JPH0627449A - バックライト一体型液晶表示装置 - Google Patents
バックライト一体型液晶表示装置Info
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- JPH0627449A JPH0627449A JP20716592A JP20716592A JPH0627449A JP H0627449 A JPH0627449 A JP H0627449A JP 20716592 A JP20716592 A JP 20716592A JP 20716592 A JP20716592 A JP 20716592A JP H0627449 A JPH0627449 A JP H0627449A
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- polymer
- display device
- film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、液晶部に光の利用効率が高
い分散型液晶を用い、バックライトを非常に薄いＥＬ素
子で構成し一体化することにより明るく・薄いフラット
パネルディスプレイを提供することにある。 【構成】 ポリマーにより形成された三次元網目構造に
取り込まれるように液晶を分散させたポリマーネットワ
ーク型液晶層、あるいはポリマーマトリックス中に粒子
状の液晶を分散させたポリマー分散型液晶層および液晶
駆動用電極を有する液晶素子部（ａ）とＥＬ素子（ｂ）
とを上下１対の基板間に一体化し、挟持して構成された
バックライト一体型液晶素示装置。
い分散型液晶を用い、バックライトを非常に薄いＥＬ素
子で構成し一体化することにより明るく・薄いフラット
パネルディスプレイを提供することにある。 【構成】 ポリマーにより形成された三次元網目構造に
取り込まれるように液晶を分散させたポリマーネットワ
ーク型液晶層、あるいはポリマーマトリックス中に粒子
状の液晶を分散させたポリマー分散型液晶層および液晶
駆動用電極を有する液晶素子部（ａ）とＥＬ素子（ｂ）
とを上下１対の基板間に一体化し、挟持して構成された
バックライト一体型液晶素示装置。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、分散型液晶を用いたフラットパ
ネルディスプレイに関する。
ネルディスプレイに関する。
【０００２】
【従来技術】液晶素子を用いたフラットパネルディスプ
レイは、薄い・軽いなどの特徴によりノートパソコンや
ワードプロセッサ等の出力装置に用いられている。液晶
ディスプレイには、反射板を用いた反射型とバックライ
トを用いる透過型がある。反射型ディスプレイは、ディ
スプレイ部を非常に薄く・軽くできるが画面が暗くなる
欠点がある。また、透過型ディスプレイの場合には、画
面は明るいがバックライト部が厚くなるという欠点があ
った。液晶ディスプレイ用バックライトについては、明
るく、薄く、かつ低消費電力のものが求められている。
蛍光管を用いたバックライトに関しては、直下型や導光
板を用いたサイドライト型等がある。これらは、明るさ
に関しては問題がないが、管径以上に薄くできないとい
う欠点があった。ＥＬを用いたバックライトに関して
は、非常に薄くできるが“暗い”という欠点があるた
め、特に薄さを求められる装置でのみ用いられている。
レイは、薄い・軽いなどの特徴によりノートパソコンや
ワードプロセッサ等の出力装置に用いられている。液晶
ディスプレイには、反射板を用いた反射型とバックライ
トを用いる透過型がある。反射型ディスプレイは、ディ
スプレイ部を非常に薄く・軽くできるが画面が暗くなる
欠点がある。また、透過型ディスプレイの場合には、画
面は明るいがバックライト部が厚くなるという欠点があ
った。液晶ディスプレイ用バックライトについては、明
るく、薄く、かつ低消費電力のものが求められている。
蛍光管を用いたバックライトに関しては、直下型や導光
板を用いたサイドライト型等がある。これらは、明るさ
に関しては問題がないが、管径以上に薄くできないとい
う欠点があった。ＥＬを用いたバックライトに関して
は、非常に薄くできるが“暗い”という欠点があるた
め、特に薄さを求められる装置でのみ用いられている。
【０００３】
【目的】そこで、本発明では、液晶部に光の利用効率が
高い分散型液晶を用い、バックライトを非常に薄いＥＬ
素子で構成し一体化することにより明るく・薄いフラッ
トパネルディスプレイを提供することを目的とする。
高い分散型液晶を用い、バックライトを非常に薄いＥＬ
素子で構成し一体化することにより明るく・薄いフラッ
トパネルディスプレイを提供することを目的とする。
【０００４】
【構成】本発明は、一対の基板間にＥＬ素子よりなる発
光部と液晶部を一体化して設け、非常に薄く、かつ軽い
ことを特徴とするバックライト一体型の液晶表示装置に
関する。本発明のバックライト一体型液晶表示装置は、
一対の基板間に、ポリマーにより形成された三次元網目
構造に取り込まれるように液晶を分散させたポリマーネ
ットワーク型液晶層、あるいポリマーマトリックス中に
粒子状の液晶を分散させたポリマー分散型液晶層および
液晶駆動用電極を有する液晶素子部と、ＥＬ素子とを上
下１対の基板間に一体化し、挟持して構成される。
光部と液晶部を一体化して設け、非常に薄く、かつ軽い
ことを特徴とするバックライト一体型の液晶表示装置に
関する。本発明のバックライト一体型液晶表示装置は、
一対の基板間に、ポリマーにより形成された三次元網目
構造に取り込まれるように液晶を分散させたポリマーネ
ットワーク型液晶層、あるいポリマーマトリックス中に
粒子状の液晶を分散させたポリマー分散型液晶層および
液晶駆動用電極を有する液晶素子部と、ＥＬ素子とを上
下１対の基板間に一体化し、挟持して構成される。
【０００５】本発明の液晶表示装置の具体的な構成を図
面に基づいて説明する。液晶素子部には、発光ＥＬ素子
の暗い光でも高いコントラストが得られる分散型液晶を
用いる。分散型液晶としては図３に示すような高分子ポ
リマーのマトリックス１１中に液晶１０を分散させたポ
リマー分散型液晶や図４に示すようなポリマーの３次元
網目構造中に液晶１０を分散させたポリマーネットワー
ク型液晶が考えられる。これらの液晶素子は、電圧が印
加されていないときには、液晶分子がランダムに並んで
いるため光が散乱され、電圧が印加されると液晶分子が
電界方向に並ぶため光が透過される。この２状態を制御
することにより画像データを表示する。液晶層９には色
素、特に２色性色素を含有させゲスト・ホスト型として
もよい。例えば、液晶に二色性の黒色色素を混ぜた場
合、電圧無印加時には液晶分子も色素もランダムに並
び、バックライトからの光は色素に吸収される。電圧を
印加すると液晶分子および色素は、電界方向に並ぶため
色素も電界方向に並び光は透過される（図５）。
面に基づいて説明する。液晶素子部には、発光ＥＬ素子
の暗い光でも高いコントラストが得られる分散型液晶を
用いる。分散型液晶としては図３に示すような高分子ポ
リマーのマトリックス１１中に液晶１０を分散させたポ
リマー分散型液晶や図４に示すようなポリマーの３次元
網目構造中に液晶１０を分散させたポリマーネットワー
ク型液晶が考えられる。これらの液晶素子は、電圧が印
加されていないときには、液晶分子がランダムに並んで
いるため光が散乱され、電圧が印加されると液晶分子が
電界方向に並ぶため光が透過される。この２状態を制御
することにより画像データを表示する。液晶層９には色
素、特に２色性色素を含有させゲスト・ホスト型として
もよい。例えば、液晶に二色性の黒色色素を混ぜた場
合、電圧無印加時には液晶分子も色素もランダムに並
び、バックライトからの光は色素に吸収される。電圧を
印加すると液晶分子および色素は、電界方向に並ぶため
色素も電界方向に並び光は透過される（図５）。
【０００６】前記分散型液晶素子に電圧を印加する方法
としては、単純マトリックス型と基板上に非線形素子
（薄膜トランジスタ；ＴＦＴあるいはＭＩＭダイオー
ド）を形成し電圧を印加するアクティブマトリックス型
がある。単純マトリックス型の場合、上下の透明電極間
に電圧を印加するだけなので構造は簡単だが大画面の駆
動はできない（分散型液晶が、低電圧駆動ができないた
め）。図６に非線形素子としてＭＯＳ型のＴＦＴの１構
成例を示す。逆スタガ型あるいは順スタガ型のアモール
ファスＳｉＴＦＴが考えられる。図７にＭＩＭ型ダイオ
ードの１構成例を示す。駆動部に非線形素子を用いるこ
とにより大画面の駆動が可能になる。
としては、単純マトリックス型と基板上に非線形素子
（薄膜トランジスタ；ＴＦＴあるいはＭＩＭダイオー
ド）を形成し電圧を印加するアクティブマトリックス型
がある。単純マトリックス型の場合、上下の透明電極間
に電圧を印加するだけなので構造は簡単だが大画面の駆
動はできない（分散型液晶が、低電圧駆動ができないた
め）。図６に非線形素子としてＭＯＳ型のＴＦＴの１構
成例を示す。逆スタガ型あるいは順スタガ型のアモール
ファスＳｉＴＦＴが考えられる。図７にＭＩＭ型ダイオ
ードの１構成例を示す。駆動部に非線形素子を用いるこ
とにより大画面の駆動が可能になる。
【０００７】ＥＬ素子は、図２に示すように、ＥＬ素子
下部基板１上に、好ましくは反射板を兼ねる下部電極
２、絶縁層３、発光層４、絶縁層５およびＥＬ素子上部
透明電極６よりなる。ＥＬ素子は発光層４を構成する蛍
光体に強い電界を印加したときに生ずる発光現象を利用
するものである。電極２〜６間に電界を印加すると発光
する。発光色は、白黒表示あるいはカラー表示のことを
考えると白色が好ましく、発光層４の材料としては、Ｓ
ｒＳ：Ｃｅ，Ｋ，ＥｕやＺｎＳ：ＰｒＦ3及びＳｒＳ：
Ｐｒ，Ｋ等が考えられる。その他にも発光層４として
は、蛍光体粉末を用いる分散型ＥＬや有機ＥＬ等があ
る。有機ＥＬは、蛍光性の有機固体中に注入した電子と
正孔を再結合させると電界発光が起こる現象を利用した
ものである。蛍光性色素蒸着膜とキャリア注入のための
色素層をサンドイッチ状に積層している。
下部基板１上に、好ましくは反射板を兼ねる下部電極
２、絶縁層３、発光層４、絶縁層５およびＥＬ素子上部
透明電極６よりなる。ＥＬ素子は発光層４を構成する蛍
光体に強い電界を印加したときに生ずる発光現象を利用
するものである。電極２〜６間に電界を印加すると発光
する。発光色は、白黒表示あるいはカラー表示のことを
考えると白色が好ましく、発光層４の材料としては、Ｓ
ｒＳ：Ｃｅ，Ｋ，ＥｕやＺｎＳ：ＰｒＦ3及びＳｒＳ：
Ｐｒ，Ｋ等が考えられる。その他にも発光層４として
は、蛍光体粉末を用いる分散型ＥＬや有機ＥＬ等があ
る。有機ＥＬは、蛍光性の有機固体中に注入した電子と
正孔を再結合させると電界発光が起こる現象を利用した
ものである。蛍光性色素蒸着膜とキャリア注入のための
色素層をサンドイッチ状に積層している。
【０００８】前記のような液晶層および液晶駆動用電極
を設けた基板よりなる液晶素子部とＥＬ素子とを、前記
の液晶素子部の基板とＥＬ素子の基板で構成される一対
の基板間に挟持されるように貼り合わせることにより、
図１に示すような本発明のバックライト一体型液晶表示
装置を作製することができる。このように、本発明のバ
ックライト一体型の液晶表示装置は、上下一対の基板間
で液晶素子部とＥＬ素子が一体化して設けられているの
で、非常に薄く、かつ軽いものである。また、本発明の
液晶表示装置の液晶素子およびＥＬ素子を構成する基板
として、プラスチック基板（以下、ＰＦと略す。）例え
ばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテ
ルサルホン（ＰＥＳ）あるいはポリアリレート等があげ
られる。次に実施例を示す。
を設けた基板よりなる液晶素子部とＥＬ素子とを、前記
の液晶素子部の基板とＥＬ素子の基板で構成される一対
の基板間に挟持されるように貼り合わせることにより、
図１に示すような本発明のバックライト一体型液晶表示
装置を作製することができる。このように、本発明のバ
ックライト一体型の液晶表示装置は、上下一対の基板間
で液晶素子部とＥＬ素子が一体化して設けられているの
で、非常に薄く、かつ軽いものである。また、本発明の
液晶表示装置の液晶素子およびＥＬ素子を構成する基板
として、プラスチック基板（以下、ＰＦと略す。）例え
ばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテ
ルサルホン（ＰＥＳ）あるいはポリアリレート等があげ
られる。次に実施例を示す。
【０００９】
実施例１ まず、薄膜ＥＬを用いて発光素子部を作製する。下部基
板１としてパイレックス基板を用い、Ａｌ電極を蒸着法
により３０００Å製膜しＥＬ素子下部電極２を形成し、
次に絶縁層３としてＡｌＮをスパッタ法で３０００Å製
膜した。さらにＥＢ蒸着法を用いて発光層４としてＳｒ
Ｓ：Ｃｅ，Ｋ，Ｅｕを１μｍ製膜し、さらに絶縁層５と
してＡｌＮを３０００Å製膜した。上部電極６としてＩ
ＴＯを８００Å製膜した。絶縁膜７としてＡｌＮを３０
００Å製膜し液晶の共通電極８としてＩＴＯを１０００
Å製膜し、ストライプ状にパターニングした。なお、こ
こでは薄膜ＥＬを用いたが、後述の分散型ＥＬでも良
い。次に液晶素子上部基板１４上に非線形素子ＭＩＭダ
イオード１３を作製する。画素電極１２としてＩＴＯを
スパッタ法で１０００Å製膜し、パターニングを行っ
た。次に下部電極１６としてＡｌを蒸着法により１５０
０Å製膜後、パターニングを行った。硬質炭素膜１７を
プラズマＣＶＤ法で９００Å製膜後、ドライエッチング
法を用いてパターニングした。さらに、上部電極１８と
してＮｉをＥＢ蒸着法を用いて１５００Å製膜した後パ
ターニングした（図７にその構成および図８にその作製
プロセスフローを示す）。非線形素子が形成された上部
基板１４上に液晶層を形成する。液晶層としては、下記
のようなポリマー分散型液晶を用いた。エポキシ樹脂と
硬化剤を所定量混合した液に、シアノビフェニル系のネ
マテック液晶１０を重量４：１の割合で混合した。これ
をホモジナイザーにて均一混合した液晶分散液を基板１
４上に塗布後８０℃で加熱硬化して液晶層を作製した。
エポキシ樹脂のかわりにポリビニルアルコール、二官能
型光硬化アクリル樹脂などを用いることができる。液晶
としてはシアノビフェニル系以外にもエステル系、ピリ
ジン系などやそれらの混合物など通常のネマテック液晶
を用いることができる。液晶粒子の大きさは、１０μｍ
以下程度が適当であり、その含有量は１０〜５０ｗｔ％
程度が適当である。液晶層の厚さは、２〜１０μｍが適
当である。なお、ここではポリマー分散型液晶を用いた
が後述のポリマーネットワーク型液晶でもよい。発光層
４が設けられた下部基板１と液晶層が設けられた上部基
板１４を張り合わせ８０℃で加熱硬化させ張り合わせ
た。ここでは、加熱硬化型の接着剤を用いたが光硬化型
でもよい。上部基板１４上に形成された上部電極にＳＥ
Ｇドライバ、下部基板に形成された共通電極８上にＣＯ
ＭドライバをＴＡＢ法を用いて接続し、さらにＥＬ素子
の上下電極間に点灯回路を接続し、バックライト一体型
の液晶表示装置を作製した。
板１としてパイレックス基板を用い、Ａｌ電極を蒸着法
により３０００Å製膜しＥＬ素子下部電極２を形成し、
次に絶縁層３としてＡｌＮをスパッタ法で３０００Å製
膜した。さらにＥＢ蒸着法を用いて発光層４としてＳｒ
Ｓ：Ｃｅ，Ｋ，Ｅｕを１μｍ製膜し、さらに絶縁層５と
してＡｌＮを３０００Å製膜した。上部電極６としてＩ
ＴＯを８００Å製膜した。絶縁膜７としてＡｌＮを３０
００Å製膜し液晶の共通電極８としてＩＴＯを１０００
Å製膜し、ストライプ状にパターニングした。なお、こ
こでは薄膜ＥＬを用いたが、後述の分散型ＥＬでも良
い。次に液晶素子上部基板１４上に非線形素子ＭＩＭダ
イオード１３を作製する。画素電極１２としてＩＴＯを
スパッタ法で１０００Å製膜し、パターニングを行っ
た。次に下部電極１６としてＡｌを蒸着法により１５０
０Å製膜後、パターニングを行った。硬質炭素膜１７を
プラズマＣＶＤ法で９００Å製膜後、ドライエッチング
法を用いてパターニングした。さらに、上部電極１８と
してＮｉをＥＢ蒸着法を用いて１５００Å製膜した後パ
ターニングした（図７にその構成および図８にその作製
プロセスフローを示す）。非線形素子が形成された上部
基板１４上に液晶層を形成する。液晶層としては、下記
のようなポリマー分散型液晶を用いた。エポキシ樹脂と
硬化剤を所定量混合した液に、シアノビフェニル系のネ
マテック液晶１０を重量４：１の割合で混合した。これ
をホモジナイザーにて均一混合した液晶分散液を基板１
４上に塗布後８０℃で加熱硬化して液晶層を作製した。
エポキシ樹脂のかわりにポリビニルアルコール、二官能
型光硬化アクリル樹脂などを用いることができる。液晶
としてはシアノビフェニル系以外にもエステル系、ピリ
ジン系などやそれらの混合物など通常のネマテック液晶
を用いることができる。液晶粒子の大きさは、１０μｍ
以下程度が適当であり、その含有量は１０〜５０ｗｔ％
程度が適当である。液晶層の厚さは、２〜１０μｍが適
当である。なお、ここではポリマー分散型液晶を用いた
が後述のポリマーネットワーク型液晶でもよい。発光層
４が設けられた下部基板１と液晶層が設けられた上部基
板１４を張り合わせ８０℃で加熱硬化させ張り合わせ
た。ここでは、加熱硬化型の接着剤を用いたが光硬化型
でもよい。上部基板１４上に形成された上部電極にＳＥ
Ｇドライバ、下部基板に形成された共通電極８上にＣＯ
ＭドライバをＴＡＢ法を用いて接続し、さらにＥＬ素子
の上下電極間に点灯回路を接続し、バックライト一体型
の液晶表示装置を作製した。
【００１０】実施例２ 実施例１と同様に下部基板１上に発光層として薄膜ＥＬ
を形成し、絶縁膜を介して共通電極としてＩＴＯを製膜
しＥＬ素子を形成する。次に非線形素子としてＭＯＳ型
ＴＦＴを作製する。上部基板１４上にゲート電極２４を
スパッタ法でＣｒ；１０００Å形成しパターニングす
る。次にプラズマＣＶＤ法により絶縁膜２２としてＳｉ
Ｎｘ；４０００Å、半導体層２１としてａ−Ｓｉ：Ｈ；
５００Å形成しパターニングする。さらに透明電極とし
てＩＴＯ；１０００Å形成しパターニングして画素電極
１２とする。最後にソース電極１９とドレイン電極２０
をａ−Ｓｉ；５００Å，Ａｌ；７０００Åの積層膜をス
パッタ法で連続製膜してパターニングしてＴＦＴ部とし
た、その上に保護膜を形成した（図９にプロセスフロー
を示す）。前記非線形素子が形成された上部基板１４上
に液晶層を形成する。ポリメチルメタクリレート樹脂
（ＰＭＭＡ）１５ｗｔ％のトルエン溶液に重量比で２
０：１の割合でシアノビフェニル系のネマティック液晶
を添加し、混合均一化した後透明電極上に塗布後加熱
し、溶媒を除去することにより、ＰＭＭＡ中に分散した
液晶層が作製された。このポリマーネットワーク型液晶
に用いられるポリマーとしては、アクリル樹脂、ポリス
チレン、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、シ
ロキサン系、エステル系等の高分子液晶、エポキシ樹
脂、ポリアミド等通常の高分子化合物等が例示され、液
晶は前述のポリマー分散型と同様のものが例示される。
ポリマーネットワーク型液晶層の厚さは、１〜１０μｍ
が適当である。発光層が設けられた下部基板１と液晶層
が設けられた上部基板１４を張り合わせ８０℃で加熱硬
化した。ここでは、加熱硬化型の接着剤を用いたが光硬
化型でもよい。上部基板１４上に形成されたゲート電極
にゲートドライバ、ソース電極にソースドライバをＴＡ
Ｂ法を用いて接続し、下部基板７上の共通電極を接続
し、さらに薄膜ＥＬの上下電極２，６間に点灯回路を接
続し、バックライト一体型の液晶表示装置を作製した。
を形成し、絶縁膜を介して共通電極としてＩＴＯを製膜
しＥＬ素子を形成する。次に非線形素子としてＭＯＳ型
ＴＦＴを作製する。上部基板１４上にゲート電極２４を
スパッタ法でＣｒ；１０００Å形成しパターニングす
る。次にプラズマＣＶＤ法により絶縁膜２２としてＳｉ
Ｎｘ；４０００Å、半導体層２１としてａ−Ｓｉ：Ｈ；
５００Å形成しパターニングする。さらに透明電極とし
てＩＴＯ；１０００Å形成しパターニングして画素電極
１２とする。最後にソース電極１９とドレイン電極２０
をａ−Ｓｉ；５００Å，Ａｌ；７０００Åの積層膜をス
パッタ法で連続製膜してパターニングしてＴＦＴ部とし
た、その上に保護膜を形成した（図９にプロセスフロー
を示す）。前記非線形素子が形成された上部基板１４上
に液晶層を形成する。ポリメチルメタクリレート樹脂
（ＰＭＭＡ）１５ｗｔ％のトルエン溶液に重量比で２
０：１の割合でシアノビフェニル系のネマティック液晶
を添加し、混合均一化した後透明電極上に塗布後加熱
し、溶媒を除去することにより、ＰＭＭＡ中に分散した
液晶層が作製された。このポリマーネットワーク型液晶
に用いられるポリマーとしては、アクリル樹脂、ポリス
チレン、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、シ
ロキサン系、エステル系等の高分子液晶、エポキシ樹
脂、ポリアミド等通常の高分子化合物等が例示され、液
晶は前述のポリマー分散型と同様のものが例示される。
ポリマーネットワーク型液晶層の厚さは、１〜１０μｍ
が適当である。発光層が設けられた下部基板１と液晶層
が設けられた上部基板１４を張り合わせ８０℃で加熱硬
化した。ここでは、加熱硬化型の接着剤を用いたが光硬
化型でもよい。上部基板１４上に形成されたゲート電極
にゲートドライバ、ソース電極にソースドライバをＴＡ
Ｂ法を用いて接続し、下部基板７上の共通電極を接続
し、さらに薄膜ＥＬの上下電極２，６間に点灯回路を接
続し、バックライト一体型の液晶表示装置を作製した。
【００１１】実施例３ 実施例１と同様にしてＥＬ素子下部電極２上に発光層を
設け、上部基板１４側にＭＩＭを設けた。上部基板側に
液晶層としてポリメチルメタクリレートと液晶と黒色の
２色性色素のクロロホルム溶液を塗布し、室温で乾燥さ
せＰＭＭＡ中に分散した２色性のポリマーネットワーク
型液晶を作製した。実施例１と同様にして実装後、動作
させ無電圧印加時に黒色を表示することを確認した。
設け、上部基板１４側にＭＩＭを設けた。上部基板側に
液晶層としてポリメチルメタクリレートと液晶と黒色の
２色性色素のクロロホルム溶液を塗布し、室温で乾燥さ
せＰＭＭＡ中に分散した２色性のポリマーネットワーク
型液晶を作製した。実施例１と同様にして実装後、動作
させ無電圧印加時に黒色を表示することを確認した。
【００１２】実施例４ 図１０に示すような、発光層として分散ＥＬ層を形成し
た、プラスチック基板を用いたバックライト一体型液晶
表示装置を次のようにして作製した。下部基板１として
ポリアリレート上に分散型ＥＬ層２８を作製する。Ｚｎ
Ｓを母体とするＥＬ用粉末蛍光体を硫化水素を含む雰囲
気中、９００℃にて５時間焼成した。このようにして得
られた蛍光体をフッソゴムをバインダーとして蛍光体と
バインダーの混合比を体積比で６：４として電極２と絶
縁膜３が形成された下部基板１上に塗布した。両面に透
明電極３，６が形成され、液晶側がストライプ状にパタ
ーニングされたＮＡＰ基板７′で挟んだ。ポリマー基板
としては、ポリアリレート、ポリサルホン（ＰＳＦ）、
ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）及びポリエーテルエ
ーテルケルトン（ＰＥＥＫ）等でも良い。上部基板１４
としてＮＡＰ上にＳｉＯ2を製膜し、スパッタ法を用い
て画素電極１２としてＩＴＯをスパッタ法で１０００Å
製膜し、パターニングを行った。次に下部電極１６とし
てＡｌを蒸着法により１５００Å製膜後、パターニング
を行った。硬質炭素膜１７をプラズマＣＶＤ法で９００
Å製膜後、ドライエッチング法を用いてパターニングし
た。さらに上部電極１８としてＮｉをＥＢ蒸着法を用い
て１５００Å製膜した後パターニングした。実施例１と
同様にして液晶層を上部基板側に設け、上下基板を張り
合わせ加熱硬化後、駆動用ＩＣとＥＬ電極を実装した。
バックライト一体型のフレキシブル液晶ディスプレイが
できた。
た、プラスチック基板を用いたバックライト一体型液晶
表示装置を次のようにして作製した。下部基板１として
ポリアリレート上に分散型ＥＬ層２８を作製する。Ｚｎ
Ｓを母体とするＥＬ用粉末蛍光体を硫化水素を含む雰囲
気中、９００℃にて５時間焼成した。このようにして得
られた蛍光体をフッソゴムをバインダーとして蛍光体と
バインダーの混合比を体積比で６：４として電極２と絶
縁膜３が形成された下部基板１上に塗布した。両面に透
明電極３，６が形成され、液晶側がストライプ状にパタ
ーニングされたＮＡＰ基板７′で挟んだ。ポリマー基板
としては、ポリアリレート、ポリサルホン（ＰＳＦ）、
ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）及びポリエーテルエ
ーテルケルトン（ＰＥＥＫ）等でも良い。上部基板１４
としてＮＡＰ上にＳｉＯ2を製膜し、スパッタ法を用い
て画素電極１２としてＩＴＯをスパッタ法で１０００Å
製膜し、パターニングを行った。次に下部電極１６とし
てＡｌを蒸着法により１５００Å製膜後、パターニング
を行った。硬質炭素膜１７をプラズマＣＶＤ法で９００
Å製膜後、ドライエッチング法を用いてパターニングし
た。さらに上部電極１８としてＮｉをＥＢ蒸着法を用い
て１５００Å製膜した後パターニングした。実施例１と
同様にして液晶層を上部基板側に設け、上下基板を張り
合わせ加熱硬化後、駆動用ＩＣとＥＬ電極を実装した。
バックライト一体型のフレキシブル液晶ディスプレイが
できた。
【００１３】
【効果】ＥＬ素子で形成された発光部とポリマー分散型
あるいはポリマーネットワーク型液晶層からなる画像表
示部を上下基板間に一体型で形成することにより、非常
に薄くて軽く、かつ明るい透過型液晶表示装置が提供出
来る。
あるいはポリマーネットワーク型液晶層からなる画像表
示部を上下基板間に一体型で形成することにより、非常
に薄くて軽く、かつ明るい透過型液晶表示装置が提供出
来る。
【図１】本発明の液晶表示装置の１例の断面構成を模式
的に示す図である。
的に示す図である。
【図２】本発明で使用する発光素子の１例の断面構成を
模式的に示す図である。
模式的に示す図である。
【図３】ポリマー分散型液晶層の動作原理を示す図であ
る。（ａ）オフ状態（散乱状態）を示す図である。
（ｂ）オン状態（透過状態）を示す図である。
る。（ａ）オフ状態（散乱状態）を示す図である。
（ｂ）オン状態（透過状態）を示す図である。
【図４】ポリマーネットワーク型液晶層の動作原理を示
す図である。
す図である。
【図５】液晶層がゲスト・ホスト型のポリマー分散型液
晶層の動作原理を示す図である。（ａ）は無電圧時の状
態を示す図である。（ｂ）は電圧印加時の状態を示す図
である。
晶層の動作原理を示す図である。（ａ）は無電圧時の状
態を示す図である。（ｂ）は電圧印加時の状態を示す図
である。
【図６】本発明で使用するＭＯＳ型ＴＦＴ素子の１構成
例を示す図である。
例を示す図である。
【図７】本発明で使用するＭＩＭ型ダイオード素子の１
構成例を示す図である。
構成例を示す図である。
【図８】実施例１で使用するＭＩＭ型ＴＦＴ素子の作製
工程を示す図である。（ａ）Ａｌエッチング状態を示
す。（ｂ）硬質炭素膜およびＮｉ膜の製膜、およびＮｉ
膜のエッチング状態を示す。（ｃ）硬質炭素膜エッチン
グ状態を示す。
工程を示す図である。（ａ）Ａｌエッチング状態を示
す。（ｂ）硬質炭素膜およびＮｉ膜の製膜、およびＮｉ
膜のエッチング状態を示す。（ｃ）硬質炭素膜エッチン
グ状態を示す。
【図９】実施例２で使用するＭＯＳ型ＴＦＴ素子の作製
工程を示す図である。（ａ）ゲート電極形成後の状態を
示す。（ｂ）チャネル・ストッパ形成後の状態を示す。
（ｃ）アモーファスＳｉ島形成後の状態を示す。（ｄ）
オーミック層形成後の状態を示す。（ｅ）画素電極形成
後の状態を示す。（ｆ）ソース・ドレイン電極形成後の
状態を示す。（ｇ）保護膜形成後の状態を示す。
工程を示す図である。（ａ）ゲート電極形成後の状態を
示す。（ｂ）チャネル・ストッパ形成後の状態を示す。
（ｃ）アモーファスＳｉ島形成後の状態を示す。（ｄ）
オーミック層形成後の状態を示す。（ｅ）画素電極形成
後の状態を示す。（ｆ）ソース・ドレイン電極形成後の
状態を示す。（ｇ）保護膜形成後の状態を示す。
【図１０】発光層として、分散型ＥＬ素子を用いたバッ
クライト一体型の液晶表示装置を示す図である。
クライト一体型の液晶表示装置を示す図である。
１ ＥＬ素子下部基板 １′ ポリアリレート基板 ２ ＥＬ素子下部電極（反射板兼用） ３ 絶縁層 ４ 発光層 ５ 絶縁層 ６ ＥＬ素子上部電極 ７ 絶縁層 ７′ ポリアリレート基板 ８ 液晶素子下部電極 ９ 液晶層 １０ 液晶分子 １１ 高分子マトリックス １１′ 三次元網目構造高分子 １２ 画素電極 １３ ＭＩＭ素子 １４ 液晶素子上部基板 １４′ ポリアリレート基板 １５ 二色性色素 １６ ＭＩＭ素子下部電極 １７ ＭＩＭ素子絶縁膜（硬質炭素膜） １８ ＭＩＭ素子上部電極 １９ アモーファスＳｉ−ＴＦＴ素子ソース電極 ２０ アモーファスＳｉ−ＴＦＴ素子ドレイン電極 ２１ アモーファスＳｉ−ＴＦＴ素子アモーファスＳｉ
膜 ２２ アモーファスＳｉ−ＴＦＴ素子ＳｉＮｘゲート絶
縁膜 ２３ アモーファスＳｉ−ＴＦＴ素子ゲート酸化膜 ２４ アモーファスＳｉ−ＴＦＴ素子ゲート電極 ２５ アモーファスＳｉ−ＴＦＴ素子オーミック層 ２６ アモーファスＳｉ−ＴＦＴ素子ＳｉＮｘ層 ２７ アモーファスＳｉ−ＴＦＴ素子保護膜 ２８ 分散ＥＬ層（発光層） ２９ ＳｉＯ2膜 ３０ 保護膜
膜 ２２ アモーファスＳｉ−ＴＦＴ素子ＳｉＮｘゲート絶
縁膜 ２３ アモーファスＳｉ−ＴＦＴ素子ゲート酸化膜 ２４ アモーファスＳｉ−ＴＦＴ素子ゲート電極 ２５ アモーファスＳｉ−ＴＦＴ素子オーミック層 ２６ アモーファスＳｉ−ＴＦＴ素子ＳｉＮｘ層 ２７ アモーファスＳｉ−ＴＦＴ素子保護膜 ２８ 分散ＥＬ層（発光層） ２９ ＳｉＯ2膜 ３０ 保護膜
Claims (3)
- 【請求項１】 ポリマーにより形成された三次元網目構
造に取り込まれるように液晶を分散させたポリマーネッ
トワーク型液晶層、あるいはポリマーマトリックス中に
粒子状の液晶を分散させたポリマー分散型液晶層および
液晶駆動用電極を有する液晶素子部（ａ）とＥＬ素子
（ｂ）とを上下１対の基板間に一体化し、挟持して構成
されたバックライト一体型液晶素示装置。 - 【請求項２】 各画素に対応して非線形素子を設け、該
非線形スイッチング操作によって液晶を駆動する請求項
１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記各基板がプラスチック基板である請
求項１または２記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20716592A JPH0627449A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | バックライト一体型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20716592A JPH0627449A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | バックライト一体型液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0627449A true JPH0627449A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16535309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20716592A Pending JPH0627449A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | バックライト一体型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0627449A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0851713A2 (en) * | 1996-12-26 | 1998-07-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Light-emitting elements, display unit using light-emitting elements and light-emitting element production method |
| JP2008135615A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Sony Corp | 有機半導体素子および表示装置 |
| US7786958B1 (en) | 1999-09-24 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
| KR101019136B1 (ko) * | 2003-01-15 | 2011-03-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정표시장치의 제조방법 |
-
1992
- 1992-07-10 JP JP20716592A patent/JPH0627449A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0851713A2 (en) * | 1996-12-26 | 1998-07-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Light-emitting elements, display unit using light-emitting elements and light-emitting element production method |
| EP0851713A3 (en) * | 1996-12-26 | 1999-02-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Light-emitting elements, display unit using light-emitting elements and light-emitting element production method |
| US7786958B1 (en) | 1999-09-24 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
| US8436790B2 (en) | 1999-09-24 | 2013-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
| KR101019136B1 (ko) * | 2003-01-15 | 2011-03-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정표시장치의 제조방법 |
| US8040456B2 (en) | 2003-01-15 | 2011-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method of liquid crystal display device |
| JP2008135615A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Sony Corp | 有機半導体素子および表示装置 |
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