TWI314575B - Coated polymeric substrates having improved surface smoothness suitable for use in flexible electronic and opto-electronic devices - Google Patents

Description

1314575 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於改良其所塗佈之基材之表面平滑 度的塗佈組合物’特定言之係一種適合使用作為撓性電子 及光電子學裝置，尤其係電發光（EL)顯示裝置，特別係有機 發光顯示器（OLED)裝置中之基材的聚合基材。 【先前技術】 發光（EL)顯示器係一種特徵在於優異可見度（包括高亮度 咼對比、相當快之響應速度及寬廣視角）、極薄側面及相 當低之功率消耗的自發射顯示模式。如同陰極射線管（CRT) 、螢光及電漿顯示器’ EL顯示裝置的本身發射光。不同於 液晶顯π器（LCD)，其不需要背照。EL的響應速度可快達 LCD的1〇〇〇倍，因而使此模式特別適用於移動影像。可將 EL顯示器使祕各式各樣的應用，包括飛行器及船的控制 、汽車音響設備、計算機、行動電話、可攜式電腦、儀器 、工廠監視器及電子醫療設備巾。EL顯示器之另一主要應 用係作為光源，尤其係小型LCD面板的背照 Z 在低環境光條件下„。 EL顯示器係經由將磷光或其他電發光物質之薄膜夾於各 包！預足型態(即電極)之導電性元素之兩板之間，因而在顯 不器上形成可編址像元（pixel)而運作。電極係 物 質或個別支承物上形成為塗層。當要 發先物 ,,, 災此包極或各電極透 射光時，例如使用透明導電性金屬氧化物，而將電極形成 為半透明或透明塗層。同樣地， ^ 4各支承物可視 S4460 1314575 :要而為半透明或透明。一般而言，i少陽極為透明。支 :物—般係作為電極之基質及作為絕緣層。基材亦提供對 於使用、儲存及輸送中之化學及物理損壞的丫呆護。已將玻 璃及氷。薄膜使用作為絕緣支承物。EL顯示裝置已利用各 =陰極材料。早期的研究使用驗金屬。其他陰極材料包括 金屬 <組合，諸如黃銅及導電性金屬氧化物（例如，銦錫氧 化物）。亦使用各種單一金屬陰極，諸如銦、銀、錫、鉛、 鎂、鐘' 及銘。 EL構造之新近的發現包括其中之有機發光介質係由分離 陽極及陰極之兩相當薄之層（結合厚度q _〇微米）所組成的 裝置。代表性的OLED裝置係揭示於，例如，us 4720432中 之裝置。 當電流通過導電性元素時，電發光材料發射光。EL顯示 器係發射技術’而非如LCD顯示器之關閉光源，其最有用於 在所有光條件中之高可見度重要的應用。 可產生具相當高純度之三原色之新穎有機電發光材料的 發展使具均勻亮度值且長命的全色顯示器成為可能。可將 具有此種特性之聚合物溶解於溶劑中，並自溶液加工，而 可印刷電子裝置。導電性共轭聚合物尤其受到重視。此處 所使用之術語「共軛導電性聚合物」係指具有沿其主鏈之π_ 電子非定域化的聚合物。W. J. Feast於聚合物，37 卷（22)，5017-5047 ’ 1996中回顧此類型之聚合物。在一較 佳具體實施例中，共軛導電性聚合物係選自： (i)烴共軛聚合物，諸如聚乙炔、聚伸苯基及聚（對伸苯基 84460 1314575 伸乙烯基）；

、聚吡咯及聚苯胺；及

(伸苯基伸乙烯基）。 此種共軛導電性聚合物除 了使用於EL裝置中之外，其尚

置，包括 晶體、薄 膜電晶體及積體電路）中。 【發明内容】 本發明係關於包含共軛導電性聚合物之電子或光電子學 裝置’包括EL裝置（尤其s〇LED)、光電伏打電池及半導體 裝置（大致諸如有機場效電晶體、薄膜電晶體及積體電路） 的絕緣及支承基材。本發明尤其係關於光電子學裝置，尤 其係EL裝置（尤其係〇led)或光電伏打裝置，及尤其係£乙裝 置（尤其係OLED)之基材。 【實施方式】 基材可為透明、半透明或不透明，但其典型上為透明。 基材通常需滿足關於光學透明度、平坦度及最小雙折射的 嚴格規格。典型.上，顯示器應用須要85%之在400_8〇〇奈米 的總透光（T LT)結合低於〇 · 7 %之霧度。需要表面平滑度及平 坦度以確保後續塗佈塗層諸如電極導電性塗層的完整性。 84460 1314575 基材亦應具有良好的障辟性當 . f貝，即對氣體及溶劑滲透的高 衹抗力。使用於電子顯 ^ ^ 务f卑' 、心用又基材適當地展現低於1 〇-6 見/干万未/天之水蒗齑值 之氣值、、、“及低於10〇/毫升/平方米/天 ^ M ?者如撓性、耐衝擊性、硬度及 耐刮傷性，亦係重要的考量。 又及 先前已將光學品質的玻璃 奂於電子顯示器應用十使 斤·Μ下為基材。此等材料 、 Τ町行了滿足先學及平坦度需求，且具 艮的耐‘為及耐化學劑性及障壁性皙蚨 人丨早土性貝。然而，此等材料 :具有一些期望的機械性質’最值得注意的為低密度、撓 性及耐衝擊性。 /改良機械性質’已有人提議將塑膠材料作為玻璃或石 片才^ θ代w。塑膠基材具有較大的撓性及改良的耐衝 擊性’且其重量較相等厚度的破璃或石英片材輕。此外， U生塑膠基材將可於捲軸對捲師“Η。·“el)方法中將電 子裝置，例如使用以上所指稱之共軛聚合物’印刷於基材 上’而可降低成本’且可製造曲面裝置。然而，使用聚合 材料的缺點為其之較低的耐化學劑性及不良的障壁性質。 然而，已發展出各種障壁塗層以減小此問題。此等塗層典 型上係在南溫下以濺鍍方法塗佈。障壁層可為有機或無機 ，其應對沈積於其上之層展現良好親和力，且可形成平滑 表面。適合使用於形成障壁層之材料揭示於，例如， US-6，198,217中。為確保障壁層之完整性及防止其中之「針 孔（pin-pricks)」’聚合基材之表面必需展現良好的平滑度。 現可製造包括具有較大撓性及改良耐衝擊性，且其重量 84460 1314575 較相等厚度之玻璃或石英片材輕之經塗佈障壁之聚合材料 的電子顯示裝置。然而，一些聚合基材當在顯示裝置之製 造中接受到加工條件，尤其係高溫時，會經歷不可接受的 尺寸扭曲，諸如捲曲。希望提供在用於沈積障壁層之高溫 技術（諸如濺鍍）中展現良好高溫尺寸穩定性的聚合基材。本 申請人之共同申請中之國際專利申請案PCT/GB2002/04U2 中揭示一此種類的聚合基材。 此外，聚合基材之表面平滑度通常較習知之玻璃基材差 。如前所指，表面平滑度對於確保後續塗佈之障壁及導電 性塗層之完整性，及避免針孔而言重要。 本發明之一目的為提供一種克服至少一前述問題之塗佈 聚合薄膜基材。尤其，本發明之一目的為提供一種具有改 良表面平滑度之塗佈聚合薄膜基材，尤其其中該基材適合 在包含共軛導電性聚合物之電子或光電子學裝置，包括EL 裝置（尤其係OLED)、光電伏打電池及半導體裝置（大致諸如 有機場效電晶體、薄膜電晶體及積體電路）之製造中使用作 為基材，尤其係撓性基材。本發明之再一目的為提供一種 具有改良表面平滑度、良好高溫尺寸穩定性及高光學透明 度之聚合薄膜。 此處所使用之包含共軛導電性聚合物之裝置係指EL裝置 (尤其係OLED)、光電伏打電池及半導體裝置（大致諸如有機 場效電晶體、薄膜電晶體及積體電路）較佳。此處所使用之 包含共輛導電性聚合物之光電子學裝置係指EL裝置（尤其 係OLED)及光電伏打電池較佳，及尤其係EL裝置（尤其係 84460 -10- 1314575 〇led)。此處所使用之術語「包含共轭導電性聚合物之電子 裝置」不包括光電子學裝置，且係指半導體裝置，大致諸 如有機場效電晶體、薄膜電晶體及積體電路較隹，及尤其 係有機場效電晶體。 根據本發明’提供包括下列成份之組合物的用途： U)自約5至約50重量百分比之固體，此固體包含自約1〇至 ”’勺70重量百分比之矽石及自約至約3〇重量百分比之通式 RSi(OH)3之邵分聚合有機石夕燒醇’其中尺係選自甲基及至多 约40 /〇之選自由乙缔基、苯基、縮水甘油氧丙基、及丫_甲 基丙晞氧丙基所組成之群之基團，及 (b)自約9 5至約5 0重量百分比之溶劑，此溶劑包含自約1 〇 至約90重量百分比之水及自約9〇至約1〇重量百分比之低碳 脂族醇， 其中此塗佈組合物具有自約3.0至約8.0之PH，以自約3.0 至約6.5較佳，以改良當塗佈時之聚合基材的表面平滑度，. 尤其其中該用途係在於製造包括該聚合基材之包含共軛導 電性聚合物之電子或光電子學裝置，及尤其其中該裝置係 為電發光顯示裝置，尤其係OLED裝置。 塗佈組合物之pH係低於6.2較佳，約6 .〇以下更佳。塗佈組 合物之pH係至少3 · 5較佳’至少4.0更佳。在一具體實施例中 ，塗佈組合物之pH係在自約4.0至約5.0之範圍内，以自约4.1 至約4.8較佳’自.約4.3至約4_5更佳。塗佈溶液之pH可根據 熟悉技藝人士熟知之技術作調整，包括加入酸性或鹼性溶 液。舉例來說’用於調整pH之適當的酸包括鹽酸及醋酸， 84460 11 1314575 及通當的鹼包括氫氧化鉤。 (、体組合物之石夕石成份可例如，經 解生成聚兮酸而製得。水解可使用習知之= 力入月曰族酉手及酸。或者，使用於本塗佈组人物例如 可為膠態發石。輸石-般應具有約自5-25;米之：兮石 小’及以約自7-15奈米較佳。可使用於本發明：典型的粒士 :石包括可於市面購得的「Lud〇x SM」、「Ud〇x二：: Lud〇XLS」分散液（Grace Davison)。 有機石夕境醇成份具有通式RSi(0H)3。至少約6〇%之R基圏 ，及以約自80%至100%之此等基團較佳，為f基。至多约 4〇/〇之R基團可為選自乙烯基、苯基”·縮水甘油氧丙基、 及γ-甲基丙烯氧丙基之高碳烷基或芳基。 塗佈組合物之結合固體，包括矽石及部分聚合有機矽烷 醇，組成全體塗佈組合物之約自5至5 0重量百分比。在此等 固體之中’矽石應包含約自1〇至7〇重量百分比，及以約自 20至60重量百分比較佳，其餘包含有機矽氧燒醇。此處之 有機矽氧烷醇之重量百分比經計算為RSi〇i 5。 塗佈組合物之溶劑成份一般包含水及一或多種低碳脂族 醇之混合物。水一般包含溶劑之約自1 〇至9〇重量百分比， 而低碳脂族醇則包含其餘的約自90至1 0重量百分比。脂族 醇一般係具1至4個碳原子之脂族醇，諸如曱醇、乙醇、正 丙醇、異丙醇、正丁醇、第二丁醇及第三丁醇。 除了水及醇之基本溶劑成份外，組合物之溶劑部分可更 包含至多約1 〇重量百分比之相容極性溶劑諸如丙酬、乙一 84460 -12- 1314575 醇單乙醚、乙二醇單丁醚及二乙二醇單乙醚。 可存在於塗佈組合物中之再進一步的成份包括固化催化 劑。其係以組合物之總重量計約自%至〇1%之濃度存在 車X佳，及約自0.01至〇 3重量百分比特佳。可使用於塗佈組 «物中I固化催化劑可有寬廣的變化。代表性的催化劑包 括長酸之鹼金屬鹽諸如醋酸鈉、醋酸鉀、甲酸鈉、及甲酸 4甲。其他可使用之代表性的固化催化劑包括羧酸第四銨鹽 ’諸如苄基三甲基醋酸銨。 八他適田的塗佈组合物揭示於及 、知v、之揭示内谷以引用的方式併入本文中。揭示於其中 <组合物具有減低的鹼金屬陽離子含量（鹼金屬係使用於使 碎石水溶膠穩定），且尤其展現對聚合基材的改良黏著力。 组合物可視所使用之特殊原料，而利用各種技術製備得 。舉例來說’有機三垸氧錢可在預水解㈣酸之存在下 水解·。或者’可將有機三燒氧石夕垸預水解，然後再加至聚 酸之心液，其通常導致特別快速的固化時間。製備此等 物《又另—選擇係將有機三烷氧矽烷及原矽酸四乙酯 共同水解。 2將膠態石夕石使用作為塗保組合物中之石夕石來源，目Η ::機二燒氧嫩預水解作用或經由在酸化膠態碎石 在下將有機三垸氧㈣水解，而將有機 i法:二製備及將組合物所需之成份結合之又其他的 去將係热悉個別成份之操作的人士所顯而易知。 ：口物可使用宫知 < 塗体技術塗体，其包括連續以 84460 -13- 1314575

染’因此塗佈係於無塵環境中離線進行較佳。 及蘸塗程序 “- ，以自約2至1〇微米較佳 組合物可「離線」塗佈作 或「線上」塗佈作為薄膜 膜之表面平滑度，希望避 塗佈組合物於塗佈至基材之後，可在自約2〇至約2〇〇乞， 以自約20至約150。(：較佳之溫度下固化。雖然2〇t之環境溫 度需要數天之固化時間，但15〇t之高溫將可於數秒内將塗 層固化。 在一較佳具體實施例中，基材為聚酯薄膜，諸如聚（對苯 —曱酸乙二酯）（PET)或聚（萘二甲酸乙二酯）（pen)，pen為較 佳。在一特佳具體實施例中，基材係說明於國際專利申請 案PCT/GB 2 002/04 1 12中之基材，將其中關於此種基材之揭 示内容以引用的方式併入本文中。因此，&材為包含聚（萘 二甲酸乙二酯）的熱安定、熱定形取向薄膜較佳。該基材具 有低於40xl0_6/°C之在自-40°C至+100°C之溫度範圍内的線 性熱膨脹係數（CLTE)較佳，低於30χ10·6/°(3較佳，低於 25xl(T6/°C更佳，低於20xl0 — 0/°C更佳。該基材具有低於1〇/0 之如文中之定義所測量之在23 0 °C下30分鐘的收縮率較佳 ’低於0.75°/。較佳，低於0.5%較佳，低於0.25%較佳，及低 於0_1%更佳。該基材具有低於原始尺寸之0.75%之於將薄膜 自8°C加熱至200°C然後再冷卻至8°C之前後在25°C下測得 的殘留尺寸變化Δ。較佳，低於0.5%較佳，低於0.25°/。較佳 84460 -14- 1314575 ’及低於o.i %更佳。在—特佳具體實施例巾，基材係具有 前述之於在23(TC下30分鐘後之收縮率特性’及以具有前述 之殘留尺寸變化特性較佳之包含聚（萘二〒酸乙二醋）的 熱安定、#定形取向薄膜。較佳基材及其之製備更詳細說 明於下。 基材係自支承’其係指其可在不存在支承基質的情況下 獨互存在。基材之厚度係在約12及3〇〇微米之間較佳，在约 25及250微米之間更佳，在約5〇及25〇微米之間更佳。 、咖聚自旨可利用習知之方法合成得…典型的方法包括先 進行直接酯化或酯交換反應，接著再聚縮合。因此，pEN聚 酉曰可經由使2,5-、2,6-或2,7-萘二羧酸，以2,6_萘二羧酸較佳 ，或其之低碳烷基（至多6個碳原子）二元醋，與乙二醇縮合 ^製得。典型上，聚縮合包括一固相聚合階段。固相聚合 可於流體化床（例如，利用氮流體化），或使用旋轉真空乾燥 機1真空流體化床上進行。適當的固相聚合技術揭示於， 句如，EP-A-04 19400 ’將其之揭示内容以引用的方式併入 本文中。 在—具體實施例中’ PEN係使用鍺催化劑製備得，其提供 具有降低程度之污染物諸如催化劑殘留物、不期望之無機 此積物及其他聚合物製造之副產物的聚合材料。「較乾淨的 」聚合组合物可促進改良的光學透明度及表面平滑度。 、用於製備基材之適當的PEN具有〇·5-1.5之PET-相當固有 黏度（iv ;如文中之說明測量），以〇.7_15較佳，及尤其係 ·79-1·〇。低於0.5之IV產生缺乏期望性質諸如機械性質之聚 84460 -15· 1314575 合薄膜，而大於】.5之代則難以 加工闽難。 到，且將可能導致原料的 基材之形成可利用技藝中熟 形成可根據說明於下之尸 : < 習知技術達成。基材之 而士，方.'4•勺杠 而鲤由擠塑方便地達成。一般 向口，万成包括擠塑_聚合 叙 使驟冷擠塑物於至少一方β由 <層，使擠塑物驟冷，及 y万向中取向之步驟。 基材可為單軸取向，但為锻 藏φ p 4 m 又 取向較佳。取向可利用拮 云中已知〈用於製造取向薄膜之 技 或平ΊΒ皱B替' 了方法達成’例如管狀 歲千坦㈣万法。雙軸取向 相垂直的古南由吝# 由在淖膜又平面中在兩互 :的万向中牽伸，以獲致機械及 的組合而達成。 男 < '人，雨思 在管狀方法中，可經由擠塑熱 ，再埶，蚨铵丨田如·々 性水§日$，接耆將其驟冷 …、T後再利用内邵氣體壓力膨脹以引發橫向取向，及 在可引發縱向取向之速率下引出 Γ W出而達成同時雙軸取向。 在較佳的平坦薄膜方法中，將 刑p 土 〉成永醋擠塑通過缝- J換頭並於驟冷平擠鼓輪上快速 s 逑驟冷，以確保聚酯經驟冷 :非阳形狀態。然後經由將驟冷擠塑物在高於聚酿之玻璃 轉移溫度之溫度下在至少-方向中拉伸，而達成取向。可 經由將平坦的驟冷擠塑物先於-方向，通常係於縱向（即通 過淳膜拉伸機器之前向）中，然後再在橫向中拉伸，而達成 連續取向。擠塑物之前向拉伸係於—組旋轉車昆或在兩對夾 輥之間方便地達成，然後再於張布架裝置中達成橫向拉伸 。或者，可經由同時拉伸而於擠塑薄膜中產生取向。在此 ，薄膜係在張布架烘箱中在基本上相同的方法階段中於縱 84460 -16· 1314575 内及檢向中拉伸。對於連蜱 户刼\ 5及同時拉伸之兩途徑，拉伸程 度#分係由聚酯之性質所決 成彳t % Θ i fT、 疋。然而，薄膜通常係經拉伸 ^ ^伸方向中係其之原始尺寸的2 土 5倍，以2.5至4·5倍更佳。 ” 土上，拉伸係在 70 至 150t 範 句門疋/皿度下進行，血刑μ β， 向中 ，、土上係70至14(TC。如僅需要在一方 π干 < 取向’則可使用輕士 希妙制 1史用1乂大的牽伸比（例如’至多約8倍）。 希王I得具有平衡性質之薄 ^ , Ώ ^ ^ 辟膜1其例如可經由控制在機器 万向及検向中之拉伸條件而達成。 拉伸薄膜經由在高於窀 、 w库、、θ . 、永酉曰 < 破璃轉移溫度但低於其熔融 度之溫度下在尺寸限制Τ九- 你口；… 制下熱定形’以引發聚酯之結晶而

使尺寸穩定，如說明於GB 比士 Α_838708。尺寸限制之張力一般 係在約19至約75公斤/米薄膜貧户 峙腰見度疋軏圍内，以约45至約5〇 公斤/米薄膜寬度較佳，其對宽 打見度、.々2.6未乏薄膜，係在約5〇 :約i 90公斤之範圍内，以在12〇_13。公斤之範園内較佳的張 力。實際的熱定形溫度及時間將視薄膜之组合物而異，但- 應將其選擇成不會使薄膜之抗撕裂性質實質上地退化。在 此等限制内，一般須要約135。至25〇七之熱定形溫度， 235-240t更佳。加熱期間將視所採用之溫度而定，但其典 型上係在5至40秒之範圍内，以8至3〇秒較佳。 然後經由將薄膜在高於聚®旨之玻璃轉移溫度但低於其溶 點之溫度下在低張力（即利用可能之最小的尺寸限制）下加 熱，以使薄膜中之大部分的固有收縮率發生（鬆出 out))，因而產生具非常低之殘留收縮率及因此具高尺寸穩 定性之薄膜’而使其進—步地熱穩定。薄膜在此熱穩定 84460 •17- 1314575 ::中所接受到的張力典型上係低於5公斤/米薄膜寬度，以 户、；〜斤/米薄膜寬度較佳，在自1至約2.5公斤/米薄膜寬 圍内更佳，及典型上係杜…公斤/米薄膜寬度之 :固内：纟熱穩定化步驟中並沒有薄膜之橫向尺寸的增加 j 2用於熱穩定化步驟之溫度可視最終薄膜之性質的期望 組=而異，較高的溫度為較佳，即較低的殘留收縮率性質 :一般須要13TC至25〇t之溫度，以19〇至25〇。(：較佳，2〇〇 至23〇t更佳，及至少215。〇更佳，典型上係215至23〇。〔。 …功間將視所採用之溫度而定，但其典型上係在1 〇至⑽ 秒之範圍内，以20至30秒之期間為較佳。此熱穩定化方法 可利用各種方法進行，包括平坦及垂直形態及作為個別方 法步驟之「離線」或作為薄膜製造方法之連續的「線上」。 在一具體實施例中，熱穩定化係「離線」進行。 基材可包括一或多個個別層。各別層之組合物可相同或 不同。比方說’基材可包括一、二、三、四或五或更多層_ ’且典型的多層結構可為AB、ABA、ABC、ΑβΑΒ、ΑβΑβΑ 或ABCB Α類型。基材僅包括一層較佳。當基材包括多於一 層時，基材之製備係根據技藝中熟知之習知技術經由共擠 塑、層合或流延而方便地達成。 基材可方便地包含慣例上使用於製造聚合薄膜之任何添 加劑。因此，可適當地加入諸如交聯劑、染料、顏料、成 洞劑（voiding agent)、潤滑劑、抗氧化劑、自由基清除劑、 UV吸收劑、熱安定劑、阻燃劑、防黏連劑、表面活性劑、 滑爽助劍、光學增白劑、光澤度改進劑、預降解劑 84460 -18- 1314575 (prodegradent)、黏度改進劑及分散安定劑之試劑。基材之 成份可以習知之方式混合在一起。 在一較佳具體實施例中，說明於此之薄膜為光學透明，其 以具有<3.5%之根據標準八3丁河0 1 003測得之散射可見光％( 霧度）較佳，<2%較佳，<丨，5%更佳，刍1%更佳，及尤其係低 於0.7%。在一具體實施例中，霧度係在〇.6至之範圍内。 根據標準ASTM D 1〇〇3測得之在400-800奈米之範圍内之總 透光（TLT)係至少75%較佳，至少80%較佳，及至少85%更佳 。在此具體實施例中，填料典型上僅以小量存在，其—般不 起過疋層之〇. 5 %，及以低於〇 · 2重量百分比較佳。 在另一具體實施例中，基材為不透明及高度填充，其以 展現在自0.1至2.0之範圍内之透射光學密度（T〇D)(櫻花光 學在度计（Sakura Densitometer) ; PDA 65型；透射模式）較佳 ，〇.2至更佳，0.25至1.25更佳，0.35至0.75更佳，及尤其 係0.45至0.65。可經由將有效量之遮光劑加入至聚合物摻混 中而方便地使薄膜成為不透明。適當的遮光劑包括不 相容的樹脂填料、顆粒無機填料或二或多種此種填料之混 合物。較佳的顆粒無機填料包括二氧化鈦及矽石。適當的 不相客樹脂包括聚醯胺及晞烴聚合物，尤其係於其分子中 包含至多6個碳原子之單_ “ _烯烴之均聚物或共聚物。以層 聚合：之重量計’存在於-定層中之填料之量係在自1%至 3〇重量％之範圍内較佳，3%至2G%更佳，尤其係4%至15%， 及尤其係5%至10%。 在塗佈基材之前，可能須要將基材前處理，以促進塗層 84460 -19- 1314575 之點著。可使用各種孰夹枯敲人士 ，二 ’ '"技备人士所知曉的黏著促進技術 ，諸如火焰處理、電暈放電、及/或樹脂塗佈。 在-較佳具體實施例中，將基材塗怖底漆層，以改良兵 材斜平面化塗佈組合物之黏著。底漆層可為技藝中已知: t何通當的黏著促進聚合組合物’包括聚酯及丙埽酸系樹 脂。辰漆組合物亦可為聚醋樹脂與丙缔酸系樹脂之混合物 丙缔敎系樹脂可視需要包含pf „坐嚇基及聚環氧燒鍵。底床 组合物之聚合物係水可溶解或水可分散較佳。 -々、 聚酉旨底漆成份包括由以τ之二㈣及二元醇所 份。適當的二元酸包括對苯二甲酸、間苯二甲酸、 酸、苯二曱酸酐、2,6_萘二 復敗 ί，4-J衣己燒二幾酸、己二 酸、癸二酸、偏苯三甲醢、笑 — τ馱奉四子酸、二聚物酸、及磺酸 基間苯二甲酸5-鈉。使用二或多種_ ,,^ 夕禋—灰鉍成份《共聚酯為較 佳。聚酯視需要可包本少暑沾 ,A 的不飽和二元酸成份諸如順丁 知一紅或依康酸或少量的草 ' 〇幺奴酞成份諸如對羥苯甲酸。適- 當的一元醇包括乙二醇' 1 4 -丁 _ ，丁·-醇 '二乙二醇、二丙二醇 、1,6-己二醇、1,4-環己烷二甲 _ — .. 取/ A_ 哔一甲冬二醇、二羥甲基 丙烷、聚（氧化乙缔）二元醇、 、 叶久表（虱化四亞甲基）二元醇。

Ifc酉旨之玻璃轉移點係4 〇至1 〇 〇A L敉佳，60至80。(：更佳。適當 的聚酯包括PET或Pen與相當少θ 、 田 „ 、 一或多種其他二幾酸 共早fa ’尤其係芳族二元酸母a _ , -啫如間苯二甲酸及磺酸基間笨 二曱酸鈉，及視需要之相當少 一 1艾除乙二醇外之一或多種 一兀醉，諸如二乙二醇之共聚酯。

在一具體實施例中，廣洗Μ A -”L含丙烯酸酯或甲基丙烯酸 84460 -20· 1314575 酯聚合物樹脂。丙烯酸系樹脂可包含一或多種其他共單體 。適當的共單體包括丙烯酸烷酯、〒基丙晞酸烷酯（其中烷 基為甲基'乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第 二丁基、2-乙基己基、環己基等等較佳）；含羥基單體諸如 丙烯酸2-羥乙酯、甲基丙埽酸2_羥乙酯、丙晞酸2_羥丙酯、 及甲基丙烯酸2-羥丙酯；含環氧基單體諸如丙烯酸縮水甘油 酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、及烯丙基縮水甘油基醚；含 羧基或其鹽之單體，諸如丙晞酸、甲基丙烯酸、依康酸、 順丁烯二酸、反丁埽二酸、巴豆酸、苯乙烯磺酸及其鹽（鈉 鹽、鉀鹽、銨鹽、第四胺鹽等等广含醯胺基單體諸如丙烯 醯胺、曱基丙烯醯胺、N_烷基丙烯醯胺、N_烷基甲基丙締 醯胺、N，N-二烷基丙烯醯胺、N，N_二烷基甲基丙烯酸酯（其 中烷基係選自以上所說明者較佳）、N_烷氧基丙晞醯胺、ν· 烷氧基甲基丙烯醯胺、Ν，Ν_二烷氧基丙烯醯胺、Ν，Ν-二烷 氧基甲基丙烯醯胺（烷氧基係甲氧基、乙氧基' 丁氧基、異 丁氧基等等較佳）、丙晞醯基嗎啉、Ν_羥甲基丙埽醯胺、ν_ 羥曱基甲基丙烯醞胺、Ν_苯基丙晞醯胺、及Ν_苯曱基丙晞 醯胺；酸酐諸如順丁烯二酸酐及依康酸酐；異氰酸乙埽酯 、異氰酸烯丙醋、苯乙烯…甲基苯乙烯、乙缔基甲心 乙烯基乙基醚、乙烯基三烷氧矽烷、順丁埽二酸單烷酯 、反丁烯二酸單烷酯、依康酸單烷酯、丙烯腈、曱基丙烯 腈、偏一氯乙埽、乙埽、丙烯、氯乙缔、乙酸乙缔醋、及 丁二烯。在一較佳具體實施例中，使丙晞酸系樹脂與包含 口寻唑啉基及聚環氧烷鏈之一或多種單體共聚合。 84460 21 1314575 含吟唑啉基之單體包括2-乙烯基-2-時唑啉、2-乙缔基_4-曱基-2-Pf唑啉、2-乙烯基_5,甲基_2_吟唑啉、2_異丙晞基_2_ 口寻唑啉、2-異丙烯基-4-甲基-2-琦唑啉、及2-異丙烯基_5_甲 基-2-砖唑啉。可使用一或多種共單體。2_異丙烯基_2_垮唑啉 為較佳。 含聚環氧烷鏈之單體包括經由將聚環氧烷加至丙缔酸或 甲基丙烯酸之酯部分而製得之單體^聚環氧烷鏈包括聚氧 化亞甲基、聚氧化乙烯、聚氧化丙烯、及聚氧化丁埽。聚 環氧燒鏈之重複單元為3至1 〇〇較佳。 當底漆組合物包含聚酯及丙缔酸系成份之混合物，尤其 係包含岬唑啉基及聚環氧烷鏈之丙烯酸系樹脂時，聚酯之含 量為5至95重量％較佳，50至9〇重量％較佳，及丙缔酸系樹 脂之含量為5至9 0重量％，以丨〇至5 〇重量％較佳。 其他適當的丙烯酸系樹脂包括： (〇(a)35至40莫耳％之丙烯酸烷酯，之〒美丙 埽酸燒酉旨，⑷1〇至15莫耳％之含自由減之共單體諸如㈣ 酸，及（句15至20莫耳％之芳族磺酸及/或其鹽諸如對苯乙烯 &酸之共聚物，其之_例子係如揭示於£?_八_〇429179中之 ^含37.5/37·5/Η)/15莫耳％比之丙埽酸乙特基丙缔酸甲 私/依康酸/對苯乙烯磺酸及/或其鹽之共聚物，將其之揭示 容以引用的方式併入本文中；及 ’、 如 酯 (U)丙婦酸系及/或Τ基丙缔酸系聚合樹脂，其之_ 揭示於EP一197中之包含約35至6〇莫耳％丙埽酸乙 、约30至55旲耳％甲基丙埽酸甲酿及約2至2()莫耳％甲基 ^4460 -22- 1314575 丙’希醯胺之聚合物，將其之揭示内容以引用的方式併入本 文中。 底漆或黏著層亦可包含改良對基材之黏著，且亦應可内 父聯的交聯劑。適當的交聯劑包括三聚氰胺與甲醛之視 品要’'二心氧化的縮合產物。底漆或黏著層亦可包含交聯催 化劑，諸如硫酸銨，以促進交聯劑之交聯。其他適當的交 耳外制及催化劑揭示於Ep-A-0429179，將其之揭示内容以引 用的方式併入本文中。 展漆塗料亦可包含少量之一或多種類型的填料顆粒，以 幫助薄膜的操作，尤其係其中於離線塗佈平面化塗佈组合 物時。在—具體實施例中，填料可包括矽石及/或矽石與鈦 氧之複合無機顆粒。微細顆粒之平均顆粒直徑係自40至1 20 τ米較佳。底漆塗料不應對此處說明之基材的光學品質不 利。 、尾漆層視需要可包含脂族蠟，以改良薄膜表面之操作及_ π爽性質。為得到改良，脂族蠟之含量係至少0.5重量。/〇較 佳及〇.5至30%較佳，1至1〇重量。/。更佳。並不希望含量超 k ° 〇重量％ ’由於如此底漆層對聚酯薄膜基材及後續塗佈層 之站著會劣化。適當的脂族蠟包括植物蠟諸如巴西棕櫚蠟 μ堪地里拉蠟、米蠟、木蠟、荷荷芭油、棕搁蠟、松香改 貝蠟、小冠椰子蠟、甘蔗蠟、西班牙草蠟、及樹皮蠟；動 物蠟堵如蜂蠟 '羊毛脂、黥蠟、蟲蠟、及蟲膠蠟；礦物蠟 諸如褐煤蠟、礦蠟、及地蠟；石油蠟諸如石蠟、微晶蠟； 及石蠟脂，及合成烴蠟諸如費雪_闕布希（Fischer Tr〇psch) 8446〇 -23- 1314575 蟻、聚乙烯虫鼠、 ^ 堪。巴而1、4 乙缔壞、聚丙烯磁、及聚氧化丙埽 嘴巴西棕櫚蠟、石 物使用較佳 队 永乙缔犧為較佳。將環以水分散 底漆塗料亦可勺人 us . ,,, g含技蟄中所知曉之抗靜電劑及/或濕潤劑。 u、3,443,95〇中捤-兩、， 引用的方式併入本文:一更通當的底漆，將其之揭示内容以 ::層，塗佈於基材上可於線上或離線進行，但以「線 杜丁車乂佳及以在雙軸拉伸操作之前向及側向拉伸之 間較佳。 旦 將塗体組合物塗佈於基材上，則塗佈基材可隨時準 備作進一步加工及塗佈’以準備作其之最終用途。在此處 所=明之電子及光電子學裝置之製造中，接著將薄膜塗怖 如前所指之障壁層。此種塗層係技藝中所知曉，且其典型 上係在高溫下於濺鍍方法中塗佈。適合使用於形成障壁層 之材料揭示於，例如，US-6，198,217中◦可由，例如，可光 固化單體或寡聚物或熱塑性樹脂，形成有機障壁層。可光 固化單體或寡聚物應具有低揮發性及高溶點。此種單體之 例子包括三邊甲基丙晞酸醋諸如三羥甲基丙烷三丙烯酸酯 、一-二喪f基丙燒四丙婦酸酯等等；長鏈丙缔酸酯諸如1，6 _ 己二醇二丙晞酉旨、1，6 -己一醇一〒基丙缔酸醋等等；及環 己基丙細'酸·目旨諸如丙缔酸一彡衣戊缔氧乙§旨、丙缔酸二環戊 婦氧酯、甲基丙埽酸環己酯等等。此種寡聚物之例子包括 丙烯酸酯寡聚物、環氧基丙晞酸酯寡聚物、胺基甲酸醋丙 烯酸酯寡聚物、醚丙蟒酸酯寡聚物等等。可使用光引發劑 84460 -24- 1314575 '者如女心香醚、二笨基酮 乙酮 脂固化。谪去為ία 』寺寺’於使樹 u i、、、土性樹脂之例子包括聚乙烯、 …旨、聚對苯二甲酸乙二醋等等。此等有機材：基丙¥ 技蔹中p知> k 機材料可利用

機；” r山可“技術塗佈’諸如利用真空沈積。I :層應由展現低涯氣渗透性且對濕氣穩定的材料製成 ”歹'J子包括乳化物諸如Si〇2、si〇、Ge〇、μ $ 化物諸如TiN、Si N荽一 寺寺’亂 .一 3 4寺寺，及金屬諸如A1、Ag、Au、pt、 Α等等。無機材料可使用蒸氣相技 等菩太护、、佳故从 ’、二，尤積、濺鍍 ❹ 牛下塗佈。障壁層的本身可包括-或多個個 ㈢’且可包括一或多個有機層及-或多個無機層。 在-較佳具體實施例中，障壁層係使光電子學裝置中之 基材之水蒸氣傳送速率降至低於…克/平方米/天，及使氧 傳运速率降至低於的毫升/平方米/天之層。在另—具#承 施例中：障壁層係使電子裝置中之基材之水蒸氣傳送二 降至低於102克/平方米/天（以低於10.6克/平方米/天較佳）， 及使氧傳送速率降至低於1G.3/毫升/平方米/天（以低於 毫升/平方米/天較佳）之層。 〃-旦障壁層經沈積’則可根據技藝中已知之習知製造技 術宝佈佼續層’包括電極及導電性共軛聚合物。電極可為 技藝中已知之任何適當電極’例如選自先前說明於文中之 電極。在一具體實施例中，電極為導電性金屬氧化物，以 姻錫氧化物較佳β 在又中一般提及之電子及光電子學裝置包括一（或多）層 導電性共輕聚合物、二或多個電極、及—或多個基材層。 84460 -25- 1314575 装僉月〈具體貫施例中’術語電發光顯示裝置，尤 1、機發光顯示器(0LED)裝置，係指包括設置於各包含 二層之間之-層光發射導電性共輛聚合材料的顯示 將所得之複合結構設置於兩基則或支承物或覆 括之一具體實施例，，術語光電伏打電池係指包 料mr極之兩層之間之—層導電性共輛聚合材 村的裝置’其中將所得之複 或覆蓋)層之間。“〜構-置於兩基材(或支承物 在本心明之-具體實施例巾，術★五泰曰触扣 聚合物、閘電極、源電極及罐、及-&夕個基材層之裝置。 根據本發明之再'態樣 定、埶令V AA V 裡巴括一基材，以熱安 其中二基材較佳，及一塗層之複合薄膜， Τ π 土層係仵自說明於文 佈基材之表面展現低於0.7夺米 2物，及其中該塗- 低於。.6奈米較佳，低於。5;=又中所測量之㈣，以 於。.3奈米較佳，及理相==，低於°.4奈米較佳’低 奈米較佳，低於。.：==;r較佳，低於。·" 奈米較佳，〇·45奈米 ⑯於G.6奈米較佳，低於㈣ 上係低於。.3奈米。 Χ，低於〇.35奈米較佳，及理想 酸！據本發明之再—態樣，提供-種包括-包 紅乙二酯）之熱安定、散 G σ Sc U、一甲 …疋形的取向基材，及—塗層之複合 84460 • 26 - 1314575 薄膜；其中該基材具有（i)前述之線性熱膨脹係數（CLTE)特 性’及/或（丨丨）前述之收縮率特性，及/或（iii)前述之殘留尺寸 變化ALr特性之一或多者較佳；及其中該塗層足以改良該基 材之表面平滑度’以致Ra值及/或Rq值滿足說明於上之臨限 值。在本發明之此態樣的—較佳具體實施例中，塗層包括 衍生自包括下列成份之塗佈组合物的聚矽氧烷： (a) 約自5至50重量百分比之固體，此固體包含約自1〇至7〇 重量百分比之矽石及約自9〇至30重量百分比之通式 RSi(OH)3之邵分聚合有機矽烷醇，其中r係選自甲基及至多 約40%之選自由乙烯基、苯基、7_縮水甘油氧丙基、及γ_甲 基丙晞氧丙基所組成之群之基團，及 (b) 約自95至5 0重量百分比之溶劑，此溶劑包含約自1〇至 90重量百分比之水及約自90至1〇重量百分比之低碳脂族醇 ，其中此塗佈組合物具有約自3.0至8.0之pH。 在一具體實施例中，該塗佈基材包括該基材層，及在其 之兩表面上之該塗層。此類型之對稱薄膜尤其有用於提供 使在後續加工中之薄膜捲曲減至最小或將之避免的尺寸穩 定薄膜。 在一具體實施例中，該塗佈基材係可利用說明於下之方 法製得之基材》 根據本發明之再一態樣，提供一種包括如文中所說明之 基材層及在其之一表面上之如 在塗層之一表面上之如文中所 包括在障壁層之至少部分表面 文中所說明之平面化塗層及 說明之障壁層，及視需要更 上之電極層，及視需要更包 84460 -27· 1314575 〜均八軛導電性聚合物的複合薄膜。在一具體實施例中 灸複σ薄胺包括該基材層，及在其之兩表面上之該平面化 、曰及在？亥塗佈基材之兩表面上之障壁層。 根據本發明之再一態樣，提供一種製造 方法，其包括下列步驟： 膜心 (1)形成一包括聚（萘二甲酸乙二酯）之層； (Η)將此層在至少一方向中拉伸； 、（丨i i)在高於聚酯之玻璃轉移溫度但低於其熔融溫度之溫 度下’在約19至約75公斤/米薄膜寬度，以約45至約5〇公斤/ 米薄膜寬度較佳之範圍内的張力下在尺寸限制下熱定形； 、（^)在低張力，以低於5公斤/米薄膜寬度之張力較佳，低 :3·5公斤/米薄膜寬度之張力更佳，在1〇至2·5公斤/米薄膜 =之範圍内之張力更佳，及典型上係在15至2〇公斤/米薄 膜見度張力了 ’及在高於聚酿之玻璃轉移溫度 4低毛其之；k谷融溫度之溫度下敎轉定· 足§兄明於上之臨限值較佳。 根據本發明之再一態樣，提供一種製造包含如文中所 明之共軛導電性聚合物及基材之電子或光電子學裝置之 法’該方法包括下列步驟： (i)形成一包括聚（萘二甲酸乙二酯）之層； (i i)將此層在至少一方向中拉伸； 低於其熔融溫度之溫 ，以約45至約5〇公斤/ (i i i)在南於聚g旨之玻璃轉移溫度但 度下，在約19至約75公斤/米薄膜寬度 84460 28- 1314575 米薄膜寬度較佳之範圍囟沾從丄 ㈣在低張力，以：:5=下在尺寸限制下熱定形; 於u公斤/米薄膜寬度之張\更:4:…張力較佳，低 寬度之範圍内之張力更佳=’在u至2·5公斤/米薄膜 膜貧声、贫 ’、土上係在1.5至2 _ 〇公斤/米薄 胰見度又範園内之張力 寻 但低於其之溶融溫度之：产下於聚醋之破璃轉移溫度 里及 < 概度下熱穩定化； (v)對其塗佈—平面会 .^ 0, ,. 土佈、.且ΰ物，以致Ra值及/或Rq值滿 足說明於上之臨限值較佳；及 兩 (v i)提供此經塗佈、敎藉令仆 . 置中之基材。 足’、取向薄膜作為裝 :包子或光電子學裝置之製造中之步驟可更包括在塗佈 基材〈-表面上提供一障壁層；、經由將導 障壁層之至少部分上，而提供-電極；及提供—層導= 共輛聚合物。 此處所使用之術語「平面化塗佈組合物」係指當塗佈時 使基材之表面平滑度提高之聚合塗佈組合物，其以使表面 平滑度經改良成使如此處所測量之以值係低於〇·7奈米較 佳，低於0.6奈米較佳，低於〇·5奈米較佳，低於〇4:米= 佳，低於0_3奈米較佳，及理想上係低於ο·。奈米，二以: 如此處所測量之Rq值係低於0.9奈米較佳，低於〇8奈米鲈 佳，低於0.75奈米較佳，低於〇_65奈米較佳，低於〇6奈= 較佳，低於0.5〇奈米較佳，0.45奈米以下較佳，低於^ h 奈米較佳，及理想上係低於〇·3奈米。在一較佳具體實施例 中，平面化塗佈組合物包括衍生自包括下列成份之組合^ 84460 •29- 1314575 的聚矽氧烷： (a) 約自5至50重量百分比之固體，此固體包含約自1〇至7〇 重量百分比之秒石及約自9〇至3〇重量百分比之通式 RSi(OH)3之邵分聚合有機矽烷醇，其中R係選自甲基及至多 約40%之選自由乙烯基、笨基、”縮水甘油氧丙基、及丫_甲 基丙烯氧丙基所組成之群之基團，及 (b) 約自95至50重量百分比之溶劑，此溶劑包含約自1〇至 90重置百分比之水及約自9〇至丨〇重量百分比之低碳脂族醇 ，其中此塗佈組合物具有約自3 . 〇至8 〇之pH。 根據本發明之再一態樣’提供一種平面化塗佈組合物於 包含共輛導電性聚合物且包括聚合基材之電子或光電子 學裝置之製造中，用於改良該聚合基材之表面平滑度之用 途。 可使用以下之試驗方法於測定聚合薄膜之特定性質： (I) 薄膜之透明度可經由根據ASTM D-1003-61使用 Gardner XL 2 11霧度計測量通過薄膜總厚度之總亮 度透射（TLT)及霧度（散射透射可見光之而評估。 (II) 薄膜之透射光學密度（TOD)可使用馬克白光學密度計 (Macbeth Densitometer) TR 927(Dent & Woods Ltd, Basingstoke，UK)於透射模式中測量。 (出）尺寸穩定性可以（a)線性熱膨脹係數（CLTE)或（b)溫 度循環方法評估’其中於將薄膜加熱至一定溫度及 接著使薄膜冷卻之後測量沿一定轴之長度的殘留 變化。 84460 •30- 1314575 兩種測量方法皆係使用根據溫度、位移、力、本徵 形成（eigendeformation)、基線及爐溫校準之已知程 序校準及檢查的熱機械分析儀pE-TMA_7(Perkin Elmer)進行。使用延伸分析夾檢測薄膜。延伸夹所 需之基線係使用非常低係數之膨脹試樣（石英）測得 ’及C LT E精確度及準確度（視後知描基線減去而定） 係使用CLTE值熟知之標準材料，例如，純鋁落評估 。使用大約12毫米之夾分離將選自在原始薄膜樣品 内之已知定向軸之試樣裝置於系統中，並使其在5 毫米之寬度上受到75耄牛頓之施加力。對薄膜厚度 之改變調整施加力，即確保一致的張力，且薄膜未 沿分析軸彎曲。將試樣長度對在23t之溫度下測得 之長度正規化。 在CLTE試驗方法⑷中，將試樣冷卻 ，然後再在心分鐘下自η：加熱至+赋 值（α)係由下式而得·· a =AL/(L x (T2-T,)) 其中从係在溫度範圍（1VTi)内之試樣之長度的測量 夂化及L係在23 C下《原始試樣長度。clte值據認 為在直至Tg之溫度（12(TC )下可告 卜了非。可將數據成溫度經 正規化至2 3。(：之試樣長度之缴 、 人〈夂化°/〇爻函數作圖。 在溫度循環試驗方法中 使用與万法（a)類似之程序 ’其中使溫度在8。(：及數個古旧、 固问》皿艾間循環。因此，將

薄膜樣品自8 °C加熱至14 Γ> V 、 C、160°c、180X：或 200°c 84460 -31 . 1314575 ，然後再冷钟至。在此熱處理前後在25它下測量 沿各橫向及機器方向之長度，及將長度之變化紅丁計 异為原始長度之百分比。 (iv) 固有黏度（IV) IV係使用以下程序利用熔體黏度計測量。利用連結至 j腦之轉換器測量在已知溫度及壓力下流動通過校 準模頭之預乾燥擠塑物之速率。電腦程式自經實驗剛 得疋迴歸方程式計算熔體黏度值（l〇giG黏度）及相當π 。利用電腦製作^對以分鐘為單位之時間之圖，並計 算降解速率。將圖外插至零時間得到起始1¥及相當熔 體黏度。對284°C之熔融溫度對於至高0.80之IV，及對 295 C對於IV>0.80，模孔直徑為〇 〇2〇英吋。 (v) 收縮率 經由將樣品於加熱烘箱中放置一定時間，而測量在— 定/皿度下之收縮率。％收縮率係經計算為在加熱前後 在—定方向中之薄膜尺寸的變化％。 (vi) 表面平滑度 表面平滑度係使用技藝中熟知之習知的非接觸、白光 、相移干涉儀技術測量。所使用之儀器係使用波長6〇4 奈米之光源的Wyko NT3300表面侧面儀。參照WYKO 表面側面儀技術參考手冊（WYK〇 Surface Pr〇filer Technical Reference Manual)(Veeco Process Metrology ，Arizona，US ’· 1998年ό月；將其之揭示内容以引用 的方式併入本文中）’可使用此技術測得之定性數據包 84460 -32- 1314575 括： 平均參數-糙度平均（Ra):在評估區域内及由平均表面 測得之測量高度偏差之絕對值的算術平均。 平均參數-方均根糙度（Rq):在評估區域内及由平均表 面測得之測量高度偏差之方均根平均。 極值參數-最大側面波峰高度(Rp) ··在評估區域内由平 均表面測得之最高波峰的高度。 平均極值參數_平均最大側面波峰高度（Rpm) ··在評估 區域内之10個最高波峰的算術平均值。 極f波毕高度分体：高度大於2〇。奈米之RP值之數目 分佈。 表面積私數.表面之相對平坦度的量度。 數及波學高度係根據習知之技術相對於樣品 =!…值或「平均表面」而測量。(聚合薄膜表 面可能不為完全平坦，且其通表 和的波動。单杨本工 仕一又表面上具有溫 延柚 /表面係通過波動及表面高度分離正中 i伸’將側面分離成在平均 等體積的平面〇 i万及下万具有相 表面側面分析係經由掃描在表面侧面儀儀器之「視野 區域)進行。薄膜樣品可使用 續視野以形成睁列而分Π 或經由掃描連 ⑽咖贿面側面分析係利用 包_〇χ 736像元。儀〜王卿析度’其中各视野 84460 •33- 1314575 對於Ra及Rq之測量，使用 度。所得之視野具有90微 微米之像元尺寸。 5 〇倍放大率之物鏡增進解析 米X 120微米之尺寸與〇163 對於RP及RPm之，，使用具有iq倍放大率之物梦盘 「0.5倍之倍增器祯奸 ’兄人 —視野」結合以產生5倍之總放大率，

而万便地提南視野。所得之視野具有〇9毫米XU 之尺寸與1,63微米之像元尺寸。Rp係低於料米較佳 ，低於60奈米更佳，低於5〇奈米更佳，低於4〇奈米更 佳，低於3〇奈米更佳’及低於20奈米更佳。 對於此處之R4Rq之測量，將在相同表面積部分上之 五個連續掃描的結果結合而得平均值。關於Rp而呈現 於下之數據係⑽個測量的平均值。測量錢用ι〇%之 調變臨限值(信號：雜訊比)進行，即將低於臨限值之 數據點標7F為不良數據。 亦可分析表面形態之高度大於奈米之極端波學的 存在。在此分析中，利用丨.63微米之像元尺寸在5平方 公分之總面積上進行一系列的Rp測量。結果可以將數 據點指定至預定波峰高度範圍之直方圖之形式呈現， 例如其中直方圖具有通道寬度25奈米之沿乂軸的均等 間隔通道。直方圖可以波峰數（7軸）對波峰高度^軸） <圖的形式呈現；例如參見圖b可計算如由Rp值測 得之每5平方公分面積之在3〇〇至6〇〇奈米範圍内之表 面波峰的數目，並將其指示&Ν(3〇〇_6〇〇)。使用根據 本發明之平面化塗層導致Ν(30〇_6〇〇)之降低較佳，以 84460 -34- 1314575 致降低F(其係在塗佈平面化塗層前後之n(3〇〇_副）之 係至少5，以至少15較佳’及至少3〇更佳。平面化 薄版（於塗佈後）◎(___)值係低於5〇較佳，低於 h較佳’低於20較佳，低於1〇較佳，及每5平方公分 面積低於5波峰較佳。 表面積指數係由「三維表面積…橫向表面積」計 :如下。-樣品區域之「三維（3_D)表面積」係包括波 :及波谷之總暴露的3_D表面積。「橫向表面積」係於 橫向中測得之表面積。為計算3_D表面積，使用四個 具有表面高度之像元於產生位於x、rz次元中心的 像兀。然後使用四個所得之三角形面積於產生大約的 立方體積。此四像元窗移動通過整個數據組。橫向表 面積係經由將視野中之像元數乘以各像元之χγ尺寸 而計算得。表面積指數係經由將3-D表面積除以橫向 面積而計算得，且其係表面之相對平坦度的量度。非 苇接近1之指數係描述橫向（χγ)面積非常接近總3 面積（XYZ)之非常平坦的表面。 可由正及負表面高度成參照平均表面平面之表面高 度足函數之頻率分佈而測得在此稱為「PV95」之波峰 對波谷值。PV95值係將最高及最低之2 5%數據點除去 之封住分佈曲線中之95%之波峰對波谷表面高度數據 的波峰對波谷高度差^ PV95參數提供表面高度之總波 峰對波谷分佈之具統計意義的量度。 :vii)氧傳送速率可使用ASTM D3985測量。 $4460 -35- 1314575 〇以）水蒸氣傳送迷率可使用八31^!：1249測量。 本發明由以下實施例作進一步說明。當明瞭實施例僅 係作說明用’而非要限制如前所述之本發明。可不脫 離本發明之範圍而進行細節的修改。 實施例 實施例1 使奈二甲酸二甲酯與乙二醇在標準酯交換反應中在400 ppm四水合醋酸錳催化劑之存在下反應而得萘二甲酸雙（2_ 喪乙基）S旨及其之低寡聚物。在酯交換反應結束時，加入 0.025%足磷酸安定劑，隨後再加入〇.〇4%之三氧化銻聚縮合 催化劑。進行標準批式聚縮合反應，直至聚萘二甲酸乙二 醋（在此稱為「聚酿A」）之固有黏度（IV)大約為〇5〇_〇 575為 止（真 PEN IV ; PET相當 IV 0.75-0.85)。 然後將聚合物組合物擠塑及流延於熱旋轉拋光鼓輪上。 接著將薄膜供給至前向牽伸單元，在此其於擠塑方向中在 一系列的溫度控制輥上拉伸至其原始尺寸之大約3·34倍。牽 伸溫度係大約133°C。然後使薄膜在之溫度下進入至 張布架烘箱中’在此將薄膜於側向方向中拉伸至其原始尺 寸之大、_力4_0倍。，然後利用習知之裝置在冷卻及纏繞於捲柏 上之前，將雙姉㈣膜在至高约2听之溫度下熱定形。 總薄膜厚度為125微米。 然後將熱定形.之雙軸拉伸薄膜展開，及使並通過一系列 之四個浮動烘箱，並經由施加可與控制基料輸送相容之最 小線張力而使其鬆弛。然後將經熱穩定的薄膜捲起。四個 84460 -36- 1314575 烘箱各具有三個在橫向中之控制溫度區（左、中及右）： 左 中 右 烘箱1 200 213 200 烘箱2 200 213 200 烘箱3 200 213 200 烘箱4 195 213 195 在熱穩定化步驟中之薄膜之線速度為1 5米/分鐘。薄膜 (1360毫米原始捲筒宽度）所使用之張力為24-25牛頓。 貫施例2 使萘二曱酸二甲酯與乙二醇（2.1:1二元醇：酯莫耳比）在標 準酯交換反應中在400 ppm醋酸錳催化劑之存在下反應而得 萘二甲酸雙-(2-羥乙基）酯及其之低寡聚物。在酯交換反應結 束時’加入0.025 °/〇之磷酸安定劑，隨後再加入〇.〇2〇%之二 氧化鍺聚縮合催化劑（13 3 ppm Ge金屬）。進行標準批式聚縮 合反應’直至聚萘二曱酸乙二酯（在此稱為「聚酯B」）之

有黏度（IV)大約為0.50-0.575為止（真pen IV ; PET相當IV 〇 · 7 5 - 0 · 8 5)。然後根據實施例1之程序製造薄膜。 實施例3 將實施例2之薄膜在薄膜製造中在前向及側向拉伸之間 塗布包含下列成份之第一塗佈組合物： ⑴丙晞酸乙酯（EA ; 48莫耳％)、甲基丙婦酸甲酯（mma ; 48莫耳％)及甲基丙綿醞胺（μα ; 4莫耳。/〇)之共聚物之1 8%固 月&水性分散液（仔自AC20 1⑰，R〇hm and Haas) ; 1 8公升 (u)SYNPERONIC NP10 ®(Uniqema ;壬基酚乙氧化表面活 84460 -37· 1314575 性劑）；100毫升 (111)20%硝酸銨（20%水溶液）；3〇〇毫升 (iv)蒸館水；8 1公升。 底漆塗料之乾厚度為30奈米。 然後將薄膜離線塗佈如下製得之第二塗佈組合物： (1)在室溫下將517立方公分之甲基三甲氧矽烷（購自〇si Specialities)加至1034立方公分之去礦質水，並攪拌以小時。 (π)在室溫下將54立方公分之3_縮水甘油氧丙基三甲氧矽 k (購自Aldrich Chemical Comp any)加至108立方公分之去 礦質水，並授拌24小時。 (iii)將53立方公分之1〇%醋酸水溶液（Aldrich Chemical Company)加至700立方公分之Lud〇x LS膠態矽石（12奈米）。 於其中加入162立方公分之水解3_縮水甘油氧丙基三甲氧硬 烷/水混合物及1 55 1立方公分之水解曱基三甲氧矽烷/水混 合物。在塗佈之前將此混合物攪拌1 2小時。組合物之最終 pH為6.05。塗層之厚度為2,3±〇.2微米。 實施例4 重複貫施例3之步驟，除了塗佈第二塗佈組合物而得 4.6±0.2微米之塗層厚度。 實施例1至3之薄膜的表面糙度示於表！。 表1.表面糙度 例1 例2 例3 Ra(nm) 0.64 0.63 0.58 Rq(nm) 0.90 0.82 0.74 84460 -38· 1314575 表1中之結果顯示貫施例3得到優良的平滑度。 亦經由檢查圖1而說明平面化效果，其顯示大於2〇〇奈米 之極端表面波峰的數目。圖丨中之曲線（3)係經由在塗佈第二 塗佈組合物之别分析實施例3而得。曲線（2)係經由在塗佈第 二塗佈組合物之後分析實施例3而得。曲線（1)係經由分析實 施例4而得。圖1中之所示曲線的N(3〇〇_6〇〇)值分別為曲線3 、曲線2及曲線1之250、31及8。因此，降低F為曲線2之8及 曲線1之3 1。 會施例5 使萘二曱酸二曱酿與乙二醇在標準酯交換反應中在21〇 ppm四水合醋酸錳催化劑之存在下反應而得萘二甲酸雙_ (2 -矣乙基）及其之低寡聚物。在g旨交換反應結束時，加入 0.025重量％之磷酸安定劑，隨後再加入〇.〇36重量％之三氧 化録聚縮合催化劑。進行標準批式聚縮合反應。 將聚合物組合物擠塑及流延於熱旋轉拋光鼓輪上。接著 將薄膜供給至前向牽伸單元，在此其於擠塑方向中在一系 列的溫度控制輥上拉伸至其原始尺寸之大約3 .丨倍。牵伸溫 度係大約145°C。然後使薄膜在145°C之溫度下進入至張布 架烘箱中’在此將薄膜於側向方向中拉伸至其原始尺寸之 大約3.5倍。然後利用習知之裝置在冷卻及纏繞於捲軸上之 前’將雙軸拉伸薄膜在至高約240X：之溫度下熱定形。總薄 膜厚度為125微米。然後如實施例1之說明使薄膜熱穩定。 實施例6 依循實施例5之步驟，除了在前向及側向拉伸步驟之間將 84460 -39· 1314575 水性底漆塗佈組合物塗佈於基材上而得50奈米之塗層厚度 。底漆塗料具有以下之固體含量： ⑴67 %足共聚酯乳液（其中共聚酯之酸性成份包含μ莫尊 %之2,6-萘二羧酸、30莫耳％之間苯二甲酸及5莫耳％之旖酸 基間苯二甲酸5-鈉，及二元醇成份包含9〇莫耳％之乙二醇及 1〇莫耳。/。之二乙二醇；Tg=8(rc ;平均分子量=13,〇⑽；根據 說明於JP-A-1 1 6487/1994之實施例；！中之方法製得）； (π)20%之丙烯酸系樹脂之水性分散液（包含3〇莫耳％之甲 基丙烯酸曱酯、30莫耳％之2_異丙烯基_2_時唑啉、⑺莫耳％ 之聚氧化乙埽（11=10)甲基丙烯酸酯及3〇莫耳％之丙烯醯胺 ;Tg=50°C ;根據說明於JP_A_37 167/1988之製造實施例工至] 中之方法製得）。 & (m)3%惰性顆粒（矽石及Si〇2_Ti〇2 ;平均顆粒直徑在糾至 120奈米之範圍内） 土 (ιν)5%之巴西棕櫚蠟 0)5%之聚氧伸乙基（n=7)月桂基醚 實施例7 依循實施例6之步騾，然後將薄膜離線塗佈實施例3之^ 面化塗佈組合物。平面化塗層之厚度為2.8微米±〇.2微米。 表2.表面輕度

84460 1314575 積指數 p(標準差 1 ·000024^_1.000003 比較實施例 實施例6之表面平滑:倍表面積指數顯示實施例7之表面約較 【圖式簡單說明】 面：二表數:平面:之效果_，其顯示大於2°。奈米之板端表 係智由在 曲線⑴係經由分析實施例4而得。曲線⑺ ⑶佴_ 弟―塗佈组合物之後分析實施例3而得。曲線 “經由在塗佈第二塗佈組合物之前分析實袍例3而得。 84460 -41 -

Claims (1)

131鄕 拾、申請專利範圍： 106169號專利申請案） 請專利範圍替換本(98年4月） f押^月作漫(更j/ϋ替椅ΐΐ] --------- - ,|| „ t 1. 一種包括下列成份之塗佈組合物之用途， (a) 自約5至約50重量百分比之固體，該固體包含自約 10至約70重量百分比之矽石及自約90至約30重量百分 比之通式RSi(OH)3之部分聚合有機矽烷醇，其中R係選 自甲基及至多約40%之選自由乙稀基、苯基、γ_縮水甘 油氧丙基、及γ-甲基丙烯氧丙基所組成之群之基團，及 (b) 自約95至約50重量百分比之溶劑，該溶劑包含自約 10至約90重量百分比之水及自約9〇至約丨〇重量百分比 之低碳脂族醇， 其中該塗佈組合物具有自約3 〇至約8 〇之pH， 其係用以改良聚合基材之表面平滑度，其中該塗佈基 材之表面展現低於〇.7奈米之1^值，及/或低於〇 9奈米之 Rq值0 2.根據申請專利範圍第1項之用途，其中該塗佈組合物之 pH係在3.0至6.5之範圍内。 3 ·根據申請專利範圍第1項之用途，其中該塗佈組合物之 pH係約6.0。 4.根據申請專利範圍第丨至3項任一項之用途其中該基材 係為聚酯薄臈。 5，根據申請專利範圍第4項之用途，其中該基材係為聚（萘 二曱酸乙二酯）或聚（對苯二曱酸乙二酯）薄膜。 6.根據申睛專利範圍第4項之用途，其中該聚酯係衍生自 2,6-萘二羧酸。 84460-980408.doc 1314575 月打修(受)i替換f ~—__—___ϊ ’ 7. 根據申請專利範圍第5項之用途，其中該聚（萘二甲酸乙 二酯）具有0.5-1.5之固有黏度。 8. 根據申請專利範圍第丨至3項任一項之用途，其中該基材 係為熱安定、熱定形的取向薄膜。 9_根據申請專利範圍第丨至3項任一項之用途，其中該基材 具有低於1%之在23(TC下30分鐘之收縮率。 10. 根據申請專利範圍第丨至3項任一項之用途，其中該基材 具有低於原始尺寸之0.75%之於將薄膜自8°C加熱至 200 C然後再冷卻至8°C之前後在25°C下測得的殘留尺 寸變化AU。 11. 根據申請專利範圍第1至3項任一項之用途，其中該基材 係具有低於40χ1〇-6/°(：之在自-4〇°C至+ l〇〇°C之溫度範圍 内之線性熱膨脹係數（CLTE)之包含聚（萘二曱酸乙二酯） 薄膜之熱安定、熱定形的取向薄膜。 12·根據申請專利範圍第丨至3項任一項之用途，其中該基材 係為熱安定薄膜具有<1.5%孓散射可見光％(霧度）。 13.根據申請專利範圍第〗至3項任一項之用途，其中該基材 係為熱安定及雙軸取向薄膜。 14·根據申請專利範圍第丨至3項任一項之用途，其中該基材 係經申請專利範圍第1至3項中任一項所定義之塗佈組 合物塗佈，及其中該塗佈基材之表面展現低於〇6奈米之 Ra值，及/或低於〇 8奈来之Rq值。 1 5·根據申請專利範圍第丨至3項任一項之用途，其係用於製 造包含一共軛導電性聚合物及包括該基材之電子或光 84460-980408.doc 1314575 電子學裝置 1 6.根據申請專利範圍第 光顯示裝置。 替換I丨 1 5項之用途，其中該裝置係為電發 1 7·根據申請專利範圍第 發光顯示器（OLED)裝 15項之用途，其中該裝置係為有機 置。 18.根據申請專利範圍篇15項 伏打裝置。 之用途，其中該裝置係為光電 19. -種複合薄膜，包括一熱安定、熱定形之取向聚醋基材 及一塗層，其中該基材係經中請專利範圍第⑴項中任 -項所定義之塗佈組合物塗佈，及其中該塗層係得自根 據申請專利範圍第1至3項任一項之塗佈組合物，及其中 該經塗層塗佈t塗佈基材之表面展現低於〇 6奈米之Ra 值，及/或低於0.8奈米之Rq值。 20.根據申請專利範圍第19項之複合薄臈，其中該聚酯係為 聚（萘二甲酸乙二酿）薄膜。 21.根據申請專利範圍第19或2〇項之複合薄膜’其中該基材 展現一或多個下列特性： ⑴低於1%之在23〇t下30分鐘之收縮率；及/或 (ii)低於原始尺寸之0.75%之於將薄膜自8。(：加熱至 200°C然後再冷卻至8°C之前後在25°C下測得的殘留尺 寸變化△、；及/或 (iii) 低於40xl〇_6/°C之在自-40°C至+10(TC之溫度範圍 内之線性熱膨脹係數（CLTE);及/或 (iv) <1.5%之散射可見光％(霧度）。 84460-980408.doc 1314575 y月价]降(έ)正替換頁 22. —種複合薄膜，包括一熱安定、熱定形之取向聚（萘二甲 酸乙二酯）基材及一塗層；其中該基材展現一或多個下列 特性： (i) 低於1%之在230°C下30分鐘之收縮率；及/或 (ii) 低於原始尺寸之0.75%之於將薄膜自8°C加熱至 200°C然後再冷卻至8°C之前後在25°C下測得的殘留尺 寸變化ALr ;及/或 (iii) 低於40xl0-6厂C之在自-4CTC至+1〇〇。〇之溫度範圍 内之線性熱膨脹係數（CLTE); 及其中該基材係經申請專利範圍第1至3項中任一項 所定義之塗佈組合物塗佈，及其中該塗佈基材之表面展 現低於0.6奈米之Ra值，及/或低於0.8奈米之Rq值。 23. 根據申請專利範圍第19或22項之複合薄膜，其進一步包 括一障壁層。

天之水蒸氣傳送速率及/或低於1〇-5/毫升/平 方米/天之氧傳送速率D

下，在約19至約75公斤/米薄 下在尺寸限制下熱定形； 溫度但低於其熔融溫度之 薄膜寬度之範圍内的張力 之張力下，及在高於聚酯 (W)在低於5公斤/米薄犋寬度 84460-980408.doc 1314575 月(更)正替換 之破璃轉移溫度但低於其之熔融溫度之溫度下熱穩定 化；及 :V)對其塗佈-平面化塗佈組合物，該塗佈組合物係如 申叫專利範圍第1至3項中任一項所定義，以致該塗佈基 材之表面展現低於0.6奈#之!^值，及/或低於〇8奈米之 Rq值。 26. 一種製造包含共軛導電性聚合物及基材之電子或光電子 學裝置之方法，該方法包括下列步驟： (!)形成一包含聚（萘二甲酸乙二酯）之基材層； (^)將此層於至少一方向中拉伸； (Hi)在高於聚醋之玻璃轉移溫度但低於其熔融溫度之 溫度下’在約19至約75公斤/米薄膜寬度之範圍内的張力 下在尺寸限制下熱定形； Gv)在低於5公斤/米之張力下，及在高於聚酯之玻璃轉 移溫度但低於其之熔融溫度之溫度下熱穩定化； (v) 對其塗佈一平面化塗佈組合物該塗佈組合物係如 申請專利範圍第1至3項中任一項所定義，以致該塗佈基 材之表面展現低於〇·6奈米之Ra值，及/或低於0.8奈米之 Rq值；及 (vi) 提供此經塗佈、熱穩定化、熱定形之取向薄膜作 為裝置中之基材。 27_根據申請專利範圍第26項之方法，其進一步包括在塗佈 基材之表面上提供一障壁層。 28·根據申請專利範圍第27項之方法，其中該包括塗佈基材 84460-98G408.doc 1314575 月％錄1更:心替換fj . 及障壁層之複合薄膜展現低於1(Γ6克/平方米/天之水蒸 氣傳送速率及/或低於1〇_5/毫升/平方米/天之氧傳送速 率。 29.根據申請專利範圍第26項之方法，其中該光電子學裝置 係為光電伏打裝置。 84460-980408.doc