｍ以下であり、
且つ、５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧延方向に
平行な断面で５０個／ｍｍ2未満とし、熱間圧延等の条
件を規定する。
工性、エッチング性、めっき性を有する銅合金を提供す
る。 【解決手段】 １．０〜４．８ｗｔ％Ｎｉ、０．２〜
１．４ｗｔ％Ｓｉを含有し、残部がＣｕ及び不可避的不
純物からなり、介在物の大きさが１０μｍ以下であり、
且つ、５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧延方向に
平行な断面で５０個／ｍｍ2未満とし、熱間圧延等の条
件を規定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、強度、導電性に優
れさらには良好な曲げ加工性、エッチング性及びめっき
性を有する電子材料用銅合金及びその製造方法に関す
る。
れさらには良好な曲げ加工性、エッチング性及びめっき
性を有する電子材料用銅合金及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】リードフレーム、端子、コネクター等に
使用される電子材料用銅合金には、製品の基本特性とし
て高い強度及び高い電気伝導性又は熱伝導性を両立させ
ることが要求される。さらに近年の電子部品の小型化、
高集積化が一層要求されることから、これに対応してリ
ードフレーム、端子、コネクターにおいては、リード数
等の増加、狭ピッチ化が進んでいる。さらには部品形状
の複雑化及び組立て・実装における信頼性向上の要求か
ら、使用される材料には機械的強度と電気伝導性が優れ
ている他に、曲げ加工や繰り返し曲げに強いこと、エッ
チング性及びめっき性が良好であることが要求される。
使用される電子材料用銅合金には、製品の基本特性とし
て高い強度及び高い電気伝導性又は熱伝導性を両立させ
ることが要求される。さらに近年の電子部品の小型化、
高集積化が一層要求されることから、これに対応してリ
ードフレーム、端子、コネクターにおいては、リード数
等の増加、狭ピッチ化が進んでいる。さらには部品形状
の複雑化及び組立て・実装における信頼性向上の要求か
ら、使用される材料には機械的強度と電気伝導性が優れ
ている他に、曲げ加工や繰り返し曲げに強いこと、エッ
チング性及びめっき性が良好であることが要求される。
【０００３】高強度及び高導電性の観点から、近年電子
材料用銅合金としては従来のりん青銅、黄銅等に代表さ
れる固溶強化型銅合金に代わり、時効硬化型の銅合金の
使用量が増加している。時効硬化型銅合金は溶体化処理
された過飽和固溶体を時効処理することにより、微細な
析出物が均一に分散して、合金の強度が高くなると同時
に、銅中の固溶元素量が減少し電気伝導性が向上する。
従って強度、ばね性などの機械的性質に優れ、しかも電
気伝導性、熱伝導性が良好な材料として使用される。こ
こで析出元素としては活性元素が多い。更に合金の特性
を改良する目的で活性金属を更に添加する場合もある。
材料用銅合金としては従来のりん青銅、黄銅等に代表さ
れる固溶強化型銅合金に代わり、時効硬化型の銅合金の
使用量が増加している。時効硬化型銅合金は溶体化処理
された過飽和固溶体を時効処理することにより、微細な
析出物が均一に分散して、合金の強度が高くなると同時
に、銅中の固溶元素量が減少し電気伝導性が向上する。
従って強度、ばね性などの機械的性質に優れ、しかも電
気伝導性、熱伝導性が良好な材料として使用される。こ
こで析出元素としては活性元素が多い。更に合金の特性
を改良する目的で活性金属を更に添加する場合もある。
【０００４】時効硬化型銅合金のうち、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓ
ｉ系銅合金は高強度と高導電率とを併せ持つ代表的な銅
合金であり、電子機器用材料として実用化されている。
この銅合金は、銅マトリックス中に微細なＮｉ−Ｓｉ系
金属間化合物粒子が析出することにより強度と導電率が
上昇する。
ｉ系銅合金は高強度と高導電率とを併せ持つ代表的な銅
合金であり、電子機器用材料として実用化されている。
この銅合金は、銅マトリックス中に微細なＮｉ−Ｓｉ系
金属間化合物粒子が析出することにより強度と導電率が
上昇する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合
金は、銅マトリックス中に微細なＮｉ−Ｓｉ系金属間化
合物粒子が析出することにより強度と導電率が上昇する
が、反面強度の向上に寄与しない粗大な晶出物がマトリ
ックス中に残存し易く、またＳｉが活性で、酸化物等が
発生し易いため、マトリックス中にこれら晶出物、酸化
物等の比較的大きな粒子が介在した組織となり易い。こ
れらの粗大な粒子が存在すると、エッチング時のスマッ
トの発生量が増える。そしてエッチング後のリードの端
面に突起として残存すると、リードが狭ピッチの場合、
めっき加工する際突起部に異常電着し、短絡等電気的障
害が発生することがある。また、めっきを行なった際の
めっき剥がれ、めっき脹れ、染み、突起（つぶ）の発生
という問題を引き起こす可能性もある。また更には、曲
げ加工を行なった際にクラック発生の起点となり製品の
加工性を低下させる要因となる。
金は、銅マトリックス中に微細なＮｉ−Ｓｉ系金属間化
合物粒子が析出することにより強度と導電率が上昇する
が、反面強度の向上に寄与しない粗大な晶出物がマトリ
ックス中に残存し易く、またＳｉが活性で、酸化物等が
発生し易いため、マトリックス中にこれら晶出物、酸化
物等の比較的大きな粒子が介在した組織となり易い。こ
れらの粗大な粒子が存在すると、エッチング時のスマッ
トの発生量が増える。そしてエッチング後のリードの端
面に突起として残存すると、リードが狭ピッチの場合、
めっき加工する際突起部に異常電着し、短絡等電気的障
害が発生することがある。また、めっきを行なった際の
めっき剥がれ、めっき脹れ、染み、突起（つぶ）の発生
という問題を引き起こす可能性もある。また更には、曲
げ加工を行なった際にクラック発生の起点となり製品の
加工性を低下させる要因となる。
【０００６】本発明は上述した問題解決のためになされ
たもので、十分な強度及び電気伝導度を有しつつ、さら
に曲げ加工性、エッチング性及びめっき性に優れた電子
材料用銅合金を提供することを目的としている。
たもので、十分な強度及び電気伝導度を有しつつ、さら
に曲げ加工性、エッチング性及びめっき性に優れた電子
材料用銅合金を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に本発明者らは、析出型銅合金に関する研究を重ねたと
ころ、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金の成分調整を行った上
で、必要に応じＭｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｃｒ、Ａｌ、Ｐ、Ｍｎ、Ａｇ、Ｂｅを含有させると共
に、製造条件を制御・選定してマトリックス中の析出
物、晶出物、酸化物等の介在物の分布の制御を行うこと
により、電子材料用銅合金として好適な素材を提供でき
ることを見出した。
に本発明者らは、析出型銅合金に関する研究を重ねたと
ころ、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金の成分調整を行った上
で、必要に応じＭｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｃｒ、Ａｌ、Ｐ、Ｍｎ、Ａｇ、Ｂｅを含有させると共
に、製造条件を制御・選定してマトリックス中の析出
物、晶出物、酸化物等の介在物の分布の制御を行うこと
により、電子材料用銅合金として好適な素材を提供でき
ることを見出した。
【０００８】本発明は、上記知見を基にして完成された
もので、（１）１．０〜４．８ｗｔ％のＮｉ及び０．２
〜１．４ｗｔ％のＳｉを含有し、残部がＣｕ及び不可避
的不純物からなり、そして介在物の大きさが１０μｍ以
下であり、且つ５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧
延方向に平行な断面で５０個／ｍｍ2未満であることを
特徴とする強度及び導電性の優れた電子材料用銅合金。
及び（２）１．０〜４．８ｗｔ％のＮｉ及び０．２〜
１．４ｗｔ％のＳｉを含有し、且つＳｉ濃度に対するＮ
ｉの濃度比が２〜８になるように調整し、残部がＣｕ及
び不可避的不純物からなり、そして介在物の大きさが１
０μｍ以下であり、且つ５〜１０μｍの大きさの介在物
個数が圧延方向に平行な断面で５０個／ｍｍ2未満であ
ることを特徴とする強度及び導電性の優れた電子材料用
銅合金。及び（３）１．０〜４．８ｗｔ％のＮｉ及び
０．２〜１．４ｗｔ％のＳｉを含有し、さらにＭｇ、Ｚ
ｎ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐ、Ｍｎ、
Ａｇ又はＢｅのうち１種以上を総量で０．００５〜２．
０ｗｔ％含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からな
り、そして介在物の大きさが１０μｍ以下であり、且つ
５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧延方向に平行な
断面で５０個／ｍｍ2未満であることを特徴とする強度
及び導電性の優れた電子材料用銅合金。及び（４）１．
０〜４．８ｗｔ％のＮｉ及び０．２〜１．４ｗｔ％のＳ
ｉ、ならびにＭｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃ
ｒ、Ａｌ、Ｐ、Ｍｎ、Ａｇ又はＢｅのうち１種以上を総
量で０．００５〜２．０ｗｔ％含有し、且つＳｉ濃度に
対するＮｉの濃度比が２〜８になるように調整し、残部
がＣｕ及び不可避的不純物からなり、そして介在物の大
きさが１０μｍ以下であり、且つ５〜１０μｍの大きさ
の介在物個数が圧延方向に平行な断面で５０個／ｍｍ2
未満であることを特徴とする強度及び導電性の優れた電
子材料用銅合金。及び（５）鋳塊を８００℃以上９００
℃未満の温度で１時間以上加熱した後熱間圧延終了温度
を６５０℃以上で熱間圧延を行い、その後熱処理と圧延
を行った素材に対し、材料温度が３００〜６５０℃の温
度で１〜１０時間の時効処理を行なうことを特徴とする
（１）から（４）に記載した電子材料用銅合金の製造方
法。であり、リードフレーム、端子、コネクター用とし
て十分な強度と電気伝導性を兼備せしめ、さらには曲げ
加工性、エッチング性、めっき性も良好な銅合金及びそ
の製造方法に関する。
もので、（１）１．０〜４．８ｗｔ％のＮｉ及び０．２
〜１．４ｗｔ％のＳｉを含有し、残部がＣｕ及び不可避
的不純物からなり、そして介在物の大きさが１０μｍ以
下であり、且つ５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧
延方向に平行な断面で５０個／ｍｍ2未満であることを
特徴とする強度及び導電性の優れた電子材料用銅合金。
及び（２）１．０〜４．８ｗｔ％のＮｉ及び０．２〜
１．４ｗｔ％のＳｉを含有し、且つＳｉ濃度に対するＮ
ｉの濃度比が２〜８になるように調整し、残部がＣｕ及
び不可避的不純物からなり、そして介在物の大きさが１
０μｍ以下であり、且つ５〜１０μｍの大きさの介在物
個数が圧延方向に平行な断面で５０個／ｍｍ2未満であ
ることを特徴とする強度及び導電性の優れた電子材料用
銅合金。及び（３）１．０〜４．８ｗｔ％のＮｉ及び
０．２〜１．４ｗｔ％のＳｉを含有し、さらにＭｇ、Ｚ
ｎ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐ、Ｍｎ、
Ａｇ又はＢｅのうち１種以上を総量で０．００５〜２．
０ｗｔ％含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からな
り、そして介在物の大きさが１０μｍ以下であり、且つ
５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧延方向に平行な
断面で５０個／ｍｍ2未満であることを特徴とする強度
及び導電性の優れた電子材料用銅合金。及び（４）１．
０〜４．８ｗｔ％のＮｉ及び０．２〜１．４ｗｔ％のＳ
ｉ、ならびにＭｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃ
ｒ、Ａｌ、Ｐ、Ｍｎ、Ａｇ又はＢｅのうち１種以上を総
量で０．００５〜２．０ｗｔ％含有し、且つＳｉ濃度に
対するＮｉの濃度比が２〜８になるように調整し、残部
がＣｕ及び不可避的不純物からなり、そして介在物の大
きさが１０μｍ以下であり、且つ５〜１０μｍの大きさ
の介在物個数が圧延方向に平行な断面で５０個／ｍｍ2
未満であることを特徴とする強度及び導電性の優れた電
子材料用銅合金。及び（５）鋳塊を８００℃以上９００
℃未満の温度で１時間以上加熱した後熱間圧延終了温度
を６５０℃以上で熱間圧延を行い、その後熱処理と圧延
を行った素材に対し、材料温度が３００〜６５０℃の温
度で１〜１０時間の時効処理を行なうことを特徴とする
（１）から（４）に記載した電子材料用銅合金の製造方
法。であり、リードフレーム、端子、コネクター用とし
て十分な強度と電気伝導性を兼備せしめ、さらには曲げ
加工性、エッチング性、めっき性も良好な銅合金及びそ
の製造方法に関する。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明において、「介在物」とは、
鋳造時の凝固過程に生じる一般に粗大である晶出物並び
に溶解時の溶湯内での反応により生じる酸化物、硫化物
等、更には、鋳造時の凝固過程以降、すなわち凝固後の
冷却過程、熱間圧延後、溶体化処理後の冷却過程及び時
効処理時に固相のマトリックス中に析出反応で生じる析
出物であり、本銅合金のＳＥＭ観察によりマトリックス
中に観察される粗大な粒子を包括するものである。「介
在物の大きさ」は、介在物をＳＥＭ観察下でその介在物
を含む最小円の直径をいう。「介在物の個数」とは、材
料の圧延方向に平行な断面においてエッチング後ＳＥＭ
観察により多数箇所で実際に数えた単位平方ｍｍ当たり
の介在物個数である。
鋳造時の凝固過程に生じる一般に粗大である晶出物並び
に溶解時の溶湯内での反応により生じる酸化物、硫化物
等、更には、鋳造時の凝固過程以降、すなわち凝固後の
冷却過程、熱間圧延後、溶体化処理後の冷却過程及び時
効処理時に固相のマトリックス中に析出反応で生じる析
出物であり、本銅合金のＳＥＭ観察によりマトリックス
中に観察される粗大な粒子を包括するものである。「介
在物の大きさ」は、介在物をＳＥＭ観察下でその介在物
を含む最小円の直径をいう。「介在物の個数」とは、材
料の圧延方向に平行な断面においてエッチング後ＳＥＭ
観察により多数箇所で実際に数えた単位平方ｍｍ当たり
の介在物個数である。
【００１０】次に本発明において銅合金の組成範囲なら
びに介在物寸法を前記の如くに限定した理由をその作用
とともに説明する。 （１）Ｎｉ及びＳｉ Ｎｉ及びＳｉは、時効処理を行うことによりＮｉとＳｉ
が相互に微細にＮｉ2Ｓｉを主とした金属間化合物の析
出粒子を形成し、合金の強度を著しく増加させる一方、
電気伝導度も高く維持する。ただしＮｉ含有量が１ｗｔ
％未満又はＳｉ含有量が０．２ｗｔ％未満の場合は、他
方の成分を添加しても所望とする強度が得られず、また
Ｎｉ含有量が４．８ｗｔ％を超え又はＳｉ含有量が１．
４ｗｔ％を超える場合は、十分な強度が得られるものの
所望とする電気伝導性が低くなってしまい、さらには強
度の向上に寄与しない粗大なＮｉ−Ｓｉ系粒子（晶出物
及び析出物）が母相中に生成し、曲げ加工性、エッチン
グ性及びめっき性の低下を招く。従って、Ｎｉの含有量
を１．０〜４．８ｗｔ％、Ｓｉの含有量を０．２〜１．
４ｗｔ％と定めた。また、時効処理後の電気伝導性をよ
り高めるためには、合金中のＮｉとＳｉの濃度比を、金
属間化合物であるＮｉ2ＳｉのＮｉとＳｉの濃度比に近
づけることが望ましい。良好な電気伝導性を得るための
Ｓｉ濃度に対するＮｉ濃度の比（Ｎｉ濃度／Ｓｉ濃度）
は２〜８であり、４が最も好ましい。
びに介在物寸法を前記の如くに限定した理由をその作用
とともに説明する。 （１）Ｎｉ及びＳｉ Ｎｉ及びＳｉは、時効処理を行うことによりＮｉとＳｉ
が相互に微細にＮｉ2Ｓｉを主とした金属間化合物の析
出粒子を形成し、合金の強度を著しく増加させる一方、
電気伝導度も高く維持する。ただしＮｉ含有量が１ｗｔ
％未満又はＳｉ含有量が０．２ｗｔ％未満の場合は、他
方の成分を添加しても所望とする強度が得られず、また
Ｎｉ含有量が４．８ｗｔ％を超え又はＳｉ含有量が１．
４ｗｔ％を超える場合は、十分な強度が得られるものの
所望とする電気伝導性が低くなってしまい、さらには強
度の向上に寄与しない粗大なＮｉ−Ｓｉ系粒子（晶出物
及び析出物）が母相中に生成し、曲げ加工性、エッチン
グ性及びめっき性の低下を招く。従って、Ｎｉの含有量
を１．０〜４．８ｗｔ％、Ｓｉの含有量を０．２〜１．
４ｗｔ％と定めた。また、時効処理後の電気伝導性をよ
り高めるためには、合金中のＮｉとＳｉの濃度比を、金
属間化合物であるＮｉ2ＳｉのＮｉとＳｉの濃度比に近
づけることが望ましい。良好な電気伝導性を得るための
Ｓｉ濃度に対するＮｉ濃度の比（Ｎｉ濃度／Ｓｉ濃度）
は２〜８であり、４が最も好ましい。
【００１１】（２）Ｍｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐ、Ｍｎ、Ａｇ又はＢｅ Ｍｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ａｌ、
Ｐ、Ｍｎ、Ａｇ又はＢｅには、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合
金の強度及び耐熱性を改善する作用がある。また、これ
らの中でＺｎには、半田接合部の耐熱性を改善する効果
もあり、Ｆｅには組織を微細化する効果もある。さら
に、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ及びＭｎは熱間圧延性を改
善する効果も有する。この理由は、これらの元素が硫黄
との親和性が強いため硫黄と化合物を形成し、熱間圧延
割れの原因となるインゴット粒界への硫黄の偏析を軽減
するためである。Ｍｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐ、Ｍｎ、Ａｇ又はＢｅの含有量が総
量で０．００５ｗｔ％未満であると上記の効果は得られ
ず、一方総含有量が２．０ｗｔ％を超えると電気伝導性
が著しく低下する。そこで、これらの含有量を総量で
０．００５〜２．０ｗｔ％と定める。
ｒ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐ、Ｍｎ、Ａｇ又はＢｅ Ｍｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ａｌ、
Ｐ、Ｍｎ、Ａｇ又はＢｅには、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合
金の強度及び耐熱性を改善する作用がある。また、これ
らの中でＺｎには、半田接合部の耐熱性を改善する効果
もあり、Ｆｅには組織を微細化する効果もある。さら
に、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ及びＭｎは熱間圧延性を改
善する効果も有する。この理由は、これらの元素が硫黄
との親和性が強いため硫黄と化合物を形成し、熱間圧延
割れの原因となるインゴット粒界への硫黄の偏析を軽減
するためである。Ｍｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐ、Ｍｎ、Ａｇ又はＢｅの含有量が総
量で０．００５ｗｔ％未満であると上記の効果は得られ
ず、一方総含有量が２．０ｗｔ％を超えると電気伝導性
が著しく低下する。そこで、これらの含有量を総量で
０．００５〜２．０ｗｔ％と定める。
【００１２】（３）介在物 この合金系ではマトリックス中に介在物の粒子が存在す
ることがある。この合金に必要な強度を得るための析出
物は微細であり、０．５μｍを超える粗大な析出物、晶
出物等の介在物は強度に寄与しないばかりか、特に大き
さが１０μｍを超える粗大なものは曲げ加工性、エッチ
ング性、めっき性を著しく低下させる。このような不具
合を起こさないためには、この粗大な介在物の大きさの
上限を１０μｍとする必要がある。また本発明者は、介
在物の分布と曲げ加工性、エッチング性、めっき性との
相関を調査し、５〜１０μｍの粗大な介在物であって
も、圧延方向に平行な断面において５０個／ｍｍ2未満
であれば、これらの特性を損なうことがないことを見出
した。
ることがある。この合金に必要な強度を得るための析出
物は微細であり、０．５μｍを超える粗大な析出物、晶
出物等の介在物は強度に寄与しないばかりか、特に大き
さが１０μｍを超える粗大なものは曲げ加工性、エッチ
ング性、めっき性を著しく低下させる。このような不具
合を起こさないためには、この粗大な介在物の大きさの
上限を１０μｍとする必要がある。また本発明者は、介
在物の分布と曲げ加工性、エッチング性、めっき性との
相関を調査し、５〜１０μｍの粗大な介在物であって
も、圧延方向に平行な断面において５０個／ｍｍ2未満
であれば、これらの特性を損なうことがないことを見出
した。
【００１３】次に、この合金を得るための製造方法につ
いて説明する。 通常鋳塊の製造は、半連続鋳造法で行
なわれる。半連続鋳造における鋳造時の凝固過程におい
てＮｉ−Ｓｉ系の粗大な晶出物及び析出物が生成するこ
とがある。これら粗大な介在物は８００℃以上の温度で
１時間以上加熱後に熱間圧延を行ない、終了温度を６５
０℃以上とすることにより、マトリックス中に固溶され
る。しかし加熱温度が９００℃以上になると大量のスケ
ールの発生、熱間圧延時の割れの発生といった問題が生
じるため、加熱温度は８００℃以上９００℃未満とする
のが良い。
いて説明する。 通常鋳塊の製造は、半連続鋳造法で行
なわれる。半連続鋳造における鋳造時の凝固過程におい
てＮｉ−Ｓｉ系の粗大な晶出物及び析出物が生成するこ
とがある。これら粗大な介在物は８００℃以上の温度で
１時間以上加熱後に熱間圧延を行ない、終了温度を６５
０℃以上とすることにより、マトリックス中に固溶され
る。しかし加熱温度が９００℃以上になると大量のスケ
ールの発生、熱間圧延時の割れの発生といった問題が生
じるため、加熱温度は８００℃以上９００℃未満とする
のが良い。
【００１４】時効処理で高強度の材料を得るため、時効
処理の前に溶体化処理を行うことも可能であり、溶体化
処理温度が高い方がＮｉ、Ｓｉのマトリックス中への固
溶量が増加し、時効処理時にマトリックス中からＮｉ−
Ｓｉ系の金属間化合物が微細に析出し、より強度を向上
させる。この効果を得るために溶体化処理温度は、７５
０℃以上、好ましくは８００℃以上９００℃未満とする
のが望ましい。なお、本発明の銅合金は９００℃であれ
ば、Ｎｉ、Ｓｉがマトリックス中に十分固溶されるが、
９００℃以上の温度では、溶体化処理時に材料表面の酸
化が激しく、酸化層を除去するための、酸洗工程の負荷
が大きくなるため９００℃未満の処理温度が推奨され
る。
処理の前に溶体化処理を行うことも可能であり、溶体化
処理温度が高い方がＮｉ、Ｓｉのマトリックス中への固
溶量が増加し、時効処理時にマトリックス中からＮｉ−
Ｓｉ系の金属間化合物が微細に析出し、より強度を向上
させる。この効果を得るために溶体化処理温度は、７５
０℃以上、好ましくは８００℃以上９００℃未満とする
のが望ましい。なお、本発明の銅合金は９００℃であれ
ば、Ｎｉ、Ｓｉがマトリックス中に十分固溶されるが、
９００℃以上の温度では、溶体化処理時に材料表面の酸
化が激しく、酸化層を除去するための、酸洗工程の負荷
が大きくなるため９００℃未満の処理温度が推奨され
る。
【００１５】また、時効処理後の強度を向上させるた
め、時効処理前に冷間圧延を行うが、その加工度は高い
程より高い強度が得られる。その加工度は本発明の銅合
金に要求される強度、加工性に応じて適宜選択される。
め、時効処理前に冷間圧延を行うが、その加工度は高い
程より高い強度が得られる。その加工度は本発明の銅合
金に要求される強度、加工性に応じて適宜選択される。
【００１６】時効処理は所望の強度及び電気伝導性を得
るために行うが、時効処理温度は３００〜６５０℃にす
る必要がある。３００℃未満では時効処理に時間がかか
り経済的でなく、６５０℃を越えるとＮｉ−Ｓｉ粒子は
粗大化し、更に７００℃を超えるとＮｉ及びＳｉが固溶
してしまい、強度及び電気伝導性が向上しないためであ
る。３００〜６５０℃の範囲で時効処理する際、時効処
理時間は、１〜１０時間であれば十分な強度、電気伝導
性が得られる。なお、本発明の銅合金において、更に強
度を向上させるため、時効処理後に冷間圧延し、その後
熱処理（歪取り焼鈍）を行うことも可能である。
るために行うが、時効処理温度は３００〜６５０℃にす
る必要がある。３００℃未満では時効処理に時間がかか
り経済的でなく、６５０℃を越えるとＮｉ−Ｓｉ粒子は
粗大化し、更に７００℃を超えるとＮｉ及びＳｉが固溶
してしまい、強度及び電気伝導性が向上しないためであ
る。３００〜６５０℃の範囲で時効処理する際、時効処
理時間は、１〜１０時間であれば十分な強度、電気伝導
性が得られる。なお、本発明の銅合金において、更に強
度を向上させるため、時効処理後に冷間圧延し、その後
熱処理（歪取り焼鈍）を行うことも可能である。
【００１７】
【実施例】高周波溶解炉にて表１に示す各種成分組成の
銅合金を溶製し、厚さ２０ｍｍのインゴットに鋳造し
た。次に、このインゴットを表１に記載した温度で厚さ
８ｍｍまで各温度条件で熱間圧延を行い、表面のスケー
ル除去のため面削を施した後、冷間圧延により厚さ２ｍ
ｍの板とした。その後、７５０℃以上９００℃未満の温
度で１０分間の溶体化処理を行った後、０．５ｍｍまで
冷間圧延した。そして４００〜６００℃の各組成で最高
の温度が得られる温度で各５時間の時効処理を行い、そ
の後、さらに高強度が得られるよう、冷間圧延で厚さ
０．１５ｍｍの板とし、最後に５００〜５５０℃で３０
秒〜１０分の歪取り焼鈍を適宜施した。
銅合金を溶製し、厚さ２０ｍｍのインゴットに鋳造し
た。次に、このインゴットを表１に記載した温度で厚さ
８ｍｍまで各温度条件で熱間圧延を行い、表面のスケー
ル除去のため面削を施した後、冷間圧延により厚さ２ｍ
ｍの板とした。その後、７５０℃以上９００℃未満の温
度で１０分間の溶体化処理を行った後、０．５ｍｍまで
冷間圧延した。そして４００〜６００℃の各組成で最高
の温度が得られる温度で各５時間の時効処理を行い、そ
の後、さらに高強度が得られるよう、冷間圧延で厚さ
０．１５ｍｍの板とし、最後に５００〜５５０℃で３０
秒〜１０分の歪取り焼鈍を適宜施した。
【００１８】
【表１】
【００１９】このようにして得られた各合金につき諸特
性の評価を行った。強度については引張試験機において
引張強さを測定した。電気伝導性は導電率（％ＩＡＣ
Ｓ）により評価した。 繰り返し曲げ性は「曲げ半径／
板厚＝１」で曲げ軸が圧延方向に平行方向の片側９０度
繰り返し曲げ試験を行ない、往復を１回と数える方法で
破断するまでの回数を数えて評価した。なお繰り返し曲
げ性の評価基準は、曲げ回数3回以上を○とし、3回未満
を×とした。エッチング性は、試料の圧延方向に直角な
断面を塩化第二鉄水溶液により１０μｍエッチング後、
３次元座標測定装置によりエッチング面を観察し、素地
に対し５μｍ以上の介在物の突起が観察された場合を×
とし、観察されなかった場合を○とした。めっき性は、
試料表面に厚さ５μｍの銀めっきを施した後、銀めっき
表面を観察し大きさが１０μｍ以上の銀のつぶが観察さ
れた場合を×、観察されなかった場合を○とした。介在
物個数は、材料の圧延方向に平行な断面をエッチング後
ＳＥＭで観察し、多数箇所において実際に数えた単位平
方ｍｍ当たりの大きさ５〜１０μｍの介在物個数であ
る。
性の評価を行った。強度については引張試験機において
引張強さを測定した。電気伝導性は導電率（％ＩＡＣ
Ｓ）により評価した。 繰り返し曲げ性は「曲げ半径／
板厚＝１」で曲げ軸が圧延方向に平行方向の片側９０度
繰り返し曲げ試験を行ない、往復を１回と数える方法で
破断するまでの回数を数えて評価した。なお繰り返し曲
げ性の評価基準は、曲げ回数3回以上を○とし、3回未満
を×とした。エッチング性は、試料の圧延方向に直角な
断面を塩化第二鉄水溶液により１０μｍエッチング後、
３次元座標測定装置によりエッチング面を観察し、素地
に対し５μｍ以上の介在物の突起が観察された場合を×
とし、観察されなかった場合を○とした。めっき性は、
試料表面に厚さ５μｍの銀めっきを施した後、銀めっき
表面を観察し大きさが１０μｍ以上の銀のつぶが観察さ
れた場合を×、観察されなかった場合を○とした。介在
物個数は、材料の圧延方向に平行な断面をエッチング後
ＳＥＭで観察し、多数箇所において実際に数えた単位平
方ｍｍ当たりの大きさ５〜１０μｍの介在物個数であ
る。
【００２０】表１からわかるように、本発明合金は優れ
た、強度、導電率、繰り返し曲げ性、エッチング性及び
銀めっき性を有している。一方、比較合金のＮｏ．１〜
Ｎｏ．５は、本発明合金と一部の組成が異なるもの、熱
間圧延前の加熱温度が８００℃未満のもの、熱間圧延終
了温度が６５０℃未満のものであるが、本発明合金と比
較すると、比較合金Ｎｏ．１はＮｉが低いために強度及
び導電率が劣る。比較合金Ｎｏ．２はＮｉ、Ｓｉとも低
いために強度が劣る。比較合金Ｎｏ．３、４はＳｉが高
いために導電率が劣る。比較合金Ｎｏ．５は本発明の濃
度範囲を超えて副成分を含有するため導電率が劣る。
た、強度、導電率、繰り返し曲げ性、エッチング性及び
銀めっき性を有している。一方、比較合金のＮｏ．１〜
Ｎｏ．５は、本発明合金と一部の組成が異なるもの、熱
間圧延前の加熱温度が８００℃未満のもの、熱間圧延終
了温度が６５０℃未満のものであるが、本発明合金と比
較すると、比較合金Ｎｏ．１はＮｉが低いために強度及
び導電率が劣る。比較合金Ｎｏ．２はＮｉ、Ｓｉとも低
いために強度が劣る。比較合金Ｎｏ．３、４はＳｉが高
いために導電率が劣る。比較合金Ｎｏ．５は本発明の濃
度範囲を超えて副成分を含有するため導電率が劣る。
【００２１】さらに比較例Ｎｏ．１、３、４、６、７、
８は介在物個数が多いために繰り返し曲げ性、エッチン
グ性、銀めっき性とも劣る。特に比較例Ｎｏ．６、７、
８は、それぞれ実施例Ｎｏ．１、９と同一組成であるが
熱間圧延前の加熱温度、熱間圧延終了温度が低いため
に、鋳造時に生成した粗大な晶出物、析出物が熱間圧延
前の加熱、熱間圧延にて固溶しなかった結果として介在
物個数が増加した例である。なお銀めっきにより発生し
た銀つぶの生成原因調査のため、銀めっき剥離後銀つぶ
直下の表面を観察した結果、粗大なＮｉ−Ｓｉ系介在物
が確認された。
８は介在物個数が多いために繰り返し曲げ性、エッチン
グ性、銀めっき性とも劣る。特に比較例Ｎｏ．６、７、
８は、それぞれ実施例Ｎｏ．１、９と同一組成であるが
熱間圧延前の加熱温度、熱間圧延終了温度が低いため
に、鋳造時に生成した粗大な晶出物、析出物が熱間圧延
前の加熱、熱間圧延にて固溶しなかった結果として介在
物個数が増加した例である。なお銀めっきにより発生し
た銀つぶの生成原因調査のため、銀めっき剥離後銀つぶ
直下の表面を観察した結果、粗大なＮｉ−Ｓｉ系介在物
が確認された。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、優
れた強度と電気伝導性を有し、さらには繰り返し曲げ
性、エッチング性及びめっき性にも優れた銅合金が得ら
れ、リードフレーム、端子、コネクター等電子材料用銅
合金として好適である。
れた強度と電気伝導性を有し、さらには繰り返し曲げ
性、エッチング性及びめっき性にも優れた銅合金が得ら
れ、リードフレーム、端子、コネクター等電子材料用銅
合金として好適である。
【手続補正書】
【提出日】平成１２年７月７日（２０００．７．７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】本発明は、上記知見を基にして完成された
もので、（１）１．０〜４．８ｗｔ％のＮｉ及び０．２
〜１．４ｗｔ％のＳｉを含有し、残部がＣｕ及び不可避
的不純物からなり、そして介在物の大きさが１０μｍ以
下であり、且つ５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧
延方向に平行な断面で５０個／ｍｍ２未満であることを
特徴とする強度及び導電性の優れた電子材料用銅合金。
及び（２）１．０〜４．８ｗｔ％のＮｉ及び０．２〜
１．４ｗｔ％のＳｉを含有し、且つＳｉに対するＮｉの
含有量（ｗｔ％）比が２〜８になるように調整し、残部
がＣｕ及び不可避的不純物からなり、そして介在物の大
きさが１０μｍ以下であり、且つ５〜１０μｍの大きさ
の介在物個数が圧延方向に平行な断面で５０個／ｍｍ２
未満であることを特徴とする強度及び導電性の優れた電
子材料用銅合金。及び（３）１．０〜４．８ｗｔ％のＮ
ｉ及び０．２〜１．４ｗｔ％のＳｉを含有し、さらにＭ
ｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐ、
Ｍｎ、Ａｇ又はＢｅのうち1種以上を総量で０．００５
〜２．０ｗｔ％含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物
からなり、そして介在物の大きさが１０μｍ以下であ
り、且つ５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧延方向
に平行な断面で５０個／ｍｍ２未満であることを特徴と
する強度及び導電性の優れた電子材料用銅合金。及び
（４）１．０〜４．８ｗｔ％のＮｉ及び０．２〜１．４
ｗｔ％のＳｉ、さらにＭｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐ、Ｍｎ、Ａｇ又はＢｅのうち1種
以上を総量で０．００５〜２．０ｗｔ％含有し、且つＳ
ｉに対するＮｉの含有量（ｗｔ％）比が２〜８になるよ
うに調整し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり、
そして介在物の大きさが１０μｍ以下であり、且つ５〜
１０μｍの大きさの介在物個数が圧延方向に平行な断面
で５０個／ｍｍ２未満であることを特徴とする強度及び
導電性の優れた電子材料用銅合金。及び（５）鋳塊を８
００℃以上９００℃未満の温度で１時間以上加熱した
後、熱間圧延終了温度を６５０℃以上で熱間圧延を行
い、その後熱処理と圧延を行った素材に対し、材料温度
が３００〜６５０℃の温度で１〜１０時間の時効処理を
行うことを特徴とする（１）から（４）に記載した電子
材料用銅合金の製造方法。であり、リードフレーム、端
子、コネクター用として十分な強度と電気伝導性を兼備
せしめ、さらには曲げ加工性、エッチング性、めっき性
も良好な銅合金及びその製造方法に関する。
もので、（１）１．０〜４．８ｗｔ％のＮｉ及び０．２
〜１．４ｗｔ％のＳｉを含有し、残部がＣｕ及び不可避
的不純物からなり、そして介在物の大きさが１０μｍ以
下であり、且つ５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧
延方向に平行な断面で５０個／ｍｍ２未満であることを
特徴とする強度及び導電性の優れた電子材料用銅合金。
及び（２）１．０〜４．８ｗｔ％のＮｉ及び０．２〜
１．４ｗｔ％のＳｉを含有し、且つＳｉに対するＮｉの
含有量（ｗｔ％）比が２〜８になるように調整し、残部
がＣｕ及び不可避的不純物からなり、そして介在物の大
きさが１０μｍ以下であり、且つ５〜１０μｍの大きさ
の介在物個数が圧延方向に平行な断面で５０個／ｍｍ２
未満であることを特徴とする強度及び導電性の優れた電
子材料用銅合金。及び（３）１．０〜４．８ｗｔ％のＮ
ｉ及び０．２〜１．４ｗｔ％のＳｉを含有し、さらにＭ
ｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐ、
Ｍｎ、Ａｇ又はＢｅのうち1種以上を総量で０．００５
〜２．０ｗｔ％含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物
からなり、そして介在物の大きさが１０μｍ以下であ
り、且つ５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧延方向
に平行な断面で５０個／ｍｍ２未満であることを特徴と
する強度及び導電性の優れた電子材料用銅合金。及び
（４）１．０〜４．８ｗｔ％のＮｉ及び０．２〜１．４
ｗｔ％のＳｉ、さらにＭｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐ、Ｍｎ、Ａｇ又はＢｅのうち1種
以上を総量で０．００５〜２．０ｗｔ％含有し、且つＳ
ｉに対するＮｉの含有量（ｗｔ％）比が２〜８になるよ
うに調整し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり、
そして介在物の大きさが１０μｍ以下であり、且つ５〜
１０μｍの大きさの介在物個数が圧延方向に平行な断面
で５０個／ｍｍ２未満であることを特徴とする強度及び
導電性の優れた電子材料用銅合金。及び（５）鋳塊を８
００℃以上９００℃未満の温度で１時間以上加熱した
後、熱間圧延終了温度を６５０℃以上で熱間圧延を行
い、その後熱処理と圧延を行った素材に対し、材料温度
が３００〜６５０℃の温度で１〜１０時間の時効処理を
行うことを特徴とする（１）から（４）に記載した電子
材料用銅合金の製造方法。であり、リードフレーム、端
子、コネクター用として十分な強度と電気伝導性を兼備
せしめ、さらには曲げ加工性、エッチング性、めっき性
も良好な銅合金及びその製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】次に本発明にいおて銅合金の組成範囲なら
びに介在物寸法を前記の如くに限定した理由をその作用
とともに説明する。 （１）Ｎｉ及びＳｉ Ｎｉ及びＳｉは、時効処理を行うことによりＮｉとＳｉ
が相互に微細にＮｉ２Ｓｉを主とした金属間化合物の析
出粒子を形成し、合金の強度を著しく増加させる一方、
電気伝導度も高く維持する。ただしＮｉ含有量が１ｗｔ
％未満又はＳｉ含有量が０．２ｗｔ％未満の場合は、他
方の成分を添加しても所望とする強度が得られず、また
Ｎｉ含有量が４．８ｗｔ％を超え又はＳｉ含有量が１．
４ｗｔ％を超える場合は、十分な強度が得られるものの
所望とする電気伝導性が低くなってしまい、さらには強
度の向上に寄与しない粗大なＮｉ−Ｓｉ系粒子（晶出物
及び析出物）が母相に生成し、曲げ加工性、エッチング
性及びめっき性の低下を招く。従って、Ｎｉの含有量を
１．０〜４．８ｗｔ％、Ｓｉの含有量を０．２〜１．４
％と定めた。また、時効処理後の電気伝導性をより高め
るためには、合金中のＮｉとＳｉの含有量比を、金属間
化合物であるＮｉ２ＳｉのＮｉとＳｉの含有量比に近づ
けることが望ましい。良好な電気伝導性を得るためのＳ
ｉに対するＮｉの含有量（ｗｔ％）比（Ｎｉ含有量／Ｓ
ｉ含有量）は２〜８であり、４が最も好ましい。
びに介在物寸法を前記の如くに限定した理由をその作用
とともに説明する。 （１）Ｎｉ及びＳｉ Ｎｉ及びＳｉは、時効処理を行うことによりＮｉとＳｉ
が相互に微細にＮｉ２Ｓｉを主とした金属間化合物の析
出粒子を形成し、合金の強度を著しく増加させる一方、
電気伝導度も高く維持する。ただしＮｉ含有量が１ｗｔ
％未満又はＳｉ含有量が０．２ｗｔ％未満の場合は、他
方の成分を添加しても所望とする強度が得られず、また
Ｎｉ含有量が４．８ｗｔ％を超え又はＳｉ含有量が１．
４ｗｔ％を超える場合は、十分な強度が得られるものの
所望とする電気伝導性が低くなってしまい、さらには強
度の向上に寄与しない粗大なＮｉ−Ｓｉ系粒子（晶出物
及び析出物）が母相に生成し、曲げ加工性、エッチング
性及びめっき性の低下を招く。従って、Ｎｉの含有量を
１．０〜４．８ｗｔ％、Ｓｉの含有量を０．２〜１．４
％と定めた。また、時効処理後の電気伝導性をより高め
るためには、合金中のＮｉとＳｉの含有量比を、金属間
化合物であるＮｉ２ＳｉのＮｉとＳｉの含有量比に近づ
けることが望ましい。良好な電気伝導性を得るためのＳ
ｉに対するＮｉの含有量（ｗｔ％）比（Ｎｉ含有量／Ｓ
ｉ含有量）は２〜８であり、４が最も好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】表１からわかるように、本発明は優れた、
強度、導電率、繰り返し曲げ性、エッチング性及び銀め
っき性を有している。一方、比較合金のＮｏ．１〜Ｎ
ｏ．５は、本発明と一部の組成が異なるもの、熱間圧延
前の加熱温度が８００℃未満のもの、熱間圧延終了温度
が６５０℃未満のものであるが、本発明合金と比較する
と、比較合金Ｎｏ．１はＮｉが低いために強度及び導電
率が劣る。比較合金Ｎｏ．２はＮｉ、Ｓｉとも低いため
に強度が劣る。比較合金Ｎｏ．３、４はＳｉが高いため
に導電率が劣る。比較合金Ｎｏ．５は本発明の許容範囲
を超えて副成分を含有するため導電率が劣る。
強度、導電率、繰り返し曲げ性、エッチング性及び銀め
っき性を有している。一方、比較合金のＮｏ．１〜Ｎ
ｏ．５は、本発明と一部の組成が異なるもの、熱間圧延
前の加熱温度が８００℃未満のもの、熱間圧延終了温度
が６５０℃未満のものであるが、本発明合金と比較する
と、比較合金Ｎｏ．１はＮｉが低いために強度及び導電
率が劣る。比較合金Ｎｏ．２はＮｉ、Ｓｉとも低いため
に強度が劣る。比較合金Ｎｏ．３、４はＳｉが高いため
に導電率が劣る。比較合金Ｎｏ．５は本発明の許容範囲
を超えて副成分を含有するため導電率が劣る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２２Ｆ 1/00 ６９１ Ｃ２２Ｆ 1/00 ６９１Ｂ ６９１Ｃ
Claims (5)
- 【請求項１】１．０〜４．８ｗｔ％のＮｉ及び０．２〜
１．４ｗｔ％のＳｉを含有し、残部がＣｕ及び不可避的
不純物からなり、そして介在物の大きさが１０μｍ以下
であり、且つ５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧延
方向に平行な断面で５０個／ｍｍ2未満であることを特
徴とする強度及び導電性の優れた電子材料用銅合金。 - 【請求項２】１．０〜４．８ｗｔ％のＮｉ及び０．２〜
１．４ｗｔ％のＳｉを含有し、且つＳｉ濃度に対するＮ
ｉの濃度比が２〜８になるように調整し、残部がＣｕ及
び不可避的不純物からなり、そして介在物の大きさが１
０μｍ以下であり、且つ５〜１０μｍの大きさの介在物
個数が圧延方向に平行な断面で５０個／ｍｍ2未満であ
ることを特徴とする強度及び導電性の優れた電子材料用
銅合金。 - 【請求項３】１．０〜４．８ｗｔ％のＮｉ及び０．２〜
１．４ｗｔ％のＳｉを含有し、さらにＭｇ、Ｚｎ、Ｓ
ｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐ、Ｍｎ、Ａｇ又
はＢｅのうち１種以上を総量で０．００５〜２．０ｗｔ
％含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり、そ
して介在物の大きさが１０μｍ以下であり、且つ５〜１
０μｍの大きさの介在物個数が圧延方向に平行な断面で
５０個／ｍｍ2未満であることを特徴とする強度及び導
電性の優れた電子材料用銅合金。 - 【請求項４】１．０〜４．８ｗｔ％のＮｉ及び０．２〜
１．４ｗｔ％のＳｉ、ならびにＭｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｆ
ｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐ、Ｍｎ、Ａｇ又はＢｅ
のうち１種以上を総量で０．００５〜２．０ｗｔ％含有
し、且つＳｉ濃度に対するＮｉの濃度比が２〜８になる
ように調整し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からな
り、そして介在物の大きさが１０μｍ以下であり、且つ
５〜１０μｍの大きさの介在物個数が圧延方向に平行な
断面で５０個／ｍｍ2未満であることを特徴とする強度
及び導電性の優れた電子材料用銅合金。 - 【請求項５】鋳塊を８００℃以上９００℃未満の温度で
１時間以上加熱した後熱間圧延終了温度を６５０℃以上
で熱間圧延を行ない、その後熱処理と圧延を行った素材
に対し、材料温度が３００〜６５０℃の温度で１〜１０
時間の時効処理を行うことを特徴とする請求項１〜４に
記載した電子材料用銅合金の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22198799A JP3383615B2 (ja) | 1999-08-05 | 1999-08-05 | 電子材料用銅合金及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22198799A JP3383615B2 (ja) | 1999-08-05 | 1999-08-05 | 電子材料用銅合金及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001049369A true JP2001049369A (ja) | 2001-02-20 |
| JP3383615B2 JP3383615B2 (ja) | 2003-03-04 |
Family
ID=16775312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22198799A Expired - Lifetime JP3383615B2 (ja) | 1999-08-05 | 1999-08-05 | 電子材料用銅合金及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3383615B2 (ja) |
Cited By (19)
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