CN115692239A - 半导体热处理设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供了一种半导体热处理设备。该半导体热处理设备包括：加热腔室、工艺管、连接套筒及控温组件；加热腔室内形成有加热空间，加热腔室的底壁上设有与加热空间连通的安装口；工艺管顶部经由安装口伸入加热空间内，工艺管的底端具有连接口，并且连接口位于加热空间外侧；连接套筒的顶端与连接口密封连接，连接套筒的底端与一密封盘密封连接，用于封闭工艺管；控温组件包括加热件，多个加热件均插设于连接套筒的外壁内，并且沿连接套筒的周向分布，用于对连接套筒的内壁进行加热。本申请实施例可以大幅提高对连接套筒内壁的加热效率，而且还可以避免对连接套筒外围部件造成影响，从而延长外围部件的使用寿命。

Description

半导体热处理设备

技术领域

本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，本申请涉及一种半导体热处理设备。

背景技术

目前，半导体热处理设备的立式炉热处理设备作为半导体制造工艺制程中的前道工艺处理设备，主要进行氧化薄膜、退火、低压力化学气相沉积(Low Pressure ChemicalVapor Deposition，LPCVD)等热处理工艺。立式炉热处理设备包括工艺管及底部连接套筒等部件。当进行LPCVD工艺时，加热腔室对工艺管加热到一定温度，反应气体在工艺管内进行反应，生成薄膜和部分副产物。副产物在高温时为气态，可以随尾气一同排放至工艺管外部。在工艺管的底部由于设计有连接套筒及密封盘进行密封，此位置加热腔室无法加热，连接套筒内壁处温度偏低，当副产物随尾气到连接套筒的内壁位置时，由于温度降低导致副产物冷凝，形成颗粒状聚集在内壁上，容易造成晶圆的颗粒污染以及连接套筒寿命降低等问题。

现有技术中一般采用加热带包覆于连接套筒的外周，以对连接套筒进行加热使其内壁温度高于副产物的凝固温度，避免副产物在其内壁上聚集。但是由于加热带包覆在连接套筒的外壁，需使用较大功率才能使连接套筒内壁温度达到需求，不仅加热效率较低，而且由于高温的原因还会影响连接套筒外围部件的使用寿命，并且还会造成连接套筒内壁温度不均匀。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种半导体热处理设备，用以解决现有技术存在的加热效率低、影响连接套筒外围部件使用寿合以及连接套筒内壁不均匀的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种半导体热处理设备，包括：加热腔室、工艺管、连接套筒及控温组件；所述加热腔室内形成有加热空间，所述加热腔室的底壁上设有与所述加热空间连通的安装口；所述工艺管顶部经由所述安装口伸入所述加热空间内，所述工艺管的底端具有连接口，并且所述连接口位于所述加热空间外侧；所述连接套筒的顶端与所述连接口密封连接，所述连接套筒的底端与一密封盘密封连接，用于封闭所述工艺管；所述控温组件包括加热件，多个所述加热件均插设于所述连接套筒的外壁内，并且沿所述连接套筒的周向分布，用于对所述连接套筒的内壁进行加热。

于本申请的一实施例中，所述控温组件还包括有测温传感器，多个所述测温传感器均插设于所述连接套筒的外壁周向的不同位置内，用于检测所述连接套筒与多个所述加热件对应位置的温度数据。

于本申请的一实施例中，所述半导体热处理设备还包括有控制器，所述控制器与所述控温组件电连接，用于根据各所述测温传感器的温度数据，以控制各所述加热件的加热功率。

于本申请的一实施例中，多个所述加热件及多个所述测温传感器均沿所述连接套筒的周向均匀设置，且相邻所述加热件中间设置所述测温传感器；并且多个所述加热件及多个所述测温传感器均位于所述连接套筒轴向的中部位置。

于本申请的一实施例中，所述加热件的发热部分均位于所述连接套筒外壁内，并且靠近所述连接套筒的内壁设置。

于本申请的一实施例中，所述连接套筒的顶端外周具有顶凸台，所述顶凸台靠近外缘的位置设置有第一密封结构，用于与所述工艺管的底端密封连接；所述顶凸台靠近内缘的位置设置有第一隔挡结构，用于隔绝所述连接套筒的内壁向所述第一密封结构的方向传导热量。

于本申请的一实施例中，所述第一密封结构包括第一密封件及第一冷却流道，所述第一密封件位于所述工艺管底端与所述顶凸台之间；所述第一冷却流道位于所述顶凸台内，并且位于所述第一密封件下方，用于通入冷却介质以对所述第一密封件进行冷却。

于本申请的一实施例中，所述第一隔挡结构包括形成于所述顶凸台顶面上的第一内环形凹槽和形成于所述顶凸台底面上的第一外环形凹槽，所述第一外环形凹槽的直径大于所述第一内环形凹槽的直径，且所述第一外环形凹槽和所述第一内环形凹槽沿径向具有重叠区域。

于本申请的一实施例中，所述连接套筒的底端外周具有底凸台，所述底凸台靠近外缘的位置设置有第二密封结构，用于与所述密封盘密封连接；所述底凸台靠近内缘的位置设置有第二隔挡结构，用于隔挡所述连接套筒的内壁向所述第二密封结构的方向传导热量。

于本申请的一实施例中，所述第二密封结构包括第二密封件及第二冷却流道，所述第二密封件位于所述底凸台与所述密封盘之间；所述第二冷却流道位于所述底凸台内，并且位于所述第二密封件上方，用于通入冷却介质以对所述第二密封件进行冷却。

于本申请的一实施例中，所述第二隔挡结构包括形成于所述底凸台顶面上的第二外环形凹槽和形成于所述底凸台底面上的第二内环形凹槽，所述第二外环形凹槽的直径大于所述第二内环形凹槽的直径，且所述第二外环形凹槽和所述第二内环形凹槽沿径向具有重叠区域。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：

本申请实施例通过采用多个加热件插设于连接套筒的外壁内，并且多个加热件沿连接套筒的周向分布，使得加热件可以直接对连接套筒的内壁进行加热，不仅可以大幅提高对连接套筒内壁的加热效率，而且还可以避免对连接套筒外围部件造成影响，从而延长外围部件的使用寿命以及降低半导体热处理设备的故障率；并且由于多个加热件沿连接套筒的周向分布，可以实现分别控制各加热件的加热功率，从而大幅提高连接套筒温度的均匀性。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本申请实施例提供的一种半导体热处理设备的剖视示意图；

图2为本申请实施例提供的一种连接套筒与控温组件配合的横向剖视示意图；

图3为本申请实施例提供的一种半导体热处理设备的局部放大的剖视示意图。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

本申请实施例提供了一种半导体热处理设备，该半导体热处理设备的结构示意图如图1所示，包括：加热腔室1、工艺管2、连接套筒3及控温组件4；加热腔室1内形成有加热空间11，加热腔室1的底壁上设有与加热空间11连通的安装口12；工艺管2顶部经由安装口12伸入加热空间11内，工艺管2的底端具有连接口21，并且连接口21位于加热空间11外侧；连接套筒3的顶端与连接口21密封连接，连接套筒3的底端与一密封盘5密封连接，用于封闭工艺管2；控温组件4包括加热件41，多个加热件41均插设于连接套筒3的外壁内，并且沿连接套筒3的均匀分布，用于对连接套筒3的内壁进行加热。

如图1所示，半导体热处理设备具体可以是立式炉热处理设备，用于对晶圆(图中未示出)执行热处理工艺，但是本申请实施例并不以此为限。加热腔室1具体采用金属材质及保温材质制成的圆柱形结构，加热腔室1内形成有密闭的加热空间11，用于对工艺管2进行加热。加热腔室1的底部具安装口12，该安装口12例如可以与加热空间11的尺寸相同，但是本申请实施例并不以为限。工艺管2具体可以为石英材质或者碳化硅材质制成的管状结构，工艺管2的顶部可以经由安装口12伸入加热空间11内，工艺管2的底端具有连接口21，并且工艺管2的底部外周壁上设置有连接凸台22，用于与连接套筒3密封连接。连接套筒3可以为采用金属材质制成的套筒结构，连接套筒3的顶端与工艺管2的连接凸台22密封连接，连接套筒3的底端可以与一密封盘5密封连接，以实现工艺管2的密封环境用于执行热处理工艺。控温组件4可以包括多个加热件41，多个加热件41例如可以采用杆状结构，多个加热件41均插设于连接套筒3的外壁内，并且可以沿连接套筒3的周向分布，用于对连接套筒3的内壁进行加热。在实际应用时，加热件41可以对连接套筒3的内壁进行加热，以使连接套筒3内壁的温度大于或等于工艺管2内的温度，从而避免副产物在连接套筒3内壁上凝固。

本申请实施例通过采用多个加热件插设于连接套筒的外壁内，并且多个加热件沿连接套筒的周向分布，使得加热件可以直接对连接套筒的内壁进行加热，不仅可以大幅提高对连接套筒内壁的加热效率，而且还可以避免对连接套筒外围部件造成影响，从而延长外围部件的使用寿命以及降低半导体热处理设备的故障率；并且由于多个加热件沿连接套筒的周向分布，可以实现分别控制各加热件的加热功率，从而大幅提高连接套筒温度的均匀性。

需要说明的是，本申请实施例并不限定加热件41的具体结构，只要其部分或全部可以插设于连接套筒3外壁内即可。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1及图2所示，控温组件4还包括有测温传感器42，多个测温传感器42均插设于连接套筒3的外壁周向的不同位置内，用于检测连接套筒3与多个加热件41对应位置的温度数据。

如图1及图2所示，测温传感器42可以采用热偶传感器，并且测温传感器42的具体形状可以设置为杆状结构。多个测温传感器42可以沿连接套筒3的周向分布，并且多个测温传感器42分别与多个加热件41对应设置，以用于检测各个加热件41与连接套筒3对应位置的温度数据，以便于实现对各个加热件41分别控制加热功率，从而进一步提高连接套筒3的温度均匀性。进一步的，测温传感器42的一端部可以插设于连接套筒3的外壁内，以便于检测连接套筒3内壁的温度数据，从而提高检测的精确性。但是需要说明的是，本申请实施例并不限定测温传感器42的具体类型，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1及图2所示，半导体热处理设备还包括有控制器(图中未示出)，控制器与控温组件4电连接，用于根据各测温传感器42的温度数据，以控制各加热件41的加热功率。具体来说，控制器具体可以为半导体热处理设备的下位机，控制器可以与控温组件4的加热件41及测温传感器42电连接。在实际应用时，控制器可以控制各测温传感器42实时检测连接套筒3的温度数据，并且根据各测温传感器42的温度数据，分别控制各加热件41的加热功率。采用上述设计，使得本申请实施例能够实现自动化控制，从而提高本申请实施例自动化水平。但是本申请实施例并不限定控制器的具体类型，例如控制器还可以采用单片机或者可编程控制器，因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1及图2所示，多个加热件41及多个测温传感器42均沿连接套筒3的周向均匀设置，且相邻加热件41中间设置有测温传感器42；并且多个加热件41及多个测温传感器42均位于连接套筒3轴向的中部位置。具体来说，多个加热件41均位于连接套筒3轴向上的中部位置，以使得加热件41的热量传导更加均匀，从而提高连接套筒3轴向的温度均匀性。多个测温传感器42均位于连接套筒3轴向上的中部位置，从而进一步提高温度检测精确性。此外，多个加热件41及多个测温传感器42均沿连接套筒3的周向均匀分布，任意两相邻加热件41的中间位置设置有测温传感器42，或者任意两相邻测温传感器42的中间位置设置有加热件41，即多个加热件41和多个测温传感器42相互交替设置。采用上述设计，不仅可以提高连接套筒3的温度均匀性，而且还可以节省本申请实施例的空间占用，从而大幅节省工艺管2底部空间。但是本申请实施例并不限定加热件41及测温传感器42的排布方式，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1及图2所示，加热件41的发热部分均位于连接套筒3外壁内，并且靠近连接套筒3的内壁设置。具体来说，加热件41的轴向可以与连接套筒3的径向平行设置，并且加热件41的一端部可以用于连接电源及控制器，加热件41的另一端部为发热部分，该发热部分可以插设于连接套筒3的外壁内，并且靠近连接套筒3内壁设置。采用上述设计，由于加热件41的发热部分靠近连接套筒3内壁设置，可以快速提高连接套筒3内壁的温度，从而大幅提高加热效率，进而提高本申请实施例的工艺效率；另外还能避免加热件41对连接套筒3外围部件造成影响，从而提高外围部件使用寿命的同时还能降低本申请实施例的故障率。但是本申请实施例并不限定加热件41轴向必须与连接套筒3的径向平行设置，只要加热件41的发热部分位于连接套筒3的外壁内即可。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1至图3所示，连接套筒3的顶端外周具有顶凸台31，顶凸台31靠近外缘的位置设置有第一密封结构61，用于与工艺管2的底端密封连接；顶凸台31靠近内缘的位置设置有第一隔挡结构71，用于隔绝连接套筒3内壁向第一密封结构61的方向传导热量。

如图1至图3所示，顶凸台31可以是沿连接套筒3的顶端沿径向延伸的环形凸台，顶凸台31与连接套筒3之间可以采用一体成形的方式制成，但是本申请实施例并不以此为限。顶凸台31靠近外缘的位置可以设置有第一密封结构61，即远离连接套筒3外壁的位置设置有第一密封结构61，顶凸台31通过第一密封结构61与工艺管2的连接凸台22密封连接。顶凸台31靠近内缘的位置设置有第一隔挡结构71，即靠近连接套筒3外壁的位置设置有第一隔挡结构71，第一隔挡结构71可以用于隔绝连接套筒3的内壁向第一密封结构61的方向传导热量。采用上述设计，由于第一隔挡结构71位于第一密封结构61及连接套筒3外壁之间，能隔绝两者之间的热量传导，从而避免连接套筒3的热量传导至第一密封结构61上导致密封失效，从而大幅提高第一密封结构61的密封稳定性，进而降低了本申请实施例的故障率。

于本申请的一实施例中，如图1至图3所示，第一密封结构61包括第一密封件611及第一冷却流道612，第一密封件611位于工艺管2底端与顶凸台31之间；第一冷却流道612位于顶凸台31内，并且位于第一密封件611下方，用于通入冷却介质以对第一密封件611进行冷却。

如图1至图3所示，顶凸台31的顶面可以开设有环形的限位槽，第一密封件611可以采用橡胶或硅胶材质制成的密封圈，第一密封件611设置于限位槽内，并且位于顶凸台31及工艺管2的连接凸台22之间，以用于与工艺管2密封连接。顶凸台31内还可以开设有环形的第一冷却流道612，并且该第一冷却流道612位于限位槽的底部，即第一冷却流道612可以位于第一密封件611的下方，用于通入冷却介质以对第一密封件611进行冷却降温，以延长第一密封件611的使用寿命，并且还能进一步提高密封效果。由于第一隔挡结构71可以隔绝连接套筒3的热量传导至第一密封件611，以避免热量向第一密封件611聚集而导致密封失效。进一步的，由第一隔挡结构71位于第一密封结构61及连接套筒3之间，还可以防止第一冷却流道612对连接套筒3进行冷却，以降低了两者之间的相互影响，从而实现了连接套筒3高温状态与第一密封结构61低温状态共存的效果，进而在确保第一密封结构61密封效果的同时，还可以防止副产物在连接套筒3内壁凝固。

需要说明的是，本申请实施例并不限定第一密封结构61的具体实施方式，例如第一密封件611可以采用其它耐高温的柔性材质制成，以及第一冷却流道612内的冷却介质可以为气体或液体。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例，如图1至图3所示，第一隔挡结构71包括形成于顶凸台31顶面上的第一内环形凹槽711和形成于顶凸台31底面上的第一外环形凹槽712，第一外环形凹槽712的直径大于述第一内环形凹槽711的直径，且第一外环形凹槽712和第一内环形凹槽711沿径向具有重叠区域。具体来说，顶凸台31的顶面上开设有第一内环形凹槽711，该第一内环形凹槽711可以靠近连接套筒3设置；以及顶凸台31的底面上开设有第一外环形凹槽712，该第一外环形凹槽712可以靠近第一密封结构61设置。第一外环形凹槽712的直径可以大于第一内环形凹槽711的直径，即第一外环形凹槽712可以环绕第一内环形凹槽711设置，并且两个环形凹槽的深度尺寸均大于顶凸台31的厚度尺寸的一半，以使两个环形凹槽沿连接套筒3的径向上具有重叠区域。由于采用上述设计，使得两个环形凹槽配合以形成类似迷宫结构的第一隔挡结构71，使得连接套筒3与顶凸台31之间的热量传导在此处受到了阻碍，降低了两者之间的相互影响。第一隔挡结构71不仅能够防止连接套筒3内壁热量传导至第一密封结构61，从而提高第一密封结构61的寿命及密封效果；以及防止第一密封结构61的第一冷却流道612对连接套筒3进行冷却，以降低了两者之间的相互影响，从而实现了连接套筒3高温状态与第一密封结构61低温状态共存的效果。采用上述设计，使得本申请实施例在实现隔绝热量传导的同时，还大幅降低了结构复杂程度，从而大幅降低应用及维护成本。但是本申请实施例并不限定第一隔挡结构71的具体结构，例如可以仅在顶凸台31的顶面或底面设置有环形凹槽，再或者两个环形凹槽的位置也可以互换。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例，连接套筒3的底端外周具有底凸台32，底凸台32靠近外缘的位置设置有第二密封结构62，用于与密封盘5密封连接；底凸台32靠近内缘的位置设置有第二隔挡结构72，用于隔挡连接套筒3的内壁向第二密封结构62的方向传导热量。

如图1至图3所示，底凸台32可以是沿连接套筒3的底端沿径向延伸的环形凸台，底凸台32与连接套筒3之间可以采用一体成形的方式制成，但是本申请实施例并不以此为限。底凸台32靠近外缘的位置可以设置有第二密封结构62，即远离连接套筒3外壁的位置设置有第二密封结构62，底凸台32通过第二密封结构62与密封盘5密封连接。底凸台32靠近内缘位置设置有第二隔挡结构72，即靠近连接套筒3外壁的位置设置有第二隔挡结构72，第二隔挡结构72可以用于隔绝连接套筒3内壁向第二密封结构62的方向传导热量。采用上述设计，由于第二隔挡结构72位于第二密封结构62及连接套筒3外壁之间，能隔绝两者之间的热量传导，从而避免连接套筒3的热量传导至第二密封结构62上导致密封失效，从而大幅提高第二密封结构62的密封稳定性，进而降低了本申请实施例的故障率。

于本申请的一实施例中，如图1至图3所示，第二密封结构62包括第二密封件621及第二冷却流道622，第二密封件621位于底凸台32与密封盘5之间；第二冷却流道622位于底凸台32内，并且位于第二密封件621上方，用于通入冷却介质以对第二密封件621进行冷却。

如图1至图3所示，底凸台32的底面可以开设有环形的限位槽，第二密封件621可以采用橡胶或硅胶材质制成的密封圈，第二密封件621设置于限位槽内，并且位于底凸台32及密封盘5之间，以用于与密封盘5密封连接。底凸台32内还可以开设有环形的第二冷却流道622，并且该第二冷却流道622位于限位槽的顶部，即第二冷却流道622可以位于第二密封件621的上方，用于通入冷却介质以对第二密封件621进行冷却降温，以延长第二密封件621的使用寿命，并且还能进一步提高密封效果。由于第二隔挡结构72可以隔绝连接套筒3的热量传导至第二密封件621，以防止热量向第二密封件621聚集而导致密封失效。进一步的，由第二隔挡结构72位于第二密封结构62及连接套筒3之间，还可以防止第二冷却流道622对连接套筒3进行冷却，以降低了两者之间的相互影响，从而实现了连接套筒3高温状态与第二密封结构62低温状态共存的效果，进而在确保第二密封结构62密封效果的同时，还可以防止副产物在连接套筒3内壁凝固。

需要说明的是，本申请实施例并不限定第二密封结构62的具体实施方式，例如第二密封件621可以采用其它耐高温的柔性材质制成，以及第二冷却流道622内的冷却介质可以为气体或液体。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1至图3所示，第二隔挡结构72包括形成于底凸台32顶面上的第二外环形凹槽721和形成于底凸台32底面上的第二内环形凹槽722，第二外环形凹槽721的直径大于述第二内环形凹槽722的直径，且第二外环形凹槽721和第二内环形凹槽722沿径向具有重叠区域。

具体来说，底凸台32的顶面上开设有第二外环形凹槽721，该第二外环形凹槽721可以靠近第二密封结构62设置；以及底凸台32的底面上开设有第二内环形凹槽722，该第二内环形凹槽722可以靠近连接套筒3设置。第二外环形凹槽721的直径可以大于第二内环形凹槽722的直径，即第二外环形凹槽721可以环绕第二内环形凹槽722设置，并且两个环形凹槽的深度尺寸均大于底凸台32的厚度尺寸的一半，以使两个环形凹槽沿连接套筒3的径向上具有重叠区域。由于采用上述设计，使得两个环形凹槽配合可以形成类似迷宫结构的第二隔挡结构72，使得连接套筒3与底凸台32之间的热量传导在此处受到了阻碍，降低了两者之间的相互影响。第二隔挡结构72不仅能够防止连接套筒3内壁热量传导至第二密封结构62，从而提高第二密封结构62的寿命及密封效果；以及防止第二密封结构62的第二冷却流道622对连接套筒3进行冷却，以降低了两者之间的相互影响，从而实现了连接套筒3高温状态与第二密封结构62低温状态共存的效果。采用上述设计，使得本申请实施例在实现隔绝热量传导的同时，还大幅降低了结构复杂程度，从而大幅降低应用及维护成本。但是本申请实施例并不限定第二隔挡结构72的具体结构，例如可以仅在底凸台32的顶面或底面设置有环形凹槽，再或者两个环形凹槽的位置也可以互换。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：

本申请实施例通过采用多个加热件插设于连接套筒的外壁内，并且多个加热件沿连接套筒的周向分布，使得加热件可以直接对连接套筒的内壁进行加热，不仅可以大幅提高对连接套筒内壁的加热效率，而且还可以避免对连接套筒外围部件造成影响，从而延长外围部件的使用寿命以及降低半导体热处理设备的故障率；并且由于多个加热件沿连接套筒的周向分布，可以实现分别控制各加热件的加热功率，从而大幅提高连接套筒温度的均匀性。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (11)

1.一种半导体热处理设备，其特征在于，包括：加热腔室、工艺管、连接套筒及控温组件；

所述加热腔室内形成有加热空间，所述加热腔室的底壁上设有与所述加热空间连通的安装口；

所述工艺管顶部经由所述安装口伸入所述加热空间内，所述工艺管的底端具有连接口，并且所述连接口位于所述加热空间外侧；

所述连接套筒的顶端与所述连接口密封连接，所述连接套筒的底端与一密封盘密封连接，用于封闭所述工艺管；

所述控温组件包括加热件，多个所述加热件均插设于所述连接套筒的外壁内，并且沿所述连接套筒的周向分布，用于对所述连接套筒的内壁进行加热。

2.如权利要求1所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述控温组件还包括有测温传感器，多个所述测温传感器均插设于所述连接套筒的外壁周向的不同位置内，用于检测所述连接套筒与多个所述加热件对应位置的温度数据。

3.如权利要求2所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述半导体热处理设备还包括有控制器，所述控制器与所述控温组件电连接，用于根据各所述测温传感器的温度数据，以控制各所述加热件的加热功率。

4.如权利要求2所述的半导体热处理设备，其特征在于，多个所述加热件及多个所述测温传感器均沿所述连接套筒的周向均匀设置，且相邻所述加热件中间设置所述测温传感器；

并且多个所述加热件及多个所述测温传感器均位于所述连接套筒轴向的中部位置。

5.如权利要求1所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述加热件的发热部分均位于所述连接套筒外壁内，并且靠近所述连接套筒的内壁设置。

6.如权利要求1所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述连接套筒的顶端外周具有顶凸台，所述顶凸台靠近外缘的位置设置有第一密封结构，用于与所述工艺管的底端密封连接；所述顶凸台靠近内缘的位置设置有第一隔挡结构，用于隔绝所述连接套筒的内壁向所述第一密封结构的方向传导热量。

7.如权利要求6所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述第一密封结构包括第一密封件及第一冷却流道，所述第一密封件位于所述工艺管底端与所述顶凸台之间；所述第一冷却流道位于所述顶凸台内，并且位于所述第一密封件下方，用于通入冷却介质以对所述第一密封件进行冷却。

8.如权利要求6所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述第一隔挡结构包括形成于所述顶凸台顶面上的第一内环形凹槽和形成于所述顶凸台底面上的第一外环形凹槽，所述第一外环形凹槽的直径大于所述第一内环形凹槽的直径，且所述第一外环形凹槽和所述第一内环形凹槽沿径向具有重叠区域。

9.如权利要求1所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述连接套筒的底端外周具有底凸台，所述底凸台靠近外缘的位置设置有第二密封结构，用于与所述密封盘密封连接；所述底凸台靠近内缘的位置设置有第二隔挡结构，用于隔挡所述连接套筒的内壁向所述第二密封结构的方向传导热量。

10.如权利要求9所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述第二密封结构包括第二密封件及第二冷却流道，所述第二密封件位于所述底凸台与所述密封盘之间；所述第二冷却流道位于所述底凸台内，并且位于所述第二密封件上方，用于通入冷却介质以对所述第二密封件进行冷却。

11.如权利要求9所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述第二隔挡结构包括形成于所述底凸台顶面上的第二外环形凹槽和形成于所述底凸台底面上的第二内环形凹槽，所述第二外环形凹槽的直径大于所述第二内环形凹槽的直径，且所述第二外环形凹槽和所述第二内环形凹槽沿径向具有重叠区域。

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