TWI646627B - Adsorption mechanism, adsorption method, manufacturing device and manufacturing method - Google Patents

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TWI646627B TW105121543A TW105121543A TWI646627B TW I646627 B TWI646627 B TW I646627B TW 105121543 A TW105121543 A TW 105121543A TW 105121543 A TW105121543 A TW 105121543A TW I646627 B TWI646627 B TW I646627B
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Abstract

本發明將形成有複數個單位區域之已密封基板藉由設置於切削用治具且具有第1吸附面積之第1吸附口吸附於切削用治具。於所吸附之已密封基板之至少一部分切斷線上，使用第1旋轉刀形成切削槽。藉由設置於切斷用治具之複數個第2吸附口將已密封基板吸附於切斷用治具。1個第2吸附口以第2吸附面積吸附1個單位區域。於吸附於切斷用治具之已密封基板之切斷線上，使用第2旋轉刀切斷密封基板。包含於第1吸附面積且吸附1個單位區域之單位吸附面積較第2吸附面積大，故可將具有翹曲之已密封基板確實地吸附於切削用治具。藉由所形成之切削槽降低已密封基板之翹曲程度。

Description

吸附機構、吸附方法、製造裝置及製造方法
本發明係關於一種藉由將被切斷物切斷而製造單片化之複數個製品時使用之吸附機構、吸附方法、製造裝置及製造方法。
將由印刷基板或導線架等構成之基板假想性地劃分為格子狀之複數個區域，將晶片狀之元件(例如半導體晶片)安裝於各個區域之後對基板整體進行樹脂密封，將由此而成者稱為已密封基板。藉由使用旋轉刀等之切斷機構將已密封基板切斷而單片化為各個區域單位者成為製品。於樹脂密封之步驟中，使流動性樹脂硬化而形成由硬化樹脂構成之密封樹脂。
自先前以來，使用切斷裝置將已密封基板之既定區域利用旋轉刀等切斷機構切斷。首先，將已密封基板載置於切斷用平台(切斷用治具)之上。其次，使已密封基板對準(位置對準)。藉由對準而設定區隔複數個區域之假想性之切斷線之位置。其次，使載置有已密封基板之切斷用平台與切斷機構相對移動。將切削水噴射至已密封基板之切斷部位，並且藉由切斷機構沿設定於已密封基板之切斷線將已密封基板切斷。藉由切斷已密封基板而製造單片化之製品。
於切斷用平台之上安裝切斷用治具。於切斷用治具設置吸引已密封基板或單片化之製品之複數個吸引通路。於切斷用平台設置有與複數個吸引通路連接之空間。複數個吸引通路經由該空間連接於外部之吸引機構、例如真空泵。利用真空泵吸引已密封基板或複數個製品，藉此將已密封基板或複數個製品吸附於切斷用治具。
近年來，伴隨電子機器之高功能化、小型化、及高速化，半導體之製品亦越來越向高性能化、多功能化、及小型化發展。為提高半導體之生產效率而有使已密封基板大型化、薄型化之傾向。由於使已密封基板大型化，自1片已密封基板取出之製品之數量增加。由於使已密封基板薄型化，單片化之製品薄型化。因此，向電子機器之安裝效率提高。另一方面，由於使已密封基板大型化、薄型化，因流動性樹脂硬化時之壓縮應力造成之樹脂密封後之已密封基板之翹曲變大。若已密封基板之翹曲變大，則有難以將已密封基板吸附於切斷用治具之虞。若無法將已密封基板吸附於吸附治具，則產生無法將已密封基板切斷之問題。因此，於使已密封基板單片化時，重要的是將具有翹曲之已密封基板確實地吸附於吸附治具。
作為封裝基板之分割方法，提供如下方法：「(略)其係封裝基板之分割方法，具備：複數個蛇腹型吸附墊，其等包含保持封裝基板之保持面，(略)且吸附部自該保持面突出；及(略)；且具備：載置步驟，(略)將封裝基板載置於由橡膠形成之固定治具上；及分割步驟，(略)利用切削刀片將保持於該固定治具之封裝基板切削分割為各個封裝」(例如，參照專利文獻1之段落[0012]，圖5至圖8)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-40542號公報
然而，根據專利文獻1所揭示之固定治具20，產生如下之課題。如專利文獻1之圖5所示，於固定治具20之保持板50形成有具有第1直徑之複數個圓孔52、分別與圓孔52連續而形成之具有較第1直徑大之第2直徑之複數個圓孔54、及與各圓孔54連通之較大之凹部56。於各圓孔52中安裝有具有吸引路徑59之吸引金屬件58，且於各吸引金屬件58安裝有由樹脂形成之蛇腹型吸附墊24。於保持構件62形成有與各圓孔54連通之複數個圓孔64。藉由連續形成之圓孔54與圓孔64而劃分形成凹部，於該凹部內配設有蛇腹型吸附墊24。
於此種固定治具20中，為吸附各個晶片，將直徑不同之圓孔52、54、64以分別連通之方式加工。進而，將吸引金屬件58安裝於圓孔52中，且將蛇腹型吸附墊24安裝於吸引金屬件58。為吸附1個晶片，必須準備較多之加工處理或構成構件。因此，固定治具20之構成非常複雜，故難以製作固定治具20，且製作之費用變高。
本發明係解決上述課題者，其目的在於提供一種可吸附具有翹曲之已密封基板之吸附機構、吸附方法、製造裝置及製造方法。
為解決上述課題，本發明之吸附機構係於如下過程中使用者，即，吸附具有由多條切斷線區隔之複數個單位區域之被切斷物，且將上述被切斷物切斷，藉此製造與複數個上述單位區域分別對應之複數個製品；其特徵在於具備：第1平台，其載置上述被切斷物；第1治具，其安裝於上述第1平台之上；及1個或複數個第1吸附口，其等設置於上述第1治具，分別藉由第1吸附面積吸附上述被切斷物；且相較於將上述被切斷物切斷之步驟中使用之第2治具中與複數個上述單位區域分別對應地區隔設置之複數個第2吸附口之各者吸附1個上述單位區域之第2吸附面積，上述第1吸附面積所包含之面積、即吸附1個上述單位區域之面積之單位吸附面積較大。
為解決上述課題，本發明之吸附方法係於如下過程中使用者，即，吸附由多條切斷線區隔之複數個上述單位區域之被切斷物，且將上述被切斷物切斷，藉此製造與複數個上述單位區域分別對應之複數個製品；其特徵在於包含以下步驟：準備載置上述被切斷物之第1平台；準備安裝於上述第1平台之上之第1治具；準備1個或複數個第1吸附口，其等設置於上述第1治具，分別藉由第1吸附面積吸附上述被切斷物；及使用1個或複數個上述第1吸附口，藉由上述第1吸附面積所包含之面積、即吸附1個上述單位區域之面積之單位吸附面積吸附上述被切斷物； 且相較於將上述被切斷物切斷之步驟中使用之第2治具中與複數個上述單位區域分別對應地區隔設置之複數個第2吸附口之各者吸附1個上述單位區域之第2吸附面積，上述單位吸附面積較大。
為解決上述課題，本發明之製造裝置係具備對具有由多條切斷線區隔之複數個單位區域之被切斷物進行切削之切斷機構、及設置於上述切斷機構之旋轉刀，且於藉由將上述被切斷物切斷而製造與複數個上述單位區域分別對應之複數個製品之過程中使用者，其特徵在於具備上述吸附機構。
為解決上述課題，本發明之製造裝置係具備對具有由多條切斷線區隔之複數個單位區域之被切斷物進行切削之切斷機構、及設置於上述切斷機構之旋轉刀，且於藉由將上述被切斷物切斷而製造與複數個上述單位區域分別對應之複數個製品之過程中使用者，其特徵在於具備：第1平台，其載置上述被切斷物；第2平台，其載置上述被切斷物；移動機構，其使上述第1平台及上述第2平台與上述切斷機構相對移動；第1治具，其安裝於上述第1平台之上；1個或複數個第1吸附口，其等設置於上述第1治具，分別藉由第1吸附面積吸附被切斷物；第2治具，其安裝於上述第2平台之上；及複數個第2吸附口，其等於上述第2治具中與複數個上述單位區域分 別對應地設置，且分別藉由第2吸附面積吸附1個上述單位區域；且上述第1吸附面積所包含之面積、即分別吸附複數個上述單位區域之單位吸附面積較上述第2吸附面積大，於上述第1治具，藉由上述旋轉刀沿多條上述切斷線中之至少1條上述切斷線切削上述被切斷物之全部厚度中之一部分厚度形成至少1條切削槽，於上述第1治具，形成具有由上述切削槽區隔之複數個中間區域之半成品，於上述第2治具，藉由利用上述旋轉刀沿多條上述切斷線將上述半成品切斷，製造由複數個上述第2吸附口分別吸附之複數個上述製品。
本發明之製造裝置具有如下態樣，即具備：上述切斷機構具有之第1切斷機構；及上述切斷機構具有之第2切斷機構；且於上述第1治具，藉由設置於上述第1切斷機構之第1旋轉刀形成上述切削槽，於上述第2治具，藉由設置於上述第2切斷機構之第2旋轉刀切斷上述半成品。
本發明之製造裝置具有如下態樣：上述第1治具可吸附包含分別具有第1尺寸之複數個第1單位區域之第1被切斷物，且可吸附包含分別具有與上述第1尺寸不同之第2尺寸之複數個第2單位區域之第2被切斷物。
本發明之製造裝置具有如下態樣： 上述切削槽沿多條上述切斷線之全部形成。
本發明之製造裝置具有如下態樣：上述被切斷物係於複數個上述單位區域分別形成有功能元件之板狀構件。
本發明之製造裝置具有如下態樣：上述被切斷物至少具有由基材構成之第1構件、及形成於上述基材之上之第2構件，上述切削槽係形成於上述第1構件之至少全部厚度，或形成於上述第2構件之至少全部厚度。
本發明之製造裝置具有如下態樣：上述被切斷物至少具有由基材構成之第1構件、及形成於上述基材之上之第2構件，上述切削槽係形成於上述第1構件之全部厚度中之一部分厚度，或形成於上述第2構件之全部厚度中之一部分厚度。
本發明之製造裝置具有如下態樣：上述第1構件係形成有電路之基板，上述第2構件係絕緣性構件。
為解決上述課題，本發明之製造方法係包含使具有由多條切斷線區隔之複數個單位區域之被切斷物與切斷機構相對移動之步驟、及使用上述切斷機構所具有之旋轉刀切削上述被切斷物之步驟，且於藉由將所切削之上述被切斷物切斷而製造與複數個上述單位區域分別對應之複數個製品之過程中使用者，其特徵在於具備上述吸附方法。
為解決上述課題，本發明之製造方法係包含使具有由多條切斷線區隔之複數個單位區域之被切斷物與切斷機構相對移動之步驟、使用上述切斷機構所具有之旋轉刀切削上述被切斷物之步驟、及使用上述旋轉刀將所切削之上述被切斷物切斷之步驟，且於藉由將上述被切斷物切斷而製造與複數個上述單位區域分別對應之複數個製品之過程中使用者，其特徵在於包含以下步驟：準備載置上述被切斷物之第1平台；準備載置上述被切斷物之第2平台；準備第1治具，其安裝於上述第1平台之上，且具有分別具有第1吸附面積之1個或複數個第1吸附口；準備第2治具，其安裝於上述第2平台之上，與複數個上述單位區域分別對應地具有分別具有第2吸附面積之複數個第2吸附口；於上述第1治具，使用1個或複數個上述第1吸附口之各者吸附上述被切斷物；作為上述切削之步驟，於上述第1治具，使用上述旋轉刀沿多條上述切斷線中之至少1條上述切斷線切削上述被切斷物之全部厚度中之一部分厚度，藉此形成至少1條切削槽；於上述第1治具，形成具有由上述切削槽區隔之複數個中間區域之半成品；於上述第2治具載置上述半成品；於上述第2治具，使用複數個上述第2吸附口之各者吸附上述半成品所具有之複數個上述單位區域之各者，藉此吸附上述半成品；及 作為上述切斷之步驟，於上述第2治具，使用上述旋轉刀沿多條上述切斷線切斷上述半成品；且上述第1吸附面積所包含之面積、即分別吸附複數個上述單位區域之單位吸附面積較上述第2吸附面積大，藉由將上述半成品切斷而製造由複數個上述第2吸附口之各者吸附之複數個上述製品。
本發明之製造方法中具有如下態樣，即包含以下步驟：準備具有第1旋轉刀之第1切斷機構作為上述切斷機構；準備具有第2旋轉刀之第2切斷機構作為上述切斷機構；作為使上述被切斷物與上述切斷機構相對移動之步驟，使上述被切斷物與上述第1切斷機構相對移動；及作為使上述被切斷物與上述切斷機構相對移動之步驟，使上述半成品與上述第2切斷機構相對移動；且於形成上述切削槽之步驟中，藉由上述第1旋轉刀形成上述切削槽，於切斷上述半成品之步驟中，藉由上述第2旋轉刀切斷上述半成品。
本發明之製造方法具有如下態樣：於吸附上述被切斷物之步驟中，使用上述第1治具，可吸附包含分別具有第1尺寸之複數個上述第1單位區域之第1被切斷物，且可吸附包含分別具有與上述第1尺寸不同之第2尺寸之複數個上述第2單位區域之第2被切斷物。
本發明之製造方法具有如下態樣：於形成上述切削槽之步驟中，沿多條上述切斷線之全部形成上述切削 槽。
本發明之製造方法具有如下態樣：上述被切斷物係於複數個上述單位區域分別形成有功能元件之板狀構件。
本發明之製造方法具有如下態樣：上述被切斷物至少具有由基材構成之第1構件、及形成於上述基材之上之第2構件，於形成上述切削槽之步驟中，於上述第1構件之全部厚度形成上述切削槽，或於上述第2構件之全部厚度形成上述切削槽。
本發明之製造方法具有如下態樣：上述被切斷物至少具有由基材構成之第1構件、及形成於上述基材之上之第2構件，於形成上述切削槽之步驟中，於上述第1構件之全部厚度中之一部分厚度形成上述切削槽，或於上述第2構件之全部厚度中之一部分厚度形成上述切削槽。
本發明之製造方法具有如下態樣：上述第1構件係形成有電路之基板，上述第2構件係絕緣性構件。
根據本發明，第1：第1吸附口具有之第1吸附面積所包含之面積、即吸附1個單位區域之單位吸附面積，較與1個單位區域分別對應之第2吸附口具有之第2吸附面積大。因此，與藉由1個第2吸附口所包 含之第2吸附面積吸附1個單位區域之力相比，藉由1個第1吸附口所包含之單位吸附面積吸附1個單位區域之力增大。
第2：於第1治具，沿所吸附之被切斷物具有之多條切斷線中之至少1條切斷線切削被切斷物之全部厚度中之一部分厚度。藉此，形成至少1條切削槽。藉由形成切削槽，於被切斷物具有翹曲之情形時可降低該翹曲程度。將翹曲程度降低之被切斷物載置於第2治具。藉由設置於第2治具之與複數個上述單位區域分別對應之複數個第2吸附孔穩定地吸附被切斷物。於第2治具，藉由將被切斷物切斷而製造複數個製品。因此，藉由分為切削與切斷之2階段來加工被切斷物可製造複數個製品。
1‧‧‧已密封基板(被切斷物)
1a、1b、1c‧‧‧端材部
2‧‧‧基板(第1構件)
3‧‧‧晶片狀零件
4‧‧‧密封樹脂(第2構件)
5‧‧‧第1切斷線(切斷線)
6‧‧‧第2切斷線(切斷線)
7‧‧‧單位區域
8A‧‧‧切削用平台(第1平台)
8B‧‧‧切斷用平台(第2平台)
9‧‧‧切削用治具(第1治具)
10、16‧‧‧金屬板
11、17‧‧‧樹脂片材
12‧‧‧第1吸附口
13、19B、38‧‧‧吸附路徑
14‧‧‧空間
15‧‧‧切斷用治具(第2治具)
18‧‧‧突起部
19A、37‧‧‧第2吸附口
20‧‧‧第1切斷槽
21‧‧‧第2切斷槽
22‧‧‧旋轉刀(第1旋轉刀、第2旋轉刀)
22A‧‧‧旋轉刀(第1旋轉刀)
22B‧‧‧旋轉刀(第2旋轉刀)
23、23b、23d‧‧‧第1切削槽(切削槽)
24、24c、24e、24g‧‧‧第2切削槽(切削槽)
25、25a、25b‧‧‧第1切斷痕
26、26a、26b‧‧‧第2切斷痕
27‧‧‧製品
28‧‧‧切斷裝置(製造裝置)
29‧‧‧基板供給機構
30A、30B‧‧‧移動機構
31A、31B‧‧‧旋轉機構
32A‧‧‧主軸(切斷機構、第1切斷機構)
32B‧‧‧主軸(切斷機構、第2切斷機構)
33‧‧‧檢查用平台
34‧‧‧已切斷基板
35‧‧‧托盤
36‧‧‧已密封晶圓(被切斷物)
A‧‧‧基板供給模組
B‧‧‧基板切斷模組
C‧‧‧檢查模組
CTL‧‧‧控制部
L1‧‧‧單位區域之1邊之長度
L2‧‧‧形成於單位區域之1邊之切削槽之寬度
L3‧‧‧將切削槽與吸附口之間隔開之壁之厚度
L4‧‧‧第1吸附口之1邊之長度
NT‧‧‧凹槽
S1‧‧‧單位吸附面積
S2‧‧‧第2吸附面積
SA1‧‧‧中心群
SA2‧‧‧中間群
SA3‧‧‧外緣群
W‧‧‧半導體晶圓本體
圖1A係藉由本發明之製造裝置切斷之被切斷物之俯視圖。
圖1B係圖1A中具有翹曲之被切斷物之前視圖。
圖2A係於本發明之實施例1之製造裝置中使用之切削用治具之俯視圖。
圖2B係假想性地顯示將具有翹曲之被切斷物載置於切削用治具之狀態之圖2A之A-A線剖視圖。
圖3A係本發明之實施例1之製造裝置中使用之切斷用治具之俯視圖。
圖3B係假想性地顯示將具有翹曲之被切斷物載置於切斷用治具之狀態之圖3A之B-B線剖視圖。
圖4A係顯示對吸附於圖2A及圖2B所示之切削用治具之被切斷物進行切削之狀態之俯視圖。
圖4B係圖4A之C-C線剖視圖。
圖5A係顯示對吸附於圖3A及圖3B所示之切斷用治具之被切斷物進行切斷之狀態之俯視圖。
圖5B係圖5A之D-D線剖視圖。
圖6A係於本發明之實施例1之變形例之製造裝置中使用之切削用治具之俯視圖。
圖6B係假想性地顯示將具有翹曲之被切斷物載置於切削用治具之狀態之圖6A之A-A線剖視圖。
圖6C係顯示藉由上述切削用治具吸附之1個單位區域之俯視圖。
圖6D係顯示藉由圖3A及圖3B所示之切斷用治具吸附之1個單位區域之俯視圖。
圖7係顯示本發明之實施例2之製造裝置之概要之俯視圖。
圖8係顯示本發明之實施例3之製造裝置之被切斷物與切削用治具之一部分之俯視圖。
於切斷裝置28，設置有用以於具有複數個單位區域7之已密封基板1形成切削槽之切削用治具9、及用以切斷已密封基板1而單片化之切斷用治具15。於切削用治具9設置有具有第1吸附面積之第1吸附口12。藉由第1吸附面積所包含之單位吸附面積吸附1個單位區域7。於切斷用治具15，設置有與複數個單位區域7分別對應地設置且具有第2吸附面積之複數個第2吸附口19A。單位吸附面積較第2吸附面積大。藉由具有包 含單位吸附面積之第1吸附面積之第1吸附口12穩定吸附具有翹曲之已密封基板1。藉由切削已密封基板1所具有之全部厚度中之一部分厚度形成切削槽24。藉由形成切削槽24使已密封基板1之翹曲程度降低。將翹曲程度降低之已密封基板1載置於切斷用治具15。藉由各第2吸附口19A穩定吸附翹曲程度降低之已密封基板1。於切斷用治具15上，藉由切斷已密封基板1製造複數個製品27。於本申請案中，將形成有切削槽之已密封基板(半成品)作為製品所包含者處理。
(實施例1)
參照圖1A至圖6D對本發明之切斷裝置之實施例1進行說明。本申請案之任一圖，均為易於理解而適當省略或誇張地示意性描繪。對於相同之構成要素標註相同之符號並適當省略其說明。
如圖1A及圖1B所示，已密封基板1係最終被切斷而單片化為製品之被切斷物。換言之，已密封基板1係製造複數個製品之情形時之半成品。已密封基板1具有由印刷基板或導線架等構成之基板2、分別安裝於基板2所具有之複數個區域(下述)之晶片狀零件3、及以一併覆蓋複數個區域之方式形成之密封樹脂4。例如，晶片狀零件3為半導體晶片。基板2相當於形成有電路之基板。密封樹脂4相當於絕緣性構件。圖1B顯示具有翹曲之已密封基板1。
如圖1A所示，於已密封基板1，分別假想性地設定有沿長邊方向延伸之多條第1切斷線5與沿短邊方向延伸之多條第2切斷線6。於已密封基板1，由多條第1切斷線5與多條第2切斷線6包圍之(區隔之)複數個單位區域7藉由單片化而分別成為製品。於圖1A中，例如，將沿長 邊方向延伸之5條第1切斷線5設定於已密封基板1。將沿短邊方向延伸之9條第2切斷線6設定於已密封基板1。因此，沿長邊方向形成8個單位區域7及沿短邊方向形成4個單位區域7，合計以格子狀形成32個單位區域7。各個單位區域7相當於製品。形成於已密封基板1上之單位區域7係根據單片化之製品之尺寸或數量而任意設定。圖1A所示之單位區域7之形狀為正方形。單位區域7之形狀亦可為除正方形以外之長方形。
參照圖2A及圖2B，對本發明之切斷裝置中使用之切削用治具進行說明。如圖2A及圖2B所示，於切削用平台8A之上安裝有切削用治具9。切削用治具9係用以於已密封基板1形成切削槽之治具。切削用治具9具備金屬板10、及固定於金屬板10之上之樹脂片材11。樹脂片材11較佳為例如藉由具有適度之柔軟性之矽酮系樹脂或氟系樹脂等形成。
如圖2A及圖2B所示，於切削用治具9之樹脂片材11，設置有具有不依存於製品之尺寸、形狀之尺寸、形狀之第1吸附口12。1個第1吸附口12所具有之第1吸附面積包含藉由第1吸附口12於1個單位區域7吸附該1個單位區域7之面積(以下稱為「單位吸附面積」)。第1吸附面積較吸附1個單位區域7之1個第2吸附口(下述)所具有之第2吸附面積大。單位吸附面積較第2吸附面積大。藉此，第1吸附口12以較1個第2吸附口之第2吸附力大之第1吸附力，藉由單位吸附面積吸附1個單位區域7。因此，切削用治具9可吸附並保持具有翹曲之已密封基板1。
於切削用治具9中為使吸附力加大，第1吸附口12以任意之大小設置任意之數量N(N<所有的單位區域7之數量)。第1吸附面積亦可為包含所有的單位區域7之範圍之面積。於該情形時，第1吸附口12 之數量成為1個。
為吸附並保持已密封基板1，設置自切削用治具9之第1吸附口12之內底面貫通樹脂片材11與金屬板10之吸附路徑13。吸附路徑13與設置於切削用平台8A之空間14相連。切削用平台8A之空間14連接於設置於外部之吸引機構(無圖示)。已密封基板1藉由吸附路徑13與第1吸附口12吸附於切削用治具9。
第1吸附口12之尺寸、形狀不依存於製品之尺寸、形狀。換言之，第1吸附口12之尺寸、形狀不依存於1個單位區域7之尺寸、形狀。因此，可使切削用平台8A及切削用治具9對多種(機型)之製品共通化。
旋轉刀(無圖示)切削所吸附之已密封基板1具有之全部厚度中之一部分厚度。藉此形成之切削槽(無圖示)使已密封基板1之翹曲程度降低。例如，於圖2B所示之情形時，較佳為切削已密封基板1具有之全部厚度中之至少基板2之全部厚度。於使已密封基板1具有之密封樹脂4之側朝上而將已密封基板1吸附於切削用治具9之情形時，較佳為切削已密封基板1具有之全部厚度中之至少密封樹脂4之全部厚度。藉由該等使已密封基板1之翹曲程度降低。
於切削槽過深之情形時，於搬送形成有切削槽之已密封基板1之步驟等中，有產生該已密封基板1於切削槽彎折等不良狀況之虞。較佳為於不會產生已密封基板1彎折等不良狀況之範圍內使切削槽盡可能地深。
沿圖1A所示之已密封基板1具有之多條第1切斷線5及多條第2切斷線6中之一部分切斷線切削已密封基板1。形成於已密封基板1 之複數個切削槽使已密封基板1之翹曲程度降低。在使用切削用治具9時，並不執行切削(切斷)已密封基板1之全部厚度之動作。藉此，無需將與製品之外形(外緣)對應之切斷槽設置於樹脂片材11(參照圖2B)。因此，與切斷用治具相比可容易地製作切削用治具9。此外，可抑制製作切削用治具9之費用。切削用治具9不依存於製品之大小(詳細而言係各個製品之尺寸、形狀)。因此，於以下2個條件之任一者均滿足之情形時，可使切削用治具9對多種已密封基板1共通化。第1條件為，已密封基板1之大小包含於切削用治具9之大小之範圍內。第2條件為，已密封基板1之大小包含切削用治具9可吸附之大小(區域)之情形。
參照圖3A及圖3B，對本發明之切斷裝置中使用之切斷用治具進行說明。如圖3A及圖3B所示，於切斷用平台8B之上，安裝有與特定之製品對應之切斷用治具15。切斷用治具15係用以於切斷裝置中切斷已密封基板1而單片化之治具。切斷用治具15具備金屬板16、及固定於金屬板16之上之樹脂片材17。對於樹脂片材17，為緩和機械衝擊要求適度之柔軟性。樹脂片材17較佳為例如藉由矽酮系樹脂或氟系樹脂等形成。
如圖3A及圖3B所示，於切斷用治具15之樹脂片材17，設置有分別吸附並保持已密封基板1之複數個單位區域7之複數個台地狀之突起部18。與已密封基板1之各單位區域7對應而沿長邊方向形成有8個、沿短邊方向形成有4個之合計形成32個突起部18。於切斷用治具15，於複數個突起部18之上端部設置有複數個第2吸附口19A。1個第2吸附口19A分別對應於1個單位區域7。設置有自各第2吸附口19A之內底面貫通樹脂片材17與金屬板16之吸附路徑19B。
複數個第2吸附口19A分別經由各吸附路徑19B與設置於切斷用平台8B之空間14分別相連。切斷用平台8B之空間14與設置於外部之吸引機構(無圖示)連接。已密封基板1之複數個(32個)單位區域7藉由分別對應之第2吸附口19A吸附於切斷用治具15。
如圖3B所示，在將具有翹曲之已密封基板1載置於切斷用治具15之情形時，於已密封基板1之兩端部，左端之第2吸附口19A吸附左端之單位區域7，右端之第2吸附口19A吸附右端之單位區域7。第2吸附口19A吸附單位區域7係自已密封基板1之兩端向內側(中央部)依序影響。
另一方面，於已密封基板1之中央部，在密封樹脂4之下表面與樹脂片材17之上表面之間產生間隙。此外，1個第2吸附口19A對應於1個單位區域7而設置，故1個第2吸附口19A之吸附面積(第2吸附面積)較1個單位區域7之平面面積小。由於該等原因導致在使用與各單位區域7分別對應之吸附口(第2吸附口)19A之情形時，有無法將具有翹曲之已密封基板1尤其於其中央部吸附之虞。
如圖3A所示，於切斷用治具15設置有沿切斷用治具15之長邊方向延伸之複數個第1切斷槽20。複數個第1切斷槽20對應於已密封基板1中沿長邊方向延伸之多條第1切斷線5(參照圖1A及圖1B)。於切斷用治具15設置有沿切斷用治具15之短邊方向延伸之複數個第2切斷槽21。複數個第2切斷槽21對應於已密封基板1中沿短邊方向延伸之多條第2切斷線6(參照圖1A及圖1B)。
複數個第1切斷槽20及複數個第2切斷槽21之深度(自突 起部18之上表面至各槽之內底面之距離)設定為0.5mm~1.0mm左右。為降低切斷裝置之操作成本，使切斷用平台8B對複數個製品共通化，且僅切斷用治具15對應於製品之大小或數量而調換。
如圖3A及圖3B所示，於第2吸附口19A彼此之間存在有壁部與各切斷槽20、21。將壁部與各切斷槽20、21合稱為「間隔部」。作為第2吸附口19A之平面面積之第2吸附面積係將1個單位區域7之平面面積減去該單位區域7所包含之間隔部之平面面積而得之面積，且係吸附路徑19B之剖面面積(=平面面積)以上之面積。
參照圖4A至圖5B，對將具有翹曲之已密封基板1切斷而單片化之步驟進行說明。圖4A及圖4B顯示使用安裝於切斷機構(無圖示)之旋轉刀22，切削已密封基板1而形成切削槽23、24之步驟。以下圖中之X、Y及Z方向表示基於切斷裝置(參照圖7)之座標系之方向。
參照圖3A至圖4B，對使用圖4B所示之切削用治具9確實地吸附具有翹曲之已密封基板1(參照圖3B)進行說明。圖4A及圖4B係於本發明之切斷裝置中，為確實地吸附具有翹曲之已密封基板1而使用之吸附機構。首先，將已密封基板1載置於安裝於切削用平台8A之切削用治具9所具有之樹脂片材11之上。
如圖4B所示，於切削用治具9設置有2個第1吸附口12。1個第1吸附口12對應於圖4B所示之4行之單位區域7。1個第1吸附口12具有之第1吸附面積包含1個單位區域7中藉由第1吸附口12吸附該1個單位區域7之面積即單位吸附面積。單位吸附面積較圖3B所示之1個第2吸附口19A對1個單位區域7進行吸附之第2吸附面積大。該情形只要將 圖4B與圖3B加以比較便自然明瞭。藉此，第1吸附口12以較第2吸附口19A之第2吸附力大之第1吸附力於單位吸附面積吸附1個單位區域7。
考慮圖4B所示之將已密封基板1載置於樹脂片材11之狀態(吸附之前之狀態)。於該狀態下，相較於已密封基板1之中央部，於已密封基板1之兩端部的密封樹脂4之下表面與樹脂片材11之上表面(第1吸附口12之上端面)之間之間隔較小(參照圖3B)。因此，於已密封基板1之兩端部，左側之第1吸附口12之左端確實地吸附左端之單位區域7，且右側之第1吸附口12之右端確實地吸附右端之單位區域7。
繼而，第1，將與分別位於已密封基板1之左半部之內側之3行之各單位區域7對應之已密封基板1之翹曲自外側(自左側)依序矯正。該效果藉由將分別位於已密封基板1之左半部之內側之3行之各單位區域7之大致整個面由左側之第1吸附口12吸附而增大。第2，將與分別位於已密封基板1之右半部之內側之3行之各單位區域7對應之已密封基板1之翹曲自外側(自右側)依序矯正。該效果藉由將分別位於已密封基板1之右半部之內側之3行之各單位區域7之大致整個面由右側之第1吸附口12吸附而增大。因此，第1吸附口12吸附單位區域7係自已密封基板1之兩端向內側(向中央部)依序影響。由此，將具有翹曲之已密封基板1(參照圖3B)確實地吸附於切削用治具9所具有之樹脂片材11。
以下，對具體之步驟進行說明。如圖4A及圖4B所示，首先，將已密封基板1載置於安裝於切削用平台8A之切削用治具9之上。例如，使已密封基板1之基板2之側朝上，代替圖4A及圖4B所示之狀態，且以使已密封基板1之沿長邊方向延伸之多條第1切斷線5(參照圖4A) 沿Y方向之方式配置已密封基板1。換言之，使圖4A所示之已密封基板1旋轉+90度，將已密封基板1配置於切削用治具9之上。
在將已密封基板1載置於切削用治具9之步驟中，進行吸附於切削用治具9之已密封基板1與旋轉刀22之位置對準。具體而言，將旋轉刀22相對於預先形成於基板2上之位置對準用標記(無圖示)而進行位置對準。於該步驟中，未執行切削(切斷)已密封基板1之全部厚度之動作，故無需於切削用治具9(樹脂片材11)形成切斷槽。因此，在將已密封基板1載置於切削用治具9之情形時，無需進行切削用治具9與已密封基板1之位置對準。
其次，使用位置對準用之相機(無圖示)，拍攝預先形成於基板2上之位置對準用標記。切斷裝置具有之控制部(無圖示)根據所拍攝之圖像設定已密封基板1之沿長邊方向延伸之多條第1切斷線5與沿短邊方向延伸之多條第2切斷線6。
其次，例如，使安裝於切斷機構(無圖示)之旋轉刀22以30,000~40,000rpm左右之速度高速旋轉。於已密封基板1之外側，使安裝於切斷機構之旋轉刀22下降。例如，使旋轉刀22之下端下降至已密封基板1所具有之密封樹脂4之既定之深度位置。使切削用平台8A與旋轉刀22於X方向相對移動。藉此，於代替圖4A所示之狀態而旋轉90度配置之已密封基板1，使旋轉刀22對準於沿長邊方向延伸之特定之第1切斷線5之位置。
其次，使用移動機構(無圖示)，使載置於切削用平台8A(切削用治具9)之已密封基板1於Y方向移動。於代替圖4A所示之狀態 而旋轉90度配置之已密封基板1，藉由旋轉刀22沿著沿長邊方向延伸之第1切斷線5切削全部厚度中之一部分厚度。例如，切削基板2之全部厚度與密封樹脂4之全部厚度中之既定之厚度部分。藉此，沿著已密封基板1之沿長邊方向延伸之第1切斷線5形成切削槽23。為降低已密封基板1之翹曲程度，較佳為使旋轉刀22下降至已密封基板1之適當之深度位置而形成切削槽23。
沿著已密封基板1之沿長邊方向延伸之多條第1切斷線5中之既定數量之切斷線5切削已密封基板1。於代替圖4A所示之狀態而旋轉90度配置之已密封基板1中，例如，形成沿著沿長邊方向延伸之5條切斷線5中之2條切斷線5延伸之切削槽23b、23d(圖4A中以較細之實線顯示之部分)。
其次，使已密封基板1旋轉-90度。藉此，如圖4A所示，以使已密封基板1之沿短邊方向延伸之第2切斷線6沿Y方向之方式配置已密封基板1。其次，例如，使安裝於切斷機構(無圖示)之旋轉刀22以30,000~40,000rpm左右之速度高速旋轉。於已密封基板1之外側，使安裝於切斷機構之旋轉刀22下降。使旋轉刀22之下端下降至已密封基板1所具有之密封樹脂4之既定之深度位置。使切削用平台8A與旋轉刀22於X方向相對移動。藉此，使旋轉刀22對準於已密封基板1之沿短邊方向延伸之特定之第2切斷線6之位置。
其次，使用移動機構(無圖示)，使載置於切削用平台8A(切削用治具9)之已密封基板1於Y方向移動。藉由高速旋轉之旋轉刀22沿著密封基板1之沿短邊方向延伸之第2切斷線6切削例如基板2之全 部厚度與密封樹脂4之全部厚度中之既定之厚度部分。藉此，沿著已密封基板1之沿短邊方向延伸之第2切斷線6形成切削槽24。為降低已密封基板1之翹曲程度，較佳為使旋轉刀22下降至已密封基板1之適當之深度位置而形成切削槽24。
沿著已密封基板1之沿短邊方向延伸之多條第2切斷線6中之既定數量之切斷線6切削已密封基板1。於圖4A中，例如沿著已密封基板1之沿短邊方向延伸之9條切斷線6中之3條切斷線6而於已密封基板1上形成切削槽24c、24e、24g(圖中以較細之實線顯示之部分)。
於已密封基板1形成切削槽23、24。藉此，第1，認為密封樹脂4硬化時之收縮應力之至少一部分被解除。因此，已密封基板1之翹曲程度降低，故將已密封基板1確實地吸附於切削用治具9。第2，已密封基板1之剛性降低，故將已密封基板1確實地吸附於切削用治具9。由於已密封基板1之翹曲程度降低或剛性降低中之至少一者而將已密封基板1確實地吸附於切削用治具9。
形成於已密封基板1上之切削槽23、24之數量及位置根據翹曲之態樣、程度而適當選擇。於圖4A所示之已密封基板1之翹曲並不大之情形時，於中央部形成沿短邊方向之1條切削槽24即可。於該情形時，可有無需形成沿長邊方向之切削槽23之情形。根據翹曲之態樣、程度，可有只要形成切削槽23、24中之至少1條便足夠之情形。
藉由於已密封基板1上形成之複數個切削槽23、24而將已密封基板1假想性地分割為12個中間區域。圖4A所示之最上段與最下段之中間區域(合計8個)分別具有2個單位區域7。中段之中間區域(合計 4個)分別具有4個單位區域7。形成有複數個切削槽23、24之已密封基板1係製造複數個製品之過程中之半成品。
其次，如圖5A及圖5B所示，將形成有切削槽23、24(參照圖4A)之已密封基板1載置於安裝於切斷用平台8B之切斷用治具15之上。例如，使已密封基板1之基板2之側朝上而代替圖5A所示之狀態，以使已密封基板1之沿長邊方向延伸之第1切斷線5及第1切削槽23(參照圖4A)沿Y方向之方式配置已密封基板1。換言之，使圖5A所示之已密封基板1旋轉+90度，將已密封基板1配置於切斷用治具15之上。
於載置形成有切削槽23、24之已密封基板1之步驟中，進行已密封基板1與切斷用治具15之位置對準。該位置對準係以使第1切斷線5及第1切削槽23與第1切斷槽20(參照圖3A)重疊，且第2切斷線6及第2切削槽24與第2切斷槽21(參照圖3A)重疊之方式執行。
將沿已密封基板1之長邊方向延伸之第1切斷線5及第1切削槽23(參照圖4A)配置於沿切斷用治具15之長邊方向延伸之切斷槽20(參照圖3A)之上。將沿已密封基板1之短邊方向延伸之第2切斷線6及第2切削槽24配置於沿切斷用治具15之短邊方向延伸之切斷槽21(參照圖3A)之上。已密封基板1具有之翹曲程度藉由形成第1切削槽23與第2切削槽24而降低。已密封基板1具有之剛性藉由形成第1切削槽23與第2切削槽24而降低。因此，與已密封基板1具有之複數個單位區域7分別對應而形成於切斷用治具15上之複數個第2吸附口19A可穩定地吸附各單位區域7。
其次，使用位置對準用之相機(無圖示)，拍攝預先形成於 基板2上之位置對準用標記。切斷裝置具有之控制部(無圖示)根據所拍攝之圖像再次設定沿已密封基板1之長邊方向延伸之多條第1切斷線5(參照圖4A)及複數個第1切削槽23、與沿短邊方向延伸之多條第2切斷線6及複數個第2切削槽24。藉由於已密封基板1上形成第1切削槽23與第2切削槽24使已密封基板1之翹曲程度降低。因此，已密封基板1之位置關係有可能產生微觀的變化，故較佳為藉由再次進行位置對準設定已密封基板1上之切斷線及切削槽之位置。
其次，例如，使安裝於切斷機構(無圖示)之旋轉刀22以30,000~40,000rpm左右之速度高速旋轉。於已密封基板1之外側，使安裝於切斷機構之旋轉刀22下降。使旋轉刀22之下端下降至較已密封基板1所具有之密封樹脂4之下表面稍微靠下之既定之位置。使切斷用平台8B與旋轉刀22於X方向相對移動。藉此，於代替圖5A所示之狀態而旋轉90度配置之已密封基板1，使旋轉刀22對準於沿長邊方向延伸之特定之第1切斷線5或特定之第1切削槽23(參照圖4A)之位置。
其次，使用移動機構(無圖示)，使代替圖5A所示之狀態而自該狀態旋轉+90度且載置於切斷用平台8B(切斷用治具15)之已密封基板1於Y方向移動。於已密封基板1，沿著沿長邊方向延伸之第1切斷線5(參照圖4A)，使用旋轉刀22將基板2與密封樹脂4一併切斷。藉此，形成圖5A所示之第1切斷痕25(25a)。於已密封基板1，沿著沿長邊方向延伸之第1切削槽23(參照圖4A)，使用旋轉刀22將形成密封樹脂4之剩餘之部分(剩餘之厚度之部分)全部切斷。藉此，形成圖5A所示之第1切斷痕25(25b)。第1切斷痕25(25a、25b)於圖5A中以粗實線顯示。於該狀 態下，將已密封基板1之沿長邊方向形成之端材部1a、1b(於圖5A之上側及下側以二點鏈線顯示之部分)去除。
其次，使已密封基板1旋轉-90度。藉此，如圖5A所示，以使沿已密封基板1之短邊方向延伸之第2切斷線6及第2切削槽24沿Y方向之方式配置已密封基板1。
其次，例如，使安裝於切斷機構(無圖示)之旋轉刀22以30,000~40,000rpm左右之速度高速旋轉。於已密封基板1之外側，使安裝於切斷機構之旋轉刀22下降。使旋轉刀22之下端下降至較已密封基板1所具有之密封樹脂4之下表面稍微靠下之既定之位置。使切斷用平台8B與旋轉刀22於X方向相對移動。藉此，使旋轉刀22對準於沿已密封基板1之短邊方向延伸之特定之第2切斷線6或特定之第2切削槽24之位置。
其次，使用移動機構(無圖示)，使載置於切斷用平台8B(切斷用治具15)之已密封基板1於Y方向移動。沿著沿已密封基板1之短邊方向延伸之第2切斷線6，使用旋轉刀22將已密封基板1所具有之基板2與密封樹脂4一併切斷。藉此，形成第2切斷痕26(26a)。沿著沿已密封基板1之短邊方向延伸之第2切削槽24，使用旋轉刀22將形成密封樹脂4之剩餘之部分(剩餘之厚度之部分)全部切斷。藉此，形成第2切斷痕26(26b)。第2切斷痕26(26a、26b)於圖5A中以較粗之實線顯示。於該狀態下，將沿已密封基板1之短邊方向形成之端材部(圖5A中之左端及右端之部分)去除。於圖5A中，顯示僅去除端材部1c(圖中以二點鏈線顯示之部分)之狀態。
如圖5A所示，於已密封基板1，藉由沿長邊方向形成之第 1切斷痕25與沿短邊方向形成之第2切斷痕26包圍之單位區域7相當於單片化之製品27。將藉由於已密封基板1形成有第1切削槽23與第2切削槽24而使翹曲程度或剛性降低之已密封基板1確實地吸附於切斷用治具15。在將吸附於切斷用治具15之已密封基板1切斷後之狀態下，藉由各第2吸附口19A穩定地吸附相當於各單位區域7之各製品27。因此，於已密封基板1單片化之狀態下，藉由形成於切斷用治具15之各第2吸附口19A而將各製品27穩定地吸附於切斷用治具15。
根據本實施例，第1：於切斷裝置中，分別設置有用以於已密封基板1形成切削槽之切削用治具9、及用以切斷已密封基板1而單片化之切斷用治具15。切斷用治具15之第2吸附口19A具有與已密封基板1所具有之複數個單位區域7分別對應之第2吸附面積。切削用治具9之第1吸附口12具有較第2吸附面積大之第1吸附面積。第1吸附面積所包含之面積、即分別吸附複數個單位區域7之單位吸附面積較第2吸附面積大。因此，藉由包含較第2吸附面積大之單位吸附面積之第1吸附口12而將具有翹曲之已密封基板1吸附於切削用治具9。
第2：首先，在將具有翹曲之已密封基板1吸附於切削用治具9之狀態下，切削已密封基板1所具有之全部厚度中之一部分厚度。藉此，使已密封基板1之翹曲程度降低，且使已密封基板1之剛性降低。其次，將翹曲程度降低之已密封基板1或剛性降低之已密封基板1載置於切斷用治具15。於切斷用治具15設置與已密封基板1所具有之複數個單位區域7分別對應之複數個第2吸附口19A。藉由與複數個單位區域7分別對應之複數個第2吸附口19A穩定地吸附翹曲程度降低之已密封基板1或剛性 降低之已密封基板1。於切斷用治具15，藉由切斷已密封基板1製造複數個製品27。因此，可分為2階段切斷具有翹曲之已密封基板1。
第3：於切削用治具9，設置具有不依存於製品之尺寸、形狀之尺寸、形狀的第1吸附口12。由於未執行切削(切斷)已密封基板1之全部厚度之動作，故無需於切削用治具9設置與製品之大小對應之切斷槽。因此，與通常之切斷用治具相比可容易地製作切削用治具9，且可抑制製作切削用治具9之費用。此外，切削用治具9不依存於製品之尺寸、形狀。因此，只要已密封基板1之大小在切削用治具9之大小之範圍內，則可使切削用平台8A及切削用治具9對多種(機種)之製品共通化。
再者，於圖4A及圖4B所示之已密封基板1，藉由形成沿長邊方向延伸之2條切削槽23b、23d及沿短邊方向延伸之3條切削槽24c、24e、24g使已密封基板1之翹曲程度降低。但並不限於此，亦可形成沿著沿已密封基板1之長邊方向延伸之所有的切斷線5延伸之切削槽23。亦可形成沿著沿已密封基板1之短邊方向延伸之所有的切斷線6延伸之切削槽24。形成於已密封基板1上之切削槽之數量可根據已密封基板1之大小、已密封基板1之厚度、基板2之厚度、密封樹脂4之厚度、製品27(參照圖5A及圖5B)之尺寸等而任意決定。
於圖4A及圖4B中，切削已密封基板1具有之基板2之全部厚度與密封樹脂4之全部厚度中之既定之厚度部分而形成切削槽。但並不限於此，亦可僅切削已密封基板1具有之基板2之全部厚度中之既定之厚度部分而形成切削槽。該方法例如於密封樹脂4之全部厚度較基板2之全部厚度小之情形時有效。
亦可代替圖4A及圖4B所示之樹脂片材11，使用於已密封基板1之中央部之切斷線6之下方具有第1吸附口12之樹脂片材11。於該情形時，可於中央部之1條切斷線6切斷已密封基板1。藉此，自已密封基板1產生2個半成品。1個半成品具有16(=4×4)個單位區域7。各個半成品之翹曲程度降低。將翹曲程度降低之2個半成品分別吸附於圖5B所示之切斷用治具15之上。使用圖5B所示之旋轉刀22，將吸附於切斷用治具15之上之各半成品切斷。除於中央部之1條切斷線6切斷已密封基板1之外，亦可沿已密封基板1之切斷線5、6於已密封基板1形成切削槽23、24。
以下，參照圖6A至圖6D所示之變形例，對藉由1個第1吸附口12吸附1個單位區域7之面積即單位吸附面積、與藉由1個第2吸附口19A吸附1個單位區域7之面積即第2吸附面積之關係進行說明。於以下之說明中，藉由無名數(無因次數)表示長度。
如已敍述般，單位吸附面積較第2吸附面積大。然而，於單位吸附面積較第2吸附面積稍大之情形時，第1吸附口12僅限於可以較第2吸附口19A稍大之吸附力吸附1個單位區域7。
如圖6A及圖6B所示，本變形例之1個第1吸附口12與圖6A之沿上下方向排列之4個單位區域7對應而覆蓋各單位區域7之除兩端以外之部分。1個第1吸附口12延伸至圖6A所示之上端及下端之單位區域7之外側而配置。
如圖6C及圖6D所示，作為已密封基板1具有之單位區域7之例，對單位區域7之1邊之長度L1為10之正方形之單位區域7進行說明。假定使用圖5所示之切斷治具15吸附單位區域7之情形。如圖6D所示， 形成於單位區域7之1邊之切斷槽之寬度L2為0.5。因此，切斷槽整體之寬度為L2×2=1。將切斷槽與第2吸附口19A之間隔開之壁(圖6D中以影線圖示)之厚度L3=1。
圖6D將切斷圖5A及圖5B所示之已密封基板1之步驟中藉由第2吸附口19A吸附之單位區域7以俯視圖顯示。與1個單位區域7對應之1個第2吸附口19A係1邊之長度L4為7之正方形。因此，1個單位區域7藉由1個第2吸附口19A吸附之面積即第2吸附面積S2為49(=L4×L4=7×7)。
參照圖6D，研究於形成切削槽之步驟中，藉由較第2吸附面積S2大之單位吸附面積吸附1個單位區域7之一態樣。於具有第1吸附口12之樹脂片材11上，無需切斷槽(參照圖5B之切斷槽21)。據此，自圖6D之狀態去除切斷槽，擴大吸附口。擴大之吸附口(第2吸附口)係1邊之長度L4為8之正方形。因此，1個單位區域7藉由1個第2吸附口19A吸附之面積即第2吸附面積S2為64(=L4×L4=8×8)。
將第1吸附面積所包含之單位吸附面積與第2吸附面積S2加以比較。單位吸附面積S1為第2吸附面積S2之64/49倍(≒1.31)倍。於該情形時，以1個單位區域7為對象之第1吸附口12之第1吸附力成為以1個單位區域7為對象之第2吸附口19A之第2吸附力的1.3倍左右。根據該倍率，單位吸附面積S1較佳為第2吸附面積S2之1.3倍以上。藉此，在吸附載置於樹脂片材11之上之已密封基板1之步驟中，產生藉由第1吸附力而確實地吸附具有翹曲之已密封基板1之效果。
參照圖6C，研究於形成切削槽之步驟中，藉由較第2吸附 面積S2大之單位吸附面積吸附1個單位區域7之另一態樣。該態樣係實現較第2吸附面積S2大之單位吸附面積之又一態樣。圖6C將形成切削槽之步驟中藉由第1吸附口12吸附之單位區域7之又一態樣以俯視圖顯示。圖6C所示之第1吸附口12係使圖6D所示之第2吸附口19A於圖6A之上下方向相連而成者。因此，1個單位區域7藉由第1吸附口12吸附之面積即單位吸附面積S1為70(=(L1-2×(L2+L3))×L1=7×10)。
單位區域7之另一態樣之另一單位吸附面積S1為第1吸附面積S1之70/49倍(≒1.43)倍。於該情形時，以1個單位區域7為對象之第1吸附口12之第1吸附力成為以1個單位區域7為對象之第2吸附口19A之第2吸附力之1.4倍左右。基於該倍率，單位吸附面積S1更佳為第2吸附面積S2之1.4倍以上。藉此，在吸附載置於樹脂片材11之上之已密封基板1之步驟中，產生藉由第1吸附力而更確實地吸附具有翹曲之已密封基板1之效果。
以下，對藉由設置時間差而依序使用複數個第1吸附口12來吸附已密封基板1之變形例進行說明。於與複數個第1吸附口12分別相連之吸附路徑13上設置開關閥。吸附路徑13與開關閥構成1個配管系統。
如圖1B所示，已密封基板1由於密封樹脂4硬化時之收縮應力而導致兩端部一般會以向密封樹脂4之側突出之方式變形。換言之，已密封基板1之兩端部之變形最大。參照圖6C及圖6D，其已敍述了以下情形。較佳為藉由1個第1吸附口12吸附1個單位區域7之面積即單位吸附面積S1為藉由1個第2吸附口19A吸附1個單位區域7之面積即第2吸附面積S2之1.3倍以上。更佳為第1吸附面積S1為第2吸附面積S2之1.4 倍以上。
例如，作為第1變形例，代替圖2B、圖4B所示之2個(2行)吸附口(第1吸附口)12而設置沿圖之左右方向排列之4個(4行)第1吸附口12。該第1吸附口12之1個分別相當於圖6B所示之沿自近前至深度方向分別延伸之相鄰之2行之第1吸附口12(圖1所示之單位區域7之2×4=8個量)。設置與4個第1吸附口12分別相連之吸附路徑13與開關閥。於該情形時，設置4個配管系統。
如圖6B所示，於使基板2之側朝上而將已密封基板1配置於切削用治具9之情形時，於已密封基板1之中央部，在密封樹脂4之下表面與樹脂片材11之上表面之間產生間隙。於該情形時，首先，使用與已密封基板1之兩端部對應配置之第1吸附口12(右端之1個，左端之1個)吸附已密封基板1。其次，使用剩餘之第1吸附口12(中央部之2個)吸附已密封基板1。藉此，可吸附並保持具有翹曲之已密封基板1。
於使已密封基板1所具有之基板2之側朝上而將已密封基板1吸附於切削用治具9之情形時，較佳為切削已密封基板1所具有之基板2之全部厚度與密封樹脂4之一部分厚度部分(參照圖4B)。由此使已密封基板1之翹曲程度進一步降低，且使已密封基板1之剛性進一步降低。
於使密封樹脂4之側朝上而將已密封基板1配置於切削用治具9之情形時，於已密封基板1之兩端部，在基板2之下表面與樹脂片材11之上表面之間產生間隙。於該情形時，首先，使用與已密封基板1之中央部對應配置之第1吸附口12(中央部之2個)吸附已密封基板1。其次，使用剩餘之兩端部之第1吸附口12(右端之1個，左端之1個)吸附已密 封基板1。
於使已密封基板1所具有之密封樹脂4之側朝上而將已密封基板1吸附於切削用治具9之情形時，較佳為切削已密封基板1所具有之密封樹脂4之全部厚度與基板2之一部分厚度部分。由此使已密封基板1之翹曲程度進一步降低，且使已密封基板1之剛性進一步降低。
作為第2變形例，例如，代替圖2B及圖4B所示之2個(2行)第1吸附口12而設置圖6A及圖6B所示之8個(8行)第1吸附口12。於已密封基板1之兩端部，在基板2之下表面與樹脂片材11之上表面之間產生間隙之情形時，首先，使用位於自兩端起之第2個與第3個之中間部之第1吸附口12(合計4個)吸附已密封基板1。其次，使用剩餘之第1吸附口12(中央部之2個及兩端之2個)吸附已密封基板1。藉此，可吸附並保持具有翹曲之已密封基板1。
第2變形例中，於被切斷物為除正方形以外之矩形之情形時(尤其如圖1A所示之被切斷物(已密封基板1)般為具有較大之縱橫比之矩形之情形時)有效。作為一態樣，與沿短邊方向之數個(圖1A中為4個)行狀之單位區域7對應而設置圖6A所示之1個細長之第1吸附口12。1個細長之第1吸附口12以沿長邊方向排列之方式設置8行。8行之第1吸附口12分別連接於不同之配管系統(8個)。8行之第1吸附口12所具有之另一態樣係將沿短邊方向排列之2個至3個第1吸附口12沿長邊方向排列成8行之態樣。於該等態樣中，1個第1吸附口12吸附之已密封基板1之面積較1個單位區域7之面積大。
作為其他態樣，與沿短邊方向之數個(圖1A中為4個)行 狀之單位區域7分別對應而設置4個行狀之吸附口12。排列成1行之4個第1吸附口12以沿長邊方向排列之方式設置8行。
於任一態樣中，8行之第1吸附口12均分別連接於不同之配管系統(8個)。藉由任一態樣，均根據被切斷物之變形(包含翹曲、起伏)之態樣設置時間差且依序使用複數個第1吸附口12。藉此，可確實地吸附具有翹曲之被切斷物。
作為使用該等8行之第1吸附口12之例，舉出以下之例。自中央部向兩端部依序使用8行之第1吸附口12。自兩端部向中央部依序使用8行之第1吸附口12。自位於中央部與兩端部之間之中間部向中央部依序使用8行之第1吸附口12之後，自中間部向兩端部依序使用。自中間部向兩端部依序使用8行之第1吸附口12之後，自中間部向中央部依序使用。自一短邊之側向另一短邊之側依序使用8行之第1吸附口12。
亦可使用單面形成有黏著劑之膠帶，將貼附於膠帶之已密封基板1等被切斷物與該膠帶一併吸附於切削用治具9所具有之樹脂片材11(參照圖4B)。圖4B所示之具有第1吸附口12之樹脂片材11吸附貼附有被切斷物之膠帶。藉此，將貼附有具有翹曲之被切斷物之膠帶確實地吸附於切削用治具9之樹脂片材11。
如圖4A及圖4B所示，使用切斷刀22，在吸附於樹脂片材11之被切斷物形成切削槽23、24。於使用膠帶之情形時，亦可使用切斷刀22將吸附於樹脂片材11之被切斷物切斷。於該情形時，使切斷刀22下降直至切斷刀22之下端到達膠帶之厚度之既定位置為止。其後，使切斷刀22與切削用治具9相對移動，將被切斷物切斷。於該情形時，圖4所示之切 削用治具9作為切斷用治具發揮功能。
吸附被切斷之各製品27(參照圖5A及圖5B)而將其自膠帶拉離，且移送並收納於托盤。作為膠帶具有之黏著劑，使用紫外線硬化型黏著劑。在將被切斷之製品27黏著於膠帶之狀態下，對膠帶照射紫外線，藉此使黏著劑之黏著力降低。因此，可吸附製品27而容易地將其自膠帶拉離。
在將已密封基板1載置於切削用治具9所具有之樹脂片材11之上時，較佳為搬送用治具(無圖示)以如下方式處理已密封基板1。首先，在搬送用治具吸附圖3B所示之已密封基板1所具有之基板2之狀態下，將已密封基板1載置於圖4B所示之樹脂片材11之上表面。其次，藉由搬送用治具於圖4B所示之-Z方向稍微移動而將已密封基板1壓抵於樹脂片材11之上表面。藉此矯正已密封基板1之翹曲(參照圖3B)。其次，使用圖4B所示之第1吸附口12，將已密封基板1吸附於樹脂片材11之上表面。藉由此前之步驟將已密封基板1所具有之密封樹脂4之下表面之大部分吸附於樹脂片材11之上表面(參照圖4B)。其次，搬送用治具解除對已密封基板1之吸附。其次，搬送用治具上升之後，例如於圖4B所示之X方向或Y方向移動，自切削用治具9之上方離開。
(實施例2)
參照圖7對本發明之切斷裝置之實施例2進行說明。如圖7所示，切斷裝置28係使被切斷物單片化為複數個製品之裝置。切斷裝置28具備分別作為構成要素之基板供給模組A、基板切斷模組B、及檢查模組C。各構成要素(各模組A~C)分別相對於其他構成要素能夠裝卸且能夠更換。
於基板供給模組A設置有基板供給機構29。將相當於被切斷物之已密封基板1自基板供給機構29搬出，且藉由移送機構(無圖示)移送至基板切斷模組B。
圖7所示之切斷裝置28係雙座模切(twin-cut)平台方式之切斷裝置。因此，於基板切斷模組B設置有1個切削用平台8A與1個切斷用平台8B。於切削用平台8A安裝有切削用治具9(參照圖2A及圖2B)。於切斷用平台8B安裝有切斷用治具15(參照圖3A及圖3B)。切削用平台8A藉由移動機構30A而能夠朝圖之Y方向移動，且藉由旋轉機構31A而能夠朝θ方向旋動。切斷用平台8B藉由移動機構30B而能夠朝圖之Y方向移動，且藉由旋轉機構31B而能夠朝θ方向旋動。
於基板切斷模組B設置有位置對準用之相機(無圖示)。位置對準用之相機能夠獨立地朝X方向移動。於基板切斷模組B設置有作為切斷機構之2個主軸32A、32B。切斷裝置28係設置有2個主軸32A、32B之雙主軸構成之切斷裝置。主軸32A、32B能夠獨立地朝X方向與Z方向移動。於主軸32A、32B，為抑制藉由高速旋轉之旋轉刀22A、22B產生之摩擦熱而設置有噴射切削水之切削水用噴嘴(無圖示)。藉由使切削用平台8A與主軸32A相對移動來切削已密封基板1而形成切削槽。藉由使切斷用平台8B與主軸32B相對移動來切斷已密封基板1使其單片化。旋轉刀22A藉由於包含Y方向與Z方向之面內旋轉切削已密封基板1。旋轉刀22B藉由於包含Y方向與Z方向之面內旋轉切斷已密封基板1。
於檢查模組C設置有檢查用平台33。於檢查用平台33載置有由將已密封基板1切斷而單片化所成之複數個製品27(參照圖5A及圖 5B)構成之集合體、即已切斷基板34。複數個製品27藉由檢查用之相機(無圖示)檢查，篩選出良品與不良品。良品被收容於托盤35。
再者，於本實施例中，將進行切斷裝置28之動作、已密封基板1之搬送、已密封基板1之切削及切斷、以及製品27之檢查等所有的動作或控制之控制部CTL設置於基板供給模組A內。但並不限於此，亦可將控制部CTL設置於其他模組內。
於基板切斷模組B中，首先，將已密封基板1載置並吸附於安裝於切削用平台8A之切削用治具9。其次，藉由安裝於主軸32A之旋轉刀22A在吸附於切削用治具9之已密封基板1形成切削槽。例如，沿設定於已密封基板1之多條切斷線中之一部分切斷線切削全部厚度中之一部分厚度。藉由於已密封基板1形成切削槽使已密封基板1之翹曲程度降低。
其次，將翹曲程度降低之已密封基板1載置於切斷用治具15。由於已密封基板1之翹曲程度降低，故藉由形成於切斷用治具15之各個第2吸附口19A穩定地吸附與製品27相當之各單位區域7(參照圖3A及圖3B)。藉由安裝於主軸32B之旋轉刀22B切斷吸附於切斷用治具15之已密封基板1。沿設定於已密封基板1之切斷線切斷已密封基板1之全部厚度，且沿形成於已密封基板1之切削槽切斷相當於已密封基板1之全部厚度中之剩餘厚度之部分。藉此，將已密封基板1單片化而製造製品27(參照圖5A及圖5B)。
於本實施例中，對為雙座模切平台方式、且為雙主軸構成之切斷裝置28進行了說明。但並不限於此，對於為雙座模切平台方式且為單主軸構成之切斷裝置，亦可應用本發明。
於本實施例中，在為雙座模切平台方式之切斷裝置28中，將切削用治具9安裝於切削用平台8A，且將切斷用治具15安裝於切斷用平台8B。但並不限於此，對於使用2台單座模切平台方式之切斷裝置之情形亦可應用本發明。於該情形時，將切削用治具9安裝於一切斷裝置，且將一切斷裝置定位成作為降低已密封基板1之翹曲程度之專用裝置。將切斷用治具15安裝於另一切斷裝置，且將另一切斷裝置定位成作為切斷已密封基板1而單片化之專用裝置。
(實施例3)
參照圖8對本發明之切斷裝置之實施例3進行說明。如圖8所示，本實施例之被切斷物具有大致圓形之平面形狀。被切斷物例如係由樹脂密封之半導體晶圓構成之已密封晶圓36。已密封晶圓36具有複數個(圖8中為52個)單位區域7、凹槽NT、及密封樹脂(無圖示)。於各單位區域7形成有電路。將已密封晶圓36以使半導體晶圓本體W朝上之方式載置於切削用治具9(參照圖2A及圖2B)之樹脂片材11之上。被切斷物亦可係將半導體晶片安裝於具有圓形之平面形狀之印刷基板之各單位區域7之圓形之已密封基板。
如圖8所示，於樹脂片材11設置有具有與1個單位區域7對應之第2吸附面積之第2吸附口37(相當於圖3A及圖3B、圖5B所示之第2吸附口19A)。第2吸附口37僅設置有與所有的單位區域7之數量即N個(例如，於圖8之情形時為52個)相等之數量。為易於觀察圖8，在樹脂片材11所具有之第2吸附口37中僅在位於右下之1個，將使第2吸附口37彼此之間隔開之壁以較細之虛線顯示。
一群(52個)第2吸附口37經由各吸附路徑38與開關閥連接於吸引機構(無圖示)。設置於樹脂片材11之各第2吸附口37及各吸附路徑38具有與圖5B所示之設置於樹脂片材17之各第2吸附口19A及各吸附路徑19B相同之構造。
於本實施例中，將與52個單位區域7分別對應之52個第2吸附口37分為圖8所示之3個群。其係中心群SA1、位於其外側之中間群SA2、及位於最外側之外緣群SA3之3個群。3個群之各者相當於1個第1吸附口(參照圖2A及圖2B所示之第1吸附口12)。
中心群SA1具有4個第2吸附口37。因此，中心群SA1具有之吸附口(第1吸附口)係4個第2吸附口37之集合體。該集合體具有之吸附面積(第1吸附面積)為1個第2吸附口37具有之吸附面積之總和(於該情形時，為1個第2吸附口37具有之吸附面積之4倍)。同樣地，中間群SA2具有之吸附口(第1吸附口)係32個第2吸附口37之集合體。該集合體具有之吸附面積(第1吸附面積)為1個第2吸附口37具有之吸附面積之32倍。外緣群SA3具有之吸附口(第1吸附口)係16個第2吸附口37之集合體。該集合體具有之吸附面積(第1吸附面積)為1個第2吸附口37具有之吸附面積之16倍。
在設置於切削用治具之樹脂片材之下方之金屬板(參照圖2所示之金屬板10)，中心群SA1具有之複數個第2吸附口37全部連通，中間群SA2具有之複數個第2吸附口37全部連通，且外緣群SA3具有之複數個第2吸附口37全部連通。中心群SA1具有之各第2吸附口37與設置於外部之吸引機構(無圖示)經由各吸附路徑38與第1開關閥(無圖示)連 接。中間群SA2具有之第2吸附口37與吸引機構經由各吸附路徑38與第2開關閥(無圖示)連接。外緣群SA3具有之第2吸附口37與吸引機構經由各吸附路徑38與第3開關閥(無圖示)連接。於各群中設置有共通使用之1個吸引機構。
於本實施例中，同時使用中心群SA1具有之各第2吸附口37、中間群SA2具有之各第2吸附口37、及外緣群SA3具有之第2各吸附口37吸附已密封晶圓36。此外，於本實施例中，亦可採用如下之變形例，即，藉由設置時間差而依序使用複數個第2吸附口37吸附已密封晶圓36。
於已密封晶圓36之中央部，在密封樹脂之下表面與樹脂片材11之上表面之間產生間隙之情形時較佳為以外緣群SA3、中間群SA2、及中心群SA1之順序吸附已密封晶圓36。根據已密封晶圓36之翹曲之態樣，吸附已密封晶圓36之順序亦可為中間群SA2、中心群SA1、外緣群SA3之順序，還可為中間群SA2、外緣群SA3、中心群SA1之順序。
於已密封晶圓36之外緣部，在半導體晶圓之下表面與樹脂片材之上表面之間產生間隙之情形時，較佳為以中心群SA1、中間群SA2、及外緣群SA3之順序吸附已密封晶圓36。根據已密封晶圓36之翹曲之態樣，吸附已密封晶圓36之順序亦可為中間群SA2、中心群SA1、外緣群SA3之順序，還可為中間群SA2、外緣群SA3、中心群SA1之順序。
根據本實施例，於樹脂片材11設置有與1個單位區域7對應之1個吸附口37。對已密封晶圓36之整個區域設置複數個(圖8中為3個)由複數個第2吸附口37構成之群。設置與3個群分別對應之3系統之配管系統。此外，根據本變形例，根據已密封晶圓36翹曲之態樣，依序使 用複數個群吸附已密封晶圓36。藉此，第1：根據已密封晶圓36翹曲之態樣，可適當地吸附已密封晶圓36。第2：於使用膠帶之情形時，可使樹脂片材11在切削用治具與切斷用治具上共通化。
亦可將複數個第2吸附口37分為更多之群。例如，亦可將圖8所示之中間群SA2分為分別具有4個第2吸附口37之正方形狀之8個群。亦可將圖8所示之外緣群SA3分為分別具有4個第2吸附口37之行狀之4個群。藉此，根據作為被切斷物之已密封晶圓36之翹曲、起伏、彎曲等變形之態樣，可藉由最佳之方法吸附已密封晶圓36。
總結而言，根據自樹脂片材11之上表面至被切斷物之下表面為止之距離(以下稱為「隔離距離」)以如下方式吸附被切斷物。第1：在使用與隔離距離最大之部分對應而配置之複數個第2吸附口37吸附被切斷物之後，使用與該部分之周邊對應而配置(與該部分相鄰)之複數個第2吸附口37吸附切斷物。第2：在使用與隔離距離最大之部分之周邊對應而配置之複數個第2吸附口37吸附被切斷物之後，使用已使用之位於複數個第2吸附口37之周邊之複數個第2吸附口37吸附被切斷物。第3：在使用與被切斷物中隔離距離最小之部分(被切斷物之下表面與樹脂片材11之上表面接觸之部分)對應而配置之複數個第2吸附口37吸附被切斷物之後，使用已使用之位於複數個第2吸附口37之周邊之複數個第2吸附口37吸附被切斷物。
如圖8所示，將由複數個第2吸附口37構成之1個吸附口群依序配置成大致同心圓狀(或具有相同中心之框狀)。藉由設置時間差而依序使用複數個吸附口群吸附被切斷物。根據被切斷物之變形(包含翹曲、 起伏、彎曲)之態樣，可藉由設置時間差而依序使用複數個吸附口群吸附被切斷物。
當被切斷物之平面形狀為除正方形以外之矩形(尤其如圖1A所示之已密封基板1般具有較大之縱橫比之矩形)之情形時，以如下方式使用上述之複數個吸附口群。可自中央部向兩端部(圖1A之左端及右端)依序使用複數個吸附口群。亦可自兩端部向中央部依序使用複數個吸附口群。亦可在自位於中央部與兩端部之間之中間部向中央部依序使用複數個吸附口群之後，自中間部向兩端部依序使用。亦可在自中間部向兩端部依序使用複數個吸附口群之後，自中間部向中央部依序使用。亦可自圖1A所示之被切斷物之一端(圖1A之左端或右端)向另一端(右端或左端)依序使用複數個吸附口群。
在被切斷物之平面形狀為正方形或圓形之情形時(包含為接近於正方形之矩形之情形或如圖8所示之已密封晶圓36般實質上為圓形之情形)，以如下方式使用上述之複數個吸附口群。亦可自中央部向周邊部依序使用複數個吸附口群。還可自周邊部向中央部依序使用複數個吸附口群。亦可在自位於中央部與周邊部之間之中間部向中央部依序使用複數個吸附口群之後，自中間部向周邊部依序使用。亦可在自中間部向周邊部依序使用複數個吸附口群之後，自中間部向中央部依序使用。還可自圖8所示之被切斷物之一端向另一端依序使用複數個吸附口群。
亦可代替由複數個第2吸附口37構成之1個吸附口群而設置複數個相當於1個吸附口群之1個吸附口。例如，自圖8所示之被切斷物之右端依序設置與沿上下方向延伸之4個單位區域7對應之1個吸附口 (4個量之圖8所示之右端之第2吸附口37)、4行量之與6個單位區域7對應之1個吸附口、4行量之與8個單位區域7對應之1個吸附口、與6個單位區域7對應之1個吸附口、及與4個單位區域7對應之1個吸附口。
亦可準備多種設置時間差且依序使用複數個吸附口群之態樣。將實現該等多種態樣之多種軟體儲存於圖7所示之控制部CTL。控制部CTL自多種軟體中選擇最佳之軟體，且執行該最佳之軟體。亦可於吸附被切斷物之前，使控制部CTL依序執行多種軟體。亦可於圖7所示之切斷裝置設置測定被切斷物之變形之計測機構。根據藉由計測機構測定之變形之態樣(特定出成為凹凸之部分、變形之尺寸等)，控制部CTL自多種軟體中選擇最佳之軟體且執行該最佳之軟體。
再者，於實施例1、2中顯示了將具有含有長邊方向與短邊方向之矩形之平面形狀之已密封基板1作為被切斷物而切斷之情形。實施例3中顯示了將實質上具有圓形之平面形狀之已密封晶圓36作為被切斷物而切斷之情形。但並不限於此，於將具有矩形(包含正方形)以外、且圓形以外之不規則之平面形狀之被切斷物切斷之情形時亦可應用本發明。
於各實施例中顯示了將於基板2之上形成有密封樹脂4之已密封基板1作為被切斷物而切斷之情形。但並不限於此，對於使用導線架、環氧樹脂玻璃積層板、印刷配線板、陶瓷基板、金屬基底基板、膜基底基板等作為被切斷物之基板，且於其上形成有密封樹脂之已密封基板，亦可應用本發明。
作為功能元件，除IC(Integrated Circuit，積體電路)、電晶體、二極體等半導體元件之外，還包含感測器、濾波器、致動器、振盪子 等。亦可將複數個功能元件搭載於1個單位區域7。
如已敍述般，在將使矽酮半導體或化合物半導體之半導體晶圓藉由密封樹脂一併樹脂密封而成之如晶圓級封裝般實質上具有圓形之形狀之被切斷物切斷之情形時，可應用本發明。於該情形時，密封樹脂相當於絕緣性構件。在將由半導體晶圓構成之被切斷物切斷之情形時，可應用本發明。該情形時，用以保護形成於半導體晶圓之電路之鈍化膜相當於絕緣性構件。於上述2種情形時，半導體晶圓相當於形成有電路之基板。
作為搭載於基板2之各單位區域7之晶片狀零件3，不僅可為作為主動元件之1個晶片狀零件3，亦可為複數個晶片狀零件(包含被動零件)。晶片狀零件3僅為例示，亦可將連接器等機構零件、振盪子、感測器、濾波器等搭載於各單位區域7。
在欲抑制使作為板狀構件之樹脂成形品單片化之步驟中之板狀構件之翹曲之情形時，可應用本發明。例如，在藉由使作為板狀構件之樹脂成形品單片化而製造透鏡、微透鏡陣列、光學模組、導光板等光學零件之情形時，可應用本發明。於該情形時，透鏡、微透鏡陣列、光學模組、導光板等相當於功能元件。此外，於使樹脂成形品單片化而製造連接器等一般的成形製品之情形時，可應用本發明。於該情形時，成形製品相當於功能元件。於包含該等情形之各種情形時，可應用此前說明之內容。
本發明並不限定於上述各實施例，於不脫離本發明之要旨之範圍內，視需要可任意且適當地組合、變更、或選擇採用。

Claims (18)

  1. 一種製造裝置，其係具備對具有由多條切斷線區隔之複數個單位區域之被切斷物進行切削之切斷機構、及設置於上述切斷機構之旋轉刀，且於藉由將上述被切斷物切斷而製造與複數個上述單位區域分別對應之複數個製品之過程中使用者，其特徵在於具備：第1平台，其載置上述被切斷物；第2平台，其載置上述被切斷物；移動機構，其使上述第1平台及上述第2平台與上述切斷機構相對移動；第1治具，其安裝於上述第1平台之上；1個或複數個第1吸附口，其等設置於上述第1治具，分別藉由第1吸附面積吸附上述被切斷物；第2治具，其安裝於上述第2平台之上；及複數個第2吸附口，其等於上述第2治具中與複數個上述單位區域分別對應地設置，且分別藉由第2吸附面積吸附1個上述單位區域；且上述第1吸附面積所包含之面積、即分別吸附複數個上述單位區域之單位吸附面積較上述第2吸附面積大，於上述第1治具，藉由上述旋轉刀沿多條上述切斷線中之至少1條上述切斷線切削上述被切斷物之全部厚度中之一部分厚度形成至少1條切削槽，於上述第1治具，形成具有由上述切削槽區隔之複數個中間區域之半成品， 於上述第2治具，藉由利用上述旋轉刀沿多條上述切斷線將上述半成品切斷，製造由複數個上述第2吸附口分別吸附之複數個上述製品。
  2. 如申請專利範圍第1項之製造裝置，其具備：上述切斷機構具有之第1切斷機構；及上述切斷機構具有之第2切斷機構；且於上述第1治具，藉由設置於上述第1切斷機構之第1旋轉刀形成上述切削槽，於上述第2治具，藉由設置於上述第2切斷機構之第2旋轉刀切斷上述半成品。
  3. 如申請專利範圍第1項之製造裝置，其中上述第1治具可吸附包含分別具有第1尺寸之複數個第1單位區域之第1被切斷物，且可吸附包含分別具有與上述第1尺寸不同之第2尺寸之複數個第2單位區域之第2被切斷物。
  4. 如申請專利範圍第1項之製造裝置，其中上述切削槽沿多條上述切斷線之全部形成。
  5. 如申請專利範圍第1項之製造裝置，其中上述被切斷物係於複數個上述單位區域分別形成有功能元件之板狀構件。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之製造裝置，其中上述被切斷物至少具有由基材構成之第1構件、及形成於上述基材之上之第2構件，上述切削槽係形成於上述第1構件之至少全部厚度，或形成於上述 第2構件之至少全部厚度。
  7. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之製造裝置，其中上述被切斷物至少具有由基材構成之第1構件、及形成於上述基材之上之第2構件，上述切削槽係形成於上述第1構件之全部厚度中之一部分厚度，或形成於上述第2構件之全部厚度中之一部分厚度。
  8. 如申請專利範圍第6項之製造裝置，其中上述第1構件係形成有電路之基板，上述第2構件係絕緣性構件。
  9. 如申請專利範圍第7項之製造裝置，其中上述第1構件係形成有電路之基板，上述第2構件係絕緣性構件。
  10. 一種製造方法，其係包含使具有由多條切斷線區隔之複數個單位區域之被切斷物與切斷機構相對移動之步驟、使用上述切斷機構所具有之旋轉刀切削上述被切斷物之步驟、及使用上述旋轉刀將所切削之上述被切斷物切斷之步驟，且於藉由將上述被切斷物切斷而製造與複數個上述單位區域分別對應之複數個製品之過程中使用者，其特徵在於包含以下步驟：準備載置上述被切斷物之第1平台；準備載置上述被切斷物之第2平台；準備第1治具，其安裝於上述第1平台之上，且具有分別具有第1吸附面積之1個或複數個第1吸附口； 準備第2治具，其安裝於上述第2平台之上，與複數個上述單位區域分別對應地具有分別具有第2吸附面積之複數個第2吸附口；於上述第1治具，使用1個或複數個上述第1吸附口之各者吸附上述被切斷物；作為上述切削之步驟，於上述第1治具，使用上述旋轉刀沿複數個上述切斷線中之至少1條上述切斷線切削上述被切斷物之全部厚度中之一部分厚度，藉此形成至少1條切削槽；於上述第1治具，形成具有由上述切削槽區隔之複數個中間區域之半成品；於上述第2治具載置上述半成品；於上述第2治具，使用複數個上述第2吸附口之各者吸附上述半成品所具有之複數個上述單位區域之各者，藉此吸附上述半成品；及作為上述切斷之步驟，於上述第2治具，使用上述旋轉刀沿多條上述切斷線切斷上述半成品；且上述第1吸附面積所包含之面積、即分別吸附複數個上述單位區域之單位吸附面積較上述第2吸附面積大，藉由將上述半成品切斷而製造由複數個上述第2吸附口之各者吸附之複數個上述製品。
  11. 如申請專利範圍第10項之製造方法，其中包含以下步驟：準備具有第1旋轉刀之第1切斷機構作為上述切斷機構；準備具有第2旋轉刀之第2切斷機構作為上述切斷機構；作為使上述被切斷物與上述切斷機構相對移動之步驟，使上述被切 斷物與上述第1切斷機構相對移動；及作為使上述被切斷物與上述切斷機構相對移動之步驟，使上述半成品與上述第2切斷機構相對移動；且於形成上述切削槽之步驟中，藉由上述第1旋轉刀形成上述切削槽，於切斷上述半成品之步驟中，藉由上述第2旋轉刀切斷上述半成品。
  12. 如申請專利範圍第10項之製造方法，其中於吸附上述被切斷物之步驟中，使用上述第1治具，可吸附包含分別具有第1尺寸之複數個上述第1單位區域之第1被切斷物，且可吸附包含分別具有與上述第1尺寸不同之第2尺寸之複數個上述第2單位區域之第2被切斷物。
  13. 如申請專利範圍第10項之製造方法，其中於形成上述切削槽之步驟中，沿多條上述切斷線之全部形成上述切削槽。
  14. 如申請專利範圍第10項之製造方法，其中上述被切斷物係於複數個上述單位區域分別形成有功能元件之板狀構件。
  15. 如申請專利範圍第10至14項中任一項之製造方法，其中上述被切斷物至少具有由基材構成之第1構件、及形成於上述基材之上之第2構件，於形成上述切削槽之步驟中，於上述第1構件之全部厚度形成上述 切削槽，或於上述第2構件之全部厚度形成上述切削槽。
  16. 如申請專利範圍第10至14項中任一項之製造方法，其中上述被切斷物至少具有由基材構成之第1構件、及形成於上述基材之上之第2構件，於形成上述切削槽之步驟中，於上述第1構件之全部厚度中之一部分厚度形成上述切削槽，或於上述第2構件之全部厚度中之一部分厚度形成上述切削槽。
  17. 如申請專利範圍第15項之製造方法，其中上述第1構件係形成有電路之基板，上述第2構件係絕緣性構件。
  18. 如申請專利範圍第16項之製造方法，其中上述第1構件係形成有電路之基板，上述第2構件係絕緣性構件。
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