JP2003504676A - デバイスの封入 - Google Patents

デバイスの封入

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JP2003504676A JP2001509093A JP2001509093A JP2003504676A JP 2003504676 A JP2003504676 A JP 2003504676A JP 2001509093 A JP2001509093 A JP 2001509093A JP 2001509093 A JP2001509093 A JP 2001509093A JP 2003504676 A JP2003504676 A JP 2003504676A
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Abstract

(57)【要約】 電気デバイスの封入を開示する。パッケージ内に誘発される機械的応力に基づきデバイスの能動素子にパッケージが接触するのを防止するために不活性領域内にキャップ支柱を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】発明の分野 本発明は、デバイスの製造に関する。より詳細には、本発明は、デバイスの封
入に関する。
【０００２】発明の背景 デバイス製造の際には、単数又は複数のデバイス層が基板上に形成される。該
層は、基板の表面上に順番に堆積されかつパターンを形成するためにパターン化
される。該層は、所望のパターンを形成するために個別に及び／又は層の組合せ
としてパターン化することができる。該パターンは、デバイスを作る所望の機能
を実施する素子として働く。
【０００３】 特別の重要性を有する１つのタイプのデバイスは、発光ダイオード（ＬＥＤ）
である。ＬＥＤは、多種多様な用途を有することができる。例えば、複数のＬＥ
Ｄセル又はピクセルを、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）のような、ディ
スプレイとして使用するためのピクセル化ＬＥＤを作るために基板上に形成する
ことができる。
【０００４】 典型的には、ＬＥＤピクセルは、機能スタックを形成するために２つの電極の
間に挟まれた１つ以上の機能層を有する。電荷キャリアは、両者の電極から注入
される。これらの電荷キャリアは、単数又は複数の機能層内で再結合し、可視放
射を放出させる。最近では、有機ＬＥＤを形成するために有機機能層を利用する
ことが重要な利点を有するようになった。
【０００５】 湿気及び／又は空気のような環境からＬＥＤを保護するために、デバイスはパ
ッケージで封入される。通常、ＬＥＤパッケージは多種多様なキャビティパッケ
ージからなる。キャビティパッケージは、典型的にはふたを基板上にマウントす
ることよりなる。キャビティは、有機ＬＥＤピクセルがパッケージによって損傷
を受けるのを保護する。それというのも、これらは圧力に対して極めて敏感であ
るからである。さらに、キャビティはまたデバイスの制限された漏れ率に対処す
るために乾燥剤の配置を可能にする。
【０００６】 薄い又はフレキシブルな基板上に形成されたフレキシブルデバイスは、フレキ
シブルディスプレイのような新たな出願のために意図されている。しかしながら
、通常のデバイスパッケージングは、フレキシブルであることを受け入れない。
このことは、フレキシブルデバイス、特にディスプレイのような比較的大きな表
面積を有するものの可撓性要求を満足することを困難にする。
【０００７】 前記の言及から明らかにされた通り、デバイス、特に薄い又はフレキシブルな
基板上に形成されたデバイスの有効なパッケージを提供することが望まれる。
【０００８】発明の総括 本発明は、デバイスを封入することに関する。該デバイスは、活性領域及び不
活性領域を含む。能動素子は、不活性領域によって分離されて、活性領域内に設
けられている。１実施例では、キャップがマウントされるキャップ支柱が設けら
れている。キャップ支柱はデバイスの周辺を包囲しかつ非活性領域の少なくとも
１つ内に存在する。非活性領域内のキャップ支柱は、特にフレキシブルなデバイ
スのために有用である。それというのも、これらはデバイスが曲がりにより誘発
される応力に基づく能動素子と接触するのを阻止するためのキャップを提供する
からである。
【０００９】本発明の有利な実施例 本発明は、一般的にデバイスの製造に関する。特に、本発明は、デバイス、特
にフレキシブル又は薄い基板上に形成されたデバイスを封入するためのコスト的
に有効なパッケージに関する。
【００１０】 図１は、本発明の１実施例に基づくデバイス１００を示す。該デバイスは、例
えば電気デバイス、機械デバイス、電気化学デバイス、又はマイクロエレクトロ
機械系（ＭＥＭＳ）であってよい。該デバイスは、基板１０１上に形成された単
数又は複数の能動素子１０１を有する。１実施例においては、能動素子は基板の
活性領域１１５上に形成されている。基板上には、不活性領域１２０が設けられ
ている。図示されているように、非活性領域は、能動素子を分離する。
【００１１】 能動素子を包囲するデバイスの周辺部にキャップ１３０が設けられている。キ
ャップ１８０はキャップ支柱上に係止している。該キャップは、能動素子を環境
から気密シールする。キャップ支柱は、キャップが能動素子と接触するのを防止
するためにキャップを持ち上げる。
【００１２】 キャップ支柱は、不活性領域内にも支柱を提供する。図示されているように、
キャップは不活性領域内に配置された支持ポストを有する。キャップ支柱は不活
性領域内に存在するので、能動素子の機能は影響を受けない。支持ポストを不活
性領域内に配置することは、カバー層の中心位置に対する付加的支持を提供する
。このことはキャップが応力に基づき能動素子上につぶされるのを阻止する。こ
のことはフレキシブルデバイスのために特に有用である。
【００１３】 １実施例においては、デバイス１００は電気デバイスからなる、該電気デバイ
スは、ピクセル化された有機ＬＥＤデバイスからなる。有機ＬＥＤデバイスは、
例えば米国特許第４,７２０,７３２号明細書及びBurrouges et. al, Nature 347
(1990) 539に記載されており、これらは全ての目的のために引用することによ
り本願発明に組み込まれる。別のタイプの、例えば半導体レーザのような、基板
上に形成された電気デイスも有用である。
【００１４】 能動素子１１０は、有機ＬＥＤピクセルを含む。有機ＬＥＤピクセルは、第１
と第２の電極１１２及び１１６の間に少なくとも１つの有機層を有する。ピクセ
ルは、例えばＦＰＤのようなディスプレイを形成するために１つのアレイ内に配
置されている。ＦＰＤは、セルラー・フォーン、セルラー・スマート・フォーン
、パーソナル・オルガナイザー、ページャー、公告パネル、タッチ・スクリーン
・ディスプレイ、テレコンファレンシング装置、マルチメディア装置、虚像リア
リティ製品、及びディスプレイ・キオスクを含む種々の消費者電子製品において
使用される。
【００１５】 ピクセル１１０は、基板１１５の活性領域１１５に配置されておりかつ不活性
領域１２０により分離されている。支持ポスト１３０は、基板の不活性領域内及
びＬＥＤピクセルを取り囲むデバイスの周辺内に配置されている。支持ポストは
、１つ、幾つか、又は全てが不活性領域内に設けられていてもよい。キャップ１
８０は、ピクセルを空気及び／又は湿気から保護するためにデバイスを封入する
ために支持ポストの上にマウントされている。ＬＥＤピクセルに結合されたパッ
ド１９０が設けられていてもよい。該パッドは、デバイスに対する外部からの接
続を可能にする。
【００１６】 キャップ支柱は、キャップがＬＥＤピクセルに接触するのを防止するために役
立つ。ＬＥＤピクセルは、キャップがＬＥＤピクセルと接触せしめられると損傷
されることがある。１実施例においては、キャップ支柱の高さが、ＬＥＤピクセ
ルの表面とキャップの間にギャップもしくはキャビティ１１８を形成する。該ギ
ャップは、キャップがＬＥＤピクセルに接触するのを防止するために十分である
べきである。典型的には、該ギャップは高さが約１〜１０μｍである。もちろん
、ギャップ高さは、誘発される応力の量（デバイスから要求される曲げ量、カバ
ー層の厚さ、及び支持ポスト間の距離）に基づき変動することができる。
【００１７】 図２ａ〜ｆは、本発明の実施例に基づくデバイスの製造方法を示す。該デバイ
スは、例えば有機ＬＥＤを有する。図２ａについて言及すれば、基板１０１を準
備し、この上にデバイスの能動素子を形成する。該基板は、種々のタイプの材料
、例えば能動素子を支持するためのガラス又はポリマーからなっていてもよい。
能動素子を適切に支持する別の材料、例えばセラミック又はシリコンを使用する
こともできる。種々のタイプの半導体ウェーハも有用である。
【００１８】 １実施例においては、フレキシブルデバイスを製造するためにフレキシブル基
板を準備する。フレキシブル基板は、プラスチックフィルムのようなフレキシブ
ル材料からなる。種々の市販のプラスチックフィルムが使用可能である。このよ
うなフィルムは、例えば透明なポリ（エチレンテレフタレート）（ＰＥＴ）、ポ
リ（ブチレンテレフタレート）（ＰＢＴ）、ポリ（エチレンナフタレート）（Ｐ
ＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリスルホン（ＰＳ
Ｏ）及びポリ（ｐ−フェニレンエーテルスルホン）（ＰＥＳ）を包含する。別の
フィルム、例えばポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ（ビニ
ルクロリド）（ＰＶＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）及びポリ（メチルメチレアクリ
レート）（ＰＭＭＡ）を使用することもできる。
【００１９】 １実施例においては、フレキシブル基板は薄いデバイスを結果として生じ、し
かもその際能動素子を支持するために製造工程中に十分な機械的統合をもたらす
程薄いべきである。有利には、フレキシブル基板は、製造工程中に十分な機械的
統合を提供する程可能な限り薄いべきである。１実施例においては、フレキシブ
ル基板は、約２０〜２００μｍの厚さを有する。
【００２０】 選択的実施例においては、フレキシブル基板はガラスからなる。薄い半導体基
板又はその他のフレキシブル基板を使用することもできる。１実施例においては
、基板の厚さは約３０〜３００μｍである。
【００２１】 別の実施例においては、一時的支持層を準備することもできる。一時的支持層
は、例えば製造工程中に必要な支柱を提供するための基板の背面に形成すること
ができる。該パッケージは、一時的層を除去することを可能にする、最終製造段
階で基板を安定化するための付加的な支持を提供するために使用することができ
る。一時的支持層は、一層薄い基板の使用を可能にして、ひいては一層薄いデバ
イスを生じる。
【００２２】 活性及び／又は不活性領域は、基板表面上に境を限定する。活性領域は、その
能動素子が形成される基板上の領域を提供する。活性及び／又は不活性領域を限
定するためには、種々の技術を使用することができる。例えば、活性及び／又は
不活性領域を限定するために、ホトリソグラフィー技術を使用することができる
。
【００２３】 １実施例においては、能動素子は有機ＬＥＤピクセルからなる。該有機ＬＥＤ
ピクセルを、ピクセル化デバイスを形成するために配列する。ピクセル化有機Ｌ
ＥＤデバイスは、例えば基板上に形成された複数の第１の電極ストリップを含む
。該ストリップを第１の方向で配列する。第１の電極ストリップ上に１つ以上の
有機層を形成する。有機層の上に第２の方向で、複数の第２の電極ストリップを
形成する。典型的には、第１と第２の電極ストリップは、互いに対して直交して
いる。第１と第２の電極ストリップの交差がＬＥＤピクセルを形成する。１実施
例においては、不活性領域は、上面から基板を見たとすれば、電極材料を排除す
る領域により表される。選択的に、電極が交差しない領域を不活性領域と考える
ことができる。
【００２４】 図２ｂを参照して、活性及び／又は不活性領域を限定する方法を説明する。１
実施例においては、デバイス層１１２を基板上に形成する。該デバイス層は、例
えば導電性層からなる。別のタイプのデバイス層も、能動素子のタイプに依存し
て使用可能である。デバイス層の厚さは、例えば約０．１〜１μｍである。もち
ろん、厚さは設計要求に基づき変更することができる。
【００２５】 １実施例では、デバイス層は、ＬＥＤピクセルのためのアノードとして働く透
明な導電性層からなる。透明な導電性層は、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ
）からなる。酸化亜鉛及び酸化インジウム亜鉛のような別のタイプの透明な導電
性層を使用することもできる。デバイス層を形成するためには、化学的気相成長
（ＣＶＤ）及び物理的気相成長（ＰＶＤ）及びプラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）の
ような種々の技術を使用することができる。導電性層は、電気的要求を満足した
状態で、光吸収及び引き続いてのフィルム形成時の不利な衝撃を減少させるため
に薄いべきである。１実施例においては、導電性層は約１００ｎｍの厚さを有す
る。
【００２６】 デバイスを形成した後に、該デバイス層を活性／不活性領域を限定するために
パターン化する。デバイス層をパターン化するためには、ホトリソグラフィー及
びエッチングのような通常の技術を使用することができる。スタンプを使用する
パターン化技術も使用可能である。このような技術は、同時出願した国際特許出
願、発明の名称「デバイス層の機械的パターン化（Mechanical Ptterning of a
Device Layer）」（代理人処理番号９９Ｅ ８０６２）に記載されており、これ
は全ての目的のために引用することにより本願発明に組み込まれる。活性領域は
、例えば基板表面上に残るデバイス層の部分からなり、かつ不活性領域は露光さ
れる基板表面の部分からなる。
【００２７】 １実施例においては、導電性層をパターン化し、ＬＥＤピクセルの底部電極と
して働かせるために基板の表面上にの底部電極ストリップを形成する。活性領域
は底部電極ストリップの部分からなり、その上にＬＥＤピクセルが形成される。
例えば、上面から見たとすれば、ＬＥＤの第２の電極ストリップによって占有さ
れない露出した基板表面の部分は不活性領域である。
【００２８】 図２ｃについて言及すれば、基板の表面にスペーサ層２３１を堆積させる。該
スペーサは、キャップ支柱を形成するための材料を提供する。スペーサ層の厚さ
は、ほぼキャップ支柱の高さに等しい。１実施例においては、スペーサ層の厚さ
は、能動素子とキャップの間にキャビティを形成するために引き続いて形成され
る能動素子の高さよりも大きい。該キャビティは、能動素子がキャップによって
損傷を受けるのを保護する。典型的には、キャビティの高さは約１〜１０μｍで
ある。
【００２９】 １実施例においては、スペーサ層は活性領域を電気絶縁するために誘電性材料
からなる。スペーサ層は、直接的に又は間接的にパターン化可能の材料からなっ
ていてもよい。有利には、該スペーサ層は、直接的にパターン化することができ
るホトパターン化可能のもしくは感光性材料からなる。ホトパターン化可能の材
料は、例えば感光性ポリイミド、感光性ポリベンゾオキサゾール、ホトレジスト
：ノボラック系をベースとするホトレジスト、及び乾燥被膜レジスト材料を包含
する。ノボラック系をベースとするホトレジストが特に有効である。それという
のも、これらはその他のタイプの非硬化性レジストよりも優れた改善された機械
的結着性を提供するために硬化及び架橋させることができるからである。間接的
にパターン化可能の材料は、例えばスピン・オンガラス材料、ポリイミド、ポリ
ベンゾオキサゾール、ポリグルタルイミド、ベンゾシクロブテン、ポリマー、例
えばポリエチレン（ＰＥ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、
又は無機材料、例えばＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４，及びＡｌ２Ｏ３を包含する。
【００３０】 選択的に、スペーサは多層構造物からなっていてもよい。多層スペーサ構造物
のためには、下方部分はＬＥＤピクセルのアノード電極を絶縁するために誘電性
特性を有する。絶縁が不必要であれば、下方部分は誘電性特性を有する必要はな
い。上方部分は、金属のような種々の材料からなっていてもよい。多重層スペー
サ構造物を使用するのが有利なこともある。それというのも、上方部分を、キャ
ップ又は封入層でのシールを強化する材料からなるように選択することができる
からである。金属製キャップとの良好な付着を助長するので、例えばＡｌ，Ｗ，
Ｎｉ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ａｇ，Ｐｔのような金属が有用である。ポリマー製、ガラス
製、又は金属製キャップとの良好な付着を助長するために上方部分を製造するた
めに、ＰＥ，ＰＰ，ＰＳのようなポリマーを使用することができる。上方及び下
方部分は、１つ以上の層を有することができる。層の全厚さは、支持ポストの所
望の高さにほぼ等しい。
【００３１】 スペーサ層の表面は、例えば引き続いての加工のために化学機械的ポリッシン
グ（ＣＰＭ）により平坦化することもできる。平坦な表面を準備することは、特
に０．２５μｍ未満のような小さいパターンを有するデバイスのために特に有用
である。
【００３２】 図２ｄについて言及すれば、スペーサ層をパターン化し、不活性領域１２０及
びデバイスの周辺内にキャップ支柱１３０を形成する。支持ポストは不活性領域
内に形成されるので、これらは能動素子の機能性と干渉しない。
【００３３】 活性領域１１５内に能動素子１１０を形成する。１実施例においては、活性領
域内に有機ＬＥＤピクセルを形成する。有機ＬＥＤピクセルの形成は、例えば基
板上に１つ以上の有機層１１４を堆積させることを含む。有機層は、例えば共役
ポリマー又はＡｌｑ３からなる。別のタイプの有機層も使用可能である。有機層
の厚さは、典型的には約２〜２００ｎｍである。
【００３４】 有機層は、支持ポストと同様に底部電極ストリップをカバーする。支持ポスト
をカバーする有機層の部分は、必要に応じて除去することができる。有機層の選
択的除去は、例えばポッリシングを使用して達成することができる。有機層の選
択的除去のための別の技術、例えばエッチング、スクラッチング、又はレーザ剥
離を使用することもできる。
【００３５】 次いで、基板上に上部電極ストリップを堆積させる。上部電極ストリップは、
例えばＣａ，Ｍｇ，Ｂａ，Ａｇ又はそれらの混合物のような導電性材料よりなる
。低い作業機能を有する別の導電性材料も使用可能である。上部電極ストリップ
は、典型的には底部電極ストリップに対して直交する。底部電極ストリップに対
して対角線方向の上部電極ストリップを形成することも有効である。上部電極ス
トリップを形成するために、選択的堆積を使用することができる。選択的に、電
極ストリップは、ストリップを形成するために上部電極層を選択的にパターン化
することにより形成することができる。上部及び底部電極ストリップの交差は、
有機ＬＥＤピクセルを形成する。
【００３６】 図２ｅについて言及すれば、キャップ１８０をデバイスを封入するためにキャ
ップ支柱上にマウントする。キャップ層は、例えば金属又はガラスからなる。環
境から能動素子を保護する別のタイプのキャップ、例えばセラミック又は金属化
フォイルも使用可能である。該キャップは支持ポスト上にマウントする。キャッ
プ層をマウントするためには、種々の技術を使用することができる。１実施例に
おいては、キャップ層をマウントするために接着剤を使用する。自己硬化性接着
剤、ＵＶ又は熱硬化性接着剤、又はホットメルト接着剤のような接着剤が使用可
能である。低温ろう材料、超音波ボンディングを使用する別の技術、又はインダ
クタンス又はレーザ溶接を使用する溶接技術を使用することもできる。
【００３７】 図３ａ〜ｂは、デバイスを製造するための選択的方法を示す。図３ａについて
言及すれば、表面に形成された能動素子１１０を有する基板１０１を準備する。
能動素子は、１実施例では、ピクセル化デバイスを形成するための有機ＬＥＤピ
クセルからなる。活性領域１１５内に有機ＬＥＤピクセルを形成する。図示され
ているように、有機ＬＥＤピクセルは、少なくとも１つの有機層１１４により分
離された第１及び第２の電極１１２及び１１６からなる。
【００３８】 図３ｂについて言及すれば、能動素子及び不活性領域をカバーするために基板
上にスペーサ層を堆積させる。該スペーサ層をパターン化して、不活性領域１２
０内及びデバイスの周辺内にキャップ支柱１３０を形成する。キャップ支柱上に
、図２ｅに示されているように、デバイスを封入するためにキャップ１８０をマ
ウントする。
【００３９】 図４ａ〜ｂは、電気デバイスを形成するためのなお別の方法を示す。図４ａに
ついて言及すれば、上部に形成された能動素子１１０を有する基板１０１を準備
する。１実施例においては、能動素子はピクセル化ＬＥＤデバイスの有機ＬＥＤ
ピクセルからなる。能動素子は、基板の活性領域１１５の上に形成する。能動素
子を不活性領域１２０により分離する。
【００４０】 該デバイスを封入するためにキャップ４９０を準備する。該キャップはキャッ
プ支柱１３０を有するキャップ層１８０からなる。キャップ支柱のパターンは、
不活性領域及び能動素子を包囲するためのデバイスの周辺と一致する。１実施例
によれば、該キャップは、スペーサ層をキャップ層に堆積させかつ選択的にこれ
をパターン化してキャップ支柱を形成することにより形成する。キャップ支柱は
、必要であれば、パッド１９０のようなパターンに適応させるために異なった高
さを有する支持ポストを有するように形成することができる。
【００４１】 図４ｂについて言及すれば、該キャップを基板の上にマウントし、電気デバイ
スを封入する。キャップをマウントするためには、既に述べたような種々の技術
を使用することができる。該キャップは、空気及び／又は湿気のような環境から
能動素子を保護する。
【００４２】 本発明を特に種々の実施例を参照して示しかつ記載してきたが、当業者によれ
ば、本発明の思想及び範囲を逸脱すること無く本発明に修正及び変更を施すこと
ができることは自明のことである。従って、本発明の範囲は、前記発明の詳細な
説明の記載により制限されるものではなく、特許請求の範囲とそれらの等価思想
の全範囲を加えたものより制限されるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の１実施例を示す。
【図２】 ａ〜ｅは、本発明の１実施例に基づく電子デバイスの製造工程を示す。
【図３】 ａ〜ｂは、本発明の別の実施例に基づく電子デバイスの製造工程を示す。
【図４】 ａ〜ｂは、本発明の１実施例に基づく電子デバイスの製造工程を示す。
【符号の説明】
１００ デバイス、 １０１ 基板、 １１０ 能動素子（ピクセル）、 １
１２ 第１の電極（デバイス層）、 １１４ 有機層、 １１５ 活性領域、
１１６ 第の電極、 １１８ ギャップ又はキャビティ、 １２０ 不活性領域
、 １３０ キャップ支柱（支持ポスト）、 １８０，４９０ キャップ（層）
、 １９０ パッド、 ２３１ スペーサ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，Ｅ Ａ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ， ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，Ｇ Ｈ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ， ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，Ｍ Ｗ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ， ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，Ｚ Ｗ

Claims (56)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 活性領域及び不活性領域を有する基板、 活性領域内の能動素子、 デバイス周辺内及び不活性領域内のキャップ支柱、 キャップ支柱上のキャップ、及び 能動素子とキャップの間のキャビティ からなるデバイス。
  2. 【請求項２】 デバイスが、能動素子としてＯＬＥＤピクセル含む有機ＬＥ
    Ｄ（ＯＬＥＤ）を有する請求項１記載のデバイス。
  3. 【請求項３】 デバイスがフレキシブルデバイスからなる請求項２記載のデ
    バイス。
  4. 【請求項４】 キャップが、能動素子を気密シールするためにデバイスを封
    入するフレキシブルキャップからなる請求項３記載のデバイス。
  5. 【請求項５】 キャップが、ガラス、金属、セラミック又は金属化フォイル
    からなる群から選択される材料からなる請求項４記載のデバイス。
  6. 【請求項６】 基板が、能動素子を支持するための機械的統合を提供するフ
    レキシブル基板からなる請求項５記載のデバイス。
  7. 【請求項７】 フレキシブル基板が、プラスチック、ガラス、又は半導体材
    料からなる請求項６記載のデバイス。
  8. 【請求項８】 基板が約２０〜３００μｍの厚さを有する請求項７記載のデ
    バイス。
  9. 【請求項９】 基板が、能動素子を支持するための機械的統合を提供するフ
    レキシブル基板からなる請求項４記載のデバイス。
  10. 【請求項１０】 キャップが能動素子を気密シールするためにデバイスを封
    入する請求項２記載のデバイス。
  11. 【請求項１１】 基板が能動素子を支持するための機械的統合を提供する請
    求項１０記載のデバイス。
  12. 【請求項１２】 キャップが能動素子を気密シールするためにデバイスを封
    入する請求項３記載のデバイス。
  13. 【請求項１３】 基板が能動素子を支持するための機械的統合を提供する基
    板請１２項記載のデバイス。
  14. 【請求項１４】 デバイスがフレキシブルデバイスからなる請求項１記載の
    デバイス。
  15. 【請求項１５】 キャップが、能動素子を気密シールするためにデバイスを
    封入するフレキシブルキャップからなる請求項１４記載のデバイス。
  16. 【請求項１６】 基板が、能動素子を支持するための機械的統合を提供する
    フレキシブル基板からなる請１５項記載のデバイス。
  17. 【請求項１７】 キャップ能動素子を気密支持ためにデバイスを封入する請
    １項記載のデバイス。
  18. 【請求項１８】 基板が能動素子を支持するための機械的統合を提供する請
    求項１７記載のデバイス。
  19. 【請求項１９】 基板が能動素子を支持するための機械的統合を提供する請
    求項１記載のデバイス。
  20. 【請求項２０】 キャップ支柱が、カバーと能動素子との接触を防止するた
    めにカバーと能動素子の間にキャビティを形成するために能動素子の高さより大
    きな厚さを有する請求項１，２，３，６，７，９，１１，１３，１４，１６，１
    ７，又は１９記載のデバイス。
  21. 【請求項２１】 キャップ支柱の厚さが約１〜１０μｍのキャビティを形成
    する請求項２０記載のデバイス。
  22. 【請求項２２】 支持ポストが直接的又は間接的に光パターン化可能の材料
    からなる請求項２１記載のデバイス。
  23. 【請求項２３】 直接的に光パターン化可能の材料が、感応性ポリイミド、
    感光性ポリベンゾオキサゾール、ホトレジスト：ノボラック系をベースとするホ
    トレジスト、又は乾燥被膜材料からなる群から選択され、かつ間接的に光パター
    ン化可能の材料がスピン・オンガラス、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、
    ポリグルタルイミド、ベンゾシクロブテン、ポリマー：ポリエチレン、ポリスチ
    レン、ポリプロピレン、無機材料：ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４又はＡｌ２Ｏ３からな
    る群から選択される請求項２２記載のデバイス。
  24. 【請求項２４】 支持ポストが直接的に又は間接的に光パターン化可能の材
    料からなる請求項２０記載のデバイス。
  25. 【請求項２５】 間接的に光パターン化可能の材料が、感応性ポリイミド、
    感光性ポリベンゾオキサゾール、ホトレジスト：ノボラック系をベースとするホ
    トレジスト、又は乾燥被膜材料からなる群から選択され、かつ間接的に光パター
    ン化可能の材料がスピン・オンガラス、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、
    ポリグルタルイミド、ベンゾシクロブテン、ポリマー：ポリエチレン、ポリスチ
    レン、ポリプロピレン、無機材料： ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４又はＡｌ２Ｏ３から
    なる群から選択される請求項２４記載のデバイス。
  26. 【請求項２６】 キャップ支柱が少なくとも第１及び第２の支持層を有する
    多層構造物である請求項２０記載のデバイス。
  27. 【請求項２７】 第１の支持層が能動素子に電気絶縁を提供するための誘電
    性材料からなる請求項２６記載のデバイス。
  28. 【請求項２８】 第１及び第２の支持層が、直接的又は間接的に光パターン
    化可能の材料からなる請求項２７記載のデバイス。
  29. 【請求項２９】 第１及び第２の支持層が、直接的又は間接的に光パターン
    化可能の材料からなる請求項２６記載のデバイス。
  30. 【請求項３０】 基板を準備し、 基板上に活性領域及び非活性領域を決定し、 キャップ支柱により支持されたキャップを有するデバイスを封入し、その際キャ
    ップ支柱を非活性領域内及びデバイスの周辺内に配置すること特徴とする、デバ
    イスの製造方法。
  31. 【請求項３１】 デバイスが、ＯＬＥＤピクセルを能動素子として含む有機
    ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）からなる請求項３０記載の方法。
  32. 【請求項３２】 ＯＬＥＤデバイスがフレキシブルＯＬＥＤデバイスからな
    る請求項３１記載の方法。
  33. 【請求項３３】 デバイスがフレキシブルデバイスからなる請求項３０記載
    の方法。
  34. 【請求項３４】 キャップがキャップ支柱を含む請求項３０，３１，３２又
    は３３記載の方法。
  35. 【請求項３５】 キャップ支柱が、キャップが能動素子と接触するのを阻止
    するための、能動素子とキャップの間にキャビティを形成する請求項３４記載の
    方法。
  36. 【請求項３６】 デバイスの封入が能動素子を気密にシールすることよりな
    る請求項３４記載の方法。
  37. 【請求項３７】 さらに、キャップ支柱を形成することよりなる請求項３１
    又は３２記載の方法。
  38. 【請求項３８】 キャップ支柱の形成が、 基板の上にスペーサ層を形成し、かつ キャップ支柱を形成するためにパターン化する ことよりなる請求項３７記載の方法。
  39. 【請求項３９】 さらにキャップ支柱を形成する前又は後で活性領域内に能
    動素子を形成することよりなる請求項３８記載の方法。
  40. 【請求項４０】 能動素子の形成が、 基板上に第１の電極層を形成し、 第１の電極層をパターン化して第１の電極を形成し、 電極の上に少なくとも１つの有機層を形成し、 有機層の上に第２の電極層を形成し、かつ 第２の電極層をパターン化して有機層の上に第２の電極を形成する ことよりなる請求項３９記載の方法。
  41. 【請求項４１】 デバイスの封入が、デバイスを気密シールためにキャップ
    支柱上にキャップをマウントすることよりなる請求項４０記載の方法。
  42. 【請求項４２】 さらに、キャップ支柱を形成する前又は後に活性領域内に
    能動素子を形成することよりなる請求項３７記載の方法。
  43. 【請求項４３】 デバイスの封入が、デバイスを気密シールためにキャップ
    支柱上にキャップをマウントすることよりなる請求項４２記載の方法。
  44. 【請求項４４】 さらに、 基板の上に第１の電極層を形成し、 第１の電極層をパターン化してＯＬＥＤピクセルの第１の電極を形成する ことよりなる請求項３１又は３２記載の方法。
  45. 【請求項４５】 さらに、 基板及び第１の電極の上にスペーサ層を形成し、かつ スペーサ層をパターン化してキャップ支柱を形成する ことよりなるキャップ支柱の形成を含む請求項４４記載の方法。
  46. 【請求項４６】 さらに、キャップ支柱の形成前又は後に活性領域内に能動
    素子を形成することよりなる請求項４５記載の方法。
  47. 【請求項４７】 能動素子の形成が、 第１の電極の上に少なくとも１つの有機層を形成し、 有機層の上に第２の電極層を形成し、かつ 第２の電極層をパターン化して有機層の上に第２の電極を形成する ことよりなる請求項４６記載の方法。
  48. 【請求項４８】 デバイスの封入が、デバイスを気密シールするためにキャ
    ップ支柱をマウントすることよりなる請求項４７記載の方法。
  49. 【請求項４９】 デバイスの封入が、該デバイスを気密シールするためにキ
    ャップ支柱上にキャップをマウントすることよりなる請求項４５記載の方法。
  50. 【請求項５０】 デバイスの封入が、デバイスを気密シールするためにキャ
    ップ支柱上にキャップマウントすることよりなる請求項４６記載の方法。
  51. 【請求項５１】 さらに、キャップ支柱を形成することよりなる請求項３０
    又は３３記載の方法。
  52. 【請求項５２】 キャップ支柱の形成が、 基板の上にスペーサ層を形成し、かつ スペーサ層をパターン化してキャップ支柱を形成する ことよりなる請求項５１記載の方法。
  53. 【請求項５３】 さらに、キャップ支柱の形成前又は後に活性領域内に能動
    素子を形成することよりなる請求項５２記載の方法。
  54. 【請求項５４】 デバイスの封入が、デバイスを気密シールするためにキャ
    ップ支柱上にキャップをマウントすることよりなる請求項５３記載の方法。
  55. 【請求項５５】 さらに、キャップ支柱の形成前又は後に活性領域内に能動
    素子を形成することよりなる請求項５１記載の方法。
  56. 【請求項５６】 デバイスの封入が、デバイスを気密シールするためにキャ
    ップ支柱上にキャップをマウントすることよりなる請求項５５記載の方法。
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TW (1) TW492165B (ja)
WO (1) WO2001004963A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001068269A (ja) * 1999-07-29 2001-03-16 Agilent Technol Inc Ｅｌディスプレイ用の基板装置、その製造方法、及び使用される製造装置

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001005205A1 (en) 1999-07-09 2001-01-18 Institute Of Materials Research & Engineering Laminates for encapsulating devices
CN1264057C (zh) 1999-12-17 2006-07-12 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 有机发光二极管器件封装装置及方法
US6888308B1 (en) 1999-12-17 2005-05-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organic LED device
EP1240808B1 (en) * 1999-12-17 2003-05-21 Osram Opto Semiconductors GmbH Encapsulation for organic led device
US7394153B2 (en) 1999-12-17 2008-07-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation of electronic devices
US6798954B2 (en) 2001-07-24 2004-09-28 3M Innovative Properties Company Packaged optical micro-mechanical device
US6834154B2 (en) 2001-07-24 2004-12-21 3M Innovative Properties Co. Tooling fixture for packaged optical micro-mechanical devices
US6771859B2 (en) 2001-07-24 2004-08-03 3M Innovative Properties Company Self-aligning optical micro-mechanical device package
GB2378564A (en) * 2001-08-07 2003-02-12 Cambridge Display Tech Ltd Flexible light emitting device with incompressible spacers
US6590157B2 (en) * 2001-09-21 2003-07-08 Eastman Kodak Company Sealing structure for highly moisture-sensitive electronic device element and method for fabrication
US7026758B2 (en) * 2001-09-28 2006-04-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Reinforcement of glass substrates in flexible devices
US7362046B2 (en) 2001-11-10 2008-04-22 Image Portal Limited Partial overlapping display tiles of organic light emitting device
KR100875097B1 (ko) 2002-09-18 2008-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 광학 공진 효과를 이용한 유기 전계발광 소자
KR100563057B1 (ko) * 2003-11-14 2006-03-24 삼성에스디아이 주식회사 초박형 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
JP2006516381A (ja) * 2004-01-29 2006-06-29 アルトラン・カンパニー・リミテッド 充電機能付き携帯用携帯電話ホルダー
KR100608887B1 (ko) * 2004-05-03 2006-08-03 엘지전자 주식회사 일렉트로 루미네센스 패널 및 그 제조방법
DE102005036520A1 (de) * 2005-04-26 2006-11-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisches Bauteil, optoelektronisches Bauelement mit dem Bauteil und dessen Herstellung
KR100776240B1 (ko) * 2006-02-21 2007-11-16 엘지전자 주식회사 임프린트를 이용한 에칭방법과 그에 사용되는 스탬프
US7709940B2 (en) * 2006-04-24 2010-05-04 Spatial Photonics, Inc. Micro device encapsulation
TWI350409B (en) * 2006-07-06 2011-10-11 Nat Univ Chung Hsing Flexible and could be rolling-up area lights module and the method of producing thereof
DE102007004303A1 (de) 2006-08-04 2008-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-Halbleiterbauelement und Bauelement-Verbund
DE102007004304A1 (de) 2007-01-29 2008-07-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip und Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Leuchtdioden-Chips
CN100466167C (zh) * 2007-02-05 2009-03-04 友达光电股份有限公司 可挠性主动元件阵列基板的制造方法
KR100873080B1 (ko) * 2007-05-10 2008-12-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광표시장치
DE102008024517A1 (de) 2007-12-27 2009-07-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Körper und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Körpers
DE102008049060B4 (de) * 2008-09-26 2018-11-22 Osram Oled Gmbh Organisches, optoelektronisches Bauteil und Herstellungsverfahren hierfür
DE102010018260A1 (de) * 2010-01-29 2011-08-04 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Beleuchtungsvorrichtung
CN103337596B (zh) * 2013-05-24 2017-06-06 四川虹视显示技术有限公司 一种有机发光二极管的封装结构及其制备方法
CN103325949A (zh) * 2013-05-24 2013-09-25 四川虹视显示技术有限公司 一种有机发光二极管封装结构及其制备方法
US9064873B2 (en) * 2013-07-30 2015-06-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Singulated semiconductor structure
TWI654084B (zh) * 2013-12-25 2019-03-21 日商日本瑞翁股份有限公司 Multilayer film and composite film manufacturing method

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2028719A (en) 1978-08-28 1980-03-12 Eastman Kodak Co Identity document
US4287285A (en) 1978-10-18 1981-09-01 Eastman Kodak Company Method and apparatus for fabricating personal identification documents
US4501637A (en) * 1981-06-12 1985-02-26 Motorola, Inc. LED having self-aligned lens
JPS5839075A (ja) 1981-08-31 1983-03-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子回路装置
DE3248385A1 (de) 1982-12-28 1984-06-28 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Ausweiskarte mit integriertem schaltkreis
FR2585510A1 (fr) * 1985-07-23 1987-01-30 Cit Alcatel Dispositif de couplage de plusieurs voies electriques d'entree de signaux a une meme voie electrique de sortie avec isolement des masses
JPS63105493A (ja) 1986-10-22 1988-05-10 アルプス電気株式会社 薄膜ｅｌパネル
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US5022554A (en) 1990-02-05 1991-06-11 Chesapeake Consumer Products Company Paper tableware with metallized layer
US5408109A (en) 1991-02-27 1995-04-18 The Regents Of The University Of California Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers
JP2974835B2 (ja) * 1991-09-12 1999-11-10 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5804917A (en) 1995-01-31 1998-09-08 Futaba Denshi Kogyo K.K. Organic electroluminescent display device and method for manufacturing same
JP3401356B2 (ja) * 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
JPH10512690A (ja) 1995-11-02 1998-12-02 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ エレクトロルミネッセンス表示装置
WO1997031508A1 (fr) 1996-02-26 1997-08-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Element electroluminescent organique et procede de fabrication
US6600175B1 (en) * 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
US5693956A (en) 1996-07-29 1997-12-02 Motorola Inverted oleds on hard plastic substrate
US5844363A (en) 1997-01-23 1998-12-01 The Trustees Of Princeton Univ. Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices
JP3290375B2 (ja) 1997-05-12 2002-06-10 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
US5920080A (en) * 1997-06-23 1999-07-06 Fed Corporation Emissive display using organic light emitting diodes
US6069443A (en) * 1997-06-23 2000-05-30 Fed Corporation Passive matrix OLED display
US6278237B1 (en) * 1997-09-22 2001-08-21 Emagin Corporation Laterally structured high resolution multicolor organic electroluminescence display device
ATE219725T1 (de) 1997-10-24 2002-07-15 Agfa Gevaert Verbundscheibe mit einem dünnen borosilikatglassubstrat als eine bildende schicht
GB2335884A (en) 1998-04-02 1999-10-06 Cambridge Display Tech Ltd Flexible substrates for electronic or optoelectronic devices
US6268695B1 (en) 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
ATE413362T1 (de) 1999-07-09 2008-11-15 Inst Materials Research & Eng Mechanische strukturierung einer bauelementschicht
WO2001005205A1 (en) 1999-07-09 2001-01-18 Institute Of Materials Research & Engineering Laminates for encapsulating devices
TW449938B (en) 2000-06-16 2001-08-11 Visual Photonics Epitaxy Co Lt Light emitting diode with a substrate electroplated with metal reflector and the manufacturing method hereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001068269A (ja) * 1999-07-29 2001-03-16 Agilent Technol Inc Ｅｌディスプレイ用の基板装置、その製造方法、及び使用される製造装置
JP4603133B2 (ja) * 1999-07-29 2010-12-22 ノキア コーポレイション Ｅｌディスプレイ用の基板装置、その製造方法、及び使用される製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
CA2342946A1 (en) 2001-01-18
US20050136571A1 (en) 2005-06-23
EP1119878A1 (en) 2001-08-01
TW492165B (en) 2002-06-21
DE69937407D1 (de) 2007-12-06
US6888237B1 (en) 2005-05-03
AU4951299A (en) 2001-01-30
KR20010106471A (ko) 2001-11-29
CN1317154A (zh) 2001-10-10
US7214570B2 (en) 2007-05-08
EP1119878B1 (en) 2007-10-24
WO2001004963A1 (en) 2001-01-18
CN1218407C (zh) 2005-09-07
DE69937407T2 (de) 2008-07-24
ATE376707T1 (de) 2007-11-15

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