CN106707682A - 一种掩膜板、曝光装置及其进行曝光的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种掩膜板、曝光装置及其进行曝光的方法，该掩膜板包括：至少两个并排设置的用于形成单膜层图案的有效图形的掩膜图案区域，以及与各掩膜图案区域分别对应的至少两组对位标识；每组对位标识中包含的两个对位标识以对应的掩膜图案区域为中心对称设置。由于一个掩膜图案区域可以用于对应形成一个单膜层图案的有效图形，通过掩膜板中的至少两个并排设置的掩膜图案区域，即可形成至少两个单膜层图案的有效图形，并且以对应的掩膜图案区域为中心对称设置的每组对位标识中包含的两个对位标识，保证了单膜层图案的有效图形的位置精度。因此，有效减少了掩膜板的数量，从而降低了开发颠覆性创新设计的成本。

Description

一种掩膜板、曝光装置及其进行曝光的方法

技术领域

本发明涉及曝光技术领域，尤其涉及一种掩膜板、曝光装置及其进行曝光的方法。

背景技术

掩膜板作为转移微细图形的工具，在显示面板生产中具有承上启下的关键作用，是显示面板产业链中不可或缺的重要环节。生产过程中有多少次光刻就需要多少张不同图形的掩膜板，即同一工艺制程的膜层图案和对位标识制作在同一张掩膜板上，不同工艺制程的膜层图案和对位标识制作在不同的掩膜板上上，利用对位标识保证各膜层图案的精确位置。例如如图1所示，a代表包含栅极层(G)图案和对位标识的掩膜板，b代表另一张包含源漏极层(SD)图案和对位标识的掩膜板。对位标识实现对位的原理是基板上形成包含栅极层图案的掩膜板的对位标识，实现包含栅极层图案的掩膜板与基板之间的对位；而源漏极层图案的掩膜板上设置有与栅极层图案的对位标识互补的对位标识，c代表最终经过对位光学系统以后图像传感器(Charge-coupled Device，CCD)抓到的完整的对位后的图案。可见，掩膜板的数量代表了制造过程中采用的光刻工艺子流程的数目，而掩膜板价格昂贵，一直占据着技术开发项目成本中的绝大部分。

为降低技术开发成本，目前，高世代线的技术开发项目大部分采用选择性的搭载已开发产品的方式进行。具体方式是更改其中的一张或两张掩膜板，通过共用其他掩膜板和工艺条件来降低成本和提高开发成功率。长期以来，这种方式已被验证是进行技术开发的最有效的方式，但是由于这种方式只针对单个关键技术进行开发，因此，只适用于改良和性能提升的技术开发，而不能进行颠覆性创新设计，例如新像素和新面板等的开发和验证，从而导致整个行业每年新产生的大部分专利成果都无法得到验证，严重影响了高性能产品的开发周期。

若新开掩膜板进行较大创新项目的验证以缩短开发周期，则需要抛弃原有的开发载体重新设计一整套掩膜板，这样会成倍地增加开发成本。因此，如何设计掩膜板，以解决开发颠覆性创新设计的成本是目前亟需解决的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种掩膜板、曝光装置及其进行曝光的方法，用以解决现有技术中存在的如何设计掩膜板，以解决开发颠覆性创新设计的成本是目前亟需解决的问题。

本发明实施例提供一种掩膜板，包括：至少两个并排设置的用于形成单膜层图案的有效图形的掩膜图案区域，以及与各所述掩膜图案区域分别对应的至少两组对位标识；每组所述对位标识中包含的两个所述对位标识以对应的所述掩膜图案区域为中心对称设置。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，在所述掩膜板中最先使用的掩膜图案区域对应的对位标识的图案与其他掩膜图案区域对应的对位标识的图案互补。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，各所述掩膜图案区域按照用于形成的单膜层图案的有效图形的制备顺序依次顺序排列。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，全部所述掩膜图案区域用于采用相同性质光刻胶形成单膜层图案的有效图形。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，在全部所述掩膜图案区域用于采用正性光刻胶形成单膜层图案的有效图形时，所述各单膜层图案用于形成的单膜层图案为以下任意组合：栅极层图案、有源层图案、源漏极层图案、树脂层图案、公共电极层图案和像素电极层图案；

在全部所述掩膜图案区域用于采用负性光刻胶形成单膜层图案或采用正性光刻胶形成过孔图案的有效图形时，所述各单膜层图案用于形成的单膜层图案为以下任意组合：第一层绝缘层图案、第二层绝缘层图案和紫外固化图案。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，与各所述掩膜图案区域分别对应的对位标识为两组，分别设置在对应的所述掩膜图案区域的四角位置。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，在全部所述掩膜图案区域用于采用负性光刻胶形成单膜层图案的有效图形时，所述各单膜层图案用于形成的单膜层图案为以下任意组合：黑矩阵层图案、彩色树脂层图案和光阻层图案。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，与各所述掩膜图案区域分别对应的对位标识为两组，分别设置在对应的所述掩膜图案区域的相对两个侧边位置。

本发明实施例还提供了一种曝光装置，包括：多个载置台，以及通过同一个通道与各所述载置台连接的遮光罩载物台；其中，各所述载置台分别对应放置一张上述掩膜板。

本发明实施例还提供了一种采用上述曝光装置进行曝光的方法，包括：根据各单膜层图案形成的顺序，调用相应的所述载置台上的掩膜板，对放置于所述遮光罩载物台上的基板依次进行曝光，形成各所述单膜层图案的有效图形。

本发明有益效果如下：

本发明实施例提供的一种掩膜板、曝光装置及其进行曝光的方法，该掩膜板包括：至少两个并排设置的用于形成单膜层图案的有效图形的掩膜图案区域，以及与各掩膜图案区域分别对应的至少两组对位标识；每组对位标识中包含的两个对位标识以对应的掩膜图案区域为中心对称设置。由于一个掩膜图案区域可以用于对应形成一个单膜层图案的有效图形，通过掩膜板中的至少两个并排设置的掩膜图案区域，即可形成至少两个单膜层图案的有效图形，并且以对应的掩膜图案区域为中心对称设置的每组对位标识中包含的两个对位标识，保证了单膜层图案的有效图形的位置精度。因此，有效减少了掩膜板的数量，从而降低了开发颠覆性创新设计的成本。

附图说明

图1为现有技术中曝光工艺中使用的掩膜板的示意图；

图2为本发明实施例提供的掩膜板的示意图之一；

图3为本发明实施例提供的掩膜板的示意图之二；

图4为本发明实施例提供的掩膜板的示意图之三；

图5为本发明实施例提供的掩膜图案区域对应的对位标识的图案的示意图之一；

图6为本发明实施例提供的掩膜图案区域对应的对位标识的图案的示意图之二；

图7为本发明实施例提供的用于监控曝光机挡板遮挡位置的标识位置的示意图之一；

图8为本发明实施例提供的用于监控曝光机挡板遮挡位置的标识位置的示意图之二；

图9为现有技术中曝光装置的结构示意图；

图10为本发明实施例提供的曝光装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明实施例提供的一种掩膜板、曝光装置及其进行曝光的方法的具体实施方式进行详细地说明。

附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

本发明实施例提供的一种掩膜板，如图2至图4所示，包括：至少两个并排设置的用于形成单膜层图案的有效图形的掩膜图案区域201，以及与各掩膜图案区域201分别对应的至少两组对位标识202；每组对位标识202中包含的两个对位标识以对应的掩膜图案区域201为中心对称设置。

具体地，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，由于一个掩膜图案区域201可以用于对应形成一个单膜层图案的有效图形，通过掩膜板中的至少两个并排设置的掩膜图案区域201，即可形成至少两个单膜层图案的有效图形，并且以对应的掩膜图案区域201为中心对称设置的每组对位标识202中包含的两个对位标识，保证了单膜层图案的有效图形的位置精度。因此，有效减少了掩膜板的数量，从而降低了开发颠覆性创新设计的成本。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，如图2和图3所示，还可以包括设置在掩膜板相对的两侧的上中下位置处的三组对位标识203，用于掩膜板首次曝光时与机台进行对位。较佳地，为确保各单膜层图案的有效图形能够正常形成，上述三组对位标识203与各掩膜图案区域201和以对应的掩膜图案区域201为中心对称设置的每组对位标识202之间无重叠。

较佳地，为了实现采用掩膜图案区域201形成的单膜层图案的有效图形的位置精度，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，如图2至图4所示，与各掩膜图案区域201分别对应的对位标识202为两组，分别设置在对应的掩膜图案区域201的相对两个侧边位置，较佳地，分别设置在对应的掩膜图案区域201的四角位置。当然，对位标识202还可以有其他设置方式，在此不做限定。并且，一般地，如图5和图6所示，在掩膜板中最先使用的掩膜图案区域201对应的对位标识的图案501与其他掩膜图案区域201对应的对位标识的图案502互补。即在掩膜板中其他掩膜图案区域201对应的对位标识的图案502相同，并且与最先使用的掩膜图案区域201对应的对位标识的图案501组成一个完整的对位标识，以实现后续工艺中各膜层图案的有效图形曝光时所用的掩膜图案区域201，与基板上已形成的工艺图案的有效图形之间的对位。

值得注意的是，对位标识的图案需要根据每款曝光机的识别技术进行设定，并不存在通用的对位标识的图案。例如图5所示的对位标识的图案适用于佳能Canon曝光机；图6所示的对位标识的图案适用于NSK曝光机。

进一步地，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，如图7所示，在基板上形成的第一层单膜层图案701相对于叶片Blade位置703的位移偏差，可以通过曝光形成后的标尺图形读出，其他膜层图案702相对于Blade位置703的位移偏差，可以通过曝光形成后条形图案长短比对读出。

具体地，为监控单膜层图案的有效图形是否能够完全形成，如图7和图8所示，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，还可以包括设置在有效曝光区801四边位置的用于监控曝光机挡板位置的标识704。该有效曝光区801所在的区域包含以掩膜图案区域201对应的对位标识202为顶点组成的四边形区域802。标识704通过监控曝光机挡板位置是否在有效曝光区801四边位置，来监控单膜层图案的有效图形是否能够完全形成。当曝光机挡板位置在有效曝光区801四边位置时，则单膜层图案的有效图形能够完全形成；否则，单膜层图案的有效图形不能完全形成。一般地，可以在有效曝光区801四边位置分别至少设置一组标识704，并且各组标识704可以对称设置，也可以不对称设置，在此不做限定。

较佳地，如图8所示，可以在有效曝光区801四边位置每组标识704包括两个标识。此外，由于在掩膜板中包含的每一掩膜图案区域201可以用于形成一个单膜层图案的有效图形，因此，在掩膜板中需要设置至少4*掩膜图案区域201的数量组标识704。另外，还可以在有效曝光区域801的四边位置附近设置掩膜图案区域201对应形成的单膜层图案的有效图形的保护图形，以在基板多次曝光时，保护单膜层图案的有效图形免受二次曝光。

具体地，在面板制作过程中，还会涉及到对位精度测量检测标识、对盒标识、切割标记和磨边标识等标识，较佳地，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，这些标识204可以设置在采用最先使用的掩膜图案区域201形成的单膜层图案的有效图形的周围，并与最先使用的掩膜图案区域201形成的单膜层图案的有效图形同时曝光形成。例如如图2和图3所示，若掩膜板虚线区域205为最先使用的掩膜图案区域201，这些标识204设置在掩膜板虚线区域205对应的最先使用的掩膜图案区域201形成的单膜层图案的有效图形的周围。当然，这些标识204还可以有其他设置方式，在此不做限定。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，全部掩膜图案区域201可以用于采用相同性质光刻胶形成单膜层图案的有效图形。例如，在全部掩膜图案区域201用于采用正性光刻胶形成单膜层图案的有效图形时，各单膜层图案用于形成的单膜层图案为以下任意组合：栅极层图案、有源层图案、源漏极层图案、树脂层图案、公共电极层图案和像素电极层图案；又如，在全部掩膜图案区域201用于采用负性光刻胶形成单膜层图案或采用正性光刻胶形成过孔图案的有效图形时，各单膜层图案用于形成的单膜层图案为以下任意组合：第一层绝缘层图案、第二层绝缘层图案和紫外固化图案。当然，还可以根据实际需要选择其他方式在同一张掩膜板上设计各掩膜图案区域201对应形成的单膜层图案的有效图形。例如，在技术开发项目中涉及的工艺膜层是4Mask、5Mask、6Mask等其他工艺膜层，则可以将除了非有机膜的过孔图层放置在同一张掩膜板上以外，其他图层均放置在另一张掩膜板上，在此不做限定。

需要说明的是，在使用正性光刻胶进行曝光时，未曝光位置的光刻胶胶会留下，从而形成单膜层图案的有效图形。若树脂层图案中含过孔等透光图案，则树脂层图案的有效图形可以使用负性光刻胶进行曝光，从而使得未曝光位置的光刻胶被移除，形成过孔图案。若第一层绝缘层图案和第二层绝缘层图案中都含有过孔等透光图案，那么第一层绝缘层图案的有效图形、第二层绝缘层图案的有效图形和紫外固化图案的有效图形还可以使用正性光刻胶进行曝光，以移除曝光位置的光刻胶，此时第一层绝缘层图案的有效图形和第二层绝缘层图案的有效图形对应的掩膜板图案区域201需要设计成反图形设计才能形成过孔图案，反图形即有图形的区域为镂空，无图形的区域为铬膜。当然，紫外固化图案的有效图形对应的掩膜板图案区域201也可以以反图形设计的形式放置在第一层绝缘层图案的有效图形和第二层绝缘层图案的有效图形对应的掩膜板图案区域201所在的同一张掩膜板上，原因是紫外固化图案的有效图形简单，具备图形取反的可行性。

此外，由于单张掩膜板的面积有限，因此，可以根据实际情况在单张掩膜板上进行掩膜板图案区域201的设计。例如，若掩膜板图案区域201对应形成的单膜层图案的有效图形增大，则单张掩膜板上的掩膜板区域201的数量应相应减少，并可适当增加掩膜板的张数，以保证工艺制程中全部单膜层图案的有效图形都有相对应的掩膜图案区域201。

具体地，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，在全部掩膜图案区域201用于采用负性光刻胶形成单膜层图案的有效图形时，各单膜层图案用于形成的单膜层图案为以下任意组合：黑矩阵层图案、彩色树脂层图案和光阻层图案，在此不做限定。

具体地，为了便捷地调用用于形成的单膜层图案的有效图形的各掩膜图案区域201，在本发明实施例提供的上述掩膜板中，各掩膜图案区域201可以按照用于形成的单膜层图案的有效图形的制备顺序依次顺序排列。例如如图2所示，在掩膜板中各掩膜图案区域201自上而下的排列顺序，与依次形成栅极层图案的有效图形、有源层图案的有效图形、源漏极层图案的有效图形、树脂层图案的有效图形、像素电极层图案的有效图形和公共电极层图案的有效图形的顺序一致；又如如图3所示，在掩膜板中各掩膜图案区域201自上而下的排列顺序，与依次形成紫外固化图案的有效图形、第一层绝缘层图案的有效图形和第二层绝缘层图案的有效图形的顺序一致。

值得注意的是，从图2和图3中，可以看出，同一掩膜板中各单膜层图案的有效图形对应的掩膜图案区域201，关于掩膜板上下不对称，从掩膜板正面看方向偏上，原因是图2和图3所示的掩膜板适用于Canon曝光机，掩膜板Blade位置803沿一个方向受限；而如图4所示的掩膜板适用于NSK曝光机。

由于NSK曝光机的结构与Canon曝光机的结构有差异，NSK曝光机的对位区域受到很大限制，因此，使用图4所示的掩膜板中首末两端处的掩膜图案区域201形成黑矩阵图案的有效图形，并且用于形成黑矩阵图案的有效图形的掩膜图案区域201对应的对位标识202分别设置在对应的掩膜图案区域201的相对两个侧边位置。较佳地，可以分别设置在掩膜图案区域201的右上角、右下角、左上角和左下角，以保证在基板上形成的黑矩阵图案的有效图形位置的精确性。当然，用于形成黑矩阵图案的有效图形的掩膜图案区域201对应的对位标识202还可以有其他设置方式，在此不做限定。

而在图4所示的掩膜板中另外两个掩膜板图案区域201分别用于形成彩色树脂层图案的有效图形和光阻层图案的有效图形，并且这两个掩膜板图案区域201共用设置在对应的掩膜图案区域201的相对两个侧边位置的两组对位标识202。较佳地，如图4所示，对位标识202分别设置在这两个掩膜图案区域201的右上角、右下角、左上角和左下角对位标识，以实现与在基板上形成的黑矩阵图案的有效图形的对位。当然，用于形成彩色树脂层图案的有效图形和光阻层图案的有效图形的掩膜图案区域201对应的对位标识202还可以有其他设置方式，在此不做限定。

需要说明的是，各掩膜图案区域201也可以根据实际情况按照其他顺序排列，在此不做限定。

现有技术中利用如图9所示的曝光装置对光刻胶曝光的工艺流程为：首先利用机器人901将基板转移到掩膜板存储stocker区902中；然后将基板装载在基板载置台903上，并与掩膜板弯曲补偿装置bend结合，进行预对位；预对位后，通过抽真空至指定压力处理将基板吸附在基板载置台903上，调整基板与掩膜板之间的间隙，并实现玻璃基板与掩膜板之间的精确对位；对位完成之后，将掩膜板送入遮光罩载物台904，利用紫外光对基板上的光刻胶曝光；曝光结束后，解除基板与基板载置台903之间的真空，将基板从基板载置台903上卸载。每一道曝光工序都要重复上述过程，但由于曝光工序较多，一次工序对应一张掩膜板，每次工序都需要更换一张掩膜板，因此，需要进行多次掩膜板装载、卸载以及切换操作，使得准备掩膜板的时间较长；并且反复装载掩膜板还会对设备造成一定的磨损。

由于现有技术中一次光刻工艺对应一张掩膜板，而本发明实施例提供的一张掩膜板可以对应多次光刻工艺，因此，基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种曝光装置，如图10所示，包括：多个载置台1001，以及通过同一个通道与各载置台1001连接的遮光罩载物台904；其中，各载置台1001可以分别对应放置一张上述掩膜板。这种曝光装置结构来可以优化掩膜板的搬送和利用效率。如图10所示，第一张掩膜板经过机器人901搬送到第一载置台1001，并与和第二载置台1001对应设置的掩膜板弯曲补偿装置bend结合，达到基本理想弯曲状态；第二张掩膜板经过机器人901搬送到第二载置台1001，并与和第二载置台1001对应设置的bend结合，达到基板理想弯曲状态。当曝光机进入下一曝光工序曝光准备状态时，不需要再进行现有技术中的切换掩膜板的动作，而是可以直接从第一载置台1001或第二载置台1001调用需要的掩膜板进入遮光罩载物台904进行曝光。

相应地，本发明实施例提供了一种采用上述曝光装置进行曝光的方法，包括：根据各单膜层图案形成的顺序，调用相应的载置台上的掩膜板，对放置于遮光罩载物台上的基板依次进行曝光，形成各单膜层图案的有效图形。

为了更好地说明本发明提供的曝光方法，以下以在阵列基板上形成包含栅极层图案的有效图形、有源层图案的有效图形、源漏极层图案的有效图形、树脂层图案的有效图形、公共电极层图案的有效图形、像素电极层图案的有效图形、紫外固化图案的有效图形、第一层绝缘层图案的有效图形和第二层绝缘层图案的有效图形为例进行说明。

其中，各单膜层图案的有效图形形成的顺序依次为：栅极层图案的有效图形、有源层图案的有效图形、源漏极层图案的有效图形、第一层绝缘层图案的有效图形、树脂层图案的有效图形、像素电极层图案的有效图形、第二层绝缘层图案的有效图形、公共电极层图案的有效图形、紫外固化图案的有效图形。

并且，用于形成栅极层图案的有效图形、有源层图案的有效图形、源漏极层图案的有效图形、树脂层图案的有效图形、公共电极层图案的有效图形和像素电极层图案的有效图形的各掩膜图案区域201放在第一张掩膜板上，并将第一张掩膜板放置在第一载置台1001上；将紫外固化图案的有效图形、第一层绝缘层图案的有效图形和第二层绝缘层图案的有效图形各掩膜图案区域201放在第二张掩膜板上，并将第二张掩膜板放置在第二载置台1001上。具体曝光过程如下：

将第一张掩膜板从第一载置台1001搬送至遮光罩载物台904，使用栅极层图案的有效图形的掩膜板曝光区域进行曝光，从而在基板上得到对栅极层图案的有效图形；

若中途曝光机不暂停使用，第一张掩膜板保留遮光罩载物台904上，通过形成有源层图案的有效图形的掩膜板曝光区域对应的对位标识202与基板上的栅极层图案的有效图形的对位标识202进行对位，并使用有源层图案的有效图形的掩膜板曝光区域进行曝光，从而在基板上得到对有源层图案的有效图形；

由于用于形成源漏极层图案的有效图形的掩膜板图案区域也在第一张掩膜板中，因此，源漏极层图案的有效图形的曝光方式可以参照有源层图案的有效图形的曝光方式；

由于第一层绝缘层图案的有效图形的掩膜板图案区域在第二张掩膜板上，因此，需要切换掩膜板；具体地，需要将第一张掩膜板搬送回第一载置台1001，并将第二张掩膜板从第二载置台1001搬送至遮光罩载物台904；

第一层绝缘层图案的有效图形以及后续各单膜层图案的有效图形的曝光方式，可以参照栅极层图案的有效图形和有源层图案的有效图形的曝光方式，直至在基板上形成全部单膜层图案的有效图形。

可见，采用本发明实施例提供的上述掩膜板和曝光装置，由于同一张掩膜板上包含多个用于形成单膜层图案的有效图形，并且各掩膜板相应地配置了一个载置台，因此，当不同曝光工序切换时，可以减少掩膜板运送步骤，从而缩减搬送时间，降低设备磨损。并且，相比于业界背沟道刻蚀氧化物薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)技术开发，该方案一共节省了8张掩膜板，同时该方案可以验证两种变量的主面板Main Panel方案的技术开发。

本发明实施例提供的上述掩膜板、曝光装置及其进行曝光的方法，该掩膜板包括：至少两个并排设置的用于形成单膜层图案的有效图形的掩膜图案区域，以及与各掩膜图案区域分别对应的至少两组对位标识；每组对位标识中包含的两个对位标识以对应的掩膜图案区域为中心对称设置。由于一个掩膜图案区域可以用于对应形成一个单膜层图案的有效图形，通过掩膜板中的至少两个并排设置的掩膜图案区域，即可形成至少两个单膜层图案的有效图形，并且以对应的掩膜图案区域为中心对称设置的每组对位标识中包含的两个对位标识，保证了单膜层图案的有效图形的位置精度。因此，有效减少了掩膜板的数量，从而降低了开发颠覆性创新设计的成本。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种掩膜板，其特征在于，包括：至少两个并排设置的用于形成单膜层图案的有效图形的掩膜图案区域，以及与各所述掩膜图案区域分别对应的至少两组对位标识；每组所述对位标识中包含的两个所述对位标识以对应的所述掩膜图案区域为中心对称设置。

2.如权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，在所述掩膜板中最先使用的掩膜图案区域对应的对位标识的图案与其他掩膜图案区域对应的对位标识的图案互补。

3.如权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，各所述掩膜图案区域按照用于形成的单膜层图案的有效图形的制备顺序依次顺序排列。

4.如权利要求1-3任一项所述的掩膜板，其特征在于，全部所述掩膜图案区域用于采用相同性质光刻胶形成单膜层图案的有效图形。

5.如权利要求4所述的掩膜板，其特征在于，在全部所述掩膜图案区域用于采用正性光刻胶形成单膜层图案的有效图形时，所述各单膜层图案用于形成的单膜层图案为以下任意组合：栅极层图案、有源层图案、源漏极层图案、树脂层图案、公共电极层图案和像素电极层图案；

在全部所述掩膜图案区域用于采用负性光刻胶形成单膜层图案或采用正性光刻胶形成过孔图案的有效图形时，所述各单膜层图案用于形成的单膜层图案为以下任意组合：第一层绝缘层图案、第二层绝缘层图案和紫外固化图案。

6.如权利要求5所述的掩膜板，其特征在于，与各所述掩膜图案区域分别对应的对位标识为两组，分别设置在对应的所述掩膜图案区域的四角位置。

7.如权利要求4所述的掩膜板，其特征在于，在全部所述掩膜图案区域用于采用负性光刻胶形成单膜层图案的有效图形时，所述各单膜层图案用于形成的单膜层图案为以下任意组合：黑矩阵层图案、彩色树脂层图案和光阻层图案。

8.如权利要求7所述的掩膜板，其特征在于，与各所述掩膜图案区域分别对应的对位标识为两组，分别设置在对应的所述掩膜图案区域的相对两个侧边位置。

9.一种曝光装置，其特征在于，包括：多个载置台，以及通过同一个通道与各所述载置台连接的遮光罩载物台；其中，各所述载置台分别对应放置一张如权利要求1-8任一项所述的掩膜板。

10.一种采用如权利要求9所述的曝光装置进行曝光的方法，其特征在于，包括：根据各单膜层图案形成的顺序，调用相应的所述载置台上的掩膜板，对放置于所述遮光罩载物台上的基板依次进行曝光，形成各所述单膜层图案的有效图形。