TWI351548B

TWI351548B - Manufacturing method of liquid crystal display dev

Info

Publication number: TWI351548B
Application number: TW096100350A
Authority: TW
Inventors: Shunpei Yamazaki; Toru Takayama; Junya Maruyama; Yuugo Goto; Yumiko Ohno; Akio Endo; Yasuyuki Arai
Original assignee: Semiconductor Energy Lab
Priority date: 2003-01-15
Filing date: 2004-01-06
Publication date: 2011-11-01
Also published as: CN102354067A; US20040169786A1; US8634041B2; KR20040066015A; US8218105B2; TW200415422A; KR20100113468A; CN102354067B; KR101072411B1; US8040456B2; US20110201141A1; EP1439410A2; TW200714978A; US20120220062A1; TWI351566B; CN1517753A; EP1439410A3; KR101019136B1

Description

1351548 (1) 九、發明說明 . 【發明所屬之技術領域】本發明係關於一種液晶顯示裝置，尤其係關於裝載在攜帶型電子器具的透射（透光）類型液晶顯示裝置。並且 ’本發明亦關於液晶顯示裝置的製造方法，尤其關於裝載在攜帶型電子器具的透射類型液晶顯示裝置的製造方法。 ' 而且，本發明還關於使用該液晶顯示裝置的電子器具。【先前技術】以行動電話和電子書爲典型的攜帶型電子器具一方面 . 被要求具有各種各樣的功能，諸如在平面平板顯示器上顯示影像，收發電子郵件，識別聲頻，由小型照相機收錄影 ' 像等，另一方面，用戶對電子産品的小體積化，輕巧化的需求依然強烈。這樣，就必然對在攜帶型電子産品的有限容積中裝載更大規模的電路或更大儲存量的積體電路（1C Φ)的發展提出新的挑戰。要做到即確保收納1C的空間，又實現攜帶型電子器 ^ 具的小體積化，輕巧化，怎樣把平面平板顯示器做得更薄，更輕是關鍵。例如在攜帶型電子器具中較多使用的液晶顯示裝置的情形中，藉由減薄用於內密封有液晶的平板的玻璃基底的厚度，或將液晶顯示裝置製成不需要光源或光波導的反射類型，可以在某種程度上實現小體積化，輕巧化。但是，如果從平板的機械強度的角度考慮，無限制地 -5- (2) 1351548 < « . 減薄玻璃基底是不實際的。例如當使用鋇硼矽玻璃，鋁氧 . 硼矽玻璃等時’ 3英寸的平板的厚度充其量薄到i—amm左右，重量輕到log左右已是極限。另外，利用外界光的反射型液晶顯示裝置，在暗處很難識別影像，因此不能充分發揮隨處可以使用的攜帶型電子器具的優勢。 * 【發明內容】 Φ 本發明的目的是在不妨礙攜帶型電子器具的輕巧化或小體積化的情況下，實現高功能化。確切地說，本發明的目的是在不損傷搭載在攜帶型電子器具的液晶顯示裝置的 . 機械強度的情況下，實現輕巧化，小體積化。本發明的液晶顯示裝置使用諸如發光二極體（LED ) ' ，電致發光元件等作爲光源。然後，用有透光性的樹脂覆蓋提供在有柔性的塑膠基底上的發光元件，從而達到平整的目的，隨後，在平整過的樹脂上提供液晶單元以及驅動鲁該液晶單元的半導體裝置。在本說明書中，將光源處於發光元件被樹脂覆蓋的狀態稱作爲固態光源。 . 通常塑膠基底由於有柔性，比玻璃基底在對振蕩，衝擊的機械強度上有優勢，並且，其厚度也容易減薄。然而，塑膠基底和樹脂在耐熱性上沒有優勢，不能承受在製造用於液晶顯示裝置的半導體裝置的過程中的加熱處理。所以本發明先在可以承受上述加熱處理的有耐熱性的基底上形成半導體裝置，然後將製成的半導體裝置轉移到固態光源上。 -6- (3) 1351548 本發明的液晶顯示裝置中提供有將從發另光反射到液晶單元一側的裝置。具體地說，i 射板黏附到塑膠基底上，或是在塑膠基底的_ 沈澱的方法形成金屬膜（以下稱爲反射膜），而且，在覆蓋發光元件的樹脂，和半導體裝濯元之間設置偏振片。下文中將具體說明本發明的液晶顯示裝置 φ 方法。首先，準備一個有耐熱性的第一基底，該受半導體裝置的製造技術過程中的加熱處理》一基底上形成金屬膜，藉由將該金屬膜的表面成極薄的厚幾nm的金屬氧化膜。然後，在該上依次形成並層疊絕緣膜，半導體膜。絕緣膜，也可以是層疊多個薄膜而形成的疊層。例如氮化矽，氮氧化矽或氧化矽等。然後用該半導 φ於液晶顯示裝置的半導體裝置。形成半導體裝置後，在完成液晶單元之前該半導體裝置的第二基底，這樣就使半導體裝第一基底和第二基底中間的狀態。液晶單元包，相對電極，以及提供在該圖素電極和相對電晶。而且，在此所述的A完成液晶單元之前〃，是指在製造完和半導體裝置之一的TFT電單元中的圖素.電極，以及覆蓋該圖素電極的配並且在黏合其上形成有相對電極的相對基底之 :元件發出的將現有的反面上用蒸發以反射光。以及液晶單的第一製造基底能夠承隨後，在第氧化從而形金屬氧化膜可以是單層，可以採用體膜製造用，黏貼覆蓋置處於夾在括圖素電極極之間的液，具體地說連接的液晶向膜之後，前的階段。 (4) 1351548 然後，在第一基底的形成有半導體裝置的反面黏合用來強化第一基底剛性的第三基底。第一基底如比第二基底的剛性大，則當剝離第一基底時，不容易損傷半導體裝置，且能夠順利進行撕剝。注意，如果在後來的從半導體裝置上剝離第一基底時，該第一基底有足夠的剛性，就不用在第一基底上黏接第三基底。隨後，執行加熱處理以晶化金屬氧化膜，加強金屬氧 φ化膜的脆性使第一基底容易從半導體裝置上被剝離下來。第一基底和第三基底一起從半導體裝置上被剝離下來。另外，晶化金屬氧化膜的加熱處理可以在黏貼第三基底之前實施，也可以在黏貼第二基底之前實施。或者，將在形成半導體裝置的技術中實施的加熱處理兼用於該金屬氧化膜的晶化技術。然後，第一基底和第三基底一起從半導體裝置被剝離下來。由於該剝離技術，産生了金屬膜和金屬氧化膜之間 •分離的部分；絕緣膜和金屬氧化膜之間分離的部分；以及金屬氧化膜自身雙方分離的部分。不管怎樣，半導體裝置黏附在第二基底上，但要從第一基底上被剝離下來。另一方面，準備一個塑膠基底，該基底提供在光源側 ’是用來黏合半導體裝置的。爲了區別後繼技術中使用的提供在相對電極側的塑膠基底，下文中將這個塑膠基底稱爲裝置基底。在該裝置基底上配備發光元件，並且塗敷覆蓋該發光元件的樹脂。然後，在平整過的樹脂上黏合第一偏振片。 -8 - (5) 1351548 接下來，將第一偏振片用黏合劑等黏接到在剝離第一基底後處於黏附在第二基底狀態的半導體裝置上。然後’ 剝離第二基底’這樣’半導體裝置就處於固定在裝置基底上的狀態。隨後，製造提供在液晶顯示裝置中的液晶單元。具體地說，另行製造其上形成有相對電極和第二偏振片等的塑膠基底（下文中簡稱爲相對基底）以備用’黏合該相對基 |底和裝置基底並且注入液晶’這樣就完成了液晶單元的製造。注意，除了相對電極和第二偏振片以外’還可以在相對基底上預先形成顔色濾光片’配向膜或黑矩陣等。其次，將說明本發明的液晶顯示裝置的第二製造方法〇首先，準備一個有耐熱性的第一基底，該基底能夠承受半導體裝置的製造技術過程中的加熱處理。隨後，在第一基底上形成金屬膜，藉由將該金屬膜的表面氧化從而形 •成極薄的厚幾nm的金屬氧化膜。然後，在該金屬氧化膜上依次形成並層疊絕緣膜，半導體膜。絕緣膜可以是單層，也可以是層疊多個薄膜而形成的疊層。例如，可以採用氮化矽，氮氧化矽或氧化矽等。然後用該半導體膜製造用於液晶顯示裝置的半導體裝置。然後，製造提供在液晶顯示裝置中的液晶單元。液晶單元包括圖素電極，相對電極，以及提供在該圖素電極和相對電極之間的液晶。具體地說，另行製造其上形成有相對電極和第二偏振片等的塑膠基底（下文中簡稱爲相對基 -9 - (6) 1351548 〆 · - 底）’黏合該相對基底和裝置基底並且注入液晶，這樣就 . 完成了液晶單元的製造。注意，除了相對電極和第二偏振片以外，還可以在相對基底上預先形成顔色濾光片，配向膜或黑矩陣等。形成半導體裝置以及液晶單元後，黏貼覆蓋該半導體裝置以及液晶單元的第二基底，這樣就使半導體裝置以及液晶單元處於夾在第一基底和第二基底中間的狀態。 φ 然後，在第一基底的形成有半導體裝置以及液晶單元的反面黏合用來強化第一基底剛性的第三基底。如果第一基底比第二基底的剛性大，當剝離第一基底時，就不容易 . 損傷半導體裝置以及液晶單元，並且能夠順利進行撕剝。注意，如果在後來的從半導體裝置上剝離第一基底時，該 * 第一基底有足夠的剛性，就不用在第一基底上黏接第三基底。隨後，執行加熱處理以晶化金屬氧化膜，加強金屬氧鲁化膜的脆性從而使第一基底容易從半導體裝置上被剝離下來。第一基底和第三基底一起從半導體裝置上被剝離下來 . 。另外，爲晶化金屬氧化膜的加熱處理可以在黏貼第三基底之前實施，也可以在黏貼第二基底之前實施。或者，可以將在形成半導體裝置的技術中實施的加熱處理兼用於該金屬氧化膜的晶化技術。然後’第一基底和第三基底一起從半導體裝置以及液晶單元被剝離下來。由於該剝離的技術，産生了金屬膜和金屬氧化膜之間分離的部分；絕緣膜和金屬氧化膜之間分 -10- (7) (7)1351548 離的部分；以及金屬氧化膜自身雙方分離的部分。不管怎樣，半導體裝置以及液晶單元黏附在第二基底上，但要從第一基底上被剝離下來。另一方面，準備一個塑膠基底（裝置基底），該基底提供在光源側，是用來黏合半導體裝置以及液晶單元的。在該裝置基底上配備發光元件，並且塗敷覆蓋該發光元件的樹脂。然後，在平整過的樹脂上黏合第一偏振片。接下來，將第一偏振片用黏合劑等黏接到在剝離第一基底後處於黏附在第二基底狀態的半導體裝置以及液晶單元上。然後，剝離第二基底，這樣，半導體裝置以及液晶單元就處於固定在裝置基底上的狀態。根據如上所述的步驟，就完成了液晶顯示裝置的製造。注意，在一個大尺寸的基底上形成多個液晶顯示裝置的情形中，在中途執行切割技術，使這些液晶顯示裝置互相分開。根據本發明，可以使液晶顯示裝置的厚度落在0.6mm —1.5mm的範圍內。另外，如上文中所述，由於裝置基底和相對基底有柔性，比玻璃基底在對振蕩，衝擊的機械強度上有優勢，並且，其厚度也容易減薄。而且，因爲裝置基底和相對基底有柔性，液晶顯示裝置的形狀自由度就可以得到提高。所以比如，可以在有曲面形狀的圓柱狀的瓶子等形成並黏附液晶顯示裝置。注意，雖然藉由用有透光性樹脂覆蓋發光元件，可以 -11 - (8)

I 1351548 • 擴散從該發光元件發射出的光，最終可以 . 液晶顯示裝置的圖素部分的明亮度均勻。晶單元和覆蓋發光元件的樹脂之間設置漫射素部分的明亮度更加均勻》根據上述結構，本發明可以在不降低液機械強度的情況下，顯著地減薄其厚度，減且’如將本發明的液晶顯示裝置應用於電子鲁確保更大的用於積體電路（1C)的空間，因電子器具的輕巧化，小體積化的情況下，實。特別是攜帶型電子器具，實現輕巧化，小 . 以顯著地改善其使用方便性，所以利用本發裝置是非常有效的。另一方面，本發明即使 ' 裝置的圖素部分的尺寸，其重量可以做到和基底製成的液晶顯示裝置相同。 φ 【實施方式】以下參考圖1A至1D說明本發明的液結構。圖1A表示在黏合半導體裝置之前的的橫截面圖。圖1B是圖1A中的裝置基底，和圖1A是沿圖1B中的虛線A— A —切割I 表示在圖1A和1B中的裝置基底101 102，該凹陷部分102中提供有一個或多個陷部分102可以藉由衆所周知的方法形成，屬模具的方法來形成。LED 103的驅動受用一定程度上使是，藉由在液板，可以使圖晶顯示裝置的輕其重量。而器具，則可以此，在不妨礙現了高功能化體積化，就可明的液晶顯不加大液晶顯不習知的用玻璃晶顯示裝置的裝置基底1 01 1 〇 1的俯視圖的橫截面圖。包括凹陷部分 LED 103。凹例如可以用金於LED 103驅 -12- (9) 1351548 動的薄膜電路（下文中稱爲LED驅動器薄膜電路）104的控制。LED驅動器薄膜電路！ 04不—定必須提供在凹陷部分102內’它也可以提供在凹陷部分1〇2以外的部分。關於LED驅動器薄膜電路1〇4的製造方法將在後面詳細說明。圖中數字1〇5表示形成在裝置基底101上的接線，該接線1〇5除了用於電連接LED 103和LED驅動器薄膜電鲁路1〇4外，還可用於執行包括LED驅動器薄膜電路104, 在後繼技術中被黏合的半導體裝置，以及液晶顯示裝置外部的電連接。接線105可以用噴鍍等衆所周知的技術形成在裝置基底1 01上。圖中數字106表示反射膜，該反射膜106使用氣相澱積方法在凹陷部分102中蒸發澱積金屬而形成。並且，該反射膜1 06爲了防止接線1 〇5和LED 1 03發生短路，其形成需要電分離開。另外，雖然本實施例採用由氣相澱積修構成反射膜的方法以便使從LED 103發射出來的光向液晶單元那一側反射，但也可以另行形成反射板，然後將其黏合在裝置基底101上。這種情況時，最好在能夠將從 LED 1 03發射出來的光反射向液晶單元側的位置黏合該反射板。例如，可以在裝置基底101的，與形成有LED 103 相反的，沒有形成凹陷部分1 02的那一側黏接反射板。另外，LED 103被樹脂107所覆蓋。在本實施例中，凹陷部分102內塡充有樹脂107。當在凹陷部分102中形成LED驅動器薄膜電路1〇4的情形中，用樹脂107覆蓋 -13- (10) 1351548 LED驅動器薄膜電路1〇4。作爲樹脂1〇7的材料可以選用例如丙烯酸酯樹脂，環氧樹脂，氨基甲酸乙酯樹脂，聚碳酸酯樹脂’乙烯基樹脂等已知樹脂。另外，可以在樹脂中散佈和該樹脂折射率不同的透光性顆粒。例如，可以採用在聚甲基丙烯酸甲酯樹脂中散佈由矽樹脂製成的球狀顆粒的樹脂。還有，理想的是選擇適當的樹脂，其能夠配合後面的黏合半導體裝置的技術。

• 在圖1A和1B中，光源部份108表示提供有LED 1〇3和反射膜106並被樹脂107覆蓋的光源部分。圖1C中顯示處於黏合了半導體裝置，完成液晶單元後狀態的本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖。圖1D是圖 1C中的液晶顯示裝置的俯視圖，並且圖ic是沿圖id中的虛線B- 切割的橫截面圖。半導體裝置1 1 〇用黏合劑1 09黏貼在樹脂1 07上。注意’雖然圖1C中沒有表示出，但在樹脂107與黏合劑春109之間提供有第一偏振片。而且，在本實施例中，如圖 1C和1D所示，半導體裝置110不但包括用於構成液晶顯示裝置的圖素部分的半導體裝置，而且包括用於構成薄膜電路111的半導體裝置，其中，薄膜電路111是用於驅動液晶顯示裝置以及執行其他訊號處理的。圖中數字1 1 3表示相對基底，用密封劑1 1 4密封液晶 112。被該相對基底113封入的液晶112的區域相當於平板115。從光源部分108發射出來的光照射到提供在平板 115上的圖素部分116。並且，薄膜電路111藉由倒裝晶 -14 - (11) 1351548 片法或接線接合法和接線105電連接在一起。注意，在本實施例中，雖然可以藉由接線105對液晶顯示裝置饋送訊號和電源電壓，然而本發明並不局限於該結構，本發明例如可以使用發光元件或光電探測器等藉由光來實現饋送訊號和電源電壓，也可以使用環形天線藉由電磁感應來實現饋送訊號和電源電壓。塑膠基底可以採用由具有極性基的冰片烯樹脂組成的 φ ARTON，日本JSR公司製造。此外，還可以採用聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚醚碾（PES)、聚萘酸乙酯 (PEN)、聚碳酸脂（PC)、尼龍 '聚醚醚酮（PEEK) 、聚颯（PSF)、聚醚醯亞胺（PEI)、聚芳酯（PAR)、聚對苯二甲酸丁二酯（PBT)和聚醯亞胺等的塑膠基底。注意，本實施例中雖顯示在裝置基底提供凹陷部分，並在該凹陷部分形成LED的例子，但本發明並不局限於此，也可以使用沒有凹陷部分的平坦塑膠基底作爲裝置基 •底。下文中將用圖2說明用平坦的塑膠基底作爲裝置基底的液晶顯示裝置的結構。圖2A表示黏合半導體裝置之前的裝置基底201的橫截面圖。該裝置基底201不具有凹陷部分，是平坦的。另外，圖2B是圖2A中的裝置基底201 的俯視圖，並且圖2A是沿圖2B中的虛線A— 切割的橫截面圖。圖2A和2B中的裝置基底201上提供有一個或多個 LED 203»圖中數字204表示LED驅動器薄膜電路’藉由 -15- (12) 1351548 接線205，LED 203和LED驅動器薄膜電路2 04電 —起。而且，接線205用於將LED驅動器薄膜電或在後面技術中被黏合的半導體裝置，以及液晶顯外部的電連接。並且，反射膜206爲了防止接線 LED 203發生短路，電分離地形成。注意，也可以行形成的反射板來代替用氣相澱積方法形成的反射另外，LED 203被樹脂207覆蓋。在本實施例 φ敷光敏性樹脂後，藉由部分地進行曝光，以形成樹 ’並使接線205的一部分暴露出來。LED驅動器薄 2〇4也可以被樹脂207覆蓋。在圖2A和2B中， LED 203和反射膜206並被樹脂207覆蓋的區域相源部分2 0 8。圖2C中顯示在圖2A和2B中所示的裝置基底黏合半導體裝置，完成液晶單元後的本發明的液晶置的橫截面圖。圖2D是圖2C中的液晶顯示裝置鲁圖’且圖2C是沿圖中的虛線B-B，切割的橫截3 半導體裝置210用黏合劑209黏貼在樹脂207 意，雖然圖2C中沒有表示出，但在樹脂207與 209之間提供有第一偏振片。而且，圖中數字211 由半導體裝置210構成的薄膜電路。圖中數字213表示相對基底，液晶212用密封密封。被該相對基底213封入的液晶212的區域相板2 1 5。從光源部分208發射出來的光照射到提供 215上的圖素部分216。並且，薄膜電路211藉由連接在路204 示裝置 205和使用另膜。中，塗脂2 07 膜電路提供有當於光 201上顯示裝的俯視 ΐ圖。上。注黏合劑相當於劑214 當於平在平板倒裝晶 -16- (13) (13)1351548 片法或接線接合法和接線205電連接在一起。藉由將凹陷部分提供在裝置基底上，只要在凹陷部分滴注樹脂，就很容易地在接線處於暴露的情況下用樹脂覆蓋LED。並且，藉由在凹陷部分上形成反射膜，從LED 發射出來的光可以高效率地照射到圖素部分。另一方面，不提供凹陷部分的情況與採用凹陷部分的情況相比，前者可以進一步提高裝置基底的強度。其次，將說明用於薄膜電路和液晶顯示裝置的半導體裝置的具體製造方法，以及將該半導體裝置黏合到裝置基底的黏貼方法。本實施例中，雖然對以兩個TFT作爲半導體裝置進行了舉例說明，但包含於薄膜電路和液晶顯示裝置中的半導體裝置並不局限於此，它可以使用所有的電路元件。例如，除了 TFT以外，典型的還包括記憶元件 ’二極體’光電轉換元件，電阻元件，線圈，電容元件，電感器等。首先，如圖3A所示，在第一基底500上用濺射法形成金屬膜501。在此，用鎢作爲金屬膜501的材料，其膜的厚度設定爲l〇nm — 200nm，較佳的爲50nm — 75nm。注意在本實施例中，在第一基底5〇〇上直接形成金屬膜501 ’但是也可以用氧化矽，氮化矽，氮氧化矽等的絕緣膜覆蓋第一基底500後，然後在其上形成金屬膜501。形成金屬膜501後，在不暴露於大氣的情況下，在金屬膜501上層疊氧化物膜502。在此，形成厚i5〇nm — 300nm的氧化矽膜作爲氧化物膜502。注意如果使用濺射 -17- (14) 1351548 法形成該膜，在第一基底5 00的邊緣也會形實施後面的剝離技術時，氧化物膜502會殘 5 00上，爲了防止該殘留物殘留下來，最好法將形成在基底邊緣的金屬膜501以及氧化性地清除掉，或者用切割等方法將第一基底分切掉。另外，在形成氧化物膜502時，在靶和 φ門遮罩，産生電漿從而實施作爲濺射的前階預濺射在以下條件下實施，即設定流量Ar J 爲 30sccm，第一基底 500的溫度爲270〇C 3kW，並且在該條件被維持的狀態下實施預預濺射，在金屬膜501和氧化物膜502之 nm左右（在此爲3nm)的極薄的金屬氧化氧化膜503是藉由使金屬膜501表面氧化而，本實施例中的金屬氧化膜503是由氧化鎢 Φ 另外，雖然本實施例藉由預濺射形成_ 5 03，但本發明並不局限於此，例如也可以氧添加Ar等惰性氣體，藉由電漿將金屬膜化後形成金屬氧化膜503。形成氧化物膜502後，用電漿化學氣相法形成底膜504。在此，形成厚l〇〇nm的氧底膜5〇4。然後，在形成底膜504後，在不情況下，形成厚25- 100nm (較佳的爲30-導體膜505。順便提一下，半導體膜505可成膜。這樣在留在第一基底用氧灰化等方物膜502選擇 500的邊緣部基底之間用閘段的預濺射。專 1Osccm ，〇2 ，成膜功率爲濺射。藉由該間形成了厚幾膜503 。金屬形成的。所以而形成。了金屬氧化膜利用氧，或對 5〇1的表面氧沈積的PCVD 氮化矽膜作爲暴露於大氣的一 6 Onm )的半以是非晶半導 -18- (15) 1351548 體’也可以是多晶半導體。另外，半導體不僅可以採用矽作爲其材料，還可以採用鍺矽。當採用鍺矽時，鍺的密度最好在0.01 — 4.5原子％左右。隨後’如圖3B所示，用衆所周知的技術晶化半導體膜505 °這個衆所周知的晶化方法包括使用電熱爐的熱晶化法’使用雷射光束的雷射晶化法，以及使用紅外線的燈退火晶化法。或者，可以根據日本專利公開Hei 7-130652 φ號中公開的技術，利用使用催化劑的晶化方法。另外，也可以用濺射法，電漿CVD (電漿化學氣相沈積）法，以及熱CVD法預先形成多晶半導體膜的半導體膜505。本實施例使用雷射晶化方法來晶化半導體膜505。藉由使用能夠連續振蕩的固態雷射，照射基波的二次諧波至四次諧波的雷射光束，可以得到大晶粒尺寸的晶體。比如，最好採用典型的Nd:YV04雷射（l〇64nm的基波）的二 φ次諧波（532nm)或三次諧波（355nm)。具體地，使用非線性光學元件將由連續振蕩型YV04雷射器發射的雷射光束轉變爲諧波，從而獲得輸出能源爲10W的雷射光束。此外，也可以利用使用非線性光學元件發射諧波的方法。然後，更佳的，藉由光學系統將雷射光束的照射面形成爲矩形或橢圓形，然後，用該矩形或橢圓形的雷射照射半導體膜5 05。此時，需要約0.01到100MW/ cm2 (較佳 0. 1到10 MW/ cm2 )的能量密度。相對雷射光束以約1〇到2 000cm/ s的速率按箭頭方向移動半導體膜，以達到照 (16) 1351548 射半導體膜的目的。另外，雷射晶化可以照射連續振蕩的基波的雷射光束和連續振蕩的諧波的雷射光束，也可以照射連續振蕩的基波的雷射光束和脈衝振蕩的諧波的雷射光束。另外，也可以在稀有氣體或氮等惰性氣體的氣氛中照射雷射光束。藉由該處理，可以減少由於照射雷射光束而引起的半導體表面的粗糙，而且可以抑制因介面能階密度 φ 的不均勻而導致的臨限値的不均勻》藉由以上的對半導體膜505輻照雷射光束的技術，形成了結晶性提高了的半導體膜506。隨後，如圖3C所示，對半導體膜506實施形成圖案，從而形成島形半導體膜 5 07，5 08，用該島形半導體膜507，508形成以TFT爲典型的各種半導體裝置。另外，在本實施例中，雖然底膜 5 04和島形半導體膜507，5 08連接在一起，但是可以根據半導體裝置的情況，在底膜504和島形半導體膜507，鲁5 08之間形成電極以及絕緣膜等。例如，在半導體裝置之 —的底閘型TFT的情形中，在底膜504和島形半導體膜 5 0 7，5 0 8之間形成閘極電極以及閘極絕緣膜。在本實施例中，用島形半導體膜507，508形成頂閘型的TFT 509，5 10 (圖3D )。具體地說，形成閘極絕緣膜511使其覆蓋島形半導體膜5〇7，5 08。然後，在閘極絕緣膜511上形成導電膜，藉由形成圖案來形成閘極電極 512，513。接著形成閘極電極512，513，或抗蝕劑膜並形成圖案用作掩膜，對島形半導體膜507，508摻雜賦予 -20- (17) 1351548 η型導電性的雜質從而形成源區，汲區，以及LDD (輕摻雜汲）區。順便提一下，雖然在此TFT 5 09，510被製造爲η型，如製造爲p型TFT，可以摻雜賦予p型導電性的雜質。藉由上述處理，可以形成TFT 509，510。注意，製造TFT的方法不限於上述處理。然後，形成覆蓋TFT 509，510的第一中間層絕緣膜 φ 5 1 4。隨後，在閘極絕緣膜 5 1 1以及第一中間層絕緣膜中形成接觸孔，然後形成和第一中間層絕緣膜514連接的，且藉由接觸孔和TFT 5 09，510連接的端子515 — 5 18° 然後，用ITO (銦錫氧化合金）等的透明導電膜形成和端子515連接的液晶單元的圖素電極540。而且，形成覆蓋圖素電極540的配向膜541，並對配向膜541實施磨光處理。另外，端子518的一部分爲了不被配向膜54 1所 •覆蓋，用蝕刻等的方法使該部分暴露出來。接下來，在配向膜541上形成保護層521。保護層 521在後面處理的黏接以及剝離第二基底時，可以保護 TFT 509，510，配向膜541以及端子515-518的表面，並且，該保護層採用在剝離第二基底後能夠被清除的材# 。比如，在整個表面塗敷可溶於水或醇的環氧基，丙乙$ 基，矽基的樹脂，然後烘烤，就可以形成保護層521。在本實施例中，用旋塗塗敷由水溶性樹脂（東亞合$ 制：VL-WSHL10)製成的膜並使該膜的厚度爲30μηι，隨 -21 - (18) 1351548 後進行2分鐘的曝光以實現初步硬化，然後用UV光從背面輻照2.5分鐘，表面1〇分鐘，共計12.5分鐘以執行正式硬化，這樣就形成了保護層521 (圖3E)。注意，雖然在本實施例中顯示在形成配向膜541後，才形成保護層521的例子，然而也可以在後面的技術中清除保護層521後，形成配向膜541。但是，在層疊多個有機樹脂膜的情形中，當塗敷或焙燒時，有一個擔憂是這些 φ有機樹脂使用的溶劑中一部分會溶解，或者其黏合性變得過商。因此，在形成配向膜541後，形成保護層521的情形中，並且，當第一中間層絕緣膜514和保護層521都用可溶於相同介質的有機樹脂時，爲使在後面的技術中順利地清除掉保護層521，最好形成覆蓋第一中間層絕緣膜 514並且被夾在第一中間層絕緣膜514和端子515-518 之間的無機絕緣膜（SiNx膜，SiNxOY膜，AINx膜，或 ΑΙΝχΟγ膜）以備用。 Φ 隨後，晶化金屬氧化膜503，從而使後面的剝離處理容易被執行。藉由該晶化處理，可以使金屬氧化膜5〇3在晶界變得易碎，加強了其脆性。本實施例具體執行42〇 °C -5 50t，0.5-5小時左右的加熱處理來執行晶化技術。然後，形成引發剝離機制的部分，這個處理可以使一部分金屬氧化膜503和氧化物膜502之間的黏接性降低’ 或可以使一部分金屬氧化膜503和金屬膜501之間的黏接性降低。具體地說，沿著要剝離區域的周邊部分從外部施加局部壓力，以損壞金屬氧化膜503的層內的一部分或介 -22- (19) (19)1351548 面附近的一部分。在本實施例中，在金屬氧化膜503的邊緣附近垂直壓下金剛石筆等硬針，並且在施加負荷的狀態下，沿著金屬氧化膜5〇3移動。最好使用劃線器裝置並且將下壓量設在O.lmm到2 mm，邊移動邊施加壓力。以這種方式在剝離之前形成引發剝離機制的黏接性被降低的部分，可以減少後面剝離技術的次品率，從而提高了成品率〇接下來，使用雙面膠帶5 22黏貼第二基底523到保護層521。並且，使用雙面膠帶524黏貼第三基底525到第一基底5 00 (圖4A)。另外，可以使用黏合劑來代替雙面膠帶。例如，藉由使用用紫外線來執行剝離的黏合劑，在剝離第二基底時，可以減輕落在半導體裝置的負擔。第三基底5 25保護第一基底500在後面的剝離技術中不受損傷。第二基底523和第三基底5 25最好採用剛性比第一基底5 00更高的基底，比如，石英基底，半導體基底〇然後，用物理手段撕剝金屬膜501和氧化物膜5 02。開始撕剝的位置就是在上面的步驟中，一部分金屬氧化膜 503，金屬膜501或氧化物膜502之間的黏接性被降低了的區域。藉由上述剝離技術，産生了金屬膜501和金屬氧化膜 503之間分離的部分，氧化物膜502和金屬氧化膜503之間分離的部分，以及金屬氧化膜503自身雙方分離的部分。並且’在第二基底523 —側黏附有半導體裝置（在此爲 -23- (20) 1351548 TFT 509 ’510)，在第三基底52 5 —側黏附有第一基底 50 0以及金屬膜501的狀態下，執行分離。利用較小的力就可執行剝離（例如，利用人的手，利用噴嘴吹出氣體的吹壓，利用超聲，等等）。圖4B表示剝離後的狀態。接著’用黏合劑526黏接提供在樹脂5 3 3上的第一偏振片527和附著有部分金屬氧化膜503的氧化物膜5〇2( 圖4C)。在黏接時，黏合劑526的材料選擇是重要的，鲁被選材料需要使藉由黏合劑526黏接在一起的氧化物膜 502和第一偏振片527之間的黏接力高於用雙面膠帶522 黏接在一起的第二基底523和保護層521之間的黏接力。另外，金屬氧化膜5 03如殘留在氧化物膜502的表面 ’氧化物膜502和第一偏振片527之間的黏接力有可能因此而變小’所以，用蝕刻等方法完全清除該殘留物，然後黏接第一偏振片，從而提高黏接力。另外’在用半導體裝置509，510構成薄膜電路的情鲁形中，半導體裝置509，5 1 0不一定必須被黏合到和第一偏振片527重疊的位置。作爲黏合劑526的材料，可以採用諸如反應固化黏合劑’熱固化黏合劑，UV固化黏合劑等的光固化黏合劑，厭氧黏合劑等各種固化黏合劑。理想的是在黏合劑526中添加銀，鎳，鋁，氮化鋁等製成的粉末，或塡充物使其具有高導熱性。另外，圖中數字530表示在裝置基底上形成的接線，該接線530藉由比如在銅上鍍焊錫，金或錫而形成。 -24- (21) 1351548 然後，如圖5A所示，從保護層521按第二基底523 ，雙面膠帶5 22的順序剝離，或者二者同時一起剝離。注意，藉由採用UV固化黏合劑作爲黏合劑526，並使用用紫外線來執行剝離的膠帶或黏合劑作爲雙面膠帶522，藉由執行紫外線照射，可以同時實現雙面膠帶522的剝離和黏合劑526的固化。然後，如圖5B所示，清除保護層521。在此，因保 φ護層5 2 1使用水溶性樹脂，所以用水溶化後清除。當殘留下的保護層52 1會成爲次品的原因時，最好在清除完畢後，對表面實施清洗處理或氧電漿處理，除去殘留的保護層 521的那一部分。在本實施例中，金屬膜501採用鎢作爲其材料，但本發明的金屬膜的材料並不限於鎢。只要是能夠在其表面形成金屬氧化膜503，並且藉由晶化該金屬氧化膜503可以將基底剝離的含有金屬的材料，任何材料都可以被利用。 •例如，除了 W，還可以使用T i N，W N，Μ 〇等。另外，利用這些金屬的合金作爲金屬膜時，在晶化時的最佳加熱溫度根據其成分比例而不同。所以，調節該合金的成分比例 ’可以使加熱處理在不妨礙半導體裝置的製造處理的溫度範圍內被執行，所以形成半導體裝置技術的選擇範圍不容易被限制。接下來’按照圖6所示那樣製造液晶單元。清除保護層521後’將另外形成的相對基底542用密封劑50黏合。密封劑中也可以混有塡充料。相對基底 -25- (22) 1351548 542的厚度爲幾百μπι左右，且其上形成有由透明導電膜構成的相對電極543，以及經磨光處理過了的配向膜544 。另外，除了這些以外，也可以形成顔色濾光片，以及爲防止錯向的遮罩膜等。另外，第二偏振片545被黏貼在相對基底542的形成有相對電極543的反面。然後注入液晶546並密封後就完成了平板5 5 0的製造。注意，可以使用分配方式（也稱滴注方式）或浸漬方式 φ 來注入液晶。而且，爲了保持液晶單元之間的間隔，可以在圖素電極540和相對電極543之間形成間隔物。隨後用接線結合法將端子518和提供在裝置基底534上的接線 530電連接在一起，這樣就完成了液晶顯示器的製造。接下來，將說明與圖3-6所示的方法不同的本發明的液晶顯示裝置的製造方法。本實施例中雖然以TFT作爲半導體裝置進行了舉例說明，但在本發明中包含於薄膜電路和平板中的半導體裝置並不局限於此，本發明的半導體鲁裝置可以使用所有的電路元件。例如，除了 TFT以外，典型的還包括記憶元件，二極體，光電轉換元件，電阻元件，線圈，電容元件，電感器等。首先，如圖7A所示，在第一基底15 00上用濺射法形成金屬膜15〇1。在此，用鎢作爲金屬膜15〇1的材料，其膜的厚度設定爲l〇nm— 200nm，較佳的爲50nm— 75nm 。注意在本實施例中，在第一基底1 500上直接形成金屬膜1501，但是也可以用氧化矽’氮化矽，氮氧化矽等的絕緣膜覆蓋第一基底1 5 00後’然後在其上形成金屬膜 -26- 1501 ° (23) 1351548 形成金屬膜丨5〇1後，在不暴露於大氣的情金屬膜1501上層疊氧化物膜1502作爲絕緣膜。成厚150nm — 3 00nm的氧化矽膜作爲氧化物膜意如果使用濺射法形成該膜，在第一基底1500 會形成膜。這樣在實施後面的剝離技術時， 15〇2會殘留在第一基底15〇〇側，爲了防止該殘鲁下來’最好用氧灰化等方法將形成在基底邊緣 1 5 0 1以及氧化物膜1 5 02選擇性地清除掉。另外，在形成氧化物膜1 502時，在靶和基閘門遮罩，産生電漿從而實施作爲濺射的前階段。預濺射在以下條件下實施，即設定流量Ar爲〇2爲30sccm，第一基底1500的溫度爲270。(：，爲3kW，並在這些條件被維持的狀態下實施預濺該預濺射，在金屬膜1501和氧化物膜1 502之間鲁幾nm左右（在此爲3nm )的極薄的金屬氧化膜屬氧化膜1503是藉由使金屬膜1501表面氧化而所以，本實施例中的金屬氧化膜1503是由氧化〇另外，雖然本實施例藉由預濺射形成了金 1 5 0 3，但本發明並不局限於此，例如也可以利用氧添加Ar等惰性氣體，藉由電漿將金屬膜150 1 化，從而形成金屬氧化膜1 503。形成氧化物膜1502後，用電漿化學氣；況下，在在此，形 1502° 注的邊緣也氧化物膜留物遺留的金屬膜底之間用的預濺射 1 0 s c cm，成膜功率射。藉由形成了厚 1503 〇金形成的。鎢而形成屬氧化膜氧，或對的表面氧泪沈積的 -27- (24) 1351548 PCVD法形成底膜1 504作爲絕緣膜。在此，形成厚 100nm的氧氮化矽膜作爲底膜1504。然後，在形成底膜 1 5 0 4後’在不暴露於大氣的情況下，形成厚2 5 一 i 〇〇 n m (較佳的爲30— 60nm)的半導體膜1505。順便提一下，半導體膜1505可以是非晶半導體，也可以是多晶半導體。另外’半導體不僅可以採用矽作爲其材料，還可以採用鍺矽。當採用鍺矽時’鍺的密度最好在0.(^-4.5原子％ φ 左右。隨後，用衆所周知的技術來晶化半導體膜1505。這個衆所周知的晶化方法包括使用電熱爐的熱晶化法，使用雷射光束的雷射晶化法，以及使用紅外線的燈退火晶化法。或者，可以根據日本專利公開Hei 7- 1 3 0652號中公開的技術，利用使用催化劑的晶化方法。本實施例使用雷射晶化方法來晶化半導體膜1 5 0 5。在用雷射晶化之前，爲了提高半導體膜的對雷射的耐性，馨對該半導體膜執行5 00 °C ’ 1小時的熱退火處理。本實施例藉由該加熱處理，加強了金屬氧化膜1 503的脆性，從而使後面的剝離第一基底1500的處理變得容易執行。藉由該晶化處理，可以使金屬氧化膜1503在晶界變得易碎，加強了其脆性。本實施例的情形中，最好執行420 eC _ 550 °C，0.5 - 5小時左右的加熱處理來執行金屬氧化膜 1 503的晶化技術。隨後，藉由使用能夠連續振蕩的固態雷射，照射基波的二次諧波至四次諧波的雷射光束，可以得到大晶粒尺寸 -28 - (25) 1351548 的晶體。比如，最好採用典型的Nd:YV04雷射（l〇64nm 的基波）的二次諧波（532nm)或三次諧波（355nm)。具體地，使用非線性光學元件將由連續振蕩型YV04雷射器發射的雷射光束轉變爲諧波，從而獲得輸出能源爲10W 的雷射光束。此外，也可以利用使用非線性光學元件發射諧波的方法。而且，更佳的，藉由光學系統形成雷射光束以使其照射面具有矩形或橢圓形，由此，照射半導體膜 • 1505»此時，需要約0.01到100MW / cm2 (較佳的爲0.1 到1〇 MW/ cm2)的能量密度。相對雷射光束以約1〇到 2 000cm/ s的速率移動半導體膜，以達到照射半導體膜的目的。另外’雷射晶化可以照射連續振蕩的基波的雷射光束和連續振蕩的諧波的雷射光束，也可以照射連續振蕩的基波的雷射光束和脈衝振蕩的諧波的雷射光束。另外’也可以在稀有氣體或氮等惰性氣體的氣氛中照鲁射雷射光束。藉由該技術’可以減少由於照射雷射光束而引起的半導體表面的粗糙’而且可以抑制由因介面能級密度的不均勻而導致的臨限値的不均句。藉由以上的對半導體膜1 505輻照雷射光束的處理，形成結晶性提高了的半導體膜。另外，也可以事先用濺射法，電漿CVD法，熱CVD法形成多晶半導體膜的半導體膜 1505 。隨後，如圖7B所示，對半導體膜15〇5實施形成圖案 ’從而形成島形半導體膜1507，1508，用該島形半導體 -29- (26) 1351548 膜1507，1508形成以TFT爲典型的各種半導體裝置。另外，在本實施例中，底膜15 04和島形半導體膜1507, 1508連接在一起，但是可以根據半導體裝置的情況，在底膜1 504和島形半導體膜1 507，1 508之間形成電極以及絕緣膜等。例如，在半導體裝置之一的底閘型TFT的情形中，在底膜1 504和島形半導體膜1 507，1 508之間形成 " 閘極電極以及閘極絕緣膜。 φ 在本實施例中，用島形半導體膜1 507，1 5 08形成頂閘型的TFT 1509，1510(圖7C)。具體地說，形成閘極絕緣膜1 51 1使其覆蓋島形半導體膜1 507，1 508。然後， • 在閘極絕緣膜1511上形成導電膜，藉由形成圖案形成了閘極電極1512， 1513。接著用閘極電極1512， 1513，或 ' 形成抗蝕劑膜並形成圖案用作掩膜，對島形半導體膜 1507，1508摻雜賦予n型導電性的雜質從而形成源區，汲區，以及LDD區。順便提一下，雖然在此TFT 1509, 鲁1510被製造爲n型，如製造爲p型TFT，可以摻雜賦予p 型導電性的雜質。 . 藉由上述處理，可以形成 TFT 1509，1510。注意，製造TFT的方法不限於上述處理。然後’形成覆蓋TFT 1509，1510的第一中間層絕緣膜1 5 1 4。隨後，在閘極絕緣膜1 5 1 1以及第一中間層絕緣膜1 5 1 4中形成接觸孔，然後，形成和第—中間層絕緣膜 1514連接的，藉由接觸孔和TFT 1509，1510連接的端子 1515-1518° -30- (27) 1351548 作爲液晶顯示裝置的圖素部分的開關元件被使用的 TFT 1510和端子1518電連接在一起❶然後，用IT〇(銦錫氧化合金）等的透明導電膜形成和端子1518連接在一起的液晶單元的圖素電極1550。接下來，形成使用絕緣膜的間隔物1519。然後，形成覆蓋圖素電極1 550，端子 1518和間隔物1519的配向膜1520，並對該配向膜實施磨光處理。另外，也可以將配向膜1 520形成爲和薄膜電路 φ 重疊的結構。接著，形成密封液晶的密封材料1521。然後，如圖 8Α所示’在用密封材料1521圍住的區域滴注液晶1522 。然後，用密封材料1521黏貼另行形成的相對基底1523 。圖8Β中示出在將相對基底1523黏合之後的狀態。另外，可以在密封材料1521中摻雜塡充物。相對基底1523的厚度爲幾百μιη左右’且其上形成有透明導電膜製成的相對電極1524，以及經磨光處理過的配向膜1526。另外，鲁除了這些以外’也可以形成顔色濾光片，以及爲防止錯向的遮罩膜等。另外，偏振片1527被黏貼在相對基底1523 的形成有相對電極15 24的反面。相對電極1524，液晶1522，以及圖素電極1550層疊的部分相當於液晶單兀1528。完成了液晶單元1528即完成了平板1 529。另外，雖然在本實施例中，薄膜電路 1530和相對基底1523沒有重疊在一起，但是即使相對基底1523和薄膜電路1530重疊也無妨。當重疊時，爲了提高液晶顯示裝置的機械強度，可以在相對基底和薄膜電路 -31 - (28) 1351548 之間塡充絕緣性的樹脂。另外，本實施例中使用分配方式（也稱滴封入液晶，然而本發明並不局限於此方式。本採用在黏貼相對基底後利用毛細現象封入液晶〇接下來，如圖9A所示，形成覆蓋薄膜電平板1529的保護層1531。保護層1531在執馨接以及剝離第二基底1 53 3的技術時，可以保 1530和平板1529，並且，該保護層採用在剝 1 5 3 3後能夠被清除的材料。例如，在整個表於水或醇的環氧基’丙乙烯基，矽基的樹脂，保護層1531。在本實施例中，用旋塗塗敷由水溶性樹脂制：VL-WSHL10)製成的厚度爲30μιη的膜，分鐘的曝光以實現初步硬化，然後用UV光 φ 2.5分鐘，表面10分鐘，共計12.5分鐘以執，這樣就形成了保護層1531。另外，在層疊多個有機樹脂膜的情形中，燒時，有一個擔憂是這些有機樹脂使用的溶劑出現溶解’或其黏合性變得過高。因此，在第緣膜1514和保護層1531雙方使用可溶於相同樹脂時，爲使在後面的清除保護層1531的技 ’最好形成覆蓋第一中間層絕緣膜1514的無 SiNx 膜，SiNxOY 膜，AlNx 膜，或 ΑΐΝχΟγ 膜注方式）來發明也可以的浸漬方式路 1 530和行後面的黏護薄膜電路離第二基底面塗敷可溶就可以形成 (東亞合成隨後進行2 從背面輻照行正式硬化當塗敷或焙的一部分會一中間層絕介質的有機術順利進行機絕緣膜（ )以作準備 -32- (29) 1351548 然後，形成引發剝離機制的部分，這個處理可以部分金屬氧化膜1 503和氧化物膜1 502之間的黏接性，或可以使一部分金屬氧化膜1503和金屬膜1501之黏接性降低。具體地說，沿著要剝離區域的周邊部分部施加局部壓力，以損壞金屬氧化膜1 503的層內的分或介面附近的一部分。在本實施例中，在金屬氧 φ 1 503的邊緣附近垂直壓下金剛石筆等硬針，並且在負荷的狀態下，沿著金屬氧化膜1 5 03移動。最好使線器裝置並且將下壓量設在0.1mm到2mm，邊移動加壓力。以這種方式在剝離之前形成引發剝離機制的性被降低的部分，可以減少後面剝離技術的次品率，提高了成品率。接下來，使用雙面膠帶1532黏貼第二基底1533 護層1531。並且，使用雙面膠帶1534黏貼第三基底隹到第一基底1 500。另外，可以使用黏合劑來代替雙帶。例如，使用用紫外線來執行剝離的黏合劑，這樣剝離第二基底1533時，可以減輕落在半導體裝置的。第三基底1535保護第一基底1500在後面的技術中損傷。第二基底1533和第三基底1535最好採用剛性一基底1 5 00更大的基底，比如，石英基底，半導體〇然後，用物理手段撕剝金屬膜1501和氧化物膜。開始撕剝的位置就是在上面的步驟中，一部分金屬使一降低間的從外 -部化膜施加用劃邊施黏接從而到保 1535 面膠，在負擔不受比第基底 1502 氧化 -33- (30) 1351548 膜1503，金屬膜1501或氧化物膜1502之間的黏接降低了的區域。藉由該剝離技術，産生了金屬膜1501和金屬氧 1503之間分離的部分，氧化物膜1502和金屬氧化膜之間分離的部分，以及金屬氧化膜1503自身雙方分部分。並且，在第二基底1533 —側黏附有半導體裝在此爲TFT 1509，1510)，在第三基底1535 —側黏 φ第一基底1500以及金屬膜1501的狀態下，執行分離用較小的力就可執行剝離（例如，利用人的手，利用吹出氣體的吹壓，利用超聲，等等）。圖9B表示剝的狀態。接著，用黏合劑1 5 3 9黏接裝置基底1 540和附著分金屬氧化膜1503的氧化物膜1502 (圖10)。在黏，黏合劑1539的材料選擇是重要的，藉由該黏接劑在一起的氧化物膜1502和裝置基底1540之間的黏接馨須高於用雙面膠帶1532黏接在一起的第二基底1533 護層1 5 3 1之間的黏接力。作爲黏合劑1539的材料，可以採用諸如反應固合劑，熱固化黏合劑，UV固化黏合劑等的光固化黏 ’厭氧黏合劑等各種固化黏合劑。理想的.是在黏 1539中添加銀，鎳，鋁，氮化鋁等製成的粉末，或物使黏合劑1539具有高導熱性。另外，金屬氧化膜1 503如殘留在氧化物膜1502 面’氧化物膜15〇2和裝置基底1540之間的黏接力有性被化膜 1503 離的置（附有。利噴嘴離後有部接時黏接力必和保化黏合劑合劑塡充的表可能 -34- (31) 1351548 因此而變小，所以，用蝕刻等方法完全清除該殘留物，然後黏接裝置基底，這樣黏接力就得到提高。然後’如圖10所示’從保護層1531按順剝離序雙面膠帶1532’第二基底1533，或者二者同時一起剝離。注意’藉由採用UV固化黏合劑作爲黏合劑1539，並使用用紫外線來執行剝離的膠帶或黏合劑作爲雙面膠帶1532, 藉由執行紫外線照射，可以同時實現雙面膠帶1532的剝 φ 離和黏合劑1539的固化。然後，如圖11A所示，清除保護層1531。在此，因保護層1 5 3 1使用水溶性樹脂，所以用水溶化後清除。當殘留下的保護層1531會成爲次品的原因時，最好在清除完畢後’對表面實施清洗處理或氧電漿處理，以便除去殘留的保護層1531的那一部分。隨後利用接線結合法用接線1 5 5 2將端子1 5 1 8和提供在裝置基底1540上的接線1551電連接在一起，這樣就完鲁成了液晶顯示裝置的製造。該接線1 5 5 1可以藉由比如在銅上鍍焊錫’金或錫而形成。注意，適合將端子1518和接線1551連接的時機不限於上述階段。此時的狀態可以說已完成了液晶顯示裝置的製造，但本實施例還將執行用密封材料密封液晶顯示裝置的技術，以提高液晶顯示裝置的機械強度。接下來如圖11B所示，用樹脂1 5 42覆蓋薄膜電路 1 530和平板1 529，並且提供保護薄膜電路1 530和平板 1529的覆蓋材料1543。另外，不一定必須設置覆蓋材料 -35- (32) 1351548 U43，也可以直接用密封材料密封裝置基底154〇。液晶顯不裝置的密封可以使用普遍使用的材料， ’可以使用聚酯，丙烯酸，聚乙烯乙烯酯，丙燦，氯 ’丙烯腈一丁二烯-苯乙烯樹脂，聚對苯二甲酸乙醋合材料。另外，在密封時，要適當選擇樹脂1 542和材料1543的材料，以使顯示裝置的圖素部分暴露出或使發自圖素部分的光能透射過去》 • 經用密封材料密封後，可以實現增加液晶顯示裝機械強度，或擴散在液晶顯示裝置中産生的熱，或阻來自液晶顯示裝置鄰接電路的電磁噪音。另外，裝置基底154〇，覆蓋材料I543，相對 1 52 3可以使用塑膠基底。塑膠基底可以採用由具有基的冰片烯樹脂組成的ARTON :日本jSR公司製造外，還可以採用聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚 (PES)、聚萘酸乙酯（PEN)、聚碳酸脂（pC)、 φ 、聚酸醚酮（PEEK)、聚颯（PSF)、聚酸醒亞胺（ )、聚芳醋（PAR)、聚對苯二甲酸丁二酯（pbt) 醯亞胺等的塑膠基底。另外，爲了擴散液晶顯示裝置産生的熱，裝置基底1 540最好具有2_3 〇w/mK左右導熱率。在本實施例中’金屬膜1501採用鎢作爲其材料本發明的金屬膜的材料並不限於該材料。表面形成金屬氧化膜1 503，並且藉由晶化該金屬氧 1 503可以將基底剝離的含有金屬的材料，任何材料比如乙烯等聚覆蓋來，置的擋了基底極性。此醚颯尼龍；PEI 和聚內部的商，但在其化膜都可 -36- (33) 1351548 以被利用。例如，除了 W，還可以使用TiN，WN，Mo等。另外’利用這些金屬的合金作爲金屬膜時，在晶化時的最佳加熱溫度根據其成分比例而不同。所以，調節該合金的成分比例，可以使加熱處理在不妨礙製造半導體裝置的技術溫度範圍內被執行，所以形成半導體裝置技術的選擇範圍不容易被限制。另外，用於LED驅動器薄膜電路的半導體裝置可以 φ根據上述半導體裝置的製造方法來形成。另外，覆蓋發光二極體的樹脂的材料最好配合第一基底，第二基底或黏合劑的固化方法進行適宜地選擇。接下來，將說明用倒裝晶片法代替接線接合法，將提供在裝置基底上的接線和薄膜電路或LED驅動器薄膜電路電連接在一起的例子。圖12A是表示提供有焊錫球的薄膜電路或LED驅動器薄膜電路的橫截面圖。 # 在圖12A中，半導體裝置301和形成在裝置基底上的接線藉由焊錫球302電連接在一起。焊錫球302提供在半導體裝置301的裝置基底的那一側，並與電連接於半導體裝置301的電極303連接。當用TFT作爲半導體裝置 301時，電極303可以用和形成該TFT的閘極電極相同的導電膜來形成。圖12B表示用倒裝晶片法層疊其半導體裝置的薄膜電路或LED驅動器薄膜電路的橫截面圖。在圖12B中，半導體裝置310，311層疊成兩個層。提供在裝置基底上的 -37- (34) 1351548 接線和半導體裝置310藉由焊錫球312電外，半導體裝置311和半導體裝置310的 3 1 3來實現。接下來，在圖12C示出形成在裝置基錫球連接的例子，其中的半導體裝置和圈裝置方向相反。在圖12C中，在和半導體接的接線3H處連接形成焊錫球322。 φ 注意，在倒裝晶片法的情形中，即使接線的數量’跟接線接合法相比，可以確間的間距’所以倒裝晶片法在要連接薄膜動器薄膜電路和接線的數量多時更有效。焊錫球和形成在裝置基底上的接線的各種各樣的方法，比如熱壓，或由超聲波等。另外，也可以利用封膠法，即塡充施間的空隙從而加強連接部分的機械強度，鲁路中産生的熱的散熱效率。封膠法不一定膠法可以防止由於裝置基底和半導體裝置不匹配産生的應力而導致的連接短路。當 ’比僅用熱壓時更能抑制連接短路的産生塊多於3 00左右時使用封膠法更有效。藉由組合圖12A-12C中示出的結構裝置基底上的接線和薄膜電路或LED驅各種各樣的方法電連接在一起。另外，組接線接合法來執行連接也是可能的。連接在一起。另電連接用焊錫球底上的接線和焊 g 12A的半導體裝置3 2 0直接連增加應該連接的保比較大的接線 ;電路或LED驅連接，可以採用引起振動的熱壓壓後的焊錫球之並且提高薄膜電必須使用，但封的熱膨脹係數的用超聲波施壓時。特別是，當凸，可以將形成在動器薄膜電路用合倒裝晶片法和 -38- (35) 1351548 注意，在本實施例中雖然說明主動矩陣型液晶顯示裝置，但本發明也可以是被動矩陣型液晶顯示裝置。根據上述結構，本發明可以在不降低液晶顯示裝置的機械強度的情況下，顯著地減薄其厚度，減輕其重量。而且，如將本發明的液晶顯示裝置應用於電子器具，則可以確保更大的用於積體電路（1C)的空間，在不妨礙電子器具的輕巧化，小體積化的情況下，實現了高功能化。特別 φ是攜帶型電子器具，實現輕巧化，小體積化，可以顯著地改善其使用方便性，所以利用本發明的液晶顯示裝置是非常有效的。另一方面，本發明即使加大液晶顯示裝置的圖素部分的尺寸，其重量可以做到和習知的用玻璃基底製成的液晶顯示裝置相同。範例下文中，將就本發明的範例進行說明。範例1 本範例將說明在以電子卡爲典型的卡中利用本發明的液晶顯示裝置的情況。用圖13說明本範例的電子卡的結構。圖13A表示在完成平板時的裝置基底401的橫截面圖。圖13B是圖13A 中的裝置基底的俯視圖，且圖13A是沿圖13B中的虛線 A— A—切割的橫截面圖。圖13A和13B中示出的裝置基底401包括凹陷部分 -39- (36) 1351548 4〇2,該凹陷部分4〇2中提供有—個或多個led 4〇3。並且，該凹陷部分402中提供有LED驅動器薄膜電路4〇4, LED 403和LED驅動器薄膜電路4〇4都被樹脂4〇7所覆蓋。圖中數字415表示平板，411表示薄膜電路。平板和薄膜電路都是另行製造並黏合到裝置基底4〇1上的。薄膜電路411包括環形天線406。而且，形成在裝置基底4〇ι 鲁上的接線4〇5電連接到環形天線4〇6。圖13C表示在完成電子卡時的本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖。圖13D是圖UC中的液晶顯示裝置的俯視圖’且圖13C是沿圖13D中的虛線B—B -切割的橫截面圖。在圖13C和13D示出的電子卡中，用樹脂422密封形成在裝置基底401上的平板415和薄膜電路411，然後在其上覆蓋覆蓋材料42 0。而且，在本範例中，在覆蓋材鲁料420中和平板415重疊的部分能夠透過來自平板415的光。注意’本發明不限於此結構，也可以採用平板以外的部分也能夠透過光的材料來形成覆蓋材料。注意’在本範例中雖然說明可以使用環形天線藉由電磁感應來實現饋送訊號和電源電壓的電子卡的結構，但也可以是使用發光元件或光電探測器等藉由光來實現饋送訊號和電源電壓的電子卡。另外，本發明的電子卡不局限於非接觸類型，它也可以是藉由終端與終端設備直接進行訊號收發的接觸類型電子卡。 -40- (37) 1351548 電子卡被應用於自動存取款卡，信用卡，預付替身份證的ID卡，月票等各種用途。藉由搭載本液晶顯示裝置，可以在圖素部分上顯示儲存在電子資料，並且，由於在該電子卡上顯示臉部照片，可持卡人身份確認的準確性。如果該臉部照片是用來份證明照片’則該臉部像片至少需要有QVGA ( 24〇 )左右的清晰度。範例2 本範例將用圖14說明從大尺寸裝置基底製造液晶顯示裝置的方法。如圖14A所示，當使用大尺寸裝置基底601 各自對應於液晶顯示裝置的區域602中提供多個凹 603。然後在各個凹陷部分603中提供LED 6 04。在提供和LED 604電連接的接線，LED驅動器薄 # ，以及反射膜等（全部沒有圖示出）後，在各個凹 603中如圖MB那樣塡充樹脂605。隨後’依照範例所示方法形成平板和薄膜電路行分割’就可以從一個裝置基底製造出多個液晶顯。切割的時機可以定在形成平板和薄膜電路之前，任意一個階段。範例3 本範例中將說明一個例子，其中LED不是和

卡，代發明的卡中的以提高代替身 3 20 X 出多個時，在陷部分隨後，膜電路陷部分，並進示裝置之後中供在 -41 - (38) 1351548 裝置基底上的接線直接連接，而是連接到柔性印刷線路板 (FPC)，且這個FPC和提供在裝置基底上的接線連接。圖15A是LED連接到FPC的狀態的俯視圖。LED 701和被塑膠薄膜703夾持的引線702連接在一起。再者，和引線702連接的端子704不被塑膠薄膜703所覆蓋，是暴露出來的。圖15B表示在裝置基底706上的凹陷部分705上黏貼 φ 著圖15A所示的LED 701的狀態。圖15C表示圖15B所示的裝置基底706的反面。裝置基底706中，接線707提供在有凹陷部分705面的反面。並且，提供在凹陷部分705中的LED 701和接線7 07藉由引線702連接在一起。裝置基底706的提供有接線707的面上提供有凹陷部分710。提供有凹陷部分705和凹陷部分710的區域，從裝置基底706的強度的角度考慮，最好不要互相重疊。凹鲁陷部分7 1 0中提供有太陽能電池708，以及控制該太陽能電池708的驅動的驅動電路709。接線707和驅動電路 709電連接在一起。因此’藉由使用FPC，容易將形成在裝置基底的正反兩面上的元件互相電連接起來。所以，能夠有效地使用裝置基底，避免了基底的浪費。圖15D是沿凹陷部分705中的虛線A— A#切割的橫截面圖。凹陷部分705的表面形成有由金屬製成的反射膜 711。本範例中，藉由對反射膜711實施蝕刻技術，或實 -42- (39) 1351548 施用金剛沙等硏磨其表面的砂磨技術，以在其表面實現微小的凸凹’從而達到漫反射光的目的，其結果是容易使從 LED的發射出來光均勻地照射到圖素部分。範例4 本範例將對有凹陷部分的裝置基底的形成方法進行說明。圖16A表示兩張基底，一個是有開口部分803的塑膠基底801，另一個是平坦基底802。藉由將這兩張塑膠基底801，802黏合在一起，開口部分803和平坦塑膠基底8 02重疊的區域中，就形成了有凹陷部分8 04的裝置基底 8 05。範例5 本範例將說明在應用了本發明的液晶顯示裝置的電子 φ卡中提供區域感應器的例子。圖17A表示手指按在不但顯示影像，而且作爲區域感應器起作用的圖素部分910的狀態。圖17B是圖17A 所示的圖素部分910的橫截面圖。如圖17B所示，裝置基底901上提供有凹陷部分9〇5 ，凹陷部分905的表面提供有反射膜902。另外，凹陷部分905還提供有LED 903，並且該LED 903被樹脂9〇4所覆蓋。

裝置基底901上提供有給液晶907施加電壓的TFT -43- (40) 1351548 9〇6’以及光電二極體908。TFT 906以及光電二極體908 都是先另行在其他基底上形成好後被剝離下來，然後黏貼到裝置基底901上的。接著，從LED 903發射出的光在被攝物的手指911 上反射’該光照射到光電二極體908，就可以獲取手指 9 1 1的影像資料。 φ範例6 本發明的液晶顯示裝置雖然可以應用到各種各樣的電子器具上，然而由於攜帶型的電子器具的輕巧化，小體積化可以使其在使用方便性方面得到顯著的改善，所以應用本發明的液晶顯示裝置，特別對這樣的攜帶型電子器具有效。圖18A表示薄板型行動電話，它包括主體2101，顯示部分2103，聲頻輸入部分2104，聲頻輸出部分2105，鲁開關2106，外部連接埠2107等。藉由外部連接埠2107，可以將另行準備的耳機2108連接到行動電話上。顯示部分2103使用應用本發明的液晶顯示裝置的，附帶感應器的接觸式平板’藉由接觸顯示在顯示部分2103的接觸式平板操作鍵2109，可以進行一系列的操作。另外，本發明的液晶顯示裝置的薄膜電路可以應用到提供在主體 2101內部的各種訊號處理電路。圖18B表示電子書，它包括主體2201，顯示部分 22 02，操作鍵22 03等。解調器可以埋藏在主體22〇1內部 -44 - (41) (41)1351548 。顯示裝置2202使用本發明的液晶顯示裝置。另外，本發明的液晶顯示裝置的薄膜電路可以應用於各種訊號處理電路。圖18C表示手錶’它包括主體2301，顯示部分23 02 ’錶帶扣2303等。顯示裝置2302使用本發明的液晶顯示裝置。另外’本發明的液晶顯示裝置的薄膜電路可以應用到提供在主體2301內部的各種訊號處理電路。圖18D表示薄板型個人電腦，它包括主體2401，顯示部分24〇2，接觸式平板鍵盤24〇3，滑鼠2404，外部連接埠2405，電源插頭24〇6等。顯示裝置2402使用本發明的液晶顯示裝置。附帶感應器的接觸平板式的本發明的液晶顯示裝置應用於接觸平板式鍵盤2403和滑鼠2404。藉由觸摸接觸式平板鍵盤2403和滑鼠2404，可以進行一系列的操作。另外，本發明的液晶顯示裝置的薄膜電路可以應用於各種訊號處理電路。圖18E相當於汽車的從車內看到的汽車前風擋玻璃。前風擋玻璃2501上黏貼有本發明的液晶顯示裝置2503，在顯示部分2 502可以顯示司機需要的各種資訊。另外，雖然圖18E中說明將本發明的液晶顯示裝置黏貼到前風擋玻璃的例子，然而本發明的液晶顯示裝置也可以黏貼在配置在司機座位的側面或後面的玻璃窗上。另外，除了玻璃窗以外，不管汽車的內部，外部都可以黏貼本發明的液晶顯示裝置。圖18F表示電子卡，它包括主體2601，顯示部分 -45- (42) 1351548 2602，連接端子2603等。本發明的液晶顯示裝部分可以應用到顯示部分2602。另外，本發明示裝置的薄膜電路可以應用到提供在主體260 1 種訊號處理電路。如上所述，本發明的適用範圍極其廣泛，可到所有領域的電子器具。另外，本範例的電子器用範例1 - 5中所示的任何結構的液晶顯示裝置< 範例7 本範例將說明藉由透射式電子顯微鏡TEM 後的第一基底側和絕緣膜側的橫截面得到的結果在玻璃基底上按順序用濺射法形成厚50nm )膜，用濺射法形成厚200nm的氧化矽膜，用1 法形成厚lOOnm的氧氮化矽膜，用電漿CVD法半導體膜的厚5〇nm的非晶體矽膜。隨後，執行 ®小時和550 °C，4小時的加熱處理，用聚四氟乙的物理手段在氧化矽膜和鎢膜之間執行剝離。這側的鎢膜和氧化物層的T E Μ相片就是圖1 9，半的氧化物層和氧化矽膜的ΤΕΜ相片就是圖20。圖19中，和鎢膜連接的氧化鎢膜被不均勻。同樣地，圖20中’和氧化矽膜連接的氧化鎢均勻地殘留著。雙方的ΤΕΜ照片證明剝離是在的層內以及兩個介面被執行，並且可以得知，氧接鎢膜和氧化矽膜，被不均勻地殘留下來。置的圖素的液晶顯內部的各以被應用具可以應觀察剝離〇的鎢（W 雹漿CVD 形成作爲 5 00°C，1 烯膠帶等時，基底導體膜側地殘留著膜也被不氧化鎢膜化鎢膜密 -46- (43) 1351548 也就是說’可以認爲在本發明的液晶顯示裝置中，在絕緣膜的裝置基底側殘留附著有或多或少的氧化鎢膜。範例8 本範例將說明在完成液晶顯示裝置後剝離第一基底時使用的液晶材料的情況。圖21A和21B是本範例的液晶顯示裝置的橫截面圖 φ 。圖21A表示的液晶顯示裝置中，圖素中提供有柱狀隔離物14〇1 ’相對基底14〇2和圖素側的偏振片1 403之間的密接性因該柱狀隔離物14〇1而得到提高。並且據此，在剝離第一基底時可以防止和密封材料重疊的區域以外的半導體裝置殘留在第一基底側。另外圖2 1 B是一個液晶顯示裝置的橫截面圖，該液晶顯示裝置使用向列液晶，近晶型液晶，鐵磁性液晶或上述液晶包含在聚合樹脂中的聚合物分散型液晶PDLC。使用春聚合物分散型液晶的PDLC M04可以使相對基底1402和元件一側的偏振片1 4 0 3之間的密接性提高，並在剝離第一基底時可以防止和密封材料重疊的區域以外的半導體裝置殘留在第一基底側。根據上述結構，本發明可以在不降低液晶顯示裝置的機械強度的情況下，顯著地減薄其厚度，減輕其重量。而且，如將本發明的液晶顯示裝置應用於電子器具，則可以確保更大的用於積體電路（1C)的空間，因此，可以更多地搭載電路規模或儲存容量更大的1C，在不妨礙電子器 -47- (44)1351548 具的輕巧化況下，實現具，實現其便性，所以一方面，本，其重量可置相同。【圖式簡單附圖中圖1 A _ 圖2 A -圖 3 A -的視圖；圖 4 A -•的視圖；圖 5 A -的視圖；圖6是

圖 7 A 的視圖；圖 8 A ，在不妨礙電子器具的輕巧化，小體積化的情了電子器具的高功能化。特別是攜帶型電子器輕巧化’小體積化’可以顯著地改善其使用方利用本發明的液晶顯示裝置是非常有效的。另發明即使加大液晶顯示裝置的圖素部分的尺寸以做到和習知的用玻璃基底製成的液晶顯示裝說明】 •1D是本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖； ' 2D是本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖； -3E是表示本發明的液晶顯示裝置的製造方法 -4C是表示本發明的液晶顯示裝置的製造方法 -5B是表示本發明的液晶顯示裝置的製造方法表示本發明的液晶顯示裝置的製造方法的視圖 -7C是表示本發明的液晶顯示裝置的製造方法和8B是表示本發明的液晶顯示裝置的製造方法的視圖； -48- (45) 1351548 圖9A和9B是表示本發明的液晶顯示裝置的製造方法的視圖；圖10是表示本發明的液晶顯示裝置的製造方法的視圖：圖11A和11B是表示本發明的液晶顯示裝置的製造方法的視圖；圖12A — 12C是薄膜電路或LED驅動器薄膜電路的橫 _截面圖；圖13A — 13D是應用本發明的液晶顯示裝置的電子卡的橫截面圖；圖HA和HB是大尺寸裝置基底的斜透視圖；圖1 5 A — 1 5D是表示利用FPC的 LED，以及黏合該 LED到裝置基底狀態的視圖；圖16A和16B是表示裝置基底結構的視圖；圖17A和17B分別是帶感應器的電子卡的斜透視圖 ♦以及橫截面圖；圖18A — 18F是表示應用本發明的液晶顯示裝置的電子器具的視圖：圖19A和19B是表示剝離前的金屬氧化膜的TEM橫截面照片；圖20A和20B是表示剝離後的絕緣膜的TEM橫截面照片；和圖21A和21B是本發明的液晶顯示裝置的橫截面圖 -49- (46) (46)1351548 【主要元件符號說明】 101 :裝置基底 102 :凹陷部份

103 ： LED 104 : LED驅動器薄膜電路 105 :接線 106 :反射膜 107 :樹脂 108 :光源部份 109 :黏合劑 1 1〇 :半導體裝置 1 1 1 :薄膜電路 1 1 2 :液晶 1 1 3 :相對基底 1 1 4 :密封劑 1 15 :平板 1 1 6 :圖素部份 201 :裝置基底

203 ： LED 204 : LED驅動器薄膜電路 205 :接線 206 :反射膜 207 :樹脂 -50- (47)1351548 208 ： 209 ： 2 10： 2 11： 212 : 2 13： 214 ：

2 16： 301 ： 3 02 ： 3 03 ： 3 10、 3 12、 3 20 ：

401 ： 402 ： 403 ： 405 ： 406 ·· 407 ： 4 11： 4 15：光源部份黏合劑半導體裝置薄膜電路液晶相對基底密封劑平板圖素部份半導體裝置焊錫球電極 31 1 :半導體裝置 3 1 3 :焊錫球半導體裝置接線裝置基底凹陷部份 LED 接線環形天線樹脂薄膜電路平板 -51 - (48) (48)1351548 420 :覆蓋構件 421 :部份 422 :樹脂 500 :第一基底 501 :金屬膜 5 02 :氧化物膜 503 :金屬氧化膜 504 :底膜 5 05 :半導體膜 506 :半導體膜 5 07 :半導體膜 5 08 :半導體膜

509- 510:頂閘型 TFT 5 1 1 :閘極絕緣膜 5 1 2、5 1 3 :閘極電極 5 1 4 :第一中間層絕緣膜 5 1 5 — 5 1 8 :端子 521 :保護膜 522 :雙面膠帶 523 :第二基底 524 :雙面膠帶 525 :第三基底 5 2 6 :黏合劑 5 2 7 :第一偏振片 -52 (49) (49)1351548 530 :接線 5 3 3 :樹脂 5 3 4 :裝置基底 5 4 0 :圖素電極 541 :配向膜 542 :相對基底 543 :相對電極 544 :配向膜 545 :第二偏振片 546 :液晶 550 :平板 601 :裝置基底 602 :區域 603 :凹陷部份

604 ： LED 605 :樹脂 701 : LED 7 02 ：弓丨線 703 :塑膠薄膜 704 :端子 705 :凹陷部份 706 :裝置基底 707 :接線 708 :太陽能電池 (50) (50)1351548 709 :驅動電路 710 :凹陷部份 71 1 :反射膜 801 :塑膠基底 802 :塑膠基底 8 0 3 :開口部份 804 :凹陷部份 805 :裝置基底 901 :裝置基底 902 :反射膜

903 ： LED 904 :樹脂 905 :凹陷部份

906 ： TFT 907 :液晶 90 8 :光電二極體 9 1 0 :圖素部份 9 1 1 :手指 Μ 0 1 :柱狀隔離物 1 402 :相對基底 1 403 :偏振片 1404 ： PDLC 1 500 ：第一基底 1501 :金屬膜 -54- (51) (51)1351548 1 502 :氧化物膜 1 5 03 :金屬氧化膜 1 504 :底膜 1 5 05 :半導體膜 1 507、1 508 :島形半導體膜

1 509 ' 1510:頂閘型 TFT 1 5 1 1 :閘極絕緣膜 1512、1513:鬧極電極 1 5 1 4 :第一中間層絕緣膜 1515 - 1518 :端子 1 5 1 9 :間隔物 1 520 :配向膜 1 5 2 1 :密封劑 1 5 22 :液晶 _ 1 5 2 3 :相對基底 1 524 :相對電極 1 5 26 :配向膜 1 527 :第二偏振片 1 5 2 8 :液晶單元 1 5 29 :平板 1 5 3 0 :薄膜電路 1531 :保護膜 1 53 2 :雙面膠帶 1 53 3 :第二基底 -55 (52) (52)1351548 1 5 3 4 :雙面膠帶 1 5 3 5 :第三基底 1 5 3 9 :黏合劑 1 540 :裝置基底 1542 :樹脂 1 543 :覆蓋材料 1 5 5 0 :圖素電極 1 55 1 :接線 1552:接線 2101 :主體 2 103 :顯示部份 2 104 :聲頻輸入部份 2105 :聲頻輸出部份 2 1 0 6 :開關 2 107 :外部連接埠 2108:耳機 2109:接觸式平板操作鍵 2201 :主體 2202 :顯示部份 2203 :操作鍵 2301 :主體 23 02 :顯示部份 2 3 0 3 :錶帶扣 2401 :主體 -56 (53) 1351548 顯示部份接觸式平板鍵盤滑鼠

2402 ： 2403 ： 2404 ： 2405 ： 2406 : 250 1 ： 2502 ： 2 5 03 ： 260 1 ： 2602 ：外部連接埠電源插頭前擋風玻璃顯示部份液晶顯示裝置主體顯示部份 2603 :連接端子

Claims

1351548 第096100350號專利申請案中文申請專利範圍修正本民國100年7月/f曰修正十、申請專利範圍 1. 一種液晶顯示裝置的製造方法，包含以下步驟：在第一基底的其中一個表面上按順序形成並層疊金屬膜，金屬氧化膜，絕緣膜，半導體膜；用該半導體膜形成半導體裝置；用第一黏合劑在該第一基底上黏合第二基底，該第一基底和該第二基底面對面，並且二者中間夾該半導體裝置 » 實施用來晶化該金屬氧化膜的加熱處理；藉由將該金屬氧化膜一分爲二，且分開的該金屬氧化膜之其一附著在一金屬膜側且另一附著在一絕緣膜側，從而去除該第一基底；在塑膠基底上提供發光元件，並在該塑膠基底上塗敷覆蓋該發光元件的樹脂：用第二黏合劑在該樹脂上黏接附著有一部分該金屬氧、化膜的該絕緣膜，以將該半導體裝置黏接到該塑膠基底上 » 去除該第一黏合劑，以去除該第二基底；以及形成和該半導體裝置電連接的液晶單元。 2. —種液晶顯示裝置的製造方法，包含以下步驟：在第一基底的其中一個表面上按順序形成並層疊金屬 1351548 膜，金屬氧化膜，絕緣膜，半導體膜：用該半導體膜形成半導體裝置：用第一黏合劑在該第一基底上黏合第二基底，該第一基底和該第二基底面對面，並且二者中間夾該半導體裝置 > 藉由將該金屬氧化膜一分爲二，且分開的該金屬氧化膜之其一附著在一金屬膜側且另一附著在一絕緣膜側，從而去除該第一基底；在塑膠基底上提供發光元件，並在該塑膠基底上塗敷覆蓋該發光元件的樹脂；用第二黏合劑在該樹脂上黏接附著有一部分該金屬氧化膜的該絕緣膜，以將該半導體裝置黏接到該塑膠基底上 > 去除該第一黏合劑，以去除該第二基底；形成和該半導體裝置電連接的液晶單元；以及在形成該半導體裝置時實施加熱處理，以晶化該金屬氧化膜。 3. ~種液晶顯示裝置的製造方法，包含以下步驟：在第一基底的其中一個表面上按順序形成並層疊金屬膜，金屬氧化膜，絕緣膜，半導體膜；用該半導體膜形成半導體裝置；用第一黏合劑在該第一基底上黏合第二基底，該第— 基底和該第二基底面對面，並且二者中間夾該半導體裝置 -2 - 1351548 實施用來晶化該金屬氧化膜的加熱處理；藉由將該金屬氧化膜一分爲二，且分開的該金屬氧化膜之其一附著在一金屬膜側且另一附著在一絕緣膜側，從而去除該第一基底；在有凹陷部分的塑膠基底的凹陷部分上提供發光元件，並在該凹陷部分塗敷覆蓋該發光元件的樹脂；用第二黏合劑在該樹脂上黏接附著有一部分該金屬氧化膜的該絕緣膜，以將該半導體裝置黏接到該塑膠基底上 » 去除該第一黏合劑，以去除該第二基底，以及形成和該半導體裝置電連接的液晶單元。 4. 一種液晶顯示裝置的製造方法，包含以下步驟：在第一基底的其中一個表面上按順序形成並層疊金屬膜，金屬氧化膜，絕緣膜，半導體膜；用該半導體膜形成半導體裝置；用第一黏合劑在該第一基底上黏合第二基底，該第一基底和該第二基底面對面，並且二者中間夾該半導體裝置 y 藉由將該金屬氧化膜一分爲二，且分開的該金屬氧化膜之其一附著在一金屬膜側且另一附著在一絕緣膜側，從而去除該第一基底；在有凹陷部分的塑膠基底的該凹陷部分上提供發光元件，並在該凹陷部分塗敷覆蓋該發光元件的樹脂；用第二黏合劑在該樹脂上黏接附著有一部分該金屬氧 -3- 1351548 化膜的該絕緣膜，以將該半導體裝置黏接到該塑膠基底上 y 去除該第一黏合劑，以去除該第二基底；形成和該半導體裝置電連接的液晶單元；以及在形成該半導體裝置時實施加熱處理，以晶化該金屬氧化膜。 5.—種液晶顯示裝置的製造方法，包含以下步驟：在第一基底的其中一個表面上按順序形成並層疊金屬膜，金屬氧化膜，絕緣膜，半導體膜；用該半導體膜形成半導體裝置；形成和該半導體裝置電連接的液晶單元；用第一黏合劑在該第一基底上黏合第二基底，該第一基底和該第二基底面對面，並且二者中間夾該半導體裝置以及該液晶單元：實施用來晶化該金屬氧化膜的加熱處理；藉囱將該金屬氧化膜一分爲二，且分開的該金屬氧化膜之其一附著在一金屬膜側且另一附著在一絕緣膜側，從而去除該第一基底；在塑膠基底上提供發光元件，並在該塑膠基底上塗敷覆蓋該發光元件的樹脂；用第二黏合劑在該樹脂上黏接附著有一部分該金屬氧化膜的該絕緣膜，以將該半導體裝置和該液晶單元黏接到該塑膠基底上；以及去除該第一黏合劑，以去除該第二基底。 -4 - 1351548 6. —種液晶顯示裝置的製造方法，包含以下步驟：在第一基底的其中一個表面上按順序形成並層疊金屬膜，金屬氧化膜，絕緣膜，半導體膜；用該半導體膜形成半導體裝置；形成和該半導體裝置電連接的液晶單元；用第一黏合劑在該第一基底上黏合第二基底，該第一基底和該第二基底面對面，並且二者中間夾該半導體裝置以及該液晶單元；藉由將該金屬氧化膜一分爲二，且分開的該金屬氧化膜之其一附著在一金屬膜側且另一附著在一絕緣膜側，從而去除該第一基底；在塑膠基底上提供發光元件，並在該塑膠基底上塗敷覆蓋該發光元件的樹脂；用第二黏合劑在該樹脂上黏接附著有一部分該金屬氧化膜的該絕緣膜，以將該半導體裝置和該液晶單元黏接到該塑膠基底上；去除該第一黏合劑，以去除該第二基底；以及在形成該半導體裝置時實施加熱處理，以晶化該金屬氧化膜。 7- 一種液晶顯示裝置的製造方法，包含以下步驟：在第一.基底的其中一個表面上按順序形成並層疊金屬膜，金屬氧化膜，絕緣膜，半導體膜；用該半導體膜形成半導體裝置；形成和該半導體裝置電連接的液晶單元； 1351548 用第一黏合劑在該第一基底上黏合第二基底，該第一基底和該第二基底面對面，並且二者中間夾該半導體裝置以及該液晶單元；實施加熱處理以晶化該金屬氧化膜；藉由將該金屬氧化膜一分爲二，且分開的該金屬氧化膜之其一附著在一金屬膜側且另一附著在一絕緣膜側，從而去除該第一基底；在有凹陷部分的塑膠基底的該凹陷部分上提供發光元件，並在該凹陷部分上塗敷覆蓋該發光元件的樹脂；用第二黏合劑在該樹脂上黏接附著有一部分該金屬氧化膜的該絕緣膜，以將該半導體裝置和該液晶單元黏接到該塑膠基底上：以及去除該第一黏合劑，以去除該第二基底。 8. —種液晶顯示裝置的製造方法，包含以下步驟：在第一基底的其中一個表面上按順序形成並層疊金屬膜 ! 金屬氧化膜 ! 絕緣膜 ! 半導體膜 ! 用該半導體膜形成半導體裝置；形成和該半導體裝置電連接的液晶單元；用第一黏合劑在該第一基底上黏合第二基底，該第一基底和該第二基底面對面，並且二者中間夾該半導體裝置以及該液晶單元；藉由將該金屬氧化膜一分爲二，且分開的該金屬氧化膜之其一附著在一金屬膜側且另一附著在一絕緣膜側，從而去除該第一基底； -6- 1351548 在有凹陷部分的塑膠基底的該凹陷部分上提供發光元件，並在該凹陷部分上塗敷覆蓋該發光元件的樹脂；用第二黏合劑在該樹脂上黏接附著有一部分該金屬氧化膜的該絕緣膜，以將該半導體裝置和該液晶單元黏接到該塑膠基底上；去除該第一黏合劑’以去除該第二基底；以及在形成該半導體裝置時實施加熱處理，以晶化該金屬氧化膜。 9 ·如申請專利範圍第1至8項中任一項之液晶顯示裝置的製造方法，其中該液晶單元是透射類型。 1〇·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置的製造方法，其中該發光元件是發光二極體。 11 ·如申請專利範圍第1 〇項之液晶顯示裝置的製造方法，其中該發光二極體和FPC連接在一起，且該發光二極體的電流經由該F P C而供給。 1 2.如申請專利範圍第2項之液晶顯示裝置的製造方法，其中該發光元件是發光二極體。 13.如申請專利範圍第12項之液晶顯示裝置的製造方法’其中該發光二極體和FPC連接在一起，且該發光二極體的電流經由該F P C而供給。 1 4.如申請專利範圍第3項之液晶顯示裝置的製造方法，其中該發光元件是發光二極體。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之液晶顯示裝置的製造方法’其中該發光二極體和FPC連接在一起，且該發光 1351548 極體的電流經由該FPC而供給。 1 6·如申請專利範圍第法’其中該發光元件是發光 1 7 ·如申請專利範圍第方法’其中該發光二極體和二極體的電流經由該FPC而 1 8 .如申請專利範圍第法’其中該發光元件是發光 1 9 ·如申請專利範圍第方法，其中該發光二極體和二極體的電流經由該FPC而 2 〇 .如申請專利範圍第法，其中該發光元件是發光 2 1 .如申請專利範圍第方法，其中該發光二極體和二極體的電流經由該F P C而 22. 如申請專利範圍第法，其中該發光元件是發光 23. 如申請專利範圍第方法，其中該發光二極體和二極體的電流經由該FPC而 2 4 _如申請專利範圍第法，其中該發光元件是發光 2 5 ·如申請專利範圍第 4項之液晶顯示裝置的製造方二極體。 16項之液晶顯示裝置的製造 FPC連接在一起，且該發光供給。 5項之液晶顯示裝置的製造方二極體。 1 8項之液晶顯示裝置的製造 FPC連接在一起，且該發光供給。 6項之液晶顯示裝置的製造方二極體。 2 0項之液晶顯示裝置的製造 FPC連接在一起，且該發光供給》 7項之液晶顯示裝置的製造方二極體。 22項之液晶顯示裝置的製造 FPC連接在-起，且該發光供給。 8項之液晶顯示裝置的製造方二極體。 24項之液晶顯示裝置的製造 -8 - 135.1548 方法，其中該發光二極體和FPC連接在一起，且該發光二極體的電流經由該FPC而供給。 26.如申請專利範圍第1至8項中任一項之液晶顯示裝置的製造方法，其中設置偏振片於該樹脂上。 27·如申請專利範圍第1至8項中任一項之液晶顯示裝置的製造方法’其中該樹脂包含具有和該樹脂折射率不同的折射率之透光性顆粒。 28. 如申請專利範圍第1至8項中任一項之液晶顯示裝置的製造方法，更包含以下步驟：於形成該液晶單元前，形成一絕緣膜覆蓋該半導體裝置；在該液晶單元上提供第三基底；以樹脂覆蓋於該半導體裝置上之該第三基底及該絕緣膜；以及在覆蓋於該第三基底上之該樹脂上提供覆蓋件。 29. 如申請專利範圍第3、4、7及8項中任一項之液晶顯示裝置的製造方法，更包含步驟爲在該塑膠基底的凹陷部分中提供發光元件驅動器薄膜電路。 -9-