TWM535874U - 晶圓吸附載盤 - Google Patents

Description

晶圓吸附載盤

本新型是有關於一種用於半導體製程的裝置，特別是指一種用於吸附晶圓的載盤。

現今智慧型手機等電子裝置已朝著輕薄短小的方向設計，為了因應此趨勢上述電子裝置所使用的晶片也越作越薄。把經過晶棒切割後所得到的一片晶圓再進行精密切割可以得到兩片更薄的晶圓，以符合目前業界對於晶圓的薄度需求標準。

對晶圓進行精密切割時必須將晶圓穩固地固定在一平台上，以免在切割的過程中晶圓因為晃動而導致破裂。在進行晶圓切割的過程中，為了避免未吸附在吸盤上的另一片晶圓掉落破裂，所以一般會在晶圓側邊以黏膠將兩片晶圓固定於一支撐件上。然而，晶圓側邊的黏膠往往會滲漏至晶圓與平台之間而造成平台無法穩固地固定晶圓，進而導致晶圓因為晃動而破裂。

因此，本新型之目的，即在提供一種在晶圓精密切割的過程中，能避免被黏膠影響吸附力的晶圓吸附載盤。

於是，本新型晶圓吸附載盤在一些實施態樣中，適用於吸附一晶圓，且配合一黏著在該晶圓之部分側緣的支撐件使用，該晶圓吸附載盤包含一盤體以及多個吸孔。該盤體包括相反的一底面與一頂面、一自該底面之周緣延伸至該頂面之周緣的圍繞面，及一凹陷形成在該圍繞面之一側的溝槽。該溝槽延伸至該頂面以在該頂面形成一缺口，該頂面供該晶圓放置，且該溝槽之缺口被該晶圓覆蓋而使晶圓之該部分側緣鄰近該溝槽。該等吸孔貫穿盤體的該底面與該頂面。

在一些實施態樣中，該盤體之溝槽的截面為半圓形。

在一些實施態樣中，還包含一自該盤體之底面徑向朝外凸伸的底盤、一貫穿該盤體與該底盤的第一鎖固孔，及多個貫穿該底盤的第二鎖固孔，該等吸孔貫穿該盤體與該底盤且該盤體之溝槽是自該頂面延伸至該底盤。

在一些實施態樣中，該盤體與該底盤概呈圓形。

在一些實施態樣中，該盤體還包括兩形成於該圍繞面且分別自該溝槽的兩側緣反向延伸的平口部，晶圓之該部分側緣凸出該平口部。

在一些實施態樣中，該溝槽之截面積占該盤體總面積的4%至6%。

在一些實施態樣中，該等吸孔中的其中部分鄰近該溝槽且以該溝槽中心為基準成等間隔環狀排列。

本新型至少具有以下功效：該盤體之溝槽可供溢出之黏膠流入，以避免黏膠滲漏至晶圓與該盤體之間而堵塞盤體之該等吸孔而造成吸附力下 降，以防止晶圓因為吸附力不足導致晃動而破裂。

1‧‧‧盤體

11‧‧‧底面

12‧‧‧頂面

13‧‧‧圍繞面

14‧‧‧溝槽

141‧‧‧缺口

15‧‧‧平口部

2‧‧‧底盤

3‧‧‧吸孔

4‧‧‧第一鎖固孔

5‧‧‧第二鎖固孔

8‧‧‧晶圓

9‧‧‧支撐件

91‧‧‧弧面

本新型之其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中：圖1是本新型晶圓吸附載盤的一實施例之一上視圖；圖2是該實施例的一側視圖；及圖3是上視圖，說明該實施例吸附一晶圓時的態樣。

參閱圖1、2，為本新型晶圓吸附載盤之一實施例，該晶圓吸附載盤適用於連接一抽氣裝置(圖未示)以透過真空吸附方式吸附一晶圓8(見圖3)。該晶圓吸附載盤包含一盤體1、一連接該盤體1的底盤2、多個貫穿該盤體1與該底盤2的吸孔3、一貫穿該盤體1與該底盤2的第一鎖固孔4，以及三個貫穿該底盤2的第二鎖固孔5。該盤體1概呈圓形且包括相反的一底面11與一頂面12、一自該底面11之周緣延伸至該頂面12之周緣的圍繞面13、一凹陷形成在該圍繞面13之一側的溝槽14，以及兩個形成於該圍繞面13且分別自該溝槽14的兩側緣反向延伸的平口部15。該溝槽14的截面形狀是半圓形且延伸至該頂面12以在該頂面12形成一缺口141。該底盤2連接該盤體1的底面11並且自該底面11徑向朝外凸伸，且該盤體1的溝槽14是自該頂面12延伸至該底盤2，該等吸孔3貫穿該盤體1與該底盤2。

參閱圖3，該晶圓吸附載盤可藉由該第一鎖固孔4以及該等第二鎖 固孔5鎖固於該抽氣裝置，該抽氣裝置可透過該等吸孔3自盤體1的該頂面12向該底面11之方向進行抽氣，以將該晶圓8吸附於該盤體1之頂面12。當該晶圓8欲進行厚度剖半之精密切割時，需藉由一支撐件9黏著在該晶圓8之部分側緣以免未吸附在該盤體1之頂面12的晶圓8掉落破裂。本實施例的支撐件9是一具有弧面91的石墨條，並且藉由在該支撐件9的弧面91上塗黏膠之方式將該支撐件9黏在該晶圓8之部分側緣。該晶圓8吸附於該盤體1之頂面12時，該盤體1的溝槽14之缺口141被該晶圓8覆蓋且該晶圓8黏有該支撐件9的部分側緣鄰近該溝槽14。當該支撐件9之弧面91上的黏膠溢出時會從形成在該盤體1頂面12之缺口141流入該盤體1之溝槽14，而不會滲漏至該盤體1上，可避免黏膠堵塞該等吸孔3而影響該抽氣裝置的吸附力。在本實施例中，該盤體1之溝槽14的截面積較佳為佔據該盤體1之頂面12總面積的4%至6%，小於此數值範圍較容易有黏膠滲漏至該盤體1的情形(亦即產生溢膠現象)；大於此數值範圍則該晶圓8接觸該盤體1的面積較小而使該晶圓8無法良好地吸附於該晶圓吸附載盤上。此外，盤體1的平口部15可以配合經過側緣研磨的晶圓8使用，而本實施例之多個吸孔3其中三個是鄰近該盤體1之溝槽14並且以該溝槽14的中心當作基準成等間隔環狀排列，以補強該盤體1鄰近該溝槽14處的吸附力。

綜上所述，本新型晶圓吸附載盤，盤體1之溝槽14可供溢出之黏膠流入以避免黏膠滲漏至盤體1而堵塞盤體1之吸孔3而造成吸附力下降，可以防止晶圓8因為吸附力不足導致晃動而破裂，故確實能達成本新型之目的。

惟以上所述者，僅為本新型之實施例而已，當不能以此限定本新 型實施之範圍，凡是依本新型申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本新型專利涵蓋之範圍內。

1‧‧‧盤體

12‧‧‧頂面

14‧‧‧溝槽

141‧‧‧缺口

15‧‧‧平口部

2‧‧‧底盤

3‧‧‧吸孔

4‧‧‧第一鎖固孔

5‧‧‧第二鎖固孔

Claims (8)

1. 一種晶圓吸附載盤，包含：一盤體，包括相反的一底面與一頂面、一自該底面之周緣延伸至該頂面之周緣的圍繞面，及一凹陷形成在該圍繞面之一側的溝槽，該溝槽延伸至該頂面以在該頂面形成一缺口；及多個吸孔，貫穿盤體的該底面與該頂面。
2. 如請求項1所述的晶圓吸附載盤，其中，該晶圓吸附載盤吸附一晶圓時，該盤體之溝槽的缺口被該晶圓覆蓋而使該晶圓之部分側緣鄰近該溝槽。
3. 如請求項1所述的晶圓吸附載盤，其中，該盤體之溝槽的截面為半圓形。
4. 如請求項1所述的晶圓吸附載盤，還包含一自該盤體之底面徑向朝外凸伸的底盤、一貫穿該盤體與該底盤的第一鎖固孔，及多個貫穿該底盤的第二鎖固孔，該等吸孔貫穿該盤體與該底盤且該盤體之溝槽是自該頂面延伸至該底盤。
5. 如請求項1至4其中任一項所述的晶圓吸附載盤，其中，該盤體與該底盤概呈圓形。
6. 如請求項5所述的晶圓吸附載盤，其中，該盤體還包括兩形成於該圍繞面且分別自該溝槽的兩側緣反向延伸的平口部，晶圓之該部分側緣凸出該平口部。
7. 如請求項6所述的晶圓吸附載盤，其中，該溝槽之截面積占該盤體總面積的4%至6%。
8. 如請求項7所述的晶圓吸附裝置，其中，該等吸孔中的其中部分鄰近該溝槽且以該溝槽中心為基準成等間隔環狀排列。