TWI329241B - Mold, pattern forming method, and pattern forming apparatus - Google Patents

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Description

1329241
.a- 浦充 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】
本發明是有關於一種模、圖案形成方法及圖案形成裝 置,係用來成一圖案。更詳細地說,本發明係有關於一種 將一模對準一基材的對準技術。 【先前技術】 近年來已開發出用來將一模上的細微圖案結構轉移至 諸如樹脂或金屬之類的構件上的精細處理技術。此技術稱 爲奈米壓印(Nanoimprint)或奈米壓紋(Nanoembossing ),被認爲可以達到數奈米之級數的解析度,因此被視爲 可取代諸如步進器或掃描器之類的暴光裝置的下一代半導 體製造技術,而得到重視。再者,根奈米壓印技術,雖然 會隨著晶圓的尺寸而變化,但整體而言係可在晶圓形成一 空間結構,因此奈米壓印技術被視爲可以應用至諸如光晶 體之類的光學裝置及諸如μ-TAS (顯微全分析系統)之類 的生物晶片等的製造技術中的多種領域內》 在 Stephan Y. Chou 等人在 Appl_ Phys. Lett. Vol. 67, Issue 21第3144頁至第3116頁(西元1955年)中發表的 文章中曾描述將奈米壓印處理應用於半導體的製造上的情 形。更詳細地說,在一工作件或工件(在此情形中是一半 導體晶圓)上先形成一層光固化樹脂。然後將一具有所需 之壓印圖案的模擠壓該樹脂,而後再在壓力下以光線照射 而將該樹脂力以固化。在該層光固化樹脂固化後,該模的 -5-
1329241 壓印圖案即會轉移至工作件上。以該固化樹脂層做爲遮罩 進行蝕刻或類似作業時,即可在半導體晶圓上形成圖案。 在壓印技術中,在圖案轉移時,必須要將模精確地做 (位置)對準於該工作件。 此對準作業通常是藉由自該模這一側來光學讀取設置 在該模上的對準結構(下文中亦稱爲對準標記)及設置在 諸如半導體晶圓之類的工作件上的對準標記來進行的。 但是,在該模上的圖案要轉移至其上的樹脂是夾置於 該模及該工作件之間的情形下,會發生以下的問題。 更詳細地說,樹脂會與該模側上的對準標記互相接觸 ’而使得在某些情形中,無法清楚地觀察該對準標記。再 者’在模與樹脂間的折射率差値不夠大時,對準標記將會 特別看不清楚。 【發明內容】 本發明的目的是要提供一種模,其可以應用在高精確 性的對準作業上。 本發明的另一目的在於提供一種應用該模的圖案形成 方法’以及用來形成該圖案的圖案形成裝置。 根據本發明之一觀點是要提供一種模,包含有: 一第一表面,具有一欲供轉移之圖案區域; 一第二表面,與該第一表面相對設置;以及 一對準標記,埋設於該模內而不暴露於該第一表面及 該第二表面外。 -6- 1329241
E:^二捕充 根據本發明的另一觀點,其提供一種模,包含有: 一第一表面,具有一欲供轉移之圖案區域; 一第二表面,與該第一表面相對設置;以及 一第一標記,設置在該第一表面上;以及 一第二標記,係供對準之用,設置在一個該第二標記 遠離該第一表面的位置處。 根據本發明的另一觀點,其提供一種圖案形成方法, 用以利用設在一模上的圖案而在設置於一基材上的塗佈材 料上形成壓印圖案,包含有下列步驟: 製備一模,其具有一包含有一圖案區域的第一表面、 一與該第一表面相對的第二表面、以及一對準標記,設置 在該對準標記遠離該第一表面的位置處; 將該模的該圖案區域接觸設置在該基材上的該塗佈材 料; 在該塗佈材料是設置於該基材上的一個該對準標記與 該基材相對的部位處的情形下,使用該對準標記及一設置 於該基材上的標記來取得有關於該模及該基材之位置的資 訊;以及 在該圖案區域及該塗佈材料互相接觸的情形下,依據 該資訊在該圖案區域的面內方向上進行該基材之對準於該 模。 根據本發明的另一觀點,其提供一種圖案形成方法, 係使用設置在一模上的圖案以在一欲加工之構件上形成一 圖案,包含有下列步驟: 1329241 使用有關於一設置於該模中與該模之圖案區域形成表 面相同高度處之表面上的第一標記與一位在遠離該圖案區 域形成表面處的第二標記之間之相對位置關係的第一位置 資訊,並使用有關於該第二標記與一設置在該欲加工構件 上之第三標記之間之相對位置關係的第二位置資訊,以在 該模之圖案區域的面內方向上進行該模之對準於該欲加工 構件。 根據本發明的另一觀點,其提供一種圖案形成裝置, 用以進行前面所述之任一圖案形成方法,包含有: 一模固定部,用以固定住一模;以及 一基材支撐部,用以支撐一基材; 其中該模固定部及該基材支撐部係構造成可在面內方 向上互相相對移動。 根據本發明的另一觀點,其提供一種圖案轉移裝置, 包含有: 一對準機構,用以進行一模之對準於一欲加工構件, 該對準機構係構造成可使用有關於一設置於該模中與該模 之圖案區域形成表面相同高度處之表面上的第一標記與一 位在遠離該圖案區域形成表面處的第二標記之間之相對位 置關係的第一位置資訊,並使用有關於該第二標記與一設 置在該欲加工構件上之第三標記之間之相對位置關係的第 二位置資訊’以在該模之圖案區域的面內方向上進行該模 之對準於該欲加工構件。 再者,本發明提供下列的模、加工裝置、加工方法、 -8- 1329241 及模製做方法。 更詳細地說,其提供一模,具有一加工表面,其上形 • 成有一圖案,其特徵在於其設有一對準結構,係自該加工 . 表面後縮數微米至數釐米。 在本發明的另一觀點中,具有該圖案的該模的特徵是 在於其在該加工表面與一與該加工表面相對的表面之間一 個區域內設有一對準結構》 φ 在本發明的另一觀點中,具有該圖案的該模的特徵是 在於其在一與該加工表面相對的表面上設有一對準結構。 其亦提供一種加工裝置,能夠在一模被壓貼至一工作 件上以將形成在該模上的一圖案轉移至該工作件上之時, • 沿著平行於該模之加工表面的平面方向上將該模對準該工 作件。更詳細地說,該加工裝置包含有一可在該模與該工 作件接觸的狀態下進行對準作業的機構。在此情形中,該 裝置進一步包含有一可藉由將該模與該工作件相接觸而偵 • 測位置偏差的位置偏差偵測機構,以及一用以將位置偏差 偵測與一預定値相比較的機構。此裝置可進一步包含有一 機構,可在該位置偏差偵測機構所偵測到之位置偏差具有 不小於該預定値之數値時,將該模移離接觸位置而移向該 •模的該加工表面。 . 根據本發明,其進一步提供一種加工方法,其在將該 • 模壓貼至該工作件上以將形成在該模上的圖案轉移至該工 , 作件上的過程,包含有下面所示的步驟。更詳細地說,該 加工方法的特徵是在於,在將該模沿著平行於該模之該加 -9- 1329241 工表面的面內方向上進行對準於該工作件時實施加工作業 的情形中,其會實施一使用前述的模來做爲模具來進行模 之對準於工作件之作業的步驟》 更詳細地說,該模在平行於該模之加工表面的面內方 向上對準於該工作件的作業是在該模經由以下的步驟(1 )及(2 )而與該工作件接觸的狀態下進行的。 (1 ) 一藉由將該模與該工作件接觸而偵測位置偏差 的位置偏差偵測步驟,以及一將一偵測値與一預定値相比 較的步驟,以及 (2 ) —在該位置偏差偵測步驟中偵測到的位置偏差 具有不小於該預定値之數値時,將該模移離接觸位置而移 向該模的該加工表面的步驟。 本發明進一步提供一種用來製做一在其加工表面上具 有欲轉移之圖案的模的程序。 此模製做程的特徵是在於包含有下列步驟(3)至(6 )中至少一者: (3) —在該模內一遠離該模之加工表面數微米至數 釐米的位置處設置一對準結構的步驟, (4) 一在該模內一位在該模加工表面與—與該加工 表面相對的表面之間的區域內設置一對準結構的步驟’ (5) —在該模內與該模加工表面相對的表面上設置 一對準結構的步驟,以及 (6) —在同一程序內同時設置該對準結構及在該加 工表面上形成該圖案的步驟。在此種情形中’一用來形成 -10- 1329241 該對準結構的遮罩層及一用來在該加工表面上形該 的遮罩層最好是位在相同平面上。 '· 本發明進一步提供一種壓力加工裝置’用以推 . 及一欲加工構件(下文中亦稱爲加工構件)中之任 以將形成在該模之加工表面上的圖案轉移至該加工 〇 此裝置的特徵在於具有一以下列方式構成的對 馨 更詳細地說,此對準機構係構造成使其可以偵 置在該模加工表面上之標記與一設置一遠離該加工 " 靠近於該模之內部部位之位置上的標記間的第一相 * ,以及該設置於遠離該加工表面而靠近於該模之內 之位置處的標記與一相對於該加工構件設置之標記 二相對位置,並可將該等第一及第二相對位置互相 以進行該模之對準於該加工構件的作業。 • 此對準機構的特徵是在於包含有一用來儲存該 對位置之測量結果的裝置,以及一用來儲存該第二 置之測量結果的裝置。此對準機構進一步包含有一 統,用以將來自一光源的光線導引至一個位於該設 • 離該模加工表面之位置處的標記與該設置於該模加 . 上的標記之間的部位上。此光學系統亦是構造成可 "· 該光源的光線導引至一個位於該設置於遠離該模加 . 之位置處的標記與該相對於該加工構件而設置的標 的部位上。此光學系統亦可構造成具有一參考對準4 圖案成 壓一模 —者, 構件上 準機構 測一設 表面而 對位置 部部位 間的第 比較, 第一相 相對位 光學系 置於遠 工表面 將來自 工表面 記之間 票記。 -11 - 月γ修正補充 本發明進一步提供一種壓力加工方法,可將一模及一 加工構件之任一者加以推壓而將形成在該模之一加工表面 上的圖案轉移至該加工構件上。 更詳細地說,該壓力加工方法是構成爲可以偵測一設 置在該模加工表面上之標記與一設置一遠離該加工表面而 靠近於該模之內部部位之位置上的標記間的第一相對位置 ,以及該設置於遠離該加工表面而靠近於該模之內部部位 之位置處的標記與一相對於該加工構件設置之標記間的第 二相對位置,並包含有一對準步驟,可將該等第一及第二 相對位置互相比較,以進行該模之對準於該加工構件的作 業。 該對準步驟可包含有下列步驟(1) 、 (2) 、(3) (1) 一根據該設置於遠離該模之加工表面之位置處 的標記而測量並儲存做爲該設置於該模之加工表面上之標 記的水平及旋轉誤差的第一誤差的步驟, (2) —根據該設置於遠離該模之加工表面之位置處 的標記而測量並儲存做爲該相對於該加工構件設置之標記 的水平及旋轉誤差的第二誤差的步驟,以及 (3) —將該加工構件水平及旋轉移動而與該第一誤 差與第二誤差互相一致的步驟β 另外,該對準步驟可進一步包含有使用一具有參考對 準標記之光學系統來測量該第一誤差及第二誤差的步驟。 本發明進一步提供一種用以壓力加工的模,其特徵在 -12- 1329241 於具有一第二標記,係向內遠離於一模上形成 加工表面的水平位置,以及一第一標記,形成 之加工表面相同高度處之表面上。該第二標記 一位置測量標記及一對應於該相對於該加工構 記的對準標記,且該第一標記包含有一對應於 標記的第二測量標記。該第二標記係設置在一 加工表面相對的表面上,且係藉由用來構成該 件的存在或不存在,或是該透明構件內的密度 構成的。再者,該第二標記亦可構造成設置於 模之該加工表面相對之表面且在成份上不同於 該模之該加工表面的第一透明構件的第二透明 者,該第二標記亦可構造成藉由將一成份不同 構件之第二構件埋設於該用來構成該模之透明 之部位處而設置在與該模之該加工表面相對的 該第二標記亦可進一步由一設置在與該模之該 對的該表面上且在該相對表面處自用來構成該 構件上突伸出去的標記所構成。 本發明進一步提供一種供壓力加工用的製 序,其中一形成在一基材的加工表面上的圖案 置在一用來構成一加工構件的基材的一表面上 。此製做程序的特徵是在於包含有以下的步驟 ): (1)一在向內遠離於該基材之加工表面 成一第二標記的步驟,以及 有一圖案的 在一與該模 包含有一第 件設置之標 該第一測量 與該模之該 模之透明構 差異而加以 一構成與該 一用來構成 構件上。再 於前述透明 構件不存在 該表面上。 加工表面相 模的該透明 做一模的程 會轉移至設 的樹脂層上 (1 )及(2 的位置上形 -13- 13292 ;年7月〉日修正補充 (2)—在該第二標記形成後,根據該第二標記的一 部份而在與該基材上形成有該第二標記的表面相對的加工 表面上形成一加工圖案及一第一標記的步驟。 本發明進一步提供另一種供壓力加工用之用來製做一 模的程序,其中一形成在一基材的加工表面上的圖案會轉 移至設置在一用來構成一加工構件的基材的一表面上的樹 脂層上。此製做程序的特徵是在於包含有以下的步驟(3 )及(4): (3 )—藉由自一基材之一側表面的外側照射短脈波 雷射光而在向內遠離於該基材之加工表面的位置上形成一 第二標記,且在該第二標記形成後,在與該基材上形成有 該第二標記的表面相對的加工表面上形成一第一標記的步 驟。 (4) 一根據該第二標記的一部份而在該加工表面上 形成一加工圖案的步驟》 本發明中所用的模包括有一在其表面上設有圖案區域 的模,例如欲加以壓印的表面壓印圖案。在本文中,在某 些情形下,此模亦稱爲模板。 該加工構件(欲加以加工之構件或工作件)代表一物 體,包括其上可供該模之圖案轉移的一部位,例如一基材 本身或是其上設有塗佈材料的基材。該基材上的塗佈材料 可以連續膜或不連續膜的方式來形成,例如點狀的薄膜部 位。其等的細節將在下文中加以討論。做爲該基材,其可 以使用平板的構件,例如矽晶圓或石英晶圓,但本發明並 -14- 1329241
β正補充 不侷限於此,只要是可以用以實施本發明的構件即可。 根據前面所述的構造,其可以提供一種能用來在高準 確度下將模與加工構件(工作件)對準的模。其亦可以提 供一種使用該模的圖案形成方法,以及可供用來進行圖案 成型的一種圖案形成裝置及一種圖案轉移裝置。
本發明的這些及其他目的、特點及優點將可在考量下 面有關於本發明較佳實施例的說明,並配合所附圖式,而 更清楚地得知。 【實施方式】 (第一實施例:模一) 現在將配合第1圖來說明一種根據此實施例的模。 參閱第1圖’模1100具有一第一表面1050、一與第 —表面1050相對的第二表面1060、一形成在第一表面 1050上的圖案區域1〇〇〇、以及一供對準用的標記(對準 標記)1 070,其係埋設於模1100內,而不暴露於該第一 表面1050及該第二表面1060外。 構成模1100的材料及構成對準標記1 070的材料是不 相同的,因此可在其等之間提供折射率上的差値。在考慮 到光學讀取對準標記1 070時,此折射率差値最好是例如 小於0· 1。對準標記1 070的材料並無特別的限制,只要可 以確保其與模1100間之折射率的差値足供進行光學讀取 即可。例如說,對準標記1 070可以是由一孔洞所構成, 其內係排空或充塡以諸如空氣或氮氣之類的氣體。 -15- 修正補充
1329241 ^ Η 在此實施例中,很重要的是對準標記1070要埋 模1100內。藉由此種構成,在進行壓印時,其可以 由於樹脂層夾置於基材及模之間所致之對準標記較不 學讀取的問題。此一問題會在殘餘樹脂附著於對準標 ,或是在模與樹脂間的折射率的差値不夠時產生。在 區域1000內,壓印圖案是形成在模1100的第一表面 上。此壓印圖案也可以藉著在平坦的第一表面1050 置一突出部位而形成之,而後再轉移至該基材上。 在圖案區域1 000及對準標記1 070是由單一光學 加以讀取的情形中,就能同時調整焦點至圖案區域 及對準標記1 070二者上的觀點來看,對準標記1〇7〇 是設置成比較靠近於該第一表面1050,而比較不靠近 第二表面1 060。 附帶一提,如第2C圖中所示,對準標記1 070也 埋設於與模1100不同的材料107內。 再者,對準標記可以製備於與第一表面1050相 表面上’但由一保護層加以遮蓋住而不暴露於該模的 。在此種情形中,該保護層的材料可以是和該模的材 同,但也可以選用具有與模材料不同折射率的材料。 一提,該對準標記不暴露於外部的情形是指該對準標 會直接接觸到夾置於該模與該基材之間的樹脂。 在使用可光固化之樹脂進行壓印時,該模係由光 物質所構成的,例如石英、派熱司玻璃(註冊商標) 寶石。在不必要讓光穿透該模的情形中,可以用金屬 設在 克服 易光 記上 圖案 1050 上設 系統 1000 最好 於該 可以 同的 外部 料相 附帶 記不 透射 、藍 材料 -16- 1329241 或Si來做爲該模的材料。 如第1圖中所示之其內埋設有對準標記的模的製程將 在下文稍後配合第13A圖至第13E圖及第14圖加以說明 〇 在樹脂夾置於基材與模之間而進行模之壓印圖案之轉 移作業時,就防止樹脂附著至該模的對準標記上的觀點來 看,該對準標記(對準結構)也可以下列的方式製做之》 例如說,如第2A圖至第2D圖中所示,此對準結構 的光學特性會相對於模之圖案區域所形成的表面的面內方 向產生變化。在這些圖中,1〇1代表加工表面,102代表 對準結構表面,103代表距離A,104代表一模,105代表 圖案模(第一構件),106代表對準模(第二構件),107 代表光透射物質。 第2A圖顯示出該對準結構表面102係設置在一個向 內遠離該加工表面—段距離A 103的位置處的該種構 造的實施例。在此位置處,樹脂不會接觸到對準結構表面 102。距離A最好是設定成數微米至數釐米,依顯微鏡的 聚焦深度而定。 第2B圖顯示出其上形成有要轉移之壓印圖案的第一 構件105及其上形成有對準結構1〇2的第二構件106互相 施加在一起的該種構造的實施例’可使得其得以輕易地得 到一種該對準結構係位在遠離該壓印圖案之處的構造。 第2C圖顯示出前面曾更詳細說明過的對準結構埋設 於光透射物質內的該種構造的實施例’而第2D圖則顯示 -17- 1329241 p 1月\日修正補充 出對準結構係形成在與加工表面相對之表面上的該種構造 的實施例。 根據本案發明人的硏究,在對準結構是形成在和加工 表面相同的表面上的情形中,如第2A圖及第2B圖中所示 ’其發現到,此對準結構最好是遠離開該加工表面數微米 至數釐米而移向於相對的表面。 —般而言,欲加工之基材上的樹脂是塗佈Ιμηι或較小 的厚度,但在考量到該樹脂可能會因壓力之施加而增大其 厚度’其需要將樹脂塗佈在遠離該加工表面之水平數釐米 以上。再者,在加工表面與對準結構間之距離太大時,該 模在結構設計上的精度會降低,因此此距離最好不要大於 數釐米。在此,"數微米"一詞是指例如2-3 μπι,而"數釐米 ”一詞則是指例如2-3mm。在對準結構是位在與該模之加 工表面相對之表面上,或是位在該模之構成構件之內側部 位上的情形中,此一距離並不受限於該等範圍。 該對準結構可以構造成例如箱盒形、十字形、或桿狀 等形狀,或是具有週期性的結構,或是其等的組合。 接下來,將配合第12圖至第15圖來說明第2A圖至 第2D圖中所示之模的製程。 A)第2A圖之模的製程(第12圖) (1) 在模基材104上形成一硬質遮罩層1201(第 12A 圖)。 (2) 在該硬質遮罩層1201上形成一遮罩層12 04,而 -18- 1329241
後對該硬質遮罩層1201進行蝕刻(第12B圖)。遮罩層 12 04上的g案成型可以藉由例如以步進器或掃描器進行曝 光,或是以電子束照射而達成。在第12B圖中,1202代 表一個用以形成該對準結構的區域,而1 203則是代表實 際圖案形成的區域。 (3) 透過使用該硬質遮罩層1201或是該硬質遮罩層 1201與該遮罩層1 204上之殘餘樹脂膜之組合做爲遮罩, 將模基材104蝕刻至所需深度(第12C圖)。在此情形中 ,所需深度是指進行壓印所需的深度。在此步驟後,在遮 罩層1204仍然殘留的情形中,其將會以諸如灰化之類的 方法加以處理而移除。 (4) 在該模之該對準結構區域1 2 02以外的一區域的 表面上塗佈以一遮罩層1205 (第12D圖)。 (5) 利用硬質遮罩層1201做爲遮罩將模基材104蝕 刻至所需深度(第12E圖)。在此情形中,所需深度是指 較對準結構表面102與加工表面101間之距離A 103深數 十nm至數微米的深度。 (6) 利用遮罩層1 205做爲遮罩來將硬質遮罩層1201 加以蝕刻,而持續將模基材104蝕刻至相當於距離A 103 的深度。所得到的蝕刻表面即成爲該對準結構表面1〇2( 第12F圖)。 (7) 將遮罩層1205加以移除(第12G圖)。 (8)將硬質遮罩層1201加以移除(第12H圖)。但 是,在此情形中,當硬質遮罩層1201是由光透射物質構 1329241 ί 年γ月5曰修正從免 成時’則此步驟將無需將其加以移除。 Β)第2Β圖之模的製程(第13圖) (1) 在一模基材106上,將一光透射物質1301形成 爲一薄膜(第13Α圖)。該物質1301可以依所需而不同 於該模基材106的材料,以確保能達到選擇性的蝕刻作用 。例如說,該光透射物質可以由SiN、Ti02或Α12〇3所構 成’而模基材106則可以由Si02、CaF2、或ΙΤΟ(氣化銦 錫)所構成。 (2) 在該光透射物質的薄膜13()1上,形成一層105 另一種光透射物質(第13Β圖)。該層105的物質可以和 模基材106的材料一樣。 (3 )在層1 〇5上,以諸如SiN、Ti02或Α12〇3之類 的光透射物質;諸如Cr、WSi、或Α1之類的金屬材料; Si;或類似者來形成一硬質遮罩層1201 (第13C圖)。 (4) 在硬質遮罩層1201上形成一遮罩層12 04,而後 再蝕刻該硬質遮罩層1201(第13D圖)。遮罩層1204上 的圖案成型可以藉由例如以步進器或掃描器進行曝光,或 是以電子束照射而達成。遮罩層1204的材料可以自一般 光微影術、電子微影術等所用的抗蝕材料中選用。第13B 圖中,1 202代表對準結構區域,而1 203則是代表實際圖 案區域® (5) 該光透射物質層105係透過使用該硬質遮罩層 1201或是該硬質遮罩層1201與該遮罩層1204上之殘餘樹 -20- 1329241 脂膜之組合做爲遮罩,以進行所需深度的蝕刻(第1 3 E圖 )。在此情形中,所需深度意指進行壓印所需的深度。在 此步驟後’在遮罩層1 204仍然殘留的情形中,其將會以 諸如灰化之類的方法加以處理而移除。
(6)在該模之該對準結構區域12 02以外的一區域的 表面上塗佈以一遮罩層1 205,而該光透射物質層105則係 利用該硬質遮罩層120 1做爲遮罩而蝕刻至可到達該光透 射物質層1301之表面的深度(第13F圖)》類似於前述 步驟(4),該遮罩層1205的材料可以自一般的抗蝕材料 中選用。 (7) 將該光透射物質層1301中因蝕刻而暴露於該層 105底部的部位及該硬質遮罩層1201加以蝕刻。這些蝕刻 程序可以分別進行,但在某些情形中亦可在同一步驟中同 時進行。其後,以遮罩層1 20 5做爲遮罩,將層105蝕刻 至到達該光透射物質層1301之表面上的深度(第13G圖 )° (8) 將遮罩層1205加以移除(第13H圖)》 (9) 將暴露出的層1301及硬質遮罩層1201加以移 除(第131圖)。但是,當硬質遮罩層1201是由光透射 物質構成時,則無需將其加以移除。對準結構表面1〇2與 加工表面101之間的該距離A 103係由層105的厚度決定 的。如前所述,其可以得到一種該對準結構表面1 〇 2是設 在向內遠離圖案區域101處的模。 -21 - 修正嵇充 1329241 C)第1圖及第2圖中之對準標記埋設式模的製程( 第14圖) (1) 如同前述製程B),實施第13A圖至第13E圖 的步驟。 (2) 如同第13F圖中所示的步驟,將層1301中因爲 蝕刻而暴露於光透射物質層1〇5之底部的部位,使用遮罩 層1 205做爲遮罩加以蝕刻(第14A圖)。 (3) 在整個模表面上,以旋鍍法、化學氣相沉積法 、或類似方法形成一層光透射物質的層107,例如Si02、 無機旋塗玻璃 SOG(SpinonGlass)、或有機 SOG (第 14B圖)。該層107係形成爲塡充於步驟(2 )中以蝕刻 所形成的凹入部位1 2 1 2。 (4 )將該光透射物質層1 07加以移除,到達至模基 材表面的表面處,而留下其一部份塡充於凹入部位1212 內(第14C圖)。模基材表面是指該對準結構區域1202 內的硬質遮罩層1201的表面,以及其餘區域內的遮罩層 1205的表面’但是以前者爲主。其移除的方法可以是例如 全面深蝕刻或是化學機械硏磨法。 (5) 將遮罩層1205加以移除(第14D圖)。在光透 射物質層107仍然殘留在遮罩層1 205上時,其可以剝落 法(Lift-Off)加以移除。
(6) 將硬質遮罩層1201加以移除(第14E圖)’但 是在硬質遮罩層1201的材料是光透射物質時,則不必要 加以移除》對準結構表面1〇2與加工表面ιοί間的距離A -22- 1329241 103是由層105的厚度加以決定的。但是,在此模中,光 透射物質層1301是埋設在層106、105、及107之間,因 此就光學對比而言,層1301必須充份地配合這些層105-107來使用,以便能觀察該對準結構。 D)第2D圖之模的製程(第15圖)
(1) 在模基材1〇4的表面上形成一遮罩層1501(第 15A圖)。該遮罩層1501是形成來做爲抗蝕層或硬質遮 罩,具有一實際圖案區域1 2 03及前側/背側位置對準結 構區域15 02。遮罩層1501上的圖案成型可以藉由例如以 步進器或掃描器進行曝光,或是以電子束照射而達成。 (2) 透過使用該遮罩層150 1將模基材104蝕刻至所 需深度(第15B圖)。在此情形中,所需深度是指在該實 際圖案區域1203上進行壓印所需的深度》 (3) 在一前前表面上形成一層抗鈾劑或類似者的保 護層15 03,而後在一背側表面上形成一遮罩層15 04 (第 15C圖)。遮罩層15 04具有一對準結構區域1202,以及 一前側/背側對準區域1 5 05,其在光學上係對準於前側/ 背側位置對準結構區域1 502,以供調整其間的位置關係。 (4) 使用遮罩層15 04將模基材104蝕刻至所需深度 (第15D圖)。在此情形中,所需深度可以是任何數値, 只要該對準結構在光學上可以確保有對比。 (5) 將抗蝕劑1 5 03、遮罩層1501、及遮罩層1504 加以移除(第15E圖)。在遮罩層1501及遮罩層15 04是 -23- 1329241
由光透射物質製成時,則無必要將這些層加以移除。對準 結構表面102與加工表面ιοί間的距離a 103係由模表面 104的厚度決定的。 如前所述,如此可以得到在和形成於加工表面101上 之圖案區域1 203相同表面上具有第一標記1 077且在與該 圖案區域形成表面相對之表面上具有對準用之第二標記 1201的模。此一具有二個標記的模將在第二實施例中詳細 地加以說明。 詳細地說,在前面有關於模之製程的說明中,第12 圖至第14圖中所示的製程具有可以一次在二個不同表面 進行圖案成型作業的優點。對於具有階梯狀部位的樣品而 言,就聚焦深度的關係來看,並不容易在一次作業中同時 在二個表面上得到足夠的解析度。另一方面,在分兩次進 行圖案成型的作業中,其會增加對準的誤差,因此並無法 如設計所考量般地確保該二部位間的相對距離。在第12 圖至第14圖中所示的製程中,其僅需要一次作業即可, 可以在不同的二個表面上形成相同解析度的圖案。 前面說明了此實施例的第二構成實施例,但是本發明 的模並不僅限於此。 其他的模亦包含在本發明內,只要他們具有一種對準 結構,其光學特性在面內方向上會自與其上之要轉移至工 作件上的壓印圖案是形成在一個樹脂不會接觸到模的區域 內的加工表面改變開即可。 在對準作業實際上是以前述的模來實施之時,該對準 -24 - 1329241 作業係利用該模的對準結構及形成在工作件上或是 支撐台上的對準結構來進行的。 前述根據本發明的模可應用至多種型式的壓印 ,例如熱壓印,其中樹脂會因熱而固化,然而是特 應用在使用光固化樹脂的光壓印作業上。 (第二實施例:模二) 此實施例的模的特徵在於包含有一具有一供轉 案區域的第一表面、一與該第一表面相對的第二表 設置在第一基材上的第一標記、以及一設置在離該 面較遠而較靠近於該第二表面之位置上的第二標記 二標記是例如第3A圖及第3B圖中所示的標記102 現在將配合第3A圖至第3D圖來更詳細地說 〇 在這些圖式中,與第2A圖至第2D圖中相同 編號代表相同於第一實施例中所描述的構件或部位 參閱第3A圖至第3D圖,第一標記1077係設 具有壓印部位(未顯示)之圖案區域101相同的表 此第一表面是形成有該圖案區域101的表面,而第 則是與該第一表面相對的表面3101。 第一標ifi是設置在該第一及第二表面之間’或 第二表面上。在第3A圖及第3B圖中,該第二標記 在一個向內遠離該第一表面的位置處。此第二標記 是埋設於一個位在該等第一及第二表面之間的區域 工作件 作業中 別適合 移之圖 面、一 第一表 。該第 〇 明此模 的參考 〇 置在與 面上。 二表面 是設在 是設置 也可以 內,如 -25- 1329241 $&年 1月 >日铉正嵇无 第3C圖中示,或者也可以是設置在與該圖案區域形成的 第一表面上,如第3D圖中所示。 例如說,具有一設置於和圖案區域相同表面上之第一 標記及一做爲對準用而位在與該標記相對之表面上的第二 標記的模可以使用前面所述之第15A圖至第15E圖內所示 的製程來加以製做。第15D圖中所示的標記1〇77是第一 標記。 另外,如此實施例中所描述的,此一具有設置在和圖 案區域相同表面上之該第一標記及設置在該模之相對表面 上的該第二標記的模係顯示於第20A圖至第20E圖內。 藉由在二個位置上設置對準標記,其可以針對該等對 準標記中之一者來進行對準作業,即使是當要對準於另一 對準標記有所困難之時。 詳細地說,藉由將該第一標記(第3A圖至第3D圖 中所示的1077)設置於與該圖案區域相同之表面上,並將 該第二標記設置於一個沿著模1〇4之厚度方向遠離於該第 —標記的位置上,其將可以得到以下的效果。更詳細地說 ,在某些情形中,以圖案區域1〇1(第3C圖中所示的 1〇〇〇)爲基準而言,設在背側表面上的第二標記的位置在 設計之位置與實際製成之位置之間是有所差異的。在此差 異在壓印製程中實際上是不構成問題的情形下,即使是產 生該差異,其仍可以使用第一實施例中所描述的實施例。 但是在壓印製程進行時必須要考慮到此差異時,本實施例 中的模則是相當有用。這是因爲在此實施例中,第二標記 -26- 1329241
是在形成圖案區域之步驟以外的步驟中形成的,因爲壓印 部位無法同時成在模基材的二側表面上。另一方面,該第 —標記則可在和圖案區域相同的步驟中加以製做,因此該 第一標記可以形成在一個非常靠近於設計之位置的位置上 。在此實施例的模中,其可以得到第一標記與第二標記間 的相對位置關係,因此其可以得到該第二標記之形成是否 是相對於該圖案區域或第一標記而與該設計之位置間有著 任何誤差。附帶一提,該模(模板)的材料可以是和第一 實施例中所述者相同的材料。 (第三實施例··圖案形成方法一) 此實施例中的圖案形成方法係以下列方式施行的。 首先製備一模,其設有一具有圖案區域的第一表面、 一與該第一表面相對的第二表面、以及一設置在遠離該第 一表面而靠近於該第二表面之位置上的對準標記。例如說 ,該模係第1圖至第3圖中所示者》 接著讓該模的圖案區域與一基材上的塗佈材料(例如 可光固化樹脂或抗蝕劑)互相接觸。 在第17Α圖中,5000代表該基材,3 000代表該塗佈 材料’而104則代表該模。另外,1〇〇〇代表一個形成有要 轉移至該塗佈材料上之壓印圖案的區域。在此圖式中,該 壓印圖案1〇〇〇的實際壓印部位並未顯示出來。一對準標 記2070設置在該模1〇4之背側表面上—個遠離於壓印圖 案1000的位置處。此一對準標記207()在此實施例內的位 -27- 1329241 9ί年'月)日修正補九 置並不限於該模背側表面上的位置。該塗佈材料3000係 施用在基材5000的整個表面上,或是一個大於該模之圖 案區域的區域內。因此之故,該模1〇4及該基材5000係 設置成一種該塗佈材料3000會位在該基材5000上一個與 對準標記2070相對的部位505 0 (虛線圓圈)上的狀態。 在此一狀態下,有關於該模及該基材之位置的資訊(例如 影像資訊)可以藉由使用該對準標記及一設置在基材側的 標記而得之。 接著’在此資訊的基礎上,該模相對於該基材在圖案 區域之面內方向上的(位置)對準作業將得以實現。更詳 細地說,對準標記2070及5300係可由單一影像擷取(感 測器)裝置來做光學讀取,以在面內方向上進行對準作業 。在此實施例的圖案形成方法中,對準作業可以實施成一 種可使該圖案區域和該塗佈材料能互相接觸的狀態(接觸 狀態)。在本發明中,該模之對準於該基材也可以一種非 接觸狀態進行之。 在該模與該塗佈材料間之折射率的差値是相當小的情 形下,當該模的對準標記是位在圖案區域1 000內時,該 對準標記會較不易光學讀取,或是無法做光學讀取,因爲 該塗佈材料之接觸到該模的緣故。但是,在此實施例的圖 案形成方法中,對準標記2070及塗佈材料3 000 (例如包 含有一種可因諸如紫外線之類的光線照射之故而固化之材 料的樹脂或抗蝕劑)並不互相接觸到。因此,其將無需嚴 密地控制夾置於該模與該基材間之塗佈材料的塗佈區域, -28 - 1329241
6这工.铽充 因此該塗佈材料亦可以旋鍍法加以製做。其也可以藉由以 一施放器來設置多個點狀的塗佈材料部位並縮小該模與基 材間之距離而在整個圖案區域上以連續薄膜的形式形成該 塗佈材料。
此塗佈材料可以是例如可光固化樹脂,並且最好可在 進行前述對準作業時加以固化。這是因爲在某些情形中, 位置偏差可能會發生而造成該模與該基材透過樹脂而間接 地互相接觸。換言之,該塗佈樹脂最好能夠固化成能夠使 該基材與該模間的間能被控制,以在面內方向上達成位置 控制。塗佈材料的固化是以自模側照射例如紫外線至該塗 佈材料上而達成的。可光固化的樹脂的例子包括有胺甲酸 乙脂型、環氧基型、丙烯酸型。其亦可以使用熱固性樹脂 來做爲該塗佈材料,例如酚樹脂、環氧基樹脂、矽氧樹脂 、或聚醯亞胺,或是熱塑性樹脂,例如聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA )、聚碳酸脂(PC ) 、PET或壓克力樹脂。在此 情形中,圖案是透過熱處理而完成的,如前所述。其也可 以使用聚二甲基矽氧烷(PDMS )來做爲該塗佈材料。 在此實施例中,其最好亦能進行以下的控制。 更詳細地說,其可以根據前面所得到的資訊來對該基 材與該模間的距離(或間隙)進行控制。 在某些情形中,在施加壓力至夾置於該模及該基材之 間的樹脂上時,在該模與該基材之間會發生面內方向上的 位置偏差。詳細地說’在面內方向上的位置偏差大到超過 一預定値的情形下’若是在保持該模與該基材間之距離下 -29- 1329241
進行位置偏差的修正,其會有該模之圖案區域可能遭受到 物理性損傷的煩惱。爲此因素之故,在此種情形中,該模 與該基材的距離要進行控制,以增大該距離。在較佳實施 例中,在該模移離該基材至一個能消除該模與該基材間透 過該樹脂所爲的間接接觸之位置上時,即可進行該模與該 基材二者的對準作業。 如前所述,模及工作件的位置可能會因爲在模之圖案 標記的過程,沿著平行於該模之加工表面(圖案區域形成 表面)之方向施加力量至該模及工作件上而造成互相偏移 開的情形。因此,平行於該加工表面之面內方向上的對準 作業最好是在施加壓力下進行。 附帶一提,在此實施例中,其可以使用諸如Si基材 或GaAs基材之類的半導體基材;塗佈樹脂之半導體基材 :樹脂基材;玻璃基材等來做爲該基材。再者,其亦可以 使用在前述提及的基材上長出或疊置一層薄膜而製成的多 層基材。也可以使用光透射性基材,例如石英基材。這些 同樣也可以使用在下文中所描述的實施例及範例實施例中 要相對於該基材設置的對準標記可以相對於基材本身 或疊置於該基材上的薄膜直接設置,或是間接地設置於一 支撐構件或是一支撐該基材的基部β在本發明中,設有該 對準標記的基材包含有該對準標記是相對於該基材本身設 置的情形及該對準標記係相對於疊置於基材上之薄膜設置 的情形等二者。 -30- 1329241 在第17B圖中顯示出此實施例之圖案形成方法的一例 (流程圖)。 ' 首先參閱第17B圖,先製做一個對準標記是設置在遠 • 離圖案區域之位置上的模(P1)。 將該圖案區域與形成在一基材上的塗佈材料(例如可 光固化樹脂)互相接觸(P2)。此一作業最好是模對準基 材的作業進行過後加以實施。附帶一提,在某些情形中, φ 可以事先在模的圖案區域上施用含氟矽烷質偶合劑或類似 者,來做爲脫模劑,以便能將該模及該基材之間在樹脂固 化後輕易地分離開。因此之故,在本發明中,該圖案區域 (或該模)與該塗佈材料間的接觸同時代表他們互相直接 ' 接觸及他們間透過諸如該層脫模劑之類的其他層材料而間 接接觸等二種情形。這對於其他的實施例及範例實施例而 言亦爲真。 接下來,在該模之圖案區域與該塗佈材料相接觸的狀 # 態下,進行模之對準於該基材(P3)。在此對準過程中, 在該模之面內方向上的對準標記與該基材上的對準標記互 相相對的區域(第17A圖中所示的5300 )內亦存在著該 塗佈材料。其亦可以將該塗佈材料自該區域加以移除,但 •是自避免對於該基材上之塗佈材料的塗佈量做嚴格控制及 .使用旋鍍法的觀點來看,最好是在有塗佈材料存在於該區 * 域的情形下時進行對準作業。 - 該對準作業是以下列的方式進行的。 更詳地說,該模之對準於該基材是在該圖案區域形成 -31 - 1329241 0年f月夕 修正誧充 表面的面內方向上進行的,以使得該模的圖案區域能位在 該基材上所需的位置上。模及基材會在面內方向上相對移 動,以進行對準作業。 在此對準過程中,如此實施例前面所述,該模及該基 材的位置調整是使用該相對於基材設置的標記及該相對於 該模設置的對準標記2070來加以進行。附帶一提,該模 及該基材會互相移近而使得該模及該基材間的間隙(距離 )能依需要成爲所需之値。在該間隙(距離)的調整過程 中,其可以進行面內方向上的位置控制,或者是在該模及 該基材的間隙被調整成能提供所需之間隙値之後,才調整 面內方向上的位置。其亦可以交替地重覆該間隙調整及面 內方向上位置調整來將該模及該基材在面內方向上的位置 及其間的間隙設置成所需的狀態。 附帶一提的,該模及該基材間的間隙的測量可以使用 例如電容式感測器或白光橢圓偏光量測術。 接著,將該塗佈材料加以固化(P4)。在固化該塗佈 材料上,可以使用加熱或諸如紫外線之類的光照。其亦可 以合倂使用加熱及光照二者來固化該塗佈材料》 其後,將該模自該基材上移離(P5)。因之,該模上 的圖案會轉移至固化的塗佈材料上。接著利用設置在該塗 佈材料上的該壓印圖案做爲遮罩來對該基材或該基材上的 薄膜進行蝕刻。蝕刻最好是在該固化的塗佈材料內的凹入 部位被移除而暴露出該基材中緊鄰於該塗佈材料層下方之 部位後進行之。 -32- 1329241
3饺正涊充 (第四實施例:圖案形成方法二) 此實施例的圖案形成方法是使用第二實施例中所描述 的模。 更詳細地說,如第18A圖中所示,一模104之對準於 一基材5000係利用一設置在遠離於形成有圖案區域1000 之第一表面1050的位置處的第二標記2070及一相對於基 材5 000設置的對準標記(第三標記)來進行的。在第 18A圖中,1060代表模104上與該第一表面1050相對的 背側表面(第二表面)。 該基材5 0 0 0及該基材5 0 0 0上的該塗佈材料3 0 0 0會 共同稱爲欲加工構件(加工構件),但此實施例中亦包括 有圖案是直接形成於基材本身上的情形。 在此實施例中,對準作業係藉由以影像擷取裝置自模 側光學讀取該第二標記2070及該第三標記5030,並在面 內方向上相對移動該模及該基材而使該等第二及第三標記 具有預定之位置關係來加以進行的。在此情形中,該模及 該基材之任一者或二者均可加以移動。 在第18A圖中,第一標記2077是形成在與該第一表 面相同的表面上。 在此實施例中,其係事先取得有關於該第一標記2077 與該對準標記2070間之位置關係的資訊,而後藉由使用 該面內方向可以較佳地進行該模之對準於該基材《這是因 爲要依設計在奈米級數上確保圖案區域1000與設置在相 -33- 1329241
修正補充 對於該圖案區域形成表面之表面上的第二標記間的位置關 係,通常是困難的。 更詳細地說,即使是在第二標記是設計成設置在一個 沿著面內方向遠離開該圖案區域一段距離s處之位置上, 在許多情形中,該第二標記實際上可能是位在一個遠離該 圖案區域一段S + α之距離的位置處,而具有誤差α。另一 方面,該圖案區域與設置在該表面上做爲圖案區域的第一 標記間的位置關係可以確保成使該第一標記能在奈米級數 範圍內實際上形成在一個大致上與設計之位置一致的位置 上。例如說,在使用電子束影像形成方法來形成圖案區域 的步驟中,此標記實際上可以形成在一個與設計位置差較 小誤差的位置處。 根據此實施例,對準標記係設置在該模的二個表面上 ,因此其可以確保圖案區域1 000與第二標記20 70間的位 置關係。 第一標記2077實質上是設在該設計位置上,雖然可 能會有數奈米的誤差。因此,設計要位在一個遠離該對準 標記一段距離S之位置上的第二標記的實際位置可以藉由 取得有關於該第一標記2077與該第二標記2070間之位置 關係的資訊(例如他們在面內方向上的位置)來加以決定 。因此,可以透過使用該第二標記2070及該.5300來高精 度地進行對準作業。換言之,在看不到第一標記時,其可 以藉由使用與第一標記間之位置關係己決定之第二標記來 進行該標記之對準於該基材的作業。 -34- 1329241 就第一標記與第二標記間之位置關係而言,其 以直接決定之,亦可根據另一標記X來間接決定之 位置關係的資訊亦可加以使用。在此種情形下,該 的位置最好是位在和該第一標記及第二標記中任一 的表面上。 此實施例的圖案形成方法的特徵亦在於該圖案 案區域表面的面內方向上之對準於該加工構件(或 )是使用有關於設置在該圖案區域表面上之第一標 置在一遠離該圖案區域形成表面之位置上的第二標 之相對位置關係的第一位置資訊,及以有關於設置 離圖案區域形成表面之位置上的該第二標記與相對 工構件設置的表面標記之間的相對位置關係的第二 訊來完成的。 根據前述的構造,其可以正確地偵測該模及該 的位置,以進行該模之對準於該工作件。這是歸因 是在施加壓力下進行模之對準於工作件時所能達成 面影響的正確位置偵測結果,此係不同於習用的圖 方法,這是本案發明人硏究所得之結果。 更詳細地說,根據前述的構造,對準作業可以 設置於加工表面上的該標記與設置於該遠離該加工 位置上之該標記的相對位置與設置於該遠離加工表 置上之該標記與相對於該加工構件設置之該標記的 置相比較而達成。根據此種構造,即使是在設置於 加工表面上的該標記係與光固化樹脂相接觸而降低 不僅可 ,而此 標記X 者相同 在該圖 該基材 記與設 記之間 於該遠 於該加 位置資 工作件 於即使 之無負 案形成 藉由將 表面之 面之位 相對位 該模之 信號對 -35- 1329241 今多年^月 正補无 比的情形中,其仍可以將該模的位置對準於該基材的位置 〇 更詳細地說,設置於該模之表面上的標記與藉由一構 件而設置於遠離該表面之一表面上的標記間的位置關係, 在他們是投影至一平行於該模之加工表面的平面上時,主 要係由該影像擷取裝置或類似者加以測量的。這是必要的 測量,因爲如前所述,其可以輕易地在一平面上,在所需 的誤差內,形成包括一標記在內的圖案,但是並不容易確 保設置於該模之表面上的該標記與設置在遠離於該模表面 之位置處的標記間的位置關係。在其等之間的位置關係係 事先決定好的情形中可以略去此測量作業。 其次,設置於該遠離模表面之位置處的該標記與該相 對於基材之標記間的位置關係是以影像擷取裝置或類似者 來加以測量的。 藉由比較前述的二個位置關係的測量伹,其可以正確 地偵測該模及該基材的位置。 根據前述的測量方法,即使在該模在該加工表面上與 可光固化樹脂相接觸的情形下,其仍可以在高精確度下將 該模的圖案轉移至該基材上。 前面所述的圖案形成方法可以應用在半導體製造技術 ;諸如光晶體之類的光學裝置及諸如μ-TAS之類的生物晶 片的製造技術;以及類似者上。 根據本發明之一觀點,該模的特徵是在於其具有設置 於該圖案形成表面上的第一標記及設置在該遠離於該圖案 -36- 1329241 > 该正;^充 形成表面水平位置之位置(該模的該影像部位或是背側( 相對)表面)上的第二標記。只要可以決定此二標記間的 相對位置關係即可,這些標記的位置並不受限制。在該模 的圖案形成表面(前側表面)自該模的背側表面側觀看的 情形下’亦即在沿著與該圖案形成表面垂直的方向觀視之 的情形下,該二圖案可以互相重疊,但並不必要要互相重 疊。該第一標記並無特別的限制,只要其係位在該模的加 工表面上即可。但是,自製做該模的角度來看,最好該第 一標記是設置在和該模之圖案形成表面(加工表面)相同 的水平位置上。 該相對於加工構件設置的第三標記可以是相對於用來 • 構成該加工構件之該基材本身而設置,或是相對於用來支 撐該基材的該支撐構件而設置的。 在位置調整過程中,模表面之對準於欲加工基材的作 業係藉由透過使用該第二標記及該第三標記來測量該模與 φ 該基材間的位置偏差及在考量該第一標記與該第二標記間 的相對位置下充份地控制該位置偏差而加以進行的。 此對準作業最好是透過一將做爲第一標記根據第二標 記之水平及旋轉誤差的第一誤差資訊加以儲存的步驟、一 -將做爲第三標記根據第二標記之水平及旋轉誤差的第二誤 ,差資訊加以儲存的步驟、以及一將該基材相對於該標記做 '· 水平及旋轉移動而使該第一誤差資訊及該第二誤差資訊互 . 相一致的步驟等來加以進行的。 再者,此對準作業最好是藉由將該有關於該第二標記 -37- 1329241 y年J月$日修正補充 與該第一標記間之水平誤差或旋轉誤差之至少一者的第一 誤差資訊加以儲存、將該有關於該第二標記與該第三標記 間之水平誤差或旋轉誤差之至少一者的第二誤差資訊加以 儲存、以及透過使用該第一誤差及該第二誤差而進行將該 加工構件相對於該模做水平移動之作業及將該加工構件相 對於該模做旋轉移動作業之至少一者等來加以實施的。 在本發明中,該加工構件(或該基材)與該模(或該 模的圖案區域)間的面內方向上的對準作業至少包括有以 下所列的情形。 更詳細地說,在該模的圖案區域與該加工構件互相平 行的預設狀態中,其會有第一及第二種情形。該第一種情 形是該二構件均相對做水平或旋轉移動以進行對準作業的 情形。該第二種情形是該二構件均相對水平及旋轉移動以 進行對準作業的情形。在此,"旋轉移動"一詞是指例如該 模的加工表面係相對於該基材而繞著垂直於該表面平面之 軸線旋轉。再者,該加工構件及該模並不互相平行的預設 狀態中,其會有第三種情形,其中該二構件均相對旋轉而 使他們的表面接近於平行狀態。在此,"相對旋轉"一詞包 括有該模之圖案形成表面的法線相對於該垂直於該表面平 面的角度被改變的情形。 根據此實施例的圖案形成方法的範例(流程圖)是顯 示於第18B圖中。 首先,製備具有前述第一及第二標記的模(PU)。 其次,使圖案區域與設在該基材上的塗佈材料互相接 -38- 1329241 觸(Ρ22)。在此例中,該具有塗佈材料的基材是相當於 該加工構件。 接著,透過光學讀取該第二標記及該基材側的該第三 標記而進行該模之對準於該基材。在此情形中,該對準作 業係透過使用有關於第一標記及該模之第三標記間的位置 關係的資訊而進行的(Ρ33 )。此資訊係藉由以影像擷取 裝置來讀取該第一及第二標記而取得的。因此,即使是在 無法確保該第二標記位置的情形中,其仍可以使用該第二 標記及該基材側之該第三標記而進行高準確度的對準作業 。此實際進行的對準作業係將該圖案區域調整至該基材上 所需的位置處,因此該某些情形中需要有該對準作業,以 取得該位置關係,而使要光學觀測的該第二標記及該第三 標記不會互相重。 在完成該模之對準於該基材的作業後,將該塗佈材料 加以固化(Ρ44 )。其後,將該模自該基材上移除(Ρ55 ) 。如此該圖案的形成作業即完成。 前面所述的步驟Pll、Ρ22、Ρ44及Ρ55與配合第17Α 圖加以說明的第三實施例中的步驟PI、Ρ2、Ρ4及Ρ5相同 ,因此詳細的說明將予以略去。 附帶一提,在加工構件是該基材本身,且該圖案係藉 由在該模與該基材施加壓力而形成時,步驟Ρ44可以略去 。在此情形中,其亦可以施加熱量至該基材上,以軟化該 基材。再者,在使用基材本身做爲加工構件的情形中,該 模係在步驟Ρ5 5中自該基材本身上移離的。 -39- 1329241
下 在 基材上 記及該 17A圖 更 形成表 位在該 方向相 在 的位置 該相對 置調整 設計位 標記間 會互相 需成爲 行面內 間隙被 上的位 位置調 間隙設 附 形成表 日修正捕充 面將詳細地說明步驟P33。 步驟P33的對準過程中,該塗佈材料可以設置在該 ,以使其存在或不存在於該設置在該模側之第二標 設置該基材側之第三標記互相相對的區域內(第 中所示的5 3 00 )。 詳細地說,該模對準於該基材的作業是在圖案區域 面的面內方向上進行的,以使得該模的圖案區域會 基材上的所需位置處。該模及該基材可沿著該面內 對移動,以進行該對準作業。 對準過程中,如此實施例前面所述,該模及該基材 調整係透過使用該相對於該基材設置之第三標記及 於該模設置的第二標記2070來加以進行的。在位 的過程中,該第二標記的位置在某些情形中會偏離 置,因此對準作業是在考量到該第一標記與該第二 的位置關係下而進行的。附帶一提,該模及該基材 靠近而使得該模及該基材間的間隙(距離)能依所 所需之値。在間隙(位置)調整過程中,其可以進 方向上的位置控制,或者可以在該模及該基材間之 調整成能提供所需之間隙値之後才進行該面內方向 置。其亦可以交替地重覆該間隙調整及面內方向上 整來將該模及該基材在面內方向上的位置及其間的 置成所需的狀態。 帶一提,其亦可以藉由使用設置在該模的圖案區域 面上的第一標記及設置成沿著該模厚度方向遠離開 -40- 1329241 該圖案區域形成表面的弟一·標記來進行二階段對準 例如說,在該模及該基材(或該加工構件)是充份 分離開的情形下,第一階段的對準作業係使用該第 - 來進行的。其後’該模及該基材則逐漸地互相接近 如在該第一標記較不可觀視時,則使用第二標記來 二階段的對準作業。 φ (第五實施例:圖案形成裝置) 根據此實施例的圖案形成裝置設置有一模固定 基材支撐部(或是加工構件支撐部),以進行第三 實施例中所述的圖案形成作業。模固定部及基材支 ' 構造成能沿著面內方向相對移動。 再者,此圖案形成裝置最好具有一位置偏差偵 ’用以偵測該模之圖案區域與該塗佈材料在其間呈 態下的位置偏差量,以及一間隙(距離)控制機構 ® 根據來自該偵測機構之偵測資訊而控制該基材及該 間隙。 接下來將說明設有該模之根據本發明的圖案形 〇 如弟4圖中所不’該圖案形成裝置包含有_光 .、—光學測量系統202、一壓印控制系統203、一 • 推壓機構204、一面內移動機構205、一模推壓機構 . —光源207、一分析系統208、一影像擷取裝置209 微鏡210、一模側對準結構211、 作業。 地互相 —標記 ,而例 進行第 部及一 及第四 撐部係 測機構 接觸狀 ,用以 模間的 成裝置 源201 工作件 206、 、— 一工作件側對準結構2 1 2 I32924gr年广严正補充 、一模213、一可光固化樹脂214、以及一工作件215。 在第4圖中,其顯示出一例,其中該對準標記(對準 結構)211係相對於該模213設置在一個遠離一圖案區域 的位罝處。但是’就模213而言,在第一實施例及第二實 施例中所描述者均可加以應用。 光學測量系統202具有能夠偵測XY方向資訊及z方 向資訊的構造。在此,XY方向即是前述的面內方向,而 Z方向則是垂直於加工表面的方向。如前面所述,該面內 方向是平行於該欲轉移之圖案區域所形成之表面的方向。 該有關於該模213及該工作件215的面內方向及Z方 向而由光學測量系統202測量而得的資訊會被回饋至壓印 控制系統203內。 工作件推壓機構204可將該工作件215支撐於該面內 移動機構205上,因此係被視爲一種工作件支撐手段。 在此實施例中,其可以使用一未顯示出的荷重元( Load Cell )或類似者來測量施加至該工作件2 1 3及該模 215上的壓力。 接下來將配合分別均顯示出此實施例中之流程圖的第 5A圖及第5B圖來說明使用該具有該模之加工裝置的加工 方。 在第5A圖中,步驟S1是在所謂之粗調整階段中用來 進行Z方向移動作業(1)的步驟’藉之該模可在配合於 一馬達之編碼器及一 Z方向位置偵測器而移動至一設定位 置上,以靠近該工作件至設定距離。該設定距離是例如對 -42- 1329241 應於一個該模開始接觸到可光固化樹脂的位置。在該模移 動至該設定位置處,此作業則前行至步驟S2,其中會進 行面內方向偵測作業(1 )。 • 其次,程序進行至步驟S3-1。當偵測値與面內方向的 設定値相比較而滿足於條件(1 ),則此作業前行至步驟 S4’以進行做爲微移動階段中之一步驟的z方向移動作業 (2)。在此步驟中,移動距離可以是預定之値,或是可 φ 隨著該模與該工作件間之距離而改變。在完成微移動階段 中的步驟S4後,此作業會在步驟P5中之結束條件滿足時 結束。 在此,條件(1 )可以設定成例如該偵測値是否小於 ' 圖案之最小線寬(例如數十nm )的幾分之一。在條件(1 )不滿足的情形時,則進行條件(2 )的判斷(步驟S 3 -2 )。在條件(2 )滿足的情形下,此作業前行至步驟S3-3 ,其中會進行面內方向上的移動。 φ 條件(2 )可以設定成例如是否該偵測値是在大於該 最小線寬的幾分之一並小於該最小線寬的範圍內。在條件 (2)不滿足的情形時,此作業前行至步驟S3-4,其中會 進行Z方向移動作業(3),以供在完成Z方向移動作業 • ( 1)後將該模移離該位置。該移動的位置可以是一個該 .模會接觸到該光可固化樹脂的位置、在Z方向移動作業之 • 前或之中的位置、或是初始位置。其後,可以將該Z方向 . 移動業(2)的距離參數加以改變。 前面所描述的作業可重覆地進行,直到步驟S5中的 -43-
日修正補充 1329241 結束條件滿足爲止。該結束條件之數値可以是距離或是壓 力。 另外,即使是在一個該用來使該模接近於該工作件的 作業結束的情形下,其仍可以進行該模及該工作件的位置 偵測,而偵測結果則回饋至該面內移動機構內。 第5B圖是不同於第5A圖的流程圖。 如同第5A圖中的步驟S1,在配合該馬達之該編碼器 及該Z方向位置偵測器來將該模移動至設定位置而靠近至 該工作件設定距離處的粗調整作業之後,即以平行處理的 方式進行步驟S2內的Z方向移動作業(4 )及步驟S2-1 中的面內位置偵測。在此,Z方向移動作業(4)可以由 距離或速度來加以控制。再者,這些控制方法可以依據該 模及該工作件間的距離而改變。該Z方向移動作業(4) 會持續地進行,直到結束條件(步驟S4 )滿足時,或是 岔斷情形(步驟S3-1)發生時。此岔斷情形是在步驟S2-2的情形區分的條件<<3>>滿足時發生的。就情形方向而 言,例如說條件<< 1 >>是小於最小線寬的幾分之一,條件 <<2>>是不小於條件<<1>>且小於該最小線寬,而條件 <<3>>則是不小於條件<<2>>。 在條件<<1>>滿足的情形中,此作業會返回至步驟 S 2-1的面內位置偵測。在條件<<2>>滿足的情形中,此作 業會前行至步驟S2-3的面內位置移動,其中會進行面內 位置的移動,而岔斷情形不會發生。在條件<<3>>滿足時 ,此作業會前行至該岔斷發生的步驟S3-1。 -44- 1329241 在岔斷發生的情形中,z方向移動作姜 S3-2)會如同第5A圖內之步驟S3-4般地進 前面所描述的作業會一直進行,直到步 束條件滿足爲止。 如前所述,在該模一旦與該可光固化樹 該模的位置會大幅地沿著面內方向移動而維 中所示之條件(2)不滿足時相同的Z方向 ,有可能該模及該工作件會受到傷害。例如 該工作件是相互非常靠近(例如說在數十η 時,在模表面及工作件表面上,在互相相反 因該模在面內方向上的移動而依該可光固化 定而產生大力量(例如摩擦力)。這表示該 圖案將會受損。在壓印作業中,該模及該工 如稍後將說明般地抵抗垂直方向上的力量, ,極易於因面內方向上的力量而遭受到損傷 根據此實施例的構造,在模與工作件接 到大的位置偏差時,該模會先沿著Ζ方向自 開,而後再沿著面內方向移動,以避免前述 ,如前所述,該對準結構是設置在該遠離於 置處,因此該對準結構將不會因爲在與該可 觸之狀態下,沾附到該可光固化樹脂而受到 脂的污染’故而能進行正確的位置偵測。 前述有關於該模之圖案及該工作件在面 傷’以及該對準結構因爲該模之與可光固化 1(3)(步驟 行。 驟S4中的結 脂接觸後,在 持與第5Α圖 位置的情形下 說,在該模及 m內)的情形 的方向上,會 樹脂的黏性而 模及晶圓上的 作件的圖案可 但會如前所述 〇 觸後,若偵測 工作件上移離 的損傷。再者 圖案區域的位 光固化樹脂接 該可光固化樹 內方向上的損 樹脂的接觸而 -45-
曰修正補充 1329241 致之受該可光固化樹脂的污染等將會更詳細說明於後。 第6圖及第7A圖及第7B圖是示意圖,顯示出壓印中 所發生的這些特別的現象。 在第6圖中,一模903設有一較寬溝槽結構(A) 901 及一較窄溝槽結構(B) 90 2。在工作件905上設有可光固 化樹脂904。 如第6圖中所示,在由該較寬溝槽結構(A) 90 1及 較窄溝槽結構(B) 9 02共同構成的圖案表面是形成在該 模903上的情形中,該可光固化樹脂904會在該模903與 該工作件905互相靠近時先塡注至該較窄溝槽結構(B) 9 02內。因此,施加至該較寬溝槽結構(A) 90 1及該較窄 溝槽結構(B ) 902上的應力是互相不同的,所以在模903 與工作件905間會發生傾斜情形,進而造成其間的滑動。 其結果會在某些情形下產生位置偏差。隨著該模及該工作 件間的距離的縮減,該位置偏差的量會逐漸累積。在此情 形下,當該模及/或該工作件大幅度地沿著面內方向上移 動時,在某些情形下,該模及該工作件可能會受到損傷。 這是歸因於以下將配合第7A圖及第7B圖加以說明的現象 在這些圖式中,1〇〇〇代表一模,1 002代表一沿著垂 直方向施加的力量,1003代表一沿著面內方向施加的力量 ’ 1 004代表一扭矩,1 005代表破裂時的軸線’而1〇〇6則 代表破裂時的啓始點。 在這些圖式中,係以該模做爲範例來加以說明,但同 -46 - 1329241 樣亦可應用至該工作件上。 如第7Α圖中所示’在該垂直推壓力量施加至該模上 時,該力量是大致上均勻地施加至該模的整個表面上。 另一方面’如第7Β圖中所示,在面內方向上的力量 施加至該模上的情形中,該圖案與該基材間的界面並不會 接收到均勻的力量。例如說,就一集中於邊緣部位的拉引 力量而言,該模會很容易在以一邊緣做爲軸線1006而另 φ —邊緣做爲啓始點1〇〇而破裂。在長寬比較大的情形下, 此破裂情形會較爲顯著,因爲在較大長寬比下,旋轉扭矩 會較大。 在此種情形中,根據此實施例的加工方法,當該模與 ' 該工作件接觸後偵測到大的位置偏差時,該模會如前所述 ,先沿著Ζ方向自工作件上移離開,而後再沿著面內方向 移動,以使其可以避免前述的損傷。 再者,就該模之對準於該工作件而言,該模側對準結 • 構及該工作件側對準結構係可由該光學測量系統202以光 學觀測之,以進行這些對準結構間的對準作業。 第8圖是一示意圖,顯示出形成在模1103與工作件 1105之對準結構間的故障情形。 在第8圖中,1101代表偵測光線,11 〇2代表散射/ 漫射光線,1103代表具有對準結構的模’Π 04代表可光 • 固化樹脂,而1105代表具有對準結構的工作件。 . 如第8圖中所示,在可光固化樹脂Π04是夾置於模 1 103與工作件1 1〇5之間的情形下,當該模與該晶圓間的 -47- 1329241 月〉曰修正掠充 距離縮減時’該可光固化樹脂1104的表面將會變得不平 坦。爲此因素之故,該偵測光線1101會在該可光固化樹 脂1 104的表面上散射或漫射(丨1〇2),因此該對準結構 將會不清楚。再者,在該可光固化樹脂與使用光透射對準 結構的模間的折射率上的差値較小的情形中,其將不容易 在該模與該可光固化樹脂完全地互相接觸時偵測該對準結 構。另外’在該模在可光固化樹脂固化之前與該工作件接 觸以偵測位置偏差,而後沿著Z方向移離該工作件的情形 中’其將無法在該可光固化樹脂附著於該模的對準結構下 進行正確的對準。 在這些情形中,根據本發明,該模的對準結構是設置 在其不會如前所述般地接觸到可光固化樹脂的區域內,其 將可以改善該對準作業的準確性。附帶一提,前面所述的 模可適合應用在此實施例的對準構造及位置偵測方法上, 但其他能提供必要之偵測解析度的模亦可加以使用。 (第六實施例:圖案轉移裝置) 根據此實施例的圖案轉移裝置具有用來進行一模之對 準於一欲加工構件之作業的對準機構,該對準機構的特徵 在於係構造成能使用有關於一設置在該模上一與該模之圖 案區域形成表面相同高度處之表面上的第一標記與一位在 遠離該圖案區域形成表面處的第二標記間之相對位置關係 的第一位置資訊,並使用有關於該第二標記與一設置於該 加工構件上之第三標記間之相對位置關係的第二位置資訊 -48- 1329241 來在該模之圖案區域的面內方向上將該模對準於該加工構 件(該基材)。 更詳細地說,其亦可以使用與前文中配合第4圖所描 述的相同裝置來做爲此實施例的圖案轉移裝置。 做爲此實施例之特性特點,實際的對準作業係藉由使 用該第二標記及該第三標記來進行的。在此對準過程中, 對準作業係藉由考量該有關於第一標記與第二標記間之相 φ 對位置關係的第一位置資訊而進行的。 如前所述,在某些情形中,該第二標記係設置在一個 以一誤差偏離實際設計位置處之位置上。因此之故,其可 ' 在考量此誤差下,進行該第二標記之對準於該第三標記的 • 作業。換言之.,對準作業可以該第一標記及該第三標記來 實質地進行之。 在此實施例中,該對準機構最好包含有一用來儲存第 一位置資訊的第一儲存部及一用來儲存第二位置資訊的第 • 二儲存部。 (實施例一) 一根據本發明之具有壓印圖案的模係應用成使該壓印 •圖案可藉由壓印法而壓擠轉移至一由樹脂構成的加工構件 .(要加以加工的構件)上。 * 第9A圖至第9E圖是顯示出壓印製程的示意圖。 . 在這些圖式中,401代表工作件(前面所述之實施例 中的基材),402代表一標記,403代表可光固化樹脂, -49- 1329241 巧月飞a修正補充 404代表一第三對準結構(第三對準標記), 第二對準結構(第二對準標記),406代表標; 印圖案,而407代表光線入射方向。 在此實施例中,其可以使用一光透射物質 、派熱司玻璃(註冊商標)、藍寶石,來做爲 材料。該模402的表面主要是受到電子束微影 光微影術等等的微加工處理,或者是電鑄Ni 型。至於工作件401’其主要可以使用諸如 GaAs晶圓之類的半導體晶圓、樹脂鍍膜晶圓 玻璃板等。 接下來將說明此實施例中的壓印製程。 首先,將可光固化樹脂403施用至設有該 構404的工作件401上(第9A圖)。 其次,將設有第二對準結構405的模402 40 1設置成互相相對,以進行該模4 02之對準 401的作業(第9B圖)。更詳細地說,該對 例如箱盒、十字、桿或干涉條紋或類似者來加 藉由觀察這些形狀或條紋,並將其等做影像處 以實施對準作業。此對準作業的細節將稍後 9B圖中’做爲第二標記的第二對準結構405 離該模表面的位置處。但是該第二標記亦可設 會接觸到樹脂的位置處,如前面配合第2A圖 所做的說明。再者,在第9B圖中,樹脂403 該第二標記與該工作件互相相對的部位處,但 405代表一 !己402的壓 ,例如石英 該模402的 術、EIB 、 X 等的複製成 Si晶圓或 、樹脂板、 第三對準結 及該工作件 於該工作件 準作業可以 以進行之。 理,其將可 說明。在第 係設置在遠 置在一個不 至第2D圖 並不存在於 亦可存在於 -50- 1329241 这正浣充 該部位內。 接著’將模402與工作件4〇1間的距離縮減,並將模 402及工作件401保持在一個能確保設定之壓力或設定之 距離的位置處(第9C圖)。 其後’將所得到的結構照射以光線407,以固化該可 光固化樹脂403 (第9D圖)。 最後,將模402移離該工作件401,以將該模402上 的圖案轉移至該工作件(基材)401上的可光固化樹脂 403上(第9E圖)。 在此顯示於第9A圖至第9E圖的實施例中,該模的對 準標記(第二對準結構405 )是形成在遠離於該圖案區域 表面的位置處。但是,只要該模具有該不會接觸到樹脂 403的對準標記,其亦可以將該模402的對準標記設置在 例如該模402的背側表面上。 現在將配合顯示出此實施例中具有週期性結構之對準 結構的構造範例的第10圖來說明此實施例中的對準結構 的細節。 在第10圖中,一模505具有一加工表面501、一壓印 圖案502、一光阻隔膜503、以及該壓印圖案502的高度 A 5 04。 就該模之對準於一工作件而言’對準的準確度大於光 學解析度的情形中,其可以使用箱盒、十字 '桿等。在需 要有小於光學解析度之準確度的情形中’其亦可以應用高 階影像處理或一週期性結構或其等的組合。附帶一提’在 -51 - 1329241
使用週期性結構的情形中,如第1〇圖中所示,該週期性 結構亦可設置成爲包含有溝槽的壓印圖案5 02或是由Cr 或類似者製成的光阻隔膜5 03。 第11A圖及第11B圖顯示出使用週期性結構之對準結 構的例子。 在第1 1 A圖中,601代表一工作件側對準結構(a ) ,602代表模側對準結構,503代表具有週期pi的圖案, 而604則代表具有週期p2的圖案。在此例中,圖案603 及604是設置成互相平行。 具有對準結構(A) 601的該模及具有該對準結構(B )602的該工作件係設置使得這些結構互相相對。 更詳細地說,工作件側圖案603及標記側圖案604是 互相重疊。再者,該工作件側圖案604及該標記側圖案 603是互相重疊。因此之故,在這二個重疊區域之每一者 內’可觀察到干涉條紋。在這二個區域內,該二干涉條紋 的週期是相同的,而當他們同相時,該模及該工作件的位 置就會重合。換言之,可以決定該模及該工作件間的位置 關係。 第11B圖顯示出此實施例中之對準結構的另—構造範 例。 在第11B圖中,702代表一單軸對準結構,而702代 表Χ.Υ.Θ對準結構。 爲能以單一對準結構來偵測面內方向上的對準因子( X、Υ、Θ) ’如第11B圖中對準結構7〇1所示’第11A圖 -52- 1329241
π沴正'ts汔 中所示的對準結構601係旋轉90度’以提供第11B圖中 所的對準結構。對準結構的數量可以是一’但在進行倍率 修正(Magnification Correction)時則需要二個對準結構 。再者,若要進行失真修正(Distortion Correction ) ’其 另外需要有至少一對準結構。 第16A圖及第16B圖顯示出該對準結構的配置範例。 在這些圖式中,801代表模(A) ,802代表模(B)
,803代表圖案(A) ,8 04代表圖案(B),而805代表 該對準結構的配置位置。 如第16A圖中的模(A) 801所示,該對準結構係配 置在圖案(A) 8 03的四個角落處,因此可增加重複性( Redundancy),以供改善位置精確度。再者,如第16B圖 中的模(B ) 802所示,對準結構亦可設置在晶圓中要切 割的區域內。 根據前面所述的該實施例,其將能在面內方向上實現 該模之高精度地對準於該工作件。 (實施例二) 在此實施例中,將配合第19A圖至第19C圖來說明根 據本發明之模的構造範例。 在這些圖式中,其構造包含有一模19101、一圖案區 域(加工區域)19102、一第一位置測量標記19103、一第 —對準標記19104(即第二實施例中的第二標記)、一第 二位置測量標記1 9 1 0 5 (即第二實施例中的第一標記)、 -53- 1329241 月 >日修正補无 以及一加工圖案對準標記19106。 第19A圖是在該模19101自與設在該模19101之前側 表面上的圖案區域相對的背側表面側觀視時的構造示意圖 〇 在此’該背側表面係一個在圖案區域19102內不設有 加工圖案的表面,而該前側表面則是一個在該圖案區域 19102內形成有加工圖案的表面。 在該模1 90 1的背側表面側的四個角落部位之每一者 處,均設置有該第一位置測量標記19103、該第一對準標 記19104(第二標記)、以及該加工圖案對準標記19106 〇 在該模19101的前側表面側的四個角落部位之每一者 處,則設置有該第二位置測量標記19105 (第一標記)。 附帶一提,該等位置測量標記19103及19105係用來 測量標記背側表面與該模表面圖案間之相對位置關係的標 記。再者,該第一對準標記19104(第二標記)是用來將 該模及該基材互相相對做定位對準的標記。加工圖案對準 標記19106是製做該加工圖案時的參考標記。 第1 9B圖是第1 9A圖中的A-A’剖面圖,其中該第二 位置測量標記1 9 1 〇5 (第一標記)係設置在該模的前側表 面上,而該第一位置測量標記1 9 1 03則是該模的背側表面 〇 第19C圖是第19A圖中的B-B'剖面圖,其中該第— 對準標記191〇4(第二標記)及該加工圖案對準標記 -54- 1329241 年% >修正補充 19106是設置在該模的背側表面。 這些標記是構造成可使得他們能適合於測量相關的位 置,並具有一般的形狀,諸如桿狀、十字狀、圓形、矩形 、及其等的組合。 附帶一提,該模的該第一對準標記19104(第二標記 )及該第一位置測量標記19103僅需要能透過一構件而設 置在遠離於該模之前側表面的位置處。再者,加工圖案對 準標記19106也可以使用第一對準標記19104(第二標記 )來加以製備。 第20 A圖至第20E圖每一者均顯示出此實施例中之標 記的構造範例。 第20A圖顯示出一種利用用來製做該模之透明構件的 存在或不存在或其密度之差異而在該模之背側表面上設置 該第一位置測量標記、該第一對準標記、以及該加工圖案 對準標記的構造。如第1圖中所示,該構造包含有一第一 透明構件19201、一標記區域19202、一圖案區域19203、 —前側表面1 9204、一背側表面1 9205、一前側表面側標 記1 9206、以及一背側表面側標記1 9207。 該模係由該第一透明構件1 920 1所構成的,具有該標 記區域19202及該圖案區域(加工區域)19203。該第一 透明構件可以由石英、派熱司玻璃(註冊商標)、藍寶石 等所製成。 在該模的前側表面19204上形成有一加工圖案。 在該模的背側表面1 9205上,在標記區域1 9202內形 -55- 1329241 jfi y & 成有該第一位置測量標記、該第一對準標記、以及該加工 圖案對準標記。再者,在該標記區域19202內,該第二位 置測量標記是形成在該模的前側表面上做爲該前側表面側 標記。 附帶一提,在第20A圖中,該前側表面側標記及該背 側表面側標記是顯示成同軸地對準,但是他們也可以形成 爲沿著水平方向互相偏錯開。依該模的製做程序而定,該 加工圖案對準標記也可以形成在該模的前側表面上。 第20B圖顯示出一種第2 0A圖中所示之構造內設置在 該模之背側表面上的多個標記(標記群)是設置在該模之 —內部部位19 20 8處的構造。該內部部位1 92 08是利用用 來製做該模之透明構件的存在或不存在或其密度之差異而 形成的。 第2 0C圖顯示出一種該等設置在該模之背側表面上的 標記(標記群)是構造成一相對於一第二透明構件設置之 標記1 2909的構造。該第二透明構件是由石英、派熱司玻 璃(註冊商標)、藍寶石、ITO、氧化鈦等所製成的,但 在組成成份上可以和該第一透明構件稍微有所不同。 第2 0D圖顯示出一種該標記群是由一透過埋設該第二 透明構件所構成之標記群於該模之背側表面上一個不具有 該第一透明構件之部位內而設置於該部位內的標記19210 所構成的構造。 第2 0E圖顯示出一種該標記群是由一由該第二透明構 件所構成而設置在該模之背側表面上一個自該第一透明構 -56- 1329241 修正補无 件突伸出之部位處的標記19211所構成的構造。 在第20D圖或第20E圖所示之構造的情形中,該第二 透明構件也可變更成金屬質構件或類似者。 (實施例三) 在此實施例中將說明用來製做本發明之模的製程。 第21A圖至第21G圖顯示出此實施例中的模製造方 法,其中加工作業係在將該模上下顛倒而進行的。在此製 程中,首先,將該模的一表面加以加工,而後再加工該模 的另一表面。 更詳細地說,首先,製備其上施用以抗蝕劑1 93 04的 透明構件的基材1930 1 (第21A圖該基材19301具有 一其上設置有加工圖案的前側表面19302,及一背側表面 19303 。 其次,爲能在該基材的背側表面上形成一標記群,其 要進行曝光及顯像作業(第21B圖)。該標記群包含有該 第一位置測量標記、該第一對準標記、以及該加工圖案對 準標記。 接著將該基材加以蝕刻,以轉移一標記群9305至該 基材之背側表面上(第21C圖)。 其次,將該基材上下顛倒翻轉(第21D圖)。 接著在該前側表面1 9302上施用該抗蝕劑1 9304 (第 2 1 E 圖)。 其後,在觀看該基材背側表面上的加工圖案對準標記 -57-
1329241 的同時’進行對準作業,隨後再進行該加工圖 —第二位置測量標記1 9307的曝光及顯像作業 )。就此目的而言,可以使用雙側對準器( Aligner)來做爲曝光裝置。 其次’將該基材加以蝕刻,並將該抗蝕劑 以製成一具有加工圖案19306及該第二位 1 93 07的模(第21G圖)。 附帶一提,該前側表面部位及該背側表面 形成在二基材上,而後再施用在一起,以製做 一標記1 93 05、該加工圖案1 93 06、以及該第 標記1 9307的模。 —般而言,在前述製備的模中,位在同一 案的位置可以確保具有所需的準度度。 另一方面,在不同的平面間,例如該前側 側表面,各平面間的位置準確度則較低。 因此之故,其考慮將第一對準標記、第二 記、及加工圖案對準標記設置於所需的位置上 第二位置測量標記及該加工圖案係設置在所需 另一方面,第一對準標記與該加工圖案間 是不固定的,因爲他們如上所述並非位在相同 但是,此實施例中的模具有該第一位置測 第二位置測量標記。因此,藉由合倂使用該第 標記及該第二位置測量標記,並以一構造成可 所示之本發明實施例的壓力加工裝置內使用的 案19306及 (第21F圖 Double-Side 加以移除, 置測量標記 部位可分別 一具有該第 二位置測量 平面上的圖 表面及該背 位置測量標 。再者,該 立置上。 的位置關係 的平面上。 量標記及該 一位置測量 以在下文中 相對位置測 -58- 1329241 )r 量裝置來測量其間的位置關係,其將可以確認該位置關係 (實施例四) 在此實施例中將說明根據本發明的另一種模製造方法 第22圖顯示出此實施例中之圖案形成裝置的構造範
例。 如第22圖中所示,此圖案形成裝置包含有有一曝光 光源 1 940 1、一光學系統1 9402、一光學系統驅動機構 1 9403、一分析機構1 9404、一模固定部1 9405、一本體管 1 9406、一工作件固定部1 9407、一工作件推壓機構19408 、一面內移動機構1 9409、一壓印控制機構19410、以及 一未顯示出來而用來測量該模與該工作件間之間隙的測量 機構。在第22圖中,19412代表該工作件(基材),而 194 13代表塗佈在該基材19412之至少一部份上的塗佈材 料。模1941 1是由模固定部194〇5加以夾持住的,而使模 1 94 1 1設置於與該工作件相對的位置處。該工作件係由該 基材194 12所構成的,而可光固化樹脂之塗佈材料194 13 •則是由旋鍍法施用於其上。該工作件可以由面內移動機構 • . 19408加以移動至所需位置處。再者,藉由該工作件推壓 · 機構丨9408,其可以進行該工作件的高度及壓力之施用至 . 該工作件上的調整。 該曝光光源19401可以經由該本體管194〇6而到達該 -59-
日修正&夕“ 1329241 模。 該壓印控制機構1 94 1 0控制該工作件的位置移動、壓 力之施加至該工作件上、該光學系統驅動機構1 9403、及 曝光作業。 在此實施例中,用來進行該模之對準於該工作件的對 準機構的主要部位是由該光學系統19402、該光學系統驅 動機構1 9403、以及該分析機構19404所構成的。 該光學系統19402可由光學系統驅動機構19403加以 而與該工作件平行的面內方向及一與該工作件垂直的方向 上移動。 該光學系統所取得的資料會由分析機構19404加以分 析。該分析機構1 9404是構造成可以測量該模與該工作件 間的相對位置或是該模的該前側表面與該背側表面間的相 對位置,並可將其測量値加以儲存起來。 接下來將說明此實施例中的光學系統。 第23A圖及第23B圖是示意圖,顯示出該使用設在此 實施例之壓力加工裝置內的參考標記的光學系統的構造, 其中第23A圖是顯示出整個光學系統的構造的圖式,而第 23B圖則是顯示出經由一影像擷取裝置觀看而得的標記的 圖式。 在此實施例中,該光學系統係構造成可使用參考對準 標記。此種構造是描述於例如日本專利申請案早期公開 Hei 1 0-335421 號內。 更詳細地說,首先,將一模1 950 1及一工作件19 5 〇2 -60- 1329241 5"?年产少 放置成互相面對,而其間有一間隙。此實施例中的工作件 由前述之塗佈著樹脂的基材所構成的。 此實施例中的模在一背側表面上設有一第一對準標言己 1 9 503 (前述之實施例中的第二標記)及一第一位置測量 標記19505,而在一前側表面上設有一第二位置測量標記 1 95 06 (該實施例中的第一標記)。 另一方面,該工作件具有一第二對準標記19504 (該 φ 實施例中的第三標記)。 接下來將說明該第一對準標記1 9503及該第二對準標 記1 9504的觀測。 來自光源19511的光線通過一照明系統19510及一參 • 考標記基材1 9507,而由分光鏡加以反射至第二成像系統 19516 及 19518° 前述的參考標記基材是一個在前側表面及背側表面上 設有標記的基材,其等的位置關係可在該等標記投影至該 φ 前側表面及背側表面上時確定之。例如說,該參考標記基 材是一個形成有二標記的基材,而該二標記會在該等標記 投影至該基材之前側表面上時互相重合。 —第一參考標記1 9509及一第二參考標記1 9508中的 -每一者均係構造成可與下列的標記群構成光學共轭關係。 更詳細地說,該第一參考標記1 9509係光學共軛於標 ' 記群Α (第一位置測量標記1 9505及第一對準標記1 9503 , ),而第二參考標記195〇8則是光學共軛於標記群B (第 二位置測量標記1 9506及第二對準標記1 9504 )。因此之 -61 - 1329241 故,其可以分別測量標記群A及標記群B相對於該第一參 考標記及第二參考標記的位置。 另一方面,自一光源195 14射出的光線會穿過一照明 系統19513、一分光鏡19512、以及一第一成像系統1 9520 而照射至一標記上。反射光線會穿過該分光鏡195 12而傳 送至該第二成像系統側。在影像擷取裝置19517中,該第 一參考標記1 9509及該第一對準標記195 (Π會構成一影像 ,因此可以得到一第一影像。另一方面,在影像擷取裝置 19519中,該第二參考標記1 95 0 8及該第二對準標記 1 9504會構成一影像,因此可以得到一第二影像。此實施 例中的影像擷取裝置19517及195 19是電荷耦合裝置或類 似者。 接下來將說明對準方法。 首先,此實施例的圖案形成裝置係設計成可以在該第 —參考標記1 9509及該第一對準標記1 9503自該模的背側 表面沿著垂直於該基材的方向投影的情形下,讓一圖案區 域壓印在所需的位置上。 更詳細地說,在該第一對準標記1 95 0 3及該第二對準 標記1 95 04互相重疊,且該第一位置測量標記1 95 05及該 第二位置測量標記1 9506互相重疊的情形下,該圖案形成 裝置係設計成可以讓該圖案區域壓印在所需位置上。 接著,事先根據該第一位置測量標記1 9505而測量並 儲存該第二位置測量標記1 9506的水平/旋轉誤差A(xa ' ya ' θα)。這表示該等設計成互相重疊的第一及第二位 -62- 1329241 充 置測量標記會被偵測出他們是否真的以任何的位置關係加 以設置的。 藉由取得誤差A(xa、ya、0a),其可發現到在實施 第一對準標記195〇3之對準於第二對準標記1 9504時進行 所需位置的壓印作業會得到誤差(B’)。這是因爲在該等 設計成互相重疊而設置的第一及第二位置測量標記在有誤 差時的實際形成情形中,該位在與第一位置測量標記相同 φ 層上的第一對準標記1 9503會有誤差。更詳細地說,該第 一對準標記及該第一位置測量標記是位在相同的層上,因 此該第一對準標記的位置可以確保與該第一位置測量標記 的關係。在此,’'確保"一詞是指一設計位置與一透過該形 ' 成方法而實際形成的第一對準標記是高精度的互相一致。 該模之對準於該工作件係以下列的方式加以進行的。 觀測該第一對準標記1 9503及該第二對準標記19504 。第23B圖顯示出一透過影像擷取(感測)裝置所觀測的 # 影像。 如第23B圖中所示,在第一對準標記1 95 03的基準上 ,其可以測量及儲存該第二對準標記19504的誤差B(xb 、yb、0b )。所得到的位置關係是相等於該加工圖案與該 -第一位置測量標記間的位置關係。將該工作件水平及/或 .旋轉地移動以使誤差B等於自前述誤差A中所推求而得的 • 該第一對準標記與該第二對準標記間的誤差B’。換言之, . 該模之對準於工作件係進行成爲能滿足於條件:Β = Β·。因 此之故,該加工圖案可以在所需的位置處進行轉移。 -63- 1329241 ¢/ γ月》s修正補t 透過前面所述的對準方法,即使是在設在該模表面上 的該標記會因爲該模與樹脂接觸到之故而無法看到的情形 中’其亦可得到該標記與該工作件間的位置關係,以使其 可以做其間的對準。附帶一提,藉由使用設在四個角落部 位處的標記’其可以進行倍率修正。再者,依參考座標而 定’其可以將工作件移動成讓自誤差A(xa、ya、0a)推 求而得的誤差B’和測量得的誤差B(xb、yb' 0b)滿足於 方程式:Β· + Β = 0。 (實施例五) 在此實施例中將說明與實施例三不同的本發明用來製 做該模的方法。 第2 4Α圖至第24Ε圖中顯示出此實施例中的模製做方 法的步驟,其中加工是自該模的一側來加以進行的。在實 施例三中,加工是藉由將該模上下顛倒而進行的。更詳細 地說,首先先加工該模的一表面,而後再加工該模的另一 表面。另一方面,在此實施例中,該模的前側表面及背側 表面二者均係自一側方向加工之。 下面將配合第24 Α圖至第24Ε圖來說明此實施例的模 製做程序。· 更詳細地說,首先製備一透明構件的基材19601 (第 24A圖)》該基材19601具有一其上設有一加工圖案的前 側表面1 9 6 0 2,以及一背側表面1 9 6 03。 其次,在該基材的背側表面上形成一第一位置測量標 -64- 1329241 記1 9605,而後在該基材的前側表面上形成一第 量標記1 9604 (第24B圖)。 在與該第一位置測量標記1 9605相同的表面 一第一對準標記(前述實施例中的第二標記), 二位置測量標記1 9604相同的表面上設置有一加 準標記(該實施例中的第一標記)。做爲一種可 一側在該前側表面及該背側表面上連續地形成標 ,其可以應用一種使用具有高精確度台座之飛 Femtosecond Laser)方法爲之。因此之故,各個 設置在正確的位置上。 其次將一抗蝕劑1 9606施用至該基材1 9601 面1 9602上(第24C圖)。該抗蝕劑層1 9606亦 可用以形成反射防止膜或類似者的薄膜形成材料 其後,在觀測該基材之前側表面上的加工圖 記的情形下進行對準作業,接著再進行加工圖案 影像作業(第24D圖)。就此目的而言,做爲曝 其可以使用電子束曝光裝置或是諸如掃描器或步 的光曝光裝置。這些曝光裝置可以根據該加工圖 而適當地挑選。 其次則是將該基材加以蝕刻,並將該抗蝕劑 ,以製成該模(第24E圖)。 附帶一提,根據使用飛秒層的加工作業,其 模的內部部位加以加工。再者,在加工圖案是在 數的情形中,其可以以飛秒雷射取代該曝光裝置 二位置測 上設置有 而在與第 工圖案對 自該模之 記的方法 秒雷射( 標記均可 的前側表 包含有一 〇 案對準標 的曝光及 光裝置, 進器之類 案的大小 加以移除 可以對該 微奈米級 來進行加 -65- 1329241 @5 f月/^日修正補无 工作業。另外,在要加工該模之內部部位的情形中,其可 以應用一構件層疊於該模之前側表面上的製程。 (實施例六) 在此實施例中將說明一種在使用本發明之模的壓力加 工作業中使用構造不同於實施例四中所用者之光學系統的 構造實施例。 第25圖是一示意圖,用以顯示出此實施例中不使用 參考標記的光學系統的構造。 在此實施例中,不同於實施例四,該光學系統並不使 用參考對準標記。 更詳細地說,首先將一模19701及一工作件19702設 置成互相相對而其間有一間隙。 此實施例中的模具有一第一對準標記1 9703 (前述實 施例中的第二標記)、一第一位置測量標記1 9705、以及 —第二位置測量標記1 9706 (該實施例中的第一標記)。 再者,該工作件具有一第二對準標記1 9504 (該實施例中 的第三標記)。 接下來將說明該第一對準標記1 9703及該第二對準標 記1 9704的觀測。 自一光源19710射出的光線會穿過一照明系統1 9709 及一第一成像系統1 9707而照射至一標記上。反射的光線 會穿過該第一成像系統1 9707.及一第二成像系統19711而 由一影像楣取(感測)裝置1 97 1 2加以觀測。藉由透過一 -66-
1329241 光學系統驅動機構19713的移動,其可以觀測及儲存該等 第一標記(該第一對準標記及該第一位置測量標記)。接 著藉由移動該光學系統’其可以觀測及儲存該等第二標記 (該第二對準標記及該第二位置測量標記)。 接下來將說明對準方法。 首先觀察該第一位置測量標記,而後觀察該第二位置 測量標記。 φ 自此二影像中,可以在該第一位置測量標記的基準上 來事先測量並儲存該第二位置測量標記1 9506的水平/旋 轉誤差 A(xa' ya、0a)。 ' 接著觀測設置在該模上的第一對準標記,並觀測設置 - 在該工作件上的第二對準標記。第23B圖顯示出經由一影 像擷取(感測)裝置所觀測到的影像。 自此二影像中,在該第一對準標記的基礎上,其可以 測量並儲存該第二對準標記的水平/旋轉誤差B(xb、yb φ 、eb)。接著將該工作件做水平及/或旋轉移動,以使自 該誤差A(xa、ya、0a)上推求而得的該第一對準標記與 該第二對準標記間的誤差B·及實際測量得的誤差B(xb、 yb、0b )會滿足於條件:"B = B。因此之故,該加工圖案可 "_以在所需的位置處轉移。 -* 雖然本發明係針對本文中所揭露的結構來加以說明, * . 但其並不限於此中所提出的細節,且此申請案係意欲包含 φ ^ 屬於此改良之目的及下文所附之申請專利範圍內所設定的 範圍內的改良及變化。 -67- 1329241
G ί爹正捕充 【圖式簡單說明】 第1圖、第2Α圖至第2D圖、及第3Α圖至第3D圖 是示意剖面圖’每—圖均顯示出根據本發明的模。 第4圖是示意圖,顯示出本發明之一實施例中的加工 裝置構造的例子。 第5Α圖及第5Β圖是流程圖,每一圖均顯示出本發明 之一實施例中的加工方法。 第6圖是示意圖,用以說明在壓印過程中,相對位置 偏移發生的機制。 第7Α圖及第7Β圖是示意圖,用以說明在壓印過程中 ,模及晶圓受到損傷的機制。 第8圖是示意圖,用以說明在壓印過程中,偵測系統 內誤差因子發生的機制。 第9Α圖至第9Ε圖是示意圖,用以說明本發明之一實 施例中的壓印製程。 第10圖是示意圖,顯示出本發明之一實施例中具有 週期性結構的對準結構的例子。 第11Α圖及第11Β圖是示意圖,每一圖均顯示出本發 明之一實施例中使用週期性結構的對準結構的例子。 第12Α圖至第12Η圖、第13Α圖至第131圖、第14α 圖至第14Ε圖、及第15Α圖及第15Ε圖是示意圖,分別 顯示出用來製做根據本發明之實施例的模的製程。 第ΙόΑ圖及第16Β圖是示意圖,每一圖均顯示出本發 -68-
克 1329241 明之實施例中的對準結構之配置的例子。 第17A圖及第17B圖、及第18A圖及第18B圖是圖 式及流程圖’顯示出根據本發明之實施例的圖案形成方法 〇 第19A圖至第19C圖及第20A圖至第2 0E圖是示意 圖’每一圖均顯示出本發明之實施例中的模的構造範例。 第21A圖至第21G圖是示意圖,顯示出用來製做根 φ 據本發明之實施例的模的製程步驟,其中係改變該模的前 側表面及背側表面來製做該模。 第22圖是示意圖,顯示出本發明之實施例中的壓力 ' 加工裝置的構造。 ' 第23 A圖及第23B圖是示意圖,用以說明本發明之實 施例中的壓力加工裝置內使用參考標記的光學系統的構造 〇 第24A圖至第24E圖是示意圖,顯示出用來製做根據 φ 本發明之實施例的模的製程步驟,其中該模係自其一側加 以加工的。 第25圖是示意圖,用以說明根據本發明之實施例的 裝置的構造範例。 •【主要元件之符號說明】 :· 1 0 1 :加工表面 . 102:對準結構表面
103 :距離A -69- 1329241
日沴正捕尤 104 :模基材 105 :第一構件 106 :第二構件 1 0 7 :光透射物質 2 0 1 :光源 202 :光學測量系統
203 :壓印控制系統 204:工作件推壓機構 205 :面內移動機構 206 :模推壓機構 2 0 7 :光源 208 :分析系統 209 :影像擷取裝置 2 1 0 :顯微鏡
2 1 1 :模側對準結構 2 1 2 :工作件側對準結構 2 1 3 :模 2 1 4 :可光固化樹脂 2 1 5 :工作件 4 0 1 :工作件 402 :模 403 :可光固化樹脂 404 :第三對準結構 405 :第二對準結構 -70- 1329241
> f-三结充 4 Ο 6 ·壓印圖案 407:光線入射方向 5 0 1 :加工表面 5 02 :壓印圖案 503 :光阻隔膜 504 :高度A 5 05 :模
601 :工作件側對準結構(A) 602 :模側對準結構 603 :圖案 604 :圖案 701 :單軸對準結構 702 : Χ.Υ.Θ對準結構 8 〇 1 :模(A ) 802 :模(B ) 803 :圖案(A ) 804 :圖案(B ) 8 0 5 :配置位置 901 :較寬溝槽結構(A) 902 :較窄溝槽結構(B ) 903 :模 904 :可光固化樹脂 9 0 5 ··工作件 1 0 0 0 ·圖案區域 -71 - 1329241
日修正福无
1 002 :力量 1 003 :力量 1 004 :扭矩 1 005 :軸線 1 〇 〇 6 :啓始點 1050:第一表面 1 060 :第二表面 1 070 :對準標記 1 077 :第一標記 1100:模 1 1 0 1 :偵測光線 1 102 :散射/漫射光線 1103:模
1 104 :可光固化樹脂 1 1 0 5 :工作件 1201 :硬質遮罩層 1 202 :對準結構區域 1203:實際圖案區域 1 204 :遮罩層 1 205 :遮罩層 1 2 1 2 :凹入部位 1 3 0 1 :光透射物質 1 50 1 :遮罩層 1 5 02 :前側/背側位置對準結構區域 -72-
修三犹充 1503 :保護層 1 504 :遮罩層 1 50 5 :前側/背側對準區域 2070 :對準標記 2077 :第一標記 3000:塗佈材料 3 1 0 1 :表面 5000 :基材 505 0 :部位 5 3 00 :對準標記 19101 :模 19102 :圖案區域 19103 :第一位置測量標記 19104 :第一對準標記 19105 :第二位置測量標記 19106 :加工圖案對準標記 1 920 1 :第一透明構件 19202:標記區域 19203 :標記區域 1 9204 :前側表面 1 9205 :背側表面 1 9206 :前側表面側標記 1 9207 :背側表面側標記 1 9208 :內部部位 -73- 1329241 19209 :標 19210 :標 19211 :標 19301 :基 19302 :前 19303 :背 19304 :抗 19305 :標 19306 :加 19307 :第 19401 :曝 19402 :光 19403 :光 19404 :分 19405 :模 19406 :本 19407 :工 19408 :工 19409 :面 19410 :壓 19411 :模 19412 :工 19413 :塗 記 記 記 材 側表面 側表面 蝕劑 記群 工圖案 二位置測量標記 光光源 學系統 學系統驅動機構 析機構 固定部 體管 作件固定部 作件推壓機構 內移動機構 印控制機構 作件 佈材料 19501 :模 1329241 年^月,曰修正補充
1 9 5 0 2 :工作件 1 95 03 :第一對準標記 19504 :第二對準標記 1 95 05 :第一位置測量標記 1 9506 :第二位置測量標記 1 9507 :參考標記基材 19508:第二參考標記 1 9509 :第一參考標記 1 9 5 1 0 :照明系統 19511 :光源 19512 :分光鏡
1 9 5 1 3 :照明系統 1 95 14 :光源 19516:第二成像系統 19517 :影像擷取裝置 195 18 :第二成像系統 195 19 :影像擷取裝置 1 9520 :第一成像系統 1 960 1:基材 1 9602 :前側表面 1 9603 :背側表面 1 9604 :第二位置測量標記 1 9605 :第一位置測量標記 1 9 6 0 6 :抗蝕劑 -75- 1329241
>日修正補无
19701 :模 1 9702 :工作件 1 9703 :第一對準標記 1 9704 :第二對準標記 1 9705 :第一位置測量標記 1 9706 :第二位置測量標記 1 9707 :第一成像系統 1 9709 :照明系統 1 9 7 1 0 :光源 19711 :第二成像系統 19712 :影像擷取(感測)裝置
-76-

Claims (1)

1329241 十、申請專利範圍 第95 1 20233號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國99年4月2日修正 1· 一種模’用以將一圖案轉移至一待以壓印加工的構 件上,包含有: 一第一表面’具有一圖案區域’該圖案係自該圖案區 域轉移; 一第二表面,與該第一表面相對設置; —第一標記,設置在該第一表面上;以及 一弟一標S5 ’係供彳準之用,設置在一個遠離該第一 表面,朝向該第二表面的位置處。 2. 如申請專利範圍第1項之模,其中該對準標記係 設置在該第一表面與該第二表面之間,或是靠近於該第二 表面,或是位在該第二表面上。 3. 如申請專利範圍第1項所述之模,其中該第二標 記係埋設於一個位在該第一表面與該第二表面之間的區域 內。 4. 一種圖案形成方法,用以利用設在一模上的圖案 而在設置於一基材上的塗佈材料上形成壓印圖案’包含有 下列步驟: 製備一模,其具有一包含有一圖案區域的第一表面、 一與該第一表面相對的第二表面、以及一對準標記’設置 在該對準標記遠離該第一表面的位置處; 1329241 )年设#正補 將該模的該圖案區域接觸設置在該基材上的該塗佈材 料; 在該塗佈材料是設置於該基材上的一個該對準標記與 該基材相對的部位處的情形下,使用該對準標記及一設置 於該基材上的標記來取得有關於該模及該基材之位置的資 訊;以及 在該圖案區域及該塗佈材料互相接觸的情形下,依據 該資訊在該圖案區域的面內方向上進行該基材之對準於該 模。 5. 如申請專利範圍第4項所述之圖案形成方法,其 中該基材與該模間之距離係依據該資訊來加以控制的。 6. 如申請專利範圍第4項所述之圖案形成方法,其 中該塗佈材料係在進行對準之時固化的。 7. 如申請專利範圍第4項所述之圖案形成方法,其 中該塗佈材料係光固化樹脂、熱固性樹脂、或熱塑性樹脂 〇 8. —種圖案形成方法,係使用設置在一模上的圖案 以在一欲加工之構件上形成一圖案,包含有下列步驟: 製備一模,其具有一包含有一圖案區域的第一表面、 一與該第一表面相對的第二表面、一設置於該第一表面上 的第一標記、以及一第二標記,係供對準之用而置在一個 可讓該對準標記遠離該第一表面的位置處:以及 藉由用該模的該第二標記及設置於該欲加工構件上之 供對準用的第三標記來進行該模之對準於該欲加工構件。 -2- 1329241 正補充 9. 如申請專利範圍第8項所述之圖案形成方法,其 中會取得有關於該第一標記與該第二標記間之位置關係的 資訊,並用來進行該模之對準於該欲加工構件。 10. 如申請專利範圍第8項所述之圖案形成方法,其 中該欲加工構件係一基材或一具有內含塗佈材料之表面層 的基材。 11. 一種圖案形成方法,係使用設置在一模上的圖案 以在一欲加工之構件上成一圖案,包含有下列步驟: 使用有關於一設置於該模中與該模之圖案區域型成表 面相同高度處之表面上的第一標記與一位在遠離該圖案區 域型成表面處的第二標記之間之相對位置關係的第一位置 資訊,並使用有關於該第二標記與一設置在該欲加工構件 上之第三標記之間之相對位置關係的第二位置資訊,以在 該模之圖案區域的面內方向上進行該模之對準於該欲加工 構件。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項所述之圖案形成方法, 其中係藉由將有關於第二標記與第一標記間之水平誤差或 旋轉誤差之至少一者的第一誤差資訊加以儲存、將有關於 第二標記與第三標記間之水平誤差或旋轉誤差之至少一者 的第二誤差資訊加以儲存、以及使用該第一誤差及第二誤 差來進行將該欲加工構件相對於該模做水平移動之作動及 將該欲加工構件相對於該模做旋轉移動之作動之至少一者 ,進而進行該對準作業。 13. —種圖案形成裝置,用以進行根據申請專利範圍 -3- 1329241 第4項所述之圖案形成方法,包含有: —模固定部,用以固定住一模;以及 一基材支撐部,用以支撐一基材: 其中該模固定部及該基材支撐部係構造成可在面內方 向上互相相對移動。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項所述之圖案形成裝置, 其中該圖案形成裝置進一步包含有一位置偏差偵測裝置, 用以偵測該模之圖案區域與該塗佈材料之間在互相接觸的 情形下的位置偏差,以及一間距控制機構,用以根據來自 該位置偏差偵測機構之偵測資訊來控制該基材與該模間的 間距。 1 5 . —種圖案形成裝置,用以進行根據申請專利範圍 第8項所述之圖案形成方法,包含有: 一模固定部,用以固定住一模;以及 一基材支撐部,用以支撐一基材; 其中該模固定部及該基材支撐部係構造成可在面內方 向上互相相對移動。 16. —種圖案轉移裝置,包含有: —對準機構,用以進行一模之對準於一欲加工構件, 該對準機構係構造成可使用有關於一設置於該模中與該模 之圖案區域型成表面相同高度處之表面上的第一標記與一 位在遠離該圖案區域型成表面處的第二標記之間之相對位 置關係的第一位置資訊,並使用有關於該第二標記與一設 置在該欲加工構件上之第三標記之間之相對位置關係的第 -4 - 1329241
二位置資訊,以在該模之圖案區域的面內方向上進行該模 之對準於該欲加工構件。 17.如申請專利範圍第16項所述之圖案轉移裝置, 其中該對準機構包含有一用來儲存第一位置資訊的第一儲 存部,以及一用來儲存第二位置資訊的第二儲存部。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI554378B (zh) * 2011-07-15 2016-10-21 佳能股份有限公司 壓印裝置與物品的製造方法

Families Citing this family (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7692771B2 (en) 2005-05-27 2010-04-06 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
JP4515413B2 (ja) * 2005-05-27 2010-07-28 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. インプリントリソグラフィ
US7708924B2 (en) 2005-07-21 2010-05-04 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
JP4290177B2 (ja) 2005-06-08 2009-07-01 キヤノン株式会社 モールド、アライメント方法、パターン形成装置、パターン転写装置、及びチップの製造方法
US7927089B2 (en) * 2005-06-08 2011-04-19 Canon Kabushiki Kaisha Mold, apparatus including mold, pattern transfer apparatus, and pattern forming method
FR2893018B1 (fr) * 2005-11-09 2008-03-14 Commissariat Energie Atomique Procede de formation de supports presentant des motifs, tels que des masques de lithographie.
JP4185941B2 (ja) * 2006-04-04 2008-11-26 キヤノン株式会社 ナノインプリント方法及びナノインプリント装置
JP4958614B2 (ja) * 2006-04-18 2012-06-20 キヤノン株式会社 パターン転写装置、インプリント装置、パターン転写方法および位置合わせ装置
KR101261606B1 (ko) * 2006-05-09 2013-05-09 삼성디스플레이 주식회사 표시판의 제조 장치 및 제조 방법
JP4848832B2 (ja) * 2006-05-09 2011-12-28 凸版印刷株式会社 ナノインプリント装置及びナノインプリント方法
KR100779731B1 (ko) * 2006-06-13 2007-11-26 (주)이노포스 미세 형상 제조장치 및 제조방법
KR100790899B1 (ko) * 2006-12-01 2008-01-03 삼성전자주식회사 얼라인 마크가 형성된 템플릿 및 그 제조 방법
US8722179B2 (en) * 2006-12-12 2014-05-13 Asml Netherlands B.V. Substrate comprising a mark
US8609441B2 (en) * 2006-12-12 2013-12-17 Asml Netherlands B.V. Substrate comprising a mark
KR101238137B1 (ko) 2007-02-06 2013-02-28 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 방법 및 임프린트 장치
KR100815113B1 (ko) * 2007-02-16 2008-03-20 한국과학기술원 몰드와 광경화성 수지의 수평 운동을 이용한 미세 구조물의제조 방법
JP5188192B2 (ja) * 2007-02-20 2013-04-24 キヤノン株式会社 モールド、モールドの製造方法、インプリント装置及びインプリント方法、インプリント方法を用いた構造体の製造方法
JP5110924B2 (ja) * 2007-03-14 2012-12-26 キヤノン株式会社 モールド、モールドの製造方法、加工装置及び加工方法
JP5144127B2 (ja) * 2007-05-23 2013-02-13 キヤノン株式会社 ナノインプリント用のモールドの製造方法
JP5570688B2 (ja) * 2007-06-28 2014-08-13 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 微細レジストパターン形成方法及びナノインプリントモールド構造
US7837907B2 (en) * 2007-07-20 2010-11-23 Molecular Imprints, Inc. Alignment system and method for a substrate in a nano-imprint process
JP5004225B2 (ja) 2007-09-19 2012-08-22 独立行政法人産業技術総合研究所 インプリントリソグラフィ用モールド製作方法
US20090166317A1 (en) * 2007-12-26 2009-07-02 Canon Kabushiki Kaisha Method of processing substrate by imprinting
US8361371B2 (en) * 2008-02-08 2013-01-29 Molecular Imprints, Inc. Extrusion reduction in imprint lithography
JP5150309B2 (ja) * 2008-03-03 2013-02-20 東芝機械株式会社 転写装置および転写方法
JP5256409B2 (ja) * 2008-06-10 2013-08-07 ボンドテック株式会社 転写方法および転写装置
JP2009298041A (ja) * 2008-06-13 2009-12-24 Toshiba Corp テンプレート及びパターン形成方法
JP5517423B2 (ja) * 2008-08-26 2014-06-11 キヤノン株式会社 インプリント装置及びインプリント方法
JP4892025B2 (ja) * 2008-09-26 2012-03-07 株式会社東芝 インプリント方法
US20100092599A1 (en) * 2008-10-10 2010-04-15 Molecular Imprints, Inc. Complementary Alignment Marks for Imprint Lithography
US20100104852A1 (en) * 2008-10-23 2010-04-29 Molecular Imprints, Inc. Fabrication of High-Throughput Nano-Imprint Lithography Templates
US8231821B2 (en) * 2008-11-04 2012-07-31 Molecular Imprints, Inc. Substrate alignment
JP5288118B2 (ja) * 2009-01-14 2013-09-11 大日本印刷株式会社 フォトマスクブランクス、フォトマスクの位置合わせ方法、両面フォトマスクの製造方法
NL2004265A (en) * 2009-04-01 2010-10-04 Asml Netherlands Bv Imprint lithography apparatus and method.
JP2011009641A (ja) * 2009-06-29 2011-01-13 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及びインプリント用テンプレート
NL2004932A (en) 2009-07-27 2011-01-31 Asml Netherlands Bv Imprint lithography template.
JP2011066238A (ja) * 2009-09-17 2011-03-31 Toshiba Corp パターン形成用テンプレートの作製方法
JP4823346B2 (ja) * 2009-09-24 2011-11-24 株式会社東芝 テンプレートおよびパターン形成方法
JP5385749B2 (ja) * 2009-10-08 2014-01-08 東芝機械株式会社 転写装置および転写方法
NL2005266A (en) 2009-10-28 2011-05-02 Asml Netherlands Bv Imprint lithography.
US8691124B2 (en) * 2009-11-24 2014-04-08 Asml Netherlands B.V. Alignment and imprint lithography
US9625811B2 (en) 2009-12-18 2017-04-18 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
JP5563319B2 (ja) * 2010-01-19 2014-07-30 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
JP2012064810A (ja) * 2010-09-16 2012-03-29 Toshiba Corp ナノインプリント用テンプレート及びパターン転写装置
JP5715370B2 (ja) * 2010-10-08 2015-05-07 株式会社ディスコ 検出方法
JP5716384B2 (ja) * 2010-12-21 2015-05-13 大日本印刷株式会社 ナノインプリントリソグラフィ用モールド、およびその製造方法
JP2012204428A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Toshiba Corp パターン形成方法
JP6039222B2 (ja) * 2011-05-10 2016-12-07 キヤノン株式会社 検出装置、検出方法、インプリント装置及びデバイス製造方法
JP6061524B2 (ja) * 2011-08-11 2017-01-18 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品の製造方法
JP2013069920A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Toshiba Corp 成膜方法およびパターン形成方法
JP6071221B2 (ja) * 2012-03-14 2017-02-01 キヤノン株式会社 インプリント装置、モールド、インプリント方法及び物品の製造方法
JP2014011254A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Dainippon Printing Co Ltd 位置合わせマーク、該マークを備えたテンプレート、および、該テンプレートの製造方法
JP2014049658A (ja) * 2012-08-31 2014-03-17 Toshiba Corp パターン形成方法及びテンプレート
JP5256410B2 (ja) * 2012-09-18 2013-08-07 ボンドテック株式会社 転写方法および転写装置
JP5326148B2 (ja) * 2012-09-18 2013-10-30 ボンドテック株式会社 転写方法および転写装置
US20140205702A1 (en) * 2013-01-24 2014-07-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Template, manufacturing method of the template, and position measuring method in the template
JP6173354B2 (ja) * 2013-01-24 2017-08-02 綜研化学株式会社 光透過型インプリント用モールド、大面積モールドの製造方法
US20140209567A1 (en) * 2013-01-29 2014-07-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Template, manufacturing method of the template, and strain measuring method in the template
JP5851442B2 (ja) * 2013-03-25 2016-02-03 株式会社東芝 モールド及びその製造方法
JP6460672B2 (ja) * 2013-09-18 2019-01-30 キヤノン株式会社 膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法及び電子部品の製造方法
JP6230353B2 (ja) * 2013-09-25 2017-11-15 キヤノン株式会社 パターン形状を有する膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子機器の製造方法
US9466324B2 (en) 2013-10-31 2016-10-11 Seagate Technology Llc Bit patterned media template including alignment mark and method of using same
JP2015138928A (ja) * 2014-01-24 2015-07-30 大日本印刷株式会社 インプリント用モールドの製造方法
KR102311479B1 (ko) * 2014-04-01 2021-10-13 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 임프린트용 몰드 및 임프린트 방법
JP6076946B2 (ja) * 2014-08-04 2017-02-08 大日本印刷株式会社 ローラーインプリント用モールドとインプリント方法およびワイヤーグリッド偏光子とその製造方法
JP2016058477A (ja) * 2014-09-08 2016-04-21 株式会社東芝 テンプレート、テンプレートの製造方法およびインプリント方法
JP6632270B2 (ja) * 2014-09-08 2020-01-22 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法
JP6497938B2 (ja) * 2015-01-05 2019-04-10 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法。
JP2016134441A (ja) * 2015-01-16 2016-07-25 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP6410651B2 (ja) * 2015-03-27 2018-10-24 旭化成株式会社 印刷用版胴に形成されたパターンの歪測定方法
CN104820346B (zh) * 2015-04-24 2017-04-12 深圳市大川光电设备有限公司 平板工件的对位方法
JP6114861B2 (ja) * 2015-06-22 2017-04-12 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法
JP6157579B2 (ja) * 2015-12-24 2017-07-05 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法
KR102563532B1 (ko) * 2016-01-05 2023-08-07 삼성디스플레이 주식회사 임프린트 리소그래피 방법, 이를 이용한 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿
JP2017152531A (ja) 2016-02-24 2017-08-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
US11040482B2 (en) * 2017-02-28 2021-06-22 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Transfer method, transfer apparatus, and mold
JP6692311B2 (ja) * 2017-03-14 2020-05-13 キオクシア株式会社 テンプレート
JP7023050B2 (ja) * 2017-03-17 2022-02-21 キオクシア株式会社 テンプレートの製造方法及びテンプレート母材
JP6894285B2 (ja) * 2017-04-26 2021-06-30 Towa株式会社 樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法
JP7058951B2 (ja) * 2017-05-24 2022-04-25 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
JP6567004B2 (ja) * 2017-08-30 2019-08-28 キヤノン株式会社 パターン形成装置、決定方法、プログラム、情報処理装置及び物品の製造方法
US10935883B2 (en) * 2017-09-29 2021-03-02 Canon Kabushiki Kaisha Nanoimprint template with light blocking material and method of fabrication
JP7148106B2 (ja) * 2017-10-23 2022-10-05 ボンドテック株式会社 アライメント方法、接合方法、樹脂成形方法、接合装置、樹脂成形装置および基板
US10409178B2 (en) * 2017-12-18 2019-09-10 Canon Kabushiki Kaisha Alignment control in nanoimprint lithography based on real-time system identification
US10705435B2 (en) 2018-01-12 2020-07-07 Globalfoundries Inc. Self-referencing and self-calibrating interference pattern overlay measurement
NL2021848A (en) * 2018-04-09 2018-11-06 Stichting Vu Holographic metrology apparatus.
JP7124585B2 (ja) * 2018-09-13 2022-08-24 大日本印刷株式会社 レプリカモールドの製造方法
JP7194068B2 (ja) * 2019-04-16 2022-12-21 キヤノン株式会社 モールド作製方法、および物品の製造方法
US11256177B2 (en) 2019-09-11 2022-02-22 Kla Corporation Imaging overlay targets using Moiré elements and rotational symmetry arrangements
JP7336373B2 (ja) * 2019-12-10 2023-08-31 キヤノン株式会社 型を製造する方法、型、インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法
US11422460B2 (en) * 2019-12-12 2022-08-23 Canon Kabushiki Kaisha Alignment control in nanoimprint lithography using feedback and feedforward control
JP7402715B2 (ja) * 2020-03-06 2023-12-21 東京エレクトロン株式会社 ウエハを処理する方法
JP2021150481A (ja) * 2020-03-19 2021-09-27 キオクシア株式会社 テンプレート、テンプレートの製造方法、および半導体装置の製造方法
US11686576B2 (en) 2020-06-04 2023-06-27 Kla Corporation Metrology target for one-dimensional measurement of periodic misregistration
KR102292282B1 (ko) * 2021-01-13 2021-08-20 성균관대학교산학협력단 비등방성 기계적 팽창 기판 및 이를 이용한 크랙 기반 압력 센서
US11796925B2 (en) 2022-01-03 2023-10-24 Kla Corporation Scanning overlay metrology using overlay targets having multiple spatial frequencies

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6309580B1 (en) * 1995-11-15 2001-10-30 Regents Of The University Of Minnesota Release surfaces, particularly for use in nanoimprint lithography
JP3445100B2 (ja) 1997-06-02 2003-09-08 キヤノン株式会社 位置検出方法及び位置検出装置
JP2000323461A (ja) 1999-05-11 2000-11-24 Nec Corp 微細パターン形成装置、その製造方法、および形成方法
US6873087B1 (en) * 1999-10-29 2005-03-29 Board Of Regents, The University Of Texas System High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes
TW588414B (en) * 2000-06-08 2004-05-21 Toshiba Corp Alignment method, overlap inspecting method and mask
EP1303792B1 (en) 2000-07-16 2012-10-03 Board Of Regents, The University Of Texas System High-resolution overlay alignement methods and systems for imprint lithography
JP3517640B2 (ja) 2000-09-28 2004-04-12 キヤノン株式会社 マイクロ構造体アレイ用金型、マイクロ構造体アレイ、及びその作製方法
JP3513478B2 (ja) 2000-10-05 2004-03-31 キヤノン株式会社 マイクロ構造体アレイ用金型、マイクロ構造体アレイ、及びその作製方法
US6387787B1 (en) * 2001-03-02 2002-05-14 Motorola, Inc. Lithographic template and method of formation and use
KR100583693B1 (ko) * 2001-05-23 2006-05-25 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 실질적으로 투과성인 공정층내에 정렬마크가 제공된 기판,상기 마크를 노광하는 마스크, 디바이스 제조방법 및 그디바이스
US20050064344A1 (en) * 2003-09-18 2005-03-24 University Of Texas System Board Of Regents Imprint lithography templates having alignment marks
TW594431B (en) * 2002-03-01 2004-06-21 Asml Netherlands Bv Calibration methods, calibration substrates, lithographic apparatus and device manufacturing methods
JP2003323461A (ja) 2002-05-01 2003-11-14 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Cadデータ作成装置および情報加工方法
US7252492B2 (en) * 2002-06-20 2007-08-07 Obducat Ab Devices and methods for aligning a stamp and a substrate
US6932934B2 (en) * 2002-07-11 2005-08-23 Molecular Imprints, Inc. Formation of discontinuous films during an imprint lithography process
DE10311855B4 (de) * 2003-03-17 2005-04-28 Infineon Technologies Ag Anordnung zum Übertragen von Informationen/Strukturen auf Wafer unter Verwendung eines Stempels
JP2004335808A (ja) 2003-05-08 2004-11-25 Sony Corp パターン転写装置、パターン転写方法およびプログラム
CN100483672C (zh) * 2003-09-29 2009-04-29 国际商业机器公司 用于在表面上形成多级结构的方法
JP2005116847A (ja) 2003-10-09 2005-04-28 Dainippon Printing Co Ltd フォトマスクおよびそのフォトマスクを用いた荷電粒子線露光用マスクの製造方法
EP1526411A1 (en) 2003-10-24 2005-04-27 Obducat AB Apparatus and method for aligning surface
JP4281512B2 (ja) 2003-10-31 2009-06-17 株式会社ニコン 光学素子の製造方法
EP1533657B1 (en) 2003-11-21 2011-03-09 Obducat AB Multilayer nano imprint lithography
US7435074B2 (en) * 2004-03-13 2008-10-14 International Business Machines Corporation Method for fabricating dual damascence structures using photo-imprint lithography, methods for fabricating imprint lithography molds for dual damascene structures, materials for imprintable dielectrics and equipment for photo-imprint lithography used in dual damascence patterning
JP4574240B2 (ja) * 2004-06-11 2010-11-04 キヤノン株式会社 加工装置、加工方法、デバイス製造方法
US7309225B2 (en) * 2004-08-13 2007-12-18 Molecular Imprints, Inc. Moat system for an imprint lithography template
US7654816B2 (en) * 2004-10-07 2010-02-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Lithographic mask alignment
US20060147820A1 (en) * 2005-01-04 2006-07-06 International Business Machines Corporation Phase contrast alignment method and apparatus for nano imprint lithography
US20060267231A1 (en) * 2005-05-27 2006-11-30 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US8999218B2 (en) * 2005-06-06 2015-04-07 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing member having pattern, pattern transfer apparatus, and mold
US7927089B2 (en) * 2005-06-08 2011-04-19 Canon Kabushiki Kaisha Mold, apparatus including mold, pattern transfer apparatus, and pattern forming method
JP4290177B2 (ja) 2005-06-08 2009-07-01 キヤノン株式会社 モールド、アライメント方法、パターン形成装置、パターン転写装置、及びチップの製造方法
US7517211B2 (en) * 2005-12-21 2009-04-14 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI554378B (zh) * 2011-07-15 2016-10-21 佳能股份有限公司 壓印裝置與物品的製造方法
US9810979B2 (en) 2011-07-15 2017-11-07 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and article manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
EP1731963B1 (en) 2015-02-25
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US20060279004A1 (en) 2006-12-14
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EP2090929A2 (en) 2009-08-19
KR20060128673A (ko) 2006-12-14
TW200712800A (en) 2007-04-01
EP1731963A3 (en) 2007-08-22
US9046793B2 (en) 2015-06-02

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