TWI378571B - Thin film semiconductor component and component combination - Google Patents

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Siegfried Herrmann
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Description

1378571 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係一種薄膜半導體組件及組件結合。 【先前技術】 本專利申請要求享有德國專利申請102006036543.7及 102007004303.3 之優先權。 在德國專利DE 100 40 448 A1的公開說明書中提及— 種半導體晶片及一種以薄膜技術製造半導體晶片的方法。 這種方法是在一片基板上設置一個包括一有效層序列及一 基層的層組合。此外，在基板被去除之前，還要以電鍍方 式爲這個層組合鍍上一個強化層及一個輔助載體層。爲了 處理由層組合構成的半導體晶片，故在被去除之基板的面 上以層壓方式加上一層薄膜。 此外，在德國專利DE 102 34 978 A1的公開說明書中 提及一種可表面安裝的半導體組件》此種半導體組件具有 一半導體晶片及兩條設置在薄膜上的外接線。 【發明內容】 本發明之一個目的是提出一種構造高度較小且具有良 好的工作穩定性的薄膜半導體組件。本發明之另外一個目 的是提出一種構造高度較小且具有良好之工作穩定性的組 件結合。 採用申請專利範圍第1項之薄膜半導體組件及第30項 之組件結合即可達到上述目的。本發明之薄膜半導體組件 及組件結合的各種有利的實施方式均記載於附屬專利申請 1378571 項目中》 本發明的薄膜半導體組件具有一個載體層及一個位於 載體層上的層堆疊，這個層堆疊含有可以發射輻射之半導 體材料，同時載體層上還有一個使半導體組件冷卻用的散 熱層。 散熱層的任務是吸收薄膜半導體組件在運轉過程中產 生的熱’並將所吸收的熱排放到層堆疊或半導體組件之 外。散熱層最好是含有一種導熱性良好的材料β散熱層的 優點是可以減輕半導體組件在運轉過程中產生的熱及伴隨 而來的溫度升高導致光輸出減少的現象。此外，散熱層也 可以降低半導體組件產生的輻射因溫度升高而發生波長偏 移的可能性。層堆疊及散熱層之間可以經由熱傳導及/或熱 輻射的方式傳熱。 薄膜半導體組件至少具有下列特徵中的一項特徵： --在磊晶層序列面對載體元件的第一主面上有被塗上 或形成一個反射層，這個反射層會將在磊晶層序列內產生 的電磁輻射至少反射一部分回磊晶層序列； --磊晶層序列的厚度範圍在20μιη以下，而且最好是 在1 Ο μ m左右； 磊晶層序列至少有一個半導體層的至少一個面具有 一混勻結構，在理想情況下，這個面會使光線以近似各態 遍歷的方式分佈在磊晶層序列中，也就是說這個面具有近 似於各態遍歷的隨機散射特性。 在文獻 I. Schnitzer et al·，Appl. Phys. Lett· 63 (16)， 1378571 18，October 1 993，2 1 74-2 1 76中有關於發射輻射之薄膜半 導體晶片之基本原理的原明。 依據本發明的一種有利的實施方式，散熱層係位於載 體層面對層堆疊的那一個面上，而且散熱層最好是被固定 在載體層上。 依據本發明的另外一種有利的實施方式，散熱層係位 於層堆疊及載體層之間。最好是將層堆疊安裝在作爲冷卻 元件用的散熱層上，並與散熱層形成傳熱連接，也就是使 散熱層被整合到載體層上或是被倂入載體層內。 依據本發明的另外一種有利的實施方式，散熱層的形 狀爲扁平狀。這表示散熱層的長度和寬度大於高度。散熱 層的底面尺寸至少和層堆疊的底面尺寸一樣大。散熱層的 底面並非一定必須是矩形，而是可以是其他的形狀，例如 可以將散熱層的底面製作成鱗片狀，這樣散熱層與底面相 鄰的兩個側邊就會是彎曲的形狀。此外，最好是將散熱層 製作成一個封閉的層面。這對於薄膜半導體組件的電接點 是有利的’因爲具有導電性的封閉式散熱層可以使電流以 均句的方式注入層堆疊。散熱層最好是含有具導電性的材 料’在這種情況下，散熱層可以作爲電接點之用。 —種特別有利的方式是將散熱層製作成一層鍍在載體 層上的金屬鍍膜。例如含有銅、鎳、或銀的散熱層。 另外一種可行的方式是散熱層含有一種絕緣材料，例 如陶瓷材料。 矽也是一種製作散熱層的適當材料。 1378571 散熱層的厚度應介於數微米到數十微米之間，而且最 好是在30μπ1之間。 散熱層的厚度一方面要薄到不會使組件的構造高度增 加多’另一方面又要厚度能夠對組件產生相當良好的冷 卻效果。 依據本發明的另外一種有利的實施方式，載體層是一 層薄膜’而且最好是一種在印刷線路中製造的塑膠片。雖 然載體層的的厚度相當薄，但仍具有足夠的穩定性。由於 載體層的厚度相當薄，使載體層具有足夠的彈性，以降低 出現破痕的機率。所謂厚度相當薄是指載體層的厚度爲 ΙΟΟμιη，或最好是小於ΜΟμπ!。 載體層最好是含有一種塑膠材料，例如環氧樹脂、 ΡΕΤ(聚對苯二甲酸乙二酯）、或是一種聚合物（尤其是聚醯 亞胺）。 依據本發明的一種特別有利的方式，載體層對層堆疊 產生的輻射而言是透明的。此外，最好是將散熱層移到層 堆疊對面的位置，這樣輻射就可以穿過載體層向外輸出， 而不會被散熱層反射回去。具有透明的載體層及覆蓋層（將 在下面做進一步的說明）的薄膜半導體組件的優點是可以 從頂面及底面發出輻射。 此外，可以根據應用上的需要決定要使載體層具有導 電性或是電絕緣性。 依據本發明的另外一種有利的方式，載體層是設置在 —片底板上。例如可以將載體層設置在由一片金屬膜構成 1378571 的底板上。這個底板可以使組件的排熱獲 善。在這種實施方式中，載體層最好是一層 最好是經由一種導熱黏膠與底板形成機械及 這種實施方式中，載體層還可以具有形成層 用的通孔，這樣層堆疊就可以經由底板接通 以便經由設置在載體層上的散熱層接通第二 依據本發明的另外一種有利的方式，載 第一子層及一個第二子層，其中第一子層的 且最好是位於第二子層之上。第一子層的厚 一子層熱流決定，而且這個熱流應盡可能的 與第一子層的厚度成反比。第二子層可以是· 是一種金屬膜），並被第一子層的一個很薄的 在溫度升高時，第一子層最好是能夠阻礙第 脹。 可以將層堆疊黏貼或接合在散熱層上。 明之半導體組件的方法具有以下的步驟： --在一片生長基板上形成一個含有半導 疊； …將載體層設置在層堆疊上； --去除生長基板。 也就是將載體層設置在層組合背對生長 面上’也就是層堆疊在接合後將載體層黏住 也可以在未預先將載體層設置在層堆疊 將生長基板去除掉。 得進一步的改 塑膠膜，而且 傳熱連結。在 間電路接通之 第一個電源， 個電源。 體層具有一個 厚度很薄，而 度是由通過第 大。熱流大小 一層薄膜（最好 丨塑膠層蓋住。 二子層的熱膨 一種製造本發 體材料的層堆 基板的那一個 的那一個面。 上的情況下就 1378571 另外一種可行的方式是在層堆疊與載體層相對而立的 那一個面上設置一個將層堆疊蓋住的覆蓋層。這樣做的好 處是可以取代澆鑄。覆蓋層可以有效的防止濕氣進入組件 內。 第一種方式是利用一種鍍膜方法（例如淋幕塗佈 (curtain coating)法）將覆蓋層鍍在層堆疊上。淋幕塗佈法的 優點是是即使被鍍層的表面並不平坦，也可以鍍上一層非 常均勻的覆蓋層。 第二種方式是覆蓋層是一層薄膜。 例如可以先將柔軟的覆蓋層設置在層堆疊背對載體層 的那一個面上’然後再使其硬化。另外一種方式是讓柔軟 的覆蓋層保持在未完全硬化的狀態。 另外一種可能的方式是設置一個由—個底層及一個面 對層組合之黏著層構成的覆蓋層，其中黏著層係黏著在層 組合上。 覆蓋層最好是含有一種透明的材料，這樣覆蓋層就可 以作爲輸出層。 —種特別有利的方式是覆蓋層含有玻璃或塑膠。 另外一種有利的貫施方式是覆蓋層含有—種能夠將層 堆疊發出的輻射轉換的轉換材料。轉換材料至少能夠將層 堆疊發出的一部分輻射轉換成波長較長的輻射。利用這種 方式可以經由波長轉換將發出紫外線輻射或藍光輻射的層 堆疊發出的一部分輻射轉換到互補光譜範圍，例如轉換到 黃光的光譜範圍，因而使層堆疊能夠發出白光。這種實施 -10- !378571 方式的優點是可以用低廉的成本組裝出白光薄膜半導體組 件。 發出紫外線輻射或藍光輻射的層堆疊含有以氮化物化 合物半導體爲主要成分的材料。所謂”以氮化物化合物半導 體爲主要成分的材料”是指有效磊晶層序列（或至少是其中 —個層）含有一種氮化物- III/V-化合物半導體材料，而且其 通式最好是 AlnGamIn i-n.mN，其中 OSnS 1，OSmS 1， n + ms 1。當然這種材料的實際成分並不是一定必須完全符 合這個通式。而是可以另外含有不至於對AlnGamIn ,-mN 材料的物理特性造成太大影響的一種或數種摻雜物質或是 其他成分。爲了簡化起見，以上的通式僅含有構成這種材 料的晶格的重要成分（Al、Ga、In、N)，即使這些成分有一 小部分可以被其他的物質取代。 依據本發明的一種特別有利的實施方式，覆蓋層具有 一個光學結構，例如透鏡形、稜鏡形、或是金字塔形的光 學結構。這個光學結構有助於輻射聚束，或是改善輻射輸 出。此外’也可以使覆蓋層被部分鏡面化，尤其是使覆蓋 層的鏡面化部分與位於覆蓋層對面之散熱層（最好是具有 反射作用）的組合能夠在組件內形成相當均勻的輻射分 佈’這樣就可以形成一個相當均勻的發光面β 可以將光學結構設置在覆蓋層面對或背對層堆疊的那 —個面上。 在組件的頂面及底面均設置載體層及覆蓋層可以取代 外殼體。 1378571 另外一種可能性是覆蓋層單獨就可以使薄膜半導體組 件具有足夠的力學穩定性。在這種情況下，可以在製程結 束時將載體層整個去除掉。這樣散熱層就可以作爲裝配面 之用。此外，也可以只將一部分的載體層去除掉。如果載 體層具有導電性，則可以將散熱層及接觸墊之間的載體層 去除掉，以免薄膜半導體組件在運轉時發生短路。 在層堆疊面對載體層的那一個面上最好是有一個第一 電連接區，同時在層堆疊背對載體層的那一個輸出面上有 一個第二電連接區。沿著覆蓋層面對層堆疊的那一個表面 至少有一條印刷線路與層堆疊之輻射輸出面形成觸點接 通。例如這條印刷線路可以沿著覆蓋層延伸。尤其是這條 印刷線路可以是一部分在層堆疊上伸展，另外一部分則是 在載體層上伸展，而且在印刷線路及層堆疊之間設有一個 鈍化層。 此外，印刷線路本身也可以構成一個自支持的結構。 在這種情況下，印刷線路最好是與設置在載體層上的一個 接觸墊連接，並位於鈍化層上。接觸墊的高度最好是和層 堆疊相同，這樣就可以使印刷線路和輻射輸出面平行，而 且很容易就可以接觸到位於輻射輸出面上的電連接區。印 刷線路的尺寸最好是ΙΟμιη X 50μιη。如果是應用在大電流 的場合，可以使用更大尺寸的印刷線路。 對本發明而言，最好是能夠以無壓焊絲的方式形成輸 出端觸點接通。這對於降低薄膜半導體組件的構造高度具 有正面作用，因爲印刷線路的形狀比壓焊絲更爲扁平。此 -12- 1378571 外，無壓焊絲的觸點接通方式對於發生在覆蓋層內的波長 轉換也有幫助。 * 依據本發明的一種有利的實施方式，第二電連接區是 由一接合片及接觸墊構成的接觸結構。最好是將接合片設 置在輻射輸出面的邊緣區域，以免層堆疊發出的輻射在輻 射輸出面的中心區域被接合片吸收。所謂將接合片設置在 輻射輸出面之邊緣區域是指接合片的中心點與層堆疊的至 少一個側邊的距離小於與輻射輸出面之中心點的距離。相 ® 較於將接合片設置在輻射輸出面的中心區域的晶片，將接 合片設置在輻射輸出面的邊緣區域的好處是印刷線路不必 通過輻射輸出面到達接合片，因此可以避免半導體組件發 出的輻射被接合片吸收。儘管接合片被設置在輻射輸出面 的邊緣區域，但是經由設置在輻射輸出面上的多個與接合 片導電連接的接觸墊，仍然可以使電流以相當均勻的方式 分佈在層堆疊內。 薄膜半導體組件最好是可以彎曲的。 ® 本發明的組件結合至少具有兩個如以上說明的薄膜半 導體組件。由於薄膜半導體組件相有相當的可彎曲性，因 此原本是扁平配置的薄膜半導體組件可以經由組件結合被 彎曲成所需要的發光面及各種不同的發光形狀。也可以將 扁平的組件結合彎曲成管狀，以形成圓圓柱狀的發光器。 依據本發明的組件結合的一種有利的實施方式，構成 組件結合的薄膜半導體組件具有一共同載體層，尤其是一 個如前述所述的載體層。 1378571 本發明組件結合的另外一種有利的實施方式 使載體層上的層堆疊在輻射輸出端形成電接點的 設置在層堆疊之間。 薄膜半導體組件之間可以用不同的方式彼 部。一種有利的方式是將薄膜半導體組件串聯在 種特別有利的方式是使第一個薄膜半導體組件的 接區經由壓焊絲與第二個薄膜半導體組件的散熱 部，在這種情況下，散熱層是作爲電觸點之用。 可行的方式是將第一電連接區及第二電連接區均 堆疊面對載體層的那一個面上，並使第一電連接 第一個電接點的散熱層電連接部，以及使第二電 作爲第二個電接點的散熱層電連接部。 本發明的組件結合特別適於作爲LCD螢幕的 組件結合的一個優點是尺寸大小（也就是薄膜半 的數量）很容易調整，因爲要將柔軟的載體層切開 組件結合分解成數個較小的組件結合並非一件困 【實施方式】 以下配合第1圖至第7圖及若干實施例對本 膜半導體組件及組件結合的其他特徵及有利的實 進一步的說明。 在圖式及實施方式中，相同或具有相同作用 以相同的元件符號標示。圖式中的元件及彼此之 關係並非按比例尺繪製，有時爲了便於說明或理 些元件或部位（例如層的厚度）繪製得特別大。 是將一個 接觸墊係 此電連接 —起。一 第二電連 層電連接 另外一種 設置在層 區與作爲 連接區與 背光源。 導體組件 ，進而將 難的事。 發明之薄 施方式做 的元件均 間的大小 解而將某 1378571 第1圖顯示的薄膜半導體組件（1)具有一個覆蓋層 (10)。覆蓋層（10)可以保護層堆疊（8)(參見第2圖）不會因濕 氣進入而受損。覆蓋層（10)可以讓層堆疊（8)(參見第2圖） 的半導體層序列（5)產生的輻射通過。在這種情況下，覆蓋 層（10)同時也是輻射輸出層。爲了改變薄膜半導體組件（1) 的射特性，覆蓋層（10)可以具有一個光學結構，例如一 個透鏡形、稜鏡形、或是金字塔形的光學結構。此外，覆 蓋層（10)也可以被部分鏡面化。 此外，覆蓋層（1〇)可以作爲散熱層（3)與印刷線路（9)之 間的電絕緣層。散熱層（3)除了具有導熱性外，也可以具有 導電性。爲了防止半導體層序列（5)之不同導電類型的半導 體層之間發生短路，故在印刷線路及半導體層序列（5)之間 設置一個鈍化層（7)，例如含有氧化矽的鈍化層。 半導體層序列（5)用於產生輻射。半導體層序列（5)可以 具有一個傳統的pn接面、一個雙重雜結構、以及一個單量 子井結構或多重量子井結構。半導體層序列（5)是不含基板 的，這表示薄膜半導體組件（1)製造完成後，先前供半導體 層序列（5)生長用的生長基板會被去除掉。 層堆疊（8)(見第2圖）具有作爲電接點之用的第一電連 接區（4)及位於輻射輸出端的第二電連接區（6)。 如第2圖所示，層堆疊（8)係設置在具有一個散熱層（3) 的載體層（2)上。載體層（2)最好是一層薄膜，而且是先在這 層薄膜上形成散熱層（3)，然後再將層堆疊（8)安裝在散熱層 (3)上。層堆疊（8)最好是被接合在散熱層（3)上。 -15- 1378571 散熱層（3)的厚度Dw介於5μιη至30μπι之間，而且最 好是以銅、鎳或銀爲材料所構成。 * 半導體層序列（5)的厚度Ds及第一電連接區（4)的厚度 (約爲7μπ〇均小於散熱層（3)的厚度Dw。 由於載體層（2)、散熱層（3)、以及層堆疊（8)的厚度都 很小，因此薄膜半導體組件（1)的構造高度可以保持在很小 的程度。薄膜半導體組件（1)的構造高度Dges最好是小於 100 μιη。載體層（2)及覆蓋層（1〇)的組合對於降低薄膜半導 ® 體組件（1)的構造高度也有所貢獻，因此此二者的組合可以 取代外殼體，或是作爲薄膜半導體組件（1)的外殼。由於薄 膜半導體組件（1)的構造高度很小，因此可以將多個薄膜半 導體組件堆疊在一起，以提高單位面積的發光強度。 如第1圖所示，使薄膜半導體組件（1)散熱及作爲第一 個電連接部之用的散熱層（3)突出於層堆疊（8)之外，而且是 扁平狀的。在第1圖顯示的情況中，散熱層（3)將層堆疊（8) 的整個底面覆蓋住。但是也可以將散熱層（3)移到層堆疊的 ® 對面，這樣層堆疊發出的輻射就可以直接射到載體層（2)。 作爲第二個電連接部之用的印刷線路（9)最好是分成數個 段落。印刷線路從第一電連接區（4)沿著輻射輸出面（1 1)經 過層堆疊（8)的一個側面到達載體層（2)。 散熱層（3)及印刷線路（9)在橫向方向上突出於載體層 (2)或覆蓋層（10)，因此很容易就可以和電壓源形成導電連 接。 另外一種可能的方式是直接將印刷線路設置在層堆疊 -16- 1378571 (8)及載體層（2)上。還有另外一種可行的方式是將印刷線路 設置在覆蓋層（10)上》 在第3圖顯示的薄膜半導體組件（1)中，載體層（2)具有 —個第一子層（2a)及一個第二子層（2b)。第一子層（2a)是一 個很薄的層’第二子層（2 b)的厚度則要能夠讓相當高的熱 流通過。熱流大小與層的厚度成反比。第二子層（2b)的厚 度最好是在數微米的範圍。在第3圖顯示的實施例中，第 一子層（2a)是電絕緣的，而且含有一種塑膠材料。這樣做 的好處是可以將印刷線路（9)及散熱層（3)都設置在載體層 (2)上’而且不必擔心短路的問題。例如可由電流分隔層系 統來形成散熱層（3)。 第二子層（2 b)是一層薄膜，而且最好是一層金屬膜， 例如含有銅。第二子層（2 b)的作用是提供良好的導熱效 果。由於第一子層（2 a)的熱膨脹係數小於第二子層（2 b)的熱 膨脹係數，因此當溫度升高時，第一子層（2 a)可以對第二 子層（2b)的熱膨脹產生抑制作用，使第二子層（2 b)不致於過 度膨脹。 在第4圖顯示的薄膜組件（1)中，載體層（2)係設置在一 片底板（15)上。底板（15)最好是最有良好的導熱性。底板 (15)最好是一層金屬膜，而載體層（2)則可以是一層塑膠薄 膜。另外一種可行的方式是載體層（2)是由紙製成。載體層 (2)最好是經由一種導熱黏膠與底板（15)形成機械及傳熱連 結。 第5圖顯示的薄膜組件（1)具有一個載體層（2) ’在載體 1378571 層（2)之上設有散熱層（3)及層堆疊（8)»此外，載體層（2)具 有一片與印刷線路（9)形成導零連接的接觸墊（12)。 位於輻射輸出端的第二電連接區（6)是一個具有一接 合片（6 a)及多個電流擴大用之接觸墊（6b)的接觸結構，其中 接觸墊（6b)與接合片（6a)形成導電連接，而且接合片（6a)係 位於輻射輸出面（11)(見第2圖）的邊緣區域。 第二電連接區（6)及印刷線路（9)最好是均含有導電材 料，例如一種透明導電氧化物（TCO : Transparent Conductive Oxide)。 和第5圖顯示的薄膜半導體組件（1)一樣，第6圖顯示 的薄膜半導體組件（1)也會在輻射輸出端形成相同的電接 點。印刷線路（9)係沿著平行於輻射輸出面（1 1)的方向前 進。此外，輻射輸出面（11)及覆蓋層（10)面對輻射輸出面 (11)的一個表面基本上是彼此平行。因此薄膜半導體組件 (1)具有一扁平狀的搆造。 層堆疊（8)的表面幾乎整個被鈍化層（7)覆蓋住。此外， 爲了達到電絕緣之目的，可以在載體層（2)及覆蓋層（10)之 間設置一個塡充層（圖式中未繪出）。這個塡充層的另外一 個作用是將載體層（2)及覆蓋層（10)聯結在一起。 另外一種可能的方式是在製程結束時將載體層（2)至 少去除掉一部分。由於載體層（2)可能具有導電性，因此最 好是將散熱層（3)及接觸墊（12)之間的載體層（2)去除掉，以 免薄膜半導的組件（1)在運轉時發生短路。在這種實施方式 中，薄膜半導體組件（1)可以和SMT組件一樣將結構化的載 -18- 1378571 體層（2)焊接或是黏著在印刷電路板上。 第7圖顯示的組件結合（1 3)具有數個如第2圖及第6 圖之實施例中的層堆疊（8)。這些層堆疊（8)係設置在一個共 同載體層（2)上。此外，這些層堆疊（8)都經由印刷線路（9) 連接到一個設置在載體層（2)上的共同接觸墊（12)。只要將 組件結合（1 3 )分解開來，就可以調整組件結合（丨3 )的大小。 組件結合（1 3)特別適於作爲背光源及照明之用。 第8a圖及第8b圖顯示的組件結合（13)具有多個薄膜 半導體組件（1)。每一個薄膜半導體組件（1)都具有一個層堆 疊（8)及一部分的共同載體層（2)。在每一個層堆疊（8)及載 體層（2)之間都有一個散熱層（8)。除了冷卻作用外，散熱層 (8)的另外一個作用是可以形成電接點。第一個薄膜半導體 組件（1 )的一個正面有一條壓焊絲（1 4 )連接到與第一個薄膜 半導體組件（1)相鄰之第二個薄膜半導體組件（1)的背面上 的散熱層（3)’因而將這兩個薄膜半導體組件（1)串聯在一 起。串聯在一起的薄膜半導體組件（1)的數量可以視實際需 要任意調整。 每一個層堆疊（8)都不是位於散熱層（3)的正中央位 置，這樣做的好處是可以比設置在中央位置使層堆疊（8)的 正面形成更好的觸點接觸。 散熱層（3)的底面是鱗片狀，其中有一個側邊是凹進去 的，而追個側邊對面的側邊則是向外凸出的。最好是將層 堆疊（8)設置在凹進去的側邊上，原因是此處的電流注入優 於凸出之側邊的電流注入。 -19- 1378571 如第8b圖所示，有些散熱層（3)上並沒有設置層堆疊 (8)。儘管如此，最好還是將這些散熱層（3)也和有設置層堆 疊（3)的散熱層（3)串聯在一起’這樣做的好處是即使一個層 堆疊（3)被沒有設置層堆疊（8)的散熱層（3)環繞住’這個層 堆疊（3)也很容易獲得電力供應。另外一個好處是只要更換 有設置層堆疊（8)的散熱層（3)和沒有設置層堆疊（8)的散熱 層（3)的位置，就可以產生不同的發光模型。 第8c圖顯示第8a圖中的組件結合（13)的一個橫斷面 圖。 在第9圖顯示的實施例中，組件結合（13)具有多個設 置在一個共同載體層（2)上的層堆疊（8)，而且每一個層堆疊 (8)都和一個第一散熱層（3)及一個與第一散熱層（3)相鄰的 第二散熱層（3)形成機械及導電連結。兩個電接點均位於層 堆疊（8)面對這兩個散熱層（3)的那一個面上。每兩個相鄰的 散熱層（3 )都是被一個層堆疊（3 )搭接在一起。這樣利用多個 層堆疊（8)將相鄰的散熱層（3)—個一個搭接在一起，就可以 形成層堆疊（8)的串聯電路。 在第10圖顯示之組件結合（13)的實施例中，層堆疊（8) 的兩個電接點都是設置在層堆疊（8)面對載體層（2)的那一 個面上。載體層（2)含有一種電絕緣材料，尤其是一種塑膠 材料。載體層（2)還具有形成層間電路接通之用的通孔。載 體層（2)最好是一層塑膠薄膜。與載體層（2)形成機械和傳熱 連結的底板（15)最好是一層金屬膜，這樣層堆疊（8)就可以 經由底板（15)形成第一個電連接部。層堆豐（8)的第二個電 -20 - 1378571 連接部則可以經由載體層（2)上的散熱層（3)(圖式中未繪 出）形成。 在本發明中用來形成無壓焊絲之觸點接通的方法最好 是不需進行任何接合調整。此外，將作爲印刷線路之用的 散熱層及其他印刷線路設置在薄膜半導體組件的一個面上 的作法使薄膜半導體組件很容易就可以形成觸點接通。 本發明的範圍並非僅限於以上所舉的實施方式。每一 種新的特徵及兩種或兩種以上的特徵的所有組合方式（尤 其是申請專利範圍中提及之特徵的所有組合方式）均屬於 本發明的範圍，即使這些特徵或特徵的組合方式未在本說 明書之說明部分或實施方式中被明確指出。 【圖式簡單說明】 第1圖：本發明之薄膜半導體組件的第一個實施例的 —個上視圖。 第2圖：如第1圖之本發明之薄膜半導體組件的第— 個實施例的一個剖面圖》 第3圖：本發明之薄膜半導體組件的第二個實施例的 一個剖面圖。 第4圖：本發明之薄膜半導體組件的第三個實施例的 —個剖面圖。 第5圖：本發明之薄膜半導體組件的第四個實施例的 —個上視圖。 第6圖：本發明之薄膜半導體組件的第五個實施例的 一個剖面圖。 -21- 1378571 第7圖：本發明之組件結合的第一個實施例的一個上 視圖。 第8a圖：本發明之組件結合的第二個實施例的一個上 視圖；第8b圖：本發明之組件結合的第三個實施例的一個 上視圖；第8(;圖：如第8a圖之本發明之組件結合的第二 個實施例的一個斷面圖。 第9圖：本發明之組件結合的第四個實施例的一個橫 斷面圖。
第10圖：本發明之組件結合的第五個實施例的—個橫 斷面圖。 【元件符號說明】 1 薄 膜 半 導 體 組件 2 載 體 層 2 a 第 一 子 層 2b 第 二 子 暦 3 散 熱 層 4 第 電 連 接 5 半 導 體 層 序 列 6 第 二 電 連 接 區 6a 接 合 片 6b 接 觸 墊 7 鈍 化 層 S 層 堆 疊 9 印 刷 線 路 -22 - 1378571 10 覆蓋層 11 輻射輸出面 12 接觸墊 13 組件結合 14 壓焊絲 15 底板

Claims (1)

1378571 n年3月1日修(是)正本I修正本 第096 1 283 39號「薄膜半導體組件及組件結合」專利案 (2012年3月19日修正） 十、申請專利範圍： 1. 一種薄膜半導體組件（1)，具有載體層（2)及位於載體層（2) 上的層堆疊（8)，層堆疊（8)含有可以發射輻射之半導體材 料，其中在載體層上（2)有使薄膜半導體組件冷卻（1)用的 散熱層（3)。
2.如申請專利範圍第1項的薄膜半導體組件（1)，其中，散 熱層（3)位於載體層（2)之面對層堆疊（8)的面上。 3 .如申請專利範圍第1項或第2項的薄膜半導體組件（1 )， 其中，散熱層（3 )位於層堆疊（8 )及載體層（2 )之間。 4 .如申請專利範圍第1項的薄膜半導體組件（1 )，其中，散 熱層（3)爲平坦狀。
5.如申請專利範圍第4項的薄膜半導體組件（1)，其中，散 熱層（3)的底面尺寸至少和層堆疊（8)的底面尺寸一樣大。 6 .如申請專利範圍第1項的薄膜半導體組件（1 )，其中，散 熱層（3)包含具有導電性的材料。 7. 如申請專利範圍第6項的薄膜半導體組件（1)，其中，散 熱層（3)是被用在載體層（2)上的金屬鍍膜。 8. 如申請專利範圍第6項的薄膜半導體組件（1)，其中，散 熱層（3)至少含有銅、鎳、銀等金屬中的一種金屬。 9. 如申請專利範圍第1項的薄膜半導體組件（1)，其中，散 熱層（3)的厚度Dw介於數微米到數十微米之間。 10.如申請專利範圍第9項的薄膜半導體組件（1)，其中，散 1378571 ·. 修正本 一 熱層（3)的厚度Dw介於5μηι至30μπι之間。 .u·如申請專利範圍第1項的薄膜半導體組件（1)，其中，散 熱層（3)係電接點。 12.如申請專利範圍第i項的薄膜半導體組件（1)，其中，載 體層（2)係薄膜。 13.如申請專利範圍第i項的薄膜半導體組件（1)，其中，載 體層（2)含有塑膠材料。
14_如申請專利範圍第13項的薄膜半導體組件（1)，其中，載 體層（2)含有聚醯亞胺。 1 5 ·如申請專利範圍第1項的薄膜半導體組件（丨），其中，載 體層（2)係設置在底板（15)上。 16.如申請專利範圍第15項的薄膜半導體組件（1)，其中，底 板（15)係金屬膜》 1 7 .如申請專利範圍第1項的薄膜半導體組件（1 )，其中，載 體層（2)具有第一子層（2 a)及第二子層（2b)。 18.如申請專利範圍第17項的薄膜半導體組件（1)，其中，第 —子層（2a)係設置在第二子層（2b)上，而且第二子層（2b) 爲薄膜。 1 9 .如申請專利範圍第1項的薄膜半導體組件（1 )，其中，散 熱層（3)被移到層堆疊（8)的對面。 20 .如申請專利範圍第1項的薄膜半導體組件（1 )，其中，載 體層（2)的厚度小於或等於ΙΟΟμιη。 2 1 .如申請專利範圍第1項的薄膜半導體組件（1 )，其中，層 堆疊（8)被黏貼或接合在散熱層（3)上。 1378571 修正本 « 22‘$D^nra專利範圍弟j項的薄膜半導體組件⑴其中，在 .»堆疊(8)之與載體層⑺相對而立的面上設置覆蓋層堆 疊（8)的覆蓋層（1〇)。 23. 如申請專利範圍第22項的薄膜半導體組件⑴，其中，覆 蓋層（10)係薄膜。 24. 如申利範圍第22項的薄膜半導體組件⑴其中，覆 蓋層（10)含有透明材料。 25. 如申請專利範圍_ 24項的薄膜半導體組件⑴，其中，覆 Φ 蓋層（10)含有玻璃或塑膠。 26. 如申請專利範圍第22項的薄膜半導體組件㈠），其中覆 蓋層（1 〇)含有轉換材料。 27. 如申請專利範圍第22項的薄膜半導體組件（ι)，其中，覆 蓋層（10)具有光學結構。 28. 如申請專利範圍第27項的薄膜半導體組件（1)，其中，將 此光學結構設置在覆蓋層（1〇)之面對或背對層堆疊（8)的 面上。 ® 29.如申請專利範圍第27項的薄膜半導體組件（1)，其中’光 學結構的形狀爲透鏡形、稜鏡形、或是金字塔形。 3 〇 ·如申請專利範圍第2 7項的薄膜半導體組件（1)，其中，覆 蓋層（10)被部分鏡面化。 31·如申請專利範圍第1項的薄膜半導體組件（1)，其中，層 堆疊（8)在其面對載體層（2)的面上有第一電連接區（4)，以 及在其背對載體層（2)的輸出面上有第二電連接區（6)。 3 2 ·如申請專利範圍第3 1項的薄膜半導體組件（〗），其中，第 1378571 修正本 二電連接區（6)構成一個具有一接合片（6 a)及接觸墊（6b) 的接觸結構。 33.如申請專利範圍第22項或第31項的薄膜半導體組件 (1)，其中，沿著覆蓋層（10)之面對層堆疊（8)的表面至少 有與第二電連接區（6)形成導電連接的印刷線路（9)。 3 4.如申請專利範圍第33項的薄膜半導體組件（1)，其中，印 刷線路（9 )位於覆蓋層（1 〇)上。
35.如申請專利範圍第33項的薄膜半導體組件（1)，其中，印 刷線路（9)係構成一自我支持的結構。 3 6 .如申請專利範圍第3 5項的薄膜半導體組件（1 )，其中，印 刷線路（9)和設置在載體層（2)上的接觸墊（1 2)連接。 3 7 ·如申請專利範圍第1項的薄膜半導體組件（丨），其中，薄 膜半導體組件（1)具有可撓性。 3 8 . —種組件結合（1 3 )’至少具有兩個如申請專利範圍第1 項的薄膜半導體組件（1 )。
3 9 ·如申請專利範圍第3 8項的組件結合（1 3 )，其中，這些薄 膜半導體組件（1)具有一個共同載體層（2)。 4〇 ·如申請專利範圍第3 9項的組件結合（丨3 )，其中，一個使 載體層上的層堆疊在輻射輸出端形成電接點之共同的接 觸墊（12)係設置在層堆疊（8)之間。 4 1 .如申請專利範圍第3 8項的組件結合（i 3 )，其中，將薄膜 半導體組件（1)串聯在一·起。
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