TWI654084B - Multilayer film and composite film manufacturing method - Google Patents

Multilayer film and composite film manufacturing method

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TWI654084B
TWI654084B TW103145413A TW103145413A TWI654084B TW I654084 B TWI654084 B TW I654084B TW 103145413 A TW103145413 A TW 103145413A TW 103145413 A TW103145413 A TW 103145413A TW I654084 B TWI654084 B TW I654084B
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原井謙一
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日商日本瑞翁股份有限公司
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Abstract

提供一種複層膜，係具備由脂環式烯烴樹脂所構成之基材薄膜、及直接被設置在前述基材薄膜的一面之由脂環式烯烴樹脂所構成的保護膜；前述基材薄膜之與前述保護膜接觸側的面，或前述保護膜之與前述基材薄膜接觸側的面，係經施行活性化處理之面。

Description

複層膜及複合膜的製造方法
本發明係有關於一種複層膜及使用該複層膜而製造複合膜之方法。
在具有有機電激發光單元(以下，有稱為「有機EL單元」之情形)之顯示裝置、液晶顯示裝置及電子紙等的各種顯示裝置；照明用光源裝置等的光源裝置；以及太陽電池等裝置，為了保護構成裝置的單元等之目的，已知有使用具有妨礙水分及氧透過的阻障功能的薄膜之情形。
作為此種薄膜，係以透濕度(透過水分之比例)較小的薄膜為佳。作為此種薄膜，已知一種將基材薄膜、及在該基材薄膜上所形成之由各種無機材料所構成的無機層組合而成之複合膜(例如專利文獻1)。
先前技術文獻 專利文獻
[專利文獻1]日本特開2009-190186號公報
近年來，為了裝置的小型化，前述複合膜係被要求將厚度薄化。因此，本發明者係藉由在厚度較薄的基材薄膜 形成無機層，來製造厚度較薄的複合膜。但是，清楚明白將基材薄膜的厚度薄化時，係有難以穩定地形成無機層之情形。
無機層係多半的情況是使用濺鍍法、CVD(化學蒸鍍)法等方法形成。此種無機層的形成方法，通常係被期望在高輸出功率的條件下進行，用以提升無機層的膜質。但是，以高輸出功率形成無機層，因為有助於成膜之對原子和分子朝向基材的入射能量係較大，所以基材受到的損傷，尤其是因熱所致之損傷係較大。基材薄膜的厚度較薄時，基材薄膜經不起此種熱所致之損傷，而有產生皺紋等的變形，或是基材薄膜從搬運基材薄膜之搬運輥產生浮起致使基材薄膜無法的穩定地搬運之情形。在此，所謂基材薄膜從搬運輥浮起，係指由於在基材薄膜的一部分區域與搬運輥之間產生間隙，致使基材薄膜係部分地從搬運輥分離之現象。因此，基材薄膜的厚度較薄時，係難以在基材薄膜穩定地形成無機層。
為了避免前述的不良，係能夠考慮降低形成無機層時之裝置的輸出功率。但是，以低輸出功率形成的無機層，有密度變低且膜質低落之傾向。如此膜質較低的無機層，阻障性及導電性等的性能較低。又，以低輸出功率形成無機層，係有引起製造速度低落之情形。
本發明係鑒於前述情形而發明者，其目的係提供一種複層膜，其能夠穩定地製造複合膜，該複合膜係具備基材薄膜及無機層，能夠使基材薄膜的厚度薄化且具備以高輸出功率所形成之無機層；以及一種能夠製造複合膜之製造方法，該複合膜係具備基材薄膜及無機層、能夠使基材薄膜的厚度薄化 且具備以高輸出功率形成之無機層。
本發明者係為了解決前述課題而專心研討之結果，發現一種具備由脂環式烯烴樹脂所構成的基材薄膜及由脂環式烯烴樹脂所構成的保護膜之複層膜，係基材薄膜與保護膜在經施行活性化處理之面直接貼合而成，其能夠使基材薄膜的厚度薄化且能夠以高輸出功率在基材薄膜上容易地形成無機層，而完成了本發明。
亦即，本發明係如以下。
[1]一種複層膜，係具備由脂環式烯烴樹脂所構成之基材薄膜、及直接被設置在前述基材薄膜的一面之由脂環式烯烴樹脂所構成的保護膜，前述基材薄膜之與前述保護膜接觸側的面，或前述保護膜之與前述基材薄膜接觸側的面，係經施行活性化處理之面。
[2]如[1]所述之複層膜，其中前述活性化處理係選自由電漿處理、電暈處理、UV臭氧處理及燃燒化學氣相蒸鍍處理所組成群組之至少一種。
[3]如[1]或[2]所述之複層膜，其中在前述基材薄膜之與前述保護膜為相反側的面具備無機層。
[4]如[3]所述之複層膜，其中前述無機層係選自由金屬氧化物、金屬氮化物及金屬氮氧化物所組成群組之至少一種。
[5]如[3]或[4]所述之複層膜，其中前述無機層係包含阻障層。
[6]如[3]至[5]項中任一項所述之複層膜，其中前述無機層係包含導電膜。
[7]如[1]至[6]項中任一項所述之複層膜，其中前述經施行活性化處理之面之對純水的接觸角為小於80°。
[8]一種複合膜的製造方法，係具備基材薄膜及無機層之複合膜的製造方法，包含以下的步驟：該複層膜係具備由脂環式烯烴樹脂所構成之基材薄膜、及直接被設置在前述基材薄膜的一面之由脂環式烯烴樹脂所構成的保護膜，在複層膜的前述基材薄膜之與前述保護膜為相反側的面形成無機層之步驟；及將前述保護膜從前述基材薄膜剝下之步驟；前述基材薄膜之與前述保護膜接觸側的面、或前述保護膜之與前述基材薄膜接觸側的面，係經施行活性化處理之面。
使用本發明的複層膜，能夠穩定地製造複合膜，該複合膜係具備基材薄膜及無機層，能夠使基材薄膜的厚度薄化且具備以高輸出功率所形成之無機層。
使用本發明之複合膜的製造方法，能夠製造複合膜，該複合膜係具備基材薄膜及無機層，能夠使基材薄膜的厚度薄化且具備以高輸出功率所形成之無機層。
100‧‧‧支撐物膜(形成無機層之前的複層膜)
110‧‧‧基材薄膜
110D‧‧‧基材薄膜的面
110U‧‧‧基材薄膜的面
120‧‧‧保護膜
120D‧‧‧保護膜的面
120U‧‧‧保護膜的面
130‧‧‧無機層
130U‧‧‧無機層的面
140‧‧‧中間品薄膜(具備無機層之複層膜)
150‧‧‧複合膜
200‧‧‧成膜裝置
201‧‧‧複層物的捲物
202‧‧‧複層膜的捲物
211‧‧‧導輥
212‧‧‧罐輥
213‧‧‧導輥
221‧‧‧反應管
222‧‧‧電極
223‧‧‧電源
224‧‧‧氣體導入口
230‧‧‧真空排氣裝置
290‧‧‧真空槽
第1圖係示意性地顯示在本發明的一個例子的製造方法所使用之形成無機層之前的複層膜的層構成的一個例子之剖 面圖。
第2圖係示意性地顯示在本發明的一個例子的製造方法所使用之中間品薄膜的層構成的一個例子之剖面圖。
第3圖係顯示使用CVD法形成無機層之裝置的一個例子之剖面圖。
第4圖係示意性地顯示在本發明的一個例子的製造方法所得到之複合膜的層構成的一個例子之剖面圖。
以下，揭示實施形態及例示物而詳細地說明本發明。但是，本發明係不被以下所揭示的實施形態及例示物等限定，在不脫離本發明的申請專利範圍及其均等的範圍，能夠任意地變更而實施。
在以下的說明，所謂「(甲基)丙烯醯基」，係包含丙烯醯基及甲基丙烯醯基之雙方。又，「(甲基)丙烯酸酯」係包含丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之雙方。
[1.概要]
本發明的複層膜係具備基材薄膜及保護膜之薄膜。該本發明的複層膜，係通常使用於製造具備基材薄膜及無機層之複合膜。
[2.複層膜]
本發明的複層膜，係具備基材薄膜、及直接被設置在前述基材薄膜的一面之保護膜。在此，所謂保護膜被設置在基材薄膜的一面之態樣係「直接」，係表示沒有如接著劑層、黏著劑層之其他層介於保護膜與基材薄膜之間。
又，基材薄膜與保護膜係藉由活性化處理而貼合。亦即，基材薄膜之與保護膜接觸側的面、或保護膜之與基材薄膜接觸側的面，係經施行活性化處理，且基材薄膜與保護膜藉由該等經施行活性化處理之面而被貼合。此時，可以是基材薄膜之與保護膜接觸側的面成為經施行活性化處理之面，亦可以是保護膜之與基材薄膜接觸側的面成為經施行活性化處理之面，亦可以是基材薄膜之與保護膜接觸側的面及保護膜之與基材薄膜接觸側的面之雙方均成為經施行活性化處理之面。
[2.1.基材薄膜]
基材薄膜係由脂環式烯烴樹脂所構成。脂環式烯烴樹脂係含有脂環式烯烴聚合物及按照必要之其他的任意成分之樹脂。
脂環式烯烴聚合物，係在主鏈及/或側鏈具有脂環構造之非晶性的熱可塑性聚合物。脂環式烯烴聚合物，係通常具有藉由脂環式烯烴聚合而得到之構造。藉由使用由脂環式烯烴樹脂所構成者作為基材薄膜，能夠得到高阻障性能的複合膜。更詳言之，因為脂環式烯烴樹脂係吸濕性較低，所以能夠發揮作為基材薄膜的機械強度及高水蒸氣阻障性能，且能夠提高複合膜的阻障性能。
脂環式烯烴聚合物中的脂環構造，係可為飽和脂環烴(環烷)構造，亦可為不飽和脂環烴(環烯)構造。從機械強度、耐熱性等的觀點而言，係以環烷構造為佳。構成1個脂環構造之碳原子數，係通常為4個以上，較佳為5個以上，通常為30個以下，以20個以下為佳，較佳為15個以下。構成1個脂環構造之碳原子數為前述的範圍時，機械強度、耐熱性、 及薄膜的成形性之特性係能夠高度地平衡，乃是較佳。
在脂環式烯烴聚合物全體之具有脂環構造的構造單元之比例，係較佳為55重量%以上，更佳為70重量%以上，特佳為90重量%以上。從透明性及耐熱性的觀點而言，脂環式烯烴聚合物中之具有脂環式構造的構造單元之比例在該範圍時為較佳。
作為脂環式烯烴聚合物，例如可舉出降莰烯聚合物、單環的環狀烯烴聚合物、環狀共軛二烯聚合物、乙烯系脂環式烴聚合物、及該等的氫化物等。在該等之中，因為透明性及成形性良好之緣故，降莰烯聚合物係能夠適合使用。
作為降莰烯聚合物的例子，能夠舉出具有降莰烯構造的單體之開環聚合物、或具有降莰烯構造的單體與任意單體之開環共聚物、或該等的氫化物；具有降莰烯構造的單體之加成聚合物、或具有降莰烯構造的單體與任意單體之加成共聚物、或該等的氫化物等。該等之中，從成形性、耐熱性、低吸濕性、尺寸安定性、輕量性等的觀點而言，以具有降莰烯構造的單體之開環(共)聚合物的氫化物為特別適合。在此所謂「(共)聚合物」，係指聚合物及共聚物。
作為具有降莰烯構造的單體，例如，能夠舉出雙環[2.2.1]庚-2-烯(慣用名：降莰烯)、三環[4.3.0.12,5]癸-3,7-二烯(慣用名：二環戊二烯)、7,8-苯并三環[4.3.0.12,5]癸-3-烯(慣用名：亞甲基四氫茀)、四環[4.4.0.12,5.17,10]十二基-3-烯(慣用名：四環十二烯)、及該等的化合物的衍生物(例如在環具有取代基者)等。在此，作為取代基，例如能夠舉出烷基、伸烷基、 極性基等。又，該等取代基係可以相同或相不同，亦可以是在環鍵結有複數個。又，具有降莰烯構造的單體，係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
作為極性基的種類，例如可舉出雜原子、或具有雜原子之原子團等。作為雜原子，例如可舉出氧原子、氮原子、硫原子、矽原子、鹵素原子等。作為極性基的具體例，可舉出羧基、羰氧基羰基、環氧基、羥基、氧基、酯基、矽烷醇基、矽烷基、胺基、腈基、磺酸基等。
作為能夠與具有降莰烯構造的單體開環共聚合之任意單體，例如可舉出環己烯、環庚烯、環辛烯等的單環狀烯烴類及其衍生物；環己二烯、環庚二烯等的環狀共軛二烯及其衍生物等。能夠與具有降莰烯構造的單體開環共聚合之任意單體，係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
具有降莰烯構造的單體之開環聚合物、及能夠與具有降莰烯構造的單體開環共聚合的任意單體之開環共聚物，係例如能夠藉由在習知的開環聚合觸媒之存在下將單體進行聚合或共聚合來製造。
作為能夠與具有降莰烯構造的單體加成共聚合之任意單體，例如可舉出乙烯、丙烯、1-丁烯等的碳原子數2~20的α-烯烴及該等的衍生物；環丁烯、環戊烯、環己烯等的環烯烴及該等的衍生物；1,4-己二烯、4-甲基-1,4-己二烯、5-甲基-1,4-己二烯等的非共軛二烯等。該等之中，係以α-烯烴為佳，以乙烯為較佳。又，能夠與具有降莰烯構造的單體加成共 聚合之任意單體，係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
具有降莰烯構造的單體之加成聚合物、及能夠與具有降莰烯構造的單體加成共聚合的任意單體之加成共聚物，係例如能夠藉由在習知的加成聚合觸媒之存在下將單體進行聚合或共聚合來製造。
具有降莰烯構造的單體之開環聚合物、具有降莰烯構造的單體與能夠與其開環共聚合的任意單體之開環共聚物、具有降莰烯構造的單體之加成聚合物、及具有降莰烯構造的單體與能夠與其加成共聚合的任意單體之加成共聚物等聚合物的氫化物，係能夠使用任意的製造方法來製造。例如前述聚合物的氫化物，係能夠藉由在該等聚合物的溶液，在含有鎳、鈀等過渡金屬之習知的氫化觸媒之存在下，將碳-碳不飽和鍵氫化較佳為90%以上而製造。
在脂環式烯烴樹脂所含有的脂環式烯烴聚合物之分子量，係能夠按照使用目的而適當地選定。脂環式烯烴聚合物的重量平均分子量(Mw)，係通常為10,000以上，以15,000以上為佳，較佳為20,000以上，通常為100,000以下，以80,000以下為佳，較佳為50,000以下。藉由重量平均分子量在此種範圍，因為所得到的基材薄膜之機械強度及成型加工性等係能夠高度地平衡之緣故，乃是較佳。前述脂環式烯烴聚合物的重量平均分子量，係能夠藉由使用環己烷作為溶劑之凝膠滲透層析法且設作聚異戊二烯換算之值而測定。但是，聚合物係不溶解於環己烷時，亦可使用甲苯作為溶劑。而且，溶劑為甲苯時， 重量平均分子量係能夠設作聚苯乙烯換算之值而測定。
在脂環式烯烴樹脂之脂環式烯烴聚合物的比例，係以67重量%~100重量%為佳，較佳為77重量%~100重量%。
就脂環式烯烴聚合物而言，脂環式烯烴樹脂可單獨含有該等的聚合物之中的1種類，亦可以任意比率組合而含有2種類以上。又，基材薄膜係可以由複數層脂環式烯烴樹脂的層所構成。基材薄膜係含有複數層脂環式烯烴樹脂的層時，構成各層之脂環式烯烴樹脂，係可以與其他層相同，亦可以不同。
作為脂環式烯烴樹脂能夠含有之任意成分，例如能夠舉出抗氧化劑、熱安定劑、光安定劑、紫外線吸收劑、抗靜電劑、分散劑、氯捕捉劑、阻燃劑、結晶化核劑、強化劑、抗黏結劑、防霧劑、脫模劑、顏料、有機或無機的填充劑、中和劑、潤滑劑、分解劑、金屬惰性化劑、防污染劑、抗菌劑、任意聚合物、熱可塑性彈性體等的添加劑。
該等添加劑的量，係能夠設為不損害本發明的效果之範圍。例如前述添加劑的量，係相對於在脂環式烯烴樹脂所含有的脂環式烯烴聚合物100重量份，通常為0~50重量份，較佳為0~30重量份。
脂環式烯烴樹脂係未必限定於具有高透明性者。但是，從將複合膜使用作為在顯示裝置及光源裝置被要求透射光線的部分之有用物的觀點而言，脂環式烯烴樹脂係以具有高透明性者為佳。例如，將脂環式烯烴樹脂設作厚度1mm的試片而測得的總光線透射率，係通常為70%以上，以80%以上為 佳，較佳是以具有90%以上的透明性者為佳。
脂環式烯烴樹脂係以100℃以上為佳，較佳是具有120℃以上的熱變形溫度，藉此，在形成無機層時，能夠抑制保護膜從基材薄膜剝離。又，脂環式烯烴樹脂的熱變形溫度之上限係沒有特別規定，例如能夠設為300℃以下。
將脂環式烯烴樹脂成形而得到基材薄膜之方法，係沒有特別限定。例如能夠使用熔融成形法、溶液流延法等將樹脂成形為薄膜狀來製造基材薄膜。或者亦能夠使用市售的脂環式烯烴樹脂的薄膜。
又，基材薄膜係可以是經施行延伸處理之延伸薄膜，亦可以是未施行延伸處理之未延伸薄膜。
基材薄膜的厚度，係能夠按照複合膜的用途而設定，從實現複合膜的薄膜化之觀點，係以較薄為佳。基材薄膜的厚度之具體範圍，係以150μm以下為佳，較佳為125μm以下，特佳為100μm以下。又，下限係沒有特別限制，從操作性的觀點而言，通常為10μm以上，以15μm以上為佳，較佳為20μm以上。
基材薄膜之與保護膜接觸側的面，係能夠是經施行活性化處理之面。亦即，基材薄膜之與保護膜接觸側的面，係可以在與保護膜的面貼合之前，被施行活性化處理。
通常，因為脂環式烯烴樹脂的薄膜係接著性低，所以只有壓黏係難以將脂環式烯烴樹脂的薄膜之間穩定地貼合。相對於此，因為藉由基材薄膜係如前述地具有經施行活性化處理之面，能夠穩定地將基材薄膜與保護膜貼合，所以能夠抑制在形 成無機層時，基材薄膜從保護膜剝離。又，因為不透過接著劑層及黏著劑層等的層而將基材薄膜與保護膜貼合，所以在形成無機層後，能夠容易地將保護膜從基材薄膜剝下。
基材薄膜之經施行活性化處理之面係被活性化，對水之濕潤性係通常比處理前増加。活性化處理的程度，係能夠藉由該濕潤性的程度來評價。因而，例如能夠藉由對水的接觸角，來表示活性化處理的程度。具體而言，基材薄膜之經施行活性化處理之面之對純水的接觸角，係以小於80°為佳，較佳為50°以下，特佳為40°以下，又，較佳為10°以上。藉由將經施行活性化處理之面之對純水的接觸角係比前述範圍的上限值小，能夠有效地提高基材薄膜與保護膜之密著性。前述的接觸角之值，係例如能夠使用協和界面科學公司製「DropMaster」來測定。
當保護膜之與基材薄膜接觸側的面係經施行活性化處理之面時，在基材薄膜之與保護膜接觸側的面，係未必經施行活性化處理亦可。但是，即便保護膜之與基材薄膜接觸側的面係經施行活性化處理之面時，基材薄膜之與保護膜接觸側的面係以經施行活性化處理之面為佳。
作為活性化處理的例子，可舉出常壓電漿處理及真空電漿處理等的電漿處理、電暈處理、UV臭氧處理、燃燒化學氣相蒸鍍處理等；在此，燃燒化學氣相蒸鍍處理係表示將有機矽化合物導入之火焰處理。特別是就處理時間短且生產性優異而言，以電漿處理、電暈處理為佳。
電漿處理，係藉由在大氣壓下或減壓下所產生的 惰性氣體及氧氣體等之氣體環境下，進行電漿放電來使面活性化，前述減壓程度係例如能夠能夠設為0.1Torr~1Torr。為了在使用輥筒之搬運下效率良好地進行處理，以在大氣壓下處理之常壓電漿處理為佳。
因為電漿處理係能夠按照上述氣體的種類而將施行處理後之面種種地改質，所以在施行活性化處理時，以適當地選擇氣體的種類為佳。作為氣體的種類，例如，可舉出氮；氧：氬、氦等的稀有氣體；丙烯酸；羥烷基；全氟甲烷(CF4)、三氟甲烷(CHF3)、全氟乙烷(C2F6)等的氟系化合物等。該等氣體，係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。作為較佳的氣體，例如，可舉出在氬等的惰性氣體混合10%左右的氧而成之混合氣體。
在電漿處理之電漿輸出功率，係以設定在0.2kW~3kW的範圍為佳。又，被施行電漿處理之薄膜的搬運速度，係以3m/分鐘~70m/分鐘為佳，以3m/分鐘~50m/分鐘為較佳，頻率範圍係以10kHz~100kHz為佳。處理時間係例如可以設為3分鐘左右。
所謂電暈處理。係一種對介電體與被絕緣的電極之間施加高頻且高電壓而使其產生電暈，藉由使薄膜通過介電體與電極之間而處理薄膜面之方法。通常，按照電極的種類、電極間隔、電壓、濕度、被處理之薄膜的種類，而對被施行電暈處理後之面賦予接著性。作為電極的材質，例如，以陶瓷、鋁等為佳，電極與介電體之距離係以1mm~5mm為佳，以1mm~3mm為較佳。被施行電暈處理之薄膜的搬運速度，係以 3m/分鐘~70m/分鐘為佳，以3m/分鐘~50m/分鐘為較佳。電暈輸出功率強度，係以0.2kW以上為佳，較佳為0.5kW以上，以3kW以下為佳，較佳為1.5kW以下。藉由使電暈輸出功率強度成為前述範圍的下限值以上，能夠使電暈放電穩定，而對經施行電暈處理後的面賦予穩定的接著力，又，藉由成為上限值以下，能夠抑制被施行電暈處理之薄膜的受傷。處理時間係例如可以設為2分鐘左右。
[2.2.保護膜]
保護膜係由脂環式烯烴樹脂所構成。作為形成保護膜之脂環式烯烴樹脂，係能夠任意地使用可用以作為基材薄膜的材料之脂環式烯烴樹脂且已說明的範圍者。作為保護膜的脂環式烯烴樹脂，亦可以使用與基材薄膜的脂環式烯烴樹脂不同者。但是，保護膜的脂環式烯烴樹脂，係以使用與基材薄膜的脂環式烯烴樹脂同樣者為佳。藉此，因為基材薄膜及保護膜的線膨脹係數相同，所以本發明的複層膜係不容易產生翹曲及皺紋等的變形。因此，因為在形成無機層時能夠使複層膜的舉動安定，所以能夠穩定地製造膜質良好的無機層。
將脂環式烯烴樹脂成形而得到保護膜之方法，係沒有特別限定。例如，能夠使用與將脂環式烯烴樹脂成形而得到基材薄膜之方法同樣的方法。
又，保護膜係可以是經施行延伸處理之延伸薄膜，亦可以是未施行延伸處理之未延伸薄膜。
保護膜的厚度，係以比基材薄膜的厚度更厚為佳，通常為75μm以上，以100μm以上為佳，較佳為120μm 以上，通常300μm以下，以250μm以下為佳，較佳為200μm以下。藉由使保護膜的厚度成為前述範圍的下限值以上，因為能夠提高本發明的複層膜的機械強度，所以形成無機層時能夠防止複層膜的變形，且能夠穩定地形成無機層。而且，能夠抑制形成無機層時保護膜從基材薄膜剝離。又，藉由上限值以下，形成無機層時能夠容易地搬運薄膜。具體而言，係例如，能夠有效地抑制薄膜從支撐薄膜搬運之輥筒產生浮起。在此，保護膜係具有含有複數層的樹脂層之複層構造時，該複數層的合計厚度係以落入前述範圍為佳。
又，基材薄膜的厚度T1與保護膜的厚度T2之比T2/T1，通常為1以上，以1.1以上為佳，較佳為1.25以上，通常6以下，以5以下為佳，較佳為4以下。藉由使厚度比T2/T1成為前述範圍的下限值以上，能夠提高複層膜的機械強度。又，藉由成為上限值以下，能夠維持可使用捲繞式(roll to roll)搬運之可撓性。
保護薄膜之與基材薄膜接觸側的面，係能夠是經施行活性化處理之面。亦即，保護膜之與基材薄膜接觸側的面，可以在與基材薄膜的面貼合之前被施行活性化處理。藉由保護膜具有此種經施行活性化處理之面，因為能夠將基材薄膜與保護膜穩定地貼合，所以能夠抑制在形成無機層時保護膜從基材薄膜剝離。又，因為基材薄膜與保護膜不透過接著劑層及黏著劑層等的層而貼合，所以在形成無機層後，能夠容易地將保護膜從基材薄膜剝下。
保護膜之經施行活性化處理之面係被活性化，對 水之濕潤性亦通常比處理前増加。因而，與基材薄膜之經施行活性化處理之面同樣，保護膜之經施行活性化處理之面的活性化處理的程度係能夠藉由對水的接觸角來表示。保護膜之經施行活性化處理之面之對純水的接觸角，係以小於80°為佳，較佳為50°以下，特佳為40°以下，又，較佳為10°以上。藉由經施行活性化處理之面之對純水的接觸角係小於前述範圍的上限值，能夠有效地提高基材薄膜與保護膜的密著性。
當基材薄膜之與保護膜接觸側的面係經施行活性化處理之面時，保護膜之與基材薄膜接觸側的面係未必經施行活性化處理亦可。但是，即便基材薄膜之與保護膜接觸側的面係經施行活性化處理之面時，保護膜之與基材薄膜接觸側的面，係以經施行活性化處理之面為佳。
作為活性化處理的例子，可舉出與能夠對基材薄膜施行之活性化處理的例子已例示者同樣的例子。尤其是就處理時間短且生產性優異而言，係以常壓電漿處理、電暈處理為佳。
[2.3.任意層]
本發明的複層膜亦可具備前述的基材薄膜及保護膜以外的膜。
例如，亦可在與保護膜的基材薄膜為相反側的面，具備易滑層及抗靜電層等，尤其是以具備易滑層為佳。
作為易滑層，例如能夠使用含有聚合物及粒子之樹脂的層。如此含有粒子之易滑層，係因為與該保護膜相反側的面之表面粗糙度較大，所以能夠使該具有較大的表面粗糙 之面的滑動性提升。因此，具備此種易滑層之複層膜係操作性良好，且能夠穩定抑制黏結及皺紋。在此所謂黏結，係指在被已被捲取作為捲物之薄膜，接觸面之間係附著之現象。
作為含有形成易滑層的樹脂之聚合物，例如能夠使用聚胺酯。因為聚胺酯係能夠對由接著性低之脂環式烯烴樹脂所構成的保護膜強力地接著，所以能夠有效地抑制在形成無機層時易滑層從保護膜剝離。
作為聚胺酯，例如能夠使用使(i)在1分子中含有平均2個以上的活性氫之成分與(ii)多元異氰酸酯成分反應而得到的聚胺酯。又，作為聚胺酯，例如能夠使用藉由將從上述(i)成分及(ii)成分所得到的預聚合物，使用鏈延長劑而進行鏈延長且添加水作為分散體而製造之聚胺酯。前述預聚合物係能夠藉由在異氰酸酯基過剩的條件下，使上述(i)成分及(ii)成分進行胺甲酸酯化反應而製造含有異氰酸酯基之預聚合物。而且，前述的胺甲酸酯反應，係能夠在對反應為惰性且與水的親和性大之有機溶劑中進行。又，在將預聚合物進行鏈延長之前，亦可將藉由胺甲酸酯化反應而得到的預聚合物進行中和。該等的聚胺酯亦可含有酸構造。而且，其酸構造係其一部分或全部亦可被中和。
此種聚胺酯，係設作含有水及分散在該水的聚合物之組成物而被市售。作為如此被市售的聚胺酯，例如，可舉出旭電化工業公司製的「Adeka Bontighter」系列、三井東壓化學公司製的「OLESTAR」系列、大日本INK化學工業公司製的「Bondik」系列、「Hydran」系列、Bayer公司製的「Inpranil」 系列、日本Soflan公司製的「Sofuraneto」系列、花王公司製的「Poiz」系列、三洋化成工業公司製的「SANPREN」系列、保土谷化學工業公司製的「Aizelax」系列、第一工業製藥公司製的「SUPERFLEX」系列、ZENECA公司製的「Neorex」系列等。
又，聚合物係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
作為粒子，係可使用無機粒子及有機粒子的任一者。舉出無機粒子的材料時，例如可舉出氧化矽、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鋯等的無機氧化物；碳酸鈣、滑石、黏土、煅燒高嶺土、煅燒矽酸鈣、水合矽酸鈣、矽酸鋁、矽酸鎂、磷酸鈣等。又，舉出有機粒子的材料時，例如可舉出聚矽氧樹脂、氟樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂等。該等之中，以氧化矽為佳。氧化矽的粒子係具有優異的抑制產生皺紋之能力及透明性，而且在含有聚胺酯之樹脂中的分散性及分散安定性良好。又，氧化矽的粒子之中，以非晶質膠態氧化矽粒子為特佳。粒子係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
粒子的平均粒徑，係通常為1nm以上，以5nm以上為佳，較佳為10nm以上，通常500nm以下，以300nm以下，較佳為200nm以下。藉由使平均粒徑在前述範圍的下限值以上，能夠有效地提高易滑層的滑動性。又，藉由成為上限值以下，能夠抑制粒子從複層膜脫落。在此，作為粒子的平均粒徑，係採用藉由雷射繞射法測定粒徑分布，在所測得的粒徑分布，從小徑側開始計算之累積體積成為50%之粒徑。
粒子的量係相對於聚合物100重量份，通常為0.5重量份以上，以5重量份以上為佳，較佳為8重量份以上，通常20重量份以下，以18重量份以下為佳，較佳為15重量份以下。藉由將粒子量設為前述範圍的下限值以上，因為能夠提升複層膜的操作性，所以能夠抑制在將複層膜捲繞時產生皺紋。又，藉由設為上限值以下，能夠維持複層膜無白濁的外觀。
又，易滑層係能夠含有聚合物及粒子以外的任意成分，作為任意成分，例如可舉出交聯劑、耐熱安定劑、耐候安定劑、調平劑、界面活性劑、抗氧化劑、抗靜電劑、助滑劑(slip agent)、抗黏結劑、防霧劑、潤滑劑、染料、顏料、天然油、合成油、蠟等。該等係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
易滑層係例如能夠藉由準備含有聚合物、粒子及溶劑、及按照必要之任意成分之樹脂組成物，將該樹脂組成物塗佈在保護膜的表面而形成前述樹脂組成物的層之後，使該樹脂組成物的層硬化來製造。又，形成保護膜的易滑層之面，亦可以在形成易滑層之前，施行活性化處理等的表面處理。通常作為前述樹脂組成物的溶劑，係使用水。又，樹脂組成物的層之硬化，係例如能夠藉由照射紫外線等的活性能量線、加熱等來進行。易滑層係可在將保護膜與基材薄膜貼合之前形成，亦可在將保護膜與基材薄膜貼合之後形成。
[3.中間品薄膜(具備無機層之複層膜)]
如上述地，在使用具備基材薄膜及保護膜之複層膜而製造複合膜時，係進行在該複層膜的基材薄膜之與保護膜為相反側 的面形成無機層之步驟。藉由形成無機層之步驟而得到的薄膜，係依照以下的順序具備保護膜、基材薄膜及無機層之複層膜。將本發明的複層膜之中，如此在基材薄膜之與保護膜為相反側的面具備無機層之複層膜，以下，適當地稱為「中間品薄膜」。
[3.1.無機層]
無機層係能夠設為實質上由無機材料所形成之層。在此所謂實質上由無機材料所形成之層，係表示在該層之無機材料的比例為60重量%~100重量%之層。特別是以無機層係只有由無機材料所構成之層為佳。又，無機層係以設作含有選自由金屬氧化物、金屬氮化物及金屬氮氧化物所組成群組之至少1種之層為佳。在此，金屬係意味著包含矽等的半金屬之元素。
又，無機層係可以是由1層所構成之單層構造的層，亦可以是具備2層以上的層之複層構造的層。
作為在無機層所含有的層，可舉出阻障層、導電膜等。無機層可以只含有阻障層，亦可以只含有導電膜，亦可以將阻障層及溝電膜組合而含有。無機層係含有阻障層及導電膜的雙方時，通常，無機層係從靠近基材薄膜起依照以下的順序具備阻障層及導電膜。
阻障層係具有能夠將水隔離的功能之層。具體而言，阻障層係通常為1.0g/m2．day以下，以0.2g/m2．day為佳，較佳是具有0.1g/m2．day以下的水蒸氣透過率之層。藉由具備含有阻障層之無機層，複合膜係能夠防止該複合膜所設置的構件因水所致之劣化。
作為形成阻障層之無機材料，例如可舉出含有矽或鋁作為金屬元素之金屬氧化物、金屬氮化物及金屬氮氧化物。尤其是以含有矽之金屬氧化物、金屬氮化物及金屬氮氧化物為特佳。
作為含有矽之金屬氧化物、金屬氮化物、及金屬氮氧化物的組成的例子，可舉出以SiOx(1.5<x<1.9)、SiNy(1.2<y<1.5)及SiOxNy(1<x<2及0<y<1)表示之組成。藉由使用此種組成之無機材料，能夠使透明性及阻障性等的特性成為良好者。
又，該等係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
阻障層的厚度，係以3nm以上為佳，較佳為10nm以上，以2000nm以下為佳，較佳為1000nm以下。
阻障層的形成方法，係例如可舉出蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法(ion plating)、離子射束輔助蒸鍍法、電弧放電電漿蒸鍍法、熱CVD法、電漿CVD法等的形成方法。尤其是使用電弧放電電漿蒸鍍法時，能夠生成具有適當的能量之蒸發粒子且能夠形成高密度的膜，乃是較佳。又，形成含有複數種類的成分之阻障層時，亦可將該等的成分同時蒸鍍或濺鍍。
導電膜係具有1000Ω/□以下的表面電阻之膜。藉由具備含有導電膜之無機層，能夠對複合膜賦予作為電極之功能。
作為形成導電膜之無機材料，例如可舉出ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)、ZnO(氧化鋅)、IWO(氧化銦鎢)、ITiO(氧化銦鈦)、AZO(氧化鋁鋅)、GZO(氧化鎵鋅)、XZO(鋅 系特殊氧化物)、IGZO(氧化銦鎵鋅)等。又，該等係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
導電膜的厚度係以30nm以上為佳，較佳為50nm以上，以250nm以下為佳，較佳為220nm以下。
導電膜的形成方法，係例如可舉出濺鍍法、蒸鍍法等。
[3.2.中間品薄膜能夠具備之任意層]
中間薄膜，係除了上述的層以外，亦能夠具備任意層。
例如，中間薄膜亦可在無機層之與基材薄膜相反側的面具備任意層。舉出此種任意層的具體例時，可舉出抗靜電層、硬塗層、及防污染層等。任意層係例如能夠藉由以下的方法來設置：在無機層上塗佈任意層的材料且使其硬化之方法；及使用熱壓黏貼合任意層之方法等。
[4.複合膜的製造方法]
使用上述的複層膜而製造複合膜時，例如能夠進行包含以下的步驟之製造方法：在具備基材薄膜及保護膜之複層膜的基材薄膜之與保護膜相反側的面，形成無機層而得到中間品薄膜之步驟；及將保護膜從該中間品薄膜的基材薄膜剝下，而得到具備基材薄膜及無機層之複合膜之步驟。
無機層的形成方法，係能夠使用在無機層的說明的項目已例示的方法來進行。此時，因為本發明的複層膜係不僅是基材薄膜，而且亦具備保護膜，所以在以高輸出功率進行如前述的無機層的形成方法時，能夠防止熱損傷所致之基材薄膜的劣化、基材薄膜從搬運輥浮起。又，因為藉由活性化處理 將基材薄膜與保護膜貼合，所以在以高輸出功率進行如前述的無機層的形成方法時，亦能夠抑制保護膜從基材薄膜剝落。因而，雖然使用厚度較薄的基材薄膜，亦能夠以高輸出功率穩定地進行無機層的形成。因此能夠迅速地進行具有良好的膜質之無機層。
在如前述地形成無機層之後，能夠藉由將保護膜從基材薄膜剝離而得到複合膜。基材薄膜與保護膜，係不在其間夾住接著劑層及黏著劑層等的層而直接貼合。因此，能夠迅速且容易地進行將保護膜從基材薄膜剝下。
為了基材薄膜與保護膜之貼合而進行的活性化處理，通常在高濕度環境下係具有貼合強度降低，且能夠容易地將保護膜從基材薄膜剝下之性質。因此，將保護膜從基材薄膜剝離之步驟，係以在高濕度環境進行為佳。
而且，在複合膜的製造方法，係亦可進行前述以外之任意的步驟。例如，亦可以進行在無機層之與基材薄膜為相反側的面形成任意層之步驟；亦可進行在基材薄膜之與無機層為相反側的面進行形成任意層之步驟。而且，例如亦可以進行將所得到的複合膜切取需要的形狀之步驟。
如此進行而得到的複合膜，係具備基材薄膜及無機層。在該複合膜，因為能夠將基材薄膜的厚度薄化，所以能夠將複合膜本身的厚度薄化。
又，因為該複合膜的無機層係使用高輸出功率的膜形成方法而形成者且膜質良好，所以該無機層應發揮之優異的性能係能夠充分地發揮。
例如，作為無機層且具備阻障層時，因為該阻障層所具有之優異的水蒸氣隔離能力係能夠充分地發揮，所以複合膜全體能夠實現低水蒸氣透過率。複合膜全體之具體的水蒸氣透過率，係例如能夠設為1×10-6g/m2．day~1×10-2g/m2．day。
又，複合膜係通常具有優異的透明性。複合膜之具體的總光線透射率，係通常為85~100%、較佳為90~100%。在此，光線透射率係能夠依據JIS K0115且使用分光光度計(日本分光公司製、紫外可見近紅外分光光度計「V-570」)而測定。
複合膜的霧度係沒有特別限定，使用在未特別意圖將光線擴散之光學上的用途時，通常係以較低為佳。具體而言，複合膜的霧度係以3.0%以下為佳，較佳是能夠設為1.0%以下。在此，霧度係能夠依據JIS K7136-1997而測定。
複合膜係能夠以長條薄膜的方式製造。又，為了製造此種長條複合膜，係能夠使用長條薄膜狀之前述的基材薄膜及保護膜來製造。在此，所謂長條薄膜，係指具有其寬度方向的尺寸之通常10倍以上、50倍以上為佳、較佳為100倍以上之長度方向的尺寸之薄膜。此種長條薄膜係能夠以捲物狀的形狀(捲物)之方式保管及運搬。
因為複合膜係能夠藉由捲繞式進行使用高輸出功率之無機層的形成，所以能夠有效率地進行製造。在此，所謂捲繞式，係表示對從捲出輥所捲出的薄膜連續地進行處理，而且將處理後的薄膜捲取且以製品的捲物之方式捲取之態樣。如此設作長條薄膜而製成之複合膜，係能夠按照必要而切斷成為所需要的形狀。
[5.複合膜的製造方法之具體例]
作為本發明的複合膜的製造方法之較佳例子，可舉出包含以下的步驟之方法：步驟I，係對基材薄膜的表面施行活性化處理；步驟II，係對保護膜的表面施行活性化處理；步驟III，係將基材薄膜及保護膜以經施行活性化處理之面為接觸的方式貼合；步驟IV，係在基材薄膜之與保護膜為相反側的面形成無機層；及步驟V，係將保護膜從基材薄膜剝下。針對該方法進行說明。
第1圖係示意性地顯示在本發明的一個例子的製造方法所使用之形成無機層之前的複層膜的層構成的一個例子之剖面圖。在以下，將形成無機層之前的複層膜適當地稱為「支撐物膜」。在此，係舉出使用具有第1圖所顯示構造的支撐物膜之複合膜的製造方法作為例子，而進行說明。
在第1圖，支撐物膜100係具備基材薄膜110、及直接被設置在前述基材薄膜110的一面110D之保護膜120。又，保護膜120係能夠按照必要而在與基材薄膜110為相反側的面120D具備阻障層等的任意層。
在本例之製造方法，係在由脂環式烯烴樹脂所構成的基材薄膜110的面110D施行活性化處理(步驟I)。又，在由脂環式烯烴樹脂所構成的保護膜120的面120U施行活性化處理(步驟II)。
隨後，將基材薄膜110及保護膜120，以經施行活性化處理的面110D及120U為接觸的方式貼合(步驟III)。該貼合係能夠將基材薄膜110及保護膜120，在按照必要而加熱 的狀態下使其壓黏等的方法來進行。藉此，能夠得到如第1圖所顯示的支撐物膜100。
此種支撐物膜100係較佳是藉由捲繞式操作且以長條製品的方式製造，能夠將其製成捲物的狀態之後供給至下一個步驟。藉由將支撐物膜100製成捲物的狀態，能夠容易地直接在長條形狀的狀態下供給至下一個在減壓下進行操作之裝置。
第2圖係示意性地顯示在本發明的一個例子的製造方法所使用之中間品薄膜的層構成的一個例子之剖面圖。
在如前述地將基材薄膜110與保護膜120貼合之後，在支撐物膜100的基材薄膜110之與保護膜120為相反側的面110U，形成無機層130(步驟IV)。無機層130的形成，係例如能夠藉由CVD等的蒸鍍法及濺鍍等的操作來進行。藉此，如第2圖所顯示，能夠得到依照以下的順序具備保護膜120、基材薄膜110及無機層130之中間品薄膜140。
參照進行形成無機層130的步驟之裝置的例子，來說明該步驟之更具體的例子。第3圖係顯示使用CVD法形成無機層130之成膜裝置的一個例子之剖面圖。在第3圖，成膜裝置200係薄膜捲取式之電漿CVD裝置且進行以下的一系列操作：藉由CVD將無機層130連續地形成在被從支撐物膜100的捲物201捲出之支撐物膜100上而成為中間品薄膜140，並且將其捲取作為捲物202。
成膜裝置200係具有導輥211、罐輥(can roll)212、及導輥213，藉此，能夠將被捲出的支撐物膜100引導往箭號A21表示的方向且提供無機層130的形成步驟。藉由適當地調 整導輥211、罐輥212、及導輥213的位置及該等對支撐物膜100所賦予之張力，支撐物膜100係在被罐輥(can roll)212引導的期間，成為密著在罐輥212之狀態。
罐輥212係往箭號A22所顯示的方向旋轉，其上的支撐物膜100係以接近反應管221之狀態被搬運。此時，從電源223對電極222施加電力，另一方面，將罐輥212藉由適當的接地構件(未圖示)接地，且從氣體導入口224將無機層130的材料之氣體，往箭號A23的方向導入。藉此，能夠在支撐物膜100的面上連續地形成無機層130。此種一系列的操作，係能夠在被真空槽290圍繞的空間內進行。真空槽290內的壓力，係能夠藉由操作真空排氣裝置230來減壓且能夠調整適合CVD之壓力。
以高輸出功率實施此種步驟時，在先前技術，基材薄膜係容易從罐輥212產生浮起，致使難以連續地形成良好的無機層。又，因為以高輸出功率形成無機層之方法係多半在高溫條件下進行，所以基材薄膜的厚度較薄時，該基材薄膜係因熱損傷引起劣化，致使穩定地形成無機層係有變為困難之情形。並且，因為一般而言高光學性能的基材薄膜係通常表面為平滑的，所以容易產生黏結。但是在本例之製造方法，係藉由在基材薄膜110的面設置預定保護膜120，而能夠防止支撐物膜100浮起、劣化及黏結。特別是在保護膜的面設置有易滑層時，能夠有效地防止黏結。又，通常由脂環式烯烴樹脂所構成的基材薄膜及保護膜等的薄膜係接著性低，但是在本例之製造方法，係在經施行活性化處理的面110D及120U將基材薄膜 110及保護膜120貼合，所以即便在以高輸出功率進行形成無機層130的形成之環境下，亦能夠抑制基材薄膜110及保護膜120產生剝離。
因此，在本例之製造方法，係能夠效率良好地達成連續地形成良好的無機層130。
第4圖係示意性地顯示在本發明的一個例子的製造方法所得到之複合膜150的層構成的一個例子之剖面圖。
如前述在基材薄膜110的面110U形成無機層130之後，將保護膜120從基材薄膜110剝下(步驟V)。藉此，如第4圖所顯示，能夠得到具備基材薄膜110及無機層130之複合膜150。
例如，使用接著劑層及黏著劑層等將保護膜貼合在基材薄膜時，將保護膜從基材薄膜順利地剝下係困難的，但是，本例之製造方法，基材薄膜110及保護膜120係將經施行活性化處理的面110D及120U直接貼合，所以能夠容易且順利地進行剝離。因而，能夠效率良好地進行製造複合膜150。
又，在前述的例子所揭示的製造方法，亦可進一步變更而實施。
例如，在形成無機層130之後，在將保護膜120從基材薄膜110剝下之前，亦可在無機層130之與基材薄膜110為相反側的面130U進一步設置另外的層，舉出具體例時，首先，形成阻障層作為無機層130，亦可以在該無機層130的面130U形成導電膜(未圖示)。
又，例如在將保護膜120從基材薄膜110剝離之後，亦可 在所得到的複合膜150進一步設置另外的層。
[6.用途]
使用上述的製造方法所製造之複合膜的用途，係例如能夠使用在具有有機EL單元之顯示裝置、液晶顯示裝置及電子紙等各種顯示裝置；照明用光源裝置等的光源裝置；太陽電池等的裝置。此時，為了保護構成裝置的單元等之目的，例如只要具備阻障層作為無機層之複合膜，就能夠使用作為具有妨礙水分及氧透過的阻障功能之密封薄膜。又，例如只要具備導電膜作為無機層之複合膜，就能夠使用作為在裝置所設置之電極或配線。
[實施例]
以下，揭示實施例而具體地說明本發明。但是，本發明係不被以下的實施例限定，在不脫離本發明的申請專利範圍及其均等的範圍之範圍，能夠任意地變更而實施。
在以下的說明，表示量之「%」及「份」，係只要未特別預先告知，就是重量基準。又，在以下說明之操作，係只要未特別預先告知，就是在常溫及常壓的條件下進行。而且，在以下的說明，「sccm」係氣體流量的單位，將在每1分鐘流動的氣體量，以該氣體在25℃、1atm時的體積(cm3)表示。
[測定方法]
(阻障層的水蒸氣透過率之測定方法)
阻障層的水蒸氣透過率，係使用TechnoIox公司製「DELTAPERM」來測定。
(導電膜的表面電阻之測定方法)
導電膜的表面電阻，係使用三菱化學Analytech公司製「Loresta GP」來測定。
(樹脂薄膜的面對純水之接觸角之測定方法)
使用接觸角計(協和界面科學公司製「Drop Master DM500」)對樹脂薄膜的面滴下純水，在滴下之後5秒後測定接觸角。
[實施例1]
(1-1.COP基材製造)
將脂環式烯烴樹脂(日本ZEON公司製「ZEONOR 1430R」、玻璃轉移溫度138℃)的丸粒，使用溫度240℃的短軸擠製機進行熔融且在溫度240℃從T型模具熔融擠製，而得到長條樹脂薄膜1(厚度188μm)及長條樹脂薄膜2(厚度47μm)。
(1-2.水系樹脂組成物的製造)
將作為具有極性基的聚合物之聚胺酯的水分散物(第一工業製藥公司製「SUPERFLEX 210」、含有羧基之酯系聚胺酯樹脂)，採取在該水分散物所含有的聚胺酯係成為100份的量。在該水分散物調配環氧化合物(NAGASE CHEMTEX公司製「DENACOL EX-521」)20份、癸二酸二醯肼5份、氧化矽粒子(平均粒徑100nm)8份、及水而得到固體成分5%之液狀水系樹脂組成物1。
(1-3.易滑層的形成)
使用電暈處理裝置(春日電機公司製)，在輸出功率300W、電極長度240mm、工作電極間距3.0mm、搬運速度4m/min的條件下，對樹脂薄膜1的一面施行放電處理。
在樹脂薄膜1的經施行放電處理之面，將前述的水系樹脂組成物1，使用輥塗佈機以乾燥膜厚成為0.5μm之方式塗佈。隨後，在140℃將塗佈後的水系樹脂組成物1乾燥40秒，而在樹脂薄膜1的表面形成易滑層。
(1-4.樹脂薄膜的貼合)
在形成易滑層後的樹脂薄膜1之與易滑層為相反側的面，施行常壓電漿表面處理作為活性化處理。又，在樹脂薄膜2的一面，施行常壓電漿表面處理作為活性化處理。該等的常壓電漿表面處理，係使用常壓電漿表面處理裝置(積水化學公司製「AP-T03-L」)且在輸出功率1.5kw、頻率25kHz、氮氣流量50L/分鐘、照射速度30cm/分鐘的條件下進行。使用經施行活性化處理之樹脂薄膜1及樹脂薄膜2的一部分，而測定經施行活性化處理的面之接觸角。
將樹脂薄膜1之經施行活性化處理的面與樹脂薄膜2之經施行活性化處理的面合併在一起，使用貼合機(MCK公司製「ML-300T」)進行壓黏。此時的層疊條件係設為壓力0.4MPa、溫度130℃。藉此，得到依照以下的順序具備作為基材薄膜的樹脂薄膜2、作為保護膜的樹脂薄膜1、及易滑層之複層膜A。
(1-5.阻障層的形成(CVD法))
在複層膜A的樹脂薄膜2側的面，藉由CVD法形成阻障層。形成阻障層的操作，係使用在第3圖所顯示之成膜裝置(薄膜捲取式電漿CVD裝置)而進行。形成阻障層時之條件，係設為四甲基矽烷(TMS)流量10sccm、氧(O2)流量100sccm、輸出 功率0.8kW、全壓5Pa、薄膜搬運速度0.5m/min且使RF電漿放電而形成無機層。其結果，形成由SiOx所構成之厚度300nm的阻障層且得到具有(阻障層)/(樹脂薄膜2)/(樹脂薄膜1)/(易滑層)的層構成之複層膜B。測定阻障層的水蒸氣透過率時，為0.03g/m2/day以下。所得到的複層膜B係捲取而成為捲物。
觀察進行無機層的形成步驟時之複層膜A的狀態、及被捲取後的複層膜B之捲物的狀態，依照下述的評價基準進行評價捲繞式適性(有無薄膜從搬運輥浮起)及成膜適性(有無保護膜剝離)。
．捲繞式(R2R)適性
良．．．無黏結且未從搬運輥浮起。
不良．．．產生黏結、或從搬運輥產生浮起致使搬運變為困難。
．成膜適性
良．．．即便被曝露在CVD時的高溫，保護膜亦不剝離。
不良．．．被曝露在CVD時的高溫時，保護膜剝離。
(1-6.導電膜的形成(濺鍍法))
在複層膜B之阻障層側的面上，藉由濺鍍法形成導電膜。導電膜的形成操作，係使用薄膜捲取式磁控管濺鍍裝置而進行。作為濺鍍的靶材，係使用In2O3-SnO2陶瓷靶材。形成導電膜時之其他條件係設為氬(Ar)流量150sccm、氧(O2)流量10sccm、輸出功率4.0kw、真空度0.3Pa、薄膜搬運速度0.5m/min。其結果，形成由ITO所構成之厚度100nm的導電膜且得到具有(導電膜)/(阻障層)/(樹脂薄膜2)/(樹脂薄膜1)/(易 滑層)的層構成之複層膜C。測定導電膜的表面電阻時，為50Ω/□以下。所得到的複層膜C係捲取而成為捲物。
觀察進行導電膜的形成步驟時之複層膜B的狀態、及被捲取後的複層膜C之捲物的狀態，依照下述的評價基準進行評價捲繞式適性(有無薄膜從搬運輥浮起)及成膜適性(有無保護膜剝離)。
．捲繞式(R2R)適性
良．．．無黏結且未從搬運輥浮起。
不良．．．產生黏結、或從搬運輥產生浮起致使搬運變為困難。
．成膜適性
良．．．即便被曝露在濺鍍時的高溫，保護膜亦不剝離。
不良．．．被曝露在濺鍍時的高溫時，保護膜剝離。
(1-7.保護膜的剝離)
在高濕環境下，將保護膜亦即樹脂薄膜1從複層膜C的基材薄膜亦即樹脂薄膜2剝離，而得到具有(導電膜)/(阻障層)/(樹脂薄膜2)的層構成之複合膜。樹脂薄膜1的剝離係能夠順利地進行。
[實施例2]
作為在前述步驟(1-4)之樹脂薄膜1之與易滑層為相反側的面及樹脂薄膜2的一面之活性化處理，係施行電暈處理來代替常壓電漿表面處理。該電暈處理係在輸出功率0.6kw、處理速度5m/min的條件下進行。
除了以上的事項以外，係與實施例1同樣地進行而製造複 層膜B及C以及複合膜的製造及進行評價。
[實施例3]
作為在前述步驟(1-4)之樹脂薄膜1之與易滑層為相反側的面及樹脂薄膜2的一面之活性化處理，係施行UV臭氧處理來代替常壓電漿表面處理。該UV臭氧處理係照射時間5m/min、照射距離10mm的條件下進行。
除了以上的事項以外，係與實施例1同樣地進行而製造複層膜B及C以及複合膜的製造及進行評價。
[實施例4)
作為在前述步驟(1-4)之樹脂薄膜1之與易滑層為相反側的面及樹脂薄膜2的一面之活性化處理，係施行燃燒化學氣相蒸鍍處理來代替常壓電漿表面處理。該燃燒化學氣相蒸鍍處理係使用矽氧化火焰處理裝置，且藉由含有矽烷化合物之1,2-二氯四甲基矽烷之燃料氣體的火焰，在處理速度1000mm/秒的條件下進行。
除了以上的事項以外，係與實施例1同樣地進行而製造複層膜B及C以及複合膜的製造及進行評價。
[實施例5]
將在前述步驟(1-1)所製成之樹脂薄膜2，在140℃、薄膜搬運速度20m/min的條件下使用拉幅裝置進行延伸。該拉幅裝置係具備：把持件，其能夠把持薄膜的寬度方向兩端；及軌道，其能夠引導前述把持件。此時，在該拉幅裝置，係以在延伸後所得到的薄膜，遲相軸對流動方向為45°傾斜之方式設定軌道。藉此，得到厚度23μm、遲相軸對流動方向之角度為45 °之延伸薄膜。使用如此進行而得到的延伸薄膜來代替樹脂薄膜2。
除了以上的事項以外，係與實施例1同樣地進行而製造複層膜B及C以及複合膜的製造及進行評價。
[比較例1]
在步驟(1-4)之樹脂薄膜1與易滑層為相反側的面及樹脂薄膜2的一面係未進行活性化處理。
除了以上的事項以外，係嘗試與實施例1同樣地進行而製造複層膜B及C以及複合膜的製造及進行評價。但是，因為在步驟(1-5)無法得到良好的阻障層且無法在其上形成導電膜，所以進行至在步驟(1-5)之評價為止，步驟(1-6)及(1-7)係未進行。
[比較例2]
作為樹脂薄膜1，係使用聚碳酸酯樹脂的薄膜(帝人公司製「Panlite sheet PC-2515」、厚度125μm)，來代替脂環式烯烴樹脂的薄膜。
除了以上的事項以外，係嘗試與實施例1同樣地進行而製造複層膜B及C以及複合膜的製造及進行評價。但是，因為在步驟(1-5)無法得到良好的阻障層且無法在其上形成導電膜，所以進行至在步驟(1-5)之評價為止，步驟(1-6)及(1-7)係未進行。
比較例3]
作為樹脂薄膜1，係使用聚乙烯樹脂的薄膜(TORAY薄膜加工公司製「Toretec 7332」、厚度250μm)，來代替脂環式烯烴樹脂的薄膜。
除了以上的事項以外，係嘗試與實施例1同樣地進行而製 造複層膜B及C以及複合膜的製造及進行評價。但是，因為在步驟(1-5)無法得到良好的阻障層且無法在其上形成導電膜，所以進行至在步驟(1-5)之評價為止，步驟(1-6)及(1-7)係未進行。
[結果]
將前述的實施例及比較例之結果顯示在表1及表2。在表1及表2，接觸角之值係表示被貼合的面之對純水的接觸角之值。又，在表1及表2，略稱的意思係如以下。
COP：脂環式烯烴樹脂
PC：聚碳酸酯樹脂
PE；聚乙烯樹脂
[表2]
[研討]
從表2得知，在實施例係任一者均能夠穩定地製造良好的無機層。因此，能夠確認依照本發明係能夠在厚度較薄基材薄膜上以高輸出功率形成無機層。

Claims (9)

  1. 一種複層膜，係具備由脂環式烯烴樹脂所構成之基材薄膜、及直接被設置在前述基材薄膜的一面之由脂環式烯烴樹脂所構成的保護膜，前述基材薄膜之與前述保護膜接觸側的面，或前述保護膜之與前述基材薄膜接觸側的面，係經施行活性化處理之面，前述保護膜的厚度比前述基材薄膜的厚度更厚，前述保護膜的厚度為75μm以上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之複層膜，其中前述活性化處理係選自由電漿處理、電暈處理、UV臭氧處理及燃燒化學氣相蒸鍍處理所組成群組之至少一種。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之複層膜，其中在前述基材薄膜之與前述保護膜為相反側的面具備無機層。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之複層膜，其中前述無機層係選自由金屬氧化物、金屬氮化物及金屬氮氧化物所組成群組之至少一種。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之複層膜，其中前述無機層係包含阻障層。
  6. 如申請專利範圍第3項所述之複層膜，其中前述無機層係包含導電膜。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之複層膜，其中前述無機層係包含阻障層。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之複層膜，其中前述經施行活性化處理之面之對純水的接觸角為小於80°。
  9. 一種複合膜的製造方法，其中該製造方法係具備基材薄膜及無機層之複合膜的製造方法，包含以下的步驟：該複層膜係具備由脂環式烯烴樹脂所構成之基材薄膜、及直接被設置在前述基材薄膜的一面之由脂環式烯烴樹脂所構成的保護膜，在複層膜的前述基材薄膜之與前述保護膜為相反側的面形成無機層之步驟；及將前述保護膜從前述基材薄膜剝下之步驟；前述基材薄膜之與前述保護膜接觸側的面、或前述保護膜之與前述基材薄膜接觸側的面，係經施行活性化處理之面，前述保護膜的厚度比前述基材薄膜的厚度更厚，前述保護膜的厚度為75μm以上。
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