JP4954465B2 - イオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置 - Google Patents

Description

本発明は、イオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置に関し、特に、それに用いられるエネルギー分析装置に関する。

イオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置（イオン注入装置とも呼ばれる。以下、単にビーム照射装置という。）は、ビームソースから引き出されたイオンまたは荷電粒子を質量分析し、所望のイオン種または荷電粒子のみを選択してウエハに照射（注入）するための装置である。

この種のビーム照射装置の中には、イオンや荷電粒子のウエハへの照射／注入をより精度良く行うために、質量分析装置に加えて、角度エネルギーフィルター（ＡＥＦ：Angular Energy Filter）と呼ばれる後段エネルギー分析装置を備えるものがある。

角度エネルギーフィルターは、イオンビームまたは荷電粒子ビームを通過させるための開口部を有する分析電磁石を含み、その開口を通過するイオンビーム／荷電粒子ビームをローレンツ力により偏向させて、所定のエネルギーを持つイオンまたは荷電粒子のみをウエハに照射する。

近年のウエハの大径化に対応するため、ビームの照射範囲の拡大が求められており、それに対応するため、分析電磁石の開口は大きくなる傾向にある。ここで、ビームの照射範囲を拡大する場合、ビームのイオン／荷電粒子密度を一様にするために、その断面形状は、一方向に長く、それに直交する方向に短い楕円形あるいは長円形となる。あるいは、ビームの照射範囲を擬似的に拡大するため、ビームを一方向に沿って往復走査することが行われ、ビームの連続断面は、楕円形あるいは長円形または帯状となる。それゆえ、分析電磁石の開口形状は、通常、長方形であり、その磁極は短辺側に位置する。したがって、分析電磁石の開口を大きくしようとすればするほど、磁極間ギャップは広くなり、磁場分布の広がり（漏洩磁場）が大きくなる。

ビーム照射装置は、イオン照射に伴うウェハのチャージアップを抑制するためにプラズマシャワー装置を備えるが、開口の大きな電磁石を含む後段エネルギー分析装置が用いられると、その漏洩磁場が、チャージアップ抑制用のプラズマシャワー電子のウェハ中和効果に悪影響を与えるおそれがある。したがって、後段エネルギー分析装置の漏洩磁場は抑制されなければならない。

また、ウエハに対するイオンビーム／荷電粒子ビームの注入角度（照射角度）は、照射位置によらず一定でなくてならない。つまり、イオンビームまたは荷電粒子ビームが、分析電磁石の開口内のどこを通っても同じ角度で曲がるように、分析電磁石は、ビームの経路上に一様な（ＢＬ積が同じ）磁場分布を形成する必要がある。

分析電磁石の磁極間ギャップが狭い従来のエネルギー分析装置では、漏洩磁場を抑えるためにフィールドクランプが用いられている。

また、他の従来のエネルギー分析装置として、超伝導材を用いて漏洩磁場を抑えるようにしたものもある（例えば、特許文献１参照。）。

他方、分析電磁石の開口内に生成される磁場分布を一様にする従来の方法としては、ヨークの中央に主コイルを巻回し、その両側に補助コイルを巻回し、主コイルを用いて発生させた磁場を、補助コイルを用いて調整する方法がある（例えば、特許文献２及び３参照。）。

特開平０６−１１１７５９号公報（要約） 特開平１０−３０２７０６号公報（図３） 特開平１０−３０２７０７号公報（図４）

従来のフィールドクランプを用いて分析磁石の漏洩磁場を抑える方法は、開口の小さい磁気ギャップの狭い分析電磁石には適しているが、開口の大きな分析電磁石からの漏洩磁場を抑えるには不十分であるという問題点がある。

また、従来の超伝導材を用いて漏洩磁場を抑えるものは、Ｃ型磁石に適用されるものであって、中央に開口部を有する分析電磁石への適応ができないという問題点がある。加えて、この超伝導材は、ビームの旋回径方向内外両側へ漏洩する磁場を抑えるものであって、ビーム進行方向への漏洩磁場、即ち、ウエハ近傍への漏洩磁場を抑えることができないという問題点もある。

さらに、従来の磁場分布を一様にする方法は、分析電磁石の開口内の磁場分布にのみ着目しており、漏れ磁場については全く考慮されていないという問題点がある。

そこで、本発明は、磁場の広がりを制御しつつ、ビーム全体を一様に屈曲させることができるエネルギー分析装置を備えたイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置を提供することを目的とする。

また、本発明は、分析電磁石からのビーム進行方向への漏洩磁場を十分に抑えることができ、一様な磁場分布を生成することができるエネルギー分析装置を備えたイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本願発明は、ビーム整形装置により整形されたビーム断面が円形あるいは一方向に長い長円形または楕円形のイオンビーム／荷電粒子ビーム、またはビームの連続断面が一方向に長い長円形状もしくは楕円形状となるよう前段の質量分析装置ならびにビーム整形装置により整形されたのち偏向走査されるとともにＰ−レンズにより再平行化されたイオンビーム／荷電粒子ビームを、後段エネルギー分析装置によりエネルギー分析を行った後、基板に照射されるよう構成したイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置において、前記後段エネルギー分析装置は、偏向磁石を含み、前記偏向磁石は、前記イオンビーム／荷電粒子ビームを通過させる空間部をその中央に有する略四角形状のヨークから構成されるコアと、該ヨークの上部ヨーク及び下部ヨークにそれぞれ巻回される主コイル及び副コイルと、前記上部ヨーク及び下部ヨークの両外側の側部のヨーク部にそれぞれ巻回された漏れ磁場キャンセル用補正コイルとを有し、前記主コイル及び前記副コイルを制御して、前記空間部に前記イオンビーム／荷電粒子ビームの前記一方向に関して均一な磁場を生じさせて、前記偏向磁石の磁場分布の広がりを制御しつつ、前記偏向走査されるとともに再平行化されたイオンビーム／荷電粒子ビームを前記一方向に関して偏向走査の範囲にわたってビームの通過位置によらず全体に均一な角度で屈曲させるようにするとともに、前記主コイル及び前記副コイルならびに前記漏れ磁場キャンセル用補正コイルは同じ向きに巻回され、前記漏れ磁場キャンセル用補正コイルは漏洩磁場を打ち消すように前記主コイル及び副コイルとは逆向きの電流を流すコイルとして構成し、前記漏れ磁場キャンセル用補正コイルを制御して前記偏向磁石の漏洩磁場を抑えるようにして、前記後段エネルギー分析装置を構成したことを第１の特徴とする。

また、本発明は、上記第１の特徴を有するイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置において、前記偏向磁石は、前記イオンビーム／荷電粒子ビームの前記一方向において均一な磁場となるようヨークに対して電磁石のコイルを主と副として複数段設けて、該複数段のコイルを調整することにより磁場補正を行うよう構成されていることを第２の特徴とする。

また本発明は、上記第１または第２の特徴を有するイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置において、前記偏向磁石は、漏れ磁場キャンセル用補正コイルを有し、偏向磁石の漏れ磁場をキャンセルするように構成されていることを第３の特徴とする。

さらに、本発明は、上記第１または第２の特徴を有するイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置において、前記偏向磁石は、主コイル、副コイル及び漏れ磁場キャンセル用補正コイルを有し、これらコイルに流す電流のバランスでＢＬ積の一様性を出すように構成されていることを第４の特徴とする。

さらにまた、本発明は上記第４の特徴を有するイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置において、前記偏向磁石の前後に配設した磁気シールドの開口形状により前記ＢＬ積の一様性を出すように構成したことを第５の特徴とする。

また、本発明は、上記第１乃至第５のいずれかの特徴を有するイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置おいて、前記偏向磁石のヨークは、ビーム屈曲の外側をビーム進行方向に長く、ビーム屈曲の内側をビーム進行方向に直交する方向に長く構成され、前記偏向磁石が略扇形の分析磁石となるように構成されていることを第６の特徴とする。

さらに、本発明は、上記第１乃至第６のいずれかの特徴を有するイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置において、前記偏向磁石のヨークは、中央に空間部のある略四角形状に構成し、その空間部をビームラインが通るように構成されていることを第７の特徴とする。

また、本発明は、ビーム断面が円形あるいは一方向に長い長円形または楕円形のイオンビーム／荷電粒子ビーム、またはビームの連続断面が一方向に長い長円形状もしくは楕円形状となるよう偏向走査されたイオンビーム／荷電粒子ビームを、後段エネルギー分析装置によりエネルギー分析を行った後、基板に照射されるよう構成したイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置において、前記後段エネルギー分析装置の偏向磁石のヨーク外側には、漏れ磁場を防ぐために両側部に漏れ磁場キャンセル用補正コイルを設けたことを第８の特徴とする。

また、本発明は、上記第８の特徴を有するイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置において、前記漏れ磁場キャンセル用補正コイルは、漏洩磁場を打ち消すような逆向きの電流を流すコイルであることを第９の特徴とする。

さらに、本発明は、上記第８または第９の特徴を有するイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置において、前記漏れ磁場キャンセル用補正コイルは、前記ヨークの両側部を覆うよう配置されていることを第１０の特徴とする。

また、本発明は、上記第１または第２の特徴を有するイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置において、偏向磁石のヨーク両端部外側に漏れ磁場キャンセル用補正コイルを設けるとともに、偏向磁石のビームライン下流側にプラズマシャワーを設けるよう構成したことを第１１の特徴とする。

本発明によれば、偏向磁石の磁場分布の広がりを制御しつつ、ビーム全体を一様に屈曲させることができるエネルギー分析装置を備えたイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置が得られる。

また、本発明によれば、偏向磁石のヨーク両端部外側に漏れ磁場キャンセル用補正コイルを設けたことにより、漏れ磁場を抑えることができ、プラズマシャワー電子のウェハ中和効果への悪影響を低減することができるエネルギー分析装置を備えたイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置が得られる。

以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。

図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施の形態に係るイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置（以下、ビーム照射装置と略す。）の概略構成を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。

図示のビーム照射装置は、イオンソース１１、質量分析磁石装置１２、ビーム整形装置１３、偏向走査装置１４、Ｐ−レンズ１５、加速／減速電極（Ａ／Ｄコラム）１６、角度エネルギーフィルター（ＡＥＦ）１７、及びプロセスチャンバー１８を有している。

このビーム照射装置において、イオンソース１１で発生されたイオンまたは荷電粒子は、図示しない引き出し電極によりイオンビームまたは荷電粒子ビーム（以下、ビームと呼ぶ。）として引き出される。引き出されたビームは、質量分析磁石装置１２により質量分析されて必要なイオン種のみが選択される。必要なイオン種のみから成るビームは、ビーム整形装置１３によりその断面形状が整形される。ビーム整形装置１３は、Ｑ（Quadrant）−レンズ等により構成される。整形された断面形状を持つビームは、偏向走査装置１４により図１（ａ）の上下方向にスキャンされる。偏向走査装置１４は、その上流側近傍、下流側近傍にそれぞれ、少なくとも１つの遮蔽電極１４−１，１４−２を備えている。なお、ここでは偏向走査装置１４として、偏向走査電極を用いる場合を想定しているが、偏向走査磁石を用いることもできる。

偏向走査装置１４によりスキャンされたビームは、電極または磁場により構成されたＰ−レンズ１５により再平行化され、偏向角０度の軸に平行にされる。図１（ａ）では、偏向走査装置１４によるビームのスキャン範囲を黒い太線と二重破線とで示している。Ｐ−レンズ１５からのビームは、１つ以上の加速／減速電極１６により加速又は減速されて角度エネルギーフィルター１７へ送られる。角度エネルギーフィルター１７では、ビームのエネルギーに関する分析が行われ、必要なエネルギーを持つイオンのみが選択される。図１（ｂ）に示されるように、角度エネルギーフィルター１７においては、選択されたイオン種のみがやや下方に偏向される。このようにして選択されたイオン種のみから成るビームが、プロセスチャンバー１８内に導入された被照射物であるウェハ１９に照射される。ウェハ１９に照射されなかったビームは、プロセスチャンバー１８内に設けられているビームストッパ１８−１に入射してそのエネルギーが消費される。

なお、図１（ａ）において、ウェハ１９に隣接して示した矢印は、ビームがこれら矢印の方向にスキャンされることを示し、図１（ｂ）においてウェハ１９に隣接して示した矢印は、ウェハ１９がこれら矢印の方向に移動することを示している。つまり、ビームが、例えばｘ軸方向に往復スキャンされるものとすると、ウェハ１９は、図示しない駆動機構によりｘ軸に直角なｙ軸方向に往復移動するように駆動される。これにより、ウェハ１９の全面にビームを照射することができる。

次に、図２乃至図６を参照して、本発明のビーム照射装置に用いられる角度エネルギーフィルター１７について詳細に説明する。

図２に示すように、角度エネルギーフィルター１７は、分析電磁石２１と、分析電磁石２１の略中央の空間部に挿入配置されたＡＥＦ（ビームライン）チャンバー２２と、ＡＥＦチャンバー２２のビーム入射側及びビーム出射側にそれぞれ配置された磁気シールド２３，２４とを有している。この角度エネルギーフィルター１７は、磁気シールド２３が加速／減速電極１６に、磁気シールド２４がプロセスチャンバー２０にそれぞれ固定されるよう、加速／減速電極１６とプロセスチャンバー１８との間に配置固定されている。

図３は、分析電磁石２１の構成を示す縦断面図である。図３に示すように、分析電磁石２１は、その中央部に、ビームを通過させるための長方形の空間部（開口）３１が形成された略四角形状（フレーム形状）のコア３２を有している。コア３２の一部である上部ヨーク３３及び下部ヨーク３４の中央には、それぞれ第１及び第２の主コイルＭ１及びＭ２が巻回されている。また、上部ヨーク３３及び下部ヨーク３４には、主コイルＭ１及びＭ２の各々の両側に、第１乃至第４の副コイルＳ１〜Ｓ４が巻回されている。さらに、コア３２には、これら副コイルＳ１〜Ｓ４の外側に、上部ヨーク３３及び下部ヨーク３４の両側部を覆うように漏れ磁場キャンセル用補正コイルＣ１及びＣ２が巻回されている。

コア３２は、図４に示すように、上部ヨーク３３が矢印で示すビーム進行方向に長く、下部ヨーク３４がビーム進行方向に垂直な方向（図の上下方向）に長い形状に形成されており、その側面４１は上部ヨーク３３側が広く、下部ヨーク３４側が狭い略扇形となっている。なお、通常、コア３２には、コイルの保護のための面取り処理がなされる（図３参照）。

図３に戻ると、主コイルＭ１及びＭ２、副コイルＳ１〜Ｓ４、及び漏れ磁場キャンセル用補正コイルＣ１及びＣ２は、空間部３１内に矢印Ｂで示す向きに磁場を形成するように、上部ヨーク３３及び下部ヨーク３４に巻回され、図示しない電源に接続される。主コイルＭ１及びＭ２と副コイルＳ１〜Ｓ４とは、主にビームを曲げるための磁場生成に用いられ、漏れ磁場キャンセル用補正コイルＣ１及びＣ２はその漏洩磁場を打ち消すために用いられる。

詳述すると、主コイルＭ１及びＭ２とは互いに直列接続され、上部ヨーク３３と下部ヨーク３４の内部に、それぞれ矢印Ｂと逆向きの磁場を発生させるように図示しない第１の直流電源に接続される。また、副コイルＳ１〜Ｓ４は、主コイルＭ１及びＭ２と同様に、互いに直列接続され、上部ヨーク３３と下部ヨーク３４の内部に、それぞれ矢印Ｂと逆向きの磁場を発生させるように図示しない第２の直流電源に接続される。さらに、漏れ磁場キャンセル用補正コイルＣ１及びＣ２は、互いに直列接続され、コア３２の両側部（磁極となる部分を含む）内部に矢印Ｂと同じ向きの磁場を発生させるように図示しない第３の直流電源に接続される。全てのコイルが同じ向きに巻回されている場合、主コイルＭ１及びＭ２と副コイルＳ１〜Ｓ４には第１及び第２の直流電源から同一方向の電流が供給され、漏れ磁場キャンセル用補正コイルＣ１及びＣ２にはこれとは逆方向の電流が第３の直流電源より供給される。

図５（ａ）に、主コイルＭ１及びＭ２（あるいは副コイルＳ１及びＳ３、又はＳ２及びＳ４）により生成される磁場の向きを示す。また、図５（ｂ）に、漏れ磁場キャンセル用補正コイルＣ１及びＣ２により生成される磁場の向きを示す。

図５（ａ）及び（ｂ）において、ビーム出射側の磁気シールド２４とウェハ１９との間には、プラズマシャワー装置５１が設けられている。

図５（ａ）と図５（ｂ）との比較から理解されるように、主コイルＭ１及びＭ２が分析電磁石２１の空間部３１内に生成する磁場と、漏れ磁場キャンセル用補正コイルＣ１及びＣ２が同じく空間部３１内に生成する磁場とは、その向きが同じである。しかし、主コイルＭ１及びＭ２が分析電磁石２１の周囲に生成する磁場と、漏れ磁場キャンセル用補正コイルＣ１及びＣ２が分析電磁石２１の周囲に生成する磁場とは、その向きが逆になっている。したがって、各コイルに供給される電流を適切に制御する（バランスさせる）ことにより、分析電磁石２１の空間部３１内に所望の磁束密度を持つ一様な磁場を形成するとともに、分析電磁石２１の周囲に生成される磁場を互いに打ち消すことができる。つまり、漏れ磁場キャンセル用補正コイルＣ１及びＣ２に流す電流を制御することにより、磁場分布の広がりを制御して漏洩磁場を抑制することができる。また、主コイルＭ１及びＭ２、副コイルＳ１〜Ｓ４、及び漏れ磁場キャンセル用補正コイルＣ１及びＣ２に流す電流を調整して、ビームが空間部３１の何処を通過するかによらず同じ偏向角で曲がる一様な磁場分布、即ちＢＬ積の一様な磁場を生成することができる。

磁気シールド２３，２４は、磁場分布を調整し、空間部３１内のビーム通過位置によらずに偏向角が同じになるようにするための各コイルに流す電流の調整を容易にする。即ち、磁気シールド２３及び２４は、ＢＬ積の一様な磁場分布の実現を容易にする。磁気シールド２３，２４の磁場分布の調整は、その開口形状をイオン種、ビーム断面形状（例えば、円形または楕円形、あるいは長円形など）、走査範囲、及び注入エネルギー等に対応させて適切な形状とすることにより行われる。磁気シールド２３，２４の開口形状としては、例えば、長方形、あるいは、図６（ａ）や図６（ｂ）に示すものがある。磁気シールド２３の開口形状と磁気シールド２４の開口形状は、通常、同一である。ただし、図２あるいは図５（ａ）及び（ｂ）から理解されるように、その断面形状は、分析電磁石の形状に対応して、磁気シールド４１は直線状であるが、磁気シールド４２は、屈曲している。

以上のようなエネルギー分析装置を用いることにより、本実施の形態に係るビーム照射装置は、ビームの断面形状や走査範囲に拘らず、分析電磁石の空間部を通過するビームを、その通過位置に拘らず一様に（即ち、全体を均一に）屈曲させてウェハに照射（注入）することができる。また、プラズマシャワー装置からの電子も、漏れ磁場の影響を受けることなくウェハに照射され、ウェハのチャージアップを中和することができる。

本発明の一実施の形態に係るイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置の概略構成図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。 図１のイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置に含まれる角度エネルギーフィルターの構成を示す縦断面図である。 図２の角度エネルギーフィルターに用いられる分析電磁石の構成を示す縦断面図である。 図３の分析電磁石に用いられるコアの斜視図である。 （ａ）は、図３の分析電磁石の主コイルＭ１及びＭ２（あるいは副コイルＳ１及びＳ３、又はＳ２及びＳ４）により生成される磁場の向きを示す図、（ｂ）は、漏れ磁場キャンセル用補正コイルＣ１及びＣ２により生成される磁場の向きを示す図である。 （ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、図２の角度エネルギーフィルターに用いられる磁気シールドの開口形状の例を示す図である。

符号の説明

１１ イオンソース
１２ 質量分析磁石装置
１３ ビーム整形装置
１４ 偏向走査装置
１５ Ｐ−レンズ
１６ 加速／減速電極
１７ 角度エネルギーフィルター
１８ プロセスチャンバー
１８−１ ビームストッパ
１９ ウェハ
２１ 分析電磁石
２２ ＡＥＦビームラインチャンバー
２３，２４ 磁気シールド
３１ 空間部（開口）
３２ コア
３３ 上部ヨーク
３４ 下部ヨーク
４１ 側面
５１ プラズマシャワー装置

Claims (6)

1. ビーム整形装置により整形されたビーム断面が円形あるいは一方向に長い長円形または楕円形のイオンビーム／荷電粒子ビーム、またはビームの連続断面が一方向に長い長円形状もしくは楕円形状となるよう前段の質量分析装置ならびにビーム整形装置により整形されたのち偏向走査されるとともにＰ−レンズにより再平行化されたイオンビーム／荷電粒子ビームを、後段エネルギー分析装置によりエネルギー分析を行った後、基板に照射されるよう構成したイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置において、
   前記後段エネルギー分析装置は、偏向磁石を含み、
   前記偏向磁石は、前記イオンビーム／荷電粒子ビームを通過させる空間部をその中央に有する略四角形状のヨークから構成されるコアと、該ヨークの上部ヨーク及び下部ヨークにそれぞれ巻回される主コイル及び副コイルと、前記上部ヨーク及び下部ヨークの両外側の側部のヨーク部にそれぞれ巻回された漏れ磁場キャンセル用補正コイルとを有し、
   前記主コイル及び前記副コイルを制御して、前記空間部に前記イオンビーム／荷電粒子ビームの前記一方向に関して均一な磁場を生じさせて、前記偏向磁石の磁場分布の広がりを制御しつつ、前記偏向走査されるとともに再平行化されたイオンビーム／荷電粒子ビームを前記一方向に関して偏向走査の範囲にわたってビームの通過位置によらず全体に均一な角度で屈曲させるようにするとともに、前記主コイル及び前記副コイルならびに前記漏れ磁場キャンセル用補正コイルは同じ向きに巻回され、前記漏れ磁場キャンセル用補正コイルは漏洩磁場を打ち消すように前記主コイル及び副コイルとは逆向きの電流を流すコイルとして構成し、前記漏れ磁場キャンセル用補正コイルを制御して前記偏向磁石の漏洩磁場を抑えるようにして、前記後段エネルギー分析装置を構成したことを特徴とするイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置。
2. 請求項１に記載のイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置において、
   前記偏向磁石は、前記主コイル、前記副コイル及び前記漏れ磁場キャンセル用補正コイルに流す電流のバランスでＢＬ積の一様性を出すように構成されていることを特徴とするイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置。
3. 請求項２に記載のイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置において、
   前記偏向磁石の前後に配設した磁気シールドの開口形状により前記ＢＬ積の一様性を出すように構成したことを特徴とするイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載のイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置おいて、
   前記偏向磁石のヨークは、ビーム屈曲の外側をビーム進行方向に長く、ビーム屈曲の内側をビーム進行方向に直交する方向に長く構成され、前記偏向磁石が略扇形の分析磁石となるように構成されていることを特徴とするイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置。
5. 請求項１乃至４のいずれかに記載のイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置において、
   前記漏れ磁場キャンセル用補正コイルは、前記ヨークの両側部を覆うよう配置されていることを特徴とするイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置。
6. 請求項１乃至５のいずれかに記載のイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置において、
   偏向磁石のビームライン下流側にプラズマシャワーを設けるよう構成したことを特徴とするイオンビーム／荷電粒子ビーム照射装置。

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