1311526 ⑴ 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種排液頭，用於排放液體比如墨水或 類似物；以及本發明係關於一種製造該相關排液頭的方法 【先前技術】 當一能量產生元件（排放液體元件）產生能量用於從一 排液頭所設置的一排液口排放液體時，其中運用的是使用 一電力機械轉換器的元件，比如一壓電元件或類似物；以 及使用一電熱轉換器用於加熱經過一熱產生電阻的液體之 元件。 除此之外，排放能量產生元件、用於驅動該排放能量 產生元件的電路、溫度感測器和類似物都形成在一排液基 板上。進一步地，爲在適當的時序驅動該排液元件並從該 溫度感測器讀取資訊，該排液基板會與該排液頭之外部交 換數位訊號、驅動電力、類比訊號、和類似資訊。所以， 使用包括一彈性電路基板和類似物組成的一電佈線基板做 爲以建立如此的電連接之方式。 比較明確地，一記錄元件基板的一外部連接端點和該 電佈線基板的一端點首先設定爲彼此靠近，然後使用打線 連接內引線連接（LIB)、異向性導電膜（ACF)或類似物，以 建立這些端點之間的電連接。 該排液基板與該電佈線基板之間的電連接部分是以一 -5- (2) 1311526 密封樹脂塗佈，使其受到保護避免電連接部分因爲液體的 損壞以及該導線因爲外力造成不連接，（參看日本專利申 請特許公開案號2002-〇1912〇)。典型地如圖44所示，該電 連接部分的密封部分藉由沿著電連接部分5 1 〇的導線而線 性地施加一觸變性密封劑5 1 1 a所形成，且使用該分配器 的一針狀物5 20以施加該密封劑（參看日本專利申請特許公 開案號H1 0-000776)。如圖44所示’該電連接部分510中 > 密封部分的高度是根據施加該密封劑時該針狀物52〇終點 位置所決定。因此爲避免該針狀物的端點接觸到該電連接 部分而造成損壞之危機，考慮到部分的容忍性、裝置操作 的誤差、及類似因素’該密封劑5 1 1 a是以能夠維持該針 狀物端點與該電連接部分之間某一程度的淨空狀態來施加 〇 近年來，該排液頭被要求以一高準確性的觸動來排放 液體滴。此外’尤其是一液滴的大小變小時’假如該墨水 > 滴的排放距離較長’受到的擾動比如空氣流動和類似因素 的影響之可能性變大。考慮這些的結果，已經發現到要減 少觸動位置誤差的最有效方法，是進一步地縮短該排液口 的開口表面與該墨水滴液將要觸碰至媒體之間的距離。同 時，因爲該排液頭中最靠近該媒體的部分是密封該電連接 部分的密封劑頂部’就必須壓低一排液裝置所配備的該排 液頭，因而降低該排液口的開口表面與該密封劑頂部之間 的相對高度，使得該密封劑和該媒體滿足該密封劑不會碰 到該媒體之位置關係。然而，在此情況假如該密封劑的高 -6- 1311526⑶ 度是以習知方法來壓低’就會發生該電連接部分受損和/ 或曝露在外的問題。 【發明內容】 本發明之一目的在於提供一種排液頭’其包括一電連 接部分上面一密封劑的高度是壓低的；以及提供一種排液 裝置，其中配備此相關的排液頭。 > 本發明之另一目的在於提供一種排液頭’其包括一排 放元件基板，含有用於排放液體的一排放口和一排放能量 產生元件；一電佈線基板適於輸入一電訊號至該排放能量 產生元件；一支承機構適於支承該排放元件基板和該電佈 線基板；一電連接部分適於電連接該排放元件基板至該電 佈線基板；以及一膜狀構件沿著該電連接部分的形狀經由 該密封樹脂塗佈在該電連接部分上。 本發明之另一目的在於提供一種製造一排液頭的方法 >，其包括電連接一排放元件基板至一電佈線基板的步驟， 該排放元件基板含有用於排放液體的一排放口和一排放能 量產生元件；施加一密封樹脂至介於該排放元件基板與該 電佈線基板之間一電連接部分的步驟；黏著一膜狀構件至 施加在該電連接部分的該密封樹脂之步騾；以及加熱黏著 至膜狀構件的該密封樹脂，和融熔該加熱的密封樹脂流動 至該排放元件基板的周圍之步驟。 本發明之另一目的在於提供一種製造一排液頭的方法 其包括電連接一排放元件基板至一電佈線基板的步驟， 1311526^ (4) 該排放元件基板含有用於排放液體的一排 量產生元件；施加一密封樹脂至介於該排 電佈線基板之間的一電連接部分之步驟； 該電連接部分的密封樹脂硬化之前，藉由 以降低該密封樹脂的一突伸量之步驟。 本發明之另一目的在於提供一種排液 錄兀件基板，其上配置複數個用於排放液 | 置複數個用於產生排放能量而從該等噴嘴 元件；以及一電佈線基板，其電連接至該 其中介於該記錄元件基板與該電佈線基板 部分是以一密封樹脂塗佈，且該密封樹脂 置於該電佈線基板表面上的一覆蓋膜而形 所塗佈。 本發明之另一目的在於提供一種製造 ，該排液頭包括一記錄元件基板，其上配 > 放液體的噴嘴，和配置複數個用於產生排 噴嘴排放該液體的記錄元件；以及包括一 接至該記錄元件基板，其中介於該記錄元 線基板之間一電連接部分以一密封樹脂塗 是由該電佈線基板表面的一覆蓋膜延展所 分而塗佈，該方法包括：施加該密封樹脂 件基板與該電佈線基板之間的該電連接部 以及在該密封樹脂完全硬化之前，將該覆 塗佈該密封樹脂之第二步驟。 放口和一排放能 放元件基板與該 以及於該施加至 壓低一模製構件 頭，其包括一記 體的噴嘴，和配 排放液體的記錄 記錄元件基板， 之間的一電連接 是以藉由延展設 成的一延伸部分 一排液頭的方法 置複數個用於排 放能量而從該等 電佈線基板電連 件基板與該電佈 佈，該密封樹脂 形成的一延伸部 至介於該記錄元 分之第一步驟； 蓋膜的延伸部分 -8 - 1311526(5) 本發明之另一目的在於提供一種製造一排液頭的方法 ，該排液頭包括一記錄元件基板，其上配置複數個用於排 放液體的噴嘴，和配置複數個用於產生排放能量而從該等 噴嘴排放該液體的記錄元件；以及包括一電佈線基板電連 接至該記錄元件基板，其中介於該記錄元件基板與該電佈 線基板之間的一電連接部分以一密封樹脂塗佈，該密封樹 脂由延展該電佈線基板表面的一覆蓋膜所形成的一延伸部 分而塗佈，該方法包括：施加該密封樹脂至該覆蓋膜之第 一步驟；以及在該密封樹脂完成硬化之前，將該電連接部 分以該覆蓋膜塗佈之第二步驟。 從以下示範實施例的敘述（並參考所附圖式），本發明 之進一步的特性將更爲明顯。 【實施方式】 接下來，本發明之實施例將參考所附圖式來說明。附 帶地應該注意到，本發明對於任何模式的一驅動系統是有 用的。在此本發明將使用一系統的一噴墨記錄頭來說明， 其用於在墨水中經由來自一電熱轉換器產生的熱能所產生 氣泡而從一排放口排放墨水。 (實施例1) 本發明之第一實施例將參考圖1至圖2 1 B來說明。 如圖1所示，一記錄裝置4000的主體（以方便爲由，此 後稱爲一記錄裝置主體4000)做爲根據本發明之實施例的 -9-
1311526 一排液裝置配備，例如：六個顏色的記錄頭以對應相片影 像品質的記錄。記錄頭1 ο ο 〇 B k是黑色墨水的記錄頭；記 錄頭1000C是青藍色墨水的記錄頭；記錄頭1000M是紫紅 色墨水的記錄頭；記錄頭1 000Y是黃色墨水的記錄頭；記 錄頭1000LC是淺青藍色墨水的記錄頭；記錄頭1 000LM是 淺紫紅色墨水的記錄頭。應該注意到以下部分於說明方便 ，將該記錄頭 lOOOBk，1 000C，1 000M，1 000Y，1 000LC 和1000LM總合起來簡單地稱爲該記錄頭1〇〇〇。該記錄頭 1 000是固定在該記錄裝置主體4000上，處於能夠電傳導至 一電接點4002的狀態。然後，該記錄頭1〇0〇是由該記錄裝 置主體4000設置的驅動電路所控制，因此記錄是由一傳送 機構所傳送的一記錄媒體上來執行。附帶地，圖1所呈現 的該記錄裝置是配備完整佈線型態的記錄頭，其上將排放 口配置在對應至該記錄媒體的寬度方向上。因爲該記錄頭 固定住，該記錄是以箭頭所指示方向掃描（傳送）該記錄媒 體來執行。 圖2A是呈現用以拋射墨水來執行記錄的該記錄頭 1000之透視圖。各個記錄元件基板1100上所設置一噴嘴組 1 1 〇6的端點，是以一區域寬度L在記錄方向上以Z字形 與相鄰的該記錄元件基板上噴嘴組的端點重疊，因此避免 由各個記錄元件基板列印時發生的空隙。例如··重疊的區 域1 109a和1109b分別設置在記錄元件基板1 i〇〇a和1 i〇〇b 的噴嘴組1 1 〇6a和1 1 06b上。 如圖2 B顯示的透視圖，一記錄元件單元1 〇 〇 1包括該 -10 - 1311526(7) 記錄元件基板110 0 ’做爲該排放元件基板；一第一平板 1 200 ; —電佈線基板1 3 00 第二平板1 400，與該第一平 板1 2 0 0及類似物一起構成其支承機構。 圖3A是顯示該記錄元件基板1 100的組成之透視圖， 以及圖3B是沿著圖3A呈現的直線3B-3B之截面圖。如圖 3B所顯示，形成一墨水供給口 1101長凹槽型態的一穿口 做爲一墨水流動路徑’且一電熱轉換器1 1 02做爲該排放能 I 量產生元件是配置在該墨水供給口 11 〇 1兩邊各個的直線上 。此外，配備有一電極11 03用於輸入/輸出電訊號和提供 電力以驅動該電熱轉換器11 02。 在一矽（Si)基板1108上提供由排放口形成表面1110。 此外，對應至該電熱轉換器1102的一墨水流動路徑1104， 由複數個噴嘴（排液口）1105組成的一噴嘴組1106，以及一 氣泡產生腔11 07都是由微影蝕刻技術形成於該矽基板上。 如此提供的該噴嘴1 105是在該電熱轉換器1 102的對面，經 | 由該電熱轉換器1102在來自該墨水供給口 1101提供的墨水 中產生氣泡而排放該墨水。 用於提供該墨水至該記錄元件基板1 1 00的一墨水供給 口 1201是形成於該第一平板1200上。該記錄元件基板1100 是以一高度的位置準確性黏著且固定至該第一平板1 200上 ，使得該記錄元件基板1 1 00的墨水供給口 1 1 0 1對應至該第 —平板1 200的墨水供給口 1201。用於此情況的黏著劑最好 具有例如：在該接觸表面上形成低黏稠性的一黏著薄層、 硬化之後爲一相對高的硬度、以及抗墨水性。例如：理想 -11 - 1311 气 的是一種主要以環氧基樹脂組成的熱固性黏著劑，或也如 同一 UV硬化黏著劑的一熱固性黏著劑，而且其相關黏著 劑層的厚度最好是或小於50微米。此外，該第一平板1200 具有X方向的基部1204和Y方向的基部1 205做爲用於定 位的基部，以及具有一 Z方向的基部1206突出抵住一墨水 供給構件1 500的一Z基部15〇2和類似物，而該第一平板 1 200是以一黏著劑1 503固定至該墨水供給構件1 5 00。 該電佈線基板1 3 00用以提供電訊號至該記錄元件基板 1 100來排放墨水，其具有該記錄元件基板1 1〇〇分別適合卡 進去的開口。該第二平板1 400被黏著且固定至該電佈線基 板1 300的後表面。此外，該電佈線基板1300配備對應至該 記錄元件基板1100的電極1103之一電極端1302，也配備一 外在訊號輸入端位於該佈線基板的端點，用以從該記錄裝 置主體和類似物接收電訊號。例如：使用含有雙結構佈線 的一彈性佈線基板做爲該電佈線基板的材料1 3 00，且該電 佈線基板1 300的表面是以聚醯亞胺塗佈。 該第二平板1 400包括該記錄元件基板1 100分別黏著且 固定至該第一平板1 200，以及該記錄元件基板1 1〇〇分別卡 進去的開口 14〇2，而該第二平板1 400是黏著且固定至該第 —平板1 2 0 0。 此外一過濾構件1 6 0 0用於清除混合在該墨水的外來物 質，也被黏著且固定至該第一平板1200的後表面上該墨水 供給口 1201。 一密封劑1304是塡入由該第二平板1400的開口與該記 -12- 1311526 Ο) 錄元件基板1 1 〇 〇的側面所形成的凹槽內，使其密封住該電 佈線基板1 300的組裝部分。此外，該記錄元件基板1 100的 電極1 1 0 3和類似物是被之後將敘述的一密封樹脂2 0 0 0和一 膜狀構件21 00密封住，用以保護該電連接部分避免由於墨 水和外在撞擊造成的損壞。 附帶地，上述的記錄頭也適用於一串聯掃描型態的噴 墨記錄裝置，如圖4所示，將含有該記錄頭的載架於該記 > 錄媒體的寬度方向往復操作，而在一記錄媒體的縱方向上 執行記錄。 接下來，將參考圖5Α至21Β詳細說明介於該記錄元 件基板1 1〇〇與該電佈線基板1 300之間的電連接部分及其保 護功能。附帶地，本實施例中用於密封介於該記錄元件基 板外部連接端與該電連接基板端點之間的電連接部分之該 密封樹脂，是利用一膜狀構件壓低。此外，雖然使用打線 的方法、使用內引線接合（LIB)的方法、使用異向性導電 > 膜（ACF)的方法、或類似方法，實際上都是當做一堅固的 電連接方法，應該注意到本實施例是可適用於任何方法。 還有’雖然聚醯亞胺膜、芳綸（aramid)膜、聚乙烯對 二苯二甲酸脂（PET)膜、和類似物是可適用做爲該膜狀構 件2 1 00之材料，在此情況中最好是對於該噴墨記錄過程中 所使用墨水具有高度抵抗性之材料。該膜狀構件21 00之厚 度適當地大於3微米且小於1〇微米。然而，至於製造過程 中處理的目標以及容易形成依照該密封劑表面的形狀，最 好具有大於5微米且少於8微米的厚度。考慮本實施例的目 -13- 1311526 _ (10) 的，該膜狀構件2100最好具有至少是或小於200微米的厚 度。除此之外，膜狀構件2100表面上’假如在黏著至該密 封樹脂2000表面上的黏著力藉由電漿處理、電暈放電處理 、爆裂處理或類似方式做爲一預處理步驟來執行會更有效 。任何情況下應該注意到，關於該膜狀構件2 1 00之上述相 關材料和步驟都可適用於本實施例。 圖5A是放大顯示該記錄頭1 000的記錄元件基板1100 > 之一及其周圍的透視圖，以及圖5B是沿著圖5A呈現的直 線5B-5B之截面圖。在此應該注意到，圖6、圖8至21各個 相似由其透視圖與截面圖組成。 該記錄兀件基板1100經由該電極1103執行輸入/輸出 電訊號和電力供給，以及該電極1103與該電佈線基板1300 經由該打線方法形成的佈線1 1 1 1相互連接，因此在該電極 1103與該電佈線基板1300之間建立導電連接。 於該打線的電連接過程中下一個步驟，如圖6A和6B | 所示’施加由非溶劑的環氧基樹脂和類似物組成的密封樹 脂2 000以能夠塗佈在該打線1 1 1 1上。 接著施加由聚醯亞胺所組成膜狀構件2 1 00，並使用如 圖7所示的一裝置3000設定在該密封樹脂2000的頂部表面 上。 該膜狀構件2100可以經由該裝置3〇〇〇向上和向下地移 動，而且在該膜狀構件21 00的下方表面上提供—吸收表面 3 1 〇 〇，能夠藉由吸氣壓力吸收該膜狀構件。該吸收表面 3100被移動向下’使得該膜狀構件21〇〇靠近該密封樹脂。 • 14 - 1311526 (11) 因此該吸收表面3100就停留在該膜狀構件2100稍微壓低著 該密封樹脂2000之位置。那時以該膜狀構件21 〇〇造成的壓 低受到控制，使得該密封樹脂2 0 0 0的高度（突伸部分）X 1降 低至對應從該排放口形成表面1110最上表面層的一理想距 離之高度X2(圖8 B)。在此如圖7所示，該執行的控制步驟 首先將該吸收表面3 1 00向下移動，同時使用一雷射測量機 械3110測量從該排放口形成表面1110的最上表面層之距離 | 。在那時該吸收表面3100的向下移動受到控制，使得該壓 低的密封樹脂2000之突伸量XI變成從該排放口形成表面 1 1 1 〇的最上層表面之理想高度X2。此外，執行另一控制 步驟使得先前要求該吸收表面3100的位置於表面向下移動 之前是在形成排放口，然後將該吸收表面3 1 00停止在從先 前要求的位置測量向下移動量爲該高度X2。然而可以使 用任何控制’只要該壓低的密封樹脂2 0 0 0之高度變成從該 排放口形成表面1 1 1 0最上表面層之理想距離，（也就是儘 _ 可能靠近該排放口形成表面1 1 1 〇的距離，如此使得以該密 封樹脂2 0 0 0所構成該電連接部分的塗佈不會受損）。 在此情況下，釋放該吸收表面3100的吸氣壓力，以解 除該膜狀構件2 1 00的支承狀態，然後將該吸收表面3 1 00向 上移動至與該密封樹脂2000分離。 接下來’將說明從該記錄元件基板表面壓低該密封樹 脂2000的高度至該理想高度，以及將膜狀構件21 〇〇黏著至 塗佈在該打線1111的該密封樹脂2000表面之步驟，（也就 是以該膜狀構件塗佈該電連接部分的步驟）。 -15 - I311526(12) 如圖8A和8B所示，執行加熱至攝氏60度爲能融熔該 密封樹脂2000，使得該密封樹脂在該打線1 1 1 1下方流動， 並進入該記錄元件基板1 1〇〇與該電佈線基板1 300之間的空 隙。然後，當該密封樹脂2000被熱量軟化向下時，黏著至 該密封樹脂2000表面的該膜狀構件2100同樣地向下，因此 該膜狀構件2 1 00也就靠近該打線1 1 1 1。在此應該注意到， 於這融熔步驟中執行的加熱是爲促進該融熔且縮短該製程 。雖然加熱溫度與加熱時間是隨著該密封樹脂2000的材料 而定，但必須設定於該樹脂的硬化尙未開始。當然，假若 沒有加熱該密封樹脂2000即融熔，就可省略加熱步驟。 假如該密封樹脂2000的融熔現象繼續，如圖9A和9B 所示，該密封樹脂2000沿著該記錄元件基板1100的縱向側 面流動，並且黏著至該密封樹脂2000表面的該膜狀構件 2100會隨著該密封樹脂2000向下而進一步向下。因此該膜 狀構件21 00是黏著至成爲該電連接部分的該打線1111於其 整個長度的上方沿著該打線1 1 1 1的角度形狀，經由該密封 樹脂2 0 0 0塗佈著該打線1 1 1 1。在此時刻該密封樹脂2 0 〇 0的 融熔大致停止，在此狀態執行加熱至攝氏8 0度連續五個小 時以硬化該密封樹脂2〇00，然後完成塗佈該電連接部分的 步驟。附帶地應該注意到，加熱溫度和加熱時間會因爲該 密封樹脂2000的材料而有所不同。 於本實施例，該密封樹脂2000從該排放口形成表面 的高度XI在圖6B中是300微米，而且該打線1111從 該排放口形成表面1110的高度在圖6B中約是70微米。另 -16 - (13) 1311526 —方面’該密封樹脂20 00的上層表面是被該吸收表面3丨〇〇 壓低，直到該膜狀構件2 1 00從該排放口形成表面丨i 〇的高 度變成約1〇〇微米。最後，因爲該密封樹脂2000軟化而向 下，該膜狀構件21 00經由該密封樹脂2〇〇〇也向下接近比較 靠近該打線1 1 1 1的位置。以上敘述是說明以該膜狀構件塗 佈該電連接部分的步驟過程。 接著，將說明以一跨越引線取代上述打線的實施例。 在此該記錄頭的整個組成、該密封樹脂、該材料、該膜狀 構件的形狀和厚度、用於放置該膜狀構件在該密封樹脂上 的裝置、以及其類似物，都大致與先前的說明相同，所以 將省略其說明。此外，與上述說明中相同的組成元件分別 以上述說明中相同的數字和符號來表示。 如圖1 0 A和1 0 B所示，該記錄元件基板1 1 〇 〇經由該電 極1 1 0 3以執行電訊號的輸入/輸出和電力的提供，而且該 電極與該電佈線基板1 3 00藉以加熱一跨越引線1 1 1 2然後施 加超音波和壓力於其上之打線方法相互連接，因此在該電 極1103與該電佈線基板1 3 00之間建立導電連接。 接著下一個步驟，如圖11A和11B所示，施加非溶劑 環氧基樹脂和類似物組成的該密封樹脂2000，使其能夠塗 佈該跨越引線1 1 1 2。然後施加由聚醯亞胺組成的該膜狀構 件2100，並固定在該密封樹脂20 00上。 接著，在此之後將要說明用於將該密封樹脂2〇〇〇從該 記錄元件基板表面的高度壓低至一理想高度之步驟，以及 將該膜狀構件21 〇〇黏著至塗佈在該跨越引線1 1 I2的該密封 -17- 1311526 _ (14) 樹脂2000表面之步驟，（也就是以該膜狀構件用於塗佈該 電連接部分的步驟）。 如圖1 2 A和1 2 B所示，執行加熱約攝氏6 0度以融熔該 密封樹脂2000，使得該密封樹脂2〇〇〇在該跨越引線〗i 12下 方流動，並進入該記錄元件基板1100與該電佈線基板1300 之間的空隙。然後，當該密封樹脂2〇00向下時，該膜狀構 件2 1 00同樣地向下，所以該膜狀構件2 1 00即接近該跨越引 | 線1 1 1 2。在此應該注意到’這融熔步驟中執行的加熱是促 進該融熔並縮短該製程。雖然加熱溫度和加熱時間是隨著 該密封樹脂2000的材料而定，但必須設定在該樹脂的硬化 尙未開始之時。當然，假如沒有熱量該密封樹脂2000就融 熔’可以省略此一加熱步驟。該密封樹脂2000沿著該記錄 元件基板11 0 0的縱向側面流動，而且黏著至該密封樹脂 2000表面的該膜狀構件2100進一步地隨著該密封樹脂2000 向下也跟著向下。因此，該膜狀構件2100是黏著至成爲該 I 電連接部分的該跨越引線1 1 1 2於其整個長度的上方沿著該 跨越引線1 1 12上層表面的形狀，藉由該密封樹脂2000塗佈 該跨越引線1 1 12。在此時刻該密封樹脂2000的融熔大致停 止，在此狀態執行加熱至約攝氏80度連續五個小時以硬化 該密封樹脂2〇〇〇，然後就完成以該膜狀構件塗佈該電連接 部分的步驟。 接下來，將要說明本實施例中使用一異向性導電膜 (ACF)、一異向性導電糊狀物（ACP)、一非導電糊狀物 (NCF)、一非導電膜（NCF)、或類似物的力口壓接合型態之 -18 - 1311526 (15) 一電連接機構，來取代以上所述的該打線和該跨越引線兩 者。在此，該記錄頭的整個組成、該密封樹脂、該材料、 該膜狀構件的形狀和厚度、用於將該膜狀構件放置在該密 封樹脂上的裝置、以及類似物大致都與以上的說明相同， 因此將省略其說明。還有，與以上說明相同的組成元件分 別由以上說明中相同的數字和符號來表示。 如圖13A和13B所示，該記錄元件基板1 1〇〇經由該電 > 極1103執行電訊號的輸入/輸出和電力的提供，以及該電 極與該電佈線基板1 300的一對應導線1301藉由該ACF、該 ACF、該NCF、該NCP、或類似物組成的一電接合黏著劑 2001相互連接，因此建立該電極11〇3與該電佈線基板13〇〇 之間的導電連接。 在電接合方法的下一步驟，如圖1 4A和1 4B所示，施 加由非溶劑環氧基樹脂和類似物組成的該密封樹脂2 〇 〇 〇， 使其能夠塗佈該電連接部分。然後，施加由聚醯亞胺組成 | 的該膜狀構件2100並設定在該密封樹脂2000上。 接著’如圖15A和15B所示，執行加熱約至攝氏6〇度 以融溶該密封樹脂200〇，使得該密封樹脂2〇〇〇流動進入該 記錄元件基板丨丨00與該電佈線基板〗3 〇〇之間的空隙。然後 ’當該密封樹脂2000向下時，該膜狀構件21〇〇同樣地向下 ’因此該膜狀構件2 i 〇〇向下靠近該電佈線基板i 3 〇〇。在此 應該 '注意到’此融熔步驟中執行的加熱是爲促進該融熔且 縮短該製程。雖然加熱溫度和加熱時間會隨著該密封樹脂 2 000的材料而定’但必須設定在該樹脂的硬化尙未開始之 -19- I311526(16) 時。當然，假如沒有熱量該密封樹脂2000會融熔，就可以 省略加熱步驟。該密封樹脂2000沿著該記錄元件基板1100 的縱向側面流動，而且該膜狀構件2 1 00進一步地跟著該密 封樹脂2000向下。因此該膜狀構件21 00是黏著至該電佈線 基板1 3 00和該記錄元件基板1100沿著其形狀，使其覆蓋該 電佈線基板1 3 00與該記錄元件基板1 1〇〇之間的電連接部分 ，經由該密封樹脂2000塗佈該相關的電連接部分。在此時 > 刻該密封樹脂2000的融熔大致停止，在此狀態執行加熱至 攝氏80度連續五個小時以硬化該密封樹脂2000，然後就完 成以該膜狀構件塗佈該電連接部分的步驟。附帶地應該注 意到，加熱溫度和加熱時間會隨著該密封樹脂2000的材料 而改變。 接下來，將要說明本實施例中該複數個記錄元件基板 的電連接部分由一個別的膜狀構件所密封。在此，該記錄 頭的整個組成、該密封樹脂、該材料、該膜狀構件的形狀 . 和厚度、用於放置該膜狀構件在該密封樹脂上的裝置、以 及其類似物都大致與先前的說明相同、所以將省略其說明 。進一步地，與上述說明中相同的組成元件分別以上述說 明中相同的數字和符號來表示。還有，雖然將要藉由該打 線方法說明本實施例中的電接合方法，使用一跨越引線的 方法、或使用一電接合黏著劑（ACF，ACP，NCF，NCP)的 方法，也可以用來做爲電連接方法。 如圖16A和1 6B所示，該記錄元件基板1 1 00經由該電 極1103執行電訊號的輸入/輸出和電力的提供，並且該電 -20- 1311526 (17) 極與該電佈線基板1 3 00以該打線方法設置的該打線1 1 1 1相 互連接，因此在該電極1 103與該電佈線基板1 3 00之間建立 導電連接。 施加由非溶劑環氧基樹脂和類似物組成的該密封樹脂 2〇〇〇，使其能夠塗佈在相鄰兩個記錄元件基板1 100的打線 。然後如圖17A和17B所示，施加由聚醯亞胺組成的該膜 狀構件2100並設定在該密封樹脂2000上。在此，於圖17A | 和17B各個中心顯示的該膜狀構件，具有能夠只靠本身塗 佈介於該相鄰兩個記錄元件基板1 1 00之間的電連接部分之 形狀和大小。附帶地，因爲以下的步驟比如加熱和類似步 驟’以及根據這些步驟該密封樹脂和膜狀構件的情形，大 致與上述實施例所敘述的相同，所以將省略這些說明。最 後如圖18A和18B所示，該膜狀構件21 00是以黏著至介於 該兩個記錄元件基板之間且在其整個長度上方的電連接部 分中所對應打線1 U 1之形狀硬化。在那時刻，該膜狀構件 | 2100具有黏著至該打線^“的形狀成爲該電連接部分沿著 其角度形狀’經由該密封樹脂2 0 0 0塗佈該打線1 1 1 1。 接下來’將要說明本實施例中使用一黏著劑22 00用於 保護該電連接部分的該膜狀構件2100固定至該電佈線基板 1 3 0 0。在此’該記錄頭的整個組成、該密封樹脂、該材料 、該膜狀構件的形狀和厚度、用於放置該膜狀構件在該密 封樹脂上的裝置、以及其類似物都大致與先前說明中的相 同，所以將省略其說明。進一步地，與上述說明中相同的 組成元件分別以上述說明中相同的數字和符號來表示。還 -21 - (18) 1311526 有，雖然將要藉由該打線方法說明本實施例中的電接合方 法，使用一跨越引線的方法、或使用一電接合黏著劑 (ACF，ACP，NCF，NCP)的方法，也可以用來做爲電連接 方法。 如圖1 9 A和1 9 B所示，該記錄元件基板1 1 〇 〇經由該電 極1103執行電訊號的輸入/輸出和電力的提供，並且該電 極與該電佈線基板1 3 00以該打線方法設置的該打線1 1 1 1相 互連接，因此在該電極1103與該電佈線基板1 3 00之間建立 導電連接。 進一步地，施加由非溶劑環氧基樹脂和類似物組成的 該密封樹脂2 0 0 0，使其能夠塗佈該打線1 1 1 1，且在該電佈 線基板1 3 〇 〇上方施加該黏著劑2 0 0 0。然後在該密封樹脂 2000上方施加由聚醯亞胺組成的該膜狀構件2100，並且其 中一側面是以該黏著劑2 2 0 0黏住。在此最好使用熱固性型 態或U V硬化型態的黏著劑2 2 0 0。因此，在後續用於融熔 該密封樹脂2000的步驟中’該黏著劑22〇〇的功能是爲防止 該膜狀構件21〇〇從該電連接部分被膜狀構件21 00塗佈之位 置所移動，而不致接觸到墨水或類似物。爲此目的，該黏 著劑22〇0是在執行用於融熔該密封樹脂2〇〇〇的步驟之前硬 化。 然後藉由以上相同的加熱步驟，該膜狀構件2丨〇 〇是以 圖2〇A和2〇B顯示的形狀硬化。換句話說，該膜狀構件 2 1 00是以黏著至該打線1丨丨丨成爲該電連接部分並沿著其角 度的形狀經由密封樹脂2 0 〇 〇塗佈該打線丨〗i丨之形狀硬化。 -22- (19) 1311526 此外’如圖21 A和21B所示，以該黏著劑2200固定該 膜狀構件2 1 00之位置可以與已經形成該記錄頭中墨水排放 口的該表面（排放口形成表面111 0)不同之表面上。例如： 於該膜狀構件2 1 00的端點被固定至該記錄頭的側面上之情 況下’可能要將該排放口形成表面1110的尺寸製造得比該 膜狀構件2 1 00被固定至該排放口形成表面1 1 1 0之情況下的 尺寸較小。 根據以上實施例1，由該密封樹脂之該密封部分的突 伸量可以儘可能地被壓低，因此該電連接部分能夠更確實 地被保護。所以介於該排放口形成表面1110與該記錄媒體 之間的距離可以由於此型態的液體排放頭而縮短，也能夠 改善液體噴射的準確性。 此外，爲確保該噴墨記錄裝置中排放口周邊的清潔， 附著在該排放口形成表面1 1 1 0或類似物之該表面上的墨水 、滴液、灰塵和類似物，會被一平板狀的彈性構件掃除， 比如一橡膠平板片或類似物。根據本實施例，因爲該電連 接部分是以該膜狀構件塗佈，即使該平板狀的彈性構件在 該電連接部分上滑動地磨擦，對於該電連接部分的損壞就 能夠減少。 (實施例2) 接下來將參考圖22A至29B說明本發明之第二實施例 〇 圖2 2 A是呈現該記錄頭1 0 0 0的一記錄元件基板1 1 〇 〇和 -23- 1311526 ⑽ 其放大周邊之透視圖，以及圖22B是圖22A中呈現沿著直 線22B-22B的截面圖。在此應該注意到，圖28和29各個是 同樣地由該透視圖以及截面圖所組成。 附帶提及，雖然使用打線的方法、使用內引線接合 (LIB)的方法、使用異向性導電膜（ACF)的方法、或類似方 法實際可以用來做爲堅固的電連接方法，應該注意到本實 施例可適用於任何方法。 該記錄元件基板1 100經由該電極1 103執行電訊號的輸 入/輸出和電力的提供，並且該電極與該電佈線基板1300 以該打線方法設置的該打線1 111相互連接，因此在該電極 1 103與該電佈線基板1 3 00之間建立導電連接。 首先，施加由非溶劑環氧基樹脂和類似物組成的一密 封樹脂2000，使其能夠塗佈該打線1 1 1 1。然後如圖22B所 示，該密封樹脂2〇〇〇的上層表面被成爲一模製構件的一壓 低構件3200壓低。在那時刻，控制該密封樹脂2000的高度 (突伸量）X1降低至對應從該排放口形成表面1 110最上層表 面的一理想距離之高度X2。在此執行的控制是藉由使用 圖7顯示的裝置3000’而能移動該吸收表面3100上升至該 壓低構件3200的一壓低表面3210。 進一步地如圖23所示’有效的方法是設定該壓低表面 32 1〇的形狀，突出緊靠頂住該壓低構件3200的該密封樹脂 2 000，以具有沿著該打線1 1 1 1的外部角度形狀之形狀。此 外，也是有效以提供—加熱機械於該壓低構件3200中以硬 化該密封樹脂2000。 -24- 1311526 (21) 如圖22A和22B與圖23所顯示製程中的下一個步驟， 執行加熱至約攝氏6 0度以融熔該密封樹脂2 0 0 0，使得該密 封樹脂2000在該打線11 11下方流動，且進入介於該記錄元 件基板11 〇〇與該電佈線基板1 3 00之間的空隙。在此應該注 意到，這融熔步驟中執行的加熱是爲促進融熔且縮短製程 。雖然加熱溫度和加熱時間會隨著該密封樹脂2000的材料 而改變，但必須設定在該樹脂的硬化尙未開始之時。當然 假如沒有熱量該密封樹脂2000會融熔，就可以省略此一加 熱步驟。 假如該密封樹脂2〇0〇進一步融熔，該密封樹脂2〇〇〇會 沿著該記錄元件基板1 1 0 0的縱向側面流動，在此時刻該密 封樹脂2〇〇〇的融熔大致停止，在此狀態執行加熱至約攝氏 8 0度持續五個小時以硬化該密封樹脂2〇00。附帶地應該注 意到，加熱溫度和加熱時間會隨著該密封樹脂2 0 0 0的材料 而定。 當該密封樹脂2〇〇〇硬化（即使其內部還沒有硬化）或者 該密封樹脂2000的內部硬化之後，就可以釋放該壓低構件 3200。進一步地，以該壓低構件3200壓低該密封樹脂2000 可以在該密封樹脂2000完全硬化之前執行，例如：該壓低 步驟可以在一開始加熱就馬上執行。假如釋放該壓低構件 3200’該密封樹脂2〇〇〇就成爲壓低至該理想高度X2之狀 態。 附帶地，經由壓低該壓低構件3 2 0 0所決定的該密封樹 脂2 000高度之控制，可以無關於該記錄頭1 000內各個密封 -25- 13 11 526 (22) 部分，或者控制在一大塊內於該記錄頭1000的所有密封部 分。還有’如此的高度控制當然可以在該密封部分被分成 數個區塊之後來執行。也就是說，該高度控制可以由任何 次序和/或方法來執行，只要該密封樹脂2000的高度成爲 該理想高度。 此外，爲改善從該密封樹脂2000的可釋放性，當該壓 低表面32 10突出緊靠頂住至少該壓低構件3 200的密封樹脂 > 20 00，最好藉由施加一氟膠步驟施加一氟膠膜和類似物而 使用一抗黏性機械。這麼做就可以使得該壓低構件3 2 0 0容 易從該密封樹脂20 00釋放，同時也能夠不損壞緊靠頂住該 密封樹脂2 0 0 0之該表面的平面性和平滑性。 圖24中數字51 01代表一加熱板；數字51 10代表一電連 接部分，比如打線或類似物；數字5 1 1 2代表TAB (帶狀自 動接合）；數字5 1 1 5代表一晶片平板；數字5 1 1 1代表一密 封劑；以及數字5 1 20代表用於施加該密封劑的針狀物。進 | 一步地，數字5124代表用於壓低該密封劑5111的高度至與 其表面切平一理想高度之橡膠清潔器。 如圖2 4所示，當該密封劑5 1 1 1是施加在該晶片平板 5 1 15上，設定該針狀物51 20的位置以維持相對於該電連接 部分5 1 1 0的某一程度的淨空，考慮到各部分的容忍度、裝 置操作的誤差以及類似因素。這是要避免該針狀物5 12〇的 端點會接觸到該電連接部分5 1 1 0而因此對其造成損壞。 然而，只從塗佈該電連接部分5 1 1 0的目的來判斷該密 封劑5111的高度是否超過。結果如圖24所示，設定該橡膠 -26- 1311526 ㈣ 清潔器5124以跟隨該針狀物5120的移動，使得施加至該電 連接部分511〇的該密封劑5111表面在該針狀物5120施加之 後立刻藉由該橡膠清潔器51 24支承向下， 該橡膠清潔器5124具有彈性，因此當該橡膠清潔器 5 124隨著齊平該密封劑51 11表面而移動時，該橡膠清潔器 5124的端點部分（沿著從該排放口形成表面的高度增加和 減少的方向）上下移動，也會跟著該電連接部分5110的凹 | 凸性。因此就能夠壓低該密封劑5 1 1 1的高度至該理想高度 ，（也就是藉此能夠塗佈該電連接部分的高度儘量地小）， 以防止該電連接部分5 1 1 0受到損壞。 此外’對應附著該電連接部分5 1 1 0之該打線的曲面形 成在該橡膠清潔器51 24的端點，因此根據該電連接部分 511〇表面形狀的凹槽能夠形成於該密封劑的表面上。結果 就得以壓低該密封劑的高度至上述的理想高度。 接下來，將根據實施例2之另一方面並參考圖25A， _ 25B和25C說明製造該記錄頭的步驟。在此，圖25A是呈 現施加該密封劑的狀態之截面圖；圖2 5 B是呈現壓低該密 封部分的高度和成型步驟的截面圖；以及圖25C是呈現該 密封部分硬化之後的狀態之截面圖。 圖25A中，數字5101代表該加熱板；數字5ΐι〇代表電 連接部分，比如打線或類似物；數字5112代表該TAB;數 字5 Η 5代表該晶片平板；數字5 1 1 1代表該觸變性密封劑； 以及數字51 20代表施加該密封劑的針狀物。進一步地圖 25Β中，數字5121代表一密封蓋。 -27- (24) 1311526 如圖25 A所示，當該密封劑5 1 1 1施加在該晶片平板 5115上’使其塗佈該電連接部分5110時，設定該針狀物 5 1 20的位置以維持相對於該電連接部分5丨丨〇之某程度的淨 空’考慮的是各部分的容忍度、裝置操作的誤差、和類似 因素。爲此原因，只以塗佈該電連接部分5 1 1 0的目的來判 斷該密封劑5 1 1 1的高度是否超過。 結果如圖25B所示，用於壓低該密封劑51 1 1的高度之 該密封蓋5121放置在該密封劑5111的表面上。在那時刻， 該密封劑5111表面的高度是藉由該密封蓋5121的表面而壓 低，且將該密封劑51 11整型以具有根據該加熱板5101(頭 基板）表面的表面。圖25B中，該密封蓋5121的各部分是 分別突出緊靠頂住該加熱板51 01的表面和該TAB 51 12的 表面，因此該密封劑的高度是以這些表面的基礎所界定。 進一步地應該注意到，該密封蓋5 1 2 1突出緊靠頂住該加熱 板5101的部分具有其維持遠離該部分的形狀，比如該加熱 板上的該排放口，假如該覆蓋接觸到就會影響該排放品質 。還有，接觸到該密封劑5 1 1 1的該密封蓋5 1 2 1表面是以鐵 弗龍（Tefl〇nTM)或類似物處理，以防止該密封劑5111被黏 住。 然後如圖25C所示，該密封劑5 1 1 1硬化之後將該密封 蓋5 1 2 1移除，因此就能夠比較均勻地將該密封部分的高度 從該構件壓低至該理想高度。 接下來，將參考圖26A，26B和26C說明根據實施例2 之另一方面用於製造該記錄頭的步驟。在此，圖26 A是呈 -28 - 1311526 (25) 現施加該密封劑的狀態之截面圖；圖2 6 B是呈現壓低 封部分的高度和成型步驟的截面圖；以及圖26C是呈 密封部分硬化之後的狀態之截面圖。 因爲該加熱板5 101和該TAB 5 II2的熱膨脹係數 是彼此不同，假如溫度變化’該加熱板5 1 〇 1與該 5 1 1 2之間的距離就會跟著改變。另一方面，假如該電 部分5 1 1 0被密封或只以硬化之後不具有彈性的密封劑 ，由於熱膨脹造成的距離變化之變形就容易地發生在 部分，因此會擔心該密封劑剝落或加熱板龜裂。若使 化之後具有高度彈性的一密封劑能夠減緩此一相反效 也就吸收由於熱膨脹的距離變化。典型地，如此一高 性的密封劑通常在尙未硬化時具有高度流動性。 所以如圖26A所示，首先在該電連接部分51 10的 以一觸變性密封劑5 1 1 1 a形成壩狀物。也就是，後來 加一高度流動性的密封劑5 1 1 1 b被這些壩狀物擋住。 地，當施加該密封劑5 1 1 1 a時，可以使用該上述的壓 密封劑高度之方法。然後，該密封劑5 1 1 1 a硬化之後 有高度流動性且硬化之後富於彈性的該密封劑5 1 1 1 b 該針狀物5120倒入該密封劑5111a所形成的壩狀物內 而’假如沒有這麼執行，該密封劑5 1 1 1 b的高度會由 料的流動性、表面張力、和類似因素而不穩定，所以 該密封劑於硬化時該密封部分不能保持水平，該密 5 1 1 1 b就可能歪斜。爲此原因，如圖2 6 B所示，用於 該密封劑5111b高度的該密封蓋5121被放置在該密 該密 現該 通常 TAB 連接 塗佈 密封 用硬 應， 度彈 周圍 所施 附帶 低該 ，具 經由 。然 於材 假如 封劑 壓低 封劑 -29- I311526(26) 5 1 1 1 b上。在那時刻，該密封劑5 1 1 1 b表面的高度經由該 密封蓋5 1 2 1的表面而壓低，並且該密封劑5 1 1 1 b被整型以 具有沿著平行該加熱板5 1 0 1表面的表面。 此後如圖26C所示’該密封劑5 1 1 1 b硬化之後將該密 封蓋5 1 2 1移除。 因此就能夠經由以上步驟均勻地從該構件的高度壓低 該密封部分至上述的理想高度。 接下來，將參考圖2TA，27B和27C說明根據實施例2 之另一方面用於製造該記錄頭的步驟。在此，圖27A是呈 現施加該密封劑的狀態之截面圖；圖27B是呈現壓低該密 封部分的高度和成型步驟的截面圖；以及圖27C是呈現該 密封部分硬化之後的狀態之截面圖。這些圖式中，數字 5 1 2 2代表將該密封劑倒入的一密封模具，以及數字5 1 2 3代 表該密封劑被灌入的一空間。 該密封模具5122設置一注入口和一漏氣口（圖中未示） ，將該密封劑經由該注入口倒進去’且殘留在內的空氣經 由該漏氣口有效地排放。將用於確保黏著性的一彈性體， 施加至分別接觸到該加熱板5101表面和該TAB 51 12表面 的該密封模具5 1 2 2上方部分。進一步地’接觸到該密封劑 51 1 1的該密封模具5122上方部分，經過鐵弗龍或類似物處 理，以避免該密封劑5 1 1 1被黏住。還有’因爲在用於倒入 該密封劑的操作部分與該TAB 5 1 1 2之間施加一可剝離膠 帶，就輕易地消除該操作部分。 如圖2 7 A所示，在施加該密封劑的情況下，該密封模 -30- (27) (27)1311526 具5 122是放置且固定在該電連接部分5110上使其覆蓋。然 後如圖2 7 B所示，經由該密封模具5 1 2 2所設置的該注入口 將該密封劑51 1 1倒入，且將該密封模具5122的內部塡滿該 密封劑5 1 1 1，直到該密封劑5 1 1 1到達排放內部所保留的空 氣之該漏氣口（圖中未示）。在此之後，該密封劑5 1 1 1於該 密封模具5 1 2 2固定的狀態下硬化。 圖27C是呈現該密封部分硬化之後，移除該密封模具 5122和該密封劑中不需要操作部分的狀態之截面圖。如圖 2 7 C所示，硬化後藉由移除該密封模具5 1 2 2和該密封劑中 不需要的操作部分，就能夠形成該密封模具中空間5 1 23的 形狀，（也就是空洞的形狀）造型之該密封部分。 接著，將參考圖2 8 A和2 8 B說明根據實施例2之另一 方面用於製造該記錄頭的步驟。 如圖28A和28B所示，該記錄元件基板11〇〇經由該電 極1103執行電訊號的輸入/輸出和電力的提供，並且該電 極與該電佈線基板1 3 00以加熱一跨越引線1 1 1 2、然後加入 超音波和壓力於其上的打線方法相互連接，因此在該電極 1 1 0 3與該電佈線基板1 3 0 0之間建立導電連接。之後施加由 非溶劑環氧基樹脂和類似物組成的該密封樹脂2000，使其 能夠塗佈該跨越引線1 1 1 2用於保護該電連接部分。接下來 ，藉由該壓低構件3200壓低該密封樹脂2000的上層表面。 在那時刻，控制以設定該壓低的密封樹脂2000之高度X 至從該排放口形成表面1110的最上層表面之上述理想距離 -31 - (28) (28)1311526 接著’執行加熱約至攝氏60度以融熔該密封樹脂2000 ’使得該密封樹脂2000在該跨越引線1 1 12下方流動，並進 入該記錄元件基板1 1 〇 〇與該電佈線基板丨3 〇 〇之間的空隙。 在此應該注意到，此融熔步驟中執行的加熱是爲促進該融 熔且縮短該製程。雖然加熱溫度和加熱時間會隨著該密封 樹脂2000的材料而定，但必須設定在該樹脂的硬化尙未開 始之時。當然，假如沒有熱量該密封樹脂2〇〇〇會融熔，就 可以省略加熱步驟。 該密封樹脂2000沿著該記錄元件基板1100的縱向側面 流動’並且在此時刻該密封樹脂2 0 0 0的融熔大致停止。在 此狀態執行加熱至攝氏80度連續五個小時以硬化該密封樹 脂2 000。附帶地應該注意到，加熱溫度和加熱時間會隨著 該密封樹脂2000的材料而改變。 於該密封樹脂2000的表面硬化（即使其內部尙未硬化） 之後’或在該密封樹脂2000硬化之後，就可以釋放該壓低 構件3200。進一步地，以該壓低構件3200壓低該密封樹脂 2000可以在該密封樹脂2000完全硬化之前執行，例如：該 壓低步驟可以在一開始加熱就馬上執行。假如釋放該壓低 構件3200，該密封樹脂2〇〇〇就會是受到控制的狀態以具有 該理想高度X。 接下來，將參考圖29A和29B說明根據實施例2之另 一方面用於製造該記錄頭的步驟。 如圖29A和29B所示，該記錄元件基板1 1〇〇經由該電 極1 1 03執行電訊號的輸入/輸出和電力的提供，以及該電 -32 - (29) 1311526 極與該電佈線基板1300的一打線1301藉由異向性導電膜 (ACF)、異向性導電糊狀物（ACP)、非導電糊狀物（NCP)、 或非導電膜（NCF)組成的一電接合黏著劑200 1相互連接， 因此建立該電極1 103與該電佈線基板1 3 00之間的導電連接 〇 於該電接合方法的下一步驟，如圖29 A和29B所示， 施加由非溶劑環氧基樹脂和類似物組成的該密封樹脂2000 ，使其能夠塗佈該電連接部分。然後，藉由該壓低構件 3 200壓低該密封樹脂2000的上層表面。在那時刻，控制以 設定該壓低的密封樹脂2 0 0 0之高度X至從該排放口形成 表面1 1 1 0的最上層表面之上述理想距離。 接下來，執行加熱約至攝氏6 0度以融熔該密封樹脂 2〇〇〇 ’使得該密封樹脂2000流動進入該記錄元件基板11〇〇 與該電佈線基板1 3 00之間的空隙。在此應該注意到，這融 熔步驟中執行的加熱是爲促進該融熔且縮短該製程。雖然 加熱溫度和加熱時間會隨著該密封樹脂2〇00的材料而定， 但必須設定在該樹脂的硬化尙未開始之時。當然，假如沒 有熱量該密封樹脂2〇〇〇會融熔，就可以省略加熱步驟。 該密封樹脂2000沿著該記錄元件基板1 100的縱向側面 流動’而且在此時刻該密封樹脂2〇〇〇的融熔大致停止，在 此狀態執行加熱至攝氏8〇度連續五個小時以硬化該密封樹 脂2000。附帶地應該注意到，加熱溫度和加熱時間會隨著 該密封樹脂2 0 0 0的材料而改變。 於該密封樹脂2000的表面硬化（即使其內部尙未硬化） -33- I311526(30) 之後，或在該密封樹脂2000硬化之後，就可以釋放該壓低 構件3 2 0 0。進一步地，以該壓低構件3 2 0 0壓低該密封樹脂 2000可以在該密封樹脂2000完全硬化之前執行，例如：該 壓低步驟可以在一開始加熱就馬上執行。假如釋放該壓低 構件3 2 0 0，該密封樹脂2 0 0 0就會成爲被壓低至上述的理想 高度X之狀態。 > (實施例3) 接下來，將參考圖30A至GB說明本發明之第三實施 例。 圖30A是呈現該記錄頭1 000的一記錄元件基板1 100和 其放大周邊之透視圖，以及圖30B是圖30A中呈現沿著直 線3 0 B - 3 0 B的截面圖。在此應該注意到，圖3 1和4 3各個是 同樣地由該透視圖以及截面圖所組成。 附帶提及，雖然使用打線的方法、使用內引線接合 > (LIB)的方法、使用異向性導電膜（ACF)的方法、或類似方 法實際可以用來做爲堅固的電連接方法。應該注意到，本 實施例可適用於任何方法。附帶地，當執行打線方法時， 一電佈線基板1 3 00上一覆蓋膜2100的延伸部分被摺疊起來 ，且暫時固動定至與該電連接部分隔開的位置，使得該相 關的延伸部分不會干擾操作。 首先，將說明本實施例其中在該記錄元件基板上以打 線方法執行電連接。 於該打線方法的電連接製程中之下一個步驟，如圖 -34- 1311526 (31) 3 1 A和3 1 B所示，施加由非溶劑環氧基樹脂和類似物組成 的一密封樹脂2〇〇〇，使其能夠塗佈在該電連接部分內的一 打線1111。 接下來的步驟，如圖32A和32B所示，設定用於覆蓋 該電佈線基板1 3 00的覆蓋膜21 00延伸部分，使其覆蓋該密 封樹脂2000。在此於該具彈性佈線基板的表面上該覆蓋膜 2100延伸部分，該膜的延伸是用以能夠覆蓋住介於該記錄 φ 元件基板1 1 〇〇與該電佈線基板1 3 00之間的電連接區域。 附帶地應該注意到，該覆蓋膜1200延伸部分的長度是 根據其長度不會到達且阻擋該噴嘴（排放口）的前題。該覆 蓋膜1200延伸部分的端點一直延伸至排放口形成表面111〇 的周圍表面。然後如圖34A和34B所示，最好設定該延伸 部分的端點是支承在介於該排放口形成表面1 1 1 0與一矽 (Si)基板1108之間的階梯狀部分內，且平行該覆蓋膜2100 主要表面的水平方向。 φ 爲了回復該記錄頭的排放性質，回復步驟是用於可滑 動地移動該排放口形成表面1110上彈性體的扁平狀構件， 包括在該覆蓋膜2100上。在那時刻，因爲該覆蓋膜2100上 的階梯狀部分藉由該回復步驟遠離，就能夠避免該覆蓋膜 2100被該扁平狀構件剝落。進一步地，塗佈在該電連接部 分上該密封劑的厚度壓低該密封部分的高度是由於該覆蓋 膜2 1 0 0而下降。但在此情況即使該扁平狀構件是可滑動地 在該電連接部分上磨擦和/或接觸到該電連接部分，也能 夠減輕對該電連接部分的損壞。 -35- 1311526(32) 接著如圖3 3 A和3 3 B所示’執行加熱至約攝氏6 0度以 融熔該密封樹脂2000，使得該密封樹脂2000在該打線1 1 1 1 下方流動，並進入該記錄元件基板11 00與該電佈線基板 1 3 00之間的空隙。然後當該密封樹脂2000向下時，該覆蓋 膜2 1 0 0的延伸部分同樣地往下，所以該覆蓋膜2 1 00的延伸 部分就經由該密封樹脂2000而接近該打線1 1 1 1的形狀。在 此應該注意到，這融熔步驟中的加熱是執行以促進融熔且 縮短步驟。雖然加熱溫度和加熱時間會隨著該密封樹脂 2000的性質而不同，但必須設定在該密封樹脂2000硬化還 沒有進行之時。當然，假如沒有熱量該密封樹脂2000會融 熔，就可以省略此一加熱步驟。 進一步地，假如該密封樹脂2000進一步融溶如圖34Α 和3 4 Β所示，該密封樹脂2 0 0 0分別沿著該記錄元件基板 1 100周圍部分的縱向側面流動，因此該密封膜21 00的延伸 部分就進一步向下。然後，該覆蓋膜21 00的延伸部分以黏 著至成爲該電連接部分的該打線1111沿著其角度形狀之形 狀硬化，經由該密封樹脂2 0 0 0塗佈該打線1 1 1 1。 該密封樹脂2000的融熔在此時刻大致停止，在此狀態 執行加熱至約攝氏8 0度持續五個小時以硬化該密封樹脂 2000，且完成以該覆蓋膜2100的延伸部分塗佈該電連接部 分之步驟。附帶地應該注意到，加熱溫度和加熱時間會根 據該密封樹脂2000的物理性質而有所變化。此外，取代上 述該密封樹脂2 0 0 0施加至該電連接部分的步驟，該密封樹 脂2 0 0 0可以施加至該覆蓋膜2 1 0 0的延伸部分。於此情況， -36- (33) 1311526 該電連接部分是在施加至該延伸部分的該密封樹脂2000硬 化之前被該覆蓋膜21 00的延伸部分所覆蓋。 如上所述，根據本實施例的記錄頭，該密封樹脂2000 . 是由延伸該電佈線基板1 300上覆蓋膜21 00之一部分所提供 的該延伸部分覆蓋或塗佈在該電連接部分上。結果以該密 封樹脂20 00之該密封部分的突伸量能夠穩定地儘可能壓低 至最小，因此該電連接部分就確實被保護。進一步地，因 φ 爲使用之後延伸該電佈線基板1 3 00的覆蓋膜2100，就不需 要分別提供一塗佈膜並執行該膜層的定位，同時更進一步 不需要執行用於暫時黏著該塗佈膜以避免此膜層移位或錯 置爲目的之步驟。所以，減少所需要步驟的數目因此就能 夠降低該記錄頭的製造成本。爲此原因，根據本實施例的 記錄頭，介於該排放口形成表面1 1 1 0與該記錄媒體，比如 紙張或類似物之間的距離就能夠縮短，因此達到高品質的 記錄。 # 接著’將參考圖35A和3 5B說明根據實施例3之另一 方面製造該記錄頭的步驟。在此，於電連接部分使用一跨 越引線的點是不同於上述實施例中使用該打線的點。然而 ’其他組件比如該記錄頭、該記錄裝置和類似物大致與上 述說明中的相同，所以就省略其中的說明。 如圖3 5 A和3 5 B所示’該記錄元件基板1 1 〇 〇經由該電 極11 03執行電訊號的輸入/輸出和電力的提供，並且該電 極與該電佈線基板1 3 00相互連接，藉由加熱—跨越引線 1112然後加入超音波和壓力於其上的一接合方法傳導電力 -37- (34) 1311526 。附帶地，當實施該跨越引線1 1 12，該電佈線基板1 300上 覆蓋膜2100的延伸部分被摺疊起來，並暫時固定至遠離該 電連接部分的位置，使得該相關延伸部分不會干擾操作。 於下一步驟如圖3 6 A和3 6B所示，施加由非溶劑環氧 基樹脂和類似物組成的一密封樹脂2000，使其能夠塗佈該 跨越引線1112，且放置該電佈線基板13 00的覆蓋膜21 00， 並設定在該密封樹脂2000上。當該覆蓋膜2100要設置於該 電佈線基板1 3 00的表面上，使用的該覆蓋膜是必須藉由延 伸所使用的覆蓋膜2 1 00於該具有彈性的佈線基板，且能夠 覆蓋在該跨越引線1 1 1 2區域上方的長度儘量一樣。任何情 況下，細節部分大致與使用該打線之上述實施例中的相同 〇 接著如圖37A和37B所示，執行加熱至約攝氏60度以 融熔該密封樹脂2000，使得該密封樹脂2000在該跨越引線 1 1 12下方流動，並進入該記錄元件基板1 1〇〇與該電佈線基 板13〇0之間的空隙。然後當該密封樹脂2000向下時，一覆 蓋膜2100同樣地往下，所以該覆蓋膜2100的延伸部分就接 近該跨越引線1 1 12的形狀。在此應該注意到，這融熔步驟 中的加熱是執行以促進融熔且縮短製程。雖然加熱溫度和 加熱時間會隨著該密封樹脂2 0 0 0的物理性質而不同，但必 須設定在該密封樹脂2000硬化還沒有進行之時。當然，假 如沒有熱量該密封樹脂2000會融熔，就可以省略此一加熱 步驟。 進一步地’假如該密封樹脂2000進一步融溶，該密封 -38- (35) 1311526 樹脂20 00分別沿著該記錄元件基板1 100周圍部分的縱向側 面流動，因此該覆蓋膜2100的延伸部分就進一步向下。然 後，該覆蓋膜21〇〇的延伸部分以黏著至成爲該電連接部分 的該跨越引線1 1 1 2沿著其角度形狀的形狀硬化，經由該密 封樹脂2000塗佈該跨越引線1112。該密封樹脂2000的融熔 在此時刻大致停止，在此狀態執行加熱至約攝氏80度持續 五個小時以硬化該密封樹脂2000，且完成以該覆蓋膜21 00 的延伸部分塗佈該電連接部分之步驟。附帶地應該注意到 ，加熱溫度和加熱時間會根據該密封樹脂2 0 0 0的物理性質 而適當地改變。 接著，將參考圖38A至40B說明根據實施例之另一方 面用於製造該記錄頭的步驟。在此，該電連接部分是以壓 力接合形成，其中使用包括異向性導電粒子的異向性導電 膜（ACF)、異向性導電糊狀物（ACP)、非可縮小非導電糊 狀物（NCP)、非導電膜（NCF)或類似物。在此其他組件， 比如該記錄頭、該記錄裝置和類似物大致與以上說明的相 同，所以省略其中的說明。 如圖38A和38B所示，該記錄元件基板1100經由該電 極11 03執行電訊號的輸入/輸出和電力的提供，並該電極 與該電佈線基板1 3 00藉由ACF，ACP，NCP或NCF所組 成的電接合黏著劑相互連接，所以在該電極1 1 03與該電佈 線基板1 3 00之間建立導電連接。附帶地，當執行電接合時 ，該電佈線基板1 3 00上覆蓋膜21 00的延伸部分被摺疊起來 ，並暫時固定至隔離該電連接部分的位置，使得該相關延 -39- (36) 1311526 伸部分不會干擾操作。 於該電接合中的下一個步驟，如圖39A和39B所示， 施加由非溶劑環氧基樹脂和類似物組成的一密封樹脂2000 ，使其能夠覆蓋該電連接部分的電接合點，且該覆蓋膜 2100的延伸部分是放置並設定在該密封樹脂2000上。 至於該覆蓋膜21 00，使用的該覆蓋膜是藉由延伸該彈 性佈線基板所使用的覆蓋膜2 1 00而形成，與能夠覆蓋在該 電接合部分上方的長度儘量一樣。 接著如圖40A和40B所示，執行加熱至約攝氏60度以 融熔該密封樹脂2000，使得該密封樹脂2000流動進入該記 錄元件基板1 1 0 0與該電佈線基板1 3 0 0之間的空隙。然後， 當該密封樹脂2000向下時，一覆蓋膜21 00同樣地往下，所 以該覆蓋膜2100的延伸部分就經由該密封樹脂2000接近該 打線1111的形狀。在此應該注意到，這融熔步驟中的加熱 是執行以促進融熔且縮短製程。雖然加熱溫度和加熱時間 會隨著該密封樹脂20 00的物理性質而不同，但必須設定在 該密封樹脂2000硬化還沒有進行之時。當然，假如沒有熱 量該密封樹脂2000會融熔，就可以省略此一加熱步驟。 進一步地，假如該密封樹脂2000進一步融熔，該密封 樹脂2000分別沿著該記錄元件基板1 100周圍部分的縱向側 面流動，所以該覆蓋膜2100的延伸部分會進一步向下。因 此該覆蓋膜21 00具有黏著至該電佈線基板1 300和該記錄元 件基板1 1 00的上層表面之形狀，且沿著其形狀經由該密封 樹脂2000塗佈該電連接部分，使其覆蓋該電佈線基板1300 -40 - 1311526(37) 與該記錄元件基板1 1 00之間的電連接部分。該密封樹脂 2 0 0 0的融熔在此時刻大致停止，在此狀態執行加熱至約攝 氏80度持續五個小時以硬化該密封樹脂2000，且完成以該 覆蓋膜2100塗佈該電連接部分之步驟。附帶地應骸注意到 ，加熱溫度和加熱時間是根據該密封樹脂2 0 0 0的物理性質 而適當地改變。 接著’將參考圖41A至WB說明根據實施例3之另一 .方面用於製造該記錄頭的步驟。在此於實施例3之各方面 所說明的覆蓋膜之延伸部分，是配置橫跨在該複數個記錄 元件基板上各個電連接部分。然後在此方面，當實施該電 連接部分改變固定該電佈線基板1300上覆蓋膜2100的延伸 部分之方向，使得該相關的延伸部分不會干擾操作之做法 ’不同於本實施例3的各方面之做法。在此之後，將參考 所附圖式說明該電連接部分和其中的保護狀況。附帶地， 其他組件比如該記錄頭、該記錄裝置和類似物大致與上述 > 說明中的相同，所以省略這些的說明。 該記錄元件基板1 1 0 0經由該電極1 1 0 3執行電訊號的輸 入/輸出和電力的提供，並且該電極與該電佈線基板1 3 00 藉由該打線方法形成的該打線1 1 1 1相互連接，所以在該電 極1103與該電佈線基板1 3 00之間建立導電連接。附帶地， 當執行打線時，該電佈線基板1300上覆蓋膜2100的延伸部 分被摺疊起來，並暫時固定至隔離該電連接部分的位置， 使得該相關延伸部分不會干擾操作。 在此方面，該延伸部分被摺疊的方向不同於本實施例 -41 - (38) 1311526 3之以上各個方面的情況，也就是，該覆蓋膜2 1 00的延伸 部分被摺疊在垂直該記錄元件基板1100所配置方向之方向 上’並且該摺疊部分是暫時固定，使得該相關部分不會干 擾在相鄰的記錄元件基板1100之固定操作。 接著，施加由非溶劑環氧基樹脂和類似物組成的該密 封樹脂2000，使其塗佈該相鄰兩個記錄元件基板1 1〇〇上的 打線1 1 1 1。然後如圖42A和42B所示，設定該電佈線基板 13 00上該覆蓋膜2100的延伸部分使其覆蓋該密封樹脂2000 。在此，最好以該延伸部分的區域至少覆蓋介於該記錄元 件基板1100與該電佈線基板1 3 00之間的各個電連接部分， 同時也最好設定該延伸部分的兩個端點被支承在介於排放 口形成表面1 1 10與該矽（Si)基板1 108之間的階梯狀部分內 〇 接下來如圖43 A和GB所示，執行加熱至約攝氏60度 以融熔該密封樹脂2 0 0 0，使得該密封樹脂2 0 0 0在該打線 1 1 1 1下方流動，並進入該記錄元件基板1 1 00與該電佈線基 板1 3 00之間的空隙。然後，當該密封樹脂2〇00向下時，該 覆蓋膜21 00的延伸部分同樣地往下，所以該覆蓋膜2100的 延伸部分就經由該密封樹脂2000接近該打線1 1 1 1的形狀。 在此應該注意到，這融熔步驟中的加熱是執行以促進融熔 且縮短步驟。雖然加熱溫度和加熱時間會隨著該密封樹脂 2000的物理性質而不同，但必須設定在該密封樹脂2000硬 化還沒有進行之時。當然’假如沒有熱量該密封樹脂2000 會融溶，就可以省略此一加熱步驟。 -42- 1311526(39) 進一步地，假如該密封樹脂2000進一步融熔，如圖 43 A和43B所示，該密封樹脂2000分別沿著該記錄元件基 板1 100周圍部分的縱向側面流動，所以該覆蓋膜21 00的延 伸部分就進一步向下。因此該覆蓋膜2 1 00的延伸部分具有 黏著至成爲電連接部分的該打線1 1 1 1沿著其該角度形狀的 的形狀，經由該密封樹脂2 0 0 0塗佈該打線1 1 1 1。該密封樹 脂2 0 0 0的融熔在此時刻大致停止，在此狀態執行加熱至約 攝氏80度持續五個小時以硬化該密封樹脂2000，且完成以 該覆蓋膜2100的延伸部分塗佈該電連接部分之步驟。附帶 地應該注意到，加熱溫度和加熱時間是根據該密封樹脂 2000的物理性質而適當地改變。 於實施例3上述的各個方面，雖可以施加一聚醯亞胺 膜、一芳綸膜、或類似物做爲該覆蓋膜2100的材料，在此 情況最好使用對記錄要用的墨水具有高度抵抗性的材料。 還有，雖然能夠任意設定該覆蓋膜21 00的厚度，最好要考 慮此方面的目的以具有1〇〇微米或較少的厚度。另外，在 黏著至該密封樹脂2000之該覆蓋膜21 00延伸部分的表面上 ，最好執行電漿處理、電暈放電處理、爆裂處理、或類似 步驟當做一預處理步驟。也就是，藉由這麼做能夠改善該 覆蓋膜2100的延伸部分與該密封膜2〇〇0之間的黏著性，因 此能夠改善該扁平狀構件於可滑動移動時的可信賴性。 還有，雖然本方法其中使用該打線方法來說明爲以上 的電接合方法，也可以是其中使用跨越引線、使用電接合 黏著劑（ACF，ACP，NCF，NCP)、和使用類似物的任何方 -43- (40) 1311526 法。 在此本發明是參考示範實施例來敘述’應該瞭解到本 發明不受限於所揭示的示範實施例。以下申請專利項的範 圍是以最廣義的解讀，而能夠涵蓋所有的相關修改與等同 結構和功能。 【圖式簡單說明】 φ 圖1是用於說明一完整佈線型態的記錄裝置之圖形。 圖2A和2B是用於說明根據本發明之該等實施例中一 記錄頭的圖形。比較明確地，圖2A是該記錄頭的外部透 視圖' 以及圖2 B是其分解透視圖。 圖3A和3B是顯示圖2A和2B呈現的該記錄頭中記錄 元件基板之圖形。比較明確地，圖3 A是該記錄元件基板 的透視圖，以及圖3B是沿著圖3A呈現的直線3B-3B之截 面圖。 # 圖4是用於說明一串聯掃描型態的記錄裝置之圖形。 圖5A和5B是用於說明圖4呈現的該記錄頭之製造過 程圖形。比較明確地，圖5A是顯示該記錄頭中該記錄元 件基板及其周圍的透視圖，圖5 B是沿著圖5 A呈現的直線 5B-5B之截面圖。 圖6A和6B是用於說明圖4呈現的該記錄頭之製造過 程圖形。比較明確地，圖6A是顯示該記錄頭中記錄元件 基板及其周圍的透視圖，圖6B是沿著圖6A呈現的直線 6B-6B之截面圖。 -44 - (41) 1311526 圖7是用於說明將一膜狀構件放置在一密封劑上 裝置之圖形。 圖8A和8B是用於說明圖4呈現的該記錄頭之製 程圖形。比較明確地，圖8A是顯示該記錄頭中記錄 基板及其周圍的透視圖，圖8B是沿著圖8A呈現的 8B-8B之截面圖。 圖9A和9B是用於說明圖4呈現的該記錄頭之製 程圖形。比較明確地，圖9A是顯示該記錄頭中記錄 基板及其周圍的透視圖，圖9B是沿著圖9A呈現的 9B-9B之截面圖。 圖10A和10B是用於說明根據實施例1之另一方 一記錄頭的製造過程之圖形。比較明確地，圖1 〇A是 該記錄頭中記錄元件基板及其周圍的透視圖，圖1 〇B 著圖10A呈現的直線10B-10B之截面圖。 圖11A和11B是用於說明圖10A和10B呈現的該 頭之製造過程圖形。比較明確地，圖1 1 A是顯示該記 中記錄元件基板及其周圍的透視圖，圖11B是沿著圈 呈現的直線1 1 B - 1 1 B之截面圖。 圖12A和12B是用於說明圖10A和10B呈現的該 頭之製造過程圖形。比較明確地’圖12A是顯示該記 中記錄元件基板及其周圍的透視圖，圖1 2B是沿著碭 呈現的直線12B-12B之截面圖。 圖13A和13B是用於說明圖10A和10B呈現的該 頭之製造過程圖形。比較明確地，圖13A是顯示該記 iih cm js m 元件 直線 造過 元件 直線 面中 顯示 是沿 記錄 錄頭 ]1 1 A 記錄 錄頭 J 1 2 A 記錄 錄頭 -45- (42) (42)
1311526 中記錄元件基板及其周圍的透視圖，圖1 3 B是沿著圖 呈現的直線1 3 B -1 3 B之截面圖。 圖14A和14B是用於說明根據實施例1之另一方 一記錄頭的製造過程之圖形。比較明確地，圖14A是 該記錄頭中記錄元件基板及其周圍的透視圖，圖14B 著圖14A呈現的直線14B-14B之截面圖。 圖15A和15B是用於說明圖14A和14B呈現的該 頭之製造過程圖形。比較明確地，圖15A是顯示該記 中記錄元件基板及其周圍的透視圖，圖是沿著B 呈現的直線15B-15B之截面圖。 圖16A和16B是用於說明根據實施例1之另一方 一記錄頭的製造過程之圖形。比較明確地，圖16A是 該記錄頭中記錄元件基板及其周圍的透視圖，圖16B 著圖16A呈現的直線16B-16B之截面圖。 圖17A和17B是用於說明圖16A和16B呈現的該 頭之製造過程圖形。比較明確地，圖1 7 A是顯示該記 中記錄元件基板及其周圍的透視圖，圖17B是沿著B 呈現的直線17B-17B之截面圖。 圖18A和18B是用於說明圖16A和16B呈現的該 頭之製造過程圖形。比較明確地，圖1 8 A是顯示該記 中記錄元件基板及其周圍的透視圖，圖18B是沿著S 呈現的直線18B-18B之截面圖。 圖19A和19B是用於說明根據實施例1之另一方 一記錄頭的製造過程之圖形。比較明確地，圖1 9 A是 i 13A 面中 顯示 是沿 記錄 錄頭 ]1 5 A 面中 顯示 是沿 記錄 錄頭 3 17A 記錄 錄頭 i 1 8A 面中 顯示 -46- (43) 1311526 該記錄頭的記錄元件基板及其周圍之透視圖，圖1 9B是沿 著圖19A呈現的直線19B-19B之截面圖。 圖20A和20B是用於說明圖19A和19B呈現的該記錄 頭之製造過程圖形。比較明確地，圖20A是顯示該記錄頭 中記錄元件基板及其周圍的透視圖，圖20B是沿著圖20A 呈現的直線20B-20B之截面圖。 圖2 1 A和2 1 B是用於說明根據實施例1之另一方面中 一記錄頭的製造過程之圖形。比較明確地，圖2 1 A是顯示 該記錄頭中一記錄元件基板及其周圍的透視圖，圖2 1 B是 沿著圖2 1 A呈現的直線2 1 B - 2 1 B之截面圖 圖22A和22B是用於說明根據實施例2中一記錄頭的 製造過程之圖形。比較明確地，圖22A是顯示該記錄頭中 記錄元件基板及其周圍的透視圖，圖22B是沿著圖22A呈 現的直線2 2 B - 2 2 B之截面圖。 圖2 3是顯示圖2 2 A和2 2 B中呈現該壓低構件的一修改 實例之圖形。 圖2 4是顯示該壓低構件的另一修改實例之圖形。 圖2 5A，25B和25C是用於說明根據實施例2之另一方 面中一記錄頭的製造過程之圖形。比較明確地，圖2 5 A是 顯示施加一密封劑的狀態之截面圖，圖2 5 B是顯示壓低一 密封部分的高度和整型之截面圖，以及圖25C是顯示該密 封劑硬化之後的狀態之截面圖。 圖2 6A，26B和26C是用於說明根據實施例2之另一方 面中一記錄頭的製造過程之圖形。比較明確地，圖26A是 -47- (44) 1311526 顯示施加一密封劑的狀態之截面圖’圖26B是顯示壓低一 密封部分的高度和整型之截面圖’以及圖26C是顯示該密 封劑硬化之後的狀態之截面圖。 圖27A，27B和27C是用於說明根據實施例2之另一方 面中一記錄頭的製造過程之圖形。比較明確地’圖A是 顯示施加一密封劑的狀態之截面圖，圖2 7 B是顯示壓低一 密封部分的高度和整型之截面圖，以及圖2 7C是顯示該密 封劑硬化之後的狀態之截面圖。 圖28A和28B是用於說明根據實施例2之另一方面中 一記錄頭的製造過程之圖形。比較明確地，圖2 8 A是顯示 該記錄頭的記錄元件基板及其周圍之透視圖’圖2 8 B是沿 著圖28A呈現的直線28B-2 8B之截面圖。 圖29A和29B是用於說明根據實施例2之另一方面中 一記錄頭的製造過程之圖形。比較明確地，圖29A是顯示 該記錄頭的記錄元件基板及其周圍之透視圖’圖29B是沿 著圖29A呈現的直線29B-29B之截面圖。 圖3 0A和3 0B是用於說明根據實施例3中一記錄頭的 製造過程之圖形。比較明確地，圖3〇A是顯示該記錄頭的 記錄元件基板及其周圍之透視圖，圖3〇B是沿著圖30A呈 現的直線3 0 B - 3 0B之截面圖。 圖31A和31B是用於說明圖30A和30B呈現的該記錄 頭之製造過程圖形。比較明確地，圖31A是顯示該記錄頭 的記錄元件基板及其周圍之透視圖，圖3 1 B是沿著圖3 1 A 呈現的直線31B-31B之截面圖。 -48 - (45) 1311526 圖32A和32B是用於說明圖30A和30B呈現的該記錄 頭之製造過程圖形。比較明確地，圖3 2 A是顯示該記錄頭 的記錄元件基板及其周圍之透視圖，圖3 2 B是沿著圖3 i a 呈現的直線32B-32B之截面圖。 圖33A和33B是用於說明圖30A和30B呈現的該記錄 頭之製造過程圖形。比較明確地，圖33A是顯示該記錄頭 的記錄元件基板及其周圍之透視圖，圖33B是沿著圖33 a 呈現的直線3 3 B - 3 3 B之截面圖。 圖34A和34B是用於說明圖30A和30B呈現的該記錄 頭之製造過程圖形。比較明確地，圖34A是顯示該記錄頭 的記錄元件基板及其周圍之透視圖，圖3 4B是沿著圖3 4 A 呈現的直線34B-34B之截面圖。 圖35A和35B是用於說明根據實施例3之另一方面中 一記錄頭之製造過程圖形。比較明確地，圖35A是顯示該 記錄頭的記錄元件基板及其周圍之透視圖，圖35B是沿著 圖35A呈現的直線35B-35B之截面圖。 圖36A和36B是用於說明圖35A和35B呈現的該記錄 頭之製造過程圖形。比較明確地，圖36A是顯示該記錄頭 的記錄元件基板及其周圍之透視圖，圖36B是沿著圖36A 呈現的直線3 6 B - 3 6 B之截面圖。 圖37A和37B是用於說明圖35A和35B呈現的該記錄 頭之製造過程圖形。比較明確地，圖37A是顯示該記錄頭 的記錄元件基板及其周圍之透視圖，圖3 7B是沿著圖3 7 A 呈現的直線37B-37B之截面圖。 -49 - 1311526<4β, 圖38Α和3 8Β是用於說明根據實施例3之另一方面中 一記錄頭的製造過程之圖形。比較明確地，圖38Α是顯示 該記錄頭的記錄元件基板及其周圍之透視圖，圖3 8Β是沿 著圖3 8 Α呈現的直線3 8 Β - 3 8 Β之截面圖。 圖39A和39B是用於說明圖38A和38B呈現的該記錄 頭之製造過程圖形。比較明確地，圖39A是顯示該記錄頭 的記錄元件基板及其周圍之透視圖，圖39B是沿著圖39A 呈現的直線39B-39B之截面圖。 圖40A和40B是用於說明圖38A和38B呈現的該記錄 頭之製造過程圖形。比較明確地，圖40A是顯示該記錄頭 的記錄元件基板及其周圍之透視圖，圖40B是沿著圖40A 呈現的直線40B-40B之截面圖。 圖41A和41B是用於說明根據實施例3之另一方面中 一記錄頭之製造過程圖形。比較明確地，圖4 1 A是顯示該 記錄頭的記錄元件基板及其周圍之透視圖，圖4 1 B是沿著 圖41A呈現的直線41B-41B之截面圖。 圖42A和42B是用於說明圖41 A和41B呈現的該記錄 頭之製造過程圖形。比較明確地，圖42A是顯示該記錄 頭的記錄元件基板及其周圍之透視圖，圖42B是沿著圖 42A呈現的直線42B-42B之截面圖。 圖43A和43B是用於說明圖41 A和41B呈現的該記錄 頭之製造過程圖形。比較明確地，圖43A是顯示該記錄頭 的記錄元件基板及其周圍之透視圖，圖43B是沿著圖43 A 呈現的直線43B-43B之截面圖。 -50 - (47) 1311526 圖44是用於說明一種施加一密封劑至一記錄頭的習知 方法之透視圖。 【主要元件符號說明】 1 000：記錄頭 1 0 0 1 :記錄元件單元 1100，1100a，1100b:記錄元件基板
1 1 0 1，1 2 0 1 :墨水供給口 1 1 0 2 :電熱轉換器 1103 :電極 1 104 :墨水流動路徑 1105：噴嘴 1106，1106a > 1106b ：噴嘴組 1 1 08 :矽基板 1109a， 1109b ：重疊區域 1 1 1 0 :排放口形成表面 1 1 1 1 :打線 1 1 1 2 :跨越引線 1 2 0 0 :第一平板 1 204 : X方向基部 1 205 : Y方向基部 1206: Z方向基部 1 3 0 0 :電佈線基板 1 3 0 1 :對應導線 -51 - (48) 1311526 1 3 02：電極端 1 3 04：密封劑 1 4 0 0 :第二平板 . 1 402 :開口 _ 1 5 0 0 :墨水供給構件 1502： Z基部 1 6 0 0 :過濾構件 φ 2000:密封樹脂 2001 :電接合黏著劑 2100 :膜狀構件/覆蓋膜 2200， 1503：黏著劑 3 000 :裝置 3 1 0 0 :吸收表面 3 1 1 0 :雷射測量機械 3 2 0 0 :壓低構件 # 3210:壓低表面 _ 4000 :記錄裝置主體 4 0 0 2 :電接點 5 1 〇 1 :加熱板 5 1 1 0，5 1 0 :電連接部分 5 111:密封劑 5 1 1 1 a，5 1 1 a :觸變性密封劑 5 1 1 1 b :高流動性密封劑 5 1 1 2 :帶狀自動接合 -52 - (49) 1311526 5 115: 5 120, 5 12 1： 5 122： 5 124： 晶片平板 5 2 0 :針狀物 密封蓋 密封模具 橡膠清潔器 1 1 0 7 :氣泡產生腔