TWI351733B - Dielectric spacers for metal interconnects and met - Google Patents

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TWI351733B
TWI351733B TW096115614A TW96115614A TWI351733B TW I351733 B TWI351733 B TW I351733B TW 096115614 A TW096115614 A TW 096115614A TW 96115614 A TW96115614 A TW 96115614A TW I351733 B TWI351733 B TW I351733B
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Makarem A Hussein
Boyan Boyanov
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Description

1351733 遲之方法。 【發明內容及實施方式】 描述用於積體電路中之具有電介質隔片之複數個金屬 互連以及製造具有電介質隔片的此種複數個金屬互連的程 序。在下列說明中，提出各種的細節，例如特定尺寸與化 學方法，以提供本發明之詳盡的了解。對熟悉該項技藝者 很明顯地，可不以這些特定細節實施本發明。在其他的例 子中，並未詳細描述已知的程序步驟，如圖案化步驟，以 不非必要地模糊本發明。此外，可理解到圖中顯示的各種 的實施例爲例式性的代表，且非絕對按比例繪製。 在此揭露金屬互連的電介質以及形成此種電介質隔片 的方法。將電介質隔片包含在金屬互連的側壁旁可使各種 金屬互連間有相對低的耦合電容、可提供複數個互連及其 連接的通孔之實體支撐、以及可提供未著底之通孔可駐著 於其上之區域。因此，可形成一種「氣隙」金屬互連架構 ，其提供包含到積體電路內之足夠的完整性以及提供可供 未著底之通孔「著底」之區域。 在金屬互連之間使用電介質隔片可減少金屬互連間的 耦合電容，或「串音」，因此，電介質隔片可用來減輕一 組的金屬互連內的「RC延遲」。並且，將電介質隔片包 含在金屬互連間得允許在此種金屬互連間的空間中使用減 少的介電常數之材料（如具有比二氧化矽更小的介電常數 之材料），進一步減少耦合電容。例如，金屬互連間之低 -5- 1351733 電介質層106的塡充。在一實施例中，間隙120足夠的寬 ，以減輕相鄰電介質隔片1 0 8間的串音。在一實施例中， 間隙120的寬度實質上等於電介質隔片1〇8間的寬度。在 另一實施例中，間隙120的寬度在5-20奈米的範圍中。 在一實施例中，間隙1 20的寬度大約爲相鄰金屬互連間之 距離的三分之一。 包含不接觸之電介質隔片之複數個金屬互連可能需要 結構性加強。根據本發明的一實施例，此種金屬互連陷入 下層的電介質層中，因而「固定（anchor)」金屬互連。 參照第2圖，包含阻障層216之金屬互連202與204陷入 電介質層206中。電介質隔片208可不陷入，但仍由間隙 220所分開且不連接，如第2圖中所示。在一實施例中， 結構200，包含複數個金屬互連，具有因固定金屬互連 202與2 04而導致之改善的結構完整性。在另一實施例中 ，凹陷的金屬互連202與204由金屬鑲嵌程序所形成，其 中在金屬鑲嵌圖案化步驟中形成陷入電介質層20 6的凹陷 〇 包含不連接之電介質隔片的複數個金屬互連可包含具 有可變化的間隔之主動金屬互連的架構。此種主動金屬互 連間之各種間隔的架構抑制完全氣隙架構的形成，因爲上 層電介質會塡入較寬的間隙中，因而增加間隔較遠的金屬 互連間的耦合電容。根據本發明的一實施例，假金屬互連 ’亦即不與積體電路的主動部分連接之金屬互連，用於在 金屬互連間維持均等間隔。參照第3圖，複數個金屬互連 -9-
1351733 300包含假金屬互連330。在一實 33〇阻擋電介質層306塡入在相鄰的 連接的電介質隔片間的間隙^ 替代與第3圖關聯之結構，包爸 動金屬互連的架構之包含不連接的電 屬互連可不包含假互連。根據本發明 電介質層塡入與互相間隔較遠的相鄰 接的電介質隔片間的間隙中。參照第 4 1 2與4 1 4間的間隔比相鄰金屬互連 更遠。在金屬互連402與404上之電 金屬互連402與404間的間隙中， 414上之電介質層4 4 0則塡入金屬互 隙中。在一實施例中，具有比電介質 度之間隙會被上層的電介質層440填 實施例，沉積電介質層440至足以J 4 1 4間的間隙之厚度，其中間隙的寬 寬度，以及厚度足以後續被磨光成在 之上與之間中的平表面，如第4圖中 —實施例，旋塗電介質層440至足以 4 1 4間的間隙之厚度，其中間隙的寬 寬度，以及厚度足以提供在金屬互連 間中的平表面，如第4圖中所示。 可由任何適當的方法製造金屬互 在電介質隔片的形成期間維持金屬互 施例中，假金屬互連 J主動金屬互連上之不 Γ具有可變化間隔之主 :介質隔片之複數個金 丨之一實施例，由上層 ;金屬互連關聯之不連 4圖，相鄰金屬互連 402與404間的間隔 :介質層406不會塡入 而在金屬互連412與 連4 1 2與4 1 4間的間 隔片的寬度更大的寬 :補。根據本發明之一 眞補金屬互連412與 度大於電介質隔片的 金屬互連412與414 所示。根據本發明之 塡補金屬互連412與 度大於電介質隔片的 412與414之上與之 連的電介質隔片，以 連的完整性以及下層 -10- 1351733 的電介質層。根據本發明之一實施例，第5A-J圖顯示在 積體電路中之複數個金屬互連之不連接的電介質隔片之形 _ 成。參照第5A圖，結構5〇〇可包含複數個互連、半導體 基底、或半導體或電子裝置的陣列的一部分。在一實施例 中，結構5 00爲由電介質層圍住之互補金屬氧化物半導體 (CMOS )電晶體的陣列。電介質層502沉積在結構500 上，如第5A圖所示。電介質層502可由任何適當的技術 • 沉積，該技術在結構500之上提供實質上一致的覆蓋之電 介質層5 02。在一實施例中，由旋塗程序、化學蒸氣沉積 程序、或基於聚合物之化學蒸氣沉積程序沉積電介質層 5〇2。電介質層502可包含任何適當的材料，作爲具有電 介質隔片之複數個金屬互連的耐用基部。在一實施例中， 電介質層5 02由二氧化矽、矽酸鹽、或具有0-10%的孔 隙率之摻雜碳的氧化物所構成。 可由任何適合的技術在電介質層502上形成金屬互連 。在一實施例中，由施加至平坦金屬薄膜之減去式蝕刻程 序來形成金屬互連。在另一實施例中，由金屬鑲嵌技術形 成金屬互連。參照第5B-5D圖，可使用利用犧牲電介質 層之金屬鑲嵌技術來形成金屬互連。犧牲電介質層504可 由在電介質層502之上提供實質上一致的覆蓋之犧牲電介 質層504的任何適當的技術形成，如第5B圖中所示。在 一實施例中，由旋塗程序、化學蒸氣沉積程序、或基於聚 合物之化學蒸氣沉積程序沉積犧牲電介質層504。犧牲電 介質層504可包含後續被移除而不影響電介質層502或金 1351733 % 屬互連之任何適當的材料。在一實施例中，犧牲電 5 04由具有20-3 5 %的孔隙率之摻雜碳的氧化物所精 參照第5C圖’可圖案化犧牲電介質層504以 案化的犧牲電介質層506，其暴露電介質層502的 。可接著在圖案化的犧牲電介質層中，在電介質層 暴露出來之表面上，形成金屬互連510，如第5D 示。可由任何適合的技術形成金屬互連510，其塡 化的犧牲電介質層506中形成的溝槽。在一實施例 電性沉積程序接著化學機械硏磨步驟來沉積金屬互 。金屬互連510可包含從金屬互連的一端傳導電流 互連的另一端之任何適當的材料。在一實施例中， 連510由銅、銀、鋁、或上述之合金所構成。在另 例中，金屬互連510包含散佈的碳奈米管陣列。 金屬互連510可包含阻障層508，如第5D圖 。阻障層508可由任何適當的技術沉積，其均勻地 成在圖案化的犧牲電介質層506的溝槽之側壁與底 一實施例中，由原子層沉積程序、化學蒸氣沉積程 物理蒸氣沉積程序來沉積阻障層508。阻障層508 適合用於禁止金屬互連510之電性遷移、防止金 510的氧化、或在金屬鑲嵌程序中提供晶核生成之 料。在一實施例中，阻障層508由鉬、鈦、氮化鉬 鈦：或上述之組合所構成。在另一實施例中，阻障 的厚度在50-1 5 0埃的範圍中。 金屬互連510亦包含蓋層512»蓋層512可包
介質層 I成。 形成圖 一部分 502的 圖中所 補圖案 中，由 連 5 10 至金屬 金屬互 一實施 中所示 圍繞形 部。在 序、或 可包含 屬互連 任何材 、氮化 層 508 含適合 < S -12- 1351733 用於禁止金屬互連內的電性遷移、防止金屬互連氧化、或 在形成電介質隔片的期間保護金屬互連之任何材料。蓋層 512亦可允許使用含氧電介質隔片》在一實施例中，蓋層 512包含銥、釕、鈷 '鈷/鎢合金、磷化鈷/鎢、磷化鈷硼 、或其之組合所構成。 可移除圖案化的犧牲電介質層506以提供獨立的金屬 互連510，如第5E圖中所示。可藉由任何適合的技術移 除圖案化的犧牲電介質層506，其中移除程序不會影響電 介質層502或金屬互連510。根據本發明之一實施例，圖 案化的犧牲電介質層506由具有20-35%的孔隙率之摻雜 碳的氧化物所構成、電介質層502由具有0-10%的孔隙 率之摻雜碳的氧化物所構成，以及以包含20-30%體積之 氫氧化四甲銨的濕蝕刻化學移除圖案化的犧牲電介質層 506 ° 參照第5F圖’可在金屬互連510以及在電介質層 502之暴露的表面上保角地沉積形成隔片電介質層514。 可由能夠形成保角或幾乎保角層之任何適合的技術沉積形 成隔片電介質層514。並且，可由不會過度加熱在複數個 互連下的任何電子或半導體裝置之何適合的技術沉積形成 隔片電介質層514。在一實施例中，在400。(：或以下之溫 度沉積形成隔片電介質層514。在另一實施例中，由原子 層沉積或化學蒸氣沉積來沉積形成隔片電介質層514。形 成隔片電介質層514可包含提供未著底之通孔可「著底」 之表面的任何適合的電介質材料。在一實施例中，形成隔 -13- 1351733 片電介質層514係由氮化矽、碳化矽、摻雜氮之碳化矽、 摻雜氧之碳化矽、摻雜硼之氮化碳、或摻雜硼之碳化矽。 在另一實施例中，形成隔片電介質層514係由摻雜硼的氮 化碳層所構成，其中藉由使甲烷、二硼烷、以及氨起作用 來形成該摻雜砸的氮化碳層。在一實施例中，形成隔片電 介質層514的厚度決定電介質隔片116的寬度，如下所述 〇 可圖案化形成隔片電介質層514以形成不連接的電介 質隔片516，如第5G圖中所示。可藉由從金屬互連510 的上表面或其各自的蓋層512以及從在金屬互連510間暴 露出來的電介質層5 02的上表面移除形成隔片電介質層 514的部分之任何適合的技術來圖案化隔片電介質層514 。因此，可保留下與金屬互連510的側壁或其各自的阻障 層5 08相鄰的形成隔片電介質層514的部分，以形成不連 接的電介質隔片516，如第5G圖中所示。在一實施例中 ，可藉由使用非等向性蝕刻程序來圖案化形成隔片電介質 層514以形成電介質隔片516。在另一實施例中，使用包 含具有之CxFy的通式之垂直乾或電漿蝕刻程序來圖案化 形成隔片電介質層514以形成電介質隔片516，其中X與 y爲自然數。在另一實施例中，使用包含自由基碳氟化合 物之垂直乾或電漿蝕刻程序來圖案化形成隔片電介質層 514以形成電介質隔片516。在一實施例中，電介質隔片 116的寬度係由形成隔片電介質層514的厚度所決定。在 另一實施例中，延伸非等向性蝕刻程序以移除電介質層 -14- 1351733 5 02的一部分。 參照第5Η圖，在金屬互連510上形成電介質隔片 516之後，可在金屬互連510或其各自的蓋層512上以及 電介質隔片516上沉積電介質層518。可由在金屬互連 510與511之上提供實質上平坦覆蓋且不實質上塡充相鄰 金屬互連510與511之電介質隔片之間的空間的任何適合 的技術來沉積電介質層518，如第5Η圖中所示。在一實 施例中’可由旋塗程序、化學蒸氣沉積程序、或基於聚合 物之化學蒸氣沉積程序來沉積電介質層518。電介質層 518可包含作爲新的一層金屬互連之耐用基部之任何適合 的材料。在一實施例中，電介質層518係由二氧化矽、矽 酸鹽、或具有0-10%的孔隙率之摻雜碳的氧化物所構成 可在相鄰的金屬互連510與511的電介質隔片516之 間以及電介質層5 02與5 1 8之間形成間隙5 20。可由能使 金屬互連510與511之間有微不足道之電容耦合之任何適 合的材料或氣體構成間隙520。在一實施例中，由空氣構 成間隙5 20。在另一實施例中，由具有25-40%的孔隙率 之摻雜碳的氧化物構成間隙5 20，如連同第6A-C圖所述 〇 參照第51圖，可圖案化電介質層518以在金屬互連 511或其各自的蓋層512的至少一部分上形成通孔溝槽 5 3 0。不直接在金屬互連511的上表面上或其各自的蓋層 512上的通孔溝槽530的任何部分可在電介質隔片516的 -15- 1351733 一部分上。根據本發明之—實施例，電介質隔片516提供 未著底之通孔溝槽530可著底之表面，如第51圖中所示 。參照第5J圖，可在電介質層5丨8上形成第二層的金屬 互連522與524。根據本發明之一實施例，金屬互連524 透過未著底通孔5 26與下層的金屬互連511連接。因此， 可形成具有不連接的電介質隔片之「氣隙」金屬互連架構 ’其提供包含到積體電路內之足夠的完整性以及提供未著 底之通孔「著底」之區域。 根據本發明之一實施例，可由空氣之外的材料塡充第 5H圖之間隙520，如第6A-C圖中所示。參照第6B圖， 可在第6A圖中所示的結構上沉積有空隙之電介質層660 (其與第5G圖中所示的結構類似）。有空隙之電介質層 660可由能使金屬互連610間有微不足道的電容耦合之任 何適合的材料所構成。在一實施例中，有空隙之電介質層 660的介電常數介於丨與2.5。在另一實施例中，有空隙 之電介質層660由具有25-40 %的孔隙率之摻雜碳的氧化 物所構成。在一實施例中，有空隙之電介質層660的介電 常數小於電介質層6 02的介電常數。可接著在金屬互連 610上或其各自的金屬蓋612上、在電介質隔片616上、 以及有空隙之電介質層660上沉積電介質層618。在一實 施例中，有空隙之電介質層660的介電常數小於電介質層 618的介電常數。因此，可形成具有不連接的電介質隔片 之「超低K氣隙」金屬互連架構’其提供包含到積體電 路內之足夠的完整性以及提供未著底之通孔「著底J之區 -16 - 1351733 域。 在圖案化形成隔片電介質層514以形成電介質隔片 516的期間（於上第5F與5G圖），不完全蝕刻程序可在 金屬互連上以及在電介質隔片之間的電介質層的部分上留 下形成隔片電介質層514之殘留部份。根據本發明之—實 施例，形成隔片電介質層514之不完全的圖案化會在電介 質層702之上以及金屬互連710之上造成「稍微連接」的 電介質隔片716以及殘留電介質材料770，如第7圖中所 示。因此，可形成具有稍微連接的電介質隔片之「氣隙」 金屬互連架構，其提供包含到積體電路內之足夠的完整性 以及提供未著底之通孔「著底」之區域。 雖上述的實施例考量到用於金屬互連之不連接的電介 質隔片，本發明不限於金屬互連的使用。可將導電奈米碳 管綑在一起並用作微互連，以將電子或半導體裝置包含入 積體電路中。根據本發明之一實施例，連同基於導電奈米 碳管之互連一起使用不連接的電介質隔片。因此，可在基 於導電奈米碳管之互連的側壁上形成不連接的電介質隔片 ，以減少與此種互連關聯的RC延遲、提供互連架構的耐 用性、或提供未著底之通孔可著底之表面。 因此，已描述包含電介質隔片的複數個金屬互連以及 形成此種電介質隔片的方法。在一實施例中，與相鄰的金 屬互連鄰接的電介質隔片互不連接。在另一實施例中，與 相鄰的金屬互連鄰接的電介質隔片稍微連接。在一實施例 中，電介質隔片可提供未著底之通孔可有效著底之區域。 -17- 1351733 【圖式簡單說明】 第1圖顯示根據本發明之一實施例的描繪著底通孔與 " 未著底通孔之具有不連接的隔片之複數個互連的剖面圖。 • 第2圖顯示根據本發明之一實施例的具有不連接的隔 片之一對互連的剖面圖，其中互連陷入下層的電介質層中 〇 φ 第3圖顯示根據本發明之一實施例的描繪假互連之具 有不連接的隔片之複數個互連的剖面圖。 第4圖顯示根據本發明之一實施例的具有不連接的隔 片之複數個互連的剖面圖，其描繪在金屬互連旁塡充有電 介質層之大間隔。 第5A-J圖顯示根據本發明之一實施例的代表包含形 成不連接的電介質隔片之步驟的複數個互連之形成的剖面 I 〇,1 圖〇 ♦ 第6A-C圖顯示根據本發明之一實施例的代表具有不 連接的電介質隔片之複數個互連之形成的剖面圖。 第7圖顯示根據本發明之一實施例的具有稍微連接的 電介質隔片之複數個互連的剖面圖。 【主要元件符號說明】 100 :結構 102 、 104 、 110 :金屬互連 106 :電介質層 -18- 1351733 1 08 :電介質隔片 1 1 2 :未著底通孔 1 1 4 :著底通孔 1 1 6 :阻障層 1 1 8 :蓋層 1 2 0 :間隙 200 :結構 202、204 :金屬互連 206 :電介質層 208 :電介質隔片 2 1 6 :阻障層 2 2 0 :間隙 3 00 :金屬互連 3 3 0 :假金屬互連 402、 404、 412、 414:金屬互連 406、440 :電介質層 500 :結構 502 :電介質層 504 :犧牲電介質層 506:圖案化的犧牲電介質層 5 0 8 :阻障層 510、511 :金屬互連 5 1 2 :蓋層 5 1 4 :形成隔片電介質層 -19- 1351733 516 :電介質隔片 5 18 :電介質層 5 2 0 :間隙 5 22、524 :金屬互連 ' 5 26 :未著底通孔 5 3 0 :通孔溝槽 602 :電介質層 φ 6 1 0 :金屬互連 6 1 2 :金屬蓋 616 :電介質隔片 618 :電介質層 660 :有空隙之電介質層 702 :電介質層 7 1 0 :金屬互連 7 1 6 :電介質隔片 # 77〇 :電介質材料 -20-

Claims (1)

1351733 ‘· ' π年ι ^日修(更)正本 附件t/i :第096115614號申請專利範圍修正本 日修正 質層之上 質層之上 該第一互 一與該第 該第一互 該第一互 該第二互 —與該第 第二互連 第二互連 互不連接 的第一間 民國100年2 J 十、申請專利範圍 1. 一種具有複數個互連的電子結構，包含： 第一電介質層； 第一互連，其中該第一互連係在該第一電介 t φ 第二互連，其中該第二互連係在該第一電介 ，以及其中該第二互連與該第一互連間隔； 第一電介質隔片，其中該第一電介質隔片與 連之側壁鄰接，其中該第一電介質隔片係在該第 二互連之間中，以及其中從該第一互連之上部至 連之底部該第一電介質隔片係朝外呈錐狀而離開 連之該側壁； 第二電介質隔片，其中該第二電介質隔片與 φ 連之側壁鄰接，其中該第二電介質隔片係在該第 二互連之間之中，其中從該第二互連之上部至該 之底部該第二電介質隔片係朝外呈錐狀而離開該 之該側壁，以及其中該第一與該第二電介質隔片 並且具有在該第一與該第二電介質隔片之間之中 隙；以及 第二電介質層，其中該第二電介質層在該第一與該第 二互連之上，其中該第二電介質層在該第一與該第二電介 質隔片之上，以及其中該第二電介質層在該第一與該第二 1351733 電介質隔片之間之中的該第一間隙之上。 2. 如申請專利範圍第1項之結構，其中該第一間隙 由空氣構成。 3. 如申請專利範圍第1項之結構，其中該第一與該 第二電介質隔片的介電常數大於該第一與該第二電介質層 的介電常數，以及其中該第一與該第二電介質層的介電常 數大於該第一間隙的介電常數。 4. 如申請專利範圍第3項之結構，其中該第一與該 φ 第二電介質隔片由氮化矽、碳化矽、摻雜氮之碳化矽、摻 雜氧的碳化矽、摻雜硼的氮化碳或摻雜硼的碳化矽構成， 其中該第一與該第二電介質層由二氧化矽、矽酸鹽、或具 有0-10%孔隙度之摻雜碳的氧化物構成，以及其中該第一 間隙由具有2 5-40%孔隙度之摻雜碳的氧化物或空氣構成 〇 5. 如申請專利範圍第1項之結構，其中該第一與該 第二電介質隔片的寬度實質上等於該第一間隙的寬度。 φ 6. 如申請專利範圍第5項之結構，其中該第一與該 第二電介質隔片的寬度在5-20奈米的範圍中。 7. 如申請專利範圍第1項之結構，進一步包含： 一通孔，其中該通孔的至少一部分在該第二電介質層 中，其中該通孔在該第一互連的上表面的—部分之上，以 及其中該通孔在該第一電介質隔片的上表面的一部分之上 〇 8. 如申請專利範圍第1項之結構，其中該第一與該 -2- 1351733 第二互連陷入該第一電介質層中。 9. 如申請專利範圍第1項之結構，進一步包含： 第三互連，其中該第三互連在該第一電介質層之上， 其中該第三互連與該第二互連間隔； 第三電介質隔片，其中該第三電介質隔片與該第二互 連的側壁鄰接，其中從該第二互連之上部至該第二互連之 底部該第三電介質隔片係朝外呈錐狀而離開該第二互連之 該側壁，以及其中該第三電介質隔片在該第二與該第三互 連之間之中； 第四電介質隔片，其中該第四電介質隔片與該第三互 連之側壁鄰接，其中該第四電介質隔片係在該第二與該第 三互連之間之中，其中從該第三互連之上部至該第三互連 之底部該第四電介質隔片係朝外呈錐狀而離開該第三互連 之該側壁，其中該第三與該第四電介質隔片互不連接並且 具有在該第三與該第四電介質隔片之間之中的第二間隙， 其中該第二間隙的寬度大於該第一與第二電介質隔片之間 之中的該第一間隙的寬度，以及其中該第二電介質層在該 第三與該第四電介質隔片之間之中的該第二間隙之中。 10. 如申請專利範圍第1項之結構，進—步包含： 第三互連，其中該第三互連在該第一電介質層之上， 其中該第三互連與該第二互連間隔，以及其中該第二互連 爲假互連； 第三電介質隔片，其中該第三電介質隔片與該第二互 連的側壁鄰接，以及其中該第三電介質隔片在該第二與該 -3- 1351733 第三互連之間之中，其中從該第二互連之上部至該第二互 連之底部該第三電介質隔片係朝外呈錐狀而離開該第二互 連之該側壁； 第四電介質隔片，其中該第四電介質隔片與該第三互 連之側壁鄰接，其中該第四電介質隔片係在該第二與該第 三互連之間之中，其中從該第三互連之上部至該第三互連 之底部該第四電介質隔片係朝外呈錐狀而離開該第三互連 之該側壁，其中該第三與該第四電介質隔片互不連接並且 φ 具有在該第三與該第四電介質隔片之間之中的第二間隙， 其中該第二間隙的寬度實質上等於在該第一與該第二電介 質隔片之間之中的該第一間隙的寬度，以及其中該第二電 介質層在該第三與該第四電介質隔片之間之中的該第二間 隙之上。 11·如申請專利範圍第1 〇項之結構，其中該第一與 該第二間隙由空氣構成。 12. 如申請專利範圍第10項之結構，其中該第一、 φ 該第二、該第三、及該第四電介質隔片的寬度實質上等於 該第一與該第二間隙的寬度。 13. —種製造具有複數個互連之電子結構的方法，包 含： 形成第一電介質層； 形成第一與第二互連，其中該第一與該第二互連形成 在該第一電介質層之上，以及其中該第一互連與該第二互 連間隔； -4 - 1351733 於該第一與該第二互連之上、沿著該第一與該第 連之側壁、以及在該第一與該第二互連之間之中的該 質層的上表面之上沉積形成隔片之電介質層； 移除在該第一與該第二互連之上以及在該第一與 二互連之間之中的該第一電介質層的該上表面之上的 成隔片之電介質層之區域的一部分，以形成與該第一 第二互連之該些側壁鄰接的電介質隔片，在位在該第 該第二互連之間的該些電介質隔片之間之中有間隙， 從該第二互連之上部至該第二互連之底部該第二電介 片係朝外呈錐狀而離開該第二互連之該側壁；以及 於該第一與該第二互連之上、在位在該第一與該 互連之間的該些電介質隔片之間之中的該間隙之上、 與該第一與該第二互連的該些側壁鄰接之該些電介質 之上形成第二電介質層。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之方法，其中移除 第一與該第二互連之上以及在該第一與該第二互連之 中的該第一電介質層的該上表面之上的該形成隔片之 質層之該些區域的該部分暴露出該第一與該第二互連 些上表面以及暴露出在該第一與該第二互連之間之中 第一電介質層之該上表面，以形成與該第一與該第二 之該些側壁鄰接之不連接的電介質隔片。 1 5 .如申請專利範圍第1 3項之方法，其中由化 氣沉積程序或由原子層沉積程序沉積該形成隔片的電 層，以及其中該形成隔片的電介質層由氮化矽、碳化 二互 電介 該第 該形 與該 一與 其中 質隔 第二 及在 隔片 在該 間之 電介 之該 的該 互連 學蒸 介質 矽、 -5- 1351733 摻雜氮之碳化矽、摻雜氧的碳化矽、摻雜硼的氮化碳或摻 雜硼的碳化矽構成。 16. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該形成隔 片的電介質層由摻雜硼的氮化碳層構成，以及其中藉由使 氣體甲烷、二硼烷、及氨起作用而形成該摻雜硼的氮化碳 層。
17. 如申請專利範圍第13項之方法，其中移除在該 第一與該第二互連之上以及在該第一與該第二互連之間之 中的該第一電介質層的該上表面之上的該形成隔片之電介 質層之該些區域的該部分包含使用非等向性蝕刻程序。 18. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該第一與 該第二電介質層由旋塗程序、化學蒸氣沉積程序、或基於 聚合物之化學蒸氣沉積程序所形成。
19. 如申請專利範圍第18項之方法，其中該第一與 該第二電介質層由二氧化矽、矽酸鹽、或具有0-10%孔隙 度之摻雜碳的氧化物所構成。 20. 如申請專利範圍第13項之方法，進一步包含： 在形成該第一與該第二互連之前在該第一電介質層上 形成犧牲電介質層：以及 在形成該第一與該第二互連之後以及在沉積該形成隔 片電介質層之前移除該犧牲電介質層，其中不影響該第一 電介質層地移除該犧牲電介質層。
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7649239B2 (en) * 2006-05-04 2010-01-19 Intel Corporation Dielectric spacers for metal interconnects and method to form the same
US7977228B2 (en) * 2006-06-29 2011-07-12 Intel Corporation Methods for the formation of interconnects separated by air gaps
US7772702B2 (en) * 2006-09-21 2010-08-10 Intel Corporation Dielectric spacers for metal interconnects and method to form the same
US7871923B2 (en) * 2007-01-26 2011-01-18 Taiwan Semiconductor Maufacturing Company, Ltd. Self-aligned air-gap in interconnect structures
US8446012B2 (en) * 2007-05-11 2013-05-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Interconnect structures
US8553449B2 (en) * 2009-01-09 2013-10-08 Micron Technology, Inc. STT-MRAM cell structures
JP2010258215A (ja) * 2009-04-24 2010-11-11 Renesas Electronics Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US8456009B2 (en) 2010-02-18 2013-06-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor structure having an air-gap region and a method of manufacturing the same
KR20120025315A (ko) * 2010-09-07 2012-03-15 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9960110B2 (en) 2011-12-30 2018-05-01 Intel Corporation Self-enclosed asymmetric interconnect structures
KR101983219B1 (ko) * 2012-05-31 2019-05-29 에스케이하이닉스 주식회사 에어갭을 구비한 반도체장치 및 그 제조 방법
CN102938399B (zh) * 2012-11-02 2016-03-30 上海华力微电子有限公司 一种介电常数可调整的金属互连层及其制作方法
US8772938B2 (en) 2012-12-04 2014-07-08 Intel Corporation Semiconductor interconnect structures
US8900989B2 (en) * 2013-03-06 2014-12-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of fabricating an air gap using a damascene process and structure of same
JP6214222B2 (ja) * 2013-06-04 2017-10-18 ローム株式会社 半導体装置の製造方法
US8962464B1 (en) * 2013-09-18 2015-02-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Self-alignment for using two or more layers and methods of forming same
US9893009B2 (en) * 2014-01-10 2018-02-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Duplicate layering and routing
KR102414130B1 (ko) 2014-04-01 2022-06-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 집적된 금속 스페이서 및 에어 갭 인터커넥트
US9666534B2 (en) * 2014-05-13 2017-05-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor interconnect structure and manufacturing method thereof
KR102183038B1 (ko) * 2014-07-16 2020-11-26 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조 방법
KR102403741B1 (ko) 2015-06-16 2022-05-30 삼성전자주식회사 반도체 장치
US10269636B2 (en) 2017-05-26 2019-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
CN107680953B (zh) * 2017-11-09 2023-12-08 长鑫存储技术有限公司 金属内连线的互连结构及其形成方法、半导体器件
US10781519B2 (en) * 2018-06-18 2020-09-22 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for processing substrate
CN110021574A (zh) * 2019-04-19 2019-07-16 上海华虹宏力半导体制造有限公司 半导体器件结构及其制造方法
TWI801614B (zh) * 2019-06-21 2023-05-11 聯華電子股份有限公司 半導體元件及其製作方法
US11450601B2 (en) * 2019-09-18 2022-09-20 Micron Technology, Inc. Assemblies comprising memory cells and select gates
JP2021150341A (ja) * 2020-03-16 2021-09-27 キオクシア株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
KR20220158340A (ko) * 2021-05-24 2022-12-01 삼성전자주식회사 게이트 구조체를 갖는 반도체 소자들 및 그 형성 방법
US20230260830A1 (en) * 2022-02-14 2023-08-17 Nanya Technology Corporation Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Family Cites Families (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5407860A (en) * 1994-05-27 1995-04-18 Texas Instruments Incorporated Method of forming air gap dielectric spaces between semiconductor leads
US5656543A (en) * 1995-02-03 1997-08-12 National Semiconductor Corporation Fabrication of integrated circuits with borderless vias
US5759913A (en) 1996-06-05 1998-06-02 Advanced Micro Devices, Inc. Method of formation of an air gap within a semiconductor dielectric by solvent desorption
US5880018A (en) * 1996-10-07 1999-03-09 Motorola Inc. Method for manufacturing a low dielectric constant inter-level integrated circuit structure
US6303464B1 (en) 1996-12-30 2001-10-16 Intel Corporation Method and structure for reducing interconnect system capacitance through enclosed voids in a dielectric layer
US6576976B2 (en) * 1997-01-03 2003-06-10 Integrated Device Technology, Inc. Semiconductor integrated circuit with an insulation structure having reduced permittivity
JP2962272B2 (ja) * 1997-04-18 1999-10-12 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP3228181B2 (ja) * 1997-05-12 2001-11-12 ヤマハ株式会社 平坦配線形成法
US6577011B1 (en) * 1997-07-10 2003-06-10 International Business Machines Corporation Chip interconnect wiring structure with low dielectric constant insulator and methods for fabricating the same
US5876798A (en) * 1997-12-29 1999-03-02 Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. Method of fluorinated silicon oxide film deposition
US5982035A (en) 1998-06-15 1999-11-09 Advanced Micro Devices, Inc. High integrity borderless vias with protective sidewall spacer
KR100275551B1 (ko) 1998-08-26 2001-01-15 윤종용 반도체 메모리 장치의 콘택 형성 방법
KR100286126B1 (ko) 1999-02-13 2001-03-15 윤종용 다층의 패시배이션막을 이용한 도전층 사이에 공기 공간을 형성하는 방법
US6303404B1 (en) 1999-05-28 2001-10-16 Yong Tae Moon Method for fabricating white light emitting diode using InGaN phase separation
US6365453B1 (en) * 1999-06-16 2002-04-02 Micron Technology, Inc. Method and structure for reducing contact aspect ratios
KR100299521B1 (ko) 1999-06-25 2001-11-01 박종섭 반도체 소자의 배선 형성방법
US6556962B1 (en) * 1999-07-02 2003-04-29 Intel Corporation Method for reducing network costs and its application to domino circuits
US6440839B1 (en) 1999-08-18 2002-08-27 Advanced Micro Devices, Inc. Selective air gap insulation
US6252290B1 (en) * 1999-10-25 2001-06-26 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method to form, and structure of, a dual damascene interconnect device
JP3943320B2 (ja) * 1999-10-27 2007-07-11 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法
KR100308187B1 (ko) 1999-11-05 2001-11-02 윤종용 디램 셀 제조방법 및 그에 의해 제조된 디램 셀
KR20010063852A (ko) * 1999-12-24 2001-07-09 박종섭 반도체소자의 자기정렬적인 콘택 형성방법
US6815329B2 (en) * 2000-02-08 2004-11-09 International Business Machines Corporation Multilayer interconnect structure containing air gaps and method for making
US6287979B1 (en) * 2000-04-17 2001-09-11 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method for forming an air gap as low dielectric constant material using buckminsterfullerene as a porogen in an air bridge or a sacrificial layer
US6265321B1 (en) 2000-04-17 2001-07-24 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Air bridge process for forming air gaps
JP2002050686A (ja) 2000-08-03 2002-02-15 Seiko Epson Corp 半導体装置およびその製造方法
US6413852B1 (en) * 2000-08-31 2002-07-02 International Business Machines Corporation Method of forming multilevel interconnect structure containing air gaps including utilizing both sacrificial and placeholder material
US6423630B1 (en) 2000-10-31 2002-07-23 Lsi Logic Corporation Process for forming low K dielectric material between metal lines
DE10109877A1 (de) * 2001-03-01 2002-09-19 Infineon Technologies Ag Leiterbahnanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Leiterbahnanordnung
US7132363B2 (en) 2001-03-27 2006-11-07 Advanced Micro Devices, Inc. Stabilizing fluorine etching of low-k materials
US6472266B1 (en) 2001-06-18 2002-10-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method to reduce bit line capacitance in cub drams
DE10140754A1 (de) * 2001-08-20 2003-03-27 Infineon Technologies Ag Leiterbahnanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Leiterbahnanordnung
US7026235B1 (en) * 2002-02-07 2006-04-11 Cypress Semiconductor Corporation Dual-damascene process and associated floating metal structures
US20040002207A1 (en) * 2002-02-11 2004-01-01 Cabot Microelectronics Corporation Method of ultra low-k device fabrication
US7042095B2 (en) 2002-03-29 2006-05-09 Renesas Technology Corp. Semiconductor device including an interconnect having copper as a main component
US6897508B2 (en) 2002-05-01 2005-05-24 Sundew Technologies, Llc Integrated capacitor with enhanced capacitance density and method of fabricating same
US20040084774A1 (en) * 2002-11-02 2004-05-06 Bo Li Gas layer formation materials
US6764919B2 (en) * 2002-12-20 2004-07-20 Motorola, Inc. Method for providing a dummy feature and structure thereof
US6972217B1 (en) 2002-12-23 2005-12-06 Lsi Logic Corporation Low k polymer E-beam printable mechanical support
US7144803B2 (en) * 2003-04-17 2006-12-05 Semiconductor Research Corporation Methods of forming boron carbo-nitride layers for integrated circuit devices
US6713835B1 (en) * 2003-05-22 2004-03-30 International Business Machines Corporation Method for manufacturing a multi-level interconnect structure
US7304388B2 (en) * 2003-06-26 2007-12-04 Intel Corporation Method and apparatus for an improved air gap interconnect structure
US6995073B2 (en) 2003-07-16 2006-02-07 Intel Corporation Air gap integration
TWI304633B (en) * 2003-08-25 2008-12-21 Promos Technologies Inc Semiconductor device and fabricating method thereof
US7361991B2 (en) * 2003-09-19 2008-04-22 International Business Machines Corporation Closed air gap interconnect structure
KR101021177B1 (ko) 2003-12-11 2011-03-15 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법
US7125793B2 (en) * 2003-12-23 2006-10-24 Intel Corporation Method for forming an opening for an interconnect structure in a dielectric layer having a photosensitive material
US7088003B2 (en) * 2004-02-19 2006-08-08 International Business Machines Corporation Structures and methods for integration of ultralow-k dielectrics with improved reliability
KR100552856B1 (ko) 2004-04-23 2006-02-22 동부아남반도체 주식회사 반도체 소자의 제조방법
US20080166870A1 (en) * 2004-06-04 2008-07-10 International Business Machines Corporation Fabrication of Interconnect Structures
US20050285269A1 (en) 2004-06-29 2005-12-29 Yang Cao Substantially void free interconnect formation
US7109068B2 (en) * 2004-08-31 2006-09-19 Micron Technology, Inc. Through-substrate interconnect fabrication methods
US7176119B2 (en) * 2004-09-20 2007-02-13 International Business Machines Corporation Method of fabricating copper damascene and dual damascene interconnect wiring
US7560375B2 (en) * 2004-09-30 2009-07-14 International Business Machines Corporation Gas dielectric structure forming methods
JP4106048B2 (ja) 2004-10-25 2008-06-25 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
KR100583965B1 (ko) 2004-12-31 2006-05-26 삼성전자주식회사 비트라인들 간의 기생 커패시턴스를 줄일 수 있는반도체소자의 제조방법 및 그에 의해 제조된 반도체소자
US7528028B2 (en) * 2005-06-17 2009-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Super anneal for process induced strain modulation
US7312512B2 (en) 2005-09-28 2007-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Interconnect structure with polygon cell structures
US7649239B2 (en) 2006-05-04 2010-01-19 Intel Corporation Dielectric spacers for metal interconnects and method to form the same
US7619310B2 (en) 2006-11-03 2009-11-17 Infineon Technologies Ag Semiconductor interconnect and method of making same

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