CN212991072U - 半导体工艺设备及其承载装置 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种半导体工艺设备及其承载装置。该承载装置设置于半导体工艺设备的工艺腔室内，其包括：卡盘、温控器、导热结构及压紧结构；卡盘设置于温控器上，卡盘的顶面设有承载面，承载面用于承载并吸附待加工件；温控器用于通过卡盘对待加工件的温度进行控制；导热结构设置于卡盘及温控器之间，用于增加卡盘及温控器之间的热传导效率；压紧结构的顶端压抵在卡盘顶面的周缘，并且压紧结构环绕于承载面的外周，压紧结构的底端与温控器连接，用于将卡盘压紧于温控器上，并且卡盘与温控器的膨胀系数不同。本申请实施例能大幅提高卡盘和温控器间的热传导效率，从而使得本申请实施例不仅能准确控制待加工件的温度，而且还能大幅提高工艺速率。

Description

半导体工艺设备及其承载装置

技术领域

本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，本申请涉及一种半导体工艺设备及其承载装置。

背景技术

目前，承载装置在半导体工艺中用于吸附晶圆或者托盘等，其中承载装置的静电卡盘广泛的应用于物理气相沉积(Physical Vapour Deposition，PVD)、化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）、刻蚀工艺及等离子注入工艺中。承载装置的主要作用是在工艺过程中，用于加热或冷却晶圆，从而满足半导体工艺的需求。为了实现加热功能，现有承载装置一般在静电卡盘下方设置有加热器，在真空环境中即使加热器和静电卡盘紧密接触，由于有效的接触面积很小，所以通过接触传热将加热器的热量传递给静电卡盘的占比很小，导致传热效率很低。为了解决上述问题，现有技术中通常会在静电卡盘和加热器间加入背吹气结构，通过下背吹气管通入一定压力的背吹气体，并在静电卡盘与加热器间形成一定的气压，从而实现更高的加热效率。

现有技术中采用背吹气结构来实现加热器和静电卡盘间的传热，虽然相对采用静电卡盘和加热器直接接触的传热效率更高，但是因为加入了背吹气结构，从而增加了结构的复杂度。并且在一些特殊的应用场合中，由于传热效率较低依然无法满足实际需求。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种半导体工艺设备及其承载装置，用以解决现有技术存在承载装置结构复杂且传热效率较低的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种承载装置，设置于半导体工艺设备的工艺腔室内，用于承载待加工件，包括：卡盘、温控器、导热结构及压紧结构；所述卡盘设置于所述温控器上，所述卡盘的顶面设有承载面，所述承载面用于承载并吸附所述待加工件；所述温控器用于通过所述卡盘对所述待加工件的温度进行控制；所述导热结构设置于所述卡盘及所述温控器之间，用于增加所述卡盘及所述温控器之间的热传导效率；所述压紧结构的顶端压抵在所述卡盘顶面的周缘，并且所述压紧结构环绕于所述承载面的外周，所述压紧结构的底端与所述温控器连接，用于将所述卡盘压紧于所述温控器上，并且所述卡盘与所述温控器的膨胀系数不同。

于本申请的一实施例中，所述导热结构的形状与所述卡盘的底面形状对应设置，并且所述导热结构分别与所述卡盘的底面及所述温控器的顶面贴合设置。

于本申请的一实施例中，所述压紧结构包括连接筒及压紧环，所述连接筒套设于所述卡盘及所述导热结构的外周，所述连接筒的内壁与所述卡盘及所述导热结构的外壁之间具有间隙，所述导热结构的外径不小于所述卡盘的外径，并且所述连接筒与所述温控器连接；所述压紧环的外缘与所述连接筒连接，所述压紧环的内缘压抵于所述卡盘上。

于本申请的一实施例中，所述卡盘的顶面周缘开设凹槽，所述凹槽环绕所述承载面设置，所述压紧环的内缘伸入所述凹槽内。

于本申请的一实施例中，所述承载面上设置有气流道结构，所述气流道结构沿所述承载面的径向和周向延伸设置，所述气流道结构用于在所述承载面及所述承载面上的所述待加工件之间形成密封的气流道，所述气流道用于通入导热气体，以使所述承载面与承载于所述承载面上的所述待加工件之间填充有导热气体。

于本申请的一实施例中，所述气流道结构包括多个环形凸块，多个所述环形凸块同心嵌套于所述承载面上，任意两相邻的所述环形凸块用于与所述承载面及其承载的所述待加工件下表面形成所述气流道。

于本申请的一实施例中，所述承载装置内还设置有至少一个进气道，所述进气道的开口位于所述卡盘的顶面上，所述进气道用于与一气源连接，以将导热气体导入至所述气流道结构。

于本申请的一实施例中，所述导热结构包括石墨材质或石墨烯材质。

于本申请的一实施例中，所述卡盘为陶瓷材质的静电卡盘，所述温控器为金属材质的温控器，并且所述温控器的加热速率小于等于3℃/分钟。

第二个方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，包括工艺腔室及如第一个方面提供的承载装置，所述承载装置设置于所述工艺腔室内。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：

本申请实施例通过在卡盘及加热器之间设置有导热结构，能大幅提高卡盘和温控器间的热传导效率，在需要对待加工件进行加热时温控器能够快速在待加工件进行加热，从而大幅提高工艺速率。在需要对待加工件进行散热时，尤其适用于高功率的物理气相沉积工艺中，由于高功率及长时间工艺导致待加工件温度较高，此时导热结构能快速将卡盘及待加工件的热量传导至温控器，使得温控器快速将待加工件的热量及时带走，以满足工艺需求并且提高工艺良率，从而使得本申请实施例不仅能准确控制待加工件的温度，而且还能大幅提高工艺速率。此外，由于无需配置现有技术中的背吹气结构，在降低结构复杂性的同时提高了结构可靠性，并且还能大幅降低应用及维护成本。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本申请实施例提供的一种承载装置的剖面结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种承载装置的俯视示意图。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语（包括技术术语和科学术语），具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

申请人在实践中发现，在一些特殊的应用场合中，采用背吹气结构的传热效率无法满足实际需求，例如在PVD热铝工艺中，溅射过程中产生的能量会逐步累积到晶圆的表面，当产生的热量超过晶圆所能被带走的能量时，晶圆就会逐渐升温最终导致晶圆的温度要高于加热器的温度。

具体来说，晶圆被带走的热量主要分为两个部分，一部分为晶圆本身的辐射散热，另一部分是通过晶圆和静电卡盘之间的接触进行散热，以及静电卡盘与加热器中间的背吹气体散热。当晶圆的温度超过静电卡盘的温度时静电卡盘就变为散热器，静电卡盘上的热量通过背吹气体作为传热媒介被加热器带走，因此加热器也被当作散热器进行使用，其内部的电热丝在闭环控制下逐步降低输出功率，甚至完全关闭电热丝的加热功率以达到热平衡。但是在高溅射功率和长时间工艺中，晶圆上会累积大量的热，而采用这样的传热方式所能带走的热量是有限的，其传热的瓶颈主要是在晶圆和静电卡盘间，以及静电卡盘与加热器间的背吹气体上，因为气体的传热能力有限，最终导致晶圆的温度无法控制，从而无法满足实际的工艺要求，进一步的，由于晶圆和静电卡盘间只能通过背吹气体进行传热，所以改善的关键就变为如何增加静电卡盘和加热器间的气体传热。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

本申请实施例提供了一种承载装置，设置于半导体工艺设备的工艺腔室内，用于承载待加工件，该承载装置的结构示意图如图1所示，包括：卡盘1、温控器2及导热结构3；卡盘1设置于温控器2上，卡盘1的顶面设置有承载面11，承载面11用于承载并吸附待加工件100；温控器2用于通过卡盘1对待加工件100的温度进行控制；导热结构3设置于卡盘1及温控器2之间，用于增加卡盘1及温控器2之间的热传导效率。

如图1所示，卡盘1具体可以采用静电卡盘，卡盘1设置于温控器2的顶面上，并且卡盘1的顶面上设置有承载面11，承载面11可以用于承载并吸附待加工件100。具体来说，卡盘1的内部可以设置有电极层13，在对电极层13施加电压时电极层13与待加工件100上形成相反的静电电荷，以将待加工件100吸附在卡盘1的承载面11上，该待加工件100具体为晶圆或者承载有晶圆的托盘，但是本申请实施例并不限定卡盘1及待加工件100的具体类型。温控器2例如采用金属材质制成，温控器2的内部可以设置有电热丝及热电偶（图中均未示出），通过热电偶反馈的温度来对温控器2进行闭环控制，从而将温控器2温度控制在一定的范围内。导热结构3具体采用导热性能良好的金属或非金属材质制成，但是本申请实施例并不以此为限。导热结构3具体设置于卡盘1及温控器2之间，当温控器2通过卡盘1对待加工件100的温度进行控制时，导热结构3能快速将热量传导至卡盘1上，或者将卡盘1的热量传导温控器2上，从而对待加工件100的温度进行控制。

本申请实施例通过在卡盘及加热器之间设置有导热结构，能大幅提高卡盘和温控器间的热传导效率，在需要对待加工件进行加热时温控器能够快速在待加工件进行加热，从而大幅提高工艺速率。在需要对待加工件进行散热时，尤其适用于高功率的物理气相沉积工艺中，由于高功率及长时间工艺导致待加工件温度较高，此时导热结构能快速将卡盘及待加工件的热量传导至温控器，使得温控器快速将待加工件的热量及时带走，以满足工艺需求并且提高工艺良率，从而使得本申请实施例不仅能准确控制待加工件的温度，而且还能大幅提高工艺速率。此外，由于无需配置现有技术中的背吹气结构，在降低结构复杂性的同时提高了结构可靠性，并且还能大幅降低应用及维护成本。

需要说明的是，本申请实施例并不限定温控器的具体实施方式，例如温控器内还可以设置有冷却流道，用于通入冷却介质以实现对待加工件的快速降温。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1及图2所示，导热结构3的形状与卡盘1的底面形状对应设置，并且导热结构3分别与卡盘1的底面及温控器2的顶面贴合设置。可选地，导热结构3包括石墨材质或石墨烯材质。

如图1及图2所示，卡盘1具体可以采用圆形板状结构，而导热结构3则对应的设置为圆形板状结构，并且具体的可以采用石墨材质或石墨烯材质等导热材质制成，导热结构3例如可以采用石墨导热膜制成，但是本申请实施例并不以此为限。导热结构3采用上述导热材质制成，使得导热结构3相对于气体具有更好的纵向导热能力，以及较佳的横向导热能力，因此不仅能够有效的提高热传导效率，而且还能大幅提高卡盘1的温度均匀性，使得待加工件100的温度均匀性较佳，从而大幅提高待加工件100的工艺良率。导热结构3的顶面及底面分别与卡盘1及温控器2贴合设置，以增加热传导面积，从而进一步提高温控器2与卡盘1之间的热传导效率。并且导热结构3与卡盘1的形状对应设置，还能节省导热结构3的制造成本。需要说明的是，本申请实施例并不限定导热结构3的具体材质，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1及图2所示，承载装置还包括压紧结构4，压紧结构4的顶端压抵在卡盘1顶面的周缘，并且压紧结构4环绕于承载面11的外周，压紧结构4的底端与温控器2连接，用于将卡盘1压紧于温控器2上，并且卡盘1与温控器2的膨胀系统不同。具体来说，压紧结构4的顶端可以压抵卡盘1的周缘上，并且压紧结构4的底端可以与温控器2连接，以将卡盘1压紧于温控器2上。在实际应用时由于卡盘1与温控器2的热膨胀系数不一致，采用上述设计能够有效的缓解横向应力，防止两者热膨胀系数不一致，导致卡盘1在加热过程中发生碎裂，从而大幅降低故障率并延长使用寿命。压紧结构4能对卡盘1施加一压紧力，该压紧力例如可以垂直于待加工件100的表面，但是本申请实施例并不以此为限。采用上述设计，压紧结构4能进一步提高导热结构3与卡盘1及温控器2的热传导面积，从而进一步提高热传导效率。

于本申请的一实施例中，如图1及图2所示，压紧结构4包括连接筒41及压紧环42，连接筒41套设于卡盘1及导热结构3的外周，连接筒41的内壁与卡盘1及导热结构3的外壁之间具有间隙，导热结构3的外径不小于卡盘1的外径，并且连接筒41与温控器2的顶面连接；压紧环42的外缘与连接筒41的顶部连接，压紧环42的内缘压抵于卡盘1上。

如图1及图2所示，连接筒41具体为金属材质制成的圆柱形结构。连接筒41的具体可以同心套设于卡盘1及导热结构3的外周，导热结构4的外径可以大于或等于卡盘1的外径，以进一步提高热传导效率及均匀性。连接筒41的内壁与卡盘1及导热结构3的外壁之间具有间隙，在实际应用时由于卡盘1与温控器2的热膨胀系数不一致，采用上述设计能够有效的缓解横向应力，防止两者热膨胀系数不一致，导致卡盘1在加热过程中发生碎裂，从而大幅降低故障率并延长使用寿命。连接筒41的底端与温控器2顶面之间例如采用可拆卸方式连接，以便于拆装维护，但是本申请实施例并不限定具体连接方式。压紧环42具体可以采用金属材质制成环形板状结构。压紧环42的外缘与连接筒41的顶端例如采用焊接方式固定连接，压紧环42的内缘压抵于卡盘1的顶面上。可选地，压紧环42与连接筒41具体采用一体成形的方式制成，本申请实施例并不以此为限。采用上述设计，使得本申请实施例结构简单，从而大幅降低应用及维护成本。

需要说明的是，本申请实施例并不限定压紧结构4的具体实施方式，例如压紧结构4可以包括多个沿卡盘1周向均匀分布的多个压爪结构，同样能够实现上述技术效果。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1及图2所示，卡盘1的顶面周缘开设凹槽12，凹槽12环绕承载面11设置，压紧环42的内缘伸入凹槽12内。具体来说，卡盘1顶面中部区域为承载面11，卡盘1顶面周缘可以开设有凹槽12，即凹槽12环绕承载面11设置。凹槽12可以沿卡盘1的周向延伸设置，并且为开放式结构，压紧环42的内缘可以伸入该凹槽12内，并且压紧在凹槽12的底面上，以将卡盘1及导热结构3压紧于温控器2的顶面上。采用上述设计，不仅可以使得本申请实施例结构简单，而且还便于承载装置与工艺腔室（图中未示出）内的其它部件配合。需要说明的是，在一些其它实施例中可以省略凹槽12，压紧环42的内缘可以直接压抵于卡盘1的顶面上。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1及图2所示，承载面11上还设置有气流道结构5，气流道结构5沿承载面11的径向和周向延伸设置，气流道结构5用于在承载面11及承载面11上的待加工件100之间形成密封的气流道52，气流道52用于通入导热气体，以使承载面11与承载于承载面上的待加工件100之间填充有导热气体。

如图1及图2所示，承载面11上设置有气流道结构5，气流道结构5具体可以沿承载面11的径向和周向延伸设置，气流道结构可以在承载面11与待加工件100形成有气流道52，气流道结构5具体可以与一气源连接，将导热气体导引至气流道52内，以使承载面11与待加工件100之间填充有导热气体，从而实现卡盘1与待加工件100之间的热传导。具体来说，气流道结构5可以通入预设压力的导热气体，该预设压力具体为大小为4～20Torr（托，1托≈133.32帕），气流道结构5能够在承载面11和待加工件100间形成一个密封的气流道52，以实现通过导热气体来实现匀热，但是由于待加工件100本身的重力并不足以维持该压力，所以需要通过待加工件100和卡盘1间的静电力，将待加工件100吸附在卡盘1上。采用上述设计，由于设置有气流道结构5，使得卡盘1与待加工件100之间的热传导效率较高，并且还能进一步提高待加工件100的温度均匀性，从而提高待加工件100的工艺良率。

于本申请的一实施例中，如图1及图2所示，气流道结构5包括多个环形凸块51，多个环形凸块51同心嵌套于承载面11上，任意两相邻的环形凸块51用于与承载面11及其承载的待加工件100下表面形成气流道52。具体来说，多个环形凸块51同心嵌套于承载面11上，环形凸块51与卡盘1之间例如采用钎焊方式与卡盘1连接，但是本申请实施例并不以此为限，例如采用粘接或螺栓连接方式连接。两个相邻的环形凸块51具有间隙，以与承载面11之间形成槽形结构，并且与待加工件100的下表面共同配合以形成气流道52，气流道52用于通入导热气体。进一步的，环形凸块51上还可以开设有缺口，以使得各气流道52相互连通，但是本申请实施例并不以此为限。采用上述设计，使得本申请实施例结构简单，从而大幅降低应用及维护成本。

需要说明的是，本申请实施例并不限定气流结构5的具体实施方式，例如气流道结构5具体可以是开设于承载面11的多个凹槽，同样能实现上述作用。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1及图2所示，承载装置内还设置有至少一个进气道6，进气道6的开口位于卡盘1的顶面上，进气道6用于与一气源连接，以将导热气体导入至气流道结构5。具体来说，进气道6例如采用金属材质制成管状结构，进气道6依次穿设于卡盘1、导热结构3及温控器2的居中位置，并且进气道6的出气口位于环形凸51内，进气口与一气源连接，以用于将导热气体导引至气流道结构5内。进一步的，多个环形凸块51最外侧的环形凸块51可以与承载面11以及待加工件100配合以对导热气体进行密封；而其它的环形凸块51上可以开设有缺口，以使得各气流道52相互连通，但是本申请实施例并不以此为限。采用上述设计，不仅使得本申请实施例的结构简单，从而进一步提高可靠性以及延长使用寿命。但是本申请实施例并不限定进气道6的具体实施方式，例如进气道6具体可以是开设于卡盘1、导热结构3及温控器2内的孔道。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。

于本申请的一实施例中，如图1及图2所示，卡盘1为陶瓷材质的静电卡盘，温控器2为金属材质的温控器2，并且温控器2的加热速率小于等于3℃/分钟。具体来说，为了实现较好的电绝缘性，卡盘1具体采用陶瓷材质的静电卡盘，卡盘1的材质可以是三氧化二铝（Al₂O₃）、氮化铝（AlN）或碳化硅(SiC)等陶瓷材质，或者卡盘1也可以是陶瓷中掺杂了金属氧化物的半导体，以使得卡盘1适用于高温工况。温控器2例如采用不锈钢或铝等金属材质，但是本申请实施例并不以此为限。由于导热结构3采用具有良好的热传导系数，卡盘1在升降温时需要注意升降温速率，例如控温器2的升温速率可以设置为小于3℃/分钟，以避免由于卡盘1的顶面及底面温差过大而造成卡盘1碎裂。采用上述设计，不仅使得本申请实施例适用范围广泛，而且还能大幅降低故障率，以提高本申请实施例的可靠性及延长使用寿命。

基于同一构思，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，包括工艺腔室及如上述各实施例提供的承载装置，承载装置设置于工艺腔室内。

应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：

本申请实施例通过在卡盘及加热器之间设置有导热结构，能大幅提高卡盘和温控器间的热传导效率，在需要对待加工件进行加热时温控器能够快速在待加工件进行加热，从而大幅提高工艺速率。在需要对待加工件进行散热时，尤其适用于高功率的物理气相沉积工艺中，由于高功率及长时间工艺导致待加工件温度较高，此时导热结构能快速将卡盘及待加工件的热量传导至温控器，使得温控器快速将待加工件的热量及时带走，以满足工艺需求并且提高工艺良率，从而使得本申请实施例不仅能准确控制待加工件的温度，而且还能大幅提高工艺速率。此外，由于无需配置现有技术中的背吹气结构，在降低结构复杂性的同时提高了结构可靠性，并且还能大幅降低应用及维护成本。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种承载装置，设置于半导体工艺设备的工艺腔室内，用于承载待加工件，其特征在于，包括：卡盘、温控器、导热结构及压紧结构；所述卡盘设置于所述温控器上，所述卡盘的顶面设有承载面，所述承载面用于承载并吸附所述待加工件；所述温控器用于通过所述卡盘对所述待加工件的温度进行控制；所述导热结构设置于所述卡盘及所述温控器之间，用于增加所述卡盘及所述温控器之间的热传导效率；所述压紧结构的顶端压抵在所述卡盘顶面的周缘，并且所述压紧结构环绕于所述承载面的外周，所述压紧结构的底端与所述温控器连接，用于将所述卡盘压紧于所述温控器上，并且所述卡盘与所述温控器的膨胀系数不同。

2.如权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述导热结构的形状与所述卡盘的底面形状对应设置，并且所述导热结构分别与所述卡盘的底面及所述温控器的顶面贴合设置。

3.如权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述压紧结构包括连接筒及压紧环，所述连接筒套设于所述卡盘及所述导热结构的外周，所述连接筒的内壁与所述卡盘及所述导热结构的外壁之间具有间隙，所述导热结构的外径不小于所述卡盘的外径，并且所述连接筒与所述温控器连接；所述压紧环的外缘与所述连接筒连接，所述压紧环的内缘压抵于所述卡盘上。

4.如权利要求3所述的承载装置，其特征在于，所述卡盘的顶面周缘开设凹槽，所述凹槽环绕所述承载面设置，所述压紧环的内缘伸入所述凹槽内。

5.如权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述承载面上设置有气流道结构，所述气流道结构沿所述承载面的径向和周向延伸设置，所述气流道结构用于在所述承载面及所述承载面上的所述待加工件之间形成密封的气流道，所述气流道用于通入导热气体，以使所述承载面与承载于所述承载面上的所述待加工件之间填充有导热气体。

6.如权利要求5所述的承载装置，其特征在于，所述气流道结构包括多个环形凸块，多个所述环形凸块同心嵌套于所述承载面上，任意两相邻的所述环形凸块用于与所述承载面及其承载的所述待加工件下表面形成所述气流道。

7.如权利要求6所述的承载装置，其特征在于，所述承载装置内还设置有至少一个进气道，所述进气道的开口位于所述卡盘的顶面上，所述进气道用于与一气源连接，以将导热气体导入至所述气流道结构。

8.如权利要求1至7的任一所述的承载装置，其特征在于，所述导热结构为石墨材质或石墨烯材质。

9.如权利要求1至7的任一所述的承载装置，其特征在于，所述卡盘为陶瓷材质的静电卡盘，所述温控器为金属材质的温控器，并且所述温控器的加热速率小于等于3℃/分钟。

10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室及如权利要求1至9中任一所述的承载装置，所述承载装置设置于所述工艺腔室内。

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