CN101542752B - 薄膜半导体元件及元件复合结构 - Google Patents

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Abstract

本发明描述一种具有承载层和设置在该承载层上的堆叠层的薄膜半导体元件，该堆叠层包含用来发出辐射的半导体材料，其中在该承载层上施加用以冷却该半导体元件的散热层。本发明还描述了一种元件复合结构。

Description

薄膜半导体元件及元件复合结构
本发明涉及薄膜半导体元件和元件复合结构。
本专利申请要求德国专利申请102006036543.7和德国专利申请102007004303.3之优先权，其公开内容通过引用而纳入本说明。
公开文件DE 10040448A1中描述了半导体芯片和用薄膜技术制造半导体芯片的方法。衬底上设有由有源层组和基层构成的复合层。此外，在衬底被剥离前，在该复合层上增添加固层和辅助承载层，这两层施加在基层上的电流路径上。在被剥离衬底的一侧上压有箔，以处理由该复合层形成的半导体芯片。
此外，从公开文献DE 10234978A1获知一种带有半导体芯片和两个外部连接件的可表面贴装(oberflaechenmontierbar)半导体元件，其中，这两个外部连接件设在箔上。
本发明的任务是给出一种薄膜半导体元件，该元件尽管结构高度较低但工作稳定。本发明的另一任务是给出一种元件复合结构，其高度较低且工作稳定。
这些任务通过根据权利要求1的薄膜半导体元件和根据权利要求30的元件复合结构得以解决。在从属权利要求中给出该薄膜半导体元件和元件复合结构的有利变型。
根据本发明的薄膜半导体元件具有承载层和设置在承载层上的层堆叠，该层堆叠中含有半导体材料并且用来发出辐射，其中在承载层上施加用来冷却半导体元件的散热层。
该散热层用来吸收薄膜半导体元件在工作中产生的热量并将热量从层堆叠或者从元件带走。该散热层最好包含导热系数相对高的材料。这有可抑制产光率降低的好处，产光率降低是由于元件工作中产生的热量以及与之相关的升温造成的。还可借此降低在温度上升时出现的所产生辐射的波长移动。层堆叠和散热层之间的传热通过热传导和/或热辐射实现。
本发明的薄膜半导体元件尤其通过如下特点中的至少一项来表征：
-在产生辐射的外延层组(Schichtenfolge)的面向承载部分
Figure GSB00000979909400021
的第一主面上优选施加或形成反射层，该反射层将外延层组中产生的电磁辐射中的至少一部分反射回外延层组；
-该外延层组具有20μm或者以下范围内的厚度，尤其是具有10μm范围内的厚度；
-该外延层组包含至少一个具有至少一个表面的半导体层，该半导体层具有混合结构(Durchmischungsstruktur)，在理想情况下，该结构可导致光在外延的外延层组中的接近于各态历经的分布，即该外延层组具有尽可能遍历的随机散射性能。
例如，在施尼策尔等人发表于1993年10月的应用物理快报(I.Schnitzer et al.，Appl.Phys.Lett.63(16)，2174-2176)的文章中介绍了发出辐射的薄膜半导体芯片的基本原理，其公开内容通过引用而纳入本说明书。
根据一个优选实施方式，在承载层的面向层堆叠的一侧上设置散热层。尤其是，可将散热层固定在承载层上。
根据另一优选实施方式，散热层设置在层堆叠和承载层之间。层堆叠可有利地装在用作冷却部分的散热层上并与之导热地连接，其中，散热层集成在承载层之上或之中。
散热层可相对于层堆叠偏移。
在一个特别配置中，散热层扁平地形成。这意味着散热层的横向尺寸大于其高度。特别是，散热层具有一个至少与层堆叠的底面一样大的底面。该散热层的底面不必一定为方形，也可形成为鳞片状，使得尤其两条限制底面的侧边成曲线走向。此外，散热层优选形成为封闭平面。这是考虑到对薄膜半导体元件的电接触有利，因为在具有导电能力的散热层的情况下，层堆叠中可能会因此而有均匀的电流压入
Figure GSB00000979909400031
优选的方式是散热层包含导电材料。具体而言，在这种情况下，散热层可用作电接触。
特别优选的方式是，散热层是施加在承载层上的金属层。例如，散热层可包含铜、镍或银。
备选，散热层也可以包括电绝缘材料，例如陶瓷材料。
硅也是一种合适的散热层材料。
散热层的厚度优选在1至2位数的微米范围内。具体而言，厚度可为5μm至30μm。
散热层的厚度最好这样确定，一方面使其薄到足以使元件的高度不显著增大，且另一方面使其厚到足以对元件起到较好的冷却作用。
根据另一变形例，承载层是箔。具体而言，承载层可为以幅面(inBahnen)制作的塑料片。尽管其厚度相对较小，承载层可以达到足够稳定。承载层因相对较小的厚度而具有弹性，从而使开裂的风险减少。在本发明中，“相对较小的厚度”须理解为优选100μm、更优选小于100μm。
优选的方式是，承载层包含一种塑料。例如，作为塑料适合采用环氧树脂、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)或聚合物，尤其是聚酰亚胺。
尤其优选的方式是，承载层对于自层堆叠发出的辐射透明。另一优选的方式是，散热层相对于层堆叠偏移。这使得辐射通过承载层释放(auskoppeln)，不被散热层反射。通过透明的承载层和覆盖层，薄膜半导体元件可有利地在两侧发光，下文将详细说明。
此外，承载层可以是导电或绝缘的，根据应用而定。
根据一个有利的变形例，承载层设在衬垫上。例如，该衬垫可为金属箔。这样的衬垫将进一步改善将热量从元件导出。特别是，承载层(在此变形例中最好是塑料箔)用导热膏与衬垫机械地且导热地联接。在此变形例中，承载层具有直通接触(Durchkontaktierung)的开口，这样，层堆叠的第一电连接可通过衬垫实现，第二电连接可通过施加在承载层上的散热层实现。
根据又一变形例，承载层可以具有第一子层和第二子层。有利的方式是，第一子层施加在第二子层上，而且具有小的层厚度。层厚度尤其通过所想要通过的热流确定，热流流经第一子层且应尽可能地大。热流与层厚度成反比。第二子层可以是箔，尤其是金属箔，其上涂敷薄塑料层，第一子层。有利的方式是，在受热时第一子层阻碍第二子层的膨胀。
层堆叠可以粘贴或接合在散热层上。在一个用于制造本发明的半导体元件的可能变形例中，执行如下的步骤：
-在生长衬底(Aufwachssubstrat)上形成包含半导体材料的层堆叠；
-在层堆叠上施加承载层；
-将生长衬底剥离。
因此，在复合层的背向生长衬底的一侧上施加承载层，该承载层在接合(Aufbonden)到承载层上后粘接到层堆叠。
生长衬底的剥离也可在没有先将承载层施加在层堆叠上的情况下进行。
在元件另一配置中，在层堆叠的面对承载层的一侧上设置用于覆盖层堆叠的覆盖层。这可以有利地取代浇注(Verguss)。尤其是，覆盖层适合于有效地防止湿气浸入。
根据第一变形例，使用镀膜工艺来涂敷覆盖层，例如使用浇注工艺方法(Vorhanggieβverfahren)。这种浇注工艺方法的优势还在于可在凹凸不平的表面上形成非常一致的覆盖层。
根据第二变形例，覆盖层是箔。
例如，覆盖层可在层堆叠的面对承载层的一侧作为柔性覆盖层施加，然后加以硬化。或者，也可让柔性覆盖层处于没有完全硬化的状态。
另一种可能性是，施加具有基层和面向复合层的粘附层的覆盖层，其中粘附层粘贴在复合层上。
优选的方式是，覆盖层包含透明材料。该覆盖层可以作为释放层(Auskoppelschicht)。
特别优选的方式是，覆盖层包含玻璃或塑料。
另一优选的方式是，覆盖层具有将层堆叠发出的辐射转换的转换材料。该转换材料适用于将层堆叠发出的辐射的至少一部分转换到更大波长。通过这种方式，特别是可用发出紫外或蓝光辐射的层堆叠，通过将所发出的辐射的一部分波长转换到互补光谱范围(如黄色光谱范围)来产生白光。有利的是，这样的配置使得用于白光薄膜半导体元件的具有成本低的有效安装(Nutzenmontage)成为可能。
发出紫外或蓝色辐射的层堆叠，特别具有一种基于氮化物半导体的材料。“基于氮化物半导体”在此上下文中是指，有源外延层组或者至少其中一层包括氮化物-III/V-化合物半导体材料，优选AlnGamIn1-n-mN，其中0≤n≤1，0≤m≤1，n+m≤1。这时，这种材料不必一定要有根据上述公式的数学精确地组成。而是它可以有一种或多种掺杂物质及附加成分，它们没有实质上改变AlnGamIn1-n-mN材料的特殊物理性质。为了简洁明了，上述公式只包含晶格(Al，Ga，In，N)的基本成分，虽然这可以部分地由少量的其他物质取代。
在一种特殊实施方式中，覆盖层具有光学结构。举例来说，形成为透镜状、棱镜状或四面体状，由此此外能够将辐射聚束或改善辐射的释放。此外，覆盖层也可部分地镜面化。特别是，该覆盖层具有镜面化物(Verspiegelung)，该镜面化物在与相对覆盖层的散热层(散热层也尤其是反射的)结合时能够使元件中具有相对均匀的辐射分布，因此才能实现相对均匀的发光表面。
这种光学结构可以设置在覆盖层的面向或背向层堆叠的一侧。
有利地，在两侧设置承载层和覆盖层可以取代壳体。
此外，可以想见覆盖层本身就足以确保薄膜半导体元件的机械稳定性。在这种情况下，承载层在制造过程结束时被全部去除。此后，可用散热层充当安装面。此外，也可将承载层部分地去除。如果承载层导电，则这样做是合适的：将处于散热层和接触垫之间的承载层去掉，以避免在薄膜半导体元件工作时发生短路。
优选在层堆叠的面向承载层的一侧设置第一电连接区，但该层堆叠也可在背向承载层的释放侧具有第二电连接区。为了实现层堆叠的辐射释放侧的接触，至少一个导电路径(Leiterbahn)优选沿覆盖层的朝向层堆叠的表面伸展。导电路径优选施加在覆盖层上。例如，导电路径可以沿覆盖层伸展。尤其是，导电路径可以部分地在层堆叠上延伸，部分地在承载层上延伸，其中，在导电路径和层堆叠之间设有钝化层。导电路径可与第二电连接区导电连接。
此外，形成自支撑的导电路径。在这种情况下，导电路径优选与设在承载层上的接触垫连接并尤其位于钝化层上。尤其优选的是，接触垫具有与层堆叠相应的高度，以便导电路径与辐射释放面基本上平行地伸展，并可容易地与设置其上的电连接区接触。有利的导电路径的尺寸量级为10μm×50μm。在高电流应用中，该尺寸可更大。
在本发明范围内，优选采用一种无线的释放侧接触。这在薄膜半导体元件结构高度方面具有好的效果，因为与接合线相比导电路径是扁平的。此外，考虑到在覆盖层上发生的波长转换，无线的连接是有利的。
在一个优选变形例中，第二电连接区形成为接触结构，该结构具有接合垫和接触桥(Kontaktstege)。接合垫优选设在辐射输出面(Strahlungsaustrittsflaeche)的边缘区域，以利于在辐射输出面的中央区域从层堆叠发出的辐射不在接合垫中被吸收。将接合垫布置在辐射输出面的边缘区域尤其应理解为，接合垫的中心到至少一个层堆叠侧面的距离小于到辐射输出面的中心。有利的是，通过将接合垫布置在辐射输出面的边缘区域，与具有中央设置在辐射输出面上的接合垫的芯片相比，不需要将辐射输出面上的导电路径引到接合垫上，由此出现发出的辐射的吸收。尤其是，在辐射输出面上设置多个与接合垫导电连接的接触桥，通过这些接触桥，尽管在辐射输出面的边缘区域设置接触垫，仍可以在层堆叠中实现较均匀的电流分布。
薄膜半导体元件优选是柔性的。
本发明的元件复合结构具有至少两个根据上述配置中的至少一种的薄膜半导体元件。由于薄膜半导体元件较易弯曲，在扁平布置薄膜半导体元件时，可以用元件复合结构实现任何特定弯曲的发光面，并因此形成不同的发光图形。可以设想，除其他图形之外，也可将扁平的元件复合结构弯曲成管状，由此形成发光圆柱。
根据一个优选变形例，薄膜半导体元件具有共同承载层。该承载层尤其根据上述变形例之一形成。
根据另一优选变形例，在层堆叠之间的承载层上施加用于层堆叠释放侧电连接的接触垫。
薄膜半导体元件可用不同的方式电连接。在一个优选配置中，薄膜半导体元件被串联连接。尤其优选的是，在此，第一薄膜半导体元件的第二连接区例如借助于接合线，与第二薄膜半导体元件的散热层电连接，其中散热层用作电接触。备选地，也可在层堆叠的面向承载层的一侧上设置第一和第二连接区，其中，第一连接区与用作电接触的第一散热层电连接，第二连接区与用作电接触的第二散热层电连接。
本发明的一种元件复合结构特别适用于背光，例如，液晶显示器的背光。有利的是，元件复合结构的大小，也就是薄膜半导体元件的数量很容易改变，因为不难准备基于柔性承载层进行分割以及由此准备分割成更小的元件复合结构。
薄膜半导体元件或元件复合结构的其它特点和有利配置，可通过如下参照图1至图7详细说明的实施例获知。
以下示出：
图1是本发明的薄膜半导体元件的第一实施例的示意平面图；
图2是图1所示的本发明的薄膜半导体元件的第一实施例的示意剖面图；
图3是本发明的薄膜半导体元件的第二实施例的示意剖面图；
图4是本发明的薄膜半导体元件的第三实施例的示意剖面图；
图5是本发明的薄膜半导体元件的第四实施例的示意平面图；
图6是本发明的薄膜半导体元件的第五实施例的示意剖面图；
图7是本发明的薄膜半导体元件复合结构的第一实施例的示意平面图；
图8a及8b是本发明的元件复合结构的第二和第三实施例的示意平面图，图8c是图8a所示的第二实施例的示意横切剖面图；
图9是本发明的元件复合结构的第四实施例的示意横切剖面图；
图10是本发明的元件复合结构的第五实施例的示意横切剖面图；
在这些实施例中，相同的或作用相同的要素附有相同的附图标记。各图中所示的要素，尤其是所示的层厚度基本上均未按比例绘制。而是为了更好的理解可以局部放大地表示它们。
图1所示的薄膜半导体元件1具有覆盖层10。该覆盖层可防止有害的湿气对层堆叠8(见图2)的侵入。尤其是，该覆盖层10可让层堆叠8的半导体层组5(见图2)产生的辐射穿透。在这种情况下，该覆盖层10同时充当释放层。该覆盖层10可具有用以改变薄膜半导体元件1辐射特性的光学结构，例如透镜状、棱镜状或四面体状形成的光学结构。覆盖层10也可部分地镜面化。
此外，覆盖层10还适合作为散热层3和导电路径9之间的电绝缘。因为散热层3除了导热性之外还具有导电性。此外，为了防止半导体层组5的不同导电类型的半导体层之间的短路，在导电路径9和半导体层组5之间设置钝化层7。该层例如含氧化硅。
层组5基本上是为产生辐射而设的。层组5可具有常规的PN结、双异质结构，单量子壶结构(Einfach-Quantentopfstruktur)或多量子壶结构(Mehrfach-Quantentopfstruktur)。特别是，层组5是无衬底的，这意味着在已完成的薄膜半导体元件1已不存在用于层组5生长的生长衬底。
作为电接触，层堆叠8(见图2)包括第一电连接区5和第二电连接区6，第二电连接区6设置在辐射释放侧。
如图2所示，层堆叠8设置在承载层2上，承载层2具有散热层3。尤其是，承载层2是箔，层堆叠8装于散热层3上之前承载层2上构成散热层3。优选，层堆叠8接合在散热层3上。
散热层3的厚度DW优选在5μm和30μm之间，其中金属材料，如铜、镍或银尤其适合。
层组5和第一电连接区4的厚度DS约为7μm，因此可小于散热层3的厚度DW。
承载层2、散热层3与层堆叠8的小的厚度使得薄膜半导体元件1能够具有低的总结构高度。这是一个可达到的结构高度Dges，优选在100μm以下。此外，承载层2和覆盖层10的组合用于取代壳体，或者构成薄膜半导体元件1的外壳。有利的是，单个薄膜半导体元件1的低结构高度允许堆叠更多个薄膜半导体元件，从而可以提高亮度。
既用于冷却薄膜半导体元件1又用于第一电连接的散热层3，如图1所示，突出于层堆叠8且扁平地形成。在所描述的情况下，散热层3将层堆叠8的底面完全覆盖。散热层3也可相对于层堆叠偏移，使层组发出的辐射直接到达承载层2。为了第二电连接而设的导电路径9，优选阶梯形地伸展。具体而言，导电路径从第一电连接区6沿着层堆叠8的侧面上的辐射释放面11引到承载层2上。
该散热层3和导电路径9相对于与承载层2或覆盖层10在横向突出，以能够简单地与电压源电连接。
可以设想，导电路径9可直接施加在层堆叠8和承载层2上。或者，也可将导电路径设置在覆盖层10上。
在图3所示的薄膜半导体元件1中，承载层2具有第一子层2a和第二子层2b。第一子层2a是薄层，其中该子层2a的厚度选定为能够通过较高的热流。热流与层厚度成反比。子层2a的厚度优选在一位数的微米范围内。在图3所示的实施例中，子层2a是电绝缘的并且尤其含有塑料。有利的是，由此导电路径9和散热层3这二者都可被施加在承载层2上，它们之间不会发生短路。例如，散热层3可以由电隔离层系统形成。
设有箔，优选是金属箔，例如含铜的箔用于第二子层2b。借助于第二子层2b可获得良好的热传递。由于加热而导致的第二子层2b的剧烈膨胀可有利地由第一子层2a抵抗，第一子层2a具有比第二子层2b低的热膨胀系数。
在图4所示的薄膜元件1中，承载层2设置在衬垫15上。衬垫15的优点是具有良好的导热性。衬垫15尤其是金属箔。与此不同，承载层2可为塑料箔。或者，也可以设想用纸来做承载层2。尤其将导热膏用于承载层2与衬垫15的机械和热学连接。
图5中以平面图示意表示的薄膜元件1包括承载层2，其上设置散热层3和层堆叠8。此外，承载层2上有接触垫12，导电路径9与其电连接。
该释放侧的第二电连接区6形成为接触结构的形式，该接触结构具有接合垫6a和多个为电流扩开而设的接触桥6b，它们与接合垫导电连接，其中接合垫6a设置在辐射输出面11的边缘区域(见图2)。
第二电连接区6和导电路径9适当地含有导电材料。该材料可以是金属或TCO(透明导电氧化物)。
图6所示的薄膜半导体元件1如图5所示的薄膜半导体元件1那样实现释放侧的电连接。第一导电路径9基本上平行于辐射释放面11伸展。此外，辐射释放面11和覆盖层10的朝向辐射释放面11的表面基本上相互平行地设置。从而能够实现薄膜半导体元件1的平整结构形式。
层堆叠8在上表面上具有由钝化层7构成的几乎完全覆盖的涂层。此外，可为了承载层2和覆盖层10之间的电绝缘而引入填入层(未图示)，该层也将承载层2和覆盖层10粘在一起。
可以想见，在制造过程结束时承载层2至少部分地被去除。承载层2可是导电的，因此将散热层3和接触垫12之间区域中的承载层2去除是合理的，这是为了避免在薄膜半导体元件1工作时的短路。在此变形例中，薄膜半导体元件1可以按表面贴装(SMT)元件的方式在电路板上与具有一定结构的承载层2焊接或粘合。
图7所示的元件复合结构13具有多个层堆叠8，它们优选按照结合图2与图6详细描述的方式构成。层堆叠8设置在共同承载层2上。此外，层堆叠8通过导电路径9连接到共同接触垫12上，该接触垫设置在承载层2上。元件复合结构13的大小可通过简单地切割元件复合结构而改变。这种元件复合结构13尤其适合于背光和照明用途。
图8a和8b表示元件复合结构13，该元件复合结构具有多个薄膜半导体元件1。薄膜半导体元件1分别包括层堆叠8和其上设置该层堆叠8的公共承载层2的一部分。层堆叠8和承载层2之间总存在散热层3，在这里除了冷却还起到电接触的作用。接合线14从第一薄膜半导体元件1的前侧引到设置在与第一薄膜半导体元件1相邻的第二薄膜半导体元件1的后侧的散热层3。因此，这两个薄膜半导体元件1串联连接。串联连接的薄膜半导体元件1的数量可根据应用需要而任意选定。
层堆叠8分散地设置在各个散热层3上，由此相比于集中布置，能够改善层堆叠8的前侧接触。
散热层3的底面形成为鳞片状并且尤其具有内凹的侧边和与之相对的外凸的侧边。层堆叠8优选设置在内凹的侧边旁，因为此处电流压入的情况要优于外凸的侧边。
如图8b所示，可以有一部分散热层3不设层堆叠8。不过，未装备(unbestueckt)的散热层3优选串联连接，使得由未装备的散热层3包围的层堆叠8可有利地较简单得到供电。通过装备的和未装备的散热层3的交替能够有利地获得不同的照明样式。
图8c是表示已结合图8a描述的元件复合结构13的横剖面图。
在图9所示的实施例中，元件复合结构13包含更多个层堆叠8，这些层堆叠8设置在共同的承载层2上并且各自与第一散热层3和与该第一散热层3相邻的第二散热层3机械且电气地连接。在层堆叠8的朝向相应的散热层3的一侧上有两个电接触。因此，每两个相邻的散热层3通过层堆叠8桥接。同时，通过用多个层堆叠8将相邻的散热层3无缺口地桥接，可实现层堆叠8的串联连接。
在图10所示的元件复合结构13的实施例中，在朝向承载层2的一侧上也设置层堆叠8的两个电接触。这里，承载层2包含电绝缘材料，尤其是塑料，并且还具有用于直通接触的开口。承载层2优选是塑料箔。与承载层2机械且导热连接的衬垫15优选是金属箔，以使层堆叠8的第一电连接可借助于衬垫15实现。层堆叠8的第二电连接可通过施加在承载层2上的散热层(未图示)实现。
有利的是，本发明使用的方法不要求为了无线的接触而调整接合工艺。此外，这样的布置使得充当导电路径的散热层和元件一侧上的其它导电路径能够实现薄膜半导体元件的简单接触。
本发明不受依据实施例所作描述的限制。而是本发明包括每个新特征和每个特征组合，尤其是那些权利要求中包含的每个特征组合，即使该特征或该特征组合本身没有在权利要求或实施例中明示。

Claims (14)

1.一种薄膜半导体元件(1)，具有：
-承载层(2)，所述承载层(2)是箔，
-设置在所述承载层(2)上的层堆叠(8)，所述层堆叠包含半导体材料并用以发出辐射，以及
-在所述承载层(2)上施加的用以冷却所述薄膜半导体元件(1)的散热层(3)，
-其中所述散热层(3)设置在所述层堆叠(8)和所述承载层(2)之间并且在所述层堆叠(8)的三面延伸超出所述层堆叠(8)，
-其中所述散热层(3)形成为封闭平面，其中限制所述封闭平面的侧边成曲线走向，其中所述散热层(3)具有内凹的侧边和与所述内凹的侧边相对的外凸的侧边，以及
-所述层堆叠(8)被设置在所述内凹的侧边旁。
2.根据权利要求1的薄膜半导体元件(1)，其中，所述散热层(3)具有至少与所述层堆叠(8)的基面同样大的基面。
3.根据上述权利要求中任一项的薄膜半导体元件(1)，其中，所述散热层(3)的厚度(Dw)在1至2位数的微米范围内。
4.根据权利要求1或2的薄膜半导体元件(1)，其中，所述承载层(2)包含塑料。
5.根据权利要求1或2的薄膜半导体元件(1)，其中，所述承载层(2)具有第一子层(2a)和第二子层(2b)以及其中，所述第一子层(2a)是施加在所述第二子层(2b)上的层以及所述第二子层(2b)是箔。
6.根据权利要求1或2的薄膜半导体元件(1)，其中，所述承载层(2)的厚度小于或等于100μm。
7.根据权利要求1或2的薄膜半导体元件(1)，其中，在所述层堆叠(8)的与所述承载层(2)相对的一侧上设置用于覆盖所述层堆叠(8)的覆盖层(10)。
8.根据权利要求7的薄膜半导体元件(1)，其中，所述覆盖层(10)是箔。
9.根据权利要求7的薄膜半导体元件(1)，其中，所述覆盖层(10)包含透明材料。
10.根据权利要求7的薄膜半导体元件(1)，其中，所述覆盖层(10)具有光学结构。
11.根据权利要求10的薄膜半导体元件(1)，其中，所述覆盖层(10)被部分镜面化。
12.一种元件复合结构(13)，该复合结构具有至少两个根据权利要求1至11中任一项的薄膜半导体元件(1)，其中，所述薄膜半导体元件(1)具有共同的承载层(2)。
13.根据权利要求12的元件复合结构(13)，其中，在所述承载层(2)上在所述层堆叠(8)之间施加用于所述层堆叠(8)的释放侧电接触的共同接触垫(12)。
14.根据权利要求12或13的元件复合结构(13)，其中，所述薄膜半导体元件(1)串联连接。
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