TWI613753B - 靜電吸附承盤側壁之改良密封件 - Google Patents

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Abstract

本發明提供之靜電吸附承盤的改良密封件，其利用改良密封件之多層次的複數密封部設置，使改良密封件與靜電吸附承盤的側壁間具有多重密封點，並且完全填滿靜電吸附承盤的溝槽，使蝕刻製程長久運作之後，縱使該改良密封件的其中一密封點被電漿氣體40侵蝕而破損，仍能有夠效防止漏氣的發生，並且提供一緩衝時間，供產線人員即時更換改良密封件，降低密封件因為突然的縱裂而導致漏氣的危險，使半導體蝕刻製程更加安全，產品良率更加提升。

Description

靜電吸附承盤側壁之改良密封件
本發明係為一種電漿蝕刻設備之靜電吸附承盤側壁的改良密封件，尤指一種可填入靜電吸附承盤之溝槽中，並且能與溝槽間具有多個密封點的改良密封件。
現有技術之電漿蝕刻設備如圖7所示，其包括一靜電吸附承盤90，該靜電吸附承盤90包含有由陶瓷介電材料所構成的一上部元件91、一下部元件92、以及由軟質材料所構成的一連結層93，該連結層93連接上部元件91與下部元件92，另該靜電吸附承盤90的周緣進一步設有延伸承載晶圓的一延伸單元100，該靜電吸附承盤90與延伸單元100間存在有縫隙110與溝槽113，該縫隙110使得製程電漿氣體120由上往下進行蝕刻製程時，電漿氣體120會經由縫隙110進入靜電吸附承盤90與延伸單元100之間，並且進一步進入溝槽113內使連結層93受到電漿氣體120的侵蝕破壞而產生漏氣點，因此靜電吸附承盤90內部的工作流體會經由此漏氣點洩漏至靜電吸附承盤90的外部，產生環境的污染。
過去為解決此漏氣污染的問題，開發出將環氧樹脂130填入溝槽113中的技術，如圖8所示，藉由環氧樹脂130的填入以密封該溝槽113，達到防止連結層93受到電漿氣體120蝕刻破壞的效果。然而，環氧樹脂130極容易被電漿氣體120蝕刻而損耗，因此長期使用之後同樣會產生漏氣點，導致環氧樹脂130失去密封與保護的功效。此外，環氧樹脂130的有效期間難以估計，所以業者無法定期在漏氣點產生前進行補強或更換，因此也會影響整體製程良率。
另一習知技術如臺灣專利公開第TW 201005869 A1號發明專利所揭示，其為提供一種可更換式的O形環140取代傳統環氧樹脂130裝設於溝槽113中，如圖9所示，以密封該溝槽113，並且克服上述使用環氧樹脂130的缺點。然而，習用的O形環140設計其與溝槽113的相對關係僅包含一密封點150，但由於所述溝槽113實際上尺寸很小，故要將O形環140均勻地套設進入溝槽113中並不容易，若是安裝不確實導致O形環140內部張應力分散不均，將使O形環140被電漿氣體120侵蝕後，於張應力的區域發生縱裂或因變薄破損而產生漏氣，導致O形環140失效，此將使O形環140的有效使用期難以估計，以致業者無法及時在其破損前更換新的O形環140。此外，如臺灣專利公開第TW 201005869 A1號發明專利的圖1C所揭示於該溝槽填充環氧樹脂後，再於環氧樹脂的外側套設可更換式的O形環，以提供溝槽雙層的保護，並且克服僅使用環氧樹脂的缺點，但該可更換式的O形環與環氧樹脂為不相連接的兩種物質，在溝槽實際尺寸很小的情況下，當電漿蝕刻設備運作時該可更換式的O形環會因為工作時的熱脹冷縮效應而輕易滑移離開環氧樹脂的表面，失去雙層保護的功效，故現有技術在電漿蝕刻的製程上仍存在有許多因為工作流體的洩漏及電漿氣體120對溝槽113的侵蝕所造成的設備損壞、環境汙染以及產品良率不一的問題。
有鑑於現有技術的缺點以及不足，現階段需要一種能夠不會因為O形環的局部破損即導致漏氣的情形發生，並且提供緩衝時間，使O形環壽命能夠預期，讓工程人員在O形環破損、並且產生漏氣前及時更換新的O形環，有效防止流體洩漏，使蝕刻製程更加穩定、安全。
至少一副密封部，該副密封部自主密封部的周緣朝向遠離主密封部方向突出於該主密封部，並且該至少一副密封部與該主密封部呈一體成形設置。
本發明之優點在於簡單利用主密封部與至少一副密封部的搭配以及一體成形的設置，使該改良密封件與溝槽間形成有多重密封點的保護，當單一密封點受到電漿氣體侵蝕而破損時，不會因此馬上漏氣，造成連結層被侵蝕損壞，並且提供一緩衝時間，讓工程人員在改良密封件嚴重破損至漏氣前可以及時更換新的密封件，有效防止工作流體洩漏，使蝕刻製程更加安全、產品良率更加穩定。
較佳的是，其中該O形環的截面係為一L型，且該O形環的主密封部朝向溝槽的一側具有一邊角，該邊角係為一倒角；而該O形環具有一第一副密封部，該第一副密封部係由主密封部的內緣朝向溝槽方向突出於該主密封部，並且該第一副密封部朝向溝槽的一側具有兩邊角，所述兩邊角係為兩倒角。此技術手段惟簡單利用一主密封部以及一第一副密封部組成截面為L型的O形環，以配合L型的溝槽使用，並且搭配每個邊角均為倒角的設置，使O形環更容易安裝於溝槽內，以密封該溝槽，並且使該O形環與該L型的溝槽間形成有多重密封點的保護，並且不易因為該O形環突出於溝槽而影響靜電吸附承盤與延伸單元之間的下放定位。
更佳的是，其中該O形環進一步具有至少一第二副密封部，所述第二副密封部係由主密封部的外緣朝向遠離溝槽方向突出於該主密封部，並且所述第二副密封部朝向遠離溝槽的一側具有倒角。此技術手段惟利用一主密封部、一第一副密封部以及所述第二副密封部組成的O形環，使該改良密封件與溝槽間形成有三重密封點的保護，並且使第二副密封部封閉該靜電吸附承盤與延伸單元間的縫隙，更能夠有效避免電漿氣體經由縫隙進入溝槽中對連結層進行侵蝕。
較佳的是，其中該O形環的截面係為一T型，且該O形環的主密封部朝向溝槽的一側具有兩邊角，所述邊角係為倒角；而該O形環具有一第一副密封部，該第一副密封部係由主密封部的內緣朝向溝槽方向突出於該主密封部，並且該第一副密封部朝向溝槽的一側具有兩邊角，所述兩邊角係為兩倒角。此技術手段惟利用一主密封部以及一第一副密封部組成截面為T型的O形環，以配合T型的溝槽使用，並且搭配每個邊角均為倒角的設置，使O形環更容易安裝於溝槽內，以密封該溝槽，並且使該O形環與該T型的溝槽間形成有多重密封點的保護，並且不易因為該O形環突出於溝槽而影響靜電吸附承盤與延伸單元之間的下放定位。
更佳的是，其中該O形環進一步具有至少一第二副密封部，所述第二副密封部係由主密封部的外緣朝向遠離溝槽方向突出於該主密封部，並且所述第二副密封部朝向遠離溝槽的一側具有倒角。此技術手段惟利用一主密封部、一第一副密封部以及至少一第二副密封部組成的O形環，使該改良密封件與溝槽間形成有三重密封點的保護，並且使所述第二副密封部封閉該靜電吸附承盤與延伸單元間的縫隙，更能夠有效避免電漿氣體經由縫隙進入溝槽中對連結層進行侵蝕。
又更佳的是，其中該O形環進一步具有一第三副密封部以取代所述第二副密封部，該第三副密封部係由主密封部的外緣朝向遠離溝槽方向突出於該主密封部，並且該第三副密封部的高度大於主密封部的高度，且該第三副密封部分別與上部元件以及下部元件的外緣相連接接觸。此技術手段惟利用一主密封部、一第一副密封部以及一第三副密封部組成的O形環，使該第三副密封部取代所述第二副密封部，並且使該改良密封件與溝槽間形成有三重密封點的保護，並且使該第三副密封部封閉且部分填滿該靜電吸附承盤與延伸單元 間的縫隙，使本發明之改良密封件更能夠承受電漿氣體的衝擊與侵蝕，更能有效避免電漿氣體經由縫隙進入溝槽中對連結層造成損害。
10、10A、90‧‧‧靜電吸附承盤
11、11A、91‧‧‧上部元件
111、111A‧‧‧上部元件的底部
112、112A‧‧‧上部元件的頂部
12、12A、93‧‧‧連結層
13、13A、92‧‧‧下部元件
131、131A‧‧‧下部元件的頂部
132、132A‧‧‧上部元件的底部
14、14A、113‧‧‧溝槽
20、20A、20B、20C、20C’、20D、140‧‧‧O形環
21、21A、21B、21C、21C’、21D‧‧‧主密封部
211、211A、211B、211C、211C’、211D‧‧‧主密封部的邊角
22、22A、22B、22C、22C’、22D‧‧‧第一副密封部
221、221A、221B、221C、221C’、221D‧‧‧第一副密封部的邊角
23A、23C、23C’‧‧‧第二副密封部
231A、231C、231C’‧‧‧第二副密封部的倒角
24D‧‧‧第三副密封部
30、30A、100‧‧‧延伸單元
31、31A、110‧‧‧縫隙
40、120‧‧‧電漿氣體
w、w11‧‧‧上部元件的底部截面寬度
W、W11‧‧‧上部元件的頂部截面寬度
w’、w”‧‧‧連結層的截面寬度
w13‧‧‧下部元件的頂部截面寬度
W13‧‧‧下部元件的底部截面寬度
D‧‧‧深度
H‧‧‧第三副密封部的高度
h‧‧‧主密封部的高度
130‧‧‧環氧樹脂
150‧‧‧密封點
圖1係本發明之改良密封件的第一實施例圖。
圖2係本發明之改良密封件的第二實施例圖。
圖3係本發明之改良密封件的第三實施例圖。
圖4係本發明之改良密封件的第四實施例圖。
圖5係本發明之改良密封件的第五實施例圖。
圖6係本發明之改良密封件的第六實施例圖。
圖7係現有技術之電漿蝕刻設備的靜電吸附承盤的示意圖。
圖8係現有技術之環氧樹脂填入溝槽中的示意圖。
圖9係現有技術之可更換式的O形環填入溝槽中的示意圖。
以下請配合圖式及本發明之較佳實施例，進一步闡述本發明為達成預定發明目的所採取的技術手段。
本發明之改良密封件使用於靜電吸附承盤10的側壁，其中該靜電吸附承盤10包括有一上部元件11、一連結層12以及一下部元件13，該上部元件11的底部111截面寬度w小於頂部112的截面寬度W，而該連結層12連接上部元件11的底部111與下部元件13，並且於連結層12的側部外緣形成有一溝槽14，所述溝槽14形成於上部元件11與下部元件13之間。
本發明之改良密封件使用前先將溝槽14內的軟質連結層12清除一深度D，使連結層12的截面寬度w’小於上部元件11之底部111的截面寬度w，藉以使溝槽14的截面呈L型，如圖1及2所示。
本發明之改良密封件的第一實施例如圖1所示，該改良密封件係形成為一O形環20，該O形環20的截面係為L型，藉此與L型的溝槽14相對應，該O形環20其包括：一主密封部21以及一第一副密封部22，該主密封部21與該第一副密封部22係呈一體成形設置，該主密封部21朝向溝槽14的一側具有一邊角211，該邊角211係為一倒角，並且該邊角211與上部元件11之底部111與頂部112間的轉折處相對應。該第一副密封部22自主密封部21的內緣朝向溝槽14方向突出於該主密封部21，該第一副密封部22朝向溝槽14的一側具有兩邊角221，所述兩邊角221均為倒角，並且所述邊角221分別與上部元件11之底部111與連結層12間的轉折處以及下部元件13與連結層12間的轉折處相對應，而所述倒角的設置使O形環20更容易安裝於溝槽14內，以密封該溝槽14。
本發明所搭配使用的靜電吸附承盤10的側壁周緣進一步設有一延伸單元30，該延伸單元30與靜電吸附承盤10間存在有縫隙31，該縫隙31與溝槽14相連通，如圖2所示，並且蝕刻製程所使用的電漿氣體40會經由該縫隙31進入延伸單元30與靜電吸附承盤10之間，進而對溝槽14內的軟質連結層12進行侵蝕，產生漏氣現象。
本發明之改良密封件的第二實施例如圖2所示，該改良密封件形成為一O形環20A，該O形環20A的截面大致為L型，藉此與L型的溝槽14相對應，該O形環20A包括：一主密封部21A、一第一副密封部22A以及一第二副密封部23A，該主密封部21A、該第一副密封部22A以及該第二副密封部23A係呈一體成形設置，該主密封部21A朝向溝槽14的一側具有一邊角211A，該邊角211A係為一倒角，並且該邊角211A與上部元件11之底部111與頂部112間的轉 折處相對應。該第一副密封部22A自主密封部21A的內緣朝向溝槽14方向突出於該主密封部21A，該第一副密封部22A朝向溝槽14的一側具有兩邊角221A，所述兩邊角221A均為倒角，並且所述邊角221A分別與上部元件11之底部111與連結層12間的轉折處以及下部元件13與連結層12間的轉折處相對應，所述倒角的設置使O形環20A更容易安裝於溝槽14內，以密封該溝槽14。而該第二副密封部23A自主密封部21A的外緣朝向遠離溝槽14方向突出於該主密封部21A，並且緊鄰於主密封部21A與上部元件11之頂部112的接觸處，該第二副密封部23A朝向遠離溝槽14的一側具有一倒角231A，並且所述第二副密封部23A可以將延伸單元30與靜電吸附承盤10間的縫隙31封閉，以阻止蝕刻製程所使用的電漿氣體40進入該縫隙31與溝槽14中。
本發明之改良密封件使用於另一型態之靜電吸附承盤10A的側壁，其中該靜電吸附承盤10A包括有一上部元件11A、一連結層12A以及一下部元件13A，該上部元件11A的底部111A截面寬度w11小於頂部112A的截面寬度W11，該下部元件13A的頂部131A截面寬度w13小於底部132A的截面寬度W13，而該連結層12A連接上部元件11A的底部111A與下部元件13A的頂部131A，並且於連結層12A的側部外緣形成有一溝槽14A，所述溝槽14A形成於上部元件11A與下部元件13A之間。
本發明之改良密封件使用前先將溝槽14A內的軟質連結層12A同樣清除一深度D，使連結層12A的截面寬度w”小於上部元件11A之底部111A的截面寬度w11以及下部元件13A之頂部131A的截面寬度w13，藉以使溝槽14A的截面呈T型，如圖3至5所示。
本發明之改良密封件的第三實施例如圖3所示，該改良密封件係形成為一O形環20B，該O形環20B的截面係為T型，藉此與T型的溝槽14A相對應，該O形環20B其包括：一主密封部21B以及一第一副密封部22B，該主密封 部21B與該第一副密封部22B係呈一體成形設置，該主密封部21B朝向溝槽14A的一側具有兩邊角211B，所述邊角211B係為倒角，並且所述邊角211B分別與上部元件11A之底部111A與頂部112A間的轉折處以及下部元件13A之頂部131A與底部132A間的轉折處相對應。該第一副密封部22B自主密封部21B的內緣朝向溝槽14A方向突出於該主密封部21B，該第一副密封部22B朝向溝槽14A的一側具有兩邊角221B，所述兩邊角221B均為倒角，並且所述邊角221B分別與上部元件11A之底部111A與連結層12A間的轉折處以及下部元件13A之頂部131A與連結層12A間的轉折處相對應，而所述倒角的設置使O形環20B更容易安裝於溝槽14A內，以密封該溝槽14A。
本發明所搭配使用之另一型態的靜電吸附承盤10A的側壁周緣進一步設有一延伸單元30A，該延伸單元30A與靜電吸附承盤10A間存在有縫隙31A，該縫隙31A與溝槽14A相連通，如圖4所示，並且蝕刻製程所使用的電漿氣體40會經由該縫隙31A進入延伸單元30A與靜電吸附承盤10A之間，進而對溝槽14A內的軟質連結層12A進行侵蝕，使連結層12A產生破損、漏氣現象。
本發明之改良密封件的第四實施例如圖4所示，該改良密封件形成為一O形環20C，該O形環20C的截面大致為T型，藉此與T型的溝槽14A相對應，該O形環20C包括：一主密封部21C、一第一副密封部22C以及一第二副密封部23C，該主密封部21C、該第一副密封部22C以及該第二副密封部23C係呈一體成形設置，該主密封部21C朝向溝槽14A的一側具有兩邊角211C，所述邊角211C係為倒角，並且所述邊角211C分別與上部元件11A之底部111A與頂部112A間的轉折處以及下部元件13A之頂部131A與底部132A間的轉折處相對應。該第一副密封部22C自主密封部21C的內緣朝向溝槽14A方向突出於該主密封部21C，該第一副密封部22C朝向溝槽14A的一側具有兩邊角221C，所述兩邊角221C均為倒角，並且所述邊角221C分別與上部元件11A之底部111A與連結層 12A間的轉折處以及下部元件13A之頂部131A與連結層12A間的轉折處相對應，而所述倒角的設置使O形環20C更容易安裝於溝槽14A內，以密封該溝槽14A。而該第二副密封部23C自主密封部21C的外緣朝向遠離溝槽14A方向突出於該主密封部21C，並且緊鄰於主密封部21C與上部元件11A之頂部112A的接觸處，該第二副密封部23C朝向遠離溝槽14A的一側具有一倒角231C，並且所述第二副密封部23C可以將延伸單元30A與靜電吸附承盤10A間的縫隙31A封閉，以阻止蝕刻製程所使用的電漿氣體40進入該縫隙31A與溝槽14A中。
本發明之改良密封件的第五實施例如圖5所示，該改良密封件形成為一O形環20C’，該O形環20C’的截面大致亦為T型，藉此與T型的溝槽14A相對應，該O形環20C’包括：一主密封部21C’、一第一副密封部22C’以及三個第二副密封部23C’，該主密封部21C’、該第一副密封部22C’以及所述三個第二副密封部23C’係呈一體成形設置，該主密封部21C’朝向溝槽14A的一側具有兩邊角211C’，所述邊角211C’係為倒角，並且所述邊角211C’分別與上部元件11A之底部111A與頂部112A間的轉折處以及下部元件13A之頂部131A與底部132A間的轉折處相對應。該第一副密封部22C’自主密封部21C’的內緣朝向溝槽14A方向突出於該主密封部21C’，該第一副密封部22C’朝向溝槽14A的一側具有兩邊角221C’，所述兩邊角221C’均為倒角，並且所述邊角221C’分別與上部元件11A之底部111A與連結層12A間的轉折處以及下部元件13A之頂部131A與連結層12A間的轉折處相對應，而所述倒角的設置使O形環20C’更容易安裝於溝槽14A內，以密封該溝槽14A。所述第二副密封部23C’分別自主密封部21C’的上、中、下部外緣朝向遠離溝槽14A方向突出於該主密封部21C’，並且所述第二副密封部23C’分別朝向遠離溝槽14A的一側具有倒角231C’，使所述第二副密封部23C’可以將延伸單元30A與靜電吸附承盤10A間的縫隙31A多段封閉，以阻止蝕刻製程所使用的電漿氣體40進入該縫隙31A與溝槽14A中。所述第二副密封部 23C’不限於分別自主密封部21C’的上、中、下部向外突出，本實施例僅以此作為示例，於此不再贅述。
本發明之改良密封件的第六實施例如圖6所示，該改良密封件形成為一O形環20D，該O形環20D的截面大致為T型，該O形環20D包括：一主密封部21D、一第一副密封部22D以及一第三副密封部24D，該主密封部21D、該第一副密封部22D以及該第三副密封部24D係呈一體成形設置，該主密封部21D朝向溝槽14A的一側具有兩邊角211D，所述邊角211D係為倒角，並且所述邊角211D分別與上部元件11A之底部111A與頂部112A間的轉折處以及下部元件13A之頂部131A與底部132A間的轉折處相對應。該第一副密封部22D自主密封部21D的內緣朝向溝槽14A方向突出於該主密封部21D，該第一副密封部22D朝向溝槽14A的一側具有兩邊角221D，所述兩邊角221D均為倒角，並且所述邊角221D分別與上部元件11A之底部111A與連結層12A間的轉折處以及下部元件13A之頂部131A與連結層12A間的轉折處相對應，而所述倒角的設置使O形環20D更容易安裝於溝槽14A內，以密封該溝槽14A。而該第三副密封部24D係由主密封部21D的外緣朝向遠離溝槽14A方向突出於該主密封部21D，並且該第三副密封部24D的高度H大於主密封部21D的高度h，且該第三副密封部24D分別與上部元件11A之頂部112A以及下部元件13A之底部132A的外緣相連接接觸，使所述縫隙31A部分被第三副密封部24D填入並且封閉，以阻止電漿氣體40進入縫隙31A與溝槽14A中對軟質連結層12A產生侵蝕以致漏氣。
前述各種O形環20、20A、20B、20C、20C’、20D均係由具有彈性之橡膠所製成，其具有彈性的特性使得O形環20、20A、20B、20C、20C’、20D裝設進入溝槽14、14A後可以完全密封所述溝槽14、14A，以達到保護軟質連結層12、12A免於被侵蝕以致漏氣的目的。
綜上所述，本案所提供之裝設於靜電吸附承盤10側壁的改良密封件，其利用多層次的複數密封部設置，使本發明之改良密封件與靜電吸附承盤10的側壁間具有雙重、甚至三重密封點，並且完全填滿所述溝槽14、14A，縱使該改良密封件的第一密封點被電漿氣體40長久侵蝕而破損，仍能有效防止漏氣的情形發生，並且即時更換改良密封件，降低密封件未如預期地突然縱裂或變薄破損而導致漏氣所造成的產能損失，使半導體製程有更進一步的發展。
以上所述僅是本發明的較佳實施例而已，並非對本發明做任何形式上的限制，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然而並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明技術方案的範圍內，當可利用上述揭示的技術內容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬於本發明技術方案的範圍內。
10A‧‧‧靜電吸附承盤
11A‧‧‧上部元件
111A‧‧‧上部元件的底部
112A‧‧‧上部元件的頂部
12A‧‧‧連結層
13A‧‧‧下部元件
131A‧‧‧下部元件的頂部
132A‧‧‧上部元件的底部
14A‧‧‧溝槽
20D‧‧‧O形環
21D‧‧‧主密封部
211D‧‧‧主密封部的邊角
22D‧‧‧第一副密封部
221D‧‧‧第一副密封部的邊角
24D‧‧‧第三副密封部
30A‧‧‧延伸單元
31A‧‧‧縫隙
40‧‧‧電漿氣體
H‧‧‧第三副密封部的高度
h‧‧‧主密封部的高度

Claims (8)

  1. 一種靜電吸附承盤側壁之改良密封件，其中該靜電吸附承盤包括有一上部元件、一連結層以及一下部元件，該連結層連接上部元件與下部元件，並且於連結層的側部外緣形成有一溝槽，所述溝槽形成於上部元件與下部元件之間，而所述改良密封件係形成為一O形環，其包括：一主密封部，該主密封部朝向溝槽的一側具有至少一邊角，所述邊角係為倒角；以及至少一副密封部，所述副密封部自主密封部的周緣朝向遠離主密封部方向突出於該主密封部，並且該至少一副密封部與該主密封部呈一體成形設置；其中，所述副密封部具有一第一副密封部，該第一副密封部係由主密封部的內緣朝向溝槽方向突出於該主密封部；所述副密封部還具有至少一第二副密封部，所述第二副密封部係由主密封部的外緣朝向遠離溝槽方向突出於該主密封部，且所述第二副密封部朝向遠離溝槽的一側具有倒角。
  2. 如請求項1所述之靜電吸附承盤側壁之改良密封件，其中該第一副密封部朝向溝槽的一側具有兩邊角，所述兩邊角係為兩倒角。
  3. 如請求項1或2所述之靜電吸附承盤側壁之改良密封件，其中該形成為O形環之改良密封件的截面係為一L型。
  4. 如請求項1所述之靜電吸附承盤側壁之改良密封件，其中該主密封部朝向溝槽的一側具有至少一邊角為兩邊角，所述邊角係為倒角。
  5. 如請求項4所述之靜電吸附承盤側壁之改良密封件，其中該第一副密封部朝向溝槽的一側具有兩邊角，所述兩邊角係為兩倒角。
  6. 如請求項4或5所述之靜電吸附承盤側壁之改良密封件，其中該形成為O形環之改良密封件的截面係為一T型。
  7. 一種靜電吸附承盤側壁之改良密封件，其中該靜電吸附承盤包括有一上部元件、一連結層以及一下部元件，該連結層連接上部元件與下部元件，並且於連結層的側部外緣形成有一溝槽，所述溝槽形成於上部元件與下部元件之間，而所述改良密封件係形成為一O形環，其包括：一主密封部，該主密封部朝向溝槽的一側具有兩邊角，所述邊角係為倒角；以及至少一副密封部，所述副密封部自主密封部的周緣朝向遠離主密封部方向突出於該主密封部，並且該至少一副密封部與該主密封部呈一體成形設置；所述副密封部具有一第一副密封部，該第一副密封部係由主密封部的內緣朝向溝槽方向突出於該主密封部；所述副密封部還具有一第三副密封部，該第三副密封部係由主密封部的外緣朝向遠離溝槽方向突出於該主密封部，並且該第三副密封部的高度大於主密封部的高度，且該第三副密封部分別與上部元件以及下部元件的外緣相連接接觸。
  8. 如請求項7所述之靜電吸附承盤側壁之改良密封件，其中該第一副密封部朝向溝槽的一側具有兩邊角，所述兩邊角係為兩倒角。
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