TWI383075B - 用於基材製程處理腔室之環組件 - Google Patents

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Description

用於基材製程處理腔室之環組件
本發明的實施例涉及用於基材處理室中使用的基材支撐件的環組件。
在處理諸如半導體晶片和顯示器的基材的過程中，將基材放置在處理室中並暴露於高能氣體以在基材上沉積或刻蝕材料。典型的處理室包含多個室部件，其包括圈圍出處理區的一圍壁、用於提供室內氣體的一氣源、對處理氣體施加能量以處理基材的一氣體激發器(gas energizer)、一基材支撐件以及一排氣口。例如，處理室可包括濺鍍或物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)和刻蝕室。在PVD室中，濺鍍一靶材以使靶材料沉積在面對靶材的基材上。在CVD室中，製程氣體熱分解或以其他方式分解以沉積在基材上。在刻蝕室中，用具有刻蝕成分的製程氣體刻蝕基材。
處理室也可以包含一處理套組，其通常包括在處理過程中幫助固定及保護基材的元件，諸如位於基材週圍的環形結構，如沉積環、覆蓋環和遮蔭環(shadow ring)。例如，在PVD室和CVD室中，包括沉積環的環組件通常設置在基材周圍以保護基材支撐件的側壁和周邊邊緣不受製程沉積物影響。通常沉積環是具有一壁架的環形金屬環，其設置於基材支撐件上並用於接受製程沉積物，否則製程沉積 物將沉積在基材支撐件的暴露部分上。由於沉積環可週期性地從室中取出並且清洗，例如使用HF和HNO3 以去除所積累的沉積物，所以沉積環增加了室的處理運行時間。沉積環還可以減少室中高能氣體對支撐件的腐蝕。
然而，在一些製程中，沉積環在製程期間會承受高溫，而當在製程循環過程中重複地加熱和冷卻該沉積環，可能導致環變形。這樣的變形造成在環和支撐件之間形成間隙，而允許電漿侵蝕支撐件或在支撐件上形成製程沉積物。在一些製程中，諸如鉭PVD製程中，電漿將沉積環加熱到不想要的高溫，而進一步導致環變形。並且，因為在熱循環過程中該沉積環會膨脹且隨後在冷循環中環收縮，而造成形成於沉積環上的製程沉積物剝落，所以環過熱是有害的。再者，過熱的環可能造成基材周圍高溫，而對基材邊緣上的局部製程溫度造成不良影響。在清洗和整修期間，尤其在使用強化學物質的清洗製程以清洗粘在環上的沉積物(例如鉭沉積物)時，還可能侵蝕沉積環。
因此，需要數種處理套組元件，例如環組件，其即使在經過多個製程循環後仍可以抵抗變形與扭曲。還需要這樣的環，以在基材製程循環期間在室內具有最小的溫度變化和溫度梯度。此外還需要具有在傳統清洗製程清洗時不會受到過度侵蝕的環。
本發明一態樣提供一種用於基材處理室中使用的基材 支撐件的環組件，該基材支撐件包含一環形壁架和一內周界側壁，以及該環組件包含：一L形絕緣環與一沉積環，該L形絕緣環包含一水平臂與一垂直臂，該水平臂設置在該支撐件的該環形壁架上，及該垂直臂鄰接該支撐件的該內周界側壁。該沉積環包含一環形帶，該環形帶具有一重疊壁架，該重疊壁架與該絕緣環一部分的水平臂交疊。
本發明另一態樣提供一種用於基材處理室的處理套組，該處理套組包含一環組件、一至少部分覆蓋該沉積環的蓋環、一托架以及一緊固件，該緊固件用以將該托架連接到該沉積環以將該沉積環固定到該支撐件的該環形壁架上。
本發明又一態樣提供一種用於基材處理室中使用的基材支撐件的環組件，該基材支撐件包含一環形壁架和一內周界側壁，以及該環組件包括：一介電沉積環、一具有第二孔的托架與一緊固件。該介電沉積環包含一環形帶，該環形帶圍繞該支撐件的該環形壁架並與該支撐件的該環形壁架交疊，該環形帶具有一內周界、一外周界、一基腳與一貫穿該環形帶的第一孔。該內周界鄰接該支撐件的該內周界側壁，且該基腳設置在該支撐件的該環形壁架上。該托架具有一凸緣，該凸緣與該支撐件的該環形壁架接觸。該緊固件的尺寸適於穿過該環形帶的該第一孔和該托架的該第二孔，以將該沉積環固定至該基材支撐件的該環形壁架上。
第1圖係顯示可在基材處理室內形成的基材處理加工環境中用於覆蓋或保護至少部分基材支撐件22的環組件20的示例性實施例。基材支撐件22具有凸起的基材－容納表面24，其在製程期間容納並支撐基材25，凸起表面24具有位於基材25的懸伸邊緣下方的周界側壁27。支撐件22還具有一環形壁架21，該環形壁架21圍繞在凸起表面24的內周界側壁27的周圍。基材支撐件22可包括例如靜電夾盤23(如圖所示)、真空夾盤或機械夾盤。
環組件20包含一沉積環26，該沉積環26具有圍繞L形絕緣環29的內周界28。沉積環26和絕緣環29共同保護支撐件22的周邊邊緣30，以減少在室中製程氣體環境對支撐件22的侵蝕，並限制製程沉積物累積在基材22上。
絕緣環29是具有以倒角(chamfered corners)相連接的水平臂31與垂直臂33的L形。水平臂31位於支撐件22的環形壁架21上，並水平臂31的長度小於環形壁架21的長度。例如，水平臂31的長度可以比環形壁架21長度的80%要小，因此水平臂31在達到壁架21的圓周邊緣之前便停止。例如，當環形壁架21的長度大約10mm至約15mm時，水平臂31的長度約6mm到約11mm。垂直臂33鄰接支撐件22的內周界側壁27，並其長度小於該內周界側壁27的高度，例如，其高度比該內周界側壁27高度的90%要小。例如，當內周界側壁27的高度為約5.5mm至約6.5mm之間時，垂直臂33的長度為約5.2mm至約6.2mm之間。
絕緣環29係由諸如陶瓷，例如氧化鋁或氧化矽等介電材料所組成。陶瓷的絕緣環29比對應的金屬結構更硬，並且有利地是，即使在大量製程循環之後，它還可以不受殘餘應力影響而保持它的形狀不變形。同樣地，絕緣環29亦由選擇在室中製程環境內耐侵蝕的陶瓷材料所組成。如此一來，絕緣環29不像習知環組件一樣需要用於保護它在電漿環境中不受侵蝕的額外表面保護塗層。保護塗層通常是這種結構中之殘餘應力的起因，這將導致暴露於電漿製程循環的結構翹曲或變形。金屬環中的應力主要來於加工中的殘餘應力。當在室中加熱該環時，應力釋放，並且組件彎曲。例如，當製程環境中包含氬的電漿時，絕緣環29由氧化鋁組成。
沉積環26包含一環形帶43，該環形帶43圍繞並與絕緣環29交疊，並且至少部分覆蓋住支撐件22的周邊邊緣30，以保護性地圍繞支撐件22的周邊邊緣30。沉積環26包含一重疊壁架32，該重疊壁架與水平臂31的一部分交疊並且未達到絕緣環29的垂直臂33前即停止。因此，重疊壁架得長度比絕緣環29之水平臂31的長度要小，例如，至少小10%。沉積環26的重疊壁架32的底表面34和內周界28與絕緣環29的上表面35相配合，以在沉積環26與絕緣環29之間形成錯綜複雜的曲徑，從而避免電漿和雜散製程沉積物到達支撐件22的周邊邊緣30。
沉積環26還包含基腳36，其從沉積環26向下延伸以放置在基架22的環形壁架21上從而支撐該帶43。基腳36的形狀及大小適於壓向基材支撐件22而實質上不會在支撐件22中引發裂縫或破裂。例如，如圖所示，基腳36可包含從沉積環26的重疊壁架32向下延伸的基本上垂直的柱。基腳36在壁架21上施加壓縮應力的同時使水平方向的壓力降至最小以減小壁架21破裂的可能性。圍繞基腳36兩側的缺口或凹槽部分減少了基腳36接觸或壓向壁架21的外角40從而導致壁架21破裂或碎裂的可能性。沉積環26還包含一下側壁37，其越過支撐件22的周邊邊緣30向下延伸。
沉積環26的環形帶43還具有一上標38，其垂直向上延伸並連接至該內周界28以定義出在製程循環中用以收集製程沉積物的微傾斜表面39。通常傾斜表面39的角度至少約為5°，甚至可以達約25°。微傾表面允許製程沉積物積累在平滑的連續傾斜表面39上，直到其厚度高於例如在具有尖角或邊緣的表面上所能積累的厚度，由於更加集中或變化熱應力的影響，尖角或邊緣通常引起沉積物破裂或者碎掉。與通常在積累製程沉積物的鄰近凹槽附近具有凸起的習知沉積環不同的是，沉積環26的傾斜表面39實質上無此類凸起或者其他突出物。與凸起相比之下，可以確定平滑連續傾斜表面有助於允許在其上積累更厚的製程沉積物，因為凸起的變化厚度導致了會引起沉積物成片剝落和脹裂的不均勻熱膨脹應力。因為發現厚的壓縮應變鉭沉積物將輕易地從這樣的凸起部分剝落，所以發現對於鉭薄膜沉積尤其不需要凸起。環形帶43還能具有平坦但不傾斜的上表面。
沉積環26更適宜由金屬製成，因為與陶瓷相比，沉積環26複雜的幾何形狀更容易由金屬製成。因為環組件20的內部包含由絕緣環29所形成的獨立結構，因此所形成沉積環26的較小半徑長度可減少了包含單片金屬物的傳統沉積環所引起的變形量或者翹曲量。同樣，由陶瓷製成的絕緣環29可耐熱。沉積環26保護支撐件22被覆蓋的表面不受高能製程氣體的腐蝕並減少製程沉積物累積在這些表面上。適用的金屬包括，例如鋁、不銹鋼和鈦，其中經常使用不銹鋼。
在一態樣中，沉積環26的傾斜表面39包含一紋理塗層42，其設計成具有製程沉積物容易附著在其上的紋理圖案，從而可使沉積物積累到更厚的厚度。紋理塗層42包含形狀和大小適於以通過互鎖機制而物理附著製程沉積物的圖案52。適用的紋理塗層是Applied Materials的LAVACOATTM 塗層，例如，在受讓給Applied Materials公司的Tsai等人在2004年6月28日申請的美國專利申請號10,880,235中所述者，在此將其全文併入以作為參考。選擇性地，絕緣環29的暴露表面也可以塗覆此類塗層。
環組件20還包含托架44，托架44係設計用於減少施加在支撐件22的環形壁架21上的壓力量或應力量。例如，托架44可包含一凸緣46和鄰近的凹槽48，該凸緣46實質上僅用壓力壓向環形壁架21，而該鄰近凹槽48提供與壁架21的底角49之間的間隙以限制任何熱應力引起的壓力施加在底角49上。還可以互補設置托架44和沉積環26的基腳36，使得任一個這些元件施加在環形壁架21上的夾持力至少部分彼此抵消。例如，托架44可實質上在基腳36壓緊該環形壁架21的正下方處壓住環形壁架21，所以施加在壁架21上方與下方的力實質相等。環組件20藉由緊對支撐件22的環形壁架21僅施加一實質上垂直壓力並且實質上不壓住支撐件22容易破裂或剝落部分，諸如環形壁架21的角落40、49而減少了基材支撐件22的破裂或碎裂情形。
在一態樣中，環組件20還可以包括一緊固件50，用以將沉積環26緊夾於基材支撐件22。將沉積環26夾緊在支撐件22，至少部分原因在於該夾緊的沉積環26和支撐件22之間可具有更好的熱交換，而能提供改善的處理結果。如果沒有緊固件，在基材處理期間，因為例如沉積環26的傾斜表面39暴露于來自周圍的電漿的電漿物質的高能衝擊，所以沉積環26變得過熱。如上所解釋般，沉積環26過熱可能引起沉積環26和其上覆製程沉積物之間的熱膨脹應力，從而引起製程沉積物從傾斜的表面39上剝落並可能污染基材25。將沉積環26夾緊於支撐件22上允許該環狀帶43和支撐件22之間更好的熱交換從而降低了沉積環26的溫度。另外，支撐件22還可以透過例如在支撐件22中提供包含冷卻管道123的溫度控制冷卻盤127而控制溫度，例如第3圖所示。將沉積環26夾緊至支撐件22上還為支撐件22提供更多的可靠遮蓋和保護。
緊固件50穿過開口52，其中開口52從沉積環26的傾斜表面39延伸至該帶的底表面。緊固件50包含形狀和大小適於貫穿沉積環26之開口52且貫穿托架44之開口54以將沉積環26夾緊於支撐件22上的緊固件50。例如，緊固件50可以是螺釘、夾子、彈簧或螺母。例如，在一態樣中，緊固件50包含帶螺紋的螺釘，其穿過沉積環26中的開口52並至少部分通過托架44中的開口54，托架44的開口54具有可允許藉著旋轉緊固件50而將托架44夾緊支撐件22的互補螺紋。同樣，可提供所需數目的開口52和緊固件50以將沉積環26固定於支撐件22，例如，環組件20可包含大約3到約24個開口52，諸如大約8個開口，以所想要的配置方式設置在沉積環26周圍。
在一態樣中，緊固件50包含一旋轉螺母，其允許托架44旋至抵靠著支撐件22的位置，以將托架44旋轉到所需的位置從而將沉積環26夾緊在支撐件22。可轉動的緊固件50允許輕鬆拆除環組件20，例如用以清洗組件，實質上不需要從托架44上拆除緊固件，甚至實質上不需要觸動一部分環組件20或位於支撐件22之環壁架21下方的其他元件。
同樣，托架44可包含能使托架“鎖”在沉積環26上以更好的固定帶43的附加特徵。例如，托架44可包含一凸壁59用以抵靠在沉積環26之下側壁37中的周邊凹槽63，以將沉積環鎖在所需的夾緊位置。
環組件20還可包括一蓋環70，該蓋環70包含一徑向向內延伸的套72，該套72至少延伸過部分的沉積環26以覆蓋並保護部分的帶43。在一態樣中，套72包含向下延伸的凸起74，設計凸起74的形狀及大小以避免製程沉積物沉積在沉積環26的至少一部分傾斜表面39上，例如，以避免電漿物種和製程沉積物流過表面39。凸起74包含位於內直徑79處的頂端78，該頂端78向下朝沉積環26的傾斜表面39的楔38延伸，以形成旋繞和狹窄的流徑75，從而避免製程沉積物越過凸起74。頂端78可從蓋環70的底表面76延伸出約2mm至約5mm的高度。較佳地，蓋環70可以由耐腐蝕材料製成，諸如不銹鋼和鈦至少其中一者等金屬性材料。蓋環70還可以是由諸如氧化鋁等陶瓷材料製成。蓋環70還可以包含可以附著製程沉積物的紋理上表面。
在一態樣中，絕緣環29的上表面35包含一雷射紋理表面，如第1A圖所示。使用包含雷射202和雷射控制器204的雷射鑽200來獲得雷射紋理。使用雷射鑽200在表面35中雷射鑽出凹槽206的圖案。參照第1B圖所示的詳細示意圖，凹槽206形成一種具有圓形開口208、側壁210和弧形底壁212的井。利用提供可作為在其內收集製程沉積物並保持附著在絕緣環29上的開口，雷射鑽出的凹槽206改善了在電漿製程中形成的製程沉積物的附著情形。紋理表面35藉著在製程沉積物和紋理表面35之間提供機械鎖緊力而牢固地粘附著製程沉積物，而實質避免製程沉積物從環29上剝落。在一態樣中，凹槽206之開口208的直徑(a)介於約25至約800微米(1至30密耳)之間或者從50到100微米(2到4密耳)之間。凹槽206的深度(d)介於約25到約800微米(1到30密耳)之間或甚至介於50到400微米(2到15密耳)之間。該等凹槽206中相鄰凹槽206的中心點之間的間距(s)可介於約25至約1000微米(1到40密耳)或介於25到200微米(2到8密耳)之間或甚至約125微米(5密耳)。
為了形成凹槽206，雷射鑽200將雷射光束220導引到絕緣環29的表面35上，以使表面的材料蒸發從而製造出深凹槽206。在一個實施例中，雷射鑽200包含雷射202和雷射控制器204，該雷射控制器204可產生隨時間調整強度的脈衝雷射光束220。脈衝雷射光束220使用脈衝峰值功率以改善表面材料的蒸發同時使熱損失降至最小，從而更好地控制凹槽206的形狀。雷射能量連續地分解表面35的分子層而不會向材料傳遞過量的熱。較佳者，雷射202包含，例如，可產生波長小於約360奈米(例如，約355奈米)之紫外線雷射光束的准分子雷射。適用的准分子雷射是商業可得的，例如可購自New Hampshire(新罕布什爾州)，Nashua(納舒厄)的Resonetics,Inc.公司。
雷射鑽200還包括光學系統230，該光學系統包括一自動調焦機構用以測定雷射202和環29的表面35之間的距離並因此聚焦雷射光束220。例如，自動調焦機構可以反射來自表面35的光束並探測所反射的光束以偵測到表面35的距離。例如，利用干涉測量法(interferometric method)來分析所測得的光束。雷射鑽200還包含一氣體噴射源240以將氣流242導向正被雷射鑽孔的表面。氣流從該些鑽孔區域中移除已蒸發的材料以改善鑽孔的速度和均勻性，並避免或減少已蒸發的材料在光學系統230上沉積。例如，氣體可包含惰性氣體。氣體噴射源240包含與該環29相距一定偏距的噴嘴，以將氣體聚集成氣流並導向表面35。通常將欲進行雷射鑽孔的環29安裝在活動台248上，以允許雷射光束220定位在絕緣環29之表面35上的不同點處從而鑽出凹槽206。例如，適用的活動台248可以是以＋0.5微米的解析度和50mm/秒的最大速度在X、Y、Z方向能夠＋1微米增量運動的4－5軸運動系統。雷射控制器204還可操縱活動台248。
藉著將脈衝雷射光束220引導至絕緣環29的表面35上的位置以使該部份的結構蒸發，而以雷射鑽出凹槽206。然後將脈衝雷射光束220導引到環29之表面35上的另一位置，以使該表面的另一部分蒸發，從而形成另一凹槽206。重複這些步驟以在絕緣環29的表面35上產生凹槽206的圖案。利用可以設定雷射光束220的脈衝峰值功率、脈衝持續時間和脈衝頻率的雷射控制器204來控制雷射鑽200。脈衝雷射光束220以足夠去除所需深度之材料的功率峰值工作。例如，為了形成紋理表面35，係以預先選擇的功率大小操作脈衝雷射光束220，該預定的功率大小足以在絕緣環29中挖出凹槽底面為弧形底壁212且無需鑽通該環整個厚度的凹槽206。雷射光束220聚集在表面35上要形成凹槽29的點處，從而通過將材料加熱到足夠高的溫度而將該點的材料轉化成液相和/或氣相。利用逐點去除該處去除該處中的液相和氣相材料來形成所需的凹槽結構。例如，紫外光脈衝准分子雷射的雷射光202操作的脈衝寬度(每個脈衝的時間)介於約10至約30毫微秒(nanoseconds)之間，平均功率大小介於約10至約400瓦特的以及脈衝頻率介於約100赫茲至約10,000赫茲之間。在10至30毫為秒的脈衝雷射工作期間，由於材料從固相變化為液相和氣相的轉化速度需夠快，使得熱實質上來不及傳遞到環29的主體中，否則若熱傳輸到環29的主體中的話將導致結構局部微裂。
如第2圖所示，圍繞支撐件22的環組件20a的另一實施例包含一設置在支撐件22之環形壁架21上的單一沉積環80。沉積環80具有一內周界82，其與基材25下方的支撐件22之內周側壁27直接鄰接。沉積環80由介電材料製成，諸如陶瓷材料，例如氧化鋁、氧化矽或氮化鋁。因為沉積環80由陶瓷材料製成，這個實施例中沒有單獨的絕緣環。替代地，陶瓷沉積環80包含其形狀保護支撐件22的周邊邊緣30的一體式結構，以減少在室中製程氣體環境下的腐蝕情形並且還減少製程沉積物累積在支撐件22上。較佳是由硬陶瓷製成的沉積環80，因為它即使在多個製程循環後還可以保持形狀而沒有由殘餘應力引起的變形。同樣，陶瓷材料係選擇可以在室中製程環境下耐腐蝕者。沉積環80還可以塗覆一層鋁的電弧噴塗層。將鋁的電弧噴射塗層應用到沉積環80上得以在操作期間改善製程沉積物在環上的粘附情形。
沉積環80包含環形帶83，環形帶83環繞著該環形壁架21並與環形壁架21重疊以保護性地圍繞著該支撐件22的周邊邊緣30。環形帶83包含一重疊壁架85，該重疊壁架85與該環形壁架21重疊並且未達到支撐件22的內周側壁27。通常，重疊壁架的長度比該環形壁架的長度的約90%要小(less than about 90%)。重疊壁架85的底表面86和內周82與環形壁架21的上表面88相配，以在重疊壁架85與環形壁架21之間形成防止電漿到達支撐件22的周邊邊緣30的複雜曲徑。沉積環還包含基腳89，諸如從環形帶83向下延伸以放置在支撐件22之環形壁架21上的實質垂直柱，用以支撐該環形帶43。環繞基腳89兩側的切除部分降低了基腳壓向環形壁架21的外角40的可能性。沉積環80還包含一下側壁90，其向下延伸超過支撐件22的周邊邊緣30。
在這個實施例中，沉積環80具有一外邊界(outer perimeter)91與一內邊界(inner rim)93，該外邊界91位在沉積環80的徑向外部周界92處且從環形帶83垂直向上延伸，以及該內邊界93亦從環形帶83的內周界82垂直向上延伸。利用在製程循環中用來收集製程沉積物的凹形表面97來連接該外邊界91和該內邊界93。凹形表面97的曲率半徑(curved at a radius)至少約50°，或者介於約30°至約80°之間。凹形表面97提供一個允許在拆除沉積環80以進行清洗之前能讓製程沉積物積聚到較大厚度的凹陷。些微彎曲的凹形表面97可減少積聚在具有尖角或邊緣之表面上的沉積物應力。如同前一個實施例般，沉積環80的凹形表面97也實質上沒有凸起或者其他突出物，這些凸起或突出物將導致熱應力不均勻從而發生上覆沉積物剝落或破裂的情形。
如上所述，環組件20a還包含托架44，其設計用於降低施加在支撐件22之環形壁架21上的壓力量或應力量。將沉積環80的托架44和基腳89配置在互補的位置，其至少部分抵消由這些元件施加在支撐件22之環形壁架21上的夾持力。
環組件20a還包括用以將沉積環80夾在基材支撐件22上的緊固件50。將沉積環80固定於支撐件22上是為了提供較佳的處理結果，其原因部份在於沉積環80的介電材料(其與金屬材料相比通常是較差的熱導體)和支撐件22之間有更好的熱交換。若無此緊固動作，在製程期間介電沉積環80會變得過熱從而導致沉積環80和其上製程沉積物之間產生熱膨脹應力。將沉積環80固定到支撐件22上選為支撐件22提供更嚴密的遮蓋和保護。緊固件50貫穿從沉積環80的外邊界91開始延伸的開口94。例如，緊固件50可以是帶螺紋的螺釘，其穿過沉積環80的開口94並至少部分穿過托架44上的開口54，其中托架44具有允許藉著旋轉緊固件50而將托架44緊固於支撐件22上的互補螺紋。托架44包含一凸壁59，該凸壁59適於抵靠著側壁37中的週邊凹槽63，並且可包括使托架「鎖」在沉積環80上以更好地保護帶26的額外特徵。
環組件20a還可包括蓋環70，其中該蓋環包含一徑向向內延伸的套72，該套72延伸過至少一部分沉積環80上。蓋環70包含一向下延伸凸起74，該凸起74具有一位在內直徑79處的頂端78，該頂端78朝沉積環80的外邊界91向下延伸以形成阻止電漿和製程沉積物流過該凸起74之旋繞且狹窄的流徑95。
如第3圖所示，適當的基材製程裝置100的實施例包含一具有環組件20的處理室106，其中環組件20具有沉積環26和絕緣環29且位在支撐件22周圍。室106還包含一具有沉積環80的環組件20a(未示出)。室106可以是利用可在不同室之間傳輸基材25的機械手臂機構連接多個處理室之多室平臺(未示出)中的一部分。在所示的實施例中，處理室106包含濺鍍沉積室，也稱為物理氣相沉積室或PVD室，其能在基材25上濺鍍沉積材料，諸如鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、銅、鎢、氮化鎢和鋁等一種或多種材料。室106包含圍繞著製程區109的圍壁118，該圍壁118包括側壁164、底壁166和頂壁168。可將支撐環130設置在側壁164和頂壁168之間以支撐頂壁168。其他的室壁可包括一個或多個護板120，以保護圍壁118不受濺鍍環境影響。
室106包含支撐基材25的支撐件22。基材支撐件22可以電性浮動或者可具有藉由諸如RF功率源等功率源172施以偏壓的電極170。基材支撐件22還可包含在沒有基材25時用以保護支撐件22之上表面134的活動遮蔽盤133。在操作中，通過位在室106之側壁164中的基材載入入口(未示出)將基材25引入室106中並放置在支撐件22上。在將基材傳入和傳出室106的期間，可利用支撐件舉升摺疊器(support lift bellows)將基材升起或降低，並利用升降銷組件(未示出)在支撐件22上升起或降低基材25。
室106還包含一溫度控制系統119以控制室106中的一個或多個溫度，諸如支撐件22的溫度。在一實施例中，溫度控制系統119包括一流體供應源以從流體源121提供熱交換流體至支撐件22。一個或多個導管123從流體源121傳輸熱交換流體至支撐件22。支撐件22內部可包含一個或多個通道125，例如在金屬冷卻盤127中的通道125，通過這些通道流入熱交換流體以與支撐件22交換熱量並控制支撐件22的溫度。適用的熱交換流體例如水。控制支撐件22的溫度也可為與支撐件22良好熱接觸的元件提供良好的溫度，例如為位在支撐件22的表面134上的基材25，以及環組件20被夾的部分提供良好溫度。
支撐件22還可包含環組件20，環組件20包含一個或多個環，諸如蓋環70和沉積環26，環組件20也可以稱為沉積環，且環組件20至少覆蓋一部分支撐件22的上表面134，例如支撐件22周邊邊緣30的一部分，以避免支撐件22受到腐蝕。沉積環26至少部分圍繞基材25以保護一部分沒有被基材25所覆蓋的支撐件22。蓋環70環繞並覆蓋至少一部分沉積環26，並減少顆粒沉積在沉積環26和下方的支撐件22上。環組件20還包含一緊固件50以將沉積環26夾在基材支撐件22上。
通過氣體輸送系統112將諸如濺鍍氣體等製程氣體引入室106中，其中輸送系統112包括一個或多個氣體源174，每一個氣體源饋入一管道176，該管道176具有諸如質量流量控制器等氣流控制閥178以使氣體以一設定流速通過。該等管道176可將氣體送入一混合歧管(未示出)，在混合歧管中混合氣體以形成所需的製程氣體混合物。混合歧管饋入一氣體分佈器180中，該氣體分佈器180在該室106中具有一個或多個氣體出口182。製程氣體可包括能夠活潑碰撞靶材並從靶材濺鍍出材料的非活性氣體，諸如氬或氙。製程氣體還可包括能與所濺鍍出的材料反應以在基材25上形成膜層的活性氣體，諸如一種或多種含氧氣體或含氮氣體。通過排氣裝置122將廢氣和副產物排出室106，其中排氣裝置包括接收廢氣並向排氣管道186傳遞廢氣體的一個或多個排氣口184，其中在排氣管道186中有節流閥188以控制室106內氣體的壓力。排氣管道186饋入一個或多個排氣泵190。通常將室106內濺鍍氣體的壓力設定到低於大氣壓的大小。
濺鍍室106還包含面對著基材25之表面105的濺鍍靶材124，並且該濺鍍靶材124包含待濺鍍到基材25上的材料，諸如鉭和氮化鉭至少一者。靶材124藉由環形絕緣環132與室106電性絕緣，並與功率源192連接。濺鍍室106還具有護板120以保護室106的室壁不受濺鍍材料的影響。護板120係一具有上遮罩部分120a和下遮罩部分120b的類壁狀圓柱形，該上遮罩部分120a和下遮罩部分120b遮擋住該室106的上方區域和下方區域。在第3圖所示的實施例中，護板120具有一裝配於支撐環130的上部分120a和一安裝於蓋環70的下部分120b。還可以提供包含一夾環的夾箝遮罩141(clamp shield)以將該上遮罩部分120a和下遮罩部分120b夾在一起。可具有諸如內護板和外護板等其他護板結構。在一實施例中，一個或多個功率源192、靶材124和護板120可作為能激發濺鍍氣體以從靶材124濺鍍材料的氣體激發器。功率源192相對於護板120對靶材124施加偏壓。由所施加的電壓在室106內產生的電場激發濺鍍氣體以形成電漿，該電漿積極地撞擊並轟擊靶材124以從靶材124濺鍍出材料並沉積到基材25上。具有電極170和功率源172的支撐件22亦可施加能量並加速從靶材124向基材25濺鍍的離子化材料而作為氣體激發器116的一部分。另外，可設置氣體激發線圈135，其由功率源192提供能量並安置在室106內以提供增強的激發氣體特性，諸如增高的激發氣體密度。利用與室106內的護板120或其他壁連接的線圈支撐件137來支撐氣體激發線圈135。
可藉由控制器194來控制該室106，其中控制器194包含具有指令集的程式碼以操作該室106的元件從而處理室106內的基材25。例如，控制器194可包含：用於操作一個或多個基材支撐件22和基材傳送器以將基材25安置在室106內的基材定位指令集；用於操作流體控制閥178以設定到室106內的濺鍍氣體流的氣流控制指令集；用於操作排氣節流閥188以保持室106內壓力的氣體壓力控制指令集；用於操作氣體激發器116以設定氣體激發能量大小的氣體激發器控制指令集；用於控制溫度控制系統119以控制室106內溫度的溫度控制指令集；用於監控室106內製程的製程監控指令集。
雖然參照一些較佳實施例來描述本發明，然而，本發明也可能存在其他實施例。例如，本領域中具有通常技術者將瞭解到環組件20或20a可包含他種沉積環26或80實施例，並且可獨立使用這些實施例的每個特徵或彼此結合使用。在諸如刻蝕室、CVD室或清洗室等其他處理室內也可以使用製程環組件20、20a。因此，後附申請專利範圍的精神和範圍不應局限於本文中所含較佳實施例的描述。
20‧‧‧環組件
20a‧‧‧環組件
21‧‧‧環形壁架
22‧‧‧支撐件
23‧‧‧夾盤
24‧‧‧凸起表面
25‧‧‧基材
26‧‧‧沉積環
27‧‧‧周界側壁
28‧‧‧內周界
29‧‧‧絕緣環
30‧‧‧周邊邊緣
31‧‧‧水平臂
32‧‧‧重疊壁架
33‧‧‧垂直臂
34‧‧‧底表面
35‧‧‧表面
36‧‧‧基腳
37‧‧‧下側壁
38‧‧‧楔
105‧‧‧基材表面
106‧‧‧處理室
109‧‧‧製程區
112‧‧‧氣體輸送系統
116‧‧‧氣體激發器
118‧‧‧圍壁
119‧‧‧溫度控制系統
120‧‧‧護板
120a‧‧‧上遮罩部份
120b‧‧‧下遮罩部份
121‧‧‧流體源
122‧‧‧排氣裝置
123‧‧‧冷卻管道
124‧‧‧濺鍍靶材
125‧‧‧通道
127‧‧‧冷卻盤
130‧‧‧支撐環
132‧‧‧絕緣環
133‧‧‧活動遮蔽盤
134‧‧‧支撐件上表面
39‧‧‧傾斜表面
40‧‧‧外角
42‧‧‧紋理塗層
43‧‧‧環形帶
44‧‧‧托架
46‧‧‧凸緣
48‧‧‧凹槽
49‧‧‧底角
50‧‧‧緊固件
52‧‧‧開口
54‧‧‧開口
59‧‧‧凸壁
70‧‧‧蓋環
72‧‧‧套
74‧‧‧凸起
75‧‧‧旋繞狹窄流徑
76‧‧‧底表面
78‧‧‧頂端
80‧‧‧沉積環
82‧‧‧內周界
83‧‧‧環形帶
85‧‧‧重疊壁架
86‧‧‧底表面
89‧‧‧基腳
90‧‧‧下側壁
91‧‧‧外邊界
92‧‧‧外部周界
93‧‧‧內邊界
94‧‧‧開口
95‧‧‧流徑
97‧‧‧凹形表面
100‧‧‧基材製程裝置
135‧‧‧氣體激發線
137‧‧‧線圈支撐件
141‧‧‧夾箝遮罩
164‧‧‧側壁
166‧‧‧底壁
168‧‧‧頂壁
170‧‧‧電極
172‧‧‧功率源
174‧‧‧氣體源
176‧‧‧管道
178‧‧‧控制閥
180‧‧‧氣體分佈器
182‧‧‧氣體出口
184‧‧‧排氣口
186‧‧‧排氣管道
188‧‧‧節流閥
190‧‧‧排氣泵
192‧‧‧功率源
194‧‧‧控制器
200‧‧‧雷射鑽
202‧‧‧雷射
204‧‧‧雷射控制器
206‧‧‧凹槽
208‧‧‧圓形開口
210‧‧‧側壁
212‧‧‧底壁
220‧‧‧雷射光束
230‧‧‧光學系統
240‧‧‧氣體噴射源
242‧‧‧氣流
248‧‧‧活動台
通過以上說明內容、下述申請專利範圍以及示出本發明實施例的附圖將可更清楚地了解本發明特徵、態樣和優點。但是，應該理解在本發明中所採用的各個特徵，不應僅限於特定圖式中所示範之內容，並且本發明包括這些特徵的任意組合，其中：第1圖是位在基材支撐件之環形壁架上的一環組件實施方式的側視剖面圖；第1A圖是一絕緣環和用以在絕緣環上形成雷射紋理表面之雷射鑽的側視剖面圖；第1B圖是絕緣環之紋理表面凹槽的細部側視剖面圖；第2圖是位在基材支撐件上之環組件的另一個實施例的剖面圖；以及第3圖是具有一環組件之處理室的實施例的局部側視剖面圖。
20．．．環組件
21．．．環形壁架
22．．．支撐件
23．．．夾盤
24．．．凸起表面
25．．．基材
26．．．沉積環
27．．．周界側壁
28．．．內周界
29．．．絕緣環
30．．．周邊邊緣
32．．．重疊壁架
34．．．底表面
35．．．表面
36．．．基腳
37．．．下側壁
38．．．楔
39．．．傾斜表面
40．．．外角
42．．．紋理塗層
43．．．環形帶
44．．．托架
46．．．凸緣
48．．．凹槽
49．．．底角
50．．．緊固件
52．．．開口
54．．．開口
59．．．凸壁
70．．．蓋環
72．．．套
74．．．凸起
75．．．旋繞狹窄流徑
76．．．底表面
78．．．頂端

Claims (32)

  1. 一種用於基材處理室中使用之基材支撐件的環組件，該基材支撐件包含一環形壁架和一內周界側壁，該環形壁架包含一圓周邊緣，以及該環組件包含：(a)一L形絕緣環，其包含一水平臂與一垂直臂，該水平臂設置在該支撐件的該環形壁架上，且該水平臂的長度係徑向向外延伸以在未達到該環形壁架的該圓周邊緣之前便停止，以及該垂直臂鄰接該支撐件的該內周界側壁；以及(b)一沉積環，其包含一環形帶及一基腳，該環形帶具有一重疊壁架，該重疊壁架與該絕緣環的該水平臂之一部分交疊並且在未達到該垂直臂前即停止，使得該重疊壁架的長度小於該水平臂的長度，及該基腳設置在該支撐件的該環形壁架上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的環組件，其中該水平臂的長度比該支撐件之該環形壁架長度的約80%要小。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的環組件，其中該絕緣環之該垂直臂的高度比該支撐件之該內周界側壁的高度要小。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的環組件，其中該垂直臂的高度比該支撐件之該內周界側壁高度的約90%要小。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的環組件，其中該絕緣環由一介電材料所構成。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的環組件，其中該絕緣環包含陶瓷。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的環組件，其中該絕緣環包含一雷射紋理表面。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的環組件，其中該雷射紋理表面包含多個彼此間隔開的凹槽。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的環組件，其中該等間隔開的凹槽包含一開口及位在相鄰凹槽的中心點之間的一間距，其中該開口的直徑介於約25微米至約800微米之間，該凹槽的深度介於約25微米至約800微米之間，以及該間距，該間距介於約25微米至約1000微米之間。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的環組件，其中該環形帶具有一上楔，該上楔向上垂直延伸並與該沉積環的一內周界相連以定義出一傾斜表面。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的環組件，其中該傾斜表 面包含下述至少一者：(1)至少約為5°的角度；或(2)至多約25°的角度。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的環組件，其中該傾斜表面包含一紋理塗層。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的環組件，其中該沉積環由鋁、不銹鋼或鈦所組成。
  14. 一種用於基材處理室的處理套組，該處理套組包含：申請專利範圍第1項所述的環組件、至少部分覆蓋該沉積環的一蓋環、一托架以及一緊固件，該緊固件用以將該托架連接到該沉積環以將該沉積環固定到該支撐件的該環形壁架。
  15. 一種包含如申請專利範圍第1項所述之環組件的基材處理室，其更包含一基材支撐件、一氣體輸送系統、一氣體激發器和一排氣裝置。
  16. 一種用於基材處理室中使用之基材支撐件的環組件，該基材支撐件包含一環形壁架和一內周界側壁，以及該環組件包括： (a)一介電沉積環，其包含一環形帶，該環形帶圍繞該支撐件的該環形壁架並與該支撐件的該環形壁架交疊，該環形帶具有一內周界、一外周界、一基腳與一貫穿該環形帶的第一孔；該內周界鄰接該支撐件的該內周界側壁，該基腳設置在該支撐件的該環形壁架上；(b)一具有一第二孔的托架，該托架具有一凸緣，該凸緣與該支撐件的該環形壁架接觸；以及(c)一緊固件，其尺寸適於穿過該環形帶的該第一孔和該托架的該第二孔，以將該沉積環固定至該基材支撐件的該環形壁架。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的環組件，其中該沉積環包含陶瓷。
  18. 如申請專利範圍第16項所述的環組件，其中該沉積環包含一外邊，該外邊係從該環形帶的該外周界向上延伸。
  19. 如申請專利範圍第16項所述的環組件，其中該沉積環包含一內邊，該內邊係從該環形帶的該內周界向上延伸。
  20. 如申請專利範圍第19項所述的環組件，其中該外邊和該內邊係藉由一凹形表面來連接，該凹形表面的曲率半徑至少約50°。
  21. 如申請專利範圍第20項所述的環組件，其中該凹形表面之曲率半徑約30°至約80°之間。
  22. 如申請專利範圍第20項所述的環組件，其中該凹形表面實質上沒有凸起。
  23. 如申請專利範圍第16項所述的環組件，其中該緊固件包含一旋轉式緊固件，該旋轉式緊固件能旋轉該托架以使該支撐件緊靠該托架。
  24. 一種用於基材處理室的處理套組，該處理套組包含如申請專利範圍第16項所述的環組件和一蓋環，該蓋環至少部分覆蓋該沉積環。
  25. 一種包含如申請專利範圍第16項所述之環組件的基材處理室，，其更包含一基材支撐件、一氣體輸送系統、一氣體激發器和一排氣裝置。
  26. 一種用於基材處理室中使用之基材支撐件的絕緣環，該基材支撐件包含(1)一環形壁架，該環形壁架具有一圓周邊緣；及(2)一內周界側壁，以及該絕緣環包含：一L形介電環，其至少包含：(a)一雷射紋理表面； (b)一水平臂，其能夠設置在該支撐件的該環形壁架上，且該水平臂的長度係徑向向外延伸以在未達到該環形壁架的該圓周邊緣之前便停止；及(c)一垂直臂，其鄰接該支撐件的該內周界側壁。
  27. 如申請專利範圍第26項所述的絕緣環，其中該雷射紋理表面包含該介電環之一上表面。
  28. 如申請專利範圍第26項所述的絕緣環，其中該雷射紋理表面包含多個彼此間隔開的凹槽。
  29. 如申請專利範圍第28項所述的絕緣環，其中該等凹槽包含多個井，該等井具有圓形開口、側壁和弧形底壁。
  30. 如申請專利範圍第28項所述的絕緣環，其中該等間隔開的凹槽包含下述至少一者：(1)一開口，該開口的直徑介於約25微米至約800微米之間；(2)一深度，該深度介於約25微米至約800微米之間；(3)相鄰凹槽中心點之間的間距介於約25微米至約1000微米之間。
  31. 如申請專利範圍第26項所述的絕緣環，包含下述至少一者： (1)該水平臂的長度比該支撐件之該環形壁架長度的約80%要小；(2)該垂直臂的高度比該支撐件之該內周界側壁的高度要小；或(3)該垂直臂的長度比該內周界側壁的高度要小。
  32. 一種用於基材處理室的處理套組，該處理套組包含：申請專利範圍第26項所述的絕緣環、一金屬沉積環、一至少部分覆蓋該沉積環的蓋環、一托架以及一緊固件，該緊固件用以將該托架連接到該沉積環以將該沉積環固定到該支撐件的該環形壁架。
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Families Citing this family (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7910218B2 (en) 2003-10-22 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings
US9659758B2 (en) 2005-03-22 2017-05-23 Honeywell International Inc. Coils utilized in vapor deposition applications and methods of production
US8617672B2 (en) 2005-07-13 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Localized surface annealing of components for substrate processing chambers
US8709162B2 (en) * 2005-08-16 2014-04-29 Applied Materials, Inc. Active cooling substrate support
US7762114B2 (en) 2005-09-09 2010-07-27 Applied Materials, Inc. Flow-formed chamber component having a textured surface
US7981262B2 (en) 2007-01-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Process kit for substrate processing chamber
US7942969B2 (en) 2007-05-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and components
US8409355B2 (en) * 2008-04-24 2013-04-02 Applied Materials, Inc. Low profile process kit
CN102017077B (zh) * 2008-05-02 2012-09-19 应用材料公司 用于射频物理气相沉积的处理套组
US8607731B2 (en) * 2008-06-23 2013-12-17 Applied Materials, Inc. Cathode with inner and outer electrodes at different heights
US8900471B2 (en) * 2009-02-27 2014-12-02 Applied Materials, Inc. In situ plasma clean for removal of residue from pedestal surface without breaking vacuum
CN102341902A (zh) * 2009-03-03 2012-02-01 东京毅力科创株式会社 载置台结构、成膜装置和原料回收方法
WO2010115128A2 (en) * 2009-04-03 2010-10-07 Applied Materials, Inc. High pressure rf-dc sputtering and methods to improve film uniformity and step-coverage of this process
DE202010014805U1 (de) * 2009-11-02 2011-02-17 Lam Research Corporation (Delaware Corporation) Heissrandring mit geneigter oberer Oberfläche
US8920564B2 (en) * 2010-07-02 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for thermal based substrate processing with variable temperature capability
WO2012024061A2 (en) * 2010-08-20 2012-02-23 Applied Materials, Inc. Extended life deposition ring
CN108359957A (zh) * 2010-10-29 2018-08-03 应用材料公司 用于物理气相沉积腔室的沉积环及静电夹盘
JP5787526B2 (ja) * 2011-01-17 2015-09-30 イビデン株式会社 電子部品位置決め用治具
EP2487275B1 (en) * 2011-02-11 2016-06-15 SPTS Technologies Limited Composite shielding
GB201102447D0 (en) * 2011-02-11 2011-03-30 Spp Process Technology Systems Uk Ltd Composite shielding
US8946058B2 (en) * 2011-03-14 2015-02-03 Plasma-Therm Llc Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer
USRE46339E1 (en) * 2011-03-14 2017-03-14 Plasma-Therm Llc Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer
WO2013094200A1 (ja) * 2011-12-22 2013-06-27 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置
WO2013133983A1 (en) * 2012-03-05 2013-09-12 Applied Materials, Inc. Substrate support with ceramic insulation
US10727092B2 (en) * 2012-10-17 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Heated substrate support ring
US9583363B2 (en) * 2012-12-31 2017-02-28 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Processes and apparatus for preparing heterostructures with reduced strain by radial distension
CN103151436B (zh) * 2013-02-20 2015-12-09 华中科技大学 一种孔状GaN基光子晶体LED的制备方法
US10099245B2 (en) * 2013-03-14 2018-10-16 Applied Materials, Inc. Process kit for deposition and etching
KR101370033B1 (ko) 2013-04-30 2014-03-04 (주)수도그룹 엔디 야그 레이저 장치의 공진기부 챔버 및 그의 조립 방법
US9449797B2 (en) * 2013-05-07 2016-09-20 Lam Research Corporation Component of a plasma processing apparatus having a protective in situ formed layer on a plasma exposed surface
US20150001180A1 (en) * 2013-06-28 2015-01-01 Applied Materials, Inc. Process kit for edge critical dimension uniformity control
US9799497B2 (en) * 2013-08-16 2017-10-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Patterned processing kits for material processing
JP6094813B2 (ja) * 2013-09-02 2017-03-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置
KR102289792B1 (ko) 2013-11-06 2021-08-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 졸 겔 코팅된 지지 링
US20150170955A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Applied Materials, Inc. Actively-cooled shadow ring for heat dissipation in plasma chamber
WO2015116245A1 (en) * 2014-01-30 2015-08-06 Applied Materials, Inc. Gas confiner assembly for eliminating shadow frame
CN104862660B (zh) * 2014-02-24 2017-10-13 北京北方华创微电子装备有限公司 承载装置及等离子体加工设备
CN104878363B (zh) * 2014-02-28 2017-07-21 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 机械卡盘及等离子体加工设备
CN104916572B (zh) * 2014-03-14 2018-03-09 北京北方华创微电子装备有限公司 一种承载装置及等离子体加工设备
KR20160010790A (ko) 2014-07-18 2016-01-28 (주)우리 경추 견인 및 근력 강화장치
DE102014014070A1 (de) * 2014-09-29 2016-03-31 Forschungszentrum Jülich GmbH Vorrichtung zum geregelten Wärmeübergang auf und von einem Bauteil
US10115573B2 (en) * 2014-10-14 2018-10-30 Applied Materials, Inc. Apparatus for high compressive stress film deposition to improve kit life
CN105586574B (zh) * 2014-10-20 2018-11-06 北京北方华创微电子装备有限公司 一种承载装置及物理气相沉积设备
US10242848B2 (en) * 2014-12-12 2019-03-26 Lam Research Corporation Carrier ring structure and chamber systems including the same
KR101641453B1 (ko) * 2015-01-14 2016-07-21 에스엔유 프리시젼 주식회사 박막 증착 장치
US10658222B2 (en) 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
TWI613753B (zh) * 2015-02-16 2018-02-01 靜電吸附承盤側壁之改良密封件
KR102363241B1 (ko) 2015-03-27 2022-02-16 삼성전자주식회사 플라즈마 강화 화학기상 증착 장비 및 그 동작 방법
US10903055B2 (en) * 2015-04-17 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Edge ring for bevel polymer reduction
TWM534436U (en) * 2015-07-03 2016-12-21 Applied Materials Inc Frame, multi-piece under substrate cover frame and processing chamber
US10651015B2 (en) * 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10858727B2 (en) 2016-08-19 2020-12-08 Applied Materials, Inc. High density, low stress amorphous carbon film, and process and equipment for its deposition
US11043364B2 (en) * 2017-06-05 2021-06-22 Applied Materials, Inc. Process kit for multi-cathode processing chamber
CN109023287B (zh) * 2017-06-08 2024-05-17 北京北方华创微电子装备有限公司 沉积环及卡盘组件
CN109256357B (zh) * 2017-07-13 2020-06-19 北京北方华创微电子装备有限公司 高温静电卡盘
US11183373B2 (en) 2017-10-11 2021-11-23 Honeywell International Inc. Multi-patterned sputter traps and methods of making
EP3843129B1 (en) * 2017-11-21 2022-09-14 Lam Research Corporation Bottom edge rings
CN109837518B (zh) * 2017-11-28 2021-06-08 北京北方华创微电子装备有限公司 沉积环固定组件、承载装置及反应腔室
US20190272983A1 (en) * 2018-03-01 2019-09-05 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Substrate halo arrangement for improved process uniformity
SG11202009444QA (en) * 2018-04-10 2020-10-29 Applied Materials Inc Resolving spontaneous arcing during thick film deposition of high temperature amorphous carbon deposition
JP2019210525A (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 株式会社アルバック 防着板、および、スパッタ装置
US11211282B2 (en) * 2018-06-15 2021-12-28 Applied Materials, Inc. Apparatus to reduce contamination in a plasma etching chamber
CN109402593A (zh) * 2018-11-02 2019-03-01 上海华力微电子有限公司 一种防止沉积环电弧放电的方法及沉积环
US11961723B2 (en) * 2018-12-17 2024-04-16 Applied Materials, Inc. Process kit having tall deposition ring for PVD chamber
KR102253808B1 (ko) * 2019-01-18 2021-05-20 주식회사 유진테크 기판 처리 장치
JP7329940B2 (ja) * 2019-03-22 2023-08-21 株式会社アルバック 成膜装置及びその製造方法。
JP7385023B2 (ja) * 2019-09-26 2023-11-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板処理用支持体ブラケット装置および方法
CN110787984B (zh) * 2019-12-04 2023-09-22 航天精工股份有限公司 具有超声波换能器的紧固件及制造工艺和用途
US11581166B2 (en) 2020-07-31 2023-02-14 Applied Materials, Inc. Low profile deposition ring for enhanced life
US11996315B2 (en) * 2020-11-18 2024-05-28 Applied Materials, Inc. Thin substrate handling via edge clamping
US12100579B2 (en) * 2020-11-18 2024-09-24 Applied Materials, Inc. Deposition ring for thin substrate handling via edge clamping
USD1038049S1 (en) 2020-11-18 2024-08-06 Applied Materials, Inc. Cover ring for use in semiconductor processing chamber
CN112501577B (zh) * 2020-11-30 2022-07-15 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种晶圆固定环及其制备方法与应用
CN115074679A (zh) * 2021-03-11 2022-09-20 台湾积体电路制造股份有限公司 形成半导体结构的方法和物理气相沉积装置及方法
US12106943B2 (en) 2021-05-25 2024-10-01 Applied Materials, Inc. Substrate halo arrangement for improved process uniformity
CN113897584B (zh) * 2021-09-30 2023-04-14 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备的遮挡组件及反应腔室
CN115305452B (zh) * 2022-07-06 2023-09-08 北京北方华创微电子装备有限公司 反应腔室

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6051122A (en) * 1997-08-21 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Deposition shield assembly for a semiconductor wafer processing system
US20030136520A1 (en) * 2002-01-22 2003-07-24 Applied Materials, Inc. Ceramic substrate support
US20040173156A1 (en) * 1998-10-29 2004-09-09 Stimson Bradley O. Process kit for improved power coupling through a workpiece in a semiconductor wafer processing system

Family Cites Families (141)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3679460A (en) * 1970-10-08 1972-07-25 Union Carbide Corp Composite wear resistant material and method of making same
US4384918A (en) * 1980-09-30 1983-05-24 Fujitsu Limited Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein
US4412133A (en) * 1982-01-05 1983-10-25 The Perkin-Elmer Corp. Electrostatic cassette
FR2538987A1 (fr) * 1983-01-05 1984-07-06 Commissariat Energie Atomique Enceinte pour le traitement et notamment la gravure de substrats par la methode du plasma reactif
GB2147459A (en) * 1983-09-30 1985-05-09 Philips Electronic Associated Electrostatic chuck for semiconductor wafers
JPS6131636U (ja) * 1984-07-31 1986-02-26 株式会社 徳田製作所 静電チヤツク
US5215639A (en) * 1984-10-09 1993-06-01 Genus, Inc. Composite sputtering target structures and process for producing such structures
DE3523958A1 (de) * 1985-07-04 1987-01-08 Licentia Gmbh Verfahren zur chemischen behandlung von keramikkoerpern mit nachfolgender metallisierung
JP2515731B2 (ja) * 1985-10-25 1996-07-10 株式会社日立製作所 薄膜形成装置および薄膜形成方法
US4832781A (en) * 1988-01-07 1989-05-23 Varian Associates, Inc. Methods and apparatus for thermal transfer with a semiconductor wafer in vacuum
ATE95513T1 (de) * 1988-04-26 1993-10-15 Toto Ltd Verfahren zur herstellung dielektrischer keramik fuer elektrostatische haltevorrichtungen.
EP0343502A3 (en) * 1988-05-23 1991-04-17 Lam Research Corporation Method and system for clamping semiconductor wafers
US5356890A (en) * 1988-06-15 1994-10-18 Brigham And Women's Hospital S-nitroso derivatives of ace inhibitors and the use thereof
JP2665242B2 (ja) * 1988-09-19 1997-10-22 東陶機器株式会社 静電チャック
US5409590A (en) * 1989-04-17 1995-04-25 Materials Research Corporation Target cooling and support for magnetron sputter coating apparatus
JP2779950B2 (ja) * 1989-04-25 1998-07-23 東陶機器株式会社 静電チャックの電圧印加方法および電圧印加装置
US4995958A (en) * 1989-05-22 1991-02-26 Varian Associates, Inc. Sputtering apparatus with a rotating magnet array having a geometry for specified target erosion profile
US5391275A (en) * 1990-03-02 1995-02-21 Applied Materials, Inc. Method for preparing a shield to reduce particles in a physical vapor deposition chamber
EP0493089B1 (en) * 1990-12-25 1998-09-16 Ngk Insulators, Ltd. Wafer heating apparatus and method for producing the same
US5191506A (en) * 1991-05-02 1993-03-02 International Business Machines Corporation Ceramic electrostatic chuck
US5325261A (en) * 1991-05-17 1994-06-28 Unisearch Limited Electrostatic chuck with improved release
US5275683A (en) * 1991-10-24 1994-01-04 Tokyo Electron Limited Mount for supporting substrates and plasma processing apparatus using the same
US5315473A (en) * 1992-01-21 1994-05-24 Applied Materials, Inc. Isolated electrostatic chuck and excitation method
JP2865472B2 (ja) * 1992-02-20 1999-03-08 信越化学工業株式会社 静電チャック
US5314597A (en) * 1992-03-20 1994-05-24 Varian Associates, Inc. Sputtering apparatus with a magnet array having a geometry for a specified target erosion profile
JP2938679B2 (ja) * 1992-06-26 1999-08-23 信越化学工業株式会社 セラミックス製静電チャック
US5401319A (en) * 1992-08-27 1995-03-28 Applied Materials, Inc. Lid and door for a vacuum chamber and pretreatment therefor
US6338906B1 (en) * 1992-09-17 2002-01-15 Coorstek, Inc. Metal-infiltrated ceramic seal
JP2839801B2 (ja) * 1992-09-18 1998-12-16 三菱マテリアル株式会社 ウェーハの製造方法
US5350479A (en) * 1992-12-02 1994-09-27 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck for high power plasma processing
US5542559A (en) * 1993-02-16 1996-08-06 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Plasma treatment apparatus
CH690805A5 (de) * 1993-05-04 2001-01-15 Unaxis Balzers Ag Magnetfeldunterstützte Zerstäubungsanordnung und Vakuumbehandlungsanlage hiermit.
US5403459A (en) * 1993-05-17 1995-04-04 Applied Materials, Inc. Cleaning of a PVD chamber containing a collimator
US5407551A (en) * 1993-07-13 1995-04-18 The Boc Group, Inc. Planar magnetron sputtering apparatus
US6199259B1 (en) * 1993-11-24 2001-03-13 Applied Komatsu Technology, Inc. Autoclave bonding of sputtering target assembly
US5487822A (en) * 1993-11-24 1996-01-30 Applied Materials, Inc. Integrated sputtering target assembly
US5512078A (en) * 1994-03-24 1996-04-30 Griffin; Stephen E. Apparatus for making linearly tapered bores in quartz tubing with a controlled laser
JP2720420B2 (ja) * 1994-04-06 1998-03-04 キヤノン販売株式会社 成膜／エッチング装置
US5628889A (en) * 1994-09-06 1997-05-13 International Business Machines Corporation High power capacity magnetron cathode
DE4446919A1 (de) * 1994-12-28 1996-07-04 Dynamit Nobel Ag Verfahren zur Herstellung von innenverzahnten Teilen
US5792562A (en) * 1995-01-12 1998-08-11 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with polymeric impregnation and method of making
US6073830A (en) * 1995-04-21 2000-06-13 Praxair S.T. Technology, Inc. Sputter target/backing plate assembly and method of making same
US5886863A (en) * 1995-05-09 1999-03-23 Kyocera Corporation Wafer support member
GB2318590B (en) * 1995-07-10 1999-04-14 Cvc Products Inc Magnetron cathode apparatus and method for sputtering
US6221217B1 (en) * 1995-07-10 2001-04-24 Cvc, Inc. Physical vapor deposition system having reduced thickness backing plate
JPH09270401A (ja) * 1996-01-31 1997-10-14 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウェーハの研磨方法
JPH09270400A (ja) * 1996-01-31 1997-10-14 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウェーハの製造方法
US5879524A (en) * 1996-02-29 1999-03-09 Sony Corporation Composite backing plate for a sputtering target
JP3620554B2 (ja) * 1996-03-25 2005-02-16 信越半導体株式会社 半導体ウェーハ製造方法
EP0803900A3 (en) * 1996-04-26 1999-12-29 Applied Materials, Inc. Surface preparation to enhance the adhesion of a dielectric layer
US6108189A (en) * 1996-04-26 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having improved gas conduits
US5720818A (en) * 1996-04-26 1998-02-24 Applied Materials, Inc. Conduits for flow of heat transfer fluid to the surface of an electrostatic chuck
US5863340A (en) * 1996-05-08 1999-01-26 Flanigan; Allen Deposition ring anti-rotation apparatus
US5948288A (en) * 1996-05-28 1999-09-07 Komag, Incorporated Laser disk texturing apparatus
US5812362A (en) * 1996-06-14 1998-09-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for the use of diamond films as dielectric coatings on electrostatic chucks
US5914018A (en) * 1996-08-23 1999-06-22 Applied Materials, Inc. Sputter target for eliminating redeposition on the target sidewall
US5916454A (en) * 1996-08-30 1999-06-29 Lam Research Corporation Methods and apparatus for reducing byproduct particle generation in a plasma processing chamber
US5942041A (en) * 1996-09-16 1999-08-24 Mosel-Vitelic, Inc. Non-sticking semi-conductor wafer clamp and method of making same
US6284093B1 (en) * 1996-11-29 2001-09-04 Applied Materials, Inc. Shield or ring surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber
US6120640A (en) * 1996-12-19 2000-09-19 Applied Materials, Inc. Boron carbide parts and coatings in a plasma reactor
EP0946965B1 (de) * 1996-12-21 2006-05-17 Singulus Technologies AG Vorrichtung und verfahren zur kathodenzerstäubung
KR20000069523A (ko) * 1997-01-16 2000-11-25 보텀필드 레인, 에프. 기상 증착 요소 및 기상 증착 방법
US5808270A (en) * 1997-02-14 1998-09-15 Ford Global Technologies, Inc. Plasma transferred wire arc thermal spray apparatus and method
US5844318A (en) * 1997-02-18 1998-12-01 Micron Technology, Inc. Aluminum film for semiconductive devices
US5916378A (en) * 1997-03-11 1999-06-29 Wj Semiconductor Equipment Group, Inc. Method of reducing metal contamination during semiconductor processing in a reactor having metal components
US6051114A (en) * 1997-06-23 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Use of pulsed-DC wafer bias for filling vias/trenches with metal in HDP physical vapor deposition
US6010583A (en) * 1997-09-09 2000-01-04 Sony Corporation Method of making unreacted metal/aluminum sputter target
US5903428A (en) * 1997-09-25 1999-05-11 Applied Materials, Inc. Hybrid Johnsen-Rahbek electrostatic chuck having highly resistive mesas separating the chuck from a wafer supported thereupon and method of fabricating same
US5879523A (en) * 1997-09-29 1999-03-09 Applied Materials, Inc. Ceramic coated metallic insulator particularly useful in a plasma sputter reactor
US5920764A (en) * 1997-09-30 1999-07-06 International Business Machines Corporation Process for restoring rejected wafers in line for reuse as new
US6364957B1 (en) * 1997-10-09 2002-04-02 Applied Materials, Inc. Support assembly with thermal expansion compensation
US5953827A (en) * 1997-11-05 1999-09-21 Applied Materials, Inc. Magnetron with cooling system for process chamber of processing system
US6340415B1 (en) * 1998-01-05 2002-01-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhancing a sputtering target's lifetime
US6579431B1 (en) * 1998-01-14 2003-06-17 Tosoh Smd, Inc. Diffusion bonding of high purity metals and metal alloys to aluminum backing plates using nickel or nickel alloy interlayers
JP3271658B2 (ja) * 1998-03-23 2002-04-02 信越半導体株式会社 半導体シリコン単結晶ウェーハのラップ又は研磨方法
JP3483494B2 (ja) * 1998-03-31 2004-01-06 キヤノン株式会社 真空処理装置および真空処理方法、並びに該方法によって作成される電子写真感光体
US6015465A (en) * 1998-04-08 2000-01-18 Applied Materials, Inc. Temperature control system for semiconductor process chamber
JP3500063B2 (ja) * 1998-04-23 2004-02-23 信越半導体株式会社 剥離ウエーハを再利用する方法および再利用に供されるシリコンウエーハ
DE19830817B4 (de) * 1998-07-09 2011-06-09 Leifeld Metal Spinning Gmbh Verfahren zum Umformen eines Werkstücks durch Drückwalzen
US6096135A (en) * 1998-07-21 2000-08-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing contamination of a substrate in a substrate processing system
US6183686B1 (en) * 1998-08-04 2001-02-06 Tosoh Smd, Inc. Sputter target assembly having a metal-matrix-composite backing plate and methods of making same
US6071389A (en) * 1998-08-21 2000-06-06 Tosoh Smd, Inc. Diffusion bonded sputter target assembly and method of making
US6749103B1 (en) * 1998-09-11 2004-06-15 Tosoh Smd, Inc. Low temperature sputter target bonding method and target assemblies produced thereby
US6170429B1 (en) * 1998-09-30 2001-01-09 Lam Research Corporation Chamber liner for semiconductor process chambers
US6238528B1 (en) * 1998-10-13 2001-05-29 Applied Materials, Inc. Plasma density modulator for improved plasma density uniformity and thickness uniformity in an ionized metal plasma source
JP2000124092A (ja) * 1998-10-16 2000-04-28 Shin Etsu Handotai Co Ltd 水素イオン注入剥離法によってｓｏｉウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたｓｏｉウエーハ
WO2000028104A1 (en) * 1998-11-06 2000-05-18 Scivac Sputtering apparatus and process for high rate coatings
US6447853B1 (en) * 1998-11-30 2002-09-10 Kawasaki Microelectronics, Inc. Method and apparatus for processing semiconductor substrates
US6276997B1 (en) * 1998-12-23 2001-08-21 Shinhwa Li Use of chemical mechanical polishing and/or poly-vinyl-acetate scrubbing to restore quality of used semiconductor wafers
JP4141560B2 (ja) * 1998-12-28 2008-08-27 日本メクトロン株式会社 回路基板のプラズマ処理装置
US6159299A (en) * 1999-02-09 2000-12-12 Applied Materials, Inc. Wafer pedestal with a purge ring
US6183614B1 (en) * 1999-02-12 2001-02-06 Applied Materials, Inc. Rotating sputter magnetron assembly
KR100343136B1 (ko) * 1999-03-18 2002-07-05 윤종용 이중 연마저지층을 이용한 화학기계적 연마방법
KR100315088B1 (ko) * 1999-09-29 2001-11-24 윤종용 포커스 링을 갖는 반도체 웨이퍼 제조 장치
US6190516B1 (en) * 1999-10-06 2001-02-20 Praxair S.T. Technology, Inc. High magnetic flux sputter targets with varied magnetic permeability in selected regions
US6423175B1 (en) * 1999-10-06 2002-07-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Apparatus and method for reducing particle contamination in an etcher
US6277249B1 (en) * 2000-01-21 2001-08-21 Applied Materials Inc. Integrated process for copper via filling using a magnetron and target producing highly energetic ions
US6227435B1 (en) * 2000-02-02 2001-05-08 Ford Global Technologies, Inc. Method to provide a smooth paintable surface after aluminum joining
JP2001230234A (ja) * 2000-02-16 2001-08-24 Hitachi Ltd プラズマ処理装置及び方法
JP4592916B2 (ja) * 2000-04-25 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 被処理体の載置装置
JP2001308077A (ja) * 2000-04-27 2001-11-02 Toshiba Corp 半導体製造装置
US6506289B2 (en) * 2000-08-07 2003-01-14 Symmorphix, Inc. Planar optical devices and methods for their manufacture
KR20030064398A (ko) * 2000-09-11 2003-07-31 토소우 에스엠디, 인크 내부 냉각 채널을 갖는 스퍼터 타겟의 제조 방법
US6503380B1 (en) * 2000-10-13 2003-01-07 Honeywell International Inc. Physical vapor target constructions
KR100631275B1 (ko) * 2000-11-17 2006-10-02 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 파티클 발생이 적은 스퍼터링 타겟트 또는 배킹 플레이트 및 파티클 발생이 적은 스퍼터링 방법
US20020090464A1 (en) * 2000-11-28 2002-07-11 Mingwei Jiang Sputter chamber shield
US6800173B2 (en) * 2000-12-15 2004-10-05 Novellus Systems, Inc. Variable gas conductance control for a process chamber
WO2002049785A1 (en) * 2000-12-18 2002-06-27 Tosoh Smd, Inc. Low temperature sputter target/backing plate joining technique and assemblies made thereby
US6805952B2 (en) * 2000-12-29 2004-10-19 Lam Research Corporation Low contamination plasma chamber components and methods for making the same
US6576909B2 (en) * 2001-02-28 2003-06-10 International Business Machines Corp. Ion generation chamber
EP1381708B1 (en) * 2001-04-24 2010-05-05 Tosoh Smd, Inc. Method of optimizing target profile
US6777045B2 (en) * 2001-06-27 2004-08-17 Applied Materials Inc. Chamber components having textured surfaces and method of manufacture
US6620736B2 (en) * 2001-07-24 2003-09-16 Tokyo Electron Limited Electrostatic control of deposition of, and etching by, ionized materials in semiconductor processing
KR100397891B1 (ko) * 2001-07-25 2003-09-19 삼성전자주식회사 반도체 장치 식각설비의 척 조립체
US20030047464A1 (en) * 2001-07-27 2003-03-13 Applied Materials, Inc. Electrochemically roughened aluminum semiconductor processing apparatus surfaces
US6899798B2 (en) * 2001-12-21 2005-05-31 Applied Materials, Inc. Reusable ceramic-comprising component which includes a scrificial surface layer
US6656535B2 (en) * 2001-12-21 2003-12-02 Applied Materials, Inc Method of fabricating a coated process chamber component
US6743340B2 (en) * 2002-02-05 2004-06-01 Applied Materials, Inc. Sputtering of aligned magnetic materials and magnetic dipole ring used therefor
US6730174B2 (en) * 2002-03-06 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Unitary removable shield assembly
US6812471B2 (en) * 2002-03-13 2004-11-02 Applied Materials, Inc. Method of surface texturizing
US6933508B2 (en) * 2002-03-13 2005-08-23 Applied Materials, Inc. Method of surface texturizing
US7026009B2 (en) * 2002-03-27 2006-04-11 Applied Materials, Inc. Evaluation of chamber components having textured coatings
US20030188685A1 (en) * 2002-04-08 2003-10-09 Applied Materials, Inc. Laser drilled surfaces for substrate processing chambers
US6708870B2 (en) * 2002-05-24 2004-03-23 Praxair S.T. Technology, Inc. Method for forming sputter target assemblies
EP1556526B1 (en) * 2002-10-21 2009-03-11 Cabot Corporation Method of forming a sputtering target assembly and assembly made therefrom
US6902628B2 (en) * 2002-11-25 2005-06-07 Applied Materials, Inc. Method of cleaning a coated process chamber component
US6992261B2 (en) * 2003-07-15 2006-01-31 Cabot Corporation Sputtering target assemblies using resistance welding
US20050061857A1 (en) * 2003-09-24 2005-03-24 Hunt Thomas J. Method for bonding a sputter target to a backing plate and the assembly thereof
US7431195B2 (en) * 2003-09-26 2008-10-07 Praxair S.T. Technology, Inc. Method for centering a sputter target onto a backing plate and the assembly thereof
US7244336B2 (en) * 2003-12-17 2007-07-17 Lam Research Corporation Temperature controlled hot edge ring assembly for reducing plasma reactor etch rate drift
CN1910304A (zh) * 2004-02-03 2007-02-07 霍尼韦尔国际公司 物理气相沉积靶构造
KR20050091854A (ko) * 2004-03-11 2005-09-15 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 제조 장치의 포커스 링
CN2688723Y (zh) * 2004-03-16 2005-03-30 茂德科技股份有限公司 沉积环及应用此沉积环的支撑装置
US20060005767A1 (en) * 2004-06-28 2006-01-12 Applied Materials, Inc. Chamber component having knurled surface
US7670436B2 (en) * 2004-11-03 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Support ring assembly
EP1903123B1 (de) * 2004-11-19 2012-02-22 Applied Materials GmbH & Co. KG Trägerplatte mit einer darauf aufgesetzten gekühlten Rückenplatte
CN100402224C (zh) * 2005-08-05 2008-07-16 湖南大学 大型喷射沉积环件的致密化加工方法的装置
US9127362B2 (en) * 2005-10-31 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Process kit and target for substrate processing chamber
US8647484B2 (en) * 2005-11-25 2014-02-11 Applied Materials, Inc. Target for sputtering chamber
US20070215463A1 (en) * 2006-03-14 2007-09-20 Applied Materials, Inc. Pre-conditioning a sputtering target prior to sputtering
US7981262B2 (en) * 2007-01-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Process kit for substrate processing chamber

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6051122A (en) * 1997-08-21 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Deposition shield assembly for a semiconductor wafer processing system
US20040173156A1 (en) * 1998-10-29 2004-09-09 Stimson Bradley O. Process kit for improved power coupling through a workpiece in a semiconductor wafer processing system
US20030136520A1 (en) * 2002-01-22 2003-07-24 Applied Materials, Inc. Ceramic substrate support

Also Published As

Publication number Publication date
US20100065216A1 (en) 2010-03-18
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