TWI307526B - Supporting device and the mamufacturing method thereof, stage device and exposure device - Google Patents

Description

1307526 玖、發明說明： [發明所屬之技術領域] 本發明關於一種利用氣體支援物體的氣體室被支撑 框架所支撑之支撑裝置與其製造方法、載置台裝置以及= 於半導體積體電路和液晶顯示器等的製造之曝光裝置。 [先前技術] 一直以來’在半導體元件的製造工程之一的刻t虫工 程中，採用種種將光罩或光栅（以下稱光栅）上所形成的 電路圖案轉印於塗敷有光阻（感光劑）的晶圓或玻璃板等 基板上之曝光裝置。 ' 例如’作爲半導體元件用的曝光裝置，針對伴隨近 年來積體電路的高集成化之圖案的最小線寬（元件規 的微細化，主要採用將光栅的圖案利用投影光學系統，縮+ 轉印於晶圓上之縮小投影曝光裝置。 、’’、'、 作爲該縮小投影曝光裝置’將光栅上的圖案依次轉 印於晶圓上的多個拍攝區域（曝光區域）之步進重彳复 的靜止曝光型的縮小投影曝光裝置（所謂的遂次移動式 光裝置）、將該逐次移動式曝光裝置進行改良，如日 利早期公開之特開平8-166043號公報所寰布的，將光^ 和晶圓在一維方向同步移動並將光栅圖案轉印於^晶% 各拍攝區域之步進掃描方式的掃描曝光型的曝 謂的掃描型逐次移動式曝光裝置）已爲人所知I。

在适些縮小投影曝光裝置中，作爲載置台裝g乡θ 在地面首先設置成爲裝置的基準之基板，在其上載置通S 11702pif.d〇c/008 6 1307526 用於遮斷地面振動的防振台而支撑光栅載置台、晶圓載置 台及投影光學系統（投影透鏡）等之主體立柱。在最近的 載置台裝置中，作爲前述防振台採用一種主動防振台，包 括內壓可控制的空氣支架和音圈馬達等傳動裝置（助推裝 置），藉由根據安裝於主體立柱（主框架）的例如6個加 速度計的計測値控制前述音圈馬達等的推力而控制主體立 柱的振動。 圖15所示爲具有空氣支架之支撑裝置的一實施例。 該圖所示的支撑裝置，作爲空氣彈簧的空氣支架81 在支撑框架82上被支撑。在空氣支架δΐ中，設有檢測內 部空間83的壓力之壓力感測器84，根據壓力感測器84的 檢測結果使所定壓力的氣體從伺服閥被塡充或排出。在空 氣支架81中，設有利用隔膜86被移動自如地支撑之活塞 87，利用內部空間83的氣體’活塞87將支撑投影透鏡和 載置台等的物體88進行支撑。這樣，藉由在物體88和支 撑載置台82之間使空氣支架81作爲空氣彈簧被裝入，抑 制從支撑載置台82通過物體88向投影透鏡和載置台等傳 達的振動。 而且，在日本專利早期公開之特開平5-340444號公 報中，宣布了一種在空氣支架中設置音圈馬達之防振裝

然而，在如上述之習知技術中存在以下的問題。關 於振動抑制，是空氣彈簧的剛性越低越有利，但是由於空 氣彈簧的剛性和容積成反比的關係，所以爲了得到低剛性 11702pif.doc/008 7 1307526 的空氣彈簧需要大的容積。因此，有考慮過使空氣支架的 內部空間的容積增大，或在空氣支架上附設空氣容器，但 是任一場合都直接關係到裝置的大型化，由於裝置的投影 面積（設置面積）的限制，確保大的容積是困難的。 特別是近年來，對半導體元件的微細化和曝光處理 的高速化的要求日益高漲，爲了回應這種要求，硏究了種 種使來自設置有曝光裝置的工廠等之地面的振動、伴隨曝 光裝置內的載置台的動作之振動不被傳達到投影透鏡的方 法’但是如上所述，由於曝光裝置內之空間的限制，在增 大空氣彈簧的容積方面存在限制，有不能滿足將來變得日 益嚴格的曝光裝置的除振性能之擔憂。 而且，只憑日本專利早期公開之特開平5-340444號 公報的說明，不能將日本專利早期公開之特開平5-340444 號公報所說明的防振裝置原封不動地適用於曝光裝置等精 密裝置中。 [發明內容] 本發明的目的是提供一種考慮以上問題所形成的， 不招致裝置的大型化且具有作爲低剛性的空氣彈簧功能之 支撑裝置與其製造方法、載置台裝置以及曝光裝置。 爲了達成上述目的’本發明採用對應實施形態的圖1 至圖13之以下的構成。 本發明之支撑裝置的特徵在於：是一種包括塡充有 所定壓力的氣體並利用氣體支撑物體（PL)的第1氣體室 (61)、支撑第1 體室（61)的支撑框架（8d)之支撑 11702pif.doc/008 8 1307526 裝置（24);具有設於支撑框架（8 d)內並與第1氣體室 (61)連通之第2氣體室（63)。 因此，在本發明的支撑裝置中，除了第1氣體室（61) 的容積之外，第2氣體室（63)也成爲空氣彈簧的容積， 所以可降低作爲空氣彈簧的剛性。而且，該第2氣體室（63) 設於支援框架（8 d)內，所以可防止如使第1氣體室（61) 的容積增大或附設空氣容器之場合的裝置的大型化。 本發明之載置台裝置的特徵在於·‘是一種使載置台 主體（2、5)在定盤（3、6)上移動之載置台裝置；藉由 上述的支撑裝置（24)對定盤（3、6)進行支撑。 因此，在本發明的載置台裝置中，藉由低剛性的空 氣彈簧，可支撑由載置台主體（2、5)的移動之定盤（3、 6)造成的負載變動，也可遮斷傳向定盤（3、6)的地面 振動。 本發明之曝光裝置的特徵在於：是一種將光罩載置 台（2)所保持的光罩（R)的圖案利用投影光學系統（PL) 在基板載置台（5)所保持的感光基板（W)上進行曝光 之曝光裝置；藉由上述的支撑裝置（24)而支撑光罩載置 台（2)、投影光學系統（PL)、基板載置台（5)中的至少 一個。 因此，在本發明的曝光裝置中，藉由低剛性的空氣 彈簧，可支撑由光罩載置台（2)和基板載置台（5)的移 動之定盤（3、6)造成的負載變動，也可遮斷傳向定盤（3、 6)和投影光學系統（PL)的地面振動。 11702pif.doc/008 9 1307526 本發明之支撑裝置的製造方法的特徵在於：是〜韆 包括塡充有所定壓力的氣體並利用氣體支撑物體的 第1氣體室（61)、支撑第1氣體室（61 )的支撑框架（8d) 之支撑裝置（24)的製造方法；包括在具有空洞部（7〇) 的模（71)內設置第1型芯（72)旦設置與第1型芯（72) 和模（71)接觸的第2型芯（73)，形成支撑框架（8d) 的鑄模（71 )之步驟、在模（71 )內湊注溶解的材料之歩 驟、在澆注的材料冷却後將模（71 )及第1型芯（72)和 第2型芯（73)除去，形成可與第1氣體室（61 )連通的 第2氣體室（63)之步驟。 因此，本發明之支撑裝置的製造方法可在支撑框架 (8d)內形成與第1氣體室（61)的容積相加構成空氣彈 簧的容積之第2氣體室（63)，所以能夠降低作爲空氣彈 簧的剛性。由於該第2氣體室（63)設於支撑框架（8d) 內，所以能夠防止如使第1氣體室（61)的容積增大或附 設空氣容器之場合的裝置的大型化。 本發明之支撑裝置的特徵在於：是一種具有支撑物 體（6)的支撑面（68a)的支撑裝置（29);包括塡充有 所定壓力的氣體，利用氣體沿與支撑面（68a)正交的第1 方向支撑物體（6)之氣體室（30)、配設於氣體室（30) 中，利用電磁力沿第1方向驅動物體（6)之驅動裝置（31 )、 調整驅動裝置（31)的溫度之溫度調整裝置（丨03)。 因此，在本發明的支撑裝置中，由於驅動裝置（31 ) 配設於氣體室（30)中，所以能夠防止裝置的大型化。而 11702pif.doc/008 10 1307526 且’可使利用氣體室（30)支撑物體（6)之方向和利用 驅動裝置（31)驅動物體（6)之方向爲同軸，不在物體 (6)上施加扭轉力，也可防止產生變形等。另外，溫度 調整裝置（103)調整驅動裝置（31 )的溫度，所以物體 (6)不受驅動裝置（31)的驅動之發熱的影響。 本發明之載置台裝置的特徵在於：是一種使載置台 主體（5)在定盤（6)上移動的載置台裝置（7);藉由上 述的支撑裝置（29)對定盤（6)進行支撑。 因此，在本發明的載置台裝置中，即使在利用氣體 室（30)及驅動裝置（31)支撑由載置台主體（5)的移 動之定盤（6)造成的負載變動或遮斷地面振動之場合， 也可防止裝置的大型化，且不在定盤（6)上施加扭轉力， 也可防止產生變形等。而且，定盤主體（5)不受驅動裝 置（31)的驅動之發熱的影響。 而且，本發明之曝光裝置的特徵在於：是一種將光 罩載置台（2)所保持的光罩（R)的圖案利用投影光學系 統（PL)在基板載置台（5)所保持的感光基板（W)上 進行曝光之曝光裝置；藉由上述的支撑裝置（29)而支撑 光罩載置台（2)、投影光學系統（PL)、基板載置台（5) 中的至少一個。 因此’在本發明的曝光裝置中，即使在使光罩載置 台（2)和基板載置台（5)移動之場合，也不會在光罩載 置台（2)、基板載置台（5)、投影光學系統（PL)上施加 扭轉力’可防止產生變形等。而且，光罩載置台（2)和 11702pif.doc/008 11 1307526 基板載置台（5)不受驅動裝置（31)的驅動之發熱的影 響°所以’可不使裝置大型化而防止曝光精度的低下，也 能夠輕鬆地應付元件的微細化。 爲讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更 明顯易懂’下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作 詳細說明如下： [實施方式] 以下參照圖1至圖14說明本發明的支撑裝置與其製 造方法、載置台裝置以及曝光裝置的實施形態。 例如曝光裝置，利用一面將光栅和晶圓同步移動一 面將光栅上所形成的半導體元件的電路圖案轉印至晶圓 上’即使用掃描型逐次移動式曝光裝置之場合的例子進行 說明。而且，在該曝光裝置中，使本發明的支撑裝置適用 於通過鏡筒定盤支撑投影光學系統之防振單元。在這些圖 示中，對與作爲習知例子表示之圖15相同的構成要素， 付以相同的符號，並省略說明。 圖1所示的曝光裝置大致由利用光源（未圖示）發 出的曝光用照明光將光栅（光罩）R上的矩形（或圓弧形） 的照明區域以均勻的照度進行照明之照明光學系統IU、包 括保持光栅R進行移動的光栅載置台（光罩載置台）2及 支撑該光栅載置台2的光栅定盤3之載置台裝置4、將從 光栅R射出的照明光投影至晶圓（基板、感光基板）W上 之投影光學系統PL、包括保持晶圓W進行移動的晶圓載 置台（基板載置台）5及保持該晶圓載置台5的晶圓定盤 11702pif.doc/008 12 l3〇7526 6之載置台裝置7、支撑上述載置台裝置4及作爲物體的 投影光學系統PL之反作用框架8構成。另外，設投影光 學系統PL的光軸方向爲Z方向，與該z方向正交的方向 即光栅R和晶圓W的同步移動方向爲γ方向，非同步移 動方向爲X方向。設各個軸周圍的旋轉方向爲6)2、θ γ、 θ X方向。 ”、、 照明先學系統IU藉由固定於反作用框架8的上面之 支撑立柱9被支撑。另外，作用曝光用照明光，可使用例 如從超高壓水銀燈射出的紫外線域的射線線、i線） 及KrF準分子鐳射光（波長248nm)等遠紫外線光（DUV 光）、ArF準分子鐳射光（波長i93nm)及F2鐳射光（波 長157 nm)等真空紫外線光（VUV)等。 反作用框架8被設置於在地面上水平載置的基板1〇 i ’在其上部側及下部側分別形成有向內側突出之階梯部 8a及8b。該反作用框架8可採用一體式結構形成，但是 爲了製造上的方便，可分割形成爲上部支撑框架8c和下 部支撑框架（支撑框架）8d之後再進行一體化。 在載置台裝置4中，光栅定盤3在各角部通過防振 單元11被反作用框架8的階梯部8a大致水平支撑（關於 紙面內側的防振單元不作圖示），在其中央部形成有使光 栅R上所形成的圖案像通過之孔徑3a。作爲光栅定盤3 的材料可使用金屬和陶瓷。防振單元11採用使內壓可調 整的空氣支架.12和音圈馬達13在階梯部8a串聯配置之 構成。利用這些防振單元U，通過基板1〇及反作用框架 11702pif_doc/008 13 1307526 8 ’使向光栅定盤3傳達的微振動在微G級被絕緣（G爲 重力加速度）。 在光栅定盤3上支撑有光栅載置台2，其可沿該光栅 定盤3作2維移動。在光栅載置台2的底面，固定有複數 個空氣軸承（氣墊）I4,光栅載置台2利用這些空氣軸承 Η在光栅定盤3上通過數微米程度的間隙被浮起支撑。而 且’在光栅載置台2的中央部’形成有與光栅定盤3的孔 徑3a連通、使光栅R的圖案像通過之孔徑2a。 關於光栅載置台2做詳細說明，如圖2所示，光栅 載置台2採用具有光栅粗動載置台16和光栅微動載置台18 之構成，其中光栅粗動載置台16在光栅定盤3上利用一 對Y軸線性馬達15、15沿Y軸方向以所定衝程被驅動’ 光栅微動載置台18在該光栅粗動載置台16上利用一對X 軸音圏馬達ΠΧ和一對Y軸音圈馬達17Y沿X、Y、0 Z 方向被微小驅動（在圖1中，將這些作爲一個載置台而圖 示）。 各Y軸線性馬達15由固定元件20和活動元件21構 成，其中固定元件20沿在光栅定盤3上利用非接觸軸承 即多個空氣軸承（氣墊）19被浮起支撑之Y軸方向伸展， 可動元件21與該固定元件20對應設置且通過連結構件22 被固定於光栅粗動載置台16。所以’利用動量保存的法則， 依據光栅觀載置台16之+Y方向的麵，固定元件2〇 沿-Υ方向賴。藉由該m定雜2G _動可抵消伴隨光 籠動載置台16祕動之反卵力’且可防止、位置 U702pif.doc/008 14 1307526 的變化。 另外，固定元件20也可不設於光栅定盤3上，而改 設於反作用框架8上。在將固定元件2〇設於反作用框架8 之場合，既可省略空氣軸承19，將固定元件20固定於反 作用框架8上，藉由光栅粗動載置台16的移動而使作用 於固定元件20的反作用力通過反作用框架8向地面釋放， 也可利用前述之動量保存的法則。 光栅粗動載置台16被固定於在光栅定盤3的中央部 所形成的上部突出部3b的上面’利用在Y軸方向延伸的 一對γ軸導向裝置51、51而沿Y軸方向被引導。而且， 光栅粗動載置台16對這些Y軸導向裝置51、51，利用未 圖示的空氣軸承而被非接觸支撑。 在光栅微動載置台18上，通過真空卡盤18a使光栅 R被吸附保持。在光栅微動載置台18的-γ方向的末端’ 固定有一對由直角棱鏡構成的Y軸移動鏡52a、52b，在 光栅微動載置台18的+X方向的末端’固定有由沿Y軸方 向延伸的平面鏡構成的X軸移動鏡53。而且’藉由向這 些移動鏡52a、52b、53照射測長光束的3個鐳射干涉儀 (都未圖示）對與各移動鏡之距離的計測’可高精度地計 測光栅載置台2的X、Y、6>Z (Z軸周圍的旋轉）方向的 位置。作爲光栅微動載置台18的材質，可使用金屬和由 堇青石（cordierite)或SiC構成的陶瓷。 返回圖1，作爲投影光學系統，此處使用物體面（光 栅R)側和像面（晶圓W)側的兩方在遠心具有圓形的投 11702pif.doc/008 15 1307526 影視野’且由以石英和螢石作爲光_玻璃材料的折射光學 元件（透鏡元件）構成之1/4 (或1/5)縮小倍率的折射光 學系統。所以，當照明光照射光栅R時，在光栅r上的電 路圖案中，來自被照明光照明之部分的成像光束入射投影 光學系統PL’其電路圖案的部分倒立像在投影光學系統pL 的像面側之圓形視野的中央，被以縫隙（slit)狀限制成像。 藉此，被投影之電路圖案的部分倒立像，被縮小轉印於在 投影光學系統PL的成像面所配置之晶圓w上的複數個拍 攝區域中的1個拍攝區域表面之光阻層。 在投影光學系統PL的鏡筒部的外周，設有與該鏡筒 部一體化的凸緣23。投影光學系統PL在藉由於反作用框 架8的階梯部8b通過作爲支撑裝置的防振單元24被大致 水平支撑之鑄造件等所構成的鏡筒定盤25上，以光軸方 向爲Z方向被從上方插入且使凸緣23結合。而且，作爲 鏡筒定盤25，也可使用高剛性.低熱膨脹的陶瓷材料。 作爲凸緣23的原料’可使用低熱膨脹的材質例如殷 鋼（Invar ;由鎳36%、錳0.25%及含有微量的碳和其他元 素的鐵構成之低膨膜的合金）。該凸緣2 3構成將投影光學 系統PL對鏡筒定盤25通過點、面、溝以3點支撑，即所 謂的活動（kinematic )支撑支架。當採用這種活動 (kinematic)支撑構造時’具有投影光學系統pL對鏡筒 定盤25的組裝容易，且可最有效地喊輕由於組裝後的鏡 筒定盤2 5及投影光學系統P L的振動、濕度變化等而產生 的應力之優點。 l】702pif.doc/008 16 1307526 防振單元24配置於三角形的頂點部分（關於紙面內 側的防振單元不作圖示）’採用使內壓可調整的空氣支架26 和音圈馬達27在階梯部8b上串聯配置之構成。利用這& 防振單元24，通過基板1〇及反作用框架8使向鏡筒定般 25 (進而爲投影光學系統PL)傳達的微振動在微G (Gg 重力加速度）級被絕緣。後面將對防振單元24作詳，細說 明。 ° 由圖1可知，載置台裝置7從載置台裝置4和投影 光學系統PL分離而被設於基板10上。載置台裝置7的主 體構成包括晶圓載置台5、支撑該晶圓載置台5可沿χγ 平面作2維方向移動之晶圓定盤6、吸附保持與晶圓載置 台5 —體設置的晶圓W之試料台ST、相對移動自如地支 撑這些晶圓載置台5及試料台ST之X軸導桿Xg。在晶 圓載置台5的底面，固定有非接觸軸承即複數個空氣軸承 (氣墊）28，藉由這些空氣軸承28，晶圓載置台5在晶圓 定盤6上通過例如數微米程度的間隙被浮起支撑。 晶圓定盤6在基板10的上方，通過配置於三角形的 頂點之防振單元29 (關於紙面內側的防振單元不作圖示） 被大致水平支撑。防振單元29採用使內壓可調整的空氣 支架30和對晶圓定盤6付與推力的音圈馬達31在基板1〇 上並列配置之構成。利用這些防振單元29，通過基板1〇 使向晶圓定盤6傳達的微振動在微G級（G爲重力加速度） 被絕緣。 . 在晶圓載置台5的上面，通過晶圓架41使晶圓W藉 11702pif.doc/00S 17 1307526 由真空吸附等被固定（參照圖1，在圖3中省略圖示）。而 且，晶圓載置台5的X方向的位置，將固定於投影光學系 統PL的鏡筒下端之參照鏡42作爲基準，利用對固定於晶 圓載置台5的一部分之移動鏡43的位置變化進行計測的 鐳射干涉儀44，以所定的解析度例如0.5~lnm程度的解析 度被即時計測。利用與上述參照鏡42、移動鏡43、鐳射 干涉儀44大致正交配置之未圖示的參照鏡、鐳射干涉儀 及移動鏡48 (參照圖3)，使晶圓載置台5的Y方向的位 置被計測。而且，在這些鐳射干涉儀中，至少有一方爲具 有2軸以上的測長軸之多軸干涉儀，根據這些鐳射干涉儀 的計測値，不只是晶圓載置台5 (進而爲晶圓W)的XY 位置，也可再求β旋轉量或在這些基礎上的調整量。 在投影光學系統PL的凸緣23上，3個鐳射干涉儀45 於不同的3處位置，作爲用於檢測與晶圓定盤6在Ζ方向 的相對位置之檢測裝置被固定（但是在圖1及後述的圖12 中，以這些鐳射干涉儀中的1個爲代表表示）。在與各鐳 射干涉儀45對向之鏡筒定盤25的部分，分別形成有孔徑 25a，通過這些孔徑25a使來自各鐳射干涉儀45之Ζ方向 的鐳射光束（測長光束）向晶圓定盤6照射。在晶圓定盤 6的上面之各測長光束的對向位置分別形成有反射面。所 以’利用上述3個鐳射干涉儀45，使晶圓定盤6上之不同 的3點的Z方向位置以凸緣23爲基準被分別計測（圖12 所示爲測長光求通過晶圓載置台5的觀察者一側之狀態）。 而且’也可設置在晶圓載置台5的上面形成反射面，將該 11702pif.doc/008 1307526 反射面上之不同的3點的Z方向位置以投影光學系統pL 或凸緣23爲基準進行計測之干涉儀。 而且，在上述光栅定盤3 '晶圓定盤6、鏡筒定盤25 上’分別安裝有計測各定盤的Z方向的振動之3個振動感 測器（例如加速度計；未圖示）、計測XY面內方向的振 動之3個振動感測器（例如加速度計；未圖示）。後者之 振動感測器中的2個，是計測各定盤的γ方向的振動的， 剩下的振動感測器是計測X方向的振動的（以下爲了方 便’將這些振動感測器稱爲振動感測器群）。而且，根據 這些振動感測器群的計測値，可分別求光栅定盤3、晶圓 定盤6、鏡筒定盤25之6自由度（Χ、Υ、Ζ、ΘΧ、ΘΥ、 θ Ζ)的振動。 如圖3所示，X軸導桿XG呈沿X方向的長方形， 在其長度方向的兩末端分別設有由電樞單元構成的可動元 件36、36 (在圖3中只圖示有1個）。具有與這些可動元 件36、36對應的磁鐵單元之固定元件37、37，通過氣墊 54被設置於在基板10上所突設的側面定盤32、32上。而 且’利用這些可動元件36及固定元件37構成可動線圈型 的線性馬達33、33，可動元件36基於與固定元件37之間 的電磁相互作用而被驅動，所以X軸導桿XG沿Y方向移 動的同時’也藉由對線性馬達33、33之驅動的調整而在 Θ Z方向旋轉移動。 即’藉由該線性馬達33，與X軸導桿XG大致成一 體之晶圓載置台5 (及試料台ST，以下單稱爲晶圓載置台 11702pif.doc/008 19 1307526 5)沿Y方向及0 Z方向被驅動。晶圓載置台5爲不具有 用於Y方向的移動之導向構件的無導向載置台，而關於載 置台5的X方向的移動，也可酌情採用無導向載置台。 固定元件37、37，在與晶圓定盤6 (振動的）相獨 立地設置於晶圓定盤6的X方向兩側之側面定盤32、32 上，通過具有沿Y方向的導向機構之氣墊54，可分別在 Y方向移動自如地被分別浮起支撑。所以，藉由動量保存 的法則，依據晶圓載置台5在例如+Y方向的移動，固定 元件37沿-Y方向移動。換言之，固定元件37起到了反質 量（counter mass)的作用，藉由其移動可抵消伴隨晶圓 載置台5的移動之反作用力且防止重心位置的變化。 而且，在配置於+X側（圖3中爲左側）的固定元件 37上形成有傾斜面（但是，在圖1中爲了方便而圖示爲同 一形狀）’爲了不在與X軸導桿XG和可動元件36所連接 之氣體用配管、冷媒用配管、電力配線及信號供給用的系 統配線等各種資源供給電纜等上產生應力集中（而能緩和 應力集中）。 晶圓載置台5通過由與X軸導桿XG之間在Z方向 維持所定量的間隙之磁鐵及傳動裝置構成的磁導向裝置， 使X軸導桿XG沿X方向相對移動自如地被非接觸支撑. 保持。而且，晶圓載置台5藉由具有埋設於X軸導桿XG 之固定兀件35a的X軸線性馬達35之電磁相互作用，沿 X方向被驅動.。X軸線性馬達的可動元件未作圖示，但是 在晶圓載置台5上有安裝。 11702pif.doc/008 20 1307526 而且，如圖4所示，在X軸導桿XG的·χ方向側安 裝有由音圈馬達構成的X軸配平馬達34的可動元件Ma。 X軸配平馬達34裝於作爲X軸線性馬達35的固定元件之 X軸導桿XG和反作用框架8之間，其固定元件3外設於 反作用框架8上。所以，將晶圓載置台5在X方向驅動時 的反作用力，藉由X軸配平馬達34被向反作用框架8傳 達，再通過反作用框架8向基板10傳達，藉此可防止振 動向疋盤6的傳達。還有，實際上χ軸配平馬達34配置 於夾持線性馬達33之Z方向兩側，但是在圖4中爲了方 便’只圖示有+Z側的X軸配平馬達34。 在固定元件37上，具備有根據晶圓載置台5的移動 時的動量而修正該固定元件的動量之配平馬達（未圖示）。 該配平馬達由例如在固定元件37的Y側末端沿γ方向延 長設置之圓柱形的移動元件、在Y方向驅動移動元件之固 定元件所形成的軸承馬達而構成。而且，如圖5所示，在 晶圓載置台5沿X方向及Y方向的兩個方向移動之場合， 和從與X軸導桿XG的中央部偏離的位置開始移動之場 合，左右的固定元件37藉由其推力分配而分別產生不同 的位移，或藉由可動元件36和固定元件37的轉合，在它 們相對移動之際作用以欲使其停留於原位置的力，届時固 定元件37向不同於應移動的位置之位置移動。所以，形 成一種藉由根據晶圓載置台5之移動時的動量而驅動配平 馬達’可修正其移動量（動量）以使固定元件37到達所 定的位置之構成。 11702pif.doc/008 21 1307526 圖6所示爲防振單元24的槪略構成圖。防振單元24 的主體構成包括塡充有所定壓力的空氣（氣體）且利用該 空氣（的壓力）通過鏡筒定盤25支撑投影光學系統？乙之 空氣支架26、在空氣支架26支撑投影光學系統pL的z 方向以電磁力驅動投影光學系統PL之音圈馬達（驅動裝 置）27 。 $ 空氣支架26大致由被支撑於下部支撑框架之上 的第1氣室（第1氣體室）61、與第1氣室61由配管（連 接部）62連接貫通之第2氣室（第2氣體室）63、檢測第 1氣室61的內部空間83的氣壓之壓力感測器（檢測裝置） 84、接續於對內部空間83進行加壓.减壓之未圖示的氣 壓調整裝置，對其加壓.减壓進行切換之伺服閥85、根據 壓力感測器84的檢測結果而控制伺服閥85之控制裝置8〇 構成。 第1氣室61包括活塞87和隔膜86，其中活塞87依 據內部空間83的氣壓，通過垂設於鏡筒定盤25的框架 而在Z方向支撑鏡筒定盤25 (投影光學系統PL)，隔膜％ 對弟1氣室61將活塞87在Z方向移動自如地支撑。 第2氣室63藉由設於下部支撑框架8d的凹部63a， 63a、貫通這些凹部63a，63a之間的貫通部63b形成。該 第2氣室63通過形成於下部支撑框架8(1之導入口 63d及 配管62，與第1氣室61的內部空間83連通。 下面關於下部支援框架8d進行說明。 該下部支撑框架8d作爲由鑄造形成的鑄造件，如圖 11702pif.doc/008 22 1307526 7所示，形成爲由框部65a及脚部65b構成的被爐狀，框 部65a及脚部65b在不招致强度低下的範圍內分別形成有 複數個减重部（凹部）65c。作爲下部支撑框架8d的材料， 可使用上述的殷鋼與灰口鑄鐵（FC)、延性鑄鐵（FCD) 等鑄鐵以及不銹鋼等。 而且，第2氣室63是將這些减重部65c之中與空氣 支架26的配置對應的部分作爲凹部63a酌情選擇，同時 選擇與第1氣室61的內部空間83的容積之比相對應的數 目，且在所選擇的凹部63a間形成貫通部63b。 在下部支撑框架8d上，有伴隨鑄造成形產生氣孔（所 謂的孔穴）之可能性，所以在本實施形態中作爲第2氣室 63被選擇的凹部63a (减重部65c)及貫通部63b的表面’ 藉由烘烤等手法塗敷有塡補氣孔而防止氣體漏出之表面處 理材料63e ° 這裏，空氣支架26的作爲空氣彈簧的彈簧常數K由 下式表示。 K= ( r X Pax A2) /( V+Vs) . · · (1) T :多變指數、Pa:內壓、A:有效受壓面積 V:第1氣室容積、Va:第2氣室容積 由式（1)可知，空氣彈簧的彈簧常數K與容積成反 比，藉由具有大的容積而成低剛性的彈簧。而且，當使第 1氣室61的容積一定時，彈簧常數κ與第2氣室63的容 積對第1氣室61的容積之比成反比。 11702pif.doc/008 23 1307526 圖8所示爲第2氣體室63對’第1氣體室61的容積 之容積比和彈簧常數的關係。由該圖可知，隨著容積比@ 增大，彈簧常數也變小，作爲空氣彈簧的剛性變低’但是 當容積比超過5時，與第2氣室63的容積增加部分相比’ 彈簧常數的减少部分變得微小，對降低剛性的效果變少° 反之，在小容積比的範圍內，與第2氣室63的容積增加 部分相比，彈簧常數的减少部分大，對降低剛性的效果大’ 但是當容積比小於1時彈簧定數的絕對値變大，會超出作 爲空氣彈簧所容許的剛性。所以，在本實施形態中’將第 2氣室63的容積設定在第1氣室61的容積之1〜5倍的範 圔內。 另一方面，在配管62中設置有吸收該配管62中氣 體的振動之振動吸收板（振動吸收裝置）66。振動吸收板 66如圖9所示，在圓板上形成有複數個貫通孔66a。這裏’ 配管62中氣體的振動頻率f由下式表示。 [數 1] f = c/2Tt」S/(LxV) -.-(2) c :音速、S :配管斷面積、L :配管長度、V : 空氣彈簧容積 而且，振動吸收板66的貫通孔66a根據式（2)求配 管62中振動的峰値之頻帶’並使該頻帶被設定於可减幅 (down peak)的孔徑，從而起到了阻尼孔（orifice)的作用。 返回圖6，音圈馬達27利用電磁力沿Z方向驅動投 影光學系統PL·，在突設於下部支撑框架8d的框架8e和 鏡筒定盤25之間，與空氣支架26獨立且並行地配設。 11702pif.doc/008 24 1307526 下面，利用圖10所示的流程圖說明製造上述的下部 支撑框架Sd之程式。 首先’在岁驟S1中，利用木材和金屬等製作與下部 支撑框架8d同等形狀的模型。此時，模型的大小應考慮 鑄造件的收縮，製作得多少大一點爲佳。 接著’在歩驟S2中，藉由以砂等塡塞製作的模型周 圍後再除去模型，如圖11所示，形成模型（即下部支撑 框架8d)的鑄造件之部分造型出作爲空洞部70的鑄模 (模）7卜 然後，在步驟S3中，設置用於對鑄模71形成减重 部65c (即凹部63a)的型芯（第1型芯）72，且將用於 形成在鑄造後除去型芯72時所用的孔部之型芯（第2型 芯）73，與型芯72和鑄模71接觸設置。而且，在以下的 說明中，將只提及複數個减重部65c中作爲第2氣室63 被使用的部分。 這些型芯72、73成對設置，但是爲了確保作爲鑄造 件的强度，彼此相隔所定的間隙配置。而且，藉由第2氣 室63的容積設定，在作爲第2氣室63使用的複數個凹部 63a中，將用於形成貫通部63b的型芯（第3型芯）74設 置於鄰接的型芯72、72間的間隙中。 另一方面，在步驟S4中，在鑄模造型的同時（或鑄 模造型後），將成爲鑄造件的材料（鑄鐵等）熔解，並在 步驟S5中從鑄模71的澆口（未圖示）將熔融金屬向鑄模 71內的空洞部70中澆注。然後將鑄模71冷却（步驟S6) 11702pif.doc/008 25 1307526 並使鑄造件固化後，除去鑄模71及型芯72~74(步驟S7)。 此時，型芯72通過藉由除去型芯73形成爲鑄造件的孔部 而除去’型芯74通過藉由除去型芯72、73形成爲鑄造件 的孔部而除去。藉此，得到具有凹部63a及貫通部63b之 下部支撑框架8d。 但是，該狀態的下部支撑框架8d的鑄造件，藉由型 芯73所形成的孔部的存在而使全部的凹部63a對外部開 放。所以，在複數個孔部中，除了成爲與配管62連接的 導入口 63d之孔部（圖11中由左端的型芯73所形成的孔 部）以外，將其他的進行閉塞（步驟S8)。作爲該閉塞方 法，可採用例如在鑄造件的外面安裝蓋體之方法等。接著， 在步驟S9中’在作爲第2氣室63所用的凹部63a及貫通 部63b的表面塗敷表面處理材料63e (參照圖6)。藉此形 成具有第2氣室63之下部支撑框架8d。 而且’藉由將該下部支撑框架8d和上部支撑框架8c 進行結合，可形成反作用框架8。在空氣支架26中，藉由 在下部支撑框架8d上設置第1氣室61且利用配管62將 第1氣室61和第2氣室63連接，可使第1氣室61的內 部空間83和桌2氣室63的凹部63a連通，得到將雙方的 容積合計之容積的空氣彈簧。 下面，關於防振單元24的動作進行說明。 在光栅載置台2和晶圓龍台5贿麵時， 饋的方式娜_5 U、29給予麵_熟載置台的 移動之重心變化影響的反力，並驅動空氣支架12、及 11702pif.doc/008 26 1307526 音圈馬達13、31以使該力產生。而且，由於各載置台2、 5和定盤3、6的摩擦不爲零等原因，即使在定盤3、6的 6自由度方向有微小振動的殘留之場合，也要對空氣支架 12、30及音圈馬達13、31進行反饋控制以除去上述殘留 振動。當藉由上述載置台2、5的移動和防振單元11、29 的驅動’對下部支撑框架8d也有偏負載和殘留振動作用 時，要控制·驅動防振單元24。 具體地說’當防振單元24的應負擔之重量增加時， 在空氣支架26 ’控制裝置80 —面監視壓力感測器84的檢 測結果一面將伺服閥85切換至空氣供給側。藉此，可使 所定壓力（例如10kPa)的空氣由氣壓調整裝置通過伺服 閥85塡充入第1氣室61的內部空間83中，且使通過活 塞87及框架支撑鏡筒定盤25 (投影光學系統PL)時 的支撑力增加。 而且’呈重重增加至由空氣支架26的支撑力已不足 以支撑時，藉由驅動音圈馬達27給鏡筒定盤25以推力， 可負擔不足的支撑力。關於鏡筒定盤25的殘留振動，根 據振動感測器群的檢測結果，藉由與重心變化時同樣地驅 動空氣支架26及音圈馬達27而有效地將殘留振動制振， 並通過下部支撑框架8d將向鏡筒定盤25 (投影光學系統 PL)傳達的微振動在微G (G爲重力加速度）級絕^^當 防振單元24應負擔之重量减少’將空氣支架26內的壓= 减壓時，將伺服閥Μ切換至空氣排出側，從內部空間83 排出空氣。 11702pif.doc/008 27 1307526 在將上述的殘留振動制振時，空氣支架26的作爲空 氣彈簧的容積由第1氣室61的容積及第2氣室63的容積 形成’使得彈簧常數變小，所以起到了低剛性的空氣彈簧 的作用。而且，在空氣支架26的振動吸收板66中，由於 貫通孔66a起到了阻尼孔部的作用，所以使配管62中的 空氣的振動峰値衰减而使其不良影響非常得小。 下面關於曝光裝置1中的曝光動作進行說明。 這裏要預先設定各種曝光條件以便用適當曝光量（目 標曝光量）掃描曝光晶圓W上的拍攝區域。然後，進行 利用都未圖不的光栅顯微鏡及偏軸（off axis) ·調正感測 器等之光栅調正、基線計測等準備作業，之後完成利用調 正感測器之晶圓W的精細調正（EGA ;增强式.整體調 正等），並求晶圓W上的複數個拍攝區域的排列座標。 當完成用於晶圓W的曝光的準備動作時，一面根據 調正結果監視鐳射干涉儀44的計測値，一面控制線性馬 達33、35在用於晶圓W的第1拍攝的曝光之掃描開始位 置移動晶圓載置台5。然後，通過線性馬達w、33開始光 栅載置台2和晶圓載置台5在Y方向的掃描，並在兩載置 台2、5達到各自的目標掃描速度時，利用來自照明光學 系統IU的曝光用照明光，以均勻的照度對光栅R上之所 定的矩形的照明區域進行照明。對該照明區域，光栅R沿 Y方向被掃描’與此同步，關於該照明區域和投影光學系 統PL，對共軛的曝光區域掃描晶圓W。 然後，透過光栅R的圖案區域之照明光藉由投影光 11702pif.doc/008 28 1307526 學系統PL被縮小至1/5倍或1/4倍’，並照射至塗敷有光阻 的晶圓W上。然後，在晶圓w上的曝光區域，光栅R的 圖案被依次轉印’由1次掃描而使光罩R上之圖案區域的 全部被轉印至晶圓W上的拍攝區域。在該掃描曝光時， 通過線性馬達15、33同步控制光栅載置台2及晶圓載置 台5 ’以使光栅載置台2在Y方向的移動速度和晶圓載置 台5在Y方向的移動速度被維持爲與投影光學系統Pl的 投影倍率（I/5倍或1/4倍）對應的速度比。 光栅載置台2在掃描方向之加减速時的反作用力， 藉由固定元件20的移動被吸收，載置台裝置4之重心的 位置實際上被固定於Y方向。而且，由於光栅載置台2、 固定元件20、光栅定盤3這3者間的摩擦爲零，或光栅載 置台2和固定元件20的移動方向稍有不同等原因，在光 栅定盤3的6自由度方向殘留有微少振動之場合，對空氣 支架12及音圈馬達13進行反饋控制以除去上述殘留振 動。在鏡筒定盤25中，如上所述，即使基於光栅載置台2、 晶圓載置台5的移動產生微振動，藉由求取6自由度方向 的振動並對空氣支架26及音圈馬達27進行反饋控制可消 除該微振動，使鏡筒定盤25 (投影光學系統PL)穩定地 維持於安定的位置。 如上所述’在本實施形態中，由於與第1氣室61連 接的第2氣室63被設於下部支撑框架8d中’所以把夠不 使裝置大型化而得到容積大、低剛性的空氣彈簧。而且’ 在本實施形態中，藉由根據第1氣室61的容積而設定第2 11702pif.doc/008 29 1307526 氣室63的容積，使得到作爲空氣#簧所容許的剛性且與 容積增加相稱的剛性降低之適當的容積設定成爲可能。另 外’在本實施形態中’由於設置了具有阻尼孔部的振動吸 收板66 ’所以能夠輕鬆地將配管62中的空氣的振動進行 衰减，也可抑制起因於共振等、空氣的振動之不良的影響。 而且’在本實施形態中，將形成於下部支撑框架8d 的减重部作爲第2氣室63使用，所以可减少用於形成第2 氣室63之工時。而且’藉由在複數個凹部63a間形成貫 通部63b，可調整第2氣室63的容積，所以作爲空氣彈簧 能夠輕鬆地實施最佳的容積形成。在本實施形態中，在第 2氣室63的表面塗敷有表面處理材料63e，所以可防止氣 體從第2氣室63漏出’並可防止作爲空氣彈簧的機能下 降。 還有，在上述實施的形態中，在構成上是採用框架 的凹部作爲第2氣室63，但是也可採用在框架內埋設形成 第2氣室的輔助容器之構成。此時’由於不需要考慮伴隨 鑄造產生的氣孔，所以無需進行用於防止氣體漏出的表面 處理，可减少關於框架製造的工時。而且，雖然在上述實 施的形態中，採用只在第1氣室61中設置壓力感測器84 及伺服閥85之構成，但是並不限定於此，也可採用只在 第2氣室63中設置之構成，或在第1、第2氣室雙方中進 行設置之構成。 而且，在上述實施的形態中，是將本發明的支撑裝 置作爲適用於通過鏡筒定盤25支撑投影光學系統之防 11702pif.doc/008 30 1307526 振單元的裝置進行說明的，但是並木限定於此，也可適用 於支撑光栅載置台2的防振單元η和支撑晶圓載置台$ 的防振單元29 ’此時可得到具有低剛性的空氣彈簧之小型 的載置台裝置。在上述實施的形態中，採用將本發明的支 撑裝置適用於曝光裝置丨之構成，但是除了曝光裝置以外， 也可適用於轉印光罩的描繪裝置、光罩圖案的位置座標測 定裝置等精密測定儀器。 ~ 以下，參照圖12說明本發明的支援裝置與載置台裝 置以及曝光類的第2實麵。丽，在第2實施例的曝 光裝置中’將本發明的載置台裝置適用於晶圓載置台，還 將本發麵支難㈣職支撑晶圓賴台的定盤之防振 單元。 除了圖12的曝光裝置的防振單元29如圖13所示在 空氣支架30中設置有音圏馬達％這一點之外，圖12的 曝光裝置1與Η 1的曝光雖i大致翻—賊，關於相 同構成的部分省略說明。 定盤6在基板1〇的上方，通過配置於三角形的頂點 之3個防振單元（支撑裝置）29被大致水平支撑。圖13 所示爲防振單元的槪略構成圖。防振單元29塡充有所定 壓力的空氣（氣體）’其主體構成包括利用該空氣支撑晶 圓定盤6的空氣支架（氣體室）％、配設於該空氣支架3〇 內的音圈馬達（驅動裝置）3 1。 空氣支架.30大致由設置於基板1〇上，由鋁、不銹 剛等化學淸洗對應材料形成的基座（壁構件）91、利用裝 II702pif.doc/008 31 1307526 配螺釘等可拆卸式的固定於基座9Γ上，且在與基座91之 間裝入有〇型環（密封構件）使內部空間96保持氣密之 主體部92、檢測內部空間96的氣壓之壓力感測器93、與 對內部空間96進行加壓·减壓的未圖示的氣壓調整裝置 相連接，切換其加壓·减壓之伺服閥94、根據壓力感測器 93的檢測結果而控制伺服閥94之控制裝置107構成。主 體部92由立設於基座91上之外壁97、具有支撑定盤6的 支撑面98a且在與該支撑面98a正交的Z方向（第1方向） 上支撑定盤6之可動元件98、裝入於外壁97和可動元件 98之間，將可動元件98對外壁97沿Z方向移動自如地 支撑之隔膜（支撑構件）99構成。 音圈馬達31利用電磁力在Z方向驅動晶圓定盤6， 其構成包括突設於基座91的由線圈構成的固定元件100、 對固定元件1〇〇沿Z方向移動的由不銹剛等形成的可動元 件101。該可動元件101與空氣支架30的可動元件98利 用裝配螺釘等連接裝置102預先構成（形成）爲一體，在 本第2實施例中藉由永久磁鐵構成。另外，連接裝置102 的頭部與可動元件101結合，螺釘部螺合在可動元件98 上，但是在可動元件98中，與螺釘部螺合的陰螺紋部爲 了不使內部空間96的空氣溢出，並不貫通上部側（晶圓 定盤6側）而形成。而且，內部空間96的容積由於內置 有音圏馬達31，所以要考慮該音圏馬達31的體積而設定。 而且，音圈馬達藉由驅動而發熱，所以附設有溫度 調整用的、利用冷媒（溫度調整用媒體）的流動而調整音 11702pif.doc/008 32 1307526 圈馬達31的溫度之溫度調整裝置103。在基座91設有用 於使冷媒流動的流道1〇4，該冷媒由與外壁97分離之基座 91的側面91a經流道104導入·排出。作爲冷却媒體可使 用HFE (氫氟乙醚hydrofluoroether )和全氟化物 (fluorinert)，但是在本實施形態中爲了使地球溫暖化係數 低且臭氧破壞係數爲0,從地球環境保護的觀點出發而使 用 HFE。 在基座91上設有用於向音圏馬達31提供電力、驅 動信號等資源之資源供給線（資源供給線路）105。而且， 在基座91的側面91a，安裝有用於使這些資源供給線1〇5 與外部線連接的終端台106。 下面，在如上所述之構成的曝光裝置中，首先關於 載置台裝置7的動作進行說明。 在晶圓載置台5藉由線性馬達33、35的驅動而移動 時，根據鐳射干涉儀44等的計測値，由前饋的方式對防 振單元29給予消除伴隨著載置台5的移動之重心變化影 響的反力（counter force)，並驅動空氣支架30及音圈馬 達31以使該力產生。而且，由於晶圓載置台5和晶圓定 盤6的摩擦不爲零等原因，即使在定盤6的6自由度方向 有微小振動的殘留之場合，也要對空氣支架30及音圈馬 達31進行反饋控制以除去上述殘留振動。 具體地說，當藉由晶圓載置台5的移動而使防振單 元29的應負擔之重量增加時，在空氣支架30，控制裝置 107 —面監視壓力感測器93的檢測結果一面將伺服閥94 11702pif.doc/008 33 1307526 切換至空氣供給側。藉此，可使所定壓力（例如l〇kpa) 的空氣由氣壓調整裝置通過伺服閥94塡充入內部空間96 中’且使通過可動元件98支撑晶圓定盤6時的支撑力增 加。而且，當重量增加至由空氣支架30的支撑力已不足 以支撑時’藉由驅動音圏馬達31，通過可動元件1〇1 (及 可動元件98)給晶圓定盤26以推力，可負擔不足的支撑 力。關於晶圓定盤6的殘留振動’根據振動感測器群的檢 測結果，藉由與重心變化時同樣地驅動空氣支架3 0及音 圈馬達31而有效地將殘留振動制振，並通過基板BP將向 晶圓定盤6傳達的微振動在微G (G爲重力加速度）級絕 緣。 藉由空氣支架30的驅動及音圏馬達31的驅動而被 付與晶圓定盤6的力，由於是來自形成爲一體的可動元件 98及可動元件1〇1，所以與從多複數個位置給晶圓定盤6 以力的作用之場合相比，可實施安定的推力提供及支撑， 同時也可實現控制性能的提高。 而且，雖然在驅動上述音圈馬達31時產生熱量，但 是由於利用溫度調整裝置103被溫度調整之冷媒在由線圈 構成的固定元件100的流道104中流動，所以藉由熱交換 而使熱量被吸收。由音圈馬達產生的熱量被封止於內部空 間96中’所以可使來自防振單元29的發熱减少。而且， 當藉由晶圓載置台5的移動而使防振單元29的應負擔的 重量减輕並使空氣支架30內的壓力减壓時，將伺服閥94 切換至空氣排出側而使空氣從內部空間96排出，但是這 11702pif.doc/008 34 1307526 就將藉由音圈馬達31的驅動所產g之熱量而溫度上升的 空氣排出，承擔了音圏馬達31的冷却的一部分任務。 冷媒流動用的流道104開口於與空氣支架主體部％ 的外壁97分離之側面91a上，所以無需在外壁π上實施 密封處理。同樣’資源供給線1〇5也從側面91a被導入至 基座91 ’所以無需如使外壁97貫通之場合那樣，進行防 止空氣溢出用的密封處理。另外，用於與資源供給線1〇5 連接的終端台106也安裝於側面91a並向外部露出，所以 把夠輕鬆地實施維護以及資源供給線1〇6和外部裝置的連 接作業。 這樣，在本實施的形態中，由於音圈馬達31配設於 空氣支架30內，所以可使對晶圓定盤6之支撑方向及驅 動方向爲同軸’不在晶圓定盤6上加以扭轉力，能夠一面 維持不產生變形的狀態一面防止曝光裝置的大型化。因 此，在本實施形態中，能夠一面回避裝置的大型化，一面 防止曝光精度的下降而對應元件的微細化。而且，在本實 施的形態中，藉由將音圈馬達31配設於空氣支架30內， 可將音圈馬達31所產生的熱量封止於內部空間96中，所 以能夠抑制給防振單元29的外部之熱的不良影響，且在 排出內部空間96的空氣時，可使由音圏馬達31的驅動所 產生之熱量也一並排出，實現冷却效率的提高。 在本實施的形態中，支撑晶圓定盤6的可動元件98 和給予推力的可動元件101被形成爲一體，所以不會成爲 干擾等的要因，可實現安定的支撑及推力提供，同時也可 11702pif.doc/008 35 1307526 實現控制性的提高。 ， 而且，在本實施的形態中，空氣支架主體部92對基 座91可自如拆卸，所以能夠輕鬆地實施維護和構件交換 等’並使作業效率提高。藉由在空氣支架主體部92和基 座91之間裝入0型環95’也可防止空氣從它們之間溢出。 還有’在本實施的形態中，藉由將用於對音圈馬達31 (及 內部空間96的空氣）進行溫度調整的冷媒用流道1〇4和 資源供給線106設置於基座91中，無需再象設置於空氣 支架主體部92中的場合那樣進行必要的密封處理，可回 避因爲密封不完善所產生的障礙，同時也有助於裝置的成 本降低。另外，藉由將終端台106向外露出的安裝於基座 91的側面91a’也可輕鬆地進行維護以及資源供給線1〇6 和外部裝置的連接作業。 在上述的實施形態中’採用在通過晶圓定盤6而支 撑·驅動晶圓載置台5的防振單元29中適用本發明的支 撑衣置之構成，但是並不限定於此，也可適用於例如通過 光栅定盤3而支撑.驅動光栅載置台2的防振單元u、通 過k筒定盤25而支撑·驅動投影光學系統pL的防振單元 24。而且，在上述貫施的形態中，採用了將本發明的載置 台裝置適用於曝光裝置的載置台裝置7之構成，但是除了 曝光裝置以外也可適用於轉印光罩的描繪裝置、^罩圖案 的位置座標測定裝置等精密測定機器。 而且’本.實施形態的第1實施例和第2實施例可適 當組合使用。可將第1實細的音畴達3ι設於 11702pif.doc/008 36 1307526 空氣支架30內，並使音圈馬達31 ή空氣支架30爲同軸。 也可使第2實施例的空氣支架30和第1實施例的第2氣 室63連接。 作爲本實施形態的基板’不只是半導體元件用的半 導體晶圓W，也可適用液晶顯示器元件用的玻璃基板、薄 膜磁頭用的陶瓷片、曝光裝置中所使用的光罩或光栅的原 版（合成石英、矽片）等。 作爲曝光裝置1，除了使光栅R和晶圓w同步移動 並將光栅R的圖案掃描曝光之步進掃描方式的掃描型曝光 裝置（掃描型逐次移動式曝光裝置；USP5，473，410)以 外’也可適用於以使光栅R和晶圓W靜止之狀態將光栅 R的圖案進行曝光，並使晶圓W依次步進移動之步進重復 方式的投影曝光裝置（逐次移動式曝光裝置）。而且，本 發明也可適用於在晶圓W上將至少2個圖案以部分重合 的方式進行轉印之步進接縫（step and stitch)方式的曝光 裝置。 作爲曝光裝置1的種類，並不局限於將半導體元件 圖案在晶圓W上進行曝光之半導體元件製造用的曝光裝 置’也可廣泛適用於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用 白勺曝光裝置’以及用於製造薄膜磁頭、攝像元件（CCD) ' 光栅或光罩等的曝光裝置。 而且’作爲未圖示的曝光用光源，不只是由超高壓 水銀產生的射線（g線（436nm )、h線（4〇4.nm ) ' i線 (395nm))、KrF準分子鐳射（248nm)、ArF準分子鐳射 11702pif.doc/008 37 1307526 (193nm)、F2 鐳射（157nm)、Ar2 準分子鐳射（126nm)， 也可採用電子線和離子束等帶電粒子線。例如，在使用電 子線之場合可採用熱電子放射型的六硼化鑭（LaB6)、鉬 (Ta)作爲電子槍。也可採用YAG鐳射和半導體鐳射等 高次諧波等。 例如，也可採用將由DFB半導體雷射器或纖維雷射 器被振蕩之紅外線光區或可視光區的單一波長鐳射，由摻 雜有例如餌（或餌和釔兩者）的纖維放大器進行放大，且 利用非線性光學結晶進行紫外線光波長變換之高次諧波作 爲曝光光。而且，當使單一波長鐳射的振蕩波長在 I. 544〜1.553 ^ιη的範圍內時，可得到I93〜194nm範圍內 的8倍高次諧波，即與ArF準分子鐳射大致爲同一波長的 紫外線光；當使振蕩波長在1·57〜1.58/zm的範圍內時， 可得到157〜158nm範圍內的10倍高次諧波，即與F2鐳 射大致爲同一波長的紫外線光。 而且，也可採用鐳射等離子體光源、由SOR產生的 波長5〜50nm左右的軟X射線區域例如波長i3_4nrn或 II. 5nm 的 EUV (極紫外線；Extreme Ultra Violet)光作爲 曝光光’在EUV曝光裝置中使用反射型光栅，且投影光 學系統爲只由複數片（例如3〜6片左右）的反射光學元件 (反射鏡）構成的縮小系統。 投影光學系統PL的倍率不只是縮小系統，也可爲等 倍系統及擴大系統的任一種。而且，作爲投影光學系統PL， 在使用準分子鐳射等遠紫外線光的場合，可採用石英和螢 11702pif.doc/008 38 1307526 石等透過遠紫外光線的材料作爲玻璃材料；在使用F2鐳 射和X射線的場合，可爲反射折射系統或折射系統的光學 系統（光栅R也採用反射類型的）；在採用電子線的場合， 可採用由電子透鏡及偏轉器構成的電子光學系統作爲光學 系統。還有，電子線通過之光程當然應爲真空狀態。 當在晶圓載置台5和光栅載置台2使用線性馬達（參 照USP5,923,853或USP5,528，118)時，可採用利用空氣 軸承的氣上浮型及利用洛倫茲力或電抗力的磁上浮型的任 一種。而且，各載置台2、5既可爲沿導向裝置移動的類 型，也可爲不設置導向裝置的無導向型。 作爲各載置台2、5的驅動機構，可採用使二維配置 磁鐵的磁鐵單元（永久磁鐵）和二維配置線圈的電樞單元 對向，並利用電磁力驅動各載置台2、5之平面馬達。此 時，可將磁鐵單元和電樞單元的任一方與載置台2、5連 接，並將磁鐵單元和電樞單元的另〜方設置於載置台2、5 的移動面側（基座）。 如上所述’本發明實施形態的曝光裝置1是將包括 本發明的申請專利範圍中所列舉之各構成要素的各種子系 統，在保證所定的機械精度、電氣精度、光學精度的情况 下進行組裝而製造的。爲了確保這些不同種類的精度，在 S亥組裝的前後要關於各種光學系統進行爲了達成光學精度 的調整，關於各種機械系統進行爲了達成機械精度的調 整’關於各種電氣系統進行爲了達成電氣精度的調整。由 各種子系統到曝光裝置的組裝工程包括各種子系統相互的 11702pi£doc/008 39 1307526 機械的連接、電氣線路的配線連接、、氣壓線路的配管連接 等。在從各種子系統到曝光裝置的組裝工程之前’當然要 分別有各子系統的組裝工程。當各種子系統到曝光裝置的 組裝工程完成後’進行綜合調整並確保作爲曝光裝置全體 的各種精度。而且，曝光裝置的製造最好在溫度及潔浄度 等被控制的淨室中進行。 半導體元件等微型元件如圖14所示，經進行微型元 件的機能·性能設計之步驟201、製作依據該設計步驟的 光罩（光栅）之步驟202、由矽材料製造晶圓之步驟2〇3、 利用前述之實施形態的曝光裝置將光栅的圖案在晶圓上進 行曝光之曝光處理步驟2〇4、元件組裝步驟（包栝切割工 程、焊接工程、包裝工程）205、檢查步驟206等被製造。 如以上說明，本發明能夠不使裝置大型化而得到容 積大、低剛性的空氣彈簧，同時能夠對空氣彈簧進行適當 的容積設定以得到所容許的剛性且與容積增加相稱的剛性 降低。而且，本發明也可抑制起因於連接部的氣體的振動 之不良影響。 而且，本發明能夠一面回避裝置的大型化，〜面防 止曝光精度的下降而適應元件的微細化，同時也能夠實現 控制性的提高及成本降低 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其Μ非g 以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精 神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 11702pif,doc/008 40 1307526 [圖式簡單說明] ’ 圖1所示爲本發明的實施形態，是具有防振單元之 曝光裝置的槪略構成圖。 圖2爲構成同曝光裝置之光栅載置台的外觀斜視圖。 0 3爲構成问曝先裝置之晶圓載置台的外觀斜視圖。 圖4爲同晶圓載置台的槪略正面圖。 圖5爲同晶圓載置台的槪略平面圖。 圖6爲關於本發明之防振單元的槪略構成圖。 圖7爲支撑同防振單元的第丨氣室之下部支撑框架 的外觀斜視圖。 圖8所示爲第2氣室對第丨氣室的容積之容積比和 彈簧常數的關係。 圖9爲設於第1氣室和第2氣室之連接配管中的振 動吸收板的外觀斜視圖。 圖10是表示製造下部支撑框架之程式的流程圖。 圖Π是用於下部支撑框架的製造之鑄模的部分斷面 圖。 圖12是本發明之曝光裝置的槪略構成圖。 圖13所示爲本發明的實施形態，是防振單元的槪略 構成圖。 圖Η是表示半導體元件的製造工程之一例的流程 圖。 圖I5所示爲利用習知技術之空氣支架的一例。 11702pif.doc/008 41 1307526 [圖式標示說明] BP :基板、PL :投影光學系統（物體）、 R :光栅（光罩）、ST :試料台、XG : X軸導桿、 W :晶圓（基板、感光基板）、1 :曝光裝置、 2 :光栅載置台（光罩載置台）、2a :孔徑、 3 :光栅定盤、3a :孔徑、4 :載置台裝置、 5 :晶圓載置台（基板載置台）、6 :晶圓定盤、 7 :載置台裝置、8 :反作用框架、8a、8b :階梯部、 8c :上部支撑框架、8d :下部支撑框架（支撑框架）、 9 :支撑立柱、10 :基板、11 :防振單元、 12 :空氣支架、13 :音圏馬達、 14 :空氣軸承（氣墊）、15 : Y軸線性馬達、 16 :光栅粗動載置台、17X : X軸音圏馬達、 17Y : Y軸音圈馬達、18 :光栅微動載置台、 18a:真空卡盤、19 :空氣軸承（氣墊）、 20 :固定元件、21 :可動元件、22 :連結構件 23 :凸緣、24 :防振單元（支撑裝置） 25 :鏡筒定盤、25a :孔徑、26 :空氣支架、 27 :音圏馬達（驅動裝置）、 28 :空氣軸承（氣墊）、29 :防振單元、 30 :空氣支架、31 :音圏馬達、32 :側面定盤、 34 : X軸配平馬達、34a :可動元件、 11702pif.doc/008 42 1307526 35 : X軸線性馬達、35a :固定元件 36 :可動元件、37 :固定元件、42 :參照鏡、 43 :移動鏡、44、45 :鐳射干涉儀、48 :移動鏡、 51 :導向裝置、52a、52b : Y軸移動鏡、 53 : X軸移動鏡、54 :氣墊、 61 :第1氣室（第1氣體室）、62 _·配管（連接部）、 63 :第2氣室（第2氣體室）、63a :凹部 63b :貫通部、63e :表面處理材料、65a :框部、 65b :脚部、65c :减重部、 66 :振動吸收板（振動吸收裝置）、70 :空洞部、 71 :鑄模（模）、72 :型芯（第1型芯）、 73 :型芯（第2型芯）、74 :型芯（第3型芯）、 80 :控制裝置、83 :內部空間、 84 :壓力感測器（檢測裝置）、85 :伺服閥、 86 :隔膜、87 :活塞、91 :基座、91a :側面、 92 :主體部、93 :壓力感測器、94 :伺服閥、 95 : Ο型環（密封構件）、96 :內部空間、 97 :外壁、98a :支撑面、98 :可動元件、99 :隔膜、 100 :固定元件、101 :可動元件、102 :連接裝置、 103 :溫度調整裝置、104 :流道、 105 :資源供給線（資源供給線路）、106 :終端台、 107 :控制裝置。 11702pif.doc/008 43

Claims (1)

1307526 拾、申請專利範圍： 1 · 一種支撑裝置，包括:塡充有所定壓力的氣體並 利用前述氣體對物體進行支撑的第1氣體室、支撑前述第 1氣體室的支撑框架，其特徵在於： 具有設於前述支撑框架內並與前述第1氣體室連通 之第2氣體室。 2·如申請專利第1項所述的支撑裝置，其特徵在於： 前述第2氣體室是由設置於前述支撑框架的複數個凹部和 貫通該些複數個凹部之間的貫通部所形成。 3·如申請專利第1項所述的支撑裝置，其特徵在於： 前述第2氣體室的容積是根據前述第1氣體室的容積被設 定。 4·如申請專利第3項所述的支撑裝置，其特徵在於： 前述第2氣體室的容積爲前述第1氣體室的容積的1到5 倍。 5 ·如申請專利第1項所述的支撑裝置，其特徵在於 具有:檢測前述第1氣體室和前述第2氣體室的至少一方 的內壓之檢測裝置、根據該檢測裝置的檢測結果而控制前 述內壓之控制裝置。 6·如申請專利第1項所述的支撑裝置，其特徵在於： 在前述第1氣體室和前述第2氣體室的連接部設置有振動 吸收裝置。 7·如申請專利第6項所述的支撑裝置，其特徵在於： 11702pif.doc/008 44 1307526 前述振動吸收裝置具有吸收所定的頻帶的振動之阻尼孔 部。 8·如申請專利第1項所述的支撑裝置，其特徵在於： 在前述第2氣體室的內面實施防止前述氣體的漏出之表面 處理。 9 ·如申請專利第1項所述的支撑裝置，其特徵在於： 前述支撑框架爲鑄造件。 10 .如申請專利第1 ,項所述的支撑裝置，其特徵在 方<·在目丨』述桌1來j體室支撑則述物體的方向上，具有由電 磁力驅動前述物體之驅動裝置， 11 . 一種載置台裝置，用以使載置台主體在定盤上移 動，其特徵在於：是利用如申請專利第丨項所述的支撑裝 置對前述定盤進行支撑。 12 . —種曝光裝置，將光罩載置台所保持的光罩的 圖案利用投影光學系統在基板載置台所保持的感光基板上 進行曝光’其特徵在於： 、，利用如申請專利第1項所述的支撑裝置而支撑前述 光罩載置台、前述投影光學系統、前述基板載置台中的至 少一個。 ^13 . —種支撑裝置的製造方法，其中該支撑裝置包 括·ί仁充有所定壓力的氣體並利用前述氣體支撑物體的第1 职體室、支it前㈣丨氣||室的翅㈣，其特徵 支撑裝置的製造方法包括： 11702pif.doc/008 45 1307526 在具有空洞部關_置第Γ财， 第1型芯和前述模接觸的第2型芯， /^jir 十一、+抵+ i成則述支撑框架的 f尋模之步驟、在即述模內澆注熔解的材料之步驟，以及 在前述澆注的材料冷却後將前述模及_’二开二 2氣體室之步驟 和前述第2型芯除去’形成可與_第丨缝室連通的第 14.如申請專利第13麵述的支撑裝_製造方法， 其特徵在於包括： 將前述第1型芯及趣第2型芯贿瞻此隔開複 數個間隙，及在4接的則述第1型芯間的間隙中設置第3 型芯之步驟;以及 將在前述支撑框架上由前述第2型芯所形成的複數 個孔部，除了一個以外都予以閉塞之步驟。 15·如申請專利第13項所述的支撑裝置的製造方法’ 其特徵在於.包括在前述第2氣體室的內面實施防止氣體 的漏出之表面處理的步驟。 16 . —種支撑裝置，具有支撑物體的支撑面，其特 徵在於包括： 塡充有所定壓力的氣體，利用前述氣體沿與前述支 撑面正交的第1方向支撑前述物體之氣體室； 配設於前述氣體室中，利用電磁力沿前述第1方向 驅動前述物體之驅動裝置;以及 調整前述驅動裝置的溫度之溫度調整裝置。 11702pif.doc/008 46 1307526 π ·如申請專利第16項所述的支撑裝置，其特徵在 於： 前述氣體室包括具有前述支撑面的主體部，和可從 該主體部拆卸的壁構件；且 前述驅動裝置包括設於前述壁構件的固定元件和對 該固定元件移動的可動元件。 18 ·如申請專利第17項所述的支撑裝置，其特徵在 於：在前述主體部和前述壁構件之間裝入有密封構件。 19 ·如申請專利第17項所述的支撑裝置，其特徵在 於：在前述壁構件中形成有使溫度調整用媒體流通的流 道。 20 ·如申請專利第17項所述的支撑裝置，其特徵在 於：在前述壁構件中形成有向前述驅動裝置提供資源之資 源供給線路。 21 ·如申請專利第16項所述的支撑裝置，其特徵在 於：前述驅動裝置的可動元件與前述支撑面形成爲一體。 22 *如申請專利第16項所述的支撑裝置，其特徵在 於包括：在前述第1方向可移動的對前述支撑面進行支撑 之支撑構件。 23 · —種載置台裝置，用於使載置台主體在定盤上 移動，其特徵在於： 利用如申請專利第16項項所述的支撑裝置對前述定 盤進行支撑。 11702pif.doc/008 47 1307526 24 · —種曝光裝置，用於將光罩載置台所保持的光 罩的圖案利用投影光學系統在基板載置台所保持的感光基 板上進行曝光，其特徵在於： 利用如申請專利第16項所述的支撑裝置支撑前述 光罩載置台、前述投影光學系統、前述基板載置台中的 至少一個。 11702pif.doc/008 48