KR101223633B1 - 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법 - Google Patents

디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101223633B1
KR101223633B1 KR1020120017102A KR20120017102A KR101223633B1 KR 101223633 B1 KR101223633 B1 KR 101223633B1 KR 1020120017102 A KR1020120017102 A KR 1020120017102A KR 20120017102 A KR20120017102 A KR 20120017102A KR 101223633 B1 KR101223633 B1 KR 101223633B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
adhesive layer
bonding
carrier wafer
carrier
Prior art date
Application number
KR1020120017102A
Other languages
English (en)
Inventor
배준호
김용섭
여원재
도선동
Original Assignee
코스텍시스템(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코스텍시스템(주) filed Critical 코스텍시스템(주)
Priority to KR1020120017102A priority Critical patent/KR101223633B1/ko
Priority to PCT/KR2012/002031 priority patent/WO2013125747A1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101223633B1 publication Critical patent/KR101223633B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Abstract

본 발명은 웨이퍼 처리방법에 관한 것으로서, 특히 디바이스 웨이퍼(device wafer)와 캐리어 웨이퍼(carrier wafer)의 처리방법 및 디본딩 장치에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 임시로 본딩하여 웨이퍼 접합체를 형성하는 임시 접합 단계와, 상기 디바이스 웨이퍼와 상기 캐리어 웨이퍼 사이에 형성된 접착층의 최외곽 중 적어도 일부의 접착력을 저하시켜서 분리 개시점을 형성하는 분리 개시점 형성 단계와, 상기 분리 개시점을 시작점으로 하여 상기 디바이스 웨이퍼와 상기 캐리어 웨이퍼를 디본딩하는 분리 단계를 포함하는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 처리 방법이 제공된다.

Description

디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법 {METHOD FOR BONDING AND DEBONDING BETWEEN DEVICE WAFER AND CARRIER WAFER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING}
본 발명은 웨이퍼 처리방법에 관한 것으로서, 특히 디바이스 웨이퍼(device wafer)와 캐리어 웨이퍼(carrier wafer)의 본딩과 디본딩 처리방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 산업에서 기존 와이어 본딩(wire bonding) 기술은 단일 반도체 패키지로서의 크기는 증가되고 전기적 특성은 저하되기 때문에 최근 메모리 용량은 증가시키고 규격은 소형화하려는 업계의 요구에 대해 그 한계가 있어 왔다.
반도체 산업에서는 단일 반도체 패키지로서의 메모리 용량은 증가시키고 규격은 소형화하려는 요구가 지속적으로 있어 왔으며, 그 결과 최근 3D 집적회로가 제시되었다.
3D 집적회로는 기본적으로 칩 스택(chip stack) 방식으로 이루어지는데, 웨이퍼로부터 절단된 여러 개의 칩을 수직으로 적층하여 하나의 소자를 형성하는 것이다. 이때, 칩들 간의 전기적 연결은 각 칩에 수직으로 홀(hole)을 관통하는 것인데, 이러한 방식의 전기적 연결 방식을 TSV(Through Silicon Via)라고 한다.
TSV에서는 적층된 각 칩들이 홀(hole)을 통해 전기적 연결선이 라우팅(routing)된다. 이렇게 각 홀을 통해 라우팅된 연결선은 적층된 칩들 내부를 통해 수직으로 관통하므로 적층된 각 칩들 사이나 각 칩으로부터 인쇄보드로 내려가는 최단거리로 형성된다.
또한 3D 집적회로와 같이 단일 반도체 패키지로서 적층된 칩들의 전체 두께를 더욱 얇게 하기 위해서는 각 칩들의 절단공정을 거치기 전에 웨이퍼의 두께를 얇게 만들 필요가 있으며, 이러한 분야에서 사용되는 디바이스 웨이퍼의 두께는 보통 얇은 종이 한 장 두께인 50㎛ 정도이며, 바람직하게는 30㎛ 정도로 유지해야 한다.
한편, 반도체 웨이퍼, LCD, PDP, OLED 등은 생산성 향상과 원가 절감이라는 시장 요구에 부응하기 위하여 크기가 점점 커지고 있는 추세로 웨이퍼의 경우 지름 12인치(300mm)까지 이르렀으며, 국내 반도체 장비 기술 로드맵의 발표에 의하면 조만간 지름 450mm의 웨이퍼 시대가 도래할 것으로 예측되고 있다.
웨이퍼는 여러 단계의 공정을 거치는 사이 일정시간 스택 카세트(stack cassette)에 일시 적재해 둘 필요가 있으며 각 공정을 위해 각 프로세싱 머신으로 여러 단계 이송 과정을 거치게 된다.
그런데 지름은 12인치 정도이고 50㎛ 이하의 얇은 두께를 갖는 박막의 디바이스 웨이퍼에 대해 위와 같은 여러 단계의 반도체 공정을 수행하기 위해 원하는 지점으로 이송한다는 것은 아주 어려운 일이다.
특히, 위와 같은 디바이스 웨이퍼는 두께가 얇아서 플렉시블하기 때문에 공정 수행을 위해 웨이퍼를 그립하고 이송하고 안착시키는 반복적인 동작에서 그 표면에 크랙(crack)이 발생하거나 아예 완전히 파손될 수 있다는 점이 가장 큰 어려움이다.
그에 따라, 디바이스 웨이퍼에 대한 반도체 공정 및 공정 중 이송을 안전하게 수행할 수 있도록 디바이스 웨이퍼를 캐리어 웨이퍼에 임시로 본딩(temporary bonding)하여 반도체 공정을 수행한 후 캐리어 웨이퍼를 분리하는(debonding)하는 기술이 제시되었다.
종래의 디본딩 공정은 보통 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 잇는 접착제에 일정한 열을 가하여 캐리어 웨이퍼로부터 디바이스 웨이퍼를 분리한다.
이때, 캐리어 웨이퍼로부터 디바이스 웨이퍼가 분리되기 위해 접착제에 가해진 열이 디바이스 웨이퍼까지 전도되어서 디바이스 웨이퍼의 불량률을 높이는 문제가 발생하게 되는데, 이는 접착제의 성분, 가열온도, 가열시간, 가열체에 따라 확연한 차이를 나타낸다.
또한, 접착제에 일정한 열이 가해져 캐리어 웨이퍼로부터 디바이스 웨이퍼를 분리할 수 있는 정도가 된 경우 웨이퍼로부터 박막의 디바이스 웨이퍼를 분리해 내는 과정에서 디바이스 웨이퍼에 물리적인 충격이 가해져서 디바이스 웨이퍼의 불량률을 높이는 문제가 발생하게 되는데, 이는 캐리어 웨이퍼로부터 박막의 디바이스 웨이퍼를 분리해 내는 동작에 따라 확연한 차이를 나타내기도 한다.
상기의 문제점들을 개선하기 위하여 캐리어 웨이퍼와 디바이스 웨이퍼를 잇는 임시 본딩 접착층으로부터 디바이스 웨이퍼를 손상없이 분리하여 디바이스 웨이퍼의 생산 수율을 향상시킬 수 있는 임시 본딩된 디바이스 웨이퍼에 대한 디본딩 방법의 구현이 요구되고 있다.
본 발명의 목적은 반도체 공정을 수행할 수 있도록 캐리어 웨이퍼와 디바이스 웨이퍼를 임시 본딩하고, 디바이스 웨이퍼의 손상없이 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 분리하여 공정 시간을 절약하는 처리방법 및 이를 위한 장치를 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면,
디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 임시로 본딩하여 웨이퍼 접합체를 형성하는 임시 접합 단계와, 상기 디바이스 웨이퍼와 상기 캐리어 웨이퍼 사이에 형성된 접착층의 최외곽 중 적어도 일부의 접착력을 저하시켜서 분리 개시점을 형성하는 분리 개시점 형성 단계와, 상기 분리 개시점을 시작점으로 하여 상기 디바이스 웨이퍼와 상기 캐리어 웨이퍼를 디본딩하는 분리 단계를 포함하는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 처리 방법이 제공된다.
상기 임시 접합 단계는, 상기 디바이스 웨이퍼의 접합면에 보호층을 형성하는 보호층 형성 단계와, 상기 캐리어 웨이퍼의 접합면에 상대적으로 약한 접착력을 갖는 약접착제를 코팅하여 약접착층을 형성하는 약접착층 형성 단계와, 상기 약접착층 상의 최외곽에 상기 약접착제에 비해 상대적으로 강한 접착력을 갖는 강접착제를 코팅하여 강접착층을 형성하는 강접착층 형성 단계와, 상기 디바이스 웨이퍼와 상기 캐리어 웨이퍼를 합착하는 합착 단계를 구비할 수 있다.
상기 분리 개시점 형성 단계는, 삽입체를 상기 접착층의 최외곽으로 삽입시켜서 상기 강접착층의 적어도 일부에 틈을 형성시킬 수 있다.
상기 삽입체는 상기 웨이퍼 접합체의 상면과 분리가능하게 결합되는 상부 척과는 별도로 형성될 수 있다.
상기 삽입체는 상기 강접착층을 통과하도록 회전할 수 있다.
상기 분리 개시점 형성 단계는, 상기 강접착층에 레이저를 조사하여 상기 강접착층의 적어도 일부의 접착력을 저하시킬 수 있다.
상기 레이저는 상기 웨이퍼 접합체의 측면에서 조사될 수 있다.
상기 캐리어 웨이퍼는 광투과 재질로 이루어지고, 상기 레이저는 상기 캐리어 웨이퍼를 통과하여 상기 강접착층에 조사될 수 있다.
상기 강접착층의 외주 전체의 접착력을 저하시키기 위하여 상기 레이저는 상기 웨이퍼 접합체에 대하여 상대이동할 수 있다.
상기 분리 개시점 형성 단계는, 화학 약품을 이용하여 상기 강접착층의 적어도 일부의 접착력을 저하시킬 수 있다.
상기 화학 약품은 상기 웨이퍼 접합체의 측면에서 분사되어 상기 강접착층으로 주입될 수 있다.
상기 강접착층의 외주 전체의 접착력을 저하시키기 위하여 상기 화학 약품은 상기 웨이퍼 접합체에 대하여 상대이동하며 분사될 수 있다.
상기 분리 개시부 형성 단계는 상기 웨이퍼 접합체를 상기 화학 약품에 담가서 수행될 수 있다.
상기 캐리어 웨이퍼에는 상기 강접착층과 대응하는 위치에 형성된 적어도 하나의 관통 구멍이 마련되며, 상기 화학 약품은 상기 관통 구멍을 통해 상기 강접착층으로 유입될 수 있다.
상기 강접착층은 3mm 이하의 폭으로 형성될 수 있다.
상기 임시 접합 단계는, 상기 디바이스 웨이퍼의 접합면에 제1 접착제를 코팅하여 제1 접착층을 형성하는 제1 접착층 형성 단계와, 상기 캐리어 웨이퍼의 접합면에 제2 접착제를 코팅하여 제2 접착층을 형성하는 제2 접착층 형성 단계와, 상기 디바이스 웨이퍼와 상기 캐리어 웨이퍼를 합착하는 합착 단계를 구비할 수 있다.
상기 분리 개시점 형성 단계는, 삽입체를 상기 접착층의 최외곽으로 삽입시켜서 상기 제1 접착층과 상기 제2 접착층 사이의 적어도 일부에 틈을 형성시킬 수 있다.
상기 삽입체는 상기 웨이퍼 접합체의 상면과 분리가능하게 결합되는 상부 척과 일체로 형성될 수 있다.
상기 삽입체는 상기 웨이퍼 접합체의 상면과 분리가능하게 결합되는 상부 척과는 별도로 형성될 수 있다.
상기 삽입체는 상기 제1 접착층과 상기 제2 접착층 사이를 통과하도록 회전할 수 있다.
상기 분리 개시점 형성 단계는, 상기 접착층의 최외곽에 레이저를 조사하여 상기 접착층의 적어도 일부의 접착력을 저하시킬 수 있다.
상기 레이저는 상기 웨이퍼 접합체의 측면에서 조사될 수 있다.
상기 캐리어 웨이퍼는 광투과 재질로 이루어지고, 상기 레이저는 상기 캐리어 웨이퍼를 통과하여 상기 접착층에 조사될 수 있다.
상기 접착층의 외주 전체의 접착력을 저하시키기 위하여 상기 레이저는 상기 웨이퍼 접합체에 대하여 상대이동할 수 있다.
상기 분리 단계에서는, 상기 웨이퍼 접합체의 상면에 분리가능하게 결합되는 상부 척을 위에서 가압하는 가압부재가, 상기 디바이스 웨이퍼와 상기 캐리어 웨이퍼가 상기 분리 개시점으로부터 반대측으로 가면서 분리됨에 따라 대응하여 이동할 수 있다.
상기 가압부재는 회전 롤러일 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 측면에 따르면,
임시 본딩된 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 구비하는 웨이퍼 접합체가 위에 결합되는 다이싱 테이프와, 하면에 상기 다이싱 테이프가 결합되고 상기 웨이퍼 접합체의 외주를 감싸는 다이싱 프레임이 위에 고정되는 하부 척을 포함하며, 상기 하부 척은 상기 다이싱 프레임이 결합되는 제1 결합면과, 상기 웨이퍼 접합체가 결합되는 제2 결합면을 구비하며, 상기 제2 결합면은 상기 제1 결합면에 대해 돌출된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 접합체의 디본딩 장치가 제공된다.
상기 제1 결합면과 상기 제2 결합면의 차이는, 상기 웨이퍼 접합체가 상기 하부 척에 고정되었을 때, 상기 웨이퍼 접합체의 접착층이 상기 다이싱 프레임보다 상대적으로 높게 위치하도록, 충분히 클 수 있다.
상기 웨이퍼 접합체 디본딩 장치는 상기 웨이퍼 접합체의 상면에 고정되는 상부 척을 더 포함할 수 있다.
상기 상부 척은 탄성을 갖는 유연한 재질일 수 있다.
상기 웨이퍼 접합체 디본딩 장치는 상기 상부 척을 위에서 가압하며 이동가능한 가압부재를 더 포함할 수 있다.
상기 가압부재는 회전 롤러일 수 있다.
상기 가압부재는 상기 상부 척과 접촉하는 연질의 표면을 구비할 수 있다.
본 발명에 의하면 앞서서 기재한 본 발명의 목적을 달성할 수 있다. 구체적으로는, 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 사이에 형성된 접착층 최외곽의 적어도 일부가 삽입체와 같은 물리적 외력, 레이저와 같은 광학적 방식, 화학 약품과 같은 화학적 방식에 의해 그 접착력이 저하되어서 분리 개시점을 형성하게 되므로, 디바이스 웨이퍼의 손상없이 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 분리하는 것이 가능하며 공정 시간을 절약할 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법을 도시한 순서도이다.
도 2는 접착제가 코팅된 캐리어 웨이퍼를 도시한 평면도로서, 접착제가 코팅된 면이 보이도록 도시한 것이다.
도 3은 도 1에 도시된 임시 접합 단계에 의해 형성된 웨이퍼 접합체를 도시한 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 분리 개시점 형성 단계의 제1 실시예가 수행되는 상태를 도시한 도면이다.
도 5는 도 4에 도시된 웨이퍼 접합체의 일부를 확대하여 도시한 단면도이다.
도 6은 도 1에 도시된 분리 개시점 형성 단계의 제2 실시예가 수행되는 상태를 도시한 도면이다.
도 7은 도 1에 도시된 분리 개시점 형성 단계의 제3 실시예가 수행되는 상태를 도시한 도면이다.
도 8 및 도 9는 도 1에 도시된 분리 단계의 일 실시예가 수행되는 상태를 도시한 도면이다.
도 10은 도 1에 도시된 분리 개시점 형성 단계의 제4 실시예가 수행되는 상태를 도시한 도면이다.
도 11은 도 1에 도시된 분리 개시점 형성 단계의 제5 실시예가 수행되는 상태를 도시한 도면이다.
도 12는 도 1에 도시된 분리 개시점 형성 단계의 제6 실시예가 수행되는 웨이퍼 접합체의 구조를 확대하여 도시한 도면이다.
도 13은 도 1에 도시된 분리 개시점 형성 단계의 제7 실시예가 수행되는 웨이퍼 접합체의 구조를 확대하여 도시한 도면이다.
도 14 및 도 15는 본 발명의 도 10 및 도 11에 도시된 실시예에 따른 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 구성 및 개시점 형성 단계 수행 상태를 각각 도시한 도면이다.
도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법을 도시한 순서도이다.
도 17은 도 16에 도시된 임시 접합 단계에 의해 형성된 웨이퍼 접합체를 도시한 단면도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법을 도시한 순서도이다. 도 1을 참조하면, 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 처리방법은 임시 접합 단계(S110)와, 분리 개시점 형성 단계(S120)와, 분리 단계(S130)를 포함한다.
임시 접합 단계(S110)는, 보호막 형성 단계(S111)와, 약접착층 형성 단계(S112)와, 강접착층 형성 단계(S113)와, 합착 단계(S114)를 포함한다. 임시 접합 단계(S110)에서 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼가 접착제에 의해 임시로 본딩되어 웨이퍼 접합체를 형성한다.
보호막 형성 단계(S111)에서는 디바이스 웨이퍼의 접합면(접합시 캐리어 웨이퍼와 접하는 면)에 접착력을 갖는 보호막이 형성된다. 보호막은 스핀 코터(spin coater)와 같은 코팅 장치를 이용하여 디바이스 웨이퍼의 접합면 전체에 코팅된 후 경화되어서 형성된다.
약접착층 형성 단계(S112)에서는 캐리어 웨이퍼의 접합면(접합시 디바이스 웨이퍼와 접하는 면)에 약접착층이 형성된다. 약접착층은 스핀 코터와 같은 코팅 장치를 이용하여 캐리어 웨이퍼의 접합면 전체에 약접착제가 코팅된 후 경화되어서 형성된다. 본 실시예에서 약접착제는 후술하는 강접착제에 비해 상대적으로 접착력이 약한 접착제인 것으로 정의한다. 약접착층의 두께가 40㎛ 이상일 때에는 약접착제의 점도에 따라 세 번 이하의 횟수로 나누어 코팅될 수 있다.
강접착층 형성 단계(S113)에서는 캐리어 웨이퍼에 형성된 약접착층 상에 강접착층이 형성된다. 강접착층은 스핀 코터와 같은 코팅 장치를 이용하여 강접착제가 약접착층 상에 코팅된 후 경화되어서 형성된다. 강접착층은 약접착층의 최외곽에 빙둘러서 형성된다. 도 2에는 약접착층(WB) 상에 강접착층(SB)이 형성된 상태가 도시되어 있다. 도 2를 참조하면, 강접착층(SB)은 원형으로 약접착층(WB)의 최외곽에 빙둘러서 감싸도록 형성된다. 강접착층(SB)의 폭(w)은 3mm 이하로 형성되는 것이 바람직하다. 이것은 디바이스 웨이퍼(D/W)의 외곽 3mm 범위에는 펌퍼(bumper)나 패턴과 같은 구조가 없어서 직접적으로 사용되지 않는 부분이기 때문이다. 본 실시예에서 강접착제는 앞서서 설명한 약접착제에 비해 상대적으로 접착력이 강한 접착제인 것으로 정의한다.
합착 단계(S114)에서는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼가 합착된 후 접합되어서 웨이퍼 접합체가 형성된다. 도 3에는 임시 접합 단계(S110)에 의해 형성된 웨이퍼 접합체의 단면도가 도시되어 있다. 도 3을 참조하면, 웨이퍼 접합체(W)는 디바이스 웨이퍼(D/W)와, 캐리어 웨이퍼(C/W)와, 두 웨이퍼(D/W, C/W)를 접착시키는 접착층(B)을 구비한다. 접착층(B)은 디바이스 웨이퍼(D/W)에 형성된 보호층(PL)과, 캐리어 웨이퍼(C/W)에 형성되며 보호층(PL)과 접하는 약접착층(WB)과, 약접착층(WB)의 최외곽에 형성되어서 보호층(PL)과 접하는 강접착층(SB)을 구비한다. 강접착층(SB)이 형성된 부분은 약접착층(WB)이 형성된 부분에 비해 강하게 접착된 상태를 유지한다.
분리 개시점 형성 단계(S120)에서는 웨이퍼 접합체(W)에 형성된 접착층(B)에 분리 개시점이 형성된다. 본 발명에서 분리 개시점은 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼 사이에 형성된 접착층의 최외곽에서 분리가 용이하도록 적절한 방법으로 접착력이 저하되거나 사라진 부분을 의미한다. 도 4에는 도 1에 도시된 분리 개시점 형성 단계의 제1 실시예가 수행되는 상태가 도시되어 있다. 도 4에 도시된 분리 개시점 형성 단계의 실시예는 강접착제가 찌르는 힘과 같은 물리적 외력에 의해 틈(또는 홈)이 발생하는 경우에 적합하다.
도 4를 참조하면, 웨이퍼 접합체(W)가 다이싱 프레임(dicing frame)(120)에 결합된 상태에서 하부 척(110)에 고정되어 있으며, 웨이퍼 접합체(W)의 상부에는 삽입체(140)가 일체로 설치된 상부 척(130)이 위치한다.
다이싱 프레임(120)은 대체로 얇은 고리 형태로서, 다이싱 프레임(120)의 내부 영역을 모두 막도록 다이싱 프레임(120)의 일면에는 다이싱 테이프(dicing tape)(121)가 결합된다. 웨이퍼 접합체(W)는 다이싱 프레임(120)의 내부에 위치하도록 다이싱 테이프(121)에 고정된다. 다이싱 테이프(121)는 디바이스 웨이퍼(D/W)와 접하며, 웨이퍼 접합체(W)를 다이싱 프레임(120)에 대해 고정시킨다.
하부 척(110)의 상면에는 편평한 제1 결합면(110a)와, 제1 결합면(110a)의 안쪽에 위치하는 편평한 제2 결합면(110b)이 형성된다. 제1 결합면(110a)과 제2 결합면(110b)은 진공흡착과 같은 방식을 이용하여 그 위에 놓인 물체를 고정시킨다. 제1 결합면(110a)은 그 위에 다이싱 프레임(120)이 놓일 수 있는 정도의 크기를 갖는다. 제2 결합면(110b)은 제1 결합면(110a)으로부터 돌출되어 위치한다. 제2 결합면(110b)은 그 위에 웨이퍼 접합체(W)가 놓일 수 있는 정도의 크기를 갖는다. 하부 척(110)의 제1 결합면(110a)과 제2 결합면(110b)에는 다이싱 테이프(121)가 진공흡착과 같은 방식으로 고정된다. 이때, 제1 결합면(110a) 상에는 다이싱 프레임(120)이 위치하고, 제2 결합면(110b) 상에는 웨이퍼 접합체(W)가 위치한다. 그에 따라, 하부 척(110)에 다이싱 프레임(120)과 함께 웨이퍼 접합체(W)가 고정된다. 이때, 디바이스 웨이퍼(D/W)가 하부 척(110) 쪽(도면상 아래)에 위치하고, 캐리어 웨이퍼(C/W)가 하부 척(110)의 반대편(도면상 위)에 위치한다. 제1 결합면(110a)과 제2 결합면(110b) 사이의 높이 차(h)는 작업 용이성을 높이기 위하여, 다이싱 프레임(120)에 대하여 웨이퍼 결합체(W)가 외부로 충분히 돌출되도록 정해진다.
상부 척(130)은 웨이퍼 접합체(W)의 상부에 위치하여, 캐리어 웨이퍼(C/W)와 마주한다. 상부 척(130)은 구부러질 수 있는 탄성을 갖는 재질로 이루어지는데, 캐리어 웨이퍼(C/W)와 비교적 유사한 탄성을 갖는 것이 바람직하다. 상부 척(130)은 캐리어 웨이퍼(C/W) 전체 영역을 포함하는 크기를 갖는다. 상부 척(130)에는 삽입체(140)가 일체로 형성된다. 삽입체(140)는 에지가 날카롭게 형성되어서, 강접착층(SB)을 찔러서 강접착층(SB)의 접착력을 저하시키게 된다. 삽입체(140)의 이동을 위하여 상부 척(130)은 웨이퍼 결합체(W)가 이루는 평면과 나란한 방향으로 직선이동할 수 있다.
도 4에는 삽입체(140)의 날카로운 에지가 웨이퍼 접합체(W)로부터 이격되어 있다. 이 상태에서, 상부 척(130)이 화살표로 표시된 방향으로 이동하면, 상부 척(130)에 설치된 삽입체(140)가 웨이퍼 접합체(W) 쪽으로 이동하여 도 5에 도시된 바 같이, 삽입체(140)가 강접착층(SB)의 일부를 찔러서 접착력을 저하시키고, 이 부분은 분리 개시점으로 형성된다.
본 실시예에서는 삽입체(140)가 상부 척(130)에 일체로 형성되는 것을 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니다. 도 6에 도시된 제2 실시예와 같이, 삽입체(240)는 상부척(130)과는 분리되어서 별도로 형성될 수도 있음을 당업자라면 이해할 수 있을 것이다. 또한, 도 7에 도시된 제3 실시예와 같이, 삽입체(340)는 웨이퍼 접합체(W)에 대하여 회전축(341)을 중심으로 회전하여 날카로운 부분이 웨이퍼 접합체(W)의 강접착층(SB)의 일부를 통과할 수도 있다.
도 8 및 도 9에는 도 1에 도시된 분리 단계의 일 실시예가 수행되는 상태가 도시되어 있다. 도 8을 참조하면, 롤러로 구성되는 가압부재(150)가 상부 척(130)을 사이에 두고 웨이퍼 접합체(W)의 반대측에 위치한다. 상부 척(130)은 웨이퍼 접합체(W)에 진공흡착과 같은 방식으로 결합된다. 가압부재(150)는 웨이퍼 접합체(W)에 큰 충격을 주지 않도록 연질의 표면을 갖는 것이 바람직하다. 분리 단계를 수행하기 위하여, 먼저 도 8에 도시된 바와 같이, 가압부재(150)가 분리 개시점(P)이 위치하는 쪽에서 상부 척(130)을 가압한다. 이후, 가압부재(150)가 반대쪽으로 이동을 시작하면서 상부 척(130)의 분리 개시점(P) 측 일단이 외력에 의하여 들어올려진다. 그에 따라, 도 9에 도시된 바와 같이, 캐리어 웨이퍼(C/W)가 디바이스 웨이퍼(D/W)로부터 분리 개시점(P)을 시작으로 서서히 분리된다. 이때, 가압부재(150)에 의하여, 분리력이 디바이스 웨이퍼(D/W)에 급격히 가해져서 충격을 주는 것을 최대한 막아준다. 가압부재(150)는 접합 에너지를 면접합 에너지에서 선접합 에너지로 변경하여 디바이스 웨이퍼(D/W)에 가해지는 힘을 줄여서, 공정이 더욱 신속하고 안정적으로 수행된다.
본 실시예에서는 상부 척(130)과 가압부재(150)를 이용하여 캐리어 웨이퍼(C/W)와 디바이스 웨이퍼(D/W)를 분리하는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니다. 상부 척(130)과 가압부재(150) 없이도, 분리 개시점(P)이 형성된 웨이퍼 접합체(W)에서 캐리어 웨이퍼(C/W)와 디바이스 웨이퍼(D/W)를 분리하는 것이 가능함을 당업자라면 이해할 수 있을 것이다.
상기 실시예에서는, 분리 개시점 형성 단계가 삽입체를 이용하는 물리적인 방식을 통해 수행되는 것으로 설명하였으나, 이와는 달리 도 10에 도시된 제4 실시예와 같이 광학적인 방식을 통해 수행될 수도 있다. 도 10에 도시된 분리 개시점 형성 단계의 실시예는 강접착제가 레이저에 의해 타서 접착력이 쉽게 저하되는 경우에 적합하다.
도 10을 참조하면, 웨이퍼 접합체(W)가 다이싱 프레임(120)을 통해 하부 척(110)에 고정된 상태에서, 웨이퍼 접합체(W)의 측면에 위치하는 제1 레이저 조사장치(160a)로부터 조사된 레이저가 웨이퍼 접합체(W)의 측면으로부터 강접착층(도 3의 SB)으로 조사되고, 웨이퍼 접합체(W)의 상부에 위치하는 제2 레이저 조사장치(160b)로부터 조사된 레이저가 캐리어 웨이퍼(C/W)를 통과한 후 강접착층(도 3의 SB)로 조사된다. 조사된 레이저에 의하여 강접착층(도 3의 SB)은 타서 접착력이 저하되어 분리 개시점이 형성된다. 이때, 제2 레이저 조사장치(160b)는 강접착층(도 3의 SB)의 폭방향을 따라 이동할 수 있다. 또한, 웨이퍼 접합체(W)는 그 중심축선(C)을 따라 회전함으로써 강접착층(도 3의 SB) 전체에 레이저가 조사될 수도 있다. 본 실시예에서는, 레이저가 측면 및 상부에서 동시에 조사되는 것으로 설명하였으나, 어느 한 방향에서만 조사될 수도 있다. 또한, 상부에서 조사되는 레이저가 캐리어 웨이퍼(C/W)를 통과할 수 있도록, 캐리어 웨이퍼(C/W)는 유리와 같이 광투과성 재질로 이루어진다.
도 11에는 도 1에 도시된 분리 개시점 형성 단계의 제5 실시예가 수행되는 상태가 도시되어 있다. 도 11에 도시된 분리 개시점 형성 단계의 실시예는 화학적 방식을 사용하는 경우로서, 강접착제가 특정 화학 약품에 반응하여 녹아서 접착력이 쉽게 저하되는 경우에 적합하다.
도 11을 참조하면, 웨이퍼 접합체(W)가 다이싱 프레임(120)을 통해 하부 척(110)에 고정된 상태에서, 웨이퍼 접합체(W)의 측면에 위치하는 노즐(170)로부터 분사된 화학 약품이 웨이퍼 접합체(W)의 측면으로부터 강접착층(도 3의 SB)으로 분사된다. 분사된 화학 약품에 의하여 강접착층(도 3의 SB)은 타서 접착력이 저하되어 분리 개시점이 형성된다. 이때, 웨이퍼 접합체(W)는 그 중심축선(C)을 따라 회전함으로써 강접착층(도 3의 SB) 화학 약품이 적용될 수 있다. 도 11의 실시예에서는 화학 약품이 노즐을 통해 웨이퍼 접합체(W)의 측면에서 분사되어 강접착층(도 3의 SB)에 적용되는 경우를 설명하였으나, 이와는 달리 도 12에 도시된 제6 실시예와 같이 웨이퍼 접합체(W)를 별도로 화학 약품(A)에 담가서 화학 약품이 강접착층(도 3의 SB)에 적용될 수 있다. 이 경우, 화학 약품(A)이 강접착층(도 3의 SB)에 잘 적용될 수 있도록, 도 13에 도시된 바와 같이, 캐리어 웨이퍼(C/W)에는 강접착층과 대응하는 위치에 형성된 다수의 관통 구멍(H)이 마련될 수 있다.
도 14 및 도 15는 본 발명의 도 10 및 도 11에 도시된 실시예에 따른 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 구성 및 개시점 형성 단계 수행 상태를 각각 도시한 도면이다. 도 14 및 도 15를 참조하면, 상기 실시예들에서는 디바이스 웨이퍼(D/W) 상에 접착력을 갖는 보호층(P)이 형성되고, 캐리어 웨이퍼(C/W) 상에는 형성되는 약접착층(WB)이 웨이퍼(C/W) 표면 전체에 형성된 후 웨이퍼(C/W)의 외곽에 3mm 이내의 폭을 갖는 강접착층(SB)이 형성된다. 도 15를 참조하면, 디바이스 웨이퍼(D/W)와 캐리어 웨이퍼(C/W)가 접합된 상태에서, 접합체(W)에 형성된 강접착층(SB)은 레이저 조사 장치 또는 화학 약품 분사 노즐(260)을 사용하여 접착력이 저하된다. 이때, 웨이퍼 접합체(W)는 회전함으로써, 레이저 및/또는 화학 약품이 강접착층(SB)의 원주방향 넓은 영역(바람직하게는 전체 영역)에 영향을 미칠 수 있다.
도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 처리방법을 도시한 순서도이다. 도 16을 참조하면, 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 처리방법은 임시 접합 단계(S210)와, 분리 개시점 형성 단계(S220)와, 분리 단계(S130)를 포함한다.
임시 접합 단계(S210)는, 제1 접착층 형성 단계(S211)와, 제2 접착층 형성 단계(S212)와, 합착 단계(S213)를 포함한다. 임시 접합 단계(S210)에서 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼가 접착제에 의해 임시로 본딩되어 웨이퍼 접합체를 형성한다.
제1 접착층 형성 단계(S211)에서는 디바이스 웨이퍼의 접합면(접합시 캐리어 웨이퍼와 접하는 면)에 제1 접착층이 형성된다. 제1 접착층은 스핀 코터(spin coater)와 같은 코팅 장치를 이용하여 디바이스 웨이퍼의 접합면 전체에 제1 접착제가 코팅된 후 경화되어서 형성된다.
제2 접착층 형성 단계(S212)에서는 캐리어 웨이퍼의 접합면(접합시 디바이스 웨이퍼와 접하는 면)에 제2 접착층이 형성된다. 제2 접착층은 스핀 코터와 같은 코팅 장치를 이용하여 캐리어 웨이퍼의 접합면 전체에 제2 접착제가 코팅된 후 경화되어서 형성된다. 제2 접착층의 두께가 40㎛ 이상일 때에는 제2 접착제의 점도에 따라 세 번 이하의 횟수로 나누어 코팅될 수 있다.
합착 단계(S213)에서는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼가 합착된 후 접합되어서 웨이퍼 접합체가 형성된다. 도 15에는 임시 접합 단계(S210)에 의해 형성된 웨이퍼 접합체의 단면도가 도시되어 있다. 도 17을 참조하면, 웨이퍼 접합체(W)는 디바이스 웨이퍼(D/W)와, 캐리어 웨이퍼(C/W)와, 두 웨이퍼(D/W, C/W)를 접착시키는 접착층(B)을 구비한다. 접착층(B)은 디바이스 웨이퍼(D/W)에 형성된 제1 접착층(B1)과, 캐리어 웨이퍼(C/W)에 형성된 제2 접착층(B2)을 구비한다.
분리 개시점 형성 단계(S220)에서는 도 4 내지 도 6을 참조하여 위에서 설명된 물리적인 외력에 의한 방법이 사용되거나, 도 10을 참조하여 위에서 설명된 광학적인 방법이 동일하게 사용되어서, 제1 접착층(B1)과 제2 접착층(B2) 사이에 분리 개시점이 형성될 수 있다.
분리 단계(S130)에서는 도 1의 실시예의 분리 단계(S130)와 동일한 방법이 사용될 수 있다. 즉, 도 8 내지 도 9를 통해 설명된 상부 척과 가압부재를 이용하여 분리하는 방법이 사용되거나, 가압부재를 사용하지 않고 분리하는 방법이 사용될 수 있다.
이상 실시예를 들어 본 발명을 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 실시예는 본 발명의 취지 및 범위를 벗어나지 않고 수정되거나 변경될 수 있으며, 당업자는 이러한 수정과 변경도 본 발명에 속하는 것임을 알 수 있을 것이다.
W : 웨이퍼 접합체 D/W : 디바이스 웨이퍼
C/W : 캐리어 웨이퍼 110 : 하부 척
120 : 다이싱 프레임 121 : 다이싱 테이프
130 : 상부 척 140 : 삽입체
150 : 가압부재 160a : 제1 레이저 조사장치
160b : 제2 레이저 조사장치 170 : 분사 노즐
240 : 삽입체

Claims (34)

  1. 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 임시로 본딩하여 웨이퍼 접합체를 형성하는 임시 접합 단계와,
    상기 디바이스 웨이퍼와 상기 캐리어 웨이퍼 사이에 형성된 접착층의 최외곽 중 적어도 일부의 접착력을 저하시켜서 분리 개시점을 형성하는 분리 개시점 형성 단계와,
    상기 분리 개시점을 시작점으로 하여 상기 디바이스 웨이퍼와 상기 캐리어 웨이퍼를 디본딩하는 분리 단계를 포함하며,
    상기 임시 접합 단계는,
    상기 디바이스 웨이퍼의 접합면에 보호층을 형성하는 보호층 형성 단계와, 상기 캐리어 웨이퍼의 접합면에 상대적으로 약한 접착력을 갖는 약접착제를 코팅하여 약접착층을 형성하는 약접착층 형성 단계와, 상기 약접착층에 의해 덮이도록 상기 약접착층 상의 최외곽에 상기 약접착제에 비해 상대적으로 강한 접착력을 갖는 강접착제를 코팅하여 강접착층을 형성하는 강접착층 형성 단계와, 상기 디바이스 웨이퍼와 상기 캐리어 웨이퍼를 합착하는 합착 단계로 구성되고,
    상기 분리 개시점 형성 단계에서는, 삽입체를 상기 접착층의 최외곽으로 삽입시켜서 상기 강접착층의 적어도 일부에 틈을 형성시키도록 상기 웨이퍼 접합체의 상면과 분리가능하게 결합되는 상부 척과 일체로 형성되게 하며,
    상기 분리 단계에서는, 상기 웨이퍼 접합체의 상면에 분리가능하게 결합되는 상부 척을 위에서 가압하는 가압부재가, 상기 디바이스 웨이퍼와 상기 캐리어 웨이퍼가 상기 분리 개시점으로부터 반대측으로 가면서 분리됨에 따라 대응하여 이동하는 것을 특징으로 하는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 삽입체는 상기 웨이퍼 접합체의 상면과 분리가능하게 결합되는 상부 척과는 별도로 형성되는 것을 특징으로 하는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 삽입체는 상기 강접착층을 통과하도록 회전가능한 것을 특징으로 하는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 분리 개시점 형성 단계는, 상기 강접착층에 레이저를 조사하여 상기 강접착층의 적어도 일부의 접착력을 저하시키는 것을 특징으로 하는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 레이저는 상기 웨이퍼 접합체의 측면에서 조사되는 것을 특징으로 하는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 캐리어 웨이퍼는 광투과 재질로 이루어지고, 상기 레이저는 상기 캐리어 웨이퍼를 통과하여 상기 강접착층에 조사되는 것을 특징으로 하는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법.
  10. 청구항 7에 있어서,
    상기 강접착층의 외주 전체의 접착력을 저하시키기 위하여 상기 레이저는 상기 웨이퍼 접합체에 대하여 상대이동하는 것을 특징으로 하는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 분리 개시점 형성 단계는, 화학 약품을 이용하여 상기 강접착층의 적어도 일부의 접착력을 저하시키는 것을 특징으로 하는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 화학 약품은 상기 웨이퍼 접합체의 측면에서 분사되어 상기 강접착층으로 주입되는 것을 특징으로 하는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 강접착층의 외주 전체의 접착력을 저하시키기 위하여 상기 화학 약품은 상기 웨이퍼 접합체에 대하여 상대이동하며 분사되는 것을 특징으로 하는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법.
  14. 청구항 11에 있어서,
    상기 분리 개시부 형성 단계는 상기 웨이퍼 접합체를 상기 화학 약품에 담가서 수행되는 것을 특징으로 하는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법.
  15. 청구항 11에 있어서,
    상기 캐리어 웨이퍼에는 상기 강접착층과 대응하는 위치에 형성된 적어도 하나의 관통 구멍이 마련되며, 상기 화학 약품은 상기 관통 구멍을 통해 상기 강접착층으로 유입되는 것을 특징으로 하는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법.
  16. 청구항 1에 있어서,
    상기 강접착층은 3mm 이하의 폭으로 형성되는 것을 특징으로 하는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법.
  17. 청구항 1에 있어서,
    상기 임시 접합 단계는,
    상기 디바이스 웨이퍼의 접합면에 제1 접착제를 코팅하여 제1 접착층을 형성하는 제1 접착층 형성 단계와,
    상기 캐리어 웨이퍼의 접합면에 제2 접착제를 코팅하여 제2 접착층을 형성하는 제2 접착층 형성 단계와,
    상기 디바이스 웨이퍼와 상기 캐리어 웨이퍼를 합착하는 합착 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 분리 개시점 형성 단계는, 삽입체를 상기 접착층의 최외곽으로 삽입시켜서 상기 제1 접착층과 상기 제2 접착층 사이의 적어도 일부에 틈을 형성시키는 것을 특징으로 하는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 삽입체는 상기 웨이퍼 접합체의 상면과 분리가능하게 결합되는 상부 척과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법.
  20. 청구항 18에 있어서,
    상기 삽입체는 상기 웨이퍼 접합체의 상면과 분리가능하게 결합되는 상부 척과는 별도로 형성되는 것을 특징으로 하는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법.
  21. 청구항 20에 있어서,
    상기 삽입체는 상기 제1 접착층과 상기 제2 접착층 사이를 통과하도록 회전가능한 것을 특징으로 하는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법.
  22. 청구항 17에 있어서,
    상기 분리 개시점 형성 단계는, 상기 접착층의 최외곽에 레이저를 조사하여 상기 접착층의 적어도 일부의 접착력을 저하시키는 것을 특징으로 하는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법.
  23. 청구항 22에 있어서,
    상기 레이저는 상기 웨이퍼 접합체의 측면에서 조사되는 것을 특징으로 하는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법.
  24. 청구항 22에 있어서,
    상기 캐리어 웨이퍼는 광투과 재질로 이루어지고, 상기 레이저는 상기 캐리어 웨이퍼를 통과하여 상기 접착층에 조사되는 것을 특징으로 하는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법.
  25. 청구항 22에 있어서,
    상기 접착층의 외주 전체의 접착력을 저하시키기 위하여 상기 레이저는 상기 웨이퍼 접합체에 대하여 상대이동하는 것을 특징으로 하는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법.
  26. 삭제
  27. 청구항 1에 있어서,
    상기 가압부재는 회전 롤러인 것을 특징으로 하는 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법.
  28. 삭제
  29. 삭제
  30. 삭제
  31. 삭제
  32. 삭제
  33. 삭제
  34. 삭제
KR1020120017102A 2012-02-20 2012-02-20 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법 KR101223633B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120017102A KR101223633B1 (ko) 2012-02-20 2012-02-20 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법
PCT/KR2012/002031 WO2013125747A1 (ko) 2012-02-20 2012-03-21 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법 및 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120017102A KR101223633B1 (ko) 2012-02-20 2012-02-20 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120067140A Division KR20130095605A (ko) 2012-06-22 2012-06-22 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101223633B1 true KR101223633B1 (ko) 2013-01-17

Family

ID=47842128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120017102A KR101223633B1 (ko) 2012-02-20 2012-02-20 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101223633B1 (ko)
WO (1) WO2013125747A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101503326B1 (ko) 2013-08-27 2015-03-18 코스텍시스템(주) 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 디본딩 방법 및 장치
KR20160037628A (ko) * 2014-09-29 2016-04-06 삼성전자주식회사 웨이퍼 서포팅 시스템 디본딩 이니시에이터 및 웨이퍼 서포팅 시스템 디본딩 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110139072A (ko) * 2010-06-21 2011-12-28 브레우어 사이언스 인코포레이션 캐리어 기판으로부터 가역적으로 장착된 디바이스 웨이퍼를 제거하는 장치 및 방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6869830B2 (en) * 2001-12-03 2005-03-22 Disco Corporation Method of processing a semiconductor wafer
JP2005209829A (ja) * 2004-01-22 2005-08-04 Taiyo Yuden Co Ltd 半導体ウェハ固定方法及び装置、並びに半導体ウェハが固定された構造体
KR20120027237A (ko) * 2009-04-16 2012-03-21 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하 웨이퍼 가접합 및 분리를 위한 개선된 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110139072A (ko) * 2010-06-21 2011-12-28 브레우어 사이언스 인코포레이션 캐리어 기판으로부터 가역적으로 장착된 디바이스 웨이퍼를 제거하는 장치 및 방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101503326B1 (ko) 2013-08-27 2015-03-18 코스텍시스템(주) 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 디본딩 방법 및 장치
KR20160037628A (ko) * 2014-09-29 2016-04-06 삼성전자주식회사 웨이퍼 서포팅 시스템 디본딩 이니시에이터 및 웨이퍼 서포팅 시스템 디본딩 방법
KR102305505B1 (ko) * 2014-09-29 2021-09-24 삼성전자주식회사 웨이퍼 서포팅 시스템 디본딩 이니시에이터 및 웨이퍼 서포팅 시스템 디본딩 방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013125747A1 (ko) 2013-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20130095605A (ko) 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 장치
TWI437669B (zh) 電子封裝裝置及電子封裝方法
US9023716B2 (en) Methods for processing substrates
KR102507283B1 (ko) 기판 척 및 이를 포함하는 기판 접합 시스템
US8846499B2 (en) Composite carrier structure
KR101617316B1 (ko) 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩/디본딩 방법 및 본딩/디본딩 장치
KR102061695B1 (ko) 웨이퍼 가공 방법
CN109037122A (zh) 半导体片芯单颗化方法和装置
KR102061369B1 (ko) 제품 기판을 캐리어 기판에 임시로 결합하기 위한 방법
KR102210294B1 (ko) 칩 정렬 방법
TW201709296A (zh) 形成球柵陣列半導體封裝的電磁干擾遮罩層的方法和用於所述方法的基帶
JP7108492B2 (ja) 保護部材形成装置
JP7241786B2 (ja) 半導体チップのピックアップ装置、半導体チップの実装装置および実装方法
JP2009253076A (ja) 基板用ステージ
KR101503325B1 (ko) 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 디본딩 방법 및 본딩/디본딩 장치
US8820728B2 (en) Semiconductor wafer carrier
JP2006191144A (ja) ピックアップ装置及びピックアップ方法
TW202101529A (zh) 基板固持器、基板貼合裝置及基板貼合方法
TWI354325B (ko)
KR101503326B1 (ko) 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 디본딩 방법 및 장치
JP2004055852A (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR101223633B1 (ko) 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법
JP5471064B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US20140021631A1 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI523091B (zh) 晶圓黏片製作方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161010

Year of fee payment: 4

R401 Registration of restoration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161123

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180910

Year of fee payment: 6

R401 Registration of restoration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191031

Year of fee payment: 8