TWM463906U - 晶圓分區吸附結構 - Google Patents
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Description
本創作有關於晶圓貼片製程，尤其是有關於晶圓貼片時的吸附結構。
請參閱「圖1」所示，晶圓劈裂機用於將晶圓1劈裂為一粒粒的晶粒，以進行後續的封裝作業，晶圓1在進行劈裂之前，會先用雷射切割出橫向與縱向的雷射切割線2，晶圓1上的雷射切割線2並未斷裂，其約略保留三分之二的厚度相連，接著將晶圓1貼附一膠膜3並固定於一鐵環4上，再於晶圓1上方覆蓋一保護膜(圖未示)加以保護後，以送入一晶圓劈裂機(圖未示)進行劈裂作業。
請再一併參閱「圖2」所示，晶圓1在進行劈裂作業必須進行貼片作業以貼附膠膜3，而在貼附膠膜3時，必須先利用真空吸盤5吸附固定晶圓1，再利用貼片機(圖未示)貼附膠膜3。
因此，為了確實吸附固定晶圓1，必須依據晶圓1的尺寸選擇適當尺寸的真空吸盤5，以避免晶圓1無法完整覆蓋真空吸盤5的真空孔6，而導致漏氣無法確實固定晶圓1，換句話說，當晶圓1更換尺寸時，習知貼片機就必須停機以更換對應的真空吸盤5，其會造成量產上的困擾。
又當晶圓1破損而殘缺不全時，亦會有無法完整覆蓋真空吸盤5真空孔6的問題，習知只能以手動貼片的方式處理，更是製程上的瓶頸之一。
請再一併參閱「圖2」所示，晶圓1在進行劈裂作業必須進行貼片作業以貼附膠膜3，而在貼附膠膜3時，必須先利用真空吸盤5吸附固定晶圓1，再利用貼片機(圖未示)貼附膠膜3。
因此，為了確實吸附固定晶圓1，必須依據晶圓1的尺寸選擇適當尺寸的真空吸盤5，以避免晶圓1無法完整覆蓋真空吸盤5的真空孔6，而導致漏氣無法確實固定晶圓1，換句話說，當晶圓1更換尺寸時，習知貼片機就必須停機以更換對應的真空吸盤5，其會造成量產上的困擾。
又當晶圓1破損而殘缺不全時，亦會有無法完整覆蓋真空吸盤5真空孔6的問題，習知只能以手動貼片的方式處理，更是製程上的瓶頸之一。
爰此，本創作之主要目的在於揭露一種可適用於各種尺寸晶圓及殘缺晶圓的晶圓分區吸附結構，以增加吸附結構的通用性，滿足使用上的需求。
本創作為一種晶圓分區吸附結構，其包含一真空吸盤與一底板，該真空吸盤的一側具有一吸附面與設置於另一側的複數分區層，該吸附面設置貫穿該真空吸盤的複數真空孔，且該複數真空孔透過該複數分區層的分區隔離形成至少二吸氣分區，該底板覆蓋該真空吸盤具有該複數分區層的一側，並具有對應該至少二吸氣分區的至少二真空源入口。
據此，本創作透過讓該真空吸盤上的複數真空孔區分為至少二吸氣分區，並讓該至少二吸氣分區可以單獨提供吸力，故透過控制該至少二吸氣分區的分區範圍以及是否提供吸力，即可增加通用性，適用於各種尺寸晶圓及殘缺晶圓，而滿足使用上的需求
本創作為一種晶圓分區吸附結構，其包含一真空吸盤與一底板，該真空吸盤的一側具有一吸附面與設置於另一側的複數分區層，該吸附面設置貫穿該真空吸盤的複數真空孔，且該複數真空孔透過該複數分區層的分區隔離形成至少二吸氣分區，該底板覆蓋該真空吸盤具有該複數分區層的一側，並具有對應該至少二吸氣分區的至少二真空源入口。
據此，本創作透過讓該真空吸盤上的複數真空孔區分為至少二吸氣分區，並讓該至少二吸氣分區可以單獨提供吸力，故透過控制該至少二吸氣分區的分區範圍以及是否提供吸力，即可增加通用性，適用於各種尺寸晶圓及殘缺晶圓，而滿足使用上的需求
習知
1‧‧‧晶圓
2‧‧‧雷射切割線
3‧‧‧膠膜
4‧‧‧鐵環
5‧‧‧真空吸盤
6‧‧‧真空孔
本創作
10‧‧‧真空吸盤
101‧‧‧吸附面
11‧‧‧分區層
12‧‧‧真空孔
13‧‧‧螺絲孔
20‧‧‧底板
21‧‧‧真空源入口
22‧‧‧固定孔
30‧‧‧吸氣分區
1‧‧‧晶圓
2‧‧‧雷射切割線
3‧‧‧膠膜
4‧‧‧鐵環
5‧‧‧真空吸盤
6‧‧‧真空孔
本創作
10‧‧‧真空吸盤
101‧‧‧吸附面
11‧‧‧分區層
12‧‧‧真空孔
13‧‧‧螺絲孔
20‧‧‧底板
21‧‧‧真空源入口
22‧‧‧固定孔
30‧‧‧吸氣分區
圖1，為習知待劈裂晶圓之結構示意圖。
圖2，為習知真空吸盤之結構示意圖。
圖3A，本創作真空吸盤俯視結構圖。
圖3B，本創作圖3A的3B-3B剖視圖。
圖4，本創作底板俯視結構圖。
圖5A，本創作真空吸盤與底板組合俯視結構圖。
圖5B，本創作圖5A的5B-5B組合剖視圖。
圖6，本創作吸氣分區實施例示意圖。
圖2，為習知真空吸盤之結構示意圖。
圖3A，本創作真空吸盤俯視結構圖。
圖3B，本創作圖3A的3B-3B剖視圖。
圖4，本創作底板俯視結構圖。
圖5A，本創作真空吸盤與底板組合俯視結構圖。
圖5B，本創作圖5A的5B-5B組合剖視圖。
圖6，本創作吸氣分區實施例示意圖。
為俾使貴委員對本創作之特徵、目的及功效，有著更加深入之瞭解與認同，茲列舉較佳實施例並配合圖式說明如后：
請參閱「圖3A」、「圖3B」、「圖4」、「圖5A」與「圖5B」所示，本創作為一種晶圓分區吸附結構，其包含一真空吸盤10與一底板20，其中該真空吸盤10的一側具有一吸附面101與設置於另一側的複數分區層11，該吸附面101設置貫穿該真空吸盤10的複數真空孔12，且該複數真空孔12透過該複數分區層11的分區隔離形成至少二吸氣分區30，該底板20覆蓋該真空吸盤10具有該複數分區層11的一側，並具有對應該至少二吸氣分區30的至少二真空源入口21，因此只要對該至少二真空源入口21進行抽氣，即可於其對應的真空孔12產生吸力，以供吸附固定晶圓使用。
又該底板20具有複數固定孔22，而該真空吸盤10具有對應該複數固定孔22的複數螺絲孔13，以讓該底板20與該真空吸盤10透過該複數固定孔22與該複數螺絲孔13的卡合而固定不動。
此外，本創作的該至少二吸氣分區30的位置分佈可以依據需要而自由配置，如該至少二吸氣分區30可以為同心圓分佈於該真空吸盤10上；或者該至少二吸氣分區30可以為左右對稱的半圓分佈於該真空吸盤10上；另，其中較佳的實施方式為該至少二吸氣分區30於該真空吸盤10中心可以為同心圓分佈，且於該真空吸盤10外圍為左右對稱的半圓分佈。
請參閱「圖6」所示，為本創作較佳的實施方式之一，其中該至少二吸氣分區30於該真空吸盤10中心為同心圓分佈，且於該真空吸盤10外圍為左右對稱的半圓分佈，其數量為六個，且二個為同心圓分佈，四個為左右對稱的半圓分佈。因而中心為同心圓分佈的吸氣分區30於吸複固定小尺寸晶圓可以提供良好吸力，而左右對稱半圓分佈的吸氣分區30則在吸附殘缺的晶圓時，亦可以提供良好吸力，而可滿足使用上的需求。
如上所述，本創作透過至少二吸氣分區的設置，並讓該至少二吸氣分區可以單獨提供吸力，故透過控制該至少二吸氣分區的分區範圍以及是否提供吸力，即可增加通用性，讓各種尺寸晶圓及殘缺晶圓皆具有吸氣分區可以提供良好吸力，而加以固定，其可以滿足使用上的需求。
綜上所述僅為本創作的較佳實施例而已，並非用來限定本創作之實施範圍，即凡依本創作申請專利範圍之內容所為的等效變化與修飾，皆應為本創作之技術範疇。
請參閱「圖3A」、「圖3B」、「圖4」、「圖5A」與「圖5B」所示，本創作為一種晶圓分區吸附結構，其包含一真空吸盤10與一底板20，其中該真空吸盤10的一側具有一吸附面101與設置於另一側的複數分區層11，該吸附面101設置貫穿該真空吸盤10的複數真空孔12，且該複數真空孔12透過該複數分區層11的分區隔離形成至少二吸氣分區30，該底板20覆蓋該真空吸盤10具有該複數分區層11的一側，並具有對應該至少二吸氣分區30的至少二真空源入口21，因此只要對該至少二真空源入口21進行抽氣，即可於其對應的真空孔12產生吸力，以供吸附固定晶圓使用。
又該底板20具有複數固定孔22，而該真空吸盤10具有對應該複數固定孔22的複數螺絲孔13，以讓該底板20與該真空吸盤10透過該複數固定孔22與該複數螺絲孔13的卡合而固定不動。
此外，本創作的該至少二吸氣分區30的位置分佈可以依據需要而自由配置，如該至少二吸氣分區30可以為同心圓分佈於該真空吸盤10上；或者該至少二吸氣分區30可以為左右對稱的半圓分佈於該真空吸盤10上；另，其中較佳的實施方式為該至少二吸氣分區30於該真空吸盤10中心可以為同心圓分佈，且於該真空吸盤10外圍為左右對稱的半圓分佈。
請參閱「圖6」所示，為本創作較佳的實施方式之一，其中該至少二吸氣分區30於該真空吸盤10中心為同心圓分佈，且於該真空吸盤10外圍為左右對稱的半圓分佈，其數量為六個，且二個為同心圓分佈，四個為左右對稱的半圓分佈。因而中心為同心圓分佈的吸氣分區30於吸複固定小尺寸晶圓可以提供良好吸力，而左右對稱半圓分佈的吸氣分區30則在吸附殘缺的晶圓時，亦可以提供良好吸力，而可滿足使用上的需求。
如上所述，本創作透過至少二吸氣分區的設置，並讓該至少二吸氣分區可以單獨提供吸力，故透過控制該至少二吸氣分區的分區範圍以及是否提供吸力，即可增加通用性，讓各種尺寸晶圓及殘缺晶圓皆具有吸氣分區可以提供良好吸力，而加以固定，其可以滿足使用上的需求。
綜上所述僅為本創作的較佳實施例而已，並非用來限定本創作之實施範圍，即凡依本創作申請專利範圍之內容所為的等效變化與修飾，皆應為本創作之技術範疇。
10‧‧‧真空吸盤
101‧‧‧吸附面
11‧‧‧分區層
20‧‧‧底板
21‧‧‧真空源入口
Claims (6)
- 一種晶圓分區吸附結構，其包含：
一真空吸盤，該真空吸盤的一側具有一吸附面與設置於另一側的複數分區層，該吸附面設置貫穿該真空吸盤的複數真空孔，且該複數真空孔透過該複數分區層的分區隔離形成至少二吸氣分區；
一底板，該底板覆蓋該真空吸盤具有該複數分區層的一側，並具有對應該至少二吸氣分區的至少二真空源入口。 - 如申請專利範圍第1項所述之晶圓分區吸附結構，其中該底板具有複數固定孔，而該真空吸盤具有對應該複數固定孔的複數螺絲孔。
- 如申請專利範圍第1項所述之晶圓分區吸附結構，其中該至少二吸氣分區為同心圓分佈於該真空吸盤上。
- 如申請專利範圍第1項所述之晶圓分區吸附結構，其中該至少二吸氣分區為左右對稱的半圓分佈於該真空吸盤上。
- 如申請專利範圍第1項所述之晶圓分區吸附結構，其中該至少二吸氣分區於該真空吸盤中心為同心圓分佈，且於該真空吸盤外圍為左右對稱的半圓分佈。
- 如申請專利範圍第5項所述之晶圓分區吸附結構，其中該至少二吸氣分區為六個，且二個為同心圓分佈，四個為左右對稱的半圓分佈。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW102211856U TWM463906U (zh) | 2013-06-25 | 2013-06-25 | 晶圓分區吸附結構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW102211856U TWM463906U (zh) | 2013-06-25 | 2013-06-25 | 晶圓分區吸附結構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWM463906U true TWM463906U (zh) | 2013-10-21 |
Family
ID=49773015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102211856U TWM463906U (zh) | 2013-06-25 | 2013-06-25 | 晶圓分區吸附結構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWM463906U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113167768A (zh) * | 2018-10-05 | 2021-07-23 | Sonix公司 | 用于超声检查的系统、方法和设备 |
| TWI762590B (zh) * | 2017-03-31 | 2022-05-01 | 美商梭尼克斯公司 | 晶圓卡盤及用於檢查晶圓的方法 |
-
2013
- 2013-06-25 TW TW102211856U patent/TWM463906U/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI762590B (zh) * | 2017-03-31 | 2022-05-01 | 美商梭尼克斯公司 | 晶圓卡盤及用於檢查晶圓的方法 |
| CN113167768A (zh) * | 2018-10-05 | 2021-07-23 | Sonix公司 | 用于超声检查的系统、方法和设备 |
| EP4099008A1 (en) * | 2018-10-05 | 2022-12-07 | Sonix, Inc. | Wafer chuck for ultrasonic inspection |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MK4K | Expiration of patent term of a granted utility model |