TWM496228U - 晶圓托盤結構 - Google Patents

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TWM496228U
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Taiwan
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TW103219045U
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I-Chieh Chen
Shih-Sin Luo
Original Assignee
Advanced System Technology Co Ltd
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晶圓托盤結構
本創作係為一種晶圓托盤結構,特別為一種具有方便定位之邊緣凸起及防止漏氣之凹槽的晶圓托盤結構。
近年來由於可攜式電子產品的應用與日俱增,半導體晶圓的需求也隨著大幅的增加,半導體製程也就越來越受到重視。
然而,半導體製程中,有時因為蓋體與托盤結合不夠緊密,以致製程中使用的蝕刻藥劑或其他氣體洩漏,而浪費了部份的資源或產生污染的疑慮,有時甚至因蓋體或托盤之通氣孔產生阻塞而影響了晶圓產出的良率。
第1圖所示,即為習知的晶圓托盤與蓋體之示意圖,其主要具有蓋體部401及盤體部402,蓋體部401係比盤體部402為大,並且係以包覆遮蓋的方式蓋住盤體部402。所示的習知晶圓托盤與蓋體使用時,即因蓋體部401及盤體部402之間容易產生縫隙而導致漏氣。
另一方面,習知的蓋體部401所使用的氣孔(圖未 示),經常只是在蓋體部401相對每一晶圓的上方形成一個孔洞,使用時間一久便會產生阻塞而大幅影響晶圓生產的良率。
因此,一個創新的晶圓托盤結構便有應運而生的急迫需求,除了重量輕、價錢便宜、容易製造,更必須能防呆、方便定位、防止阻塞及防止漏氣,則必定可以大幅增加晶圓製程之整體產出,對於半導體產業與使用電子元件的製造業者來說,都能提供甚大的節省成本與增加產能之貢獻。
本創作係為一種晶圓托盤結構,其包括:一托盤;複數個晶圓平台;複數個柱狀體;以及一上蓋。每一晶圓平台具有:一容置面;及一邊緣凸起。上蓋具有:複數個容置區;複數個定位孔;及複數個氣孔。藉由本創作之實施,可以使晶圓托盤結構更易於密合、更易於對晶圓定位、防止漏氣、上蓋之氣孔不易阻塞,柱狀體與相對應的定位孔更具有防呆功能使上蓋及托盤可以容易且無誤的緊密結合。
本創作係提供一種晶圓托盤結構,其包括:一托盤,其為一盤體並具有一第一表面,托盤周緣係形成有環狀之一凹槽;複數個晶圓平台,不相接觸地凸出形成於第一表面,其中每一晶圓平台具有:一容置面;及一邊緣凸起,形成於容置面之一側邊上並凸出容置面;複數個柱狀體,不相接觸地凸出形成於第一表面,且任一柱狀體係不與任一晶圓平台相接觸;以及一上蓋,其為具有一第二表面之一盤體,上蓋之大小係與托盤之大小相當,並可分離地密封覆蓋托盤,又上蓋具有:複數個容置區,與 該些晶圓平台一對一相對應地凹陷形成於第二表面,每一容置區並可包容相對應之一晶圓平台,每一容置區之一側邊並形成一直線部與相對應的一晶圓平台之邊緣凸起相對應;複數個定位孔,不相接觸地凹陷形成於第二表面,且任一定位孔係不與任一容置區相接觸;及複數個氣孔,每一氣孔係凹陷形成於一容置區之周緣並貫通至第二表面。
藉由本創作的實施,可達到下列進步功效:
一、晶圓托盤結構更易於密合。
二、更易於對晶圓定位。
三、上蓋及托盤蓋合時可防止漏氣。
四、上蓋之氣孔不易阻塞。
五、柱狀體與相對應的定位孔具有防呆功能,使上蓋及托盤可以容易且無誤的緊密結合。
為了使任何熟習相關技藝者了解本創作之技術內容並據以實施,且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式,任何熟習相關技藝者可輕易地理解本創作相關之目的及優點,因此將在實施方式中詳細敘述本創作之詳細特徵以及優點。
100‧‧‧晶圓托盤結構
10‧‧‧托盤
11‧‧‧第一表面
12‧‧‧凹槽
20‧‧‧晶圓平台
21‧‧‧容置面
22‧‧‧邊緣凸起
30‧‧‧柱狀體
40‧‧‧上蓋
41‧‧‧第二表面
42‧‧‧容置區
421‧‧‧直線部
43‧‧‧氣孔(缺口)
44‧‧‧定位孔
50‧‧‧通孔
第1圖係為習知之一種晶圓托盤與上蓋之剖視示意圖。
第2圖係為本創作實施例之一種晶圓托盤結構之立體示意圖。
第3圖係為本創作實施例之一種托盤與上蓋之剖視示意圖。
第4圖係為本創作實施例之一種托盤之立體示意圖。
第5圖係為本創作實施例之一種上蓋之立體示意圖。
第6圖係為本創作實施例之一種托盤之晶圓平台進一步具有通孔之立體示意圖。
如第2圖所示,本實施例為一種晶圓托盤結構100,其包括有:一托盤10;複數個晶圓平台20;複數個柱狀體30;以及一上蓋40。
如第2圖及第3圖所示,托盤10,其為一盤體並具有一第一表面11,托盤10周緣並形成有環狀之一凹槽12,亦即凹槽12凹陷形成於托盤10周緣。而所述托盤10之材質,可以是金屬、合金或金屬化合物材質所製成,且凹槽12之內係可以設置一個O型環(O-Ring),所設置之O型環可以恰好填滿凹槽12,且設置於凹槽12之O型環的上緣可以與第一表面11相齊平。
如第2圖、第3圖及第4圖所示,複數個晶圓平台20,不相接觸地凸出形成於第一表面11上,且每一晶圓平台20具有:一容置面21;及一邊緣凸起22。邊緣凸起22係形成於容置面21之一側邊上並凸出容置面21。其中每一邊緣凸起22與相對應之容置面21連接處係可以形成為一平面。
如第2圖至第4圖所示之每一個晶圓平台20之大小,係可以製造成為為恰可容置一晶圓,又晶圓之直線邊並接觸邊緣凸起22且與邊緣凸起22切齊,如此,對晶圓之定位便非常容易。
再如第2圖至第4圖所示,複數個柱狀體30,不相接觸地凸出形成於第一表面11上,且任一柱狀體30係不與任一晶圓 平台20相接觸。柱狀體30可以是與托盤10一體成型,也可以是托盤10形成之後再固設柱狀體30於托盤10之上。另外,柱狀體30之材質可與托盤10相同,也可以是其他質輕堅硬之材質所製成。
請再參考如第2圖及第3圖所示,上蓋40,其為具有一第二表面41之另一個盤體,上蓋40之大小係與托盤10之大小相當,並可分離地密封覆蓋托盤10。上蓋40係可以為與托盤10相同之金屬材質、合金材質或金屬化合物材質所製成,或可以為與托盤10相異之金屬材質、合金材質或金屬化合物材質所製成。
如第2圖及第3圖所示,由於托盤10的凹槽12之內可以設置一個O型環,在上蓋40覆蓋托盤10時,O型環可以加強產生之密封效果,使反應用之化學氣體於製程中不會產生洩漏。
如第2圖、第3圖及第5圖所示,上蓋40具有:複數個容置區42、複數個定位孔44及複數個氣孔43。該些容置區42係與該些晶圓平台20一對一相對應地凹陷形成於上蓋40之第二表面41,每一容置區42並可包容相對應之一晶圓平台20及晶圓平台20所乘載之晶圓,每一容置區42之一個側邊並形成有一直線部421,直線部421與相對應的晶圓平台20之邊緣凸起22相對應,且可以相契合。
如第2圖、第3圖及第5圖所示,定位孔44係不相接觸地凹陷形成於上蓋40之第二表面41,且任一定位孔44係不與任一第二表面41上之容置區42相接觸,其中每一定位孔44係與托盤10的一柱狀體30相對應,並恰可容置相對應之柱狀體30。如此,上蓋40與托盤10蓋合時,每一次皆一定自相對應的定位孔44與柱狀體30處結合而不致產生錯誤,因而具有防呆之功效。
同樣如第2圖、第3圖及第5圖所示,上蓋40又具有複數個氣孔43,每一氣孔43係凹陷形成於一容置區42之周緣上並貫通至第二表面41。也就是說,每一容置區42都有一個氣孔43,自容置區42內部貫穿至第二表面41上,由於氣孔43係形成如一個缺口的形式,在製程進行中較不易產生阻塞,而能確保晶圓製造之良率。
接著請參考如第6圖所示,晶圓托盤10結構之每一個晶圓平台20的表面上可以進一步具有複數個通孔50。通孔50之功用為在製程進行中,可以自通孔50通入氣體,做為溫度傳導的介質,以提高整體製程之效率。通孔50之形狀或數量並無特殊之限定,且自通孔50通入之氣體的材質或壓力,更可以視應用之需求而定。
總而言之,如以上各實施例所述,本創作晶圓托盤結構100,具有托盤10之凹槽12可以設置一個O型環,使得上蓋40與托盤10更易於密合,且可以加強氣密而免於產生漏氣;具有柱狀體30與相對應的定位孔44而具有防呆功能,使上蓋及托盤可以容易且無誤的緊密結合;具有邊緣凸起22與可相契合的直線部421,更易於對晶圓定位;上蓋40的每一容置區42都具有一個氣孔43,自容置區42內部貫穿至第二表面41上,形成如一個缺口的形式,在製程進行中較不易產生阻塞,而能確保晶圓製造之良率。
惟上述各實施例係用以說明本創作之特點,其目的在使熟習該技術者能瞭解本創作之內容並據以實施,而非限定本創作之專利範圍,故凡其他未脫離本創作所揭示之精神而完成之等效修飾或修改,仍應包含在以下所述之申請專利範圍中。
100‧‧‧晶圓托盤結構
10‧‧‧托盤
11‧‧‧第一表面
12‧‧‧凹槽
20‧‧‧晶圓平台
30‧‧‧柱狀體
40‧‧‧上蓋
41‧‧‧第二表面
44‧‧‧定位孔

Claims (9)

  1. 一種晶圓托盤結構,其包括:一托盤,其為一盤體並具有一第一表面,該托盤周緣係形成有環狀之一凹槽;複數個晶圓平台,不相接觸地凸出形成於該第一表面,其中每一該晶圓平台具有:一容置面;及一邊緣凸起,形成於該容置面之一側邊上並凸出該容置面;複數個柱狀體,不相接觸地凸出形成於該第一表面,且任一該柱狀體係不與任一該晶圓平台相接觸;以及一上蓋,其為具有一第二表面之一盤體,該上蓋之大小係與該托盤之大小相當,並可分離地密封覆蓋該托盤,又該上蓋具有:複數個容置區,與該些晶圓平台一對一相對應地凹陷形成於該第二表面,每一該容置區並可包容相對應之一該晶圓平台,每一該容置區之一側邊並形成一直線部與相對應的一該晶圓平台之該邊緣凸起相對應;複數個定位孔,不相接觸地凹陷形成於該第二表面,且任一該定位孔係不與任一該容置區相接觸;及複數個氣孔,每一該氣孔係凹陷形成於一該容置區之周緣並貫通至該第二表面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓托盤結構,其中該凹槽係容置有一O型環(O-Ring)。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓托盤結構,其中每一該晶圓 平台之該容置面恰可容置一晶圓,該晶圓並接觸該邊緣凸起。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之晶圓托盤結構,其中該晶圓之一直線邊係與該邊緣凸起切齊。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓托盤結構,其中每一該定位孔係與一該柱狀體相對應並恰可容置該柱狀體。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓托盤結構,其中每一該晶圓平台之表面進一步具有複數個通孔。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓托盤結構,其中每一該邊緣凸起與相對應之該容置面連接處係為一平面,且與相對應的該直線部相契合。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓托盤結構,其中該托盤及該上蓋係為相同之金屬材質或合金材質或金屬化合物材質所製成。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓托盤結構,其中該托盤及該上蓋係為相異之金屬材質或合金材質或金屬化合物材質所製成。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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