CN115305452B - 反应腔室 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种反应腔室，其包括腔体和设置在腔体中的基座，该基座具有承载待加工晶圆的承载部，以及环绕承载部设置的台阶部；沉积环具有与台阶部相搭接的搭接部，以及沿沉积环的轴向延伸的延伸部；延伸部内设置有冷却组件，用于对沉积环进行冷却；温控组件用于检测沉积环的温度，并根据温度控制冷却组件对沉积环进行冷却，从而能够减少沉积环在工艺过程中的热形变量，减少颗粒问题的发生。

Description

反应腔室
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种反应腔室。
背景技术
目前，物理气相沉积工艺(Physical Vapor Deposition，PVD)被广泛应用于半导体、太阳能电池、平板显示装置等制作工艺中。物理气相沉积的基本原理为：将工艺气体激发成等离子体，并利用偏压吸引等离子体轰击靶材，进而使靶材溅射到晶圆表面，以在晶圆表面形成薄膜。
传统的物理气相沉积腔室通常包括用于放置晶圆的基座和环绕基座周侧设置的内衬组件，以将腔体内部分隔成上下两个部分；具体的，沉积工艺位于腔体上部，而基座的升降装置和排气组件等部件分布在腔体下部。物理气相沉积腔室中通常还设置有与基座紧密配合，且用于遮盖内衬组件和基座之间的缝隙的阻挡结构，以避免工艺过程中反应物穿过基座与内衬组件之间的缝隙而沉积到腔体的侧壁形成薄膜。但在物理气相沉积的过程中，工艺温度和工艺功率都较高，这就导致阻挡结构受热形变，使其无法与基座紧密配合，进而导致沉积工艺过程中的反应物溅射在基座表面或进入阻挡结构与晶圆之间的缝隙中，造成颗粒问题和粘片问题的发生。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种反应腔室，其能够减少沉积环在工艺过程中的热形变量。
为实现本发明的目的而提供一种反应腔室，用于半导体工艺设备，其包括：腔体、设置在所述腔体中的基座、环绕所述基座设置的沉积环以及温控组件；其中，
所述基座具有承载待加工晶圆的承载部，以及环绕所述承载部设置的台阶部；
所述沉积环具有与所述台阶部相搭接的搭接部，以及沿所述沉积环的轴向延伸的延伸部；所述延伸部内设置有冷却组件，用于对所述沉积环进行冷却；
所述温控组件用于检测所述沉积环的温度，并根据所述温度控制所述冷却组件对所述沉积环进行冷却。
可选的，所述冷却组件包括冷却通道，所述冷却通道具有开设在所述延伸部的底部的进液口和出液口；
所述反应腔室还包括设置在所述腔体中的第一冷却管路和第二冷却管路以及设置在所述腔体外的冷却液源和冷却液回收池；其中，所述第一冷却管路的两端分别与所述冷却通道的进液口和所述冷却液源连通，用以向所述冷却通道内通入冷却液体；所述第二冷却管路的两端分别与所述冷却通道的出液口和所述冷却液回收池连通，用以将所述冷却通道内部的所述冷却液体排出至所述冷却液回收池中。
可选的，所述温控组件包括控制单元、测温单元和调温单元；
所述测温单元用于检测所述沉积环的温度，并将检测到的所述温度实时发送至所述控制单元；
所述调温单元与所述冷却液源或与所述第一冷却管路连接，用于调节通向所述冷却通道的所述冷却液体的温度；
所述控制单元用于根据所述沉积环的实际温度控制所述调温单元调节所述冷却液体的温度，以使所述沉积环的实际温度达到第一预设温度。
可选的，所述控制单元还用于根据所述沉积环的实际温度判断所述沉积环的实际温度是否大于第一预设温度；若是，则控制所述调温单元将所述冷却液体的温度调节至低于所述第一预设温度；
所述控制单元还用于在将所述冷却液体的温度调节至低于所述第一预设温度后，实时判断所述沉积环的实际温度处于上升状态、稳定状态或下降状态；若其处于上升状态，则控制所述调温单元将所述冷却液体的温度继续调低；若其处于稳定状态，则控制所述调温单元使所述冷却液体的温度保持稳定；若其处于下降状态，则控制所述调温单元将所述冷却液体的温度调高；
直至所述沉积环的实际温度稳定在所述第一预设温度。
可选的，所述延伸部中还设置有加热件，所述加热件用于对所述沉积环进行加热；
所述控制单元还用于判断所述沉积环的实际温度是否小于第一预设温度；若是，则控制所述加热件对所述沉积环进行加热，直至所述沉积环的实际温度达到所述第一预设温度。
可选的，所述测温单元包括多个热电偶，多个所述热电偶的检测端均设置于所述延伸部靠近所述搭接部的一端且沿所述延伸部的周向均匀分布，多个所述热电偶的信号输出端均与所述控制单元电连接。
可选的，所述延伸部的内周面上开设有减重槽。
可选的，所述第一冷却管路和所述第二冷却管路上均套设有密封波纹管，且所述密封波纹管的两端通过密封法兰分别与所述腔体的底部和所述延伸部的底部连接。
可选的，所述加热件为加热管，所述延伸部具有沿周向延伸的安装槽，所述加热管内嵌于所述安装槽内；
所述加热管的接口端设置有电源引入件，且所述电源引入件套设有密封波纹管，所述密封波纹管的两端通过密封法兰分别与所述腔体的底部和所述延伸部的底部连接。
可选的，所述热电偶的外壁套设有密封波纹管，所述密封波纹管的一端通过密封法兰固定在所述反应腔室的底部，另一端通过所述密封法兰固定在所述热电偶的外壁。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的反应腔室，包括沉积环、设置在沉积环中的冷却组件和温控组件；其中，基座具有承载待加工晶圆的承载部，以及环绕承载部设置的台阶部，沉积环具有与台阶部相搭接的搭接部，这样沉积环通过搭接部可以与基座的台阶部和承载部的外周面配合，用以保护台阶部的上表面和承载部的外周面，使之不受等离子体溅射，从而避免基座未被晶圆遮挡部分的表面因等离子溅射而受损；通过温控组件能够检测沉积环的温度，并根据检测到的温度控制冷却组件对沉积环进行冷却，以使沉积环在反应腔室内部的高温环境下不会发生过多的热变形，从而避免沉积环的搭接部因热变形量过大而与基座的承载部的外周面脱离形成较大的缝隙，进而避免沉积工艺过程中在该缝隙形成薄膜，以降低发生粘片问题和颗粒问题的风险。
附图说明
图1为现有的一种反应腔室的结构示意图：
图2为现有的反应腔室中的内衬组件、沉积环以及基座的局部示意图；
图3为图2中I区域的放大图；
图4为本发明实施例提供的反应腔室的一种结构示意图；
图5为本发明实施例提供的沉积环的局部剖视图；
图6为本发明实施例提供的反应腔室的另一种结构示意图；
图7为本发明实施例提供的沉积环及与之连接部件的一种立体图；
图8为本发明实施例中冷却管路及密封组件的一种结构示意图；
图9为本发明实施例中电热管在沉积环中的一种位置示意图；
图10为本发明实施例中加热加热管的电源引入件及密封组件的一种结构示意图；
图11本发明实施例中热电偶及密封组件的一种结构示意图；
图12为本发明实施例提供的沉积环及与之连接部件的一种仰视图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的反应腔室进行详细描述。
如图1所示，传统的物理气相沉积反应腔室通常包括基座01、环绕基座01设置的内衬组件02、压环03以及沉积环04。其中，如图2所示，内衬组件02环绕基座01设置，但并不与基座01密封连接，而且与基座01的外周面之间存在一定的间隙；压环03压设在内衬组件02的内缘处；沉积环04叠置在基座01的边缘区域中，且沉积环04的内周面与基座01中心区的外周面相贴合；如图3所示，压环03的下表面能够与沉积环04的上表面相配合，以使压环03和沉积环04能够将内衬组件02与基座01之间的间隙密封，从而防止等离子体进入下腔体中。而且，为了避免沉积环04影响晶圆05的放置，如图3所示，沉积环04的上表面与基座01的承载面之间存在一定的高度差，以在晶圆05放置在承载面上时，晶圆05的边缘处与沉积环04的上表面之间存在着缝隙。
但在物理气相沉积工艺进行过程中，腔体内部往往具有极高的温度；以金属铝(Al)薄膜气相沉积工艺为例，在工艺进行过程中，基座01的温度能够达到340℃，而且直流电源的输出功率能够达到38KW或60KW，甚至更高。工艺过程中产生的工艺热非常大，在如此高的温度作用下，呈圆环状的沉积环04会发生热膨胀，进而导致沉积环04的内缘向外扩张。而且，由于沉积环04采用金属材料制成，而晶圆05往往采用硅或硅化合物制成，基座01往往采用工业陶瓷材料制成，因此沉积环04的热形变量必然会大于晶圆05和基座01的热形变量；如图3所示，若沉积环04的热形变量大于基座01的热形变量，则会导致沉积环04的内周面与基座01中心区的外周面相分离，进而导致等离子体进入沉积环04与基座01之间的缝隙a中，并在基座01中心区的外周面上形成薄膜，当该薄膜脱落形成颗粒，就会污染腔体内部环境，即，造成颗粒问题。而且，沉积环04的热形变量大于晶圆05的热形变量则会导致沉积环04的上表面朝远离晶圆05的方向移动，甚至造成晶圆05无法在竖直方向上遮挡沉积环04，进而导致等离子体进入沉积环04的上表面与晶圆05的边缘处之间的缝隙b中，并在该缝隙b中沉积一定量的铝材料，当铝沉积过多时，就会将晶圆05粘连在沉积环04或基座01上，导致工艺的中断。
为了解决上述技术问题，本实施例提供一种反应腔室，用于半导体工艺设备。如图4所示，反应腔室包括腔体1以及设置在腔体1中的基座2，基座2包括位于中心的承载部21和环绕承载部21设置的台阶部，且基座2的承载部21的上表面高于台阶部的上表面，而且，如图3所示，晶圆的尺寸可以略大于承载部21的上表面的尺寸。如图4所示，反应腔室还包括内衬组件3和压环4；其中，内衬组件3环绕基座2设置，且内衬组件3的内缘与基座2的外周面之间存在一个环状的间隙；压环4压设在内衬组件3的内缘上，具体的，如图3所示，压环4的内缘向内凸出，以能够在竖直方向上遮挡上述内衬组件3与基座2之间的间隙。
本实施例中的反应腔室还包括环绕基座2设置的沉积环5和温控组件6。
其中，如图4和图5所示，沉积环5具有搭接部52和延伸部。沉积环5的搭接部52与台阶部相搭接，具体的，搭接部52的朝向台阶部的表面叠置在台阶部的上表面；而且，台阶部的上表面低于承载部21的上表面设置，以避免影响晶圆放置在承载部21上。具体的，如图4所示，搭接部52呈环状，且其内周面能够与承载部21的外周面相配合；而且，在半导体工艺的高温条件下，搭接部52的环形内周面能够与承载部21的环形外周面相贴合。这样，搭接部52能够对台阶部的上表面和承载部21的外周面进行遮挡，从而避免工艺产生的等离子体溅射到基座2的未被晶圆遮挡的部分表面上。而且，如图4所示，搭接部52的上表面还与压环4的下表面相配合，从而能够阻挡压环4和内衬组件3与基座2之间的间隙，以避免位于腔体1上部中的等离子体由该间隙进入腔体1下部，造成位于腔体1下部的部件损坏。
沉积环的延伸部沿沉积环5的轴向延伸；而且，延伸部内设置有冷却组件，用于对沉积环5进行冷却，以减少沉积环5的热形变量。
温控组件用于检测沉积环5的温度，并根据温度控制冷却组件对沉积环5进行冷却，以配合前述冷却组件实现对沉积环5进行自动调温。
如上述，由于在同样的加热条件下沉积环5的热形变量会大于晶圆和基座2的热形变量，因此，利用温控组件6单独对沉积环5进行降温，能够使沉积环5的温度低于晶圆和基座2的温度，进而能够缩小沉积环5的热形变量与晶圆和基座2的热形变量之间的差距。这样，在高温的工艺环境中，沉积环5的内周面与基座2承载部21的外周面更不容易分离，甚至可以持续保持贴合，进而避免等离子体沉积在沉积环5与承载部21之间的缝隙中；还能够减少沉积环5的上表面向远离晶圆边缘的方向运动，甚至可以使沉积环5与晶圆边缘相对应的表面始终保持位于晶圆下方，从而避免等离子体沉积在沉积环5与晶圆之间的缝隙中，进而降低晶圆被沉积材料粘连在沉积环5或基座2上的风险。
在一些实施例中，如图4和图5所示，上述冷却组件包括设置在延伸部内部的冷却通道51，冷却通道51具有开设在沉积环5底部的进液口和出液口。以图6和图7所示的沉积环5为例，冷却通道51具有一个进液口和一个出液口，均开设在沉积环5的底面上，且进液口和出液口分别位于沉积环5底面的相对的两侧。
本实施例中的反应腔室还包括设置在腔体1中的第一冷却管路61和第二冷却管路62，以及设置在腔体1外的冷却液源和冷却液回收池；其中，第一冷却管路61的两端分别与冷却通道51的进液口和冷却液源连通，用以向冷却通道51内通入冷却液体；第二冷却管路62的两端分别与冷却通道51的出液口和冷却液回收池连通，用以将冷却通道51内部的冷却液体排出至冷却液回收池中，以通过不断向沉积环5中的冷却通道51循环通入冷却液体，来对沉积环5进行降温。
在一些优选的实施例中，上述冷却通道51可以呈环状；而且，冷却通道51内部设置有用于增加散热面积的翅片，且冷却通道51内表面可做粗糙化处理，以进一步增加散热面积，提高冷却能力。
在一些实施例中，延伸部内周面上开置有减重槽55；具体的，如图5所示，减重槽55开设在延伸部内缘的底部，以去除延伸部中的既不具有冷却通道51也不与外部部件连接的冗余部分，从而减少延伸部的重量，以减小延伸部向搭接部52施加的垂直于径向上的力矩，避免沉积环5发生变形。
在一些优选的实施例中，如图5所示，延伸部包括传热部53和冷却部54。其中，冷却部54位于沉积环5的外缘区域中，且位于搭接部52的下方；而且，冷却通道51开设在冷却部54中。传热部53的顶部与搭接部52的外缘连接，传热部53的底部与冷却部54连接，且传热部53沿垂直于搭接部52下表面的方向延伸，以能够设置在内衬组件3与基座2外周面之间的缝隙中。传热部53用于在搭接部52和冷却部54之间进行热传递。
在一些实施例中，延伸部的上表面开设有沉积槽56，其用于接收腔体1上部靶材向外溅射的等离子体；具体的，如图4和图5所示，沉积槽56和压环4与基座2之间的缝隙位置对应设置，以能够容纳较多的等离子体，避免等离子体堆积过多而影响晶圆边缘处薄膜均匀性。
在一些实施例中，温控组件6还包括控制单元、测温单元和调温单元。其中，测温单元与沉积环5连接，用于检测沉积环5的温度，并将沉积环5的实际温度实时发送至控制单元；调温单元与冷却液源或与第一冷却管路61连接，用于调节通向冷却通道51的冷却液体的温度；控制单元用于根据检测到的沉积环5的温度，控制调温单元调节冷却液体的温度，以使沉积环5的实际温度达到第一预设温度。
如上述，沉积环5的热形变量大于晶圆和基座2的热形变量会导致沉积环5的内周面与基座2承载部21的外周面分离，还会导致沉积环5的上表面向远离晶圆边缘的方向运动。因此，优选的，上述第一预设温度可以满足沉积环5的热形变量与晶圆和基座2的热形变量相同，以使沉积环5的内周面与承载部21的外周面可以持续保持贴合，并使沉积环5与晶圆边缘相对应的表面始终保持位于晶圆下方，从而能够尽可能地避免等离子体沉积在沉积环5与承载部21之间的缝隙中，并避免等离子体沉积在沉积环5与晶圆之间的缝隙中，进而降低腔室内部的颗粒问题发生的风险，还能够降低晶圆被沉积材料粘连在沉积环5或基座2上的风险。
本实施例还提供一种第一预设温度的设定方式，具体包括以下步骤：
S1：将基座2、内衬组件3、沉积环5和冷却装置全部安装完毕后，在非工艺阶段，对反应腔室进行抽真空；
S2：将基座2温度升高至工艺温度；具体的，以Al薄膜沉积工艺为例，其工艺温度为340℃；
S3：不向沉积环中的冷却通道51通入冷却液体，等待沉积环5温度稳定，并读取稳定温度，将之作为第一预设温度。
或者，上述第一预设温度可以在反应腔室的尺寸设计过程中根据多次实际测试或者模拟而得出，以适应不同尺寸和不同材料的沉积环5、晶圆以及基座2。
在一些实施例中，控制单元还用于根据沉积环5的实际温度判断沉积环5的实际温度是否大于第一预设温度；若是，则控制调温单元将冷却液体的温度调节至低于第一预设温度。在将冷却液体的温度调节至低于第一预设温度后，控制单元还用于实时判断沉积环5的实际温度处于上升状态、稳定状态或下降状态；若其处于上升状态，则控制调温单元将冷却液体的温度继续调低；若其处于稳定状态，则控制调温单元使冷却液体的温度保持稳定；若其处于下降状态，则控制调温单元将冷却液体的温度调高。优选的，调温单元可以具备加热和制冷功能以调整冷却液的温度，也可以将热的液体和冷的液体进行混合以调整冷却液的温度，在冷却液输出位置可以设置有温度传感器检测输出液体温度。
而且，控制单元会持续执行上述判断，直至沉积环5的实际温度稳定在上述第一预设温度。
在利用冷却液体对沉积环5进行降温的过程中，若冷却液体温度过低，则会导致沉积环5温度下降的过快，并达到远低于第一预设温度的温度，这会导致沉积环5的内周面向内收缩，进而压紧基座2承载部21的外周面，甚至会导致沉积环5或基座2的损坏。但若通过调节冷却液体温度来对沉积环5进行升温，则需要将原本低于第一预设温度的冷却液体加热至高于第一预设温度，耗时较长，且不利于再对沉积环5进行降温。为了解决这一问题，在一些实施例中，如图6所示，延伸部中还设置有加热件64，加热件64用于对沉积环5进行加热；具体的，加热件64可以采用具有升温快的特点的电热类加热器，相较于通过升高冷却液体的温度对沉积环5进行升温，利用电热类加热器升温的耗时更短，以能够及时避免沉积环5或基座2的损坏。控制单元还用于判断沉积环5的实际温度是否小于第一预设温度；若是，则控制加热件64开启，直至沉积环5的实际温度达到第一预设温度。
在一些实施例中，上述测温单元包括多条热电偶63，多条热电偶63的检测端均设置于延伸部靠近搭接部52的一端且沿延伸部的周向均匀分布，多个热电偶的信号输出端均与控制单元电连接。
在上述实施例中，第一冷却管路61、第二冷却管路62、热电偶63以及加热件64等部件分别需要与位于腔体1外部的冷却液源、冷却液回收池以及控制单元等部件相连接。因此，为了避免大气环境污染腔室，本实施例中的反应腔室中还包括多个密封组件7，如图7所示，多个所述密封组件7一一对应地套设在与位于腔体1外部的设备连接的部件的外周，用于对相应的部件表面进行密封，以将外部大气环境与腔体1隔绝。以密封对象为条件划分，上述多个密封组件7可以分为冷却管路密封组件、热电偶密封组件和电热管密封组件。
具体的，在一些实施例中，如图8所示，第一冷却管路61和第二冷却管路62上均套设有密封波纹管71，且密封波纹管71的两端通过密封法兰72分别与腔体1的底部和延伸部的底部连接。
而且，在一些实施例中，如图9所示，上述加热件64为加热管；延伸部具有沿周向延伸的安装槽，加热管内嵌于安装槽内，具体的，采用钎焊的方式固定该安装槽内。如图10所示，加热管的接口端设置有电源引入件641，且电源引入件641上套设有密封波纹管71，密封波纹管71的两端通过密封法兰72分别与腔体的底部和延伸部的底部连接，以实现对电源引入件641表面与腔体1内环境的隔绝。在一些优选的实施例中，电源引入件沿竖直方向延伸。
而且，在一些实施例中，上述多条热电偶63的信号输出端从腔体1底部引出。相应的，如图11所示，热电偶63的外壁套设有密封波纹管71，密封波纹管71的一端通过密封法兰72固定在反应腔室的底部，另一端通过密封法兰72固定在热电偶63的外壁。
具体的，如图12所示，上述与反应腔室连接的密封法兰72采用螺钉与反应腔室的底壁连接固定。
而且，本实施例中的第一冷却管路61、第二冷却管路62、热电偶63以及加热件64的电源引入件641不限于采用如图8示的布局方式排布，而是可以根据实际生产情况进行调整。
在一些实施例中，基座2还具有升降功能，而由于沉积环5的搭接部52叠置在基座2的台阶部上，所以沉积环5会跟随基座2一同升降；相应的，与沉积环5连接的上述多个部件也会随之一同升降，进而使一些部件的伸出至腔体外部的连接端，例如上述冷却管路的端口、热电偶63的信号输出端等，也会随之升降。因此，采用可伸缩的波纹管71能够实现对上述部件的动密封，从而既能保证腔体的密封性，又不需要部件因基座2升降而发生弯折。
以上，本实施例提供的反应腔室，通过在沉积环上设置冷却组件，进而通过温控组件根据沉积环上的温度控制冷却组件对沉积环进行冷却，能够实现自动对沉积环进行降温，以使沉积环在反应腔室内部的高温环境下不会发生过多的热变形，从而避免沉积环因热变形量过大而与基座承载面的外周面脱离，或与晶圆边缘处相远离，避免了等离子体溅射到基座表面或溅射到沉积环与晶圆之间的缝隙中，从而降低了发生颗粒问题和粘片问题的风险。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种反应腔室，用于半导体工艺设备，其特征在于，所述反应腔室包括：腔体、设置在所述腔体中的基座、环绕所述基座设置的沉积环以及温控组件；其中，
所述基座具有承载待加工晶圆的承载部，以及环绕所述承载部设置的台阶部；
所述沉积环具有与所述台阶部相搭接的搭接部，以及沿所述沉积环的轴向延伸的延伸部；所述延伸部内设置有冷却组件，用于对所述沉积环进行冷却；
所述温控组件用于检测所述沉积环的温度，并根据所述温度控制所述冷却组件对所述沉积环进行冷却。
2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述冷却组件包括冷却通道，所述冷却通道具有开设在所述延伸部的底部的进液口和出液口；
所述反应腔室还包括设置在所述腔体中的第一冷却管路和第二冷却管路以及设置在所述腔体外的冷却液源和冷却液回收池；其中，所述第一冷却管路的两端分别与所述冷却通道的进液口和所述冷却液源连通，用以向所述冷却通道内通入冷却液体；所述第二冷却管路的两端分别与所述冷却通道的出液口和所述冷却液回收池连通，用以将所述冷却通道内部的所述冷却液体排出至所述冷却液回收池中。
3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述温控组件包括控制单元、测温单元和调温单元；
所述测温单元用于检测所述沉积环的温度，并将检测到的所述温度实时发送至所述控制单元；
所述调温单元与所述冷却液源或与所述第一冷却管路连接，用于调节通向所述冷却通道的所述冷却液体的温度；
所述控制单元用于根据所述沉积环的实际温度控制所述调温单元调节所述冷却液体的温度，以使所述沉积环的实际温度达到第一预设温度。
4.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述控制单元还用于根据所述沉积环的实际温度判断所述沉积环的实际温度是否大于第一预设温度；若是，则控制所述调温单元将所述冷却液体的温度调节至低于所述第一预设温度；
所述控制单元还用于在将所述冷却液体的温度调节至低于所述第一预设温度后，实时判断所述沉积环的实际温度处于上升状态、稳定状态或下降状态；若其处于上升状态，则控制所述调温单元将所述冷却液体的温度继续调低；若其处于稳定状态，则控制所述调温单元使所述冷却液体的温度保持稳定；若其处于下降状态，则控制所述调温单元将所述冷却液体的温度调高；
直至所述沉积环的实际温度稳定在所述第一预设温度。
5.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述延伸部中还设置有加热件，所述加热件用于对所述沉积环进行加热；
所述控制单元还用于判断所述沉积环的实际温度是否小于第一预设温度；若是，则控制所述加热件对所述沉积环进行加热，直至所述沉积环的实际温度达到所述第一预设温度。
6.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述测温单元包括多个热电偶，多个所述热电偶的检测端均设置于所述延伸部靠近所述搭接部的一端且沿所述延伸部的周向均匀分布，多个所述热电偶的信号输出端均与所述控制单元电连接。
7.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述延伸部的内周面上开设有减重槽。
8.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述第一冷却管路和所述第二冷却管路上均套设有密封波纹管，且所述密封波纹管的两端通过密封法兰分别与所述腔体的底部和所述延伸部的底部连接。
9.根据权利要求5所述的反应腔室，其特征在于，所述加热件为加热管，所述延伸部具有沿周向延伸的安装槽，所述加热管内嵌于所述安装槽内；
所述加热管的接口端设置有电源引入件，且所述电源引入件套设有密封波纹管，所述密封波纹管的两端通过密封法兰分别与所述腔体的底部和所述延伸部的底部连接。
10.根据权利要求6所述的反应腔室，其特征在于，所述热电偶的外壁套设有密封波纹管，所述密封波纹管的一端通过密封法兰固定在所述反应腔室的底部，另一端通过所述密封法兰固定在所述热电偶的外壁。
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